TWI295809B - Methods and apparatus for adjusting beam parallelism in ion implanters - Google Patents
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Description
1295809 A7 ___B7 ___ 五、發明說明(丨) 發明之領域 本發明係關於用於半導體晶圓或其他工件之離子植入 的系統及方法,特別關於用於調整離子植入器之波束平行 性的方法及裝置。 發明背景 離子植入爲將改變傳導率之雜質引入半導體晶圓之標 準技術。一理想雜質材料在離子源離子化,離子被加速成 具有預定能量之離子束,離子束被導向晶圓之表面。波束 中被激勵之離子穿入半導體材料內,並嵌入半導體材料之 晶格中以形成理想傳導率之區域。 離子植入系統通常包括一離子源以用於轉換氣體或固 態材料爲限定良好之離子束。離子束予以質量分析以除去 不理想之離子種類,並被加速至理想能量再被導向至一目 標平面。波束藉由掃瞄,目標移動或是波束分布及目標的 組合,而分布於整個目標區上。一種利用波束掃描及目標 移動組合之離子植入器,曾揭示於美專利號碼4,922,106, 該專利係於1990,5,1授與Berrian等人。 一平行離子束之輸送至半導體晶圓,在許多應用中爲 一重要需求。平行離子束係在半導體晶圓之表面上具有平 行離子軌道之離子束。若離子束被掃描時,則掃描之離子 束則要求必須保持在半導體晶圓上之平行。平行之離子束 可防止入射之離子通道至半導體晶圓之晶結構內,或要求 通道之情況下,允許其具有均勻的通道。當要求高度離子 3 n n ϋ n n n I n n ϋ n n I I I n n n · ϋ n 1 I I ϋ I I I I n 1 n n n n ϋ n n ϋ n n I- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1295809 A7 _B7_ 五、發明說明(> ) 束平行時,則需要利用一串列離子植入器。 一種改良方法中,離子束以一維掃描,以使其自一點 分散,該點稱爲掃描原點。掃描之離子束於是然後通過一 離子光學元件以實施聚焦。該離子光學元件將分散之離子 軌道轉換爲平行離子軌道,以用於輸送至半導體晶圓。聚 焦可藉由一角校正磁鐵或一靜電透鏡來完成。該角校正磁 鐵產生掃描離子束之彎曲及聚焦。平行亦可藉由一靜電透 鏡來達成但能量污染卻爲一缺點。 自該角校正磁鐵或其他聚焦元件之輸出離子束可爲平 行或爲分散或聚焦,視離子束之參數及聚焦元件參數而定 。當利用一角校正磁鐵時,平行可藉由改變角校正磁鐵之 磁場而調整。角校正磁鐵有一單磁場調整,其可改變平行 及彎曲角或離子束方向。吾人應瞭解到一離子植入機常需 要實施不同之離子種類及離子能量。當離子束參數改變時 ,必須再調整角校正磁鐵以恢復離子束平行。 在習知技藝離子植入機中,該角校正磁鐵典型被調整 ,俾離子束在離子植入機終端站之晶圓平面上爲正面入射 。但,可達成晶圓平面上之垂直入射的角校正器調整,可 導致使束較最佳平行爲差之結果。特別是,一離子束被調 整在晶圓平面上作垂直入射時,可能稍有分散或收斂。如 圖8所示,角校正磁鐵加以調整,俾離子束200之中心光 束爲垂直入射晶圓平面202。但,當離子束200調整爲與 晶圓平面202爲正交時,波束200之平行可能退化,因此 ,波束變爲聚焦或分散。不平行之離子波束,在高度臨界 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· — -線-Φ---------------------- 1295809 A7 _ _______B7_ 五、發明說明(々) 應用中則不能接受。 在另一方法中’角校正磁鐵被設計爲在典型條件下之 最佳平行,及離子植入器終端站位於離子束在晶圓上之垂 直入射。但,離子束平行及垂直入射無法在離子束參數之 廣泛範圍維持,終端站之位置的改變則非常困難。 因此,有必要提供改進之方法及裝置,以調整離子植 入器中之離子束平行。 發明槪要 根據本發明之第一構想,係提供一將離子植入一工件 中之方法。此方法包含下列步驟:產生一離子束,調整離 子束至平行之最佳量度,測量調整後離子波束之離子束方 向,將一工件置向一相對於該測量之離子束方向爲一植入 角之處,及以該植入角調整後之工件實施植入。 離子束之調整步驟包含調整離子束以實質上爲平行之 離子軌道。通常,離子束方向與離子植入機之離子束軸不 同。植入角可能爲零度,此時,工件置向爲與測量之離子 束方向爲正交。 工件可包含一半導體晶圓,工件置向之步驟包含將半 導體晶圓傾斜至相對於測量之離子束方向爲一植入角。 此方法尙包含測量離子束之非平行之角度。離子束之 調整步驟可根據非平行之測量角度。離子束之方向及非平 行角度可用移動波束輪廓器及一或多個束偵測器予以測量 Ο 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I I n n n I I ϋ n ϋ n I - ϋ I I n fli I I « n I ! I I I .1 I I I .1- n 1· I n n ϋ n ϋ ϋ n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ϊ295809
、發明說明( 根據本發明另一構想,係提供用於植入離子進入一工 件中之裝置。此裝置包含產生離子束之機構,測量離子束 平行之機構,根據所測之平行,調整離子束爲理想平行之 機構,測量調整後離子束方向之機構,以測量之離子束方 向爲參考將工件傾斜一植入角之機構,及實施植入之機構 ’將離子植入以所測之離子束方向爲參考之植入角傾斜之 工件。 根據本發明又一構想,係提供一供植入離子進入一工 件中之裝置。此裝置包含離子束產生器,一用於調整離子 束爲理想平行之離子光學元件,一測量系統以測量調整後 離子束之方向,及一傾斜機構將工件以測量之離子束方向 爲參考的植入角傾斜。一植入係完成於一以測量之離子束 方向爲參考的植入角傾斜之工件上。 該離子光學元件包含一角校正磁鐵,供調整離子束爲 實質上平行之離子軌道。該測量系統包含一可移動離子束 輪廓器及一或多個離子束偵測器。當植入角爲零度時,工 件與測量之離子束方向傾斜成正交。 圖式簡單說明 爲最佳瞭解本發明,請參考以參考方式倂入此間之圖 式,其中: 圖1爲實施本發明之離子植入機的槪略圖; 圖2爲一槪略圖,其說明一角校正磁鐵之操作,其中 具有一較大的彎曲角及聚焦離子軌道; -ϋ I I- n ϋ ϋ ·-1 n n ϋ n ϋ I H ϋ n 1 I n · n ϋ ^ I I ϋ n I I ϋ I n 1 I I I ϋ I ϋ I n i ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1295809 五、發明說明(4 ) 圖3爲一槪略圖說明一較小的彎曲角及發散離子軌道 情行下之角校正磁鐵的操作; 圖4爲本發明一實施例之調整離子植入機步驟的流程 圖; 圖5爲本發明一實施例中之入射於一傾斜晶圓上之平 行離子束的槪略圖; 圖6A-6C爲一槪略圖,說明測量離子束平行及—離子 束方向裝置之操作; 圖7A_7C爲離子束偵測器輸出作爲離子束輪廓器位置 之函數曲線,供說明圖6A-6C之離子束條件;及 圖8爲一槪略圖,說明習知技藝調整離子束平行之方 I «^1 n n n n ϋ n ϋ ί ϋ · n H ϋ n n n nI ϋ ϋ ϋ n ϋ —.1 ϋ 1 ϋ 1 n n «ϋ ϋ H ϋ ϋ ϋ ϋ n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 法。 元件符號說明 10 離子束產生器 12 離子束 16 掃描系統 20 掃描器 24 角校正器 26 磁極塊 28 電源供應器 30 掃描離子束 32 終端站 34 半導體晶圓 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1295809 A7 B7 五、發明說明(v) 36 40 42 44 50 52 54 56 60 70 72 74 80 84 120 122 150 152/154 160 164 170 平台 離子束源 源過濾器 加速/減速柱 質量分析器 分析磁鐵 遮罩 解析孔口 掃描源 晶圓平面 正角度 負角度 束方向及平行測量系統 傾斜機構 角度 角度 輪廓器 偵測器 平行掃描離子束 平行離子束 晶圓平面 較佳實施例之詳細說明 圖1顯示適於將本發明倂入之離子植入機的一例之簡 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — — — I — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — I. A7 1295809 五、發明說明(q ) 化方塊圖。一離子束產生器10產生一理想種類之離子束, 將離子束中離子加速至理想之能量,實施離子束之質量/能 量分析以去除能量及質量污染,及供應具有低能量位準及 質量污染物之能量離子束12。一掃瞄系統16包括一掃瞄 器20及一角度校正器24,將離子束12偏轉以產生具有接 近平行離子軌道之掃瞄後離子束30。一終端站32包括一 平台36,其用以支撐在掃瞄離子束30路徑中之半導體晶 圓30或其他工件,俾理想種類之離子被植入半導體晶圓 34中。離子植入機亦可以包括其他組件,此點爲精於此技 藝人士所熟知。例如,終端站32典型包括自動晶圓處理裝 備,以便將晶圓導入離子植入機中,及將晶圓在植入後移 開,一劑量測量系統,一電子流槍等。吾人瞭解,由離子 束所橫過之全部路徑在離子植入期間係被抽真空。 該離子束產生器10之主要組件包括一離子束源40 ’ 一源過濾器42,一加速/減速柱44及一質量分析器50。源 過濾器42較佳位於接近離子束源40之處。加速/減速柱 44位於源過濾器42與質量分析器50之間。質量分析器50 包括一偶極分析磁鐵52,及具有解析孔口 56之遮罩54 ° 該掃瞄器20,可爲一靜電掃描器,將離子束12偏轉 以產生具有離子軌道之掃瞄離子束,其自一掃瞄源60擴散 。掃瞄器20可含被間隔分離之掃瞄板,其係連接至掃瞄產 生器。掃瞄產生器施加一掃瞄電壓波形,如鋸齒波形’以 根據掃瞄板間之電場,將離子束掃瞄。 角改正器24係設計成可偏轉掃瞄離子束中之離子,以 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f « I If ·1 I I — ϋ I I ϋ I— n I n n n ϋ n n ϋ ϋ n ϋ n 1295809 A7 厂 —__B7___ 五、發明說明(多) 產生具有平行離子軌道之掃瞄離子束。因此,可將掃瞄離 子束聚焦。特別是,角校正器24可含磁極塊26,其係空 間分離的以定義出一空隙,及一磁線圈(未示出),其係耦 合至一電源供應器28。掃瞄之離子束通過磁極塊26間之 間隙,並根據間隙中之磁場被偏轉。磁場可經由改變通過 磁線圈之電流而調整。離子束掃瞄及聚焦在一選擇之平面 中實施,如一水平平面。 圖1中之實施例中,終端站32包括離子束平行及方向 測量系統80。系統80測量如下所述之離子束平行及方向 。此外,終端站32包括一傾斜機構84,用於將晶圓支撐 平板36傾斜在相對掃瞄離子束30之處。在一實施例中, 該傾斜機構84可以二正交軸之方式,將晶圓支撐台板36 傾斜。 圖2及圖3顯示角校正器24之操作舉例。如圖式,角 校正器24之磁極塊26可爲楔形或相似形狀,俾不同離子 軌道在磁極塊間之間隙中有不同路徑長度。圖2中,係施 加一相當高強度之磁場。該離子軌道具有一相當大之彎曲 角度,當其自角校正器24射出後可能聚焦。在圖3之例中 係施加一相當低強度之磁場。離子軌道有一相當小之彎曲 角,當其在離開角校正器24時可能爲發散。因此,在圖2 之例中,掃瞄離子束30與晶圓平面70成正交關係,其係 以正角度72入射一晶圓平面7〇,在圖3之例中,離子束 以與晶圓平面70成正交之關係,其係以負角度74入射晶 圓平面70。應瞭解,平行或接近平行之離子軌道可藉由調 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
— — — — — — — — — I — — — — — — — — — — — — 1 — — —— — - - - - I A7 1295809 ___B7____ 五、發明說明(1 ) 整角校正器24中磁場而產生。但,通常,提供平行之磁場 並不一定導致掃瞄之離子束30正交於入射晶圓之平面70 〇 圖4顯示本發明一實施例之調整離子植入機及實施離 子植入之程序流程圖。在步驟100中,產生一離子束。並 經由離子植入束之束線輸送。如圖1所示,離子束12由 離子束產生器12產生且經掃瞄器20及再校正器24輸送至 終端站32。 在步驟102中,離子束之平行在離子束入射半導體晶 圓或其他工件之處的平面或接近平面處予以測量。圖6A_ 6C及圖7A-7C說明測量離子束平行技術之一例。平行度 的測量可典型提供離子束之一非平行的角度,及特別是可 提供離子束聚焦或發散之一半角度。非平行之測得角度係 代表離子束軌道自離子束中心之最大偏移。 在步驟104中,離子束被調整以獲得平行最佳量度, 基本上爲接近零發散或聚焦。如圖5所示,離子束之平行 可經由調整由電源供應28所提供至磁線圈之電流而改變。 此調整之電流可改變角校正器24之磁場,因而改變離子束 之離子軌道。此一調整係經由在電源供應器28調整後,監 視掃瞄離子束30測得之平行度而達成。當達到最佳平行時 ,步驟104之調整程序終止。離子束典型可調整在發散或 聚焦之〇·1度半角。 提供最佳平行之磁場,其通常並非導引掃瞄離子束30 正交至離子植入機終端站之晶圓平面70之相同一磁場。反 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) n I I n n ϋ ·1 n n ϋ · ϋ *1 I n ϋ ϋ n I n n ϋ I I n 1 1 I I n n —i n n n n i_i ϋ ϋ ϋ n n ϋ I I ϋ ϋ ϋ ϋ n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1295809 A7 ______B7__ 五、發明說明(、0 ) 之,平行離子束30以相對於晶圓平面70的正交角爲120 度而入射至晶圓平面70,如圖5所示。應瞭解,圖5中之 角度稍爲誇大以示說明目的。 步驟106時,調整之離子束的方向加以測量。特別是 ,調整之離子束與晶圓平面70正交之120度角予以測量。 以下之圖6A-6C及圖7A-7C說明測量離子束方向技術之一 例。離子束平行及離子束方向在離子束之掃瞄及聚焦平面 中測量。 步驟108時,植入角被設定爲相對於已調整之離子束 方向,特別是參考角120。此植入角係利用傾斜機構84將 晶圓支撐平台36,與植入機之晶圓平面70作相關之傾斜 而設定。當平行之掃瞄離子束30自晶圓34之正交入射爲 理想時,晶圓支撐平台36被傾斜一角度122,等於角度 120。因此,平台36之晶圓支撐表面與平行之掃瞄離子束 30成正交。如期望之植入角爲非零時,晶圓支撐平台36 與測得之離子束方向作相對傾斜。測得之離子束方向因此 就作爲設定植入角之參考。非零植入角之設定,可將晶圓 以與掃瞄之平面成平行之方向傾斜,聚焦之設定可將晶圓 以與掃瞄及聚焦平面成正交之方向傾斜。每一情況下,非 零植入角應參考測得之離子束方向。 步驟110時,在晶圓支撐平台爲參考測得之離子束方 向的理想植入角,及掃瞄之離子束30已調整爲最佳平行時 ,實施植入。因此,最佳平行已以理想植入角而達成。 圖6A-6C及圖7A-7C說明測量離子束平行及方向技術 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- -----線----------------------- 1295809 A7 Γ-------Β7___ 五、發明說明(U ) 之一例。圖6A-6C爲槪略圖用以說明,利用離子束輪廓器 及二離子束偵測器實施不同離子束之測量。圖7A-7C爲圖 形用以說明離子束偵測器以輪廓器位置爲函數時之輸出。 如圖6A-6C所示,離子束平行及方向利用移動離子束 輪廓器150及空間分離之離子束偵測器152及154予以測 量,其對應離子束平行及方向測量系統80(圖1)。離子束 輪廓器150可能爲任何元件,其將離子束部份阻擋,並橫 向地相對離子束作移動。偵測器152及154可爲法拉第杯 ,其產生電輸出信號以響應入射之離子波束。當輪廓器 150橫跨離子束移動時,其阻擋一部份離子束及產生一離 子束陰影。此離子束陰影跨偵測器152及154移動,並產 生負行輸出電流脈波之輸出信號。 如圖6A所示,一平行掃瞄之離子束160有一正交入 射至晶圓平面170。偵測器152及154在輪廓器150與每 一偵測器位置對齊時,產生輸出脈波如圖7A所示。偵測 器輸出脈波產生之輪廓器位置,可用以決定離子波束160 有一平行軌道並與晶圓平面170正交。 參考圖6B,一聚焦離子束162正交入射至晶圓平面 170。此時,偵測器152在輪廓器150之位置在偵測器152 之右側時,產生一輸出脈波,如圖7B所示,及當輪廓器 150之位置在偵測器154之左側時,產生一輸出脈波。偵 測器輸出脈波產生之輪廓器位置可用以決定離子束162之 發散角度。爲響應離子束(未示出)之聚焦,偵測器152在 輪廓器150位於偵測器154之右側時,產生一輸出脈波。 13 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _t------- 1訂----- -----線 --------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1295809 五、發明說明(、、〆) 偵測器輸出脈波產生之輪廓器位置’可用以決定離子束之 聚焦角度。 如圖6C所示,一平行離子束164係以角度166入射 晶圓平面170。此時,偵測器152及154在輪廓器150位 於各偵測器152及154之左側時’產生一輸出脈波如圖7C 所示。偵測器輸出脈波產生之輪廓器位置可用來決定離子 束164之方向及平行。 通常,離子束可爲聚焦或發散’及可有一與晶圓平面 相對成非零之離子束角度。當偵測器輸出脈波產生時之輪 廓器位置,可予以分析以決定離子束之平行與方向。平行 可特定爲發散或聚焦之半角度,離子束方向可特定爲與晶 圓平面170爲正交。測量離子束平行及向技術之其他細節 ,揭示於美國專利申請序號09/588,419,其係於2000年6 月6日提出,其以參考方式倂入此間。 吾人瞭解不同技術可用來測量離子束之平行及方向, 但其仍在本發明範疇之內。此外,本發明並不限於利用掃 瞄離子束。例如,本發明可與帶狀離子束共用,如美國專 利號碼5,350,926所揭示,該專利於1994,9,27頒於懷特等 人。 以上所述及圖式爲本發明較佳實施例,對精於此技藝 人士相當明顯,及不同改變及修改在無脫離由申請專利範 圍定義本發明之範疇時,均屬可行。 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f 訂------- ——線-----------------------
Claims (1)
- 9 ο 雙 9 12 A8B8C8D8 圍 範 利 專 譜 一中 二 六 1·一種用於將離子植入於一工件中之方法,含下列步 驟 產生一離子束; 調整該離子束以獲得在一平面上的平行理想量度; 在該平面上測量該被調整之離子束的束方向而不用該 離子束植入任何工件; 將一工件沿著垂直於該平面的一軸以一植入角傾斜, 該植入角係參照該所測量的束方向; 對以該植入角傾斜的工件實施一植入。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中調整離子束之 步驟包含調整離子束以獲得實質上平行之離子軌道。 3. 如申請專利範圍第2項之方法,其中該束方向與參 考方向相差一束角。 4·如申請專利範圍第1項之方法,其中傾斜該工件之 步驟包含參照測量之束方向的植入角來傾斜半導體工件。 5·如申請專利範圍第1項之方法,其中之植入角爲零 度,及該工件與所測量之束方向成正交。 6_如申請專利範圍第1項之方法,其更包含測量離子 束之非平行之角度之步驟,其中調整束之步驟係根據所測 得之非平行角度。 7.如申請專利範圍第6項之方法,其中束方向及離子 束之非平行角係以一可移動之束輪廓器及一或更多之束偵 測器所測得。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(21〇 χ 297公愛) 請 先 閲 讀 背 I訂 線A8B8C8D8 乎 n -ΓΓ不請專利範圍 8·—種用於將離子植入於一工件中之方法,其包括以 下步驟: 產生一離子束: 測量該離子束在一平面中之平行性; 在該平面上測量該被調整之離子束的束方向而不用該 離子束植入任何工件; 測量已被調整之離子束的束方向; 將一工件沿著垂直於該平面的一軸以一植入角傾斜, 該植入角係參照該所測量的束方向;及 實施植入於以相對於測得之束方向的植入角傾斜之工 件內。 9·如申請專利範圍第8項之方法,其中調整離子束之 步驟包含調整離子束以獲得理想之平行離子軌道。 1〇·如申請專利範圍第8項之方法,其中植入角爲零度 ,工件與測得之束方向呈垂直。 11·如申請專利範圍第8項之方法,其中測量離子束平 行性之步驟包含測量離子束之非平行角度,其中調整離子 束之步驟係根據非平行性之測得角度。 12·如申請專利範圍第11項之方法,其中非平行性角 度及束方向係以一可移動束輪廓器及一或更多之束偵測器 所測得。 13·如申請專利範圍第8項之方法,其中傾斜工件之步 驟包含傾斜一半導體晶圓。 ^一種用於植入離子於一工件之裝置,其包括: 2 y 請 先 閱 讀 背 意 事訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) 1295809 終- 正替換負 A8B8C8D8 : Γ ^ Η Η 六、申請專利ΙΓίΓ 產生一離子束之機構; 測量離子束平行性之機構; 基於測量之平行性在該平面上調整離子束之機構,以 求理想之平行性; 在該平面上測量該被調整之離子束的束方向而不用該 離子束植入任何工件之機構; 參照所測量之束方向的一植入角度將一工件沿著垂直 於該平面的一軸傾斜之機構; 將參照於測得之束方向的植入角傾斜之工件,實施離 子植入之機構。 15. 如申請專利範圍第14項之裝置,其中調整離子束 之機構包含一機構,以調整離子束以獲得實質上平行之軌 道。 16. 如申請專利範圍第14項之裝置,其中之植入角爲 零度,工件與測得之束方向成正交。 17. 如申請專利範圍第14項之裝置,其中測量平行性 之機構及測量束方向之機構,包含一可移動束輪廓器及一 或多個束偵測器。 18. 如申請專利範圍第14項之裝置,其中傾斜工件之 機構包含一傾斜裝置以將半導體晶圓相對於離子束傾斜。 19. 一種用於將離子植入於一工件之裝置,包含: 一離子束產生器; 一離子光學元件,其用於在一平面調整離子束以求理 想平行性; 3 張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公ΕIf 申請專利範圍 一測量系統,其供在該平面測量已調整之離子束之束 方向而不用該離子束植入任何工件;及 一傾斜機構,其用於將工件沿著垂直於該平面之一軸 以一植入角傾斜,其中係在參照於測得之束方向的植入角 傾斜之工件實施植入。 20. 如申請專利範圍第19項之裝置,其中該離子光學 元件包含角校正磁鐵,以調整離子束以獲得實質上平行之 離子軌道。 21. 如申請專利範圍第19項之裝置,其中該測量系統 包含一可移動束輪廓器及一或多個束偵測器。 22. 如申請專利範圍第19項之裝置,其中該傾斜機構 爲構型成傾斜一半導體晶圓。 23·—種用於將離子植入於一工件中之方法,含下列步 驟: 產生一離子束; 在一平面上測量該離子束之束方向而不用該離子束植 入任何工件; 該軸係垂直於該 將一工件沿著一軸以一植入角傾斜, 平面,該植入角係參照該測量的束方向; 其中傾斜該工件 對以該植入角傾斜之工件實施一植入 24·如申請專利範圍第23項之方法, 之步驟包含傾斜一半導體晶圓。 其中傾斜該工件 該軸係實質上垂 25·如申請專利範圍第23項之方法, 之步驟包含沿著·一軸傾斜一半導體晶圓, 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Γ 一年 fl—SJ— 六、申請專利範圍 直於該所測量的方向。 26·如申請專利範圍第23項之方法,進一步包含爲達 到所欲求的平行而調整該離子束。 27·—種用於將離子植入一工件的裝置,其包含: 用以產生一離子束之手段; 用以在一平面測量該離子束之束方向的手段; 用以沿著一軸以一植入角傾斜一工件之手段,該軸係 垂直於該平面,該植入角度係參照該所測量的束方向,其 中係以該植入角度傾斜實施一植入至該工件。 28·如申請專利範圍第27項之裝置,其中用以傾斜該 工件之手段包含一傾斜機構,其用以相對於該離子束傾斜 一半導體晶圓。 29.如申請專利範圍第27項之裝置,其中用以傾斜該 工件之手段包含一傾斜機構,其用以沿著一軸傾斜一半導 體晶圓,該軸係實質上垂直於該所測量的束方向。 30·如申請專利範圍第27項之裝置,其進一步包含爲 一欲求的平行性而調整該離子束之手段。 31·—種將離子植入於一工件之裝置,其包含: 一離子束產生器; 一測量系統,其用以在一平面測量該離子束之束方向 而不用該離子束植入任何工件; 一傾斜機構’其用以沿著一軸以一植入角度傾斜該工 件’該軸係垂直於該平面,該角度係參照該測量的束方向 ,其中一植入係實施在該工件,該工件係以該植入角度傾 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) /-s 請 先 閲注 意 事 項頁 訂 線1295刹 9 π.- Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 斜。 32. 如申請專利範圍第31項之裝置,其中該傾斜機構 係組構用以傾斜一半導體晶圓。 33. 如申請專利範圍第31項之裝置,其中該傾斜機構 係用以沿著一軸傾斜一半導體晶圓,該軸係實質上垂直於 該測量的束方向。 34·如申請專利範圍第31項之裝置,其更進一步包含 一離子光學元件,其以所欲之平行性調整該離子束。 請 先 閲 讀 背 © 意 事 項 再訂本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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