A7 B7 五、發明説明（l ) 葙明所謹夕坊妬镅城 本發明係翮於半導《装置之品管系铳*尤其是闞於線 内檢査中之品管系統。 翌知抟術 為了謀求半専體装置之良率提高及稼定化* K往在實 施將檢査製程纳入（線內檢査）製造線中，Μ監視輿設計圃 之不一致部位（以下，稱為”缺陷”的涸数*若缺陷數超通 規定的上限值時，就會對該缺陷進行精査，且推定缺陷發 生源（製造裝罝或是製造製程），以消除缺陷發生原因的作 桊。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 第7顯表示半導》裝置之製造線、及說明在該處所進 的線内檢査的撅念圈。半導體裝置之製造製程僅在晶圆狀 態的製程中即有200儒製程Μ上，且有時從開始到完成須 花費2個月以上。該種情況，若僅做製造完成後之檢査（ 品霣管理）時*於該檢査所判明的不良在最壊的情況，舍 在過去2個月間通通之該不良原因的製程之全製品上發生 ，而且受窖甚大。為了要將該受害減至最小限，而如第7 圈所示在每一相闞製程上使製造製程方塊化*藉由Κ方塊 單位執行檢査（品質管理）則即使發生不良時亦可僅止於2 〜3天份之損失。在第7圓中，製造製程被區分成方塊BL1 〜BU，在各方塊的最後設有線内檢査製程ΙΕ1〜ΙΕη。 在此，使用第8 _說明習知之線内檢査之概要。首先 ，随機抽出已完成方塊的最终製程之晶圓並裝設在檢査裝 罝1上。在檢査装置1上雖有利用敗射光強度以檢査缺陷 3 9958 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（2 ) 之光學式設備、或是櫬械性檢査缺陷之櫬械式設備等，但 是任一種中皆為用以獲得缺陷之位罝座檷或量值等的測定 資料D1之裝置，而测定資料D1根據該資料供給進行品霣管 理之品管糸統S90。 品管系统S9 0·係具有測定資料判定部4*用以比較缺 陷數或具有缺陷之晶片數與預先決定之設定值（品質管理 值）。在測定資料判定部4中，缺陷數或是具有缺陷之晶Η 數被判定為超遇預先決定之決定值的上限時將對半導體製 造裝置等有黼聯性的櫬器3給予警告或是動作指示CM1。 但是*如前面所說明該媒内檢査係Μ方塊單位所進行 之檢査，且由於係對已經通複數個（20〜30)之製造製程的 半導體裝置所做者，所以產生該缺陷之製造製程究為何僅 由檢査裝置1之資料是無法推定的。因此，將檢査對象之 晶圓裝設在欲觀察的觀察装置2上，並詳细解析缺陷圖像 。観察裝置2，係具備有例如光學顬微鏡或霄子顯微銕或 者類似於該等的放大裝置，接受檢査裝置1所獲得的缺陷 位置資訊Μ放大觀察缺陷部位的裝置。 在觀察裝置2中覼察缺陷之量值或形吠、缺陷之場所 或缺陷通邊之狀態· Μ推定造成該缺陷之發生原因的製造 装置及製造製程（亦即缺陷發生源），在必要的情況將警告 或是動作指示CM2提供給半導《製造裝置等有闞脚的櫬器 3上。 雄明所歆鏟汫夕捆顆 在習知之線内檢査中由於偁採用如Μ上之品管系统 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 線 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）六4規格（2丨0/297公嫠） 2 39958 Λ7 B7五、發明説明（3 )S90，所以即使檢査裝置1所檢知的缺陷數又具有缺陷之晶 片數已超通設定值，僅Μ此亦無法斷定已發生異常事態（ ο V*»/ 低 降 之 率 良 品 製 藉該 , 斷 常判 異法 的無 位於 單由 域是 匾但 明 ， 判源 可 中 査陷 檢缺 内定 媒推 俚可 一 雖 在査 , 精 即步 亦一 進 由 種降得 何之 需 來率必 帶良時 會品同 中製， 程來程 製招製 全為全 在杏握 陷是箪 缺陷在 做內 可位 始單 後域 響區 影在 種據 何根 S’ 製又 终 最 生«的若。發λ)定中和 發影低知出所(Λ決統間 缺 該 斷 判 法 無 之 言 換 需給 必帶 斷將 判時 種陷 該缺 。 該 致理 所不 陷置 缺放 地一is常 位|有 異 部在。至 個存線現 1 否造發 次是製之 。 每K止陷翯 , 判停缺問 陷驗要從的 缺經否有力 現的是會勞 定 決 者M糸時 作 * 管多 操陷品很 依缺之要 且的知需 » 低W識 陷降在辨 缺率，之 察良而生 観 品因發 地製 態 逐來 事 操 由 度 藉響 於影 由行 , 進 又率 良 品 者 作 陷 缺 製間 之時 陷要 缺需 現 Μ 發所 已 ， 對斷 做判 驗之 経 } 率 之7 ) 命 人致 /(\ 之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 係上 的識 目辨 其 之 , 生 者發 成態 而事 點常 。 題 異 題問至 問之現 的述發 面上之 方如陷 度消缺 精一解從 有了査 尚為檢 時係内 同明線 的發少 力本減 勞 於 和 在 率 命 致 的 陷 缺 菩 改 經 種 1 供 提 時 同 間 〇 時統 及系 力管 勞品 的之 賨度 花精 所的 段 丰 之 鱷 ϋ 中 程 製 之 置 第装 園艚 範導 利半 専造 請製 申 Μ 明η 發計 本設 據 根 在 係 統 系 管 品 的 載 記 所 項
半 之 中 造 製 査 TUB 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐） 3 399 58 Λ 7 Β7 五、發明説明（4 ) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 専《裝置和前述設計鬮之不一致處所的缺陷藉K管理前述 半導®装置的品質者，其具備有：接受由缺陷檢査櫬構_ 出之有W前述缺陷的第一測定資料，並加工該第一測定資 料Μ算出包含有闥前述缺陷之數量及分布狀態之指檷值的 第一加工賁料之第一資料加工機構；接受前述第一加工資 料，並根據預定之判定條件進行是否就前述缺陷做更進一 步調査的判定之第一加工資料判定機構於前述第一加工資 料判定機構經判定為進行更進一步之調査時，根據預定的 抽樣條件》在前述缺陷中，抽出成為更進一步之調査對象 的精査對象缺陷*並對缺陷解析裝置输出有闞前述精査對 象缺陷之位置座禰的資料之抽樣櫬構；接受根據有鼷前述 精査對象缺陷的位置座標之資料依前述缺陷解析裝置解析 前述精査對象缺陷的结果而成之第二測定資料•並加工該 第二測定資料以算出至少包含有闞前述精査對象缺陷的形 狀之指檷值之第二加工實料之第二賁料加工櫬構；Μ及接 受前述第二加工資料，並根據前述第二加工資料按自動方 式推断成為前述缺陷的發生源之半導體製造装置及製造製 程之第二加工資料判定機構。 W於本發明申請専利範國第2項所記載之品管系統， 其中前述第第一澜定資料包含有，每一檢査對象領域之缺 陷總數、各個缺陷的面稹及面積等效徑、位置座檷及做為 表示前述缺陷量值之指禰的單向粒徑、長徑、短徑中之至 少一項，前述半専級装置為在半導《晶圆上所形成複數個 晶片之一片*有闞前述缺陷的數量及分布狀態之指禰值包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格.（210 X 297公釐） 4 39958 五、發明説明（5 ) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 片內範先有第.機標造 者抽存外集四個 ，察週禰所 晶圍值預具之定指製 大僅出 K 密第數 ，觀其指料 之範量於中數判之體 值定抽域先之複。卩之 及之資 陷值定位片個料三導 £量規僅領預陷足者ti狀 陷狀像 缺霣預示晶片資第半 從；定定之缺滿件 Μ 形缺形圖 述定述表個晶 Η 至之 序件規預定的能條 U 的象的的 前預前及數的加一源 Η 依條.，於決內中届 Η 陷對陷陷 有之於以複陷一第生 Ρ 中一件在先域之 1U 缺査缺缺 具定位；述缺第述發 之第條存預領件少 象精象象 中決有值前之述前的 U 陷之二出於定條至3*對述對對 片先具標及態前及陷 缺數第抽位預四中 f 査前査査 晶預中指、狀，料缺 |述個之僅陷於第；|01精大精精 個於片二數集值資述 3 前的陷是缺位至件45述放述述 數位晶第陷密個定前。第定定缺或述出一條第前 係前前 複示傾之缺定 j 测為者圃規指的，前抽第五圍察料 W 由 述表數數的預少一 成能範：所內陷在僅述第範觀笋有示 前.，禊個態之至第斷功利含出圍缺；定前之利係定而表 及值述片狀定之述推的専包抽範的件規出陷專置測，為 數標前晶集決中前式程請件僅值內條，抽缺請裝 二料成 陷指及的密先當據方製申條者量域三時僅之申析第資 ： 缺一 、陷定預；根動造明樣小定領第況定合明解述像含 示第數缺預述值有自製發抽值預定之情規組發陷前 _ 包 表之陷之之前檷具按及本述量於預陷的.，的本缺；的少 :數缺內定於指更，置 前或位於缺態件件 述置邊至 含個的園決位三 構值裝 ， ，出在的狀條條 前 裝.，值 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 5 399 58 Λ7 明發 %五 出 導 徑 粒 向 單 之 檷 指 之 狀 形 元 次 2 的 陷 缺 象 對 }査 6 精 {述 明前 説之 、 的 心陷 重缺 面象 平對 、 査 徑精 短述 、 前 徑由 長示 、 表 徑為 效成 等及 積M 面 .， 表度 、 短 徑長 效、 等 心 積重 面面 、 表 標 指 之 狀 形 元 次 推 的 丨源 形生 圖發 似之 相陷 己缺 的自述 陷、前 缺度並 象凸， 對凹個 査 、一 精度少 述高至 前、之 之度中 出滑之 導平元 所、次 料度1) 資積ta 像容ac _ 之fr 情述 良前 不闞 之及 程 Μ 製 ： 造庫 製料 及黄 置之 裝策 造對 製有 體訂 導已 半陷 述缺 前之 : 生 對發 核所 由應 藉因 係 .， 斷況 者 行 進 而 中 其 铳 系 管 品 之 載 記 所 項 值 5 檷第 指園 之範 狀利 形專 的請 陷申 缺明 象發 對本 査 精 的短 陷之 缺值 象檷 對指 査之 精性 述命 前致 從陷 有缺 具U 更有 丨 為 構成 機出 Η 導 加， 料中 資料 二 資 第像 述Η 前邊 • 週 能前功 功之之 之出率 項導命 1 所致 少據之 至根置 中有裝 之具髓 數更導 元，半 單構述 常機前 異定對 及判陷 數料缺 線資述 配工前 線加出 斷二算 、 第 Μ 數述值 媒前禰 配而指 路，述 者 能
统 糸 管 品 之 載 記 所 項 6 第 園 範 利 專 請 申 明 發 本 於 U (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 的 命 致 述 前 關 有 定 判為 : 值 係捕 構指 機述 定前 判在 料 ； 資否 Η 有 加的 二 值 第禰 述指 前的 中陷 其缺 定 判 況 情 的 外 Μ 髖存 導的 半陷 述缺 前象 對對 將査 為棟 定述 先前 預為 在定 否判 是被 在當 存所 的壜 陷之 缺性 象命 對致 査為 精成 述置 前裝 Κ 發據 能陷根 否缺即 是當 ， 所.，時 處域域 生領領 發的的 陷代代 缺替替 定路路 判霣霣 . 備 備 時預預 所之述 場設前 的所W 性置能 命装為 致髖定 成導判 將半被 於述所 位前處 在在生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公犮） 6 39958 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Λ7 B7 五、發明説明（7 ) 前述精査對象缺陷的位置、董值、以及有關前述缺陷的致 命性之指檷值*從藉由預備霣路替代具有缺陷之爾路的可 能性算出前述致命率者。 本發明申請專利範醑第7項所記載之品管糸統•其中 前述半導骽裝置係於半導體晶圆上經形成複數個的晶Η之 一，前述第二加工資料判定櫬構，更具備有*對前述半導 «晶圖上的每一前述晶片，合計前述致命率並各別判定前 述晶片的良否，且藉由將前述晶圓中之不良晶片的迪數除 Μ全晶Η数Κ算出不良率的功能者。 本發明之如申請専利範圍第8項所記載之記錄媒體， 係在根據設計圖Μ製造半導體装置之製程中，藉由調査製 造中之半専髖装置和前述設計國之不一致處所的缺陷以記 錄依霣腦執行前述半専髓装置之品質管理用的程式之記錄 媒體者，其係記錄：接受由缺陷檢査櫬構所_出之有關前 述缺陷的第一測定資料*並加工該第一测定資料以算出包 含有闞前述缺陷的數量及分布狀態之指標值之第一加工資 料之第一資料加工功能；接受前述第一加工資料，並根據 預定的判定條件進行是否就前述缺陷更進一步進行調査的 判定之第一加工資料判定功能；依前述第一加工資料判定 機構判定為將進行更進一步調査時，根據預定之抽出條件 ，在前述缺陷中，抽出更進一步成為調査對象之精査對象 缺陷，並對缺陷解析裝置输出有Μ前述精査對象缺陷的位 置座禰的黄料之抽樣功能；根據有W前述精査對象缺陷的 位置座檷的資料接受依前述缺陷解析裝置解析前述精査對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) ^ 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝
、1T 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（8 ) 象缺陷而成之结果之第二测定資科，並加工該第二測定賁 料Μ算出至少包含有闢前述精査對象缺陷之形狀的指棵值 之第二加工賁料之第二資枓加工功能；Μ及接受前述第二 加工資料，並根據前述第二加工資料自動推斷將成為前述 缺陷的發生源之半導《製造装置及製造製程之第二加工寅 料判定功能等依電臞實現之程式者。 琎明夕謇掄形應 使用第1園說明本發明之品管系铳之簧施形戆。另外 ，本發明係按每一相W製程將全製造製程予Μ區域（ block)化，且以按區域單位進行晶圓之檢査（品質管理）的 線內檢査為其前提者。 如第1匾所示，品管系统S100*具有：資科加工部11( 第一資料加工櫬構）；加工資料判定部12(第一加工資料判 定機構；抽樣部U (抽樣櫬構）；楢案作成部14 (播案作成 櫬構）；資料加工部15(第二資料加工櫬構）；Μ及加工黄 科判定部16(第二加工資枓判定楢構）；等Μ構成之。以下 ，就品管糸铳S100加Μ詳细說明。 A .掄杳奘罾 第1圖所示之檢査装置10(缺陷檢査裝置），係對晶圓 上所形成的半導«裝置（晶片）上局部照射電子或光（紫外 光〜可視光等），接受反射或是散射的霣子或光，K再現 對應其強度的輝度、色度者。其係藉由在預定範園内毫無 遺漏地進行該動作以獲得現實之半導體裝置的圜像（現實 像）之装置。接著，藉由現實像、和預先準備之經按設計 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝.
,1T 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 8 39958 hi B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 9 ) 1 完 成 之 理 想 的 半 導 jfi 裝 置 的匾 像（理想像） 之比 較， Κ特 定 1 1 I 與 設 計 圓 不 一 致 之 處 所 (以下 稱為”缺陷 ")0 1 1 接 著 算 出 每 __ 檢 査 區域 (晶片內之預定區域 、或- 1 1 請 I 個 晶 片 > $ 或 晶 圓 全 區 等 )的： 缺陷鑲數； 各個缺陷的面 先 閲 1 I 讀 1 1 積 及 面 積 等 效 徑 單 向 (X .Υ方 向）粒徑；長徑； 短徑；Μ 背 之 1 及 位 置 座 檷 等 的 測 定 資 科 D10 (第一測定資 枓） >該等_定 意 -I 1 ψ 1 賁 料 D10可《由依圓素區分缺陷部分以算出。 項金 再1 "J- 填 裝 I 在 此 使 用 第 2圔說明測定資料D10的 算出 方法 的概 略 寫 本 百 0 另 外 在 第 2園中假設晶圓WF之領域Z上 存在 缺陷 DF， 且 η •S__· 1 1 I 一 併 表 示 領 域 的 放 大 圈 者 0 1 1 1 如 第 2圔所示， 藉由Μ具有預定面積之複數個像元PX 1 1 覆 菝 (像元PX小於缺陷DF) 缺陷 DF，在缺陷 DF上 附加 構成 像 訂 1 元 的 中 心 (在此為a η 的 座擦 、X，Υ各方 向的 像元 數、 每 單 位 像 元 之 面 積 等 作 為 缺 陷資 訊。因而* 可從 全圓 素數 和 1 每 軍 位 像 元 之 面 積 的 乘 稹 中可 算出缺陷之 面積 (概略值） t 線 且 藉 由 取 該 缺 陷 的 面 積 的 開方 根就可算出 面積 等效 徑， 並 1 | 可 從 各 方 向 之 像 元 數 中 算 出單 向粒徑及長 徑、 短徑 、而 從 1 1 構 成 像 元 之 中 心 座 標 中 可 算出 位置座檷。 另外 ，有 闞測 定 I 1 資 料 D10之内容係依檢査装置之種類、廠商而異，且由於 1 I 不 — 定 可 _ 出 上 述 之 所 有 資料 ，所Μ有根 據檢 査裝 置所 檢 1 知 的 缺 陷 資 訊 在 本 發 明 之 品管 系統中予以 算出 之情 形° 1 β , 管 系 铳 丄 華 本 勒 作 1 1 首 先 — 面 參 照 第 1圓*而一面使用第3圃 及第 4圃所 1 1 示 之 流 程 圔 就 品 管 % 統 之 基本 動作加Μ說 明。 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 9 39958 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公浼） 39958 Λ7 B7 五、發明説明（1〇) 當開始進行線內檢査時*首先可在檢査裝置10中算出 上述之測定黄料D10(步驟ST1)。 接著，在資料加工部11中藉由加工測定資料D10，算 出：表示缺陷數及具有缺陷之晶片數之指標值ID1;表示 位於預定1值範園内之缺陷數及位於預定量值範圔內之具 有缺陷之晶片數之指標值ID2; K及表示位於密集狀態（成 蔟（cluster)狀慇）的缺陷數及位於密集狀態之具有缺陷之 晶片數之指標值ID3; Μ作為加工資料T10(第一加工賁料） (步驟ST2)。另外，缺陷是否位於密集狀態•最單純的作 法是以，二個缺陷之距離是否位於預先決定之距離内就可 加以判斷，又*從該二個缺陷至離開預定距雛的位置上若 有第三缺陷則可判斷位於密集狀態。如此藉由以缺陷間之 距離為基準就可判斷複數個缺陷之密集狀態。另外，如前 面說明，由於在各缺陷上附加有位置座檷資訊之故可容易 得知缺陷之距離。 在此，所諝量值（size)係指缺陷之單向（X，Υ方向）粒 徑、面積等效徑、長徑、短徑。另外，所謂單向粒徑（ Horizontal/Vertical Diameter)，是指 Μ 二條平行直線 夾住缺陷圈像時之二直線間的距離，一般作為正交之二方 向係採用X方向徑、Υ方向徑之二種類。所諝面積等效徑（ Area Equivalent Deameter)*是指Μ具有與缺陷圖像相 同面積的Η形來換算缺陷圔像之面稹時的直徑之意。 其次，在加工資料判定部12中參照指標值ID1〜ID3， 依覼察裝置20(缺陷解析装置）判定是否進行更進一步之調 10 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 Λ7 B7 五、發明説明（11 ) 査（精査），若欲進行調査即給予觀察裝置20指示及命令 CM10。另外*如發生場所被限定*或Μ等間隔出現等缺陷 較為單純的情況、或一般通知而須在觀察裝置20進行調査 *躭可推簫缺陷發生源，或者•若從檢査裝置10可判斷對 缺陷製品良率之影響度（缺陷之致命率），則視需要對半専 «製造裝置等有闞的櫬器30提出警告AR(步驟ST3)。 接著*在依觀察裝置20進行調査時，係在抽樣部13中 根據預定的抽樣條件抽出將成為觀察對象的缺陷（精査對 象缺陷）（步RST4)。在此作為抽樣條件而言*可舉出：從 董值（缺陷之單向粒徑、面積等效徑、長徑、短徑）之較大 者、或從較小者中依序僅抽出經指定之俚數之條件Q1;僅 抽出位於預定量值範圃内者之條件Q2;僅抽出存在於預定 領域內者、或存在於預定領域外者之條件Q3;在缺陷位於 密集狀態（位於成簇狀態）時，僅抽出位於預定領域内者之 條件Q4; Μ及僅抽出上述條件Q1〜Q4之中能滿足複數個姐 合者之條件Q5。 當成為観察對象之缺陷的抽出结束時，如步驟ST5(第 4圈）所示，由於將該缺陷之位置座棵資訊傅輸至觀察裝置 20上，所以依照預先決定之通信規定在楢案作成部14上作 成傅轆檑案FT並傳輸至觀察装置20上。另外，同時從檢査 裝置10挪移將成為檢査對象之晶圓至觀察裝置20上。 接著，在觀察裝置20上根據傅输擋案FT之位置座標資 訊進行缺陷之觀察（步嫌ST6)。在此*観察装置20具備例 如光學顯撤鏡或霣子顯微鏡或類似之放大装置•當接收缺 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· ，?τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 11 399 58 Λ7 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 39958 B7 五、發明説明（12 ) 陷之位置座檷賁訊時•即放大該缺陷及其通邊，並输出包 含缺陷及其a邊之圖像的圖像資料D20(第二測定資料）（步 騄 ST7)。 所得的圖像資料D20，可利用為缺陷發生源之推斷和 因缺陷之致命率及不良率之推斷等二個目的。 R-k缺陷琎半潲夕梅宙動作 當推斷缺陷發生源時，在資料加工部15上從圃像資料 D2 0中分離缺陷之圔像、和其遇邊之圓像（亦即按設計之方 式形成之部分的圈像）·並從缺陷之圏像中，作為加工資 料T2 0(第二加工資料）算出表示缺陷之形狀之指標值（步驟 ST8) 〇 在此，作為表示缺陷之形狀的指檷而言，可舉單向粒 徑（Ho「izontal/Vertical Diameter)、面積等效搜（Area Equivalent Dea_eter)、表面積等效徑（Surface Equivalent Diameter)、長徑（Major Axis)、短徑（ Mainor Axis)、平面重心（Area Valance Point)、表面重 心（Surface Valance Point)、長短度（Specific Shape Factor)、容積度（Bulk Factor)、平滑度（Smooth Factor)、高度（Hight)、凹凸度（Concavity/Convexity) 、自己相似圈形次元（Fractal Dimension)等。 所諝表面積等效徑、係指將缺陷鼷像之表面積換算 為具有與缺陷匾像相同表面積之圓的直徑。 所謂平面重心*係指具有與缺陷圔像相同面積之圓的 中心座禰。 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 Λ7 B7五、發明説明（13 ) 所謂表面重心•係指具有與缺陷圜像相同表面積之圓 的中心座禰。 所謂長短度*係表示K二條平行直線從複數個方向夾 住缺陷圖像時的二直線間距離之中最長值和最短值的比。 所謂容積度，係表示缺陷圔像的體積和表面積之比。 所謂平滑度，係Μ構成缺陷圔像之各像元之輝度的標 準差所定義者。 所諝凹凸度，是指對一定方向累計預定領域之像元輝 度平均值之連讀變化（微分係數）的正負反轉數之值。 在此，所謂嫌度（Brighness)·係表示_像亮度之程 度之值，在數位圔像之情況，Μ預定數分類最亮的點（像 元）和最暗的點（像元）之間所得的值，通常被分類成256餍 次（qradation)。另外，作為與輝度相同的參數有對比（ Contrast)。所謂對比，係表示_像之明暗的幅度*在數 位圈像之情況，係Μ預定的數值表示最亮的點（像元）和最 暗的點（像元）之間的幅度。 所謂自己相似_形次元，係表示缺陷表面之複雑度的 值，在以具有自己相似性（大小不同）之鼸形表現表面的凹 凸時，可從鼷形的邊的數和縮小率求出的值。 其次*在加工資料判定部16中，係根據上述之指檷值 推斷缺陷發生的原因（步驟S T9)，並視必要警告被推斷將 成為缺陷發生源之製造装置或是製造製程（步驟ST10)。在 此•受警告之製造装置或是製造製程由於將採取停止製造 動作等的措施•所Μ考量若放置不理已成為調査對象之缺 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. ，1Τ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇X2S»7公釐） 13 39958 Λ7 B7五、發明説明（l4) 陷而經過後缅製程成為製品之際是否會受到影響等K便決 定警告之命令下達。 案 良 不 及0 命 致 雖 ο 明 說% 加 念 概 之 率 良 不 及 率 命 致 之 陷 缺 躭 先 首 像H 的 邊 週 其 和 像 圓 的 陷 缺 有 含 ο 2 D 料 資 像 圈 明 說 已 前 為些 較一 卻有 像存 圖使 邊即 週有 的 ， 陷類 1\ I 鈇種 言 的 而路 斷霣 推體 的積 率髖 良導 不半 及視 率， 命即 致亦 在。 惟要 , 重 器 大 放 出 譲 > 部 元 單 憶 記 有 〇 備 形具 情雖 之置 能装 功體 響憶 影記 致， 不如 仍例 陷 缺 碼媒 解字 列 副 、' 部部 器器 碼大 解放 行出 、 謓 部或 擇部 選元 線單 元憶 位記 副在 、 常 部通 擇是 選但 線， 字等 副部 、器 部 擇 遘路 線 元 位 副 路 電 餘 冗 稱 簡 持 維 可 路3 之 能 功 霉失陷 或喪缺 件而該 元陷 ， 的缺而 餘因因 多換。 些董能 1 路功 有S的 持餘置 於冗裝 由由艚 上鞴憶 部 K 記 擇所為 選,作 是 ο 路10 0 - 或(0 件7 元0- 的在 能約 功率 失命 喪致 而故 陷 * 缺定 其決 因K M換 係置 ’ 路 的電 命餘 致冗 為依 否能 是否 存 之 陷 缺 中 路 霣 之 路 霣 餘 冗 有 具 未 在 外 另 0 圃 範 的% (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 -I 線- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 最 之 體 全 片 晶 為 作 又 ο 率 命 致 的% ο ο 11 為 成 將 上 本 基 在 Μ 個亦 定的 ， 判片又 該晶。 依良率 並不良 ，之不 定中為 判圓者 Κ晶除 率片相 命一數 致計片 的總晶 陷，全 缺著之 各接中 董 。圆 考否晶 係良片 率之一 命片Μ 致晶並 的定， 終決數 率 良 不 出 算 數 個 片 晶 良 不 之 中 料 批 晶 於 當 相 D2竟 料究 資陷 像缺 _ 的 從中 可査 ’ 調 上在 5 1 1 現 部知 工得 加中 料像 資圔 在邊 * 遇 圓而之 晶因陷 從缺 可 的 含 包 所 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0 X 297公釐） 399 58 經濟部中央榡準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（l5 ) 片中之何部分，且從冗餘霣路之存在的有否、或具有缺陷 之元件或與霣路之置換可能性算出致命率及不良率（步驟 ST11) 〇 經算出之致命率及不良率、作為致命率•不良率資料 FD反鋇至管理半導《裝置之生產計豳的系統上（步驟ST1 2) ，而利用為視不良率之多寡Μ調整生產董。例如，若不良 率為10%，則按增加生產量10%之方式增加晶圓之投入Η 數等Κ確保生產目檷。 c.a管备铳夕且《的動作例 C-1.缺陷’發牛潲夕椎斷動作的亘W例 其次，作為本發明之品管糸統之更具體的動作例，首 先，沿用第1圔、第3_及第4圈所示的流程國說明缺陷發 生源之推斷動作。另外，在本例中•係Μ金鼷配線製程之 區域中的線内檢査*假想缺陷非為圖案之缺損*而係發生 異物之情況。 首先，從檢査裝置10输出缺陷之X單向粒徑、Υ單向粒 徑、面積等效徑、缺陷之位置座標作為測定資料D10(步驟 ST1)。在此，設定X單向粒徑、Υ單向粒徑、面積等效徑均 為lwinK下，而各缺陷係從缺陷之位置座檷分散發生者。 其次，在資科加工部11中加工測定資料D10，且藉由 算出1 w bM下大小的缺陷數（指標數ID2)，得知該缺陷數 對總缺陷数佔有非常大的比例。又，加工測定資料D10M 算出位於密集（成簇）狀態的缺陷數（指標數ID3)，並得知 位於密集狀慇之缺陷幾乎不存在的情形（步驟ST2)。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'〆297公浼） 39958 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（l6 ) 接著，在加工賁料判定部12中，進行此等所得知事項 與預先決定之判定條件之比較（步驟ST3)。在此，作為判 定條件，例如予Μ設定為能滿足X單向粒徑、Y單向粒徑、 面積等效徑皆大致相等，單向粒徑為1ϋ·Κ下之條件的缺 陷數佔有鳃缺陷數之70% Μ上時則於觀察装置20中進行調 査j之方式。 另外，藉由至目前的步驟由X單向粒徑、Υ單向粒徑、 面積等效徑皆大致相等*且單向粒徑為lwmM下的得知事 項可推斷缺陷為球狀異物之可能性。接著，若合併思考此 次缺陷在配線製程中所發生之事實、和位於密集狀態之缺 陷幾乎不存在之事實，即可判斷缺陷發生源為電漿蝕刻装 置之排氣管系铳的不良之可能性很高，故尚可對霣漿蝕刻 装置發出警告指令。但是，如上述訂有判定條件*而能滿 足判定條件時在此階段不舍發出警告指令。亦即，為了更 確認缺陷為球狀異物之可能性靼見，選擇進行更進一步的 調査（精査）。 接著，在觀察裝置20中經已決定將進行調査時，加工 資料判定部12即對觀察裝置20給予指示及命令CM10，惟此 時，藉由給予並非調査所有的缺陷，而僅調査能滿足預定 條件的缺陷之指示，可以謀求調査之效率化。因此，於抽 樣部13中將抽樣條件設定為，例如「X單向粒徑、Y單向粒 徑、面積等效徑皆大致相等，且僅抽出單向粒徑為 下之缺陷j (步驟ST4)。 其次，在楢案作成部14中作成用Μ將能滿足上述抽樣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公潑） 16 399 58 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ7 B7五、發明説明（l7 ) 條件之缺陷的位置座檷資訊傅_至觀察装置20上的播案， 並傅輸至觀察裝置20上（步驟ST5)。另外，同時在觀察裝 置20上從檢査裝置10挪移作為檢査對象的晶圓。 接著，在觀察装置20中根據傳输椹案FT之位置座檷資 訊將進行缺陷之觀察（步驟ST6)。接著，放大缺陷及其週 邊画像•並輸出包含缺陷及其通邊鼷像的圈像資料D20(步 驟 ST7) ° 接著，從画像資料D20分雄缺陷的圈像、和其通邊的 画像，並從缺陷的圖像算出表示缺陷形狀之指標值（步驟 ST8)。在本例中，作為表示缺陷形狀之指檷採用長短度、 凹凸度、平滑度，而由於長短度大致為1，凹凸度大致為 0、像元輝度的標準餵差小且平滑度大（光滑）等事實，可 導出缺陷為形狀異物之情形。 另外，長短度等的二次元性資料，與曾使用第2圖說 明之測定資料D10的算出方法同樣，可藉由具有預定面積 之複數涸像元覆蓋缺陷Μ獾得。凹凸度、平滑度等的三次 元性資料可藉由测定電子或光之反射或散射的輝度、對比 Μ獲得。 接著，合併思考此次之缺陷發生在配線製程之事實， 與位於密集狀態之缺陷幾乎不存在之事實•在加工資料判 定部16判定此次之缺陷發生源為霣漿蝕刻装置之排氣管糸 統的不良所引起者（步》ST9)，同時判斷若放置不理該缺 陷時*在經由後讀之製程而成為製品之際將有不良影響之 可能性•並對霣漿蝕刻装置發出警告指令（步驟ST10)。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. ,ιτ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公麓） 17 39958 Λ7 B7 五、發明説明（IS ) 另外，欲特定電漿蝕刻裝置為缺陷發生源時》從有闞 ’ 成 中作 科驊 資闥 之的 陷間 缺之 種置 種裝 的造 生製 發之 所因 況原 情成 良造 不與 之類 置捶 装之 刻陷 蝕缺 漿將 霣先 因預 進異狀 中吠集 16球密 部即於 定亦位 判，及 料激以 資特、 工之實 加有事 在具之 要所程 必陷製 有缺線 且之配 , 次在 庫此生 料和發 資庫陷 的料缺 策資、 對該實 應對事 對核之 相行物 裝 體 導 半H 有 據 根 〇 先 業預 作可 的 ， 等庫 實料 事資 之之 在陷 存缺 不該 乎B8 幾有 陷此 缺如 之 態 如發發 於物及 藺異 K 據因份 根據成 僅根其 不也、 先且物 預而異 若，闢 , 料有 又資成 。 的作 之態 , 成狀料 作成資 K 形去 料或過 資狀之 去形陷 過陷缺 之缺為 造之成 製述而 置上生 即 ， 亦定 , 判 陷行 缺進 行M 進果 併结 一 析 由分 藉其 ，量 況考 情並 之 * 例析 本分 在的 , 性 庫定 料的 資物 之異 源狀 生球 置 裝 析 分 份 〇 成 湎備 生準 發需 的必 物將 異1份 狀成 球的 斷物 推異 度査 精調 的欲 高 ， 更外 Μ 另 能 則 置 裝 析 解 陷 缺 科 資 Η 加 給 供 提 值 標 指 之 份 成Μ 有 將 並 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袈 析 解 之 陷 缺 施 實 係 因 置 裝 析 分 ο 份置 成裝 或析 置解 裝陷 察缺 觀為 。 稱 6 ! 1 總 部可 定故 判之 之 a 品據 製根 為照 成參 终由 最藉 在亦 於 ， 對斷 , 判 況的 情性 之能 陷可 缺之 理響 不影 置良 放不 在有 ， 將 又否 是 際 可 即 行Μ ^ 庫之 料垄 資良 之不 成及 作垄 所命 料致 資 去 3 第 及 软 步 Β 之 ΒΙ中 5 第圈 用 4 使第 次亦 其 ， 作 動 斷在 推。 之明 率說 良體 不具 及 Μ 率加 命作 致動 躭之 更11 BST 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公犮） 3995 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張·尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公趟） 39958 Λ7 B7 五、發明説明（19 ) 本例中，假設在金羼K線製程之匾域中的埭內檢査，發生 圈案的缺損（斷線）而成為缺陷之情況。再者，在檢査裝置 10中特定缺陷，並根據該缺陷之位置座標資訊在観察裝置 20進行缺陷之精査的一系列動作係與已說明之動作相同。 首先，在賁料加工部15中，根據覼察装置20所输出的 匾像資料D20，算出短路配線數、斷線配線數、異常單元 數等與缺陷致命性有闞之指橘值（步驟ST20)。在此•所謂 異常單元是指於記憶體裝置之記憶單元部在單元的基本構 造（控制電極或源極•汲極電極等）具有缺陷的單元之意。 接著，在加工資料判定部16中，若該等指標值皆為0 則判斷為無異常（致命率0)，若該等指檷值中之任一個為 0M外的值則判斷為有異常並繼續進行調査（步驟ST21)。 在此，使用第6圔說明配線斷線部位之特定方法的一 例。第6圖中假設於晶圆WF的區域Z上存在有斷線部位BP， 並合併表示區域Z的放大疆。如第6麵所示，在區域Z中並 行排列複數個配媒園案VL，而其中之一個存在有斷線部位 BP ° 作為得知該斷線部位BP的方法，可舉因光照射之反射 光的輝度測定方法。亦即，如第6圈之箭號所示藉由按與 配線圔案WL之排列方向正交之方式，一面移動光源，一面 照射光*並以光檢出器测定反射光之輝度，或固定光源一 面移動光檢出器一面測定反射光之輝度*即可依通期性的 特性獲得有闞配線圓型WL之反射光的輝度之資料，且藉由 分析該資料之周波頻率，即可得知配線圖型WL的間隔或缺 1 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 Λ7 B7 五、發明説明（2〇) 陷之存在。 亦即*若在配線画菜WL上沒有缺陷（斷線），則在有鼷 輝度之資料上預定的嫌度僅依遇期性出現，惟若有缺陷（ 斷線）則由於其部分的輝度將降低之故週期性即混亂。藉 由調査該遇期性之混亂程度即可得知缺陷數（斷線數）。 另外，亦可同法調査配線圈案WL的短路。此時，依本 來在遇期性應該混亂之部分（配線應該保持間隔的部分）有 否出現通期性K得知缺陷數（短路數）。 其次，調査缺陷發生部位之遇邊瑁境，以判斷缺陷之 存在是否為可造成致命的場所（步驟ST22)。此乃即使發生 缺陷惟若發生在不存在霣路圜案之部分、或不影響霣路圖 菜之部分則不致造成致命性之故此作業乃為從調査對象中 摘除如此部分的缺陷之作業。因而，當判斷缺陷之存在非 位於造成致命性的場所時即可推斷為致命率〇 *當判斷缺 陷之存在位於造成致命性的埸所時則將更進一步進行調査 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 因通電 之，、 明否否 說有有 所之之 面性案 前期圖 依通路 闞析電 有解知 從，得 可中由 , 料藉 境資並 環的， 的度等 邊觯向 通的方 陷光之 缺射案 , 反 圈 外之期 另射週 照 、 光期 霣 薄 何 係 究 路 。® 解的 瞭邊 Μ 通 向陷 方缺 列知 排得 之可 系即 圓業 路作 電該 、 由 隔藉 間 ， 案又 園 路 象選中 對媒之 査字等 調副部 為、器 作部碼 知器解 可大列 則放 、 , 出 部 例讀器 為、碼 置部解 装元行 體單、 憶憶部 記記擇 用在選 採生線 若發元 , 係位 即究副 亦陷 、 。 缺部 路之擇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 20 3 995 8 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（21 ) 的何處。 該資訊係在步驟ST23中，在判斷缺陷發生部位是否為 能Μ預備霣路（冗餘電路）替代之領域之際可Μ應用者。亦 即，若採用記憶《裝置為例*如前面所說明由於在記憶單 元部或讓出放大器部上設有若干冗餘霣路，所Μ藉由冗餘 霣路置換因缺陷而喪失功能之電路即可維持作為記憶體装 置之功能，在該情況不能僅因缺陷存在而謂有致命性。因 此，尚需要做更進一步的調査。反之，在步驟ST23中經判 斷缺陷發生部位非位於預備霣路（冗餘霣路）所能替代的領 域時*有缺陷存在即表示有致命性，而致命率將變成為1 〇 在缺陷發生處所位於預備電路（冗餘m路）所能替代之 領域時，根據缺陷之位置、量值、有闞缺陷的致命性之指 檷等調査能否以預備《路替代具有缺陷之霣路•並算出致 命率（步驟ST24)。 再者，即使在缺陷為一個而經判斷為能依預備m路替 代且致命率為〇而言，若存在複數個缺陷時致命率則將變 化，所以在調査晶片内之所有缺陷後始算出致命率。亦即 ，一個晶片所具有之預備電路數可有數百個，惟若替代之 需要超遇此數目時，或在無法替代之《路上發生缺陷時， 就無法做依預備電路之替代（救濟）。將此不能替代（救濟） 之比率可作為致命率。 例如，對救濟可能的缺陷数100而言，若預備霣路數 為500時致命率最低成為0.2。惟•視缺陷的位置或霣值也 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) > - •裝------訂--J.--,— -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210Χ297公逄） 21 3995 8 Λ7 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（22 ) 有一個預備電路尚無法救濟之情況，所Μ上述之數值也有 變大的情況。 按每一缺陷（至少成為精査對象之每一缺陷）反覆進行 該種致命率之算出（步驟ST25)，並調査晶片内之至少將成 為精査對象之全部缺陷Κ算出最终的致命率*進而對晶圓 内之全部晶片算出致命率Μ判定晶片之良否。晶片良否之 判定基準，在於致命率是否為1，若致命率為1則視為不良 晶片。若致命率非為1，則如前面說明係可依預備電路替 代具有缺陷之霣路之意，而不被視為不良。 如此，總計一片晶圓中的不良晶片的個數，並除以一 片晶圆中之蟪晶片數即可算出不良率（步驟ST26)。 另外，已於前面說明可依致命率及不良率據Κ調整半 導級裝置之生產計劃，但是也有依致命率及不良率據Μ決 定是否要廢棄已經過幾個製程之晶圓的情形。 亦即，在線内檢査中原則上從1批料之晶圓（50〜100 片）之中抽出複數片晶圓Μ進行檢査。此時，對成為檢査 對象之晶圆之中只有一片的不良率很高（例如晶片全部為 不良品），而其他晶面幾乎沒有不良品的情況則僅廢棄不 良率很高的晶圓，但是對所有的晶圓之不良率很高的情況 ，即實施1批料的晶圓全部皆廢棄的處分。藉由該種的處 分，即可防止後續之製造製程中混存大量不良品之情形， 且可防止費用損失之發生。 ΙΚ特榭的作用效果 如以上所說明•依本發明之品管糸統可按自動之方式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公t ) 22 39958 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 23 ) 1 1 實 施 • • 根 據 依 檢 査 裝 置 所 得 有 闞 缺 陷 之 資 料 * 推 斷 缺 陷 發 1 1 生 源 並 做 是 否 對 成 為 缺 陷 發 生 源 之 製 造 裝 置 及 相 關 連 之 製 1 1 造 製 程 給 予 警 告 的 * 是 否 更 進 — 步 依 觀 裝 置 進 行 調 査 S I I 請 1 I 的 決 定 ； Μ 及 根 據 依 觀 察 裝 置 所 得 之 有 闢 缺 陷 的 資 訊 Μ 推 先 閱 1 I 讀 1 | 斷 缺 陷 發 生 源 並 做 是 否 對 成 為 缺 陷 發 生 源 之 製 造 裝 置 及 相 背 έ Jr 1 1 闞 連 之 製 造 製 程 給 予 的 決 定 再 者 因 可 白 動 方 式 進 注 意 事 1 行 缺 陷 致 命 率 之 算 出 可 減 少 依 線 内 檢 査 從 發 現 缺 陷 至 異 項< 再| c\ 填 常 事 態 發 生 之 辨 識 為 止 所 花 費 的 勞 力 及 時 間 同 時 可 獲 得 本 裝 1 經 改 菩 缺 陷 致 命 率 之 算 出 精 度 之 品 管 系 統 0 頁 '—^ 1 1 R , 對 記 錄 媒 JL 濟 用 1 1 另 外 亦 可 實 現 利 用 霄 腦 發 揮 >χ 上 說 明 之 實 施 形 態 中 1 1 所 敘 述 之 品 管 糸 統 的 功 能 之 品 管 程 式 〇 亦 即 9 亦 可 利 用 電 訂 1 腦 實 現 第 1画所示之品管系統的各構成部： 資料加工部1 1 ( 第 一 賁 枓 加 工 機 構 ); 加工資料判定部12 (第 一 加 工 資 料 判 1 1 Ί „ 定 機 構 )； 抽樣部13 (抽 樣 櫬 梅 ); 椹案作成部14(椹 案 作 成 1 線 m 構 ); 資料加工部15 (第 二 資 料 加 工 機 構 ); Μ及加工資 1 料 判 定 部 16 (第二加工資料判定櫬構） 的 功 能 ， 其 處 理 順 序 1 1 可 依 第 3圖 第4 圔 及 第 5圖所示之流程Κ進行之品管程式 1 實 規 0 此 時 該 品 管 程 式 係 記 錄 在 軟 碟 CD -ROM 、 硬 碟 等 1 I 的 記 憶 媒 赝 内 Μ 提 供 者 0 1 F . 與 掄 JL 转 詈 觀 察 裝 置 搭 配 1 1 另 外 » 在 Μ 上 之 說 明 中 > 品 管 系 統 S100 係 按 與 檢 査 裝 1 1 1 置 或 覼 察 裝 置 分 開 存 在 之 方 式 說 明 者 ， 但 是 當 然 亦 可 搭 配 1 1 檢 査 裝 置 或 觀 察 装 置 中 0 此 時 % 可 將 品 管 系 統 S100 全 部 搭 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 〇 3 3 9 9 5 8 Λ7 B7 五、發明説明（24 ) 配檢査装置或觀察裝置之一方内，亦可將品管系統S100依 功能別分成二大類而分別搭配檢査裝置或觀察装置內。 亦即，可將資料加工部11、加工資料判定部12、抽樣 部13、楢案作成部14等搭配於檢査裝置中，而將賁料加工 部15、加工資料判定部16等搭配於觀察裝置中。 链明夕姓里 依本發明申請專利範園第1項所記載之品管糸統，則 在所謂的線內檢査中，由於根據依缺陷檢査裝置所得之第 一測定資料，可自動方式做進行是否依缺陷解析裝置更進 一步進行調_査$決定，以及根據依缺陷解析裝置所得之有 闞於精査對象缺陷之第二測定資料，可自動方式推斷缺陷 發生海，故於線內檢査可減少從缺陷之發現至異常事態發 生之辨識所花費的勞力及時間。又*在推斷缺陷發生滙之 後，藉由提供警告於將成為缺陷發生源之製造裝置及相鼷 連之製造製程，以防止具有起因於缺陷之不良情況的半導 體装置混存製造線內的情形*故可防止半導體裝置的費用 損失之發生。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 依本發明申請專利範圍第2項所記載之品管系統，第 一加工資料判定櫬構，根據依缺陷檢査裝置所得之第一测 定資料及第一至第三之指標值•具有自動方式推斷成為缺 陷發生源之半導體製造裝置及製造製程之功能，故在缺陷 較為單純且在一般的情況可於檢査之較早階段即可得知缺 陷發生源*且可減少在檢査上所花費的時間。 依本發明申請專利範圔第3項所記載之品管糸統，藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 39958 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 24 Λ7 B7 五、發明説明（25 ) 由設定遒合第一测定資料及第一至第三之指摞值的抽出條 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將料使半之。藉的 藉可 藉如 藉氣上置置精源 ， 資料.，生源，陷 ，即 ，例 ，電 髓裝 裝之生 统像資值發生铳缺 铳， 统至 體上媒査 析得發 糸圓定標所發系出 条性 系饋。媒腦錄檢 解所陷 管之 测指應之管算 管能 管反 少錄電記陷 陷置缺 品置 二該因陷品確 品可 品，減記的行缺 缺装斷 之裝第：及缺之正 之的。之 率的之能執據 依析推 載察之對 Μ 斷載可 載路率載之量載功並根 否解動 記覼陷核；推記即 記電命記不產記式，，是陷自 所的缺由況確所， 所之致所之生所程置中斷缺可 項般象藉情正項值 項陷的項出之項之裝査推據即 。4 一 對並良更 5 標 6 缺陷 7 算 生 8 載析檢 動根料 化第之査，不可第指 第有缺第所 發第記解內 自及資 當圍用 精值之 即画之 圍具 出圍構 品圃所 陷線可Μ定 缠範應關標程，範性 範代算範櫬良範體缺的即，測 之利置有指製庫利命 利替法利定不利媒及謂，定二 出專裝為的造料專致 專路方專判因專錄Μ所料決第 抽請析作狀製資請的 請電的請料止請記置於資的之 陷申解 於形及 之申陷 申備當 申資防 申該装，定査 翡 缺明陷合陷置策明缺 明預恰明 Η 可明行査式 測調有 求發缺班缺装對發Η發Μ且發加即發執檢程一步陷 謀本為為關造有本有。本能便本二劃本備陷 之第一缺 可依作定有製訂依定率依量簡依第計依具缺錄 之m象 , 自設之體陷 設命 考既 將產 在接記 得做對 件 來，用導缺 由致 由以 由生 由連.所 所更査 .--S1裝------訂--Γ--Ί 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 25 39958 Λ7 B7 五、發明説明（26 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，故在線內檢査時可減少從缺陷的發現至異常事態發生的 辨識所花費之勞力及時間。又，於推斷缺陷發生源之後* 藉由提供警告於將成為缺陷發生源之製造裝置及相關連之 製造製程，由於可防止具有起因於缺陷之不良情況的半導 通装置混存製造線内的情形*所以可防止半導體装置的費 用損失之發生。 麵式夕蘸盟說明 第1圈表示本發明之品管系铳的構成方塊圈。 第2圖為說明於檢査裝置之缺陷的測定方法之臛。 第3圖為說明本發明之品管系統的基本動作之流程圖 〇 第4圖為說明本發明之品管系統的基本動作之流程圔 0 第5圔為說明本發明之品管系統中之致命率推斷動作 之流程圖。 第6画為說明觀察装置中之缺陷的測定方法之圔。 第7圈為說明線内檢査之概念圖。 第8圓為說明習知之品管系統之方塊圈。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 元件煸賊夕說明 10 檢 査 裝 置 20 觀 察 裝 置 30 相 闞 櫬 器 D10 ' D20 測 定 資 料 T10 ' T20 加 工 資 料 FD 致 命 率 •不良率資料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公1 ) 26 39958