TWI259303B - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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1259303 A7 B7 五、發明説明(1 ) 發明所屬之技術領域 本發明係關於可做主動矩陣驅動的光電裝置及具備該 光電裝置而成的電子機器之技術領域 先前技術 習知上,具備:夾持液晶等光電物質之一對基板,和 爲了對於上述光電物質施加電場而分別設置在上述一對基 板之電極等的光電裝置爲所周知。此處,上述電極是被利 用於對上述光電物質施加電場,以使該光電物質之狀態適 當變化。而且,如依據此種光電裝置,例如使由光源所發 出之光等射入該裝置,而且,如上述使光電物質之狀態適 當變化,即能控制該光的透過率,基於此,便能夠實現畫 像的顯示。 而且,在此種光電裝置中,於上述一對基板之一方, 具備呈矩陣狀排列之畫素電極以作爲上述電極的同時,藉 由具備:連接於該晝素電極之各電極的薄膜電晶體(Thin Film Transistor :以下,適當稱爲「TFT」)、連接在各該 TFT,而且在行及列方向分別平行設置的掃描線及資料線 等,可做所謂的主動矩陣驅動者爲所周知。藉由此,對由 上述畫素電極,或者上述掃描線及上述資料線所區劃之每 一個畫素控制對於上述光電物質之電場的施加,便能夠每 一個晝素地控制光的透過率。 發明內容 0GCV47 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --1------^^裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 1259303 A7 _ B7 、五、發明説明(2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是,在習知的光電裝置中,存在以下問題。即在上 述之可做主動矩陣驅動的光電裝置中,原本就需要正確驅 動TFT,而要一面滿足對於近年來的光電裝置之高精細化 及小型化的要求一面實現正確驅動,此事變得更爲困難。 此處,TFT係具備:具有通道區域、源極區域及汲極 區域的半導體層;及介由絕緣膜覆蓋該半導體層的上述通 道區域之至少一部份而設置的閘極,通過對於該閘極的通 電、不通電,以對上述通道區域施加、不施加電場,以便 控制電流之流動。 在此之際,在決定TFT之特性上很重要的事項爲: 將上述通道區域之長度,所謂的「通道長」,和其寬度, 所謂的「通道寬」做成多大?換言之,將通道區域的大小 做成哪種程度?另外,在此之外,該通道區域上的上述閘 極之配置形態也極爲重要。即在以往,作爲閘極雖有指定 導電連接於上述掃描線的導電性構件,和構成上述掃描線 的一部份之構件,但是在此種情形時,掃描線本身和通道 區域之配置形態也是問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 總之,雖然要求在也加上上述的光電裝置之高精細化 .之要求下,實現TFT至通道區域和掃描線至閘極的適當 配置關係,而且實現藉由如此構成的TFT等之正確的動 作,但是此並不容易。 例如,爲了驅動光電裝置,不單是只要TFT及掃描 線至閘極存在即可,也需要具備其它各種之構成要件,在 兼顧彼等之關係下,要達成上述之配置、調整,可以容易 0CGV48 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公犛) " " -6 - 1259303 A7 B7 五、發明説明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 想像一般是很困難。另外,關於TFT,光一射入上述通道 區域,會產生光洩漏電流之不當狀況,也要求必須加以防 止。即TFT在各畫素中,以儘可能由藉由實際有助於畫 像顯示的光透過或者反射而射出的光透過區域,更具體爲 畫素電極分離爲佳,但是在要求高精細化下,如必須加以 滿足時,在上述之配置、調整上,帶來更困難之課題。 本發明係有鑑於上述問題點而完成者,其課題在於提 供:更容易實現閘極及掃描線的配置關係之調整,可以正 確驅動TFT之光電裝置及具備該光電裝置而成的電子機 器。 本發明之光電裝置爲了解決上述課題,係在基板上具 備有:延伸於一定方向的掃描線及延伸於與該掃描線交叉 方向的資料線;和對應於上述掃描線及上述資料線之交叉 區域而設置的薄膜電晶體;和對應於該薄膜電晶體而設置 的畫素電極,上述掃描線是在與上述薄膜電晶體之通道區 域相向部分上具有當作閘極電極之寬幅部,同時在其他之 部分上具有窄幅部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如依據本發明之光電裝置,介由掃描線及資料線而對 薄膜電晶體供給掃描信號及畫像信號,可以主動矩陣驅動 畫素電極。 而且特別是在本發明中,上述掃描線是在與上述薄膜 電晶體之通道區域相向部分上具有當作閘極電極之寬幅部 ’同時在其他之部分上具有窄幅部,所以不單可以實現掃 描線之狹小化等,與習知相比也變得容易實現薄膜電晶髀 GGG749 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0:< 297公釐j '~ •7- 1259303 A7 B7 五、發明説明(4 ) 至其通道區域和掃描線的配置關係之調整、決定。 例如,在上述畫素電極呈矩陣狀多數排列時,一般以 薄膜電晶體的通道區域位在由那些一個一個畫素電極的角 落部最遠離之位置,換言之,在假定四個畫素電極時,爲 鄰接而且相向之角落間的剛好中間地點,以形成該薄膜電 晶體較爲理想(爲何呢?由於最遠離光透過區域之故), 在那種情形下,藉由掩埋含上述中間地點之畫素電極間的 中間以延伸通道區域,可以實現一種可以適當取得通道長 之外,與其交叉而設置掃描線的同時,該掃描線的寬幅部 只存在於上述通道區域之構造。因此,在此種情形,確保 適當的通道長,即確保薄膜電晶體適當的動作,及掃描線 的狹小化,即光電裝置的高精細化及小型化之相反的要求 都可以實現。另外,在此情形,由上述之假定,當然也可 以極力防止光射入薄膜電晶體或者通道區域。 如此,如依據本發明,可以一面滿足光電裝置之高精 細化的要求’一面適當調整關於與薄膜電晶體及掃描線或 者閘極之配置形態。另外,此在調整、決定上述掃描線及 薄膜電晶體以外的構成光電裝置的各種要素的配置上,也 賦予好的影響。另外,如依據本發明,也可以實現薄膜電 晶體之正確的驅動,藉由此,也能保持高的應顯示畫像的 品質。 另外,在本發明中,所謂「寬幅」係對於「窄幅部」 具有的寬度而言,爲比較寬之意義,所謂「窄幅」係對於 「寬幅部」具有的寬度而言,爲比較狹窄之意義。總之, 0GGV50 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -8- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(5 ) 言及「寬幅部」及「窄幅部」時的具體之寬窄的程度,是 .由兩者之相對關係決定。另外,與此有關,寬幅部或者窄 幅部實際應具有之寬度値,可由理論、經驗、實驗或者模 擬等而適當加以決定。 在本發明之光電裝置的一形態中,上述寬幅部是包含 有自上述窄幅部延伸設置而所形成之部分。 如依據此形態,可以比較容易地形成具有寬幅部及窄 幅部的掃描線。具體爲例如藉由使用以形成寬幅部及窄幅 部爲一體之樣式爲前提的周知的光蝕法及蝕刻,可以容易 地形成關於本形態的掃描線。 在本發明之光電裝置的其它形態中,上述寬幅部上述 ' 寬幅部是包含有連接於上述窄幅部而所形成之部分。 如依據此形態,例如寬幅部成爲包含由將另外準備的 導電構件等連接於窄幅部所形成的部份。即使在此種情形 下,也可以比較容易地形成寬幅部。 在本發明之光電裝置的其它形態中,上述掃描線是延 伸在與上述通道區城之延伸方向相交的方向上,上述寬幅 部是延伸在該通道區城之延伸方向之一方或雙方上。 如依據此形態,由於寬幅部是延伸在通道區城之延伸 方向之一方或雙方上,所以可以更適當實施與薄膜電晶體 及掃描線的配置形態之調整。另外,如依據此形態,由於 形成有因應通道長之適當的閘極,所以可以更有效地實施 對於通道區域之電場的施加。 另外,如此如依據寬幅部閘極以追隨之樣式而設置在Gi>CV51 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X2M公楚) _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 1259303 Α7 Β7 五、發明説明(6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 應成爲通道區域的部份之形態,例如,可以容易進行自我 '對準薄膜電晶體的形成(即以閘極爲遮罩,藉由進行離子 植入工程,相鄰接於通道區域的源極區域及汲極區域的形 成)。但是,在此情形,嚴格來說,變成在形成應成爲閘 極之寬幅部後,藉由進行上述離子植入工程以形成通道區 域。 在本發明之光電裝置的其它形態中,上述畫素電極是 排列呈矩陣狀而成,前述通道區域由平面觀看時是被形成 在穿過夾著上述掃描線互相鄰接之畫素電極間而延伸的長 方形第1間隙,和穿過夾著上述資料線互相鄰接之畫素電 、 極間而延伸的長方形第2間隙互相交叉的交點區域內。 此形態類似於已經敘述之形態,爲可以最有效發揮本 發明之作用的形態之一。 經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 即如依據此形態,薄膜電晶體的通道區域在多數排列 呈矩陣狀的畫素電極中,是形成在其之交點區域內。此處 所謂交點區域由平面觀看時是穿過夾著上述掃描線互相鄰 接之畫素電極間而延伸的長方形第1間隙,和穿過夾著上 述資料線互相鄰接之畫素電極間而延伸的長方形第2間隙 互相交叉的區域。藉由此種構造,可以呈現出不易產生光 射入該通道區域之狀態。 ' 而且,一方面具有此種作用和效果,一方面掃描線具 有與前述通道區域相向之當作閘極的寬幅部,所以可以最 適當決定通道區域或薄膜電晶體和閘極或掃描線之配置形 態的同時,也能確保適當的通道長和實現掃描線的狹小化 η (; π \ 5 ο___ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210:<297公釐) -10 - 1259303 A7 __ B7 五、發明説明(7 ) 〇 ' 在此形態中,特別是上述窄幅部是形成在由前述第1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 間隙的中央偏離之位置’上述寬幅部是在上述交點區域內 ,形成於上述第1間隙的中央。 如依據此種構造,掃描線的窄幅部雖然穿過鄰接畫素 電極間而存在,但是不存在於其中央,而是形成在由該中 央偏離之位置。藉此,首先可以謀求顯示畫像的品質提升 。此在光電裝置之一例的液晶顯示裝置等中特別符合,其 理由如下: 即在本形態中,是著眼於如對通常設置在前述液晶顯 示裝置的定向膜上的凸部,特別是由於前述窄幅部的「高 度」所形成的凸部實施摩擦處理時,在該凸部中,會產生 摩擦之不均,更著眼於在前述凸部中,在關於摩擦的上滑 (即登上凸部之方向)部份和關於下滑(即由凸部往下之 方向)部份,上述不均之程度存在有差異。 更具體爲,例如關於上述上滑部份比起上述下滑部份 ,不容易產生上述不均。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且,如放置上述之不均而不管,會導致液晶的定向 不良等,而有變成光電裝置的動作不良之原因。依據上述 上滑及下滑間的不均程度之差來說,後者比起前者,導致 液晶定向不良等之可能性高。 此處,本形態的窄幅部被形成在由上述晝素電極間的 第1間隙中央偏離之位置有其意義。即如將窄幅部形成在 此種位置,起因於該窄幅部的凸部頂點也變成形成在由第 nu〇v53_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -11 - 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 1間隙中央偏離之位置,此意味可以採用在對應該第1間 隙之區域上只使該凸部的幾乎一半斜面存在的構造,即可 以採用在該區域上只使上述下滑部份存在的構造。而且, 在此情形下,如對應前述第1間隙而設置遮光膜,可以有 、 效地只遮光上述下滑部份,即可以有效遮裝被認爲最會產 生不均之影響的凸部的該部份。 由以上之結果,如依據本形態,幾乎不會使產生由於 不均之影響所致的光電裝置的動作不良等,而且,關於被 認爲更不易產生不均之影響的凸部的上滑部份,維持可以 透過有助於晝像顯示之光,所以可以提升畫素開口率,即 畫像可以維持明亮。結果爲如依據本形態,在以上敘述之 意義中,能夠謀求顯示畫像的品質提升。 另外,如將窄幅部形成在由第1間隙中央偏離之位置 ’第2可以提升光電裝置的設計自由度,而且可以更有效 '地防止光射入薄膜電晶體。此係基於以下之理由: 即本形態之窄幅部雖穿過鄰接畫素電極間的第1間隙 而存在,但是不存在於其中央。因此,例如藉由利用第1 間隙區域中沒有設置窄幅部的區域,由平面觀看時,可以 與該窄幅部平行地配置由與該窄幅部相同膜所構成的電容 線等其它的配線。即設計自由度增加。 另外’在上述之情形時,窄幅部雖由中央線偏離,但 是寬幅部藉由調整其之寬度,例如只在一側放大爲寬幅, 或者使一側放大爲大寬幅,而且使另一側成爲小寬幅,如 此便可以使當成閘極的寬幅部配置在間隙中央。如此,可 G ϋ υ (_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21 ΟΧ 297公釐) — — · 裝---^---r — 訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 1259303 Α7 Β7 五、發明説明(9 ) 以不管掃描線之位置而將閘極配置在提高遮光性的良好位 置上,或者一面將閘極配置在提高遮光性的良好位置’一 面將掃描線配置在間隙份的任意位置,所以最終可以一面 提高包含掃描線配置的配線配置自由度,一面實現本質上 遮光性高的薄膜電晶體。 在此種構造中,另外,前述寬幅部也可以在上述交叉 點區域內,形成於前述第2間隙中央。 如依據此種構造,如沿用已經敘述的說法,在假定四 個晝素電極時,通道區域是被形成最遠離鄰接或者相向的 該電極的角落部之位置。即呈現出對於該通道區域,最不 容易發生光的射入之狀態。 在本發明之光電裝置的其它形態中,在上述基板上, 沿著上述掃描線挖鑿溝,上述掃描線是直接或透過層間絕 緣膜至少部分性被掩埋於該溝內。 如依據此形態,由於掃描線被掩埋在形成於基板的溝 內,所以能夠防患起因於該掃描線本身所具有的高度而在 形成爲其之上層的層間絕緣膜或者畫素電極以及定向膜等 的表面產生階差於未然。而且,如此定向膜等之表面如平 坦,便能夠適當實施對於該定向膜之摩擦處理,能夠維持 連接該定向膜之液晶分子的定向狀態。因此,如依據本形 態,能夠減少產生定向不良的可能性,可以極力防止起因 於該定向不良部份之光漏等的發生,所以可以顯示高品質 的畫像。 ^ 在本發明之光電裝置的其它形態中,上述窄幅部是具

CUU 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2】〇Χ:297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填. :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1259303 A7 B7 五、發明説明(10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有被掩埋於上述溝內,並且沿著上述掃描線而延伸的掩埋 部分,和被掩埋於上述溝內,並且與上述掩埋部並列而沿 著上述掃描線延伸的非掩埋部,藉由該非掩埋部份的存在 ,上述晝素電極的基底是沿著上述掃描線而隆起。 如依據此形態’上述窄幅部是具有掩埋部和非掩埋部 。而且這些掩埋部和非掩埋部之任一者都沿著掃描線延伸 ,其中藉由非掩埋部的存在,上述畫素電極的基底是沿著 上述掃描線而隆起。 如依據此,首先,關於掩埋部,同樣可以獲得上述平 坦化之作用和效果。即當作該掩埋部之上層而形成的層間 絕緣膜、或者畫素電極以及定向膜等的表面呈現極爲良好 的平坦性,可以降低產生該部份的定向不良等之可能性。 接著,關於非掩埋部,在當作該非掩埋部的上層而形 成之上述定向膜等的表面,特意形成爲含沿著掃描線之凸 部的階差的狀態,雖無法獲得上述平坦化之作用和效果, 但是可以獲得以下的優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先,在關於本發明之光電裝置中,在防止液晶劣化 以謀求裝置壽命的長期化等的同時,以降低顯示畫像上的 串音和閃爍等爲目的,有採用將上述畫素電極分爲二群外 ’以個別的週期反轉驅動其之驅動方法。即含有在第1週 期被反轉驅動的第1畫素電極群,和以與第1週期互補的 第2週期被反轉驅動的第2畫素電極群的多數的畫素電極 被平面排列在基板上,存在有(i )在反轉驅動時,於各 時刻中,以相互反極性的驅動電壓所驅動的相鄰接畫素電 GG0V56 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -14- 1259303 A7 一丨.___ —_B7_ 五、發明説明(11 ) 極’和(ii )在反轉驅動時,於各時刻中,以相互爲同一 極性的驅動電壓所驅動的相鄰接畫素電極之兩者。此處, 符合J:述(i )之晝素電極如沿著資料線方向排列,符合 ±述(ii )之畫素電極如沿著掃描線排列,其驅動方式是 排列在沿著某一掃描線方向的畫素電極以一極性被驅動的 同時’排列在沿著與上述某一掃描線相鄰接的其它掃描線 方向的畫素電極以上述一極性的相反極性被驅動(所謂之 「1Η反轉驅動」)。 但是’在此情形,在沿著資料線相鄰接的畫素電極間 ’會發生基於反極性的驅動電壓之驅動所致的橫向電場。 此種橫向電場有對在晝素電極以及相向電極間所發生的電 場(相對於上述橫向電場,而稱爲「縱向電場」)造成干 擾之虞’其結果,液晶分子的定向狀態難於變成所期望之 狀態,有對畫像顯示造成影響的可能性。 而且,在本形態中,於有發生此種不當之可能性時, •形成在晝素電極的基底而沿著掃描線的凸部,便帶有特別 的意義。 即第1 :各畫素電極的端緣部如形成在上述階差上, 則將各畫素電和相向電極之間所產生的縱向電場,和在相 鄰接畫素電極(特別是屬於不同晝素電極群的晝素電極) 之間所產生的橫向電場相比,爲相對地被強。即一般電場 是隨著電極間的距離變短而變強,由於階差的高度部份關 係,所以畫素電極的端緣部接近相向電極,產生在兩者間 的縱向電場被加強。第2 :不管各畫素電極的端緣部是否 ______ 本紙張尺度適用中國國家標準(CN’S ) A4規格(21 〇Χ 297公釐) ^ (請先閱讀背面之注意事項再填. :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1259303 A7 B7 五、發明説明(12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此階差上,產生在相鄰接畫素電極(特別是屬於不同畫 素電極群的畫素電極)之間的橫向電場由於階差的存在, 因應階差的介電常數而變弱的同時,但是由於橫向電場通 過的光電物質的體積(由於階差而部份性置換)減少,也 可以降低該橫向電場對於光電物質的作用。因此,能夠降 低伴隨反轉驅動方式之橫向電場所致的液晶定向不良等光 電物質的動作不良。在此之際,如上述般地,畫素電極的 端緣部是否位於階差上都可以,另外,也可以位於階差的 傾斜或者略垂直的側面之中途。 除此之外,遮蔽光電物質的動作不良處所用之遮光膜 也可以小,所以能夠在不引起光漏等畫像不良下,提高各 畫素的開口率。 如以上說明般地,如依據本形態,第一:藉由掩埋部 的存在,可以獲得由於上述平坦化的作用和效果,同時, 第二:藉由非掩埋部的存在,藉由特意形成含沿著掃描線 的凸部之階差,可以獲得防止橫向電場的發生之作用和效 果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明之光電裝置的其它形態中,又具備有:被連 接於上述畫素電極上,構成存儲電容之畫素電位側電容電 極;和透過介電體膜而與該畫素電位側電容電極相向配置 ,包含構成上述存儲電容之固定電位側電容電極的電容線 ,上述電容線是具備有沿著上述掃描線而延伸的主線部, 和沿著上述資料線而延伸的部分,沿著上述電容線中之上 pi、巧ft線而延伸之部分的寬度,是被形成與該資料線之寬 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(13 ) 、 度相同或是更寬。 如依據此形態,在畫素電極連接畫素電位側電容電極 和固定電位側電容電極相向配置而成的存儲電容,所以可 長期保持被寫入畫素電極的畫像信號電壓。而且,特別是 在本形態中,藉由將電容線之沿著上述資料線延伸的部份 之寬度形成爲與該資料線的寬度相同或者更寬,能夠使電 容線更低電阻化。另外,在本形態中,如上述般地,可以 實現電容線的低電阻化,所以由裝置整體來看,可以達成 電容線的狹小化進而存儲電容的狹小化,其結果爲能夠謀 求開口率之提升。此處,言及「電容線的狹小化」時,電 '容線本身之寬度是形成爲和資料線的寬度相同,或者「更 寬」,雖乍然一看有矛盾,但是此處所假定的寬幅、窄幅 之槪念不過是由電容線和資料線的相對關係所決定者,所 以即使由裝置整體來看,與習知相比,能然可以達到「電 容線的狹小化」。另外,在談及上述之寬幅、窄幅或者本 發明所言之「更寬」時,其具體的寬度値是由理論、實驗 、經驗、或者模擬而適當決定。 另外,如依據本形態,不單是上述的低電阻化,與習 知相比’可以有效防止光射入薄膜電晶體特別是其通道區 、域。此亦如已經說明過的’在習知中,在資料線的裏面等 所反射之光成爲迷失光,結果會射入薄膜電晶體,但是如 依據本形恶’即使是此種迷失光,由於形成爲和資料線的 寬度相同,或者更寬的電容線,該光之進行被遮住的可能 性,墘高。 本纸張尺度適财關家縣(CNS ) A4規格(2!()X297公釐) — -- -17- --7 -------批衣---^---. —1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1259303 A7 B7 五、發明説明(14 ) ' 由以上,如依據本發明,藉由電容線的低電阻化,降 低習知上成爲問題的串音和燒痕等之問題產生的可能性。 另外,由於降低了薄膜電晶體之光洩漏電流的產生,可以 顯示具有高品質之畫像。 另外,在本發明中,關於電容線,由於存在沿著上述 資料線延伸之部份,所以可以實現存儲電容的增大化。此 也大大有助於具有尚品質的晝像顯Tp;。 , 另外,爲了更適當發揮上述之光遮蔽機能,構成電容 線之材料以具有優異遮光性者爲佳。例如,可以使用包含 由 A1 (鋁)、Cu (銅)、丁i (鈦)、Cr (鉻)、W (鎢) 、Ta (組)、Mo (鉬)等中至少1種的金屬單體、合金 、金屬矽化物、多晶矽化物、將其積層者等。另外,除此 之外,例如,也可以使用多晶矽等之吸光性材料。 在此形態中,上述資料線是被形成與上述薄膜電晶體 重疊之部分爲局部性寬幅,沿著上述電容線中之上述資料 線而延伸之部分的寬度,是被形成比上述資料線中之無形 成寬幅之部分的寬度還寬,並且與上述資料線中之形成上 述寬幅之部分的寬度相同。 如依據此種構造,資料線是被形成與上述薄膜電晶體 .重疊之部分爲局部性寬幅。而且,形成爲此種寬幅的部份 之寬度被設爲與沿著前述電容線中之資料線而延伸之部份 的寬度相同。即藉由如此,變成在該薄膜電晶體的上方形 成兩者都形成爲寬幅的資料線及電容線。因此,可以更確 實巧止光由該薄膜電晶體的上方射入。 0 G ϋ V ΰ 0 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(公釐) —- 一 -18- (請先閲讀背面之注意事 項再填< 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(15 ) 更具體爲例如,在電容線以高融點金屬等形成時,單 獨以該電容線便可以發揮其透過率爲0.1 %之程度(在〇D ' (Optical Density ··光密度)値時,2以上)之遮光性能 。但是,如對該電容線施以矽氧化處理等,由於其組成改 變,會有其遮光性能降低之情形。在此情形,也有只能享 受上述之透過率0· 1 %以上的遮光性能的情形。 然而在本形態中,資料線也與由此種高融點金屬膜形 成的電容線重疊而存在。如此’採用藉由電容線以及資料 線的重疊,以進行薄膜電晶體的遮光之構造,可以獲得與 這些透過率之乘積値相符的遮光性能。例如,在資料線以 鋁等形成時,可以揮發透過率爲〇 · 00 1 %以下之程度(在 〇D値中,爲4以上)之遮光性能。 另外’在本形態中,特別是電容線之沿著資料線延伸 之部份的寬度寬大’是指比資料線之沒有形成寬幅之部份 的寬度還寬。 或者’上述資料線是被形成與上述薄膜電晶體重疊之 部分爲局部性寬幅’上述電容線之沿著上述資料線而延伸 之部份的寬度’是被形成爲比上述資料線之沒有形成上述 寬幅之部份的寬度寬’而且比上述資料線之形成上述寬幅 之部份的寬度還窄/ 如依據此形’資料線是被形成與上述薄膜電晶體重 ,疊之部分爲局部性寬幅。即依據此,變成在該薄膜電晶體 之上方形成兩者都形成爲寬幅的資料線以及電容線。因此 ,可以更確實防止光由該薄膜電晶體之上方射入。 000761 ° 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(2Κ)χ 297公嫠) --------___ —--------裝---.----I 訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — 19- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(16 ) 另外’在本形態中,特別是電容線之沿著資料線而延 伸之部份的寬度被形成爲比形成爲寬幅之資料線還窄幅。 即在該部份,資料線比電容線窄。藉由此,例如,可以防 止:在以光反射率高的鋁等構成資料線時,射入光因光電 裝置之某種要素而反射所產生的迷失光,和一旦射出光電 裝置之光因該光電裝置外部之某種要素而反射,再度回到 光電裝置之返光,或者在多數設置有光電裝置而能彩色顯 示的液晶投影機等之投射型顯示裝置中,射出其它光電裝 置的光回到該光電裝置來之返光等,由於上述資料線而反 射以使得迷失光增大之事態。此是資料線之形成爲寬幅的 部份與電容線相比,相對被形成爲窄幅所致。 在具備此種與薄膜電晶體重疊部份被形成爲寬幅之資 料線的形態中,上述電容線是被配置在上述薄膜電晶體和 上述資料線之間的疊層位置上,上述資料線除了與上述薄 膜電晶體之疊層部分外,設置有與上述薄膜電晶體連接用 之觸孔的部分,是被形成寬幅。 如依據此種構造’由於此觸孔,即使無法設置當成遮 光膜的電容線’也可以將資料線形成爲寬幅以彌補該部份 之遮光性能的降低。 或者,上述資料線是在每上述薄膜電晶體上,從與上 述薄膜電晶體重疊部分至設置有上述觸孔之部分連續形成 寬幅。 如依據此種構造,可以更確實達成對薄膜電晶體之遮 光。 ^ nnnvR2___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X 297公釐) ----------^^裝-----.I 訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -20· 1259303 A7 B7 五、發明説明(17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外,與薄膜電晶體重疊部份而形成爲寬幅的部份, 和設置有觸孔之部份的形成爲寬幅之部份,也可以個別形 成爲寬幅。使與薄膜電晶體重疊部份和設置有觸孔之部份 接近配置,如該形態般而連續形成爲寬幅時,可以不用胡 亂放大形成爲寬幅之區域,所以由不增加內面反射之觀點 來說,爲有利。 如依據本發明之光電裝置的其它形態,又具備有透過 光電物質而與上述基板相向配置之其他基板,和被形成在 該其他基板上的遮光膜,沿著上述資料線及上述電容線中 之上述資料線而延伸之部分的寬度,是比上述遮光膜的寬 1度窄。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如依據此形態,如假定由上述其他基板射入光時,由 .該光的射入側依序可以構築遮光膜、資料線及電容線之疊 層構造。此處,在其中的前者的寬度是比後二者的寬度還 寬。即射入光由於更寬幅的遮光膜,其之進行被遮蔽,只 有穿透其之光會到達資料線及電容線。另外,在穿透遮光 膜之光到達資料線及電容線時,可以期待由於這些資料線 及電容線所發揮的上述遮光機能。總之,如依據本形態, 可以更提高薄膜電晶體的耐光性,可以更減少光洩漏電流 的產生可能性。 、 另外,本形態所稱之「遮光膜」,例如上述晝素電極 如被排列呈矩陣狀時,可以穿過該畫素電極之間隙而形成 爲條紋狀或者格子狀。另外,依據情形,也可以將該遮光 膜形成爲例如由鉻或者氧化鉻等之吸光性材料及鋁等之光 ΠϋΟ^ ^ J_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) ^ 1259303 Μ __ Β7 五、發明説明(18 ) 反射性材料所疊層之構造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之電子機器是具備上述之本發明的光電裝置( 但是’包含其之各種形態)而成。 如依據本發明之電子機器,例如如上述般地,藉由具 備能夠進行薄膜電晶體和掃描線的配置形態之適當的調整 之光電裝置,能夠實現可以正確動作的薄膜電晶體,而且 可進行藉由此之高品質的畫像顯示之例如:液晶投影機、 液晶電視、行動電話、電子記事簿、文字處理機、尋像器 (viewfinder )型或者監視器直視型之錄放影機、工作站 、電視電話、P〇S終端機、觸控面板等之各種電子機器。 本發明之此種作用及其他之優點,可由以下說明之實 施形態而變淸楚。 實施方式 以下,一面參考圖面一面說明本發明之實施形態。以 ,下之實施形態爲將本發明之光電裝置適用於液晶裝置者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先,參考第1圖至第4圖說明本發明之實施形態的 光電裝置之晝素部的構造。此處,第1圖係構成光電裝置 之晝素顯示區域1 0a而呈矩陣狀之多數畫素的各種元件、 配線等之等效電路。第2圖係形成資料線、掃描線、畫素 電極等之TFT陣列基板的相鄰接之多數的畫素群之平面 圖。而且,第3圖係第2圖之A-A,剖面圖。另外,在第3 圖中,爲了使各層、各構件成爲在圖面上可以辨識之程度 的大小,在該各層、各構件適用不同縮尺。另外,第4圖 000764 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2】〇X 297公釐) "~~ -22- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 __ 五、發明説明(19 ) 係只抽出第2圖所示之掃描線而顯示其形狀的平面圖。 在第1圖中,於構成本實施形態之光電裝置的畫像顯 示區域而形成爲矩陣狀的多數畫素,分別形成晝素電極 9a和開關控制該畫素電極9a用之TFT30,被供給有晝像 信號之資料線6a爲導電連接在該TFT30之源極。寫入資 料線6a之畫像信號S 1、S2.....Sn可以此順序依序供應 給資料線,也可以對於相鄰接之多數的資料線6a,一群 一群地供給。 而且,掃描線330a爲導電連接在TFT30之閘極,以 特定之時序,將脈衝性掃描信號G 1、G2.....Gm對掃描 線3 30a以此順序以線依序方式施加於掃描線330a而構成 。畫素電極9a爲導電連接於TFT30之汲極,藉由只在一 定期間將開關元件之TFT30關閉其之開關,以特定之時 序寫入由資料線6a所供給之畫像信號SI、S2.....Sn。 介由晝素電極9a而被寫入光電物質之一例的液晶之 特定位準的晝像信號SI、S2.....Sn係在一定期間被保 、 持在與形成於相向基板的相向電極之間。液晶是藉由所施 加的電壓位準而改變分子集合之定向和秩序,以調變光而 能進行灰階顯示。如是常白模式,因應在各晝素單位所施 加的電壓,對於射入光的透過率減少,如是常黑模式,因 應在各畫素單位所施加的電壓,對於射入光的透過率增加 ,整體而言,由光電裝置射出具有因應畫像信號的對比之 光。 此處爲了防止所保持之畫像信號洩漏,與形成在畫素 000765__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) — ; ^^裝-----.—訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(20 ) 電極9 a和相向電極之間的液晶電容並聯附加存儲電容7 0 〇 以下,參考第2圖及第3圖說明實現藉由上述資料線 6a、掃描線3 30a、TFT 30等之上述的電路動作的光電裝置 的更具體的構造。 首先,關於本實施形態之光電裝置係如第2圖之A-A’剖面圖的第3圖所示般地,具備:TFT陣列基板10和 與此相向配置的透明相向基板20。TFT陣列基板1 0例如 由石英基板、玻璃基板、矽基板形成,相向基板20例如 由玻璃基板和石英基板形成。 如第3圖所示般地,在TFT陣列基板1〇設置畫素電 極9a,在其上側設置有被施以摩擦處理等之特定的定向 處理的定向膜16。畫素電極9a例如由IT〇(Indium Tin Oxide ··銦錫氧化物)膜等之透明導電膜形成。 另一方面,在相向基板20是涵蓋其之全面地設置相 向電極2 1,在其下側設置有被施以摩擦處理等之特定的 定向處理之定向膜22。相向電極21例如由ΐτ〇膜等之透 明導電膜形成。 接著,在第2圖中,於光電裝置的TFT陣列基板10 上呈矩陣狀設置有多數的晝素電極9 a (由點線部9 a ’表示 ,其輪廓),各沿著畫素電極9a之縱橫方向的邊界,設置 有鋁膜之資料線6a及多晶矽膜之掃描線330a。 掃描線3 30a在多晶矽膜之半導體層ia之中,是配置 爲與以圖中往右上方向的斜線區域所示的通道區域1 a ’相 GUUV66 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ' -24- --^------^-裝---^---ρ I1Τ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 1259303 A7 B7 五、發明説明(21 ) 向’掃描線330a係作用爲閘極。即在掃描線3 30a和資料 線6a之交叉處所’分別於通道區域u,設置掃描線33〇a 之寬幅部331a (後述)當成閘極而被相向配置的畫素開 關用之TFT30。換言之,在本實施形態之TFT30中,其中 通道區域la,在多數排列呈矩陣狀的晝素電極9a中,也是 被形成在其之交叉區域內。此處,所謂交叉區域是由平面 觀看時是在穿過夾著上述掃描線互相鄰接之晝素電極9a 間而延伸的長方形第1間隙(在第2圖中,爲X方向) ’和穿過夾著上述資料線6a互相鄰接之畫素電極9a間而 延伸的長方形第2間隙(第2圖中,爲Y方向)互相交 .叉的區域。更具體爲依據第2圖來說,例如,由顯示在左 上之晝素電極9a之右下角部、顯示於右上之畫素電極9a 之左下角部、顯示於左下之晝素電極9a之右上角部,以 及顯示於右下之畫素電極9a的左上角部之各角部最爲遠 離之位置係符合該意義之區域。藉由在此種位置形成 TFT30,即能呈現出對於該TFT30之通道區域la’,不易 產生直接的光射入之狀況。 如第3圖所示般地,TFT30係具有LDD ( Lightly Doped Drain :輕摻雜汲極)構造,作爲該構造要素係具 備:藉由如上述之作用爲閘極的掃描線330a來之電場而 '形成通道的半導體層la的通道區域la’、包含絕緣掃描線 3 30a和半導體層la之閘極絕緣膜的絕緣膜2、半導體層 la之低濃度源極區域lb及低濃度汲極區域lc以及高濃 度源極區域1 d及高濃度汲極區域1 e。 000767_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.

1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 1259303 A7 B7 五、發明説明(22 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外,TFT 30雖然具有第3圖所示之LDD構造,但 是也可以具有在低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域 1 c不進行不純物之植入的偏置構造,也可以由掃描線 3 3 0 a之一部份所形成的聞極爲遮罩,以高濃度植入不純 物,自我對準地形成高濃度源極區域及高濃度汲極區域之 自我對準型的TFT。另外,在本實施形態中,雖做成將畫 素開關用TFT30之閘極在高濃度源極區域Id及高濃度汲 極區域1 e間只配置1個之單閘極構造,但是也可以在其 間配置2個以上之閘極,以雙閘極、或者三閘極以上構成 TFT。另外,構成TFT30之半導體層la也不限定於多晶 矽膜,也可以爲非晶質矽膜和單晶矽膜。在單晶矽膜之形 成上,可以使用貼合法等之周知的方法。藉由以單晶矽膜 做成半導體層1 a,特別可以謀求周邊電路的高性能化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處在本實施形態中,如第2圖所示般地,特別是作 用爲此TFT30之閘極的上述掃描線330a,其作用爲該閘 極之部份,即與TFT30之通道區域lal目向存在的部份與 其他部份相比,被形成爲寬幅。即在第2圖中,掃描線 33 0a爲對應延伸於第2圖中Y方向的通道區域la,而具有 延伸於第2圖中Y方向的寬幅部3 3 1 a,和穿過鄰接之畫 素電極9a間而延伸的窄幅部3 32a。在第4圖中,爲了使 其形態變淸楚,只圖示掃描線3 30a之形狀樣式。 即此掃描線3 3 0 a之寬幅部3 3 1 a在本實施形態中,係 由窄幅部3 3 2a延伸而形成。即寬幅部3 3 1 a及窄幅部3 3 2a 是形成爲所謂的一體。此種形狀例如係可以藉由以形成具 ⑶ GVG8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29?公羡) " ' -26- 1259303 A7 B7 五、發明説明(23 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有由該寬幅部331a及窄幅部3 3 2a所形成的一體形狀(參 考第4圖)的樣式爲前提的周知的光蝕法及鈾刻法而容易 形成。但是,本發明並不限定於此,例如,對於窄幅部 3 3 2a藉由連接另外準備的別的導電性構件,以形成寬幅 部331a之形態,也涵蓋在該範圍內。 且說另一方面,如第3圖所示般地,第1圖所示之存 儲電容70是由連接於TFT30之高濃度汲極區域le及畫素 電極9a之作爲畫素電位側電容電極之中繼層71和作爲固 定電位側電容電極之電容線300的一部份透過介電體膜 75而相向配置所形成。如依據此存儲電容70,可以顯著 提高畫素電極9a的電位保持特性。 中繼層7 1例如由導電性之多晶矽膜形成,作用爲畫 素電位側電容電極。但是,中繼層7 1與後述的電容線 3 00相同,也可以由包含金屬或者合金之單一層膜或者多 層膜構成。中繼層7 1在作用爲晝素電位側電容電極之外 ,也具有透過觸孔83及85而中繼連接晝素電極9a和 TFT30之高濃度汲極區域le的機能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此利用中繼層71,即使層間距離長至2000nm之程 度,也能迴避以1個觸孔連接兩者間之技術困難性,而且 可以以比較小直徑的2個以上的直列觸孔良好連接兩者間 ,能夠提高晝素開口率。另外,也有助於防止觸孔開孔時 的蝕刻穿透。 電容線300例如由含金屬或者合金的導電膜形成,作 p 定電位側電容電極。此電容線300如由平面觀看時 中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1259303 A7 B7 五、發明説明(24 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,如第2圖所示般地,爲與掃描線330a之形成區域重疊 而形成。更具體爲,電容線300是具備:沿著掃描線 3 3 0a延伸之主線部,和圖中由與資料線6a交叉之各處所 沿著資料.線6a而分別突出於γ方向之上方的突出部,和 對應觸孔85之處所稍微變細之窄幅部。其中突出部係利 用掃描線3 30a上之區域及資料線6a下之區域,以貢獻給 存儲電容70之增加。 另外,電容線300例如由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo 等之高融點金屬中的至少其中1種之金屬單體、合金、金 屬矽氧化物、多晶矽化物、將其疊層者等形成,在作用爲 存儲電容70之固定電位側電容電極之外,也具有在 TFT30之上側遮罩TFT30免以受到射入光射到之遮光層。 但是,電容線300例如也可以具有由:導電性之多晶矽膜 等形成的第1膜和包含高融點金屬的金屬矽氧化物膜等形 成的第2膜所疊層之多層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外,電容線300最好由配置畫素電極9a之畫像顯 示區域往其周圍延伸設置,與一定電位源導電連接而被設 爲固定電位。此種一定電位源可以爲提供給後述之資料線 驅動電路的正電源和負電源之一定電位源,也可以爲提供 給相向基板20之相向電極2 1的一定電位。 如第3圖所示般地,介電體膜75例如由膜厚5〜 200nm 程度之比較薄的 HT〇(High Temperature Oxide ··高 溫氧化物)膜、L T〇(L o w T e m p e r a t u r e〇x i d e :低溫氧化 )膜等之氧化矽膜,或者氮化矽膜等構成。由增加存儲電

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -28- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(25 ) 容70之觀點而言,在可以充分獲得膜的可靠性下,介電 體膜75愈薄愈好。 在第2圖及第3圖中,於上述之外,在TFT30之下 側設置下側遮光膜11 a。下側遮光膜1 1 a係被圖案化爲格 '子狀,藉由此以規定各畫素之開口區域。另外,開口區域 之規定也可以藉由延伸於第2圖中Y方向的資料線6a和 延伸在第2圖中X方向之電容線300相互交叉而形成以 爲之。另外,關於下側遮光膜11 a,也與前述電容線300 之情形相同,爲了避免其之電位變動對於TFT30造成不 好影響,可以由晝像顯示區域往其周圍延伸設置而連接於 一定電位源。 另外,在TFT3 0下設置有基底絕緣膜12。基底絕緣 膜12在作用爲由下側遮光膜11a予以層間絕緣TFT30之 i 外,也具有:藉由形成在TFT陣列基板10之全面,以防 止TFT陣列基板1 0之表面硏磨時的變粗糙,和洗淨後殘 留污染等所致之畫素開關用的TFT30的特性變化之機能 〇 除此之外,在掃描線3 30a上形成分別開有通往高濃 度源極區域1 d之觸孔8 1及通往高濃度汲極區域1 e之觸 孔83之第1層間絕緣膜41。 在第1層間絕緣膜41上形成中繼層7 1、及電容線 300,在彼等之上形成分別開有通往高濃度源極區域1 d之 觸孔81及通往中繼層71之觸孔85之第2層間絕緣膜42 ' 〇 中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X 297公釐) I. n 1'. m ϋϋ HI n^— —I— I —^ϋ ϋϋ —111· ϋϋ、一I --1--- mi ϋ.— HI 1^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1259303 Α7 Β7 五、發明説明(26 ) 另外,在本實施形態中,也可以藉由對於第1層間絕 緣膜41進行約1 000°C之燒烤,以謀求植入構成半導體層 la和掃描線3 30a之多晶矽膜的離子之活化。另一方面, 也可以藉由對於第2層間絕緣膜4 2進行此種燒烤,以謀 求緩和產生在電容線300之界面附近的應力。 在第2層間絕緣膜42上形成有資料線6a,另外,在 彼等之上形成有形成通往中繼層7 1之觸孔8 5的第3層間 絕緣膜43。 第3層間絕緣膜43的表面是藉由CMP ( Chemical Mechanical Polishing:化學機械硏磨)處理等而被平坦化 ,以降低起因於因存在於其下方的各種配線和元件等所導 致的階差之液晶層5 0的定向不良。 但是,也可以代替如此對第3層間絕緣膜43施以平 坦化處理,或者在此之外,在TFT陣列基板10、基底絕 緣膜12、第1層間絕緣膜41及第2層間絕緣膜42中至 少其一挖鑿溝,藉由掩埋資料線6a等之配線和TFT30等 ,以進行平坦化處理。 如依據成爲上述說明之構造的本實施形態之光電裝® ,如上述般地,掃描線330a具有寬幅部331a及窄幅部 3 3 2a的同時,由於上述寬幅部331a係設置爲與TFT30之 通道區域lal目向,所以可以容易調整、決定TFT30和掃 描線3 30a之配置形態。 例如,已經加上說明的第2圖之TFT30及掃描線 3 3 0a的配置關係,雖是呼應有效防止光射入TFT30之通 000772_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填* :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -30- 1259303 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(27 ) 道區域1 a ’之要求的合適配置關係之一例,在此之外,例 如,也可以實現如第5圖及第6圖所示之配置關係。此處 ’第5圖是與第2圖爲相同旨意之圖,但是,TFT及掃描 線的配置關係與該圖不同之形態,第6圖是與第4圖相同 ’爲只顯示第5圖所示之掃描線的形狀樣式。 在第5圖及第6圖中,掃描線330a’,更正確爲其窄 幅部332a’是被形成在由穿過夾著掃描線330a,相鄰接的畫 素電極9 a間而延伸之長方形第1間隙的中央偏離之位置 。而且,寬幅部331a’是被形成爲只突出第5圖或者第6 圖中Y方向的上方之形狀。另外,通道區域la,之配置關 係’即寬幅部33 la’之配置關係與第2圖無異。 在此種配置關係時,首先,第1 :可以謀求顯示晝像 的品質提升。此是基於以下之理由。即在關於本實施形態 之光電裝置中,如上述般地,雖在畫素電極9a上設置定 、向膜1 6 ’但是一般在此定向膜丨6之表面有存在起因於形 成在該定向膜16下之各種構成要素的「高度」之凹凸。 此處所言之「各種構成要素」之中也包含關於本形態之掃 描線330a’。第7圖係顯示沿著第5圖之B-B,線之剖面圖 ’顯示起因於該掃描線3 30a,之窄幅部332a,的「高度」的 凸部501被形成在定向膜16上之樣子。 但是’如產生此種凸部5 〇 1,在對於定向膜1 6所實 施的上述摩擦處理上,會有產生不均之虞。此不均會導致 液晶的定向不良等,而成爲光電裝置之動作不良的原因。 因此’在習知上’處理方法爲在如上述之凸部50 1附近設-000773 ___ 本纸張尺度適用中國ϋ樣準(CNS ) A4規格(2】0:< 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -31 - 1259303 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(28 ) 置遮光膜以遮蔽射入光,即到達該遮光膜之射入光藉由該 遮光膜而被反射或者吸收,不用資助於晝像顯示等。 在此之際,問題在於一面要滿足畫素開口率之提升的 要求,一面又必須設置上述之遮光膜。即爲了對應凸部 501,只單單設置遮光膜時,會徒使畫素開口率降低,而 損及畫像之亮度。但如只在凸部5 01之極少一部份設置遮 光膜時,無法充分遮光,會導致對.比之降低外,受到該凸 部501之上述不均的影響,會導致光電裝置的動作不良等 〇 此處,在本實施形態中,著眼於在凸部50 1產生上述 之不均,更進一步爲在上述凸部501中,關於摩擦之上滑 (即登上凸部501之方向)部份(第7圖之圖號501a。 以下,稱爲「上滑部5〇la」)和關於下滑(即由凸部50i 往下之方向)部份(第7圖之圖號501b。以下,稱爲「 下滑部501b」)中,上述不均之程度存在有差異。 更具體爲著眼於例如上述上滑部501a比上述下滑部 501b更不容易產生上述不均,即下滑部501b導致液晶定 向不良等之可能性高。 此處,在本實施形態中,在第5圖之掃描線330a’方 向互相鄰接的窄幅部33 2,被形成在由畫素電極9a間之中 央(參考第7圖之二點虛線)偏離的位置是具有意義。即 如將窄幅部3 3 2 a ’形成於如第7圖所示之位置時,起因於 該窄幅部332a’之凸部501的頂點50 1P也是變成被形成在 由互相鄰接之畫素電極9 a間的中央偏離之位置,此意味

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -32- 1259303 Μ ___Β7 _ 五、發明説明(29 ) (請先I讀背面之注意事項再填寫本頁) 可以採用在對應該第1間隙的區域上,使存在只有該凸部 5 0 1之幾乎一半斜面的構造,即可以採用在該區域上,使 存在只有上述下滑部501b之構造。而且,在此情形下, 如第7凸所示般地,如使遮光性的電容線300以及中繼層 7 1對應上述相互鄰接的畫素電極9a間而設置,可以有效 地只遮住上述下滑部501b,即能夠有效遮住被認爲最容 易產生不均之影響的凸部501之該部份。 ' 由以上之結果,如依據本形態,幾乎不會產生由於不 均的影響所致的光電裝置的動作不良等,而且,被認爲不 易產生不均的影響之凸部501a的上滑部501a可使有助於 畫像顯示之光透過,所以畫素開口率可以提升,即畫像能 夠明亮外,還可以維持開口率。結果爲如依據本形態,在 . 以上所敘述之意義中,能夠謀求顯示晝像的品質提升。 另外,如依據將窄幅部3 32a5形成於由第1間隙的中 央偏離的位置時,第2 :可以提升光電裝置的設計自由度 ,而且,能有效防止光射入TFT30。此係基於以下之理由 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即本形態的窄幅部332a’雖穿過互相鄰接之畫素電極 9a間的第1間隙而存在,但是不存在於其中央。因此, 例如藉由利用第1間隙之區域中沒有設置窄幅部332a>之 區域,可以配置由平面寬看與該窄幅部3 32a’平行而由與 該窄幅部3 3 2a’相同之膜所構成的電容線300等之其他配 線。即設計自由度增加。 另外,在上述之情形下,窄幅部3 3 2a’雖是由中央線 0i>0V75___ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) -33 - 1259303 Α7 Β7 、五、發明説明(30 ) (請先除讀背面之注意事項再填寫本頁) 偏離,但是藉由調整寬幅部3 3 1 a ’之寬度,例如,只使一 側放大爲寬幅,或者使一側放大爲大的寬幅,而且使另一 側成爲小的寬幅,如此能夠將當成閘極的寬幅部331 ^配 置於間隙的中央。在本形態中,如第5圖以及第6圖所示 般地,知道寬幅部33 la’是只在一側被放大。如此,可以 不拘掃描線330a’之位置,爲了提高遮光性可以將閘極配 置在合適之好位置,或者爲了提高遮光性而一面將閘極配 置於合適的好位置,一面將掃描線330a’配置在間隙內的 任意位置,所以最終可以提高包含掃描線330a’之配置的 配線配置自由度,而且實現本質上遮光性高的TFT30。 總之,如依據第5圖以及第6圖之形態,可以一面達 成顯示畫像之提升、設計自由度提升以及TFT30的光洩 漏電流降低等之要求,一面適當調整、決定通道區域1 a, 或者TFT30和閘極或者掃描線330a之配置關係。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如以上敘述般地,如依據本實施形態之光電裝置,藉 由掃描線具有當成閘極之寬幅部以及窄幅部,可以一面因 應上述各種要求和光電裝置本身之高精細化之一般的要求 ,一面可以適當調整、決定通道區域或者TFT30和閘極 、 或者掃描線之配置關係。 (第2實施形態) 以下參考第8圖至第11圖說明本發明之第2實施形 態。此處第8圖和第10圖分別是與第2圖相同意思之圖 ,爲顯示在TFT陣列基板1 0上形成溝之點以及掃描線之 ______ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】〇Χ297公麓' ' 一一" -34- 1259303 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(31 ) 至少一部份被掩埋在該溝內之點與同一圖不同之形態,第 9圖及第1 1圖爲顯示關於第2實施形態之掃描線的窄幅 部之形態及其剖面的樣子之斜視圖(第9圖是對應第8圖 ,在第8圖中的Z1-Z1,線的剖面是對應第9圖中的Z1-Z1’ 剖面。另外,第11圖是對應第10圖,在第10圖中的Z2-Z2’線的剖面是對應第9圖中的Z2-Z2’剖面)。另外,第 12圖是第10圖的T-Τ’剖面圖。而且,第2實施形態之光 電裝置的基本構造及作用等與上述第1實施形態相同,所 以在以下,主要只就第2實施形態中的特徵部份加上說明 。另外,在第8圖及第12圖所使用的圖號,在實質上指 示相同要素時,則使用與在至上述所參考的第1圖至第7 圖中所使用的圖號相同之圖號。 首先,在第2實施形態之一形態中,如第8圖及第9 圖所不般地,在T F T陣列基板1 0上沿著掃描線方向形成 溝3G1。此溝3G1係除了形成TFT30之半導體層la之區 域外而形成。藉由此,如只著眼於此,溝3G 1由平面觀 看是被形成爲呈矩陣狀排列(參考第8圖)。而且,掃描 線340a被形成爲其之窄幅部342a完全被掩埋在此溝3G1 內(參考第9圖)。 另一方面,在第2實施形態之其他形態中,如第10 圖及第11圖所示般地,與前述溝3G1略相同,在TFT陣 列基板10上形成溝3G2。但是,此溝3G2與前述溝3G1 相比,以形成爲窄若干較好。而且,掃描線350a爲其之 窄幅部3 5 2a沿著此溝3G2形成。窄幅部3 52a是具有其之000lV77 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -♦裝· 訂 ΙΦ' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公f ) -35- 1259303 A7 ___B7 五、發明説明(32 ) 一部份被掩埋於溝3G2內之掩埋部352aB,和與該掩埋部 3 5 2aB平行延伸而不被掩埋在溝3G2之非掩埋部352aNB 。其中,掩埋部352aB係形成在TFT陣列基板10之表面 上。 另外,在第2實施形態之一形態及其他形態中,如第 8圖及第1 0圖所示般地,在TFT陣列基板1 0上沿著資料 線方向形成有溝6G1。而且,資料線6a是被形成爲完全 被掩埋在此溝6G 1內。除此之外,半導體層1 a也被形成 爲完全被掩埋在溝6G1中。 如依據擁有此種構造的第2實施形態之光電裝置,可 以達到以下之作用和效果。首先,掃描線340a及350a之 任一者都是其全部或者一部份被掩埋在溝3G1或者3G2, 如第9圖及第11圖所示般地,所以在此掩埋部份中,基 底絕緣膜12和掃描線340a以及掃描線3 50a的掩埋部 352aB之表面高度幾乎相同而得以維持平坦性。藉由此, 被形成爲當成該掃描線340a及3 50a之上層的第1至第3 層間絕緣膜41至43,或者畫素電極9a及定向膜16之平 坦性也可以確保。因此,如依據第2實施形態,例如,在 定向膜16之表面幾乎不會產生沿著上述窄幅部342a或者 上述掩埋部352aB之階差,所以可以對於該定向膜16適 當實施摩擦處理,能夠獲得幾乎不會發生定向不良等,進 而幾乎不會發生以該定向不良爲其原因之光漏,及基於此 之晝質劣化的作用和效果。 種作用和效果,藉由溝6G1之存在,關於沿著資 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 丨J 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 1259303 A7 B7 五、發明説明(33 ) 料線6a之部份也可以同樣獲得。 (請先M-讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外,在第10圖及第11圖中,特別是藉由非掩埋部 352aNB之存在,可以獲得如下之作用效果。以下,對此 更加詳細說明。 首先,在本實施形態之光電裝置中,一般爲了防止由 於直流電壓施加所致的光電物質之劣化、顯示晝像的串音 和閃爍等,有採用以特定規則使施加於各晝素電極9a之 電壓極性反轉之反轉方式。更具體說明所謂之「1 Η反轉 驅動方式」時,則如下述: 、 首先,如第13(a)圖所示般地,在表示第η (但^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲自然數)號圖場(field)或者訊框之畫像信號期間中; 在每一畫素電極9 a上,以+或者-所表示的液晶驅動電壓 之極性被反轉,在每一行中,畫素電極9 a被以相同極性 驅動。之後,如第13 ( b )圖所示般地,在表示第n +1號 之圖場或者1訊框之晝像信號之際,各畫素電極9a之液 晶驅動電壓的極性被反轉,在表示此第n+ 1號之圖場或者 1訊框之畫像信號期間中,在每一畫素電極9a上,以+或 者-所示之液晶驅動電壓的極性沒有被反轉,在每一行中 ,畫素電極9 a被以相同極性所驅動。而且,第1 3 ( a ) '圖以及第13 ( b )圖所示之狀態係以1圖場或者1訊框之 週期而被重複著。此即藉由1 Η反轉驅動方式之驅動。其 結果,即能一面避免由於直流電壓施加所致的液晶劣化, 一面進行降低串音和閃爍之畫像顯示。另外,如依據1Η 反轉驅動方式,與後述之1 S反轉驅動方式相比,由於幾 ^國國家操準(〇〜5)/\4規格(2】0/ 297公鼇) " -37- 1259303 A7 B7 五、發明説明(34 ) 乎沒有圖中縱向(γ方向)的串音,所有較爲有利。 可是’由第13(a)圖以及第13(b)圖可以明白, (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 在1H反轉驅動方式中,變成在圖中縱向(γ方向)相互 鄰接的晝素電極9a間會產生橫向電場。在這些圖中,橫 向電場發生區域C1經常爲在Y方向相互鄰接的畫素電極 9a間之間隙附近。一被施加此種橫向電場,對於假想施 加相向的畫素電極和相向電極之間的縱向電場(即垂直於 基板面方向之電場)的光電物質,如液晶之定向不良,會 產生光電物質之動作不良,此部份產生光漏等,而產生對 比降低之問題。 相對於此,雖可以藉由遮光膜以遮蔽產生橫向電場的 區域,但是因應產生橫向電場之區域的大小,畫素的開口 區域變窄而產生問題。特別是,伴隨由於畫素間距之微細 化,相互鄰接之晝素電極間的距離縮小,此種橫向電場變 大,所以這些問題因光電物質的高精細化程度而愈爲深刻 化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此在第2實施形態中,於上述第1 〇圖以及第11圖 所示之形態中,起因於非掩埋部3 5 2aNB之高度的階差成 爲被形成在縱向相互鄰接的畫素電極9a (即被施加相反 極性的電位之相互鄰接的畫素電極9 a )間。基於此階差 的存在,可以加強配置在該階差上的晝素電極9a之邊緣 附近的縱向電場,同時可以減弱橫向電場。更具體爲’如 第1 2圖所示般地,使配置在階差4 3 0上之畫素電極9 a的 邊緣附近和相向電極2 1之距離窄階差4 3 0之高度部份。 -38- 1以用中國國家標準(〔奶)六4規格(210/297公釐) 1259303 A7 B7 五、發明説明(35 ) 因此,在第1 3圖所示之橫向電場的發生區域c 1中,可以 加強晝素電極9a和相向電極21之間的縱向電場。而且, 在第1 2圖中,相互鄰接之畫素電極9a間的間隙爲一定, 所以間隙愈窄而變強之橫向電場的大小也維持一定。因此 ’在第1 3圖所示的橫向電場的發生區域C1中,由於縱向 電場更具支配性,所以可以防止由於橫向電場所致的液晶 定向不良。另外,由於由絕緣膜所形成的階差430之存在 ,橫向電場的強度被減弱的同時,部份液晶由橫向電場存 在的階差430所置換,因而受到橫向電場之影響的液晶部 份減少,所以可以減少該橫向電場對於液晶層50的作用 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外,在上述中,雖就1Η反轉驅動而做說明,但是 本發明並不限定適用在此種驅動方式。例如,在一面將同 一列的畫素電極以相同極性的電位驅動,一面使此種電壓 極性每一列地以訊框或者圖場週期反轉之1 S反轉驅動方 式,也由於控制比較容易,是被使用爲可以進行高品質的 畫像顯示的反轉驅動方式,本發明也可以適用於此種方式 。另外,在列方向以及行方向之兩方向相互鄰接的畫素電 極間,使施加在各畫素電極的電壓極性反轉之點反轉驅動 方式也正被開發中,本發明不用說也可以適用於此種方式 〇 另外,在第2實施形態中,雖就如第2圖所示般地, 窄幅部3 5 2a及352a被形成爲穿過相互鄰接之畫素電極9a 間的第1間隙之中央的形態做說明,但是本發明並不限定 ,0781 _ 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -39- 1259303 A7 _B7 五、發明説明(36 ) 於此種形態。即如第5圖以及第6圖所示般地,在將窄幅 部形成爲延伸在由上述第1間隙的中央偏離之位置的形態 中,也可以當成合倂具有如第8圖至第11圖所示之溝 3G1或者3G2之形態。此種形態例如也可以採用第14圖 以及第1 5圖所示之形態。此處第14圖係與第2圖爲相同 意思之圖,顯示關於在TFT陣列基板1 0上形成溝之點以 及掃描線的窄幅部被形成爲由第1間隙的中央偏離之點等 與同圖不同之形態,第15圖係第14圖之Τ-ΊΓ剖面圖。 在第14圖中,掃描線360a與第5圖以及第6圖相比 ,窄幅部362a被形成由在穿過相互鄰接之畫素電極9a間 而延伸的長方形第1間隙的中央而偏離的位置之點雖相同 ,但是,窄幅部362a是沿著形成在TFT陣列基板10上的 溝3GT而形成之點,而且,寬幅部361a被形成爲只突出 於第14圖中下方之形狀,此兩點爲不同。藉由此,該掃 描線3 6 0 a的窄幅部3 6 2 a由第1間隙的中央來看,成爲被 形成在圖中靠上方處,因此,該窄幅部362a被形成爲位 於連接畫素電極9a和中繼層71用之觸孔85之正下方。 •另外,該窄幅部3 6 2 a被形成爲完全被掩埋在溝3 G Γ內。 如依據此種構造,如第1 5圖所示般地,觸孔8 5變成 被形成在被掩埋在溝3G1’內而形成的掃描線360a之上。 換g之’觸孔8 5可以幾乎不產生因掃描線3 6 0 a之高度所 致的階差之第3層間絕緣膜43的表面爲前提而形成。 即在此種第1 4圖以及第1 5圖所示之形態中,特別可 以獲得能夠比較容易而且確實進行觸孔85之形成的優里、占 000782 ”、、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)_ ---- -40- (請先閱讀背面之注意事項再填. :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(37 ) 。即如假定因窄幅部或者掃描線所致的階差出現在第3層 間絕緣膜43之表面時’則有蒙受觸孔85之形成必須在該 階差的頂上或者其稜面上進行之不當狀況。在本形態中, 可以不蒙受此種不利。 此種作用和效果,也可由以下之觀點加以掌握。即在 第2實施形態中,藉由掃描線的全部或者一部份被掩埋在 溝內,起因於該掃描線的高度之階差幾乎不存在於各層間 絕緣膜的表面上,所以不需要特別注意掃描線的形成位置 、或者延伸位置,換言之,只要是掃描線方向的鄰接畫素 電極間,任何地方都可以形成。即使在自由選擇掃描線的 形成位置,或者延伸位置,而且在其上形成觸孔等時,如 上述般地,該觸孔等之形成,由於上述階差不存在,所以 可以比較容易而且確實進行。 另外,在窄幅部由掩埋部以及非掩埋部所形成時,其 中以掩埋部側位於觸孔85之正下方以形成溝爲佳。上述 第1 2圖係此種形態之一例。 .(第3實施形態) 以下參考第16圖至第19圖說明本發明之第3實施形 態。此處第1 6圖是與第2圖相同意思之圖,顯示資料線 的形態與同一圖不同者,第17圖爲第16圖之P-P’剖面圖 ,第18圖爲第16圖之Q-Q,剖面圖,第19圖爲第16圖之 R-IV剖面圖。另外,第3實施形態之光電裝置的基本構造 以及作用等與上述第丨實施形態相同,所以在以下,主要 0 ί' Ο Ί 8 j, -_____ 本說条尺度4用中周國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) _^ -----Ί ---tT----- •(請4閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1259303 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(38 ) 就第3實施形態之特徵部份做說明。而且,在第丨6圖至 第19圖所使用的圖號於實質上指示相同要素時,設爲使 用與至目前爲止所參考的第1圖至第15圖中所使用的圖 號相同者。 在第3實施形態中,如第16至第19圖所示般地,資 料線6al是具備與TFT30重疊的部份爲局部性被形成爲寬 幅之寬幅部6aW。而且,電容線300之沿著資料線6a 1延 伸的部份,即突出部302的寬W1,第一:被形成爲比資 料線6al之寬幅部6aW以外的部份之寬W2’還寬(特別是 . 參考第17圖)。而且,第二:該突出部302之寬W1被 形成爲與資料線6al之寬幅部6aW的寬W6幾乎相同(參 考第18圖)。半導體層la之通道區域la’是位於此寬幅 部6aW之寬度方向的幾乎中央,同時也位於掃描線3a之 寬度方向的幾乎中央。另外,在第3實施形態中,如第 1 6圖或者第1 8圖以及第1 9圖所示般地,資料線6a 1之寬 幅部6aW在每一排列呈矩陣狀的TFT30上,由與該 TFT30重疊之部份至設置有連接該TFT30之半導體層la 和資料線6a用之觸孔8 1的部份爲連續的。除此之外,在 第3實施形態中,如第17圖至第19圖所示般地,在相向 基板20上形成遮光膜23。而且,此遮光膜23之一條一 條的格子寬WS是形成爲比上述的寬幅部6aW大。 在成爲此種構造的第3實施形態的光電裝置中,可以 獲得如下的作用和效果。即第一:藉由在TFT30上存在 都形成爲寬幅之資料線6al的寬幅部6aW和電容線300的jcumau_____ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】OX 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -42 - 1259303 A7 B7____ 、五、發明説明(39 ) 突出部302,可以獲得所謂雙重的遮光作用。因此,射入 TFT30之通道區域la’之光在前述實施形態也不易增加, 所以光洩漏電流也不易產生。 特別是在第3實施形態中,在TFT30上也還存在與 此種電容線300重疊之資料線6a的寬幅部6aW。在此情 形,在TFT30上,可以獲得與這些透過率之乘積値相符 的遮光性能。而且,半導體層la之通道區域la’位於寬幅 部6aW之寬度方向的幾乎中央的同時,也位於掃描線3a 之寬度方向的幾乎中央,所以可以更享受到遮光性能。 ' 第二:與此優異的遮光性能有關,在第3實施形態中 ,如上述般地,電容線300之突出部302的寬W1以及資 料線6a的寬幅部6aW之寬W6被設爲比相向基板20上的 遮光膜23的寬WS小(即WS<W1、WS<W6)。如依據此 ,由TFT30之上方所射入之光,首先被遮光膜23遮蔽, 或者即使通過該膜,也被接著的資料線6a的寬幅部6aW 所遮蔽。而且,射入光即使通過此寬幅部6 a W,也由接著 的電容線300之突出部302所遮蔽。總之,在第3實施形 態中,可以實現三重遮光,所以成爲一種更不易產生光射 入TFT30之狀況。 另外第三:在第3實施形態中,資料線6a之寬幅部 6aW是在排列呈矩陣狀的每一 TFT30上,由與TFT30重 疊之部份至觸孔8 1爲止連續形成。此處,此觸孔8 1係如 上述般地’設置用於連接TFT30的半導體層1 a和資料線 6 a,所以在該部份中,雖然無法形成電容線3 〇 〇,但是在 ,麟廳___ 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210:< 297公^-^ -- I I in - - I I ....... —I - I -(請先蜡讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T i# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印势 -43- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 A7 B7 五、發明説明(40 ) 第3實施形態中,於此觸孔81的形成部位,與TFT30之 上方相同,是存在資料線6a之寬幅部6aW。因此,由於 無法形成電容線300之部份所蒙受的遮光性能之降低,可 由此寬幅部6aW之存在而加以彌補。即如第3實施形態 般地,如依據連續形成TFT30上以及觸孔81的形成部位 的寬幅部6a之形態,可以不用胡亂放大寬幅部6aW之形 成區域,由不增加內面反射之觀點而言,反而較爲理想。 如上述般地,在第3實施形態中,各種之作用和效果 相乘,光射入通道區域la’之可能性極爲降低,TFT30之 光洩漏電流產生、乃至以該光洩漏電流爲原因之畫像上的 閃爍等之發生,都有效受到抑制。 (光電裝置的整體構造) 參考第20圖以及第21圖說明關於如以上構造的本實 施形態之光電裝置的整體構造。另外,第20圖係與形成 在TFT陣列基板上的各構成要素一同由相向基板20側觀 看該基板之平面圖,第21圖是第20圖之H-H’剖面圖。 在第20圖以及第2 1圖中,於關於本實施形態的光電 裝置中,TFT陣列基板1 0和相向基板20爲被配置相向。 在TFT陣列基板10和相向基板20之間封入液晶層50, TFT陣列基板1 〇和相向基板20以設置在位於畫像顯示區 域1 0a之周圍的密封區域之密封材料52而被相互接著著 〇 在密封材料52之外側的區域沿著TFT陣列基板1 〇 G(iOV86 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) — -44- I — V------裝---^---j I 訂------ (請先阶讀背面之注意事項再填寫本頁) 1259303 A7 ____B7 _ 五、發明説明(41 ) 的一邊設置有以特定的時序供給畫像信號給資料線6a以 驅動該資料線6a之資料線驅動電路1〇1以及外部電路連 接端子1 02,於沿著鄰接此一邊的二邊設置對掃描線3a 供給特定的掃描信號以驅動掃描線3 a之掃描線驅動電路 104 ° 另外,如果供應給掃描線3a之掃描信號延遲不成爲 問題,不用說掃描線驅動電路1 04也可以只設置在單邊。 另外,也可以將資料線驅動電路1 〇 1沿著畫像顯示區域 10a之邊而排列在兩側。 在TFT陣列基板10之剩餘一邊設置用於連接設置在 畫像顯示區域1 0a之兩側的掃描線驅動電路1 〇4間用的多 數的配線105。而且,在相向基板20之角落部的至少一 處中,設置在TFT陣列基板1 〇和相向基板20之間取得 導電接通用的導通材106。而且,如第21圖所示般地, 、具有與第20圖所示之密封材料52幾乎相同輪廓的相向基 板20,係藉由該密封材料52而被固定在TFT陣列基板10 上。 在第21圖中’於TFT陣列基板1〇上,在形成有畫 素開關用之TFT和掃描線、資料線等之配線後的畫素電 極9a上形成定向膜。另一方面,在相向基板20上,除了 相向電極21外,在最上層部份也形成定向膜。而且,液 晶層50例如是由混合一種或者多數種的向列液晶之液晶 形成’在這些一對的定向膜間取得特定的定向狀態。 在TFT陣列基板10上,除了這些資料線驅動 適用中國國家標準(CNS ) A4規^77丨0>< 297公嫠) 1___ - νί j— —· - - - I - n - (請先r讀背面之注意事項再填寫本頁) -5-Ϋ» Φ 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -45- 1259303 A7 B7 五、發明説明(42 ) 請 先 閲一 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 電路1 01、資料線驅動電路1 01等之外,也可以形成對多 數的資料線6a以特定時序施加畫像信號的取樣電路、先 於畫像信號而對多數的資料線6a各供給特定電壓位準之 預先充電信號之預先充電電路、製造中途和出貨時用於檢 查該光電裝置的品質、缺陷等用之檢查電路等。 (電子機器之實施形態) 接著,關於將以上詳細說明之光電裝置當成光閥使用 的電子機器之一例的投射型彩色顯示裝置的實施形態,就 其整體構造、特別是光學構造做說明。此處,第22圖係 投射型彩色顯示裝置的圖式剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第22圖中,本實施形態之投射型彩色顯示裝置之 一例的液晶投影機1100係由:準備3個含有在TFT陣列 基板上搭載驅動電路的液晶裝置之液晶模組,分別當成 RGB用之光閥100R、100G以及100B使用之投影機所構 成。在液晶投影機1 1 00中,如投射光由金屬鹵素燈等之 白色光源的燈單元1102發出,藉由3片的反射鏡1106以 及2片的分色鏡1108而被分成對應RGB之三原色的光成 分R、G以及B,分別被導入對應各色之光閥l〇〇R、100G 、以及100B。在此之際,特別是爲了防止B光由於長的 光路所導致的光損失,透過射入透鏡11 22、中繼透鏡 1123以及射出透鏡1124所形成之中繼透鏡系統1121而被 導入。而且,對應藉由光閥100R、100G、以及100B而分 別被調變的三原色的光成分藉由分色稜鏡111 2而被再度 i W : Ο 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -46- 1259303 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(43) 合成後’透過投射透鏡1 1 1 4而當成彩色晝像被投射在螢 、 幕1120上。 本發明並不限定於上述之實施形態,在不違反申請專 利範圍以及詳細說明書整體所讀取的發明之要旨、或者思 想之範圍內,可以適當加以變更,伴隨此種變更的光電裝 置,例如電氣脈動裝置和電激發光顯示裝置,和包含這些 光電裝置的電子機器也被涵蓋在本發明之技術範圍內。 圖式簡單說明 第1圖係顯示設置在構成本發明之實施形態的光電裝 置之畫像顯示區域而呈矩陣狀的多數晝素的各種元件、配 線等之等效電路的電路圖。 第2圖係形成本發明之實施形態的光電裝置的資料線 、掃描線、畫素電極等之TFT陣列基板的相鄰接之多數 畫素群的平面圖。 第3圖係第2圖之A-A’剖面圖。 第4圖係只顯示第2圖所示之掃描線的形狀樣式之平 面圖。 第5圖係與第2圖相同意思之圖,爲顯示掃描線及 TFT之配置關係與該圖不同之形態圖。 、 第6圖爲只顯示第5圖所示之掃描線的形狀樣式之平 面圖。 第7圖爲第5圖之B-B’剖面圖。 第8圖係與第2圖相同意思之圖’爲顯示在TFT陣 CG0V89 本紙張尺度適用中國國家標準"(CNS ) A4規格(_2!〇Χ 297公釐1 ~ ----r------——L---ί #------0 ~ (請先fr讀背面之注意事項再填寫本頁) 1259303 A7 B7 五、發明説明(44 ) 列基板形成溝以及 掃描線被掩埋在該溝內等與該圖不同之形態。 (請先»讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9圖係顯示第8圖所示之掃描線的窄幅部的樣子之 剖面圖。 第1 0圖係與第2圖相同意思之圖,爲顯示在TFT陣 列基板形成溝以及 掃描線之一部份被掩埋在該溝內等與該圖不同之形態 〇 第11圖係顯示第10圖所示之掃描線的窄幅部的樣子 之剖面圖。 第12圖係第10圖之T-Τ’剖面圖。 第1 3圖係說明橫向電場之發生機構用的說明圖。 第14圖係與第2圖相同意思之圖,爲顯示在TFT陣 列基板形成溝以及 掃描線的窄幅部被形成在偏離第1間隙的中央等與該 圖不同之形態。 第15圖係第14圖之Τ-Γ剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 弟1 6圖係與第2圖相同意思之圖’爲$頁不資料線的 形態與該圖不同者。 第17圖係第16圖之P-PKJ面圖。 第18圖係第16圖之QW剖面圖。 第19圖係第16圖之R-R’剖面圖。 第20圖係由相向基板側觀看本發明之實施形態的光 電裝置之TFT陣列基板及形成在其上的各構成要素之平 GU0V90 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -48- 1259303 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(45 ) 面圖。 第21圖係第20圖之Η-ίΓ剖面圖。 第22圖係顯示本發明之電子機器的實施形態之投射 型彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投影機之圖式剖面圖。 [圖號說明] 1 a :半導體層 la’ :通道區域 3 30a、3 30a,、340a、3 50a、3 60a :掃插線 331a、331a'、341a、351a、361a:寬幅部 3 3 2a、3 3 2a’、342a、352a、362a :窄幅部 3G1、3G1;、3G2 :溝 3 5 2aB :掩埋部 352aNB :非掩埋部 430 :階差 9a :畫素電極 10 : TFT陣列基板 1 6 :定向膜 3〇 : TFT 5 0 :液晶層 乂請先»讀背面之注意事 ΙΦ -項再填· 裝-- 填寫本頁) 訂 GUUV91 本紙張尺度適用中國國家標準(CISS ) A4規格(210X 297公漦) - 49-

Claims (1)

  1. A B c D 1259303 六、申請專利範圍J 第9 1 1 3 7 1 74號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (,請先民^背云之注意事項兵填寫本頁) 民國94年9月5日修正 1 、一種光電裝置,其特徵乃於基板上,具備向特定 方向延伸之掃瞄線及向交叉於該掃瞄線之方向延伸之資料 線、和對應於前述掃瞄線及前述資料線之交叉範圍而設置 之薄膜電晶體、和對應於該薄膜電晶體,呈矩陣狀之排列 而設置之畫素電極、和設於前述畫素電極配置後之配向膜 前述掃瞄線乃在對向於前述薄膜電晶體之通道範圍之 部分,具有做爲閘極電極之寬度廣部的同時,於其他部分 具有寬度窄部, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述通道範圍乃由平面視之,形成於縫合沿前述掃瞄 線之延伸存在方向相鄰接之畫素電極間而延伸之長度狀之 第1間隙、和縫合沿前述資料線之延伸存在方向相鄰接之 畫素電極間而延伸之長度狀之第2間隙所交錯之交點範圍 內, 前述掃瞄線之寬度窄部乃形成於較前述第1間隙之中 央偏移之位置, 於對應於前述第1間隙之範圍上,將起因於前述寬度 窄邰所形成之凸邰,該寬度狹部從前述第1間隙之中央偏 移之側,朝向該相反側,平磨前述配向膜者。 2、如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,前述 本纸張尺度適用中國國家禚準(CNS 規格(210X 297公釐) ABCD 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 1259303 申請專利範圍 寬度廣部乃於前述交點範圍內,形成於前述第2間隙之中 央者。 3、 一種光電裝置,其特徵乃於基板上,具備向特定 方向延伸之掃瞄線及向交叉於該掃瞄線之方向延伸之資料 線、和對應於前述掃瞄線及前述資料線之交叉範圍而設置 之薄膜電晶體、和對應於該薄膜電晶體而設置之畫素電極 , 於前述基板中,沿前述掃瞄線挖掘凹溝,前述掃瞄線 乃於該凹溝內,直接或藉由層間絕緣膜’至少部分被埋入 前述掃瞄線乃具有伴隨埋入於前述凹溝內的同時,沿 前述掃瞄線延伸之埋入部分,和伴隨未埋入於前述凹溝內 的同時,與前述埋入部並排,沿前述掃瞄線延伸之非埋入 部分, 經由則述非埋入部分之存在,鄰接之則述畫素電極之 間隙之前述畫素電極的基材,乃沿前述掃瞄線隆起。 4、 一種光電裝置,其特徵乃於基板上’具備向特定 方向延伸之掃瞄線及向交叉於該掃瞄線之方向延伸之資料 線、和對應於前述掃瞄線及前述資料線之交叉範圍而設置 之薄膜電晶體、和對應於該薄膜電晶體而設置之畫素電極 和連接於前述畫素電極,構成蓄積容量之畫素電位側 容量電極, 和於該畫素電位側容量電極,含藉由介電質膜對向配 本纸張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4洗格(21〇X:297公釐) (請先閏·^背^之注意事^真填寫本頁)
    -2- 1259303 ίί C8 D8 六、申請專利範圍 3 置,構成前述蓄積容量之固定電位側容量電極的容量線; (請先閨讀背云之注意事\fi:填寫本頁) 前述容量線乃具有沿前述掃瞄線延伸之主線部,和沿 前述資料線延伸之部分, 前述資料線乃重疊於前述薄膜電晶體之部分,局部地 呈蜜度廣地加以形成, 沿前述容量線之前述資料線延伸之部分的寬度乃較未 形成於前述資料線之寬度廣之部分的寬度爲廣,且與形成 於前述資料線之前述寬度廣之部分之寬度相同地加以形成 者。 5、一種光電裝置,其特徵乃於基板上,具備向特定 方向延伸之掃瞄線及向交叉於該掃瞄線之方向延伸之資料 線、和對應於前述掃瞄線及前述資料線之交叉範圍而設置 之薄膜電晶體、和對應於該薄膜電晶體而設置之畫素電極 和連接於前述畫素電極,構成蓄積容量之畫素電位側 容量電極, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 和於該畫素電位側容量電極,含藉由介電質膜對向配 置,構成前述蓄積容量之固定電位側容量電極的容量線; 前述容量線乃具有沿前述掃猫線延伸之主線部,和沿 前述資料線延伸之部分, 前述資料線乃重疊於前述薄膜電晶體之部分,局部地 呈蜜度廣地加以形成, 沿前述容量線之前述資料線延伸之部分的寬度乃較未 形成於前述資料線之寬度廣之部分的寬度爲廣,且較形成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210 X 297公釐) 1259303 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 於前述資料線之前述寬度廣之部分之寬度爲窄地加以形成 者。 6、 如申請專利範圍第4項或第5項之光電裝置,其 中,前述容量線乃配置於前述薄膜電晶體和前述資料線間 之層積位置, 前述資料線乃除了重疊於前述薄膜電晶體之部分,設 置與前述薄膜電晶體之連接用之連接孔的部分,乃形成呈 寬度廣者。 7、 如申請專利範圍第4項或第5項之光電裝置,其 中’前述資料線乃於每前述薄膜電晶體,從重疊於前述薄 膜電晶體之部分,至設置前述連接孔之部分,連續地形成 呈寬度廣者。 8、 如申請專利範圍第〗項至第5項之任一項之光電 裝置’其中’更具備於前述基板,藉由光電物質,對向配 置之其他之基板, 和形成於該其他之基板上之遮光膜; 沿前述資料線及前述容量線之前述資料線之延伸部分 的寬度乃較前述遮光膜之寬度爲窄。 9、 一種光電裝置,其特徵乃於基板上,具備基材絕 緣膜、和設於前述基材絕緣膜之凹溝、和埋入於前述凹溝 內而形成,向特定方向延伸之掃瞄線及向交叉於該掃瞄線 之方向延伸之資料線、和對應於前述掃瞄線及前述資料線 之交叉範圍而設置之薄膜電晶體、和對應於該薄膜電晶體 ,呈矩陣狀之排列而設置之畫素電極,和電性中繼前述薄 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -裝-- (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1259303 Μ C8 D8 六、申請專利範圍 5 膜電晶體和前述畫素電極的繼層,和電性連接前述中繼層 和前述畫素電極的連接孔; 前述連接孔乃設於埋入前述凹溝而2牙成之前述掃瞄 線上。 1 〇、一種電子機器,其特徵乃具備如申請專利範圍第 1項至第9項之任一項之光電裝置。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210 X 297公釐) (請先間讀背面之注意事\fi:填寫本頁)
    - 5-
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