TW544734B - Semiconductor chip carrying adhesive tape/sheet, semiconductor chip carrier, semiconductor chip mounting method and semiconductor chip packaging body - Google Patents

Semiconductor chip carrying adhesive tape/sheet, semiconductor chip carrier, semiconductor chip mounting method and semiconductor chip packaging body Download PDF

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TW544734B
TW544734B TW091105978A TW91105978A TW544734B TW 544734 B TW544734 B TW 544734B TW 091105978 A TW091105978 A TW 091105978A TW 91105978 A TW91105978 A TW 91105978A TW 544734 B TW544734 B TW 544734B
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Taiwan
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semiconductor wafer
adhesive
semiconductor
wafer
sheet
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TW091105978A
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Osamu Yamazaki
Kazuyoshi Ebe
Original Assignee
Lintec Corp
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Description

544734 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於在以引導框架安裝半導體晶片之情況，_ 或是在之前保管半導體晶片、輸送或自動取出等情況所使 用之半導體晶片承持用黏著薄條片/薄片、半導體晶片承 持體、以及半導體晶片包裝體，和半導體晶片承持體制造 方法、半導體晶片安裝方法、以及半導體晶片包裝方法。 技術】 往，對於以引導框架安裝半導體晶片，進行以下之 【習知 以 製程。 1.研磨半導體晶圓之内面、將半導體晶圓磨成希望的 厚度。 2. 在半導體 3. 在必要時 固定於環狀框架 4. 利用切割 5. 在必要時 之半導體晶片。 6. 挑出附有 7. 將附有接 著劑將半導體晶 v/然而，根據 割時產生缺口和 著薄片之故，良 晶圓上貼 貼附晶ΒΓ 〇 機進行半 擴展晶圓 接著劑之 著劑之半 片接著於 上述製程 裂痕等不 率差，黏 附黏著薄片。 切割用黏著膠片，將半導體晶圓 導體晶圓的切割。 切割用黏著膠片，分離切割得到 半導體晶片。 導體晶片置於引導框架，藉由接 引導框架。 之半導體晶片安裝方法中，在切 良品的半導體晶圓亦被貼附於黏 著薄片被浪費。特別是，黏著薄
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第5頁 544734 五、發明說明（2) 片的接著劑具有導電性，例如在 等貴金屬的情況時，會形成 * 划中含有多量Ag粉末 节大的成本的浪費。 【發明概述】 本發明有鑒於此實際情況，以 之半導體晶片的良率改善，防止 ’、·可使附有接著劑 承持用黏著薄條片以及&片A h浪費接著劑之半導體晶片 供：使用該半導體晶片承持用又’本發明亦以提 晶片承持體及其製造方法、半 '條片或薄片之半導體 晶片包裝體、以及半導體晶片梦^片安裝方法、半導體 為達成上述目的，與本發明^法為目的。 黏著薄條片的特徵係在薄條片=之半導體晶片承持用 晶片之接著劑部以略同於應接；=:f接著半導體 略大於應接著之半導體晶片之形狀+ ^ 片之形狀或是 續的複數形成，前述構成接著 ς 的^方向斷 接著性。（申請專利範圍第lJM) ρ。之接者4顯不階段性的 此半導體晶片承持用黏著薄 此情況，在半導體晶片承持 狀，在 剝離薄膜也可。 百存條片的表面上貼附著 顯示階段性的接著性之接著 (可剝離之接著性）之U % j為匕括·顯不黏著性 謂黏接侧，亦ΐ顯示接著性之階段者（所 在例如，ϋ由熱；下不顯示黏著性.接著性， 著性者。利用i接著叫声^ =段性的顯示黏著性.接 耆J層之接耆劑階段性的顯示接著性， 五、發明說明（3) 可效率良好，進行對於半 架之預接著，實際接著。Ba之貼附以及對於？I導框 在上述發明（申往 片狀之基材的兩端部：:利二，1；員）中，在前迷薄悴 包含黏著以及貼附的：i)以在錢說之「接著」 接觸接著前述半導體曰 ^二材之第2接著劑部，以 專利範圍第2項）。曰曰 著劑部來形成亦可。（申1 在薄片狀tI::之半導？晶片承持用黏著薄片的特徵-於應接著之半導體：：：耆半導體晶片之接著劑部以1 : 晶片之形狀狀或是略大於應接著之 接著劑部之接著二頻示：：績的複數形成’構成前述 3項）。 白&性的接著性（申請專利範圍第 與本發明有關之半導體曰 導體晶片承持用黏^ (申叫專利範圍第1，2項）之半 發明（申請專利範圍第“的接著劑部，或是有關於上述· 片的接著劑部所步 、之半導體晶片承持用黏著薄 與本發明有ί 申請專利範圍第4，5項） 徵在於：-邊使邀晶：承持體之製造方法，其特 關之半導體晶片j /申請專利範圍第1，2項）有 前述半導體晶片承持^ j條片往長方向移動，一邊將 的間隔排列之半導辨曰—耆薄條片的接著劑部與依照既定 範圍第β項） 曰曰片，依序連續的貼附。（申請專利
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第7頁 五、發明說明（4) 與本發明有關 從與上述發明vc體晶片安裝方法，直特n /於 片承持體的基材圍弟4，5項）有關之半 由前述接h +導體晶片與接著劑％ π Γ 口：，將前述半導 口挑出.，藉 (甲明專利範圍第7項）。 ★考於刖述弓丨導框架 與本發明有關 發明（申請專利】 ^體晶片封裝體’係將與上述 與晶片收容= Γ二有關之半導體晶片承持體 材，在前述半導體 ；之長尺狀的覆蓋 述覆蓋材的收容部而接著形；2體晶片收容在前 與本發明有關之第2半導_曰成H、申广專利範圍第8項）， (申請專利範圍第5項）有;;之以：：將與上述發明 片收容部複數形成為托盤狀 導體寺體’與晶 著形成的（申It，二片收谷在前述覆蓋材的收容部而接 〃 V〒凊專利範圍第9項）。 ^ 著」，亦包含勒拿 0, 、 又，在此所說之「接 與本發及焊接的概念。 明（申請專利範體^曰片包裝方法，係將與上述發 在晶片收容部在异 J、 關之半導體晶片承持體，與 备 长長的方向斷續的#丄、 =材’其特徵為，在前述半導體：t複數之薄條片狀的覆 體2收容在前述覆承持體r為使半導 (申晴專利範圍第10項）。 P而一邊接著一邊捲取 半導體晶片承持用接著薄片的情；承持用接著薄條片或 /兄’在該半導體晶片承持
2192.4559-PF(N);Ahddub.ptd 第8頁 使用與本發明有關之半導 五、發明說明（5) _______— 用接著薄條片或半導體曰 片接著用的接著劑:u用接著薄片上’半導體晶 上去之故，可防止在導體晶片可以貼附 接著劑之半導體 了 高應安褒之附有 是’接著劑部包含費接者劑的情形。特別 時，相較於蔣Μ — /末專貝金屬的導電性物質的情況 竿乂於將接者劑部在丰導曰 兄 接著劑上所需的成本可以貼附的情況，在 應接ί之ΐί:大：成在基材上之接著劑部’形成與 著之半導二？：开ΐ相同的形狀，或形成略大於應接 割之優點。所以有不需要進行接著劑部的切 【較佳實施型態的詳細說明】 以下’說明關於本發明之實施形態。 〔第1的實施形態〕 “ 圖1係關於本發明之第丨實施形態之半導體晶片承 接者薄條片的立體圖，圖2係關於同實施形態之半導、/ 片承持用接著薄條片的全體立體圖，圖3係表示關於： 鉍形悲之半導體晶片承持用接著薄條片與半導體晶片貼具 之情況的概略側面圖，圖5係關於同實施形態之覆蓋材附 立體圖，圖6係表示關於同實施形態之半導體晶片承2 與覆盍材接著之情況的概略側面圖，圖7係表示關於每 鈀形悲之半導體晶片承持體與覆蓋材接著之狀態的概Λ 面圖。 ^
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五、發明說明（7) )、環氧系樹脂（C )笠 ^ ^ 以單獨使用，也可使用由。此二料樹月曰或是樹脂組成物，可 的材料。 由k二^脂或是樹脂組成物為基體 1 3 t熱硬化性樹脂與黏著成分之組成物 熱硬化性樹脂與接著成分的組成物中，主要由 組成物中，可舉出，例! ^ ^者成分顯示黏著性。在此 脂、二聚氰胺杓ρ ，σ · %虱樹脂、酚醛樹脂、尿素樹 ^、不飽和多元5旨樹脂、㈤苯二盼樹脂、 乳戍知f月日、聚氰脂樹脂、矽福 中以環氧樹脂為佳。另一Π ί 樹脂，但其 UA . * ^ ^ ^ ^ 方面作為接著成分，可舉出， 例如·丙烯酸系接著劑、後腺备 〇 或是，$、取友I橡膠糸接者劑、聚酯系接著劑， 谢Μ^Γ虱乙烯、聚苯乙烯、熱可塑性聚醯胺、聚 Π 而這些也可以含有光聚合性化合物。 ‘、』& 6著成分，以（間）丙烯酸酯共聚合物為佳。/ ^包含熱硬化樹脂與接著成分之組成物，特別以含 平均分子量30000以上之（間）丙稀酸酉旨共聚合 平均分子量100〜1 0 0 0 0之環氧樹脂、光聚合性低 ' 二物以及熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑之組成物 (以下有時稱為「組成物a」）為佳。 #人=為重里平均分子量3 0 0 0 0以上之（間）丙烯酸酯共 _ : 4可舉出’由：（間）丙烯酸，例如，（間）丙烯 數H4之醇所衍生之（間）丙稀酸醋、（間）丙烯 二=S旨、（間）丙稀酸環氧丙g旨等的單體所共聚合而得 到之共聚合體等，其中，以（間）丙烯酸醋以及/或是 544734 五、發明說明（8) (間）丙烯酸環氧丙酯與至少1種之（間）丙烯酸酯之共 聚合物為佳。 (間）丙烯酸與碳數卜1 4之醇所衍生之（間）丙烯酸 酯之具體例，可舉出：（間）丙烯酸曱酯、（間）丙烯酸 乙酯、（間）丙烯酸丁酯等。 作為（間）丙烯酸酯共聚合物，使用（間）丙烯酸以 及/或是（間）丙烯酸環氧丙酯所衍生之共聚合物之場 合，該共聚合物中之由（間）丙烯酸環氧丙酯衍生之成分 單位的含有率通常為0〜8 0莫爾％，而以5〜5 0莫爾％為佳，從 (間）丙烯酸衍生之成分單位的含有率通常為0〜40%，而 4 以5〜2 0莫爾％為佳。在此情況，作為形成（間）丙烯酸酯 共聚合物之（間）丙烯酸以及（間）丙烯酸環氧丙酯以外 之單體之成分，以使用（間）丙烯酸曱酯、（間）丙烯酸 乙酯、（間）丙烯酸丁酯等的（間）丙烯酸酯為佳。 作為重量平均分子量1 0 0〜1 0 0 0 0的環氧樹脂，可舉 出，以如雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯基漆用酚醛、曱醛 漆用酚醛等的酚醛類的環氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、 聚丙撐二醇等的醇類之環氧丙基醚；鄰苯二甲酸、間苯二 甲酸、四氫化苯二曱酸等的羥酸的環氧丙基醚；將與苯胺 三聚異氰酸等的氮原子結合之活性氫置換為環氧丙基之環❼ 氧丙基型或是烷基環氧丙基型環氧樹脂；乙烯基環己烯二 環氧化物、3, 4-環氧環己基曱基-3, 4雙環己基酸、 2-（ 3, 4 -環氧）環己基-5, 5 -螺（3, 4 -環氧）環己烷-m-二噁烷 等的分子内之碳-碳雙鍵為例，藉由氧化導入環氧基，即
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第12頁 五、發明說明（9) 所謂脂環型環氧物等。 以50〜5000g/eq為佳。上述 者組合使用。在這些環氧樹 丙基型環氧樹脂、〇—甲酸漆 漆樹脂為佳。 間）丙細酸S旨共聚合物1 〇 〇 份之範圍的量内使用，而以 藉由照射紫外線、電子束等 合物。作為此化合物，可使 聚合性雙鍵，重量平均分子 而以300〜10000的範圍内為 上述環氧樹脂的環氧卷旦 環氧樹脂可單獨或是不同 脂中’特別以使用雙酚系if ^ 用紛酸型環氧樹脂以及齡 上述環氧樹脂，相對於^ 重量份’通常在5〜20〇〇的重旦 100〜1 0 0 0重量份為佳。 里 光聚合性低分子化合物係 的能源線來使其架橋得到之化 用在分子内擁有一個以上之光 量（Mw )為1〇〇〜30000的範圍 佳之低聚物。 光聚合牲低分子化合物之具體的例，可舉出··如尸一 變性丙烯酸、環氧變性丙烯酸、聚酯丙烯酸、聚_ ^ ^燒 酸、（間）丙烯酸低聚物以及衣康酸低聚物的具有氣氧 或是羧基等的官能基之低聚物，在其中以使用環氧變十生土 稀酸以及尿烧變性丙稀酸為佳。 丙 又，如此的光聚合性低分子化合物與上述（間）丙、x 酸SI共聚合物或是環氧樹脂之相異點為：相對於光聚人^生 低分子化合物的重量平均分子量為30000，上述（間）丙 烯酸酯共聚合物之重量平均分子量為3 0 0 0 〇以上；以及， 相對於光聚合性低分子化合物在分子内衣定有一個以上 光聚合性雙鍵，上述（間）丙烯酸酯共聚合物及環氧樹月匕
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第13頁 544734 五、發明說明（ίο) 通常沒有光聚合性之雙鍵。 上述光聚合性低分子化合物，相對於1 〇 〇重量份之 (間）丙烯酸酯共聚合物，通常在1 〇〜1 〇 〇 〇重量份的範圍 的量使用，而以5 0〜6 0 0重量份的範圍的量為佳。 使用紫外線來使上述光聚合性低分子化合物架橋之情 況，在組成物a中配合光聚合開始劑為佳。光聚合開始 劑，可舉出·二笨曱酮、笨乙酮、二苯乙醇酮、二苯乙醇 酮烷基醚、二苯基乙二酮、苄基二曱縮酮等。這些光聚合
開始劑可單獨或是相異的種類組合使用，在其中，以使用 一置換苯乙酮為佳。 、上述光聚合開始劑，相對於100重量份之光聚合性低 /\子^合物，通常在ο.1〜10重量份的範圍的量使用，而r 1〜5重I份的範圍的量為佳。 熱活性型潛在性環氧榭胩麻彳μ制 樹脂反應，藉由加熱到某心度更===下不巧 脂反應之類型的硬化劑。熱活性型潛在性匕：和裱乳1 的種類（依據活性化方法），r ^在眭裱氧樹脂硬化夸 學反應生成活性種（陽離子、陰離:2加熱所引起之十 安定的分散於環氧樹脂中，而:古、w ;在接近室溫
溶解，開始硬化反應者；分 二μ下雨環氧樹脂相溶· 下溶出開始硬化反應者；封入於微硬化劑，在高3 /曰在性環氧樹脂硬化劑可 =^ ^ 這些熱活性卷 在其中，使用二氛酿胺種類組合來使 與咪唑化合物之混合物為佳。化5物、或是二氰醯湛
第14頁 M4/J4 五、發明說明（11) 上述熱活性型潛在性璜 # ^ ^ ^ ^ ^ ^ 衣虱刼脂硬化劑，相對於1 00重 里仂之％乳樹脂，通常在〇 1 而以1 Μ壬曰八 ·丄40重量份的範圍的量使用， 而以1〜30重量份的範圍的量為佳。 又，為了改變組成物a沾# Λ Η t 的接者性能’上述熱活性型潛 曰硬化劑之外’可以另外配合聚異氰酸s旨化合 :ί: 此熱硬化劑，對於_重量份之（間） 、^ S曰共聚合物，通常在〇.卜3〇重量份的範圍的量使 用’而以5〜20重量份的範圍的量為佳。 b ·聚酿亞胺系樹脂 、
聚^亞胺系樹脂的具體例可舉出：聚醯亞胺樹脂、聚 /、，亞胺树知、順丁烯二醯抱亞胺、雙順丁烯二醯抱亞胺 樹^、聚醯胺亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯亞胺·異 吲喹唑啉一醯亞胺樹脂等。這些聚醯亞胺系樹脂可單獨 1是^合相異的種類來使用，在其中，以使用聚醯亞胺樹 月曰為仏、又’聚醯亞胺系樹脂雖有：不具有反應性官能基 之熱可塑性聚酸亞胺樹脂，以及藉由加熱而醯亞胺化反應 之…更化〖生來g监亞胺樹脂’使用任一種皆可，也可混合兩 者使用。 聚酿亞胺系樹脂的重量平均分子量以1 0 0 0 0〜1 0 0 0 0 〇 〇 左右為佳’特別是在5 0 0 0 0〜1 0 0 0 0 0左右為佳。 〇 c•環氧系樹脂 作為環氧系樹脂，可使用與上述組成物a之環氧樹脂 相同之物，但其重量平均分子量以1 0 0〜1 0 0 0 0 0左右為佳。 上述樹脂或是樹脂組成物中，可配合無色染料、帶電
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第15頁 544734 五、發明說明（12) 的ίί劑、離子補足劑、銅害防止劑等的添加劑以 及，、他的來合物、低聚物、低分子化合物等。 作為無色染料，可使用3_ [氮_(条甲卜 基熒烴、4,4’，4’’-三（二甲胺基三苯基甲烷； ： 劑等。 丁系^離子系的介面活系 =，作為其他的單體、低聚物、低分子化人物，可舉 出，例如：環氧樹脂、醯胺樹脂、尿烧樹 ^ =胺丙婦樹脂/丙稀橡膠等的各種單 含“基2物;，，(雙3_氨丙基)聚乙稀乙二醇迷等的 μ t丄ί著劑部12 了含有作為基體的接著劑以外， 也可1 3有無機充填劑、導電性物質等。 石夕、劑;/舉出’例如：溶融氧切、結晶氧化 氮化紹、氮化石夕、氧化鎂、靖 末等光气齓Κ述組成物a ’充填氧化矽粉末、氧化鎂粉、 = 充填劑的情況下，組成物a中的光聚 導電性物二α i因為光的照射而更有效率的聚合。 P $厶居貝可牛出，例如：N i 、Ag、Cu、焊料等導電 子，或是石户ί ϊ 或是被覆這些金屬之高分子粒 二重量份之接Λ賦予接著劑部12導電性之場合，相對於 以κ者劑，導電性物質配合在5〇〜95重量份。 能照既定的以：^!:12主藉由網狀印刷’使w (〃應接著之半導體晶片大致相同的形
五、發明說明（13) 狀 或略大於應接著之丰莫挪曰/ 之方法，或是藉由滾輪印刷二曰曰片 < 形狀）圖部於基材11 接著劑之後，將該接著 凹版p刷、微染等方法塗布 來形成。 者層加工成…定的形狀的方法等 又’調製•塗布上凉拉4 的各成分均一的溶解·二二j二也可使用可使接著劑 成分均-的溶解.分散；=洛：：1匕溶劑只要是可使各 出，例如.·二甲基甲=即y ’並沒有特別限定，可舉 烷酮、二甲亞珮、二甘醇一;二基:醯胺_、N-甲基D比略 $醉一甲_、曱笨、# 基乙基_、四氫咲喃、 、^、 禾、二甲苯、甲 己酮、單直鏈聚醚等 二::f诏-噁烷、環戊酮、環 種類來使用。 &些洛劑可以單獨或是混合不同的 (2)基材11 在本實施形態中之其私彳〗 甘丄 劑部12，並可從接著劑二離；ΐ上：；接著 作為此基材11，可兴ψ二厂也了以具有剛性。 丁烯、聚丁二烯、氣：：υ ·聚乙烯、聚丙烯、聚 ^ ^ i£ ^ ^ 乳乙細、離子鍵聚合物、乙烯— 席酉夂共1合物、聚對苯二甲酸乙 甲基丙 醇酯、聚對苯二甲酴丁 — ^ t 水爪一甲酸乙二 醯胺、聚醚_、聚醚二“曰、聚醯亞胺、聚醚醯胺、聚 _ u . 祆醚·醚嗣、聚硫化苯、聚U-甲A + % 酸-1)、聚四氟乙悚楚AA m p 1 、 r &戍烯 _ , .. ^ 烯荨的树脂或這些樹脂架橋所形成之M 膜。廷些薄膜可星 κ <、4 ^ 早獨使用，也可以積層不同種類之镇勝十 使用。薄膜的膜厚，捅赍声 ’專膜來 m為佳。 通吊在1〇〜3〇〇⑽左右，而以2〇〜5〇^ 第17頁 2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 544734 五、發明說明（14) 紙、ί脂’也：使用：玻璃紙、黏土覆層 等）般的纸γ β夂堅紙（聚乙烯層壓紙、聚丙烯層壓紙 手）叙的紙、或是不織布、金屬箔。 以下：ί基Γ了1 ϊ ί ΐ劑部12的面之表面張力為— 之接著劑部二面;較r’可對形成基材11 用醇酸樹脂彡、；^樹η ㈣處理’可使 系、聚烯_樹π &月曰糸、亂树脂糸、不飽和聚酯樹脂 有上等：脫模劑。又，基材Η本身具 基材η。 清况時，也可不進行脫模處理直接使用 透過ΪΓ十if，物8作為接著劑部12之情況時’使用可 為佳，特別是，與由於能源線的照射1者作為基材η 物a間接著性低的材料所構成者為佳。 日口之組成 士另方面，使用聚醯亞胺系樹脂或環氧系科^主 柃’使用耐熱性樹脂形成之薄膜來作為基材"為曰1况 性樹脂的融點以23(TC以上為佳，而25〇 ^ ，耐熱 是以26(TC〜28(TC為佳。 3〇〇 C更佳，特別 (3 )接著劑部1 3 劑巧而形成即可’其形態並沒有特別著 形悲中之接著劑部13係在基材丨丨的兩端部本= 是：續的線狀，亦可以是點狀。·著劑部13的=通; 5〜50//m，而以1〇〜3〇/zm為佳。 又^吊
544734 五、發明說明（15) 構成接著劑部1 3 > ϋ ι u -p 系、石夕系等的接著劑《θ二段°以使用丙稀系、橡膠 等種種的接著劑。5戈疋感壓性接著劑、熱溶性接著劑 =劑部13可以藉由網狀印刷、 刷、从染、點膠機等將接著劑塗布於 j :版印 劑可；據：ί:解於溶劑，或是使其“來=著 在本κ施形態中，本莫辦θ ρ 1擁有覆蓋材接著用之接著㈣M3，aa承持用黏著薄條片 =體半導體晶片承持用 著劑部13。又，即使在接w η的清/兄下，不需要此接 孤材側形成接著劑部的#，就 f 5亥覆 著薄條片1側的接著劑邛13，又要+導體曰曰片承持用黏 掊用黏荽锋政u者Μ P1 3又在熱焊接半導體晶片承 2 ΚΪΛ與覆蓋材的情況’不需要接著劑部13。 如匕 持用黏著薄條片的捲筒體 ° 示，上述半導體晶片承持用$ I Μ # t! 1 -τ 捲取而成為捲筒體，藉由作成如此的持用二者 輸都變得很便利，t可以自動取出）捲诗體’在保官及運 在半承持用黏著薄條片1作成捲筒之場合’ ΐ = 持用賴條!!1上，為使半導體晶片接 材11的裡^ ^12以及接者覆盍材用之接著劑部13不與基 :石夕= Α可貼覆剝離薄犋。可使用，例如：塗 薄膜，^ ^素系樹月旨、長鏈两埽系樹脂等的剝離劑之 厚腺和鼠素系樹脂薄膜等。
544734 五、發明說明（16) 3·半導體晶片承持體3 /口圖4所不，與本實施形態有關之半 3 ’係在上述半導體晶片承持用黏-日曰承持= 上貼附半導體晶片2而成的。 寻怿片1的接者劑部1 2 將半導體晶片2貼於半導 之接著劑部的方法片承持用黏著薄條片1 述所示的方法來又有特別的限定’例如，可使用下 亦即，如圖3所示，將接 片承持用黏著薄停 ^ ^ P1 2朝向下之半導體晶 往薄條片之長的圓弧狀態而使其呈直線狀態， 邊從半導體晶片承；：：著動作，例如··可藉 片承持用黏著薄條片一 条片1的滾筒抽出半導體晶 半導體晶片2依照既 [，取來進仃。與此同時，將 配…體晶片承持 此時，為使半導曰 保片1來移動。 承持用黏著薄條片1的接曰曰菩片2 f成直線狀態之半導體晶片 送帶與半導體晶片承持用^菩^12接觸或是壓接，調整輸 為使各個半導體晶片2盥*溥條片1的位置關係。又， 的調整置於輪送帶上的、各個接著劑部12可以貼附，適宜 移動速度。 晶片2的間隔以及輸送帶的 依知、上述的方法， 2貼附於半導體晶片可:連續的有效率的將半導體晶片 *在此’半導體晶片承用持二者/條片1的接著劑部12。 上有敏紋的情況中 由片】的接著劑部12 ____ 亥鈹紋的接著力來進行上述的 2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第20頁 544734 五、發明說明（17) 貼附。半導體晶片承持用 貼附為佳。熱壓的加熱溫度;半導體晶片2使其 佳，πί ί r分’特別以1〜30秒左右為 ^幻]〇kg/Cm2 ’特別以卜5kg/cm2左右為佳。 承持體3中持用黏著薄條片1或半導體晶片 :::Γ之V :Λ UM2，、只有良品的半導體晶片2可 半導體曰片？ 11 1 女曰裝於引導框架之附有接著劑部1 2的 ΐίΪ:片之良率提昇，防止接著劑的浪費。特別是， ，接者^部1 2含，粉末等的貴金屬之導電性物質的情況 :接』；：：Ϊ著劑部12全面貼附在半導體晶圓的情況， 在接者劑上所需的成本可以相當程度的降低。 體曰ί/ΔΊ11上形成之接著劑部12，與應接著之半導 曰曰曰為大致相同的形狀，或形成略大於應接著之半導 曰曰片的形狀’所以有不需要進行接著劑部的切 可直接將半導艟晶片2安 從半導體晶片承持體3 部1 2同時挑出（挑出附 將接著劑部1 2朝下置於 4·半導體晶片.2的安裝 從上述半導體晶片承持體3， 叙於引導框架。舉體而言，首先 的基材1 1將半導體晶片2與接著劑 有接著劑部1 2之半導體晶片2 )， 引導框架的孤島部。 用 在此，在此，使用上述組成物a作為半導體晶片 黏著薄條片1的接著劑部12的情況時，在挑出附有接著 544734 五、發明說明（18) 劑部1 2之半導體晶片2前，對於接著劑部丨2，以照射來自 ， 半導體晶片承持用黏著薄條片1之基材i j側之能源線為 佳。能源線可使用中心波長為365ηιη的紫外線與電子束 等。 使用紫外線作為能源線的情況時，通常，設定在照度 為20〜5 0 0mW/cm2、照射時間為〇 · 1〜15〇秒的範圍内。又， 例=使用電子束的情況時，也可遵照紫外線之各種條件來 设定。又’照射上述之能源線時，也可以進行補助的加 熱。 ^藉由如此照射能源線，半導體晶片2與接著劑部丨2的 j 接著力通#為50〜4〇〇〇g/25mm，而以改善至 100j3 0 0 0g/2 5mm為佳。另一方面，接著劑部12與基材u的 接著力很低’通常為卜500g/25nm，而以100g/25nm以下為 佳’因此:可一邊使接著劑部丨2附著於半導體晶片2側， 一邊f接著劑部丨2確實的從基材丨丨剝離。 加藉著此接著劑部丨2將半導體晶片2堅固的接著於引導 才木士此的接著作業’ 一般而言可藉由加熱來進行。加 熱以在將半導體晶片2置於引導框架時進行，或是在載置 ^後馬上進行為佳。此時，接著劑部1 2上沒有皺紋的情況 時’在正式接著前進行預接著為佳。 〇 、 預接著的加熱溫度通常為1〇〇〜300 °C，而以150〜250 °C 為^ ’加熱時間通常為1秒〜1 0分，而以1〜3 0秒為佳。正式 加熱1加熱溫度通常為100〜3 0 0 QC，而以150〜2 5 0 X：為佳， 加熱犄間通常為卜1 2 0分，而以卜6 0分為佳。藉由如此進
^44/34 五、發明說明（19) — ^ Η 9、、、接著刮°卩12的接著劑會溶融或硬化使或是半導體 日日片2與引、導框架堅固的接著。 5·半V體晶片包裝體5 =保g以及輸送上述半導體晶片承持體3的場合中，如圖& 將覆蓋材4接著於半導體晶片承持體3上，而 如圖7所示之半導體晶片包裝體5。 成 桕A ^ 5 女所p不之覆蓋材4係對應上述半導體晶片承持體3而 ^ ^ &及寬的長尺狀，在長的方向斷續的複數形成之 述半導體曰片此晶片收容部41，較在上 =ί，日日片承持體3中附有接著劑部12之半導體晶片2的 2。、定 使其可收谷該附有接著劑部1 2之半導體晶片 作 佳。作 氯乙烯 乙二醇 中，可 接 的限定 導體晶 時捲取 有接著 部41中 之必要 為覆蓋 為此材 糸樹脂 酉旨、聚 以填充 著覆蓋 ，例如 片承持 的方法 劑部1 2 ，有進 。根據 材4的材料通常以具有一定程度剛性者為 料^可舉出，例如：紙；聚乙烯、聚丙烯、 、聚苯乙烯樹脂、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸 丁二烯〜丙烯腈等的塑膠。又，在這些塑膠 為了賦予帶電防止性之碳等。 材4於半導體晶片承持體3的方法並沒、有特別 ’如圖6所示，可採用將從某方向抽出之半 體3與從另一方向抽出之覆蓋材4 一邊接著同 。此時，在半導體晶片承持體3上為了使附 =半導體晶片2能收容於覆蓋材4的晶片收容 行半導體晶片承持體3與覆蓋材4之位置對準 此方去，可以有效率的得到半導體晶片包裝
第23頁 544734 五、發明說明（20) 體5之捲筒。 在如上述所得到之半導體晶片包裴體5中， 不，半導體晶片承持體3的基材丨丨與覆蓋材4藉8^所 1 3來接著，在半導體晶片承持體3的基材丨丨上3 者劑部 著劑部1 2以及半導體晶片2，收容於覆蓋材4之曰7 '之接 41。如此之半導體晶片包裝體5，對於半導體晶曰曰片承收容二 (附有接著劑部12之半導體晶片2 )之保管及運輪. 適的。 & i σ 〔第2實施形態〕 —★說明關於本發明第2實施形態之半導體晶片承持用 著薄片。圖8為關於本發明之第2實施形態之半導體晶片 持用黏著薄片的立體圖，圖9為關於同實施形態之覆曰曰蓋7 的立體圖，圖1 〇為表示關於同實施形態之半導體晶片 體與覆蓋材接著之情況的概略立體圖。 、 —如7圖8所示，在本實施形態中半導體晶片承持用黏著 薄片6係由：基材6 1，以及在基材6丨上複數整列形成之半 導體晶片接著用之接著劑部6 2所構成。在本實施形態中， 接著劑部6 2係在基材6 1上呈6行X 6列形成的，但並不限6 於此。 疋 半導體晶片承持用黏著薄片6所使用的材料，基本上 和上述半導體晶片承持用黏著薄條片丨相同，但基材6 i 厚度以5〜300 //m為佳，而以20〜1〇〇 更佳。 又，在本實施形態中，半導體晶片承持用黏著薄片6 的基材6 1上雖然沒有覆蓋材接著用之接著劑部形成，但只
544734 五 發明說明（21) _ 要不接觸上述半導 曰 # 望的位置形成覆蓋材;;著用： = 劑部62,可以在希 上，可與ί ί Ϊ : ί : Π=薄片6的接著劑部61 半導體晶片2而成為ΒΘΛ承體持Λ黏/持1條片1相同，貼著 片承持體’可將半導體 ===引=導= 如圖1 〇所示，在丰莫骑曰Ρ Λ士於引導框架，也可 理半導體晶片炎拄雜-Βθ 7寺體8上接著覆蓋材7，來處 的保管及：輪：…1^有接著劑部62之半導體晶片2 ) 作為覆蓋材7，可使用例如圖9所示之物 ，呈對應於具有上述半導體晶片 二=材 ，’複數整列而形成矩形狀的凹部（6了 =:之 成晶片收容部71。 丁 χ 6列）來構 在本實施形態中覆蓋材7的周圍部， 部以及橫方向中心線部上，形成半 °中心線 用之接著劑部72 ’此接著劑部72形成的：承=妾著 部72部要深入在晶片收容部71内即可，”要接著劑 又，半導體晶片承持體8的基材61上若有：1別限定， 接著劑部形成的話，在覆蓋材7側：：7接著用之 72。 而要形成接著劑部 以上說明之實施形態係為τ #太 載，不是為了限定本發明而記載。因；，解而記 形恶之本發明的各要素，係屬於本發明之〕上述實施 含全部的設計變更以及均等物。 枝術视圍，亦包
544734 五、發明說明（22) ~ ^ =下，藉由實施例更具體的說明本發明，但本發明& 範圍並不限定於這些實施例等。 + 1个七月的 〔實施例1〕 物“半導體晶片承持用黏著薄條片的製造（接著劑：組成 門丙烯2醋55重量份、㈤丙稀酸"旨㈣量份、 乳12°重量份以及2-丙烯酸經基乙，15重量 重量平均分子量為90萬之共聚合物。 r山r二^:聚合物1 〇重量份與液狀雙盼A型環氧樹月旨 上油化：牌壤氧股份有限公司製環氧樹脂828 )2 脂型環氧樹脂（曰本化藥股份有限公司 製默N-ms)10重量份、作為搞合劑之[環氧丙氧】 丙基f甲氧基石夕烷0.05重量份、作為熱活性潛在性硬化劑 =一虱一醯胺15重量份、2-酚-4, 5-羥基曱基咪唑1.5重 里伤與作為光聚合性低分子化合物之尿烷丙烯酸系低聚 體^日精化工業股份有限公司製色加光線14_29β ) 5 ，^伤作為光聚合開始劑之1 -羥基環己基酚甲酮〇. 2重 =伤、以及作為架橋劑之芳香族聚異氰酸（曰本聚尿烷股 份有限^司製科羅財特L ) 1重量份，得到組成物a。 將單面以矽樹脂作脫模處理後之聚對苯二曱酸乙二醇 S旨（PET)薄條片（厚度：38,，寬：2〇隨，表面張力： 34dyn/cm )作為基材，將上述組成物&以2〇 #爪的厚度， 1 0mm X 10mm的大小，以及1〇_的間隔藉由網狀印刷塗布在 忒基材之脫板處理面上。然後，將塗布的組成物a在丨〇 〇。〇
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第26頁 ^^4/34
五、發明說明（23) :使其乾燥1分鐘，來作為半導體晶片接著用 材）。 +¥體曰曰片承持用黏者薄條片（不對應覆蓋 八另一方面，混合烯酸丁酯92重量份、丙烯酸4 ^舌旦 伤、2-丙烯酸羥基乙酯〇 5 . 里 酯2 0 0重量份以月樜务w 乙烯3重置份、乙酸乙 uu董里如以及偶虱二異丁腈〇. 5重量份重量， 二半30分鐘之後，在6〇 t下使其反 才、 到之共聚物100重量份（@形八1 Λ λ : β 所得 :撐一，、虱馱醋0.2重量分’充分攪拌，而得 ς 者用之感壓性接著劑。 〗覆盖材接 接著，對於上述半導體晶片承持用黏著薄條 二在亡述基材的兩端部上，藉由微染來塗布条：：：： 條片（對應覆蓋材）。^^體日日片承持用黏著薄 〔實施例2〕 半導體晶片承持用黏著薄條 亞胺系樹脂） 衣仏1接耆劑：聚醯 取代實施例1的組成物&而使用熱可塑性 :興產股份有限公3優批太軌， -宇 =固==量Γ，使用以雜脫模處二； 酉夂乙一曰（PEN)薄膜（表面張力· 34dyn/⑽f ♦奈 在貫施例1的單面以矽樹脂脫模處理之pE 來取代 塑性聚醯亞胺之乾燥條件為在9 〇 t下5分鐘、除了熱可 施例1相同之方法作成半導體θ ’以和實 干导體日日片承持用黏著薄條片。
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五、發明說明（24) 〔實施例3〕 半導體晶片承括用& I 賠細Μ、持，占者薄條片之製造 银氧 系樹脂組成物） 混合高分子量雙酚型環氧 限公司製環氣掛ΗΜ η 1 η、j n t月（由风牌虱股份有 樹脂（曰本化筚月&二有 重置份、多官能甲酚清漆型 份、作為熱活；公司製EOCN-46°0”〇重量 5重量份以及/4: =劑之2-紛-4’5~經基甲基咪 伤來作為％虱糸樹脂接著劑。 里 ^除了取代實施例1之組成物a而使用上述環氧系樹ρ技 著劑之外，其餘條件和實施例i 體、曰、曰 持用黏著薄條片。 干等體日日片承 〔實施例4〕 半導體晶片承持用黏著薄片之製造（接著劑：组合物 a ) ° 將單面以矽樹脂作脫模處理後之PET薄片（厚度：38 //m，210mm X 210mm，表面張力：34dyn/cm )作為=材， 將上述組成物a以20 //m的厚度，i〇mmx 10mm的大小土，以及 1 0 m m的間隔精由網狀印刷塗布在該基材之脫模處理面上。 然後，將塗布的組成物a在1 〇 〇 t下使其乾燥1分鐘，來作 為半導體晶片接著用之接著劑部，將此作為半S Λ 持用黏著薄片。 亍導體“承 〔實施例5〕 半導體晶片承持用黏著薄片之製造（接著劑：聚醯亞 544734 五、發明說明（25) 胺） 取代實施例4的組成物a而使用熱可塑性聚醯亞胺（宇 部興產股份有限公司優批太特PA-N221 )之四氫呋喃溶 液（固形份· 20重量％ )，使用以矽樹脂脫模處理之聚荠 酸乙二醇酯（^EN)薄片（表面張力：34dyn/cm)來取= 在實施例4的單面以石夕樹脂脫模處理之ρΕτ薄片， 塑性聚醢亞胺之乾燥條件為㈣。CT5分鐘之外，:每1 施例4相同之方法作忐主道础a u 7 ^ 貝 〔實施例6〕 乍成“體晶片承持用黏著薄片。 半導體晶片承持用黏著薄片 樹脂組成物） ^ W I接者Μ · %虱糸 除了使用實施例2& /丄 組成物a以外，其餘條侔衣^糸树脂接著劑取代·實施例4之 承持用黏著薄片條件和實施例4相同而作成半導體晶片 〔實施例7〕 半導體晶片承持轉 在實施例1所得到之w (曰薄條片：實施例1 ) 半導體晶片接著用接著 ¥體晶片承持用黏著薄條片的 品之半導體晶片，將此；=丄以圖3所示的方法貼附良 〔實施例8〕 為+ ^體晶片承持體。 半導體晶片承持體之制皮 在實施例2所得到之^ C溥條片··實施例2 ) 半導體晶片接著用接著劑導體晶片承持用黏著薄條片的 良品之半導體晶片（18〇 。，以圖3所示的方法熱壓接 將此作為
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第29頁 l，5kg/cm2，3〇 秒 544734 五、發明說明（26) 半導體晶片承持體。 〔實施例9〕 半導體晶片承持體之製造（薄條片：實施例3 ) 在實施例3所得到之半導體晶片承持用黏著薄條片的 半導體晶片接著用接著劑部上，以圖3所示的方法熱壓接 良品之半導體晶片（140 °C，5kg/cm2，30秒），將此作為 半導體晶片承持體。 〔實施例1 0〕 半導體晶片承持體之製造（薄片：實施例4 ) 在實施例4所得到之半導體晶片承持用黏著薄片的接 著劑部上，依照常法貼附良品之半導體晶片，將此作為半 導體晶片承持體。 〔實施例11〕 半導體晶片承持體之製造（薄片：實施例5 ) 在貫施例5所得到之半導體晶片承持用黏著薄片的接 著劑部上，依照常法熱壓接良品之半導體晶片（1 8 0 °C， 5kg/cm2，30秒），將此作為半導體晶片承持體。 〔實施例1 2〕 半導體晶片承持體之製造（薄片：實施例6 ) 在貫施例6所得到之半導體晶片承持用黏者薄片的接 著劑部上，依常法熱壓接良品之半導體晶片（1 4 0 °C， 5kg/cm2，30秒），將此作為半導體晶片承持體。 〔實施例1 3〕 半導體晶片之安裝（承持體：實施例7、1 0 )
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第30頁 544734 五、發明說明（27) 將貫施例7所得之半導體晶片承持體（不對應覆蓋材 )以及實施例10所得到之半導體晶片承持體之接著劑部以 紫外線照射後（使用LiNTEK股份有限公 RAD-2 0 0 0m/8。昭射條杜· …、耵條件·照度340mW/cm2，照射時間6秒 )’挑出附有接著劑部夕主道g a u π。m #曰μ t Ρ之+寺體日日片置於引導框架之孤島 4將丰^體日日片與引導框架在15〇t：、5kg/cm2進行5秒 鐘的加熱來預接著後，A卢彳β n 有攸再在160 C下加熱60分鐘，藉由上 述接著劑部將半導體晶只盥弓I道#力 刀4里猎由上 〔實施例1 4〕 7 ^ ^ <1 ί!體晶片之安裝（承持體：實施例8、n ) )以β杏祐你m & β 導日日片承持體（不對應覆蓋材 )以及“:例11所仔到之半導體曰 著劑部之半導體晶片置於引導框牟于f m出附有接 片與引導框架在18〇 、5kg/cm2進^邛。將半導體晶 著後，再在200。(：下加熱6〇分鐘，二0秒鐘 '加熱來預接 導體晶片與引導框架堅固的接著/ i述接著劑部將半 〔實施例1 5〕 丰f體曰曰片之女I (承持體：實 從貫施例9所得之半導體晶片承 j )
)以及實施例1 2所得到之半導體曰 _(不對應覆蓋材 劑部之半導體晶片置於引導框架^ ^持體挑出附有接著 與引導框架在18(TC、5kg/cm2進行5 ^部。將半導體晶片 後，再在180 °C下加熱60分鐘，藉由^、’里的加+熱來預接著 體晶片與引導框架堅固的接著。" 述接著劑部將半導
2192-4559-PF(N)；Ahddub.ptd 第31頁 544734 五、發明說明（28) 〔實施例1 6〕 半導體晶片包裝體之製造（薄條片） 以真空成形法形成具備1 〇隱間隔之使用聚笨乙烯（厚 度：50 0 /zm，寬·· 16mm )作為覆蓋材，作成l〇mmx 1〇_大 以及具有3mm之深度的晶片收容部。 將實施例7〜9所得到之半導體晶片承持體（對應覆蓋 材），以及上述覆蓋材，以圖6所示之方法一邊接著一邊 捲取，將此作為半導體晶片包裝體。 〔實施例1 7〕 半導體晶片包裝體之製造（薄片） 以真空成形法形成具備1 0mm間隔，1 〇行x 1 〇列之使用 聚苯乙烯（厚度：500//m，210mmx2l〇mm)作為覆蓋材， 作成1 0mm X 1 0mm大以及具有3mm之深度的晶片收容部。 又，此覆蓋材的周圍部，在縱方線中心線部以及橫方向中 心線部上，以微染塗布實施例丨中之感壓性接著劑， 寬為1 mm。 八 ^將實施例10〜12所得到之半導體晶片承持辦鱼卜、t _ 盍材以常法接著，將此作為半導體晶片包装體丫、 设 【產業上利用之可能性】 根據本發明之半導體晶片承持用 $ 體晶片承持體，可使附有接著；= 之半導體晶片之安I， : 本發明對於低成 文農，進而料導體裝置
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2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第33頁 544734 圖式簡單說明 圖1係關於本發明之一實施形態之半導體晶片承持用 接著薄條片的立體圖。 圖2係關於同實施形態之半導體晶片承持用接著薄條 片的全體立體圖。 圖3係表示關於同實施形態之半導體晶片承持用接著 薄條片與半導體晶片貼附之情況的概略側面圖。 圖4係關於同實施形態之半導體晶片承持體的立體 圖。 圖5係關於同實施形態之覆蓋材的立體圖。 圖6係表示關於同實施形態之半導體晶片承持體與覆 蓋材接著之情況的概略側面圖。 圖7係表示關於同實施形態之半導體晶片承持體與覆 蓋材接著之狀態的概略剖面圖。 圖8係有關於本發明之另一實施形態之半導體晶片承 持用接著薄片的立體圖。 圖9係關於同實施形態之覆蓋材的立體圖。 圖1 0係關於同實施形態之半導體晶片承持體與覆蓋材 接著之情況的概略立體圖。 符號說明】 2半導體晶片 4覆蓋材 7覆蓋材 11基材 3 半導體晶片承持體 5半導體晶片包裝體 8半導體晶片承持體 41晶片收容部
2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第34頁 544734 圖式簡單說明 71晶片收容部 72接著劑部 61 基材 1 3接著覆蓋材用之接著劑部 6半導體晶片承持用黏著薄片 1半導體晶片承持用黏著薄條片 12 半導體晶片接著用之接著劑部 62半導體晶片承持用黏著薄片6的接著劑部 <1
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Claims (1)

  1. 、申請專利範圍 1 ·—種半導㈣曰 在薄條片狀之基=晶片承持用黏著薄條片，其特徵在於： 同於應接著之^ ^，將接著半導體晶片·之接著劑部以略 體晶片之形狀，f晶片之形狀或是略大於應接著之半導 成前述接著劑部珂述基材的長方向斷續的複數形成，構 2.如申請專，著劑顯示階段性的接著性者。 t条片’其中了在m第1項之半導體晶片承持用黏著薄 蓋材之第2接著劑溥條片狀之基材的兩端部上，接著覆 劑部而形成。°卩以不接觸接著前述半導體晶片之接著 薄片3狀：SI體::片ί持用黏著薄片，其特徵在於：在 應接著之^ Η接者半導體晶片之接著劑部以略同於 片：+導體ΒΒ片之形狀或是略大於應接著之半導體曰 複數的形…冓成接著劑部之接著劑顯示階段;: 4. 一種半導體晶片承持體，其特徵在於：在主 ::圍第!項之半導體晶片承持用黏著薄條 在二= 貼附半導體晶片而形成。 安者Μ 4上 5. —種半導體晶片承持體，其特徵在於： 乾圍第3項之半導體晶片承持用黏著薄條片之厂1 貼附半導體晶片而形成。 安者J 4上 6 · —種半導體晶片承持體之製造方法，其 了邊將申請專利範圍第1或第2項之半導體晶片承斑: 薄條片往長的方向移動，一邊將前述半導體晶承/者 著薄條片之接著劑部與依既定的間隔排列之半導體晶==
    2192-4559-PF(N)；Ahddub.ptd 第36頁 六、申請專利範圍 序貼附。 利範7圍:Λ、半導體晶片安裝方法，其特料* 晶只盥或第5項之半導體晶片承掊辦/在於·從申請專 人接著劑部共同挑出， j _的基材，將半導體 日日片8接:於弓,導框架。肖由別迷接著劑部，將半導體 4項之半導種曰曰曰片包裝體’其特徵在於：將申於真 i:使半導體“收容在前述覆i:::容導::;ir 範圍第5項種之半半導體晶片包裝體，其特徵在於：將申往專 為托盤狀之覆表持體，肖晶片收容部複數:專成 體晶片收容述半導體晶片承持體上^Λ 1。.-種/導述/=材的Λ容部來接著而形成。導 請專利範園第4項之；導匕：：’其特徵在於··將申 長的方向斷續的葙赵上體曰曰片承持體，與晶片收容部， 導體晶片承狀的覆蓋材，在前述半 片收容部而-邊接著一邊捲此收容於前述覆蓋材之晶 2192-4559-PF(N);Ahddub.ptd 第37頁
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