TWI310209B - - Google Patents

Description

1310209 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域] 本發明係關於將光罩或標線片上形成之圖案轉印至晶 圓等之基板上的曝光裝置及曝光方法’以及使用該曝光裝 置及曝光方法來製造半導體元件、液晶顯示元件、攝影元 件、薄膜磁頭、及其他元件的元件製造方法。 [先前技術] 在製造半導體元件、液晶顯示元件、攝影元件、薄膜 磁頭、及其他元件之製程中的一個微影製程中，係使用將 光罩或標線片（以下，將此等總稱為光罩）上形成之圖案， 轉印至塗有光阻等感光劑之晶圓、或玻璃基板等（以下，將 此等總稱為基板）的曝光裝置。 近年來，作為此種曝光裝置，多使用步進重複（step & repeat)方式之曝光裝置，例如縮小投影型之曝光裝置（所謂 之步進g§)或步進掃描（step & scan)方式之曝光裝置。上述 步進重複方式之曝光裝置，係將基板保持在2維移動自如 之載台上，藉由此載台來使基板步進移動，以重複進行將 标線片之圖案像依序曝光於晶圓等基板上各個曝光照射區 域之動作的曝光裝置H述步進掃描方式之曝光裝置 ，=在將標線片之圖案轉印至晶圓上所設定之曝光照射區 域日守 邊使標線片與晶圓同步移動，一邊將標線片上形 成之圖案逐次轉印至曝光照射區域的曝光裝置。 近年來，上述元件中，特別是半導體元件日趨高積體 1310209 化，例如’其製程已進入極為微細之〇i3 ，曝光裝置被要求能提昇解像力、及提昇透二心因此 統所投影之標線片圖案像與晶圓之曝光昭射==光學系 準精度。具體而言，為提昇解像：二2位置對 長之紐波長化及投影光學系…统之高 先

Aperu^e)化，為提昇位 s ( _encal 之精確且嚴密的管理。…、月'’歹’如係進行基準線量 此處’所謂基準線量’係指投影至 案像之基準點(例如，投影“)、與離 之:線月圖 器之基準點（例如，量 /、 工之對準感測 里測視野中心）間的距離。 曰 上所形成之對準標記， ·、、，/、里日日圓 ，其中-種，传配置在Π 有各種對準感測器 的對準感測薄'、你 '光學系統側部附近之離軸方式 卓^益。使用此種對準感測 對準感測器之測量結果所得之位 2線-修正 射區域所配置之仿署 P為曝光％各曝光照 ,,,,. 。因此，藉由精確的管理基準線量， 求提昇被投影之圖案與曝光照射區域之重4精产。 昇，近年來在元件之製造上，由於要求生產性的提 之曰圓从汁生產率、亦即須提昇單位時間所能處理 ==提昇生產率，於步進重複方式之曝光裝置 升曰曰圓載台之加速度以謀求縮短加減速所需之時間 。此外’於步進掃描方式 及標線片载台之加^ 係提昇晶圓載台 、且提升曝光時晶圓載台及標線片 之~描速度，間求縮Μ光所需之時間。 然而，為提昇生產率而提昇晶圓載台及標線片載台之 1310209 加速度，來頻繁的進行加減速的話，用以驅動晶圓載台之 馬達或驅動標線片載台之馬達發熱量將變大。游丨此等 在曝光裝置内部，因此，在重複進行曝光動作時將 導致曝光裝置内部溫度產生大的變動。尤其是步進掃描方 光：置，在曝光中(圖案之轉印中)晶圓載台與標線 片載口之又方係被馬達驅動，因此溫度變化之比率較大。 此外，不僅僅是設置在晶圓載台或標線片載台之馬 驅動曝光裝置内部之驅動系統(例如，投影光學系統之透鏡 驅動系統及標線片遮簾驅動系統）時，曝光襄置内亦會 溫度的變化。 當曝光裝置内部之溫度變化時’由於會產生投影光學 系統之光學特性變化(例如’最佳聚焦位置之變數及像差的 變化）’造成解像力之降低而在轉印微細圖案時成為問題。 又由於會因曝光裝置内部之溫度變化使對準感測器及载 台產生熱膨脹或熱變形’因而有基準線量在曝光中產生變 動（基準線遷ί多base_line ddft)之虞。因此，會造成所投影 之圖案與曝光照射區域之重疊精度降低的問題。再者，因 載台之發熱使載台周邊環境氣氛之溫度上昇，因測量載台 位置之干涉器光程之波動等的影響，亦會產生載台定位精 度惡化的問題。 承上所述，為防止解像力之降低、重疊精度之降低、 以及載〇疋位精度之降低’必須將曝光裝置内部之溫度保 持疋。因此，習知之曝光袭置，係裝備檢測曝光裝置内 邰μ度之μ度感測器與溫度控制裝置，根據溫度感測器之 1310209 檢測結果，由、、ra由』α 部之溫度保：：ΓΓ置進行反饋控制來將曝光裝置内 冷式及液冷式之、” ’作為上述溫度控制褒置，無論氣 卻能力車〜 裝置皆可，但曝光裝置多裝備冷 心匕力“的液冷式溫度控制裝置。 例，二將：:丨如裝備液冷式溫度控制裝置之曝光裝置為 管線直徑，由於暖… 某、至馬達寻發熱源附近之 制等而會有所_ 1ΓΓ、曝光裝置内部空間之限 管線，因此，管線内㈣力 使用任意的構件來作為 制。㈣，/ ρ壓力m限制而使流量等亦有所限 進仃溫度控制上，溫度控制裝置最

能的配置在發埶调料w , J 々A 一 ，原附近，但由於裝置構造上的限制並不— 2只現此構成。因此，由於以上裝置構造上的限制 會在控制上浪費許多時間。 近來的曝光褒置，為保持期望之性能，例如必須對晶 圓載台及標線片載台進行在1/1(rc程度錢之溫度控= 、對投影光學线進行纟V⑽。c程度範圍之溫度控制。 然而’當上述時間浪費多時，僅使用反饋控制之習知溫度 控制裝置，是非常不易進行此種高精度之溫度控制。此= ’隨著近年來晶圓直徑之大型化，標線片載台及晶圓載台 亦大型化，使熱容量變大，熱時常數亦日益變大。又，為 提昇生產率，而要求能以高速驅動標線片載台及晶圓載台 ，由於驅動該等載台之馬達發熱量大，因此在上述溫度範 圍之高精度溫度控制亦日趨困難。 本發明有鑑於上述情事，其目的在提供一種即使發生 10 1310209 發熱量、時間常數之增大、或控制上的時間浪費，亦能以 向精度進行曝光裝置内之溫度控制，使曝光裝置之性能安 疋而保持期望之性能，進而能提昇元件之製造效率的曝光 裝置及曝光方法’以及使用該曝光裝置及曝光方法的元件 製造方法。 [發明内容] 為解決上述課題，本發明之第丨曝光裝置，係將標線 片載台（2)上所保持之標線片（R)上形成之圖案像，透過投 影光學系統（PL)投影至基板冑台⑺上所保持之基板（w)上 ，其特徵在於：具備驅動源（15, 17χ，ηγ，33, Μ，Μ， 祕，l〇4d，104e，1〇4f，1〇4g)，且具有藉由該驅動源來進 行既定動作的可動機構(2, 5,祕，1〇〇d，i〇〇e，i〇〇f，⑽幻 ，以及使受到溫度控制之流體循環於可動機構來控制前述 可動機構之溫度的溫度控制系統（61，62)，前述溫度控制系 統’係使用冑饋控制來控制前述可動機構之溫度。 虞匕發月，由於溫度控制系統係使用前饋控制來控 駕裒於可動拽構之流體的溫度’能迅速的抑制可動機構 =皿度k化，因此，假設產生控制上的時間浪費，亦能以 南精度將曝光裝置内之溫度設定成目標之溫度。其結果， 即能使曝光裝置之性能安定而保持期望之性能。 又本卷明之第2曝光裝置，係將標線片載台（2)上所 保持之&線(R)上形成之圖案像，透過投影光學系統叫 投知至基板載台（5)上所保持之基板（W)上，其特徵在於， 具備：產生溫度變動之控制對象（2, 5, AL，pL)，使流體循 11 1310209 %方；則述控制對象來控制前 糸站&制對象之溫度的溫度控制 糸、·先（61，62) ’將關於前述流體 、、ώ、#夕-欠〜 騷路徑之貢訊、關於前述流體 心迷之貝訊、與關於前述流體 .^ ^ I之資訊中之至少一個資 汛作為參數加以輸入的輸入 ,,^ 構（97)，以及根據前述輸入 ... ,, t 凡來設定前述溫度控制系統 之控制特性的設定機構（116, 1丨7)。 據此發明’由於係根據輪入機構所輸入之關於前述 机體路徑之資訊、關於前述 流體流量之資訊中之至少一個與關於前述 ^ 個貝讯，由設定機構設定溫度 先之控制特性’因此，能視流體路徑(曝光裝置設置 …置條件’具體而言，係關於流體管線之條件，詳言 俨/· ΓΙ'於S線長度及管線直徑之資訊)、流體流速(使流 體在控制對象巾彳唐@ /欠乂斗 在和制斜及流體流量（使流體 二 循環時之條件之一），來將溫度控制系統之控 制特性^為最佳、或加以變更。其結果，能以高精度將 曝内之溫度較（更新）為目標溫度，使曝光裝置之 匕安疋而保持期望之性能。此外，只要能以輸人機構輸 關於4述机體路徑之資訊、關於前述流體流速之資訊、 與關於刖述流體流量之資訊中之至少一個資訊的話，即能 將溫度控制系統之控制特性設定為最佳’因此，例如在曝 光裝置設置時’即不需要重複進行錯誤測試以求出並設定 溫度控制系統之控制特性，而亦能縮短曝光裝置之設置所 需時間。 又本务明之第3曝光裝置，具備將標線片載台（2)上 12 1310209 所保持之標線片(R)上形成之圖案像，透過投影光學系統 (PL)投影至基板載台（5)上所保持之基板（w)上的曝光本體 部（130) ’以及藉由使流體循環於產生溫度變動之控制對象_ (2，5, AL，PL)來控制前述控制對象之溫度的溫度控制系統 (6 1，62) ’其特徵在於：作為前述溫度控制系統，具有將前 述/凡體咖度设疋在既定溫度範圍内的第！設定機構（143)， 將被則述第1溫度控制系統溫度控制之流體溫度、設定在 小於前述既定溫度範圍之溫度範圍内的第2設定機構（75, 78)以及至少控制前述第2設定機構之動作的控制機構 0 (67, 77)，並將前述第2設定機構、前述控制機構與前述第 1設定機構分離，且配置在較前述第丨設定機構更接近前 述控制對象附近。 根據本發明，由於係將第2設定機構及控制機構與第 _ 1設定機構分離，且配置在較第丨設定機構更接近控制對 象附近，因此能縮短控制上的時間浪費，進而能以高精度 將曝光裝置内之溫度設定為目標溫度，使曝光裝置之性能 安定而保持期望之性能。 # 此外’本發明之元件製造方法，其特徵在於，包含使 用上述曝光裝置，將前述標線片（R)上形成之圖案轉印至前 述基板（W)上的製程。根據此發明，由於係使用上述安定 的保持期望性能之曝光裝置將標線片上形成之圖案轉印至 - 基板上’因此’能將微細圖案忠實的轉印至基板上之既定 - 位置’其結果，即能提昇元件之製造效率。 又’本發明之第1曝光方法，係將標線片載台（2)上所 13 1310209 保持之‘線片⑻上形成之圖案像，透過投影光學系統（凡） 投影至基板載台⑴上所保持之基板（w)上，其特徵在於， 具備·輸入步驟’係將關於循環於控制對象（2，5，AL PL) 之流體路徑之資訊、關於前述流體流速之資訊、與關於前 述流體流量之資訊φ $ + 乂 一個貧gfC作為參數加以輸入； 以及5又疋步驟，係根據前述輸入步驟所輸入之前述袁數之 資訊’來設定使前職體循環於前述控制對象以對前述控 制對象進仃酿度控制之溫度控制系統的控制特性。

_根據此叙明’與上述第2曝光裝置同樣的，能視流 路徑、流體流速、及流體流量 /；，L 特性設定為最佳…果： 度控制系統之控制 卢 ：:一果’能以高精度將曝光農置内之溫 'll:疋此外使曝光裝置之性能安定而保持期望之 陵-。此外，亦能縮短曝光裝置之設置所需時間。 又，本發明之第4曝光裝置，係將押 保持之標線片（R)上形成之圖案像，透過投影光學 ^至，板載台（5)上所保持之基板（w)上，其特徵在於， ”備·產生溫度變動之控制對象(2, 5)，使… 控制對象以控制前述控制對象之溫产 衣；則述 ，將關於前述標線片上0牵暖士 控制系統(62) 別4知踝片上圖案曝光於前述基板上 訊作為參數加以輸入的輸入機 序勺貧 機構所輸人之前述參數、來設定前述溫度料入 特性的設定機構（116, 117)。 ” '，先之控制 根據此發明，由於係根據關於曝光順序之 射圖資訊、關於掃描曝光時掃描 *先照 1柙彳田方向）之資訊、 14 1310209 或關於载台移動速度/加速度之資訊等），由設定機構來設 定，度控制系統之控制特性，因此能實現因應該曝光順^ 之最佳的溫度管理，對使用者所設定之各種處理程式亦具 有優異之順應性，且能實現極為高精度之溫度控制。 又，本發明之第5曝光裝置，係將標線片載台（2)上所 保持之標線片（R)上形成之圖案像，透過 投影至基极載台⑺上所保持之基板㈤上，其特：在：：） 具備：用以驅動可動機構（2, 5)之驅動源（15, ηχ，ΐ7γ， 35，72)，使流體循環於前述驅動源以控制前述驅動源之溫 _ 度的溫度控制系統(62)，用以測量前述驅動源停止驅動前 述可動機構起、至再次驅動該可動機構為止之期間的計時 機構（98)，以及根據前述計時機構之計時結果、來設定前. 述溫度控制系統之控制特性的設定機構（116, 117)。 、 根據此發明’由於係根據驅動源（發熱源）之停止期間 ’由設定機構設定溫度控制系統之控制特性，因此，能自 動勺進订因應5亥—止期間之最佳的溫度管理，是以能實現 對該驅動源之極高精度的溫度控制。 籲 又’本發明之第6曝光裝置，係將標線片載台⑺上所 保持之標線MR)上形成之圖案像，透過投影光學系統叫

投影至基板載台（5彳卜新仅4* > L 1 )上所保持之基板（W)上，其特徵在於， 具備：用以驅動可動機構（2,5)之驅動源（15，17\17¥,33， 35, 72)，使流體循環於前述驅動源、以前饋控制方法或其’ 他控制方2控制前述驅動源之溫度的溫度控制系統（62) 用以測以述驅動源停止驅動前述可動機構起、至再次 15 1310209 刖 驅動該可動機構為止之期間的計時機構（98)，以及根據 4機構之計時結果、來辨別是否使前述溫 =前述前饋控制方法、或執行其他控制方法二 左=據此發明，由於能根據驅動源（發熱源）之停止期間 ，、時適當地自動進行辨別以使用最適合此時之溫度管理 方法（是否進行前饋控制、或其他（例如，反控制）方法），因 此^自動的進行因應該停止期間之最佳的溫度管理，是 以能貫現對該驅動源之極高精度的溫度控制。 又’本發明之第2曝光方法，係將標線片载台⑺上所 保持之標線片（R)上形成之圖案像，透過投影光學系統叫 权衫至基板載台(5)上所保持之基板(w)上，其特徵在於， € 具備：輸入步驟’係將關於標線片上圖案曝光至前述基板 上之曝光順序之資訊作為參數加以輸人；以及設定步驟， 係根據前述輸入步驟所輸入之前述參數之資訊，來設定使 前述流體循環於產生溫度變動之控制對象以控制前述控制 對象之溫度之溫度控制系統的控制特性。 根據此發明’與上述第4曝光褒置同樣的，對使用者 所設定之各種處理程式亦且古版 叭7Γ具有優異之順應性，且能實現極 為高精度之溫度控制。 又’本發明之第3曝光方法’係將標線片載台（2)上所 保持之標線片(R)上形成之圖案像，透過投影光學系統(PL) 投影至基板載台⑴上所保持之基板(w)上，其特徵在於， 具備·計時步驟’係測量用以驅動可動機構(2, 5)之驅動源 16 1310209 ⑴，17X，17Y，33, 35, 72)，停止驅動該可動機構起、至再 次驅動該可動機構為止之期間；以及設定步驟，係根據前 吨叶時步驟之計時結果，來設定使流體循環於前述驅動源 从控制前述驅動源之溫度之溫度控制系統的控制特性。 根據此發明，與上述第5曝光裝置同樣的，能自動的 ^行因應㈣動源（發熱源）停止期間之最佳的溫度管理， 疋以能實現對該驅動源之極高精度的溫度控制。 又：本發明之第4曝光方法，係將標線片载台⑺上所 h之‘線片⑻上形成之圖案像’透過投影光學系統(PL) 二：至基，載台(5)上所保持之基板(w)上，其特徵在於， f 了人驟係測置用以驅動可動機構（2, 5)之驅動源 -欠虻叙？ Μ A 35, 72) ’停止驅動該可動機構起、至再 :=:動機構為止之期間；以及辨別步驟，係根據前 二Μ時結果’來辨別使流體循環於前述驅動源 控制方法或其他控制方法來控制前 -度的溫度控制系統，執行何種控制方法。 時適明’與上述第6曝光裝置同樣的，由於能隨 =也3進行辨別以使用最適合此時之溫度管理方法（ 疋古進订刖饋控制、哎i 應該停止期間之最佳的^!^)\因此，能自動的進行因 之極高精度的溫度控制Γ又疋以能實現對該驅動源 又’本發明之第5暖也 保持之標線卿，成之：法’係將標線片載台(2)上所 投影至基板載m2案像’透過投影光學系統叫 σ ()所保持之基板（W)上，其特徵在於， 17 1310209 具備：可動步驟，係使用能藉驅動源（15, ΐ7χ，口y，μ 72, 104b，104e，104f，1〇4g)而動作之可動機構（2, ;，ι〇 叱 1〇(Μ，，讀，H)〇g)來進行既定動作；以及溫度控制步 驟’係使受到溫度控制之流體循環於前述可動機構來控制 前述可動機構之溫度；前述溫度控制步驟，係使用前饋控 制來控制前述流體之溫度。 "根據此發明’與上述第1曝光裝置同樣的，由於溫度 系:先係使用前饋控制來控制循環於可動機構之液體的 制上產生時間的浪費，亦==因此即使在控 定於目標溫度。 同精度將曝光裝置内溫度設 又，本發明之第7曝光裝置，係將標線片載 保持之標線片（R)上形成 口 投马至像’透過投影光學系統㈣） U至基板载台⑺上所保持之基 具有：可動機構（2, 5 10仙1ΛΛ /、特铽在於， 備驅動源（15, 17Χ, Ι7γ 33’ ^ 1GGe’ 1(K)f’ 1G()g)’ 係具 1〇4d^ 系統⑹，62)，係控制 疋動作，以及溫度控制 系統，係使用前饋控制之溫度，·前述溫度控制 受到溫度控制之产體策制别述可動機構之溫度，且使 動機構之溫度，並罝有^於:述可動機構’來控制前述可 溫度控制系統，亦藉由：測：述流體溫度之檢測部，·前述 反饋控制’來控制前述可動機構之溫声。“i、，，。果的 根據此發明’由於溫 揽又 又t制系統係使用前饋控制來控 18 1310209 制循％於可動機構之液體的溫度，能迅速的抑制可動機構 ，-度變化，目此即使在控制上產生時間的浪費，亦能以 咼精度將曝光裝置内溫度設定於目標溫度。其結果，能將 本光裝置之性能安定的保持於所欲性能。

又’本發明之第6曝光方法，係將標線片載台⑺上所 ^ 1寺之“線片（R)上形成之圖案像’透過投影光學系統（PL) =影至基板載台⑺上所保持之基板（w)上，其特徵在於， 、有可動步驟，係使用能藉驅動源（1 5，1 7X，1 7 Y，33 35 ，〇4b, l〇4d，l〇4e，i〇4f，i〇4g)而動作之可動機構（2, 5, 二〇b，1_，1()()e，1〇〇f，1〇〇g)來進行既定動作；以及溫度 控制步驟’係控制前述可動機構之溫度；前述溫度控制步 驟：係使用前饋控制來控制前述可動機構之溫度，且使受 到溫度控制之流體循環於前述可動機構，來控制前述可動 機構之,皿度，纟具有檢測前述流體溫度之檢測部；前述溫 度控制步驟’亦藉由進行根據前述檢測部之檢測結果的反 饋控制，來控制前述可動機構之溫度。

根據此發明，愈卜沐楚7 1 上述第7曝光裝置同樣的，由於溫方 制系义係使用剛饋控制來控制循環於可動機構之液體^ 溫度，能迅速的抑制可動機構之溫度變化，因此即使在指 制上產生時間的浪春，^_ At 費亦此以南精度將曝光裝置内溫度言5 疋於目標溫度。其纟士果，At肢通，# π果此將曝光裝置之性能安定的保持 於所欲性能。 又，本*明之元件製造方法，其特徵在於：包含使用 上述曝光裝置’將前述標線片(R)上所形成之圖案轉印至前 19 1310209 述基板（w)上的步驟。 根據此發明’由於係使用上述曝光裝置（被保持於所欲 性能）將標線片上所形成之圖案轉印至基板上，因此能忠實 的將微細的圖案轉印至基板上之既定位置，其結果，处 月b壬ζ 昇元件之製造效率。 [實施方式] 以下，參照圖式詳細說明根據本發明實施形態之曝光 裝置、曝光方法以及元件製造方法。

《第1實施形態》 圖1’係顯示本發明第i實施形態之曝光裝置全體4 概略構成的圖。本實施形離车 十貝犯仏心、係對圖1中之投影光學系舍 使作為光罩之標線片R盥作為其始 κ /、作為基板之晶圓W —邊相對矛 動’ 一邊將標線片R上形志夕岡安 / …， 办成之圖案轉印至晶圓W，以ID y 半導體元件之步進掃描（st & " 來進行說明。 s叫方式之曝光裝置為分 〜 …< §兄奶笮，係設定ISI T沉_ 系統，參照此χυζ正交座" 不之ΧΥΖ正交座標 m交座"统， 說明各構件之位置關係

成平行，…门 將X軸及”由設定成與晶圓W 战十仃，將與晶圓w正交之方向 輪AX方向m定為z轴。 ：::糸統PL之光 ’χγ面係設定成與水平面平行之面XYZ7座標糸，统，實際上 向。又，本實施形態中，係將係設定在錯直方 ^晶…移動方向(掃描 分別繞各轴之旋轉方向設為方向。此外’ 20 1310209 、I μ斤不之曝光裝置1，係概略的由照明光學系統ιυ 、扁置4、投影光學系統PL·、載台系統7、以及反應 框U所構成。照明光學系、统m，係以來自光源（未圖 =用照以，以均勻之照度照明作光罩之標線片J 俨狳：(或圓弧狀)照明區域。載台裝置4，包含用以保持 R而移動之作為光罩載台的標線片載台2、與用以 2標線载台2的標線片平台3。投影光學系統PL，係將 =二片反上形成之圖案以縮小倍率1/ α ( α係例如4或5) =至作為基板的晶圓％上。載台裝置7,包含用以保持 b w而移動之作為基板載台的晶圓載台5、與用以支持 載口 5的日日圓平台6。反應框架8，係用以支持上述 載台=置4及投影光學系統PLe ^ 柱9‘:明光學系統1U ’係以固定於反應框架8上面之支持 、支持又，作為曝光用照明光，例如係使用由 $高壓水銀等射出之紫外光帶之亮線（g、線、！ W、KrF準 分子雷射光（波長248nm)等之遠紫外光（DUV光）、或心 準分子雷射光（波i 193)或者是f2雷射光（波長157麵）等 二备、外光（νυν)等。反應框架8，係設置在水平載置 於地面之基準板（base plate)IG上，於其上部及下部，分別 形成有朝内側突出之梯部8a，8b。 “作為載台裝置4之—部分的標線片平台3，係於 洛透過防振單元u切於反應框架8之梯部8a成大致水 於其中央部形成有用以使標線片R上形成之圖案像通 k之開口 3a。此外’圖j中’僅圖示配置於χ方向之防振 21 1310209 單元u，而配置於丫方向之防振單元則省略其圖示。 又，作為標線片平台3之材料可使用金屬或陶竟 振早兀u，係由内慶可調整之空氣座12與音圈馬達 梯部8a上串聯配置之構成。藉由此等时、單％ η， 過基座板Η)及反應框架8傳遞至標線片平台3之 動以微G等級予以絕緣（G為重力加速度）。 ^振 二標線片平台3上’標線片載台3被支持為能沿標線片 平台3進行2維移動。於標線片載台2底面，固定 個空氣軸承(氣墊)14’藉由此等空氣軸承U將標線片載A 2透過數微米程度之間隙懸浮支持在標線片平台3上。： 外，於標線片載台2之中央部，形成有與標線片平台3之 開口 3a連通、供標線片R之圖案像通過之開口以。

接著，言羊細說明標線片載台2。圖2,係本發明第U 施形態之曝光裝置中所ΰ T所0又之钻線片載台的外觀立體圖。如 圖2所示’標線丨載台2，具備：藉由―對γ線性馬達（驅 動源）15,15以既定行程在標線片平台3上驅動於γ轴方向 ㈣線片粗動載台16，以及在此標線絲動載台16上、 藉由-對X音圈馬達（驅動源）17X與—對¥音圈馬達（驅動 源）ΠΥ來微驅動於X、γ、方向的標線片微動載台18 。如前所述’標線片載台2,係以標線片粗動載台16與標 線片微動載台18所構成’但圖！中則係簡略之圖示。又 ，被作為《源之丫線性馬们5, 15、標線片粗動载台Μ 、以及X音圈馬達17χ與γ音圈馬達Ι7γ所驅動之標線 片載台2’相當於本發明中之可動機構或控制對象的一部 22 !310209 分。 、’’、、達15，係由.被非接觸軸承之複數個空氣軸 氣墊）19懸浮支持、延伸於γ軸方向之固定件2〇，以及 定件2〇對應設置、透過連結構件Μ固^於標、線片 載台16之可動件21所構成。因此，根據動量守恆定 ^ 對應標線片載台+ + Y方向之移動，固定件20即 了能抿:肖：向…向移動。藉由此固定件20之移動，除 I:抵靖因粗動載台16移動所產生之反作用 2心位置之變化。此外，由…性馬達之15中之移 “與固定件20係•合，因此在 :止於原來位置之力量。因此，本實施形態中，設= 示，_㈣72(驅動源：圖2中未圖 …圖6)，以使固定件2〇到達既定位置。 部所片粗動載台16 ’係藉由固定在標線片平台”央 件5/51之上部突出部力、沿Y軸方向延伸之-對γ導 ，係藉由未圖示之空氣轴…“線片粗動載台16 件51，51。 〃 7以非接觸方式支持於該等γ導 於標線片微動载台丨8， 持標線片尺。於標線片微_^%之真空央頭吸附保 有—對由角隅稜鏡構成的¥移奸52—¥方向端部，固定 片微動載台1 8之+ X方a ’兄a，5讣，又，於標線 向之平面鏡所構成之X移動端Λ’3固ί有由延伸於Y袖方 52a，52b| Χ移動鏡53 了匕寺Υ移動鏡 ‘、、、射測長光束的3個雷射干涉器（ 23 1310209 皆未圖示)來測量與各移動鏡間之距離，而高精度的測量標 線片載台2之X方向及γ方向位置、以及繞2軸之旋轉θ Z ° 回到圖1，投影光學系、统PL，其包含複數個折射光學 - 元件（透鏡元件），物體面（標線片R)與像面（晶圓w)之兩者 為遠心且具有圓形的投影視野。又，投影光學系統PL所 具備之複數個折射光學元件之玻璃材料，可視曝光用照明 光之波長，選擇例如石英或螢石。從照明光學系統IXJ射 出之照明用光照射於標線片R後，穿透標線片R之照明用籲 光即射入投影光學系統PL，將標線片上形成之圖案的部分 倒立像限制成狹缝狀，而成像於投影光學系統pL像面側 之圓形視野中央。據此，所投影之圖案的部分倒立像，即 - 被縮小轉印至配置在投影光學系統pL成像面之晶圓w上 . 複數個曝光照射區域中，一個曝光照射區域表面的光阻層 〇 接著’詳細說明投影光學系統PL之構成。圖3，係顯 示本發明第1實施形態之曝光裝置中所設之投影光學系統籲 之概略構成的圖。如圖3所示’投影光學系統pL，具備鞍 於光軸AX方向之複數個分割鏡筒丨〇〇a〜丨〇〇1，透過突緣 23支持於圖1所示之鏡筒平台25。本實施形態中，複數 個分割鏡筒l〇〇a〜1001中，被分割鏡筒1〇〇b，1〇〇d，i〇〇e， WOf，100g 所支持之透鏡元件 l〇lb, l〇ld, l〇lf，1〇lg ’為能於光軸AX方向（Z方向）移動、且能以x方向或γ 方向為軸而傾斜（tilt)之可動透鏡元件。 24 1310209 以下，就保持101b，101d，101e, l〇lf，101g之分割鏡 筒 100b，100d，l〇〇e，i〇〇f，100g 之構成，以分割鏡筒 1〇〇b 之構成為代表加以說明。又，至於其他分割鏡筒1〇〇d, l〇〇e，l〇〇f，100g之構成，由於與分割鏡筒1〇扑之構成大 致相同’因此此處省略其說明。 分割鏡筒100b，具備與位於分割鏡筒1 00b之（Z方向） 上下之分割鏡筒l〇〇a、100c相連接之外側環1〇2b，與用 以保持透鏡元件101b之透鏡室1〇3b。此透鏡室1〇补，係 以能相對外側環102b移動於光軸Αχ方向、且繞與χ軸 平订之軸或與γ軸平行之軸傾斜之方式，連結於外侧環 102b。 又，分割鏡筒1 00b，具備安裝於外側環1 02b之致動 器（驅動源）104b。作為此致動器1〇4b，例如可使用壓電元 件。致動器104b’例如係透過由彈性鉸鏈所構成之作為變 位放大機構的連桿機構’來驅動透鏡冑⑽。此致動器 ⑽’係於χγ平面内以方位肖12〇。安裝於分割鏡筒 亀之3個位置，據此’透鏡室刪之3個位置即獨立 的朝光軸AX方向（Z方向）移動。 此處，在3個致動器1〇4b^z方向驅動量為相同量 寸’透鏡室103b係相對外側環刪平行移動於z方向(光 二方向)’：在3個致動器方向驅動量為不 里¥ ’透鏡室lG3b則係相對外側環_繞與又轴 =或與Y轴平行之轴傾斜。此外，3個致動器 方向驅動量為不同量時，透鏡室娜亦有可能相對外側 25 1310209 環102b朝Z方向（光軸Αχ方向）移動。 又’分割鏡冑_，具備安裝於外側環1〇2卜例如由 光學式編碼器所構成之驅動量測量部1〇讣。此驅動量測量 部職，、係力XY平面内以方位角12〇。安裝於外側環 102b卩測里各位置之透鏡室⑺外相對於外側環 方向（光軸AX方向）移動量。此外，3個驅動量測量部 l〇5b，配置在將3個致動器祕繞分割鏡筒嶋中心、

於XY面内旋轉60。 105b之測量結果_ (closed-loop)控制透鏡 之位置 邊參照上述驅動量測量部 邊驅動致動器l〇4b，即能以閉環 至103b之移動、以及透鏡元件1〇lb 之移動。此外’具備被作為驅動源之致動$】⑽，⑽d l〇4e，l〇4f，l〇4g分別艇動之透鏡元件1〇lb, i〇id，驗 i〇if，i〇ig 的分割鏡筒 100b，100d，100e，1〇〇f，i〇〇g，相當 於本發明中所謂之可動機構的一部分。 田

又圖3所示之为割鏡筒】〇〇a〜j 〇〇1 +，以分割鏡筒 l〇〇a，100c，i〇〇h，l〇〇i，100j，1〇〇k，1〇〇1 所支持之透鏡元件 l〇lc，i〇ih’ 1()li，1〇lj，1〇lk，1〇11 ’為固定透鏡。例 如，分割鏡筒1 00c，具備與位於分割鏡筒丨〇〇c之方向） 上下之分割鏡筒1〇〇|3、100(1相連接之外側環i〇2c，與安 裝於外側環102c、用以保持透鏡元件1〇lc之透鏡室i〇3c 。又，本實施形態中，雖係以使用壓電元件作為致動器 1 04b之情形為例來說明，但亦可以磁伸縮致動器或液體壓 致動器來構成。此外，上述透鏡元件1〇Ia〜1〇11可由單一 透鏡元件來構成，亦可由組合複數透鏡元件之透鏡群來構 26 1310209 成0 τq在不改變透鏡元 以上構成之投影光學系 件 l〇la，101c，101h，101i，1〇ij，1〇lk，1〇11 之姿勢（光軸 AX方向之位置及相對於XY平面之傾斜）下改變透鏡元件 101d，101e，101f，101g之姿勢。以未圖示之透鏡控 制器來控制致動器104b，104d，104e，l〇4f，l〇4g，藉調整 此等透鏡元件中一個透鏡元件之姿勢，或以彼此相關聯之 方式調整複數片透鏡元件姿勢，即能個別修正5個旋轉對 稱像差及5個偏心像差。此處，所謂5個旋轉對稱像差， 係指倍率、歪曲像差（distortion)、慧形像差、像面彎曲像 差、以及球面像差又，所謂5個偏先像差，係指偏心歪曲 像差（distortion)、偏心慧形像差、偏心像散像差、以及偏 心球面像差。 回到圖1，投影光學系統PL，係以光軸Αχ方向為z 方向從上方插入以鑄物等構成之鏡筒平台25 (係透過防振 單元24大致水平支持於反應框架8之梯部8a)，且卡合突 緣23。此處，防振單元24，係配置在鏡筒平台乃之各角 落、由内壓可調整之空氣座26與音圈馬達27串聯配置在 梯部8b上。此外，圖i中，僅顯示配置於χ方向之防振 早兀24，而省略配置於γ方向之防振單元。藉由此等防振 單元24,來將透過基座板1〇及反應框架8傳遞至鏡筒^ 台25(以及投影光學系、统PL)之微細振動，以微g級加以 絕緣。 載台裝置7 ’係以晶圓載台5 ’將此晶圓載台5支持為 27 1310209 能沿XY平面移動於2难古a 、准方向之晶圓平台6，盥θ n & 設置為一體、用以吸附伴垃日π 阳圓载台5 Η寸保持晶圓W之試料Α 該等晶圓載台5及試料a + σ ，以及將 σ ST支持為能相

導桿XG為主體所構成。於晶圓載台5動=之X 接觸轴承之複數個空氣轴承（㈣郎，❹口:有非 28，透過例如數微米程度之 二軋軸承 晶圓平台6上。 永將載台5懸浮支持在 晶圓平台6,係透過防振單元”， 基座板之上方。防振單元2 ^支持在 之各角洛 '由内壓可調整之* 十 •之工氣座30與音圈馬達31 配置在基座板1〇上。此外， 運31並聯 〇 中’僅顯示配置於X太 向之防振單元29，而省略配置 、 夏万、Υ方向之防振單元。拉 此等防振單元29，來將读π苴— 猎由 ^ ^ 采將透過基座才反1〇傳遞至晶圓平台6 之槭細振動，以微G級加以絕緣。 接著’詳細說明晶圓葡a … 兄月曰曰圓戰口 5。圖4,係本發明第！實施 开> 恶之曝光裝置中所設之S [J] # _ .. 所又之曰曰51載台的外觀立體圖。如圖4 戶^ ’ X導桿XG呈沿X方向之長尺形狀，其長度方向兩 W別設有由電枢單元構成之可動件36, 36。具有對應該 可動件36, 36之磁石單元的固定件37, π，係設置在突設 於基座板1〇之支持部32,32(參照圖卜又，圖Η係簡略 的顯示可動件36及固定件37)。 以此等可動件36及固定件37來構成線性馬達（驅動源 )33, 33,藉由可動件36與^件37之間的電磁力相互作 用進行驅動使X導桿XG移動於γ方向，並藉由調整線性 28 1310209 馬達33，33之驅動來旋轉移動 線性6、查” 夕動於方向。亦即’藉由此 注馬達33 ’與X導桿XG大致一 試料▲ 體的將日日圓載台5(以及 τ十口 S丁、以下，僅稱試料 向。 51)驅動於丫方向及62：方 此外’於χ導件XG之—γ 士 a 7 , 遠U _ 方向側，女裝有X微調馬 4之可動構件。X微調馬達 以哺敕v # 你在x方向產生推力 口周t X導件XG之χ方向 & Λ 直其疋子（未圖示）係設在 應框木8。因此，將晶圓載台 戟口 5驅動於X方向時之反作 ，即透過反應框架8傳遞至基座板1〇。 忒料台ST，係透過磁石(用來與χ導桿xg之間於ζ :維持既定量間隙）及磁性導件（由致動器構成），以在χ 。°相:移動自如之非接觸方式支持、保持在X導桿狀 χ :圓載台5 ’係藉由Χ線性馬達（具有埋設於X導桿 。定子）之電磁相互作用而被驅動X方向。χ線性馬達 σ動件雖未圖示，但係安裝於晶圓載台5。於試料遽 Ζ透過晶圓保持具41以真空吸附等方式固定晶圓w( 、圖1圖4中未圖示）。又，作為驅動源之線性馬達 ’ 33及X線性馬達35來驅動之晶圓載台5，相當於本發 明所謂之可動機構或控制機構的一部分。 此外，與作為驅動源之上述線性馬達3 3相較，X線性 馬達配置在較接近晶圓載台5上所裝載的晶圓w。因此， 線J·生馬達35 ’最好是使用發熱量較少的動圈式線性馬達 。又’就發熱量的觀點而言，線性馬達33最好是能與χ 線性馬達同樣的使用動圈式線性馬達。然而，由於動圈式 29 1310209 馬達需在可會；杜κ丄 士 午6中德環冷媒，因此在不利於裝置構成 叶亦可使用在可動件36側設置磁石的動磁型線性馬達 〇 口载D 5之X方向位置，係以固定在投影光學系統 PL之鏡筒下端的參照鏡42(參照圖1)為基準’藉由測量移 動鏡43(固定在晶圓載台5之一部分）之位置變化的圖1所 示之雷射干涉器44以既定之分解能力，例如0.54細程 度之分解能力即時加以測量。此外，藉由配置成與上述參 照鏡42、移動鏡43雷射干涉器44大致正交之未圖示的參 …、鏡雷射干涉器及移動鏡來測量晶圓載台5之Y方向位 置。又，此等雷射干涉器中，至少一方是具有2軸以上之 測錄的多軸干涉器，根據此等雷射干涉器之測量值，不 僅是能求出晶®載台㈣及晶圓w)之χ方向位置及丫方 向位置’亦能求出“走轉量及調平(he—)量。 進一步的，如圖1所示，於投影光學系統之PL之突 緣23，於3個不同位署if]中古。/ U位置固疋有3個雷射干涉器45(但圖1 中，僅代表性的圖示此等干涉器之其中之一）。鏡筒平台 25對向於各雷射干涉器之部分，分別形成有開口 25a，而 從各雷射干涉器45射向Z方向夕+ ^ , 士 ^ D之雷射光束（測長光束）即透 過此等開口 25a照射於晶圓平A 从B m 〇6。於晶圓平台6上面對 向於各測長光束之位置，分別 u战有反射面。因此，即藉 由上述3個雷射干涉器45，以空& 乂大緣23為基準測量晶圓平 口 6之不同3點的z位置。 接著，說明設於曝光裝置1 d'尤衣直1之溫度控制系統。圖5， 30 1310209 係顯示本發明第1實施形之曝光裝置上所設之溫度控制系 統之構成的圖。圖5所示之溫度控制系統，大分為：使用 冷媒，以投影光學系統PL及對準系統八1為控制對象進行 溫度控制、管理的第i控制系統61 ;以及使用冷媒，以標 線片載台2及晶圓載台5為控制對象，與帛"空制系統μ 獨立的溫度控制、管理的第2控制系統62。又，此等第工 控制系統61與第2控制系、统62，係分別設置在各別的框 ，會未圖示)内。如前所述’本實施形態，係各別控制發熱 量或溫度變化量在既定量内之投影光學系統pL及對準系 統AL，與發熱量或溫度變化量大於既定量之標線片載台2 及曰曰圓載台5。又，作為溫度調節用之冷媒，雖可使用氫 氟醚（HFE)及氟洛麗那（Flu〇rinert、商品名），但本實施= 態就地球環保之觀點，係使用地球溫室效應低、臭氧破壞 度為零的HFE。 第1控制系統61中受到溫度調節之槽63内的冷媒， 經過泵64後即被分歧為依序循環於對準系統AL及投影光 學系統PL之循環系統C1，與以蒸發器65加以冷卻之^冷 卻系統C2。剛從泵64吐出後之冷媒溫度以溫度感測器二 加以檢測後輸出至控制器67。關於循環系統ci，由於係 以螺旋狀配置在投影光學系統PL之鏡筒68周圍，因此以 冷媒進行之溫度調節範圍能設定較廣。本實施形態，於圖 5中，冷媒係於鏡筒68之周圍由上往下之螺旋狀進行循環 ’但並不限於此’,亦可由下往上之螺旋狀進行循環。此外 ’此循環系統Ci巾’設有用以檢測循環於投影光學系統 31 1310209 PL前之冷媒溫度的溫度感測器69，其檢測結果係輸出至 控制器67。又，溫度感測器66及溫度感測器69係相當於 本發明所謂之檢測部的一部分。此外，本實施形態中，如 月(j所述，雖係於鏡筒68周圍之大致全面將管線配置成螺 旋狀來進行投影光學系統pL之溫度調節，但本發明並不 限於此，將管線配置在用以保持投影光學系統p]L之構件（ 突緣23)的一部分，以進行溫度調節（突緣調溫方式）亦可。 作為離軸系之對準系統AL，可使用LSA(LaserStep

Angnment)方式、FIA(Field Image Alig_nt^ 式或者 LIMLasei· lnterfe_etdc AHgnment)方式之對準感測器。 LSA方式，係使用He_Ne等之雷射光來照射晶圓w上之 點列狀的對準標記，利用因該標記而繞射或散射之光線， 來檢測標記位置的方式。又，FIA方式，係使用以函辛燈 等為光源之波長頻寬大的光線進行照射，將使用CCD_ 機等所拍攝之對準標記的影像資料加以影像處理，來測量/ 標記位置的方式。此外，LIA方式，係對晶圓w上之 =狀的對準標記’照射於節距方向對照傾斜的2個相干 光束（半導體雷射等），干涉所產生之2 位來測量對準^己位晉的古4 個、，堯射先，從其相 】里對料δ己位置的方式。又，作為對準 使用例如物8/39689號t所揭示之方式，亦即，對 上之對準標記，垂直照射對準檢測光: 光等），並檢測由標記所產生之同次數之 yAG雷射 本實施形態中，#佶用口 + ρ %射光的方式者。 〜中，係使用上述中之FIA方式的對 述循環系統CI，係使冷媒循環於對準系統AI/中之 32 1310209 對準光源以進行溫度調節。作 氺風么 為痛王衣方式’例如可盘庐里 旋狀。此外，於對準宇續AT :原之框體將&線配置成螺 使冷媒循環於用以收& 先源，亦可 凋郎。又，不是離軸季 貫轭洫度 糸、，'先而疋透過投影光學系统Ρτ # 檢測晶圓W上之標記的 、、先PL來 々 1TR(Through The Reticle^ 或丁TL (Through The Lens)方彳+ )式、 )方式，亦同樣的能使冷媒Μ 於對準光源及框體以進^ 史7媒循％ 1 丁 /亚度調。於循環系統C1据严狄 對準系統AL·及投影光學系凡 11循裱於 分隔之槽63的上側室（h h 7 '⑽上下2層連通 J上側至（chamber)内猶環流動。 又，TTR方式或Τττ 士 4- 一 L方式之對準感測 投影光學系統PL來測I a w ^ 田於係透過 木利里日日0 W上所形成之對 置，因此於投影光學系絲ρτ + ^ 對早‘圮的位 尤子糸統PL·之物體面（標線 影光學系 '统PL之開口部進退。據此，裝備此等:::技 器時，用以使對準動作進退之馬達即相當於本發明所= 驅動源，而對準感測器即相當於可動機構。 ”月 另-方面，冷卻系統C2之冷媒，在 冷卻後即被分歧為循環流動於槽Μ之上側室的路 與朝向熱父換器70之路徑C4。又，蒸發器Μ，係以循产 氣體冷媒之冷;東機73加以冷卻。被冷卻之冷媒’心 徑C4以熱交換…用於熱交換後，循於二 之上側室而再被冷卻。 ' 心63 於槽：之下側室’配置有被控制6?控制之加熱器71 。此控制器6 7，根撼〉έ ρ #、'目,丨哭< < < 根據飢度感心66, 69之檢測結果控制加 33 1310209 熱器71之驅動，據以透過冷媒將對準系統AL及投影光與 系統PL之溫度，控制（管理）在例如2rc±〇〇rc。又，: 詳細雖留待後述，但控制器67為本發明所謂之溫度控制 糸統的一部分’其進行前饋控制及反饋控制來控制對準系 統AL及投影光學系統PL之溫度。 、 ^第2控㈣統62中’被熱交換器70所冷卻之冷媒， 在！過泵74彳&，即被分歧為循環循 系統C5,與循環於晶圓載 ：載口 2之“ 护击丨备姑η 僱衣糸統C0。又，第2 :循二二1w ’不循環流動於槽6 3而係以-封閉系 75，且J有：t: Γ中’於泵74之下流位置設有加熱器 度及循環於標線片载台2後之心二片载…之冷媒溫 -，溫度感測器度感測器76a， 控制器77，將從溫度感心76、7，、°果輸出至控制器77。 單純平均％ u a，？6b輸出之檢測結果予以 反饋：Γ :根據所得之結果對加熱…行 t±〇.〇lt片載台2之溫度控制（管理）在例如23 卻之冷媒循㈣ΓΓ態中’雖係將被熱交換器7。冷 時，將豕74配置在二Γ熱交換器70之壓力損失較大 〜之…，，將循環系 在泉74之上流位置即可。〜部後之冷媒）之合流處設 統。===明對標線片载…溫度_ 略構成的圖。如圖6;=二設之溫度控制系統之概 衣系統C5，被分歧為分別循 34 1310209 環於γ線性馬達 ，運15之可動件2 21以進行溫度 環系統C7 Γ7 V , k市·！的痛 ，7 W刀別循環於微調馬達72, 72以進行溫产 制的循環系統C8，C8,循環於γ音圈馬達17^進^ = 七制的循％系、统C9，以及循環於X音圈馬達以進： ^ 盾衣糸統C10所構成的複數條分歧流路。 各循嶮系統C7〜C10中，分別設有位於各馬達之上流 、用以控制冷媒流量的閥80。此外，於循環系統C7之一 方在可動件21附近，設有用以檢測循環於可動件2

之冷媒溫度的上诫：田谇#、a, J 、述服度感测器76a，與用以檢測循環於可 <之冷媒溫度的上述溫度感測器76b。 、、目丨I吳寻/皿度感 … 為本發明所謂之檢測部的-部分。本實施形 表的對1個可動件21(圖6中右側之可動 件）設置溫度感測51 7 Α。 1 η 心、】态76a，76b ,但本發明並不限於 度控制對象之所有嗯動、浪八對μ 斤有驅動源刀別配置溫度感測器亦可。 回到圖5，於眾74夕nr , ' 下、々IL位置設有加熱器7 8，且役有 用以分別檢測循環於晶圓载纟 ° P! ^ ^ ⑴ < 令嫖·^度及循環於晶 0載台5後之冷媒温度的 51 7Q, 7QK ^ 又』利态79a，7外，溫度感測 ;9a 79b传：Γ結果輸出至控制器77。又，溫度感測器 79a，79b係本發明所謂之檢測部的—部分。控 從溫度感測H 79a，79b輸出 1双㊇滞果予以早純平灼戎加 權平均，根據所得之結果對加埶 电十勺戈力 τ刀熱益78進行反饋控制，以 將晶圓載台5之溫度控制（管 例如23°C谈β。以循 %糸、，先C5循％於標線月載台2 & ^#曰m π 便之冷媒、以及以循環系 、-先C6循ϊ衣於日日圓載台5後之户拔 媒’分別以熱交換器70加 35 1310209 以冷卻後進行合流 接著進步詳細說明對晶圓載台5 。圖7，係顯示對a 之溫度控制系統 成的圖。如圖7所 二制系統之概略構 “循辰糸、，先C6，被分歧為 線性馬達D之可叙Α μ 无為刀別循環於 J動件36, 36以進行溫度控 C11，C11，分別掂ρ认v ώ 工制的循環系統 刀另“盾％於X線性馬達35以 循環系統⑴。又’各循環系統Cll，ci2f=度控制的 於各馬達之上流、用 刀別设有位 用以S周即冷媒流$的閥84。 環系統C11之一方，作古田 ν 此外，於循

义人 方s又有用以为別檢測循環於可動妹W 月,J之冷媒溫度以及循環於可動件36後 動件36 溫度减測哭79a 7〇u 7媒《•度的上述 79be關於此設在晶圓載 測器，亦盥上述萨姑μ #、， 彳則之/皿度感 一上遺私線片感測器同樣的，對溫度控 所有驅動源分別配置溫度感測器亦可。 象之 針對用來實施晶圓載台5(試料台ST)之水平調 艰焦調整)的3個音圈馬it 81〜83，亦分別gm 統C1 3〜c 1 5之其綠。夂π班/ _置有循環系 有位於立圈& ::'㈣統CU〜Cl5中’分別設 、曰圈馬達之上、、用以調節冷媒流量的目“，作由 、曰圈馬達81〜83之驅動頻率少於線性馬達刊乃 發熱量或溫度變化量亦較小，因此此等猶環二 、 5係以第1控制系統61之循環系統ci中八此 冷媒來進行溫度控制。 刀 “再回到圖5 ,主控制系統95 ,例如係根據硬碟裝置等 :5己憶裝* 96中所儲存之曝光資料檔案的内容，對曝光 衣置1内容所設之各部輸出控制訊號（控制指令）以控制曝 36 1310209 光裝置1全體之動作。此處，曝光資 定於晶圓W之曝光照射數及關於所使用之二=有設 ::進行晶圓曝光上所需之處理嶋佈訊; 制二理u先學“ pl &學特性之調整處理…戶 制處理等）及其處理順序（所謂之處理程式、re -度控 位處=::=進行標線“與晶圓W之相對性的對 控：::::r1控制指令)輸出至未圖心 之位置，==標線片載台2及晶圓載台5 記及晶圓W上形成β測量標線片汉上形成之對準標 /成之對準標記來進行對準。 =，將標線片R之圓案轉印至晶圓W0[ 先貝料檔案之内容， 康述曝 統-輸出曝光控制不之載台控制器及照明光學系 及晶圓载台5加速…,丨2控制指令)，使標線片載台2 明光學系統IU射出昭二：達到預先設定之速度時，由照

之一部分的狀能Γ 此照明用光照射標線片R 又，在描標線片載台2及晶圓載台5。 異常狀態)之;生而：亍動作中’有可能因未預 順序進行處所…處理 晶圓W之對準標^ Η準處理之進行中無法測量 此種異常狀態時，主"二進r續處 出復原控制訊_ 3=二叫 至正常狀態的處理。作以進行由異常狀態回復 、’復原處理，例如，係進行使標 37 1310209 線片載台2及晶圓載台5移動至預先規定之原點 明光學…U射出照明用光時，則係進行停止照明用： 之射出的處理。 csu:處’如圖5所示，由主控制系統輪出之控制訊號 3 34對準控制訊號、曝光控制訊號、及復原控制訊 旒）係輸出至控制器67及控制器77。此係因，控制器6' 7根據來自主控制系統95之控制訊號⑶，以前鑛控制 來控制投影光學系統PL與對準系統AL、以及標線片载台 2與晶圓載台5之溫度之故。 本貫施形態之曝光裝置i，於第"空制系統Η中，係 以槽63内所設之加熱器71來設定在投影光學系統凡及 對準系統AL中循環之冷媒的溫度’在第2控制系統62中 ，則係以加熱器75, 78來分別設定在標線片載台2及晶圓 载台5中循環之冷媒的溫度。為了以高精度將投影光學季 統PL與對準系統AL、以及標線片載台2與晶圓載台5之 溫度保持-定’以控制上之時間浪費(例如，最後以加熱器 75’ 78力口以调整溫度之冷媒’通過管線(流路)到達馬達等 控制對象之實際上至溫度調節所需之時間）愈短者愈佳。 然而，在曝光裝置之構成上，將加熱器^酉己置在控制 對象之投影光學系統PL及對準系統AL附近，將將加熱器 75, 78分別配置在控制對象之標線片載台2及晶圓載台5 之附近十分不[而會產品某種程度之時間浪費。本實施 形態中，如後述般，係根據主控制裝置％所輸出之控制 訊號CS卜由控制器67, 77以前饋控制來設定各冷媒之溫 38 1310209 度以防止因時間浪費造成溫度控制之精度惡化。 又’设於第1控制系統6丨之溫度感測器66, 69、設於 ^線片载台2之溫度感測器76a，76b、以及設於晶圓載台 5之μ度感測器79a，79b，以能檢測出土〇 〇1之精度者較 ^不過，由於標線片載台2及晶圓載台5所需之溫度控 制知度為±0.1 C，因此，作為溫度感測器76a，鳩，79^ 79b，亦可使用具有用以實現此溫度控制精度所需之檢測 此力的恤度感測器。此外，關於溫度感測器之溫度測量取 樣週期，❹’在控制精度較嚴才各、或溫度變化量較大之 情形時’最好是能縮短取樣週期等，根據所要求之溫度控 制精度、或控制對象之投影光學系統pL、標線片載台2及 晶圓載台5之溫度變化量（發熱量）來加以變更。 又’本實施形態中，雖然為了能直接測量冷媒溫度而 將各溫度感測器設置在流路（管線）内部，但除此之外，亦 可將溫度感測器之檢測部設置在離開f線壁面之位置（亦即 ，懸垂於館内中央附近之配置位置）。藉由此種配置，具有 透過管壁面不易受外部環境之不良影響的優點。此外，亦 可將溫度感測器作成可交換之構成。此構成，彳以是在管 設置插入口，透過此插入口來作為可褒拆之構成；或以熔 接等方式將溫度感測器固定在’而將包含溫度感測器 之-部分作成可父換之構成。再者，亦可在f的外表面設 置溫度感測器，透過管來測量冷媒溫度。 接著，詳細說明控制器 控制器77之控制晶圓載台 67，77之構成。圖8，係顯示 5之溫度之部位之構成的方塊 39 1310209

圖。又，由於控制標線片載A σ 之/皿度之部位亦係同檨夕 構成’因此圖8中省略复圍-,, 又 ’ ％具圖不。此外，控制器67之 亦與圖8所示之控制器77之構成相同。 成 也就是說’圖8中，甚脸4丸„。 右將加熱盗78、溫度感測器79a 汉咖度感測态79b分別替拖或上也οσ 」連換為加熱器75、溫度感測器 及溫度感測器76b的話，即处田七 6a 即旎用來說明控制器77之用來 Η戰口 2之,皿度之部位的構成。又，圖 將控制器77、加熱器π、、、田声式.日, _Π1_ '凰度感測态79a及溫度咸測器 7外分別替換為加熱器71 ^ ^ 度感測态66及溫度减測哭 69的話，即能用來說明控制与67 又找心 匕制益67之構成。此外，以下之 °兄月中，為避免重複說明，僅 曰圓鄱a < 僅次明控制器77之用來控制 日日Η載台5之溫度之部位的播 載台5之圖示。卩位的構成。又，圖"，省略晶圓 如圖8所示，控制器77之用來控制晶圓載台$之溫产 的部位，传由g辦、、田电认 又 積分微商P 部110、運算部⑴、卿匕例 •Cl P(mKmalInte㈣灿 ve)控制器 112、 刖饋控制器（以下、稱FF控制哭 π。）11 3、相加裔114、運算 # us、設定部116、以及設定 # Λ ^ η η ^ ^ , Ρ 1 17所構成。目標溫度 物4 11 〇係輸出賦予晶圓遨 W… 載口 5之目標溫度(例如，23。。 '私溫度訊號。運算部111，俜視目；、θ _ ^ & 餅仏山Α 硯目軚溫度輸出部110 斤輸出之目標溫度訊號SG1^ ^ ^ ^ 〇Γ, 6, ¥ ^ 、攸運异部Π5輸出之復原 虎SG6的差，輪线差訊號SG2。 PID控制器112，传报播始认 出用央i㈣”係根據鈿輪入之偏差訊號SG2,輸 工制加熱态7 8之加熱量的押制 〜匕刺Λ戒SG3。FF控制 40 1310209 益11 3 ’根據由主控制系铋 制糸、、先95輸出之控制訊號cSl， 用來控制加熱器78之加埶旦沾知輪出 之加熱里的控制訊號SG4，以對循 統C5之冷媒溫度、及晶 衣糸 _戰口 >之溫度進仃前饋控制。 在主控制系統95進行;I®錄H D rt3 Β π 适仃知線片R與晶圓W之相 位處理時、在掃描標線片載 、 線…圖案轉印至曰圓;，圓載…進行將標 ,± K W之處理時、以及在進行復原 處料’日日日圓載台5之每單位時間之加減速次數（驅動文數 )及加速度（驅動量）之大小皆不相同。因此，砰控" 攸主栓制裝置95輸出之控制訊號SC1算出每單位時間 之加減速次數及加速度之大小，於各處理時輸出變更了控 制量的控制訊號SG4。 工 此處’之所以使用FF控制胃113來進行前饋控制， 係因為要以高精度將晶圓載台5之溫度，控制( 如23°C±0.1°C之故。相加哭〆 相加益114,係PID控制器所輸出之 控制訊號SG3與FF控制器113所輸出之控制訊號灿予 以相加，以作為控制㈣SG5輸出至加熱器Μ。運曾部 ⑴’係對溫度感❹79a，79b之檢測結果施加既定之運 算處理（例如，平均處理），以作為復原訊號SG6加以輸出 。以此方式’控制器77俜一偁蚀 糸併使用反饋控制及前饋控制 ’來進行晶圓載台5之溫度控制。 設定部U6，117,係分別用來設定打控制器⑴之控 制量及pm控制器112之控制量者。本實施形態中，如前 所述’為防止因時間浪費造成溫度控制之精度惡化，控制 器77雖係具備FF控制器來積極的進行前鑛控制，但亦有 41 1310209 從圖5所示之加熱器78到控制對象之晶圓載台8為止之 管線長度，視曝光裝置i之設置環境而變化的情形。 於進行前饋控制之場合，適當之控制量會根據管線長 度而變化。此外，最佳控制量亦會視管線中流動之冷媒的 流速及流量而變化。此點’ * PID控制$ ιΐ3之，制旦而 言，亦是同樣的。曝光裝置1之設置時結束配管後’雖能 在貫際的使曝光裝置1動作’且在俅八财* 仕便冷媒流動的狀態下一 ^嘗試-邊找出錯誤以設^上述控制4，但為了求得最佳 神 了门因此，本實施形態中 ’僅需輸入從加熱器78至晶圓載二 ^ 圓戰〇 5之管線長度與管線 =、以及管線中流動之冷媒流量與流迷，設定部m, 117即能分別算出並設定FF控制芎 夕巧， 利态113及ΡΙϋ控制器112 2控制量。此外，管線中流動之流體的流速，由於可 “康：流體之流量與管線直徑來算出，因此，本實施形態 1作m參數群，在輸入流速時係與管線長度為-組 :輸入广而在輪入流量時則係與管線直徑與管線 食度為一組來作為輸入參數。 圖5中’輸入裝置97係相當於太八 ，例if π 於本發明所謂之輸入機構 係由知作面板或鍵盤等所構成，於曝光 置時，由㈣員加以操作來輸^ 衣置5又 載a s少其成ε 關於從加熱器78至晶圓 口之吕線長度（從流體被施以溫戶 控制對象為止之流體 又二〗之取後處至到達 流量盘、,*、φ … 及g線中流動之冷媒 瓜里與抓速的貧訊。從輸入裝置π 過主控制系統95輪出 "此寻倉訊，透 工 77之设定部（設定機構）116 42 1310209 ^ CJ'J 圖。立匕夕卜 ，由 相同 明。 121 1 為既定 於設定部1丨7之内部構成亦與設定部116之内部構 ’因此針對設定冑117，除必要之說明外省略其Μ 如圖9所示’設定部116,包含記憶部12〇及 己憶部12〇’係儲存將上述管線長度及管線直徑設： :長度（基準管線長）及既定直徑（基準管線直^^ 冷媒流量及流速設定為既定值（基準流量及基準流速）之 態下的FF控制器113之基準控制量(基準控制特性）。 算出部121，係根據記憶#120中儲存之基準控制旦 ’與輸入裝置97所輪入之管線長度等之資訊，來算出： 設定於FF控制器113之最佳控制量。算出部η 之最佳控：量中’包含用以控制循環系統C5中循環之： 媒溫度的日T序及控制量的絕對括,4 令 定部117之算出部，則算出進行piD 又於叹 及P(比例）控制、1(積分#制 二的控制時序以 常數的最佳值。）W Μ微分）控制之各個控制 接者，舉-間單的具體例。當猶環系統 冷媒流量及流速分別與上述 盾衣之 長度為上述基準管線長的吕線 控制之時序，係較管線長為基準管線：:=3進行前饋 。因此，算出“】在輸入之：:Γ時序延遵2倍 ，視所輸入之管線長對基準控制:：：S線長不同時 最佳的前饋控制時序。 7，.’内插，以算出 43 1310209 算出部121在算出最佳控制量時，除 “亦可使用藉由最小平方法之近似、或更為複雜之=1 卜 近似法或内插法。設定部116，將算㈣⑵厂的 量（控制特性）設定於FF控制113。藉由此構成;·空= 短設置曝光裝置1時所需之調整時間’能謀求成本之= 、且使曝光梦置之,]·生#企+ 之降低 提昇元件之製造效#疋而保持期羞之性能’其結果能 二本實施形態中’係如上述般使用基準 出前饋控制之控制量、以及HD控制之控制量由 管線it;:對:)係表(將各控制量與複數個設定條件( 預先以Si:實=設定條件之細分化 定之條件選摆旧/土批七θ 、…子者），根據该表來對設 、、取土控制量、或進行内插運算。 明，接著就本1S明第1實施形態之曝光裝置構成作了說 ，係由主押：明本曝光裝置進行曝光時之動作。曝光動作 田主控制系統95從R ς- 之曝井3攸圖5所不之記憶裝置96中所儲存 -、先貝枓檔案中讀出關於 控制器及昭明#風么 貝科對未圖不之載台 令)而開始曝光;，，出曝光控制訊咖 線月載二2刀曰 開始後，未圖示之载台控制器即使標 秋口 2及晶圓載a 备加丄 台5達到既定速度時：昭明光興广"载台2及晶@載 ，以均勾即射出照明用光 # 、心線片R上既定之矩形照明區域。 ，晶圓w二對此照明區域掃插於Y方向’與此同步的 萝田於輿此照明區域及投影光學系統PL光學 44 1310209 上共軛之曝光區域。據 明用光被投影光學系統边私線片R之圖案區域的照 投影至塗有光阻之曰n u α倍’將圖案之縮小像

、"日日 JBJ 區域，逐次轉印標線片R 。然後，在晶圓W上之曝光 上之圖案區域全面轉印至曰之圖案’以1次掃描將標線片R 當標線片粗動载台〗6，Q W上的曝光照射區域。 固定件20朝—γ方向之 例如私動於+ Y方向時，藉由 線片粗動载台！ 6之ρ動使動篁獲得保存，除能抵消標 重心位置之變化。此：，：：隨的反作用力外，亦能防止 能抵抗移動件21與固定^此時微調馬達72之動作， 既定位置。 之叙合，使固定件2 0到達 關於此一連串的曝光虚 系统P]L產咮勒 ，會因照明用光使投影光學 使對準系統AL產生熱（於對準系統' ^收）因對準光 ，且隨著標線片載台2及晶圓载:5之^"動學系的熱吸收） 生熱。就第1 轉D 5之驅動而於各馬達產 …ψ 統1而言’控制器67根據主控制系 統所輸出之控制訊號SCI進行針騁祕庄， 55 66 6Q ^ ^ 則饋扛制，並根據溫度感測 之檢測結果進行反鎮控制來控制加

A康以在则Π：之範圍進行投影光學系統pL …溫度控制。此外，就第2控制系㈣而言，控制 态77根據曝光控制訊號sc 工 感 進仃刖饋控制，並根據溫度 力孰I ，79a，79b之檢測結{進行反饋控制來控制 :二Γ之驅動，據以在㈣之範圍分別進行標線 載0 2及晶圓載台5之溫度控制。 45 1310209 關於標線片載台2，控 m η ·Ί.Ι Ψ ^ ^ 态77將/皿度感測器76a，76b 夾％浐^ ^根據所件之冷媒溫度 木δ周即、官理加熱器 7干又 ，护制哭77⑫ ㈣。同樣的，關於晶圓載台5 才工制益77將溫度感測器 Ψ SUM έί , ，79b所檢測出之冷媒溫度 予广乂 +均，根據所得之冷媒溫度 78之驅動。此處，作為 S理加熱裔 、管理之n阁 兒明以控制器77進行調節 環二圓ST圖1〇⑷，，係以示意方式顯示循 <、曰曰圓載D 5之冷媒溫度變化例的圖，⑷係顯示铲 控制及反饋控制來驅動加熱 貝 ^ Π /皿度變化、（b)#顯 不僅以反饋控制來驅動加熱器78時之溫度變化。〜” 圖刚及圖_中，賦予符號Dn，D21之曲線，传 頌不檢測循環於晶圓載台5 '、 傻< 4嫘/皿度的溫度感測哭 79b之檢測結果，賦予符號 J π〇 … 予付唬Dl2, D22之曲線，則係顯示檢

測循環於晶圓載台5前夕木上甘、β A 、 别之冷媒溫度的溫度感測器79a之檢

測結果。又，賦予符號D1〇, D 測器79a檢測結果旬显产感、、則…線係、顯不將溫度感 衣一脈度感測盗79b之檢測結果加以平 之值。此外，圖10(a)及圖1〇( L )宁之時刻11係驅動設在晶 圓載台2之馬達(線性馬達33、X線性馬達35)的時刻，t2 係停止驅動馬達的時刻。又，時刻u〜時刻U之期 例如將一批（既定片數，例如—批25M晶圓加以曝光所需 程度的時間間隔。 首先，僅以反饋控制來進行溫度控制之習知方法中， 如關所示，於時刻tl驅動馬達起至時刻⑴為 間，雖然用來檢測猶環於晶圓載台5後之冷媒溫度的” 46 1310209 戍測口。79b之檢測結果D21已開始 79a之扒、日丨从田 王上外，但溫度感測器 之檢測結果D22卻幾 哭77柄祕 卞又有良化。此係因，即使控制 口口 77根據溫度感測器79b之檢測 ,-果以反饋控制來驅動 加熱益78，冷媒從圖5中之加埶哭 要時門^ ^ . ‘，、、。口 78到達晶圓載台5需 要犄間，而產生控制上時間浪費之故。 因此，從時刻tl到時刻tll之期 ^ ^ ,01, ,, „ , 功間，溫度感測器79a 之松測結果與溫度感測器79b , θ , 你州結果的平均值D20持 β上幵，經過時刻tll後總算開 t 卜降。因此’平均值 D20從目標溫度（圖1〇所 J值 、、” 一 j〒為23〇之偏離變大，在 、斤介么立丄 馬達動作之時刻t2附 近亦θ產生。在使馬達之動作停止時， ^ . 縱然馬達之發献量 降低，但由於循環於晶圓載台5 ‘、、、 正<冷媒仍為低溫，因此 平句值D20反而會低於目標溫度。 相對於此，以前饋控制及反饋 與#办山 貝？工制進仃溫度控制之本 貝她形悲中，係根據主控制系統95

it r ^ 叮翰出之控制訊號SCI 末進仃剛饋控制。® U，係以示意 Α. ΛΑ ^ ^ , 八-貝不則饋控制之一 二、。1中’符號聊係表示以控制器77所進行之 :饋要素(本實施形態中，係用來使加熱器之輸出變化的要 素）。 又，圖11中之H]，係顯示進行反饋控制時（不使用前 饋控制情形）之加熱器輸出，H2係顯示將前饋要素FFC加 入H)時之加熱裔輪出（使用前饋控制時的加熱器輸出）。如 圖U所示，輸出η,，太狄在丨丨切咕001 在匕制sfl 5虎S C 1切換至on起至進 行控制以使加熱器輪出降低止產生了延遲。 47 1310209 相對於此，在進行前饋控制時，如圖π所示，根據控 制訊號S1，於馬達之0Ν(動作狀態）、〇FF(非動作狀: 切換時使前饋要素FFC變化。也就是說，在使馬達動作 始之N·刻tl附近’係'進行使冷媒溫度急遽下降之前饋 、:=在使馬達動作停止之時刻t2附近，則進行使：婢 >皿度急遽上昇之前饋控制。因此加熱器之輸出顯示了與控 制讯號SCI之on、〇FF同步的下降、上昇。 工 藉由進行以上之前鎮控制，如圖1〇⑷所示 循環於晶圓載台5後之冷禅瓜$ w λ 丨思者檢測 結果叫之上昇，檢測器州之檢測 nr。70 盾壞於晶圓載台5前之冷媒溫度的 …之檢測結果下降。又，在停止馬達動作之 日⑽t2，耗_她⑽嫌㈣DU = ，溫度感測器79a之檢測結 之下降 測…檢測結果與溫度感測：7::=果= 值D10 ’僅些微的偏離目標 、、〜 度控制。再者，㈣刻以近與時精度之溫 11中，以符號FB所示之、近間之區間（圖 以…… ），係進行反饋控制。 就進行曝光處理時曝 而在標線片R與晶圓w之相對^ 作作了說明， 準處理之情形時，對準，亦即，進行對 啊對準控制二卢)由制系統95輪出之控制訊號 利汛唬），由控制器67以乂 來控制加熱器7】之驅動，：貝控制及反饋控制 。據此’即能抑制對準系統AL t、戶；1^之溫度保持—定 的溫度變化、以及伴隨對準感測器心=發熱所造成

®投影光學系統PL 48 1310209 之物體面側開口部而來之溫度變化。 又，於進行圖3所示之投影光學系統pL之對佳對焦 位置、像差等光學特性之胡黎眭 α …、 之凋整時，從主控制系統95輸出 控制訊號至未圖示之透錄批 达鏡匕制盗，透鏡控制器控制致動器 l〇4b，l〇4d，104e，l〇4f，1〇4 g之驅動里，來調整透鏡元件 iOlb, l〇ld, 101e, l〇lf ιπία ^ . _ , g之安勢。從主控制系統95輸 出至未圖示之透鏡控制器給 輸出5孔號’亦輸出至控制器6 7 ’控制器67根據此控制訊铲、义 4 , 虎以刖饋控制及反饋控制來 k制加熱器71之驅動，將投 — 仅〜九予糸統PL·之溫度保持一 疋。據此，即能抑制因致動器祕，购，咖㈣ 104g之驅動產生之發埶 ’ ， 發熱所造成的投影光學系統PL之溫度 變化。 進一步的，於曝光步署j 】、元忒置1正在進行曝光動作中 常狀態時，主控制糸始B 5生” &制糸、统95,即對曝光裝置 原控制訊號，進扞怂I * 心分口I掏出使 m由 攸異常狀態復原至正常狀態的處理。在 進仃此復原處理之場合，由 隹 台5等提朵^ 動^線片载台2及晶圓載 67 77 :根攄产内部所設之可動構件’因此，控制器 71及力原控制訊號以前饋控制來分別控制加熱器 口…益乃，78之驅動，以進行抑制曝光裝置1内之^ 度變化的控制。 兀衣罝i円之μ 在進行以上之曝光處 之溫度控制處理處理、投影光學系統& 載台5、❹元杜原處理時’標線片載台2、晶圓 透兄兀件 101b, 101d，101e，10If f 1内都胼讯― i，i⑴g寻曝先裝 -之可動構件之發熱量會因各處理而分別不同 49 J310209 。特別是標線月載台2及晶圓載台5，於各處理時馬達之 驅動量及驅動轉數完全不同，在各個處理時發熱量會有極 大的不同。例如，在曝光處理時，以短步（sh〇n Μ”）反覆 進行加速、減速，為提昇產能而將加速度之最大值設定成 相當大的i ’但在對準處理中，僅在大致對準標線片載台 2及晶圓載台5之相對位置時進行}次（頂多數次）加速及 減迷’最大加速度亦不致設定成太大的值。 因此，視主控制系統95輸出之控制訊號的種類（内容） ’將預先決定之顯示前饋控制之控制量及反饋控制之控制 量的控制表分別儲存在打控制$ 113及pm控制器112, k制A 67’ 77’依據控制訊號的種類選擇控制表之控制量 ’―邊改變前饋控制之控制量及反饋控制之控制量一邊分 別控制加熱器71及加熱器75, 78之驅動。 从工，f兄明了本發 〜五〜邱Ί F，侵f，簡草 說明設於控制67,77之pID控制器112、FF控制器"3之 及控制時序的設定方法。此等設定，係作為組裝 ^、m之各構成要素的各種次系統 定機械精度1氣精度、光學精度之方式將該等次系: 以組合，而成A _ 牙况加 後)所進r上 光裝置1後(設置曝光袭置1 俊）所進仃之綜合調整之一環。 光學Π 各種精度’在該組裝前後，就各種 統，進行用來遠L 光學精度之調整，就各種機械系 行用 成機械精度之調整，就各種電氣系統，進 电乳精度之調整。X，曝織置之製造最好是 50 1310209 能溫度及潔淨度等受到管理之潔淨室令進行 從各種次系統到曝光農置之組裝步驟τ ° 系統彼此之機械連接、電氣電路之 各種次 配管連接等。此處，著眼於溫度控制=接、氣塵迴路之 之管線會依曝光…之設置狀況而變化二度控制系統 裝置1之組裝（設置）結束後，作業員操作圖在曝光 …，輸入關於加熱器75至標線片=輸入 、加熱器78至晶圓載纟5之管線長度、以及“長度 流之冷媒流量與流速之資訊（輪人步驟） 官財所 ::::=於係設在曝光裝…部，=: :亦度不會變化，但將此循環路徑長度—併輸 從輸入裝置97輸入關於管線長度及冷媒产旦 &資訊即從主控制系統95輸出至控制二7, 8寺^ 設在控制器Μ7之設定部⑴，⑴（參照圖 r在一部"6, 117内之算出部121(參照圖9)，根據儲 子在5己憶冑12〇中基準控制量與所輸人之管線長η之資 二應設定於砰控制器"3及⑽控制_

=_性)。設定部116，"7…出部 12ι异出之最佳控制量分別設定至F 制器m(設定步驟)。 “彳-⑴及㈣控 其次：說明使用本發明實施形態之曝光裝置及曝光方 件製造方法。圖12，係顯示使用本發明實施形態之 d裝置及曝光方法來製造元件(以Lsi等半導體元件 51 1310209 、液晶面板、攝以件（CCD等）、薄膜磁頭、微機器等）之 製造例之流程圖。如圖12所示，首先，在㈣_(設計 步驟）中，進行元件之功能設計（例士d，半導體％件之電路 設計等”進行用以實現該功能之圖案設計。接著，在步驟 su(光罩製作步驟）中，製作形成有所設計之電路圖案的光 罩。另-方面，在步驟S12(晶圓製造步驟)中，使 材料製造晶圓。 其次’在步驟su(基板處理步驟）中，使用步驟㈣〜 步驟S12所準備之光罩與晶圓，藉由微影技術將實際之電 路等形成在晶圓上。其次’在步冑si4(元件組裝步驟）中 ’使用^ SU中所處理之晶圓進行晶片化。在該步驟 SM中，包含組裝製程（切割、接合）、及封裝製程（晶片封 裝）等之製程。最後，在步w 〗 隹梦驟Sl5(檢查步驟）中，進行步驟 SM所製作之元件之動作確認試驗、及耐久性試驗等檢杳 。經過這些製程後’完成元件予以出貨。 如以上之說明’根據本發明第1實施形態之曝光裝置 ’由於在第1控制系統61及第2控制系統62中，盥反饋 控制-起使用前饋控制’來控制伴隨標線片…、晶圓 載口以及叹於投影光學系統PL之致動器1()4b，1〇4d 版，騎，心等可動構件之驅動的溫度變動，因此，即 使f生控制上的時間延遲，亦能以高精度控制溫度。據此 將曝光4置1之内部溫度保持於目標溫度的結果，即 不f產生基準線遷移所造叙位置對準時重疊精度之降低 象力之降低、以及载台之定位精度降低，能使曝光裝 52 1310209 置之性能安定而保持期望 _ 上述實施形態中，雖r 牛之製造效率。 ^ 雖係根據關於冷媒所流動之其綠从 官線貧訊（管線長度、營 動之s線的 之冷媒的流體資訊(、、“、&)以及關於流動於該管線内 量、控制時序，以及ρ 貝匕制的控制 及PID控制之控制常數、 或使用儲存有上述各和 τ序寺， ，來適當的選擇1 與上述各資訊之對應關係的表 术通田的遠擇或以内插運算來加以求出， 饋控制、PID控制的抑4丨θ 务月之月|j L削的控制量、控制常數、控 根據上述資訊以外之資訊來加以設定。 亦可 以下，况明根據上述資訊以 詈、批细a也 丨〜貝戒木。又疋上述控制 技制吊數、控制時序的方法。 的曝光裝置’係根據將光罩上所形成之電路圖案( 件圖案博印曝光至基板（石夕晶圓或玻 板 上時的順序、及銪；··从次 寸 次尤基扳） ，—心 1不兀件資訊（圖案資訊）的程式（處理程式） 曝光條件（照明條件、曝光量等）、或控制進行 :日、序、或控制光罩載台及基板載台之移動(移動量、 =方向、載台速度、載台加速度、移動次數、移動時序 、it將该電路圖案依序轉印至基板上。通常，此處理 私式係由使用者適當的將其設定成期望之内容。 =理程式中，亦包含欲轉印至基板上之複數個曝光 ' 在基板上的排列狀態、欲轉印至基板上之曝光昭 射區域的形狀及大小（尺寸）、轉 ' 射M s 1丨片基板上之曝光照 闕於曝光照射區域之資訊(此處，稱「曝光照射地圖 」）通 '吊，曝光照射尺寸越小，轉印至}片基板上之 53 1310209 曝光照射次數便越多。因此’曝光照射尺寸越小（換古之， 曝光照射次數越多）基板載台及光罩載台之移動次數亦越多 ’由於驅動該載台之馬達的加減速次數多，必然的，—歹与 達之發熱量亦越大。相反的，由於曝光照射尺寸越大（曝光 照射次數越少）基板載台及光罩載台之移動次數亦越少，载 台驅動用馬達之加減速次數即減少，因此該馬達之發熱量 亦變少。因此，設定部m，117,最好是能使用此種曝^ 照射地圖資訊’預先算出FF控制器113及piD控制器m 之最佳控制量。 例如，上述實施形態（圖U)中所說明之前饋要素盯匸 ’不僅僅是根據上述管線資訊及流體資訊，最好是也根據 上述曝光照射地圖資訊來進行控制。具體而言，曝光昭射 數越多即將FFC之變化量（控制量）設為既定量以上，曝光 照射數越少即將FFC之變化量設為既定量以下，將FFC之 控制量作為曝光照射地圖資訊(曝光照射數、曝光昭 )之函數來加以算出即可。又，作為此時算出函數之方式並 |先準備以實驗或模擬等所求出之用以顯 資轉光照射數等)與FFC變化量間之關係的表( 射數11 D己隐裝"6) ’於曝光裝置之使用時，視曝光 a射數來選擇使用FFC之押击丨旦 制里亦可。此外，不僅僅是 FC之控制量，亦可將控制 ^ T . w, 了斤0又疋為曝光照射地圖資訊 之函數(例如’曝光照射數較既定 … 出控制時序，机定$ | Ρ將加熱态輸 控制時序）。 曝先‘、，、射數較既定數少時之 54 1310209 ，於掃描曝光裝置中，有可選 者，亦即，可選擇：將掃描曝光各曝光昭=掃描方式 掃描方向（晶圓載台之移動方向）於各曝光昭射時之載台 向（稱「―方向掃描方式」），或大致於各Γ光日Γ射為同—方 曝光照射，亦有設為與前一曝光照射時之掃=射咏 向者）使掃描方向為反方向（稱「交互掃;^田方)向同一方 掃描之掃描方向為相反方向(稱「完全交互::二，或使各 。此等掃描曝光時之掃描方向資訊，可H方式」）者 曝光順序資訊由曝光裝置之使用者任:為處理程式令之 :光罩載台之掃描方向，亦可視晶圓；再者 虽的设定於正確方向。 掃為方向而適 光照交互掃描方式，例如，於第！曝 ，第2曝光照射則由圖？:氏：前方朝终 向)掃描，第心二:圖 1個曝光照射區域曝光萨，、 向知“’以此方式在使 相對於此，_方向:r载台曝光僅進行1次之構成。 、第2次曝光照射m’則由於無論第1次曝光照射 描方向（例如-Y方向 曝光照射時，皆係在對既定掃 此’在第1曝光‘昭射=一方向掃描曝光時進行曝光’因 曝光照射區域之料“之掃描曝光結束後，為進行第2 方向之載台移動，此日Γ不▲載台必須進行復原移動（朝+ γ -方向掃描方式與交二行第2曝光照射區域之曝光)。 ，由於其載台移動次數H方式或完全交互掃描方式相較 【馬達加減速次數）會多出此復原移 55 1310209 數因此馬達之發熱量亦會增加該份量。此外，一 方向掃描大+ , 2 。 ^中，由於不僅是晶圓載台5，且標線片載台 大 °的（未圖不）標線片遮簾皆須進行上述復原移動， 因匕向掃标方式中曝光裝置全體之發熱量將增加。 因此」設定# 116, ιΐ7，最好是能也使用上述曝光順 ^ （帚鈾方式資Sfl)，來事先算出FF控制器11 3 ' PID 控制器112之最佳控制量。 例如，取好是亦能配合曝光順序資訊（掃描 U抑 - •…一〜只口丨U ντφ rf田刀％貝· §扎) 卜^圖U中所說明之前饋控制要素FFC。具體而言， 三旦、向掃描方式牯，將FFC之變化量（控制量）設定 里^上，右设定為交互掃描方式或完全交互掃描方 則將曰FFC之變化量設定成既定量小，以此方式將 加以二控制量作為曝光順序資訊(掃描方式資訊)之函數來 制旦=即可。又’預先準備用以顯示掃描方式與FFC控 制：二之關係的表’配合所設定之掃描方式來選擇FFC控 ::可。此外，不僅僅是FFC控制量，將控制 2=::::數(例如，在一方向掃描時，使加熱器 亦可。uu序，較交互掃描方式時之控制時序快等） 光時為使用者可任意設定之資訊’有關於掃描曝 根據不：台、光罩載台)速度、加速度的資訊。 同使用者之需求，亦有與產能相較更 複製精度的情形，此時，曝光裝置動作控制"見圖= 以最高速度、最高加速度來進行掃描驅動，心：：= 56 1310209 限制（上限值、下限值）來進行掃描驅動。特別是在加逮度 變大、加速時間變長時，隨此之載台及機體所產生之振動 亦有變大的傾向，因此使用者會對載台加速度設一限制。 驅動載台之馬達，其加速度越大發熱量亦越大。 因此，設定部116, 117，最好是能也使用上述載台速 度/加速度資訊（含加速時間），來事先算出FF控制器ιΐ3 、PID控制器112之最佳控制量。 、 竹D心乂 /加述度貧訊（掃描方

式資訊），來控制圖Η中所說明之前饋控制要素ffc。呈 體而言，當載台速度/加速度係設定在既定載台速度A 速f以上時（例如，係設定成該载台所具有之驅動能力以上 之最大加速度時），即將FFC之變化量（控制量）設定成既定 量以上，而當載台速度/加速度係設定成小於既定載台速 度/加速度時，㈣FFC之變化量設定成既定量小，以此 方式將聊之控制量作為載台速度/加速度資訊之函數來 加以异出即可°又，*僅是作為錢加以算出，預先準備 用以顯示載台速产"加速細。控制量間之關係的表， 視載台速度/加速度資訊從該表中適當選擇F 卜，不僅僅^fc控制量，將控料序亦作為載台 定…二 在將加速度設定成大於既 τ: 了 4加熱裔輸出H2《控制時序，較加速度設 疋成既疋加速度時之控制時序快等)亦可。 =，作為載台速度/加速度fifi，除速度值、加速 度值本身之值外，亦可以县關# 關於施加至馬達之電流或電壓 57 1310209 的資訊。 又，關於上述處理程式之資訊(曝光照射地圖資 光順序資訊、載台速度，加速度資），可預先將複數種資料 組合至圖5所示之記憶裝置96中所儲存之曝光資料樓案 ’而能由使用者以輸入裝置97it當的加以選擇，或作為 $的曝光資料檔案由制者從輸人裝置97適當的輸入亦 Μ實施„(圖⑴之說明中’為方便起見，係說明 要Ϊ馬二之⑽與。ff之切換時點(t 1，t2)分別變更前饋控制 素c。一般而言’在一片晶圓上有數十〜數百 於各曝光照射區域之掃描曝光時，以及至各曝 、射區域之移行動作(步進動作)時，會反複進行多-欠截 台驅動馬達之。n、off及加速、減速。 大载 進行二在在=的運用上，多有對一片晶圓之曝光期間 A(在馬達之〇n、〇ff及加速度時）前饋控制的情形。 二所迷，由於前饋控制係適用在因控制上之時間 ==議而使反饋控制(通常係⑽控制)之應答 内(處理；(Γ二因此:、溫度穩定性而言’在有限時間 僅在藤勒 或連續處理複數片期間），最好是 最後停Si牛广大時(例如，僅在馬達一開始起動時、與 Aff、Γ 饋控制。換言之，並非是與馬達之on 順序等之H隨時進行前饋控制（FF)，而最好是能根據曝光 控制…遠Γτ「不進行與馬達。n/°ff連動之前饋 」的馬達溫度控制。 58 .1310209 -般的曝光製程中，係以既 板為一批，以批單位來_ 數片（例如25月）基 干位木對4抵内之禎勃 光處理（圖案轉印曝光處理）。以此 土板連續進行曝 態所示之曝光裳置來連續的對使用上述實施形 處理時，載台钯動民、告 片晶圓進行曝光 戟口媒動馬達之溫度控制 片晶圓之第1曝光照射區域之曝光開始(載1 最後曝光昭…： 將該批中最後-片晶圓之 =“、射G域之曝光結束（载台之 圖11所示之時刻t2。介p 勒π果）視為 相的曝光照射區域之在對該批中第—片晶圓之最 之載台馬達起動時），進;tr始時（為進行掃描曝光開始 ⑽控制)，之後(對該批中度急遽下降之前饋控制 域之載台掃描停止前為止）則進行=曝=射區 在對該批中最後—片晶圓 ：制㈣控制），而 停止時m掃描曝光結束 A '、h射區域之载台掃描 媒溫度各遽上曰 σ馬達停止時），在進行使冷

〜遽上汁之别饋控制（FF)即可。此日士，田、 A 饋（FF)控制之指令， τ，用以進打前 的時間浪費敎士能考慮配合管線長度之控制上 十間浪費、熱時間常數等 或。之時點，到 之冷媒以上述tl 以多少遲於tl t2 /主 ^來送出最為理想’但即使是 又，、、’時點來到達的時序，本發明亦有效。 樣的適用於二：：並不限於僅對-批内之控制，亦能同 例如，在決定：批對晶圓進行連續曝光處理之情形。 、最佳晚光旦Γ 件(最佳光阻厚度、最佳對焦位置 +里心時，有以少數晶圓作為一批，連續的對複 59 1310209 數批進行曝光處理> 情形（批間之休止時間較短時）。 種％合，在第】批之第 ;在此 乐〗片日日圓之弟1曝光昭射尸 描曝光開始時、盥窠q 1 '、，、射G域的掃 了 〃'弟3批之最後—片晶圓之最 區域的掃描曝光停止時 ★先J射 控制即可。 ^丁上述FF控制’其間則進行Fb 上述情形換言之，若馬達停止後至馬達下次 間在既定時間（例如不 之動之期 卜巧1 0为釦）的話，不實祐 係進行馬達溫度控制。與 控制而 達驅動停止起開始計時的計時器(圖”斤 ：置-從馬 感測器98)，由該叶時。。^ 馬達驅動狀態 ；田°亥彳時盗98之輸出來辨識至 為止的期間’若在既定時間内的話，則以主馬達起動 進行不實施FF控制的動作控制即可。 ：：95 定之至下次馬達起動為止之時間在前㈣定 反饋控制（FB)來控制馬達之溫度即可。 ，以 如前所述，主控制系、统95，最好是能視 感測器（計時器）98之輸出，判斷是否 動狀悲 —庄、土 控制，以推 仃馬達之溫度控制。 進 又，上述說明中，作為實施FF控制 ^ 批中第1片晶圓之第1曝光昭射g戈 L ’係對該 以㈣“ 域的載台掃描開始時、 广-片晶圓之最後-個曝光照射區域的載台掃描 ::時。然而，就晶圓載台5而言，將晶圓裝载在！圓載 口 $上後載台驅動馬達最初的起動時序，係載a $ :之晶圓交換位置將晶圓上帛1個曝光照射區;定位至I …位置（杈影透鏡之曝光像場内）時的定位 7 ’卜时。通常， 60 1310209 由於係緊接著此定位動作後，開 載台掃描，闵士〜v 4 t 弟1曝光照射區域之 因此疋位動作時载 對曝光中之載台溫度造成影響。因此達=熱亦有可能 對第1曝光昭射S迖$啬厶4 在曰曰圓載台5開始 兀’、、、身t £域之載台掃描前的 冷媒溫度条瀘τ 進仃FF控制（使 遽下降之控制）亦可。 批中第1片在日日圓载台5將該 Τ弟1片日日囫之第1曝光照射區域 如，在晶圓載△從曰4於曝光位於時（例 W興口仗日日回父換位置 之曝光位f0 j 4 *光照射區域

區域之载台掃描時進行FB 後一片晶圓之笋播, 工亦可。此外，亦可在對最 時點（例如，在Hu L錢的载台知描停止後的 結^以移動至晶圓交換位置之 载台驅動馬達之驅動的時吳位置之 急遽上昇之FF控制。 緊接其幻，進行使冷媒溫度 接著’舉例說明在計時器98測量出既定時間以上之馬 T止期間時’如何進行馬達之溫度控制。 塗佈/顯影裝置（C/ D # $、& a 裝置）與曝光裝置係直列連接之 係以下列環路進行處理，亦即，將以C/D裝 二：之阳圓依序搬送至曝光襞置側以進行曝光處 L=r載將晶圓搬送…裝置以進行顯影 的a ▲、阻之晶圓*無遲滯的依序搬送至曝光裝置 t的載台㈣馬達之溫;；)^^比内之晶圓連續曝光處理 又彳工制，，、要進行上述之控制（僅在 一批第1片晶圓之第i曝光照射、與該批中最後一片晶 圓之刪光照射時…"空制)即可、然而，晶圓從c 61 1310209 /d至曝光裝置的搬送狀態並不一定總是為正常搬送狀態 。有可能目裝置側之某種問題，導致下—片晶圓益 法搬送至曝光裝置的狀況。此晶圓之搬送異常並不限於產、 2 C/D裝置與曝光裝置間的搬送過程，亦有可能在曝 題使Hi生在至晶圓載台之搬送過程中。當因某種問 喊使曰曰圓無法連續的搬送至晶圓載台，其 圓之連續的曝光處理時，晶圓、巧綠H #么、…、去貫轭曰曰 馬達為靜止的狀態)的時間變長 ：:静止狀態( 達溫度亦逐漸下降。此種搬送異常產生Π::: 該異常搬送獲得解除而再度將剩餘的晶圓搬送至晶圓载ί ’欲再次進行曝光處理時，對該再開始曝光㈣ = 之第1個曝光照射，最好是 片日日圓 。 ㈤好疋不進订FB控制而進行FF控制 為實現此種馬達溫度控制，預先於曝 著晶圓之搬送異常從載台馬達驅動停止起開時=隨 器（可兼用上述計時器98，< '夺的计時 達從锌卜钯曰丕P 仃§又置），辨識载台驅動1¾ 她止起疋否已持續既定時間以上(例如 動馬 該馬達停止狀態，當該計時_出已_以_^^ ，將主控制系、統95設定成對下一片搬送至 h 曝光照射（掃描驅動開始時）進行ff控制即可 第1個 邝控制之控制量及控制時序，最好是 此時之 時間而變化（例如，最好是能將馬達停止^八^杰之測量 制量’設定成大於馬達停止1Q分鐘時^^之抒控 ’將Μ制量作為馬達停止時間之函數來加I:::。方式 62 1310209 *此外，載台驅動馬達之停止，並不僅在晶圓之搬送異 吊時產生’亦有可能因曝光裝置側之某種問題而產生。例 如，因晶圓處理之影響而無法檢測出對準標記之情形時（因 ，佈不均或平坦加工處理等之影響而無法良好的檢測 :標§己之情形、或在標記上塗佈有無法穿透對準光線之物 質而無法檢測出標記等之情形）、或因晶圓處理(對晶圓之 熱處理、平坦加工處理等)之影響使用晶圓外形、平面产不 良時，使用者必須對曝光裝置進行救濟處理，此救濟：理 :間將招致曝光裝置之停止。此外，#有因停電、 :使曝光裝置停止’或載台裝置之故障等使載台驅動馬達 :止寻的情形。或者，在具備複數個晶圓載台之曝光系統 、：須以該等複數個載台彼此不致產生機械干涉的方式來 進行移動控制，為了避免載台間彼此的機械干#，亦^可 能產生不得不使其中之一載台停止的情形。在上述各種昱 甲時，藉由啟動上料時器，來進行上述载台驅動： 溫度控制即可。 逆i 一 #二:斤述°又疋部116，117，最好是能也使用上述顯 不載口驅動馬達之動作狀態的資訊(馬達停 量來事先算出FF控制器113、。ID控制器n2之最佳控制) 如以上之說明’根據關於處理程式之資訊(曝 :貧載：光順序資訊、載台速度/加速度資訊(含加迷時間 载。驅動馬達動作狀態f訊等，來設定ff控制 及PID控制盗112之最佳控制量，或設定其控制時序，即 63 1310209 能進行更高精度之前饋控制。此外，根據載台驅動馬達之 動作狀態資訊，作為馬達之溫度控制方法，區分使用/戒 不使用FF控制，藉由配合曝光順序即能實現更為實用的 溫度控制。 《第2實施形態》 圖13，係顯示本發明第2實施形態之曝光裝置之概略 構成的圖。又，圖13中，相當於第丨實施形態中所示構 件之構件係賦予相同符號，並省略其說明。如圖1 3所示 ，本貫施形態之曝光裝置，大分為照明光學系統ILJ、作為 控制對象之標線片載台2、投影光學系統P]L、用以收容包 合晶圓載台5等之曝光本體部13〇的曝光處理室14〇、以 及用以冷卻在曝光本體部丨3〇内循環之冷媒的冷卻裝置 143。 用以收谷曝光本體部丨3 〇之曝光處理室丨4〇，係隔著 防震墊142，142 s5:置在地面F1上，冷卻裝置143係隔著 防震墊144, 144設置在位於地面F1下方之地面1?2上，曝 光處理室140與冷卻裝置143係分離設置。曝光處理室 140與冷卻裝置143之間以管線相連，與圖5所示之溫度 控制系統同樣的設有由循環系統C5及循環系統6所構成 之溫度控制系統。 此處，本實施形態之曝光裝置，除上述曝光本體部 1 〇3之外，於曝光處理室14〇之恆溫室141内亦收容有圖 5所不之第2控制系統62之—部分的加熱器75，78及控制 器77。此外，圖13中雜省略了圖示，但圖5所示之第1 64 1310209 控制系統61之—Λίΐ、 67驅動之的控制器67、以及相當於以控制器 " 口…盎71的加熱器，亦收容在恆、、w室 又’設於曝光處理室14〇之 ：内。 相當於本發明所謂之第2設定機構， 明所謂之控制機構。 ㈣裔則相當於本發 。又於地面Fl上之冷卻裝置⑷ 換器7〇及泵74。又，R a 5所不之熱交 Ί/1, ^ 圖13令雖省略了圖示，但AM扭番 ⑷除熱交換器70及栗外- “裝置 及蒸發器65。 3圖5所不之冷凍機73 此冷部裝置143相當於本 。如前所述，本實實… 中所明之弟1設定機構 定機構之冷卻裝置⑷、虚作為第2 —1使作為第1設 ^ Ά, μ Μ Μ ^ 4 ，，、、第2 6又疋機構之加熱器及 機構之加熱器及作為控制機構 疋 對象之標線片载△ 2 Ρ 1 配置在作為控制 之附近。载口2、投影光學細、及晶圓载台5等 此構成之理由，係藉由將設 同精度來控制控制對象之溫度之故。 二二進而:： 之曝光裝置中所設之溫度控制系統亦盘第】實貫t形悲 度控制系_照_ 5)同樣的，根據溫 ：： …中之冷媒的溫度，因此，溫 —之檢測結果與雜訊之位準比二：;： 65 1310209 u上越马理想。此外’本實施形態中，由於與第i實形 相同之理由’亦最好是能併用反饋控制與前饋控制。 此處’由於控制上之時間浪費越短佳，目此加熱器 ’ $越接近控制對象越好。然而，曝光處理室！4〇 之恒溫室141内部除圖13戶斤示之構成以外，亦配置有各 種構件’因此不一定能將加熱器75, 78等配置在任意的位 置°因此’加熱H 75, 78等，只要能在獲得純溫室141 内之/皿度’保持在為維持曝光裝置性能上所求出之溫度變 化的合。午值程度之-定的應答性，以及能獲得溫度感測器 76a，76b，79a，79b之S/N比的程度，接近控制對象配置 即可。 又，若將加熱器75, 78等配置在曝光處理室14〇之恆 溫室141内部的話，即能不受限於曝光裝置丨之設置狀況 ，而將加熱器75至標線片載台2之管線長度、及加埶器 78至晶圓載台5之管線長度等保持一定。據此，由於能省 略上述第1實施形態所說明之設於控制器67, 77之PID控 制器112、FF控制器113之控制常數及控制時序之設定作 業，因此能縮短設置曝光裝置1所需之時間。本實施形態 之曝光裝置中，由於標線片載台2、晶圓载台5:、及投影 光學系統PL等控制對象之溫度控制，係以和前述第丨實 施形態相同之反饋控制及前饋控制來進行，因此其說 明。 " 又，本實施形態中，由於係將加熱器75, 78配置在曝 光處理室140之恆溫室141内部，因此加熱器75, 78之發 66 1310209 熱亦有可能對恆溫室 降低加熱器75, 78之⑼广溫度穩定性造成影響。為 響，可將各加熱器之周^ 溫室141内部溫度環境的影 ^ m ^ ^ ^ °圍以框體（未圖示）加以覆蓋 '且將 省框體以隔熱材料（未圖示 該隔熱材料之周圍 I覆。進-步的，亦可將 門圍从控制成既定溫度之氣體進行空調。 室14内，二需广步考慮管線… 。此時：僅隔熱材料包覆管線即可 , ， 可將恆溫室141内配置之所有 官線以隔熱材料加以包覆。 所有 《第3實施形態》 片載=說實施形態及第2實施形中，針對標線 載口 2係、§又置用以分別檢測循環於標線片載台2前之 :媒7:度及循環於標線片載台2後之冷媒溫度的溫 2 ，求出此等檢測結果之平均來作為標線片載么 θ=;針對㈣載台5,係設置用以分別檢測循環： 曰曰圓載…之冷媒温度及循環於晶圓載台5後 度的溫度感測胃79a’79b，求出此等檢測結果之平;^ 為晶圓載台5之溫度。 乍 然而，如圖"及圖15所示般，直接檢測標線片载△

2及晶圓載台5之溫度亦可。圖14，係本發明第 D ’ ^、炼綠片 不同處在於，設有檢測標線片微動 ^ 戰σ 1 8之溫度的 載 台 態之曝光裝置中所設之標線片載台的外觀立體圖，圖f 係本：明第3實施形態之曝光裝置中所設之晶圓載台的外 規立體圖。圖14所示之標線片載台與圖2所示之標線： 67 1310209 溫度感測器200，圖15所示之晶圓載台與圖4所示之晶圓 載台不同處在於，於晶圓載台5設有溫度感測器2〇1。 ^此等溫度感測器200, 201係分別以埋入標線片微動載 口、1 8及晶圓載台5之狀態安裝，以直接檢測標線片微動 載σ 18及晶圓载台5的溫度。又，溫度感測器2〇〇，^ 可以疋全埋入標線片微動載台1 8及晶圓載台5内之狀態 文^，亦可以局部露出的狀態安裝。為了成為露出溫度感 ^态20 1之一部分的狀態，須將溫度感測器1配置在稍 4離開裝載晶圓W之位置。此等溫度感測器200, 20 1之檢 測、、、°果，輸出至圖5所示之控制器77。又’圖Μ及圖U 所=列之溫度感測器·, 2〇1之安裝位置僅係—例，可配 :在旎方便的以高精度控制標線片載台2及晶圓載台5之 度的位置。此外，溫度感測器200並一定需要安裝在標 線片微動載台18,亦可安裝在標線片粗動載台Μ。又「 不僅僅是安裝一個溫度感測器，亦可安裝複數 器而對各個檢測結果進行既定之運算處理(例如，平均處J 《第4實施形態》 上述第3實施形態中， 載〇 2及晶圓載台$安裝用 在作為驅動源之γ線性馬達 音圈馬達1 7 Y、線性馬達3 3 溫度感測器來檢測溫度亦可 施形態之曝光裝置中所設之 雖係在作為可動機構之標線片 以檢測溫度之溫度感測器，但 15、X音圈馬達17χ、γ ，3 3以及X線性馬達3 5安裝 。圖16，係相對本發明第4實 線性馬達之移動方向正交面的 68 1310209 截面圖。® 16所示之線性馬達，可作為設於標線片載台 之Y線性馬達15, 15、X音圈馬達17χ、以及γ音圈馬達 17Υ來使用’進-步的，亦可作為設於晶圓載台之線性馬 達33, 33、以及X線性馬達35來使用。 圖1 6所示之線性馬達，係移線圈型之線性馬達，由定 子300與可動件310構成。定+ 3〇〇，係將安裝於輛部 302之磁石3〇1與安裝於軛部3〇4之磁石3〇3以異極相對 之方式對向’將此等以固定輛3G5，遍支持而構成。又， 可動件3〇1 ’係由外套311、線圈312、及溫度感測器32〇 構成，配置在磁石301與磁石3〇3之間。於外套3ιι之内 部313，配置有線圈312並導入冷媒，以冷卻線圈川。 溫度感測器320，最好是能配置在藉由通電而發熱之 線圈312旁邊。又，圖16 雖僅圖示一個溫度感：器 320，但在可動件3丨〇上設置複數個溫度感測器亦可。以 此方式，由於本實施形態係在發熱源之線圈3ΐ2ι旁邊配 置溫度感測器320而能精確的檢測出線性馬達内之溫度變 化，因此能以良好的精度控制曝光裝置内之溫度。 以上，針對本發明之實施形態作了說明，但本發明並 不限方;上述貫施形態’在本發明之範圍内可自由變化。例 如，上述實施形態、中，雖例舉了控制冷媒流量之溫度，以 控制標線片載台2、晶圓載台5、及投影光學系統pL等控 制對象之溫度的構成’但並不限於此’亦可控制冷媒之流 ::流量以控制控制對象之溫度。此時，最好是能根據： 里或流速來變更前饋控制的控制量。 69 1310209 此外’作為上述實施形能之^^上甘 ^ 貝办心、之冷媒，可使用液體冷媒或 ^ Γ冷媒再者’不使用冷媒’而使用轴耳帖（peltier)元 寺之溫度調整元件來直接控制控制對象之溫度亦可。又 ，上述實施形態中，雖係使用同―種冷媒卿)之構成， ==環系統所要求之溫度控制精度、或設置環境，於 各循％糸統中使用不同冷媒亦可。 線片二上2迷貫曰::態中’料可動機構，雖係例舉了標 1〇〇f二、曰曰圓載台5、分割鏡筒職，1_，驗， 含Cl及對準感測器，但除此以外，可動機構亦包 線片遮簾等的曝光裝置内所設之;：：：矩形之標 制的所有構件。 之7動構件’需進行溫度控 又’構成圖8所示之控制7 7夕々I- a 路來槿h 役市⑷7之各區塊’使用電子電 區塊時，係：！、或構成為軟體皆可。以軟體方式構成各 之功能“ 處理器）來實行用以規定各區塊 中，溫度調〜 塊之功能。又，上述實施形態 共用，^㈣（熱父換器7q)及冷媒驅動用之泵雖係部分 有的德環= 采用各控制對象(循環系統)分別獨立、或所 颁衣系統共用等的各種構成。 晶圓二上述實施形態中，雖係將循環於標線片載台2及 亦可進r_前之冷媒溫度與循環後的單純的加以平均，但 式。^48平均°作為加權平均的方法’可採用以下方 )田從馬達等熱源至入口側溫 Λ巧益之5又置位置的距離 70 1310209 ’與熱源至出口側溫度感測器之設置位置的距離不同時， 進行距離越近的溫度感測器其檢測結果之加權越大等，視 距離之加權。 (2) 當構成馬達等熱源入口附近的材料與構成出口附近的材 料不同時，視熱傳導率等該材質之特性進行加權（吸熱比例 越大（熱傳導率越大）的材質、加權越大）。 (3) 在入口附近或出口附近有別的熱源存在時，視有無該熱 源或發熱量來進行加權。例如，在流路上存在其他熱源時 ，即加大較接近該其他熱源側之溫度感測器輸出的加權。 =二在流路外存在其他熱源時，由於該熱源之發熱會透過 空氣傳至溫度感測器’因此加大較接近該其他熱源側之溫 度感測的加權。 :乂：基準線測量時’以組單位儲存入口側溫度感測器之檢 、、' 出口側恤度感測器之檢測溫度、冷媒之控制溫度( 2純平均算出的控制溫度）與所測量之基準線量（或基準 後里2動量）’於每—基準線測量時反複此儲存動作。然 乂户斤儲存之複數資料、组，來推測計算對人口側溫卢 或出口你丨、、©由 m ^ 線之變動：小，：者、施加何種程度之加•’才能使基準 根據所推定之加權進行加權平均。 線片載台2述各只施形態中’晶圓載台5之溫度控制與標 制器7:進〜：溫度控制，雖係以同-控制器77(以同-控 但本發明Τ限於 78之溫度管理)來進行， ，來獨“，亦可使用彼此分別獨立的專用控制器 巧進仃溫度控制。 71 1310209 曰此外，作為本實施形態之基板，並不限於半導體元件 圓 亦適用液晶顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭 用之陶瓷晶圓、式盛止# & 、^ /曝光裝置所使用之光罩或標線片之原板（

成央 > 曰曰圓）等。作為曝光裝置1，除了使標線片R 與晶圓同步洋客叙”押· j 移動以抑描曝光標線片&之圖案的步進掃 描（step & scan)方式的掃描型曝光裝置（掃描步進器； 5,473,41Q)外’亦能適用於在使標線# r與晶圓w靜止的 狀心下曝光才示線片R之圖案，並依序步進移動晶目w的 步，重複（step & repeat)方式的投影曝光裝置（步進器）。曝 光裝置1之種類，並不限於將半導體元件圖案曝光至晶圓 W之半導體元件製造用的曝光裝置’亦能廣泛適用於液晶 顯…牛製造用之曝光裝置’或用以製造薄膜磁頭、攝影 元件（CCD等）或標線片等之曝光裝置。 又，作為曝光用照明用光之光源，可使用射出“(波 長436nm)、丨線（波長365nm)#輝線之超高壓水銀燈，或 KrF準分子雷射（波長248nm)、ArF準分子雷射（波長 193_)、％雷射（波長146nm)、YAG雷射之高頻產生裝 :、或”體雷射之高頻產生裝置。又，亦可使用、χ線： 電子線等之帶電粒子線。例如，使用電子線時之電子槍， 可使用熱電子放射型之六硼化鑭（LaB6)、钽。此外， 使用電子線時，可使用標線片R、或不使用標線片R而直 接在晶圓上形成圖案。 不僅是縮小系統，亦可使 ’作為投影光學系統pL， 投影光學系統PL之倍率， 用等倍及放大系統之任一者。又 72 1310209 當使用準分子雷射等之遠紫外線 ^ 作為玻璃材係使用石 央或螢石寻能透射遠紫外線的材料

ni ^ 6 W料，當使用F2雷射或X

, 耵糸統的光學系統（標線片R 亦使用反射型者），此外，當使用 ^ ^ ^ ^ ^ , 窀子線時，作為光學系統 使用由電子透鏡及偏光器所構成之電子光學系統即可。又 ，=線通過之光程（光路），“必須為真空狀態。再者 ，亦旎適用於不使用投影光學+

B 予…死PL ’而使用標線片R

舁曰曰圓W密合來曝光標線片R 之圖案的近接型曝光裝置 〇 於晶圓載台5、標線片載台2中使用線性馬達(usp 5 ⑶，⑸或體5,528，118)時，無論採取使用空氣轴承， 氣懸浮型及使用羅倫兹力或反作用力之磁氣懸浮型之任一 者I可.°x，各載台2,5可以是沿導件移動者，亦可以是 不设置導件的無導件者。 作為標線片載台2及晶圓載台5之驅動機構，可使用 平面馬達，此平面馬達係將磁石配置成2維之磁石單元（永 久與線圈配置成2維之電樞單元對向，以電磁力來 驅 '不、'片載口 2及晶圓載台5。此時，只要是將磁石單 兀(水久磁石)與電樞單元之任一者接合於標線片載台2及 晶=台5’將磁石單元與電柩單元中之另一方設於標線 片載口 2及晶圓載台5之移動面側(基座)即可。 如以上之，兄明，根據本發明，由於溫度控制系統 用前饋控制來控制可動機構之溫度，能迅速的抑制可動機 構之溫度變化，因此，假設蓋生控制上的時間浪費： 73 1310209 以高精度將曝光裝置内〜 不I門之恤度设定成目標之溫 A紝 ，即能使曝光裝置之性能安定而保持期望之性能。— 又，根據本發明’由於係根據輸入機構所輸 流體路徑之資訊、關於前 _ 、月j 11 /瓜體〜逮之資訊、與關於前述 k體流虿之資訊中之至Φ —加·欠> 夕個貝讯，由設定機構設定溫度 控制系統之控制特性，A _ . 因此’具有能視流體路徑、流體流 速、及流體流量，來將溫度控制系統之控制特性設定為最 仫的效果。其結果’能以高精度將曝光裝置内之溫度設定 為目標溫度’具有使曝光裝置之性能安定而保持期望性能 的效果。此外，只要以輸入機構輸入關於流體路徑之資訊 、關於前述流體流速之資訊、與關於前述流體流量之資訊 中之至少-個資訊的話，即能將溫度控制系統之控制特性 設定為最佳，因此，例如在曝光裝置設置時，即不需要重 複進行錯制試以求出錢定溫度控㈣統之控制特性， 具有能縮短曝光裝置之設置所需時間的效果。 再者，根據本發明，由於係將第2設定機構及控制機 構與第1設定機構分離，且配置在較第j設定機構更接近 检制對象附近，因此具有能縮短控制上的時間浪費，進而 能以高精度將曝光裝置内之溫度設定為目標溫度，使曝光 裝置之性此女疋而保持期望之性能的效果。 更進一步的，根據本發明，由於係使用安定的保持期 望性能之曝光裝置將標線片上形成之圖案轉印至基板上， 將微細圖案忠實的轉印至基板上之既定位置，其結果，具 有能提昇元件製造效率的效果。 74 1310209 又’根據本發明，由於係根據關於曝光 光照射圖資訊、關於掃描曝光時掃描順序(掃描方向)。之： 訊、=载台移動速度/加速度之資訊等)，由設定機： 來s又疋/皿度控制系統之控制特性， 丨丨丨S皮夕罢杜认 u此月b貫現因應該曝光 順序之取佺的溫度管理，對使用者所設定之 亦具有優異之順應性，且能實 處理程式 又，根據本發明，由：=為_之溫度控制。 期間’由設定機構設定溫度控制系統之控制特性，因::止 ，自動的進行因應該停止期間之最佳的溫度管自，是” 貫現對該驅動源之極高精度的溫度控制。 月b 又，根據本發明’由於能根據驅 期間，隨時適各妯ό叙、^ '、、、源）之V止 ^ 週田地自動進订辨別以使用最適合此時之况声 管理方法（是否逸 ’皿又 進仃則饋控制、或其他(例如’反饋控制)方 ? β口此’能自動的進行因應該停止期間之最佳的溫度管 ，疋以能實現對該驅動源之極高精度的溫度控制。 [圖式簡單說明] 圖，係顯示本發明第1實施形態之曝光装置全 之概略構成的圖。 生 第2圖，係本發明第1實施形態之曝光裝置中所 標線片載台的外觀立體圖。 “之 第3圖，係顯示本發明第丨實施形態之曝光裝置 設之投影光學系統之概略構成的圖。 (一）圖式部分 第 體 75 1310209 . 第4圖，係本發明第】實施形態之曝光裝置中所設之 晶圓載台的外觀立體圖。 第5圖，係顯不本發明第丨實施形態之曝光裝置中所 設之溫度控制系統之構成的圖。 第6圖，係顯示針對標線片載台所設之溫度控制系統 之概略構成的圖。 第7圖，係顯示針對晶圓載台所設之溫度控制系統之 概略構成的圖。 第8圖’係顯示控制器77之用以控制溫度控制系統之 部位之構成的圖。 第9圖，係、顯示設定部U6之内部構成之概略的圖。 第1 0(a)、（b)圖，係以示意方式顯示循環於晶圓載台$ 之冷媒之恤度變化例的圖，⑷係顯示以前饋控制及反饋控 制驅動加熱益78時之溫度變化，⑻係顯示僅以反饋控制 驅動加熱器78時之溫度變化。 第U圖，係以示意方式顯示前饋控制例的圖。 弟12圖’係顯示使用本發明之曝光裝置及曝光方法來 製造元件（1C或LSI等之丰導俨、广曰工^ „ — 寸&千导體日日片、液晶面板、CCD、 薄膜磁頭、微機器等）製程例的流程圖。 第^圖，係顯示本發明第2實施形態之曝光裝置之概 略構成的圖。 奸圖係本發明第3實施形態之曝光裝置中所設之 標線片载台的外觀立體圖。 …圖係本發明第3實施形態之曝光裝置中所設之 76 1310209 晶圓載台的外觀立體圖。 第16圖，係與本發明f 4森 之線性馬達之移動方向正交 只施形態之曝光裝置令所設 (二）元件代表符號 父之面的截面圖。 5

15 17X Y線性馬達(驅動源） 曰圈馬達（驅動源） 日圈馬達（驅動源） 線性馬達（驅動源） X線性馬達（離動源） 第1控制系統 第2控制系統 溫度感測器（檢測部） 控制器（控制機構） Μ §周馬達（驅動源） …，… 加熱器（第2設定機構） 76a,76b,79a,79b溫度感測器（檢測部） 97 輸入裝置（輪入機構） 17Y 33 35 61

62 66,69 67.77 72 75.78

100b，100d，100e〜100g分割鏡筒（可動機構） 104b,104d〜104g 致動器（驅動源） 116,117 設定部（設定機構） 130 曝光本體部 143 冷卻裝置（第1設定機構） 77 1310209 200,201,3 20 溫度感測器（檢測部） AL 對準系統（控制對象） PL 投影光學系統（控制對象） R 標線片 W 晶圓（基板） 78

Claims (1)

1. I3102G9 拾、申請專利範圍： 上1 種曝光裝置，係將標線片載台上所保持之標線片 %成之圖案像，透過投影光學系、统投影至基板載台上戶尸 呆持之基板上，其特徵在於，具有： 可動機構’係具備驅動源，且藉由該驅動源來進 疋動作；以及 •度控制系統，係使受到溫度控制之 可動機構，央批Μ火， 暇销％於月丨J 4 稱來控制則述可動機構之溫度； 前述溫度控制系統，係使用前饋 之溫度。 +忮制則述流體 2· *申請專利範圍帛i項之曝光裝置，其中 度控制系統，择力二、+. /、 則逑/jm. 係在則述可動機構動作開始 附近之至少一方，# 一 & 了町近及結束時 万進仃别述前饋控制。 3·如申請專利範圍第】工員之 可動機構包含前述標键κ△ 直其中，别述 ▽線片載台、前述基板載A 二 光學系統之至少一方； 戰D、則述投影 鈾述溫度控制系統 你根據用來驅動前奸、乂，， 驅動源的控制指令，央一 逃可動機構之 水進订w述前饋控制。 4 ·如申請專利範圍 已㈤弟3項之曝光裝置， 度控制系統，係視前述指八 〃、中，前述溫 制之控制量。 7 谷，而能改變前述前饋控 \如申請專利範圍第！項之曝光裝置 度控制系統，係視前述 "/、中，前述溫 J ΪΜ幾構之驅動晋θ 少一方，而改變前述前 及驅動次數之至 謂控制之控制量。 79 1310209 6·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，進—+ 具備用以檢測前述可動機構或其附近溫度的檢測部；^ 刖述/皿度控制系統，亦進行根據前述檢測部檢測纟士 之反饋控制，來控制前述可動機構之溫度。 7 ·如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，前 檢測部之至少—部分’係埋設配置在前述驅動源中。V 8 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前 '十'、 度控制機構’係使受到溫度控制之流體循環於 ^ : 構而㈣制前述可動機構之溫度； 了動機 &述咖度控制系統’係視前 少-者，來改變前述前饋控制之控制量。“迷之至 9’如申請專利範圍第}項之曝光裝置， 度控制機構，係佶Λ 刖述溫 構而來控制前二:度控制之流體循環於前述可動機 &制則述可動機構之溫度； :用^祆測别述流體之溫度的檢測部； 如述溫度控制备& 之反饋控制，來進行根據前述檢測部檢測結果 木控制則述可動機構之溫度。 0如申請專利範圍帛 檢測部，係制〜乂丄 只心小尤衣置其中，前述 …、疋則述流體循環於前述可動機構前之、、”， Ί流體循環於前述可動機構後之溫度。〜度 、”㈣如申請專利範圍第1項之曝光裝置，复中1 1制系統控制前述驅動源之溫度。 〃中，刖述 片：成裝置’係將標線片載台上所保持之標線 成之圖案像，透過投影光學系統投影至基板載台上 80 1310209 所保持之基板上，其特徵在於，具備： 控制對象，係產生溫度變動者； 溫度控制系統，係使流體循環於前述控制對象來控制 前述控制對象之溫度； m 冓，係輸入關於前述流體管線之資訊、關於前 述流體流速之資訊、與關於前述流體流量之資訊中之至少 一個資訊以作為參數；以及 _設定機構，係根據前述輸入機構所輸入之前述參數之 資訊、來設定前述溫度控制系統之控制特性。 13 ·如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中 包含關於前述溫度控制系統控制前述流體溫度 = 常數，與關於前述溫度控制系統控： I爪騣恤度之時序的資訊。 14 ·如申請專利範圍第13項之曝㈣置，其中， -又控制系統係使用前饋控制方 月“ 少-控制方法來進行控制； &饋控制方法中之至 別述控制㊉數’包含前述前饋控制之 反饋控制之控制常數。 制*數或珂述 15 ·如申請專利範圍第12項 設定機構，包含： 尤裝置，其1ί7，前述 e己憶部，係用以 基準控制特性；以及 ，θ a >文之—個代表值所定之 ^出邛，係根據輪入前述 、與前述記憶部中所儲 隹㈣之前述參數之資訊 储存之基準控制特性，來算出對輪Λ 81 1310209 :述：入機構之資訊的前述溫度控制系統控制特性之最佳 性 將前述算出部所算出之前述最佳值設定為前述控制特 一 16 ·如中請專利範圍第12項之曝光裝置，丨中 線：資訊，包含前述流體被施以溫度控制之最後位 達刚述控制對象為止之前述管線長度的資訊， 述官線直徑的資訊之至少一者。 /、 請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，前述 ’皿又匕制係以驅動前述標線片載台之驅動源、以及驅動前 ί晶圓載台之驅動源中的至少—者為前述控制對象來進行 >皿度控制。 18 ·-種曝光裝置，具備將標線片載台上所保持之標 各片上形成之圖案像’透過投影光學系統投影至基板載台 上所保持之基板的曝光本體部，以及藉由使流體循環^ 生溫度變動之控制對象來控制前述控制對象之溫度的溫度 控制系統，其特徵在於： 作為前述溫度控制系統，具有將前述流體溫度設定在 既定溫度範圍内的帛1設定機構’將被前述第！溫度控制 系統溫度控制之流體溫度、設定在小於前述既定溫度範圍 之溫度範圍内的第2設定機構，以及至少控制前述第之設 定機構之動作的控制機構； 前述第2設定機構與前述控制機構，係與前述第1設 定機構分離’且配置在較前述第丨設定機構更接近前述： 82 1310209 制對象附近。 19 ·如申請專利範圍第〗 固弟18項之曝光裝置，其中，前述 第2設定機構及前述控制機構，係配置在接近前述控· 象之位置，该位置，係對前述控制對象進行溫度控制時之 回應控制的控制位準未達既定位準之位置。 20.如申請專利範圍帛18工員之曝光裝置，其中，前 述，光裝置，具有前述曝光本體部配置於其内部的曝光處 理室； # ^第2设定機構及前述控制機構，係配置在前述曝 =理室内’而前述第1設定機構係配置在前述曝光處理 至外。 2::-種曝光方法，係將標線片載台上所保持之標線 # 技〜先予糸統投影至基板載台上 汀保持之基板上，其特徵在於，具備： 步驟’係將關於循環於控制對象之流體管線之資 :中關於'述流體流速之資訊、與關於前述流體流量之資 。中：：少-個資訊作為參數加以輸入；以及 資訊二，係根據前述輸入步驟所輸入之前述參數之 制對象：设定1吏前述流體循環於前述控制對象以對前述控 進仃溫度控制之溫度控制系統的控制特性。 控制2特^如中請專利範圍第21項之曝光方法，其中，前述 時之控制。。3關於别述溫度控制系統控制前述流體溫度 1回應的控制常數，或關於前述溫度押制季统杵制 河述流體溫度之時序的資訊。 mm制 83 1310209'第92106284號專利申請案，申請專利範圍替換頁（97年1〇月_ 23·如申請專利範圍第22項之曝光方 、 ^ 丹Y，前述 溫度控制系統係使用前饋控制方法及反饋控制方法中 少一控制方法來進行前述流體溫度之控制； 至 前述控制常數，包含前述前鎖控制之控制常數 反饋控制之控制常數。 ^ 二24,如申請專利範圍第21項之曝光方法，其中，關於 前述管線之資訊，包含前述流體被施以溫度控制之最後位 置至到達前述控制對象為止之前述管線長度的資訊，與前 述管線直徑的資訊之至少一者。 25·如申請專利範圍帛i項之曝光裝置，#中，前述 溫度控制系統係根據關於曝光順序之處理程式之内容來 改變前述前饋控制之控制量。 26·如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，前述 處理程式，包含關於曝光照射圖之資訊、關於掃描曝光時 掃描方式之資訊、以及關於前述可動機構動作時之速度或 加速度或加速時間之資訊中的至少一個。 27 ·如申晴專利範圍第1項之曝光裝置，其中，進一 步具備用以測量從前述可動機構之驅動停止起，至下次該 可動機構之驅動開始為止之期間的記時機構； 前述溫度控制系統，係根據前述記時機構之記時結果 ，來改變前述前饋控制之控制量。 s 28·如申睛專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述 /皿度控制系…统，亦能使用前述前饋控制及反‘饋控制； 並進一步具備： 84 捷)正替换！ 記時機構，用以測詈你访·、+、^ 用判里從别述可動機構之驅動停止起， 下次該可動機構之驅動開始為止之期間；以及 辨別機構，根據前述纪時機槿 抽〜 爆月j己時機構之記時結果，來辨別係 執订則述前饋控制、或執行前述反鎖控制。 29·—種曝光裝置，係將標線片載台上所保持之標線 所保：成之圖案像，透過投影光學系統投影至基板載台上 斤保持之基板上，其特徵在於，具備： 控制對象，係產生溫度變動者； 二溫度控制系統，係使流體循環於前述控制對象以 别述控制對象之溫度； 輸入機構’係將關於前述標線片上圖案曝光於前述基 板上之順序的資訊作為參數加以輸人者；以及 叹定機構，係根據前述輸入機構所輸入之前述參數， 來設定前述溫度控制系統之控制特性。 ^ 3〇如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，關於 二述曝光順序之資訊’包含關於曝光照射圖之資訊、關於 :描曝光時掃描方式之資訊、以及關於前述可動機構動作 之速度或加速度或加速時間之資訊中的至少—個。 Η ·、—種曝光裝置，係將標線片載台上所保持之標線 片上形成之圖案像，透過投影光學系统投影至基板 所保持之基板上，其特徵在於，具備： 驅動源，係用以驅動可動機構； X控制系統，係使流體循環於前述驅動源以， 述驅動源之溫度者； 工m 85 ?爾4鄉峰更 )正替渙頁I J時機構，係用以測量前述驅動源停止驅 機構起，至再次驅動該可動機構為止之期間；以及疋了動 設定機構，係根據前述計時機構之 前述溫度控制系統之控制特性。 、、、° 來設定 32·如申請專利範圍第29項之曝光裂置，” =制特性，包含關於前述溫度控制系統控制前述流體= ，控制回應的控制常數’或關於前述溫度控制系統二 别述流體溫度之控制量或控制時序的資訊。 ，、、二制 :二-種曝光裝置，係將標線片載台上所保 =成：圖案像’透過投影光學系統投影至基板裁台上 所保持之基板上，其特徵在於，具備： 0 驅動源，係用以驅動可動機構者； :度控制系統，係使流體循環於前述驅動源 控制方法或反饋控制方法來控制前述驅動源之溫度.貝 機構係用以測量前述驅動源停止驅動前述可動 再次驅動該可動機構為止之期間；以及 辨別機構，係根據前述計時機構之計時 片上3二一種曝光方法，係將標線片載台上所保持之掉線 片上形成之圖案像，透過投影光學^ 所保持之基板上，其特徵在於，具備：又⑥至基板載台上 輸入步驟，係將關於標線 之曝光順序之資訊作為參數加::入圖^ 86 睫)正替換頁 —_ I 設定步，後4· 你根據前述輸入步驟所輸入之前述參數之 貧"ifl*，來言免定、, 、 、 則述流體循環於產生溫度變動之控制對象 、制別述控制對象之溫度之溫度控制系統的控制特性。 35 ·如申請專利範圍第34項之曝光方法，其中，關 前述曝光順序之杳1 —人B日 <貝吼，包含關於曝光照射圖之資訊、關於 掃描曝光時掃描方4 言 梅万式之資訊、以及關於前述可動機構動作 時之速度或加速度之資訊中的至少一個。 , 種曝光方法，係將標線片載台上所保持之標線 /形成之圖案像，透過投影光學系統（PL)投影至基板載 D上所保持之基板上，其特徵在於，具備： 計時步驟，係測量用以驅動可動機構之驅動源停止驅 動該可動機構起，至再次驅動該可動機構為止之期間；以 及 設定步驟’係根據前述計時步驟之計時結果，來設定 使流體循環於前述驅動源以控制前述驅動源之溫度之： 控制系統的控制特性。 又 37·如申請專利範圍帛34項之曝光方法，其中，前述 控制特性’包含關於前述溫度控制系統控制前述流體^ 時之控制回應的控制常數，或關於前述溫度控制系統二 前述流體溫度之控制量或控制時序的資訊。 38. -種曝光方法’係將標線片載台上所保持之，線 片上形成之圖案像，透過投影光學系統投影至基板載：上 所保持之基板上’其特徵在於，具備·· 計時步驟，係測量用以驅動可動機椹 j動機構之驅動源停止驅 87 顯 動機構為止之期間；以 動該可動機構起，至再次驅動該可 及 4°丨了芡驟之計時結果，來辨則 使流體循環於前述驅動源，而以前饋控制方法或反 制前述驅動源之溫度的溫度控制系統，執行何種 -種曝光方法，係將標線片載台上所保持之掉線 片上形成之圖案像，透過投影光學系統投影至基板載台上 所保持之基板上，其特徵在於，具備： 可動步驟，係使用能藉驅動源而動作之可動機構來進 行既定動作；以及 溫度控制步驟，係使受到溫度控制之流體循環於前述 可動機構來控制前述可動機構之溫度； 前述溫度控制步驟，係使用前饋控制來控制前述流體 之溫度。 40 .如申請專利範圍第39項之曝光方法，其具有： 輸入步驟，係將關於使前述流體循環之管線之資訊、 關於前述流體速度之資訊、以及關於前述流體流量之資訊 中的至少一個資訊作為參數加以輸入；以及 設定步驟，係根據前述輸入機構所輸入之前述參數之 資訊，來設定前述溫度控制步驟之控制特性。 41·如申請專利範圍第39項之曝光方法，其中，該溫 度控制步驟，具有下述機構以控制該可動機構之溫度： 第1設定機構’係將前述流體溫度設定在既定溫度範 88 η

   圍内； 第2設定機構，係將以前述溫度控制步驟進行溫度控 制之流體恤度，5又足在小於前述既定溫度範圍之溫度 内；以及 =制機構’係至少控制前述第2設定機構之動作； —W述第2 „又疋機構與前述控制機構，係與前述第1設 動機構附近。 “以1 Μ機構更接近前述可 42·如申請專利範圍第39項之曝光方法，其具有· 輸：步驟’係將關於前述標線片上圖案曝光 板上之曝光順序的資訊，作為參數加以輸入；以及 設定步驟’係根據以前述輸入步驟輸入之前述來數， 來设定前述溫度控制步驟之控制特性。 :3·如申請專利範圍第39項之曝光方法，其具有： 驟’係進行前述驅動源停止前述可動機構之驅 ;以及下―:人前述可動機構之驅動再開為止之期間的計時 口又又步驟’係根據前述計時 述溫度控制步驟之控制特性。 H… 44.如申請專利範圍第39項之曝光方法，其中，前述 /皿又控制步驟’亦能使' 並具有： 制乃凌及反饋控制方法； 什時步驟’係進行前 動、5下w 原停止前述可動機構之驅 ㈣可動機構之驅動再開為正之期間的計時 89

   贫(爱)正替接 —™ 以及 來辨别 或執行 辨別步驟，係根據前述計時步驟之計時結果 是否使前述溫度控制步驟執行前述前饋才空制方法 前述反饋控制方法。 45·如申請專利範圍“ $之曝光裝置，#中 :部，係測定前述流體循環於前述可動機構前之溫度了： 前述流體循環於前述可動機構後之溫度。 又、 所保持之標線 至基板載台上

   46 · —種曝光方法，係將標線片載台上 片上形成之圖案像，透過投影光學系統投影 所保持之基板上，其特徵在於，具有·· 可動步驟，係使用 行既定動作；以及 能藉驅動源而動作之可動機構來進 前述溫度控制步驟，係使 你便用剛饋控制來控制前述1 機構之溫度，且使受到、、®择从土丨 椹A 又到，皿度控制之流體循環於前述可童 構，來控制前述可動機構 僻稱之/皿度，並具有檢測前述产# 度之檢測部； ⑴砑机骨

   前述溫度控制步驟，介 ,gl!亦糟由進行根據前述檢測邱. 冽結果的反饋控制，來抑制兄.+、 ^ 求控制則述可動機構之溫度。 47· -種元件製造方法，其特徵在於： 包含使用中請專利範圍帛丨項之曝光裝置，將 、、'片上所形成之圖案轉印至前述基板上的步驟。 90