TWI282761B - Pattern forming method, method of manufacturing electronic apparatus, and method of manufacturing substrate - Google Patents

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1282761 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於利用液滴喷裝置之圖案形成方法，更具體 而言，係關於適合於電子機器之配線圖案之形成之圖案形 成方法、及設有配線圖案之基體之製造方法。 【先前技術】 已知有利用液滴喷出裝置形成對格柵之基準線形成45度 之角度之金屬配線圖案之技術（例如專利文獻〗）。 [專利文獻1]日本特開2003-31 85 14號公報 發明所欲解決之問題 如圖13所示，在對被堤狀圖案3〇8或撥液圖案所修邊之 部份324喷出液滴D而設置圖案時，被噴出之液滴D之一部 份有可能碰到堤狀圖案3〇8(或撥液圖案），此結果，有可能 在堤狀圖案308(或撥液圖案）上產生液滴D之殘渣。又，圖 13之堤狀圖案308係由2個堤部308B所構成。 本發明係鑑於上述問題所研發而成者，其目的之一在於 可利用在對液滴噴出裝置之掃描方向傾斜延伸之部分形成 良好之薄膜圖案之方式，設置對應於薄膜圖案之堤狀圖案 或撥液圖案。 【發明内容】 本發明之圖案形成方法係利用由喷嘴喷出第ι液滴及第二 液滴之液滴噴出裝置在物體表面形成圖案者，·包含步驟 (A)，其係在用整數之m&n表示前述物體表面上之座標， 並用i及j表示〇以外之2個整數日夺，以使（m，n)之可命中位置 103457.doc 1282761 /、刖述第1液滴之第1投影像之中心大致—致時之前述第1 投影像之範圍、及（m+i，n+J·)之可命中位置與前述第2液滴 之第2投影像之中心大致一致時之前述第2投影像之範圍位 於前述物體表面上之圖案形成區域内之方式，形成將前述 圖案形成區域修邊之堤狀圖案者；及步驟（B)，其係將前 述第1液滴喷出至前述(m，n)之可命中位置，並將前述第2 液滴喷出至前述（m+i，n+j)之可命中位置，以形成覆蓋前述 圖f形成區域之圖案者。更以前述第！液滴與前述第2液滴 在前述圖案形成區域上擴散後互相合流之方式，決定前述 (m，n)之可命中位置與前述（m+i,n+j)之可命中位置間之距 離。 上述構成所獲得之效果之一在於可在來自液滴噴出裝置 之液滴不會碰到堤狀圖案之情況下，設置任意形狀 案。 依據本發明之某一態樣，前述步驟（A)係包含以可獲得 直線狀或曲線狀之2個前述圖案形成區域之方式，形 述堤狀圖案之步驟。而，前述2個圖案形成區域係互相平 行。 上述構成所獲得之效果之一在於可形成互相平行之2個 圖案。 依據本發明之另一態樣，前述步驟（A)係包含以可獲得 直線狀或曲線狀之2個前述圖案形成區域之方式，形^前 述堤狀圖案之步驟。而，前述2個圖案形成區域係非互2 平行。 103457.doc Ϊ282761 上述構成所獲得之效果之一在於可形成互相平行之2個 圖案。 依據本發明之另一態樣，直線狀之前述2個圖案形成區 域係互相連結。在此，前述2個圖案形成區域之一方係平 行於第1方向。另外，前述2個圖案形成區域之他方係對前 述第1方向形成大於〇。而小於9〇。之角度。而，前述步驟 (B)係包含向前述一方之圖案形成區域之前述可命中位置 噴出第1體積之前述液滴，並向前述他方之圖案形成區域 之前述可命中位置喷出小於前述第1體積之第2體積之前述 液滴之步驟。 上述構成所獲得之效果之一在於可向對第丨方向形成上 述角度之圖案形成區域喷出第1體積之液滴，並向平行於 第1方向之圖案形成區域噴出小於第丨體積之第2體積之液 滴。 、 最好前述液滴喷出裝置係構成可使前述噴嘴在互異之第 1方向及第2方向相對移動而由前述喷嘴選擇地將複數之前 述液滴噴出至複數之前述可命中位置之各位置。在此，前 述複數之可命中位置係構成平行於前述第1方向與前述第^ 方向，袼柵。X ’前述複數之可命中位置沿著前述第1方 向之第1間距係依據前述喷嘴對前述第〗方向之 度、與對應於前述液狀材料之最小喷出週期加以決定動： 外’前述複數之可命中位置沿著前述第2方向之 依據前述喷嘴對前述第2方向之相對移動間距加以二距係 上述構成所獲得之效果之—在於可以對應於液狀材疋料之 103457.doc 1282761 最J噴出週期’噴出液狀材料之液滴而形成圖案。 在+發明之某一態樣中’前述液狀材料係導電性材料。 上述構成所獲得之效果之一在於可在液滴不會碰到堤狀 圖案之情況下，形成對喷嘴之相對移動方向傾斜延伸之配 線圖案。 在本發明之某一態樣中，電子機器之製造方法係包含上 述圖案形成方法。 φ 上述構成所獲得之效果之一在於可利用液滴噴出裝置， 形成電子機器之配線圖案。 本發明也可以上述態樣以外之種種態樣實現。例如，步 驟（A)也可以形成撥液圖案以取代形成堤狀圖案之態樣實 現。 本發明之基體之製造方法係包含被使喷嘴在互異之第工 方向及第2方向相對移動而由前述喷嘴喷出第丨液滴與第2 液滴之液滴喷出裝置賦予前述第丨液滴與第2液滴之圖案形 _ 成區域之基體之製造方法。此之基體之製造方法包含一步 驟，其係在用整數之m及η表示前述基體表面上之座標，並 用i及j表示0以外之2個整數時’以使（m，n)之位置與前述第 1液滴之第1投影像之中心大致一致時之前述第1投影像之 範圍、及（m+i，n+j)之位置與前述第2液滴之前述第2投影像 之中心大致一致時之前述第2投影像之範圍位於前述圖案 形成區域内之方式，形成將前述圖案形成區域修邊之堤狀 圖案者。而，以前述第1液滴與前述第2液滴在前述圖案形 成區域上擴散後互相合流之方式，決定前述（m，n)之仅置 103457.doc •10- 1282761 與前述(m+i，n+j)之位置間之距離。又，形成堤狀圖案之步 驟也可為形成撥液圖案之步驟。 在上述製造方法所製造之基體中’可在來自液滴噴出裝 置之液滴不會碰到堤狀圖案之情況下，設置任意形狀之圖 【實施方式】 (Α·元件製造裝置之全體構成）

其次，說明本實施型態之元件製造裝置。圖】所示之元 件製造裝置1係液晶顯示褒置之製造裝置之—部分。而， :件製造裝置!係包含液滴噴出裝置1〇〇、潔淨爐職輸 达哀置170。液滴喷出裝置100係對基體1〇(圖2)喷出導電性 材料之液滴而在基體10設導電性材料層之裝置。另一方 面’潔淨爐15G係、使液滴噴出裝置⑽所設之導電性材料層 活性化，以形成導電層之裝置。 輸达裝置170係具有又部、使又部上下移動之驅動部及 自走。卩° @ ’輸送裝置17〇係㈣輸送基體1()使基體職 照液滴喷出I置⑽、潔淨爐15〇之順序接受各種處理。以 下，就液滴噴出裝置1〇〇詳細說明構造與機能。 (Β·液滴噴出裝置之構成） 如圖2所示，液滴喷出震置1〇〇係所謂喷墨裝置。具體 上，液滴么噴出裳置100具有保持導電性材料8Α之箱ι〇ι、管 基D GS、噴出頭部丨〇3、台j 〇6、第丨位置控制裝置 1〇4、弟2位置控制裝置108、控制裝置112、支持部104汪及 加熱器140。 103457.doc 1282761 喷出頭部103係用於支持喷頭114(圖3)。喷頭114係依據 來自控制裝置112之驅動信號噴出導電性材料8A之液滴。 又’喷出頭部103之喷頭114係被管1丨〇連結於箱1 〇 1，因 此’可由|自101供應導電性材料8 a至喷頭114。 台106提供固定基體1〇用之平面。台1〇6之此平面平行於 X軸方向與Y軸方向。另外，台1〇6亦具有利用吸引力固定 基體10之位置之機能。

φ 第1位置控制裝置1〇4係被支持部104a固定於距離基台GS 特定高度之位置。此第1位置控制裝置1〇4係具有依照來自 控制裝置112之信號，使喷出頭部丨〇3沿著χ軸方向、與χ 軸方向正交之Ζ軸方向移動之機能。另外，第丨位置控制裝 置104亦具有在平行於2軸之軸之周圍使喷出頭部1〇3旋轉 之機能。在此，在本實施型態中，ζ軸方向係平行於垂直 方向（即重力加速度方向）之方向。 第2位置控制裝置108係依據來自控制裝置112之信號， • 使台1〇6在基台GS上向Υ軸方向移動，在此，γ軸方向係與 X軸方向及ζ軸方向雙方正交之方向。 具有如以上之機能之第1位置控制裝置1〇4之構成與第2 位置控制裝置108之構成可使用利用線性馬達及伺服馬達 之白知之ΧΥ機器人予以實現。因此，在此，省略此等之 詳細之構成之說明。又，在本專利說明書中，亦將第^位 置控制裝置104及第2位置控制裝置1〇8稱為「機器人」或 「掃描部」。 又，本實施型態之X軸方向、Υ軸方向及2軸方向係與噴 103457.doc 12 1282761 出頭部103及台106中之 ^ 鬥一双。 4等之中，X軸方向又稱「非掃描方向」。又，γ軸方向又 稱「掃描方向」。而，規定X軸方向、Υ軸方向及ζ軸方向 之ΧΥΖ座標系之假想的原點係被固定於液滴噴出裴置 之基準部分。另外，在本專利說明書中，所謂χ座標、γ 座標及Ζ座標係此種ΧΥΖ座標系之座標。又，上述作f想的 原點既可被固定於台106而非僅為基準部分，亦可被 於噴出頭部103。 疋 而如上所述，喷出頭部103係藉第j位置控制裝心4向乂 轴方向移動’基體10係與台1〇6同時藉第2位置控制裝置 ⑽向Y軸方向移動。此等之結果，可改變對基體1〇之噴頭 ::;之相對位置。更具體而t ’藉由此等動作’噴出頭部 如、贺頭114或喷嘴118(圖3)可對基_，_ 向保持特定之距離，一面相_ & 對地向X軸方向及丫軸方向移 二:：相對地掃描。所謂「相對移動」或「相對掃描」， 電性材料8A之液滴之側與來自該處之液滴命中 =則（基體10)之至少-方對他方相對移動之意。又 專利說明書中’僅基體10或A 在本 B士； 「 σ 06在私動而喷嘴118靜止 日守，也以「嘴嘴Π8在相對移動」表現。 控制裝置112係構成可由外部 料。批去丨姑班 卜0Ρ貝讯處理裝置接受喷出資 所儲存之喷出資料控•…位置控 裝置_及噴頭⑴。在此，所謂 、」，係包含表示預備嘴出導電性材料8A之液滴 103457.doc 1282761 之相對位置之資訊之資料。在本實施型態中，喷出資料具 有位元映成表資料之資料型式。 〃 由於具有上述構成，液滴喷出裝置100可依據喷出資 料使噴頭114之喷嘴118(圖3)對基體1〇相對移動，並向設 疋之命中位置由噴嘴118嘴出導電性材料^八之液滴。包含 利=液滴噴出裝置_之噴頭114之相對移動與由喷嘴⑴ 之‘電性材料8A之液滴之噴出有時統一標記為「塗敷掃 φ 描」或「噴出掃描」。 、又，在本專利說明書中，導電性材料8八之液滴命中之部 亦可己為「被喷出部」。又，命中之液滴濕潤擴散之 部分亦可標記為「被塗敷部」。「被喷出部」及「被塗敷 部」之任何—方亦均係導電性材料8A以呈希望之接觸角方 弋在底層之物體被施以表面改性處理所形成之部分。但， 即使不施以表面改性處理，底層之物體表面仍對導電性材 料8A呈希望之撥液性或親液性（也就是說，命中之導電性 籲材料8A在底層之物體表面上呈希望之接觸角）時，底層之 物體表面本身為「被噴出部」#「被塗敷部」亦無妨。 在本專利說明書中，「被噴出部」亦可標記為「靶 部」或「受容部」。 後述之_案形成區域」係由此種「被噴出部」與 塗敷部」所構成。 ~ 在此本貫施型態之導電性材料8八係「液狀材料」之一 種、。所謂「液狀材料」，係指可由喷頭114之喷嘴118喷出 作為液滴之具有黏度之材料。在此，不問液狀材料為水性 103457.doc -14- 1282761 或油性。只要具備可由喷嘴118喷出之流動性（黏度）即已充 分’即使混入固體物質，只要整體上屬於流動體即可。在 此’理想時為··液狀材料之黏度在1 mPa · s以上5〇 mpa · s以下。液狀材料之黏度在1 mpa · s以上時，在喷出液狀 材料之液滴之際，喷嘴11 8之週邊部難以被液狀材料污 染。另一方面，黏度在50 mPa · s以下時，在噴嘴j 18之阻 塞頻度更小，故可實現圓滑之液滴D喷出。 導電性材料8 A包含分散媒、與分散媒所分散之導電性微 粒子。導電性微粒子之粒徑最妤在1 nm以上1 · 〇 以下。 1.0 μηι以下時，引起喷頭114之喷嘴Π8(圖3)阻塞之可能性 較小。又，1 nm以上時，對導電性微粒子之塗敷劑之體積 比較為適切，故所得之膜中之有機物之比率較為適切。 在本實施型態中，導電性微粒子係平均粒徑約1〇 nm之 銀粒子。又，平均粒徑1 nm程度至數百nm之粒子又稱 「奈米粒子」。依據此種稱法，本實施型態之導電性材料 8 A含有銀之奈米粒子。 (C.喷頭） 其次，洋細說明喷頭114。如圖3(a)所示，喷頭114係具 有複數之喷嘴118之喷墨頭。而，噴頭U4係在喷出頭部 103被支架103A所固定。如圖3(b)所示，喷頭114具有振動 板126、與規定喷嘴11 8之開口之噴嘴板丨28。而，集液部 129係位於振動板126與噴嘴板128之間，在此集液部129中 常被填充由未圖示之外部儲液箱經由孔丨3丨所供應之導電 性材料8A。 103457.doc •15· 1282761 另外’複數之隔壁位於振動板126與喷嘴板128之間。 而，振動板126、噴嘴板128及一對隔壁所圍成之部分係空 腔120。空腔120因對應於喷嘴118被設置，故空腔12〇之數 與喷鳴11 8之數相同。導電性材料8 A經由位於一對隔壁間 之供應口 130而由集液部129被供應至空腔12〇。又，在本 實施型態中，喷嘴118之直徑約27μιη。 而’在振動板126上，對應於各空腔12〇設置各振子 124。各振子124含有壓電元件、與夾著壓電元件之一對電 極彳工制S置112將驅動電屢施加至此一對電極，藉以由 對應之喷嘴11 8喷出導電性材料8Α之液滴D。在此，由噴 嘴118喷出之材料之體積可在〇 pl以上42 pl(微微升）以下間 變化。在此，液滴D之體積之改變可利用改變驅動電壓之 波形（所謂可變點技術）加以實現。又，可調整喷嘴ιΐ8之形 狀，以便由喷嘴Π8向Z方向喷出導電性材料8A之液滴 在本專利說明書中，包含丨個噴嘴118、對應於噴嘴ιΐ8 之空腔120、及對應於空腔12〇之振子124之部份有時又標 記為「噴出部127」。依據此標記法個喷頭114具有與噴 嘴118數同數之噴出部127。噴出部127也可具有電氣熱變 換元件以取代壓電元件。也就是說，喷出部127也可具有 利用電氣熱變換元件之材料之熱膨脹而喷出材料之構成。 但，使用壓電元件之噴出因不對噴出之液狀材料加熱，故 具有難以對液狀之材料之組成造成影響之優點。 (D·控制裝置） 其次，說明控制裝置112之構成。如圖4所示，控制裴置 103457.doc 16 1282761 112具有輸入缓衝記憶體200、記憶裝置2〇2、處理部2〇4、 掃描驅動部206、喷頭驅動部208。輪入緩衝記憶體2〇〇與 處理部204係可通訊地被相互連接。處理部2〇4、記憶裝置 示之匯流 202、掃描驅動部206及噴頭驅動部2〇8係被未图 排可通訊地被相互連接。 掃描驅動部206係與第i位置控制裝置1〇4及第2位置^制

裝置1〇8可通訊地被相互連接。同樣地，噴頭驅動部2〇8係 與噴頭114可通訊地被相互連接。 輸入緩衝記憶體200係由位於液滴噴出裝置ι〇〇之外部之 外部資訊處理裝置（未圖示）接收噴出導電性材料8八之^ = D用之噴出資料。輸入缓衝記憶體2〇〇係將噴出資料供應至 處理部204，處理部204將喷出資料儲存於記憶裝置2〇^。 在圖4中，記憶裝置202係RAM。 處理部204係依據記憶裝置202内之喑ψ次处 _ ^ 贾貝枓，將表示對 被噴出部之喷嘴118之相對位置之資料供應至掃描驅動部 2〇6。掃描驅動部206將對應於此資料與最小噴出週期 Tm(後述）之台驅動信號供應至第2位置控制裝置。此結 果，可改變對被喷出部之噴出頭部1〇3之相對位置。另二 方面，處理部204係依據記憶裝置2〇2内之噴出資料與最I 噴出週期Tm之噴出信號供應至噴頭114。此結果，由二 頭114之對應之喷嘴118喷出導電性材料8八之液滴β。臂 徑制裝置112係 腦。因此，控制裝置112之上述機能可利用電腦 軟體加以實現。當，然’控制裝置112與可利用專用之電路 103457.doc 17 1282761 (硬體）加以實現。 (E·格柵） 其次，說明「最小噴出週期Tm」。最小喷出週期以係指 可由i個喷嘴m連續噴出液滴D之最小時間間隔之意。最 小喷出週期Tm係依存於液狀材料之黏性及喷嘴ιΐ8之直徑 之大小而決定。短於最小噴出週期Tm之時間間隔時，有 可能難以由1個喷嘴118連續噴出液滴D。此係由於在噴嘴 • U8内，形成液狀材料之彎月面有不穩定時之故。又，將 最小喷出週期Tm之倒數標記為最大喷出頻率Fm。 本實施型態之液狀材料係導電性材料8八。而，此導電性 材料8A之最小喷出週期丁也約為5xl〇-5sec，因此，最大噴 出頻率Fm約20 KHz。 、 對台106之喷出頭部103之相對位置在掃描期間中，以 700 mm/Sec之等速度％向丫軸方向變化。另一方面，在噴 出頭部1〇3之相對位置以等速度Vy向變化之期間，喷頭η* | 以最小喷出週期Tm喷出液滴D。如此一來，可 命中在Y軸方向以約35 μιη(=ν7χΤηι)之間 可命中位㈣。因此，㈣方向排列之複數之;= 置CA之間距Ly約為35 μηι(圖5)。 、:，每當！個掃描期間結束時，在其次之掃描期間開始 以前，噴嘴118會向X軸方向以移動間距dx移動。在本實施 型態中’移動間距dx係設定於與間距ly相同，故為35 μπι。由於噴嘴118以移動間距如向又軸方向移動，故可使 各液滴D命中在X軸方向以約35 μηι之間隔排列之複數之可 103457.doc •18- 1282761 命中位置CA。因此，在X軸方向排列之複數之可命中位置 CA之間距LX約為35 μηι(圖5)。 如此’在X軸方向複數之可命中位置C Α以間距LX(約3 5 μηι)排列。同樣地’在γ軸方向複數之可命中位置[八以間 距LY(約3 5 μιη)排列。因此’如圖5所示，複數之可命中位 置CA構成平行於X軸方向與γ軸方向之雙方之格栅3〇。 而’此格栅30包含於掃描範圍之中。另外，袼柵3〇被規定 於喷出資料。在此，本實施型態之袼柵3〇之可命中位置 CA之數為ΜχΝ(Μ，Ν為0以上之整數）個。液滴噴出裝置1〇〇 可選擇地喷出液滴D至此種ΜχΝ個可命中位置CA中之任音、 之可命中位置CA。 又，格柵30、與格柵30之可命中位置CA也可使用作為 後述之基板10A之表面所代表之物體表面上之座標。 圖5中圖示著格柵30之一部分。圖5之複數之可命中位置 CA中，液滴D可能命中之可命中位置€八為17處。為便於 說明，將液滴D可能命中之可命中位置ca又標記為「命中 位置cp」或「CP(m，n)」。接在符號cp後之（m，n)表示袼柵 30之命中位置cp之座標。 可命中位置CA及命中位置CP之任何一方均對應於液滴D 之投影像之大致中心之位置。所謂液滴D之投影像，係指 由喷嘴118向平行於X軸方向與丫軸方向雙方之面（χγ平面） 喷出液滴D時，可將液滴0投影於χγ平面所得之像之意。 向可命中位置CA(或命中位置CP)喷出液滴〇時，液滴D會 以可命中位置CA為中心而命中於液滴D之投影像之範圍。 103457.doc 19 1282761 命中後，液滴D會由投影像之範圍濕潤擴散。 在本實施型態中，液滴D之投影像大致為圓形，其直徑 為0。因此，向可命中位置CA(或命中位置cp)噴出液滴〇 時，液滴D會以可命中位置CA為中心而命中於液滴D之投 影像之半徑0 /2所決定之範圍。 在圖 5 中，CP(m、n)、CP(m+l、n-2)、CP(m+2、n-4)、 CP(m+3、n-6)及CP(m+4、n-8)係位於傾度（-2)之線段 LI 上。CP(m+4、n-8)、CP(m+6、n-8)、CP(m+8、n-8)、 CP(m+l〇、n-8)、CP(m+12、n-8)及 CP(m+14、n-8)係位 於平行於X軸方向之線段L 2上。CP(m+5、n)、CP(m+6、 n-2)、CP(m+7、n-4)及 CP(m+8、n-6)係位於傾度（-2)之線 4又 L 3上。CP(m+8、n-6)、CP(m+10、n_6)、CP(m+12、 n-6)及CP(m+14、n-6)係位於平行於X軸方向之線段乙4 上。 (F·圖案形成方法） (F1·圖案形成區域之形成） 以下，說明直線狀之圖案形成區域之形成方法。圖案形 成區域係包含以CP(m，n)為中心之液滴D之投影像之範圍。 另外’上述圖案形成區域係包含以CP(m+i，n+j)為中心之液 滴D之投影像之範圍。在此，「m」為大於〇而小於μ之整 數。「η」為大於〇而小於Ν之整數。「i」為〇以外之整數且 大於（-m)小於（M-m)之整數。「j」為0以外之整數且大於（_ η)小於（N-n)之整數。 首先，如圖6(a)所示，在具有透光性之基板10A之1個表 103457.doc -20- 1282761 面之全面施打表面改性處理。在本實施型態中，基板i〇a 係玻璃基板，而上述表面改性處理係HMDS處理。在此， 所謂HMDS處理，係指使六曱基二矽氮烷 ((CHASiNHSKCHA)變成蒸氣狀而塗敷於物豸表面之方 法。藉HMDS處理，可在基板1〇A上形成腦抓層12。其 後，可在HMDS層12上形成堤狀圖案18(圖。而， HMDS層12不僅可密接於此堤岸層18，亦密接於基板 10A。因此，HMDS412具有作為可密接於堤狀圖案邮 基板10A之密接層之機能。又，圖6所示之平面係對應於後 述之圖8之B ’ - B剖面。 其次’在HMDS層12上，以自旋式塗敷法塗敷有機感光 性材料。此際，係以可獲得後述之堤狀圖案以之厚度(高 度）方式，塗敷有機感光性材料。其後，利用光照射使塗 敷後之有機感光性材料硬化，而如圖6(b)所示，形成有機 感光性材料層14。在本實施型態中，有機感光性材料層14 之厚度約1 μηι。 . 在此，本實施型態之有機感光性材料係丙烯酸樹脂。但 有機感光性材料也可取代丙烯酸樹脂’而使用聚醯亞胺樹 脂、聚烯烴樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂等中之一種高 分子材料。又’也可取代上述之自旋式塗敷法，而利用= 霧塗敷法、輥式塗敷法、口模式塗敷法、浸潰塗敷法等中 之一種，塗敷有機感光性材料。 其次，如圖6(c)所示，在有機感光性材料層“上塗敷負 型之光阻劑而形成光阻層16。❿，如圖6⑷所示，經由以 103457.doc • 21 · 1282761 遮光罩MK覆蓋之光罩Ml對應於後述之圖案形成區域 24A、24B、24C、24D(圖8)之部分而將光阻層16曝光。

上述之光罩Ml係利用如下方式製造。首先，在玻璃構 成之基板上形成鉻膜。而，依據複數之命中位置Cp與液滴 D之投影像之直徑0將鉻膜圖案化，藉以獲得遮光罩Μκ。 具體上，依照喷出資料與表示液滴D之投影像之直徑必之 資料，利用電子線描繪裝置或雷射描繪裝置選擇地將設於 鉻膜上之光阻膜曝光。而，將選擇地被曝光之光阻膜顯影 後，钱刻鉻膜而獲得遮光罩MK。 其次，如圖7(a)所示，將曝光後之光阻層16顯影。而， 如圖7(b)及⑷所示，㈣有機感光性材料層14而剝離餘刻 後殘留之光阻層16。如此，由有機感光性材料層^獲得複 數之堤岸部18B構成之堤狀圖案18(圖8)。又，圖7所示之 平面係對應於後述之圖8之B，-B剖面。 堤狀圖案18將配線圖案或薄膜圖案之2維的形狀修邊。 而，堤狀圖案18係在其後之噴出工序中，具有作為分隔構 件之機能。又，因構成堤狀圖案18之有機感光性材料係丙 烯酸樹脂，故堤狀圖案18具有透光性。在此，也可取代利 用光微影照相法之圖案化法，而利用印刷法（所謂完全疊 加製程）形成堤狀圖案18。只要堤狀圖案18可將配線圖^ 之2維的形狀修邊，以任何方法形成均無妨。 在此，所謂「配線圖案之2維的形狀」，係指與配線圖案 之底面(也就是說’與基板10A所規定之平面相接之部份) 之形狀大致相同之形狀。 103457.doc -22- 1282761 又也可使用具有無機骨架（石夕氧烧結合）之主鏈與有機 基之材料作為堤狀圖案18之材料。又，也可利用下層為無 機物而上層為有機物所構成之2層以上形成堤狀圖案18(凸 邛）。另外，也可不將光阻層〗6剝離而留在堤狀圖案工8 上。 堤狀圖案18具有露出設在基板1〇八之11]^1)8層12之複數 之開口部AP。而，此等複數之開口部Api各形狀大致與 複數之導電層8(圖9(d))之各2維的形狀一致。也就是說， 在本實施型態中，堤狀圖案18具有完全包圍其後形成之複 數之導電層8之各其周圍之形狀。又，在本實施型態中， 導電層8之圖案對應於上述之r配線圖案」。 當然，堤狀圖案18也可由分別互相分離之複數之堤岸部 18B所構成。例如，也可在分離特定距離且大致互相平行 設置之一對堤岸部18B間，將1個導電層8之各2維的形狀修 邊。此ί肖形’在對應於導電層8之兩端部之部分不設堤岸 部1 8Β也無妨。也就是說，堤狀圖案18並無必要完全包圍 導電層8之2維的形狀之周圍。 又，開口部ΑΡ之上部側之寬度最好寬於開口部Αρ之底 部侧（基板10 Α側）之寬度。此係由於如此可使導電性材料 8A之液滴D更容易濕潤擴散之故。 在HMDS層12上形成堤狀圖案18後，在基板10八施行氮 氟酸處理。氫氟酸處理係例如以2.5 %氫氟酸水溶液餘刻 HMDS層12之處理。在此，堤狀圖案18具有作為光罩之機 能，如圖7(d)所示，除去開口部AP之底部之HMDS層12 103457.doc -23- 1282761 後’可露出基板10A。 其次，在複數之開口部AP之各底部施行賦予親液化之 親液化處理工序。作為親液化處理工序，可選擇照射紫外 線之紫外線（UV)照射處理或在大氣氣體環境中以氧為處理 氣體之〇2電漿處理等。在此，實施〇2電漿處理。 〇2電漿處理係對基板10A(基體1〇)，由未圖示之電漿放 電電極照射電漿狀態之氧之處理。A電漿處理之條件之一 _ 例係電漿功率50〜丨〇〇〇 w、氧氣流量50〜100 mL/min、對電 漿放電電極之基体10之相對移動速度〇·5〜1〇 mm/sec、基體 溫度70〜90°C。 在此，最好以在開口部AP之底部上之液狀之導電性材 料8A之接觸角為20度以下方式，對開口部Ap之底部施行 親液化處理工序（在此為&電漿處理）。當然，如本實施型 態般在基板10A為玻璃基板時，由於其表面對液狀之導電 f生材料8 A已具有某種程度之親液性，故也有不施行親液化 I 處理工序亦無妨時。即使如此，施行〇2電漿處理或紫外線 照射處理時，也可完全除去有可能殘留在開口部AP之底部 上之光阻層及HMDS層之殘渣，故最好施行此等親液化處 理工序。又，親液化處理工序也可為組合〇2電漿處理與紫 外線照射處理之工序。 又，由於〇2電漿處理或紫外線照射處理可充分除去開口 部AP之底部上之HMDS層12，故也有可不必施行利用上述 氫氟酸處理除去HMDS層12時。即使如此，施行上述氫氟 酉文處理與親液化處理工序時，也可確實除去開口部A?之底 103457.doc -24- 1282761 部上之HMD S層12 ’故最好施行氫氧酸處理與親液化處理 工序。 其次’對堤狀圖案1 8施行撥液化處理工序，對其表面賦 予撥液性。作為撥液化處理，採用以四氟化碳（四氟甲燒） 為處理氣體之電漿處理法（CF4電漿處理法）。CF4電漿處理 之條件例如係電漿功率50〜1000 W、四氟化碳氣流量 50〜100 mL/min、對電漿放電電極之相對基體移動速度 0.5〜1020 mm/sec、基體溫度7〇〜9〇〇c。又，作為處理氣 体，也可取代四氟曱烷，而使用其他氟烴系氣體或或 SF5CF3等氣體。 施行此種撥液化處理工序，可將氟基導入構成堤狀圖案 18之樹脂中，故可對堤狀圖案18之表面賦予高的撥液性。 又，作為上述親液化處理工序之Ο:電漿處理也可在形成堤 片、Θ案8七執行。但，丙烯酸樹脂及聚醯亞胺樹脂等具有 在執行利用〇2電漿之前處理時更容易被敗化（撥液化）之性 質，故最好在形成堤狀圖案18後執行〇2電漿處理。 即使接受對堤狀圖案18之撥液化處理工序，開口部Ap -P表面仍可貫質地維持先前被賦予之親液性。尤 其，本實施型態之基板1〇A係玻璃基板，故即使接受撥液 、旨炎里工序，其表面（開口部Ap之底部）仍不會發生氟基之 ‘入現象，因此，不會損及開口部AP之底部之親液性，即 濕潤擴散性。 ,本a轭型怨中’施行對堤狀圖案1 8之撥液化處理工 序後，需對開口部AP底部（圖案形成區域24)再度施行氫氟 103457.doc -25- 1282761 酸處理。如此，在開口部AP底部，可確實使基板l〇A之表 面（玻璃）露出，此結果，可更確實地保持在開口部Ap底部 之親液性。 上述親液化處理工序及撥液化處理工序可使堤狀圖案j 8 表面之撥液性高於開口部Ap之底部表面之撥液性。在本實 施型態中，開口部AP之底部寧可呈現親液性。又，如上所 述，本貫施型態之基板10A係由玻璃形成，故即使施行cF4 _ 電漿處理，也不會將氟基導入開口部AP之底部。因此，不 施行上述之〇2電漿處理（親液化處理工序）而僅施行CF4電 漿處理（撥液化處理工序），仍可使堤狀圖案18表面之撥液 性高於開口部AP之底部之撥液性。但，如上所述，由於具 有"T元全除去開口部AP之底部上之殘逢之優點與可使堤狀 圖案18容易被氟化之優點，故在本實施型態中不省略〇2電 漿處理。 在本實施型態中，受親液化處理工序之複數之開口部 • AP之底部分別對應於圖案形成區域24A、24B、24C、 24D。但，開口部AP之底部對導電性材料8 a已呈希望之親 液性時’如上所述，可省略親液化處理工序。此種情形， 複數之開口部AP之底部直接分別對應於圖案形成區域 24A、24B、24C、24D。 如此如圖8所示，將各2維的形狀被堤狀圖案18修邊之圖 案形成區域24A、24B、24C、24D設在基板10A。在此等 圖案开》成區域24 A、24B、24C、24D分別可藉後述之喷出 工序設置導電層8構成之配線圖案。又，在本實施型態 103457.doc -26 - 1282761 中，設有圖案形成區域24A、24B、24C、24D後之基板 10A對應於基體1〇(圖2)。 在此，直線狀之圖案形成區域24A、24B、24C、24D分 別平行於線段LI、L2、L3、L4(圖5)。直線狀之圖案形成 區域24 A、24B互相連結。同樣地，直線狀之圖案形成區 域24C、24D也互相連結。另外，直線狀之圖案形成區域 24 A、24B、24C、24D具有比液滴D之直徑0略寬之寬 度。在此，其寬度約20 μηι。又，所謂直線狀之圖案形成 區域24Α、24Β、24C、24D之寬度係指沿著正交於長度方 向之長度。 圖案形成區域24Α、24Β、24C、24D中，分別收容分別 對應於圖5所示之17個命中位置所分別對應的17個液滴D之 各投影像。在以下之說明中，上述格柵30係被使用作為表 示基板10Α上之位置之坐標。 圖案形成區域24Α在CP(m，n)與CP(m+l，n-2)之間具有直 線狀之形狀。因此，圖案形成區域24A在CP(m，n)與 CP(m+l，n_2)之間具有（-2)之傾度。同樣地，在CP(m+l，n-2) 與CP(m+4，n-8)之間，圖案形成區域24A之形狀為具有（-2) 之傾度之直線狀。 圖案形成區域24B在CP(m+4，n-8)與CP(m+6，n-8)之間具 有直線狀之形狀。因此，在CP(m+4，n-8)與CP(m+6，n-8)之 間’圖案形成區域2 4 B平行於X轴方向。同樣地，在 CP(m+6，n-8)與CP(m+14，n-8)之間，圖案形成區域24B平行 於X軸方向。 103457.doc -27- 1282761 圖案形成區域24C在CP(m+5，n)與CP(m+6，n-2)之間具有 直線狀之形狀。因此，圖案形成區域24C在CP(m+5，n)與 CP(m+6，n-2)之間具有（-2)之傾度。同樣地，在cp(m+6，n- 2)與命中位置（m+8，n-6)之間，圖案形成區域24C具有（-2) 之傾度。 圖案形成區域24D在CP(m+8，n-6)與CP(m+10，n-6)之間具 有直線狀之形狀。因此，在CP(m+8，n-6)與CP(m+10，n-6)之 間，圖案形成區域24D平行於X軸方向。同樣地，在 CP(m+10，n-6)與CP(m+14，n-6)之間，圖案形成區域24D平 行於X軸方向。 (F2·喷出工序） 其次’向以C,P(m，n)表示之可命中位置CA喷出第1液滴 D ’並向以CP(m+i，n+j)表示之可命中位置CA喷出第2液滴 D而形成覆蓋圖案形成區域24A、24B、24C、24D之導電 性材料層8B。又，在本實施型態中，由1個喷嘴11 8對17個 命中位置CP之全部喷出各液滴D。但，當然，也可由圖 3(a)所示之複數之喷嘴118喷出液滴D。 首先，在液滴喷出裝置100之台106上，將設有圖案形成 區域24A、24B、24C、24D之基體10定位。此結果，圖案 形成區域24A、24B、24C、24D之各表面平行於X軸方向 與Y軸方向。 而，液滴喷出裝置100係依照喷出資料，向圖案形成區 域24A、24B、24C、24D上之命中位置CP噴出液滴D。如 此，可獲得覆蓋圖案形成區域24A、24B、24C、24D之導 103457.doc -28- 1282761 電性材料層8B。 /、體上，液滴噴出裝置1〇〇係使對基體ι〇之噴嘴US之相 對位置由掃描範圍之-端向他端以等速度％向¥轴方向之 ^方向變化。而’如圖9⑷所示，每#噴嘴m到達對應於 p中位置cp之位置，液滴噴出震置1〇〇即由喷嘴ιΐ8喷出導 電性材_之液滴D。噴嘴118之相對位置到達掃描範圍 之他^時’使喷嘴118向χ轴方向移動移動間距崎，液滴 # f出裝置刚使對基體10之喷嘴118之相對位置以等速度^ 向Y軸方向之負方向變化。而，當喷嘴118對應於各命中位 置CP，由喷嘴118喷出導電性材料8八之液滴D。如此，重 複噴嘴118之相對移動與液滴D之喷出，液滴噴出裝置训 即可向掃描範圍之所有命中位置cp喷出液滴d。 在此，向圖案形成區域24A、24C之命中位置cp喷出之 液滴D之體積為第i體積。另一方面，向圖案形成區域 24B、24D之命中位置cp噴出之液滴D之體積為小於第^體 • 積之第2體積。此理由如以下所述。 圖案形成區域24A、24C之形狀既不平行於χ軸方向，也 不平行於γ軸方向。另一方面，圖案形成區k24b、24d之 形狀為平行於X軸方向之直線狀。因此，在圖案形成區域 24B、24D中互相相鄰之2個命尹位置cp間之距離比在圖案 形成區域24A、24C中互相相鄰之2個命中位置之距離 短。另一方面，命中之液滴D之濕潤擴散之距離較為有 限。因此，藉使向圖案形成區域243、24D喷出之液滴^之 體積小於向圖案形成區域24A、24C喷出之液滴〇之體積， 103457.doc -29- 1282761 可使在圖案形成區域24A、24B、24C、24D中，單位面積 之導電性材料8A之體積相同。 圖9 (b)所示’導電性材料$ a之液滴d命中命中位置c p 日守’會向圖案形成區域24A(或24]3、24C、24D)之長度方 向濕潤擴散。在此，圖案形成區域24A之長度方向為紙面 之垂直方向。而，如圖9(c)所示，液滴〇向圖案形成區域 24A之長度方向濕潤擴散時，可形成導電性材料層8B。 • 命中（碰到）互相相鄰之2個命中位置CP之各液滴D會因由 〒中位置CP濕潤擴散而互相混合。此係由於互相相鄰之2 個命中位置CP之間之距離〇1)(圖8)較近之故。具體上，在 圖案形成區域24A(或24B、24C、24D)上，距離DD短於1個 液滴D以命中位置cp為中心而濕潤擴散之範圍之境界與該 命中位置CP間之距離DL之2倍之故。又，如上所述，命中 位置CP大致等於喷出之液滴D中心所碰到之位置。 在上述之噴出資料中，以下列說明之活性化工序後所得 春 之導電層8(圖9(d))之厚度為約1 μπι方式，規定液滴D之體 積與數ΐ。又，圖9(a)〜(d)所示之剖面係對應於後述之圖8 之B，- B剖面。 又，在喷出工序之途中，也可利用加熱器14〇(圖2)促進 導電性材料層8 B之乾燥。 (F.3活性化工序） 在所有圖案形成區域24 A、24B、24C、24D設置導電性 材料層8B之後，使導電性材料層8B活性化而獲得導電層 8。具體上，係煅燒（加熱）導電性材料層8β而使導電性材 103457.doc -30- 1282761 料層叩所含之銀粒子燒結絲敷。為此，輸送I置⑺由 ，滴噴出裝置⑽取出基板1GA而將其送人潔淨爐15〇。於 疋，漂淨爐150锻燒（加熱）基板ι〇Α。 本實施型態之活性化工序係在大氣中所施行之加孰工 :。加熱卫序也可依需要，在含氮、1、氦等惰性氣體環 境中、或氫等還原性氣體環境中執行。加熱工序之加熱溫 度需考慮分散媒之沸點(蒸氣壓）、環境氣體之種類及壓 =、導電性材料層8B之銀粒子之分散性及氧化性等熱的動 態、覆蓋銀粒子之塗敷材料之有無及其量、以及基板i〇A 之耐熱溫度等之後再適宜地加以決定。 本實施型態之活性化工序係利用潔淨爐15〇，在大氣中 以280〜3GG°C將導電性材料層犯锻燒（加熱）3⑼分鐘。在 此’為除去導電性材料層8B之有機成分，最好以約2〇〇。〇 將導電1·生材料層8B锻燒（加熱）。但在使用塑膠等基板取代 玻璃構成之基板1()A時，最好在室溫以上25代以下锻燒 (加熱）。 活性化工序也可採用對導電性材料層犯照射紫外線之工 序，以取代如上述之加熱工序。另外，活性化工序也可採 用組合如以之加㉟工序肖照射紫外線之工序之工序。 藉以上之工序，可獲得覆蓋圖案形成區域24a、24b、 24C、24D之導電層8之圖案（即配線圖案）。如此，可在請 基體上形成對喷嘴118相對移動之方向傾斜之配線圖案、 與對喷嘴118相對移動之方向平行之配線圖案。 (G·電子機器） 103457.doc 31 1282761 錢明本發明之電子機器之具體例。圖ιο⑷所示之手機 600具備有上述實施«之製造方法形成其配線圖案之液 晶顯示裝置6〇1。圖10〇3)所示之攜帶型資訊處理裝置7〇〇具 備有鍵盤7(M、資訊處理本體7()3及上述實施型態之製造方 法形成其配線圖案之液晶顯示裝置7〇2。此種攜帶型資訊 處理4置700之更具體的例子係文書處理機、個人電腦。 圖1〇⑷所示之電子錶型電子機器_具備有上述實施型態 之製造方法所形成其配線圖案之液晶顯示裝置8〇ι。 依據上述實施型態，本發明係適用於液晶顯示裝置之配 線圖案之形成。但，本發明也可適用於有機電致發光顯示 裝置、電漿顯示裝置及㈣（Wace_c〇nducti〇n m她

Ermtter DispIay ;表面傳導電子發射器顯示器）或 FED(Field Emissi〇n Display;電場發射顯示器）之之配線 圖案之形成。 又，在本專利說明書中，有時將液晶顯示裝置、電致發 光顯示裝置、電漿顯示裝置、SED、FED等標記成「光電 裝置」。在此，在本專利說明書中所稱之「光電裝置」，並 必限定於利用雙折射性之變化、旋光性之變化、光散射性 之變化等光學的特性之變化（所謂光電效應）之裝置，而係 思味著依照信號電壓之施加出射、穿透或反射光線之所有 裝置。 以上，一面參照附圖一面說明本發明之理想之實施型 態，但本發明當然不限定於該例。在上述之例中所示之各 構成構件之諸形狀及組合等僅係一例，在不脫離本發明之 103457.doc -32- 1282761 主旨之範圍内，自可依據設計要求等作種種之變更。 (變形例1) 依據上述實施型態，直線狀之圖案形成區域24a、 24B、24C、24D分別含有4個以上之命中位置Cp。但，^固 圖案形成區域24A(或24B、24C、24D)所含之命中位置cp 之數也可為2個。具體上，只要命中互相相鄰之2個命中位 置CP之各液滴D可互相混合，直線狀之圖案形成區域所含 φ 之命中位置CP之數也可為2個以上之任何數。 圖11所示之複數之圖案形成區域24E、24F分別含有2個 命中位置CP。而，傾度（_0.5)之圖案形成區域24E與傾度 (-2)之圖案形成區域24F交互連結。在此，位於互相鄰接之 2個圖案形成區域24E、24F之境界之命中位置cp對應於2 個圖案形成區域24E、24F之雙方。本發明之圖案形成方法 亦適用於此種形狀之圖案形成方法。⑮，因傾度變化之位 置較少時，較難以發生配線圖案之斷線，故丨個直線狀之 • 圖案形成區域24A(或2化、24C、24〇)以較長為宜。 另外，被堤狀圖㈣或撥液圖案58修邊之圖案形成區域 24之形狀也可非為直線狀。作為其“列，圖u係圖示具有 分別為曲線狀之形狀之4個圖案形成區域24〇。如此，只要 命中互相相鄰之2個命中位置cp之各液滴〇可互相混:， 圖案形成區域24(24G)之形狀為曲線狀或直線狀均盈妨。 又，在圖U中，4個圖案形成區域⑽分別含有⑽命中位 置CP。但，位於互相鄰接之2個圖案形成區域則之境界 之命中位置CP對應於2個圖案形成區域24G之雙方。 103457.doc -33 - 1282761 (變形例2) 依據上述實施型態，堤狀圖案18可將圖案形成區域 24A、24B、24C、24D修邊。但也可取代堤狀圖案18而藉 撥液圖案58將圖案形成區域24A、24B、24C、24D修邊。 撥液圖案58之形成方法如下所述。 而’對基板10A表面、與保護層16Q表面施行撥液化處 理。作為撥液化處理之方法之一，有在基板1〇A表面形成 有機分子膜等自我組織化膜之方法。 構成有機分子膜之分子具有可結合於基板1〇A之官能 基、改善基板10A表面特性（控制表面能量）之官能基、及 連結此等官能基之碳之直鏈或一部分分歧之碳鏈。而，該 種分子可結合於基板10A而形成分子膜，例如單分子膜。 自我組織化膜係由互相向同方向定向之分子所組成之 膜。此種分子係由可與構成基板1〇A表面等之底層之原子 反應之結合性官能基、及其他之直鍵分子所構成。而，此 分子受惠於直鏈分子之相互作用而具有極高之定向性。因 係由互相向同方向定向之分子組成自我組織化膜，故自我 組織化膜之厚度極薄。且其厚度在分子位準上保持均句。 更由於單分子之相同部位位於自我組織化膜之表面，故自 我組織化膜之表面特性（例如撥液性）在表面上相當均勻。

可構成作為自我組織化膜之有機分子膜之化合物中，可 呈現撥液性之化合物之一例係氟代烷基矽烷(以下又稱 FAS)。FAS結合於底層之基板1〇A時，分子會以氟代烷基 位於自由表面方式被定向而形成自組織化膜（以下又稱FAS 103457.doc -34- 1282761 膜）。氟代烷基整齊排列之fas膜表面之表面能量較小，故 呈撥液性。如此在基板10A之表面形成FAS膜時，可對基 板10A之表面賦予撥液性。又，faS膜不僅對基板10A之表 面賦予撥液性，對基板10A之密接性亦高，故耐用性優 異。 FAS中，有十七氟_l5l，2,2四氫癸基三乙氧基矽烷、十七 氟-1，1，2,2四氫癸基三甲氧基矽烷、十七氟_1，1，2,2四氫癸

基三氯石夕烧、十三氟- m2四氫辛基三乙氧基矽烷、十 二氟-ι，ι，2,2四氫辛基三曱氧基矽烷、十三氟-四氫 辛基二氯矽烷、三氟丙基三甲氧基矽等之氟烷基矽烷。在 使用之際，單獨使用一種化合物固屬理想，但組合使用2 種以上之化合物，只要不損及本發明之預期目的，亦不受 限制。 更具體而言，FAS—般係以結構sRnSix(4n)表示。在 此，η係表示丨以上3以下之整數，χ係表示甲氧基、乙氧 基、-素原子等加水分解基。又，轉表示氟代烧基，具 有（CF3)(CF3)x(CF3)y(在此’ χ表示〇以上1〇以下之整數；y 表不0以上4以下之整數）之結構，複數個尺或χ結合於以 時’ R或X既可分別全部㈣’亦可相所示之加水分 解基係藉加水分解而形切醇，與基板iqa(玻璃、石夕）等 之底層之經基起反應而藉石夕氧貌鏈與基板i〇a結合。另一 方面RSI表面具有（CF3)等之氟基，故可將底層物體（在 此為基板心）之表面改性成為不會濕潤（表面能量較低）之 表面。 103457.doc -35- 1282761 在基板10A上由氣相形成FAS膜之方法如下：事先將上 述原料化合物（即FAS)與基板1〇A置入同—密閉容器中，在 室温時，放置2〜3日程度。如此，可在基板1〇A上形成由有 機分子膜構成之自組織化膜（即FAS膜卜又，將整個密閉 容器保持於lOOt：時，在3小時程度，即可在基板i〇a上形 成FAS膜。 又，在基板10A上由液相形成FAS膜之方法如下：首 • 先，在基板1〇A表面照射紫外線或利用溶劑洗淨而施行前 處理。而，將基板10A浸潰於含原料化合物（即FAS)之溶液 中洗淨烘乾時，可在基板10A上獲得自組織化膜（FAS 膜）。又，基板10A表面之前處理也可適宜地予以省略。 利用以上方式，如圖12(a)所示，在基板1〇A上設置撥液 膜（FAS膜）56。而，如圖12(b)所示，經由以遮光罩Μκ覆蓋 將配線圖案之2維的形狀修邊之部分之光罩Μι，將fas膜 56曝光。如此，被光照射之部分之撥液膜“會被分解，故 肇可形成圖12⑷所示之撥液圖案58。同時露出各2維的形狀 被撥液圖案58修邊之複數之部分（基板1〇A表面）。 撥液圖案58具有完全包圍其後形成之複數之導電層8之 各其周圍之形狀。當然，撥液圖案58也可由分別互相分離 之複數之撥液部58B所構成。例如，也可在分離特定距離 且大致互相平行設置之一對撥液部58B間，將丨個導電層8 之各2維的形狀修邊。此情形，在對應於導電層8之兩端部 之部分不設撥液部58B也無妨。也就是說，撥液圖案“並 無必要完全包圍導電層8之2維的形狀之周圍。 103457.doc •36· 1282761 在本文形例中，各2維的形狀被撥液圖案58修邊之複數 15刀係刀別對應於圖案形成區域24A、mb、24C、 24D 〇 又，作為表示物體表面之撥液性之指標之一係液狀之材 料在物體表面上所不之接觸角。在物體表面上液狀之材料 所不之接觸角愈大時，物體表面對液狀之材料會呈現愈大 之撥液ι±。在本變形例中，在撥液圖案58上，導電性材料 _ 8A所不之接觸角比在圖案形成區域μ上導電性材料μ所 示之接觸角大3〇度以上。 (變形例3) 在上述實施型態中’·喷嘴118對台1〇6相對移動之方向係 平行於互相正交之2方向（χ軸方向及Y軸方向）之雙方。因 此，格栅30為矩形。但’只要喷嘴118可對台雨施行2維 的相對移動，不互相正交也無妨。也就是說，喷嘴川對 台106向互相相4之2方向（本發明之第1方向與第2方向）相 鲁 #移動即可。此情形，上述實施型態之格栅3〇之形狀為平 行四邊形。 (變形例4) 案形成方法形 不限定於配線 方法也可適用 之圖案之形成 依據上述實施型態，利用本實施型態之圖 成配線圖案。但，本發明之圖案形成方法並 圖案之形成方法之型態。本發明之圖案形成 於取代配線圖案而由絕緣材料層之圖案構成 方法。 (變形例5) 103457.doc -37- 1282761 依據上述實施型態，利用潔淨爐150之加熱使導電性材 料層8B最終地活性化。但，也可取代加熱而藉由照射紫外 區域、可見光區之波長之光或微波等之電磁波，以使此等 導電性材料層8B活性化。又，也可取代此種活性化，僅將 導電性材料層8B烘乾。此係由於被提供之導電性材料層 8B僅放置也可產生導電層8之故。但與其僅將導電性材: 層8B烘乾，不如採用施行某種活性化時，其導電層8之產

生時間更短。因此，使導電性材料層犯活性化更為理想。 (變形例6) " 在上述實施型態中，直線狀之圖案形成區域24a、2化 並不平行於X軸方向。而，圖案形成區域24A與χ軸方向形 成之角度和圖案形成區域24C與X軸方向形成之角度相 同。但’不平行於料方向之圖案形成區域ΜΑ、2化也可 對X轴方向呈現互異之角度。也就是說，圖案形成區域

湯與X軸方向形成之角度和圖案形成區域加與χ轴方向 形成之角度也可互異。 【圖式簡單說明】 圃U糸表示本實 丁衣适装置之模式圖。 圖2係係表示本實施型態之液滴噴出裝置之模式圖。 圖3 Ο)係係表示本實施型態之喑 .m .— ‘之贺出碩部之喷頭之底名 、…/ (b)係表不喷頭之_噴出部之模式圖。 圖4係係表示本實施型態之液滴 機能區塊圖。 夜“出裝置之控制裝s 圖5係係表示本實施型態之噴出資料之概念圖 103457.doc -38- 1282761 圖6(a)至（d)係被堤狀圖案修邊之圖案形成區 之說明目。 K形成方 圖7(a)至（d)係被堤狀圖案修邊之圖案形成區 ^ ^ no 、啦成方 電 圖8係被堤狀圖案修邊之圖案形成區域之模式圖 圖9(a)_(d)係表示在本實施型態之圖案形成區域形成 層之方法之模式圖 ^ 圖lOUHc)係表示本實施型態之電子機器之模式圖。 圖11係表示本實施型態之圖案形成區域之變形例之模式 圖12(a)至（c)係被撥液圖案修邊之圖案形成區域之形成 方法之模式圖。 夕 圖13係表示被堤狀圖案修邊之線狀部分與連結互相相鄰 之2個命中位置之直線非平行時之模式圖。 何 【主要元件符號說明】 10 基體 10A 基板 12 HMDS 層 16Q 保護層 18 堤狀圖案 24A，24B，24C，24D 圖案形成區域 30 格拇 58 撥液區域 100 液滴噴出裝置 103457.doc •39· 1282761 106 台 112 控制裝置 114 喷頭 118 喷嘴 CA 可命中位置 CP 命中位置 103457.doc -40-

Claims (1)

1. 年 J a "―1 .補充I • 4 〇θ^28628號專利申請案 • 中文申請專利範圍替換本(95年9月） ， 十、申請專利範圍： L 一種圖案形成方法，其係利用由噴嘴喷出第以滴及第2 液滴之液滴喷出裝置在物體表面形成圖案者；其包含 …（A)丨係在用整數之mAn表示前述物體表面上 之座標，並用⑷表示〇以外之2個整數時，以使（m，n)之 可〒中位置與前述第1液滴之第1投影像之中心大致一致 =月J述第1投影像之範圍、及（m+i，叫）之可命中位置 與几前旦述第2液滴之第2投影像之中心大致一致時之前述第 2奴〜像之耗圍位於前述物體表面上之圖案形成區域内 之方式，形成將前述圖案形成區域修邊之堤狀圖案者； ^驟（B) ’其係將前述第1液滴喷出至前述（m，n)之可命 中位置，並將前述第2液滴噴出至前述（m+u+j)之可命 中位置，以形成覆蓋前述圖案形成區域之圖案者； ^前述第1液滴與前述第2液滴在前述圖案形成區域上 只月後互相合机之方式，決定前述（m，^)之可命中位盘 前述（朗州）之可命中位置間之距離。 、 2·如請求項1之圖案形成方法，其中 、則述步驟（A)係包含以可獲得直線狀或曲線狀之2個前 述=案形成區域之方式，形成前述堤狀圖案之步驟； 前述2個圖案形成區域係互相平行者。 3·如請求項1之圖案形成方法，其中 、别述步驟（A)係包含以可獲得直線狀或曲線狀之2個前 述圖案开y成區域之方式，形成前述堤狀圖案之步驟，· 前述2個圖案形成區域係非互相平行者。 103457-950929.doc 1282761 4.如請求項3之圖案形成方法，其中 f線狀之前述2個圖案形成區域係互相連結； :述2個圖案形成區域之一方係平行於第1方向； 則述2個圖案形成區域之他方係相對前述第!方向成為 大於0。而小於90。之角度； ^步驟（B)係包含向前述—方之圖案形成區域之前述 :位置嘴出第1體積之前述液滴，並向前述他方之 ^案形成區域之前述可命中位置噴出小於前述第ι體積 之弟2體積之前述液滴之步驟者。 5. 、—種圖案形成方法’其係利用由噴嘴喷出第1液滴及第2 、文滴之液滴喷出裝置在物體表面形成圖案者；其包含 步驟㈧’其係在用整數之域η表示前述物體表面上 之座標，並用i及j表示〇以外之2個整數時時，以使卜） 之可叩中位置與則述第！液滴之第i投影像之中心大致一 致時之前述第i投影像之範圍、及㈣㈣之可命中位 …述第2液滴之第2投影像之中心大致一致時之前述 第2投影像之範圍位於前述物體表面上之圖案形成區域 内之方式，形成將前述圖案形成區域修邊之撥液圖案 者； ^ 步驟（B) ’其係將前述第1液滴噴出至前述（m，n)之可命 中位置’並將前述第2液滴噴出至前述（m+U+j)之可命 中位置’以形成覆蓋前述圖案形成區域之圖案者； 以前述第1液滴與前述第2液滴在前述圖案形成區域上 擴散後互相合流之方式，決宁义、γ . 103457.950929.doc _ 2 ^疋則述（Π1，Π)之可命中位置與 ^82761 則述（m+i，n+j)之可命中位置間之距離。 ★明求項5之圖案形成方法，其中 1、乂驟（A)係包含以可獲得直線狀或曲線狀之2個前 圖宰 jr^ 、 1 ο 7底區域之方式，形成前述撥液圖案之步驟； 則述2個圖案形成區域係互相平行者。 7·如=求項5之圖案形成方法，其巾 述乂驟（A)係包含以可獲得直線狀或曲線狀之2個前 ：案形成區域之方式，形成前述撥液圖案之步驟； 前述2個圖案形成區域係非互相平行者。 8·如請求項7之圖案形成方法，其中 直線狀之前述2個圖案形成區域係互相連結； f述2個圖案形成區域之—方係平行於第i方向； 月J述2個圖案形成區域之他方係相對前述第！方向成為 大於0。而小於90。之角度； …、 前述步驟（B)係包合Λ且、+、 _ 可^向則述一方之圖案形成區域之前述 贺出第1體積之前述液滴，並向前述他方之 圖案形成區域之前述可命中位置噴出 之第2體積之前述液滴之步驟。 體積 9.如請求項1之圖案形成方法，其中 前《滴喷出裝置係構成使前述喷嘴在互異之第 向及第2方向相對移動 义 多動而由則述喷嘴選擇地將複數 述液滴喷出至複數之前计叮八山 趿数之則 疋别逑可命中位置之各位置； 前述複數之可命中位署 位置係構成平行於前述第 前述第2方向之袼柵； 禾万向與 I03457-950929.doc 1282761 前述複數之可合± 、 中位置沿著前述第1方向之第1間距係 依據前述噴嘴對侖、+、Μ ” 則述弟1方向之相對移動速度、與對應 於f述液狀材料之最小噴出週期加以決定； 〜 2複數之可命中位置沿著前述第2方向之第2間距係 第2方向之相對移動間距加以決 定。 、 10.如請求項5之圖案形成方法，其中 白喷/裝置係構成使前述嘴嘴在互異之第1方 …晴屮移動而由前述噴嘴選擇地將複數之前 述：滴_複數之前述可命中位置之各位置； 前述複數之可命中位w後 成平行於前述第1方向與 則述弟2方向之格柵； 前述複數之可命中位置沿 依據前述喷嘴對前述第丨# θ θ1係 二 弟1方向之相對移動速度、盘對應 於别述液狀材料之最小噴出週期加以決定； 前述複數之可命中位置沿著 :， 依據前述噴嘴對前述第2方向之方向之第2間距係 . 万向之相對移動間距加以決 疋0 11 ·如請求項1至1 0中任一項之圖宰 成方法，苴中 前述液狀材料係導電性材料者。 12. —種電子機器之製造方 圖案形成方法者。 13. —種基體之製造方法， 之第1方向及第2方向相 103457-950929.doc ”係包含如請求項9或10之 口亥基體係包令 ^ 3错由使噴嘴在互異 對移動而由訢、+、+ 田則述赁嘴喷出第1液 1282761 滴與第2液滴之液滴喷出奘罟 貝忒置而被賦予刖述第i液滴與第 2液滴之圖案形成區域者；該製造方法係包含 在用整數之m及η表示前成其辨本二 双不刚述基體表面上之座標，並用i 及j表示0以外之2個整數時0寺，以使（m，n)之位置與前述 第1液滴之第1投影像之中心大致—致時之前述第傻影 像之範圍、及（m+i,n+j)之位置與前述第2液滴之前述第2

   投影像之中心大致一较n主々义、+、故。t ^ 致時之刚述弟2投影像之範圍位於 剞述圖案形成區域内之方 义 心万式形成將刖述圖案形成區域 修邊之堤狀圖案之步驟， 而以前述第1液滴與前述第2液滴在前述圖案形成區域 上擴政後互相"L之方式，決定前述（_)之位置與前述 (m+i，n+j)之位置間之距離者。 14·種基體之製造方法，該基體係包含藉由使喷嘴在互異 苐方白及第2方向相對移動而由前述喷嘴喷出第1液 滴與第2液滴之液滴噴出裝置而被賦予前述第1液滴與第 2液滴之圖案形成區域者；該製造方法係包含 在用整數之m及n表示前述基體表面上之座標，並用i 及j表示0以外之2個整數時時，以使（m，n)之位置與前述 第1液」投影像之中心大致一致時之前述第】投影 像之範圍、及（m+i，n+j)之位置與前述第2液滴之第2投影 像之中心大致-致時之前述第2投影像之範圍位於前述 圖案形成區域内之方式，形賴前述圖案形成區域修邊 之撥液圖案者； 而以前述第1液滴與 103457-950929.doc 前述第2液滴在前述圖案形成區域 -5- 1282761 上擴散後互相合流之方式，決定前述（m，n)之位置與前述 (m+i，n+j)之位置間之距離。

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