TW478997B - Substrate polishing - Google Patents

Substrate polishing Download PDF

Info

Publication number
TW478997B
TW478997B TW087107867A TW87107867A TW478997B TW 478997 B TW478997 B TW 478997B TW 087107867 A TW087107867 A TW 087107867A TW 87107867 A TW87107867 A TW 87107867A TW 478997 B TW478997 B TW 478997B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
head
adjuster
fluid
plate
adjuster head
Prior art date
Application number
TW087107867A
Other languages
English (en)
Inventor
Ilya Perlov
Eugeni Gantvarg
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW478997B publication Critical patent/TW478997B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Description

A7 B7 五、發明説明() 發明領域= 本發明係關於包含化學機械研磨(CN1P)在内之基材研 磨技術。 發明背景= 化學機械研磨為一種處理,一基材表面藉由該處理而 被一研磨板及一研磨泥漿所平順(平坦化)成一均勻的水 平。一將被研磨的通常被架設於一可轉動的載具頭上並被 壓頂住一轉動的研磨板。該研磨板典型地包括一具有粗糙 表面之圓盤。一研磨化學溶液(泥漿)被沉積於該研磨板上 以達成一所想要的基材表面加工。一段時間之後,該研磨 處理會讓研磨板表面變光滑並在該研磨板表面產生不規 則其對於孩基材的表面加工會有不利的影響。該研磨板表 面典型地被”調整,,,藉此該研磨板表面藉由用被稱為一端 效應器之研磨裝置來沖洗該研磨表面而被去光滑且表面 的不規則被去除。 發明目的及概沭: 在本發明的一態樣中,本發明提供了一種使用於基材 研磨中之設備及方法’其中一調整器頭被提供來接受一用 來碉整一研磨板表面的端效應器;該調整器頭被支撐於該 將被調整之研磨表面之上;及該調整器頭被來自於一位在 大致上與該將被調整之研磨板表面正交的位置之作動力 所驅動’使得附著於該調整器頭上之端效應器能夠調整該 ----第5頁 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) /\4蚬格(210X297^*7 (請先閱讀背面之注會事項耳济^’ 貧 •髮· 、r 經濟部中央標隼局員工消f合作社印製 A7 ---------- B7 五、發明説明() 研磨板的表面。 在另一態樣中,本發明提供了一種使用於基材研磨中 <設備及方法,藉由該方法及設備,氣壓是經由該調整器 頭支撐臂而被供應,用以施加作動力給該調整器頭使得附 著於該調整器頭上之一端效應器可調整該研磨表的表 面。 在仍為本發明的另一態樣中,本發明提供了一種使用 於基材研磨中之設備及方法,藉由該方法及設備,該調整 器頭支撑臂具有一延伸於其内之流體通道及一流體孔,其 中孩流體通道被作成容納沖洗流體及流體孔被作成將來 自於該流體通道之沖洗流體朝向該將被調整之研磨表面 導引。 經濟部中央標準局員工消费合作社印^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 實施例可包括下面特徵中的一或多項。該調整器可被 一支撐臂支撐於該研磨板表面之上,及一作動力可被一驅 動器施加於該調整器頭上。該驅動器可將沿著一與該將被 調正之研磨板表面正交的線上之作動力施加於該調整器 頭上。該驅動器可包括一耦合於該調整器頭與該支撐臂之 間的驅動軸,及該驅動軸可沿著一驅動軸的軸線被線性地 朝向或遠離該將被調整之之研磨板被作動,該軸線大致上 正交於該研磨板的表面。該驅動器可包括一耦合於該驅動 軸與一内部腔室之間的流體膜,其中該流體膜在該驅動轴 被線性地作動時,將流體密封於該支撐臂的内部腔室之 内。該驅動軸可被建構成可轉動該調整器頭。一水平自由 平衡機構(gimbals mechanism)可耦合於該驅動軸與該調整 ---—----芝6 頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )以坭枯(210X297公:-—— 7 9:, 一 9:.:';. 8:; 7 ί A7 B7 五、發明説明( 經濟部中央標牟局員工消费合作社印裝 為頭(間用以允许茲碉整器頭轉動並相對於該驅動軸的 轴線傾斜一肖度。該支#臂可具有搞合至一底座之另一 端’該另一端被建構成可將該調整器頭移動於該將被調整 之研模板的表面上。 當一驅動力從一個不是沿著與該研磨板表面正交的 線上的位置被施加#該龍器頭時,胃驅動力及該反作用 的正向力會造成一扭矩的產生,該扭矩會將該調整器頭抬 起離開琢研磨板表面;此一扭矩會導致不穩定及因而降低 均句地施加力量於該研磨板表面上的能力。藉由用來自於 一沿著大致上與該研磨板表面正交的線上的位置的作動 力量來驅動該調整器頭,依照本發明的一個態樣,該正向 力及該驅動力兩者都是沿著相同的線且只有很小或沒有 扭矩被產生。因此本發日月允許力#被可控制地及穩定地施 加於一研磨板表面,這改善了一研磨板表面戶斤能調整之均 勻度及藉此改善了整個的研磨處理。依據本發明的另一態 樣’經由該支稱臂供應出沖洗流體至該研磨板表面讓整個 研磨設備的大小可被降低並改善控制沖洗流體輸送的控 制。 其它的特徵及優點從下面包含圖示及申請專利範圍 在内之說明將會變得很清楚。 圖式簡單說明: 第1 A圖為一研磨設備的立體圖。 弟1B圖為第1A圖中之研磨設備的分解圖; 請 先 閲 讀 背‘ 面 之 注 意* 項 再 填 本、 頁 .旅 訂 線 本紙悵尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現彳Μ 210X 29"7公筇) 478997 A7 B7 五、發明説明() 經濟部中央標挲局員工消费合作社印¾ % 2A 及2B圖為一被研磨 的 基材 及 被第 1 圖之研 磨設 備 所 調整的頂視圖。 第 3A 圖為一驅動器施加 來 自於 一 個不 是 沿著一 與該 將 被 調整之研磨板表g r正交的線上的位置之 作動 力 於 該調整器頭的示意 圖 〇 第 3B 圖為一驅動器施加 來 自於 一 個沿 著 一與該 將被調 整 之研磨板表面正交的線上的位置之作動 力於 該 調 整器頭的示意圖。 第 4A 圖為一研磨板調整 器 的示 意 側視 圖 ,該調 整器 在 ,^ 伸展的位置包括一 載 具頭 〇 第 4B 圖為在第4A圖中之 研 磨板 調 整器 的 一部分 的示 意 側 視圖,其中該載具 頭 是在 一 收回 的 位置。 第 4C 圖為在第4A圖中 之 研磨 板 調整 器 之載具 頭的 示 意 圖。 第 4D 圖為一水平自由平 衡機構 的 示意 側 視圖, 該機構將 第4A圖中之研磨 板 調整 器 的載 具 頭耦合 至一 調 整 器驅動軸。 第 4E 圖為第4A圖中之 研 磨板 調 整器 的 基座的 示意 側 視 圖。 圖 號對照說明: 10 研磨設備 12 外殼 14 研磨站 18 轉盤 20 載具頭 22 基材 裝 載設備 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線. - -—---第 8頁 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4^格(210x297公兑) 1 严V ;: 9 9一 8 7 A7 B7 五、發明説明( 經濟部中央標皋局一貝工消费合作社印裝 24 槽盆 26 液體浴 28 匣 30 基材 32 臂 34 軌道 36 手腕總成 38 匣鉗 39 爽持站 40 基材葉片 42 支撐板 44 槽缝 46 軸 48 馬達 50 側壁 52 平台 54 研磨板 56 調整器 57 桌台 60,7f ; 調整器頭 62 臂 64 基座 66 杯件 69,70,72 箭頭 7 1,73,75 喷水嘴 76 研磨板表面 82 線 84 驅動器 86 外殼 88 流體腔穴 90 面板 92 流體膜 94 夾子 96 另一端 98 環形夾 100,102,1 10 螺 104,108 凸緣 106 栓槽軸 112,114,116 流體通道 118,120 箭頭 117 入口孑L 122 槽輪 124 栓槽螺帽 126,128 環形軸 13 0,131 上軸環 132 下軸環 134 環形隔件 1 36,1 3 8 軸承 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4^格(210X2W々>^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
• "'ΐίΛ I 478997
Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印說 發明説明() 140 面板 142 ^哀形磁鐵 144 銷 146,148 球珠轴承 147, 149 彈簧 150 環形籠 152 上環形軸承環 154 下環形軸承環 156 扭矩傳送銷 158 突出部 160 凹部 162 0形環 170 端效應器 168 球形對稱中心 180 支撐板 182 馬達架子 184 諧波驅動器 186,1 88 凸緣 190 驅動掃掠馬達 192 驅動軸 194 夾子 196 齒輪 198 輪緣驅動齒輪 199 袖承 200 槽輪 202 驅動轴 204,206 齒輪 208 夾子 210 馬達驅動軸 216,218 軸承 222 内管 224 流體入口 226 外管 發明詳細說明: 參照第1A及1B圖,一研磨設備1 〇包括一外殻 其包含三個獨立操作的研磨站14,,基材傳送站16,及 一可轉動的轉盤18其指揮四個獨立 <轉動之載具頭2〇的 操作。一基材裝載設備22附著於該外殼丨2的一側上,該 裝載設備包括一槽盆24其容納一液體浴26,基材3〇的匣 12 (請先閱讀背面之注意事項芥填寫本貢) 訂 線. 本紙張尺度適用中國國家標卑(CNS ) 第10頁 478997 經濟部中央標準局K工消费合作社印裝 五、發明説明( 28在被研磨之前會被浸泡在該液體浴中。一臂32沿著一 直線軌道34上升並支撐一手腕總成36,其包括一匣鉗38 用來將匣28從一固持站39移入該槽盆24中及一基材葉 片40用來將基材從槽盆24傳送至傳送站16。 轉盤18具有一帶有槽口 44的支撐板42,該載具頭 20的軸46可穿過該槽口。載具頭20可獨立地轉動且在槽 口 44中來回地振盪以達到一均勻研磨的基材表面。載具 頭20被馬達48所轉動,馬達通常被藏在轉盤1 8之可取 下之側壁50之後。在操作時,一基材從槽盆24被裝載至 傳送站16,該基材從傳送站被傳送至一載具頭2();轉盤 1 8然後將該基材傳送通過一系列的研磨站1 4,最後將該 經過研磨的基材送回到傳送站1 6。 每一研磨站14包括一可轉動的平台52,其支撐一研 磨板54,及一研磨板調整器56^平台52及調整器56兩 者都被安裝該研磨設備1〇内之^台57上。每一研磨板調 整器56包括一調整器頭60,一臂62,π w _ 整器頭60置於一將被調整之研磨板54的表面之上。每一 研磨站14 *包括一杯# 66其《納用來沖洗調整器頭6〇 之液體。 參照第2A及2B圖,在操作的一個模式中,當研磨板 54在研磨一被安裝於載具頭20上之基材時,該研磨板54 被研磨板調整器5 6所調整。,效# 正員⑼以一與載具頭2n 橫過該研磨板54的運動同击夕、忠 一·— 力门步艾運動掃過研磨板54。例 一帶有一將被研磨之基材的載 J執具顽20可被置於該 如 --—-----EJJJT 本纸張尺度適用中國國家標準(cns ) - (請先閱讀背面之注意事項耳填寫本頁) •养- 線
V 478997 經濟部中央標莩局員工消费合作.社印¾ Α7 Β7 五、發明説明() 磨板54的中心且調整器頭60可被浸泡於容納在該杯件66 内之沖洗液中。在研磨期間,杯件66可如箭頭69所示轉 出路徑之外,且載有基材之調整器頭6〇可被來回地掃過 該研磨板54,如箭頭70及72所示。三個嘴水嘴71,73 及75可將水注指向該研磨板54用以將泥漿從該研磨板表 面上沖洗掉。 關於該研磨設備10之一般特徵及操作之進一步的細 節,請參照被讓渡給本案申請人,名稱為” c〇ntinu〇us
Processing System for Chemical Mechanical p〇iishing”,於 1995年十月27日申請,案號為08/549,336號的美國專利 申請案,其内容藉由此參照而被併於本文中。 參照第3A圖,當一驅動力(Fdriver)從一不是沿著與該 研磨板表面76正交的線上的位置被施加於一調整器頭75 上時’孩驅動力及反應的正向力邙㈢⑽“會造成一逆時鐘 的扭矩(τ,)其會將該調整器頭75舉離該研磨板表面76。 如第3B圖所示,依據本發明的一個態樣,當作動力從一 個沿著一與該將被調整之研磨板表面正交的線上的位 置犯加於調整器頭60上時,正向力及驅動力兩者都是沿 著相同的線82且只有很小或甚至沒有扭矩的產生。因此, 本發明允許力量被可控制地及穩定地施加於一研磨板表 面’這改善了一研磨板表面所能調整之均勻度及藉此改善 了整個的研磨處理。 參照第4A及4B圖,該調整器56的支撐臂62具有一 與該調整器頭60摘合的一端及一與該基座64耦合的另一 本紙張尺度適用?( eNS } -------^~~ - ---J-----裝,------訂------線Ί ;.. ,'二 (請先閱讀背面之注意事項耳填寫私頁) 478997 經濟部中央標革局员工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明() 端,其將該調整器頭60掃過一研磨板表面。一驅動器84 將調整器頭60耦合至臂62並將該調整器頭60驅動於一 伸展的位置(第4A圖)與一收回的位置(第4B圖)之間。如 上所說明的,驅動器84是從一個沿著一與該將被調整之 研磨板表面正交的線上的位置施加一作動力至調整器頭 60,用以顯著地降低在該研磨板調整器56中所產生的扭 矩量。 參照第4C圖,驅動器84包括一外殼86其界定一流 體腔穴88的内部。流體腔穴88進一步被一面板90及一 流體膜92所界定,該流體膜是由氯丁橡膠所製成,並具 有約40的橡膠硬度及約0.03英吋的厚度。流體膜92具有 一端93其藉由一環形夾98而被附著於該外殼86上,該 環形夾藉由螺栓100,102而被固定於面板90上。一凸緣 104將該面板90轉合至一栓槽軸106,其接著被一螺栓11〇 搞合至調整器頭6 0的一凸緣1 〇 8上。在操作時,流體腔 穴88容納經加壓的空氣經由界定於該驅動器外殼86内之 流體通道1 1 2及1 1 4及經由一流體通道丨丨6其延伸通過臂 62及通過基座64到達入口孔117(第4A圖)。在該流體腔 穴88内所累積起來的空氣壓力在由箭頭i丨8所示的方向 上驅動面板90,栓槽軸1〇6,及調整器頭6〇。當空氣從流 體腔穴88排出時,在流體腔穴88内之氣壓的降低造成面 板90,栓槽軸106,及調整器頭6〇收回於由箭頭12〇所 示的方向上。 流體通道116包括分開來的管子用來分別接受空氣及 _____ 第13頁 本纸浪尺度適用中國國家標準(CN’S ) Λ4( ~~ ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線·丨
A7 __________B7 五、發明説明() ~ 冲先合液如水。該沖洗溶液管與沿著臂62設置之噴 水嘴71 73及75相連接(見第2A,2B及4A)。該沖洗溶 液可在研磨之前,加胡 爲 期間及义後被用來沖洗一研磨板表面 用以防止泥漿的沉積。 動器84亦包括-有齒的槽輪122其與一栓槽螺帽 124耦口有齒的槽輪122及栓槽螺帽124被一有齒的驅 動皮帶輪(未示出)其是由一在基座64中之馬達所驅動(於 下文中詳細說明)栓槽螺帽1 24與栓槽軸1 〇6相嚙合藉 此栓槽軸106及調整器頭6〇在被驅動皮帶所驅動時轉 動。一對環形軸承126, 128被一上軸環13〇, 131及一下 軸環132維持於臂62與栓槽螺帽124之間的位置上·,環 形軸承126, 128被一環形隔件134隔開。環形軸承126, 128讓栓槽螺帽124能夠相對於臂62自由地轉動。一對軸 承136 I38讓检槽螺帽124及栓槽軸1〇6能夠相對於面 板90自由地轉動。 經濟部中央標準局負工消费合作社印¾ (讀先閲讀背面之注意事項再填齊4^頁) 線 調整益頭60包括一面板14〇其具有一環形磁鐵η〕 用來將一端效應器(未示出)維持於位置上,該端效應器被 用來調整一研磨板的表面;銷144被用來嚙合並藉此將扭 矩傳送至一被固定於面板丨4〇上之端效應器。面板14〇及 凸緣108被一水平自由平衡機構所耦合,該水平自由平衡 機構包括多個球珠軸承146,148座落於在一環形籠15〇 的孔中並位在一上環形軸承環152及一下環形軸承環I” 之間。球珠軸承146,148及彈簧147,149讓面柄Ί/1 攸i 4 〇能 夠相對於栓槽軸106自轉轉動。該自.轉轉動的限户 /人為二個 ___ —__第u貫 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4( 210X29t7>^~ 478997 Α7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印1Ϊ 五、發明説明() 扭矩傳送銷156所限制該等銷係安裝於凸緣1〇8(只有一銷 於第4B圖中不出)^扭矩傳送銷156具有突出部ι58其延 伸進入在面板140中的凹部16〇並將玄轉力量從凸緣傳送 至面板140每突出部158包括一 〇形環162其硬度约 為40的橡膠硬度,該〇形還限制了介於面板14〇與凸緣 108之間的自轉程度。雖然受到限制,但此自轉讓面板14〇 能夠補償在一研磨板的表面上之小的形貌(features)使得 該面板1 40的一侧不會用比另一側大的力量來研磨。 參照第4D圖,該水平自由平衡機構被建構成能實質 上降低研磨板54的表面的不均勻的調整。由球珠軸承 146, 148及上及下軸承環152, 154所構成的球窩關節使 得對稱1 68的球形中心與產生於一附著於調整器頭6〇上 的端效應器170與一研磨板之間的磨擦扭矩中重疊。當該 研磨板及孩端效應器的壓縮及變化的側向一致性被加以 考慮時,該旋轉中心168即變成在該研磨板與該端效應器 之間的轉動磨擦力在相對於該中心i 68的正交方向上幾乎 不會產生淨扭矩。亦即,該水平自由平衡機構被建構成將 該調整器頭60拉引橫越過一研磨板所需要之合力出 現在介於調整器頭6〇與該研磨板之間的界面的平面上; 此平面與包含介於調整器頭6〇與該研磨板之間的合磨擦 力(F’)的平面相同。產生於調整器頭6〇與該研磨板之間之 所獲得的淨扭矩因而被實質上地降低因為合牽引力(r,)及 合磨擦力(F,)是在相同的平面上,只有很小或甚至沒有將 這些合力分開來的力臂被產生。此架構實質上降低調整頭_______第15頁 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) ΜΊΰΓΓ210X ' ~~ -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •ϋ ί· · 音/ 、ar
A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印¾ 478997 五、發明説明() 轉動的傾向,該轉動的傾向會造成調整頭60在整個研磨 板54上不均勻地施加研磨壓力。 參照第4E圖,基座64包括一樞轉支撐板18〇,其附 著於臂62上’及一馬達架子182,其安裝於一捉台表面 57上。馬達架子1 82固定在一諧波裝置丨84上(例如,由 美國麻州 Peabody Teijin Seiki Boston Harmonic Drive Technology所生產的諧波裝置)。該諧波裝置184之高速, 低扭矩側係固定於馬達架子1 8 2上,而其低速,高扭矩側 則經由凸緣而被固定於樞轉支撐板180及臂62。一驅動掃 掠馬達190係安裝於該馬達架子182上在桌台57底下。 驅動掃掠馬達190具有一驅動軸192其經由一夾子194而 與一齒輪196_合’該逮輪與該諧波驅動器184的一輪緣 驅動齒輪198嚙合。在操作時,驅動掃掠馬達19〇驅動諸 波驅動器184’其接著轉動該樞轉支撐板180,藉此將該 臂62來回掃過一研磨板的表面。軸承199讓樞轉支標板 1 8 0能夠相對於馬達架子1 8 2自由地轉動。 如在第4C圖中所提及的,調整器頭60是藉由用一與 一在該臂62的一端上之有齒的驅動皮帶嚙合之有齒的槽 輪122來驅動栓槽軸1〇6及栓槽螺帽124而被轉動的。在 臂62的另一端上,如第4D圖中所示,該有齒的驅動皮帶 (未示出)與一相對應的有齒槽輪200嚙合,該槽輪是與驅 動軸202的一端相耦合。該軸202的另一端具有一齒輪2〇4 其與一透過一夾子208而與一調整器馬達212的馬達驅動 軸210耦合之齒輪嚙合。齒輪204,206被包含於—固定 ___第16頁 本紙狀度適财®雜㈣·( GNS )〜題(210X2977>^ — ~ —-- 請 先 閱 讀 背 ιέ 意 事 項 再 頁、
A / A7 五、發明説明( 經濟部中央標嗥局員工消费合作社印^ 在該桌台57上的齒輪帛214内。馬達驅動軸21〇的轉動 帶動有齒的㈣122的轉動,藉此轉動調整器頭6〇。謀承 216,218讓驅動軸202能夠相對於樞轉支撐板18〇及馬達 架子182自由地轉動。 空氣經由一氣體入口 117被引入並從調整器56被排 出,該入口與一延伸穿過驅動軸2〇2並與流體通道ιι6連 接之内管耦合。被用來沖洗一附著於調整氣頭6〇上之端 效應器的流體,如水,是經由一流體入口 224而被引入調 整器56,該入口與一界定於該内管222的外表面及一外管 226的内表面之間的環形通道相糕合 研磨板調整器5 6可以許多不同的方式來使用。例如, 研磨板調整器56可由一在一電腦上執行的軟體程式來加 以控制。一研磨板可在一基材被研磨之前,期間,或之後 被條整。有許多種的端效應器可被使用。通常,一端效應 器包括一研磨表面,如嵌設鑽石的表面,其被壓抵一研磨 板用以將該板去光並移除任何表面的不規則物。該研磨表 面可依照所需要之基材表面而具有齒或凹部。一端效應器 可具有一黏貼表面用來將該端效應器附著於該調整器頭 上。 其它的實施例是在申請專利範圍的範圍之内。 第17頁 〈请先間讀背面之注意事項存填寫本頁) 線 本紙張尺度適用中國國家標嗥(CNS ) /\4丨見梠 (210X 2叩公分

Claims (1)

  1. 478997 A8 B8 C8 D8 第打〜浓/號卿J案怍年7厂月修正 六、申請專利範圍
    煩«委rKG示,本穿C ;質内容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 · 一種用於基材研磨之設備,該設備至少包本: 一調整器頭,其被建構成可接納一用來調整一研磨 板的表面之端效應器; 一支撐臂,用來將該調整器頭支撐於該將被調整之 研磨板表面之上;及 一驅動器,其被耦合於該調整器頭與該支撐臂之 間’用以對該調整器頭施加來自於一個沿著一大致與該 將被調整之研磨板表面正交的線上的位置之驅動力,該 驅動器包含: 一驅動軸,耦合在該調整器頭及該支撐臂之 間,該驅動軸可以線性方式沿一驅動軸往該待被調整之 研磨板方向作動或往相反方向作動,其中該驅動軸大致 與該待調整之研磨板表面垂直, 一内部腔穴,及 一流體膜,將流體密封在該驅動器之内部腔穴 中,其中該流體密封動作是在該驅動軸以線性方式作動 而提供一作動力予該調整器頭、並使該調整器頭延伸往 該研磨板表面或往該研磨板之反方向縮回之時進行 的’藉此使附著於該調整器頭上之一端效應器可調整該 研磨板的表面。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該驅動器對該 調整器頭施加一沿著一大致與該將被調整之研磨板表 面正交的線上的位置之驅動力。 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 賣 裝 訂 線
    氣動驅動器。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之设備’其中3驅動軸被建 構成可轉動該調整器頭。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之設備,其更包括一水平自 由平衡機構其被耦合於該驅動軸與該調整器頭之間,該 水平自由平衡機構讓該調整為頭犯夠相對於該驅動軸 線轉動及傾斜一角度。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該支撐臂具有 另一端其與一基座耦合,該另一端被建構成可將該調整 器頭移動於該將被調整的研磨表面上。 7·如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該支稽臂具有 一近中央端及一末端,其中該末端耦合至該調整器頭, 該支撐臂更包括: 一流體管路其延伸通過該支撐臂; 一流體孔,位於該支撐臂之近中央端及末端之間, 用以提供沖洗流體至該研磨板表面上。 8 · —種用在基材研磨上的方法,該方法至少包括下列步 驟: 第19頁
    六、申請專利範圍 提供一調整器頭,其被建構成可接納一用來調整一 研磨板的表面之端效應器; 將該調整器頭支撐於該將被調整之研磨板表面之 上;及 利用一驅動器作動該調整器頭,其中該驅動器包含 一驅動軸、一内部腔穴及一流體膜,其中該驅動轴耦合 在該調整器頭及該之撐臂之間,並可以線性方式沿一驅 動轴往該研磨板表面作動或往向作動,其中該驅動軸大 致與該待被調整之研磨板表面垂直,而該流體膜在該驅 動轴線性作動時將流體密封在該驅動器之内部腔穴之 中’以使附著於該調整器頭上之一端效應器可調整該研 磨板的表面。 9.如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該調整器頭為 氣動的。 1 〇·如申請專利範圍第8項所述之方法,其更包括轉動該調 整器頭的步驟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該調整器頭被 一支撐臂支撐於該研磨板表面之上,其中該支撐臂有一 近中央端及一末端,而在該近中央端及該末端之間有一 流體孔,且該方法更包括經由該支撐臂供應沖洗流體至 該研磨板表面的步驟。 第20頁
    ^紙張尺度過用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW087107867A 1997-07-11 1998-05-20 Substrate polishing TW478997B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/890,781 US6036583A (en) 1997-07-11 1997-07-11 Conditioner head in a substrate polisher and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW478997B true TW478997B (en) 2002-03-11

Family

ID=25397137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087107867A TW478997B (en) 1997-07-11 1998-05-20 Substrate polishing

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6036583A (zh)
JP (1) JP4346816B2 (zh)
KR (1) KR100513067B1 (zh)
TW (1) TW478997B (zh)
WO (1) WO1999002305A1 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6036583A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Conditioner head in a substrate polisher and method
US6200199B1 (en) 1998-03-31 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6354918B1 (en) * 1998-06-19 2002-03-12 Ebara Corporation Apparatus and method for polishing workpiece
US6033290A (en) * 1998-09-29 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6358124B1 (en) 1998-11-02 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Pad conditioner cleaning apparatus
US6217430B1 (en) 1998-11-02 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Pad conditioner cleaning apparatus
TW383644U (en) * 1999-03-23 2000-03-01 Vanguard Int Semiconduct Corp Dressing apparatus
US6225224B1 (en) * 1999-05-19 2001-05-01 Infineon Technologies Norht America Corp. System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer
US6343974B1 (en) * 2000-06-26 2002-02-05 International Business Machines Corporation Real-time method for profiling and conditioning chemical-mechanical polishing pads
US6645046B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-11 Lam Research Corporation Conditioning mechanism in a chemical mechanical polishing apparatus for semiconductor wafers
TW458853B (en) * 2000-07-14 2001-10-11 Applied Materials Inc Diaphragm for a CMP machine
US6572446B1 (en) 2000-09-18 2003-06-03 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing pad conditioning element with discrete points and compliant membrane
ITCA20010001A1 (it) * 2001-01-19 2002-07-19 Commersald S P A Apparato per affilare oggetti
US6749494B2 (en) * 2001-04-11 2004-06-15 Michael C. Mandall Conditioning tool
KR100462868B1 (ko) * 2001-06-29 2004-12-17 삼성전자주식회사 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
US6716093B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-06 Lam Research Corporation Low friction gimbaled substrate holder for CMP apparatus
US6949016B1 (en) * 2002-03-29 2005-09-27 Lam Research Corporation Gimballed conditioning apparatus
KR100468111B1 (ko) * 2002-07-09 2005-01-26 삼성전자주식회사 연마 패드 컨디셔너 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치
KR100562498B1 (ko) * 2003-02-12 2006-03-21 삼성전자주식회사 씨엠피 설비의 패드 컨디셔너
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7367872B2 (en) * 2003-04-08 2008-05-06 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing
US6905399B2 (en) * 2003-04-10 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Conditioning mechanism for chemical mechanical polishing
US6769972B1 (en) * 2003-06-13 2004-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP polishing unit with gear-driven conditioning disk drive transmission
US6953382B1 (en) * 2004-06-24 2005-10-11 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatuses for conditioning polishing surfaces utilized during CMP processing
US7040954B1 (en) 2004-09-28 2006-05-09 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for controlling polishing surface characteristics for chemical mechanical polishing
TWI385050B (zh) * 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US7210981B2 (en) * 2005-05-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Smart conditioner rinse station
CA2614483A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-18 Tbw Industries Inc. Enhanced end effector arm arrangement for cmp pad conditioning
US7597608B2 (en) * 2006-10-30 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Pad conditioning device with flexible media mount
KR100857692B1 (ko) * 2006-12-08 2008-09-08 동부일렉트로닉스 주식회사 디팩트 및 컨디셔닝 효과를 개선한 cmp 패드 컨디셔너
JP5306065B2 (ja) 2009-06-04 2013-10-02 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置およびドレッシング方法
US8920214B2 (en) * 2011-07-12 2014-12-30 Chien-Min Sung Dual dressing system for CMP pads and associated methods
CN103029039B (zh) * 2011-09-30 2016-01-06 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 压力检测装置及应用该压力检测装置的打磨设备
JP5919157B2 (ja) * 2012-10-01 2016-05-18 株式会社荏原製作所 ドレッサー
KR101455940B1 (ko) * 2013-07-22 2014-10-28 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마장치
JP6342198B2 (ja) * 2014-03-31 2018-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置の構成部品用のカバー、研磨装置の構成部品、および、研磨装置
US9375825B2 (en) 2014-04-30 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioning system including suction
US9987724B2 (en) 2014-07-18 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Polishing system with pad carrier and conditioning station
US9662762B2 (en) 2014-07-18 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Modifying substrate thickness profiles
USD795315S1 (en) * 2014-12-12 2017-08-22 Ebara Corporation Dresser disk
KR101657993B1 (ko) * 2015-07-14 2016-09-20 지앤피테크놀로지 주식회사 인쇄회로기판 등 판상가공물 연마용 화학기계적 연마장치
KR102629676B1 (ko) * 2017-01-31 2024-01-29 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 컨디셔너
KR102561647B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-31 삼성전자주식회사 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치
JP7287761B2 (ja) * 2018-07-31 2023-06-06 株式会社荏原製作所 球面軸受の軸受半径決定方法
KR102078342B1 (ko) 2018-08-17 2020-02-19 동명대학교산학협력단 접촉 영역의 조절이 가능한 다이아몬드 컨디셔너
KR20200127328A (ko) 2019-05-02 2020-11-11 삼성전자주식회사 컨디셔너, 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치 및 이 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
CN115401550A (zh) * 2022-10-14 2022-11-29 河北盛可居装饰材料有限公司 砂光装置及砂光设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308438A (en) * 1992-01-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing
US5245796A (en) * 1992-04-02 1993-09-21 At&T Bell Laboratories Slurry polisher using ultrasonic agitation
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
JP3036348B2 (ja) * 1994-03-23 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
US5486131A (en) * 1994-01-04 1996-01-23 Speedfam Corporation Device for conditioning polishing pads
JP2914166B2 (ja) * 1994-03-16 1999-06-28 日本電気株式会社 研磨布の表面処理方法および研磨装置
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5938507A (en) * 1995-10-27 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Linear conditioner apparatus for a chemical mechanical polishing system
US5833519A (en) 1996-08-06 1998-11-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical polishing
US6036583A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Conditioner head in a substrate polisher and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4346816B2 (ja) 2009-10-21
US6293853B1 (en) 2001-09-25
WO1999002305A1 (en) 1999-01-21
KR20010021731A (ko) 2001-03-15
JP2001510737A (ja) 2001-08-07
US6036583A (en) 2000-03-14
KR100513067B1 (ko) 2005-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW478997B (en) Substrate polishing
TW467795B (en) Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers
US6387289B1 (en) Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
TW458851B (en) System for chemical mechanical planarization
KR100524054B1 (ko) 폴리싱 장치와 이에 사용되는 대상물 홀더 및 폴리싱 방법 및 웨이퍼제조방법
US8287333B2 (en) Single type substrate treating apparatus and method
JP2001044150A (ja) ケミカルメカニカルポリシングのための装置および方法
TWI662610B (zh) 用於化學機械平坦化後之基板拋光預清洗的系統、方法及裝置
JP3595011B2 (ja) 研磨制御を改善した化学的機械的研磨装置
JPH11291165A (ja) 研磨装置及び研磨方法
TW467796B (en) Chemical-mechanical polishing apparatus with circular motion pads
TW414968B (en) Pad cleaning system of semiconductor device fabrication facility and cleaning method thereby
US6302773B1 (en) Polishing device, end face polishing apparatus having polishing device, and end face polishing method
TWI290877B (en) Polishing apparatus and polishing system for glass
US5766065A (en) Apparatus for polishing peripheral portion of wafer
JP2008296351A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6747328B2 (ja) 基材処理装置
JPH10118909A (ja) 端面研磨装置
US20020098784A1 (en) Abrasive free polishing in copper damascene applications
TW201302381A (zh) 板狀體之研磨裝置
US6267646B1 (en) Polishing machine
JP2001079743A (ja) ガラス研磨装置
JP2000288908A (ja) 研磨装置及び研磨方法
JPH1110505A (ja) 研磨機
JPH08118226A (ja) ウェーハのノッチ部研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees