TW506118B - Image sensor and method of fabricating the same - Google Patents

Description

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發明領域： 本發明係有關於一種爭德；=¾ :Pl丨哭4 a ^ ^ ^德史德⑴〜像戊^為及其製造方法，特別 疋有關於一種景夕像感測器，使台扭也+ 明其&卜，1 一&杜P 其包括先電變換元件形成於透 月基底上母-兀件上具有一光電變換 極位於此層的下側及上側， 制、生曰且卜席汉上滑4 :目，丨哭$嘀A彳4亩、s ^ 以及I仏感測器的方法。此感 測器可適用於傳真通信、影像掃描 相關技術說明： 影像感測器結合於各錄沾直彡德成 ,廇吉、3 p b種的衫像感剩袭置或設備（例 如’傳真通k及影像掃描5| 1以補：目丨十 主r。Μ ☆ /f ,梅裔）以價/則或感測一欲感測物體 录面的反射光’例如文杜^_ A 游丨丨4 又件紙。此類型感測器線性地感測物 體上的影像’目而具有以光電二極體作為光電變換元件及 以薄膜電晶體（thin-film transist〇r，TFT)作為切換 (switching)元件之排置成一直線的典型結構。此典型 結構的一範例繪示於第1到4圖。 請參照第1圖’一習知影像感測器丨〇 〇包括一信號線 110向一特定方向延伸（此處定義為X方向）、光電二極體 11 2以固定間距沿線丨丨〇的X方向排置、TFT丨丨3以固定間距 沿線11 0的X方向排置。信號線丨丨〇、光電二極體丨丨2及TFTs Π3形成於一透明基底iqi上。 k號線110的一端向垂直X方向的方向延伸（此處定義 為Y方向）以連接至一接墊丨2〇，用以電性連接信號線11〇 至一外部電路或裝置，此接墊丨2〇近似〆方形。 每一光電二極體Π2形成於其具有近似方形的畫素

2127-3558-PF.ptd 第6頁 506118 五、發明說明（2) (pixel)區域121。如以下解釋，藉由一形成光電二極體 112之圖案化的非晶質矽（a-Si)層來界定晝素區域121。 每一 TFT 113位於對應的光電二極體112附近。 每一晝素區域121、一對應鄰接的光電二極體112及一 對應鄰接的TFT 11 3形成感測器1 0 0的畫素。因此，感測器 1 0 0包括沿X方向規則排置的畫素。由於所有的畫素具有相 同的結構，為了簡化起見，以下以一畫素的結構作說明。 第2到4圖係分別為第1圖中沿I I — I I、！丨J 一丨J !及丨V— J V 線之剖面圖，其繪示出習之感測器1 0 0之詳細的畫素結 構。 一

請參照第4圖，一圖案化的半導體層1 3 0形成於透明基 底101的上表面’此層130形狀近似一矩形平板。此層13〇 施以選擇性摻雜雜質，以形成71^ 113的一對源極/汲極 區131a及131b。源極/極及區131a及131b之間未摻雜的半 導體層130部分形成一通道區132。操作時TFT 113的導電 通道產生於的區域132内。 形成一介電層102以覆蓋整個基底1〇1表面。此層1〇2 同樣覆蓋半導體層130。介電層1〇2位於通道區132的部分 作為TFT 113之閑極介電。

閘極電極1 3 3形成於作為閘極介電部分的介電層丨〇 2 上。此電極133僅位於通道區132上。 第一中間層介電層1〇4形成於介電層1〇2上以完全覆蓋 介電層102 ,同樣地，此層1〇4覆蓋閘極電極133。 請參照第2圖，光電二極體的下層電極1〇5形成於第一

2間層介電層104上。電極105具有一近似方形平板狀，包 =〜用於電性連接至源極/汲極區131b的連 連接部1〇5a外型近似一矩形且延伸至汲極區13^。3 質石夕（a-Si)層1〇6形成於光 。此a - S i層1 〇 6界定出感測器 具有方形平板狀的非晶 電二極體112的下層電極1〇5 1 0 0的畫素區域1 2 1。 光電二極體1 1 2的透明上層電極1 0 7，其具有近似方形 ”板狀，形成於a-Si第一中間層介電層1〇4上以覆蓋整個 :於下方的a-Si層丨。6。上層電極丨〇7包含一用：電盖：連個接 1仏號線1 10的連接部107&。此連接部107a外型近似一矩 ^。延伸此連接部1 〇 7 a以被信號線11 〇覆蓋。 請參照第2及3圖，一圖案化的阻障金屬層丨〇 8形成於 ^層電極107的連接部10以上。此層1〇8係用以防止内含於 仏號線11 0的物質擴散至上層電極丨〇7。 第一中間層介電層109形成於第一中間層介電層ι〇4 上’覆蓋下層電極105及阻障金屬層1〇8。 、睛參照第2到4圖，信號線11〇及兩接線134及135形成 =第_中間層介電層1〇9上。信號線丨與上層電極的 奩接部107a及下方的阻障.金屬層1〇8重疊。信號線丨1〇與阻 ，金屬層108接觸且藉由介電層1〇9的接觸窗118與其電性 連接（及電極1 0 7 )。 、接線134的一端與光電二極體112之下層電極1〇5下方 =連接部l〇5a接觸且藉由第二中間層介電層1〇9的接觸窗 來作電性連接。接線1 34的另一端與下方的源極/汲極

丄丄δ 五、發明說明（4) 區131b且藉由穿過下方介声 — 電層104及1〇9的接觸第一與第一中間層介 命觸固7來作電性連接。因此，接線134 與下及TFT 113的源極加亟區mb互聯妾_ 由穿7¾ 一端與下方的源極/汲極區131&接觸且藉 ^ 層m及第一與第二中間層介電層104及 1 〇9的接觸窗丨38來作電性連接。 1〇2/m對Λ極/沒極區131a&131b、通道區132、介電層 -ς ^ η 33的結合，構成m 113。下層電極⑽、 1 6及上層電極107的結合，構成光電二極體112且 ^用内以儲存電荷的電容器（未繪示）產生於光電二極體 接下來，說明習知影像感測器丨〇 〇的操作。 #當入射光進入光電二極體112，光電二極體112内產生 ^荷且，時儲存於其電容器。儲存於電容器的電荷被相繼 ^出並藉由相繼驅動作為切換元件的TFT丨丨3而輸出電子 ‘號典型的TFT 11 3的驅動操作執行於幾百個千赫茲 (kHz )或幾百個百萬赫兹（MHz )。 習知影像感測器1 〇 〇以下列方法製造。 一首先，在透明基底101的上表面形成一複晶矽層（未 繪示）。基底1 〇 1因入射光而以透明玻璃製成。圖案化複 晶矽層以具有一既定形狀。為了TFT 113而在基底1〇1上形 成一圖案化的半導體層13〇。二氧化矽（Si〇2)沉積於基 底101上以完全覆蓋其表面及半導體層13〇，在基底1〇ι上 形成介電層102。閘極電極133選擇性地形成於介電層1〇2

^ϋόΐΐδ 五、發明說明（5) 上以與半導體層1 3 0重疊。接著，特定的雜質選擇性地推 雜於半導體層130，在其中形成源極/汲極區對131及 131b。此層130未摻雜的部分則形成通道區132。 隨後，沉積Si Ο?以覆蓋整個基底1〇1表面，形成覆蓋 整個基底ιοί的第一中間層介電層1〇4。在介電層上形 成一金屬層（未繪示）並圖案化以具有一既定^板形狀， 形成包含連接部105a的下層電極1〇5。舉例，金屬層由鉻 (C r )所製成。 厚度近似為1 #„1的3 —Si層（未繪示）形成於第一中間 層介電層104上並接著圖案化以具有一既定平板形狀，形 成圖案化的a-Si層106。經過圖案化製程之後，此層1〇6分 離成島狀物。這些層1〇6的島狀物界定出方 …如第(圖所示。每-區域121的四“二" m ° 透明的導電層（未！會示）形成於第—中間層介電層 弋以覆蓋整個a-Si層106。舉例’導電層由銦錫氧化膜 ^ndlum tln oxide’ IT〇)所製成。圖案化形成的導電 ;9以// 一既定形狀，在連接部1〇7&以外形成光電二極體 的透明上層電極107。⑨置電極m以覆蓋在層1〇4與層 106之間的階梯（即高度或平面差）。 阻障金屬層108選擇性地形成於上層電極m的連接部 l〇7a。層108僅設置於連接部1〇73與疊對信號線ιι〇的重疊 再者，介電層，例如氮化石夕⑶以）沉積於第一中間

506118 五、發明說明（6) 層介電層104以覆蓋整個基底101表面，形成第二中間層介 電層109。選擇性地去除層109以形成露出阻障金屬層108 的接觸窗118及露出下層電極105的連接部105a的接觸窗 136。同時，選擇性地去除第二及第一中間層介電層1〇9及 1 〇 4以形成分別露出源極/沒極區1 3 1 a及1 3 1 b的接觸窗1 3 7 及 138 〇 在第一中間層介電層109上形成一金屬層（未繪示） 以便填滿接觸窗118、136、137及138。圖案化所形成的金 屬層以具有一既定形狀，以在層1〇9上形成信號線11〇及接 線1 3 4與1 3 5。舉例，此金屬層由|呂（a 1 )所製成。 經過上述製程步驟後，可製造出第1圖中的習知影像 感測器1 0 0。 習知的影像感測器100中，光電二極體112具有下層電 極105、a-Si層1〇6及透明上層電極107的堆層結構以覆曰蓋 、（或擴，）至第一中間層介電層1〇4與& —Si 1〇6之間的階 梯（即高度或平面差）來與疊對的信號線丨丨〇作電性連 ^。因此，如第2圖的箭號A所示，上層電極1〇7在靠近層 1 〇 6的上邊緣處會有斷開或斷裂的問題。 為=止電極107斷裂或斷開，a_Si層1〇6的厚度也許會 減V 而此情形之下，會引起層丨〇6的光吸收 使感测器1 00本身的靈敏度降低的另一問題。 - 62-20另45一7〇^面Φ，公告於1 987年的日本未審查專利公報第 ZU4570號中，揭示一錄「北日々（ 器」，立中^ /人種非B夕（a~Sl)影像感測 八中田形成介電層以填入電極間所形成的下凹處或

506118 五、發明說明（7) 間隙時’下層電極排置於基底上的間距。此公告揭示另一 結構’基底表面具有下凹處且形成的下層電極嵌入於下凹 處中。再者’其揭示另一結構，具有下凹處的介電層形成 於基底上且形成的下層電極嵌入於下凹處中。 若上述習知影像感測器100採用公報第62-204570號的 任何結構’、沒有階梯或高度差發生於下層電極丨〇 5附近區 域’因此’ a-S 1層1 〇6的表面可大幅地平坦化。此對於未 被分離成f狀物的a —Si層1〇6而界定出晝素區域12ι的情形 有效。換έ之’圖案化層106成線性並沿著畫素區域121的 直線方向。 、；、、\、’汉’一個揭示於公報第62-204570號的結構可 解决上述上層電極1 0 7斷裂或斷開的問題。先前述， =7斷，或斷開係由於心層1〇6與上層電極;。7之間 ΪΓ:二’其可單獨存在或缺少下層電極105。結 π μ ;或斷開的問題不可能藉由使用公報第 62 204570唬的任何結構而解決。 1〇。，此如外第;=:具有島狀㈠1層106的習知影像感測器 的周圍，幾Γίΐ鄕即使有階梯或高度差存在於電極105 Ξ且t影響到感測器100本身的操作。 管⑽層10卜型要的^電極1〇5的厚度近似於1〇〇⑽，儘 收。因二；的厚度為了入射光的充分吸 器100的操作。周圍的階梯或高度差強烈地影響感測

506118 五、發明說明（8) 發明概述： 因此，本發明之目的在於提供一種影像感測器以有效 防止光電二極體的透明電極斷裂或斷開及一種製造感測器 的方法。 本發明的另一目的在於提供一種影像感測器以增加其 靈敏度及一種製造感測器的方法。 又本發明的另一目的在於提供一種影像感測器以有效 抑制影像模糊及一種製造感測器的方法。 藉由以下之說明使熟習此技藝者更明白上述目的及其 他未特別說明之目的。 根據本發明第一型態，提供一種影像感測器，其包 括： (a ) —透明基底； (b)在基底上形成一第一介電層； (c )在第一介電層上間隔排置下層電極； (d) 在第一介電層上形成一圖案化的半導體層以與 各自的下層電極重疊； (e) 在半導體層上形成透明上層電極以與各自的下 層電極重疊； (f) 形成一第二介電層以覆蓋上層電極、半導體層 及下層電極；以及 (g )在第二介電層上形成一圖案化的信號線； 信號線藉由第二介電層的接觸窗而共同與位於半導體 層重疊部的各自的上層電極作電性連接；

2127-3558-PF.ptd 第13頁 五、發明說明（9) 其令圖案化的丰道… 〜—-- 的畫素區域，q ^ ㈢具有島狀畫素部來# # π 部’以及與具有二二:重電？：與信號線層重，的ir 之互Πίγ入射： 的每一畫素區域:聯 -及-對應的下層ii:?構：對f:半導體層的晝素之 根據本發明第—刑At構成—光電二極體。 至於第一介電層上且s=影像感測器，下層電極間P排 上以與各自的下層的半導體層形成於第一 以與各自的下豐；f形成於半“層: =覆蓋上層電極、半導體形成於第二介電層上 ，丨電層的接觸窗而共同與位：：：、。信號線藉由第二 自的上層電極作電性連接。、…導體層重疊部的各 此外，圖案化的半導體層I —、 以接收入射光的島狀畫素部、與信赛=測^的畫素區域 及與具有一對應的重疊部之一的^二蚩玲重疊的重疊部以 部。每一上層電極、對應的半導體；互聯的互聯 應的下層電極之-構成了光電二極^的晝素部之-以及對 因此，透明的上層電極不與下 素部上邊緣接觸，換言之，上声 -層的各自的畫 有穿過半導體層的畫素部的上^緣附^信號線層延伸而沒 止光電二極體的透明上層電極斷裂戋斷因此，可有效防 同樣地，由於有效防止上層雷， 導體層的厚度可足夠大。意即可拗，裂或斯開’所以半 [了、加影像感測器的靈敏 $ 14頁 2127-3558-PF.ptd 506118

五、發明說明（10) 度0 很龈第一型態之感測器較佳實施例中，一 ==二成於半導體層與基底之間。光遮蔽： 止先經由基底而到達半導體層。在此實施例中，具—f 優點，其可有效抑制由於半導體層的重卜 收經由基底進入的光而使影像模糊。 及/戈互知4吸 的井ίϊΓΓ列中’較佳地’光遮蔽層遮蔽經由基底進入 的先而不會進入半導體層的互聯部及重聂之廼入 層整個重疊☆(或整個覆蓋導體i的互: 在此實施例中，最好光遮蔽層與上 接。此防止光遮蔽層、半導體層的重疊及/ 2聛邱性連 上層電極結合成光電二極體。 ’ v。卩以及 根據第一型態之另一較佳實施例之 化的光遮蔽層附加形成於半導體層盥美^ w ，一圖案 層用以防止產生於半導體層之互聯部二的=光遮蔽 至半導體層的畫素部。A多餘的載 ：：二子擴散 層互聯部^經過基底進人的光而產生。、错由及收在半導體 子擴遮蔽層的寬度等於多餘載 度的總和。及先遮蔽層與各自的下層電極之重疊區域寬 接。：：：：：蔽ΐ好ί遮蔽層與上層電極共同電性連 上層電極結ί::層電：：：體層的重叠"或互聯部以*

五、發明說明（11) 又根據第一型態 一圖案化光遮蔽層附 層之間且同時，一第 間層介電層與基底之 的下層電極分離。設 第二光遮蔽層共同防 重疊及互聯部。 在此實施例中， 光遮蔽層及各自的下 在此實施例中， 共同電性連接。此防 重疊及/或互聯部以 根據本發明之第 方法。此方法可應用 包括下列步驟： 之另李父佳實施例之感測器中，一第 加半導體層與第—*間層介電 回二化光遮蔽層附加形成於第一中 ^ μ第=光遮蔽層藉由間隙而從各自 3 —光遮蔽層以覆蓋間隙。第一及 止、、里由基底進入的光到達半導體層的 蔽層以與第 較佳地，設置第二光 層電極重疊。 最好第—及第二光遮蔽層與上層電極 止第一及第二光遮蔽層、半導體層的 及上層電極結合成光電二極體。 二型態，提供一種製造影像感測器的 於根據第一型態之影像感測器製造， ί底上形成-第-介電層； (C)在第一二層上間隔排置下層電極； 各自的下層電極一重疊電層上形成一圖案化的半導體廣以與 層電極重疊； (e)形成一第-介 及下層電極；卩及"電層以覆蓋上層電極、半 ⑴藉由第-介電層的接觸窗使信號線層與位 ^重)疊在半導體層上形成透明上層電極以與各自的下 導體層 於爭

506118 五、發明說明（12) 導體層重疊部的各自的上層電極共同電性連接而在第二介 電層上形成一圖案化的信號線； 其中於步驟（C)中，形成圖案化半導體層以具有島 狀晝素部來界定感測器的晝素區域，以經由上層電極、與 信號線層重疊的重疊部，以及與具有一對應的重疊部之一 的每一晝素區域互聯之互聯部來接收入射光； 以及其中每一上層電極、一對應的半導體層的畫素之 一及一對應的下層電極之一構成一光電二極體。 根據本發明第二型態之影像感測器製造方法，因為與 根據第一型態感測器之踏體相同的原因，所以具有根據第 一型態之感測器所獲得的相同優點。 圖式之簡單說明： 為了清楚看到本發明的效果，以下配合所附圖式作說 明。 第1圖係繪示出習知影像感測器配置之部分平面示意 圖。 第2圖係繪示出沿第1圖中I I - I I線的剖面圖。 第3圖係繪示出沿第1圖中I 11 - I I I線的剖面圖。 第4圖係繪示出沿第1圖中I V- I V線的剖面圖。 第5圖係繪示出根據本發明第一實施例之影像感測電 路配置之電路圖。 第6圖係繪示出根據第5圖中第一實施例之影像感測器 配置之部分平面示意圖。

2127-3558-PF.ptd 第17頁 五、發明說明（13) "一· 第7圖係繪示出沿第6 第8圖係繪示出沿第^ 第9圖係繪示出^第6 第10A到10C圖係分別 分剖面示意圖’展示出根 測器製造方法。 第11A到11C圖，係八 分剖面示意圖’展示出才; 測器製造方法。 第1 2圖係緣示屮齡 1X1裝配 像感測器之影像掃插器 第1 3圖係繪示出沿 展示出根據本發明 第1 4圖係繪示出沿 展示出根據本發明 第15Α及15Β圖係纷示 面示意圖，分別展示出『 測器製造方法。 & 圖 圖 圖中V I I - V I I線的剖面圖。 圖中VIII-VIII線的剖面圖。 圖中I X - I X線的剖面圖。 繪示出沿第6圖中V I I - V I I線的部 據第5圖中第一實施例之影像感 別繪示出沿第6圖中I X- I X線的部 據第5圖中第一實施例之影像感 有根據第5圖中第一實施例之影 面示意圖。 6圖中VII-VII線的部分剖面示意 二實施例之影像感測器的配置。 6圖中V I I〜VI I線的部分剖面示意 二實施例之影像感測器的配置。 出沿第6圖中VII—VII線的部分剖 據第1 4圖中第三實施例之影像感 [符號說明] 1、 101〜基底； 2、 102〜介電層； 4、 104〜第一中間 5、 105〜下層電杻；㈢’丨電層；

2127-3558-PF.ptd 第18頁 506118 五、發明說明（14) 5a、7a、105a、107a〜連接部； 6 、106〜a-Si 層； 6a〜第一（畫素）部； 6b〜第二（重疊）部； 6 c〜第三（互聯）部； 7、 107〜上層電極； 8、 108〜阻障金屬層； 9、 1 0 9〜第二中間層介電層； 1 0、11 0〜信號線； 1 2、11 2〜光電二極體； 13、1 13〜TFT ; 1 7〜儲存電容； 18 、36 、38 、118 、136 、137 、 138接觸窗； 2 0、1 2 0 接墊； 21、121〜畫素區域； 2 5〜重疊區域； 25a〜第一重疊區域； 25b〜第二重疊區域； 29〜導線； 30、130〜圖案化之半導體層； 3 1 a、1 3 1 a〜源極區； 3 1 b、1 3 1 b〜汲極區； 32、132〜通道區； 3 3、1 3 3〜閘極電極；

2127-3558-PF.ptd 第19頁 506118 五、發明說明（15) 34、35、134、135〜接線； 3 9〜光遮蔽層； 4 0、4 0 A、4 0 B、1 0 0 〜感測器； 4卜光感測部； 4 2〜掃描電路； 43〜第一光遮蔽層； 45〜第二光遮蔽層； 47〜間隙； 5 1〜光源； 5 3〜I T 0層； 5 4〜光纖陣列平板； 5 5〜文件； 56〜光； 56’〜反射光； L〜長度； ΤΙ、T2〜端子。 較佳實施例之詳細說明： 以下配合所附圖式詳細說明本發明較佳實施例。 第一實施例 根據本發明第一實施例之影像感測器40配置繪示於第 5到9圖。 請參照第5圖，影像感測器包含一光感測部4 1及用以 驅動感測部41的掃描電路42。

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以暫i f =包括作為光電變換^件的光電二極體12、用 的儲存電7對應的光電二極體12中入射光所產生的電荷 储存電谷17以及作為切換元件的TFTs 13。 拓雜^電一極體12與各自的儲存電容17並聯。每一光電二 * 2的一端連接至所對應的TFTs 13的汲極，同時另一 、接至一端子T1。此端子T1作為感測部41的一輸出端。 TFTs 13的源極共同連接至一端子T2。TFTs 13的閘極 ，接至各1的掃描電路42的端子（未繪示）。此端子42作 為感測部42的接地端子。 第6圖係繪示出感測器4 0之感測部4 1具體的配置。 、請參照第6圖，感測器4〇包括朝一特定方向（此處定 義為X方向）延伸的信號線1〇、鄰近信號線1〇的¥方向固定 j距排置的光電二極體12、鄰近光電二極體12的X方向固 定間距排置的TFTs 13。信號線10、光電二極體12及TFTs 13形成於一透明基底1上。 仏號線10的一端朝垂直X方向的方向（此處定義為Y方 向）延伸連接至一接墊2〇，用以電性連接信號線丨〇於外部 的電路或裝置。接墊2〇近似一方形。接墊20作為外部端子 T1，繪示於第5圖。 每一光電二極體1 2形成於對應的近似方形形狀的晝素 區域21。如以下所述，藉由一用於光電二極體12之圖案化 的非晶質石夕（a — Si)層（亦即a-Si層島狀物）界定出書素 區域21。每一TFTs 13係設置於對應的光電二極體12之一 的附近。

2127-3558-PF.ptd 第21頁 506118 五、發明說明（17) 每一畫素區域2 1、一對應鄰接的光電二極體1 2及一對 應鄰接的T F T s 11 3形成感測器4 0的畫素。因此，感測器4 〇 包括沿X方向規則排置的畫素。由於所有的畫素具有相同 的結構，為了簡化起見，以下以一畫素的結構作說明。 第7到9圖係分別為第6圖中沿VI I-VI I、VI I I-VI II及 I X - I X線之剖面圖，其繪示出習之感測器4 〇之詳細的晝素 結構。 請參照第9圖，一圖案化的半導體層3 0形成於透明基 底1的上表面，其用於T F T 1 3。此層3 0典型地係使用複晶 矽層。此層3 0形狀近似一矩形平板。此層3 〇施以選擇性摻 雜適當雜質，以在TFT 13内形成一對源極/汲極區31&及 3 1 b。源極/極及區3 1 a及3 1 b之間未摻雜的半導體層3 〇部 分形成一通道區32。操作時TFT 13的導電通道產生於的區 域3 2内。 形成一介電層2以覆蓋整個基底1表面。此層2同樣覆 蓋半導體層30。介電層2位於通道區32的部分作為TFT ! 3 之閘極介電。 閘極電極3 3形成於此部分的介電層2上。此電極3 3僅 位於通道區32上。 不同於習知影像感測器1〇〇，一圖案化的光遮蔽層39 附加形成於介電層2上。如明確繪示的第6圖，此層39具有 瘦長的形狀（例如，條狀）能夠有效遮蔽光經由基底丨進 入信號線10的附近。此層39位於信號線1〇下方且朝乂方向 延伸而平行於信號線10。

506118 五、發明說明（18) 較佳地，光遮蔽層39由相同於閘極電極^的 成。在此情形中’具有在相同製程步驟中形成此層3^ 極33的附加優點。亦可使用任何具有光遮蔽特性，適用； 感測器40的入射光之導電材料。 号f 適用於 第-中間層介電層4係形成於介電層2上 此層4同樣覆蓋形成於介電層2上的閘極電極33。-層’ 請參照第7圖，下層電極5形成於第一中間層介電層* 上以便部分重疊於下方光遮蔽層39，形成一重疊曰 電極5由-具有光遮蔽特性，適用於入射光之導電材料 製成。電極5，其近似於方形平板狀，包含一連 用以與半導體層30中源極/没極區315電性連接。連接 5a近似於矩形且朝源極/汲極區31b延伸。 ΰ 睛參照第6及7圖，圖案化的3士層6形成於下層電極^ 上’同時，朝Υ方向延伸以重疊於疊對的信號線1〇。此層6 與電極5外側的第一中間層介電層$接觸。 圖案化之a-Si層6具有第一部（亦即一畫素部）“， 整個大約重疊於各自的下層電極5並界定出各自的晝素區 域21、第二部（亦即一重疊部）6b，整個大約重疊於疊對 的信號線1 0，以及第三部·（亦即一互聯 (interconnection )部）6c，互聯於第一部以與第二部 6b。每一第一或晝素部6a近似於方形平板狀，其與畫素區 域2 1相同。第一或重疊部6 b朝信號線1 〇延伸且通常使用於 所有的晝素區域21。每一第三或互聯部6c近似於矩形平板 狀’其寬度約10到20/zm。在γ方向中第一、第二及第三部

2127-3558-PF.ptd 第23頁 506118 五、發明說明（19) 6a、6b及6c為連續的，因而位於透明基底1對側的第一、 第二及第三部6a、6b及6c的上表面大體上為平坦的。畫素 部6a與電極5接觸，同時重疊及互聯部⑼及“與第一中間 層介電層4接觸。 具有近似方形平板狀的透明上層電極7形成於a — Si層6 的畫素部6 a上，如第7圖所示。電極7包含一附加的連接部 7a，其用以與信號線丨〇電性連接。連接部近似於矩形且 垂直延伸至信號線1 〇而與其重疊，如第6圖所示。此部7a 位於a-Si層6的互聯及重疊部6c及61)上。連接部以具有與 互聯部6c相同的寬度。 ” 睛參照第7及8圖，阻障金屬層8形成於上層電極7的連 j部7a上而整個與其重疊。此層8用以改善與信號線1〇的 電性與機械接觸。此層8具有光遮蔽功能用以遮蔽不需要 的光進入8-8丨層6的重疊及互聯部61)及6〇：。 —第二中間層介電層9形成於第一中間層介電層4上以覆 盍下層電極5、上層電極7及阻障金屬層8。 請參照第7到9圖，信號線1〇及兩接線34及35形成於 -中間層介電層9上。信號m◦與下方上層電極？的連接3 ΐίΐ:的阻障金屬層8重疊。信號線10與金屬層8接觸且 藉由金屬層8的接觸窗18與其電性連接（及電極7)。觸且 接線34的一端與下方下層電極5的連接部。接觸且 第二中間層介電層9的接觸窗36與其電性連接 : :另-端與下方源極Α及極區31,接觸且藉由穿過 、層2及第-與第二中間層介電層4及9的接觸扣與其^

I 第24頁 2127.3558-PF.ptd 506118 五、發明說明（20) 性連接。 接線35的一端與下方的源極 穿過下方介電声/及栈£3la接觸並藉由 厂乃”电屬Z及第一與第二中間層介 窗38與其電性連接。 1電層4及Θ的接觸 2及P爻合此對源極/汲極區…及315、通道區32、介電# 的苐一部6a即上層電極7而構成光 曰6 #雷-托丹战尤电一極體12及用以儲存 先電一極體1 2内所產生的電荷的電容器1 7。 a-Si層6的第一部6a的下表面形成光電 =明基I1:於同侧’受遮蔽於具有光遮蔽特性的下層 電極5。a-Sl層6的重疊及互聯部⑽及。的下表面盘基底1 2於同側，受遮蔽於光遮蔽層39。由於此層39與電極5之 =重疊區域’所以同樣可遮蔽傾斜進人的平行或繞射入 射光。 光遮蔽層39藉由導線29而與上層電極7電性連接。在 此it形中，光遮蔽層39、a-Si層6的重疊及互聯部6]3及6(2 以及上層電極7的結合無法作出一光電二極體。 接下來’以下參照1 〇 A到1 0 C圖及第1 1 A到11 c圖說明根 據本發明第一實施例的影像感測器4〇製造方法。 首先，藉由習知的方法，例如化學氣相沉積法 (chemical vapor dep〇siti〇n，CVD)於透明基底丨的表 面上形成厚度約50到1〇〇 nm的複晶矽層（未繪示）。基底 1，例如由玻璃所製成。藉由習知的微影方法圖案化複"晶 石夕層以具有一既定形狀，而在基底1上形成半導體層3〇。

五、發明說明（21) 接著’一適當的介電層 全覆蓋其表面及半導體^如81〇2 ’沉積於基底1上以完 接下來，在介電芦/卜 而在基底1上形成介電層2。 導電層（未繪示）。二 ，形成厚度近似100到300 nm的 具有-既定“，而：：】知的微影方法圖案化導電層以 層39。此層39近似 ；上形成閘極電極33及光遮蔽 形成的a - S i層6的重A^狀而完全覆蓋後續製程步驟所 舉例，作為間極部及6C的下表面。 有光遮蔽特性的導電金遮蔽層39的導電層係由具 )。導電層亦可選擇成（例如’鶴⑴合金 複晶石夕下層的結合有；；蔽特性的導電金屬下層及 隨德，$ a & (亦即，堆層結構）所製成。 子佈植法選ϋ地Ϊ質’例如磷（Ρ)及硼（Β) ’藉由離 …及導體層3。，形成源極/没極區 幕。此声3〇ίΪί佈植製程中，閑極電極33係用作-罩 於第“及11A圖區形成通道區32。此階段的情形繪示 示）藉：：二方法； '如CVD，沉積適當的介電層（未繪 層介電芦4。Y爲/覆蓋基底丨整個表面，形成第一中間 曰 二 θ4具有約2〇〇到500 nm的厚度。 ^ = ^ —中間層介電層4上形成厚度約200到500 屬ίί!層’例如。。藉由習知的微影方法圖案化 成的電^5 /下方具有連接部^的下層電極5。此時，所形 成的f極5與下方的光遮蔽層39部分重疊。 藉由-習知方法，例如CVD，在第一中間層介電層4上

川6118 五、發明說明（22) =成厚度約1 的a-Si層6，接著圖案化此層6以具有一既 疋形狀以便在下層電極5上形成第一部6a及在光遮蔽層39 上形成第二及第三部6b及6(：。此時，第一部6&完全與各自 的電極5重豐。第二部β b具有近似於信號線丨〇的平板形 狀。此階段的情形繪示於第丨〇B及丨丨b圖。 ,厚度約100 nm的透明導電層（未繪示），例如ιτο層 形成於第一中間層介電層4上。圖案化此層以形成具有連 接部7a的透明上層電極7。 在第一中間層介電層4上形成厚度約5〇到1〇〇 nm的金 屬層（未繪示），例如碳化鎢（ws % )層。圖案化此層以 形成阻障金屬層8，其位於a —si層6的第二及第三部6b及6c 上。 藉由一習知方法，例如CVD，在第一中間層介電層4上 沉積一適當介電層，例如S i3 N4，形成厚度約2 〇 〇到5 0 0 nm 的第二中間層介電層9。 選擇性去除第二及第一中間層介電層9及4以及介電層 2 ’形成接觸窗1 8、3 6、3 7及3 8。此階段的情形繪示於第 10C 及 11C 圖。 隨後’在第二中間層介電層9形成厚度約5 〇 〇到1 0 0 0 nm的一適當金屬層，例如A1層。圖案化此層以形成信號線 10及接線34及35。形成的信號線10近乎完全盘下方a-Si層 6的第二或重疊部6b重疊。 最後，形成由S is比或聚醯亞胺所製的保護層以覆蓋信 號線10及接線34及35及下方結構之露出區域。因此，製造

2127-3558-PF.ptd 第27頁 506118 五、發明說明（23) 出根據第一實施例之影像感測器4 0。 接下來’以下說明根據第—實施例之影像感測器4〇操 作。 第12圖繪示出一影像掃描器，其包括根據第一實施例 的影像感測器40、光源51及光纖陣列平板（fiber Plate， FAP ) 54 。 感測器40位於光源51與FAP 54之間，感測器4〇的光電 二極體表面（亦即，感測器40到基底1的反面）面向FAp 54。光源51、感測器40及FAP 54固定於既定間距。FAp 54 表面被I TO層53覆蓋。如一影像感測物的文件55置放於FAp 54下方一特定間隙處。典型的文件55為紙片或塑膠薄片。 如繪示於第12圖的影像掃描器，光56從光源51向下發 射進入感測器40穿過透明基底1的背面或底表面。進入感X 測器40的光56向下穿過光電一極體12的附近及fap 肉 部。因此’在FAP 54引導操作下，光56照射文件55的整個 表面。照射到文件55的光束56藉由本身的反射，形成反射 光5 6’ 。反射光56’向上穿過FAP 54的内部，再朝向感测器 40，進入感測器40的光電二極體12。 ° 當反射光56,進入光電二極體12時，光電二極體12由 於吸收反射光56,而產生電荷。因光電二極體12而產生的 電荷暫時儲存於電容器1 7。藉由相繼驅動（亦即，開啟或 =閉）TFTs U而使儲存於電容器丨7的電荷如電子信號般 頌出至感測器4〇外部。此驅動或讀取操作執行於幾百kHz 或幾百MHz。因此，光學式的讀出文件55表面的影像，而 !! 2127-3558-PF.ptd 第28頁 506118 五、發明說明（24) 在感測器内形成影像 根據尺寸、解析度及所使用的掃描器光學系統等等來 決定或調整感測器40的畫素區域2 1尺寸。舉例，若解析度 為20 0 dpi (dot per inch)，晝素區域21的尺寸近似於 100 100 。若若解析度為4〇〇 dpi，書素區域的 尺寸近似於50 #mx 50 _。 一京匕以！的 如以上所述，根據第一實施例的影像感測器4〇， 層6具有第一、第二及第三（晝素、重疊及互聯）部h、 6b及6c，其中第一或晝素部6a位於各自的晝素區域2i中， 第二或重疊部6b位於信號線1〇的下方，且第三或互聯部6c 使畫素部6a與重疊部6b互聯。由於這些部&、⑽及吒為連 續的且它們的上表面大體上為平坦無階梯的’所以3_^芦 6的整個上表面近乎平坦。同樣地，包含連接部〜的透明 上層電極7排置於近乎平坦的a_Si層6表面。 Ή:止上層電極7斷裂或斷開的發生且同時，避 免了阻P早金屬層8及信號線丨〇斷裂或斷開。 關的或小的階梯形成於與第-中間層介電層4相 附广所以此階梯也許會㈣層6的平坦 所要的光學吸收，電極層= ^ 於100 遠薄於a —sjyf。特別地，電極5 (近似 近似於此層6得十分之一' 於1 #m)。電極5的厚度 極5的階梯而引起此層6的平二)降：此立’?幾乎沒有因電 電極7斷裂或斷開。 X降低。忍即沒有發生上層

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此外，如第1圖所繪示的習知感測器1〇〇，為了最小化 形成於a-Si層1 06附近的階梯或平面高度並充分吸收光， 此層106典型的厚度近似於。另一方面，根據第—者 施例的感測器40，a-Si層6的厚度可厚於1//m，因為確二 防止透明上層電極7的斷裂或斷開。在此情形中，此層6 光吸收率（亦即，a-Si層6的第一或晝素部6a)增加，、 此可增加感測器4 〇的靈敏度。 不同於習之感測器1〇〇，根據第一實施例的感測器幼 於信號線1 G下方具有光遮蔽層3 9用以遮蔽此線！ 〇附近的人 射光。換言之，藉由此層39而確實地遮蔽光通過基 向&^1層6的第二及第三部6b&6c。因此，具有有效$ 係由於以下原因。 —額外優點。此 若光經由基底1而進入a-Si層6的第二及 6c，光會在這些部6b及6c產生多餘的★一 ° 子會橫向擴散至a-Si層6的第一部，造.与生的多餘載 器40的解析度降低。由於光遮蔽層39成^象模糊及感測 及6c ’所以可排除此缺點。 進入這些部6b 形成的光遮蔽層39與下方下層電極5部八 # 線平行基底1的法線時，形成重疊區域25 °。刀重疊’當視 藉由此層39與電極5之間的間隙進入㈣層6此防止_入射光= 部6b及6c。重疊區域2 5的尺寸亦可輕易的 弟—及笫一 慮到第一中間層介電層4的厚度及光進入的佳化，只要考 同樣地，光經由此層3 9與電極5夕网μ 向 <間的間隙繞射或傾

2127-3558-PF.ptd 第30頁 506118 五、發明說明（26) " 斜進入時，調整光遮蔽層39的寬度是很有效的。 第二實施例 第1 3圖係繪示出根據本發明第二實施例之影像感測器 40A，其配置與第一實施例的感測器40相同，除了提供一 縮小的光遮蔽層39a以取代光遮蔽層39。因此，此處為了 簡化說明，藉由在第1 3圖中奐感測器4 〇相同元件，標示相 同符號以省略相同配置的說明。 根據第二實施例的感測器4 0 A，請參照第1 3圖，細長 的光遮蔽層3 9 a，沿信號線1 0延伸，寬度小於第一實施例 的光遮蔽層39。光遮蔽層39a的寬度取決於以下方式。 請參照第13圖，長度L，係靠近晝素區域21邊緣與光 遮蔽層3 9 a較遠邊緣之間的橫向距離，設計成與載子（亦 即，電子及/或電洞）擴散長度相同。長度L與重疊區域 2 5的寬度之總合等於此層3 9 a相等。長度l設計成與載子擴 散長度相同的原因如下。 $ 入射光藉由基底1進入a-Si層6的第二及第三部6b及 6c，因而在這些部6b及6c中產生多餘的載子。在此情形 中’多餘的載子朝橫向擴散入此層6的第一部。然而，這 些載子不會到達長於擴散距離的地方，由此點看來，光遮 蔽層39a的寬度大於載子的擴散長度，因此沒有多餘載子 實質到達此層6的第一部6 a。意即此層3 9 a僅覆蓋由於橫向 擴散使產生其中的多餘載子到達此部6a的區域係足夠。 根據第二實施例的感測器4 〇 A具有與第一實施例的感 測器40相同的優點。

2127-3558-PF.ptd 第31頁 506118 五、發明說明（27) 第三實施例 第1 4圖係繪示出根據本發明第三實施例之影像感測器 40B，其與第一實施例的感測器4〇具有相同配置，除了提 供第一及第二光遮蔽層43及45以取代光遮蔽層39。因此， 此處為了簡化說明，藉由在第1 4圖中與感測器4 0相同元 件，標示相同符號以省略相同配置的說明。 根據第三實施例的感測器40B，請參照第1 4圖，第一 光遮蔽層43形成於介電層2上，同時第二光遮蔽層45形成 於第一中間層介電層4上。此層45鄰近於下層電極5。 第二光遮蔽層45位於信號線10下方遮蔽光藉由基底1 傳向信號線1 0及其附近區域。此層45沿信號線1 〇延伸（亦 即’X方向）。此層45由相同於下層電極5的材料所製成， 近似於矩形形狀。在此層4 5與各自的電極5之間形成間隙 47，露出下方的a-Si層6。此層45覆蓋整個a-Si層6的第二 及第二部6b及6c的下表面，除了因間隙47而露出的區域之 外。 第一光遮蔽層43，其正好位於間隙47下方，具有一寬 度以選擇性覆蓋經由間隙4 7而露出第三部6 c的區域。換言 之，此層43具有一第一重疊區域25a以與下層電極5重疊且 具有一第二重疊區域2 5b以與第二光遮蔽層45重疊。 由於以下兩原因所以提供第一及第二光遮蔽層43及 45 ° 第一個原因係光更難以藉由基底1傾斜進入3 — § i層6， 因為第二光遮蔽層45形成於與下層電極5相同的平面或水

2127-3558-PF.ptd 第32頁 506118 五、發明說明（28) 平。第二個原因係若此層4 5以相同於電極3 3的材料所製 成，則第二光遮蔽層4 5可在形成閘極電極3 3的相同製程步 驟中形成。 較佳地，第一及第二光遮蔽43及45與上層電極7導 電。在此情形中，這些層43及45、第二及第三部61)及6(：以 及上層電極7的結合並不作為一光電二極體。 接下來，參照第1 5 A及1 5 B圖說明根據本發明第三實施 例之影像感測器40B製造方法。 首先，以相同於第一實施例相同的方法，在透明基底 1上形成用於TFTs 13的半導體層3〇，接著，在整個基底j 上形成介電層2。 道帝ί 了來，在介電層2上形成厚度近似於100到300 nm的 : J未繪示）°藉由習知微影方法圖案化導電層以具 1 疋形狀，在介電層2上形成閘極電極33及第一光遮 蔽層43，如第15A圖所示。此層“具 光遮蔽層45盥各自的下厣雷枚R 見又乂遮献第一 所示。 ”各自的下層電極5之間的間隙47，如第14圖 舉例，用於閘極雷極3 q芬# , & # 3及第一光遮敝層43的導電層係 w八疋心献特性的導電材料 擇具有光遮蔽特性的導電金屬H <列如鶴μ。亦可選 (亦即，堆層結構） 下層及複晶矽下層的結合 質於ΐί體=於；：3例的方法’選擇性摻雜適當雜 推雜區形成道：f及極區31a及31b。此層未 2127-3558-PF.ptd 第33頁 506118 五、發明說明（29) 藉由一習知方法，例如CVD，沉積適當的介電層（ 繪不），例如Si〇2以覆蓋基底丨的整個表面，形成第一（中 間層介電層4。此層4的厚度約200到“ο nm。 ϋ μ ΐ ί :中間層介電層4上形成厚度約100⑽的 tiiL ’例如cr。藉由習知微影方法圖案 恪成，、有連接部5a的下層電極 5及第一光遮蔽層45。此時’形成的下層電極5與下 — 光遮蔽層43部分重疊。形成的第二光遮蔽層45為具有—寬 度及一長度的矩形形狀以幾乎覆蓋3_“層6的 夏 部6b及6c的整個下表面。 $ — 藉由一習知方法’例如CVD ’在第一中間層介電層4上 形成厚度約1 的a-Si層6。接著圖案化此層6以且有一 定形狀。此層6的第-部6& ’近似於方形，位於各自的查 素區域21中。此層6的第二及第王部吒及仏位於第一光^ 蔽層43上。此時’第一部6&完全與各自的下層電奶重 疊。第二部6b具有近似於如信號線1〇相同的平板形狀以盥 其重疊。此階段的情形繪示於第丨5 B圖。 、 接著，執行相同於第-實施例所使用的製程步驟。特 別地’-透明導電I (未繪示）形成於第一中間層介電層 4上並圖案化以形成具有連接部7a的透明上層電極？。在第 -中間層介電層4上形成-金屬層（未緣示）並圖案化以 形成阻障金屬層8 ’其位於&_以層6的第二及 上。在第一中間層介電層4上沉積一適當的介電—層，例如 SH，形成第一中間層介電層9。選擇性去除第一及第一

506118 五、發明說明（30) 中間層介電層9及4以及介電層2，形成接觸窗18、36、37 及38。 隨後，在第二中間層介電層9上形成一適當金屬層， 例如A1層，並圖案化以形成信號線10及接線34及35。形成 的信號線10近乎整個與a-Si層6的第二部6b重疊。最後， 形成一由S “ N4或聚醯亞胺所製成的保護層（未繪示）以覆 蓋b號線1 0及接線3 4及3 5以及下方結構的露出區域。因 此，製造出根據第三實施例的影像感測器4〇b。 第三實施例的影像感測器4 0 B具有與第一實施例之感 測器4 0相同的優點。 差異 上述根據第一、第二及第三實施例之影，像感測器4 〇、 40A及40B中，a-Si層6的第三部6c的寬度設計成近似1〇到 2 0 # m。此係藉由減少此部6 c的佔據區域來增加光傳達區 域。然而並不限定此部6 c的寬度且亦可隨意地改變。舉 例’若配置的設計係光經由晝素區域2 1之間的間隙進入此 層6，此部6c的寬度不需要減少。 再者，根據第三實施例的影像感測器40B中，第二光 遮蔽層45覆蓋a-Si層6的第二部6b的整個下表面，除了因 間隙4 7而露出的區域之外。然而，如同根據第二實施例的 影像感測器40 A，亦可形成此層45以僅覆蓋其中，由於橫 向擴散使產生的多餘載子到達此層6的第一部仏的區域。' 在上述第一到第三實施例中，作為光電變換元件的光 電二極體係沿直線排置，因為此感測器為所謂的線感測

506118 五、發明說明（31) 器。然而，本發明並未限定於此。光電變換元件亦可排置 成任何圖案。舉例，沿兩條以上的直線排置或是一矩陣陣 列。 雖然本發明已以較佳實施例接露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

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Claims (1)

1. ?1年 ——§9124993 六、申請專利範圍 包括 i一種影像感測 :透明基底； Sc丨一 ^二介電層，形成在上述基底上； (d) 一心間隔排置在上述第-介電層上； 上，二上一述各日自的下+層導電體極層重叠形成在上述第一介電層 與上，:各自一的透下明層上電層極 上；⑷-圖案化的信號線形成在上述第二介電層 上述^號線藉由上述第- 於上述半導體層重疊層的接觸窗而共同與位 接； 的上述各自的上層電極作電性連 其中上述圖案化的半導 ，測器的畫素區•，以經由：述 線層重疊的重叠部，以及與 ：，、與上述^唬 以ίί;ί!?互聯之互聯部來接收入射光； 的上述書素之一及一對應的上述半導體層 二極體: 及對應的上訂層電極之-構成-光電 2·如申請專利範圍第1項之璣 的光遮蔽層形成於上述半導體/及^述基更底包之括間一;圖案化 第37頁 2127-3558-PFl.ptc 506118 ’ 案號 89124993 年月曰 修正 六、申請專利範圍 其中上述光遮蔽層用以防止光經由上述基底進入而到 達上述半導體層。 3·如申請專利範圍第2項之感測器，其中上述光遮蔽 層遮蔽經由上述基底進入的光而不進入上述半導體層的互 聯部與重疊部。 4·如申請專利範圍第2項之感測器，其中形成的上述 光遮蔽層與上述半導體層的互聯部及重疊部整個重疊。 5·如申請專利範圍第2項之感測器，其中上述光遮蔽 層與上述上層電極共同電性連接。 6·如申請專利範圍第丨項之感測器，其中更包括一圖 案化的光遮蔽層形成於上述半導體層及上述基底之間； 其中上述光遮蔽層用以防止在上述半導體層的互聯部 生的一多餘載子而擴散至上述半導體層的晝素部，上 二夕餘的載子係藉由經過上述基底進入的光的吸收而產生 ;上述半導體層互聯部内。 ^ ^如，請專利範圍第6項之感測器，其中上述光遮蔽 卜、f欠度等於上述多餘載子的擴散長度及上述光遮蔽層與 ^自的下層電極的一重疊區域寬度總和。 爲t申請專利範圍第6項之感測器，其中上述光遮蔽 層與9上返上1電極共同電性連接。 -圖9案Πίΐϊ範圍第1項之感測器，其中更包括-第 介電層之間遮蔽層形成於上述半導體層與上述第一中間層 間層；電；盥：；匕圖案化光遮蔽層形成於上述第-中 w /、上述基底之間；

   506118 案號 89124QQ3 修正 曰 六、申請專利範圍 電極7ί遮蔽層藉由間隙而與上述各自的下層 電極刀離^β又置上述第二光遮蔽層以覆蓋上述間隙； 上述基底^而料上述半導體層的重疊與互聯ΐ 第-1先0遮如蔽/Λ利範圍第9項之感測器’其中設置的上述 ::先遮ι上述第一光遮蔽層及上述各自的下層電極 11 ·如申請專利範圍第9項之感測器，其 第二光遮蔽層與上述上層電極共同電性連接。述第-及 的製造方法，包括下列步驟： 透明基底上形成一第一介電層； (C)在上電層上間隔排置下層電極； 以與上述各自的下第層一電極電重層疊上;形成， 各自二)層在電上極述重半疊導體層上'^ 半導體層及上述下第層-電極電層以覆蓋上述上層電極、上述 幻⑴藉由上述第二介電層的接觸窗使… 與位於上述半導體層重疊部的上 使上“號線層 性連接而在上述第二介一二電極共同電 狀4;::驟(c)中，形成：案化半^ 狀旦素π來界疋上述感測器的畫素曰Μ具有島 電極、與上述信號線層重疊的重疊部，以及上述上層 /、具有一對應 2127-3558-PFl.ptc 第39頁 --^號 89124993_年月日 鉻 |Ί： 六、申請專利範圍 的上述重疊部之一的每一上述畫素區域互聯之互聯部來接 收入射光； 以及其中每一上述上層電極、一對應的上述半導體層 的上述畫素之一及一對應的上述下層電極之一構成一光電 二極體。 1 3 ·如申晴專利範圍第1 2項之方法，更包括一圖案化 的光遮蔽層形成於上述半導體層及上述基底之間的步驟； 其中上述光遮蔽層用以防止光經由上述基底進入而到 達上述半導體層。 14.如申請專利範圍第13項之方法，其中形成的上述 光遮蔽層遮蔽經由上述基底進入的光而不進入上半導 層的互聯部與重疊部。 15·如申請專利範圍第13項之方法，其中形成的上述 光遮蔽層與上述半導體層的互聯部及重疊部整個重疊。 16·如申請專利範圍第13項之方法，其中上述光遮蔽 層與上述上層電極共同電性連接。 17·如申請專利範圍第12項之方法，其中更包括一圖 案化的光遮蔽層形成於上述半導體層及上述基底之間的步 驟； 其中上述光遮蔽層用以防止在上述半導體層的互聯部 内f生的一多餘載子而擴散至上述半導體層的畫素部，上 述多餘的載子係藉由經過上述基底進入的光的吸收而產生 於上述半導體層互聯部内。 ， 1 8 ·如申請專利範圍第丨7項之方法，其中上述光遮蔽 .

   506118 六、申請專利範圍 層的寬度等於上述多餘載子的擴散長度及上述光遮蔽層與 上述各自的下層電極的一重疊區域寬度總和。 19·如申請專利範圍第17項之方法，其中上述光遮蔽 層與上述上層電極共同電性連接。 20·如申請專利範圍第12項之方法，其中更包括一第 圖案化光遮蔽層形成於上述半導體層與上述第一中間層 介電層之間的步驟； 以及第一圖案化光遮蔽層形成於上述第一中間層介 電層與上述基底之，間的步驛； 電極光遮蔽層藉由間隙而與上述各自的下層 電士刀離且叹置上述第^光遮蔽層以覆蓋上述間隙； 上述一及第二光遮蔽層共同來防止光經由 ί Λ Λ 述半導體層的重疊與互聯部。 21·如申明專利範圍第2〇項之方法，其 二光遮蔽層以與上述第一本、疮、认置上迷第 重疊。 迩第先遮蔽層及上述各自的下層電極 22·如申請專利範圍第2〇項之方法， 第二光遮蔽層與上述上層電極共同電性連接。述第-及 2127-3558-PFl.ptc 第41頁