TWI286396B - Method of fabricating light emitting diode base - Google Patents

Description

1286396 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，尤 進而 本，明係有關於-種發光二極體基座的製造方法 指-種糟由二金屬基板之結合，使其打線間距縮短， 得到體積較小之表面黏著型發光二極體的製造方法。 【先前技術】

早在7 ◦年代就已經有發光二極體⑴咖g D1〇de，LED)的發明’其對人類的生活形態產生極大 ¥。數十年來，人們仍不_努力，希望能發明出更呈實 用性的有效光源，'然而甚多的關鍵技術上驗頸―直無生 突破’故將其應用於日常照明上確實存在了許多問題':、例 如壳度的提昇、產品的壽命問題。 近幾年來’由於人們在這些技術層面的問題上取得 多重大突破使得LED的應用面更為廣泛。與傳統光源 相較具有許多的優勢，包括體積小、發光效耗、操作反 應速度快、可撓式或可陳列式糾，且無熱輻射與水 有毒物質的污染。 、 目箣LED的製造技術已具有一定的成熟度，亮度也已 提高到一定的程度，已應用的範圍包括：汽車儀表=、液 晶顯示板背光源、室内照明、掃描機與傳真機光源等用途。 未來的開發目標在於製作出耗電量低，可大量節省能源之 咼效率與高亮度的發光二極體；而微型的發光二極體亦是 另一項重要的開發項目，主要係可將微型化的發光二極體 應用於作為電子裝置的發光光源，例如行動電話、筆記型 電月®或PDA螢幕的背光板光源，依據此類型電子產品的需 5 1286396 要，表面黏著元件之發光二極體即非常適用。 ::遺著積體電路製作技術的進步，電子元件的設計與 =作“轉細微化關勢發展，並且由於其具備更大規 時為^集度的電子線路’因此其它產品亦更加完整。同 輕'tr U Cf程技術微小化，以及電子資訊產品走向 二、Γ1、’電子：件連結在印刷電路板上的技術也由插件 H 2,|式（Sui"fac:eM()untDevice，sMD)，具低 因二向ί量、小型化、壽命長等特色的SMD型晶片電容 因而倍受看好。 習知表面黏著元件之發光二極體，其為 2形成複數個接腳，然後藉由_射出將多數個絕緣般 rmc巧。接著將晶片置人該多數個絕緣殼體 :再用環氧樹脂施以封裝後即成為表面黏著二 准，4知表面黏著元件之發光二極體，八 接腳-般會有一段距離，此時就會增加打線的=涂工二 是要增加金屬導線的長度，然而通常 I巨離，也就 故成本會上升，·此外因著金屬導線與接腳 其體積也會隨之變大。 、I#近’故 再者，以發光效率而言，發光二極俨 受的功率估重要因素，高功率發光晶片用晶片所Ϊ承 發光二極體的亮度往上提升。進一步而，可使早顆 發光二極體的應用範圍，然而當功率提;可有效的增加 中的晶片之工作溫度會迅速上升，習知心體 光二極體未能有效解決晶片的散熱問題。、考兀件之电 ^^0396 ^^0396 種設 計合理且有5c上述缺失之可改善，提出 【發二吾上述缺失之本發明。 本發明之主要目& 製造方法，可製成豆、i在於提供一種發光二極體基座的 承栽晶片之基部鄰屬基板的發光二極體基座，使 本，藉此也可、电極片，以縮短打線距離而降低成 積較小之高功率發光二極體。 製造方法，J:第在於提供—種發光二極體基座的 集中方!ΐ功：：：金屬基板之基部底部突伸-凸塊，可將 太Γ片的熱量向外傳遞，以達到散熱效果。 製造方、：父二目的，在於提供—種發光二極體基座的 之古一1屬基板與第二金屬基板相互結合而產生 呵1卞厂-極體’比單—金屬板有較高之生產良率。 其广Λ f成上述之目的，本發明係提供—種發光二極體 丰衣1^法，該基座係供至少—晶片之封裝用，包括 成型—第一金屬基板，該第-金屬基板成 曰弟 杀及至少一電極片，該電極片延伸有接腳； ’t愚成型-第二金屬基板，該第二金屬基板成型有一第二 支架及一基部，·將該第一金屬基板及該第二金屬基板結 合，該電極片相鄰於該基部，使該基部與該電極片間形成 有空隙；以及成型一絕緣殼體，將該絕緣殼體包覆於該電 極片與該基部，使該接腳外露於該絕緣殼體。 為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術内容，請參 閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提 供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。 7 1286396 【實施方式】 一明翏閱第一圖至第六圖所示，本發明係提供一種發光 —極版基座的製造方法，該基座係供至少一晶月之封裝用 ’該製造方法包括下列步驟·· 壓成型一第一金屬基板1，該第-金屬基板 加7 fί一第—支架1 1及至少—電極片1 2，該第—支 _ 二右^:框？體，該第一支架11近二側邊緣處並間隔 的6又有稷數個弟一定位孔1 1 1。 極片片12係成型於該第一支架11中心處，該電 :片固定片13連接於第一支架11，使該 =第—支架11上。在第—實施例中該電 0上—匕3 —第一電極片121及一第二電極片122 121及第二電極片1 2 2之間成型-容 刑古^ $極片121與第二電極片12 2之側邊各成 有至）、一接腳1 5，該接腳1 5係向外延伸。在第-* y中該電極片12僅成型為—個電極片121^= 圖）〇 2為」成型一第二金屬基板2，該第二金屬基板 2為-厚涛材貝’該第二金屬基板2也 其成型有一第二支架Η及二 匹配，二:ΐ;22 ίί:，:可與第-支架1 1相 μ 一 一」1近一側邊緣處並間隔的設有複數個 ^一疋位孔2 1 1 ’該複數個第二定位孔 合於該第—支架11之複數個第-定位孔111σ 8 1286396 該基部2 2係成型於該第二支架2工中心處，該基部 2 2 =第固定片2 3連接於第二支架2丄，使該基部 固疋方；弟一支架2 1上，在第一實施例中該第二固定 片2 3係為一個呈S形狀的片體，該第二固定片也可 為其他形狀（圖略）。該基部2 2底部-體成型突伸一凸塊 2 4。 其”(ci將第一金屬基板1之第-支架11及第二金屬 基，2之弟一支架2工相互對準，而後將該第—支架工工 (如第五圖)’並令該第二金屬基 使該第:電極片Γ二金==置空間14, 2，且該基部2 2二;於基部2 片122間係形成有極片121及第二電極 (d)成型一絕緣殼體3 (如 係以射出成型的方式包覆於該第-、第二電極片ίΓί U2部2 2上，該射出成型係為在樹脂注射成形 =屬模爽住金屬基板1、2的規定部分，在 金屬核的空間内部加厣、、丰人卜乂 化，嵌入模壓加工—二狀::树脂，接著使其冷卻固 外露於該_體3:和用^^ 度，該接腳1 5折彎物：:政熱“片4之工作溫 中該接腳1 5為二個且^=緣殼體3。在第—實施例 而該接腳！ 5也可折彎於該絕緣殼體3側邊，然 卜I於4絕緣殼體3其他部位。 上^2片4_料第二金屬基板2之基部2 2 4 = 藉由金屬導線進行打線步驟，以使晶片 4電性連接於該第—、第二_片121、122;=

Claims (1)

1. 月>日修正本 1286396 il 、‘ 十、申請專利範圍： 1、一種發光二極體基座的製造方法，該基座 少一晶片之封裝用，包括下列步驟： 八 沖壓成型-第-金屬基板，該第一金屬基板成型有一 第一支架及至少二電極片，該二電極片延伸有接腳； 沖壓成型-第二金屬基板，該第二金屬基板成型 第二支架及一基部；

   將該第一金屬基板及該第二金屬基板結合，該二電極 片相鄰於該基部，使該基部與該二電極片間形成有空 以及工' ’ 成型一絕緣殼體，將該絕緣殼體包覆於該二電極片與 該基部，使該接腳外露於該絕緣殼體。 〃 2、如申請專利範圍第；L項所述之發光二極體基座的 製造方法，其中該第-支架及該第二支架近二侧 別間隔的^有複數個第-定位孔及第二定位孔，該複數個 第二定位孔相對應於該複數個第一定位孔。 3、如申請專職項所述之發光二極體基座的 製造方法，其中該二電極片係成型於該第一支架中心产， §亥·一電極片係以弟一固定片連接於該第一支竿。 體基座的 ，將該第 4、如申請專利範圍第丄項所述之發光二極 製造方法，其中該二電極片之間成型一容置空間 二金屬基板之基部容置於該容置空間。 5、如巾請專職㈣丄項所述之發光二極體基座的 製造方法，其中該基部係成型於該第二支架中心處，該其 部係以第一固疋片連接於該第二支架。 13 1286396 6、如申料利制第！項所叙發光二極體基座的 ^方法，其中該基部底部成型—凸塊，該凸塊係外露於 邊絕緣殼面，用以散熱該晶片之工作溫度。 制/、如申料職圍第1項所述之賴二極體基座的 二^與=絕咖細峨型的方式包覆於該 ，丄如ΙΐίΓ圍第1項所述之發光二極體基座的 其、Γ且/、進"的包括一將該晶片黏設於該第二金屬 晶片藉由金屬導線進行打線電性連 辦、止=如ΐϊ專！!範圍第1項所述之發光二極體基座的 t步驟。’步的包括一將該第一支架及第二支架去 至少^二==二極體基座的製造方法，該基座係供 至^日日片之封裝用，包括下列步驟： 第一:f2雷第：金屬基板，該第-金屬基板成型有-ΐ為該電極片延伸有接腳，該電極片係 第二!;5其，:气屬基板’該第二金屬基板成型有-、土邛’°亥第二金屬基板係作為另一極性接點. 相鄰金屬基板及該第二金屬基板結合，該電極片 ㈣二1吏5亥基部與該電極片間形成有空隙；以及 11、如申請專利範圍第1〇項所述之發光二極體基 1286396 座的製造方法，其中該第— 處分別設有第一定位孔及繁=及該第二支架近二側邊緣 應於該第一定位孔。 —疋位孔，該第二定位孔相對 2 座的製造方法，1中二圍第1 0項所述之發光二極體基 該第二金屬基以基部 屬基板成型—容置空間，將 士 置於該容置空間。 13、如申請專利範圍 座的製造方法，其中該其却第1〇項所述之發光二極體基 4、如申請專利範 露於該A〜°卩底部成型—凸塊，該凸塊係外 邑緣成體底面’㈣散熱該晶片之卫作溫度。 0項所述之發光二極體基 15、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體基 ^製造方法，其進-步的包括Ζ將該晶片黏設於該第二 ^基板之基部上，並將該晶片藉*金料線進行打線電 連接於該電極片及第二金屬基板的步驟。 1、6、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體基 ，的製造方法，其進一步的包括〆將該第一支架及第二支 罙去除的步驟。 15 1286396