TW486780B - A method for reducing dishing related issues during the formation of shallow trench isolation structures - Google Patents

Description

柳780 五、發明說明（1 ) 本發明概有關於半導體裝置及其製造方法。尤有關於 一種製成淺槽隔離構造之方法。 在今日先進的半導體製造技術中，乃有大量的構件會 被設於愈形緊密的區域内，而來組合製成一積體電路裝 置。為了避免鄰近的裝置互相造成短路，及防止被設在密 集區域中的裝置之間互相洩漏，淺槽隔離（STI)構造已成為 半導體製造產業中一種普遍通用的構造。 形成一 STI構造的方法典型係在一矽基材上製成一槽 狀開孔’嗣以一絕緣材料來填滿該槽狀開孔。該絕緣材料 乃可用沉積技術，例如低壓化學蒸氣沉積（LPCVD)、高密 度電漿沉積（HDP),或其它可將一絕緣材料沈積在一槽狀 開孔中的任何方法等來製成。當該開孔填滿沉積的絕緣材 料之後，一平面化處理例如化學機械拋光（CMp)會被用來 將該表面平面化，而將可能生成於該槽狀開孔上方的任何 絕緣材料部份除去。 氮化物（如氮化矽Si#4)或其它的抗氧化物，及適當的 硬膜，通常會被用來作為矽蝕刻形成槽孔的硬罩，並作為 操作的拋光擋止層。於此方式中，該氮化物或其它硬 質的抗氧化膜會形成該槽狀開孔上方的頂部表面。硬膜較 為適宜係因為當在該STI構造的平面化拋光操作時，能具有 阻抗性以及選擇性。該等硬膜會有相對較低的去除率而較 適於作為拋光擋止層。 於形成該STI構造時，當拋光該絕緣材料及平面化該 STI構造的拋光操作，在該STI構造的頂面上造 陷” 本纸張尺度賴巾® g家標準（CNS)A4規格⑵〇 χ iAW. 訂 線' (請先閱讀背面之;1意事項4iu、rl'3本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 297公釐） 4

Λ： —η"· · Β< 發明說明（2 ) 時，將會產生問題。凹陷即表示在該槽孔中的絕緣材料之 頂面，變成凹下而低於該拋光擋止層如氮化矽之頂面的現 象典型地，忒STI構造的頂面中央部份會凹下而低於該 STI構造頂面的周緣部份。該STI構造的周緣通常會使槽狀 開孔的側邊向上延伸，而在該槽狀開孔的邊緣與抛光擔止 層的頂面相交。因此，在該等周緣上將會形成絕緣材料之 尖銳、朝上的突體。而該STI構造頂面的中央部份，可能會 相對於其邊緣部份凹下大約有500埃（A)之多。在該氮化物 拋光擋止層被完全除去，且該STI構造的整個頂部一致地凹 下之後，即會在該STI構造的頂面上留下500埃的高度差。 在該STI構造完成後，該等尖銳朝上的突體將會留在該 STI構造的邊緣處，其更會伸出於半導體基材的頂面上。該 等突體可能會伸於大部份STI構造上方有500埃之多，並亦 可能以甚至更大的距離伸出於周圍的半導體基材上方。聚 矽膜通常會被用來製成電晶體之閘極，並在半導體積體電 路中提供其它的連接功能。在該等STI構造的周緣由於凹陷 現象造成朝上之尖銳突體，而被聚矽膜延伸覆蓋之處，將 會形成一局部電場。此等局部電場係吾人極不願見到者， 因為其可能會使整個裝置產生各種電性變數問題。例如， 對一 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體）裝置而 言，該等局部電場若生成於一電晶體之閘極，將會降低其 臨界電壓。又該STI構造因凹陷現象所造成的該等尖銳朝上 突體’亦會造成其它的電性問題而使該裝置故障，或者可 能須要附加的措施來彌補改變的參數特性，甚或兩者都合 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音ϋ'再3ώ、巧本頁) 裝 --線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486780 Λ； ___________Β：________ 五、發明說明（3 ) 發生。 因此可知乃亟須一種能製造具有平坦頂面之淺槽隔離 構造的方法，該頂面不會有尖銳的突體向上突伸而造成局 部電場。 為達到這些及其它的目的，本發明即在克服習知之形 成淺槽隔離構造的方法之缺點，而提供一種供製成更佳之 淺槽隔離構造的改良方法。本發明乃揭述用來製造具有完 全平坦上表面的低洩漏STI構造之材料、製法及構造等。本 發明亦提供一種方法可填補因凹陷所造成的空隙。該等空 隙會被以含矽之薄膜所填滿，該等矽膜乃呈沈積或氧化的 形式，而提供一種與被用來作為拋光擋止層之薄膜具有類 似拋光特性的材料。在該等空隙被填滿之後，一後續的拋 光步驟會被用來使該淺槽隔離構造形成完全平坦的上表 面。會造成該平面化的構造係因為，該矽膜或氧化的矽膜 之拋光率較近似於該拋光擋止層，而較不同於初始設在該 槽孔内的介電材料之拋光率。該具有丰坦上表面之淺槽隔 離構造的產生，將可消除爾後之局部電場的形成，因此能 製成較不易洩漏及造成其它參數失效的裝置。 應叫瞭解則述概括說明及以下的詳細說明皆為舉例而 已’並非作為本發明的限制。 圖式之詳細說明： 本發明最好能由以下詳細說明配合參閱所附圖式而來 瞭解。要強調的是，依據一般實務，在圖中之各種構造並 未依比例繪製。相反地，為了清楚起見，各構造的尺寸規 --------^---------^ I (請先閱讀背面之注意事項冉mrc:本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ϋ 297公釐） 6 486780

五、發明說明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 格乃被刻意地擴大或縮小。該等圖式中係包含下列各圖： 第1圖為一剖視圖示出在一拋光的STI構造中所形成的 碟狀凹陷； 第2圖為一剖視圖示出第〗圖所示之構造在加入一含矽 薄膜之後的狀態； 第3A圖為一剖視圖示出第2圖所示之構造在被依第一 實施例之拋光法來平面化後的狀態； 第3B圖為一剖視圖示出第2圖所示之構造在被依第二 實施例來氧化該含矽薄膜之後的狀態； 第4圖為一剖視圖乃示出依據第一與第二實施例所製 成之一完全平坦的STI構造； 第5圖為一剖視圖乃示出第4圖所示的STI構造被磨低 之後的狀態；及 第6圖為一剖視圖可供比較之用，乃示出習知技術的 STI構造，其含有不良的尖銳邊緣突伸於基材表面上方。 本發明乃提供一種方法，用以解決當形成淺槽隔離 (STI)構造時，發生有關凹陷的問題者。更具體而言，當以 習知方法來平面化STI構造而發生凹陷時，本發明可提供一 種方法來填滿因凹陷所造成的空隙，然後磨平該STi構造而 不會再造成任何的凹陷。依據本發明所形成的STI構造會具 有一完全平坦的頂面。在一連串處理操作被實施來除去該 拋光擋止層-通常為氮化矽膜，且該STI構造的頂面因磨除 氧化物的操作而低降之後，所造成的結構物將不會有朝上 突出的銳緣，其即會在被設於該STI構造上方的半導體材 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ297公釐 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再4艿本頁) · .線· 7 - 經濟部智財產局員工消費合作社印¾ 486780 Λ； ----—--— Γ>：___ 五、發明綱（5 ) " ' ~- 例如聚矽中，造成不良的局部電場者。因沒有該等會負面 ^響電性變數’並會破壞裝置功能的局部電場，故能產製 南良率的半導體裝置。 、第1圖係示出-淺槽隔離構造之例，其在接受本發明的 方法處理之前，乃具有碟狀凹陷現象。第㈤所示的構造係 用以呈顯該STI構造被以拋光處理例如化學機械抛光等所 造成的凹陷問題。會造成該凹陷係因為用以填補該等槽孔 的沉積介電材料，比所使用的拋光擋止層具有更高的抛光 率。該等沉積的介電材料典型係由各種任何的化學蒸氣沉 積（CVD)技術所製成者。而為能確實地將沉積的介電材料 由該拋光擋止層上完全去除，將會使用相當足量的拋光， 故會使在槽孔内的介電材料之頂面凹陷，而低於該拋光擋 止層的表面。在此要強調的是，該實施例所示的特定細節 係僅為舉例而已。任何由CMp或其它拋光方法所製成的 STI構造而具有凹陷現象者，皆可同樣地以本發明的方法來 平面化，以消除該最後製成之STI構造上的不規則頂面，包 括銳緣等。 在第1圖所示的實施例中，該淺槽隔離構造25係形成於 槽狀開孔4内’其係由頂面1 〇向下延伸，通過拋光擋止層8， 穿過接面氧化物膜12，而進入半導體基材2中。在一實施例 中，該槽狀開孔4乃可藉一蝕刻操作來形成，其會連貫地蝕 穿該拋光擔止層8及接面氧化物膜12,而去除該等膜層並繼 續伸入該基材2中，來蝕成該槽狀開孔4。傳統的蝕刻方法 皆可被使用。在一實施例中，半導體基材2乃可為一矽晶 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ297公釐） --------^---------^ — ί請先閲·讀背面之注意事項44¾本頁) 486780 Λ； D7 五、發明說明（6 經;#-部智慧財產局員工消費合作社印製

圓，即如一般使用於半導體製造業中者。在一實施例中， 該接面氧化物膜12乃可為一種熱生成的二氧化矽，或氧化 物膜而具有50至200埃的厚度者，但具有不同厚度的其它接 面氧化物膜亦可被選擇使用。 拋光擋止層或頂層8依據該較佳實施例係為一氮化石夕 膜’但其它相對較硬而能阻抗拋光的抗氧化膜亦可使用。 该頂層8將被選為具有低拋光率，或高拋光阻抗性者，以供 拋光狀態使用。雖該頂層8在不同的實施例中亦可為氮化矽 以外的其它薄膜，但以下所述之該頂層8係指氮化矽，或簡 單地直稱氮化物膜8。該氮化物膜8可包含1〇00至25〇〇埃範 圍内的厚度。在一實施例中，該接面氧化物膜12及氮化物 膜8的總厚度係可為1600至2〇〇〇埃。在一實施例中，該槽狀 開孔4的槽深20乃可約為3500至6500埃左右。 如前所述，該槽狀開孔4乃可藉蝕刻製成，且係在形成 該ST1構造25之前先製成。該槽狀開孔4係可向下延伸進入 該基材2中大約2500至3500埃的深度22，乃依不同的實施例 而定。該槽狀開孔4的寬度24係可為0J微米或更大，而於 較佳實施例中乃為〇·β()·5微米。在—較佳實施例中，該 槽深20與槽寬24將被選為其縱橫比（即槽深2〇 :槽寬24)不 超過6.0。 該STI構造25係⑮-介電材料膜沉積至超過該氣化物 膜8的頂面10,並在該槽狀開孔4中將其填滿來製成者。該 介電材料6-般係為由各種CVD方法所製成之氧化物膜。 依據一未示出的實施例，在形成介電材料6之前， 〇〇 --------------^--- (請先閱·讀背面之;±意事項冉項巧本頁) ήιτ· --線·

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五、發明說明（7 ) 〜300埃厚度的熱生成氧化物層，乃可附加地被生成於該開 孔4的内表面上，以彌補任何蝕刻的瑕疵，並防止後續的清 潔處理所可能造成的瑕，疵。 CMP或其它的拋光技術乃可被用來除去該介電材料6 生成於該氮化物膜8的頂面10所形成之平面上方的部份。為 月b確保將介電材料6超過該頂面1 〇的部份完全地去除，該抛 光技術會被進行至可能會稍微低於該氮化物膜8之頂面1〇 的一點處。氮化物膜8係因其相對較高的硬度而被選用，因 此可阻抗拋光的磨除。填滿該槽孔的介電材料6乃含有比該 氮化物膜8更高的拋光率。當該介電材料6係由高密度電漿 CVD以外之方法所形成時，此差異將會更為明顯。因此， 在cmp或其它的拋光技術被用來平面化該構造，而將頂 面10上方的介電材料6部份除去之後，即會形成碟狀凹陷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該碟狀凹陷乃可說是生成於該槽孔内之811構造頂面 的凹陷部份。其頂面丨8會相對於氮化物膜8的頂面而稍呈凹 曲下沈。該下沈部份中所形成的空隙乃被示為空隙區14。 其亦可看出該STI構造25的頂面18會在一較低點17處，比在 其邊緣15處更朝向該sti構造25的中心，因此該sti構造25 會具有一凸升的周緣部份。故該空隙區14會形成於槽孔4 中之STI構造25的上方。而呈現出一未填滿的槽孔4區域存 在於氮化物膜8之頂面1〇所形成的平面下方。該空隙區14 的最大深度16可約為500埃或更大。尖銳的朝上突體會生成 於孩槽孔4内之STI構造25的邊緣15處。本發明即有關以一 種能在後續的平面化步驟中避免再出現凹陷現象的方法， 本紙張尺度適用中國國豕標準（CI\\S)A4規格（210 X 297公爱） 10 "+00/011

五、發明說明（ 經卷部智慧財產局員工消費合作社印製

來填補然後平面化該1隙區者。於此並請瞭解，示於該STI 構仏邊緣的朝上尖銳突體係僅為舉例而已，並非用來限制 由於凹陷所形成之表面不規則狀態。 第2圖乃示出矽膜26被覆設在該頂面1〇上，並填滿於槽 孔4上的空隙區14中。該矽膜％乃可為多晶矽或非結晶石^ 膜，而可由傳統的方法來製成。該矽膜26亦可為一摻雜或 非摻雜膜。矽膜26乃包含蓋部3〇填入前述之空隙區14中。 矽膜26可具有500至25〇〇埃的厚度，但其它不同的厚度亦可 被使用，而可提供矽膜26來填滿第！圖所示的空隙區14。 第3 A圖係示出本發明第一實施例之處理過後的後續 步驟。矽膜26(如第2圖所示者）會被以CMp或其它的手段來 由該氮化物膜8的頂面1〇上方除去。而該蓋部3〇會存留在槽 孔4中並填滿該空隙區14。矽膜％(如第2圖所示）乃具有與 該氮化物膜8相同的拋光率。即該矽膜26之拋光率會更相似 於該氮化物膜8，而非該介電材料6。因此，在該拋光過程 中，乃可避免發生凹陷現象。而被拋光後的STI構造25即可 含有完全平坦的頂面3 1，其將能夠與該氮化物膜8的頂面i 〇 共平面。 第4圖乃示出第3A圖的STI構造在被施行一熱氧化處 理來氧化該矽膜26之蓋部30的狀況。該氧化處理係可為一 快速熱退火（RTA)或烘爐氧化處理。其氧化溫度可為550至 1100 C乃依不同實施例而定。氧化時間在rTA氧化可由3〇 秒至5分鐘。而烘爐熱氧化處理則可由3〇分鐘至2小時。當 在氧化處理時’第3A圖中所示的蓋部3〇會轉化成二氧化矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公爱） 11 壯衣· I I (請先間讀背面之注意事項冉城3本頁) 訂： ;線· Λ7 五、發明說明（9 ) 或氧化物蓋130。可以看出該STI構造25乃完全填滿該槽孔 4 ’而包含介電材料6及氧化物蓋130。該STI構造25會含有 几全平坦的頂面31，其係與該氮化物膜8的頂面1〇共平面。 依據本發明之一第二實施例，第3B圖乃示出在完成第 2圖之構造的後續步驟。依據該第二實施例，第2圖所示的 構U會被以於第4圖中所述的氧化技術來氧化。該氧化製程 會將示於第2圖中的矽膜26轉化成第3B圖所示的氧化物膜 126。該氧化物膜126乃包含蓋部13()，即位於該槽孔*上方 如第1圖所示之空隙區14的部份。該藉熱氧化·石夕膜所形成 的氧化物膜126，其拋光特性會較類似於該氮化物膜8，而 不似於由CVD法所製成的介電材料6。該氧化物膜126乃具 有一相似於氮化物膜8的拋光率。因此，當第3B圖所示的 構造被以CMP或其它技術來拋光時，即會產生如第4圖所 示的平面化構造。第4圖所示的構造乃如先前所述，當依該 第二實施例來製成時，其亦包含該蓋部i 3〇及完全平坦的頂 面3 1 ’該頂面3 1係實質與氮化物膜8的頂面1 〇共平面。 本發明之一特性與優點係於第4圖中所示的sti構造會 具有一完全平坦的頂面3 1。碟狀凹陷將可被消除。當使用 傳統方法來進行後續的處理操作，以除去該氮化物膜8及底 下的接面氧化物膜12時，該STI構造25的頂面31在去除操作 中雖可能會變低，但仍會保持大致平坦。第5圖係示出該 STI構造25在各種傳統製程已被完成，而除掉第4圖所示之 氮化物膜8及接面氧化物膜12後的狀態。在一實施例中，該 氮化物膜8乃可在一溫度超過16(rc的熱磷酸中被蝕掉去 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------訂---^-------線— 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 486780 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ Λ7 ____ Γ>7 五、發明說明（10 ) 际，叫孩接I&乳化物膜1 2則可後續以氫氟醍來侵蝕去除。 在除掉該氮化物膜8之前，乃可依據一般的方法而選擇性地 進行一習知的析除程序，來除掉任何生成於該氮化物膜8 上的微量氧化物。 由圖中乃可看出該STI構造25含有一頂面33，其得以一 大約50至500埃的距離35高出於基材2的頂面3上，乃視該等 膜層8與12的原來厚度，及用來除掉它們的技術而定。在不 同的實施例中，該距離35亦可採用其它數值，包括〇。該 STI構造25的上部邊緣37等，乃可依用來除去膜層8與丨2等 之處理操作的結果而呈直角或圓曲狀。但可看出該等邊緣 37不會含有尖銳的朝上突體，且該頂面33的周緣亦不會相 對於該頂面33的中心而凸升。該頂面33係相當地平坦。本 發明之一優點係，後續生成的聚矽或其它半導體薄膜，在 延伸覆蓋於第5圖所示的S·造上時，冑不會有形成局部 電場的作用。 弟6圖係僅供比較之用，而示出使用習知方法所製成的 sn構造25,其在邊緣處乃含有尖銳朝上的突體39。當有一 後續形成的聚石夕或其它半導體薄膜覆設在第6圖所示之習 则構造上時’且該構造並非依據本發明來製成者，則在 ，聚^其它半導體薄膜（未示峨蓋該等升高突㈣之 處’將會形成不良的局部電場。 使用的是’本發明係在製成淺槽隔離構造，而 使用I知的拋光技術來平面化於該槽孔内的沈 時，提供-種方法來克服所產生的 膜 曰現象者。本發明的 -------------裝--------訂---1------線 (請先閱讀背面之注意麥項再iu,;'::'本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 — I)< 發明說明（11 ) 方法乃可應用於各種的STI或其它的構造，其含有介電材料 设於一槽孔中，並具有一頂面凹陷低於設有該槽孔的表面 者。 以上所述僅為說明本發明的原理。應可瞭解專業人士 將可得知各種不同的設計，其雖未被詳述或示出於此，但 仍應用本發明的原理，而包含於其精神與範圍中。例如， 本發明的方法乃可被用來修正當有任何其它裝置被製成於 一槽孔中，而以拋光技術平面化時所產生的凹陷問題。此 外，該凹陷現象會造成該STI構造中的表面不規則狀，而非 僅如所不的尖銳突緣。 於此所述之所有舉例及條件用語皆僅供說明之用，以 幫助閱讀者瞭解本發明的原理及發明人對該領域所提供的 概念，而並非作為該等詳揭之例與條件的限制。又，於此 所述有關本發明之原理、態樣與實施例之說明，以及其具 體之各例等，係、皆含括其構造與功能上的等效實施。而且， 該等效實施乃包含目前已知的等效物以及未來可能發展出 的等效物，即，任何可能被發展出的元件，其能達成相同 的功能而不論其構造㈣。因此，本發明的範圍並不僅限 於在此所示及描述的實施例。本發明之範圍與精神乃被陳 明於所附之申請專利範圍中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 χ 297公爱） I 丨 · I I I I I I I 一，。, ·1111111» I— — — — — — — — — — — — I. (請先閱讀背面之;1.意事項4填寫本頁) 14 486780 五、發明說明（i2 ) 元件標號對照

2...半導體基材 20...槽深 3...頂面 24…槽寬 4...槽狀開孔 25...淺槽隔離構造 6...介電材料 26...矽膜 8···拋光擔止層（氮化物膜） 30...蓋部 10...頂面 3 1...頂面 12…氧化物膜 3 3...頂面 14...空隙區 37…上部邊緣 15...邊緣 39...尖銳朝上突體 16...空隙最大深度 126…氧化物膜 17...較低點 130…氧化物蓋 18...頂面 (請先閱讀背面之注意事項成：：叫寫本頁) 經舍部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 15

Claims (1)

1. 種供形成淺槽隔離構造的方法，包含以下步驟·· (a) 提供一基材具有由一第一材料製成之上表面， 開孔由該上表面向下延伸，該開孔係部份地裝填一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   :電材料’並在由該上表面所形成之一上部平面的下方 含有一空隙區； (b) 沉積一矽膜覆蓋該上表面並填滿該空隙區； (c) 熱氧化該矽膜而將該矽膜轉化成二氧化矽膜； 及 ' ’ ⑷除掉在該上部平面上方之二氧化矽膜的部份。 ::專利乾圍第1項之方法，其中該步驟⑷乃包括形 二氧化矽之蓋部留存在該空隙區中並將之填滿，該 蓋4具有_頂面係與前述之上表面實質地共平面。 3.如申請專利範圍第1項之方法，其中該第-材料包含氮 申明專利範圍第1項之方法，纟中該步驟⑻乃包含沉 積一種多晶矽膜或非結晶矽膜。 申。用專利範圍第1項之方法，#中該步驟⑷乃包含化 學機械拋光。 申π專利圍第1項之方法，其中該步驟⑷乃包含在 50 C至11OG C溫度範圍内之一種快速熱退火或供爐氧 化處理。 士申明專利範圍第1項之方法，其中該介電材料係由化 學蒸氣沉積法所製成。 8·如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟⑷乃包括提

   本紙張尺&_中關家標準（CNS)A4規格（― 297公釐）

   16 、申請專利範圍 供-半導體基材具有該第_材料設於其上，該開孔係延 伸貫穿該第—材料’並以25⑼至35GG埃的深度伸入該半 導體基材中。 9.如申請專利範圍第旧之方法，其中該步驟⑷乃包含下 列步驟： (1) 提供一半導體基材具有該第一材料設於其上； (2) 蝕刻該開孔貫穿該第一材料，並向下伸入該半 導體基材中； (3) 將該介電材料膜沉積在該上表面上並填滿該開 1 ;及 (4) 除掉該上表面上方的介電材料膜部份，並使在 違開孔内之介電材料的上水平面凹陷而低於前述之上 部平面’以形成該空隙區。 m 線 10:申請專利範圍第9項之方法’其中該第一材料係包含 虱化矽並被設在另一生成於該半導體基材上之二氧化 矽膜上，且該步驟（2)乃包括蝕刻該開孔貫穿該另一二 氧化矽膜。 η.如申請專利範圍第9項之方法’其中該步驟⑷乃包括化 學機械拋光。 申請專利範圍第！項之方法’更包含步驟⑷即除去該 弟’一材料。 13·—種供形成淺槽隔離構造的方法，包含以下步驟· (a)長:供一基材具有由一第一材料製成之上表 及一開孔由該上表面向下延伸，該開孔係部份地裝填一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2IG X 297公爱 A8 B8 C8 D8

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   介電材料，並在由該上表面所形成之一上部平面的下方 含有一空隙區； (b) 沉積一矽膜覆蓋該上表面並填滿該空隙區，· (c) 除掉在該上部平面上方的矽膜之第一部份；及 (d) 氧化被沉積在該空隙區中之該矽膜的第二部 份，而將該矽膜的第二部份轉化成二氧化矽材料。 14·如申請專利範圍第13項之方法，纟中該步驟⑷乃包括 製成該矽膜的第二部份留存在該空隙區中並將之填 滿’而該第二部份具有_頂面係與前述之上表面實質地 共平面。 15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該第―材料包含氣 化矽。 16. 如申請專利範圍第13項之方法’其中該步驟⑷乃包含 化學機械拋光。 17. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該步驟⑷乃包括 提供—半導體基材具有該第_材料設於其上，該開孔係 延伸貫穿該第-材料，並以25⑻至3_埃的深度伸入該 半導體基材中。 18·如申請專利範圍第13項之方法，其中該步驟⑷乃包含 下列步驟： ⑴提供_半導體基材具有該第—材料設於其上； ,(2)_該開孔貫穿該第-材料，並向下伸入該半 導體基材中； 將β 電材料膜沉積在該上表面上並該開

   本紙張尺度_巾關家標HNS)A4規格（21^ 297公釐）

   18 爐 化 /、、申凊專利範圍 子L ;及 (4)除掉該上表面上方的介電材料膜部份，並使在 ^開孔内之介電材料的上水平面凹陷而低於前述之上 部平面，以形成該空隙區。 19·如申請專利範圍第13項之方法，其中該步驟⑷乃包含 &550C至1100 °C溫度範圍内之一種快速熱退火或烘 氧化處理。 20.如申凊專利|巳圍第13項之方法，其中該介電材料係由 學蒸氣沉積法所製成。 ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線· •經濟，部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19