TWI253206B - Anisotropic connector device and its manufacturing method, and inspection device of circuit device - Google Patents

Description

1253206 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關例如適合用於檢查半導體積體電路等之 電路裝置之向異性導電連接器裝置以及其製造方法，以及 具有該向異性導電連接器裝置之電路裝置之檢測裝置。 【先前技術】 向異性導電薄片爲具有僅在厚度方向顯示導電性者， 或在被按壓於厚度方向時，僅在厚度方向顯示導電性之加 壓導電性導電部者，具有不需使用焊接或機械式套合之方 法即可達成簡單之電連接，以及可以吸收機械式之撞擊或 畸變（distortion)以進行軟式連接（soft connection)等 特長者。 因此，利用此種特長，向異性導電薄片廣泛利用於例 如電腦、電子數位時鐘、電子攝影機、電腦鍵盤等之領域 ，以達成電路裝置間之電連接，例如印刷電路板與無引線 晶片載體（leadless chip carrier)，液晶面板等之電連接 之向異性導電連接器。 另外，在印刷電路板與半導體積體電路等之電路裝置 之電性檢查時，例如爲達成檢查對象之電路裝置之一面所 形成之被檢查電極，以及檢查用電路基板表面所形成之檢 查用電極之電連接，在電路裝置之電極區域與檢查用電路 基板之檢查用電極區域之間介設向異性導電薄片做爲連接 器。 -5- 1253206 (2) 先前此種向異性導電薄片具有下列各種構造。 △在彈性體（elastomer)中均勻分散金屬粒子而得者 (參照例特開昭5 1 -9 3 3 9 3號公報）， △藉由在彈性體中不均勻地分散導電磁性金屬以形成 延伸至厚度方向之多個導電路形成部以及互相絕緣該等形 成部者（參照例如特開昭5 3 - 1 47 7 72號公報）， △在導電路形成部表面與絕緣部之間形成有階差者（ 參照例如特開昭6 1 -2 5 0906號公報）等。 該等向異性導電薄片中，導電性粒子含在絕緣性彈性 高分子物質中呈配向於厚度方向之狀態，而藉由許多導電 性粒子之鍊鎖形成導電路。 此種向異性薄片係將含有例如被硬化而做爲彈性高分 子物質之高分子物質形成材料中具有磁性之導電性粒子而 成之成型材料灌入金屬模之成型空間中以形成成型材料層 ，並使磁場作用以硬化處理而製成。 但是，在例如具有由焊錫形成之凸起狀電極之電路裝 置之電性檢查時，要以先前之向異性導電薄片做爲連接器 使用時，有以下之問題。 亦即，由於反覆將檢查對象之電路裝置之被檢查電極 之凸起狀電極壓接於向異性導電薄片表面，在上述向異性 導電薄片表面會發生凸起狀電極之壓接而引起之永久性變 形，或因磨損而引起之變形，因此，在上述向異性導電薄 片之導電路形成部之電阻値會增加，由各導電路形成部之 電阻値會參差不齊，後續之電路裝置之檢查變成困難。 -6- 1253206 (3) 另外，由於用於構成導電路形成部之導電性粒子必須 獲得良好之導電性，通常使用形成有由金所形成之被覆層 者，惟由於連續進行許多電路裝置之電性檢查，構成電路 裝置之被檢查電極之電極物質（焊錫）轉移至向異性導電 薄片之導電性粒子之被覆層，因此，上述被覆層變質之結 果，導電路形成部之導電性有降低之問題。 此外，在例如具有由鋁所形成之基座（p a d )電極之 電路裝置之電性檢查當中，利用先前之向異性導電薄片做 爲連接器時，有下面的問題。 即，在具有基座電極之電路裝置中，上述電路裝置表 面通常形成有具有比基座電極之厚度爲大之厚度之抗蝕膜 。而且爲對形成有此種抗蝕膜之電路裝置之基座電極確實 電連接，使用形成有由絕緣部表面凸出之導電路形成部者 做爲向異性導電薄片。 可是，如此種向異性導電薄片被反覆使用時，在導電 路形成部會發生永久性壓縮變形，因此在上述向異性導電 薄片之導電路形成部之電阻値會增加，或無法達成對基座 (pad )電極之導電路形成部之穩定之電連接結果，由於 被檢查電極之基座電極與檢查用電路基板之檢查用電極之 間的電阻値會參差不齊，因此，後續之電路裝置之檢查有 變成困難之問題。 爲解決此等問題，利用向異性導電薄片與排列著貫穿 在樹脂材料所構成之柔軟之絕緣部薄片之厚度方向而延伸 之多個電極構造體之薄片狀連接器構成連接器裝置，並藉 1253206 (4) 使在該連接器裝置之薄片狀連接器之電極構造體接觸按壓 以達成與檢查對象之電路裝置之電連接（參照例如特開平 7 - 2 3 1 0 1 9號公報，特開2 0 0 0 - 3 2 4 6 0 1號公報，韓國專利公 開2002 -244 1 9號公報，韓國新型20-2 7 8 9 8 9號公報）。 但是，記載於上述之特開平7-231019號公報，特開 200 0-324601號公報，韓國專利公開2002-24419號公報， 以及韓國新型20-278989號公報之連接器裝置在檢查對象 之電路裝置之被檢查電極之間距（pitch )小時，即薄片 狀連接器之電極構造體與向異性導電薄片之導電路形成部 之間距小時，有下述之問題。 亦即，向異性導電薄片與薄片狀連接器之定位係分別 藉由在各周緣部形成定位孔，或將各周緣部固定於具有定 位孔之框形支撐體上而在各定位孔插通共同之導銷（ guidepin)來進行。 但是，在此種方法中，隨著薄片狀連接器之電極構造 體與向異性導電薄片之導電路形成部之間距變小，要確實 進行兩者之定位也增加困難。 另外，即使暫時實現了企望之定位時，隨著使用上述 連接器裝置而發生導電路形成部與電極構造體之位移，或 使用於預燒（burn-in)試驗等之高溫環境下之試驗時，由 於形成向異性導電薄片之材料與形成薄片狀連接器之絕緣 性薄片之材料之熱膨脹差，而發生薄片狀連接器之電極構 造體與向異性導電薄片之導電路形成部之間發生位移之結 果，有無法穩定地維持良好之電連接狀態之問題。 -8- 1253206 (5) 因此，有人提出將薄片狀連接器一體設置於向異 電薄片上之連接器裝置（參照特開平1 1 -2 5 8 26 8號公 韓國專利公開 2002-79350 號公報（國際公開 02/0 847 3 0 號公報））。 但是，記載於該等特開平1 1 -2 5 826 8號公報，韓 利公開2002-793 5 0號公報（國際公開WO 02/0 847 3 0 報）之連接器裝置上，因爲僅將薄片狀連接器與向異 電薄片一體設置，因此薄片狀連接器與向異性導電薄 間之結合力較弱。所以，在重複進行檢查時，在薄片 接器與向異性導電薄片之間之界面容易剝離，以致薄 連接器之電極構造體與向異性導電薄片之導電路形成 間之導通不良，有無法使用及耐久性之問題。 【發明內容】 本發明爲基於上述問題而完成者，其目的在提供 向異性導電連接器裝置，其不需要薄片狀連接器之定 業，且即使連接對象電極之間距小者，也可以獲得良 電連接狀態，而且在長期間反覆使用時或在高溫下使 ，也可以穩定地維持良好之電連接狀態。 另外，本發明之目的在提供一種可以有效製造上 向異性導電連接器裝置之方法。 此外，本發明之目的在提供一種電路裝置之檢測 ’其即使檢測對象之電路裝置之被檢查電極之間距小 也可以獲得良好之電連接狀態，而且即使在長時間反 性導 報， WO- 國專 號公 性導 片之 狀連 片狀 部之 一種 位作 好之 用時 述之 方法 者， 覆使 -9 - 1253206 (6) 用時或高溫環境下使用時，也可以穩定地維持良好之電連 接狀態。 再者，本發明之目的在提供〜種有效率以廉價生產具 有此等特徵之向異性導電連接器之方法。 本發明係爲解決上述之先前技術中之問題而完成者， 本發明之向異性導電連接器裝置具有： 向異性導電膜’向厚度方向延伸之多個導電路形成部 藉由絕緣部配置成互相絕緣之狀態而成；以及 薄片狀連接益’在絕緣性薄片配置成延伸至厚度方向 之多個電極構造體而成；其特徵爲： 上述薄片狀連接器被一體設置於上述向異性導電膜上 呈各電極構造體分別位於上述向異性導電膜之各導電路形 成部上之狀態。 此時，在本說明書中，所謂「整體設置」是指薄片狀 連接器整體粘接於向異性導電膜上成爲一體之狀態，且設 成無法互相移動位置之情形。 如上述，薄片狀連接器係一體設置於向異性導電膜上 呈各電極構造體分別位於向異性導電膜之各導電路形成部 上之狀態，因此不需要薄片狀連接器之定位作業，即使連 接對象電極之間距小者，也可以獲得良好之電連接狀態。 而且因爲薄片狀連接器係一體設置於向異性導電膜上 ，因此即使長時間反覆使用時或在高溫環境下使用時’在 向異性導電膜之導電路形成部與薄片狀連接器之電極構造 體之間也不致發生位移且可以穩定地維持良好之電連接狀 -10- 1253206 (7) 育g 。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵在於上 述薄片狀連接器爲形成有貫穿絕緣薄片之雙面之貫穿孔’ 且在該貫穿孔配置有電極構造體之薄片狀連接器。 電極構造體如此地被配設於貫穿絕緣薄片之雙面之貫 穿孔，因此，薄片狀連接器之電極構造體之位置不致移動 而可以穩定地維持良好之電連接狀態。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵爲上述 薄片狀連接器之電極構造體具備： 露出上述絕緣性薄片表面之表面電極部； 露出上述絕緣性薄片背面之背面電極部；以及 延伸於上述絕緣性薄片之厚度方向之短路部；而且 上述表面電極部與背面電極部係藉由上述.連結部連結 成一體。 藉由如此之構造，透過短路部可以確實形成由露出絕 緣性薄片表面之表面電極部到達露出絕緣性薄片背面之背 面電極部之導電路，而且穩定地保持良好之電連接狀態。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵爲：在 上述薄片狀連接器之絕緣性薄片形成有連結用貫穿孔， 上述向異性導電膜之絕緣部形成有由其表面凸出之連 結用凸出部； 上述向異性導電膜之連結用凸出部插入薄片狀連接器 之連結用貫穿孔中。 利用此種構造，因爲形成於向異性導電膜之連結用凸 -11 - 1253206 (8) 出部係插入形成於薄片狀連接器之絕緣性薄片之連結用貫 穿孔中，因此薄片狀連接器呈現無法在向異性導電膜上互 相移動之狀態。 因此，可以更加確實防止向異性導電膜之導電路形成 部與薄片狀連接器之電極構造體之位移之發生。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置具有： 向異性導電膜，係將延伸於厚度方向之多個導電路形 成部配置成以絕緣部互相絕緣之狀態而成；以及 薄片狀連接器，係在絕緣性薄片上配置延伸於厚度方 向之多個電極構造體而成；其特徵爲： 上述薄片狀連接器被整體化於上述向異性導電膜上呈 各電極構造體分別位於上述向異性導電膜之各導電路形成 部上之狀態。 此時，在本說明書中，所謂「被整體化」意指薄片狀 連接器在向異性導電膜上與向異性導電膜整體化之狀態， 而無法互相移動位置之狀態。 因爲薄片狀連接器如此地在向異性導電膜上與向異性 導電膜整體化成各電極構造體分別位於向異性導電膜之各 電路形成部上之狀態，所以不需要薄片狀連接器之定位作 業，即使連接對象電極之間距小者，也可以獲得良好之電 連接狀態。 而且，因爲薄片狀連接器在向異性導電膜上成爲與向 異性導電膜整體化之狀態，因此即使在長期間反覆使用時 或在高溫環境下使用時，在向異性導電膜之導電路形成部 -12- 1253206 (9) 與薄片狀連接器之電極構造體之間也不致發生位移’且$ 以穩定地保持良好之電連接狀態。 此外，本發明之向異性導電性連接器裝置之特徵爲： 上述薄片狀連接器形成有連通絕緣薄片雙面之空隙’且@ 該空隙中配設有電極構造體之薄片狀連接器。 由於在連通絕緣薄片雙面之空隙配設有電極構造體’ 因此薄片狀連接器之電極構造體不致發生位移，可以穩定 地保持良好之電連接狀態。 另外，本發明之向異性導電連接器之特徵爲：上述薄 片狀連接器之絕緣性薄片係由網狀物（mesh )，非織布， 或多孔性薄膜所構成之絕緣性薄片。 若薄片狀連接器之絕緣性薄片係以網狀物，非織布， 或多孔性薄膜所構成之絕緣性薄片，則因爲可以在連通雙 面之空隙配設電極構造體，而且在其他空隙中，構成向異 性導電膜之材料，或粘合向異性導電膜或薄片狀連接器之 粘合劑以浸透於該空隙中之狀態硬化，因此，可以確實而 牢固地將薄片狀連接器整體化於向異性導電連接器上。 因此，薄片狀連接器之電極構造體不致有位移，且可 以穩定地保持良好之電連接狀態。 另外，利用此向異性導電連接器裝置，因爲薄片狀連 接器之絕緣性薄片係由網狀物，非織布，或多孔性薄膜戶斤 構成，所以在薄片狀連接器之製造中不需要形成貫穿孔之 作業，而可以有效率而廉價地進行薄片狀連接器之製造， 也可以有效率而廉價地製造向異性導電連接器裝置。 -13- 1253206 :ι10) 此外，利用此向異性導電連接器裝置，因爲薄片狀連 接器裝置$因爲薄片狀連接器之絕緣性薄片係由網狀物‘ 非織布，或多孔性薄膜之絕緣性薄片所構成，所在將薄片 狀連接器與向異性導電連接器之向異性導電膜整體化時~ 藉由在金屬模中之成型材料層上配置薄片狀連接器以硬化 處理該成型材料層”則構成成型材料層之彈性高分子物質 會以浸透於網狀物。不織布，或多孔性薄膜之狀態被硬化 ，因此，可以確實且牢固地將薄片狀連接器整體化於向異 1生導電膜上。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵爲： 上述向異性導電膜係由絕緣性之彈性高分子物質所形 成，且 該導電路形成部含有呈現磁性之導電性粒子。 因爲構成如此，所以容易加壓變形，且且在導電路形 成部由於展示磁性之導電性粒子施加磁場而成爲容易定向 之狀態，在導電路形成部之導電性粒子間可以獲得充分之 電接觸 c 再者，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵爲：設 有用於支撐上述向異性導電膜之周緣部之支撐體。 利用此種構成，藉將導銷插入形成於支撐體之定位孔 即可將向異性導電膜之導電路形成部以定位於檢測用電路 基板之檢測用電極上之狀態，將向異性導電連接器裝置正 確固定於檢測用電路基板之表面。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置爲設置於檢測 • 14 - 1253206 (11) 對象之電路裝置與檢測用電路基板之間而用於進行上述電 路裝置之被檢測電極與上述電路基板之檢測電極之連接器 之裝置，其特徵爲： 在接觸檢測對象之電路裝置之一面配置有薄片狀連接 器。 利用此種構成，可以將向異性導電膜之導電路形成部 定位於檢測用電路基板之檢測用電極上之狀態，將向異性 導電連接器裝置固定於檢查用電路基板表面，並將檢測對 象之電路裝置之被檢測電極頂接按壓於薄片狀連接器之電 極構造體。 藉此，向異性導電連接器裝置之有效導電路形成部部 分別被薄片狀連接器之電極構造體與檢測用電路基板之檢 測用電極夾壓之狀態。 其結果是檢測對象之電路裝置之各被檢測電極與檢測 用電路基板之各檢測用電極之間電連接可以達成，且可以 迅速而確實地實施電路裝置之檢查。 此外，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵爲：在 上述向異性導電膜上除了形成用於電連接至檢測對象之電 路裝置之被檢測電極之導電路形成部之外，還形成有不電 連接至被檢測電極之導電路形成部。 利用此種構造，即可依照與連接對象電極，例如檢測 對象之電路裝置之被檢測電極之圖案相對應之圖案配置導 電路形成部，而確實保持電連接。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之特徵爲：上 -15- 1253206 (12) 述導電路形成部係以特定之間距配置。 利用此種構造，即使連接對象電極，如檢測電路裝置 之被檢測電極之間距小者，也可以獲得良好之電連接狀態 〇 此外，本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法爲 製造上述記載之向異性導電連接器裝置之方法，其特徵爲 備妥以一對模子形成成型空間之向異性導電膜成型用 之金屬模； 在該金屬模中，形成成型材料層，其係在被硬化之彈 性局分子物質之液悲局分子物質形成材料中含有展示磁性 之導電性粒子之向異性導電膜用成型材料.所形成，同時在 上述成型材料層上配置上述薄片狀連接器； 然後’藉由在成型材料層之厚度方向作用具有強度分 布之磁場，並硬化處理上述成型材料層； 而製得上述薄片狀連接器被整體設置於向異性導電膜 上之向異性導電連接器裝置。 利用此種構造’可以有效且確實地製造在向異性導電 膜上整體設置有薄片狀連接器之向異性導電連接器裝置。 此外’本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 特徵爲：利用形成有貫穿絕緣薄片雙面之貫穿孔之薄片狀 連接器在上述絕緣薄片之貫穿孔內形成成型材料層，俾可 以塡充向異性導電膜用之成型材料。 利用此種構造’在絕緣溥片之貫穿孔中經由塡充向異 -16- 1253206 (13) 性導電膜用之成型材料而硬化，可以在向異性導電膜上將 薄片狀連接器設成不能互相移動位置’而且簡單而確實地 獲得整體設置於向異性導電膜上之向異性導電連接器裝置 〇 因此，如此製得之向異性導電連接器裝置之薄片狀連 接器係被整設置於向異性導電膜上呈現各電極構造體分別 位於向異性導電膜之各導電路形成部上之狀態，因此不需 要薄片狀連接器之定位作業，且即使連接對象電極之間距 爲小者，也可以獲得良好之電連接狀態。 而且，因薄片狀連接器係整體設置於向異性導電膜上 ，所以即使長期間反覆使用時或在高溫環境下使用時，向 異性導電膜之導電路形成部與薄片狀連接器之電極構造體 之間也不致發生位移，且可以穩定地保持良好之電連接狀 態。 另外，本發明之向異性連接器裝置之製造方法之特徵 爲：利用絕緣薄片上形成有連結用貫穿孔之薄片狀連接器 做爲上述絕緣性薄片。 形成成型材料層俾在上述薄片狀連接器之連結用貫穿 孔內塡充向異性導電膜用成型材料。 利用此種構造，由於連結用貫穿孔中所塡充之向異性 導電膜用成型材料硬化，而成爲向異性導電膜上所形成之 連結用凸出部，且成爲插入於薄片狀連接器之絕緣性薄片 上所形成之連結用貫穿扎中之狀恶，因此，薄片狀連接器 在向異性導電膜上成爲無法互相移動位置之狀態。 -17- 1253206 (14) 藉此，可以進一步確實防止向異性導電膜之導電路形 成部與薄片狀連接益之電極構造體之位移之發生。 此外，本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 特徵包括： 利用雷射加工法，或乾蝕刻法，在上述絕緣薄片上， 依照應形成之電極構造體之圖案相對應之圖案形成貫穿絕 緣薄片雙面之貫穿孔；以及 利用電鍍處理法，藉由在上述圖案孔塡充電極構造體 材料，在絕緣性薄片上形成配置延伸於其厚度方向之多個 電極構造體之薄片狀連接器之薄片狀連接器形成工程。 利用此種構造，即可藉由雷射加工法，或乾融刻法， 依照應形成之電極構造體之圖案相對應之圖案簡單而正確 地形成貫穿絕緣薄片雙面之貫穿孔。 而且，由於藉由電鍍處理法，在該貫穿孔塡充電極構 造體材料，所以可以簡單而正確地在絕緣性薄片上形成配 置成延伸於其厚度方向之多電極構造體之薄片狀連接器。 藉此’可以有效而確實地在向異性導電膜上製造薄片 狀連接器被整體設之向異性導電連接器裝置。 再者’本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法爲 用於製造上述所記載之向異性導電連接器裝置，其特徵爲 備妥由一對模型形成成型空間之向異性導電膜成型用 金屬模； 在該金屬模中形成由向異性導電膜用成型材料所形成 -18- 1253206 (15) 之成型材料層，該向異性導電膜用成型材料中爲在硬化之 彈性高分子物質之液態高分子物質形成材料中含有展示磁 性之導電性粒子，並在上述成型材料層上配置上述薄片狀 連接器； 然後，藉由作用具有強度分布之磁場於成型材料層之 厚度方向，同時硬化處理上述成型材料層； 而製得上述薄片狀連接器被整體化於向異性導電膜上 之向異性導電連接器裝置。 利用此種構造，可以有效而確實地製造薄片狀連接器 整體化於向異性導電膜上之向異性導電連接器裝置。 另外’本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 特徵爲： 利用形成有貫穿絕緣薄片雙面之空隙之薄片做爲上述 絕緣性薄膜； 形成成型材料層俾在上述絕緣薄片之空隙中塡充向異 性導電膜用成型材料。 利用此種構造’由向異性導電膜用成型材料被塡充而 硬化於連通絕緣薄片雙面之空隙中，因此薄片狀連接器在 向異性導電膜上成爲與向異性導電膜整體化之狀態，而可 以簡單而確實地製得無法互相移動位置之狀態之向異性導 電連接器裝置。 因此’如此製成之向異性導電連接器裝置之薄片狀連 接器在各電極構造體分別位於向異性導電膜之各導電路形 成部上之狀態下’成爲在向異性導電膜上與向異性導電膜 -19· 1253206 (16) 整個化之狀態，因此不需要薄片狀連接器之定位作業，而 即使在連接對象電極之間距小者時，也可獲得良好之電連 接狀態。 而且因爲薄片狀連接器在向異性導電膜上呈與向異性 導電膜整體化之狀態，因此，即使在長期間反覆使用時或 在高溫環境下使用時，在向異性導電膜之導電路形成部與 薄片狀連接器之電極構造體之間不致發生位移，而可以穩 定地保持良好之電連接狀態。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 特徵爲：上述薄片狀連接器之絕緣性薄片爲網狀物，非織 布，或多孔性薄膜。 如薄膜狀連接器之絕緣性薄片係由網狀物，非織布， 或多孔性薄膜所構成之絕緣性薄膜時，則可以在連通雙面 之空隙配設電極構造體，同時在其他空隙中有構成向異性 導電膜之材料，或粘接向異性導電膜與薄片狀連接器之粘 合劑以浸透於該等空隙之間之狀態被硬化，因此可以確實 且牢固地將薄片狀連接器整體化於向異性導電連接器上。 因此，薄片狀連接器之電極構造體之位不致偏離，可 以穩定地保持良好之電連接狀態。 另外，利用該向異性導電連接器裝置，由於薄片狀連 接器之絕緣性薄片係由網狀物’不非織布，或多孔性薄膜 所構成之絕緣性薄片所形成’因此’薄片狀連接器之製造 中不需要形成貫穿孔之作，可以有效率而廉價地進行薄片 狀連接器之製造，向異性導電連接器裝置之製造也可以有 -20 - 1253206 (17) 效率而廉價地進行。 此外，利用此向異性導電連接器裝置，由於薄片狀連 接器之絕緣性薄片係由網狀物，非織布，或多孔性薄膜所 構成之絕緣性薄片所形成，所以在將薄片狀連接器整體化 於向異性導電連接器之向異性導電膜時，藉將薄片狀連接 器配置於金屬模中之成型材料層上，並將該成型材料層硬 化處理’則構成成型材料層之彈性高分子物質即以浸透於 網狀物，非織布’或多孔性薄膜之狀態被硬化，因此，可 以確實且牢固地將薄片狀連接器整體化於向異性導電膜。 另外本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之特 徵包括： 在上述絕緣性薄膜之雙面塗敷抗蝕劑以形成抗蝕層； 依照應形成之電極構造體之圖案相對應之圖案剝離上 述抗蝕層，而在抗蝕層形成多個圖案孔； 在上述圖案孔塡充電極構造體材料後，剝離上述抗蝕 層，而在絕緣性薄片形成配置向該厚度方向延伸之多個電 極構造體薄片狀連接器之薄片狀連接器形成工程。 利用此種構造，可以依照應形成之電極構造體之圖案 相對應之圖案，簡單而確實地製造在絕緣性薄片上配置有 延伸於其厚度方向之多人固電極構造體之薄片狀連接器， 結果，可以有效而確實地製得薄片狀連接器整體化於向異 性導電膜上之向異性導電連接器裝置。 另外，本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 特徵爲：在金屬模中之一邊之模具之成型面與薄片狀連接 -21 - 1253206 (18) 器之間配置有保護膜。 如此地在金屬模中之一邊之模具之成型面與薄片狀連 接器之間配置保護保護膜，因此可以防止金屬模之成型面 與薄片狀連接器之電極構造體受損，同時，可以防止成型 材料入侵薄片狀連接器表面，即金屬模之表面。 藉此，在薄片狀連接器之電極構造體表面會附著絕緣 物質之成型材料，不但可以防止電連接不良，可以提供可 以確實保持電連接與實施正確檢測之向異性導電性連接器 裝置。 此外，本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 特徵爲：藉由在上述一對金屬模之間配置凸出成型空間之 支撐體，並硬化處理上述成型材料層，即可製得設有支撐 上述向異性導電膜之周緣部之支撐體之向異性導電連接器 裝置。 如此地在一對金屬模之間配置凸出成型空間之支撐體 並將成型材料層硬化處理，即可以製得支撐向異性導電膜 之周緣部之支撐體被成型材料層所固定之向異性導電連接 器裝置。 利用如此製造之向異性導電連接器裝置，由於將導銷 插入形成於支撐體之定位孔·，因此，可以將向異性導電連 接器裝置正確固定於檢查用電路基板表面上呈向異性導電 膜之導電路形成部被定位於檢測用電路基板之檢測用電極 上之狀態。 另外’本發明之向異性導電連接器裝置之製造方法之 -22- 1253206 (19) 特徵爲：在上述一對金屬模與支撐體之間設置間隔物而形 成成型空間； 並藉由硬化處理上述成型材料層而製得設置有用於支 撐上述向異性導電膜之周緣部之支撐體之向異性導電連接 器裝置。 如上所述，藉由在一對金屬模與支撐體之間設間隔物 以形成成型空間並硬化處理成型材料層，即可製得支撐向 異性導電膜之周緣部之支撐體由成型材料層牢固地固定之 向異性導電連接器裝置。 另外，本發明之電路裝置之檢測裝置之特徵具備： 檢測用電路基板，具有與檢測對象之電路裝置之被檢 測電極相對應配置之檢測用電極；以及 上述之向異性導電連接器裝置，配置於該檢查用電路 基板上。 藉此，即使檢測對象之電路裝置之被檢測電極爲小間 距者’也可以獲得良好之電連接，而且，即使長期間反覆 使用時或在高溫環境下使用時，也可以提供可以穩定地保 持良好之電連接狀態之電路裝置之檢測裝置。 【實施方式】 以下根據圖式進一步詳細說明本發明之實施形態（實 施例）。 圖1至圖3爲表示本發明之第1實施例之向異性導電 連接器裝置之說明圖，圖1爲向異性導電連接器裝置之平 >23- 1253206 (20) 面圖，圖2爲表示圖1所示之向異性導電連接器裝置之 X-X剖面之說明圖，圖3爲擴大表示圖1所示之向異性導 電連接器裝置之Y-Y剖面之一部分之說明圖。 此向異性導電連接器裝置1 〇係由矩形之各向異性導 電膜10A，整體設置於該向異性導電膜10A之一面上之薄 片狀連接器20，以及支撐向異性導電膜1 〇A之矩形之板 狀支撐體3 0所構成。 位於該向異性導電連接器裝置1 〇之向異性導電膜 1 〇 A分別由延伸於厚度方向之多個圓柱狀導電路形成部 η，以及互相絕緣該等導電路形成部1 1之絕緣部1 4所構 成，在本例中，導電路形成部1 1係依照晶格點（lattice point )位置以特定間距配置。 另外，向異性導電膜1 0 A之整體由絕緣性之彈性高 分子物質所形成，在該導電路形成部Π含有展示磁性之 導電性粒子P呈定向於排列於厚度方向。相對地，絕緣部 14爲完全或幾乎不含導電性粒子者。 圖不之例子中，向異性導電膜10A之中央部分之一 面形成爲由周緣部分凸出之狀態。而且多個導電路形成部 1 1之中，形成於該向異性導電膜1 〇 A之中央部分者係做 爲電連接於連接對象電極，例如檢測對象之電路裝置之被 檢測電極之有效導電路形成部1 2。 此外，形成於向異性導電膜1 0 A之周緣部分者係做 爲未電連接於連接對象電極之無效導電路形成部1 3。另 外’有效導電路形成部1 2係依與連接對象電極之圖案相 -24- 1253206 (21) 對應之圖案配置之。 另方面，絕緣部1 4係整體形成以各個導電路形成部 1 1之周緣，藉此，所有之導電路形成部1 1成爲被絕緣部 1 4互相絕緣之狀態。 另外，在本例之向異性導電連接器裝置1 0中’在向 異性導電膜1 〇 A之中央部分之絕緣部1 4形成有由其一面 凸出之連結用凸出部1 5。另方面在向異性導電膜1 0 A之 另一面形成有導電路形成部11之表面由絕緣部1 4之表面 凸出之凸出部分11A。 有效導電路形成部12之厚度爲例如〇·1至2mm，較 佳爲0.2至1 m m。 另外，有效導電路形成部12之徑係依照連接對象電 極之間距等適當設定，而爲例如50至ΙΟΟΟμηι ’較佳爲 2〇〇 至 800μηιο 凸出部分1 1 Α之凸出高度爲例如1 0至1 〇 〇 μ m，較佳 爲 20 至 60μιη。 薄片狀連接器2 0具有柔軟之絕緣性薄片2 1，在該絕 緣性薄片2 1有由延伸於該絕緣性薄片2 1之厚度方向且由 金屬所構成之多個電極構造體22依據與連接對象電極之 圖案相對應之圖案互相隔開配置於該絕緣性薄片2 1之面 方向。另外絕緣性薄片2 1形成有多連結用貫穿孔2 6與向 異性導電膜1 0 Α之連結用凸出部1 5相對應。 各電極構造體2 2分別藉由露出絕緣性薄片2 1表面（ 圖中上面）之凸起狀表面電極部2 3，與露出絕緣性薄片 -25- 1253206 (22) 2 1背面之圓盤狀背面電極部24貫穿於絕緣性薄片2 1之 厚度方向而延伸之短路部2 5目連結成整體而構成。 而且薄片狀連接器2 0係整體設置於該向異性導電膜 1 〇 A上呈該電極構造體22分別位於向異性導電膜1 0 A之 有效導電路形成部1 2上面，而且在該絕緣性薄片2 1之連 結用貫穿孔2 6插入向異性導電膜1 0 A之連結用凸出部1 5 之狀態。 絕緣性薄片之厚度爲例如0.005至1mm，較佳爲0.01 至 0.5mm，更佳爲 0.015 至 0.3mm。 另外，在電極構造22之表面電極部23之直徑係依照 連接對象電極之間距等適當設定，但是爲例如 50至 ΙΟΟΟμιη，較佳爲 200 至 800μιη。 又，表面電極部23之凸出高度爲例如10至300μηι， 較佳爲50至200μη:ι。 如圖4與圖5所示，支撐體30上之中央位置形成有 比向異性導電膜1 0 Α爲小之矩形開口部3 1，並在該支撐 體3 0之四角位置分別形成定位孔3 2。 而且，向異性導電膜1 〇 A係配置於支撐體3 0之開口 部3 1，且該向異性導電膜1 〇 A之周緣部分係固定於支撐 體3 0，因此爲該支撐體3 0所支撐。 支撐體30之厚度爲例如〇·〇1至1mm，較佳爲〇.〇5-0 · 8 m m c 形成向異性導電膜1 0 A之彈性高分子物質之硬度計 (duro meter)之硬度宜爲15至70，較佳爲25至65。若 -26- 1253206 (23) 該硬度計硬度過小時，有時無法獲得高度之反覆耐久性。 另方面，若該硬度計硬度過大時，有時無法獲得具有 高導電性之導電路形成部。 形成向異性導電膜1 〇 A之彈性高分子物質宜具有交 聯構造之高分子物質。可用於獲得此種彈性高分子物質之 硬化性高分子物質形成材料有多種可用，其具體例有： 聚丁二烯橡膠、天然橡膠、聚異戊二烯橡膠、苯乙 烯-丁二烯共聚物橡膠、丙烯腈-丁二烯共聚物橡膠等之共 軛二烯系橡膠以及該等之氫化物； 苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段（diene block)共聚物橡膠 、苯乙烯-異戊間二烯嵌段共聚物等之嵌段共聚物橡膠以 及該等之氫化物；以及 氯丁橡膠、聚氨酯橡膠、聚酯系橡膠、環氧氯丙烷橡 膠、矽橡膠、乙烯-丙烯共聚物橡膠、乙烯-丙烯-二烯共 聚物橡膠等。 在上述中，對所製得之向異性導電連接器10要求耐氣 候性時，以使用共軛二烯系橡膠以外之橡膠爲宜，尤其在 ，成型加工性與電特性之觀點看來，以使用矽橡膠爲宜。 矽橡膠以交聯或縮合液態矽橡膠者爲宜。液態矽橡膠 之粘度以形變（distortion ).速度1 (Γ1 sec而小於1 05泊（ poise)者爲佳，也可以爲含有縮合式者、加成式者、乙 烯基或羥基等之任何一種。具體地說，有二甲基矽酮生膠 、乙烯基矽酮生膠、甲基乙烯基矽酮生膠、甲基苯基乙備 基矽酮生膠等。 -27- 1253206 (24) 另外，矽橡膠以其分子量Mw(指標準聚苯乙烯換算 重量均分子量，以下相同）宜爲1〇, 〇〇〇至4〇, 〇〇〇者。另 外’由於所製得之導電路形成部1 1須要有良好之耐熱性 ’因此分子量分布指數（指標準聚苯乙烯換算重量均分子 量Mw與標準苯乙烯換算數均分子量Mw之比Mw/Mn之 値。以下相同）以小於2者爲宜。 在向異性導電膜1 0 A之導電路形成部丨丨中所含之導 電性粒子需要可以後面所述之方法容易定向該粒子，因此 使用表示磁性之導電性粒子。此種導電性粒子之具體例有 鐵、銘、鎳等具有磁性之金屬粒子或該等之合金粒子 或含有該等金屬之粒子； 或以該等之粒子爲芯粒而在該芯粒表面施予金、銀、 鈀、铑等之導電性良好之金屬電鍍者；或 以非磁性金屬粒子或玻璃珠（g 1 a s s b e a d s )等之無機 物貨粒子或聚合物粒t爲芯粒’而在該芯粒表面施予鎮、 鈷等之導電性磁性金屬之電鍍者等。 其中，以使用鎳粒子爲芯粒，而在其表面施予導電性 良好之鍍金者爲佳。 在芯粒表面被覆導電性金屬之方法並無特別之限定， 可以使用例如化學電鍍或電鎪法、濺射法、噴鍍法等。 若使用芯粒表面被覆導電性金屬而成者時，即可獲得 良好之導電性，因此，在粒子表面之導電性金屬之被覆率 (相對於芯粒表面積之導電性金屬之被覆面積之比例）宜 -28- 1253206 (25) 大於40%，較佳爲大於45%，特佳爲47至95%。 另外，導電性金屬之被覆量宜爲芯粒之〇·5至50質 量％，較佳爲2至3 0質量％，更佳爲3至2 5質量。/。，而 特佳爲4至2 0質量％。若被被覆之導電性金屬爲金時， 其被覆量宜爲芯之0.5至30質量％ ’較佳爲2至20質量 %，更佳爲3至1 5質量％。 此外，導電性粒子直徑以1至1 〇 〇 μ m爲佳，較佳爲2 至50μϊη，更佳爲3至30μηι，特佳爲4至20μιη。 再者，導電性粒子之粒徑分佈（Dw/Dn )以；[至10 爲佳，較佳爲1 · 〇 1至7，更佳爲1 . 〇 5至5，特佳爲1 .丨至 4 〇 由於使用滿足此種條件之導電性粒子，所製得之導電 路形成部11容易加壓變形，而且在該導電路形成部11之 導電性粒子間可以得到充分之電接觸。 另外，導電性粒子之形狀並無特別之限制，但在高分 子物質形成材料中容易分散之點看來，以球狀者、星形狀 者或該等內聚之2次粒子爲佳。 此外，導電性粒子表面可以適當使用矽烷耦聯劑（ 5 i 1 a n e C ο η p 1 i n g a g e n t )等之錦聯劑，以潤滑劑處理者。 利用藕聯劑或潤滑劑處理粒子表面，可以提升向異性導電 連接器之耐久性。 此種導電性粒子對局分子物質形成材料以使用體積百 分率5至6 0 %，較佳爲7至5 0 %之比例爲理想。若此比例 小於5 °/〇時，有時無法獲得電阻値充分小之導電路形成部 •29- 1253206 (26) Π。另方面，若該比例超過60%時，所製得之導電路形成 部 Π有時容易變得脆弱，而無法得到做爲導電路形成部 Π所必要之彈性。 構成薄片狀連接器2 0之絕緣性薄片2 1之材料可以使 用聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等之熱硬化性樹脂、聚對苯二 甲酸乙二醋（polyethylene terephthalate)樹脂、聚對苯 二甲酸 丁二酯（polybutylene terephthalate)樹脂等之聚 酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、 聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚丁二烯樹脂、 聚苯醚、聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚甲醛等之熱可塑性樹， 惟在耐熱性，尺寸穩定性等各點看來，以熱硬化性樹脂爲 理想，尤其是聚醯亞胺樹脂爲理想。 構成支撐體3 0之材料宜使用線熱膨脹係數小於3 x 1(Γ5/Κ者爲佳，較佳爲2xl0_5至1χ1〇·6/κ，特佳爲6x 1 0·6 至 1 0·6/Κ 〇 具體之材料是使用金屬材料或非金屬材料。 金屬材料可使用金、銀、銅、鐵、鎳、鈷或該等之合 金等。 非金屬材料可以使用： 聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺樹脂 等之物理性強度高之樹脂材料； 玻璃纖維增強型環氧樹脂、玻璃纖維增強型聚醋樹脂 、玻璃纖維增強型聚醯亞胺樹脂等之複合樹脂材料；以及 在環氧樹脂中加入二氧化矽、氧化鋁、氫化硼等無機 -30- 1253206 er )之複合ί封日S 〇、f，、…，

1旨材料、氫化硼做爲 材料做爲塡充料（filler )

玻璃纖維增強型環氧樹脂等之複合樹脂 塡充料之環氧樹脂等之複合樹材料爲理想。 利用第〗例之向異性導電連接器裝置1〇，因爲在向 異性導電膜10A上薄片狀連接器20設置成整體，因此不 需要薄片狀連接器20對向異性導電膜1 〇a之定位，即使 連接對象電極之間距小者，也可以獲得良好之電連接狀態 ’而且在長期間反覆使用時或在高溫環境下使用時，也不 致發生導電路形成部1 1與電極構造體22之位移，因而可 以穩定地保持良好之電連接狀態。 另外，因爲形成於向異性導電膜1 0 A之連結用凸出 部1 5係插入形成於薄片狀連接器2 0之絕緣性薄片2 1之 連結用貫穿孔2 6，因此可以進一步確實防止導電路形成 部Π與電極構造體22之位移。 此外，因爲薄片狀連接器20之電極構造體22之表面 電極部2 3爲凸起狀，因此對形成有比連接對象電極更厚 之抗蝕之電路裝置也可以確實地達成電連接。 此種向異性導電連接器裝置1 0可以製造如下。 圖6爲表示使用於製造本發明之向異性導電連接器裝 置之金屬模之一例之構造說明用剖面圖。該金屬模係由上 模5 0以及其相對之下模5 5互相對向配置所構成，在上模 50之成型面（圖6下面）與下模55之成型面（圖6上面 )之間形成成型空間65。 -31 - 1253206 (28) 在上模5 0之強磁性體基板5 1之表面（圖6下面）依 據目標之向異性導電連接器1 0之導電路形成部1 1之圖案 相對應之配置圖案形成強磁性體層5 2，在該強磁性體層 5 2以外之處形成非磁性體層5 3，而由強磁性體層5 2與非 磁性體層5 3形成成型面。此外，在上模5 0之成型面形成 階差而構成凹部5 4。 另方面，在下型5 5，在強磁性體基板5 6表面（圖6 上面）依據目標之向異性導電連接器1 〇之導電路形成部 1 1之圖案相對應之圖案形成強磁性體層5 7，而在該強磁 性體層5 7以外之處形成具有比該強磁性體層5 7之厚度更 .厚之非磁性體層5 8，由於非磁性體層5 8與強磁性體層5 7 之間形成有階差，在該下模5 5之成型面成有用於形成向 異性導電膜1 〇 A之凸出部分1 1 A之凹部5 9。 用於構成上模5 0與下模5 5之強磁性體基板5 1、5 6之 材料可以使用鐵、鐵鎳合金、鐵鈷合金、鎳、鈷等之強磁 性金屬。該強磁性體基板5 1、5 6之厚度以1至5 0mm爲 宜’以表面平滑，經過化學上脫脂處理，並且物理上經過 硏磨處理者爲理想。 又用於構成上模5 0與下模5 5之強磁性體層5 2、5 7 之材料可以使用鐵、鐵鎳合金、鐵鈷合金、鎳、鈷等之強 磁性金屬。該強磁性體層5 2、5 7之厚度以1 0 μ m以上宜 。若該厚度小於1 〇 μηι時，即不易對形成於金屬模中之成 型材料層發生具有充分強度公布之磁場之作用，結果，不 易對應成爲該成型材料層之導電路形成部11之部分高密 -32- 1253206 (29) 度聚合導電性粒子，因此，有時無法獲得良好之向異性導 電連接器。 另外，用於構成上模5 0與下模5 5之非磁性體層5 3 、5 8之材料可以使用銅等之非磁性金屬，具有耐熱性之 高分子物質等，但是由於利用光刻法（ph〇t〇lith〇graphy )容易形成非磁性體層5 3、5 8之點看來，以使用輻射線 硬化之高分子物質爲理想’其材料可以使用例如丙烯酸系 之乾膜抗蝕劑（dry film resist )，環氧系之液態抗鈾劑 fc釀亞胺系之液知抗触劑等之光阻劑（p h 01 〇 r r e s i s t ) o 此外’下模5 5之非磁性體5 8之厚度係依照應形成之 凸出部分1 1 A之凸出高度及強磁性體層5 7之厚度而設定 〇 利用上述之金屬模，可以例如下面所述，製造向異性 導電連接器裝置10。 首先，製造圖1至圖3所示之構造之薄片狀連接器 2 〇 °具體地說’如圖7所示，備妥絕緣性薄片2 1上整體 層壓金屬層24A之層壓材料，並如圖8所示，對該層壓 材料上之絕緣性薄片2 1，依照與應形成之電極構造體2 2 之圖案相對應之圖案形成貫穿於該絕緣性薄片2 之厚度 方向之個貫穿孔25H。 接者’ f、」層Μ材料施予電鍍處理’形成如圖9所示 ’在絕緣性搏片2 1之貫穿孔2 5 η中，形成連結到金屬層 2 4 Α成一體之短路部2 5，同時在該絕緣性薄片2〗表面形 -33- 1253206 (30) 成連接到短路部25成一體之凸起狀之表面電極部23。 然後，藉由對層壓材料之金屬層2 4 A進行光纟虫亥(I處 理以去除其一部分，即如圖1 〇所示，形成整體連結於短 路剖25之背面電極部24以形成電極構造體22。而且如 圖1 1所不’藉由在絕緣性薄片2 1形成連結用貫穿孔2 6 而製得薄片狀連接器20。 在上述中，在絕緣性薄片2 1形成貫穿孔2 5 Η與連結 用貫穿孔26之方法可以利用雷射加工法、乾0虫刻法等。 用於形成短路部25及表面電極部23之電鍍處理法可 利用電解電鍍法、非電解電鍍法。 然後，如圖1 2所示，備妥2片框形間隔物6 〇、6 1與 支撐體3 0，並如圖1 2所示’利用間隔物6 1將該支撐體 30配置成固定於下模55之特定位置，再於支撐體30上 配置間隔物6 0。 另方面，藉由在被硬化做爲彈性高分子物質之液態之 高分子物質形成材料中，分散展示磁性之導電性粒子，以 調製向異性導電膜形成用之成型材料。 然後，如圖1 3所示，在上模5 0之成型面上之凹部 54中配置保護膜62，再於該保護膜62上面將薄片狀連接 器2 0以該電極構造體2 2分別定位成位於強磁性體層5 2 上面之狀態配置成該電極構造體2 2之表面電極部2 3與保 護膜62相接觸。 然後，如圖14所示，在上模50之凹部54中塡充成 型材料以便在該凹部5 4中形成含有高分子物質形成材料 -34- 1253206 (31) 中表示磁性之導電性粒子之成型材料層1 7，同時 下模5 5，間隔物6 0、6 1與支撐體3 0所形成之空 充成型材料。 藉此，在該空間中形成含有在高分子物質形成 展示磁性之導電性粒子之成型材料層1 8，再於上|| 位於間隔物60上面配置，俾如圖1 5所示，在金屬 成最終形態之成型材料層1 9。 在該狀態中，在金屬模中之下模5 5之成型面 成型材料層1 9，同時在該成型材料層1 9上面配置 連接器，再於薄片狀連接器20與上模50之成型面 置保護膜6 2。 另外，在成型材料層1 9上，如圖1 6所示，導 子P呈被分散於該成型材料層1 9之中之狀態。 然後，藉由操作配置於上模5 0之強磁性體基朽 上面與下模5 5之強磁性體基板5 6下面之電磁鐵（ )’在具有強度分布之平行磁場，即上模5 0之強 層5 2與其相對應之下模5 5之強磁性體層5 7之間 有強大強度之平行磁場作用於成型材料層i 9之厚 〇 結果’如圖1 7所示，成型材料層1 9中，分散 型材料層1 9之導電性粒子聚集於位於上模5 〇之各 體層5 2與其相對應之下模5 5之強磁性體層5 7之 爲導電路形成部1 1之部，同時定向排列於成型材） 之厚度方向。 ，在由 間內塡 材料中 ! 50定 模中形 上形成 薄片狀 之間配 電性粒 5 51之 耒圖示 磁性體 ，將具 度方向 於該成 強磁性 間應做 抖層1 9 -35- 1253206 (32) 然後，在此狀態下，藉由硬化處理成型材料層1 9 ’ 形成向異性導電膜1 0 A呈現其一面上整體粘合於薄片狀 連接器20之狀態，且其周緣部分被支撐成固定於支撐體 3 0之狀態，上述向異性導電膜1 0 A有在彈性高分子物質 中，導電性粒子定向成向厚度方向排列之狀態下，緊密地 塡充之導電路形成部1 1 ’以及形成包圍該等導電路形成 部1 1之周圍且由完全或幾乎沒有導電性粒子存在之絕緣 性之彈性高分子物質所構成之絕緣部1 4。 藉此，製成由圖1至圖3所示之構造之向異性導電性 連接器1 〇。 上述中，形成保護膜62之材料可以使用抗蝕劑材料 、氟樹脂、聚醯亞胺樹脂等之樹脂材料。 成型材料層1 9之硬化處理可以施以平行磁場作用之 狀態直接進行，惟也可以在停止平行磁場之作用後進行。 作用於各成型材料層之平行磁場之強度以平均20,000 至1·000;000μΤ之大小爲理想。 另外，對成型材料層作用平行磁場之方法也可以用永 久磁鐵代替電磁鐵。永久磁鐵因可以獲得上述範圍之平行 磁場之強度，而以由鋁鎳鈷合金（Alnico )(鐵-銘-鎳·銘 系合金）’亞鐵酸鹽等所形成者爲理想。 成型材料層1 9之硬化處理雖然隨所使用材料而適當 選擇，但通常隨加熱處理而進行。具體的加熱溫度與加熱 時間係考慮到構成成型材料層之高分子物質形成材料等之 類，導電性粒子之移動所需時間而適當選擇。 -36- 1253206 (33) 利用此種製造方法，係在用於形成向異性導S Μ 1 0 A 之成型材料層1 9上面，在配置有薄片狀連接器20之狀態 下硬化處理，因此可以有效且確實地製造薄片狀連接器 20在向異性導電膜丨〇 a上面設成整體之向異性導電連接 器裝置。 另外，由於在上模50之成型面與薄片狀連接器20之 間配保護膜62，因此不但可以防該上模50之成型面與薄 片狀連接器20之電極構造體22受傷，而且可以防止成型 材料滲入薄片狀連接器2 0之表面（上模5 0側之面）° 圖1 8至圖2 0爲表示本發明之第2實施例之向異性導 電連接器裝置之說明圖；圖1 8爲向異性導電連接器裝置 之平面圖；圖19爲表示圖18所示之向異性導電連接器裝 置之X-X剖面之說明圖；圖20爲表示圖18所示向異性 導電連接器裝置之Y-Y剖面之一部擴大之說明圖。 本第2實施例之向異性導電連接器裝置1 〇係由矩形 之向異性導電膜1 0 A，在該向異性導電膜1 0 A之一面上設 成整體之薄片狀連接器20，以及用於支撐向異性導電膜 1 0 A之矩形板狀之支撐體3 0所構成，向異性導電膜1 〇 a 與支撐體3 0具有第1實施例之向異性導電連接器裝置相 同之構造。 第2霣施例之向異性導電連接器裝置1 〇之薄片狀連 接器20除了電極構造體22之外，具有與第1竇施例之向 異性導電連接器裝置1 〇之薄片狀連接器20相同之構造。 電極構造體2 2分別將露出於絕緣性薄片2 1表面（圖 -37- 1253206 (34) 中上面）之圓形環板狀之表面電極部2 3，與露出於絕緣 性薄片2 1背面之圓形環板狀之背面電極部24以貫穿絕緣 性薄片21之厚度方向而延長之圓筒狀之短路部25(貫穿 孔）目連結成整體所構成。 此種薄片狀連接器20之製法如下。 首先，如圖2 1所示，備妥絕緣性薄片2 1之雙面由金 屬層23 A、24A層壓成一體而成之層壓材料，並如圖22 所示，對該層壓材料，依照應形成之電極構造體2 2之圖 案相對應之圖案，形成貫穿該層壓材料之厚度方向之多個 貫穿孔2 5 Η。 接著，藉由對該層壓材料施予電鍍處理，如圖23所 示，在層壓材料之貫穿孔25Η中形成連結於各金屬層23Α 、24Α成一體之短路部25。 然後，對層壓材料之各金屬層23 A、24Α施予光蝕刻 處理以去除其一部分，並如圖2 4所示，透過短路部2 5形 成一體連結於絕緣性薄片2 1之雙面之表面電極部2 3及背 面電極部2 4以構成電極構造體2 2。 然後，如圖2 2所示，藉由在絕緣性薄片2 1上形成連 結用貫穿孔2 6而製得薄片狀連接器2 0。 接著，第2例之向異性導電連接器裝置1 〇使用圖24 所示之薄片狀連接器2 0以代替圖1 1所示薄片狀連接器 2 〇之外，可以與第1例之向異性導電連接器裝置相同之 方法製造。 利用第2例之向異性導電連接器裝置1 〇，因爲向異 •38- 1253206 (35) 性導電膜1 0 A上設有薄片狀連接器成一體，因此 進行薄片狀連接器20對向異性導電膜10A之定位 連接對象電極之間距爲小者，也可以獲得良好之電 態，而且，即使在長期間反覆使用時或在高溫環境 時，也不致發生導電路形成部1 1與電極構造體22 ，因而可以穩定地保持良好之電連接。 另外，向異性導電膜1 0 A上所形成之連結用 1 5插入形成於薄片狀連接器2 0之絕緣性薄片2 1 用貫穿孔26，所以可以更確實地防止導電路形成窗 電極構造體22之位移。 此外，因爲薄片狀連接器20之電極構造體22 電極2 3爲板起狀者’因此’即使連接對象電極爲 ，也不致於對導電路形成部1 1施加過多之電壓’ 即使反覆使用時’也可以在導電路形成部11長期 穩定之導電性。 圖26至圖28爲表示本發明之第3實施例之向 電連接器裝置之說明圖’圖26爲向異性導電連接 之平面圖，圖27爲表示圖26所示之向異性導電連 置之X-X剖面之說明圖’圖28爲擴大表示圖26 向異性導電連接器裝置之Υ -Ύ剖面之一部分之說明 此第3實施例之向異性導電連接器裝置1 0係 之向異性導電膜1 〇 A，整體設置於該向異性導電膜 一面上之薄片狀連接器2 0 ’以及用於支撐向異性 1 〇 A之矩形之板狀之支撐體3 0所構成’而向異性 不需要 ，即使 連接狀 下使用 之位移 凸出部 之連結 11與 之表面 凸起狀 因此， 間獲得 異性導 器裝置 接器裝 所示之 圖。 由矩形 1 0 A之 導電膜 導電膜 -39- 1253206 (36) 1 〇 A與支撐體3 0之構造與第1實施例之向異性導電連接 器裝置相同。 在本第3實施例之向異性導電連接器裝置1 0中，薄 片狀連接器2 0具有形成有連通絕緣薄片雙面之空隙而由 網狀物、非織布、或多孔性薄膜所構成之絕緣性薄片2 1 ，而在此絕緣性薄片2 1上，有由延伸於該絕緣性薄片2 1 之厚度方向之金屬所構成之多個電極構造體22，依照連 接對象電極之圖案相對應之圖案互相離開配置於該絕緣性 薄片2 1之面方向。 各電極構造體2 2係貫穿延伸至絕緣性薄片2 1之厚度 方向而連結至絕緣性薄片成整體而構成。 然後，薄片狀連接器20之每一電極構造體22位於向 異性導電膜10A之有效導電路形成部12上面而整體化於 該向異性導電膜10A上面。 由網狀物、非織布或多孔性薄膜所形成之絕緣性薄片 21之厚度爲例如0.0 0 5至1mm，較佳爲0.01至〇.5mm， 更佳爲0.15至〇.3mm。 此外，電極構造體22之直徑雖可依據連.接對象電極 之間距等適當地設定，惟以例如50至100 μηι爲宜’理想 者爲 200 至 8 00μηι。 此外，由電極構造體2 2之絕緣性薄片之凸出高度爲 例如10至30μηι，較佳爲50至200μηι。 構成絕緣性薄片2 1之網狀物或非織布可以適當利用 有機纖維形成者。此種有機纖維包括聚四氟乙烯纖維（ -40- 1253206 (37) polytetrafluoroethylene fibre)等之氟樹脂纖維、芳族聚 醯胺纖維、聚乙烯纖維、聚芳酯纖維（Polyarylate fibre )、耐纖纖維、聚酯纖維等。 另外，有機纖維係使用該線熱膨脹係數與形成連接對 象體之材料之線熱膨脹係數相同或近似者，具體地說，係 使用線熱膨脹係數爲30 X 1 (Γ6至-5 X 1 (Γ6/Κ，尤其是10 X 10_6至3 X 1 (Γ6/Κ者，因此，由於可抑制該向異性導電膜 之熱膨脹，因此，即使受到溫度變化之熱經歷時，也可穩 定地保持對連接對象體之良好之電連接狀態。 另外，有機纖維之直徑以使用1〇至200 μηι者爲理想 〇 再者，多孔性薄膜可使用經過雷射穿孔加工，或蝕刻 等處理設許多開口而成爲多孔性之薄膜樹脂片等。 利用此種第3實施例之向異性導電連接器裝置1 0， 由於在絕緣性薄片2 1之空隙中，構成向異性導電膜之材 料或粘合向異性導電膜與薄片狀連接器之粘合劑以滲入該 等空隙之間之狀態而被硬化，因此薄片狀連接器2 0被整 體化於向異性導電膜1 0 Α上面，薄片狀連接器在向異性 導電膜上成爲與向異性導電膜整體化之狀態而互相不能移 動位置之狀態。 因此，不需要對向異性導電膜1 〇 A進行薄片狀連接 器2 0之定位，即使連接對象電極之間距爲小者，也可以 獲得良好之電連接狀態，而且在長期間反覆使用時或高溫 環境下使用時，也不致發生導電路形成部】1與電極構造 -41 - 1253206 (38) 體22之位移，因而可以穩定地維持良好之電連接狀態。 此外’因爲薄片狀連接器2 0之絕緣性薄片2 1係由形 成有連通絕緣薄片之雙面之空隙且由網狀物、非織布或多 孔性薄膜所形成之絕緣性薄片2 1所構成，因此，可以更 加強實地防止導電路形成部丨1與電極構造體2 2之位移。 另外，因爲薄片狀連接器20之電極構造體22呈凸起 狀’所以對於比形成有連接對象電極之厚度更厚之抗蝕膜 之電路裝置也可以確實達成電連接。 此種第3實施例之向異性導電連接器裝置1 〇可以用 例如下列方法製造。 亦即，利用如圖6所示之上模5 0與下模5 5所構成之 金屬模以下述方法製造向異性導電連接器裝置1 〇。 首先，製造圖26至圖28所示之構造之薄片狀連接器 2 〇。具體地說，如圖2 9所示，備妥由網狀物或非織布所 做之絕緣性薄片2 1。 如圖3 0所示，在該絕緣性薄片2 1上利用例如乾膜抗 餘劑（dry film resist)等形成抗|虫層70。 然後，藉由對該層壓材料施予電鍍處理，俾如圖3 2 所示，在抗蝕層7 0之圖案孔7 5中形成與網狀物或非織布 所構成之絕緣性薄片2 1連結.之電極構造體22。 然後，藉由從層壓材料層去除抗蝕層而製得如圖33 所示之薄片狀連接器20。 在上述中，用形成電極構造體2 2之電鍍處理法可Μ 利用電解電鍍法與非電解電鍍法。 -42- 1253206 (39) 而且’第3實施例之向異性導電連接器裝置1 〇除了 使用圖2 3所示之薄片狀連接器2 〇以取代圖丨丨所示之薄 片狀連接器2 0之外，可以與第1例之向異性導電連接器 裝置之製法一樣製造（如圖34至圖3 9所示）。因此，省 略其詳細之說明。 利用此種製造方法，在形成向異性導電膜1 〇 a之成 型材料層10B上面配置薄片狀連接器2〇之狀態下，爲使 構成向異性導電膜之材料在絕緣性薄片2 1之空隙間以滲 透之狀態硬化’而硬化處理該成型材料層1 Ο B，因此可以 有效且確實地製造在向異性導電膜10A上面整體化薄片 狀連接器20之向異性導電連接器裝置1 0。 圖40爲槪略表示本發明之電路裝置之檢測裝置之一 例之構造之說明圖。 本回路裝置之檢測裝置設有具有導銷4 2之檢測用電 路基板4 0。在該檢測用電路基板4 0表面（圖1上面）依 照檢測對象之電路裝置之被檢測電極2之圖案相對應之圖 案形成有檢測用電極4 1。在此，電路裝置1之被檢測電 極2爲基座電極。 在檢測用電路基板4 0之表面上’配置有上述第1實 施例之向異性導電連接器裝置1 0 ° 具體地說，由於在形成於向異性導電連接器裝置10 之支撐體30上之定位孔32(參照圖1與圖3)插入有導 銷4 2，所以向異性導電膜】0 A上之有效導電路形成部1 2 以被定位於檢測用電極4 1上面之狀態下，該向異性導電 -43· 1253206 (40) 連接器裝置10被固定於檢測用電路基板4〇之表面。 在此種電路裝置之檢測裝置之向異性導電連接器裝置 1 〇上配置有電路裝置1俾使電路裝置1之被檢測電極2 位於薄片狀連接器20之電極構造體22之表面電極部23 上。 在此狀態下’藉由例如將電路裝置1按壓至接近檢測 用電路基板5之方向，則向異性導電連接器裝置1 〇之各 有效導電路形成部分別即成爲被薄片狀連接器20上之電 極構造體2 2與檢測用電極4 1夾壓之狀態。 結果’電路裝置1之各被檢查電極2與檢查用電路基 板4 0之各檢測用電極4 1之間之電連接透過薄片狀連接器 20之電極構造體22與向異性導電膜10A之有效導電路形 成部1 2而達成’而以此檢測狀態進行電路裝置1之檢查 〇 利用上述之電路裝置之檢測裝置，因爲具有上述第1 例之向異性導電連接器裝置1 〇，因此，即使長期間反覆 使用時或在高溫環境下使用時，也可以穩定地維持良好之 電連接狀態。 另外’薄片狀連接器20之電極構造體22之表面電極 部2 3爲凸起狀者’因此，即使檢測對象之電路裝置1係 以具有比被檢測電極2之厚度更厚之抗蝕膜所形成，也可 以確實對該電路裝置1達成電連接。 圖4 1爲槪略表示本發明之電路裝置之檢測裝置之另 一實施例之構造之說明圖。 -44 - 1253206 (41) 該電路裝置之檢測裝置設有具有導銷42之檢測用電 路基板40。在該檢查用電路基板40之表面（圖1上面） 依照與檢測對象之電路裝置1之被檢查電極2之圖案相對 應之電極形成檢測用電極4 1。 在此，電路裝置1之被檢測電極2爲凸起狀（半球形 )之焊球電極。 在檢測用電路基板40之表面配置有上述第2實施例 之向異性導電連接器裝置1 0。 具體地說，由於導銷42插入形成於向異性導電連接 器裝置10之支撐體30之定位孔32(參照圖1與圖3)， 向異性導電膜1 〇 A之有效導電路形成部1 2以被定位於檢 測用電極4 1上之狀態下，該向異性導電連接器裝置1 0被 固定於檢測用電路基板40之表面。 利用上述之電路裝置之檢測裝置，由於具有上述之第 2實施例之向異性導電連接器裝置1 0，因此，即使長期間 使用時或在高溫環境下使用時，也可以穩定保持良好之電 連接狀態。 另外，由於薄片狀連接器20之電極構造體22之表面 電極部2 3爲板起狀者，因此即被檢測電極2爲凸起狀者 ，導電路形成部 Π也不致過度加壓，因此，在反覆使用 時，在導電路形成部1 1也可以長期間獲得穩定之導電性 c 圖4 2爲槪略表示本發明之電路裝置之檢測裝置之另 一實施例之構造之說明圖。 -45- 1253206 (42) 該電路裝置之檢測裝置設有具有導銷42之檢測用電 路基板40。在該檢測用電路基板40之表面（圖1上面） 形成有依照與檢測對象之電路裝置1之被檢測電極2之圖 案相對應之圖案之檢測用電極4 1。在此，電路裝置1之 被檢測電極2爲與圖40相同之基座（pad )電極。 而且在檢測用電路基板4 0之表面（如圖4 0所示）， 配置有上述之第3實施例之向異性導電連接器裝置1 0。 利用本實施例之電路裝置之檢測裝置，因具有上述之 第1實施例之向異性導電連接器裝置1 0，因此即使長期 間反覆使用時，或在高溫環境下使用時，也可以穩定地保 持良好之電連接狀態。 另外，在薄片狀連接器20之電極構造體22爲凸起狀 者，即使檢測對象之電路裝置1形成有比被檢查電極2之 厚度更厚之抗蝕膜，也可對該電路裝置1確實達成電連接 〇 圖4 3爲槪略表示本發明之電路裝置之檢測裝置之另 一實施例之構造之說明圖。 該電路裝置之檢測裝置設有具有導銷42 .之檢測用電 路基板4 0。在該檢測用電路基板4 0表面（圖1上面）依 照檢測對象之電路裝置1之被檢測電極2之圖案相對應之 圖案形成檢測用電極4 1。在此，電路裝置1之被檢測電 極2與圖4 1相同，爲凸起狀（半球形）之焊球電極。 在檢測用電路基板4 0之表面，與圖4 1相同，配置有 第3實施例之向異性導電連接器裝置 10° -46- 1253206 (43) 利用本實施例之電路裝置之檢測裝置，因爲具有第3 實施例之向異性導電連接器裝置1 〇，因此，即使在長期 間反覆使用時或在高溫環境下使用時，也可以穩、定地保持 好之電連接狀態。 另外，在薄片狀連接器20之電極構造體22爲板起狀 者，因此，即使被檢測電極2爲凸起狀者，導電路形成部 1 1也不致度加壓，因此即使反覆使用時，在導電路形成 部1 1也可以獲得穩定之導電性。 圖4 4爲槪略表示本發明之電路裝置之檢測裝置之另 一實施例之構造之說明圖。 亦即，在本實施例之向異性導電連接器裝置中，不受 被檢測電極之圖案，以特定之間矩配置導電路形成部，以 該寺導電路形成部之中之一部分之導電路形成部電連接至 被檢測電極做爲有效導電路形成部，而以其他之導電路形 成部做爲未被電連接至被檢測電極之無效導電路形成部。 具體說明之，如圖44所示，檢測對象之電路裝置} 如同 CPS ( chip scale package )或 TSOP ( Thin small outline Package)等，在特定間距之晶格點位置中僅在一 部分之位置配置被檢測電極2而成。 而且，在本實施例中，於電路裝置之檢測裝置使用第 1實施例之向異性導電連接器裝置1 〇。 在用於檢查此種電路裝置1之向異性導電連接器裝置 1 〇中，導電路形成部]1被依照與被檢測電極2實質上相 同之間距之陣點位置配置，並將位於被檢測電極2相對應 -47- 1253206 (44) 之位置之導電路形成部1 1做爲有效導電路形成部1 2，該 等以外之導電路形成部1 1做爲無效導電路形成部1 3。 利用此種構造之向異性導電連接器裝置1 〇，在製造 該向異性導電連接器裝置1 〇時，藉由以特定之間距配置 金屬模之強磁性體層，因此，在成型材料層作用以磁場時 ，可以將導電性粒子有效也聚合定向於特定之位置。 藉此，所製得之各導電路形成部分別具有均勻之導電 性粒子之密度，因此，可以製得各導電路形成部之電阻値 差異小向異性導電連接器裝置。 圖45爲槪略表示本發明之電路裝置之檢測裝置之另 一實施例之構造之說明圖。 該實施例之電路裝置之檢測裝置與圖44相同，係在 例如 CSP ( chip scale package)或 TSOP ( thin small outline package )等僅在特定間距之晶格點位置中之一部 分位置配置被檢測電極2所構成者做爲檢測對象之電路裝 置。 在此種用檢測電路裝置1之向異性導電連接器裝置 1 〇中’可以將導電路形成部1 1與被檢測電極2實質上依 照相同之間距之陣點位置配置，並以與被檢測電極2相對 應之位置之導電路形成邰]1做爲有效導電路形成部1 2， 並以該等以外之導電路形成部11做爲無效導電路形成部 c 而在本實施例中，電路裝置之檢測裝置係使用第3實 施例之向異性導電連接器裝置1 〇。 -48- 1253206 (45) 在此種構成之向異性導電連接器裝置1 〇也在製造該 向異性導電連接器裝置1 0時以特定之間距配置金屬模之 強磁性體層，因此在對成型材料層作用以磁場時，可以使 導電性粒子有效定向聚集於特定之位置。 藉此，所製得之各導電路形成部分別具有均勻之導電 性粒子密度，因此，可製得各導電路形成部之電阻値差異 小的向異性導電連接器裝置。 (實施例1 ) 1)薄片狀連接器之製造 將聚芳脂系複合纖維（纖維直徑：2 3 μ m )所形成之 網狀物（mesh)(厚度：〇.〇42mm，孔徑： 54μιη，開口面 積比：49% )之雙面層壓乾膜抗蝕劑（好提克：Η905 0 ) 而得圖30所示之構造之層壓材料。 層壓後之層壓材料之厚度爲0.12mm。 在層壓材料之雙面將具有直徑〇.3mm，而間距爲 0.8mm之開口之光罩薄膜（photo mask film)定位層壓使 其開□部對準’並以平行光曝光機（奧克製作所）以曝光 乾膜抗蝕劑層後顯像而製得圖3 1所示具有貫穿上下面之 開口部之層壓材料。 利用銅電鍍液（奧野製藥工業：BVF )對所製得之具 有開口部層壓材料進行非電解電鍍處理而製得圖3 3所示 在開口部中形成有電極構造體（22 )之層壓材料。 然後’剝離抗蝕劑而製得圖3 3所示之具有電極搆造 -49- 1253206 (46) 體（22)之薄片狀連接器（20)。 所製得之薄片狀連接器之電極構造體之直徑爲〇.3mm ，厚度爲0.12mm，而電極構造體之配置間距爲0.8mm。 將該薄片狀連接器切斷成1 4 m m X 7 . 5 m m，並在單面 層壓乾膜抗蝕劑（dry film resist )做爲保護膜而使用於 向異性導電連接器之製造。 2 )支撐體與金屬模之製作 依據圖4所示之設計製作下記規格之支撐體，同時依 據圖6所示之設計，製作下記規格之向異性導電膜成型用 金屬模。 〔支撐體〕 支撐體（30)之材質爲SUS304，厚度爲0.1mm，開 口部（31 )之尺寸爲 17mm X 10mm，而在四角具有定位孔 (32 ) 〇 〔金屬模〕 上模（5 0 )與下模（5 5 )之各強磁性體基板（5 1、5 6 )之材質爲鐵，而厚度爲6mm。 上模（5 0 )與下模（5 5 ·)之各強磁性體層（5 2、5 7 ) 之材質爲鎳，直徑爲 0 · 4 5 m m (圓形），厚度爲 0.1mm’ 配置間距（中心間之距離）爲0.8mm，而強磁性體層數爲 2 8 8 ( 1 2 x24 )。 上模（5 0 )與下模（5 5 )之各非磁性體層（5 3、5 8 ) -50- 1253206 (47) 之材質爲乾膜抗蝕劑經過硬化處理者，上模（5 ( 性體層（5 3 )中，部分（5 3 a )之厚度爲〇. 3 mrr 53b)之厚度爲Ο.ίπιηι’下模（55)之非磁性體 之厚度爲〇.15mm。 形成於上模所形成之凹部（54 )之縱橫 15mmx8mm，而深度爲 0.2mm。 3 )成型材料之調 在加値型液態矽橡膠1 〇 〇重量分添加混合平 3 0 μηι之導電性粒子6 0重量分，然後，利用治壓 理而製得向異導電膜形成用之成型材料。上述中 對鎳之芯粒施以鍍金者（平均被覆量：芯粒重量 量％ )做爲導電性粒子。 4 )向異性導電膜之形成 在上述之上模（50)之凹部（54)配置設有 狀連接器（20 )之保護層（62 )之一側做爲金屬 對準電極構造體與金屬模之強磁性體層（5 2 )之 照圖3 5 )。 然後，利用網目印刷（s c r e e n p r i n t i n g )塗 之成型材料而形成在液態加値型矽橡膠中含有導 與增強材料所構成之厚度〇.2mm之第1成型材 )(參照圖3 6 )。 另外，在上述金屬模之下模（55)之成型面 置形成有縱橫尺寸20mm X 1 3 mm之矩形開口部 0 · 1 mm之間隔物（6丨），並在該間隔物（6 1 )上 ))之非磁 i，部分（ 層（58 ) 之尺寸爲 均粒徑爲 之消泡處 ，係使用 之 20重 上述薄片 模側，並 位置（參 敷調製好 電性粒子 料層（1 7 上定位配 之厚度爲 定位配置 -51 - 1253206 (48) 上述支撐體（30)，而在支撐體（30)上定位配置形 縱橫尺寸爲20mmxl3mm之矩形開口部之厚度爲〇.2mm 之間隔物（60 )(參照圖34 )。 然後，利用網目印刷塗敷如上述調製之成型材料，& 在由下模（55 )，間隔物（60、61 )及支撐體（30 )戶斤％ 成之空間中，形成液態加成型矽橡膠中含有導電性粒子m 構成，而位於非磁性體層（5 8 )上之部分之厚度爲〇 . 3 mm 之第2成型材料層（1 8 )(參照圖3 6 )。 然後，將形成於上模（5 0 )之第1成型材料層（1 7 ) 與形成於下模（5 5 )之第2成型材料層（1 8 )定位重疊而 形成層壓成型材料層（1 9 )(參照圖3 7、圖3 8 )。 然後，藉由對形成於上模（5 0 )與下模（5 5 )之間之 層壓成型材料層（1 9 )，一邊利用電磁鐵對位於強磁性體 層（52、57 )之間的部分作用以2T之磁場於厚度方向， 一邊以1 〇 〇 °C，1小時之條件施予硬化處理以形成向異性 導電膜（10A )(參照圖39 )。 鬆開金屬模以去除裝設於所製得之向異性導電連接器 之一面之薄片狀連接器表面之保護膜（62)。 如上所述製成了本發明之向異性導電連接器（1 〇 )。 所製得之向異性導電連接器·（ 1 0 )之向異性導電膜（1 0 A )爲縱橫之尺寸爲2 〇 m m X 1 3 m m之矩形，導電路形成部（ 11)之厚度含電極構造體厚度〇.65mm，絕緣部（14)之 厚度爲〇.6mm，且具有288個（12個χ24個）之導電路 形成部（1 ]) ’各導電路形成部（1 1 )之直徑爲〇.45mm -52- 1253206 (49) ，導電路形成部（Π )之配置間距（中心間距）爲0.8mIT ，而配置於導電路形成部（11 )上面之薄片狀連接器之電 極構造體（22)之直徑爲〇.3mm，厚度爲0.12mm。 以下，該向異性導電連接器稱爲「向異性導電連接器 A」。 (比較例1 ) 除了在上模（5 0 )之凹部未配置薄片狀連接器以外， 以實施例1相同方法製成向異性導電連接器。所製得之向 異性導電連接器之向異性導電膜爲縱橫尺寸2 0 m m X 1 3 m m 之短形’導電路形成部之厚度爲〇 · 6 5 m m，絕緣部之厚度 爲0.6mm，並具有2 8 8個（12個χ24個）之導電路形成 部，各導電路形成部之直徑爲〇.45mm，導電路形成部之 配置間距（中心間距離）爲0.8mm。 以下 Μ向異性導電連接器稱爲「向異性導電連接器 B」〇 〔向異性導電連接器之評估〕 針/貝施例1之向異性導電連接器A與比較例1之 向異性導電連接器B之性能評估進行如下。 爲p平ΰ貝細例；[之向異性導電連接器a與比較例1 之向異性導電_接器B，準備了圖Ο與圖5〇所示之測試 用電路裝置3。 V α式用之電路裝置3具有總計7 2個直徑〇 · 4 m m， -53- 1253206 (50) 高〇.3mm之焊球電極4 (材質：64焊錫），並分別形成 由配置有3 6個焊球電極4而成之兩個電極群，各電極群 形成有合計兩列以0.8 mm之間距排成直線之1 8個焊球電 極2，該等焊球電極之中，每兩個藉由電路裝置3中之佈 線8互相電連接。電路裝置3中之總佈線數爲3 6。 然後，利用此種測試用電路裝置評估實施例1之向異 性導電連接器A與比較例1之向異性導電連接器B如下 《起始特性》 如圖5 1所示，藉由在向異性導電連接器1 0之支撐體 3 〇之定位孔插通檢測用電路基板5之導銷9，俾將該向異 性導電連接器1 〇定位配置於檢測用電路基板5上面。 在該向異性導電連接器1 〇上配置測試用電路裝置3 ，並在室溫下，利用加壓夾具（未圖示）以3公斤之負載 (每一導電路形成部約40公克之負載）加壓該等電路裝 置3以固定之。 而在透過向異性連接器1 〇，測試用之電路裝置3以 及檢測用電路基板5之檢測用電極2及其佈線（圖示省略 )互相電連接之檢測用電路基板5之外部端子（圖示省略 )之間，藉由直流電源Η 5與定電流控制裝置1 1 6經時施 加1 0mA之直流電流，並利用電壓計11 0測定加壓時檢測 用電路基板5之外部端子間之電壓。 茲將如此測定之電壓値（V )定爲V 1，施加之直流電 -54- 1253206 (51) 流定爲II ( =0.01 A )，並利用式：Rl=vi/Il求得電阻値 r 1 Ω。其結果如表1。 〔表1〕 電阻値R i ( m Ω ) 實施例1 122 比較例1 117 由表1之結果可知，實施例1之向異性導電連接器A 具有與在向異性導電膜上不具有薄片狀連接器之比較例1 之向異性導電連接器B具有相同之良好導電性得到確認。 《重覆耐久性》 如圖5 1所示，藉由在向異性導電連接器1 0之支撐體 30之定位孔插通檢測用電路基板5之導銷9，.將該向異性 導電連接器1 0定位配置於檢測用電路基板5上面，並在 該向異性導電連接器1 0上配置測試用之電路裝置3，且 利用加壓夾具（圖示省略）將該等固定，並在此狀態下， 配置於恒溫槽7中。 接著，設定恒溫槽7中之溫度爲9 0 °C，一邊利用加 壓夾具以加壓周期5秒/行程’負載爲2 ·5公斤（每一導電 路形成部之負載爲約3 5公克）反覆加壓，一方面在藉由 向異性導電連接器1 〇，_試用之電路裝置3以及檢測用 電路基板5之檢測用電極6以及其佈線（圖示省略）互相 -55- 1253206 (52) 電連接之檢測用電路基板5之外部端子（圖不省略）之間 ，利用直流電源1 1 5與定電流控制裝置1 1 6經時施加 1 OmA之直流電流，並利用電壓部1 1 〇測定加壓時檢測用 電路基板5以外部端子間之電壓。 將如此測定之電壓之値（V )定爲V 1 ’所施加之直流 電流定爲II ( =〇·〇1 A ) ’並利用式·· R1二VI/11求得電阻 値 R1 ( Ω )。 在此，電阻値R1除了兩個導電路形成部之電阻値之 外，另含有測試用電路裝置3之電極間之電阻値以及檢測 用電路基板5之外部端子間之電阻値。 而且在電阻値R1超過1 Ω時，即停止測定。其結果 如表2所示。 〔表2〕 電阻値R! ( m Ω ) 加壓次數 1次 5 0 00 次 1 0 0 0 0 次 20000 次 50000 次 實施例1 112 136 19 1 270 400 比較例1 117 134 1 70 787 (1 Ω以上） 耐久性試驗（5 0000次反覆加壓）結束後，以目測觀 察各向異性導電連接器之導電路形成部表面。 結果，在實施例1之向異性導電連接器a上幾乎看 不到導電路形成部（1 2 )之變形，也看不到表面之薄片狀 連接益（20)之電極構造體（22)之變形。雖然電極構造 -56- 1253206 (53) 體（2 2 )表面附著少量之焊錫，但是外觀上幾乎看不到變 化，確認了導電路形成部（1 2 )中保持有導電性粒子。 至於在比較例1之向異性導電連接器B中，則在導電 路形成部之表層部分形成有凹處，而在所形成之凹處周圍 之絕緣部之表層部分有導電性粒子存在。 此可能由於凸起狀電極之反覆加壓，導電路形成部之 表層部分磨損之結果，包含於該表層部分之導電性粒子飛 散至周遭，再被測試用之電路裝置加壓，以致導電性粒子 被推進絕緣部之表層部分所致。而且殘留於導電路形成部 之導電性粒子變成灰色，發現了有焊錫成分之附著。 由上述之結果可知，利用實施例1之向異性導電連接 器 A時，即使導電路形成部被凸起狀電極反覆按壓，也 可以抑制因該凸起狀電極之壓接所引起之永久變形或磨損 之變形，且長期間可以得到穩定之導電性之事得到確認。 本發明並不限定於上述之實施形態而可追加各種變更 〇 (1)在向異性導電連接器裝置10上面設置支撐體並 非必要。 (2 )在使用本發明之向異性導電連接器1 〇於電路裝 置之電性檢測時，向異性導電膜也可以粘合於檢測用電路 基板成一體。利用此種構造，即可確實防止向異性導電膜 與檢測用電路基板之間之位移。 此種向異性導電連接器裝置使用具有可在成型空間中 配置檢測用電路基板之基板配置用空間區域者做爲製造向 -57- 1253206 (54) 異性導電連接器裝置之金屬模，並在該金屬模之成型空間 中之基板配置用空間區域配置檢測用電路基板，而在該狀 態下，藉由例如在成型空間中灌入成型材料以硬化處理即 可以製造。 (3 )向異性導電膜也可以分別由種類不同之多層層 壓體形成。具體地說，由於採用分別由硬度不同之彈性高 分子物質所形成之多層層壓體所構成之構造；分別在做爲 導電路形成部之部分，由含有不同種類之導電性粒子之多 層層體所構成之構造；在分別做爲導電路形成部之部分由 含有不同粒徑之導電性粒子之多層層壓體所構成之構造； 以及分別在做爲導電路形成部之部分由導電性粒子之含有 率不同之多層層壓體所構成之構造，可以形成彈性或導電 性之程度受到控制之導電路形成部。 此種向異性導電膜可以利用例如國際公開 w〇 03 /0 7 5408號公報所記載之方法製得。 (4 )如圖4 4，圖4 5所示，本發明之向異性導電連 接器裝置不拘被被檢測電極之圖案，可以特定之間距配置 導電路形成部’以該等之導電路形成部中一部分之導電路 形成部做爲電連接於被檢測電極之有效導電路形成部，以 其他之導電路形成部做爲不電連接於被檢測電之無效導電 路形成部。 利用此種構造之向異性導電連接器裝置在製造該向異 性導電連接器裝置時由於金屬模之強磁性體層係以特定之 間距配置，因此當對成型材料層作用磁場時，可以將導電 -58- 1253206 (55) 性粒子有效聚集定向於特定之位置，藉此，可以在製得之 各導電路形成部上，導電粒子密度成爲均勻，因此可以製 得各導電路形成部之電阻値差小的向異性導電連接器裝置 〇 (5 )向異性導電膜之具體形狀與構造可有種種之變 更。例如’向異性導電膜1 0 A也可以在其中央部分與檢 測對象之電路裝置之被檢測電極相接面具有凹部。 另外’向異性導電膜10A也可以在其中央部分具有 貫穿孔。 此外，向異性導電膜1 〇 A也可以在被支撐體3 0之部 分形成無效導電路形成部。 再者，向異性導電膜丨〇 A也可以將其他面做成平面 〇 (6 )在向異性導電連接器裝置之製造方法中，在利 用例如由抗蝕劑材料所製成者做爲介設於上模5 〇之成型 面與薄片狀連接器20之間之保護膜62時，如圖46，圖 47所不，也可以事先在薄片狀連接器20之表面製造形成 有抗蝕劑材料所構成之保護膜62之層壓體，並將該層壓 體配置於上模50之成型面上。 利用此種方法，因爲保護膜62可以形成密接於薄片 狀連接器2 0表面之狀態，所以更確實防止成型材料渗入 薄片狀連接益20表面。 (7 )在向異性導電連接器裝置之製造方法中，也可 以個別製造向異性導電連接器與薄片狀連接器，然後，利 -59- 1253206 (56) 用粘合劑等將向異性導電連接器與薄片狀連接器整個化來 製造向異性導電連接器裝置。 如圖4 8所示，本發明之薄片狀連接器之絕緣部薄片 係由網狀物或非織布，或圖中未示之多孔性薄膜所構成， 因此利用粘合劑等將薄片狀連接器固定於向異性導電連接 器之向異性導電膜時，即使不形成粘合劑用之貫穿孔，粘 合劑也可以滲入網狀物，非織布，多孔性薄膜之空隙，將 薄片狀連接器牢固地粘合與固定等，在不逸脫本發明之目 的之範圍內進行各種變更。 (發明之效果） 利用本發明之向異性導電連接器裝置，薄片狀連接器 在向異性導電膜上設成一體，或被整體化，因此不需要薄 片狀連接窃1之疋位作業’並且即使連接對象電極之間距小 者也可得到良好之電連接。 而且在長期間反覆使用時或在高溫環境下使用時，也 不致發生導電路形成部與電極構造體之位移，因此，可以 穩定地保持良好之電連接狀態。 另外，利用本發明之向異性導電連接器裝置，因爲係 由形成有連通絕緣薄片之雙面之空隙且由網狀物，非織布 或多孔性薄膜所構成之絕緣性薄片所形成，所以在薄片狀 連接器之製造中，不需要形成貫穿孔之作業，因此可以有 效而廉價地進行薄片狀連接器之製造，也可以有效而廉價 地進行向異性導電連接器裝置之製造。 -60- 1253206 (57) 此外’利用本發明之向異性導電連接器裝置，因爲係 由網狀物，非織布，或多孔性薄膜所形成之絕緣性薄片所 構成’因此要將薄片狀連接器與向異性導電連接器之向異 性導電膜一體化時，由於在金屬模中成型材料層上配置薄 片狀連接器以化處理該成型材料層，構成成型材料層之彈 性高分子物質係以滲透網狀物或非織布之狀態被硬化，因 此可以將薄狀確實而牢固地整體化於向異性導電連接器上 〇 如此將薄片狀連接器整體化之向異性導電連接器裝置 即使在長期間反覆使用時，或在高溫環境下使用時也不致 發生導電路形成部與電極構造體之位移，因此可以穩定地 保持良好之電連接狀態。 另外’依據本發明之向異性導電連接器裝置，因爲在 用於獲得向異性導電膜之成型材料層上配置上述薄片狀連 接器，並在此狀態下硬化處理該成型材料層，所以可以有 效而確實地製造在向異性導電膜上整體設有薄片狀連接器 之向異性導電連接器裝置。 此外’依據本發明之電路裝置之檢測裝置，因爲具有 上述之向異性導電連接器，因此即使在長期間反覆使用時 ，或在高溫環境下使用時，也不致發生導電路形成部與電 極構造體之位移，因此，可以穩定保持良好之電連接狀態

C 再者，依據本發明之電路裝置之檢測裝置，由網狀物 ，非織布’或多孔性薄膜形成之絕緣性薄片所構成之薄片 -61 - 1253206 (58) 狀連接器係介設於向異性導電連接器之向異性導電膜與被 檢測物之被檢測物電極之間，因此可以確實抑制來自向異 性導電膜之導電性粒子之脫離而導致之被檢測物被檢查時 之損傷。 而且因係利用由網狀物、非織布或多孔性薄膜所構成 之絕緣性薄片製造薄片狀連接器，而未利用絕緣性薄片之 貫穿孔，因此所製得之薄片狀連接器之電極構造體容易製 得電極表面平坦而無貫穿孔者。 因此，利用具有如上述之電極表面平坦而無貫穿孔之 電極構造體之薄片狀連接器之上述構造之電路裝置之檢測 裝置，即使被檢測物之被檢測電極爲硬度低之焊錫凸起電 極時，檢測時，被檢測物之焊錫凸起電極也不致發生與薄 片狀連接器之電極構造體之貫穿孔部分之壓接而導致之損 傷。 【圖式簡單說明】 圖1爲向異性導電連接器裝置之平面圖。 圖2爲表示圖1所示之向異性導電連接器裝置之χ_χ 剖面之說明圖。 圖3爲擴大表示圖1所示之向異性導電連接器裝置之 Υ-Υ剖面之部分之說明圖。 圖4爲圖1所示向異性導電連接器裝置之支撐體之平 面圖。 圖5爲圖4所示之支撐體之X - X剖面圖。 -62 - 1253206 (59) 圖6爲表示向異性導電膜成型之金屬模之一例中之構 造之說明用剖面圖。 圖7爲表示爲製得薄片狀連接器之層壓材料之構造之 說明用剖面圖。 圖8爲表示在層壓材料之絕緣性薄片上形成貫穿孔之 狀態之說明用剖面圖。 圖9爲表示在絕緣性薄片上形成短路部與表面電極部 之狀態之說明用剖面圖。 圖1 〇爲表示在絕緣性薄片面形成有背面電極部之狀 態之說明用剖面圖。 圖1 1爲表示在絕緣性薄片上形成有連結用貫穿孔之 狀態之說明用剖面圖。 圖1 2爲表示在下模之成型面上配置有間隔物與支撐 體之狀態之說明用剖面圖。 圖13爲表示介設保護在上模之成型面配置薄片狀連 接器之狀態之說明用剖面圖。 圖14爲表示分別在上模與金屬模形成成型材料層之 狀態之說明用剖面圖。 圖1 5爲表示在金屬模中形成目標形態之成型材料層 之狀態之說明用剖面圖。 圖1 6爲擴大表不成型材料層之一部分之說明用剖面 圖。 圖爲表示在成型材料層作用以磁場之狀態之說明 用剖面圖。 -63- 1253206 (60) 圖1 8爲表示本發明之第2實施例之向異性導電連接 器裝置之平面圖。 圖19爲表示圖18所示之向異性導電連接器裝置之 X-X剖面之說明圖； 圖20爲擴大表示圖18所示之向異性導電連接器裝置 之Y - Y剖面之一部分之說明圖。 圖21爲表示爲製得薄片狀連接器之層壓材料之構造 之說明用剖面圖。 圖2 2爲表示層壓材料上形成貫穿孔之狀態之說明用 剖面圖。 圖2 3爲表示在絕緣性薄片上形成短路部之狀態之說 明用剖面圖。 圖24爲表示在絕緣性薄片表面與背面形成表面電極 部與背面電極部之狀態之說明用剖面圖。 圖2 5爲表示在絕緣性薄片上形成連結用貫穿孔之狀 態之說明用剖面圖。 圖2 6爲表示本發明之第3實施例之向異性導電連接 器裝置之平面圖。 圖27爲表示圖26所示之向異性導電連接器裝置之 χ-χ剖面之說明圖。 圖28爲擴大表示圖26所示向異性導電連接器裝置之 Y-Y剖面之一部分之說明圖。 圖29爲表示用於製得薄片狀連接器之層壓材料之構 造之說明用剖面圖。 -64- 1253206 (61) 圖3 0爲表不在層壓材料之絕緣丨生薄片形成有貫穿孔 之狀態之說明用剖面圖。 圖3 1爲表示在絕緣性薄片上形成有短路部及表面電 極部之狀態之說明用剖面圖。 圖3 2爲表示在絕緣性薄片之背面形成有背面電極部 之狀態之說明用剖面圖。 圖3 3爲表示在絕緣性薄片上形成有連結用貫穿孔之 狀態之說明用剖面圖。 圖34爲表示在下模之成型面上配置間隔物與支撐體 之狀態之說明用剖面圖。 圖35爲表示在上模之成型面上隔著保護膜配置薄片 狀連接器之狀態之說明用剖面圖。 圖3 6爲表示分別在上模與下模形成成型材料層之狀 態之說明用剖面圖。 圖3 7爲表示在金屬模中形成目標形態之成型材料層 之狀態之說明用剖面圖。 圖3 8爲擴大表示成型材料層之一部分之說明用剖面 圖。 圖3 9爲表示對成型材料層作用以磁場之狀態之說明 用剖面圖。 圖4 0爲將本發明之電路裝置之檢測裝置之實施例之 構造與電路裝置一倂表示之說明圖。 圖4 1爲將本發明之電路裝置之檢測裝置之另一實施 例之構造與電路裝置一倂表示之說明圖。 -65- 1253206 (62) BI 42爲將本發明之電路裝置之檢測裝置之另一實施 例之構造與電路裝置一倂表示之說明圖。 圖43爲將本發明之電路裝置之檢測裝置之另一實施 例之構造與電路裝置一倂表示之說明圖。 圖44爲將本發明之電路裝置之檢測裝置之另一實施 例之構造與電路裝置一倂表示之說明圖。 圖4 5爲將本發明之電路裝置之檢測裝置之另一實施 例之構造與電路裝置一倂表示之說明圖。 圖46爲表示在薄片狀連接器之表面形成有保護膜之 狀態之說明用剖面圖。 圖47爲表示在薄片狀連接器之表面形成有保護膜之 狀態之說明用剖面圖。 圖48爲用於說明本發明之薄片狀連接器之上面圖。 圖49爲在實施例中所使用之測試用電路裝置之平面 圖。 圖5 0爲在實施例中所使用之測試用電路裝置之側面 圖。 圖5 1爲表示在實施例中所使用之反覆使用耐久性之 試驗裝置之槪略構造之說明圖。 主要元件對照表 1 :電路裝置 2 :焊球電極 3 :電路裝置 -66- 1253206 (63) 4 :焊球電極 5 :檢測用電路基板 6 :檢測用電極 7 :恒溫槽 8 :佈線 1 0 :向異性導電連接器裝置 1 1 :導電路形成部 1 2 :有效導電路形成部 1 3 :無效導電路形成部 1 4 :絕緣部 1 5 :連結用凸出部 1 7 :成型材料層 1 8 :成型材料層 1 9 :成型材料層 20 :薄片狀連接器 2 1 :絕緣性薄片 22 :電極構造體 2 3 :表面電極部 24 A :金屬層 24 :背面電極部 2 5 Η :貫穿孔 2 5 :短路部 2 6 :連結用貫穿孔 3 〇 :支撐體 -67- 1253206 (64) 3 2 :定位孔 4〇 :檢測用電路基板 4 1 :檢測用電極 42 :導銷 5 0 :上模 5 1 :強磁性體基板 5 2 :強磁性體層 5 3 :非磁性體層 5 4 :凹部 5 5 :下模 5 6 :強磁性體基板 5 7 :強磁性體層 5 8 :非磁性體層 5 9 :凹部 6 0 :間隔物 6 1 :間隔物 62 :保護膜 6 5 :成型空間 7 〇 :抗蝕層 7 5 :圖案孔 1 1 〇 :電壓計 115: 直流電流 1 1 6 :定電流控制裝置 -68-

Claims (1)

1253206 ⑴ 來p /r…: 拾、申請專利範圍 第93 1 1 63 3 0號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年12月15日修正 1 . 一種向異性導電連接器裝置，具備ζ

向異性導電膜，由絕緣部互相絕緣之狀態，將向厚度 方向延伸之多個導電路形成部配置而成，以及 薄片狀連接器，在絕緣性薄片上配置向其厚度方向延 伸之多電極構造體而成；其特徵爲： 上述薄片狀連接器係以各電極構造體分別位於上述向 異性導電膜之各導電路形成部上之狀態整體設置於上述向 異性導電膜上。 2 .如申請專利範圍第1項之向異性導電連接器裝置 ，其中上述薄片狀連接器爲形成有貫穿絕緣薄片雙面之貫

穿孔，而在該貫穿孔中配置有電極構造體之薄片狀連接器 3 ·如申請專利範圍第1至2項之向異性導電連接器 裝置，其中上述薄片狀連接器之電極構造體具有： 露出於上述絕緣性薄片表面之表面電極部； 露出於上述絕緣性薄片背面之背面電極部；以及 延伸於上述絕緣性薄片之厚度方向之短路部； 上述表面電極部與背面電極部係透過上述連結部連結 成整體。 1253206 (2) 4 .如申請專利範圍第2項之向異性導電連接器裝置 ，其中上述薄片狀連接器之絕緣性薄片形成有連結用貫穿 孔； 上述向異性導電膜之絕緣部形成有由其表面凸出之連 結用凸出部； 上述向異性導電膜之連結用凸出部插入薄片狀連結用 貫穿孔中。

5 . —種向異性導電連接器裝置，具備： 向異性導電膜，由絕緣部互相絕緣之狀態，將向厚度 方向延伸之多個導電路形成部配置而成，以及 薄片狀連接器，在絕緣性薄片上配置向其厚度方向延 伸之多個電極構造體而成；其特徵爲： 上述薄片狀連接器係以各電極構造體分別位於上述向 異性導電膜之各導電路形成部上之狀態整體化於上述向異 性導電膜上。

6 ·如申請專利範圍第5項之向異性導電連接器裝置 ，其中上述薄片狀連接器爲形成有連通絕緣薄片雙面之空 隙，且該空隙配設有電極構造體之薄片狀連接器。 7 .如申請專利範圍第6項之向異性導電連接器裝置 ，其中上述薄片狀連接器之絕緣性薄片係由網狀物，非織 布，或多孔性薄膜所構成之絕緣性薄片。 8 ·如申請專利範圍第1、2、4至7項中任一項之向 異性導電連接器裝置，其中上述向異性導電膜係由絕緣性 之彈性高分子物質所形成，而在該導電路形成部中含有顯 -2- 1253206 (3) 示磁性之導電性粒子。 9. 如申請專利範圍第1、2、4至7項之向異性導電 連接器裝置，其中設有用於支撐上述向異性導電膜之周緣 部之支撐體。

10. 如申請專利範圍第1、2、4至7項之向異性導電 連接器裝置，係介設於檢測對象之電路裝置與檢測用電路 基板之間，而用於進行上述電路裝置之被檢查電極與上述 電路基板之檢測電極之電連接之連接器裝置，其特徵爲： 在接觸到檢測對象之電路裝置之一面側配置有絕緣性 薄片。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之向異性導電連接器裝 置，其中上述向異性導電膜形成有電連接於檢測對象之電 路裝置之被檢測電極之導電路形成部之外，還有不電連接 於被檢測電極之導電路形成部。

1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之向異性導電連接器裝 置，其中上述導電路形成部係以特定之間距配置。 1 3 · —種向異性導電連接器裝置之製造方法，其特徵 爲· 藉由備妥利用一對模子形成有成型空間之向異性導電 膜成型用之金屬模； 在該金屬模中形成由向異性導電膜用成型材料所構成 之成型材料層，該材料層含有在做爲被硬化之彈性高分子 物質之液態局子物質形成材料中顯示磁性之導電性粒子， 同時在上述成型材料層上配置上述薄片狀連接器； -3- 1253206 (4) 然後，藉由成型材料層之厚度方向作用具有強度分布 之磁場，並硬化處理上述成型材料層；即可製得， 上述薄片狀連接器被一體地設置於向異性導電膜上之 向異性導電連接器裝置。 1 4 .如申請專利範圍第〗3項之向異性導電連接器裝 置之製造方法；其中

利用形成於貫穿絕緣薄片雙面之貫穿孔之薄片狀連接 器；以及 形成成型材料層俾在上述絕緣薄片之貫穿孔中塡充向 異性導電膜用成型材料。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3至1 4項之任一項之向異性 導電連接器裝置之製造方法，其中 利用絕緣性薄片上形成連結用貫穿孔之薄片狀連接器 做爲上述絕緣性薄片；以及

形成成型材料層，俾在上述薄片狀連接器之連結用貫 穿孔內塡充向異性導電膜用成型材料。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3至1 4項之向異性導電連接 器裝置之製造方法，其中包括薄片狀連接器形成工程，包 括 利用雷射加工法，或乾蝕刻法，依照與應形成之電極 構造體之圖案相對應之圖案在上述絕緣薄片上形成貫穿絕 緣薄片雙面之貫穿孔； 利用電鍍處理法，在上述圖案孔中塡充電極構造體材 料，在絕緣性薄片上形成配置有向其厚度方向延申之多個 -4- 1253206 電極構 17 向異性 藉 型用之 在 之成型 物質之 ，同時 然 布之磁 上 性導電 18 置之製 之薄片 並 材料以 19 置之製 狀物， 20 電連接 薄 造體之薄片狀連接器之薄片狀連接器形成工程。 .一種向異性導電連接器裝置之製造方法，爲製造 導電連接器裝置之方法’其特徵爲： 由備妥一對模子形成有成型空間之向異性導電膜成 金屬模；

該金屬模中形成由向異性導電膜用成型材料所構成 材料層，該材料層含有在做爲被硬化之彈性高分子 液態高分子物質形成材料中顯示磁性之導電性粒子 在上述成型材料層上配置上述薄片狀連接器； 後，藉由對成型材料層之厚度方向作用具有強度分 場，並硬化處理上述成型材料層，即可製得 述薄片狀連接器被整體化於向異性導電膜上之向異 連接器裝置。

•如申請專利範圍第1 7項之向異性導電連接器裝 造方法，其中利用形成有連通絕緣薄片雙面之空隙 做爲上述絕緣性薄片； & ±述絕緣薄片之空隙中塡充向異性導電膜用成型 形成成型材料層。 •如申請專利範圍第1 8項之向異性導電連接器裝 造方法’其中上述薄片狀連接器之絕緣性薄片爲網 非織布或多孔性薄膜。 •如申請專利範圍第1 7至1 9項任一項之向異性導 器裝置之製造方法，其中包括： 片狀連接器形成工程， 1253206 (6) 在上述絕緣性薄片之雙面塗敷抗蝕劑以形成抗蝕層； 依與應形成之電極構造體之圖案相對應之圖案剝離上 述抗蝕層，並在抗蝕層上形成多個圖案孔；以及 在上述圖案孔塡充電極構造體材料後，剝離上述之抗 鈾劑，並在絕緣性薄片上形成配置有延伸於其厚度方向之 多個電極構造體之薄片狀連接器。

2 1 ·如申請專利範圍第1 7至1 9項之向異性導電連接 器裝置之製造方法，其中在金屬模中之一方之模子之成型 面與薄片狀連接器之間配置保護膜。 22.如申請專利範圍第13、14、17至19之向異性導 電連接器裝置之製造方法，其中藉由在上述一對金屬模之 間配置凸設於成型空間之支撐體，並硬化處理上述成型材 料層，即製得設有用於支撐上述向異性導電膜之周緣部之 支撐體之向異性導電連接器裝置。

2 3 ·如申請專利範圍第22項之向異性導電連接器裝 置，其中藉由在上述一對金屬模與支撐體之間介設間隔物 以形成成型空間並硬化處理上述成型材料層，製得設有用 於支撐上述向異性導電膜周緣部之支撐體之向異性導電連 接器裝置。 24· —種電路裝置之檢測裝置，其特徵具備： 檢測用電路基板，具有與檢測對象之電路裝置之被檢 測電極對應配置之檢測用電極；以及 向異性導電連接器裝置，配置於該檢測用電路基板上 且記載於申請專利範圍第1、2、4至7項之任一項中。 -6 - 1253206 (7) 2 5 . —種電路裝置之檢測裝置，其特徵具備： 檢測用電路基板，具有與檢測對象之電路裝置之被檢 測電極對應配置之檢測用電極；以及 向異性導電連接器裝置，配置於該檢測用電路基板上 且記載於申請專利範圍第9項中。 26. —種電路裝置之檢測裝置，其特徵具備：

檢測用電路基板，具有與檢測對象之電路裝置之被檢 測電極對應配置之檢測用電極；以及 向異性導電連接器裝置，配置於該檢測用電路基板上 且記載於申請專利範圍第1 1項中。