TW396405B - Method for forming insulating thin films - Google Patents

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TW396405B
TW396405B TW087114331A TW87114331A TW396405B TW 396405 B TW396405 B TW 396405B TW 087114331 A TW087114331 A TW 087114331A TW 87114331 A TW87114331 A TW 87114331A TW 396405 B TW396405 B TW 396405B
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Akihiko Kobayashi
Katsutoshi Mine
Takashi Nakamura
Motoi Sasaki
Kiyotaka Sawa
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Dow Corning Toray Silicone
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、發明説明（ 經漪部中央標準局只Η消费合作杜印ΐ-ί·. 二種形成半導體裝置用之絕緣薄摸之方法 水至高程度。本發明亦關於—種半導體裝置，其：： 制万法所製成（絕緣薄膜’其中導電層腐银係被抑 結樵/ 膜性能上之衰退係被抑制，及在多階層互連 、，，於上万階層與下方階層互連體之間，於接觸電 上之增加係被抑制。 丄半導體構件漸增之小龍（意即，半導體裝2之漸增地 向程，之整合）已導致在半導體基材上使用多階層互ς結 構三藉由譬如咖及旋轉塗覆方法所製成之氧化砂薄膜了 通常係使用於含有此種多階層互連結構之半導體裝置 絕緣薄膜。. 含有多階層互連結構之半導體裝置，可以下述方式製成 ，在半導體基材上形成下方階層互連體，其中係藉一個插 入絕緣層使其分離；接著形成一個層間介電層；藉選擇性 蝕刻此層間介電層，精巧完成通孔至下方階層互連體；及 以金屬填充此等通孔，以在下方階層互連體與上方階層互 連體之間產生電連接。 但是，在將氧化矽薄膜層間介電層曝露至例如在蝕刻步 戰期間使用於光阻薄膜移除之試劑溶液中時，很大數目之 親水性矽烷醇基團（si_0H)會在薄膜中產生。這會因爲此薄 膜而造成增加之吸濕性或水份吸收率之問題。藉由此層間 介電階層所造成之水份吸收性，可能在最後造成導電層之 腐蝕，及在層間介電層之絕緣性能上之衰退。此外，已變 -4- 4 人張尺度適用中國囤家樣卒（rNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 1¾ 之 注 意
I I裝 頁 訂 線 五、 發明説明（ 2 Α7 Β7 輕滴部中央標準局译工消汝合作社印袈 成結合在層間介電層之表面上及/或已進入其内部之水伤 ，會因'爲在以金屬填充通孔之程序期間，從層間介電層向 外潛移，於是增加下方階層互連體與上方階層互連體間之 接觸電阻，而產生缺陷。當通孔在尺寸上伴隨著半導體構 件之小型化而縮小時，此活性變得極爲顯著。 對於此項問題之一種對策，是經由將半導體基材加熱— 在通孔於層間介電層中形成後—於約1〇-8托高眞空下，引致 矽烷醇之極徹底之縮合與脱水作用。但是，此處理方式需 要使用能夠產生約ΙΟ·8托高眞空之眞空設備，且結果係伴 隨著譬如提高半導體裝絲造成本及造成製程㈣更爲困 難之負面作用。 本發明之一項目的係爲提供一種形成絕緣薄膜之方法， 其可在於或接近環境壓力下，意即，在環境壓力或稍微辦 壓或稍微減壓下，引致㈣醇基團之高度縮合，及脱水。3 增壓或稍微減壓下 =發明之另-項目的係爲提供一種半導體裝置，及製造 1其中導電層腐#係被抑制’在絕緣薄膜性能上之 退係被抑制，及在多階層互連 声互速蝴r v π + 、此、、口構中，於上方與下方階 曰I肢間^接觸電阻上之增加係被抑制。 本發明係關於-種形成絕緣薄膜之方法，其中 括將氫矽倍半氧烷樹脂塗覆至 已 脂熟化以在基材上產生絕緣薄二在=倍半氧垸樹 在150至赋下熱處理所形成之繞1 ^托壓力及 縮合與脱水，可在絕緣薄膜中藉熱^致辑之高度 (請先閲讀背面之注意事項再填爲本頁) I/.裝------訂
A7 ———_________B7 五、發明説明（3 ) 本發明進一步關於—種半導體裝置之製程，.該裝置包含 —種互1連結構，此結構包含至少—個導電層，被—個插入 I絕緣薄膜分隔，其中該插入之絕緣薄膜係藉由包括烘烤 氫矽倍半氧烷樹脂，及在i至^000托壓力與15〇至55〇。〇下熱 處理所形成之絕緣薄膜之方法所製成。 圖1(a)至（d)爲在半導體裝置製程中，使用本發明之形成 絕緣薄膜之方法，個別階段之橫截面圖。 圖2包含在實例〗中所製成絕緣薄膜之紅外線吸收光譜。 圖3包含在比較實例丨中所製成絕緣薄膜之紅外線吸^光 譜。 本發明係關於一種形成絕緣薄膜之方法，其中該方法包 括在基材上形成絕緣薄膜，其方式是烘烤氫矽倍半氧烷= 脂（"HSR"),及在1至1，000托壓力及在15〇至55〇。〇下，熱處理 所形成之絕緣薄膜。矽烷醇之高度縮合與脱水，可在絕缘 薄膜中藉熱處理引致。一般認爲這是由於矽烷醇基團在 HSR-衍生之絕緣薄膜中之密切結構近似性而發生，這使得 能夠在低能量下脱除此等梦燒醇基團。 經由在環境壓力附近或僅使用不筇貴之低眞空設備進行 操作，則已在薄膜中產生之矽烷醇基團之徹底縮合，及已 結合至或包含在薄膜中之水份之徹底脫水，是可能的。這 因而會防止水份被半導體裝置中之絕緣薄膜吸收，且於是 可抑制導電層之腐蝕，並可抑制絕緣薄^性能上之降低。 此外，由於使得在以金屬填充通孔期間從絕緣薄膜向外潛 移之水份含量能夠降低，故本發明可防止在上方與下方階 6 本紙張尺度賴中國國家轉（rNS ) Λ4規格（
A7 B7 怒漪部中央標準而紧工消费合作社印製 五、發明説明（4 層互連體間^接觸電阻之增加，否則其將在其中多階層互 連體結’構之導電層係電互連經過通孔之半導體裝置製造期 間發生。 ’、 如圖1(a)中所示，係將BPSG薄膜沈積在半導體基材丨（矽 卵圓）之整個表面上，在該表面上已形成一個半導體構件（ 未不出）。使其再流動以形成底部絕緣層2。其次，經由在 底部絕緣層2上濺射金屬，例如鋁，形成導電層，及藉已 知方法使此金屬鍍敷層構圖，以形成下方階層互連體3Θ。 然後，將已溶解於溶劑中之氫矽倍半氧烷樹脂溶液，藉 旋轉塗覆法，塗覆在半導體基材f之整個表面上。接著^ 由加熱或曝露至高能輻射，使此氫矽倍半氧烷樹脂熟化，曰 •以形成具有平面化表面之層間介電層4。使一個包含有機 樹脂足光阻薄膜5在此層間介電層4上形成，且接著使此光 阻薄膜5構圖’以提供直接位在下方階層互連體3上方之 孔5a 〇 在此之後且如圖丨⑻中所示，層間介電層4係使用光阻薄 膜5作爲光罩，藉反應性蚀刻叫/〇2)選擇性地㈣，這會 開啓達到下方階層互連體3之通孔6。接著，如圖叫中所 示，光阻薄膜5係藉氧電聚處理而被移除，且殘留之光阻 薄膜與光阻薄膜氧化物等，則接著使用驗性液體處理而被 芫全移除。亦將此表面沖洗並乾燥^ 在光阻薄膜移除期間，矽烷醇可在層間介電層*中產生 。因此’將具有通孔6之半導體基材！，使用低眞空設備， 加熱1分鐘至1小日卜且較佳爲5至2〇分鐘。在此熱處理期 }紙乐尺度適;种關家轉(―C:NS—)"八4規格-—— {請先閲讀背面之注意事項再填"本頁) —U衣----,——、玎------腺 ) 五、 發明説明（5 間之壓力，應在1至L000托之範圍由. 、 乾固内，且在此熱處理期間 〈溫度‘應！50至赋，且較佳爲15〇至喊之範圍内。 接考’如圖1(d)中所示，藉由賤射金屬，例如銘，在整 固表面上形成導電層。然後將其逆蝕_，以在通孔6卜 下層間互連7。上方階層互連體8與層間介電層％係接: 延蝕刻表面上，藉由使用於下方階層互連體3與層間介兩 層4之相同方法形成。按上述進行，會在半導體基材：上: 生包含下方階層互連體3與上方階層互連體8之多階 體結構。 印運 使HSR-衍生之絕緣薄膜（層間介電層4)接受熱處理。此熱 偶發事件會使在薄膜巾產生切料完全地縮合成珍氧燒 鍵結(Si-0-Si)，且同時可完全地脱除被結合在薄膜上或包： 在薄膜中之水份，此係由於親水性矽烷醇存在所致。 本發明方法使其能夠在半導體裝置製造期間，降低在以 金屬填充通孔之程序期間，從絕緣薄膜向外潛移之水量， 及藉以防止在上方與下方階層互連體間之接觸電阻上2增 加，以及防止被稱爲"中毒通孔"之缺陷產生。互連體間2 觸電阻之此種抑制作用，亦使得能夠進行半導體構件之其 他小型化。此種藉絕緣薄膜抑制吸濕作用，使得能夠製造 高度可信賴之半導體裝置，其中導電層之腐蝕及在絕緣^ 膜性能上之衰退已被抑制。 熱處理可在環境壓力或稍微提高之壓力下操作，或當使 用眞空設備時，熱處理可使用不昂貴設備操作，其僅必須 能夠達成低眞空（稍微減低之壓力），意即1托或較高之壓 ----------¾衣 —I (請先閲讀背面之注意事項再^^本頁) 、-° 線 經濟部中央標準局另工消费合竹社印製 本紙張尺度適州中园國家標準(CNS ) ( 210X 297^# ) 經漭部中央標準局另工消费合作社印鉍 A7 B7 五、發明説明（6 ) 力。這會避免增加之半導體裝置製造成本，及使得能夠進 行簡單'程序控制。 在根據本發明熱處理期間之壓力，必須在1至1，000托之 範圍内。當此壓力超過1,000托時，矽烷醇基團之縮合與脱 水將不充分。低於1托之壓力，會造成眞空裝置成本之增 加，及對此裝置有負面影嚮。溫度必須在150與550°C之間 ，且較佳係在150與450°C之間。當溫度低於150°C時，矽烷 醇基圑之縮合與脱水將不充分，而當溫度超過550°C時，係 伴隨著譬如增加熱處理成本及對此裝置之負面影嚮之問題 〇 熱處理時間較佳爲1分鐘至1小時。當熱處理時間並非至 少1分鐘時，矽烷醇基團之縮合與脱水將不充分，而即使 當熱處理時間超過1小時之時，亦不能夠預期會有附加效 果。熱處理氣層並不重要，且可爲情性氣體，譬如氮、空 氣、氬等，或水蒸汽、高濃度氧、鹼性氣體等等。 氫矽倍半氧烷樹脂爲一種以通式（HSi03/2)n表示之聚合體 ，其中η爲整數。絕緣薄膜可經由在基材上旋轉塗覆氫珍 倍半氧烷樹脂之溶劑溶液，接著烘烤而形成。由於氫矽倍 半氧烷樹脂之分子量大於聚矽酸及其類似物，故對於衍生 ， 自氳矽倍半氧烷樹脂之SOG薄膜之優點，係爲其可比其他 無機SOG薄膜以較大厚度形成。藉由氫矽倍半氧烷樹脂之 ! 部份或完全轉化成二氧化矽（Si02)所形成之薄膜，可作爲 HSR-衍生之絕緣薄膜使用。 .- 用以溶解氫矽倍半氧烷樹脂之溶劑並不重要，且其實例 __；____r_9^_；_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS.) Λ4規格（210X 297公釐） 抑衣 訂 成 (請先閱讀背面之注意事項再ί#爲本頁) 1,,
I 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標準局羚Η消费合竹社印製 爲芳族溶劑，譬如甲苯、二甲苯等；脂族溶劑，譬如 、、/ 、屄烷’、辛烷等；酮溶劑，譬如甲基乙基酮、甲基異丁美 酉同（ΜΒΚ)等；酯溶劑，譬如醋酸丁酯、醋酸異戊酯 Υ *及 石夕氧溶劑’例如線性矽氧烷類，譬如1，U，3,3,3-六甲基二沙 氧燒、1，1，3,3-四甲基二矽氧烷等等，環狀矽氧烷類，譬如 1，1，3,3,5,5,7,7-八甲基四環矽氧烷、u,5,7_四甲基四環矽氧燒 等，及矽烷化合物，譬如四甲基矽烷、二甲基二乙基矽户 等。其中兩種或選自此等溶劑之組合，亦可使用。 a風沙倍半氧垸樹脂之溶劑溶液，亦可含有其他添如劑、 熟化加速劑等。添加劑之實例爲烴溶劑，譬如戊基笨、田 丙苯、1，2-二乙基苯、二乙基苯、M_二乙基苯、严^ 基：、二戊埽、2,6_二甲基審、對-異丙基甲苯、樟腦I、 W石油腦、順-十氫萘、反_十氫萘、癸烷、四氫芏 節油、煤油、十二烷、十二基苯(分枝型）、環己某：等A 銅與_劑’譬如苯乙酮、異樹根皮網、樹根皮酉同、甲基 ;衣己明、甲基正-庚基酉同等；醋溶劑，譬如鄭苯 土 :醋、醋酸…丁内脂、草酸二丁酷、醋：心 :曰、苯甲酸乙醋、甲酸节酿等；以及硫酸二乙 飆、南化烴溶劑、醇溶劑、多羥醇溶 哀丁溶劑、矽Μ玄涂丨I荽 1几. 灰^肝洛劑、酚乳训寺。热化加速劑可爲例如本始彳卜人札 如氫氣鉑酸六水合物。 -鉑化&物，譬 當使用有機樹脂光阻薄膜作爲光枯--一 在豆中形成诵^丨n4 . 使、，邑緣薄膜蚀刻以 在，、宁形成通孔時，應用本發明 萨氣泰將# &于特別良好效果，接著 猎轧宅水處理，私除此光阻薄膜，且 考 、田光阻薄膜與光阻 請A, 聞 讀 背 面 意 事 項 再 頁 ;裝 訂 腺 -10 - 洱膜氧化物等，係藉鹼性液體完全移除。作爲有機樹脂光 阻薄膜!之鹼性移除劑使用者，較佳爲2-(2-胺基乙氧基）乙醇 /羥胺之水溶液，胺基乙醇之二曱亞砜溶液等。 在半導體裝置中形成絕緣薄膜，已於本文中解釋，但本 發明亦可用U在不爲半導體裝置之裝置中形成絕緣薄膜。 根據本發明，矽烷醇之縮合與脱水，可在於或接近環埃 壓力下達成至兩程度，其方式是在基材上形成HSR_衍生之 絕緣薄膜，並將此絕緣薄膜在1至1，〇〇〇托之壓力下，於15c 至55〇°C下加熱。 藉由使得能夠在半導體裝置之製造期間，在以金屬填充 通孔之程序期間，降低從絕緣薄膜向外潛移之水量，故由 於在上方與下方階層互連體間之接觸電阻上之增加所造成 缺陷t產生，可被防止，此亦使得半導體構件能夠有其他 小型化。 '、 實例 實例1 輕濟，.部中央榡辛局吳工消*:合作.tl印製 藉日本專利公告（Kokoku)編號昭和47_31838 (孔咖加乃）（美 國專利3,615,272)之實例i中所述之方法，合成氫矽倍半氧燒 樹脂。根據日本專利申請案特許公開（公開專利案或未經 審查）编號 Hei 6-157760 (157,760/1994)(美國專利 5 41619〇)之實： 1中所述之方法，使此氫矽倍半氧烷樹脂接受分子量分級 分離，以獲得具有數目平均分子量5,83〇广重量平均分^量 11，200及軟化點180°C之溶離份。將此溶離份溶解於甲農2 丁基嗣中，而得含有18重量％固體之溶液。使用此溶^二 -11 1纸張尺度適用中國國家標準（^)./\4規格（210/297公釐） A7 A7 經漪部中*#卒局>>工消费合作社印裝 五、發明説明（ 在矽晶圓上形成具有厚度大約〇 7微米之薄膜。然後，在石 英烘箱!中，於氮氣流下，將此晶圓在40(rc下烘烤i小時， 形成絕緣薄膜。 在矽晶圓上形成光阻薄膜圖樣（酚醛清漆樹脂，正型光 阻），及使用此光阻作爲光罩進行反應性蝕刻（C&/O0。然 後藉氧電漿處理移除光阻薄膜，並將晶圓在包含2_(2_胺基 乙氧基）乙醇/羥胺水溶液之胺型光阻移除劑中浸泡15分 鐘，在醇中沖洗，並於1〇(rc下乾燥1〇分鐘。箜著，在空氣 -中’爸ϋ壓力下，將晶圓在4〇〇°C下加熱10分鐘。 實例I .................................. 在矽晶圓上，以實例丨之相同方式，形成絕緣薄膜。在 矽晶圓上形成光阻薄膜圖樣（酚醛清漆樹脂正型光阻），及 使用此光阻作爲光罩，進行反應性蝕刻（CF4/〇2)。然後， 藉氧電漿處理移除光阻薄膜，並將晶圓在包含2_(2_胺基乙 氧基）乙醇/趣基胺水溶液之胺型光阻移除劑中浸泡15分 鐘，在醇中沖洗，並於l〇〇°C下乾燥1〇分鐘。， 測量在實例1與比較實例1中所製成絕緣薄膜之紅外線吸 收光譜，並個別示於圖2與3中。在圖2與3中之y-軸，係描 續'吸光率’而X-轴則描續波數，以公分-1表示。當與圖3比 車父時’於圖2中可見及被指定爲石夕垸醇與水而在2900至3800 公分_1處之吸光率上之衰退。 將實例1與比較實例1中所製成之絕緣薄膜個別加熱，並 藉熱解吸氣體分析（TDS)度量脱水量。在實施例中，來自絕 緣薄膜之脱水量，爲7.6 X 1〇2 1個原子/立方公分，然而對 -12- 4、紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---------^裝------ΪΤ------線 - . ..... (請先閱讀背面之注意事項再伊為本頁)
I A7 B7 五、發明説明（10 照上而言，在比較實例中，來自絕緣薄膜之脱水量 1-3 X 1〇2'2個原子/立方公分。 使用實例1中所製成之氫矽倍半氧烷樹脂溶液，以在· 導體裝置中形成層間介電階層，其在矽晶圓上含有鋁多 層互連體結構（互連體圖樣具有特徵高度0·5微米，及特 寬度與特徵間距各爲0.18微米）。 3 底部特徵係首先以CVD薄膜塗覆，並使用5〇〇rpm之初步 旋轉歷時3秒，及接著爲5,000rpm之主要旋轉歷時⑺秒，將 此溶液旋轉塗覆於矽晶圓上。、 在矽晶圓上形成光阻薄膜圖樣（酚醛清漆樹脂正型光阻 ，並使用此光阻薄膜作爲光罩，進行反應性蝕刻（CF4/〇2) ，以在層間介電層中開啓通孔。然後藉氧電漿處理移除光2 阻薄膜，並將晶圓在包含2_(2_胺基乙氧基）乙醇/羥胺水溶 液之胺型光阻移除劑中浸泡15分鐘，^^醇沖洗並於ι〇(π：τ 乾燥10分鐘。然後，在空氣中，於環境壓力下，將晶圓在 400°C下加熱1〇分鐘。 比較實例2 部 中 央 標 準 A 身 工 消 合 作 社 印 ----------沿衣！ - - .、 (請先閲讀背面之注意事項再^爲本頁) 以實例2之相同方式，在矽晶圓上形成層間介電層。在 石夕圓上形成光阻薄膜圖樣（紛趁清漆樹脂正型光阻），炎 使用此光阻薄膜作爲光罩，進行反應性蝕刻（CF4/〇2)，以 在層間介電層中開啓通孔。然後藉氧電漿處理移除光阻薄 膜，並將晶圓在包含2_(2_胺基乙氧基）乙醇/羥胺水溶液之 胺型光阻移除劑中浸泡15分鐘，以醇沖洗並於1〇{π：下乾燎 本纸張尺度適州中國囡家標準（（:NS ) 13 八4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（11 10分鐘。 在實彳列2與比較實例2中所製成之半導體裝置中，度量上 方與下方階層互連體間之接觸電阻。在得自實例2之半導 體裝置中之接觸電阻，係被降低至得自比較實例2之半導 體裝置中之接觸電阻之十分之一。 請 先 閱 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再 裝 訂 經濟部中央標準局斿工况费合作社印掣 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. Αδ Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範圍 .—種形成絕緣薄膜之方法，叾中該方法包括⑷將氣石夕 倍半氧烷樹脂塗覆至基材上；（B)使氫秒倍半氧烷樹脂 熱化，以產生絕緣薄膜；及（C)將絕緣薄膜在1至1，〇〇〇托 範圍之壓力下，及在150 C至550 C範園之溫度下加熱。 2. 如申請專利範圍第}項之方法，其中係將絕緣薄膜加熱 1分鐘至1小時。 3. 如申請專利範圍第i項之方法，其中係將絕緣薄膜加熱 至150°C與450°C範圍之溫度。 4，如申請專利範圍第i項之方法，其中氫矽倍半氧烷樹脂 爲一種具有通式聚合體，其中^爲整數。 5·如申請專利範圍第1項之方法，其中係將氫矽倍半氧燒 樹脂溶解於溶劑中。 6·如申請專利範園第i項之方法，其中氫矽倍半氧烷樹脂 另外含有添加劑。 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中氫矽倍半氧烷樹脂 另外含有熟化加速劑。 8_如申請專利範圍第丨項之方法，其中絕緣薄膜係在加熱 (C)之前’使用光阻薄膜光罩進行蚀刻，並以驗性液體 處理。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中驗性液體爲2-(2-胺 基乙氧基）乙醇/羥胺水溶液。 10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中驗性液體爲胺基乙 醇之二曱亞颯溶液。 11. 一種製造半導體裝置之方法，其中該方法包括 15- 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _--___^裝------、玎------娘 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} I 396405 '——— —
    申請專利範園 ⑷在已於其上形成半導體播丛、 形成底部絕緣層； 導-構件…體裝置上， (B)於底邵絕緣層上形成導電層； (Q使導電層構圖，以形成下方階層互連體； ⑼將氫矽倍半氧烷樹脂塗覆於下方階層互連體上 ’接者使氫♦倍半㈣樹脂熟化，以形成層間介電層，· ⑹於層間介電層上形成光阻薄膜，並使光阻薄腹 構圖，以直接在下方階層互連體上方提供 (F) 選擇性蝕刻此光阻薄膜以開啓通孔，其係達到 下方階層互連體； (G) 移除任何殘留光阻薄膜，以形成半導體裝置； 及 ⑻在1至1，000托範圍之壓力下，及在15〇1至55〇。〇 範圍之溫度下，將半導體裝置加熱丨分鐘至〗小時期間 〇 12·如申請專利範圍第11項之方法，其中係將氫矽倍半氧烷 樹脂溶解於溶劑中。. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 13,如申請專利範圍第„項之方法，其中光阻薄膜係藉氧電 漿移除，且任何殘留光阻薄膜與光阻薄膜氧化物係經由 以鹼性液體處理而被移除。 K如申請專利範圍第u項之方法，其中氫矽倍半氧烷樹沪 具有式（HSi03 / 2)n，其中η爲整數。 q 15.如申請專利範圍第n項之方法，其中氫矽倍半氧烷樹脂 係藉加熱熟化。 ^ -16- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ297公釐）
    細405 ~~~-~~~~~~. 申請專利範圍 16. :=專利範園第㈣之方法，其中切倍半氧貌樹脂 系·，翌由曝露至高能輻射而被熟化。 17. $申請專利範園_項之方法，其中係^至⑽托範 蛛、堅力下及在150 C至450 C範圍之溫度下，將半.導 體裳置加熱5至20分鐘期間。 18. 如申請專利範圍第η項之方法，其中另外在通孔中形成 層間互連體，並於其上形成上方階層互連體與上方階芦 層間介電層。 9 ___- 17- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210Χ297公釐）
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