TWI290960B - Ultrafine-grain-copper-base sputter targets - Google Patents

Description

1290960 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 近來，硏究係已經針對濺擊標靶微結構之微化，基於 最佳化冷加工及再結晶熱處理（退火）。不幸的是，此等技 術係已經體驗對於微化高純度的銅與銅合金微結構之有限 度的成功。儘管微化銅與銅合金的微結構之相對容易性， 製造業者係仰賴於習用的加工與退火，以產生可接受的結 果。銅濺擊標靶之大多數的商業製造業者係傾向製造具有 晶粒尺寸約爲2 5與1 0 0微米之間的濺擊標靶。 【先前技術】

Koenigsmann等人於美國專利公告第 2001/0023726 號係揭示限制濺擊標靶的晶粒尺寸及控制晶體組織方位比 以改善濺擊均勻性之優點。Koenigsmann之製程係仰賴於 暖加工、冷加工與退火之組合，以製造高純度的銅濺擊標 靶，其具有相當細微的晶粒尺寸與平衡的晶粒結構方位。 此製程係成功製造其具有規模爲20微米的晶粒尺寸之濺 擊標靶。

Pavate等人於美國專利第6,1 3 9,70.1號係揭示運用習 用製程以控制多個標靶性質，以降低對於高純度的銅標靶 之濺擊標靶微電弧。此專利係建議降低介電含有物、晶粒 尺寸與表面粗糙度’以限制由場增強放射所引起的缺陷。 儘管由Koenigsmann等人所達成及由pavate等人所 提出之近期改良’習用的銅加工製程係具有關於微化微結 • 4 - 1290960 (2) 構至超細微的晶粒尺寸之有限的成功。此係因爲於正常的 加工溫度（周圍環境），銅與銅合金係達到一限制穩定狀態 的錯位密度與次晶粒或格尺寸。且，於退火此結構時，則 再結晶成爲一相當粗的晶粒結構。 標靶製造者係已仰賴於等通道角度擠製（ECAE)以製 造細微晶粒微結構。Nakashima等人之“於等通道角度壓 製之超細微晶粒的開發之通道角度的影響（Influence of Channel Angle on the Development of Ultrafine Grains in Equal-Channel Angular Pressing)，，(Acta. Mater., Vol. 46, ( 1 9 8 8)，pp· 1 5 8 9- 1 5 99)與 R.Z· Valiev 等人之“受到強塑 性變形之超細微晶粒的金屬與合金之結構與機械行爲 (Structure and Mechanical Behavior to Intense Plastic

Deformation)”（Phys· Metal. Metallog·，Vol. 85，（ 1 9 9 8)， pp.· 3 67' 3 77)係提出運用EC AE之實例以減小晶粒尺寸。 ECAE係引入巨大的應變於一金屬而未授給重大變化於工 件形狀。事實上，濺擊標靶製造者係已經主張運用ECAE 之能力以減小高純度銅濺擊標靶之晶粒尺寸爲小於5微 米。雖然此製程係有效以減小晶粒尺寸，但並未顯現以對 齊晶粒於一方式爲使得有利於均勻濺擊或是提供一可接受 的彎曲（yield)，低的彎曲係源自於其僅爲作業於矩形板之 ECAE製程’且因此需要其由矩形板而切割圓形標靶之一 無效率的步驟。 L〇 _ A於標題爲“用於製造具有細微晶粒與細微沉 澱物之隨機方位的鋁合金濺擊標靶之方法（Method for 1290960 (3)

Fabricating Randomly Oriented Aluminum Alloy Sputtering Targets with Fine Grains and Fine

Precipitates)”的美{國專利第5,766,3 80號係揭示一種用 於製造鋁合金濺擊標靶之低溫方法。此種方法係運用具有 一個最終的退火步驟之低溫處理，以再結晶該等晶粒及控 制晶粒結構。同理，Y . L i u於美國專利第5 5 9 9 3,6 2 1號係 運用低溫加工及退火’以操縱及增強鈦濺擊標靶之晶體組 【發明內容】 本發明之濺擊標靶具有一選自由高純度銅與銅基合金 所組成之群組的成分。該種濺擊標靶之晶粒結構被再結晶 至少約 99°/。；且濺擊標靶之表面具有（111)、（20 0)、（220) 與（3 11)各者之至少約爲10%的晶粒方位比。此外，該濺 擊標靶具有小於約爲1 〇微米之晶粒尺寸，以改善濺擊均 勻性且降低濺擊標靶電弧。 該種方法係形成銅基的濺擊標靶，首先爲藉著冷卻一 銅基的標靶晶坏至低於約爲攝氏零下5 0度之溫度。該銅 基的標靶晶坏具有至少99.9 99%之純度與其具有一初始晶 粒尺寸之晶粒。然後，變形已冷卻後之銅基的標靶晶坏係 引入應變於銅基的標靶晶坏且形成一變形後的晶粒結構。 在變形之後，再結晶已變形後的晶粒結構於約爲攝氏3 5 0 度以下之溫度被形成具有經再結晶的晶粒之標靶晶坏。標 靶晶坏具有被再結晶至少約99%之晶粒’且經再結晶的晶 -6 - 1290960 (4) 粒具有小於初始晶粒尺寸之細微的晶粒尺寸。最後，完成 該銅基的標靶晶坏於低溫以維持細微的晶粒尺寸係形成一 完成後的濺擊標靶。 【實施方式】 已經發現的是，降低高純度的銅與銅基合金之變形溫 度爲至少-50°C係降低再結晶事件之溫度且造成細微的晶 粒尺寸。然後，加熱標靶晶坏至小於3 5 0°C之溫度係以最 小量的晶粒成長而穩定化該細微的微結構。此製程係產生 細微晶粒再結晶的結構，其具有於濺擊期間所遭遇的溫度 之優越的穩定度。 尤其是，用於製造銅標靶之製程係首先於低溫而引入 嚴重塑性應變，意圖爲增加能存留之新的晶粒晶核形成位 置之數目’以供於低溫再結晶退火處理期間之後續的激 發。此舉係增加來自強塑性變形之核（N)的數目，降低新 晶粒之後續的成長率（G)，且造成減小之再結晶的晶粒尺 寸。 低溫製程係藉著迫使再結晶事件爲發生於低溫而利用 降低的晶粒邊界可動性。因此，低溫加工係使得N對G 之比値爲最大，藉著強塑性應變與其關聯於低溫之變形的 延遲動態復原（增大N)，以及藉著允許再結晶發生於較低 溫度之新形成晶粒的降低成長率（減小G)。使得N對G之 比値爲最大係允許再結晶的晶粒尺寸爲縮小化。接著，控 制於標IE晶坏成爲一完成後的濺擊標靶之後續處理期間的 -7- 1290960 (5) 晶粒成長，以維持所得的最小晶粒尺寸。 藉著在形成作業之前而立即將濺擊標靶浸入於冷卻 池，低於正常變形溫度之廣爲應用係達成高度加工的變形 狀態。接著退火於低溫，製造相當小尺寸之新的完全再結 晶的晶粒，其取代已變形後的晶粒。 此製程係產生銅基合金以及高純度銅濺擊標靶，其具 有再結晶之至少約爲99 %的銅。針對此說明書，高純度係 指其具有至少99.99重量百分比之純度的銅；而銅基合金 係指其主要含有銅且具有小於99.99重量百分比之純度的 銅合金。此說明書係指以重量百分比之所有成分，除非特 別另作表示。此製程係有效於具有至少99.99重量百分比 之銅純度的標靶。此外，此製程係有用於其具有至少 99.99重量百分比之純度的標靶且最有利爲於高至 99.9999重量百分比之銅。對於銅基合金，合金係最有利 爲含有小於1 〇重量百分比之非銅的組成物。 完成的晶粒係具有小於約爲1 〇微米之晶粒尺寸。此 係代表於標準的高純度銅標靶之於晶粒尺寸的重大改善。 再者，此製程係可有利爲維持晶粒尺寸至小於約爲8微米 之程度。最有利而言，此製程係維持晶粒尺寸於約爲0. 1 至7.5微米之程度。 針對此說明書，方位比係定義關於總體晶粒之特定晶 粒方位的相對比例，以百分比而表示其垂直濺擊標靶面所 測量者。舉例而言，測量X射線峰値的強度且將其除以 於隨機方位粉末標準所測量之該峰値的相對強度係計算晶 冬 1290960 (6) 粒方位比。此比値係接著乘以1 00%且歸一化’ β卩’除以 於強度與其對應的相對強度之間的所有晶粒方位比之總 和。 -r 完成的濺擊標靶面係有利爲具有（1 11)、（200)、 (220)、與（3 1 1)各者之至少約爲10%的晶粒方位比。最有 利而言，完成的濺擊標靶面係具有（111)、（200)、（220)與 (3 1 1)各者之至少約爲10%的晶粒方位比。（200)、（1 1 1)、 (2 2 0)與（3 11)方位比之此平衡組合係提供最爲均勻的濺擊 性質。 首先，冷卻高純度的標靶晶坏至小於約爲-5 0 ° C之溫 度係備製該晶坏以供變形。冷媒係可爲固態或液態C02、 液態氮、液態氬、氦、或其他超冷的液體之任何組合。有 利而言，製程係降低晶坏至約爲-80°C。最有利而言，製 程係降低晶坏於至少約爲-196 °C或7 7K。對於大多數應用 之最爲實用的溫度係77.K (於大氣壓力之液態氮）。 在冷卻之後，變形已冷卻後之高純度的標靶晶坏係引 入強的應變於該高純度的標靶晶坏。變形製程係可包括諸 如壓製、滾軋、鍛造之處理，以形成一變形後的晶粒結 構，且隨後於低溫退火而達成細微的晶粒尺寸。於變形期 間，限制標靶晶坏之加熱係重要。再者，加入至少約爲 5 0%之工程應變於標靶晶坏係有利。此應變係確保於整個 標靶厚度之均勻的微結構。 滾軋係已證明爲用於減小晶粒尺寸且達成期望組織之 最有利的方法。尤其是，藉著於諸遍之間的至少一次爲再 -9- 1290960 (7) 次冷卻至低溫的溫度，多遍滾軋係提供最有利的結果。最 爲有利而言，再次冷卻係發生於各遍之間。但是對於某些 應用·，在每隔一遍之後的再次冷卻係充分。 於標靶晶坏的晶粒係再結晶於約爲3 5 0 ° C以下的溫 度。於此溫度，至少約爲99%的晶粒係再結晶。有利而 言，晶粒係再結晶於約爲3 2 0 ° C以下的溫度。最有利而 言，晶粒係再結晶於約爲150與320°C之間的溫度。如上 所論，使得再結晶溫度爲最低係減小標靶之晶粒尺寸。 高純度的標靶晶坏之完成爲一完成後的濺擊標靶係發 生於其足以維持細微的晶粒尺寸之溫度。若濺擊標靶係完 成於過局之溫度’則有益的晶粒尺寸減小係喪失。有利而 言，該完成係發生在小於約爲200 °C之溫度以限制晶粒成 長。降低完成溫度爲小於約爲100 °C係進一步減小於完成 期間之晶粒成長。最有利而言，該完成係發生在周圍環境 溫度。 完成後的標靶具有優越的機械性質。有利而言，製程 係產生具有至少約爲〗4〇 MPa的屈服強度之高純度的銅標 靶；且最有利而言，其產生具有至少約爲1 5 0 MP a的屈服 強度之高純度的銅標靶。針對此說明書，機械性質係指於 室溫所測量之性質，除非是說明書特定指出另一溫度。超 細微的晶粒尺寸之高強度以及銅之高彈性模數（其顯著超 過典型背板合金A1 606 1 T6)係允許大直徑銅濺擊標靶之 製造於單體架構。除此之外，因爲銅與銅合金具有相較於 鋁合金之顯著較高的熱轉移，具有本發明之設計的單體濺 -10- 1290960 (8) 擊標靶係可濺擊於較低溫度而具有濺擊標靶之受限偏向。 在濺擊或“熔焊（burning-in)”該標靶之開始後，濺 擊標靶面係有利具有小於1 5 0微英吋（3.8微米）之表面粗 糙度Ra以限制標靶內的電弧。且最有利的是，在標靶的 熔焊之後，濺擊標靶面具有小於1〇〇微英吋（2.5微米）之 表面粗糙度Ra以限制標靶內的電弧。 實例1 此實例係運用全尺寸RMX 12蝕（Eclipse)典型的濺擊 標靶，其由具有99.999 3 %之純度的銅所製造。最終的標 靶晶坏尺寸係12.0”（30.5 cm)之直徑與0.43 7”（1.11 cm) 之厚度。表1係提供特定用於此標靶之製程。於低溫壓製 步驟（步驟2)，一操作者係浸入一直徑爲5.0”（12.7 cm)與 長度爲3.75”（9.5.3 cm)的工件於液態氮，直到可見的沸騰 係不再觀察到爲止；之後，工件係於約7 7 K或-1 9 6 ° C之溫 度。於各個壓製步驟之間而再次冷卻已低溫處理後的小塊 係確保的是，強制變形係如爲合理可能而進行於接近-196°C或77K之溫度。 初始冷卻與再次冷卻步驟係延長爲直到該工件不再沸 騰環繞其表面之液態氮。在浸入室溫金屬於液態氮之後， 即刻，鄰近於金屬表面之液體係快速沸騰而使得形成其環 繞工件或是受到“薄膜沸騰”之不斷的氣體薄膜。於薄膜 沸騰期間，氣體障壁係限制熱轉移。隨著工件之溫度降低 且金屬接近-1 96 °C，氣體薄膜障壁係開始破壞，且在沸騰 -11 - (9) 1290960 之前，液體係接觸金屬表面。於此“晶核形成沸騰”階段 期間，熱轉移係相當快速。於晶核形成沸騰期間之沸騰速 率係顯著高於薄膜沸騰者。由全面試驗之一個有趣的觀察 係在於，當該工件接近· 1 96 °C，於沸騰狀態之可聽見的變 化係發訊通知由薄膜至晶核形成沸騰之變換。 在預先冷卻係完成之後，於四個步驟（約爲相等縮減） 壓製銅工件於平坦鑄模之間係減小厚度至1.4”（3.56 cm) 之最終高度。於各個縮減步驟之間，浸入工件於液態氮池 係再次冷卻該工件至約爲77K或-196°C。於壓製步驟之中 且在壓製係完成之後，立刻轉移該工件至液態氮池係防止 工件溫度爲超過-8 0°C。此係有利於保有由壓製作業所授 給之最大儲存應變能量。 於步驟3，低溫滾軋係每遍取得約爲0.040，，（〇.1〇 cm) 以及藉著於各遍滾軋之間而浸入於液態氮池之一個再次冷 卻步驟所組成。此外，各遍旋轉該標靶晶坏9 〇度或是 “交叉滾軋”係有利於在退火之後的平衡晶粒結構之形 成。如爲於壓製步驟之情形，重要的是，工件係在各遍滾 軋之後而立即轉移至液態氮池，以確保該標靶晶坏之溫度 保持爲儘可能低。在低溫滾軋係完成之後，工件係返回至 周圍環境溫度。 於25 0°C之一個再結晶熱處理4小時係致使強應變的 工件之變形結構以新的超細微晶粒而取代。 -12- (10) 1290960 表1.運用於超細微晶粒的99.9 9 93 %純銅濺擊標靶之處理 步驟 步驟 說明 1 切割3”（7.6 cm)長度之127 mm直徑Cu 9 9.9 993%小 塊 2 低溫壓製 3”（7.6 cm)至 1·7”（4·3 cm)至 1，，（2.5 cm) 最終高度 3 低溫滾軋爲每遍取得 〇·〇40”（〇.1〇 cm)至 0.3 25 ” (0.83 cm) 4 水噴射切割至厚度爲12.125”（3 0·8 cm) 5 加工二側至厚度爲0.4 8 5 ”（1·23 cm) 6 焊接至背板 7 加工組件爲完成的尺寸 8 接合完整性之超音波檢查 9 淸潔及去油脂 10 檢查及測試 金屬組織與X射線繞射分析係始自於水噴射切割取 樣，其取自該標靶晶坏之外環。 由低溫加工與低溫退火所造成之超細微的銅晶粒尺寸 係顯示於第1圖。此取樣係呈現完整的再結晶與3 · 8微米 之晶粒尺寸，根據ASTM E. 112標準所測量。 本實例之超細微晶粒尺寸（3.8微米）的Cu標靴以及相 同純度之一標準晶粒尺寸（3 3微米）的Cii標耙之縣擊測試 -13- 1290960 (11) 係進行於一蝕（Eel ipse)濺擊工具。濺擊係透過該二個標靶 之壽命而進行，且電弧事件係運用一微電弧偵測器（先進 能量型號3 1 5 2 3 02-000)而偵測及記錄。電弧結果係繪製於 第2圖，其顯示超細微的晶粒尺寸係相較於標準晶粒尺寸 標靶而大爲減少電弧事件。 除了超細微的晶粒尺寸，低溫處理的標靶係相較於習 用方式處理的標靶而具有於濺擊表面粗糙度之顯著改良。 超細微晶粒尺寸的標靶具有在濺擊後之60微英吋（1.5微 米）的表面粗糙度Ra，相較於由比較標靶所達成之在濺擊 後之240微英吋（6.1微米）的Ra。於表面粗糙度之此縮減 係亦可作用以降低濺擊標靶之電弧的強度。 實例2 具有7.0”（17.8 cm)之99.9999%純的Cu小塊係切割 爲6.45”（16.38 cm)之長度且爲受到如於實例1所述之低 溫變形處理。該小塊切片係冷卻於液態氮至約爲77K，且 低溫固定壓製於4個步驟（於各個步驟之間再次冷卻）至 4.5”（11.4 3 cm)之最終高度。工件係接著低溫滾軋而降至 1·0”（2.54 cm)之最終厚度。滾乳諸遍係取得每遍爲〇·ΐ〇” (0.25 cm)之線性縮減，且於液態氮之再次冷卻係在每二遍 之後而進行。跟隨著低溫變形，工件係接著退火於250°C 爲 2小時以發展超細微晶粒的結構。本實例的標靶晶坏 之晶粒尺寸係測量爲3 · 6微米，且爲完全再結晶。拉張條 塊係加工自該標靶晶坏且根據ASTM E-8而拉引以集合應 -14- 1290960 (12) 力-應變曲線。於第3圖，來自本實例之材料的拉張測試 之資料係相較於來自商用銅濺擊標靶（45微米晶粒尺寸）之 先前資料。 < X射線繞射分析係實行於如上所述處理後的標靶晶坏 之取樣，以硏究低溫處理的工件之整個厚度的組織均勻 性。對於來自數個厚度位置之取樣的方位比係顯示於第4 圖。第4圖係顯示的是，相當一致、隨機的組織係由本實 例的取樣透過其整個厚度所呈現。 給定由低溫變形與低溫退火製程所給與之較高強度， 單件或單體型式的濺擊標靶設計係有利於超細微晶粒的 C u。相較於鋁合金6 0 6 1，銅之優越的彈性模數（第5圖） 係明顯於整個有關的溫度範圍。此外，相較於鋁，銅之較 高的熱傳導率係可造成對於濺擊製程之較佳的熱管理。單 體設計之運用係亦避免關聯於接合一標靶至背板的成本， 且提高濺擊標靶之有用的厚度。 該製程係可製造任何形狀之標靶，包括圓形的標靶與 薄板狀之矩形的標靶。藉著低溫製程，於單體設計式的純 銅標靶，可能達成如細微爲2至8微米之最小的晶粒尺 寸。再者，相較於最通常爲退火於較高溫度之習用的高純 度濺擊標靶，減小晶粒尺寸係改善濺擊均勻性。此外，該 製程係提供相較於習用的加工產品之更爲一致的產品。最 後’該標靶係含有完全再結晶組織的晶粒，其具有平衡的 方位比，進而有利於均勻的濺擊。 雖然本發明已經關於某些較佳實施例而詳述說明，熟 1290960 (13) 悉此技藝之人士將認知的是，存在申請專利範圍的精神與 範疇內之本發明的其他實施例。 【圖式簡單說明】 第1圖係具有晶粒尺寸3 ·8微米之超細微晶粒 9 9.9993 %純銅的微縮圖。

第2 Α與2 Β圖係分別代表對於電弧計數對標耙壽命 之比較圖，介於具有33微米的晶粒尺寸之標準冷滾軋及 退火的9 9 · 9 9 9 3 %純銅與具有3 · 8微米的超細微晶粒尺寸 之低溫滾軋及低溫退火的99.9993%純銅之間。 第3圖係含有對於9 9 · 9 9 9 3 %純銅的屈服強度與拉張 強度之比較圖，介於，具有4 5微米的晶粒尺寸之標準冷滾 軋及退火的銅與具有3.6微米的超細微晶粒尺寸之低溫滾 軋及低溫退火的銅之間。

第4A與4B圖係分別提出晶體組織方位比，介於具 有45微米的晶粒尺寸之標準冷滾軋及退火的99.9993 %純 銅與具有3.6微米的晶粒尺寸之低溫滾軋及低溫退火的 99.9993 %純銅之間。 第5圖係模數對溫度之圖，比較99.999%銅與其具有 T6處理條件之鋁合金606 1。 -16-

Claims (1)

1290960 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種濺擊標靶，該濺擊標靶具有：一成分，選自由 高純度銅與銅基合金所組成之群組；一晶粒結構，該晶粒 結構被再結晶至少約9 9 % ; —濺擊標靶面，該濺擊標靶面 具有（111)、（200)、（220)與（311)各者之至少約爲的晶 粒方位比；及小於約1 0微米之晶粒尺寸，以改善濺擊均勻 性且降低於濺擊期間之電弧。 2·—種濺擊標靶，該濺擊標靶具有：一成分，選自由 高純度銅與銅基合金所組成之群組；一晶粒結構，該晶粒 結構被再結晶至少約 99%;—濺擊標靶面，該濺擊標靶面 具有（111)、（200)、（220)與（311)各者之至少約爲10%的晶 粒方位比；及小於約8微米之晶粒尺寸，以改善濺擊均勻 性且降低於濺擊期間之電弧。 3 .如申請專利範圍第2項之濺擊標靶，其中，該濺擊 標靶具有單體結構。 4 ·如申請專利範圍第2項之濺擊標靶，其中，該濺擊 標靶具有在室溫時所測量之至少99.99重量百分比的純度 與至少約爲150 MPa的屈服強度，。 5 .如申請專利範圍第2項之濺擊標靶，其中，該濺擊 標靶面具有（111)、（200)、（220)與（311)各者之至少約爲 1 5 %的晶粒方位比。 6 . —種濺擊標靶之形成方法，包含步驟： a)冷卻一標靶晶坏至低於約爲攝氏零下5 0度之溫 度，該標靶晶坏具有初始晶粒尺寸之晶粒與一選自高純度 -17 - 1290960 (2) 的銅與銅基合金所組成的群組之成分； b) 變形已冷卻後的標靶晶坏，以引入應變於該標靶晶 坏且形成一變形後的晶粒結構； c) 再結晶已變形後的晶粒結構於約爲攝氏3 5 0度以下 之溫度，以形成具有經再結晶的晶粒之標靶晶坏，該標靶 晶坏具有被再結晶至少約99%之晶粒，且經再結晶的晶粒 具有小於初始晶粒尺寸之細微的晶粒尺寸；及 d) 完成該標靶晶坏，以形成一已完成後的濺擊標靶於 低溫，其足以維持已完成後的濺擊標靶之細微的晶粒尺 寸。 7 · —種形成濺擊標靶之方法，包含步驟： a) 冷卻一標靶晶坏至低於約爲攝氏零下5 0度之溫 度’該標靶晶坏係具有初始晶粒尺寸之晶粒與一選自高純 度的銅與銅基合金所組成的群組之成分； b) 變形已冷卻後的標靶晶坏，以引入應變於該標靶晶 坏且形成一變形後的晶粒結構； c) 再結晶已變形後的晶粒結構於約爲攝氏3 2 0度以下 之溫度，以形成具有經再結晶的晶粒之標靶晶坏，該標靶 晶坏具有被再結晶至少約99%之晶粒，且經再結晶的晶粒 具有小於初始晶粒尺寸之細微的晶粒尺寸；及 d) 完成該標靶晶坏，以形成一已完成後的濺擊標靶於 低溫，其足以維持已完成後的濺擊標靶之細微的晶粒尺寸 爲小於1 〇微米，且濺擊標靶晶坏具有一濺擊標靶面，該 濺擊標靶面具有（111)、（200)、（220)與（311)各者之至少約 -18- 1290960 (3) 爲1 〇 %的晶粒方位比。 8 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中，該冷卻發生 在低於約攝氏零下8 0度之溫度，且再結晶發生在約攝氏 150至3 00度之溫度。 9·如申請專利範圍第7項之方法，其中，該變形係滾 軋。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之方法，其中，該滾軋係 多遍滾軋，且包含附加的步驟：於滾軋諸遍之間而再次冷 卻該標耙晶坏至少一次。 -19-