TWI309327B - Thin film transistor liquid crystal display panel, array substrate of the same, and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1309327 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明是有關於一種液晶顯示面板（1 i q U i d c r y s t a 1 d i s p 1 a y p a n e 1 )，且特別是關於一種將彩色滤光薄膜整合 於薄膜電晶體陣列上（color filter on array ’簡稱C0A) 製作之薄膜電晶體液晶顯示面板、其陣列基板及其製作方 法。 先前技術 隨著高科技之發展，視訊產品，特別是數位化之視訊 或影像裝置已經成為在一般日常生活中所常見的產品。這 些數位化之視訊或影像裝置中，顯示器是一個重要元件， 以顯示相關資訊。使用者可由顯示器讀取資訊，或進而控 制裝置的運作。 為了配合現代生活模式，視訊或影像裝置之體積日漸 趨於薄輕。傳統的陰極層射線顯示器，雖然仍有其優點， 但是其需佔用大體積且耗電。因此，配合光電技術與半導 體製造技術，面板式的顯示器已被發屐出成為目前常見之 顯示器產品，例如薄膜電晶體液晶顯示器。薄膜電晶體液 晶顯示器由於具有低電麼操作、無輜射線散射、重量輕以 及體積小等傳統陰極射線管（c a t hod e r a y t u b e，簡稱 C R T )所製造之顯示器無法達到的優點，與其他平板式顯示 器如電漿顯示器及電致發光（e 1 e c t r ο 1 u m i n a n c e )顯示器， 成為近年來顯示器研究的主要課題，更被視為二十一世紀 顯示器的主流。 而習知的薄膜電晶體液晶顯示面板如第1圖所示，通

11134twf·ptd 第6頁 1309327 五、發明說明（2) 常具有一薄膜電晶體陣列基板1 0 2、一對向基板1 〇 4與一液 晶層（未繪示）’其_液晶層是位於基板1 〇 2與1 0 4之間。而 在薄膜電晶體陣列基板1 〇 2上有薄膜電晶體陣列1 1 2 ，其中 包括掃描配線、資料配線以及數個薄膜電晶體等。然後’ 在基板1 0 2與1 0 4之間會有一框膠1 0 6 ’用以封閉基板1 〇 2與 1 0 4之間的空間，使液晶能留在其中，而這個被封閉的區 域主要是用以顯示圖案或色彩，因此稱為顯示區（d i s p i a y region)。而且，框膠106需預留一液晶注入口（LC i n j e c t i ο n h ο 1 e ) 1 0 8 ，以利液晶注入。 除了上述普通的薄膜電晶體液晶顯示面板外，目前更 有一種受矚目之製作薄膜電晶體液晶顯示面板的技術，其 特徵是在具有薄膜電晶體陣列;Π 2的基板1 0 2上直接製作彩 色濾光薄膜，而其優點之一是能提高面板開口率。因此， 這種將彩色濾光薄膜整合於薄膜電晶體陣列基板上製作之 薄膜電晶體液晶顯示面板是目前應用於輕薄、高解析度的 NB面板或是液晶電視、高階液晶監視器等產品的液晶顯示 面板之一。 然而，前述將彩色濾光薄膜整合於薄膜電晶體陣列基 板上製作的薄膜電晶體液晶顯示面板，有以下缺點： 首先以第1圖為例，一般在具有薄膜電晶體陣列1 1 2的 基板1 0 4上直接製作彩色濾光薄膜之前，無可避免地都需 把黑色矩陣（b 1 a c k m a t r i X ，簡稱B Μ )先製作出來，因此要 如何縮減利用C 0 Α技術製作的薄膜電晶體液晶顯示面板之 · 製程時間與成本，已成為各方研究的重點之一。而且，當

11134twf,ptd 第7頁 1309327__ 五、發明說明（3) BM與彩色濾光薄膜是形成於不同一片基板時，則前述兩者 之對位問題將會影響到產品的良率。 再者，於第1圖中的顯示區邊緣（border)llO常有漏光 從基板1 0 2上的線路間發射出來，而影響薄膜電晶體液晶 顯示面板之顯示品質。此外，顯示區域邊緣所預留的液晶 注入口 1 0 8同樣會有漏光問題急需解決。 另夕卜，通常在第1圖之薄膜電晶體陣列1 1 2中的每個薄 膜電晶體或是薄膜電晶體陣列1 1 2周邊的導線都會具有一 修補（r e p a i r )結構（未繪示），以於薄膜電晶體故障或產生 線缺陷（1 i n e d e f e c t )時進行修補製程。不過，習知的修 補結構卻常因為被厚厚的介電層所覆蓋，而在進行修補製 程時發生介電層爆裂（b u r s t )現象，以致無法完成修補製 程，導致需要修補的薄膜電晶體仍無法使用，線缺陷亦無 法修補。 除前述各缺點之外，請再次參照第1圖，薄膜電晶體 陣列1 1 2中的每個薄膜電晶體還具有一儲存電容器 (storage capacitor，又稱Cst)，其結構主要是在兩層金 屬層之間夾一絕緣層，而且較上層的金屬層需藉由與畫素 電極相連接，以受薄膜電晶體操控。不過，由於微影製程 例如顯影或蝕刻製程的失誤，使得儲存電容器上的介電層 未完全曝光或蝕刻不完全，而有部分介電層殘留，所以會 導致金屬層與畫素電極的介面接觸不良而使液晶電容無法 在所要求的時間内維持一定的灰階，致使面板效能 (performance)變差。

11134t.wf.ptd 第8頁 1309327_ 五、發明說明（4) 發明内容 因此，本發明之目的是提供一種薄膜電晶體液晶顯示 面板及其製作方法，以節省製程時間。 本發明之再一目的是提供一種薄膜電晶體液晶顯示面 板及其製作方法，以降低製造成本。 本發明之另一目的是提供一種薄膜電晶體液晶顯示面 板及其製作方法，以減少顯示區域邊緣的漏光。 本發明之又一目的是提供一種薄膜電晶體液晶顯示面 板及其製作方法，以減少液晶注入口的漏光。 本發明之又一目的是提供一種薄膜電晶體液晶顯示面 板及其製作方法，以避免修補結構在進行修補製程時發生 介電層爆裂。 本發明之另一目的是提供一種薄膜電晶體液晶顯示面 板及其製作方法，以解決儲存電容器接觸不良的問題。 根據上述與其它目的，本發明提出一種薄膜電晶體陣 列基板，包括一基材、掃描配線、資料配線、薄膜電晶 體、畫素電極、彩色濾光薄膜以及彩色；慮光疊層。而掃描 配線與資料配線係配置在基材上，其中資料配線與掃描配 線係構成數個畫素區域。而薄膜電晶體是配置於資料配線 與掃描配線的交錯處，且係藉由資料配線與掃描配線控 制。畫素電極則是配置於晝素區域中，且分別與對應之薄 膜電晶體電性連接。再者，彩色濾光薄膜係配置於畫素區 域上，而彩色濾光疊層則配置於薄膜電晶體上方的彩色濾 光薄膜上。

11134t.wf.ptd 第9頁 1309327 五、發明說明（5) 此外，如再加上一對向基板與液晶層爽在兩基板之間 即可得一薄膜電晶體液晶顯示面板。 本發明又提出一種薄膜電晶體畫素結構，在一基材上 具有數個晝素區域，其中包括數個畫素電極、數個薄膜電 晶體、數個導線、數個第一、第二與第三彩色濾光疊層。 而畫素電極是位於畫素區域内、薄膜電晶體則配置於畫素 區域内。導線則配置於畫素區域之交接處，用以定義出畫 素區域，其中晝素電極係與導線經由薄膜電晶體電性連 結。第一彩色濾光疊層位於晝素電極上、第二彩色濾光疊 層位於導線上以及第三彩色濾光疊層位於薄膜電晶體上。 本發明又提出一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法， 包括於一基材上形成一第一金屬層，再圖案化第一金屬 層，以形成數個閘極與數條掃描配線。接著，於基材上形 成一閘極絕緣層，再於閘極上形成一圖案化非晶矽層，以 形成數個通道層。之後，於基材上形成一第二金屬層，再 圖案化第二金屬層，以形成數個源極、數個汲極於閘極上 以及形成數條資料配線於基材上，其中資料配線與掃描配 線係構成數個畫素區域，且閘極、通道層、源極以及汲極 係組成數個薄膜電晶體。而後，於些畫素區域内形成數個 第一彩色濾光薄膜，再形成數個第二彩色濾光薄膜覆蓋於 薄膜電晶體上方的第一彩色濾光薄膜。然後，於畫素區域 中的基材上形成數個晝素電極，這些畫素電極分別與對應f 之薄膜電晶體電性連接。 此外，可再提供一對向基板，相對於薄膜電晶體陣列

11134twf.ptd 第10頁 1309327__ 五、發明說明（6) 基板配置，然後於對向基板與薄膜電晶體陣列基板之間形 成一液晶層，即可製作出薄膜電晶體液晶顯示面板。 本發明又提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括於一基材上形成複數條掃描配線，再於基材上形成數 條資料配線，其令資料配線與掃描配線係構成數個晝素區 域。之後，於資料配線與掃描配線的交錯處形成數個薄膜 電晶體，且薄膜電晶體係藉由資料配線與掃描配線控制， 然後，於畫素區域令形成數個晝素電極，這些畫素電極分 別與對應之薄膜電晶體電性連接。接著，於畫素區域上形 成數個彩色濾光薄膜，再於薄膜電晶體上方的彩色濾光薄 膜上形成數個彩色濾光疊層。 本發明繼續提出一種薄膜電晶體陣列基板，包括一顯f 示區與一非顯示區，其特徵在於配置於非顯示區環繞顯示 區邊緣的一環狀彩色濾光疊層。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板，包括一顯示 區與一非顯示區，其特徵在於數個第一金屬層，配置於顯 示區邊緣，亦即非顯示區；以及數個第二金屬層，部分重 疊第一金屬層配置，以防止顯示區邊緣漏光。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板，包括一顯示 區與一非顯示區，其特徵在於一第一金屬層，配置於顯示 區邊緣、一第二金屬層，部分重疊第一金屬層配置；以及 至少一環狀彩色濾光薄膜，環繞顯示區邊緣配置。 本發明再提出一種遮光結構，適用於一薄膜電晶體陣 列基板之一非顯示區，包括一第一金屬層，配置於非顯示

11134twf.ptd 第11頁 1309327 五、發明說明（7) 區、一第二金屬層，與第一金屬層重疊配置’其申第一與 第二金屬層以一絕緣層電性隔離；以及至少一彩色濾光薄 膜，配置於第一與第二金屬層上。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法’ 包括於一基材上形成一第一金屬層，其中基材包括一顯示 區與一非顯示區。之後，圖案化第一金屬層，以形成數個 閘極與數條掃描配線，其中掃描配線延伸至顯示區邊緣。 接著，於基材上形成一閘極絕緣層與一非晶矽層’再移除 閘極上方以外的非晶矽層，以形成數個通道層。之後，於 基材上形成一第二金屬層，再圖案化第二金屬層，以於閘 極上形成源極、汲極、於基材上形成資料配線以及於顯示 區邊緣形成數條擬金屬層，其中資料配線與掃描配線係構 成數個畫素區域，且閘極、通道層、源極以及汲極係組成 數個薄膜電晶體，且擬金屬層部分重疊於掃描配線。而 後，於基材上形成一第一彩色濾光薄膜，再圖案化第一彩 色濾光薄膜，以保留畫素區域内以及顯示區邊緣的部分第 一彩色濾光薄膜。接著，形成一第二彩色濾光薄膜覆蓋於 顯示區邊緣的第一彩色濾光薄膜。然後，於晝素區域中的 基材上形成數個晝素電極，這些畫素電極分別與對應之薄 膜電晶體電性連接。 本發明又提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括提供一基材，其包括一顯示區與一非顯示區，其特徵 在於在非顯示區中的基材上形成一環狀彩色濾光疊層，而 環狀彩色濾光疊層並環繞顯示區邊緣。

11134twf.ptd 第12頁 1309327 五、發明說明（8) 本發明 包括於一基 一非顯不區 成數個閘極 邊緣。接著 成一圖案化 上形成一第 形成數個源 以及於顯示 描配緣係構 極係組成數 線，以防止 上形成數個 個晝素電極 接。 本發明 包括於一基 又提 材上 。 缺 與數 ，於 非晶 二金 極、 區邊 成數 個薄 顯示 彩色 ，這 出一種 形成一 後，圖 條掃描 基材上 砍層， 屬層， 數個汲 緣形成 個晝素 膜電晶 區邊緣 渡光薄 些畫素 薄膜電晶 第一金屬 案化 酉己線 形成 以形 再圖 極， 數條 區域 體， 漏光 膜， 電極 第 其 一間 成數 案化 並於 擬金 ，閘 且擬 。接 再於 係與 體陣 層， 金屬 中掃 極絕 個通 第二 基材 屬層 極、 金屬 著， 顯示 對應 列基 基材 層， 描配 緣層 道層 金屬 上形 ’其 通道 層部 於畫 區内 之薄 板的 包括 以於 線延 ，再 。之 層， 成數 中資 層、 分重 素區 的基 膜電 作 一顯 顯示 伸至 於閘 後， 以於 條資 料配 源極 疊於 域内 材上 晶體 方法， 示區與 區内形 顯示區 極上形 於基材 閘極上 料配線 線與掃 以及汲 掃描配 的基材 形成數 電性連 又提出一種 材上形成一 一非顯示區。之後，圖 成數個閘極與數條掃描 金屬層。隨後，於基材 形成一圖案化非晶矽層 材上形成一第二金屬層 上形成數個源極、數個 線，其中資料配線延伸 薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 第一金屬層，基材包括一顯示區與 案化第一金屬層’以於顯示區内形 配線以及於顯示區邊緣形成數條擬 上形成一閘極絕緣層’再在閘極上 ，以形成數個通道層。之後，於基 ，再圖案化第二金屬層，以於閘極 汲極，並於基材上形成數條資料配 至顯示區邊緣，且資料配線與掃描

11134twf.ptd 第13頁 1309327_ 五、發明說明（9) 配線係構成數個畫素區域，且閘極、通道層、源極以及汲 極係組成數個薄膜電晶體，而擬金屬層部分重疊於資料配 線，以防止顯示區邊緣漏光。接著，於畫素區域内的基材 上形成數個彩色濾光薄膜，再於顯示區内的基材上形成數 個晝素電極，畫素電極係與對應之薄膜電晶體電性連接。 本發明又提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括提供一基材，其包括一顯示區與一非顯示區，其特徵 在於在顯示區邊緣形成數個第一金屬層以及於基材上形成 數個第二金屬層，且第二金屬層係部分重疊第一金屬層， 以防止顯示區邊緣漏光。 . 本發明接著又提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方 法，包括於一基材上形成一第一金屬層，基材包括一顯示 區與一非顯示區。然後，圖案化第一金屬層，以於顯示區 内形成數個閘極與數條掃描配線，其中掃描配線延伸至顯 示區邊緣，再於基材上形成一閘極絕緣層。接著，在閘極 上形成一圖案化非晶矽層，以形成數個通道層，再於基材 上形成一第二金屬層。之後，圖案化第二金屬層，以於閘 極上形成數個源極、數個汲極，並於基材上形成數條資料 配線以及於顯示區邊緣形成數條擬金屬層，其中資料配線 與掃描配線係構成數個畫素區域，閘極、通道層、源極以 及汲極係組成數個薄膜電晶體，且擬金屬層部分重疊於掃 描配線，以防止顧示區邊緣漏光。之後，於基材上形成一 第一彩色濾光薄膜，再圖案化第一彩色濾光薄膜’以保留 畫素區域内的部分第一彩色濾光薄膜以及於顯示區邊緣形

11134twf.ptd 第14頁 1309327 五、發明說明（10) 成一第一環狀彩色濾光薄膜。隨後，於顯示區内的基材上 形成數個畫素電極，這些畫素電極係與對應之薄膜電晶體 電性連接。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括於一基材上形成一第一金屬層，基材包括一顯示區與 一非顯示區，再圖案化第一金屬層，以於顯示區内形成數 個閘極與數條掃掘配線以及於顯示區邊緣形成數條擬金屬 層。之後，於基材上形成一閘極絕緣層，再於閘極上形成 一圖案化非晶矽層，以形成數個通道層。接著，於基材上 形成一第二金屬層，再圖案化第二金屬層，以於閘極上形 成數個源極、數個汲極，並於基材上形成數條資料配線， 其中資料配線延伸至顯示區邊緣，其中資料配線與掃描配 線係構成數個晝素區域’閘極、通道層、源極以及汲極則 組成數個薄膜電晶體，且擬金屬層部分重疊於資料配線’ 以防止顯示區邊緣漏光。接著，於基材上形成一第一彩色 濾光薄膜，再圖案化第一彩色濾光薄膜，以保留畫素區域 内的部分第一彩色濾光薄膜以及於顯示區邊緣形成一第一 環狀彩色濾光薄膜。然後，於顯示區内的基材上形成數個 畫素電極，這些畫素電極係與薄膜電晶體電性連接。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括提供一基材，基材包括一顯示區與一非顯示區’其特 徵在於在顯示區邊緣形成數個第一金屬層，再於基材上形 成數個第二金屬層，第二金屬層係部分重疊第一金屬層。 隨後，環繞顯示區邊緣形成至少一環狀彩色濾光薄膜。

11134twf.ptd 第15頁 1309327 五、發明說明（11) 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板’包括一顯示 區與一非顯示區，其中非顯示區具有一液晶注入口 ，其特 徵在於有數個第一金屬層，配置於非顯示區、數個第二金 屬層，部分重疊第一金屬層配置、一彩色濾光疊層’配置 於液晶注入口以外的非顯示區：以及一第一彩色濾光區 塊，位於非顯示區之液晶注入口所暴露的區.域上。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板，包括一顯示 區與一非顯示區，其中顯示區邊緣具有一液晶注入口 ，其 特徵在於有數個第一金屬層，配置於顯示區邊緣的液晶注 入口所暴露的基材上以及數個第二金屬層，部分重疊第一 金屬層配置，以防止該顯示區邊緣的該液晶注入口漏光。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，¥ 包括於一基材上形成一第一金屬層，其中基材包括一顯示 區與一非顯示區，而顯示區邊緣具有一液晶注入口 。之 後，圖案化第一金屬層，以形成數個閘極與數條掃描配 線，其中掃描配線延伸至顯示區邊緣。接著，於基材上形 成一閘極絕緣層與一非晶矽層，再移除閘極上方以外的非 晶矽層，以形成數個通道層。之後，於基材上形成一第二 金屬層，再圖案化第二金屬層，以於閘極上形成源極、汲 極、於基材上形成資料配線以及於顯示區邊緣形成數條擬 金屬層，其中資料配線與掃描配線係構成數個晝素區域， 且閘極、通道層、源極以及汲極係組成數個薄膜電晶體， 且擬金屬層部分重疊於掃描配線。而後，於基材上形成一餐臊 彩色濾光薄膜，再圖案化此一彩色濾光薄膜，以保留畫素

11134twf.ptd 第16頁 1309327 五、發明說明（12) 區域内以及於顯示區邊緣的液晶注入口所暴露出之基材上 的彩色濾光區塊。接著，於畫素區域中的基材上形成數個 畫素電極，這些畫素電極分別與對應之薄膜電晶體電性連 接。 本發明接著提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方 法，包括於一基材上形成一第一金屬層’基材包括一顯示 區與一非顯示區，其中顯示區邊緣具有一液晶注入口 。之 後，圖案化第一金屬層，以於顯示區内形成數個閘極與數 條掃描配線以及於顯示區邊緣的液晶注入口所暴露的基材 上形成數條擬金屬層。然後，於基材上形成一間極絕緣 層，再在閘極上形成一圖案化非晶矽層，以形成數個通道 層。之後，於基材上形成一第二金屬層，再圖案化第二金0 屬層，以於閘極上形成數個源極、數個汲極，並於基材上 形成數條資料配線，這些資料配線延伸至顯示區邊緣的液 晶注入口 ，其中資料配線與掃描配線係構成數個畫素區 域，且擬金屬層部分重疊於資料配線，以防止顯示區邊緣 的液晶注入口漏光，且閘極、通道層、源極以及没極係組 成數個薄膜電晶體。接著，於畫素區域内形成數個彩色濾 光薄膜，再於畫素區域中形成數個畫素電極，這些畫素電 極係與對應之薄膜電晶體電性連接。 本發明接著再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方 法，包括提供一基材，基材包括一顯示區與一非顯示區， 其中非顯示區邊緣具有一液晶注入口 ，其特徵在於在顯示 區邊緣形成數個第一金屬層，之後於基材上形成數個第二

11134twf.ptd 第17頁 1309327 五、發明說明（13) 金屬層，這些第二金屬層係部分重疊第一金屬層，以防止 顯示區邊緣的液晶注入口漏光。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括於一基材上形成一第一金屬層，基材包括一顯示區與 一非顯示區，其中顯示區邊緣具有一液晶注入口。之後， 圖案化第一金屬層，以於顯示區内形成數個閘極與數條掃 描配線以及於顯示區邊緣的液晶注入口所暴露的基材上形 成擬金屬層。之後，於基材上形成一閘極絕緣層與一非晶 矽層，再移除閘極上方以外的非晶矽層，以形成數個通道 層。隨後，於基材上形成一第；金屬層，再圖案化第二金 屬層，以於閘極上形成數個源極、數個汲極，並於基材上 形成數條資料配線，這些資料配線延伸至顯示區邊緣的液 晶注入口 ，其中資料配線與掃描配線係構成數個晝素區 域，且擬金屬層部分重疊於掃描配線，且閘極、通道層、 源極以及汲極係組成數個薄膜電晶體。接著，於基材上形 成一彩色濾光薄膜，再圖案化彩色濾光薄膜’以保留畫素 區域内的部分彩色濾光薄膜以及於顯示區邊緣的液晶注入 口所暴露出之基材上形成一第一彩色濾光區塊。之後’於 畫素區域中形成數個畫素電極，這些晝素電極係與對應之 薄膜電晶體電性連接。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括提供一基材，基材包括一顯示區與一非顯示區’其中 非顯示區邊緣具有一液晶注入口 ，其特徵在於在顯示區邊 緣形成數個第一金屬層，再於基材上形成數個第二金屬

11134t.wf.ptd 第18頁 1309327 五、發明說明（14) 層，這些第二金屬層係部分重疊第一金屬層。隨後，於顯 示區邊緣之液晶注入口所暴露的區域上形成一第一彩色濾 光區塊。 本發明接著再提出一種薄膜電晶體陣列基板，具有數 個修補結構，其結構包括第一金屬層、第二金屬層、絕緣 層、通道層、介電層、透明電極以及至少一彩色濾光薄 膜。第一金屬層係配置在一基材上，其包括掃描配線、閘 極以及數個第一修補金屬層。絕緣層則覆蓋第一金屬層。 而通道層係配置於閘極上方之絕緣層上。第二金屬層則配 置在基材上，其包括源極、個汲極、資料配線以及數個第 二修補金屬層，其中源極與汲極配置於閘極上方之通道層 兩側，且資料配線與掃描配線係構成數個畫素區域，而第 二修補金屬層與第一修補金屬層係互相重疊，以組成數個 修補結構，且閘極、通道層、源極以及汲極係組成數個薄 膜電晶體。而介電層係配置於第一金屬層、絕緣層以及第 二金屬層上，其中介電層具有修補開口以及接觸窗口 ，而 修補開口暴露出修補結構的第二修補金屬層、接觸窗口則 暴露出薄膜電晶體的源極。透明電極是配置於介電層上’ 包括數個畫素電極以及數個浮置電極，其中畫素電極係配 置於畫素區域中，藉由接觸窗口分別與對應之薄膜電晶體 之源極電性連接，而浮置電極係藉由修補開口與第二修補 金屬電性連接。再者，彩色濾光薄膜是配置於修補開口以 外的畫素區域上。 此外，如再加上一對向基板與液晶層夾在兩基板之間

11134t.wf.ptd 第19頁 1309327 五、發明說明（15) 即可得一薄膜電晶體液晶顯示面板。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法， 包括於一基材上形成一第一金屬層，再圖案化第一金屬 層，以形成掃描配線、閘極以及數個第一修補金屬層。之 後，於基材上形成一閘極絕緣層與一非晶矽層，並移除閘 極上方以外的非晶矽層，以形成通道層。接著，於基材上 形成一第二金屬層，再圖案化第二金屬層，以形成源極、 汲極、資料配線以及數個第二修補金屬層，其中源極與汲 極配置於閘極上方之通道層兩側，而資料配線與掃描配線 係構成數個畫素區域，且第二修補金屬層與第一修補金屬 層係互相重疊，以組成修補結構，閘極、通道層、源極以 及汲極則組成數個薄膜電晶體。然後，於第一金屬層、絕 緣層以及第二金屬層上形成一介電層，其中介電層具有修 補開口以及接觸窗口 ，而修補開口暴露出修補結構的第二 修補金屬層、接觸窗口則暴露出薄膜電晶體的源極，再於 開口以外的畫素區域内形成數個第一彩色濾光薄膜。之 後，形成數個第二彩色濾光薄膜’覆蓋於薄膜電晶體上方 的部分第一彩色濾光薄膜，再於基材上形成一透明電極’ 其包括數個畫素電極與數個浮置電極，畫素電極係藉由接 觸窗口分別與對應之薄膜電晶體之源極電性連接’浮置電 極係藉由修補開口與第二修補金屬電性連接。 此外，可再提供一對向基板，相對於薄膜電晶體陣列 基板配置，然後於對向基板與薄膜電晶體陣列基板之間形 成一液晶層，即可製作出薄膜電晶體液晶顯示面板。

11134twf.ptd 第20頁 1309327_ 五、發明說明（16) 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 包括於一基材上形成一第一金屬層，其中包括數條掃描配 線、數個閘極以及數個第一修補金屬層。之後，於基材上 形成一絕緣層覆蓋第一金屬層，再於閘極上方之絕緣層上 形成數個通道層，再於基材上形成一第二金屬層，其包括 數個源極、數個汲極、數條資料配線以及數個第二修補金 屬層，其中源極與汲極配置於閘極上方之通道層兩側，且 貧料配線與掃描配線係構成數個畫素區域’而弟一修補金 屬層與第一修補金屬層係互相重疊，以組成修補結構，且 閘極、通道層 '源極以及汲極係組成數個薄膜電晶體。接 著，於第一金屬層、絕緣層以及第二金屬層上形成一介電 層，其中介電層具有數個修補開口以及數個接觸窗口 ，而 修補開口暴露出修補結構的第二修補金屬層、接觸窗口則 暴露出薄膜電晶體的源極。之後，於畫素區域中形成數個 畫素電極，其中畫素電極係藉由接觸窗口分別與對應之薄 膜電晶體之源極電性連接，再於修補開口以外的畫素區域 上形成至少一彩色濾光薄膜。 本發明再提出一種薄膜電晶體陣列基板，具有數個儲 存電容器，其結構包括第一金屬層、第二金屬層、絕緣 層、通道層、介電層、保護層、畫素電極以及彩色濾光薄 膜。第一金屬層係配置在一基材上，其包括掃描配線、閘 極以及數個第一儲存電容金屬層，其具有數個第一開口。 絕緣層則覆蓋第一金屬層。而通道層係配置於閘極上方之 絕緣層上。第二金屬層則配置在基材上，其包括源極、個

11134twf.ptd 第21頁 1309327 五、發明說明（17) 汲極、資料配線以及數個第二儲存電容金屬層，其中源極 與汲極配置於閘極上方之通道層兩側，且資料配線與掃描 配線係構成數個畫素區域，而第二儲存電容金屬層與第一 儲存電容金屬層係互相重疊，以與絕緣層組成儲存電容 器，且閘極、通道層、源極以及汲極係組成數個薄膜電晶 體。而介電層係配置於第一金屬層、絕緣層以及第二金屬 層上，其中介電層具有數個第二開口以及數個第三開口， 而第二開口大致暴露出第一開口上方的第二儲存電容金屬 層、第三開口則暴露出薄膜電晶體的源極。而畫素電極則 配置於畫素區域中，其中畫素電極係藉由第二開口分別與 第二儲存電容金屬層電性連接以及藉由第三開口與對應之 薄膜電晶體之源極電性連接。再者’彩色濾光薄膜是配置 於第二開口以外的晝素區域上。 此外，如再加上一對向基板與液晶層夾在兩基板之間 即可得一薄膜電晶體液晶顯不面板。 本發明另外提出一種薄膜電晶體陣列基板的製造方 法，包括於一基材上形成一第一金屬層’再圖案化第一金 屬層，以形成掃描配線、閘極以及數個第一儲存電容金屬 層，具有數個第一開口。之後，於基材上形成一閘極絕緣 層，再在該些閘極上形成一圖案化非晶矽層’以形成通道 層。接著，於基材上形成一第二金屬層’再圖案化第二金 屬層，以形成源極、汲極、資料配線以及數個第二儲存電 容金屬層，其中源極與汲極配置於閘極上方之通道層兩 側，而資料配線與掃描配線係構成數個畫素區域’且第二

11134twf.ptd 第22頁 1309327 五、發明說明（18) 儲存電容金屬層與第一儲存電容金屬層係互相重疊，以與 絕緣層組成儲存電容器，閘極、通道層、源極以及汲極則 組成數個薄膜電晶體。然後，於第一金屬層、絕緣層以及 第二金屬層上形成一介電層，其中介電層具有第二開口以 及第三開口 ，而第二開口大致暴露出第一開口上方的第二 儲存電容金屬層、第三開口則暴露出薄膜電晶體的源極。 然後，於第二開口以外的畫素區域内形成數個彩色濾光薄 膜。之後，於基材上形成數個畫素電極，係藉由第二開口 分別與第二儲存電容金屬層電性連接以及藉由第三開口與 對應之薄膜電晶體之源極電性連接。 . 此外，可再提供一對向基板，相對於薄膜電晶體陣列 基板配置，然後於對向基板與薄膜電晶體陣列基板之間形 成一液晶層，即可製作出薄膜電晶體液晶顯示面板。 最後本發明提出一種薄膜電晶體陣列基板的製作方 法，包括於一基材上形成一第一金屬層’此一第一金屬層 包括數條掃描配線、數個閘極以及數個第一儲存電容金屬 層，其中第一儲存電容金屬層具有數個第一開口。接著， 於基材上形成一絕緣層，覆蓋第一金屬層，再於閘極上方 之絕緣層上形成數個通道層，再於基材上形成一第二金屬 層，其中第二金屬層包括數個源極、數個汲極、數條資料 配線以及數個第二儲存電容金屬層，其中源極與沒極配置 於閘極上方之通道層兩側，且資料配線與掃描配線係構成 數個畫素區域，而這些第二儲存電容金屬層與第一儲存電 容金屬層係互相重疊，以與絕緣層組成儲存電容器’且閘

11134twf .pt.d 第23頁 1309327 五、發明說明（19) 極、通道層、源極以及汲極係組成複數個薄膜電晶體。之 後，於第一金屬層、絕緣層以及第二金屬層上形成一介電 層，其中介電層具有數個第二開口以及數個第三開口 ，而 第二開口大致暴露出第一開口上方的第二儲存電容金屬 層、第三開口則暴露出薄膜電晶體的源極。然後，於畫素 區域中形成數個晝素電極，其中畫素電極係藉由第二開口 分別與第二儲存電容金屬層電性連接以及藉由第三開口與 對應之薄膜電晶體之源極電性連接。接著，於第二開口以 外的畫素區域上形成數個彩色渡光薄膜。 .本發明由於在薄膜電晶體上形成堆疊的彩色濾光疊層 取代黑色矩陣，因此可節省製程時間與成本。 而且，本發明之薄膜電晶體陣列基板的顯示區邊緣可 搭配彩色濾光疊層以及部分重疊之金屬層，所以能獲得極 佳的遮光效果。 另外，本發明在薄膜電晶體陣列基板之顯示區邊緣的 液晶注入口結構採用部分重疊之金屬層並可搭配彩色濾光 區塊，故可獲得極佳的遮光效果並增加液晶注入口的口 徑。 再者，本發明僅有一保護層覆蓋於薄膜電晶體陣列基 板之修補結構的焊點上，所以不會發生習知因焊點上有介 電層，而在進行修補製程時發生介電層爆裂現象。 此外，本發明之彩色濾光薄膜整合電晶體陣列基板之 儲存電容器結構因為採用如修補結構一般的焊點’故可改 善源於儲存電容器之金屬層與畫素電極的介面接觸不良所

11134twf.ptd 第24頁 1309327_ 五、發明說明（20) 造成之面板效能變差的情形。而且其中的第一金屬層避開 作為焊點的開口 ，所以在進行焊接製程時，可避免第一與 第二金屬層導通的錯誤發生。 總之，本發明利用堆疊的的彩色濾光疊層取代黑色矩 陣，所以可以大幅節省製程時間與成本。此外，本發明還 同時因應液晶顯示面板各部位的特殊要求，在製程及結構 上作改良，並配合基本的製造流程，因此本發明能使薄膜 電晶體液晶顯示面板之製作達到最省時省力的功效。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附亂式，作詳細 說明如下： 實施方式 本發明係於一將彩色濾光薄膜整合於薄膜電晶體陣列 上（color filter on array ，簡稱COA)製作之薄膜電晶體 陣列基板的各個區域作不同的設計，以符合各項製程或應 用上的需求，且可省略黑色矩陣的製作。而為詳細說明本 發明之應用，請參考下列各實施例。 第一實施例 第2圖所示係依照本發明之薄膜電晶體液晶顯示面板 的透視示意圖。 請參照第2圖，本發明之薄膜電晶體液晶顯示面板2 0 0 係由一薄膜電晶體陣列基板2 0 2、一對向基板2 0 4與一液晶 層（未繪示）所構成，其中液晶層是位於薄膜電晶體陣列基 板2 0 2與對向基板2 0 4之間。而在薄膜電晶體陣列基板2 0 2

11134t.wf.ptd 第25頁 1309327 五、發明說明（21) 上會有數條掃描配線2 1 0 、數條資料配線2 1 2、薄膜電晶體 2 1 6、畫素電極2 1 8、彩色濾光薄膜（未標示）以及數個彩色 濾光疊層2 2 0。而資料配線2 1 2與掃描配線2 1 0係構成數個 畫素區域2 1 4。再者，於資料配線2 1 2與掃描配線2 1 0的交 錯處配置的是薄膜電晶體2 1 6 ，且其係藉由資料配線2 1 2與 掃描配線2 1 0控制。而畫素電極2 1 8則配置於畫素區域2 1 4 中，且分別與對應之薄膜電晶體2 1 6電性連接。彩色濾光 薄膜（未繪示）則配置於畫素區域2 1 4上，其中彩色濾光薄 膜包括紅色濾光薄膜、綠色濾光薄膜以及藍色濾光薄膜。 而彩色濾光疊層2 2 0則是配置於薄膜電晶體2 1 6上方的彩色 濾光薄膜上，當彩色濾光薄膜是第一色光之彩色濾光薄膜 時，彩色濾光疊層2 2 0則例如是互相堆疊的第二色光與第 三色光之彩色滤光薄膜或者是單一層的第二色光或第三色 光之彩濾光薄膜。而且，當彩色濾光疊層2 2 0是互相堆疊 的第二色光與第三色光之彩色濾光薄膜時，較接近薄膜電 晶體2 1 6的那一層彩色濾光薄膜比遠離薄膜電晶體2 1 6的那 一層彩色濾光薄膜厚。再者，因藍色濾光薄膜之吸光效率 最好，次之為紅色滤光薄膜、綠色滤光薄膜，因此當只選 擇一層彩色濾光薄膜時，藍色濾光薄膜應為較佳的選擇。 而本實施例之製造流程如下列之第3 A圖至第3 D圖。 第3 A圖至第3 D圖係依照本發明之第一實施例之薄膜電 晶體陣列基板的製造流程剖面示意圖。請同時參照第2圖 與第3A圖，於一基材202上形成一第一金屬層，再圖案化 第一金属層，以形成數個閘極3 0 2與數條掃描配線（請見第

11134twf.ptd 第26頁 1309327 五、發明說明（22) 2圖之2 1 0 )。之後，於基材2 0 2上形成一閘極絕緣層3 0 4與 一非晶矽層，再移除閘極3 0 2上方以外的非晶矽層，以形 成數個通道層306。隨後，於基材202上形成一第二金屬 層，再圖案化第二金屬層，以於閘極3 0 2上形成數個源極 與汲極3 0 8以及於基材3 0 0上形成數條資料配線（請見第2圖 之2 1 2 )。其中，資料配線與掃描配線係構成數個畫素區域 (請見第2圖之2 1 4 )，且閘極3 0 2、通道層3 0 6、源極、沒極 3 0 8係組成數個薄膜電晶體2 1 6。 接著，請同時參照第2圖與第3B圖，於薄膜電晶體2 1 6 上形成一保護層312 ，再於晝素區域214上形成一第一彩色 濾光薄膜3 1 4。然後，於薄膜電晶體2 1 6上方之第一彩色濾 光薄膜3 1 4上形成彩色濾光疊層2 2 0，其中彩色濾光疊層 2 2 0包括一第二彩色濾光薄膜3 1 6與一第三彩色濾光薄膜 3 1 8。於第3 B圖右半部的第一彩色濾光薄膜3 1 4是薄膜電晶 體2 1 6所屬的畫素中的彩色濾光片（C / F )，而本圖左半部的 第二彩色濾光薄膜3 1 6則是另一個晝素中的C / F ，且相鄰的 兩彩色濾光薄膜3 1 4與3 1 6會在資料配線2 1 2與掃描配線2 1 0 上部分重疊。 之後，請參照第3 C圖，於基材2 0 2上形成一介電層 3 2 2 ，以覆蓋整個基材2 0 2 ，其中介電層3 2 2之材質例如是 壓克力（acrylic acid)。然後，於介電層322上形成一畫 素電極218 ，其中晝素電極218與薄膜電晶體216之汲極308 電性連接。 然後，請參照第3 D圖，本圖為薄膜電晶體液晶顯示面

11134t.wf.ptd 第27頁 1309327 五、發明說明（23) 板之組合圖，主要是提供一對向基板204相對前述第3C圖 之基材（薄膜電晶體陣列基板2 0 2 )配置，其中對向基板2 0 4 具有共用電極（(：0111丨1101161€(：1；1*0(36)222。之後，於對向基 板2 0 4與薄膜電晶體陣列基板2 0 2之間形成一液晶層3 4 0。 此外，可在形成液晶層3 4 0之前於介電層3 2 2上形成一光間 隔物（p h o t 〇 s p a c e r ，簡稱P S ) 3 2 6，作為維持晶穴間隙 (c e 1 1 g a p )之用。此外，薄膜電晶體陣列基板2 0 2與液晶 層3 4 0之間可包括一配向膜（未繪示）。而對向基板2 〇 4與液 晶層3 4 0之間可包括另一配向膜（未繪示）。另外，於薄膜 電晶體陣列基板2 0 2與對向基板2 0 4之外表面均可配置一偏 光片（未繪示）。

再者’為詳細說明本實施例之結構，請同時參考第3 D 圖與第4圖，其中第4圖係依照本發明之第一實施例之薄膜 電晶體陣列基板之俯視圖。

請參照第3 D圖與第4圖，本發明之彩色濾光疊層2 2 0係 位於薄膜電晶體2 1 6上方，其中的第二與第三彩色濾光薄 膜316 、318係層層疊在第一彩色濾光薄膜314上。而第一 彩色濾光薄膜3 1 4則是作為畫素區域2 1 4 (請見第2圖）的彩 色滤光片，且其具有一個開口400暴露出畫素電極218與薄 膜電晶體2 1 6的汲極3 0 8電性連接處。此外，有一層第二或 第二彩色濾光薄膜3 1 6或3 1 8覆蓋另一側的畫素結構，且其 邊緣可與第一彩色濾光薄膜314重疊，這層第二或第三彩 色濾光薄膜3 1 6或3 1 8是作為另一畫素區域的彩色濾光片。 第二實施例

11134twf .pt.d 第28頁 1309327 五、發明說明（24) 本實施例主要是針對本發明之薄膜電晶體液晶顯示面 板的顯示區邊緣（b 〇 r d e r )做改良，請參考第2圖，顯示區 5 0 0是指具有畫素區域2 1 4可顯示圖案、色彩的區域；反 之，顯示區5 0 0以外，亦即顯示區邊緣的部分就是「非顯 示區」 。 第5 A圖至第5 C圖係依照本發明之一第二實施例之薄膜 電晶體液晶顯示面板的製造流程剖面示意圖，其與第一實 施例的不同點如下：請先參照第5 A圖，於基材2 0 2上形成 並經圖案化的第一金屬層，除了第3A圖中的構件外，還有 形成於顯示區5 0 0邊緣的一金屬層5 0 2。之後，於基材2 0 2 上形成閘極絕緣層3 0 4，於此僅作為絕緣層之用。隨後， 於基材202上形成並經圖案化的第二金屬層，除了第3A圖 中的構件外，還於顯示區5 0 0邊緣形成另一金屬層5 0 6 ，且 金屬層5 0 2與5 0 6係相互鄰接，較佳為部分重疊（如第5 D圖 所示），以防止顯示區5 0 0邊緣漏光。此外，當金屬層5 0 2 作為外接線路時，其係與掃描配線2 1 0相連，且另一金屬 層5 0 6則是作為假線路（d u min y 1 i n e )的擬金屬層；反之， 當金屬層5 0 6作為外接線路時，其係與資料配線2 1 2相連， 且擬金屬層則是金屬.層502。再者，金屬層502與金屬廣 5 0 6均可同時作為擬金屬層，不與任何掃描配線2 1 0與資料 配線2 1 2連接，而利用金屬層5 0 2與金屬層5 0 6的鄰接，甚 至進而部分重疊（如第5 D圖所示），可遮蔽入射非顯示區的 光線，防止漏光。 接著，請參照第5 B圖，於基材2 0 2上形成保護層3 1 2。

11134twf.ptd 第29頁 1309327 五、發明說明（25) 之後，可選擇性地於顯示區5 0 0邊緣的基材2 0 2上形成至少 一層的彩色濾光薄膜來加強遮光效果，譬如本圖中是以形 成如第2圖形成於薄膜電晶體2 1 6上方的第一彩色濾光薄膜 3 1 4上的彩色濾光疊層2 2 0為例。此外，這層彩色濾光疊層 2 2 0還可以是單一層的第二彩色濾光薄膜或是第三彩色濾 光薄膜。 然後，請參照第5 C圖，於基材2 0 2上形成介電層3 2 2， 覆蓋彩色濾光疊層2 2 0。之後，於基材2 0 2上形成一框膠 522，譬如是具有球間隔物（ball spacer)之框膠。接著， 提供對向基板204 ’並膠合兩基板。 另外，請特別注意，本實施例雖然於基板2 0 2上製作 彩色濾光疊層2 2 0與鄰接或部分重疊之金屬層5 0 2 、5 0 6 ， 如第5 A與第5 D圖所示，但是其實只要在薄膜電晶陣列基板 之顯示區5 0 0邊緣製作出具有遮光效用的結構即可，所以 前述製程可以省略彩色濾光疊層2 2 0的製作，而只要形成 鄰接或部分重疊之金屬層5 0 2、5 0 6 ;抑或是不用製作部分 重疊之金屬層502 、506 ，而只要製作出彩色渡光叠層220 即可。 再者，為詳細說明本實施例之結構，請同時參考第5 C 圖與第6圖，其中第6圖係依照本發明之第二實施例之薄膜 電晶體陣列基板之顯示區邊緣的俯視圖。 請參照第5 C圖與第6圖，本實施例之彩色濾光疊層2 2 0 係位於顯示區5 0 0邊緣，金屬層5 0 2與5 0 6則位於彩色濾光 疊層2 2 0與基材2 0 2之間，其中金屬層5 0 2、5 0 6係相互電性

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III 11134twf.ptd 第30頁 1309327 五、發明說明（26) 隔絕且鄰接或部分重疊，用以防止漏光。此外，與製程之 情形相似，本實施例之結構部分同樣可以選擇在顯示區 5 0 0邊緣只具有彩色濾光疊層2 2 0或是只鄰接或具有部分重 疊的金屬層5 0 2 、5 0 6 。無論是只有彩色濾光疊層2 2 0 、只 有鄰接或部分重疊的金屬層5 0 2、5 0 6或者是兩者兼具，都 可以達到遮光的效果。 第三實施例 本實施例主要是針對本發明之薄膜電晶體液晶顯示面 板的顯示區邊緣的液晶注入口（ L C i n j e c t i ο n h ο 1 e )做改 良，請參考第2圖，液晶注入口 7 0 0的位置係在顯示區5 0 0 邊緣，可從此處將液晶注入。 第7 A圖至第7 B圖係依照本發明之第三實施例之薄膜電 晶體液晶顯示面板的製造流程剖面示意圖，其與第二實施 例大致相同，其不同點在於形成鄰接或部分重疊的金屬層 5 0 2、5 0 6之後的步驟。請先參照第7 A圖，為了有助於液晶 的注入，在液晶注入口 7 0 0需預留較大的口徑，所以此時 可於液晶注入口 7 0 0所暴露的基材2 0 2上形成數個彩色濾光 區塊，來加強遮光效果，譬如本圖中是在液晶注入口 7 0 ◦ 的位置形成兩兩相鄰的三種彩色濾光區塊3 1 4、3 1 6、 3 1 8 ，其係與第二實施例中的彩色濾光疊層3 1 4與彩色濾光 疊層2 2 0 —併形成。 然後，請參照第7 B圖，於基材2 0 2上形成介電層3 2 2 ’ 覆蓋彩色濾光區塊3 1 4、3 1 6、3 1 8。之後的步驟與第二實 施例相似。另外，請特別注意，本實施例雖然於基材2 0 2

11134twf.ptd 第31頁 1309327_ 五、發明說明（27) 上製作彩色濾光區塊3 1 4、3 1 6、3 1 8與鄰接或部分重疊之 金屬層5 0 2 、5 0 6 ，但是其實只要具有遮光效用的結構即 〇 再者，本實施例之結構如第7 B圖與第8圖所示，其中 第8圖係依照本發明之第三實施例之薄膜電晶體陣列基板 之液晶注入口的俯視圖。請參照第7 B圖與第8圖，本實施 例與第二實施例之差別在於因為液晶注入口 7 0 0 (請見第2 圖）需要在薄膜電晶體陣列基板2 0 2與對向基板2 0 4之間保 留較大的空間，以利液晶注入，所以本發明於液晶注入口 的結構中將彩色濾光薄膜設計成兩兩相鄰的區塊形式，以 降低其高度，使介電層3 2 2與基材2 0 2之間的距離符合液晶 注入之需求。 此外，與製程相似，本實施例之結構部分同樣可以選 擇只具有鄰接或部分重疊的金屬層5 0 2 、5 0 6 ，而省略彩色 濾光薄膜3 1 4、3 1 6、3 1 8 ，就可達到遮光與防止漏光的功 用。 第四實施例 本實施例主要是針對本發明之薄膜電晶體陣列基板的 修補（r e p a i r )結構做改良。 第9 A圖至第9 D圖係依照本發明之第四實施例之薄膜電 晶體陣列基板的製造流程剖面示意圖，其可與第一實施例 之製造流程互相配合。請先參照第9 A圖，於基材2 0 2上形 成並圖案化的第一金屬層，除了第3A圖中的構件外，還有 數個第一修補金屬層9 0 2。之後的步驟與第一實施例相

11134twf.ptd 第32頁 1309327 五、發明說明（28) 同，於基材2 0 2上形成絕緣層3 0 4。隨後，於基材2 0 2上形 成並經圖案化的第二金屬層，除了第3 A圖中的構件外，還 形成數個第二修補金屬層906 ，其中第二修補金屬層906與 第一修補金屬層9 0 2係互相鄰接或重疊配置於畫素區域（請 見第2圖之2 1 4 )内，以組成修補結構。 接著，請參照第9 B圖，於基材2 0 2上形成一保護層 3 1 2 ，覆蓋第二修補金屬層9 0 6與絕緣層3 0 4。然後，可於 第二修補金屬層9 0 6上方以外的畫素區域内形成彩色濾光 薄膜3 1 4與其上的彩色濾光疊層2 2 0，譬如於第一實施例中 的彩色濾光疊層2 2 0係形成於薄膜電晶體2 1 6上。接著，於 基材202上形成介電層322，覆蓋整個基材202 隨後，請參照第9 C圖，定義介電層3 2 2與保護層3 1 2 ， 以形成作為修補結構的焊點（w e 1 d i n g ρ 〇 i n t)的開口 9 1 ◦並 暴露出第二修補金屬層906。 之後，請參照第9 D圖，於介電層3 2 2上形成一畫素電 極2 1 8 ，其係電性浮置且配置於開口 9 1 0表面，以覆蓋暴露 出之第二修補金屬層906 ，並作為第二修補金屬層906的保 護層。當然除了採用的畫素電極2 1 8作為保護層之外，也 可以使用其他層取代。由於本發明之修補結構的焊點（即 開口 9 1 0處）僅有一作為保護層的畫素電極2 1 8覆蓋於其 上，所以不會發生習知因焊點上有介電層3 2 2 ，而在進行 修補製程時發生介電層爆裂（b u r s t)現象。 再者，為詳細說明本實施例之結構，請同時參考第9 D 圖與第1 0圖，其中第1 0圖係依照本發明之第四實施例之薄

11134twf.ptd 第33頁 1309327_ 五、發明說明（29) 膜電晶體陣列基板之修補結構的俯視圖。 請參照第9 D圖與第1 0圖，本實施例之結構與第一實施 例的差別在於具有第二修補金屬層9 0 6與第一修補金屬層 9 0 2的修補結構之焊點（即開口 9 1 0處）上方僅有一作為保護 層的晝素電極2 1 8覆蓋於其上。此外，本實施例中的彩色 濾光薄膜3 1 4與彩色濾光疊層2 2 0則係避開修補結構的焊點 (即開口 9 1 0處）配置。 第五實施例 第1 1 A圖至第1 1 D圖係依照本發明之第五實施例之薄膜 電晶體陣列基板之儲存電容器（s t 〇 r a g e )的製造流褒剖面 示意圖，其係與第四實施例相似，不同點在於形成於基材 202上並圖案化的第一金屬層部分重疊的金屬層，除了第 3A圖中的構件外，還有數個第一儲存電容金屬層1102 ，如 第11A圖所示，其中第一儲存電容金屬層1102具有數個第 一開口 1 1 0 3，且第一儲存電容金屬層1 1 0 2可以是掃描配線 的一部份或是一共用配線（c 〇 m m ο η 1 i n e )。之後的步驟與 第四實施例相同，於基材2 0 2上形成絕緣層3 0 4。隨後，於 基材202上形成並經圖案化的第二金屬層，除了第3A圖中 的構件外，還形成數個第二儲存電容金屬層1 1 0 6，其中互 相重疊的第二儲存電容金屬層1106、第一儲存電容金屬層 1 1 0 2與絕緣層3 0 4組成一儲存電容器。 接著，請參照第1 1 B圖，於基材2 0 2上形成一保護層 312，覆蓋第二儲存電容金屬層1106與絕緣層304。之後’ 可於第一開口 1 1 0 3外之保護層3 1 2上形成一彩色濾光薄膜

11134twf.ptd 第34頁 1309327 五、發明說明（30) 314、316或318。之後，於基材202上形成一介電層322， 此處的彩色濾光薄膜3 1 4、3 1 6或3 1 8為各畫素區域的彩色 遽光片。 然後，請參照第1 1 C圖，定義介電層3 2 2與保護層 3 1 2 ，以形成作為接觸窗的一第二開口 1 1 1 0 ，並暴露出第 一開口1103上之第二儲存電容金屬層1106。 接著，請參照第1 1 D圖，於介電層3 2 2上形成畫素電極 218 ，且其係藉由第二開口 1110而與第二儲存電容金屬層 1 1 0 6電性連接。而且，在形成畫素電極2 1 8之後，可進行 一焊接製程，以焊接位於第二開口 1 1 1 0之畫素電極2 1 8與 第二儲存電容金屬層1106。由於第一儲存電容金屬層1102 選擇避開作為接觸窗的一第二開口 1 1 1 0 ，所以在畫素電極 218與第二儲存電容金屬層1102因接觸不良而需進行焊接 製程時，可避免第一與第二儲存電容金屬層1002與1006導 通的錯誤發生。 再者，為詳細說明本實施例之結構，請同時參考第 1 1 D圖與第1 2圖，其中第1 2圖係依照本發明之第五實施例 之薄膜電晶體陣列基板之儲存電容器的俯視圖。 請參照第1 1 D圖與第1 2圖，本實施例因為採用如第四 實施例的修補結構一般的焊點（即開口 1 1 1 0處），故可改善 藉由新增一焊接製程，焊接畫素電極2 1 8與第二儲存電容 金屬層1 1 0 6 ，以解決兩者介面接觸不良的問題，以加強儲 存電容器之功效。而且，其中的第一儲存電容金屬層1102 避開作為接觸窗的開口 1 1 1 0 ，所以在進行焊接製程時，可

11134twf.ptd 第35頁 1309327_ 五、發明說明（31) 避免第一與第二儲存電容金屬層1102與1106導通的錯誤發 生。 本發明之特點包括： 1 .在本發明之薄膜電晶體陣列基板中因為利用堆疊的 彩色濾光疊層取代黑色矩陣，所以可改善因薄膜電晶體陣 列基板與對向基板之對位誤差所損失的良率。 2 .本發明在薄膜電晶體陣列基板的顯示區邊緣可搭配 彩色濾光疊層以及鄰接或部分重疊之金屬層，所以能獲得 極佳的遮光效果。 3 .本發明在薄膜電晶體陣列基板之顯示區邊緣的液晶 注入口結構採用部分鄰接或部份重疊之金屬層並可搭配彩 色濾光區塊，故可獲得極佳的遮光效果並增加液晶注入口 的口徑。 4. 本發明僅有一保護層覆蓋於薄膜電晶體陣列基板之 修補結構的焊點上，所以不會發生習知因焊點上有介電 層，而在進行修補製程時介電層爆裂（b u r s t )現象。 5. 本發明之彩色濾光薄膜整合電晶體陣列基板之儲存 電容器結構因為採用如修補結構一般的焊點，故可改善金 屬層與畫素電極之介面接觸不良問題，以加強儲存電容之 功效，而且其中的第一金屬層避開作為接觸窗的開口 ，所 以在進行焊接製程時，可避免第一與第二金屬層導通的錯 誤發生。 綜上所述，本發明因為利用堆疊的的彩色濾光疊層取 代黑色矩陣，可以大幅節省製程時間與成本。而且，本發

11134twf.ptd 第36頁 1309327 五、發明說明（32) 明退同時因應液晶顯不面板各部位的特殊要求，而在製程 及結構上作改良，以達到最省時省力的功效。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

11134twf.ptd 第37頁 1309327 圖式簡單說明 第1圖所示係習知之薄膜電晶體液晶顯示面板示意 圖； 第2圖所示係依照本發明之薄膜電晶體液晶顯示面板 的透視示意圖； 第3 A圖至第3 D圖係依照本發明之第一實施例之薄膜電 晶體陣列基板的製造流程剖面示意圖； 第4圖係依照本發明之第一實施例之薄膜電晶體陣列 基板之俯視圖； 第5 A圖至第5 C圖係依照本發明之一第二實施例之薄膜 電晶體液晶顯不面板的製造流程剖面不' 意圖， 第5 D圖係依照本發明之第二實施例之薄膜電晶體液晶 顯示面板之剖面示意圖； 第6圖係依照本發明之第二實施例之薄膜電晶體陣列 基板之顯示區邊緣的俯視圖； 第7 A圖至第7 B圖係依照本發明之第三實施例之薄膜電 晶體液晶顯不面板的製造流程剖面不意圖， 第8圖係依照本發明之第三實施例之薄膜電晶體陣列 基板之液晶注入口的俯視圖， 第9 A圖至第9 D圖係依照本發明之第四實施例之薄膜電 晶體陣列基板的製造流程剖面示意圖； 第1 0圖係依照本發明之第四實施例之薄膜電晶體陣列 基板之修補結構的俯視圖； 第1 1 A圖至第1 1 D圖係依照本發明之第五實施例之薄膜 電晶體陣列基板之儲存電容器的製造流程剖面示意圖；以

11134iwf.ptd 第38頁 1309327 圖式簡單說明 及 第1 2圖係依照本發明之第五實施例之薄膜電晶體陣列 基板之儲存電容器的俯視圖。 圖式標示說明 1 0 2、1 0 4、2 0 2、2 0 4 :基板 10 6 ' 5 2 2 ：框膠 1 0 8、7 0 0 :液晶注入口 110 顯 示 區 邊 緣 112 薄 膜 電 晶 體 陣 列 2 0 0 薄 膜 電 晶 體 液 晶顯不面板 2 10 .掃— 描 配 線 2 12 資 料 配 線 2 14 畫 素 區 域 2 16 膜 電 晶 —體— 2 18 畫 素 電 極 220 彩 色 濾 光 疊 層 222 共 用 電 極 302 閘 極 304 絕 緣 層 306 通 道 層 308 源 極 與 汲 極 彩色濾光薄膜 Φ 3 14 3 12 322 3 1 6、3 1 8 保護層 介電層

11134t.wf.ptd 第39頁 1309327

11134t.wf .ptd 第40頁

Claims (1)

1. Ι3Ό9327 ___^^_I：： :_ 六、申請專利範圍 一 ....，！ i 1. 一種薄膜電晶體陣列基板，包_二：v 一基材； L··................… 複數條掃描配線’配置在該基材上， 複數條資料配線’配置在該基材上^其中該些資料配 線與該些掃描配線係構成複數個晝素區域， 複數個薄膜電晶體，配置於該些資料配線與該些掃描 配線的交錯處，且係藉由.該些資料配線與該些掃描配線控 制， 複數個畫素電極5配置於該些畫素區域中’且分別與 對應之該些薄膜電晶體電性連接； 複數個彩色濾光薄膜，配置於該些畫素區域上，且該 些畫素區域上相鄰的該些彩色濾光薄膜於該些掃描配線與 該些資料配線上重疊配置，其中該些彩色濾光薄膜包括一 第一彩色滤·光薄膜、一第二彩色渡光薄膜與一第三彩色濾、 光薄膜其中之一；以及 複數個彩色濾光疊層，配置於該些薄膜電晶體上方的 |該些彩色濾光薄膜上，其中該些彩色濾光疊層至少包括該 第一彩色濾、光薄膜、該第二彩色濾、光薄膜與該第三彩色濾、 光薄膜其中之一。 2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基_ 板，其中該些彩色濾·光薄膜包括一第一彩色遽光薄膜_f。 3. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體陣列基 板，其中該些彩色濾光疊層包括互相堆疊的一第二彩色濾 光薄膜以及一第三彩色濾光薄膜。

   第41頁 Ι3Ό9327 ^、申請專利範圍 4. 如申請專利範圍 板，其中該些彩色滤光 一第三彩色濾光薄膜其 5. —種薄膜電晶體 一薄膜電晶體陣列 一基材； 複數條掃描配 複數條資料配 料配線與該些掃描配線 複數個薄膜電 掃描配線的交錯處，且 線控制； 複數個畫素電 別與對應之該些薄膜電 複數個彩色濾 方，且該些彩色濾光薄 上重疊配置，其中該些 薄膜、一第二彩色濾、光 一；以及 複數個 中該些彩 第2項所述之薄膜電晶體陣列基 疊層包括一第二彩色濾光薄膜以及 中之一。 包括 液晶喊不面板 基板，包括： 線，配置在該基材上； 線，配置在該基材上，其中該些資 係構成複數個晝素區域； 晶體，配置於該些資料配線與該些 係藉由該些資料配線與該些掃描配 極，配置於該些晝素區域中5 I且分 晶體電性連接； 光薄膜，配置於該些晝素電極下 膜於該些掃描配線與該些資料配線 彩色遽光薄膜包括一第一彩色遽光 薄膜與一第三彩色濾光薄膜其中之 彩色濾 上，其中該些彩色渡光 膜、該第二彩色濾光薄 光疊層，配置於該些薄膜電晶體 疊層至少包括該第一彩色渡光# 膜與該第三彩色濾光薄膜其中之 一對向基板，相對於該薄膜電晶體陣列基板配置，該

   笫42頁 1309327 六、申請專利範圍 對向基板具有一共用電極；以及 一液晶層，位於該對向基板與該薄膜電晶體陣列基板 之間。 6. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體液晶顯示 面板，其中該些彩色濾光薄膜包括一第一彩色濾光薄膜。 7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜電晶體液晶顯示 面板，其中該些彩色遽光疊層包括互相堆疊的一第二彩色 濾光薄膜以及一第三彩色濾光薄膜。 8. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜電晶體液晶顯示 面板，其中該些彩色濾光疊層包括一第二彩色濾光薄膜以 及一第三彩色濾光薄膜其中之一。 9. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體液晶顯示 面板 > 更包括一光間隔物位於該薄膜電晶體陣列基板基板 與該對向基板之間。 10. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體液晶顯示 面板，更包括一配向膜位於該薄膜電晶體陣列基板與該液 晶層之間。 1 1.如申請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體液晶顯示 面板，更包括一配向膜位於該對向基板與該液晶層之間。 1 2. —種薄膜電晶體晝素結構，在一基材上具有複％ 個晝素區域，包括： / 複數個晝素電極，位於該些晝素區域内； 複數個薄膜電晶體，配置於該些畫素區域内； 複數個導線，配置於該些晝素區域之交接處，以定義

   笫Ί3頁 1309327 ^、申請專利範圍 出該些晝素 些薄膜電晶 複數個第一彩 複數個第二彩 複數個第三彩 其中，該些第一彩 區域， 體電性 膜 第 彩色滤 二彩色 該第二彩色濾光薄 三彩色 濾、光薄 該些第 以及該些第 該第二彩色 其中該些晝素電極係與該些導線經由該 連結； 色濾光疊層，位於該晝素電極上； 色濾光疊層，位於該些導線上；以及 色濾光疊層，位於該些薄膜電晶體上， 色濾光疊層係選自一第一彩色濾光薄 光薄膜以及一第三彩色濾光薄膜其中之 濾光疊層係選自該第一彩色濾光薄膜、 膜以及該第三彩色濾光薄膜其中之二， 濾·光疊層係選自該第一彩色渡光薄膜、 膜以及該第三彩色濾光薄膜其中至少之 1 3.如申請專利範圍第1 2項所述之薄膜電晶體畫素結 構，該些第三彩色濾光疊層係包括一第一彩色濾光薄膜、 一第二彩色濾、光薄膜以及一第三彩色遽、光薄膜。 1 4. 一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法，包括： 於一基材上形成一第一金屬層； 圖案化該第一金屬層，以形成複數個閘極與複數條掃 描配線； 於該基材上形成一閘極絕緣層； 在該些閘極上形成一圖案化非晶矽層，以形成複缴個 通道層； 於該基材上形成一第二金屬層； 圖案化該第二金屬層，以形成複數個源極、複數個汲·

   笫44頁 1309327 六、申請專利範圍 極於該些閘極上以及形成複數條資料配線於該基材上，其 中該些資料配線與該些掃描配線係構成複數個晝素區域5 且該些閘極、該些通道層、該些源極以及該些汲極係組成 複數個薄膜電晶體； 於該些畫素區域内形成複數個第一彩色濾光薄膜； 形成複數個第二彩色濾光薄膜覆蓋於該些薄膜電晶 體、該些資料配線與該些掃描配線上方的該些第一彩色濾 光薄膜；以及 於該些晝素區域中的該基材上形成複數個畫素電極5 該些晝素電極分別與對應之該些薄膜電晶體電性連接。 1 5.如申請專利範圍第1 4項所述之製作方法，其中形 成該些第二彩色濾光薄膜覆蓋於該些薄膜電晶體、該些資 料配線與該些掃描配線上方的部分該些第一彩色濾光薄膜 之步驟後，更包括形成複數個第三彩色濾光薄膜覆蓋於該 些薄膜電晶體上方之該些第二彩色濾光薄膜。 1 6. —種薄膜電晶體液晶顯示面板的製作方法，包 括： 提供一薄膜電晶體陣列基板； 於該薄膜電晶體陣列基板上形成一第一金屬層； 圖案化該第一金屬層，以形成複數個閘極與複數條j帚 描配線； i: 於該薄膜電晶體陣列基板上形成一閘極絕緣層； 在該些閘極上形成一圖案化非晶矽層，以形成複數個 通道層；

   第45頁 1309327 =、申請專利範圍 於該薄獏電晶體陣列基板上形成一第二金屬 圖案化該第二金屬層，以形成複數個源極、 極於該些閘極上以及形成複數條資料配線於該薄 陣列基板上，其中該些資料配線與該些掃描配線 數個晝素區域，且該些閘極、該些通道層、該些 該些汲極係組成複數個薄膜電晶體； 於該些畫素區域内形成複數個第一彩色濾光 形成複數個第二彩色濾光薄膜覆蓋於該些薄 體、該些資料配線與該些掃描配線上方的部分該 色濾光薄膜； 於該些晝素區域中的該薄膜電晶體陣列基板 數個畫素電極，該些畫素電極分別與對應之該些 體電性連接； 提供一對向基板，相對於該薄膜電晶體陣列 置，其中該對向基板具有一共用電極；以及 於該對向基板與該薄膜_電晶體陣列基板之間形成 〇 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之製作方法. 成該些第二彩色濾光薄膜覆蓋於該些薄膜電晶體 料配線與該些掃描配線上方的部分該些第一彩色 之步驟後，更包括形成複數個第三彩色濾光薄膜 些薄膜電晶體上之該些第二彩色濾光薄膜。 1 8.如申請專利範圍第1 6項所述之製作方法： 供該對向基板之步驟前，更包括於該薄膜電晶體 層； 複數個汲 臈電晶體 係構成複 源極以及 薄膜； 膜電 B曰 些第一彩 上形成複 薄膜電晶 基板配 液 曰曰 其中形 、該些資 濾光薄，膜 覆蓋y於該 其中提 陣列基板

   1309327 六、申請專利範圍 上形成一光間隔物，用以維持該液晶層之晶穴間隙。 1 9. 一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法，包括： 於一基材上形成複數條掃描配線； 於該基材上形成複數條資料配線，其中該些資料配線 與該些掃描配線係構成複數個晝素區域； 於該些資料配線與該些掃描配線的交錯處形成複數個 薄膜電晶體，且該些薄膜電晶體係藉由該些資料配線與該 些掃描配線控制， 於該些晝素區域中形成複數個晝素電極，該些晝素電 極分別與對應之該些薄膜電晶體電性連接； · 於該些晝素區域上形成複數個彩色濾光薄膜； 於該些薄膜電晶體上方的該些彩色濾光薄膜上形.成複 I 數個第一彩色濾光疊層，其中該些第一彩色瀘光疊層包括 一第一彩色濾光薄膜、一第二彩色濾光薄膜與一第三彩色 濾光薄膜其中之一；以及 於該些資料配線與該些掃描配線上方形成複數個第二彩色 濾光疊層，其中該些第二彩色濾光疊層至少包括該第一彩 色濾光薄膜、該第二彩色濾光薄膜與該第三彩色濾光薄膜 其中之二。 0 2 〇.如申請專利範圍第1 9項所述之製作方法，其中該 f· ’ 些彩色濾、光薄膜包括一第一彩色滤光薄膜。 ' 2 1.如申請專利範圍第1 9項所述之製作方法，其中該 些第一彩色濾光疊層包括互相堆疊的一第二彩色濾光薄膜 以及一第三彩色濾光薄膜。

   第47頁 .1309327 「、申請專利範圍 2 2.如申請專利範圍第1 9項所述之製作方法，其中該 些第一彩色濾光疊層包括一第二彩色渡光薄膜以及一第三 光薄膜其中之一。 彩色慮 23 些第二 彩色濾 24 样頁不區 複數個 複數個 複數個 與該些 稷 複 複數個 一環狀 區邊緣 其中， 一第二 該些第 第二彩 該些第 第二彩 該環狀 .如申請專利範圍第1 9項所述之製作方法，其中該 彩色濾光疊層係選自一第一彩色濾光薄膜、一第二 光薄膜以及一第三彩色濾光薄膜其中之二。 .一種薄膜電晶體陣列基板，包括一顯示區與一非 ，包括： 導線，定義出複數個晝素區域； 薄膜電晶體，配置於該些晝素區域内； I· 晝素電極’位於該些晝素區域内*該些畫素電極係 導線經由該些薄膜電晶體電性連結； 數個第一彩色濾光疊層，位於該晝素電極上； 數個第二彩色濾光疊層，位於該些導線上； 第三彩色濾光疊層，位於該些薄膜電晶體上；及 彩色濾光疊層，配置於該非顯示區，並環繞該顯示 該些第一彩色濾光疊層包括一第一彩色渡光薄膜、 彩色濾光薄膜與一第三彩色濾光薄膜其中之一， 二彩色濾光疊層至少包括該第一彩色濾光薄膜、該 色濾光薄膜與該第三彩色濾光薄膜其中之二，/ 三彩色滤光疊層至少包括該第一彩色濾、光薄膜、該 色濾光薄膜與該第三彩色濾光薄膜其中之二1 彩色渡光疊層至少包括該第一彩色濾光薄膜、該第

   |_Γ 第48頁 Ι3Ό9327 乂、申請專利範圍 二彩色濾光薄膜與該第三彩色濾光薄膜其中之一。 2 5.如申請專利範圍第2 4項所述之薄膜電晶體陣列基 板，其中該環狀彩色濾光疊層包括互相堆疊的一第二彩色 濾光薄膜以及一第三彩色濾光薄膜。 2 6.如申請專利範圍第2 4所述之薄膜電晶體陣列基 板，其中該環狀彩色濾光疊層包括一第二彩色濾光薄膜以 及一第三彩色濾光薄膜其中之一。

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