TW466382B - A method for forming a resist pattern and a positive resist composition used for the same - Google Patents
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Description
A7 B7 4 6 6 3c 五、發明説明(i) 發明背景 本發明係關於形成正型光阻圖案之方法 > 以及其所使 用之正型先阻組成物》 更詳細地說,本發明係關於形成具有極佳耐熱性之正 型光阻圖案之方法,以及形成微細正型光阻圖案之方法, 經由放射線例如紫外線之照射並經由鹸性顯像劑之顯像而 形成光阻圖案,並供製造半導體積體電路使用,以及其所 使用之正型光阻組成物。 含酚醛淸漆樹脂作爲鹼溶性成份及醌二疊氮物化合物 作爲放射線敏性成份之正型光阻,經由光罩用放射線照射 (所謂的圖案化暴露)及經由鹼性顯像劑顯像,利用醌二 疊氮物化合物經由放射線活性分解之現象以產生羧基*且 隨後使鹼不溶性情形變成鹼溶性情形,得到正型影像,因 爲光阻通常有極佳的解析度,此種_以酚醛淸漆/醌二叠氮 物爲主之正型光阻廣泛地用在製造積體電路。 對於正型光阻,除了其他多種性質例如解析度、敏性 及外形之外,需要有高耐熱性,例如在其中明顯產生熱之 離子植入法及再流動法中,需要有高耐熱性。 離子植入法是一種其中使用光阻圖案作爲光罩將離子 例如硼及磷植入半導體基板之方法|在植入法中,產生離 子及高能量且此方法導致高溫其經常造成光阻圖案下陷或 混亂,由於光阻圖案下陷或混亂,無法形成正確的電路, 因此再離子植入法中需求有極佳耐熱性之正形光阻圖案。 再流動是一種提議使用正形光阻供形成微細接觸孔洞 本纸乐又度鸿/fl中R Κ家( (’NS >八4说格< 210Χ 297公釐) _4- ----------f 裝------訂------ο (ΐί先閱請背而之注意事項再本I ) . Ί Π 消 f.: A 印 id 6638 2_^_ 五、發明説明(2.) 圖案之方法,在再流動中,孔洞圖案之大小(去除光阻膜 之部份)經由加熱顯像後之光阻圖案•經由膨脹光阻而下 降,且經lit其變成可能製造更微細的積體電路,再流動是 在約1 1 0至1 8 0°C之溫度下進行I再流動可在相當高 溫下以單一階段加熱或在其中先在較低溫度下操作且隨後 在較高溫度下進行之兩階段加熱進行,在任一情形下,在 最後階段選用約1 4 0至1 8 0°C之高溫,因此,較宜使 用具有高耐熱性之正型光阻圖案|因爲使用這種圖案可正 確控制大小。 正型光阻圖案之耐熱性,可經由增加光阻中所含的樹 脂之分子量而改進,但是當分子量增加至使樹脂有足夠的 耐熱性,有惡化基本性質之傾向例如降低解析度及產生顯 像殘渣(浮渣)。 發明槪述 本發明之目的是提供一種新穎的方法供形成具有極佳 耐熱性之光阻圖案,以及一種新穎的方法供形成微細的正 型光阻圖案,以及提供適合供此方法使用之正型光阻組成 物。 本案發明者經深入硏究以達成此目的,結果發現經由 1 將某種化合物摻混至含酚醛淸漆樹脂、鹼溶性成份及醌二 叠氮物化合物、放射線敏性成份之正型光阻組成物,且經 由在鹼性顯像後從化合物產生酸或游離基供固化時•可明 顯地改進正型光阻圖案之耐熱性且不會降低敏性及解析度 本纸張尺度迖川中KS家樣肀(('NS }Λ4規格(210X297公釐) I J---:----— 裝------'?τ------^ (誚先閱請背而之注念事項再填巧本页) 46 6 38 2 A7 ____B7 五、發明説明(3 ) . 〇 (誚先聞讀背而之注悉事項再祯巧本頁} 本案發明者進一步硏究後發現,尤其是在再流動處理 中’在暴及顯像後經由照射具有某種波長的光,即使沒 有將上述之活化劑摻混至正型光阻組成物中,也可以獲得 足夠的結果。 本發明因此完成。 本發明提供一種方法供形成光阻圖案,其包括塗覆含 鹼溶性酚醛淸漆樹脂、以醌二叠氮物爲主之放射線敏化劑 、及對圖案化暴露波長無敏性但可在基板上產生酸或游離 基而形成光阻膜之活化劑之正型光阻組成物:將光阻膜進 行圖案化暴露;用鹼性顯像劑進行顯像:及從活化劑產生 酸或游離基供固化,根據此方法,可形成具有極佳耐熱性 之光阻圖案* 本發明也提供一種供此方法使用之正型光阻組成物( 以下稱爲 '正型光阻組成物(A)#)。 本發明還提供一種方法供形成光阻圖案,其包括將含 鹸溶性酚醛淸漆樹脂及以醌二叠氮物爲主之放射線敏化劑 之正型光阻組成物塗覆在基板上形成光阻膜;將光阻膜進 行圖案化暴露;用鹼性顯像劑進行顯像;用波長短於圖案 化暴露所使用的光照射所得的光阻圖案:且然後在足以使
V 光阻圖案膨脹之溫度下加熱照射後的圖案,得到光阻圖案 其中去除光阻部份之面積收縮,根據此方法,形成微細的 正型光阻圖案、孔洞圖寒(以下在本方法中使用的正型光 阻組成物稱爲正型光阻組成物(B)*)。 本纸張尺度这用中SK家標肀(rNS ) Λ4現格(2IOX297公釐> .0 .
^ .rr V 46 t A7 .___B7 五、發明説明(4 ) 附圖之簡要說明 圖1 丨 其爲顯示一部份光阻圖案之平面觀察點,其是經由實 驗實例中使用的光罩在最佳暴露情形下放大所提供* 標示之說明 1:孔洞(經由暴露及顯像去除光阻之部份) 2:沒有暴露之影像且保持爲光阻層 a :孔洞·一邊之長度 b:孔洞之間的間隔 較佳具體實施例之詳細說明 在正型光阻組成物(A)或(B)中所含的鹸溶性酚 醛淸漆樹脂可爲正型光阻經常使用的鹼溶性成份,且通常 得自以酚爲主的化合物與醛在酸觸媒存在下的縮合反應, 供製造酚醛淸漆樹脂使用之以酚爲主的化合物實例包括酚 、鄰-、間一或對一甲酚、2*3—、2’ 5 —、3,4 一或3,5 —二甲苯酚、2,3 ’ 5 —三甲基酚、2_、 3 -或4 —第三丁基酚、2 —第三丁基一 4 —或一 5 —甲 基酣、2 —、=4 一或5 —甲基間苯二酌、2 — ' 3 —或甲 \ 氧基酚、2,3 —、2 ,5 —或3,5 —二甲氧基酚、2 一甲氧基間苯二酚、4一第三丁基兒茶酚、2_、 3—或 4 -乙基酚、2,5 —或3,5 —二乙基酚' 2 ’ 3,5 —三乙基酚、2 一萘酚、1 ’ 3 一、1 ’ 5 一或1 ’ 7_ ; (,NS ) Λ4現格(2ΙΟ·Χ297公ft ) .7. f ----w----M ^------訂------^ 4 (对先閱讀背而之注意事項再功巧本頁> · 4 6 6 3 B 2 A7 B7 五、發明説明(5 ) 二羥基萘、及二甲苯酚與羥基苯甲醛縮合所得的以聚羥基 三苯基甲烷爲主之化合物*這些以酚爲主的化合物可單獨 使用或兩毺或多種混合使用。 供製造酚醛淸漆樹脂使用之醛實例包括脂肪族醛例如 甲醛、乙醛、丙醛、正丁醛、異丁醛、戊醛、正己醛、丙 烯醛及巴豆醛,脂環族醛例如環己醛、環戊醛、糠醛及呋 喃丙烯醛,芳族醛例如苯甲醛、鄰-、間-或對一甲基苯 甲醛、對一乙基苯甲醛、2,4 一、2,5 —、3,4 — 或3,5-二甲基苯甲醛、鄰一、間一或對一羥基苯甲醛 、鄰-、間_或對-茴香醛及香草醛,及芳族脂肪族醛例 如苯基乙醛及肉桂醛,這些醛類也可單獨使用或如果需要 時以兩種或多種混合使用,其中因爲工業上的供應方便性 ,較宜使用甲醛。 供以酚爲主的化合物與醛之縮合反應所使用的酸觸媒 實例包括無機酸例如氫氯酸、硫酸、過氯酸及磷酸,有機 酸例如甲酸、乙酸、草酸、三氯乙酸及對一甲苯磺酸,以 及二價金屬鹽類例如醋酸鋅、氯化鋅及醋酸鎂,這些酸觸 媒也可單獨使用或兩種或多種混合使用,縮合反應可根據 習知的方法進行,可例如在6 0至1 2 0°C之溫度範圍下 進行2至3 0小時。 關於得自縮合反應之酚醛淸漆|分子量爲1,000 或更小的成份之比例較宜爲2 5 %或更少,且更宜爲2 0 %或更少,以不包括未反應的以酚爲主的化合物之總圖案 面積爲基準,此較佳的酚醛淸漆樹脂可得自例如經由分餾 本紙張尺度14用中囡围家枯.今.() M说格<2]OX297公釐).8- 4 6 6 38 2 A7 B7五、發明説明(6 ) 法,比例是以凝膠滲透層析(GP C)圖之面積分配量表 示,在此,圖案面稹是使用2 5 4毫微米UV偵測器測量 ,且分子釐爲聚苯乙烯之分子置。 鹸溶性較低分子量之以酚爲主的化合物*例如分子量 爲1·000或更少的化合物,可添加至酚醛淸漆樹脂中 ,其中較高分子量成份之含量因而增加,鹸溶性較低分子 量之以酚爲主的化合物,在分子結構中較宜含至少兩個紛 系羥基,其實例包括JP — A — 2 — 275955 (= USP5,456,995 及 USP5,456,996 )或J P - A — 2 — 2 5 6 0中的揭示及某些種類的雙或 參-酚型化合物,當使用分子量爲1 * 000或更少的鹸 溶性之以酚爲主的化合物時,化合物的量較宜從3至4 0 重量%,以酚醛淸漆樹脂及以酚爲主的化合物之總量爲基 準。 在正型光阻(A)或(B)中的主要是爲醌二叠氮物 之放射線敏化劑也可爲正型光阻領域中經常使用的化合物 ,其通常爲含酚系羥基的化合物之鄰一醌二ft氮物磺酸酯 ,其較宜爲含至少三個酚系羥基的多羥基化合物之1,2 一萘並醌二叠氮物一 5 —或4 —磺酸酯或1,2 —苯並醢 二叠氮物-4 —磺酸酯•此酯類可經由含酚系羥基的上述 化合物與鄰-醌二叠氮物磺醯鹵在鹼例如k乙胺存在下的 反應製造,該鄰-醌二疊氮物磺醯鹵特別較宜爲1 ,2~ 萘並醌二疊氮物- 5 -磺醯氯,主要爲醌二叠氮物之放射 線敏化劑可單獨使用或兩種或多種混合使用,在光阻組成 (誚先閱讀背而之注意事項再瑣巧本茛) 本紙张尺度这州中K1¾家捸彳(CNS U4規格(210X297公釐> _9> A7 B7
:!: ί· A 五、發明説明(7 ) 物中的放射線敏化劑含量較宜從1 0至1 0 〇重量%,更 宜從1 0至5 0重量%,以酚醛淸漆樹脂及視需要使用的 上述鹼溶fc低分子貴以酚爲主的化合物之總量爲基準* 在正型光阻(A)中所含的活化劑對進行光阻膜的暴 露供圖案化所使用的光線波長沒有敏性,例如4 3 6毫微 米之g -系及3 6 5毫微米之i 一系,但是在圖案化暴露 後進行的處理中產生酸或游離基。具體地說,所謂的光酸 產生劑對供圖案化暴露所使用的波長沒有敏性,但是被不 是供圖案化暴·露所使用的其他波長分解並產生酸;可列舉 的爲經由加熱產生酸的化合物·(在此專利書中有時候稱爲 熱酸產生劑):經由加熱產生游離基的化合物(在此專利 書中有時候稱爲游離基產生劑)等》 在本發明方法中,其中使用含活化劑之正型光阻組成 物,從活化劑產生酸或游離基供固1化,例如經由下列方法 1 _ 3以及其他方法: 方法1 : 使用光酸產生劑之對供圖案化暴露的波長沒有敏性但 對其他波長的光有敏性之化合物作爲活化劑,顯像後的光 阻圖案用光酸產生劑對其有敏性而可產生酸之波長的光照 射,且隨後加熱光阻圖案供固化。 ' 方法2 : 使用可經由加熱產生酸之化合物作爲活化劑,且加熱 {誚先閱請背而之注意事項再"巧本頁)
*1T 本紙乐尺度述用中KS家优彳(rNS ) Λ4規格(2Ι0Χ 297公釐).-|〇 . 466
A7 _____B7五、發明説明(8 ) 顯像後的光阻圖案供產生酸並供固化。方法3 : 1 使用可經由加熱產生游離基之化合物作爲活化劑,且 加熱顯像後的光阻圖案供產生游離基並供固化。 至於光酸產生劑,特別可使用在化學放大型光阻領域 中已知的多種化合物•其實例包括鎗鹽化合物、有機鹵化 物、碩化合物及磺酸鹽化合物。 作爲光酸產生劑之鑲鹽化合物實例包括下列式(I ) 代表之碘鎗鹽及下列式(ί I )代表之銃鹽: R2R6 ί·< 1r^x,7r
A
\/ I ΧΪ/ Π 其中R1,R2,R3及R4各獨立地代表氫、烷基或烷氧基 ,R5代表芳基或芳醯基甲基,R6及R7各獨立地代表烷 基或芳基或R6及R7可結合形成伸烷基,且A代表含氟的 酸殘基。 ’ 作爲光酸產生劑之有機鹵化物實例包括下列式( III)代表之含鹵基的三嗪化合物:
R12-C N: —----τ-----装-------訂------^ <誚先Ni讀背而之注念事項再坫tr本頁) .
R 11 诅)
R 13 、紙张尺度这扪中( rNS > Λ4規格(2丨0X297公嫠) 11 ^ 6 6 38 2 A7 ___B7 五、發明説明(9 ) · (誚先閱讀背而之注意事項再填巧本頁) 其中R11代表全鹵烷基,R12及R13各獨立地代表未經 取代或經敢代之烷基、芳基或未經取代或經取代之苯乙烯 基。 作爲光酸產生劑之碩化合物實例包括下列式(I V ) 代表之化合物:
Ril_S02_X_Y_Ri2 (IV) 其中R21及R22各獨立地代表烷基、環烷基或芳基,X代 表一個直接鍵或重氮基亞甲基,且Y代表一 C0 —或 一 S 0 2 〇 作爲光酸產生劑之磺酸鹽化合物實例包括卞列式(V )代表之芳族化合物及下列式(VI)代表之N-羥基醯 亞胺之横酸醋:
Ar-Z-0S02-R23 (V) 0 I! 八 ύ n-oso2-r24 ( vi) 、c’ η 其中A r代表含硝基之苯基或甲基磺醢氧基、α —苯甲醯 基苄基或cr 一苯甲醯基一 α —羥基苄基,^23代表烷基或 芳基,R24代表未經取代或經取代之烷基、脂環族烴殘基 、芳基:芳烷基或樟腦華,Ζ代表一個直接鍵或亞甲基, 且Q代表二個二價烴基。 k - - __ … 本紙ίΛ尺度速扪中s g家栉呤((,NS > Λ4规格U丨0X 297公釐> -12 - il 15 .1 ίΐί ί: i' ίί i'· 印 4 6 6 3 8 2 Α7 A 7 Β7 五、發明説明(10) 在上式中,通常烷基及烷氧基分別含約1至6個碳原 子,且環院基含約5至8個碳原子’芳基通常爲苯基或萘 基,芳烷^通常爲苄基,苯基及萘基可視需要經例如羥基 、硝基、_基、含上述碳原子數之烷基或院氧基、芳氧基 或芳硫基之基團取代,而且在這些苯基及萘基中的兩個相 鄰碳原子可視需要經由一個二價基例如亞甲二氧基連接, 至於烷基上的取代基,列出鹵基例如氯及氟。 在式(I I )中,經由連接R6及R7形成的伸烷基鏈 可含約2至6個碳原子。 在式(I)及(I I)中由A —代表的陰離子實例包 括四氟硼酸根離子(BF4 —)、六氟磷酸根離子(PF6_ ).、六氟銻酸根離子(S b F6_)及三氟甲基磺酸根離子 (C F a S 0 3 '),在式(I I I )中由R11代表之全氟 烷基之鹵基可爲氟或氯,當R12及/或R13代表苯乙烯基 時,可在苯乙烯基的苯環取代之基團實例包括含約1至6 個碳原子之烷基及烷氧基。 在式(V I )中,由R24代表之脂環族烴殘基可爲含 約5至1 6個碳原子之單環或交聯的多環,具體地說,可 列出環己基、金剛烷基等,在式(VI)中,由R24代表 之樟腦基爲衍生自樟腦之單價基,具體地說*可列出1 0 -樟腦基,也就是得自從1 0 -樟腦磺酸去除磺酸基所得 之基團,而且在式(V I )中,由Q代表之二價烴殘基可 選自很大範圍之基團,例如伸烷基、伸芳基及脂環族二價 基,其特定實例包括伸乙基、三亞甲基、1,2 —伸苯基 {先閱讀背而之注意事項再填寫本页) 裝 -* 本紙浓尺度速W中K K家樣啥(rNS M4現格(210X 297公釐) -13 _ 4 6 6 3 8 2 A7 B7 ί:/·ΐΓ4"ν^;ϊ^,-^-τ^ί";^.^·,ρν 五、發明説明 ( 11 ) 1 1 、1, 8 — 伸 萘 基 及 5 — 正 莰 — 2 • 3 一 二 基 〇 1 1 由 式 ( I ) 代 表 之碘 錢 鹽 實 例包括 1 I 二 苯 k 碘 鐵 三 氟 甲 基 磺 酸 鹽 9 1 1 先 \ 4 — 甲 氧 基 苯 基 苯 基 碘 m _L- 氟 銻酸 鹽 間 ifi 1 4 _ 甲 氧 基 苯 基 苯 基 IjQr m 錯 三 氟 甲基 磺 酸鹽 S 背 而 1 j 之 1 雙 ( 4 — 第 三 丁 基 苯 基 ) ΤΛ* 腆 翅 四氟 硼 酸 鹽 , 意 1 | 事 1 雙 ( 4 — 第 三 丁 基 苯 基 ) lift m 鎗 -I— /、氟 磷 酸 鹽 y 項 再 1 4 j*t*· 雙 ( 4 — 第 三 丁 基 苯 基 ) rjffr m 鎗 六氟 銻 酸 鹽 » 及 % 本 装 Τ\ 1 雙 ( 4 一 第 三 丁 基 苯 基 ) Ijfil 細 二親 甲 基 磺 酸 鹽。 1 由 式 ( I I ) 代 表 之 硫 鹽 實 例包括 • ί 1 二 苯 基 锍 —I— 氟 磷 酸 鹽 1 I . 三 苯 基 鍊 氟 銻 酸 鹽 訂 I 三 苯 基 硫 三 氟 甲 基 磺 酸 鹽 1 1 I 4 — 甲 氧 基 苯 基 二 苯 基 硫 六 jfcsf 銻酸 rr-frn 鹽 1 1 4 一 甲 氧 基 苯 基 二 苯 基 硫 三 m 甲基 磺 酸 鹽 » 1 乂 對 一 甲 苯 基 二 苯 基 鏑 三 氟 甲 基 磺酸鹽 | 2 4 » 6 — 三 甲 基 苯 基 二 苯 基硫 三 氟 甲 基 磺酸鹽, 1 1 4 — 第 三 丁 基 苯 基 二 苯 基 硫 三 氟甲 基 磺酸鹽 9 1 4 — 苯 硫 基 苯 基 二 苯 基 硫 氟 磷酸 dbAi 鹽 1 1 4 — 苯 硫 基 苯 基 二 苯 基 硫 氟 銻酸 鹽 9 ί 1 1 1 — C 2 — 萘 醯 基 甲 基 ) 硫 氟銻 酸 鹽 1 1 | 1 — ( 2 — 萘 醯 基 甲 基 ) 硫 三 氟甲 基 横 酸 η» m J 1 | 4 — 羥 基 — 1 — 萘 基 二 甲 基 硫 六氟 銻 酸 鹽 » 及 1 1 1 4 — 羥 基 — 1 — 萘 基 二 甲 基 鍊 三氟 甲 基 磺 酸 鹽。 1 1 1 本纸乐尺度i|扪中RR家標兮(i'NS ) Λ4規格(2丨0X297公釐) -14- /:6 6 38 2 A7 B7 五 '發明説明(12 ) 由式(I I I )代表之含鹵基三嗪化合物實例包括: 2 —甲基一4,6 —雙(三氯甲基)一1 ,3 ,5 — 三嗪,1 2,4,6 —參(三氯甲基)_1,3,5_三嗪, 2 —苯基一 4,6 —雙(三氯甲基)一 1 ,3,5 — 三π秦, 2—(4 —氯苯基)一4,6 —雙(三氯甲基)_1 ,3,5 —二嗦, 2 —(4-甲氧基苯基)—4,6-雙(三氯甲基) —1,3,5 — 三嗪, 2— (4_甲氧基一1 一萘基)一4,6-雙(三氯 甲基)一1,3,5—三嗪, 2 -(苯並〔d〕 〔1 ,3〕二氧戊環_5_基)一 4,6_雙(三氯甲基)—1 ,3,5 —三嗪, 2 — (4 —甲氧基苯乙烯基)一4,6 —雙(+三氯甲 基)一1,3,5 —三嗪, 2— (3 ,4,5_三甲氧基苯乙烯基)_4,6 — 雙(三氯甲基)_1,3,5 —三嗪, 2 —(3 ,4_二甲氧基苯乙烯基)一4,6 —雙( 三氯甲基)一1,3,5 -三嗪, 2 -(2,4 一二甲氧基苯乙烯基)一4,6_雙( 三氯甲基)—1 ,3 * 5-三嗪, 2 -(2 -甲氧基苯乙烯基)一4 ’ 6 —雙(三氯甲 基)一1,3,5 —三嗪, 本紙乐尺度追用中^氐家樣彳(('NS > Λ4吡格(210·Χ2ί».7公楚) .15- 誚先«靖背而之注意事項再墒寫本頁) 裝 '-口 6 6 3 8 2 B7 五、 發明説明 (13 ) 1 I 2 一 ( 4 一丁氧基苯乙烯基)一4,6 —雙 C 三 氯 甲 1 I 基) — 1 » 3,5 —三嗪,及 1 I 2 一 丨( 4 一戊氧基苯乙烯基)一 4,6 —雙 ( 三 氯 甲 ifi 1 1 基) 一 1 1 3,5 —三嗪" 先 閱 \ I 1 I 由 式 ( IV)代表之碾化合物實例包括: 背 A J i 之 1 二 苯 基 硯- 注 % 1 1 — 一 對 一甲苯基二碩, 項 再 1 雙 ( 苯 基磺醯基)重氮甲烷’ 填 本 装 雙 C 4 —氯苯基磺醯基)重氮甲烷, 1 1 雙 ( 對 一三磺醯基)重氮甲烷, 1 I 雙 ( 4 -第三丁基苯基磺醯基)重氮甲烷, 1 I ' 雙 ( 2 ,4一二甲苯基磺醯基)重氮甲烷, 1 訂 1 雙 ( TVU 環 己基磺醯基)重氮甲烷, 1 1 ( 苯 甲 醯基)(苯基磺醯基)k氮甲烷,及 1 1 苯 基 磺 醒氣乙醯苯。 1 4 由 式 ( V)代表之磺酸酯化合物實例包括: 二 I 對 — 甲 苯基磺酸α-苯甲醯基苄酯(通常稱 爲 苯偶 姻 1 1 1 甲苯酯 ) 1 參 甲 基 磺酸1,2,3 —苯芥子酯’ 1 1 對 一 甲 苯磺酸2,6 —二硝基苄酯, 1 對 — 甲 苯磺酸2 —硝基苄酯’及 1 1 對 一 甲 苯磺酸4 一硝基苄酯。 1 1 由 式 ( VI)代表之Ν-羥基醯亞胺之磺酸 酯 化 合 物 1 1 實例包 括 1 1 本纸》尺度域用中囚茂家;((,NS > Λ4規格(210X297公廣)_ 16 _ 4 6 6 38 2 at B7 五、發明説明(14) N —(苯基磺醯氧基)琥珀醢亞胺, N -(三氟甲基磺醯氧基)琥珀醯亞胺, N_ 1(對一氯苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺, N -(環己基磺醯氧基)琥珀醯亞胺, N —( 1 一萘基磺醯氧基)琥珀醯亞胺, N -(苄基磺醯氧基)琥珀醢亞胺, N —( 1 0 —樟腦基磺醯氧基)琥珀醯亞胺, N -(三氟甲基磺醯氧基)酞醯亞胺, N -(三氣甲基磺醯氧基)_5—正莰一2,3—二 羧基醯亞胺, N_ (三氟甲基磺醯氧基)萘醯亞胺,及 N — ( 1 〇 —樟腦基磺醯氧基)萘醯亞胺。 部份上述光酸產生劑爲熱不安定且在從約1 1 0至 1 5 0°C之相當低溫下分解,也可作爲熱酸產生劑使用, 其可經由加熱分解而產生酸,對光沒有敏性氮可經由加熱 產生酸之化合物也可作爲熱酸產生劑使用。 揭示在J P — A- 8 — 24856 1的部份酸成長劑 爲熱不安定且在上述揭示之相當低溫下分解,也可作爲熱 酸產生劑使用全氟烷基磺酸或全氟烷基羧酸之酯類也可 ( 作爲熱酸產生劑使用,因爲其可經由在上述揭示之相當低 溫下分解,揭示在J P — A — 8 — 24856 1的部份其 他酸成長劑本身不會經由光或加熱而分解,但可與經由光 或加熱分解之酸產生劑結合,達到強化酸產生效率之目的 --:---7-----1裝-- (1A先閱讀背1FJ之注意事項再填贷?本頁)
.1T 本紙乐尺度这用中K g家忙彳(i’NS > Λ4規格(210X 297公麓)_ 1了 _ 46 6c A7 B7
A J t A 五、發明説明(15 及改進熱設定性質。 至於經由加熱分解而產生游離基之游離基產生劑,可 以使用供fc離基反應引發劑之多種已知化合物,例如過氧 化物及偶氮化合物,其可在從約1 1 0至1 5 Ot之相當 低溫下分解。 在此使用之正型光阻組成物除了含上述的酚醛淸漆樹 脂、以醌二叠氮物爲主之放射線敏化劑及活化劑以外,較 宜再含交聯劑,然後本發明也提供一種含鹸溶性酚醛淸漆 樹脂、以醌二疊氮物爲主之放射線敏化劑、對圖案化暴露 的波長沒有敏性氮可經由下列處理產生酸或游離基之活化 劑、及交聯劑之正型光阻組成物。 在此可使用能使酚醛淸漆樹脂交聯化及固化之任何交 聯劑,例如在一般樹脂領域、負型光阻領域、纖維處理劑 領域等使用之物質•具體地說,可列舉的是環氧化物、含 羥甲基或羥甲醚基之化合物等,以環氧化物爲主之交聯劑 實例包括低分子量酚化合物,例如A型雙酚、及酚醛淸漆 樹脂寡聚物,其中酚系羥基經甘油基醚化。 含羥甲基或羥甲醚基之交聯劑實例包括下式(V I I )代表之蜜胺或以鳥嘌呤胺爲主之化合物: (誚先閱讀背而之注項再4寫本π ) ,32
R 33 R34 ?NWN、F{35 YU)
R 31
其中R31·代表—NR
R 或芳基,且當R 3 1代表 本紙張尺度追州中( rNS ) Λ4現格(210X297公釐) · 18 - A7 B7
46 6 3B 五、發明説明(16 一 NR36R37 時,其中一個 r32,r33 ’ r34 ’ r35 , (誚先閱讀背而之注意事項再功K本玎) R36及R37代表一 CH2〇R38,且當R31代表芳基時 ,其中一feR32 , R33 , r34&Fr35 代表 一 CH2〇R38,且其餘的 R32,R33,R34,R35, R36及R37基各獨立地代表氫或一CH2〇R38,其中 R 3 8代表氫或烷基。 在式(VII)中的芳基通常爲苯基、1一萘基或2 ~蔡基,其可視需要經例如垸基、焼氧基及齒基之取代基 取代,通常烷基及烷氧基分別含約1至6個碳原子,R38 代表之烷基通常爲甲基或乙基,尤其是甲基。 式(V I I )代表之以蜜胺爲主之化合物,也就是由 下式(VI la)代表之化合物: 〇32 /R34 3;pNVVN、R35 ( via) Β33 ΝγΝ ,37 Ν.
»36 R 及R 3 7基具有上述
R
R
R 其中 R 3 2,R 3 3 之定義,包括 六羥甲基蜜胺、五羥甲基蜜胺、四羥甲基蜜胺、六甲氧基 甲基蜜胺、五甲氧基甲基蜜胺、四甲氧基甲基蜜胺及六乙 氧基甲基蜜胺。 式(V I I )代表之以鳥嘌呤爲主之化合物實例包括 四羥甲基苯並鳥嘌呤、四甲氧基甲基苯並鳥嗓時、三甲氧 基甲基苯並鳥嘌昤及四乙氧基甲基苯並烏嘌呤° 本紙张尺度送用中K S家標嘩rNS ) Λ4規格(2丨ΟX 297公嫠)-19 - 46 6 A7 B7 hoch2 五、發明説明(17 ) 含羥甲基或羥甲基醚基之交聯劑實例還包括: (a) 2,6 —雙(羥甲基)一4_甲基酚, (bi 4 —第三丁基_2,6 —雙C羥甲基)酚, (c) 5—乙基一 1 ,3 —雙(羥甲基)全氫一1 , 3,5 —三嗦一 2 —酮(通常稱爲N —甲基二羥甲基三嗪 )或其二甲基醚本體, (d )二羥甲基三亞甲基脲或其二甲基醚本體, (e) 3,5 —雙(羥甲基)全氫一1 ,3,5 —晖 二嗪-4 —酮'(通常稱爲二羥甲基脲酮)或其二甲基醚本 體,及 (ί )四羥甲基乙二醛二脲或其四甲基醚本體。 實例(a) — (b)之結構及實例(c) — (f)之 甲基醚本體化學結構如下》 hoch2 (a) HO ch3 hoch2 hoch2 ⑼ H〇-^-C(CH3)3 —„---^----「裝-- (ίΛ先閱讀背而之Vi意事項再填巧本页) 訂 4· r Ji .1 Hi f. 印 V. 0 (C) CH3OCH2、nAn/CH2OCH3 •N C2H5 o CH3OCH2、M A M〆 CH2OCH3(d) N ^ 本纸浓尺度速州中家標彳((,NS ) 格(2]0X297公釐)-20 6 6 38 2 A? ___B7 五、發明説明(18 ) , CH3OCH2、又丨〆 CH2〇CH3
--Ί--.----γ 装-- (对先閱讀背面之注意事項再填朽本页) 1 Ιαλ Ν Ν CH3〇CH2v CH2OCH3 Ν—CH_N、 (ΐ) 〇=C I >=〇
Ν—CH-N CH3OCH2 'ch2〇ch3 < 當正型光阻組成物(A )含活化劑及交聯劑時,可使 用足量的活化劑及交聯劑供進行上述之作用,一般而言* 活化劑之量較宜爲從0 . 1至2 5重量%,且交聯劑含量 較宜約3 0重量%或更低,更宜從0 . 1至3 0重量%, 以光阻組成物中的固體成份總量爲基準。當活化劑或交聯 劑之量太小時,本發明之效應不足,反之,當量太大時, 鹼性性質例如解析度可能有不利的影響,當活化劑爲非鹼 溶性時,如果其量太大,敏性容易降低。 在本發明之方法中*其中用波長小於圖案化暴露所使 用的光照射且進行加熱使光阻圖案膨脹,經由照射經鹸顯 像後的整個圖案並加熱,使影像部份(作爲光阻膜之殘留 部份)在高尺寸精密下膨張,且隨後可形成微細的孔洞圖 案,加熱使影像部份膨脹及固化前,也可在不會造成膨脹 之溫度下加熱光阻圖案,使其固化至某種程度。 除了鹼溶性酚醛淸漆樹脂及如果需要的以醌二疊氮化 本紙張尺度適;Π中S K家H ( (‘NS ) Λ4現格(210X 297公釐) .21 - A7 B7 466382 五、發明説明(19) {对先閱讀背而之注意事項再"巧本页) 物爲主的放射線敏化劑之外*正型光阻組成物(Β )也可 含交聯劑,經由交聯劑可更有效地經由加熱過程固化,尤 其是當光#且圖案在足以使光阻圖案膨脹的溫度下加熱前, 在不會造成光阻圖案膨脹的溫度下加熱固化時,交聯劑之 存在有時候會有益處。 可以使用上述提到的相同交聯劑。 交聯劑之用量範圍通常在1 0重量%或更低,較宜爲 0.01重量%或更多至1重量%或更低。 正型光阻組成物(A)或正型光阻組成物(B)通常 溶解在製備光阻溶液供塗覆在基板例如矽晶片上之溶劑中 •可溶解成份、具有合適的乾燥速度、且在溶劑蒸發後可 得到均勻且平滑塗覆膜之溶劑,可供正型光阻組成物(A )或(B )使用,在此領域中經常使用的溶劑可供正型光 阻組成物(A)或(B)使用。 Υ'\ :Ϋ· ;ίί f- A ΐ\ 其實例包括乙二醇醚酯類例如乙二醇乙醚醋酸乙酯、 乙二醇乙醚醋酸甲酯、丙二醇單甲醚醋酸酯及丙二醇單乙 醚醋酸酯,乙二醇醚類例如乙基乙二醇乙醚、甲基乙二醇 乙醚、丙二醇單甲醚及丙二醇單乙醚,酯類例如乳酸乙酯 、醋酸丁酯、醋酸戊酯及丙酮酸乙酯,酮類例如2 -庚酮 及環己酮,及環酯類例如T _ 丁內酯,這些溶劑可單獨或 結合二或多種使用,正型光阻組成物(A)或(B)也可 含少量在此領域中通常使用之添加劑,例如酚醛淸漆樹脂 以外之樹脂及根據需求之染料,正型光阻組成物(A )或 (B)還可含解析度改良劑例如在J P — A — 1 0 — 本纸氏尺度適W中β K家( (’NS 煶格(210X 297公釐) -22 - 4 6 6 38 2 a7 ____B7 五 '發明説明(20 ) 1 5 2 7 3 5提出之噻噸酮,上述提到的其他添加物總含 量爲3重量%或更少,以光姐組成物中的總固體含量爲基 (誚先閱讀背而之注意事項再填巧本頁) 準。 1 正型光阻組成物(A)或(B)是塗覆在基板上而形 成光阻膜,然後使其經由光罩進行圖案化暴露,對於此圇 案化暴露,通常使用可見光或近紫外光例如g —系( 436毫微米)及i 一系(365毫微米),經圖案化暴 露後,用鹼性顯像劑將光阻膜顯像,鹼性顯像劑可選自在 此領域中使用的多種鹼性水溶液,四甲基氮氧化銨或(2 -羥基乙基)三甲基氫氧化銨(通常稱爲膽鹼)之水溶液 經常作爲顯像劑使用。 在使用正型光阻組成物(A )之本發明之方法中*在 顯像後,經由加熱使存在於光阻中的活化劑產生酸或游離 基並進行固化,當活化劑爲光酸產生劑時,用光酸產生劑 對其波長有敏性而可產生酸之光照射整個圖案,在此光酸 產生劑對其有敏性之波長係指在光作用下,光酸產生劑在 此波長下可分解而產生酸,對於照射,可以使用具有光酸 產生劑會分解之波長的任何光源,但是供照射整個圖案以 產生酸之光較宜具有小於圖案化暴露之波長。 供此照射使用的光源實例包括波長爲3 0 8毫微米之 \
Xe C 1激發燈、波長爲254毫微米之白熾系水銀燈、 波長爲2 4 8毫微米之K r F激發雷射光、波長爲2 2 2 毫微米之K r C I激發燈、波長爲1 9 3毫微米之A r F 激發雷射光、波長爲1 8 5毫微米之白熾系水銀燈及波長 本队依尺度追出中Κ K家橾々(CNS ) Λ4規格(2丨ox 2W公釐) .23- iV- i') ii .1 ;ί; ☆ 印 ^^8 2 , A7 __B7 五、發明説明(21 ) . 爲1 7 2毫微米之x e 2激發燈,一般而言,較宜使用波長 爲3 0 0毫微米或更小的深UV » 如果Μ理時存在交聯劑,其中從光酸產生劑產生酸且 酚醛淸漆樹脂經由加熱固化,產生的酸作用在交聯劑上並 使固化更有效率,選擇加熱之溫度及時間使進行交聯及固 化,一般而言•是在從約1 1 〇至1 8 o°c之溫度下進行 加熱0.5至10分鐘,通常較宜在經由照射從光酸產生 劑產生酸後進行加熱,但是也可在用光照射產生酸時進行 加熱。 而且,當進行上述再流動處理時,此加熱處理也可同 時作爲再流動處理中的加熱利用,加熱處理可在相當高溫 之上述溫度範圍下,例如從140至180 °C,在單一步 驟中進行*或在兩段式步驟中先在較低的溫度且然後在較 高的溫度進行加熱。 當活化劑爲熱酸產生劑或游離基產生劑時,是經由加 熱產生酸或游離基,選擇加熱之溫度及時間使熱酸產生劑 或游離基產生劑分解而產生酸或游離基,一般而言,選擇 從約1 1 0至1 8 0°C之溫度且較宜使用在此溫度下分解 之熱酸產生劑或游離基產生劑,供產生酸或游離基洪固化 之加熱處理可在上述溫度範圔之溫度下以單一步驟進行, 也可有效地選用兩段式加熱方法其中使用在較低溫度例如 從1 1 0至1 5 Ot分解之化合物作爲熱酸產生劑或游離 基產生劑,經由在較低竭度下之第一次加熱產生酸或游離 基,然後趂由在足夠較高的溫度下加熱使光阻固化,例如 本紙張尺度这用中因Κ!家標((,NS ) Λ4規格(210Χ 297公釐)_ 24 - I 「I I i . I I n^Λ>^.^— I 訂— I I I I —1·^ ("先w讀背而之注意事項4填艿本頁) · 4 6 6 3 8 2 A7 ____B7 五、發明説明(22 ) 使用在1 1 o°c或更高且較宜從約1 1 〇至1 5 o°c之溫 度下分解之熱酸產生劑或游離基產生劑,然後在上述範圍 之溫度下麵行加熱處理以產生酸或游離基*然後在從約 1 4 0至1 8 or且高於前面加熱溫度之溫度下進行加熱 固化。 當進行再流動處理時,此加熱處理也可同時作爲再流 動處理中的加熱利用β 在其中用波長小於圖案化暴露之光照射及加熱使光阻 圖案膨脹之本發明方法中,顯像後的整個光阻圖案用波長 小於圖案化暴露之光照射,供此照射使用的光源實例包括 波長爲308毫微米之XeC1激發燈、波長爲254毫 微米之白熾系水銀燈、波長爲2 4 8毫微米之K r F激發 雷射光、波長爲2 2 2毫微米之K r C 1激發燈、波長爲 1 9 3毫微米之A r F激發雷射光、波長爲1 8 5毫微米 之白熾系水銀燈及波長爲172毫微米之Xe2激發燈,一 般而言,較宜使用波長爲3 0 0毫微米或更小的深UV。 怂 .1 f: <,、 r, (对先閱讀背而之注意事項再續艿本頁) 整個表面暴露在顯像圖案上後,進行所諝的再流動處 理,其中使光阻圖案膨脹且使孔洞圖案收縮*此熱處理是 在足以使光阻圖案膨脹之溫度下進行,且溫度通常爲 140 °C或更高,尤其是選擇從約140至180 4C,雖 I. 然決定於光阻之種類而有少許的變化•尤其是決定於鹸溶 性成份及以醌二叠氮化物爲主之放射線敏化劑之組合。 如上所述,顯像後的圖案也可有效地進行整個表面暴 露,然後在不會造成其膨脹之溫度下加熱光阻圖案使固化 本紙張尺度速出中KS家標呤((’NS > Λ4現格(210X297公嫠) 4 6 6 3 8 2 A7 __._B7__ 五、發明説明(23 ) 至某個程度,隨後在足以使其膨脹之溫度下加熱光阻圇案 使其膨脹,光阻圖案不會膨脹之此溫度也決定於光阻之種 類而有少一的變化,且通常在從約1 10至140 °C,光 阻圖案不會膨脹之加熱通常進行約0 . 5至5分鐘,不論 是半途插入或沒有插入在不會造成光阻圖案膨脹之溫度下 加熱光阻圖案之處理,在足以使光阻圖案膨脹之溫度下加 熱光阻圖案之處理通常進行約0.5至5分鐘。 實例 下列實例進一步詳細說明本發明,但是沒有限制其範 圍,在實例中,' %"及^組份"係指重量,除非另外說 明,重量平均分子量是從G P C並使用聚苯乙烯做標準測 量。 在實例1 一 1 0及實例比較1 一 6中使甩的主要物質 敘述如下。 (a )酚醛淸漆樹脂 使克分子比例爲5 0/5 0/8 0之間一甲酚/對一 甲酚/甲醛在草酸觸媒存在下,在根據正常方法之迴流下 反應,隨後經由分餾所得。 在聚苯乙烯重量下之重量平均分子量k約8,000 〇 在G P C圖案中,在聚苯乙烯重量下之分子量爲 6 · 0 0 0或更小之化合物面積比例爲3 4%,且在聚苯 本紙乐尺度適中同K家枕彳((,NS ) Λ4^格<210X 297公釐) 26- -----------一—^------訂------f·-*· (鈞先閱請背面之:;,-意事項再坫艿本頁) A7 B7 五、發明説明(24 ) 乙烯重量下之分子量爲1,0 0 0或更小之化合物面積比 例爲1 5%,以未反應的甲酚圖案面積之外的總圖案面積 爲基準。1 (b )以醌二叠氮化物爲主之光敏化劑 具有下式代表結構
0H 並由2,4,4 一三甲基一 2 ",4 — 7 —三經基黃院 與1,2 -萘並喹啉二疊氮-5—磺醯基氯在1 : 2 · 6 之反應克分子比例下之縮合物。 (ΐί先閱讀背而之注£c事項再填艿本) .裝_
,1T )ί A fi Η 印 (c )活化劑 光酸產生劑c1:N_(10-樟腦基磺醯氧基)琥 珀醯亞胺 熱酸產生劑C 2 :苯偶姻甲苯磺酸酯 熱酸產生劑C 3 :甲苯磺酸2 —硝基苄酯(*"ΝΒ — 1 0 1,,由 Midori Kagaku Κ.Κ.製造) 熱酸產生劑C4:甲苯磺酸2—羥基_2—甲基環己 酯 游離基產生劑C5 : 2 ’ 2 > —偶氮雙(異丁酸)二 甲基 本紙张尺度it爪中國S家標吟(rNS ) Λ4現格(210χ 297公釐)-27 - 4 6 6 38 2 A7 B7五、發明説明(25 ) 這些活化劑分別具有下式之結構。 C1 : [^n-oso2ch2 09 C2: 〇-C-CH0S02-^CH3 〇 N〇2 C3: ^-CH20S02-^-CH3 C4: 、S02"^~CH3 C5: (CH3)2C-N=N-C(CH3)2 ?=° ?=°o o ch3 ch3 (d )交聯劑 交聯劑D1:六甲氧基甲基蜜胺
實例1至6及實例比較1至4 將1 1組份上述酚醛淸漆樹脂、4組份上述以醌二叠 氮化物爲主之光敏化劑、作爲添加劑之4組份4,4 / -(2 —羥基亞苄基)二一2,6 —二甲苯酚及作爲溶劑之 本紙尺度述ffl中ΚΚ家樣今(rNS > Λ4«1格(210Χ297公嫠) <对先閱讀背而之注意事項再填』Ϊ5本页) 訂
I ^ 6 6 38 2 Α7 Β7 五、發明説明(26 4 5組份2 —庚酮混合,在所得溶液中加入表1所示之各 光酸產生劑及各交聯劑,溶解後經由〇.2微米之氟樹脂 濾紙過濾#製備光阻溶液。 在矽晶片上用六甲基二矽胺烷(HMD S )處理,旋 轉塗覆上述所得的各光阻溶液,使乾燥後的厚度爲 1 . 28微米,在9 0 °C情形下之直接加熱板上進行預烘 烤6 0秒,暴露表面如此形成光阻膜之晶片,用Nikon Corp.製造之g—系步進電動機(、NSR -
7 5 5 g 7A
,N A 0 4)或相同公司製造之 --:---Ί----「裳-- {对先閱讀背而之注意事項再"巧本Η ) r::
4. κ •Λ π .1 ;η f. A 1 -系步進電動機(%NSR — 200519(:^1 ,NA =0 , 57,σ = 〇 . 60)且逐漸改變暴露量,形成不 同大小之線及間隔圖案,然後在1 1 0°C情形下之加熱板 上進行暴露後洪烤6 0秒,且隨後使用2 . 3 8重量%之 四甲基氫氧化銨水溶液進行攪拌顯像3 0秒。 將顯像後的晶片與Ushiolnc.製造之激發燈〔~UER - 2 0 - 1 7 2 "(波長 172 毫微米)或’1;11£一 2 0 - 2 2 2 ^ (波長222毫微米)〕的照射窗口緊密 接觸,且在表1所示的情形下暴露,當使用""UER — 20—172'時,照射窗口之照明強度爲10毫瓦/平 方公分,然後將晶片放在設定於不同溫度之加熱板上,加 \ 熱1 8 0秒並進行耐熱測試,經由掃描式電子顯微鏡觀察 加熱前後之圖案,如下所示評定加熱前圖案之有效敏性及 解析度,且如下所示評定加熱後圖案之耐熱性,結果列在 表1 。 •1Τ 本紙浪尺度诚州中Kg家標今(CNS ) Λ4現格(210X297公釐} 29- 4 6 6 3 B 2 a? ___B7 五、發明説明(27) . 有效敏性:表爲在截面爲0 . 6 0微米之線與間隔圖 案爲1:1之暴露量。 解析fe:表爲線與間隔圖案在有效敏性之暴露量下分 離之最小線寬度》 耐熱性:表爲3微米線與間隔圖案在有效敏性暴露下 ,開始產生變形之溫度。 I ---In ' n n J). 1^1 n n HI T In---n EE I -i fj - * ( Ί ( \ (ΐί先閱讀背而之注意事項再填{:1;本ϊί) . 本纸張尺度迭^中囡^家糅;1?((、奶)/\4規格(210>〇97公釐> -3〇 - s A\\ 2 8 3 6 6 4
A
7 B 五、發明説明(28 ) 表1 實例編號 光酸產生劑 1 交聯劑 圖案化 波長 顯像後暴露 有效敏性 (毫秒) 解析度 (微米) 耐熱性 ro 波長 (毫微米> 時間 (秒) 實例1 C1/0.5組份 無 g-系 172 10 700 0.45 180 實例2 C1/0.5組份 DI/0.1組份 系 172 10 700 0.45 >180 實例3 C1/0.5組份 D1/0.1組份 g·系 172 10 700 0.45 >180 實例4 Cl/0‘5組份 D1/0.1組份 £_系 172 100 700 0.45 >180 實例5 C1/0.5組份 D1/0.1組份 g-系 172 10 450 0.40 >180 實例6 C1/0.5 ^ Dl/0‘1組份 g·系 222 10 700 0.45 >180 實例比較1 Mil? /IIS 瓶 S·系 無暴露 700 0.45 140 實例比較2 C1/0.5組份 無 g-系 無暴露 700 0.45 140 實例比較3 Cl/0.5組份 DUO.l組份 g-系 無暴露 700 0.45 140 實例比較4 te 〆1 “ Am 無 g·系 172 100 700 0.45 160 {ΪΛ先閱讀背而之注意事項再蛾艿本頁) -「冬 訂
J 本紙张尺度ii爪中KK家桴彳((’NS ) Λ4现格(2丨0X297公釐} 31 - 4 6 8 38 2 A7 ____ _ B7 五、發明説明(29 ) 在實例比較1中,根據習知的方法及使用習知的光阻 形成圖案,在實例1至6中,根據本發明方法將含光酸產 生劑之光晅膜進行圖案化暴露,顯像*然後用波長使光酸 產生劑分解而產生酸之光照射,然後加熱,與實例比較1 比較,實例1至6之耐熱性明顯改進且沒有降低敏性及解 析度,在此步驟中,如實例1與實例2 — 6比較所示,交 聯劑結合光酸產生劑更有效,即使在實例比較2中含光酸 產生劑,或在實例比較3中含光酸產生劑及交聯劑,當顯 像後沒有進行暴露時,沒有觀察到耐熱性改進,咸信這是 因爲沒有進行經由交聯之固化,因爲沒有從光酸產生劑產 生酸,如實例比較4中當光阻組成物爲習知且進行顯像後 暴露時,耐熱性稍微改進,但是根據實例1至6之組成物 與實例比較4比較,顯現更進一步地改進耐熱性。 實例7至10及實例比較5至6 將1 1組份上述酚醛淸漆樹脂、4組份上述以醌二疊 氮化物爲主之光敏化劑、作爲添加劑之4組份4,4 / _ (2_羥基亞苄基)二—2,6 -二甲苯酚及作爲溶劑之 4 5組份2 _庚酮混合·在所得溶液中加入表2所示之活 化劑(光酸產生劑或游離基產生劑)及交聯劑,溶解後經 由0 . 2微米之氟樹脂濾紙過濾而製備光阻!溶液。 在矽晶片上用六甲基二矽胺烷(HMD S )處理,旋 轉塗覆上述所得的各光阻溶液,使乾燥後的厚度爲 1 · 28微米,在90 eC情形下.之直接加熱扳上進行預烘 本紙浓尺度述用中K K家標々((,NS ) AWfL格(210X297公釐) .Q?- --„---;-----S装------訂------f.-^ (is先閱請背而之;i意事項再祕艿本茛) · dG6382_ 五、發明説明(30 ) 烤.6 0秒,暴露表面如此形成光阻膜之晶片,用Nikon Corp.製造之g —系步進電動機(、NSR — 1755g 7 A # ,hA = 0.54)且逐漸改變暴露量,形成不同 大小之線及間隔圖案,然後在1 1 0°C情形下之加熱板上 進行暴露後烘烤60秒,且隨後使用2.38重量%之四 甲基氫氧化銨水溶液進行攪拌顯像3 0秒。 將顯像後的晶片在1 3 0eC之加熱板上加熱1 8 0秒 ,然後將其放在設定於不同溫度之加熱板上,加熱1 8 0 秒並進行耐熱測試,經由掃描式電子顯微鏡觀察加熱前後 之圖案,相同於實例1 一 6之方法評定有效敏性、解析度 及耐熱性,結果列在表2。 - ·ί· ΕΓ frun m ft— 牙-3 {ΪΑ先閱請背而之注总事項再續巧本頁) . '^Λϊ""·:ί,^η 本紙浓尺度这用中K改家优;;厂((,NS ) Λ4规格(2丨0 X 297公釐)-33- 4 6 6 3 8 2 A7 __. B7 五、發明説明(31) 表2 實例編號 1 光酸產生劑 交聯劑 有效敏性 (毫秒) 解析度 (微米) 耐熱性 rc) 實例7 C2/0.1組份 D1/0.1組份 700 0.45 >180 實例8 C3/0.1組份 D1/0.1組份 700 0.45 >180 實例9 C4/0.1組份 D1/0.1組份 700 0.45 >180 實例10 C5/0.1組份 D1/0.1組份 700 0.45 >180 實例比較5 m 無 700 0.45 140 實例比較6 Jrtr · 無 D1/0.1組份 700 0.45 140 I - - ^ - - s ml HI I ^^^1 I < 4先閱请背而之iil^項再填t?本頁) 訂 'f I') 木紙汰尺度il用中κκ家榡呤(('NS ) Λ4規格(210X297公釐) -34 466382 A7 B7 五、發明説明(32 ) (誚先間請背而之注念事項再硝巧本頁) 在實例比較5中,根據習知的方法及使用習知的光阻 形成圖案,在實例7 — 1 0中•根據本發明方法將含熱酸 產生劑或痕離基產生劑之光阻膜進行圖案化暴露,顯像, 然後在使熱酸產生劑或游離基產生劑分解而產生酸之溫度 下加熱,與賁例比較5比較,實例7 - 1 0之耐熱性明顯 改進且沒有降低敏性及解析度,相反地,即使在實例比較 6中含交聯劑,當不含熱酸產生劑或游離基產生劑時,沒 有觀察到耐熱性之改進,咸信這是因爲沒有進行經由交聯 之固化,因爲沒有從熱酸產生劑或游離基產生劑產生酸。 參考實例1 (酚醛淸漆樹脂之製造) 在反應容器中加入479.7組份含62%間一甲酚 之間一/對一混合的甲酚,1 1 5 . 1組份對一甲酚、 268 · 75組份2,5-二甲苯酚,39 . 3組份草酸 二水合物.261.8組份90%醋酸水溶液及 8 0 3 . 1組份甲基異丁基酮,使混合物在80 °c下加熱 ,在其中加入463.2組份37%甲醛水溶液歷時30 分鐘,保持在9 2 ΐ之迴流情形使混合物繼續加熱並反應 13小時,反應完全後,加入486.2組份甲基異丁基 酮,然後加入Ί 8 2 3 . 2組份水供淸洗並將混合物分離 \ ,此淸洗及分離步驟重複六次,完成淸洗步驟後,將油層 濃縮後得到酚醛淸漆樹脂之甲基異丁基酮溶液*此樹脂之 重童平均分子量約4,4 0 0,在此溶液中加入甲基異丁 基酮將溶液稀釋至2 0%濃度,在4 0 0組份此2 0%溶 本纸依尺度iU'i中RIK家標々(「NS ) Λ4规格(210X297公釐) .35- 6638 2 A7 B7 t ?- ih 1} .1 ;v: Ι Α ίί ο 印 五、發明説明(33 液中加入545.2組份正庚烷並攪拌,所得的混合物在 60 eC下進一步攪拌30分鐘,然後靜置供分離, 76.3組份所得的下層用400組份2—庚酮稀釋,濃 縮後得到1 0 9 . 7組份酚醛淸漆樹脂之2 -庚酮溶液, 此酚醛淸漆樹脂稱爲樹脂A,此樹脂之重量平均分子量約 7 * 200,且在此樹脂中,在GPC圖案中相當於分子 量爲1,0 0 0或更小之面積比例爲約20%* 參考實例2 (·其他酚醛淸漆樹脂之製造) 在反應容器中加入486.6組份間一甲酚, 219 . 6組份2,5 —二甲苯酚,31 . 8組份草酸二 水合物,214 . 2組份90%醋酸水溶液及635 . 0 組份甲基異丁基酮,使混合物在8 0°C下加熱,在此混合 物中加入450.9組份37%甲醛水溶液歷時30分鐘 ’保持在9 2 t之迴流情彤使混合物繼續加熱並反應1 1 小時’反應完全後,加入4 6 1 . 5組份甲基異丁基酮, 然後加入1 5 0 0組份水供淸洗並將混合物分離,此淸洗 及分離步驟重複六次,完成淸洗步驟後,將油層濃縮後得 到酚醛淸漆樹脂之甲基異丁基酮溶液,此樹脂之重量平均 分子量約4,:8 0 0,在此溶液中加入甲基異丁基酮將溶 液稀釋至2 2%濃度*在4 0 0組份此2 2 %溶液中加入 271·2組份正庚烷並攪拌,所得的混合物在60t下 進一步攪拌3 0分鐘,然後靜置供分離,9 1 . 4組份所 .Ί 得的下層用4 0 0組份2 —庚酮稀釋,濃縮後得到 本纸依尺度这出中ΚΡϋ:忧兮ί (·Ν5 ) Λ4規樁(210X 297公釐) -36- I J---Γ----「裝------訂------(4 (对先閱請背而之注意事項再填巧本玎) . A 7 4 6 6 3 8 2_ B7 _ 五、發明説明(34) 1 3 5 · 8組份酚醛淸漆樹脂之2 -庚酮溶液,此酚醛淸 漆樹脂稱爲,樹脂B,此樹脂之重量平均分子量約 6,1.0 t),且在此樹脂中,在GPC圖案中相當於分子 量爲1,000或更小之面積比例爲約20%。 實驗實例1至1 6 將2.5組份以固體成份之重量爲基準下之根據參考 實例1之相同方法所得的酚醛淸漆樹脂A,7 . 5組份以 固體成份之重量爲基準下之根據參考實例2之相同方法所 得的酚醛淸漆樹脂B,6組份作爲放射線敏化劑之具有下 式代表結構
並由2,6 -雙〔4 —羥基一 3 —(2 —羥基~5 —甲基 苄基)一 2,5 —二甲基苄基〕一 4 一甲基酚與1 ,2 — 萘並喹啉二叠氮一5-磺醯基氯在1:2·2之反應克分
T I ^ 子比例下之縮合物,4 . 3組份作爲添加劑之1,1 一雙 十 κ ( 4 -羥基苯基)環己垸(★ Bisphenol Z *,Honshu j? Chemical Industry Co_, Ltd,製造)、0 · 3 組份作爲解析度 f 改良劑之2 -異丙基噻噸酮與4 -異丙基噻噸酮之混合物 tj ( ' SPEED CUREITX ",LAMBS0N 製造)及作爲溶劑之 2 V -庚酮混合,使包括從酚醛淸漆樹脂之2 -庚銅的2 _庚 本紙乐尺度埤用中Κ Κ家捃彳(CNS ) 格(210X297公釐) .37 - ~ I.J : 裝 n 訂 sf·^ <計先閱讀背而之注意事項再磧艿本页) . 466382 A7 B7 五、發明説明(35 酮總量爲45組份,在實驗實例9一16中,還加入 〇·1組份六甲氧基甲基蜜胺作爲交聯劑,將這些如此所 得的溶液經由0.2微米氟樹脂濾紙過濾而製備光阻溶液 〇 在矽晶片上用六甲基二矽胺烷(HMD S )處理,旋 轉塗覆上述所得的光阻溶液,使乾燥後的厚度爲0.79 微米,將表面如此形成光阻膜之晶片經由光罩部份穿透率 爲8%之半色調光罩暴露,用Nikon Corp.製造之i —光束 步進電動機(_’NSR—2005 i9C# · N A = {"先閱讀背而之注意事項再硝巧本頁) •裝 吣 ]! ,1 f1 合 u1 0 . 5 7,σ = 〇 · 4 )且逐漸改 圖案,使用的光罩在如圖1所示之 0.35微米方形孔洞1暴露在光 部份去除,周圍未暴露部份保留爲 中孔洞1的寬度對孔洞間隔之比例 爲1 : 2,但是由於0 . 05微米 圖案之底面大小爲0 . 3 0微米( 於最佳暴露時間)》 然後,在110 °c情形下之加 60秒,且隨後使用2.38重量 溶液進行攪拌顯像6 0秒,然後如 小爲0·30微米之方形孔洞圖案 1一8爲590毫秒,在實驗實例 變暴露時間以形成孔洞 最佳暴露情形下,容許 阻上,經由顯像將暴露 影像2而得到圖案,其 (a : b,占空比例) 之光罩偏差,所得孔洞 此表示暴露時間稍微短 熱板上進行暴露後烘烤 %之四甲基氫氧化銨水 下所述檢査孔洞底面大 ,暴露時間在實驗實例 9—16爲560毫秒
將顯像後的晶片與Ushio Ing.製造之激發燈〔1 U R E
,1T 求 466382 A7 B7 五、發明説明(36 ) -20-222"(波長222毫微米)的照射窗口緊密 接觸且暴露3 0秒,照射窗口之照明強度根據製造商目錄 上所給的1®爲7毫瓦/平方公分,然後將晶片放在設定於 不同溫度之加熱板上,加熱6 0秒並進行再流動,再流動 後的圖案經由掃描式電子顯微鏡觀察,測量孔洞底面之大 小*結果列在表3。 (刮先閱請背而之注意事項再功寫本頁) 装 -β ^
.7 it f A 本紙张又度迖抝中囚氏家標呤ί ('NS ) Λ4悅格<210x297公釐) 39- 4 6 6 3 8 2 五、發明説明(37 ) 表3 實驗實 例編號 交聯劑 1 222毫微米暴露 再流動溫度 孔洞大小 1 沒有使用 進行 沒有加熱 0.30微米 2 Ar 130 °c 0.30微米 3 0 140 〇C 0.24微米 4 身 150 °c 0.18微米 5 沒有進行 沒有加熱 0.30微米 6 0 · /r 130 °C 0.30微米 7 歸 » * 140 °C 孔洞阻塞 8 rr fr 150 °C 孔洞阻塞 ' 9 使用 進行 沒有加熱 0.30微米 10 歸 130 °C 0.30微米 11 tf 140 °C 0.23微米 12 jf it 150 r 0.14微米 13 JT 沒有進行 沒有加熱 0.30微米 14 歸 130t 孔洞阻塞 15 140 t 孔洞阻塞 16 歸 150 °C 孔洞阻塞 (計先閲讀背1FJ之注意事項再楨巧本頁 ¥ -^0 Γ 4 \\ 印 如表1所示,當進行暴露時(實驗實例2 — 4及1 0 - 12),由於再流動溫度變化造成的尺寸改變不大,且 尺寸控制性質極佳,經由在合適的溫度進行再流動,在這 些實例中爲1 4 Ot或更高,可以形成極細的孔洞圖案。 本紙张尺度这州中S K家樣呤(rNS > Μ規格(210X 297公梦)-40 - 4 6 6 38 2 A7 B7 五、發明説明(38 ) 根據本發明方法,其中正型光阻組成物含活化劑,也 就是使用正型光阻組成物A,可明顯改進耐熱性且不會降 低多種性te例如敏性極解析度,因此,增加離子植入之可 信度,且組成物可有效地用在再流動處理等》 根據本發明方法,其中在顯像後用波長短於圖案化暴 露所使用的光照射光阻圖案之整個表面,並加熱使光阻圖 案膨脹,可改進後續熱再流動之尺寸控制性質並得到微細 的孔洞圖案,也就是說經由適當地設定加熱溫度(再流動 溫度)及經由簡單地操作,再流動處理可以使光阻圖案在 高尺寸精確性下膨脹,且因此可以形成極細小的圖案。 !r+.----Ί—----『來------訂一;-----f (誚先閱婧背而之注*事項再續巧本頁) -^^.ν-ΐ>ίο.-=ί' i紙張尺度i4 J0中S1¾家標今(rNS ) Λ4規格(210 X 297公f ) -41 -
Claims (1)
- 6 6 3 B六、申請專利範圍 附件: Λ8 B8 C8 m CV多正I 補无丨 -一丨丨丨 ί 第87 1 1 8926號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年正 1 ·-…種形成光阻圖案之方法,其包括塗覆含性 I 酚醛淸漆樹脂、以醌二疊氮化物爲主之放射線敏化及 對圖案化暴露波長無敏性但可在基板上產生酸或游離基而 形成光阻膜之活化劑之正型光阻組.成物;將光阻膜進行圖 案化暴露;用鹼性顯像劑進行顯像;並從活化劑產生酸或 游離基供固化。 2 .如申請專利範圍第1項之方法,其中活化劑爲對 圖案化暴露波長無敏性但對其他波長的光有敏性之光酸產 生劑,且經由光酸產生劑對其波長有敏性之光照射,從光 酸產生劑產生酸並加熱。 3 .如申請專利範圍第2項之方法,其中圖案化暴露 是使用4 3 6毫微米之g —系或3 6 5毫微米之i 一系進 行,且顯像後的照射是使用波長小於該圖案化暴露所使用 的光進行。 4 .如申請專利範圍第1項之方法,其中活化劑係藉 加熱產生酸之加熱型酸產生劑a 5 .如申請專利範圍第4項之方法,其中藉加熱從加 熱型酸產生劑產生酸後,繼續進行加熱處理烘固化。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中活化劑爲可 經由加熱產生游離基之游離基產生劑。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *.^·-------訂·--------一 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 6 6 38 2 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 7 _如申請專利範圍第2,4或6項之方法 熱是在1 10至180 °C之溫度下進行。 8 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中正型光阻組 成物另含有交聯劑。 9 …-種正型光阻組成物,其中含鹼可溶性酚醛淸漆 樹脂、以醌二疊氮化物爲主之放射線敏化劑、及對圖案化 暴露波長無敏性但可產生酸或游離基之活化劑及交聯劑。 1 〇 .如申請專利範圍第9項之組成物,其中活化劑 爲對圖案化暴露波長無敏性但對波長小於圖案化暴露的光 有敏性之光酸產生劑。 1 1 .如申請專利範圍第9項之組成物 係藉加熱產生酸之加熱型酸產生劑。 1 2 .如申請專利範圍第9項之組成物 爲可經由加熱產生游離基之游離基產生劑。 1 3 ·如申請專利範圍第9項之組成物 爲式(V I I a )之蜜胺化合物: ,34 (VHa) 其中加 其中活化劑 其中活化劑 其中交聯劑 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R 32 FT 〆 、35 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΝΛΝ RΒ00 ΝγΝ Ν 其中,其中一個R 代表—C Η 2 〇 R R33,R“,R35,R36 及 R37 且其餘的基團各獨立地代表氫或一 CH2〇R38,其中R38代表氫或烷基。 1 4 ·如申請專利範圍第9項之組成物,其中活化劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)-2 - 466382 AS B3 C8 D8 六、申請專利範圍 的含童爲Ο . 1至2 5重量%,且交聯劑的含量爲Ο . 1 至3 0重董%,以組成物中固體成份之總量爲基準。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 . —種形成光阻圖案之方法,其包括將含鹼可溶 性酚醛淸漆樹脂及以醌二疊氮化物爲主之放射線敏化劑之 正型光阻組成物塗覆在基板上而形成光阻膜;將光阻膜進 行圖案化暴露;用鹼性顯像劑進行顯像;用波長小於圖案 化暴露使用的光照射如此形成的光阻圖案:然後在足以使 光阻圖案膨脹之溫度下加熱照射後的圖案而得到光阻圖案 ,其中去除光阻部份之面積縮小。 1 6 _如申請專利範圍第1 5項之方法,其中正型光 阻組成物另含有交聯劑。 1 7 如申請專利範圍第1 5項之方法,其中圖案化 暴露是使用4 3 6毫微米之g —系或3 6 5毫微米之i 一 系進行,且顯像後的照射是使用波長爲3 0 〇毫微米或更 小的紫外線進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之方法,其中使用波 長小於該圖案化暴露所使用的光進·行照射後,在不會造成 其膨脹之溫度下加熱光阻圖案供固化’且隨後在足以使其 膨脹之溫度下加熱光阻圖案。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之方法,其中足以使 光阻圖案膨脹之加熱是在1 4 0 - 1 8 〇 °c之溫度下進行 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -3 -
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7501220B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
TWI410747B (zh) * | 2005-12-02 | 2013-10-01 | Dongjin Semichem Co Ltd | Oled用感光性樹脂組成物 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3796982B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2006-07-12 | 住友化学株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP2000194130A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Clariant (Japan) Kk | 感光性樹脂組成物 |
KR100557599B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광조사에 의해 라디칼을 발생하는 그룹을 포함하는 포토레지스트단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 |
TW555822B (en) * | 2001-03-15 | 2003-10-01 | Jsr Corp | Light diffuse reflecting film-forming composition, manufacturing method thereof, light diffuse reflecting film and liquid crystal display element |
US7638254B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
KR100774672B1 (ko) | 2004-05-07 | 2007-11-08 | 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴의 제조방법 및전자부품 |
KR20110129692A (ko) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법 |
JP5853844B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-02-09 | 信越化学工業株式会社 | マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物 |
KR102099685B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2020-04-13 | 충남대학교산학협력단 | 디스크-인-포어 미세패턴이 형성된 폴리스티렌 박막의 제조방법 |
KR102218988B1 (ko) * | 2020-04-21 | 2021-02-23 | (주)라이타이저 | Led칩 전사용 감광성 전사 수지, 그 감광성 전사 수지를 이용한 led칩 전사 방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4259430A (en) * | 1974-05-01 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Photoresist O-quinone diazide containing composition and resist mask formation process |
DE2641100C2 (de) * | 1976-09-13 | 1987-02-26 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliches Gemisch |
DE3325022A1 (de) * | 1983-07-11 | 1985-01-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
JPH0685082B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-10-26 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
JPH0635182A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルターの製造方法 |
JPH0635183A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物並びにそれを用いるカラーフィルターの製造方法 |
JPH0643637A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | パターンの保持方法 |
JPH0798503A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-11 | Tosoh Corp | 熱硬化ポジ型感光性組成物 |
CA2228654A1 (en) * | 1997-02-18 | 1998-08-18 | James J. Briguglio | Positive-tone photoimageable crosslinkable coating |
-
1998
- 1998-11-16 KR KR1019980049647A patent/KR19990045397A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-11-16 TW TW087118926A patent/TW466382B/zh active
- 1998-11-17 EP EP98121536A patent/EP0917000A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7501220B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
US7527909B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-05-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
US7541138B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-06-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition |
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