TW579457B - Radiation patterning tools, and methods of forming radiation patterning tools - Google Patents

Description

579457 玫、發明說明· 技術領域 本發明係有關為射圖樣工具，R古 g ^、a。a @、 有關用以構成輻射圖樣 工 ^!點’本發明係有關輻射圖樣工具， 其中一邊緣疋在最接近特徵圖樣摄& ， 7冓成。邊緣的構成可使通 過邊緣的光可從當光通過特徵圖樣 產生相位旋轉大約180度。 成先波長相位從轉 先前技術 极影触刻在半導體晶圓的積體雷 日日#工丄 ,-Λ, C时％路構成期間普遍使用。 明確而…輪射_式(例如，紫外 射圖樣工具及至一半導體晶圓。輻 ^ 一光罩或一線網，且術語“光罩 "水〆、可以是例如 個晶圓納…： 統可了解視為定義-整 罩’且術語“線網”傳統可 一部分晶圓圖樣的圖樣工且。 為一疋我 在目前說法時常可互換使用，所以任何術語可視為Λ一 邛为或整個晶圓的一照輻射圖工具。 、“已口 輪射圖樣工具包含在相泰 如，敕加、夫 心而圖褕中構成的光限.制區域（例 正個不込明或衰減/半明暗區一 完全透明區域）。例如，一狄Μ回先傳w域(例如， ^ ^ r u 一格栅圖樣可用來在半導鹘曰 疋義平行間隔導線。晶圓且有並 牛才把日曰®上 材料層。輕射通過輕射⑽工:為7^且《一感光阻體 樣傳輸給光阻。光阻炊=^具而到光阻層’且將光罩圖 暴露部分、戍—自决’、θ ^現’以移除一正光阻的光阻 ^ 負光阻的井Fil非4八 , 樣光阻可在-隨後半道411 ’其餘圖 罩使用，例如虚在步驟期間當作在晶圓上的光 〃在取接近光阻的晶圓材料有關的離子植入 579457 或姓刻。 半導體積體電路效率的進展典型彳同時減 蹄士 置體積與減少連接這些積體電路裝置的導體元件触=裝 j始猶剩路裝置與與要求始終減少結構二= 需求。 〃尤卓的私射圖樣精密與精確的 時常想要增添給光阻的圖樣是—圓形’且它特別是 構成具有微米大小直徑的圓$，而且甚至更想要構成:有 ::米大小直徑的圓形。圓形在構成半導體電路方面且有 许夕應用’例如在構成圓筒形缺口的應用。困難在製造線 :罔疋存在&，此線,網具有微米與次微米大小直徑的圓形圖 水。典型上，橢圓形取代想要的圓形來圖樣化會使更多半 :體比使用圓㈣耗更多體積。發展可在微米與次微米位 產生圓形圖^ &至少產生比目前方法產生更會皙圓形 的輻射圖樣工具是想要的。 除了圓开y <外’其他形狀在各種不同半導體處理是想要 的。通常想要正確曬印想要的形狀，但是此時常是不容易。 如果形狀不是正破暖亡^ Μ . 隹麂印匕便會在不想要的區域重疊，而 且最後會導致短路、或其他不想要的問題。^，發展可 用來正確曬印想要形狀的微影飯刻法與裝置是想要的。 發明内容 在特殊觀點，本發明包括例如輕射圖樣工具，該臟 Κ _在接觸陣列於沿著該陣列的列的間距不同於沿著陣 列的行的情況可用來構成相對圓形接觸…另一相移在小 ^ (山木）万向提供明確界定的接觸。該等邊緣偏移器被

加入在較大間跟士 A 向’以迫使接觸缺口的圓形構成。在本 發明的進一步勸处 _ ^ ^ 身 ，， ’可以在相鄰邊緣之間加入旁瓣扼制圖 樣°本發明亦包括構成輕射圖樣工具的方法。在本發明的 優點方面，一和固a 知射圖抆工具可在不使用一衰減相移光罩， 而只使用除了在妒同4至γ H , 社导田射圖樣工具出現的特徵圖樣之外提供的 邊緣偏移器來構成 再风及使用。此外，邊緣偏移器的邊緣可使 用既有技術而以足夠大（在1χ是大於或等於〇ι微幻製造構 成。此外’如果邊緣的寬度與長度適當修改，#瓣便可免 除；因此“假接觸，，（額外子解析窗框）可避免。 在咸點，本發明包含具有一周圍特徵圖樣的輻射圖樣 工具’且可建構來使通過特徵圖樣的光波長產生一第一相 位；k t 表7射圖樣工具亦包括沿著該特徵圖樣之一部分周 圍而不是沿著整個特徵圖樣周圍的一邊緣。當波長通過邊 緣時，邊緣是建構成使光波長產生第二相位旋#。第二相 位旋轉係相對於該第一相位旋轉呈現從大約丨7〇。到大約 190。。 在特殊觀點，本發明包含一輻射圖樣工具，該輻射圖樣 工具包含使用列與行配置的特徵圖樣陣列。特徵圖樣是建 構成當光通特徵圖樣時使光波長相位旋轉。特徵圖樣包 括·一第類型，使相位產生一第一旋轉；及一第二類型， 使相位產生一第二旋轉。第二旋轉是與第一旋轉呈現從大 約170。到大約190。。兩類型特徵圖樣可係沿著陣列的列互相 父替。衩數個第一邊緣的提供及建構可使光波長的相位產 579457 生第-旋轉。：-邊緣是沿著第二類型特徵圖樣的邊緣。 而且，複數個第二邊緣是沿著第—類型特徵圖樣的邊緣提 供。第二邊緣是建構成使光波長的相位產生第二旋轉。第 一及第二邊緣是沿著陣列的行。 本發明亦包含用以構成輻射圖樣工具的方法。 貫施方式 在特殊觀點，本發明包含新輕射圖樣工具結構、及用以 成’田射圖‘工具結構的各種不同方法。本發明包含的輻 射圖樣工具結構範例是在圖1-5、8和59_63描述。 .請即參考圖11 —第—具體實施例輕射圖樣工具結構10包 » 乂垂直擴充行與水平擴充列配置的特徵圖樣η陣列。特 徵圖樣是在-對定義類型之間分開。明確而言，一些特 破圖‘ 12疋：弟一類型14 (在此亦稱為第一特徵圖樣），而 且其他是一第二類型16 (在此亦稱為第二特徵圖樣)。當波 =第一類型特徵圖樣時’它可將光波長的相位旋轉到 罘-万向’且當波長通過第二類型特徵圖樣時，第二麵 型特徵圖樣可將光波長的相位旋轉到—第二方向。第二方、 向是與第一方向從大約170〇變化到大約19〇。，與第一方向呈 大約18G°’且與第—方向正好是am通過㈣圖樣: 具版後，通過輻射圖樣工具10的特徵圖樣12的光最 暴f在光的光阻上用來構成特徵。在光阻中構成的特徵可 以疋任何想要的圖樣。在特殊應用方面，特徵實質 形，且可以是例如是在測量誤差中的精確圓形。、’、》 在顯示的具體實施例中，第—及第二類型特徵圖樣是彼 /V457 此沿著陣列歹，丨六π & 」人互發生，而不是彼此沿著陣列的行交互發 生。 ^ μ等特被圖樣的每—者具有一周圍，且在圖1範例中，一 ::特徵圖樣14的周圍是使用數字W票示，且-第二特徵 圖木Κ 16的周圍是使用數字20標示。顯示的較佳周圍18和2〇 Ε7 . 疋巨形’且在圖1的特殊具體實施例實質上係正方形。第一 特U圖樣14的周圍18具一第一對的相對邊22、與一第二對的 子4 24’且第一特徵圖樣μ的周圍2〇具有一第一對的相對 邊26與一第二對的相對邊28。 、奴數個第一邊緣30是沿著第一特徵圖樣14的相對邊22構 成，且複數個第二邊緣32是沿著第二特徵圖樣16的相對邊 26構成。第一邊緣3〇是將相位旋轉從第一特徵圖樣14所引起 旋轉相位產生給通過最好是從大約17〇。到大約19〇。的光波 長，且最好是第一特徵圖樣14所引起旋轉相位大約18〇。，且 甚至最好是第一特徵圖樣所引起相位旋轉180。。對照下， 第二邊緣32會造成通過與由第二特徵圖樣16所引起相位旋 轉有關的從大約170。到大約丨90。邊緣的光波長相位旋轉，最 好是與由第二特徵圖16所引起相位旋轉有關的大約18〇。，且 甚至最好是與由第二特徵圖樣所引起相位旋轉有關的正好 180。。 從上述的討論，應了解本發明包括具體實施例，其中由 第二特徵圖樣16所引起相位旋轉正好與由第一特徵圖樣14 所引起的旋轉是非相位·，其中由第二邊緣32所引起位 旋轉是與由第一特徵圖樣14所引起的相位旋轉相同，而且 其中由第一邊緣30?丨 起的相位旋轉相同。 旋轉是與由第二特徵圖樣16引 =:^隨後說明的此揭示及申請專利，可了解到有 關相心^疋轉方向的 敘述除了包含對應（n*360。）加上在相位 ::所，對應的任何方向之外，尚包含描述的方 :生盥中Η疋2數值。例如，如果描述的是-第二類型特徵 # 、由第類型特徵所引起旋轉有關的180。相位旋 ，’應了解旋轉的實際差可以是180。、540。、_。等。表示 同戒心的另一方法是它是在此描述及在申請專利中引用 的純相位差，@不是總相位差。 /這彖30和32的效果會改變通過特徵圖樣丨4和16的光影像 /狀且更明確而Τ，是將光構成比在沒有邊緣3〇和32發 生的更王圓形狀。在顯示的具體實施例中，特徵圖樣⑷口 W在沿著陣列的列會比在沿著陣列的行之間更短的間距， 且邊緣只在較長的間距方向提供（即是，沿著陣列之行的一 者）。換句話說，邊緣只部分在特徵圖樣的周圍附近提供， 而不疋在在此整個周圍附近。此可簡化對描述結構的製 ^ 在於製造相當廣闊的長間距方向中的邊緣會比製造在 窄範圍的短間距方向中的邊緣更容易，且在一些應用方 面’在邊緣的短間距方向是沒有足夠空間。此外，可發現 只沿著長間距方向構成的邊緣足以改善實質由特徵圖樣所 產生的影像，及使橢圓形更呈現圓形。 在圖1的具體實施例中，沿著行的的相鄰特徵圖樣是從彼 此以距離“D”分開，且個別邊緣可擴充在特徵圖樣之間的整 -10- 579457 個距離。 請即參考圖2，其係描述一第二|邮余、 /、肖豆.目、她例輻射圖樣工且 40。類似編號是用於描述工農4n , ^ /、 ’如圖使用上述圖1的工且 10。因此，工具40包含第一特徵 ，、 q ‘ 14、罘二特徵圖樣16、 第一邊緣30與第二邊緣32。而且 狩欲圖樣是配置在且有 行與列的陣列，且在沿著陣列乏 ’、 ， 」< 仃的相鄰特徵圖樣之間存 在距離“D”。工具40的距離“d”能虚R1 & 月匕Η圖1的工具1 〇的距離“d，， 相同或不同’且在典型具體實施例 , w於」肀，工具40的距離“d，，是 大於工具_距離。在或旧的工具1〇或在圖2的工具4〇中， 距離“D”是大約最後使用王具構成的特徵圖樣大小。 、邊緣30和32不會在沿著陣列之行的相鄰特徵圖樣之間擴 充整個距離，而是沿著陣列的行相鄰邊緣是彼此以距離“e” 分開。 在顯不的具體實施例中，旁瓣扼制圖樣仆和仏是沿著陣 列的行相鄰邊緣之間提供。旁瓣扼制圖樣4〇是不同於旁瓣 扼制圖樣42的圖樣類型。明確而言，旁瓣扼制圖樣4〇最好 是建構成與圖樣40任一端上的邊緣3〇旋轉有關將通過他們 的光波長從大約170。旋轉到大約19〇。。對照下，旁瓣扼制圖 樣42最好是建構成與圖樣42任一端上的邊緣32旋轉有關將 光波長從大約170。旋轉到大約190。。 既然邊緣32最好是與經由邊緣30旋轉有關將光波長從大 約170。旋轉到大約19〇。，所以應該了解旁瓣扼制圖樣42實際 是將光波長旋轉大約與邊緣3〇相同量；且旁瓣扼制圖樣4〇 貫際疋將光波長旋轉大約與邊緣32相同量。最好是，經由 579457 旁瓣扼制圖樣4 0引起的旋轉是大約18 0。、或與邊緣3 〇引起 轉有關正好是180。；且經由旁瓣扼制圖樣42引起的光旋轉是 與經由邊緣32引起旋轉呈現大約180◦、或正好是18〇。。 有關特徵圖樣14與16的在旁瓣扼制圖樣4〇與42之間的區 別是旁瓣扼制圖樣40和42是不對應到最後在光阻上顯影的 任何影像，其中該光阻是暴露於通過工具4〇的光。相反地， 旁瓣扼制圖樣40和42只具有改變經由通過特徵圖樣14和工6 的光構成影像的功能。產生分開與清楚影像的圖樣是一特 徵圖樣，而且不是一旁瓣扼制圖樣。 旁瓣扼制圖樣40和42會造成經由通過特徵圖樣14和16的 光所足我的〜，且該;影像會比沒有旁瓣扼制圖樣更呈現圓 形。因此，最好是使用由工具4〇構成的具體實施例，而不 疋由圖1的工具1〇構成的具體實施例。然而，旁瓣扼制圖樣 4 〇和4 2的使用會增加額外複雜度來製造一輻射圖樣工具， 且此可在特殊情況下造成由工具1〇構成的較佳具體實施 例。 奋：即，3,本發明包含的—輻射圖樣工具的另一具體鲁 只她例疋以工具5Q描述。請即參考圖3，類似編號是與上面 圖1和2描述的具體實施例相同。因此，工具50包含第一特 徵圖樣14、第二特徵圖樣16、第—邊緣％與第二邊緣32。而* 且，隨著上述具體實施例，-對的第-邊緣是與該等第- · 特徵圖樣的矣_ 4·/ ^ 母者有關’且一對的第二邊緣是與該等第二 特欲圖樣的每一者有關。 /、 ^ 步包括·第一類型旁瓣扼制圖樣40、與第二 -12- 類型旁瓣扼制圖樣42，其中第一類型旁瓣扼制圖樣是在沿 著一特徵圖樣陣列的行之間的第一邊緣，且第二類型旁瓣 扼制圖是在沿著特徵圖樣陣列之行的第二邊緣之間。沿著 陣列之行的在特徵圖樣之間的距離是“D”，且在沿著陣列的 行相鄰邊緣之間的距離是“E”。對照於圖2的工具4〇，工具5〇 的旁瓣扼制圖樣不會沿著特徵圖樣陣列的行來擴充在相鄰 邊緣之間的距離“E，，。 一輪射圖樣工具的另一具體實施例是如圖4的工具6〇描 述。在圖4使用的編號是與圖ι_3相同。除了沒有旁瓣扼制器 (圖3的40和42)之外，圖4的具體實施例是類似圖3。 雖然圖1-4的每一具體實施例描述第一及第二特徵圖樣 是沿著降列的列而不是沿著行來彼此改變的應用，但是應 了解本發明包含特徵圖樣類型沿著行改變的其他具體實施 例。一裝置範例是以圖5的工具7〇來描述。圖5的編號是與 上面用來描述圖1-4的具體實施例相同。因此，工具7〇分別 包含第一及第二特徵圖樣14和16 ;且分別包含第一及第二 邊緣30和32。 在沿著特徵圖樣陣列之行的相鄰特徵圖樣之間的距離是 “D”，且在顯示的具體實施例中，邊緣是在整個距離“D，，上 擴充。因此，一第一邊緣30是在距離“D”的大約中央位置上 與第二邊緣32相鄰。然而，應了解本發明包含其他具體實 施例，其中邊緣不會在整個距離“D”上擴充的，而是由例如 與圖2、3和4相容的一空間分開。在此具體實施例中，一旁 瓣扼制器是選擇性在沿著陣列的行相鄰邊緣之間提供。然 579457 而，應考慮最好是避免在相鄰邊緣在彼此不同類型的具體 實施例中使用旁瓣扼制器。 圖59-63描述在本發明的各種不同觀點中構成的額外輻射 圖樣工具結構800、900、1000、1100和1200。圖59-63的結 構是與用來描述圖1-5結構的編號相同。 圖6和7描述可獲得與先前技術有關的本發明方法的優 點。明確而言，圖6描述一先前技術輻射圖樣工具8〇，其包 含第一及第一特徵圖樣14和16 (利用使用在上述圖1-5的編 號）’但是沒有沿著特徵圖樣周圍的邊。圖6亦顯示描述由 通過特欲圖樣的光所構成模擬影像的繪圖82。緣圖g2是使 用0.35的假射空間連貫性（σ)產生。注意，模擬影像是橢圓 形，而不是想要的圓形。對照下，圖7是使用繪圖86來描述 輻射圖樣圖4的工具6〇，以描述在〇 35的空間連貫性…）值上 =期的模擬影像。圖7的繪圖是顯示本發明的一輻射圖樣工 具構成比先前技術的輻射圖樣工具更接近想要圓形的影 =。=意，微影蝕刻光罩典型包含相當密集的圖樣、與相 當=密集（或隔離），圖樣。隔離圖樣能以一低σ (0.35)顯影’ 2至利用先前技術方法，但是密集圖樣會出現先前技術方 决的問題。 方午夕力去可用來構成本發明包含的輻射圖樣工具。數個 是在圖9 58榀述。在討論此方法之前，對於建立與本發 描射圖樣工具有關的參考訊框是有用的。因此，圖8 μ二二分的輕射圖樣工具100。工具100是使用描述圖 、具體實施例相同的編號。工具i 〇 〇包含第一特徵圖樣1 4 -14- 579457 與第=特徵圖樣16;且進一步包含第一邊緣3〇與第二邊緣 )2。弟一邊緣是與第一特徵圖樣14相鄰，且第二邊是與第 二,徵圖樣16相鄰。最好是，第二特徵圖樣16與第一邊緣 3〇疋使光波長與當光通過第一特徵圖樣丨4旋轉大約18〇。。而 且最好是第二邊緣32的光通過第一特徵圖樣14造成的旋轉 曰使光破轉180。；因此，光通過第二特徵圖樣16造成的旋轉 會使光旋轉大約18〇。。 : 、，截四2-2是經由一第一特徵圖樣丨4與一對第一邊緣扣定 ' 我’且一罘二截面“是經由-第二特徵圖樣16與-對第：_ 邊、彖β定我。圖9-58的截面是針對圖8，使得每個圖式顯示 兩刀鮮部分的輻射圖樣工具，與對應線條2_2的最左邊分解 P刀及對應、’泉條4·4的最右邊圖式。圖9_58的截面是對應用 :”構成库田射圖樣工具的各種不同處理步驟；因此，應了 1 ^刀截面是對應在除了圖8的完成處理之外的處理步 驟上顯示的結構。 用構成輕射圖樣工具的一第—具體實施例方法是在_ ^ ^ 即重新參考圖9，一結構100是在初步階段描 籲 述。明確而言，描述結構丨〇〇的一對分解部分102和104，且 分解：分是對應沿著上述圖8線條2 _ 2和4 - 4的截面。 ，刀角千。刀102和1G4包含最好對於想要光波長是透明_基 . 厘JL該光波長是在例如在紫外線波長範圍内的波長。 光勺@ &心要波長是適於圖樣光阻的波長，且此變化是因 光阻的合成而定。適於處理光阻的典型波長在技術是眾所 週知。當光通過材料11〇時，透明基座材料ιι〇最好能使想要 -15 - 579457 或多個石英、氟化 多個氟化鈣、氟化 的光波長相位旋轉。基座11 〇包含例如_ 妈、氟化鎖，且固態溶劑包含例如〜4 鳃、與氟化鋇。 瑕好對於想要的光波長是 光罩112是在基座110上

不透明。不透明光罩112在顯示的具體實施例實質上係在基 座基座110上面。在下面申請專利範園中，光罩112可視為1 不透明層，且ά座110可視為一透明材#，以4示想要光波 長的光罩112與基座110的相對發射度。然而，應了解，除非 特別說日月，否則不透明層i i 2不需要具有想要光波長的〇 %發 射度，而且除非特別說明，否則基座丨1〇不需要具有想要光 波長的100%發射度。在具體實施例中，不透明層112包本 鉻If可阻礙超過通過的想要光波長的99%;且基座層^^ 本質是由石英組成，且允許大於想要通過光波長的90%發射 度。

一圖樣光阻光罩114是在區域丨〇2和1〇4提供。圖樣光罩I" 具有厚區域U6與薄區域118。光阻光罩層114包含正或負光 阻。圖樣光罩114具有經由其擴充及有關分解部分iQ2的缺口 120 Λ亦具有經由其擴充及有關分解部分1〇4的孔口 和 J 7Γ的光阻光罩結構的構成可透過_光阻材料在整個層 上提供的典型微影蝕刻圖樣技術，然後暴露在圖樣輻^ 來=成。*露於輻射的光阻部分的進_步處理狀況是與未 暴路於輻射的部分有不同的穩定[例如，暴露於輻 光阻4刀於落劑具有與未暴露於輻射部分不同的可溶性。、 -16- ^/9457 光阻是暴露在處理狀況，以移 缺口 120、122和124。此外，如 樣期間在光阻上變化，一些部 能比其他部分（118)更厚。 除想要的部分，如此可構成 果暴露劑量會在微影蝕刻圖 分的其餘光阻厚度（部分116) 特徵圖樣位置130、與定義 分解部分1〇2具有在此定義

相鄰特徵圖樣位置的邊緣位置132。邊緣位置132是在光阻 114的薄區域118下面的材料，且特徵圖樣位置u〇是經7由圖 樣光阻光罩114擴充缺口 120下的材料。 回 刀月千部分104具有在此足義的一特徵圖樣位置134，與定義 相鄰特徵圖樣位置的邊緣位置136。特徵圖樣位置134是在薄 光阻118下面的材料，且邊緣位置136是在缺口 122和124下面 的材料。為了隨後的討論，特徵圖樣位置丨3〇是稱為一第一 特徵圖樣位置，且特徵圖樣位置134是稱為一第二特徵圖樣 位置。而且，邊緣位置132是稱為一第一邊緣位置，且邊緣 位置136是稱為一第二邊緣位置。

請即參考圖ίο，缺口 120、122和丨24是經由不透明材料112 而擴充到基座110。在不透明材料U2包含鉻的具體實施例 中’經由不透明材料適當蝕刻包含以氣為主之電漿蝕刻； 且在基座110包含石英的具體實施例中，一適當蝕刻到基座 包含以氟為主之電漿蝕刻法。 w即參考圖11 ’光阻114是暴露於使光阻變薄情況，且最 後移除一些光阻。此暴露可移除已是薄部分丨丨8 (圖1 〇)，而 在不透明材料112上留下其餘薄部分116 (在暴露於處理狀 況之後，目前是薄）。移除部分118是暴露在第一邊緣位置132 -17- 579457 中的不透明材料112的部分140,及暴露在第二特徵圖樣位置 1 j4中的不透明材料112的邵分142。用以移除光阻的適當情 況包括例如將光阻暴露於溶劑、及/或將光阻成灰。 請即參考圖12，不透明材料112的暴露部分} 4〇和142 (圖11) 是使用有關基座110不透明材料Π 2的選擇性蝕刻移除。選擇 供有關石英基座110的一鉻材料丨12的適當蝕刻是例如以氣 為主之電漿蝕刻。 請即參考圖13，光阻Π4 (圖12)是被移除，以留下與分解 部分102有關的一結構144及有關分解部分1〇4的一結構 146。結構144包含在基座11〇凹入位置13〇中的一第一特徵圖 樣’且在位置132中的第一邊緣並未凹入基座丨1〇。在位置】3〇 中的凹處在基座110材料中應該足夠深，所以通過位置丨3〇 的想要光波長具有與通過邊緣位置132的光相位是從大約 170°到大約190°的相移。注意，結構146包含：一第二特徵圖 ’其疋位於位置13 4上’且該位置13 4是與第一邊緣仰角位 準相同；及第二邊緣136，其是在與結構144的位置130上的 第一特徵圖樣相同的基座11 〇中的仰角位置。因此，當一想 要的光波長通過結構144和146，通過第一特徵圖樣位置130 的光相位將會與通過第二邊緣位置136的相位相同，且與通 過第一邊緣位置132與第二特徵圖樣位置134的光是從大約 170°到190。的相位偏移。在特殊具體實施例中，使通過與區 域132和134有關的區域130和136的光波長旋轉大約180。、或 正好180°。 結構144和146包含一下表面15〇與一上表面152。典型上， -18 - 579457 當結構合併到一微影蝕刻裝置當作一線網或光罩時，光便 會從表面150通過基座110,及從表面152離開。因此，當合 併到微影蝕刻設備時，結構144和146典型是與顯示結彳U目 反。顯示的光束160、162、164、166、168和17〇是進入基座 110的下表面150’及經由在各種不同位置13〇、132、和 的上表面152離開，以說明當光通過基座11〇時在光發生的相 移。 結構144和146是對應圖8描述的最後結構，且結構包含第 一邊緣及第一特徵圖樣，且結構丨46包含第二邊緣及第I特 徵圖樣。結構144和146亦、或對應圖丨-5和59_63的最後特徵 圖樣結構的任一者。而且，雖然圓形突出扼制器區域並未 在圖13的結構中顯示，但是可了解此圓形突出扼制器區域 是合併到圖9-13的處理。 根據本發明用以構成一輻射圖樣工具的另一方法是在圖 14-21描述。當構成的邊緣是較狹窄時，圖14-21的方法便特 別有用，且不容易蝕刻在圖9_13的具體實施例中描述的處 理。在描述圖14-21的具體實施例中，相同編號是當作上面 圖9_13的具體實施例使用。 請即參考圖14，描述的一結構200包含分解部分1〇2和 104。以等分解邵分1〇2和1〇4的每一者包含基座11〇、不透明 材料112與光阻114。此外，光阻114包含一厚部分丨丨6與一薄 部分118。一第一特徵圖樣位置130的定義是與分解部分1〇2 有關，且第—邊緣位置132是定義相鄰於第一特徵圖樣位置 130 第一特徵圖樣位置134的定義是與分解部分1 〇4有 -19- 關，且第二邊緣位置136是定義相鄰特徵圖樣位置134。 圖14的分解部分104是與圖9不同，在於有一缺口 2〇2擴充 到第二特徵圖樣位置134 ’且沒有缺口是擴充到第二邊緣位 置13 6。然而，圖14的分解部分102是與圖9的分解部分1 〇2相 同，因此，在第一特徵圖樣位置130上包含一缺口 120。 請即參考圖15，缺口 120和202是擴充到基座11〇。 請即參考圖16，光阻114是暴露在適當情況，以移除薄部 分118(圖15)’而在層112上留下厚邵分116。移除部分ns會 暴路在第一邊緣位置132中不透明材料112的部分140，且亦 暴i各在第二邊緣位置136中不透明材料112的部分204。 請即參考圖17，不透明材料112的暴露部分14〇和2〇4 (圖ι6) 是被移除。 請即參考圖18，光阻114 (圖17)是被移除。 請即芩考圖19，一保護光罩210是在區域1 〇2的第一特徵圖 樣位置130與第一邊緣位置132上構成，而且顯示是在區域 104的週邊邵分擴充。光罩21 〇包含例如光阻。注意，圖j 8 的處理是可選擇，且將光阻114 (圖17)的部分U6會在保護光 罩210構成期間保留在結構1 〇〇。在區域104上的光罩210擴充 是可選擇的’且表示顯示的處理可在隨後處理步驟期間容 许光罩210保留在區域1〇4。就光罩不必與區域ι〇2有關的邊 緣位置或特徵圖樣位置緊必排列的意義來說，光罩材料2 1 〇 並非是決定性，但是最好涵蓋此位置。 清即參考圖20，在區域1〇4的缺口是使用蝕刻擴充到基座 11 〇。此將第二特徵圖樣位置134擴充到基座，且亦將第二邊 -20- 579457 緣位置136擴充到基座。 請即參考圖21，保護光罩210 (圖20)是被移除而留下一最 後結構，包含在位置13〇的一第一特徵圖樣、在位置132的第 —邊緣、在位置134的一第二特徵圖樣、與在位置136的第二 k緣。取好是’通過第一邊緣132與第二特徵位置134的想要 光波長會旋轉360。相位（對應〇。的純相位旋轉），且通過第一 特徵圖樣位置130與第二邊緣位置136的光會使光通過第一 邊緣位置132與第二特徵圖樣位置134有18〇。相位旋轉。圖21 的結構如此對應圖8的最後結構、或圖丨彳和59_63的任一結 構。 圖9-21的方法是相當簡單，在於他們使以在不透明材料 (典型是包含鉻的材料）下面的簡單基板（典型是石英）開 始。然而，本發明包含例如方法學的較複雜方法，其中一 ^板包含多重元件。此方法的一範例是在圖22-3 1描述。在 請即參考圖22_31，類似編號是與上述圖9-21相同。 在基座110上提供的一 之間提供層302和304 且具包含例如矽化^ 欽Λ氮化备、ϋ n 明即參考圖22 ’ 一結構3〇〇包含一分解部分1〇2與一分解部 刀=4。分解部分1〇2和1〇4包含一基座丨丨〇，其包含石英（或 本質是由石英組成、或由石英組成）。結構1〇2和1〇4亦包含

減是比輻射層302的想要（工 一不透明材料層112。在層Η2與基座ηο 4。層302可以是一衰減及/或相移材料， 妞的鈕與矽材料。其他材料包括氮化 、石夕化备、氧化矽酸誥、與氟化鉻。 例如，一氧化矽或石英，但是最好是 想要（工作）波長更少。在特殊具體實 -21- 579457 施例中’衰減層3〇2包含—或多個碎、絡、紐與^且㈣ 層304包含-或多個矽、氧與氮。在特殊應用方面，一或兩 個相移層包含氟化齊、氟化鋇、鎂氟化物、及固態溶劑包 含一或多個氟化鈣、氟化鳃與氟化鋇。在本發明特殊觀點， 層302和304可分別考慮—第—相移層及—第二相移層。’ 除了這些顯示的之外，結構3〇〇包括其他材料，且可例如 . 包括在層110和302、302和3〇4、或3〇4和112之間的一或多個 ： 介面上的抗反射層。 . 一第-特徵圖樣位置13〇是在區域1〇2與第—邊緣位置132鲁 中足我，且一第一特徵圖樣位置丨34是在區域1〇4與第二邊緣 位置136中定義。 ' 圖樣光阻310是在區域102和104上構成。圖樣光阻3丨〇在區 域102上具有3個不同厚度，且明確包含：在第一特徵圖樣 位置130—最薄部分312;在第一邊緣位置132上的一中間厚 度區域314 ;及邊緣位置與第一特徵圖樣位置的一最厚部分 J 16外部。此外，光阻310在區域104上具兩個不同厚度，且 明確包含：第二特徵圖樣位置134與第二邊緣位置136的最大 _ 厚度J 16外邵；及包含在第二邊緣位置13 6上的一中間厚度 ♦ 318 °中間厚度318是大於在第一邊緣位置132上的中間厚度 ， 314。一缺口 320是經由光阻31〇擴充，以暴露在第二特徵圖 樣位置134中的一部分不透明層1丨2。圖樣阻體3 10可例如在 _ 使用落劑或其他適當情況來顯影阻體之前，透過將光阻材 料暴路到四個不同輻射劑量而構成。 請即參考圖23，結構300可暴露於蝕刻情況，以便從第二 -22- /^457 2徵圖樣位置134移除不透明材料112。用以移除一包含鉻不 透明材料II2的一適當触刻情況是使用以氯為主之電聚的 各向異性蝕刻。 π即參考圖24，缺口 320是使用一適當蝕刻而經由相移層 304擴充，且擴充到衰減層3〇2。一蝕刻是以氟為主之電漿。 層304到302 (或反之亦然）的電漿選擇性可透過改變在反應 至出現的蝕刻材料、在反應室的壓力、及無線電頻率強度 等而調整。 與區域102有關的光阻310包含一階梯狀圖樣，且最薄區域 包含一第一階梯，中間區域3 14包含一第二較高階梯，且 區或3 16包g第二及車父南階梯。結構300的光阻可暴露於溶 蜊（或暴露於其他適當處理），以移除最薄階梯312，及減少 1¾梯J 14和J 16的厚度。在此移除之後，一部分不透明層} ^ 2 疋暴露在第一特徵圖樣位置13〇中。圖25是描述在此部分移 以使在第一特徵圖樣位置13〇中的一部分層3〇4暴露之後 的結構300。 凊即參考圖26 ’結構300是暴露到本質非選擇材料3〇4和 302的蝕刻；因此，當在第二特徵圖樣位置134上經由材料;302 來擴充一缺口時，可在第一特徵圖樣位置13〇上經由材料304 來擴充一缺口。 請即蒼考圖27，描述的結構3〇〇是在暴露於適當處理之 後、及在不透明材料112的暴露部分移除之後，從邊緣位置 132移除光阻部分314 (圖26)暴露一部分不透明材料丨^。因 此’一部分的層304是暴露在第一邊緣位置132中。 -23- 579457 請即參考圖28，描述的晶圓結構3〇〇是在暴露到基座n〇、 層302和304的相對非選擇材料蝕刻之後構成。因此，蝕刻是 經由在第一邊緣位置丨32的層3〇4擴充、經由在第一特徵圖樣 位置L0的層302擴充、及擴充到在第二特徵圖樣位置134的 基座no暴露部分。如此，蝕刻可在第一邊緣位置132、第一 特徵圖樣位置130與第二特徵圖樣位置134同時蝕刻。 請即參考圖29,光阻310是暴露在溶劑（或其他適當處理狀 況），以減少光阻的厚度；因此，可將光阻從第二邊緣位置 136的# 5不透明材料112移除，但是在分解部分1〇2和1〇4 的其他區域留下光阻。明確而言，光阻的一部分較厚區域 3 16是不移除。 請即參考圖30，在第二邊緣位置136的層丨12暴露部分是使 用選擇用於與基座110及層302和304的暴露材料有關的層材 料112的姓刻來移除。如果材料1丨2包含鉻，一適當蝕刻便可 利用以氣為主之電漿。 請即參考圖31 ’其餘光阻31〇 (圖30)是被移除。 圖3 1的結構包含：在位置13 〇的一第一特徵圖樣、在位置 132的第一邊緣、在位置Π4的第二特徵圖樣、及在位置I% 的第二邊緣。最好是，在位置134的第二特徵圖樣是以不同 於由在位置130的第一特徵圖樣所引起相位旋轉的大約丨8〇。 而造成一想要波長的相位旋轉。而且，第一邊緣132最好是 造成從在位置130的第一特徵圖樣所引起大約18〇。的光波長 旋轉。此外，第二邊緣136最好是造成光波長的旋轉，所以 光是與通過在位置134的第二特徵圖樣的光非同相位180。。 -24- 579457 因此，通過在位置136邊緣的光波最好是與通過在位置i3〇 的第一特欲圖樣同相位，且通過位置〗32邊緣的光最好是與 通過在位置134的第二特徵的光同相位。 圖31的結構300是對應參考圖ι-5、8和59-63的輻射圖樣工 具描述任一結構。明確而言，圖3丨的結構3〇〇具有：在位置 130的一第一特徵圖樣，其包含經由第一相移層3〇2、第二相 移層304、不透明層112、及至基座11〇上表面蝕刻的圖樣； 及在位置134的一第二特徵圖樣，其包含經由第一相移層 302、第二相移層304、及至基座i 1〇蝕刻的圖樣。此外，結 構300包括在位置132的第一邊緣，其包含經由第二相移層 304與不透明112、及至第一相移層302上表面蚀刻的圖樣； 及包括在位置136的第二邊緣，其包含經由不透明層112及至 第二相移層304的上表面蝕刻的圖樣。 圖31的具體實施例是用於構成圖丨-5、8或59-63的一或多個 库§射圖樣工具’注思’第一邊緣最好是沿著第一特徵圖樣 相對邊擴充’但是不會整個擴充到第一特徵圖樣周圍；且 第二邊緣最好是沿著第二特徵圖樣的相對邊擴充，但是不 是整個在第二特徵圖樣周圍。然而，應了解，在此描述的 方法亦使用在邊緣是整個在一特徵圖樣周邊附近構成的應 用。 本發明的另一具體實施例是參考圖32-38描述。請即先參 考圖32，一結構4⑼包含一基座110、與一不透明層1丨2。在 基座110與不透明層112之間是一衰減及/或反射層402、與一 相移層404。相移層404包含例如二氧化矽、或石英；且層4〇2 -25- 579457 包含例如矽化鈕、氮化鈦、矽化鈕、氧化誥酸矽、及氟化 鉻。最好是，層404允許至少9〇%傳輸，且最好是通過結構 勺光工作波長大約丨⑼％傳輸；及亦最好是層4⑽和&⑽的 組合厚度’使得當光通過組合層4〇2和4〇4時，光工作波長具 有360。（或倍數）的相位旋轉。層4〇4可提供從組合層4们和4⑽ 狻得的總相移180。，或有助於總相移的不同元件。 光阻410是在結構400的分解部分1〇2和1〇4上提供。光阻4]〇 的圖樣化包含在分解部分1〇2上的一厚部分412、與一較薄部 刀414 ’且亦包含在分解部分1〇4上的厚部分4丨2與一較薄部 分414。此外，光阻是定義一缺口 4丨6,經由其擴充來暴露與 分解部分102有關的不透明材料丄12部分；及定義另一缺口 418’經由其擴充來定義與分解部分1〇4有關的部分不透明材 料 112 〇 一第一特徵圖樣位置13〇是定義在與分解部分1〇2有關的 缺口 416，且第一邊緣位置132是經由與區域1〇2有關的薄光 阻邵分4M而定義。而且，一第二特徵圖樣位置1；?4是定義在 與區域104有關的缺口 418，且第二邊緣位置136是經由與分 解邵分104有關的薄光阻部分414定義。 請即參考圖33，缺口 416和418是經由不透明層U2、相移 層402和404、及至基座11〇擴充。因此，第一及第二特徵圖 樣位置130和134是擴充到基座11〇 0 回 請即參考圖34,光阻4丨〇是暴露在一溶劑（或其他適當處理 狀況），以移除較薄部分414 (圖33)，而留下（除了薄部分之 外）較厚部分412。此不透明材料112的暴露部分是在第一及 -26- 579457 第二邊緣位置13 2和13 6中。 請即參考圖j5，不透明材料丨12 (圖34)的暴露部分是被移 除，以將第一及第二邊緣位置132和136擴充到層404的上表 面。 請即爹考圖36 , —保1曼光罩420是在分解部分1〇2上構成， 而且明確而言，其是構成來保護第一邊緣位置132與第一特 徵圖樣130。雖然在分解邵分104上的光罩42〇擴充不是特別 相關進一步處理，但是顯示的一些部分保護光罩42〇亦在分 解邯分104上擴充。光罩420包含例如光阻。在顯示的具體管 犯例中，光阻410 (圖35)是在構成保護光罩42〇之前移除，但 是應了解本發明包含其他具體實施例（未在圖顯示），其中 光阻410是保留在原地，且保護光罩42〇是在阻體41〇上構成。 請即參考圖37，一蝕刻是用來將第二特徵圖樣位置134擴 充到基座no,及將第二邊緣位置136擴充到相移層4〇4。一 適當蚀刻是使用以氟)為主之電漿。 請即參考圖38，保護光罩420 (圖37)是被移除。結果的結 構具有：在位置130的第一特徵圖樣、在位置134的第二特^ 圖樣、在位置132的第一邊緣、及在位置丨36的第二邊緣。最 好疋，通過第一特徵圖樣的光是與通過第二邊緣的光同相 位；而且通過第二特徵圖樣的光是與通過第一邊緣的光5 相位。此外，最好是通過第一特徵圖樣的光是與通過第2 特徵圖樣的光是從大約170。到大約19〇。的相移，而且矛好曰 與通過第一特徵圖樣的光呈現偏移大約丨8〇。 、 疋 /上逆 祁彳义。通過在 仅置136的第二邊緣的光是實際與通過第—牯 币一狩欲圖樣134的 -27- 579457 光呈現偏移大約540。，且540。相位旋轉是與180。相位旋轉相 同（即是，540=180+360)。而且，在通過第一邊緣132的光與 通過第二特徵圖樣134的光之間的總相位旋轉是720。，但是 既然720。是360的倍數（明確而言，它是2x36〇)，所以相位旋 轉是0。；或換句話說’通過第一邊緣132的光是通過第二特 徵圖樣134的光同相位。 另一具體實施例是參考圖39-45描述。請即先參考圖39， 描逑的一結構500包含一對分解部分的1〇2和1〇4。該等分解 部分的每一者包括一基座11〇與一不透明層112。層5〇2和 是在基座與不透明層之間。層5〇2包含一衰減及/或反射層， 此亦會導致小相移（具一適當材料包含一或兩鉻與鋁）例 如，使用在光束分離器的材料。層5〇4包含一材料，以提供 想要光波長的至少90%傳輸，而且最好是想要光波長的大約 1〇〇/°傳輻，且具例如石英或二氧化矽的適當材料。層5〇2 的材料可選擇提供在光波長經由空氣傳遞期間發生的一類 似相位，且如果層502包含可選擇性蝕刻與基座110與層5〇4 :關的材# ’來自結構5〇〇的一輻射圖樣工具製造便可簡 ^第特彳政圖樣位置130的定義是與分解部分102有關，且 罘一，緣位置132是定義接近特徵圖樣位置130。而且，一第 特谜圖樣位置134的定義是與分解部分1〇4有關，且第二、軎 、·彖位置U6是定義與第二特徵圖樣相鄰。 一光阻510是在分解部分⑽和1〇4上提供。光阻51〇具有一 且、、二由其擴充暴露在第一特徵圖樣位置1的一部 -28- 分不透明層Π2，及具有一缺口 522，且經由其擴充暴露在第 二特徵圖樣位置134的另一部分不透明材料112。光阻510在 第一邊緣位置132與第二邊緣位置136上具有薄部分512，且 在薄部分512的向外具有較厚部分514。 請即參考圖40，不透明材料112的暴露部分會受到飾刻， 以將缺口 520和522擴充到層504的上表面。 請即參考圖41，層504的暴露部分會受到姓刻，以將缺口 520和522擴充到層502的上表面。 請即參考圖42 ’光阻510是暴露在一溶劑（或其他適當處理 狀況），以移除光阻（圖41)的薄部分；且隨後，一蝕刻是用 來移除層112和502的暴露部分。既然層502和112典型包含金 屬，他們可同時蝕刻，以利用實質選擇用於層5〇4和i 1〇石英 的蝕刻。一適當蝕刻可以是例如利用以氣為主之電漿蝕 刻。在另一具體實施例中，層II2和502可彼此每次蝕刻一 /人。圖42的結構具有擴充到基座11 〇上表面的第一及第二特 徵圖樣位置130和134、及擴充到層504上表面的第一及第二 邊緣位置132和136。 請即參考圖43，當第二特徵圖樣位置134與第二邊緣位置 136暴路時，一保？曼光罩材料53〇是在第一特徵圖樣位置 與第一邊緣位置丨32上提供。對於光罩不必然與分解部分1〇2 的邊緣位置或特徵圖樣位置緊密排列而言，光罩材料別的 排列是非重要的，但是最好涵蓋此位置。注意，雖然（圖42) :阻5H)移除之後提供的光罩材料53〇是在圖43描述，但是本 發明以含光阻5H)可在光罩材料53Q準備期間留在原地，且 -29- 579457 光罩530可在光阻510上提供的一些具體實施例。 請即參考圖44,基座11〇與層504的石英材料會被蝕刻，以 將第二邊緣位置136擴充到層502的上表面，及將第二特徵圖 樣位置134擴充到基座110。

請即參考圖45，保護光罩530 (圖44)是被移除。結果結構 具有：在位置130的第一特徵圖樣、在位置132的第一邊緣、 在位置134的第二特徵圖樣、及在位置136的第二邊緣。圖45 的結構是對應圖1-5、8和59-63的任一輻射圖樣工具結構。 通過第一特徵圖樣的光最好是與通過第二邊緣的光同相 位，且通過第二特徵圖樣的光最好是與通過第一邊緣的光 同相位。此外，通過第一特徵圖樣的光最好是與通過第一 邊緣的光非同相位180。，且通過第二特徵圖樣的光最好是 與通過第二邊緣的光非同相位丨8〇。。

、參考圖9-45描述的具體實施例是使用蝕刻來構成不同乂 度的材料，然後使用不同厚度來產生通過材料的光相4 :。用以產生通過材料的光相位差的另一方法是將細 質:明確而言，美國專利案號5,2仙，125和5,217,830描述各矛 不，製程’其中―雜質可用來造成通過材料的相移。在丰 殊觀點’雒質會在通過材料的光造成18()。相移，而不會布 光衰減。表示適於石英材料光傳輸特性變化的離子是= 銦、畔、綈與磷。離子雜質方法是合併在本發明的具體适 施例且參考圖46-58來描述具體實施例。 ^參考圖46，其描述—結構_。結構6⑽是與 構_^因此，相同標示是用來描述圖46的結構6〇〇，如 -30- 579457 同用來描述圖9的結構。因此，結構600包含一基座u〇 (最 好是包含石英）、一不透明層112(最好是包含絡）、與一圖樣 光阻114。缺口 120、122和124是經由圖樣光阻擴充，以便在 一第一特徵圖樣位置130與第二邊緣位置136上暴露不透明 層112部分。 請即參考圖47，不透明層112 (圖46)的暴露部分是被移 除，以將缺口 120、122和124擴充到基座110的上表面。注意， 當缺口擴充“到”在此的上表面時，應了解缺口會在上表面 終止，或擴充到表面。 請即參考圖48,光阻114是暴露在溶劑（或其他適當處理狀 況）將光阻的薄部分118移除，以留下厚部分116 (圖47)。光 阻的薄部分移除是暴露在第一邊緣位置132與第二特徵圖 樣位置134的不透明材料U2部分。如圖49所述，不透明材料 112的暴露部分在隨後雜質602植入期間可發揮光罩功能。植 入的雜質是構成在第一特徵圖樣位置丨3〇中的一第一雜質 區域604、及在第二邊緣位置136中的第二雜質區域6〇6。在 植入雖質（如圖所示）之前處理阻體是有利的，為了要在阻 體的性質經由離子植入阻體而改變之後避免將阻體處理。 此外’如果在其餘阻體上的植入是有效，一硬光罩便可在 阻體114與不透明層112之間提供。 請即茶考圖5〇，不透明層112 (圖49)的暴露部分被移除。 請即參考圖51，光阻114 (圖50)是被移除。圖5.1的結構是 包含：在位置130的第一特徵圖樣、在位置134的第二特徵圖 樣、在位置132的第一邊緣、與在位置136的第二邊緣。在位 579457 置130的第一特徵圖樣與在位置丨36的第二邊緣是分別包含 雜質區域604和606。最好是，通過第一特徵圖樣的光實質上 係與通過弟一邊緣的光同相位；且通過第一邊緣的光實質 上係與通過第二特徵圖樣的光同相位。而且最好是，通過 第一邊緣的具有與通過第一特徵圖樣的光相位是從大約 170°到大約190。相移，而且最好是相位是偏移大約18〇。、或 正好180。。而且，通過第二邊緣的光最好是與通過第二特 徵圖樣的光是從大約170。到大約190。偏移，而且最好是偏移 大約180。，且甚至最好是正好偏移180。。圖η的結構是對應 先前苓考圖1-5、8和59-63描述的任一輻射圖樣工具結構。 本發明的另一具體實施例是參考圖52-58描述，而且此是 使用與一或多個衰減及/或相移層組合的離子雜質。 請即參考圖52 ’其是描述結構7〇〇。結構包括一第一分解 邵分102與一第二分解部分1〇4。分解部分1〇2和1〇4包含一基 座110與一不透明材料112。如前述，基座ho包含石英，且 不透明材料112包含鉻。一衰減及/或相移層702是在基座11〇 與不透明材料112之間提供。層7〇2包含例如矽化鈕。 一第一特徵圖樣位置130與第一邊緣位置132是定義與分 解部分102有關，且一第二特徵圖樣位置134與第二邊緣位置 136是定義與分解部分1〇4有關。一圖樣光阻71〇是在不透明 材料112上提供。光阻710包含缺口 720和722，以分別擴充到 第一及第二特徵圖樣位置13〇和136。阻體710亦包含在第— 及第二邊緣位置132和134的薄區域712、與薄區域712向外的 厚區域714。 -32- 明材料112與層702 是在基座110的上 ’蝕刻可稱為擴充 請即參考圖53，缺口 720和722經由不透 而擴充到基座110的表面。如圖所示，姓刻 表面停止，或擴充到基座丨10。在任情況 到基座110。 凊即爹考圖54,阻體71哎暴露在溶劑（或其他適當處理狀 況”以移除薄部分712 (圖53)，而留下較厚部分714。此移 除可的暴露在第一邊緣位置132與第二邊緣位置134中的不 透明材料112部分。 請即參考圖55,不透明材料112 (圖54)的暴露部分被移 除。此可將第-及第二邊緣位置132和136擴充到層他。 請即參考圖56, 一保護光罩730是在分解部分1〇2構成，而 且更明確而言，是在第一特徵圖樣位置13〇與第一邊緣位置 132上構成。顯示的保護光罩是在移除光阻71〇 (圖55)之後構 成，但是應了解光阻710亦在保護光罩73〇構成期間留在原 地。第二特徵圖樣位置丨34與第二邊緣位置丨36是在光罩73〇 準備之後暴露。光罩7 3 0包含例如光阻。 請即參考圖57，一雜質732是植入第二特徵圖樣位置134 與第二邊緣位置136 ’以便在基座11〇中構成雜質區域74〇、 與在層702中的雜質區域742。 請即參考圖58 ’保謾光罩730 (圖57)是被移除。圖S8的結 構包含··在特徵圖樣位置130的一第一特徵圖樣、在位置is〕 的弟一邊、纟豕、在位置13 4的第一特徵圖樣、及在位置13 6的第 二邊緣。在區域740的雜質最好是提供濃度，所以通過第二 特徵圖樣的光與通過第一特徵圖樣的光能有從大約1。到 579457 大約190。的相位旋轉，而且最妤是旋轉大約18〇。，且仍然最 好是旋轉正好180。。此外，在區域742的雜質濃度與類型742 最好是選取，使得通過第二邊緣位置的光是與通過第二特 徵位置的光是從大約170。到大約190。旋轉，而且最好是旋轉 大約180°，且仍然最好是旋轉正好180。。此外，層702的厚 度與類型的選取使得通過第一邊緣的光是與通過第一特徵 圖樣是從大約170。到大約190。旋轉，且最好是旋轉大約 180。’所以通過第一邊緣位置的光是旋轉大約18〇。；然而， 與通過第一特徵圖樣的光最好是正好18〇。。圖58的結構是對 應圖1-5、8和59-63描述的任一輻射圖樣工具結構。 應注意，用於構成區域740和742的雜質最好是提供通過第 二特徵圖樣與第二邊緣的想要光波長很少或沒有衰減，但 是最好只提供光相移。在特殊應用方面，層7〇2已提供想要 的衰減，而且離子植入雜質是提供18〇。相移，而不提供額 外衰減。 、/' 在此描述的製造方法允許在區域之間自我對準。明確而 言丄可容易暴露於例如〇度的一區域，然後（使用光阻）將它 覆盖’且暴露其餘區域，以獲得⑽度，至少是用於最簡單 設計。（注意，彼此相同相位的接觸與邊緣可同時構成卜 在光罩不同區域中應用光阻不同位準電子束或雷射光束激 勵的榣述万法可只使用一多重劑量暴露來完成。進戍 理光罩的任何；々卜料谁么 、 ^ 、卜’十卞θ在不規則圖樣大小中發生，由於 曰Ία :均石劑！與不均云光罩蝕刻’ #此會影響到在 曰』上的稀薄影像，因此會造成—失真㈣。在特殊觀點， -34 - 579457 如果需要額外阻體暴露，便只會發生粗糙對準暴霖。 當在想要接觸直徑的接觸間分離較小時，透過先前技術 :成影接觸困難度便會發生。明確而言，在接觸間:產: 橋接影像是不容易產生接觸的影像。典型使用低空間連言 性將隔離接觸顯影是較容易。本發明的特殊 ^離與密集接觸的最佳化處理地區。 在此描述的製造方法可使用已包括想要層的遮沒來開 :，例如石英（基板）、Mosi-石英（矽石）與鉻。或者，方法 ::用包含石英_Mosi·鉻的一 “標準”遮沒開始；然後，在製 二::在：Γ相移層可沉積在頂端。應用額外微影㈣ 4 ^在堤擇區域的此額外層移除是想要的，但σ 成不對準的危險。 -疋此g坆 既方面’本發明已描述結構與方法特徵。然而， -、在此*露的裝置包含使本發明生效的 =本發明並未局限於顯示及描述的特殊特二:: Λ的任何形式或修改是在根據類似 附綠申請專利的範圍内。 …㈣釋的 圖式簡單說明 本發明的較佳具體實施例將在下面參 圖1是本發明包含的一第一具體實施;=明。 解部分的上视圖。 α射圖樣工具分 圖2疋本發明包含的一第二具體實施 解部分的上视圖。 』知射圖樣工具分 圖3是本發明包含的-第三具體實施例輕射圖樣工具分 -35- 579457 解部分的上視圖。 圖4是本發明包含的— , 解部分的上視圖。昂四具體實施例輕射圖樣工具分 圖5是本發明包含的— 解部分的上視圖。弟五具^貫施例輕射圖樣工具分 圖6是描述一先前技 (明磕而丄 ^ 孕田射圖橾工具刀解邵分的上視圖 (月崔而吕，一線網）、與顯示從具〇.35的微 空間連貫性線網構成的— 系、.无（σ) 是職微米，且數字孔是=接_*°楔擬的系統波長 圖7疋榣述本發明包含的_輻射 視圖（明確而言，一線納、、 ^刀％邛刀的上 構成；^ m 7 ^ ’且亦顯不在從輻射圖樣工具所 構成杈擬接觸口 σ 〇.35上 、坏 η . π ^ ® 棱4仗的系統波長是248毫 械未，且數字孔是〇.7〇。 毛 圖8是本發明包含一輻射圖樣工具分解上 8描述接著使用在圖9_58 的上視圖。圖 中的每-圖包含以截面圏顧… 月崔而，，圖9-58 \ 、、 厥面圖_不輻射圖樣工具的一對八妒如 矢。该對的最左邊分解部八e、、儿一 ·刀千口[5 I刀疋Ά者圖8的線你9 4, 的最右邊分解部分是著 。一，而且孩雙 刀疋/口耆圖8的線條‘4。圖 結構，且圖9-58的且f奋、^ , e q 8硕不一元成的 範例。 例是對應構成此完成結構的處理 圖9顯示用以構成輻 施例方法的初步處理步评上；；：在本發明第-具體實 述-對基板分解部分，且是對广圖樣工具。此圖是描 刀且疋對應圖8線條2-2的哕斟畀士、鱼 分解部分’且該對的最左邊分解部分”+广 取右邊的 解$刀疋對應沿著圖8的線悴 -36 - 579457 4-4的截面部分。 圖10是在圖9的隨後處理步驟上顯系的圖9分解部分截面 圖。. 圖11是在圖10的隨後處理步驟上顯示的圖9分解邵分截 面圖。 圖12是在圖11的隨後處理步驟上顯示的圖9分解部分截 面圖。 圖13是在圖12的隨後處理步驟上顯示的圖9分解邵分截 面圖。 圖14是在本發明第二具體實施例的初步處理步驟上所顯 示線網基板的一對分解部分截面圖。最左邊的顯示分解部 分是對應沿著圖8線條2-2的截面圖，且一最右邊分解部分是 對應沿著圖8的線條4-4。 圖15顯示在圖14的隨後處理步驟上的圖14分解部分。 圖16顯示在圖15的隨後處理步驟上的圖14分解部分。 圖17顯示在圖16的隨後處理步驟上的圖14分解部分。 圖18顯tf在圖17的隨後處理步驟上的圖丨4分解部分。 圖19顯示在圖18的隨後處理步驟上的圖14分解部分。 圖20顯示在圖19的隨後處理步驟上的圖14分解部分。 圖21顯示在圖20的隨後處理步驟上的圖14分解部分。 圖22柄述在本發明第二具體實施例方法初步處理步驟上 顯示的一半導體基板部分截面圖。明確而言，圖22描述基 板的一對分解部分，且最左邊分解部分是對應沿著圖8的線 條2-2，且最右邊分解部分是對應圖8的線條‘4。 -37- 579457 圖23是在圖22的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖24是在圖23的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖25是在圖24的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖26是在圖25的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖27是在圖26的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖28是在圖27的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖29是在圖28的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖30是在圖29的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖31是在圖30的隨後處理步驟上顯示的圖22分解部分圖。 圖β是在本發明第四具體實施例方法初步處理步騾上顯 不的一線網基板部分截面圖。圖32描述基板的一對分解部 分，且最左邊的分解部分是對應沿著圖δ線條孓2的圖式，且 最右邊分解部分是對應沿著圖8線條4-4的圖式。 圖33是在圖32的隨後處理步驟上顯示的圖32分解部分圖。 圖3 4是在圖3 3的隨後處理步驟上顯示的圖3 2分解部分圖。 圖35是在圖34的隨後處理步驟上顯示的圖32分解部分圖。 圖36是在圖35的隨後處理步驟上顯示的圖32分解部分圖。 圖37是在圖36的隨後處理步驟上顯示的圖32分解部分圖。 圖％是在圖37的隨後處理步驟上顯示的圖32分解部分圖。 圖39是在本發明方法初步處理步驟上顯示的一輻射圖樣 邵分工具截面圖。圖4〇描述一對分解部分，且最左邊分解 部分是對應圖8的線條2-2,且最右邊分解部分是對應圖8的 線條4-4。 圖40顯示在圖39的隨後處理步驟上的圖39分解部分。 -38- 579457 圖41顯示在圖40的隨後處理步驟上的圖％分解部分。 圖42顯示在圖41的隨後處理步驟上的圖外分解部分。 圖43顯示在圖42的隨後處理步驟上的圖39分解部分。 圖44顯示在圖43的隨後處理步驟上的圖％分解部分。 圖45顯示在圖44的隨後處理步驟上的圖％分解部分。 圖46描述仍然本發明另一具體實施例初步處理步：上的 一輻射圖樣工具基板截面圖。圖46描述一對分解部分，其 最左邊分解部分是對應圖8的線段2 _ 2，且最右邊麻 圖8的線段4-4。 心 圖47顯示在圖46的後處理步驟上的圖46分解部分。 圖48顯示在圖47的隨後處理步驟上的圖邨分解部分。 圖49顯示在圖48的隨後處理步驟上的圖仏分解部分。 圖50顯示在圖49的隨後處理步驟上的圖牝分解部分。 圖51顯示在圖50的隨後處理步驟的圖46分解部分。 圖52顯示在仍然本發明另一具體實施例的初步1理步驟 上的一輻射圖樣工具基板。圖52是以截面圖式描述一對分 解部分，且分解部分的最左邊是對應沿著圖8線條2_2的橫^ 面，且分解部分的最右邊是對應圖8線條的圖式。” ^ 圖53顯示在圖52的隨後處理步驟上的圖52分解部分。 圖54顯示在圖53的隨後處理步驟上的圖52分解部分。 圖55顯示在圖54的隨後處理步驟上的圖52分解部分。 圖56顯示在圖55的隨後處理步驟上的圖52分解部分。 圖57顯示在圖56的隨後處理步驟上的圖52分解部分。 圖58顯示在圖57的隨後處理步驟上的圖52分解部分。 -39- 579457 圖59是本發明包含另 分的上視圖。 一具體實施例輕射圖樣

圖60是仍然本發明包含另一 解部分的上視圖。 圖61是仍然本發明包含另一 解部分的上視圖。 圖62是仍然本發明包含另一 解部分的上視圖。 圖63是仍然本發明包含另一 解部分的上視圖。 圖式代表符號說明 具體實施例輻射圖樣工具分 具體實施例輻射圖樣工具分 具體實施例輻射圖樣工具分 具tt貫施例輕丨_樣工具分 輻射圖樣工具結構 特徵圖樣 第一特徵圖樣 第二特徵圖樣 周圍 相對邊 第一邊緣 第二邊緣 旁瓣扼制圖樣/工具 1¾射圖樣工具/結構 緣圖 分解部分 基座/材料/基座材料 10, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 11〇〇 ’ 1200 ’ 12 14 16 18, 20 22, 24, 26, 28 30 32 40, 42 50, 60, 70, 80, 100 82, 86 102, 104, 140, 142, 204 110 -40- 579457 112 114 116 118 120, 122, 124, 202, 320， 416, 418, 520, 522, 720, 722 130, 132, 134, 136 132, 136 144, 146 150 152 160, 162, 164, 166, 168, 170 210 302, 402, 502, 702 304, 404, 504 310, 410, 510, 710 312, 414, 512, 712 314, 318 316, 412, 514, 714 530, 730 602, 732 606 604 740, 742 不透明材料/鉻材料 圖樣光阻光罩 厚區域 薄區域 缺口 特徵圖樣位置 邊緣位置 結構 下表面 上表面 光束 保護光罩/光罩材料/光罩 哀減及/或反射層 相移層 光阻 最薄部分 中間厚度區域 最厚部分 保護光罩材料 雜質 第二雜質區域 第一雜質區域 雜質區域 -41 -

Claims (1)

1. ^092102210號專利申請案 文申請專利範圍替換本(93年丨月） %, 拾、申請專利範園： l 一種輻射圖樣工具，其包含： 樣’其具有_周圍，且建構成使通過該特徵 ㈣的光波長產生一第一相位旋轉；及 、—邊、’彖，其疋沿著孩特徵圖樣之一部分周圍，而不是 、著w特彳政圖樣之整個周圍；該邊緣被建構成當波長通 匕咸邊、’彖時，會使光波長產生一第二相位旋轉；該第二 相位旋轉係相對於該第一相位旋轉呈現從大約度到 大約190度。 二如申請專利圍第工項之輻射圖樣工具，纟中該第二相位 旋轉係相對於該第一相位旋轉呈現大約18〇度。 3·如申叩專利範圍第丨項之輻射圖樣工具，其中該特徵圖樣 為一包含兩對相對邊之矩形，而且其中該邊緣係被提供 以沿著咸矩形之一對相對邊的兩相對邊，而不是位於另 一對相對邊的任一相對邊上。 4·如申請專利範圍第丨項之輻射圖樣工具，其中該特徵圖樣 的形狀包含複數邊，而且其中該邊緣不是沿著該等邊的 至少一邊。 5·如申請專利範圍第1項之輻射圖樣工具，該輻射圖樣工具 包含一基板，其中該基板包括：一石英基座；一第一相 移層，其位於該石英基座上；一第二相移層，其位於該 第一相移層上，且具有不同於該第一相移層的構造；及 一不透明材料，其位於該第二相移層上，以及其中： 該特徵圖樣包含一經由該第一相移層、該第二相移層 與該不透明層触刻的圖樣；及 該邊緣包含一經由該不透明層與該第二相移層、及至 該第一相移層蝕刻的圖樣。 6. 如申請專利範圍第5項之輻射圖樣工具，其中該第一相移 層使光的衣減大於該第二相移層。 7. 如申請專利範圍第5項之輻射圖樣工具，其中： 該第一相移層包含组與碎；及 該第二相移層包含碎、及氧與氮之一或兩者。 8·如申請專利範圍第7項之輻射圖樣工具，其中該不透明層 包含絡。 9·如申請專利範圍第1項之輻射圖樣工具，該輻射圖樣工具 包含一基板，其中該基板包括：一石英基座；一第一相 移層，其位於該石英基座上；一第二相移層，其位於該 第一相移層上，且具有不同於該第一相移層的構造；及 一不透明材料，其位於該第二相移層上，以及其中： 該特徵圖樣包括一經由該第一相移層、該第二相移層 與該不透明層、及至基座蝕刻的圖樣；及 該邊緣包括一經由該不透明層及至該第二相移層麵刻 的圖樣。 10·如申請專利範圍第9項之輻射圖樣工具，其中該第—相移 層使光的衰減大於該第二相位層。 11·如申請專利範圍第9項之輻射圖樣工具，其中： 該第一相移層包含鈕與矽；及 該第二相移層包含矽、及氧與氮之中一或兩者。 12. —種輻射圖樣工具，其包含： 579457 一以行列方式配置之特徵圖樣陣列；該等特徵圖樣的 建構疋當光通過該等特徵圖樣時可旋轉光波長的相位； 省等特欲圖樣包括：一第一類型，其使相位產生第一旋 轉；一第二類型，其使相位產生第二旋轉，該第二相位 旋轉係相對於該第一相位旋轉呈現從大約17〇度到大約 190度；兩類型特徵圖樣係沿著陣列的列互相交替， 複數個第一邊緣，其建構使該光波長相位產生第一旋 轉，孩等第一邊緣是沿著該等第二類型特徵圖樣的邊緣； 複數個第二邊緣，其建構使光波長相位產生第二旋 轉，忒等第二邊緣是沿著該等第一類型特徵圖樣的邊 緣，及 第一與第二邊緣是沿著陣列的行。 13.如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其中兩類型特 徵圖樣不會係沿著陣列的行互相交替。 4·如申w專利圍第12項之無射圖樣工具，其中兩類型特 徵圖樣不會係沿著陣列的行互相交替，其中沿著行的相 鄰特徵圖；^疋彼此以一段距離分開，而且其中個別邊緣 是在沿著陣列之行的相鄰特徵圖樣之間擴充整個距離。 15·如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其進一步包含 在沿著陣列的行相鄰邊之間的複數個旁瓣扼制圖樣。 16·如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其進一步包 吕·複數個旁瓣扼制圖樣；在沿著陣列的行相鄰邊之間 的個別旁瓣扼制圖樣；該等個別旁瓣扼制圖樣被建構以 藉由該等個別旁瓣扼制圖樣任一邊上的邊緣而使光線的 579457 光波長旋轉大約170度到大約19〇度。 17·如申請專利範圍第16項之輻射圖樣工具，其中該等沿著 行的相鄰邊是彼此以一段距離分開，而且其中個別旁瓣 扼制圖樣是在沿著陣列的行相鄰邊之間擴充整個距離。 18·如申請專利範圍第16項之輻射圖樣工具，其中該等沿著 行的相鄰邊是彼此以一段距離分開，而且其中個別旁瓣 扼制圖樣是在沿著陣列的行相鄰邊之間不會擴充整個距 離。 19.如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其中兩類型特 徵圖樣是係沿著陣列的行互相交替。 20·如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其中兩個第一 邊緣匹配該第二類型特徵圖樣的每一者；而且其中第二 邊緣的兩個邊緣匹配該第一類型特徵圖樣的每一者。 21·如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其中該等第二 邊緣不是沿著陣列的列。 22·如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，其中該等第一 及第二邊緣不是沿著陣列的列。 23·如申請專利範圍第12項之輻射圖樣工具，該輻射圖樣工 具包含·一石英基座；一第一相移層，其位於該石英基 座上；一第二相移層，其位於該第一相移層上，且具有 不同於該第一相移層的構造；及一不透明材料，其位於 该弟一相移層上，以及其中·· 該等第一類型特徵圖樣是一經由該第一相移層、該第 二相移層與該不透明層蝕刻的圖樣；及 -4- 該等第二類型特徵圖樣是一經由該第一相移層、該第 二相移層與該不透明層、及至該基座蝕刻的圖樣。 24.如申請專利範圍第23項之輻射圖樣工具，其中： 該等第一邊緣是一經由該不透明層與該第二相移層、 及至該第一相移層蝕刻的圖樣；及 該等第二邊緣是一經由該不透明層及至該第二相移層 蝕刻的圖樣。 25·如申請專利範圍第23項之輻射圖樣工具，其中該第一相 移層使光的衰減大於該第二相移層。 26.如申睛專利範圍第23項之輕射圖樣工具，其中： 該第一相移層包含鈒與碎；及 該第二相移層包含矽、及氧與氮之中一或兩者。 27· —種用以構成輻射圖樣工具之方法，其包含： 提供一基板； 一第一相位旋轉；及 構成由該基板支撐的一特徵圖樣；該特徵圖樣具有一 周圍；該4争徵圖樣是建構使通過特徵圖㈣光波長產生 該邊緣是沿著該特徵圖樣之

   構成由基板支撐的邊緣； 一邵分周圍，而不是沿著赛 長通過該邊緣時，該邊緣可 轉；該第二相位益趟伤^也 579457 而且其中該特徵圖樣與邊緣是由下列構成： 在該不透明材料上形成-光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一已界定之特徵圖樣位置上；及該光阻的第二 部分係形成在一已界定之邊緣位置上； 移除該光阻的第一部分，以暴露在特徵圖樣位置的該 層之一第一區段； 移除該層的該暴露之第一區段，及蝕刻到該基板，以 便在該基板的該特徵圖樣位置中構成一缺口； 在該特徵圖樣位置構成缺口之後，移除該光阻的第二 部分，以暴露在邊緣位置的該層之一第二區段；及 仗该邊緣位置移除該層的該暴露之第二區段。 29·如申請專利範圍第28項之方法，其中該基板實質上係由 石英組成，而且其中對波長不透明之層實際上係緊靠該 基板石英而構成，且包含鉻。 30. —種用以構成輻射圖樣工具之方法，其包含： 提供一基板； 構成由基板所支撐的一第一特徵圖樣；該第一特徵圖 樣具有一周圍；當波長通過該第一特徵圖樣時，該第一 特欲圖樣的建構使光波長產生一第一相位旋轉； 構成由基板支撐的一第一邊緣；該第一邊緣是沿著該 第一特徵圖樣之一部分周圍，而不是沿著該第一特徵圖 樣之整個周圍；當波長通過該第一邊緣時，該第一邊緣 可使光波長產生一第二相位旋轉；該第二相位旋轉係相 對於該第一相位旋轉呈現從大約170度到大約190度； 579457 構成由基板支撐的一第二特徵圖樣；該第二特徵圖樣 有一周圍，該第二特徵圖樣的建構使通過該第二特徵圖 樣的光波長產生一第三相位旋轉；該第三相位旋轉係相 對於該第一相位旋轉呈現從大約17〇度到大約190度； 構成由基板支撐的一第二邊緣；該第二邊緣是沿著該 第二特徵圖樣之一部分周圍，而不是沿著該第二特徵圖 樣之整個周圍；當波長通過第二邊緣時，該第二邊緣是 建構成使光波長產生一第四相位旋轉；該第四相位旋轉 _ 係相對於該第三相位旋轉呈現從大約17〇度到大約19〇 度。 31·如申請專利範圍第30項之方法，其中該等第一及第二特 徵圖樣係以行列方式配置；其中第一及第二特徵圖樣係 沿著陣列的列互相交替；而且其中該等第一及第二邊緣 是沿著陣列的行。 32·如申請專利範圍第31項之方法，其中該等第一及第二特 徵圖樣不是係沿著陣列的行互相交替。 鲁 33. 如申請專利範圍第31項之方法，其中該等第一及第二特 徵圖樣是係沿著陣列的行互相交替。 34. 如申請專利範圍第3〇項之方法，其中該基板包含一光波 長透明材料’其中一光波長不透明層被配備在該基板 上，而且其中該等第一及第二特徵圖樣與第一及第二邊 緣是由下列構成： 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一第一界定之特徵圖樣位置上、該光阻的第二 邵分係形成在一第一界定之邊緣位置上；該光阻的第三 部分係形成在一第二界定之特徵圖樣位置上、該光阻的 第四部分係形成在一第二界定之邊緣位置上； 移除該光阻的第一及第四部分，以暴露在該第一特徵 圖樣位置與該第二邊緣位置中該層的一些區段； 從該第一特徵圖樣位置與該第二邊緣位置移除將該層 的已暴露區段；及蝕刻到該基板，以便在該基板的該第 —特徵圖樣位置該與第二邊緣位置中構成缺口； 在該第一特徵圖樣位置與該第二邊緣位置中構成缺口 之後，移除該光阻的第二及第三部分，以暴露在該第一 邊緣位置與該第二特徵圖樣位置中該層之一些區段；及 從該第一邊緣位置與該第二特徵圖樣位置移除該層的 已暴露區段。 35. 如申請專利範圍第34項之方法，其進一步包含：從該第 —邊緣位置與該第二特徵圖樣位置移除該層的已暴露區 段；將雜質植入該第一特徵圖樣位置與該第二邊緣位置。 36. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該雜質包含硼、錮' 神、録或鱗。 37·如申請專利範圍第30項之方法，其中該基板包含一光波 長透明材料，其中光波長不透明層係配備在該基板上， 而且其中該第一特徵圖樣及該第二特徵圖樣與該第一邊 緣及該第二邊緣是由下列構成： 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一弟一界足之特徵圖樣位置上、該光阻的第二 579457 邵分係形成在一第一界定之邊緣位置上；該光阻的第三 邵分係形成在一第二界定之特徵圖樣位置上、該光阻的 第四部分係形成在一第二界定之邊緣位置上； 移除該光阻的第一及第三部分，以便在該第一特徵圖 樣位及該第二特徵圖樣位置暴露該層的一些區段； k $亥弟一特徵圖樣位及該弟·一特被圖樣位置移除將該 層的已暴露區段；及蝕刻到基板，以便在該基板的該第 一特徵圖樣位及該第二特徵圖樣位置中構成缺口； 在該第一特徵圖樣位及該第二特徵圖樣位置構成缺口 之後’移除該光阻的第二及第四部分，以暴露在第一及 第二邊緣位置的該層之一些區段；及 從孫第一特徵圖樣位及該第二特徵圖樣位置移除該層 的已暴露區段。 38·如申請專利範圍第37項之方法，其中該基板實質上係由 石英組成，而且其中對波長不透明之層實際上係緊靠該 基板石英而構成，且包含鉻。 39.如申請專利範圍㈣項之方法，其中該基板包含：一石 英基座；一第一相移層，其位於該石英基座上；一第二 相移層’其位於该第一相移層上’且具有不同於該第一 相移層的構造。 4〇·如申請專利範圍第39項之方法，其中該第一相移層包含 U，而且其中孩第二相移層包含矽、及氧與氮之中 一或兩者。 41·如申請專利範圍第39項乏 _矛貝爻万法，其中該不透明材料實質 579457 上係緊靠該第二相移層。 42.如申請專利範圍第39項之方法，其中該在該第一特徵圖 樣位置的缺口是擴充不深於該石英基座的上表面，而且 其中在該第二特徵圖樣位置的缺口是擴充到該石英基 座。 43·如申請專利範圍第39項之方法，其中該等在該第一特徵 圖樣位置及該第二特徵圖樣位置的缺口是擴充到該石英 基座；而且進一步包含： 在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置上構成_保 護光罩； 當該保護光罩是在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣 位置時，擴充在該第二特徵圖樣位置的缺口，及蝕刻到 該基板的第二相移層，以便在該第二邊緣位置上構成一 缺口；及 從該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置移除該保護 光罩。 44.如申請專利範圍第37項之方法，其中該基板包含：一石 英基座；一衰減層，其位於該石英基座上；及一相移層， 其位於該衰減層，且具有不同於該衰減層的構造。 45·如申請專利範圍第料項之方法，其中該衰減層包含銘、 鉬與鋁中一或多個；而且其中該相移層包含矽及氧與氮 之中之一或兩者。 46.如申请專利範圍第料項之方法，其中該等在該第一特徵 圖樣位置與忒第一邊緣位置的缺口是擴充到該石英基座 -10- 579457 的上表面；且進一步包本： 在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置上構成一 護光罩； 當該保護光罩是在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣 位置時，將在該第二特徵圖樣位置的缺口擴充到基板， 且在該第二邊緣位置中構成一缺口，其中該缺口是擴充 到該哀減層的上表面；及 從該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置移除該保譁 光罩。 47·如申請專利範圍第37項之方法，其進一步包含從該第一 邊緣位置及該第二邊緣位置移除該層的已暴露區段之 後： 在该弟一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置上構成一保 護光罩； 當該保護光罩是在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣 位置時，擴充在該第二特徵圖樣位置的缺口，且蚀刻到 該基板，以便在該第二邊緣位置上構成一缺口；及 從該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置移除該保護 光罩。 48·如申請專利範圍第47項之方法，其中該保護光罩包含光 阻。 49_如申請專利範圍第37項之方法，其進一步包含從該第一 邊緣位置及該第二邊緣位置移除該層的已暴露區段之 後： -11- 579457 在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置上構成一保 護光罩； 當該保護光罩是在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣 位置時，將一雜質植入該第二邊緣位置與該第二特徵圖 樣位置；及 從該第一特徵圖樣位置與遠弟一邊緣位置移除該保護 光罩。 50.如申請專利範圍第49項之方法，其中該雜質包含磷、錮、 坤、銻或硼。 51·如申請專利範圍第49項之方法，其中該基板包含一石英 材料’在該石英材料上具有一相移層，其中在該第二特 徵圖樣位置中構成的缺口是經由該相移層擴充及至石英 材料；而且其中該雜質是植入該第二特徵圖樣位置的石 英材料，及至該第二邊緣位置的相移層。 52·如申請專利範圍第51項之方法，其中該相移層包含鈕與 石夕〇 53.—種用以構成輻射圖樣工具之方法，其包含： 提供一基板；該基板包含一光波長透明材料，且在材 料上包含光波長的一不透明層； 在该不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一第一界定之特徵圖樣位置上、該光阻的第二 邵分係形成在一第一界定之邊緣位置上；該光阻的第三 部分係形成在一第二界定之特徵圖樣位置上、該光阻的 第四部分係形成在一第二界定之邊緣位置上； -12- 579457 將該光阻的第一及第四部分移除，以暴露在該第一特 徵圖樣位置與該第二邊緣位置中該層的一些區段； 從該第一特徵圖樣位置與該第二邊緣位置移除將該層 的已暴露區段； 在移除該層的已暴露區段之後，將雜質植入在該第一 特徵圖樣位置與該第二邊緣位置的基板； 在植入雜質之後，移除該光阻的第二及第三部分，以 便在該第一邊緣位置與該第二特徵圖樣位置暴露該層的 一些區段； k该弟 '一邊緣位置與该弟一特徵圖樣位置移除該層的 已暴露區段；及 其中： 一第一特徵圖樣包含該第一特徵圖樣位置的雜質區 域’該第一特徵圖樣是建構成當波長通過該第一特徵圖 樣時，使光波長產生一第一相位旋轉； 該第一邊緣位置包含一沿著該第一特徵圖樣之一部 分的第一邊緣，且建構成當波長通過該第一邊緣時，使 光波長產生一第二相位旋轉；該第二相位旋轉係相對於 該第一相位旋轉呈現從大約17〇度到大約190度； 該第二特徵圖樣位置包含一第二特徵圖樣，其是建 構成使通過該第二特徵圖樣的光波長產生一第三相位旋 轉；該第三相位旋轉係相對於該第一相位旋轉呈現從大 約170度到大約190度；及 一沿著該第二特徵圖樣之一部分的第二邊緣包含該 -13 - 579457 第二邊緣位置的雜質區域，且該雜質區域是建構成當波 長通過第二邊緣時，可使光波長產生-第四相位旋轉； 該第四相位旋轉係相對於該第三相位旋轉呈現呈現從大 約170度到大約190度。 54. ”請專利範圍第53項之方法，其中該基板實質上係由 石英組成，而且其中對波長不透明之層實際上係緊靠該 基板石英而構成，且包含絡。 55. 如申請專利範圍第53項之方法，其中該雜質包含硼、銦、 神、鋒或麟。 56· —種用以構成輕射圖樣工具之方法，其包含： ί疋供一基板，该基板包含一光波長透明材料，且在該 材料上包含一光波長不透明層； 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一第一界定之特徵圖樣位置上、該光阻的第二 邵分係形成在一第一界定之邊緣位置上；該光阻的第三 邵分係形成在一第二界定之特徵圖樣位置上、該光阻的 第四部分係形成在一第二界定之邊緣位置上； 移除該光阻的第一及第三部分，以便在該第一特徵圖 樣位置與該第一邊緣位置中暴露該層的一些區段；從該 第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置移除該層的已暴露 區段； 從該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置移除該層的 已暴露區段之後，移除該光阻的第二及第四部分，以便 從該第一邊緣位置及該第二邊緣位置暴露該層的一些區 -14- 579457 段； 從該第一邊緣位置及該第二邊緣位置移除該層的已暴 露區段； 從該第一邊緣位置及該第二邊緣位置移除該層的已暴 露區段之後，在該第一特徵圖樣位置與該第一邊緣位置 上構成一光阻材料； 在構成該光阻材料之後，將雜質植入該第二特徵圖樣 位置與該第二邊緣位置的該基板中；在植入雜質之後， 移除該光阻材料；及 其中： 該第一特徵圖樣位置包含一第一特徵圖樣，該第一 特徵圖樣是建構成當波長通過該第一特徵圖樣時，使光 波長產生一第一相位旋轉； 該第一邊緣位置包含一沿著該第一特徵圖樣之一部 分的第一邊緣，且建構成當波長通過第一邊緣時，使光 波長產生一第二旋轉相位；該第二相位旋轉係相對於該 第一相位旋轉呈現從大約17〇度到大約19〇度； 一第二特徵圖樣包含該摻雜質之第二特徵圖樣位 置，孩摻雜質之第二特徵圖樣位置是建構成使通過該第 二特徵圖樣的光波長產生一第三相位旋轉；該第三相位 旋轉係相對於該S _相位旋轉呈現從大約⑺度到大約 190度；及 六斤/口著琢第二特徵圖樣之一部分的第二邊緣包含該 摻雜質之第二邊緣位置，且該摻雜質之第二邊緣位置是 -15- 建構成當波長通過第二邊緣時，使光波長產生—第四相 :破轉；該第四相位旋轉係相對於該第三相位旋轉呈現 王現從大約170度到大約19〇度。 57.如申請專利範圍第53項之方法，其中該基板包含一石英 材料’该石英材料在基板上具有—相移層，其中該相移 層包含鈕與石夕，而且其中對波長的不透明層包含路。 々申β專利範園第57項《方法，其中該第二特徵圖樣位 置的雜質區域是在石英基板中，而且其中該第二邊緣位 置的雜質區域是在該相移層中。 59·如申Μ專利範圍第53項之方法，其中該雜質包含爛、鋼、 坤、銻或磷。 60· —種用以構成輻射圖樣工具之方法，其包含： 提供一基板，該基板包括：一石英基座；一第一相移 層，其位於茲石英基座上；一第二相移層，其位於該第 一相移層上，且具有不同於該第一相移層的構造；及一 不透明材料，其位於該第二相移層上； 經由該第一相移層、第二相移層、與不透明層蝕刻一 第一圖樣；該第一圖樣是一特徵圖樣；該特徵圖樣具有 周圍，且建構成使通過特徵圖樣的光波長產生一第一相 位旋轉’ 經由不透明層與該第二相移層、及至第一相移層蝕刻 第二圖樣，戎第二圖樣是一邊緣；該邊緣是沿著該特徵 圖樣之一部分周園，而不是沿著該特徵圖樣之整個周 園；該邊緣是建構成當波長通過邊緣時，使光波長產生 -16· 579457 一第二相位旋轉；該第二相位旋轉係相對於該第一相位 旋轉呈現從大約170度移到190度。 61.如申請專利範圍第60項之方法’其中該|虫刻以構成邊緣 是與蝕刻以構成該特徵圖樣同時發生。 62_如申請專利範圍第60項之方法，其中該邊緣與該特徵圖 樣的構成包含： 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一已界定之特徵圖樣位置上；及該光阻的第二 _ 部分係形成在一已界定之邊緣位置上； 減少在與第二部分有關的第一部分上的一光阻厚度， 以構成一階梯光阻光罩，該光阻光罩在該邊緣位置上的 厚度大於在該特徵圖樣位置上的厚度； 蝕刻該光阻，以從該特徵圖樣位置移除該光阻，而在 該邊緣位置留下光阻，從該特徵圖樣位置移除該光阻， 以暴露該不透明層的一區段， 蚀刻到該特徵圖樣位置，以移除該不透明層的已暴露 · 區段，及構成一擴充到該特徵圖樣位置的第一缺口； 經由該第二相移層將該第一缺口擴充； 在擴充該第一缺口之後，從該邊緣位置移除該光阻； 從該邊緣圖樣移除該不透明層，以構成一擴充到該邊 緣位置的第二缺口；及 擴充該等第一及第二缺口來構成該特徵圖樣，以擴充 到該石英基板；及構成邊緣，以及構成該邊緣以擴充到 該第一相移層。 -17- 3·如申4專利範圍第62項之方法，其中該階梯光阻光罩的 構成包含： 將？茨光阻的第一及第二部分暴露於輻射，暴露該光阻 之第斗分與暴露第二邵分的輕射劑量不同； 使孩光阻暴露於一顯影劑，該顯影劑可使從第一部分 移除的光阻多於從第二部分移除的光阻，以構成階梯光 阻光罩。 64·如申請專利範圍第6〇項之方法，其中該第一相移層使光 的衰減大於該第二相移層。 65. 如申請專利範圍第60項之方法，其中： 該第一相移層包含鈕與碎；及 該弟二相移層包含碎、及氧與氮之中一或兩者。 66. 如申清專利範圍第6〇項之方法，其中該不透明層包含鉻。 67·如申請專利範圍第60項之方法，其中該第二相位旋轉係 相對於該第一相位旋轉呈現大約180度。 68·如申請專利範圍第60項之方法，其中該特徵圖樣為一包 含兩對相對邊之矩形，而且其中該邊緣係被提供以沿著 該矩形之一對相對邊的兩相對邊，而不是位於另一對相 對邊的任一相對邊上。 69·如申請專利範圍第60項之方法，其中該特徵圖樣的形狀 包含複數邊，，而且其中該邊緣不是沿著該等邊的至少一 邊。 70. —種用以構成輻射圖樣工具之方法，其包含： 提供一基板，該基板包括：一石英基座；一第一相移 579457 層/、釭於琢石英基座上；一第二相移層，其位於該第 相移層上，且具有不同於該第一相移層的構造；及一 不透明材科，其位於該第二相移層上； 、’二由舔第一相移層、第二相移層、與不透明層、及至 基板蝕刻一第一圖樣；該第一圖樣是一特徵圖樣；該特 欲圖k具有周圍，且建構成使通過該特徵圖樣的光波長 產生 弟一相位旋轉； 經由该不透明層蝕刻一第二圖樣；該第二圖樣是一邊 緣；孩邊緣是沿著該特徵圖樣之一部分周圍，而不是沿 著茲特徵圖樣之整個周圍；該邊緣是建構成當波長通過 邊緣時’使光波長產生一第二相位旋轉；該第二相位旋 轉係相對於該第一相位旋轉呈現從大約17〇度到大約190 度。 71.如申請專利範圍第70項之方法，其中該邊緣與該特徵圖 樣的構成包含： 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一已界疋之特徵圖樣位置上；及該光阻的第二 部分係形成在一已界定之邊緣位置上； 減少與該第二部分有關的第一部分上的一光阻厚度， 以構成一階梯光阻光罩，且該階梯光阻光罩在邊緣位置 的厚度是大於在特徵圖樣位置的厚度； 蝕刻該光阻，以從該特徵圖樣位置移除該光阻，而在 該邊緣位置留下光阻，從該特徵圖樣位置移除該光阻， 以暴露該不透明層的一區段； -19- 579457 蝕刻到特徵圖樣位置，以移除該不透明層的已暴露區 段，及構成一擴充到遠特徵圖樣位置的第一缺口； 經由第一及第二相移層及至基板來擴充該第一缺口； 在擴充該第一缺口之後，從邊緣位置移除該光阻；及 從該邊緣圖樣移除該不透明層，以經由該不透明層及 至該第二相移層來構成邊緣。 72.如申請專利範圍第71項之方法，其中該階梯光阻光罩的 構成包含：

   將孩光阻的第一及第二部分暴露於輻射，暴露該光阻 之第# $與暴路第二邵分的輻射劑量不同； 使該光阻暴露於-顯_，該顯影劑可使從第一部分 移除的光阻多^ «第二邵分移除的光阻，以構成該階梯 光阻光罩。 73.”請專利範圍第70項之方法，其中該第一相移層使光 的衰減大於該第二相移層。

   74·如申請專利範圍第7〇項之方法，其中： 該第一相移層包含鈕與矽；及 754 ^ 砂臂巴含矽、及氧與氮之〒一或兩者。 • ΰ申睛專利範圍第7〇項 76 ，、义万法，其中該不透明層包4 •如申請專利範圍第7〇 甘士、、# 鈿粗、λ 、又万法，其中該罘二相位旋 774 孩第—相位旋轉呈現大約180度。 .如申請專利範圍第70項之 # ^ 含兩對相對邊之㈣ 其中該特徵圖樣為 該矩 夕而且其中該邊緣係被提供以 开…對相對邊的兩相對邊，而不是位於另一 -20- 579457 對邊的任一相對邊上。 7S•如中清專利範圍第70項之方法，其中該特徵圖樣的形狀 包含複數邊’而且其中該邊緣不是沿著該等邊的至少— 邊。 79· ^種用以構成輻射圖樣工具之方法，其包含： 提供一基板，該基板包括：一石英基座；一第一相移 層，其位於該石英基座上；一第二相移層，其位於該第 一相移層上，且具有不同於該第一相移層的構造；及一 不透明材料，其位於該第二相移層上； 經由該第一相移層、第二相移層、與不透明層、及至 基板來蝕刻一第一圖樣；該第一圖樣是一第一特徵圖 樣；該第一特徵圖樣具有周圍，且建構成使通過特徵圖 樣的光波長產生一第一相位旋轉； 經由第一相移層、第二相移層、與不透明層來姓刻一 第二圖樣；該第二圖樣是一第二特徵圖樣；該第二特徵 圖樣具有周圍，且建構成使通過特徵圖樣的光波長產生 一第二相位旋轉；該第二相位旋轉係相對於該第一相位 旋轉呈現從大約170度到大約190度； 經由該不透明層來蝕刻一第三圖樣蝕刻；該第三圖樣 是一第一邊緣；該第一邊緣是沿著該第一特徵圖樣之一 部分周圍，而不是沿著該第一特徵圖樣之整個周圍；該 第一邊緣是建構成當波長通過第一邊緣時，使光波長產 生一第三相位旋轉；該第三相位旋轉係相對於該第一相 位旋轉呈現從大約170度到大約190度；及 -21 - 579457 經由該不透明層斑今梦—α必好 >、成罘一相移層、及至該第一相移層 來蚀刻一第四圖樣；#I 至 Μ咏，该罘四圖樣是一第二邊緣；該第二 邊緣是沿著該第二特徵圖樣之一部分周目，而不是沿著 該第二特徵圖樣之整個周圍；該第二邊緣是建構成當波 長通過第二邊緣時，使光波長產生一第四相位旋轉；該 第四相位旋轉係相對於該第二相位旋轉呈現從大約17〇 度到大約190度。 80.如申請專利範圍第79項之方法，其中該第一邊緣與第一 特徵圖樣的構造包含： 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一第一界定之特徵圖樣位置上、該光阻的第二 部分係形成在一第一界定之邊緣位置上； 減少在與該第二部分有關的第一部分上的一光阻厚 度，以構成一階梯光阻光罩，該階梯光阻光罩在該第一 邊緣位置上的厚度大於在該第一特徵圖樣位置上的厚 度； 蝕刻該光阻，以便從該第一特徵圖樣位置移除該光 阻，而在該第一邊緣位置留下光阻，從該第一特徵圖樣 位置移除該光阻，以暴露該不透明層的一區段； 姓刻到該第一特徵圖樣位置’以移除該不透明層的已 暴露區段，及構成一擴充到該第一特徵圖樣位置的第一 缺口 ； 經由第一及第二相移層、及至基板來擴充該第一缺口； 在擴充該第一缺口之後，從該第一邊緣位置移除該光 -22- 579457 阻；及 將孩不透明層從該第一邊 逯、，彖圖樣移除，以構成經由該 、 曰及至孩第二相移層擴充的該第一邊緣。 81.如申請專利範圍第80項之方法，其中該階梯光阻光罩的 構成包含： 將該光阻的第_及筮一却八I而、上 ^ 及罘一口 (5刀暴路於輻射，暴露該光阻 之第一邵分與暴露第二部分的輻射劑量不同； 使该光阻暴露於一顯影劑，該顯影劑可使從第一部分 移除的光阻多於從第二部分移除的光阻，以構成該階梯 光阻光罩。 82.如申請專利範圍第79項之方法，其中該第二邊緣與該第 二特徵圖樣的構成包含： 在該不透明材料上形成一光阻層；該光阻的第一部分 係形成在一第二界定之特徵圖樣位置上、該光阻的第二 部分係形成在一第二界定之邊緣位置上； 減少在與該第二部分有關的第一部分上的一光阻厚 度，以構成一階梯光阻光罩，該階梯光阻光罩在該第二 邊緣位置上的厚度大於在該第二特徵圖樣位置上的厚 度； 蝕刻該光阻，以便從該第二特徵圖樣位置移除該光 阻，而在該第二邊緣位置留下光阻，從該第二特徵圖樣 位置移除該光阻，以暴露該不透明層的一區段； 钕刻到該第二特徵圖樣位置，以移除該不透明層的已 暴露區段，及構成一擴充到該第二特徵圖樣位置的第一 •23- 579457 缺口 ； 經由該第二相移層來擴充該第一缺口；在擴充該第〜 缺口之後，從該第二邊緣位置移除該光阻； 從該第二邊緣圖樣移除該不透明層，以構成一擴充到 該第二邊緣位置的第二缺口；及 擴充該第一缺口及該第二缺口來構成該第二特徵圖樣 以擴充到石英基板，及構成第二邊緣以擴充到該第一相 移層。 83·如申請專利範圍第82項之方法，其中該階梯光阻光罩的 構成包含： 將該光阻的第一及第二部分暴露於輻射，暴露該光阻 之第一部分與暴露第二部分的輻射劑量不同； 使該光阻暴露於一顯影劑，該顯影劑可使從第一部分 移除的光阻多於從第二部分移除的光阻，以構成該階梯 光阻光罩。 84.如申請專利範圍第79項之方法，其中該第一特徵圖樣與 第二特徵圖樣的構成包含： 在該不透明材料上形成一光阻圖樣層；該光阻的第一 部分係形成在一第二界定之特徵圖樣位置上，且經由在 圖樣光阻中的一缺口而暴露一第一界定之特徵位置； 當該圖樣光阻覆蓋該第二特徵圖樣位置時，蝕刻到該 第一特徵圖樣位置，以移除該不透明層的一區段，及構 成'一擴充到弟一特徵圖樣位置的第一缺口； 經由該第二相移層來擴充該第一缺口； -24 - 579457 在擴充該第一缺口之後，從該第二特徵圖樣位置移除 該光阻； 從該第二特徵圖樣位置移除該不透明層，以構成一擴 充到該第二特徵位置的第二缺口；及 經由該第二相移層，及至該基板來擴充該第一缺口， 而經由該等第一及第二相移層、及基板來擴充該第二缺 85·如申請專利範圍第79項之方法，其中該第一相移層使光 的衰減大於該第二相移層。 86·如申請專利範圍第79項之方法，其中： 該第一相移層包含叙與碎；及 孩第二相移層包含矽、及氧與氮之中一或兩者。 87. 如申請專利範圍第79項之方法，其中該不透明層包含鉻。 88. 如申請專利範圍第79項之方法，其中該等第一及第二特 徵圖樣係以行列方式配置；其中該等第一及第二特徵圖 樣疋沿著陣列的列互相交替；而且其中該等第一及第二 邊緣是沿著陣列的行。 89·如申印專利範圍第88項之方法，其中該等第一及第二特 徵圖樣不是沿著陣列的行互相交替。 90·如申4專利範圍第88項之方法，其中該等第—及第二特 欲圖樣是沿著陣列的行互相交替。 91.如申胡專利範圍第⑽項之方法，其中該等第一及第二特 徵圖樣不是沿著陣列的行互相交替，其中沿著行的相鄰 + U ®樣皮此分開_段距離’而且其中該等邊緣是在 -25- 579457 沿著陣列的行的相鄰特徵圖樣之間擴充整個距離。 92·如申請專利範圍第88項之方法，其進一步包含在沿著陣 列的行的相鄰邊緣之間構成複數個旁瓣扼制圖樣。 93·如申請專利範圍第88項之方法，其進一步包含在沿著陣 列的行的相鄰邊緣之間構成複數個旁瓣扼制圖樣；個別 旁瓣扼制圖樣是在沿著陣列的行的相鄰邊緣之間；該等 個別被建構以藉由該等個別旁瓣扼制圖樣任一邊上的邊 緣而使光線的光波長旋轉大約17〇度到大約190度。 94·如申請專利範圍第93項之方法，其中該等沿著陣列之行 的相鄰邊是彼此以一段距離分開，而且其中個別旁瓣扼 制圖樣的構成是擴充在沿著陣列之行的相鄰邊緣之間的 整個距離。 95.如申請專利範圍第93項之方法，其中該等沿著陣列之行 的相鄰邊緣是彼此以一段距離分開，而且其中該等個別 旁瓣扼制圖樣的構成並未在沿著陣列之行的相鄰邊緣之 間擴充整個距離。 %·如申請專利範圍第88項之方法，其中該等第一及第二邊 緣並未沿著陣列的列構成。 -26 -