TWI277367B - Hole injection structure of organic electroluminescence device and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1277367. 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種有機電激發光結構及其製造方法，尤 指一種具有可降低驅動電壓之有機電激發光結構及其製造 方法。 【先前技術】 平面顯示态具有傳統陰極射線管（Cathode Ray Tube， CRT )顯示器不可比擬的優勢：省電、無輻射、體積小， 因此平面顯示器漸漸取代了陰極射線管顯示器。隨著平面 顯示技術的提昇，平面顯示器的產品價格不斷降低，使得 平面顯示器更普及且朝向大顯示尺寸發展，而在現今各種 平面顯示器之中，有機電激發光顯示器更是目前最受囑目 的產品。 請參考第1圖。第1圖為習知有機電激發光結構之示意 圖。如第1圖所示，習知有機電激發光結構包含有一陽極 12設於一基板1〇上、一陰極14設於陽極12之上方，以 及一有機發光層16設於陽極12與陰極14之間。此外，習 知有機電激發光結構另包含有一電洞注入層18與一電洞 傳輸層20，設於陽極12與有機發光層16之間，以及_電 子注入層22與一電子傳輸層24，設於有機發光層16與陰 極14之間。 1277367 有機電激發光結構的發光原理簡述如下。當陽極12與 陰極14之間存在一偏壓的情況下，電洞會經過電洞注入層 18與電洞傳輸層20進入具有發光特性的有機發光層16 内’而同樣地電子亦會經由電子注入層22與電子傳輸層 ' 24進入有機發光層16内。當電子與電洞在有機發光層16

内再結合時會形成激發光子（exciton)，再將能量釋放出來 • 而回到基態（ground State)，而這些被釋放出來的能量中， 由於所選擇的發光材料的不同，可使部份能量以不同顏色 的光的形式釋放出來，而形成有機電激發光結構的發光現 對於有機電激發光結構而言，電洞注入層18作用之一 在於降低驅動電壓，進而減低陽極12與電洞傳輪層2〇之 鲁間的能障，並提升發光效率。一般而言，習知電洞注入層 18係使用單一有機材料層，例如npb，或是單一金屬氧化 物層，然而在應用上存在著限制，特別是當陽極12與電洞 傳輸層20介面之功函數相差較大的情況下，習知電洞注I 層18對於降低驅動電壓的效果有限，因而造成有機電激發 光結構的壽命減短或發光效率不佳。 又 【發明内容】 種有機電激發光結構之 本發明之目的之一在於提供_ 1277367 電洞注入結構與其製作方法，以降低有機電激發光結構之 驅動電壓。 為達上述目的，本發明提供一種有機電激發光結構。上 . 述有機電激發光結構包含有至少一陽極設於一基板上、至 少一電洞注入結構，其包含有至少一第一材料層與至少一 第二材料層堆疊於該陽極上、至少一有機發光層設於該電 _ 洞注入結構之上，以及至少一電子源層設於該有機發光層 之上。上述該第一材料層包含有至少一第一傳導材料與至 少一有機材料之一混合物，且該第二材料層包含有至少一 第二傳導材料。 為達上述目的，本發明另提供一種製造有機電激發光結 構之方法。首先形成至少一陽極於一基板上。接著形成至 少一電洞注入結構於該陽極上，其中該電洞注入結構包含 參 有至少一第一材料層與至少一第二材料層，而該第一材料 層包含有至少一第一傳導材料與至少一有機材料之一混合 物，且該第二材料層包含有至少一第二傳導材料。隨後形 成至少一有機發光層於該電洞注入結構之上，並形成至少 一電子源層於該有機發光層之上。 為達上述目的，本發明另提供一種電洞注入結構。上述 電洞注入結構包含有至少一第一材料層與至少一第二材料 1277367 層。上述該第一材料層包含有至少一第一傳導材料與至少 一有機材料之一混合物，且該第二材料層包含有至少一第 一傳導材料。 以下為有關本發明之詳細說明與附圖。然而所附圖式僅 - 供參考與辅助說明用，並非用來對本發明加以限制者。 【實施方式】 請參考第2圖至第4圖。第2圖至第4圖為本發明一較 佳實施例之有機電激發光結構的方法示意圖。如第2圖所 不，首先提供一基板30，其中基板30係區分為一元件區 32與一顯示區34。由於本實施例係選用一主動式有機發光 二極體顯示面板(AM0LED)為例說明本發明，因此基板3〇 上1成有薄膜電晶體陣mTFT amy),—若有機電激發 光^構係應用於-被動式有機發光二極體顯示面板，則可 不:薄膜電晶體陣列，而利用掃描線控制有機電激發光結 構爺另外’為彰顯本發明之特點，圖示中僅顯示出-與有 發光結構電性連接之薄膜電晶體Μ。薄膜電晶體包 ^ 閑極41、一介電層42覆蓋於閘極41上、一半導體 層、位於介電層42上、摻雜非晶石夕層44位於閉極41二 上導體層银43上，以及源極/汲極45堆疊於摻雜非晶矽 :例，t本實施例係以一底閘_薄膜電晶體40 " ;只際4作上亦可使用頂閘（top gate)薄膜電晶體4〇 1277367 或其之類型ΐ薄膜電晶體，且半導體層43可為多晶石夕層、 非晶石夕層或I晶㈣等。此外，基板3G之材 曰 材質如玻璃或石英，不透#妊所^、χ 、 了為透先 丨不透域質如_或铸體材質 是可撓式材質如塑膠。 、/ 接著於顯示區34之介電層42上形成一陽極50,並與薄 膜電晶體4G之源極級極45電性連接，其中 用功函㈣為3.8ev之祕合金(Α_作為陽極5〇 = 質’但陽極50之材質並不侷限於此而可選用其它適用之材 質。隨後在於源極/汲極45上覆蓋—保護層％。 如第3圖所示，接著於陽極％上形成至少—第一材料 層52。第一材料層包含有至少-第-傳導材料與至少一有 機㈣之混合物。本實施㈣制銀(功函數約為4.7ev)作 為第一傳導材料，而有機材制顧用狀心⑽萘基） -N，N -一本基-U’_聯苯基〕_4,4，_二胺(NpB)，同時於上述混 合物中銀所佔之比例約為介於1%至1()%之間，並以抓為 較佳，有機材料所佔之比例則約為介於9〇%至鴨之間， 並以95〇/〇為較佳。另外值得注意的是於本實施例中第一傳 導材料與有機材料係為—均勻混合物，但並不限於此，同 時第-傳導材料並不限於銀，亦可選用其它金屬例如鎳、 金、鉑等，或是其它功函數大於4電子伏特之金屬或合金， 而有機材料亦不限於使用NPB，而可為其它適用之有機材 1277367' ， 料，例如聚乙烯二氧塞吩/聚苯乙烯石黃酸納（polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonate，PEDOT:PSS)、7Γ -共 軛分子-4,4’，4” -三瘀(3·甲基苯基苯胺）三苯胺(4,4，，4” -tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine， m-MTDATA)或聚苯胺(polyabuline)等。接著，再於第一材 ' 料層52上形成一第二材料層54。第二材料層54包含有至 ^ 少一第二傳導材料，而於本實施例中第二傳導材料係選用 0 功函數約為5.2ev之氧化鎢，但第二傳導材料亦可選用其 它金屬氧化物，例如氧化镨、氧化釩或氧化鉬等，或其它 適合之金屬，亦或是金屬與金屬氧化物之混合物。上述第 材料層52與第二材料層54即構成本實施例之電洞注入 結構5 6。 、如第4圖所示，隨後於第二材料層“上依序形成一電 同傳輸層58、-有機發光層6〇，以及一電子源層，即 構成本發明之有機電激發光結構。其巾電子闕W係包含 -陰極64及一電子傳輸層68，當然電子傳輸層68與陰極 之間可再包含有一電子注入層％。另外，上述電洞傳輸 =、有機發光層⑼、電子傳輪層⑽、電子注人層㈣ =Γ所使社材f可為現行料適狀材質，本發明對 電=特別限制。舉例來說，電洞傳輸層58可使用NPB， 何有機t層62可使用Alq，而有機發光層6G則可使用任 Ί有機發光材料或高分子發光材料。 11 1277367 上述本發明實施例之古 有機材料組成之第-材料/^激發光結構係使用金屬與 材料層54組成電洞注入“弘與:屬氧化物組成之第二 電麗之功效，“本發明 料達財效減低驅動 ^ . 有機發光結構並不限於上述實 靶例，而可選用其它種類 不限於Μ- 繼蟢失桊筮4闰 孓貝、、且成电洞注入結構56。請 :播二Γ 用氧化鶴（功函數約為5圳，而 材料則U咖’而第二材料層54之第二傳導材料則 、糸選用乳化嫣。於上述氧化鶴與鹏之混合物中，氧化 鎮所佔之關約介於1%至99%之間，並时於職至30% 為較佳，*腦所佔之比例約介於1%至99%之間，並以 介於70%至90%為較佳，同時於本實施例中，氧化鎮與腦 係為-均勻混合物’但並不限於此。另外第一傳導材料亦 了選用其匕金屬氧化物，例如氧化镨、氧化飢或氧化銷等， 或是金屬與金屬氧化物之混合物，且有機材料亦不限於 npb。另外’弟一傳導材料亦不限於氧化鎮，而可為氧化 鳍、氧化釩、氧化鉬或其它適合之金屬氧化物，或其它適 合之金屬，亦或是金屬與金屬氧化物之混合物。 上述為本發明之有機電激發光結構之電洞注入結構的 二較佳實施例。請參考第5圖，第5圖為本發明之有機電 激發光結構之電壓與電流密度之關係圖。第5圖中比較了 12 1277367 A至不同電洞注入結構組成之電壓與電流密度的關 係，其中於本實驗數據中係以祕合金作為陽極、咖作 為電满傳輸層、Alq作為有機發光層、碳1_與Alq作為 電子傳輸層、氟㈣作為電子注人層，以及銀作為陰極。 此外，數據A為第—實_所揭示之由銀與鹏之均句混 合物構成第—㈣層’以及域化㈣成第二材料層之兩 構，而數據B則為第二實施例所揭示之域化= 第-Μ #勻混合物構成第—材料層’以及由氧化鶴構成 ^材料層之電洞注入結構。另外，數據c至Ε則為對照 :中數據c為單獨使用氧化鎢作為電洞注入結構之作 法、數據D為單獨利用ΝΡΒ作為第一材料層，以及以氧化 鶴作為第二材料層構成電洞注入結構之作法，而數據£則 為單獨利用氧化鎢與ΝΡΒ之混合物構成電洞注入結構之作 法。如第5圖所示，本發明二實施例之電洞注入結構(數據 Α、Β)岣可有效降低有機電激發光結構之驅動電壓，相較之 下，其它電洞注入結構(數據C、D、Ε)之驅動電壓則明顯 大於本發明電洞注入結構之驅動電壓。 值得另行說明的是本發明上述二實施例之第一材料層 均係以第一傳導材料與有機材料之均勻混合物為例，說明 本發明之特徵與功效，然而第一材料層之組成並不侷限於 均勻處合物，而亦可為不均勻混合物’例如具有梯度濃产 分布之混合物。請參考第6圖至第8圖，第6圖至第8圖 13 1277367 為本發明其它實施例之第一材料層之濃度分布示意圖，其 中於第6圖至第8圖中，橫軸代表第一材料層之厚度百分 比，而縱軸則代表第一傳導材料與有機材料之濃度百分 比。如第6圖所示，第一材料層之第一傳導材料的濃度係 介於1%至10%之間，並呈現遞增分布，而有機材料的濃度 則係介於90%至99%之間，並呈現遞減分布。如第7圖所 示，第一材料層之第一傳導材料的濃度係介於1%至10%之 間，並呈現遞減分布，而有機材料的濃度則係介於90%至 99%之間，並呈現遞增分布。如第8圖所示，第一材料層 之第一傳導材料的濃度係介於1%至10%之間，同時位於二 侧之介面部分的濃度較低而呈現梯度分布，而有機材料的 濃度則係介於90%至99%之間，同時二侧之介面部分的濃 度較高而呈現梯度分布。上述第6圖至第8圖所示之濃度 分布係以第一傳導材料為金屬為例，說明本發明第一材料 層之不均勻濃度分布之實施例，若第一傳導材料選用金屬 氧化物或金屬/金屬氧化物之混合物，則濃度分布之範圍應 視電洞注入效果作適度調整。 本發明之電洞注入結構利用金屬或金屬氧化物與有機 材料之混合物作為電洞注入結構之一部分，可有效提升電 洞濃度與電洞傳輸速度，進而有效降低有機電激發光結構 之驅動電壓。另外值得說明的是上述第一傳導材料與有機 材料之選擇與其混合比例，以及第二傳導材料之選擇可根 14 1277367, „ 據陽極與電洞傳輸層或有機發光層之材質不同作適當調 整，以適用於各種功函數之介面。 綜上所述，本發明之有機電激發光結構之電洞注入結 . 構，可有效降低驅動電壓、提升電洞濃度與電洞傳輸速度， ' 同時對於各種不同功函數介面均有良好的電性表現。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專 I 利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖為習知有機電激發光結構之示意圖。 第2圖至第4圖為本發明一較佳實施例之有機電激發光結 構的方法示意圖。 第5圖為本發明之有機電激發光結構之電壓與電流密度之 • 關係圖。 第6圖至第8圖為本發明其它實施例之第一材料層之濃度 分布示意圖。 1 【主要元件符號說明】 10 基板 12 陽極 14 陰極 16 有機發光層 18 電洞注入層 20 電洞傳輸層 15 1277367 22 電子注入層 24 30 基板 32 34 顯不區 40 41 閘極 42 43 半導體層 44 45 源極/汲極 46 50 陽極 52 54 第二材料層 56 58 電洞傳輸層 60 62 電子源層 64 66 電子注入層 68 電子傳輸層 元件區 缚膜電晶體 介電層 摻雜非晶矽層 保護層 第一材料層 電洞注入結構 有機發光層 陰極 電子傳輸層 16

Claims (1)

1277367· 十、申請專利範圍： 1. 一種有機電激發光結構，包含有： 至少一陽極，設於一基板上； 至少一電洞注入結構，包含有至少一第一材料層與至少 ^ 一第二材料層堆疊於該陽極上，該第一材料層包含 ' 有至少一第一傳導材料(first conductive material)與 ~ 至少一有機材料之一混合物，且該第二材料層包含 φ 有至少一第二傳導材料(second conductive material); 至少一有機發光層’設於該電洞注入結構之上；以及 至少一電子源層，設於該有機發光層之上。 2·如請求項1所述之有機電激發光結構，其中該第一材料 層所包含之該第一傳導材料與該有機材料之該混合物 籲 係為一均勻混合物。 3·如請求項1所述之有機電激發光結構，其中該第一材料 層所包含之該第一傳導材料與該有機材料之該混合物 係為一具有梯度濃度分布之混合物。 4·如請求項1所述之有機電激發光結構，其中該第一傳導 材料包含有金屬、金屬氧化物或上述材料之混合物。 17 1277367. 5.如請求項4所述之有機電激發光結構，其中該第一傳導 材料係為一金屬，且該金屬約佔該混合物之1%至10% 之間，而該有機材料約佔該混合物之90%至99%之間。 . 6.如請求項5所述之有機電激發光結構，其中該第一傳導 . 材料之該金屬約佔該混合物之5%，而該有機材料約佔 該混合物之95%。 * 7.如請求項4所述之有機電激發光結構，其中該第一傳導 材料係為一金屬，且該金屬之功函數係大於4電子伏特 (eV)。 8. 如請求項4所述之有機電激發光結構，其中該第一傳導 材料係為一金屬氧化物，且該金屬氧化物約佔該混合物 之1%至99%之間，而該有機材料約佔該混合物之1%至 • 99%之間。 9. 如請求項8所述之有機電激發光結構，其中該第一傳導 材料之該金屬氧化物約佔該混合物之10%至30%，而該 有機材料約佔該混合物之70%至90%之間。 10. 如請求項1所述之有機電激發光結構，其中該第一材料 層之該有機材料包含有N，N’-二-〔（1-萘基）-N，N’-二苯 18 1277367 基-1，1，-聯苯基〕-4,4’-二胺(NPB)、聚乙烯二氧塞吩/聚苯 乙烯績酸納（polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonate，PEDOT:PSS)、7Γ-共軛分子·4,4’，4” -三偶 (3-甲基苯基苯胺）三苯胺（4,4’，4” -tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine， m-MTDΑΤΑ)或聚苯胺(polyabuline)。 11.如請求項1所述之有機電激發光結構，其中該第二傳導 材料包含有金屬、金屬氧化物或上述材料之混合物。 12·如請求項5所述之有機發光結構，其巾該第二傳導 2料?'為—金屬氧化物，且該金屬氧化物包含有氧化 、烏、氣化镨、氧化釩或氧化鉬。 之有機電激發光結構，其中該電子源 層設於:有二:極與至少一電子傳輪層，該電子傳輸 與該陰極與該陰極之間’其中該電子傳輸層 間可另包含至少一電子注入層。 15· — 種製造有機電激料結構之方法， 包含有 19 1277367 形成至少一陽極，於一基板上； 形成至少一電洞注入結構於該陽極上，該電洞注入結構 包含有至少一第一材料層與至少一第二材料層，該 第一材料層包含有至少一第一傳導材料(first conductive material)與至少一有機材料之一混合 • 物，且該第二材料層包含有至少一第二傳導材料 (second conductive material)； 馨形成至少一有機發光層，於該電洞注入結構之上；以及 形成至少一電子源層，於該有機發光層之上。 16·如請求項15所述之方法，另包含形成至少一電洞傳輪 層，於該有機發光層與該電洞注入結構之間。 17·如請求項15所述之方法，其中該電子源層包含至少一 陰極與至少一電子傳輸層，該電子傳輸層形成於該有機 _ 發光層與該陰極之間，該電子傳輸層與陰極之間可另包 含至少一電子浲入層。 18·如請求項15所述之方法，其中該第一傳導材料包含有 金屬、金屬氧犯物或上述材料之混合物。 19·如請求項18戶斤述之方法，其中該第一傳導材料係為一 金屬，且該金屬約佔該混合物之1%至10%之間，而該 20 1277367 有機材料約佔该混合物之9〇°/。至99%之間。 20·如請求項19所述之方法，其中該第一傳導材料之該金 屬約佔該混合物之，而該有機材料約佔該混合物之 . 95% 〇 • 21·如請求項18所述之方法，其中該第一傳導材料層係為 ❿ 一金屬，且該金屬之功函數係大於4電子伏特(eV)。 22·如請求項丨8所述之方法，其中該第一傳導材料係為一 金屬氧化物，立該金屬氧化物約佔該混合物之1 %至99% 之間，而該有機材料約佔該混合物之1 %至99%之間。 23·如請求項22所述之方法’其中該第一材料層之之該第 一傳導材料之該金屬氧化物約佔該混合物之10%至 參 30%，而該有機材料約佔該混合物之70%至90%之間。 24·如請求項15所述之方法，其中該第一材料層之該有機 材料包含有N，N’-二-〔（1-萘基）-N，N’-二苯基-1，Γ-聯苯 基〕-4,4’-二胺(ΝΡΒ)、聚乙烯二氧塞吩/聚苯乙烯磺酸納 (polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonate, PED0T:PSS)、7Γ _共輛分子-4,4’，4” -三偶（3-甲基苯基 苯胺）三苯胺（4,4’，4” -tris(3-methylphenylphenylamino) • triphenylamine，m-MTDΑΤΑ)或聚苯胺(P〇lyabuline)。 21 1277367 25·如請求項15所述之方法，其中該第二傳導材料包含有 金屬、金屬氧化物或上述材料之混合物。 26·如請求項25所述之方法，其中該第二傳導材料係為一 金屬氧化物，I該金屬氧化物包含有氧化鎢、氧化镨、 氧化釩或氧化鉬。 27·如請求項15所述之方法，其中該第一材料層所包含之 該第一傳導材料與該有機材料之該混合物係為一均句 混合物。 28·如请求項15所述之方法，其中該第一材料層所包含之 該第一傳導材料與該有機材料之該混合物係為一具有 梯度濃度分布之混合物。 29·—種電洞注入結構，包含有： 至少一第一材料層與至少一第二材料層，該第一材料層 包含有至少一弟一傳導材料(first conductive material)與至少一有機材料之一混合物，且該第二 材料層包含有至少一第二傳導材料(sec〇nd conductive material) ° 30.如請求項29所述之電洞注人結構，其中該第一材料層 22 1277367 所包含之該第一傳導材料與該有機材料之該混合物係 為一均勻混合物。 31. 如請求項29所述之電洞注入結構，其中該第一材料層 所包含之該第一傳導材料與該有機材料之該混合物係 為一具有梯度濃度分布之混合物。 32. 如請求項29所述之電洞注入結構，其中該第一傳導材 料包含有金屬、金屬氧化物或上述材料之混合物。 33. 如請求項32所述之電洞注入結構，其中該第一傳導材 料係為一金屬，且該金屬約佔該混合物之1%至10%之 間，而該有機材料約佔該混合物之90%至99%之間。 34. 如請求項33所述之電洞注入結構，其中該第一材料層 之該第一傳導材料之該金屬約佔該混合物之5%，而該 有機材料約佔該混合物之95%。 35. 如請求項32所述之電洞注入結構，其中該第一材料層 係為一金屬，且該金屬之功函數係大於4電子伏特(eV)。 36. 如請求項32所述之電洞注入結構，其中該第一材料層 之該第一傳導材料係為一金屬氧化物，且該金屬氧化物 約佔該混合物之1%至99%之間，而該有機材料約佔該 23 1277367. 混合物之1%至99%之間。 37·如請求項36所述之電洞注入結構，其中該第一材料層 之之該第一傳導材料之該金屬氧化物約佔該混合物之 • 10%至30%，而該有機材料約佔該混合物之70%至90% 之間。 38.如請求項29所述之電洞注入結構，其中該第一材料層 ® 之該有機材料包含有N，Nf•二-〔（1-萘基）-Ν，：ΝΓ-二苯基 -1，1，_聯苯基〕-4,4，-二胺(NPB)、聚乙烯二氧塞吩/聚苯乙 烯磺酸納(polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonate，PED〇T:PSS)、7Γ 共輛分子·4,4’，4” ·三偶 (3-曱基苯基苯胺）三苯胺(4,4’，4” -tris(3_methylphenylphenylamino) triphenylamine， m-MTDATA)或聚苯胺(Polyabuline)。 39·如請求項29所述之電洞注入結構，其中該第二傳導材 料包含有金屬、金屬乳化物或上述材料之混合物。 40·如請求項39所述之電洞注入結構，其中該第二傳導材 料係為一金屬氧化物，且該金屬氧化物包含有氧化鎢、 氧化镨、氧化釩或氧化鉬。 24