TW487602B - Nozzle device - Google Patents
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Description
487602 五、發明說明(1) 【發明之背景】 發明之領域 本發明係關於一種喷嘴裝置,尤其關於一種具有自我 清潔功能之喷嘴裝置。 習知技術之描述 在半導體元件或液晶顯示器的製程中,包含濕式蝕 刻、清洗、濕式旋轉钱刻、清洗、塗佈、及顯影等處理。 在上述處理中,常常需要利用到喷嘴,以喷出處理材料。 喷嘴之型式有很多種,舉例而言,美國專利公報第!,3 1 2, 4 8 7號公報之圖2,即顯示一種習知之喷嘴。 圖1 A顯示一種習知喷嘴系統之示意圖,圖1 B顯示圖1 A 之喷嘴的放大示意圖。如圖1 A所示,此喷嘴系統包含:一 儲存槽1 0 1 ,用以儲存處理材料1 〇 〇 ; —輸送管路1 〇 2,用 以輸送處理材料1 0 0 ; —控制閥1 〇 3,用以控制處理材料 1 0 0之流通與否;及一喷嘴1 0 4,用以喷出處理材料1 0 0。 在圖1 A中,處理材料1 0 0係以複數的網點表示。在完 成處理過程而關閉控制閥1 0 3之後,殘留於喷嘴1 0 4之處理 材料1 0 0 ,可能與空氣接觸而變質,甚至產生硬化,從而 產生包圍喷嘴1 0 4之硬化物質1 0 5,如圖1 B所示。這種硬化 物質1 0 5可能在下一次進行處理時,混合著處理材料1 0 0而 喷至晶片或平板玻璃上,因而造成處理材料被污染,或造 成晶片或平板玻璃的損壞。 在某些喷嘴系統中,當喷嘴停止喷出處理材料後,為 了避免處理材料殘留於喷嘴口,通常使用一種回吸閥,以
487602 五、發明說明(2) 吸回處理材料。然而,因為回吸閥之老化,或某些處理材 料可能造成回吸閥的材質產生變化,造成回吸閥喪失應有 之功能’而使處理材料逐漸漏出’袁後滴在晶片或平板玻 璃上,造成污染,影響晶片或平板玻璃之製品品質。 圖2顯示一種習知之線性排列的多喷嘴裝置。如圖2所 示,此種多喷嘴裝置具有一本體1 0 6,及4個平行排列的喷 嘴1 0 7,可提供4種處理材料。為對晶片或平板玻璃進行最 佳之處理,通常必須將處理材料均勻地散佈到晶片或平板 玻璃上。因此,必須移動本體1 0 6,以使運作中之喷嘴1 0 7 對準晶片或平板玻璃之中心點,接著,再逐一移動本體 1 0 6,使處理材料均勻喷到晶片或平板玻璃上之每一處。 一般而言,吾人不容許任一個喷嘴1 〇 7將處理材料喷到晶 片或平板玻璃之外,以免處理材料反濺至其背面。因此, 線性排列的多喷嘴裝置在晶片或平板玻璃上的移動範圍, 必須設定得比圖1之單一喷嘴1 0 4來得小。所以,某些處理 材料無法完全喷灑至晶片或平板玻璃上。具體而言’以下 配合圖3 A與圖3 B作詳細說明。 圖3 A顯示以圖1 A之習知喷嘴於基板上所能喷灑之區 域。如圖3 A所不’假設所欲處理的晶片或平板玻璃為基板 1 1 0 ,而喷嘴1 0 4之預設處理範圍為虛線圓1 1 1所圍成的區 域,則喷嘴1 0 4在基板1 1 0上方所能移動的最大範圍,亦如 虛線圓1 1 1所圍成的區域。 圖3 B顯示以圖2之另一種習知喷嘴於基板上所能喷灑 之區域。如圖3 B所示,假設所欲處理的晶片或平板玻璃為
487602 五、發明說明(3) 基板1 1 0 ,而喷嘴1 0 4之預設處理範圍為虛線圓1 1 1所圍成 的區域,則最左側之喷嘴1 0 7在基板1 1 0上方所能移動的最 大範圍,為虛線圓1 1 2所圍成的區域。此乃因為最右側的 喷嘴1 0 7在基板1 1 0上方所能移動的最大範圍受虛線圓1 1 1 所限制之故。 因此,若採用圖2之喷嘴,則不只使喷灑範圍變小, 而且,位移控制較不易。若要使喷嘴直接喷向基板中心, 則使每一個喷嘴1 〇 7分別位於基板中心的校正方法變複雜 且難以控制。 圖4顯示一種習知之環狀排列之多喷嘴裝置。如圖4所 示,此種多喷嘴裝置具有一本體1 0 8,與4個環狀排列的噴 嘴1 0 9。透過適當的設計,由喷嘴1 0 9所喷出之處理材料, 係直接喷於晶片或平板玻璃的中心點。由於從這種喷嘴所 喷出之處理材料,並非與晶片或平板玻璃垂直地衝擊,所 以,斜向噴出之處理材料可能破壞晶片或平板玻璃上之圖 案。又,斜向噴出之處理材料,對於晶片或平板玻璃上之 較深的溝道而言,無法完全噴至溝道内,對製品產生不良 之影響。再者,斜向喷出之處理材料,可能對晶片或平板 玻璃產生不平衡的側向推力,嚴重時會打翻晶片或平板玻 璃。 【發明概要】 因此,本發明之一個目的係提供一種喷嘴裝置,其能 選擇性地提供多種處理材料,避免殘留之處理材料硬化於
487602 五、發明說明(4) 喷嘴上,更完整地喷灑處理材料於所欲處理之晶片或平板 玻璃上’消除斜向贺〉麗處理材料對晶片或平板玻璃所造成 之側向推力,及霧化處理材料,以使處理材料更均勻地喷 灑至晶片或平板玻璃上。 依本發明之一個實施樣態,係關於一種喷嘴裝置,用 以將處理材料喷至一出口區,包含:一本體,於本體上形 成有:一第一腔室;一第二腔室;複數之連通孔,連通第 一腔室與第二腔室;及一喷嘴通道,由第二腔室連通至出 口區;以及複數之第一管路,分別貫通複數之連通孔,並 具有容納於第二腔室中之複數開口部,且在複數之第一管 路與相對應之複數之連通孔之間形成複數之間隙。 依此構造之喷嘴裝置,可選擇性地由複數之第一管路 提供多種處理材料,並具有清洗殘留於開口部之處理材料 的功能,避免殘留於開口部之處理材料硬化。 在上述實施樣態之喷嘴裝置中,於本體上更形成有·· 一第三腔室,實質上環狀包圍第二腔室;及至少兩個第一 旁通道,實質上以對稱於喷嘴通道之方式分別連通第三腔 室與出口區。 依此構造之喷嘴裝置,可消除斜向喷灑處理材料對晶 片或平板玻璃所造成之側向推力。 此外,在上述實施樣態之喷嘴裝置中,於本體上更形 成有:一第三腔室,實質上環狀包圍第二腔室;至少一第 一旁通道,連通第三腔室與喷嘴通道;一第四腔室,實質 上環狀包圍喷嘴通道;及至少兩個第二旁通道,實質上以
487602 五、發明說明(5) 對稱於喷嘴通道的方式分別連通第四腔室與出口區。 依此構造之喷嘴裝置,可霧化處理材料及可均勻的預 混合處理材料,以使處理材料更均勻地喷灑至晶片或平板 玻璃上。 【圖式之簡單說明】 圖1 A顯示一種習知喷嘴系統之示意圖。 圖1B顯示圖1A之喷嘴部分的放大圖。 圖2顯示一種習知之線性排列的多喷嘴裝置。 圖3 A顯示以圖1 A之習知喷嘴於基板上所能喷灑之區
域。 圖3 B顯示以圖2之另一種習知喷嘴於基板上所能喷灑 之區域。 圖4顯示一種習知之環狀排列之多喷嘴裝置。 圖5顯示依本發明第一實施例之喷嘴裝置。 圖6顯示應用本發明第一實施例之喷嘴裝置之示意 圖。 ' 圖7顯示依本發明第二實施例之喷嘴裝置。 【符號之說明】
1〜本體 2〜 出口區 3〜第一腔室 4〜第二腔室
第8頁 487602 五、發明說明(6) 5〜第三腔室 6〜 第四腔室 7〜第一旁通道 8〜 第二旁通道 9〜第一管路 1 0〜第二管路 1 1〜 第三官路 1 2〜第四管路 1 3〜喷嘴通道 14〜連通孔 15〜間隙 1 6〜開口部 21-25 、 31-39 〜管路 41〜控制閥 【較佳實施例之說明】 以下參考附圖說明本發明之較佳實施例。 1 .第一實施例 圖5顯示依本發明第一實施例之喷嘴裝置。如圖5所 示,此喷嘴裝置係用以將處理材料喷至一出口區2,包含 一本體1 、五個第一管路9、一第二管路10、及一第三管路 11 。於本體1上形成有一第一腔室3、一第二腔室4、一第 三腔室5、兩個第一旁通道7、一喷嘴通道13、及五個連通 孔1 4。於此所要指出的是,第一管路9的數目為5個,而非
487602 五、發明說明(7) 3個,此乃因為其中兩個第一管路9係與中間的第一管路9 重疊。同理,連通孔1 4之數目係為5個,而非3個。 第一腔室3與第二腔室4係經由五個連通孔14而連通。 喷嘴通道13係連通第二腔室4與出口區2。出口區2即為噴 出處理材料之出口 。第三腔室5係環狀包圍第二腔室4 ,而 兩個第一旁通道7係以對稱於喷嘴通道13之方式,連通第 三腔室5與出口區2 。 五個第一管路9係從外部貫通第一腔室3與連通孔1 4, 並具有容納於第二腔室4中之五個開口部1 6。於各該開口 部1 6與相對應的各該連通孔1 4間,形成一間隙1 5。第二管 路1 0係連通至第一腔室3,用以將處理材料輸入至第一腔 室3中,第三管路11係連通至第三腔室5,用以將處理材料 輸入至第三腔室5中。 於此喷嘴裝置中,處理材料之喷出路徑有三種:(一) 從第一管路9將處理材料輸入至第二腔室4中,再由喷嘴通 道1 3而使處理材料由出口區2喷出;(二)從第二管路1 0將 處理材料輸入至第一腔室3,再經由間隙1 5而使處理材料 進入第二腔室4,最後,由喷嘴通道13而使處理材料由出 口區2喷出;及(三)從第三管路11將處理材料輸入至第三 腔室5 ,再由第一旁通道7而使處理材料由出口區2喷出。 吾人應注意到,此三種路徑可單獨進行或以混合至少兩種 路徑的方式進行。 上述處理材料可以是化學液體、或氣體等等,其乃取 決於製程上的需求而定。
第10頁 487602 五、發明說明(8) 圖6顯示應用本發明第一實施例之喷嘴裝置之示意 圖。如圖6所示,五個第一管路9係連接至用以提供一組處 理材料之管路2 1-25,第二管路1 0係連接至用以提供另一 組處理材料之管路3 1 - 3 7,而第三管路1 1係連接至用以提 供又另一組處理材料之管路3 8 - 3 9。於各個管路2 1 - 25與管 路3 1 - 3 9中,分別設有用以控制管路的開關狀態的控制閥 4 1。於圖6中,箭頭之方向代表處理材料之流動方向。 舉例而言,管路21-25可分別提供處理材料A-E ’管路 3 1-35可分別提供處理材料A*-E*,管路36可提供氮氣或空 氣,管路37具有抽真空之功能,管路38可提供氮氣或特殊 氣體,而管路39可提供化學劑。處理材料A*-E*係為可清 洗處理材料A - E的材料。因此,依據本發明第一實施例之 喷嘴裝置可提供下列功能: (1) 從管路2 1-25選擇性地將至少一種處理材料A-E提 供至第二腔室4中,然後,使處理材料由喷嘴通道1 3流 出; (2) 從第二管路10可提供氮氣或空氣,以對第二腔室4 中之處理材料加壓,以使處理材料從喷嘴通道1 3喷出; (3 )從第三管路1 1可將氮氣、其他特殊氣體或化學劑 提供至第三腔室5 ,然後,經由第一旁通道7而喷出上述材 料; (4 )從第二管路1 0可將五種用以清洗第一管路9之處理 材料A*-E*,提供至第一腔室3中,然後,處理材料A*-E* 會經由間隙1 5而清洗殘留於開口部1 6之處理材料A - E,以
487602 五、發明說明(9) 避免處理材料A - E殘留於開口部1 6而變質或硬化;及 (5 )由於第一旁通道7係以對稱於喷嘴通道1 3之方式配 置,所以,從第一旁通道7所喷出之處理材料,在衝擊於 晶片或平板玻璃上時,其側向推力已相互抵消,不會有打 翻晶片或平板玻璃之虞。 2 .第二實施例 圖7顯示依本發明第二實施例之喷嘴裝置。如圖7所 示,此喷嘴裝置包含一本體1、五個第一管路9、一第二管 路10、一第三管路11 、及一第四管路12。本體1具有一出 口區2。於本體1上形成有一第一腔室3、一第二腔室4、一 第三腔室5、一第四腔室6 、兩個第一旁通道7、兩個第二 旁通道8、一喷嘴通道13、及五個連通孔14。於此所要指 出的是,第一管路9的數目為5個,而非3個,此乃因為其 中兩個第一管路9係與中間的第一管路9重疊。同理,連通 孔1 4之數目係為5個,而非3個。 第一腔室3與第二腔室4係經由五個連通孔14而連通。 喷嘴通道13係連通第二腔室4與出口區2。出口區2即為喷 出處理材料之出口 。第三腔室5係環狀包圍第二腔室4,而 兩個第一旁通道7係以對稱於喷嘴通道1 3之方式,連通第 三腔室5與喷嘴通道1 3。第四腔室6係環狀包圍喷嘴通道 1 3,而兩個第二旁通道8係以對稱於喷嘴通道1 3之方式, 連通第四腔室6與出口區2。 五個第一管路9係從外部貫通第一腔室3與連通孔1 4,
第12頁 487602 五、發明說明(ίο) 並具有容納於第二腔室4中之五個開口部1 6。於各該開口 部1 6與相對應的各該連通孔1 4間,形成一間隙1 5。第二管 路1 0係連通至第一腔室3,用以將處理材料輸入至第一腔 室3中,第三管路1 1係連通至第三腔室5,用以將處理材料 輸入至第三腔室5中。 於此噴嘴裝置中,處理材料之喷出路徑有四種:(一) 從第一管路9將處理材料輸入至第二腔室4中,再由喷嘴通 道13而使處理材料由出口區2喷出;(二)從第二管路10將 處理材料輸入至第一腔室3 ,再經由間隙1 5而進入第二腔 室4,最後,由喷嘴通道13而使處理材料由出口區2喷出; (三)從第三管路11將處理材料輸入至第三腔室5,再由第 一旁通道7而使處理材料喷至喷嘴通道1 3,最後,使處理 材料由出口區2喷出;及(四)從第四管路12輸入處理材料 至第四腔室6 ,再經由第二旁通道8而使處理材料喷出。吾 人應注意到,此四種路徑可單獨進行或以混合至少兩種路 徑的方式進行。 上述處理材料可以是化學液體、或氣體等等,其乃取 決於製程上的需求而定。 本實施例所具有之功能大體上與第一實施例相同。然 而,本實施例之更包含以下功能:吾人可從第三管路1 1提 供氮氣至第三腔室5,然後,使氮氣從第一旁通道7而喷至 喷嘴通道13,對於從第二腔室4而來之處理材料而言,具 有霧化與均勻預混合處理材料的效果。 在較佳實施例之詳細說明中所提出之具體實施例僅用
第13頁 487602 五、發明說明(11) 以方便說明本發明之技術内容,而非將本發明狹義地限制 於上述實施例,在不超出本發明之精神及以下申請專利範 圍之情況,可能作種種變化實施。
舉例而言,吾人可於第一實施例中,除去第三腔室 5、第三管路1 1 、與第一旁通道7,亦具有清洗第一管路9 之開口部1 6的功效。此外,於第二實施例中,第一旁通道 7不需要以對稱於喷嘴通道13的方式配置,此乃因為由第 一旁通道7所喷出之處理材料,並非斜向衝擊於所欲處理 之晶片或平板玻璃上。因此,第一旁通道7之數目亦無強 制規定為兩個。所以,本發明之範圍應由以下的申請專利 範圍決定。
第14頁
Claims (1)
- 487602 88115699 六、申請專利範圍 1 · 一種喷嘴裝置,用以將處理材料喷至一出口區,包 含: 一本體,於該本體上形成有: 一第一腔室; 一第二腔室; 複數之連通孔,連通該第一腔室與該第二腔室; 及 一喷嘴通道,由該第二腔室連通至該出口區;以 及 複數之第一管路,分別貫通該複數之連通孔,並具有 容納於該第二腔室中之複數開口部,且在該複數之第一管 路與相對應之該複數之連通孔之間形成複數之間隙。 2.如申請專利範圍第1項之喷嘴裝置,其中,於該本 體上更形成有: 一第三腔室,實質上環狀包圍該第二腔室;及 至少兩個第一旁通道,實質上以對稱於該喷嘴通道之 方式分別連通該第三腔室與該出口區。 ' 3 ·如申請專利範圍第1項之喷嘴裝置,其中,於該本 體上更形成有: 一第三腔室,實質上環狀包圍該第二腔室; 至少一第一旁通道,連通該第三腔室與該喷嘴通道; 一第四腔室,實質上環狀包圍該喷嘴通道;及 至少兩個第二旁通道,實質上以對稱於該喷嘴通道的 方式分別連通該第四腔室與該出口區。第15頁 487602 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第1項之喷嘴裝置,更包含: 一第二管路,連通至該第一腔室,藉以輸入處理材料 至該第一腔室中。 5 .如申請專利範圍第2項之喷嘴裝置,更包含: 一第二管路,連通至該第一腔室,藉以輸入處理材料 至該第一腔室中;及 一第三管路,連通至該第三腔室,藉以輸入處理材料 至該第三腔室中。 6 .如申請專利範圍第3項之喷嘴裝置,更包含: 一第二管路,連通至該第一腔室,藉以輸入處理材料 至該第一腔室中; 一第三管路,連通至該第三腔室,藉以輸入處理材料 至該第三腔室中;及 一第四管路,連通至該第四腔室,藉以輸入處理材料 至該第四腔室中。第16頁
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |