TW388926B

TW388926B - Method and device using arf photoresist

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Publication number: TW388926B
Application number: TW086119893A
Authority: TW
Inventors: Jae-Chang Jung; Cheol-Kyu Bok; Ki-Ho Baik
Original assignee: Hyundai Electronics Ind
Priority date: 1996-12-31
Filing date: 1997-12-29
Publication date: 2000-05-01
Also published as: FR2757868B1; GB2320718A; GB9727474D0; GB2320718A8; JP3220745B2; CN1478800A; ITTO971150A1; JP2002003542A; KR19980063345A; CN1280321C; JP2007146182A; NL1007939C2; NL1007939A1; GB2320718A9; CN1983029B; JP4999499B2; DE19758244B4; KR100265597B1; DE19758244A1; JP4025956B2

Description

A7 B7 年修ί] 補充丨五、發明説明（Υ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 應6小時。於反應完全之後，用旋轉蒸發器脫除一部份的溶劑並將剩餘物沈澱於乙酵，之中。過濾沈澱物並將其置於真空烘箱内乾燥。所得產物即用為光阻劑樹脂。

實施例IV 共聚物之合成

將91克的實施例I中合成所得5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙幽，9 7克的實施例11中合成所得5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酯•和98克的順丁烯二酸酐置於一反應器內，然後用氮氣沖濂。在65 — 120D下進行反應6小時。於反應完全之後，用旋轉蒸發器脫除一部份的溶劑並將剰餘物沈澱於乙酵之中。過濾沈澱物並將其置於具空烘箱内乾譟。所得產物即用為光姐劑樹胞。實施例V 共聚物之合成經濟部智慧財產局R工消费合作社印製將98克的双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙酯， 104克的双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酯和86克的碳酸伸乙烯酯置於一反應器之内，然後•與2升的四氫呋哺溶劑混合。其後，在反應器内放入1.5克的偶氮二異丁膊（ AIBN)並用氮氣國沖滌反應器。在65¾下進行反應6小時。於反應完全之後•用旋轉蒸發器去除一部份的溶_並將剩餘物置於乙酵中沈澱。將沈澱物濾出並置於真空烘箱内 -11- 本纸張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（/ ) 链昍g罟發明頜城本發明係有«積《霣路之製造。更特定言之，本發朋提出一種ArF光阻劑樹脂及其製備方法，且更特別者，有Η 一種遍合用於使用深紫外光（DUV)作為光源的次微米平版印刷術之光阻爾共聚物及一種製備彼等共聚物方法。此外 *本發明也提出包括彼等樹脂的光阻劑。先前持ϋ說明最近，化學擴大光阻劑（chemical amplifrcation Photoesist)已盛行於半導髖裝置中，係因彼等發現對 DUV光有高度敏感性之故，DUV光係經公認為遘合用來完成半導髓装置高度積體化之光涯。化學擴大光阻爾通常具有一光酸產生_ (photoacid generator)及一具有可與酸敏想地反應的化學構造之基質聚合物。有Η彼等光阻謂的作用欐制，當該光阻劑透過光罩暴露於DUV光源時，經由光酸產生_的作用會產生光子且隨後該光子會與基質聚合物的主鍵或側鍵反應。此反應會經由將共聚物所具構造予以轉化，例如經由將其分解，交瞄或改變其極性，而增加該共聚物在顯像溶液内的溶解度。所 Κ ·在用顯像溶液處理時，在暘光區的共聚物會溶解而在非曝光區則保持不溶解，由是在基材上留下正像形式的光罩形狀。同時，锂由光平版印刷術所形成的圃案之解析率 -3- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（2丨0><297公釐）

In I— t^n I HI mf m In \J 穿 τβ /—λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ____B7____ 五、發明説明（>) 通常係與光源的波長成正比。因此，随著波長愈短，可以形成愈细的麵案。隨著尋找逋合用來改良解析率的新光源努力*開發出深紫外光（DUV)用K將半導體裝置積體化到十價或更高级規棋之内。通常，光阻爾必須具有高度抗蝕刻性和耐熱性。此外，要用於冉“的光阻爾必須在2.38%氫氧化四甲铵（1{1八11 )溶液內顯像。不過，事實上，却難K得到完全滿足這些性霣的光阻劑樹脂。例如*對上述短波長的光具透光性，具有聚（甲基丙烯酸甲酷）主鍵之樹脂係容易合成者。但其在實際應用中，由於其不良的抗胜刻性及在TMAH溶疲中的顯像性，却有問題存在，抗蝕刻性可以锂由在主鍵中導入脂族環軍顥而獲得改良。但在實際上不可能合成主鏈含有脂族環的樹脂 0 為了解上述問題，AT & T (或Bell Laboratory)開發出一種樹脂，其主鏈可用下面的式I表之，其中代入原冰Η 烯，丙烯酸酯和順丁烯二酸酐： --I -'- i I- - - _ - _ - ...... I m m n^i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公楚） A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製五、發明説明（$ ) 於式I中，使用顚丁烯二酸酐A部份的目的在於聚合胞族環烯烴基但其即使在未_光狀態也能在2.38% TMAH溶液内溶解得很好。此種溶解可經由埔加主鍵中代入第三丁基的y部份之比例而予K抑制。如此，其作用在增加對基材的黏著性之Z部份所具比例即相對地變小，導致光阻劑從基材，例如晶圓，之上釋開。其结果，不可眭使用這方法形成良好的驪案。Bell Laboratory提出一種兩成分系統，其包括膽固酵化合物作為溶解抑制繭。不過，埴種溶解抑制劑需要以大量加入，例如樹脂的約3 0重量％ *使得Bell Laboratory的樹脂對於光阻樹脂的用途在理論上有其問題存在。琏明《沫综上所述，本發明的一項目的為克服上述先前技藝所遭遇的問题及提出一種ArF光阻醑樹脂，其可很少地溶於顯像溶液内而其構造中沒有化學變化，此外，其具有優良的抗胜刻性，酎熱性和黏著性。本發明的一項目為為提出一種光阻劑共聚物。本發明的另一項目的為提出一種製備該光阻劑共聚物之方法。本發明的另一項目的為提出一種包括該光阻劑共聚物 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -I ί ί - I-1— ml - I « - - II -I -I I— ------- ^^1 -¾ 、-" /l\ (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) B7 五、發明説明（4) 之光阻劑。本發明的另一項目的為提出一種製備該光阻劑之方法 0 本發明的另一項目的為提出一種製備積體電路装置之方法。本發明的另一項目的為提出一種部份完全的半導體装置。發明夕联拥說明本發明新穎光阻繭共聚物係用一或多種真有下面式I 的双環烯類，具有下面式Η的顆丁烯二酸酐及/或具有下面式IV的碳酸伸乙烯酯製備成的：〔式I〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 0 ((

-6- 式中，R表氫或含有1-10個經取代或未經取代碳原子的直鍵或支鐽烷基；且η為1或2，〔式I ] 0 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（t) [式 IV ]

經濟部中央標準局貞工消費合作社印製於式I中，較佳的R基係選自包括氫，2-羥基乙基和第三丁基的组合之中者。亦即，双環烯的較佳例子包括5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙鹿，5-原冰片烯-2-羧酸第三丁 _ ，5-原冰片烯2-羧酸，双環〔2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙酯，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁醱及/或双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。本發明共聚物具有約3,00 0至100,000的分子量。本發明較佳共聚物之一係用碳酸伸乙烯酯和一或多種其中R為氫，2-羥基乙基和第三丁基且π為1的双環烯製備成者。亦即*其係選自5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙81，5-原冰片烯-2-羧酸第三丁睡，5-原冰Η烯2-羧酸之中者。本發明之新類共聚色包括一或多種具有式I的双環烯化合物，和具有式JI的順丁烯二酸酐或具有式IV的碳酸伸乙烯酯，其可根據一般使用自由基聚合起始劑的自由基聚合技術予以製備成。彼等係在大塊聚合或溶液聚合反應中聚合。對於聚合溶爾，可Κ使用軍獨之環己酮，丁嗣，苯，甲苯，二氧陸 -7- --------—装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,?τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（) 園，二甲基甲醚胺，四氫呋喃，或其組合。通常，該聚合反應係在聚合反應起始劑存在中進行的，例如過氧化苯甲醢基，2,2’-偶氮二異丁腈"1810 ，過氧化乙醢基，過氧化月桂基和過乙酸第三丁酯。使用於在半導體裝置中形成正像精密圖案的正像光阻劑组成物可K锂由將本發明新穎光阻劑共聚物與光酸產生劑在有櫬溶劑内K典型方式混合而得到。於調配時，該共聚物的量決定於有櫬溶劑，光酸產生劑和平販印刷條件且較佳者為所用有楗溶劑的約10-30里量％。要製備光阻劑時，係將本發明共聚物先M10 — 30重量 %的量溶在環己酮内並將銘鹽或有播磺酸作為光酸產生爾 K光阻聚合物里量的約0.1 — 10簠量％之量加入。然後，用超畑濾器通濾此溶液而得光阻爾溶液。將此光阻爾溶液旋塗在矽晶圓上，然後將其置於80 — 1501C溫度的烘箱或霣熱板上软烘1— 5分鏡。使用K深紫外光或激生分子雷射作為光源的能階器（stepper)進行曝光程序。之後，將晶圓置於100 — 200t：溫度下進行後一烘焙。將經後一烘焙的晶圚浸於2.3 8% T ΜΑΗ溶液中90秒即可得到超细正像光阻影像。從下文所提為閫明而非用以限制本發明的S施例可Μ 獲得對本發明的更佳了解。

實施例I -8 - 本紙張尺度適用中國國家梂芈（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製五、發明説明（/) 5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙_之合成將具有下面式V的二環戊二烯置於約120 — 1701C下裂解*由是得到具有下面式VI的環戊二烯〔式V ]/1 〔式 VI〕♦ D 將式VI環戊二烯與具有下面式V E的丙烯酸-2-羥基乙酯K相同比例溶在乙醚或四氫呋哺之内。其後，將其置於約-30至6 0 TC溫度下反應24小時。之後，利用旋轉蒸發器脫除掉溶劑並冥空蒸皤剰餘物而得具有下面式V II的5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙酷，其係内向-(endo-)和外向（ exo-)混合物。〔式 V H ] i-i： in j ci q H -9-

本紙張尺度適用中國國家橾準（CMS ) Α4規格（210Χ297公釐）請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁裝_ 訂 Α7 Β7 五、發明説明（3

〔式VI

•CH

CK Η 請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

實施例I

5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酷之合成於一反應器內，先加入6 6克的環戊二烯，然後混合入 500克的四氫呋哺。於反應器内，加入12 8克的丙烯酸第三丁醣。其後，將這些反應物置於-30至6flt：溫度下攪拌反懕 10小時。於反應完全後，利用旋轉蒸發器真空蒸發掉溶爾，接著真空蒸餾而得檷題化合物：產率為30%。實施例I 共聚物之合成將31克的實施例I中合成所得5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙酯，97克的實施例11中合成所得5-原冰片烯-2-菝酸第三丁酯，和8·6克的碳酸伸乙烯酯置於一反懕器内*然後用氮氣沖滌。在65- 120C及.5 0— 200大氣壓的壓力下進行反 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）訂 Λ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 年修ί] 補充丨五、發明説明（Υ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 應6小時。於反應完全之後，用旋轉蒸發器脫除一部份的溶劑並將剩餘物沈澱於乙酵，之中。過濾沈澱物並將其置於真空烘箱内乾燥。所得產物即用為光阻劑樹脂。

實施例IV 共聚物之合成

將91克的實施例I中合成所得5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙幽，9 7克的實施例11中合成所得5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酯•和98克的順丁烯二酸酐置於一反應器內，然後用氮氣沖濂。在65 — 120D下進行反應6小時。於反應完全之後，用旋轉蒸發器脫除一部份的溶劑並將剰餘物沈澱於乙酵之中。過濾沈澱物並將其置於具空烘箱内乾譟。所得產物即用為光姐劑樹胞。實施例V 共聚物之合成經濟部智慧財產局R工消费合作社印製將98克的双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙酯， 104克的双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酯和86克的碳酸伸乙烯酯置於一反應器之内，然後•與2升的四氫呋哺溶劑混合。其後，在反應器内放入1.5克的偶氮二異丁膊（ AIBN)並用氮氣國沖滌反應器。在65¾下進行反應6小時。於反應完全之後•用旋轉蒸發器去除一部份的溶_並將剩餘物置於乙酵中沈澱。將沈澱物濾出並置於真空烘箱内 -11- 本纸張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（丨Ό ) 乾煉。所得產物即用為光阻劑樹脂。

實施例VI 共聚物之合成將98克的双環[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙鹿， 104克的双環〔2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸第三丁醣和86克的順丁烯二酸酐置於一反懕器之內，然後，與2升的四氫呋哺溶繭混合。其後，在反懕器内放入1.5克的偁氮二異丁勝（ AIBN)並用氮氣圃沖滌反懕器。在65D下進行反懕6小時。於反應完全之後，用旋轉蒸發器去除一部份的溶劑並將剰餘物置於乙酵中沈濺。將沈澱物濾出並置於真空烘箱内乾嫌。所得產物即用為光阻劑樹脂。

實施例V I

ArF光阻劑樹脂之合成聚〔5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙酯/5-原冰片烯-2-狻酸第三丁醣/5-原冰片烯-2-羧酸/順丁烯二酸酐〕之合成將一莫耳具有下面式K的顒丁烯二酸酐，0.05 — 0.8莫耳5-原冰片烯-2-羧酸-2-羥基乙酯，0.5 — 0.9 5萁耳的5-原冰片希-2-羧酸第三丁酯和0.01至0.2莫耳的5-原冰片烯- 2-羧酸溶解在四Μ呋哺或甲苯之內。其後，將其溶解在一溶劑内。在氮氣或氩氣園下，約60-7GTC溫度下，在0.5 - 10 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---------------ΐτ------.1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 五、發明説明（1| ) 克偁氮二異丁膈（AIBN)作為起始劑之存在中進行自由基反愿約4— 2 4小時。將Μ此聚合反應製成的樹脂置於乙酵或己烷中沈澱並乾堍而得具有下面式X的聚〔5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙酯/ 5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酯/ 5-原冰片烯2-羧酸/順丁烯二酸酐]樹脂。〔式 IX〕

5-原冰片烯-2- 5-原冰片烯-2- 顚丁烯二 5-原冰片烯羧酸2-羥基乙酯羧酸第三丁酯酸酐 -2-羧駿 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔式X ]

ΟΗ 經濟部中央樣準局属工消费合作社印裂

S施例V I 光阻膜之製儀及臞案之形成將10克聚[5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙醣/5-原冰片 -13- 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）經濟部中央標準局貝工消费合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（l/) 烯-2-羧酸第三丁鹿/ 5-原冰片烯-2-羧酸/順丁烯二酸酐 ]溶解在4〇jg丙酸3-甲氧基甲酯溶劑内並加入約0.02-1 克的三氟甲烷磺酸三苯餹或三氟甲烷磺酸二丁基蔡基鐮或該兩種光酸產生劑混合物。在充分攪拌之後，將該混合物通過一 0.10激米漶器。將此漶液塗被在一晶圓上並予以造圖。在塗層為約0.6微米厚時*可得垂直L/S匯栗，解析率為0. 14激米。如前文所述者*用本發明新類共聚物製成的光阻爾具有優良的抗蝕刻性和射热性。此外，其可溶解於2.3 8%的 TMAH溶液内。其亦顥示出良好的黏著性，可Μ用0.7微米厚的光阻爾塗層得到具有令人滿意的解析率和焦點深度之 0.1 5微米L/S·案。因此，在樹脂主鍵中専入5-原冰片烯 -2-羧酸2-羥基乙酯可促成具有優良黏著性的光咀劑之合成 Ο 本發明至此已用閫述性方式說明過，而要了解者，本文所用術語係意画作為說明而非限制性者。從上面所姶說明中可以對本發明給予許多修改和變異。因此，要了解者，在後附申請專利範圍所界定的範園之内，本發明可K用與本文所特定地說月者以外之方式予以實施。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭· ，?τ

Claims

申請專利範圍

1 ·—獨光阻劑共聚物，其係用一或多種进自下列所咦組合之中的化合物聚合而成的：一或多種具有下面式]I 的双環烯類，具有下面式I的順丁烯二酸酐或下面式IV的_ 、碳酸伸乙烯酯：〔式E〕 (CH^n

式中R奉氟或，含有1 - 1 0個經取代或未、經取代碳原子的直鍵或支鍵烷基；且η為1或2，〔式I〕〔式 IV〕 (請先Μ讀背面之注意事項f .寫本頁) 榮. Γ 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 2 .如申請專利範圈第1項之光阻劑共聚物，其中：該双係遵自包括下列的組合之中t: 5_原冰片嫌 -1- 本紙法尺度逋用中國國家鏢準（CNS)A4规格（210x297公釐）申請專利範圍

1 ·—獨光阻劑共聚物，其係用一或多種进自下列所咦組合之中的化合物聚合而成的：一或多種具有下面式]I 的双環烯類，具有下面式I的順丁烯二酸酐或下面式IV的_ 、碳酸伸乙烯酯：〔式E〕 (CH^n

式中R奉氟或，含有1 - 1 0個經取代或未、經取代碳原子的直鍵或支鍵烷基；且η為1或2，〔式I〕〔式 IV〕 (請先Μ讀背面之注意事項f .寫本頁) 榮. Γ 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 2 .如申請專利範圈第1項之光阻劑共聚物，其中：該双係遵自包括下列的組合之中t: 5_原冰片嫌 -1- 本紙法尺度逋用中國國家鏢準（CNS)A4规格（210x297公釐） AS B8 C8 D8 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製七、申請專利範圍 -2-按酸2二羥基乙酯，5-原冰片烯-2-既酸第三丁 _，5-原冰片烯-2-羧酸，双環J： 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙酯，双瓖〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酯和双環〔 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。 3 .如申誚專利範圍第1項之光阻劑共聚物’其中該R 係選自包括氫，2-羥基乙基，和第三丁基的組合之中者。 4 .如申請專利範圍第1項之光阻劑共聚物，其中該共聚物具有在約3,00 0至100,00 0範鼷內之分子量。 5 ♦如申請專利範豳第1項之光阻劑共苹物，其中蒗共聚物係經由將碳酸伸乙烯酷和一或多種其中R為氫* 2-羥基乙基或第三丁基且η為1的双環烯類共聚合而製備成者。 6 ·如申謫專利範國第5項之光姐劑共聚物，其中該双應ίί類係選碧包括下列的組含之中者：5-艮冰片烯-2-羧乙酯，5_原冰片角-卜羧酸第三丁屢· 5_原冰片烯 -2-羧酸，双環〔2,2,2]辛-5-烯-2-董酸2-羥酸2-羥基乙酯，双環[2,2,2〕辛-5-烯-2-後酸第三丁 B&和双環〔 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。 7 ·—棰製f光阻劑共聚物之方法，其包括下述之步驟：將一 ί多種遛自下列所成組合之中的化合物共聚合·· 一或多種具有下面式I的双環烯類，具有下面式I的顒丁烯G醺酐或下面式IV的碳酸伸乙烯酷：〔式I ] (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐）申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 (CH如

式中R表氩或含有1-10掛經-取代或未经取代碳原子的直》或享鍵烷基；且η為1或2，. 〔式I〕 0 〇 (請先Μ讀背面之注意事項再埃寫本頁) 裝· 〔式 IV〕訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 ·如申請專利範園第7項之製備光阻餌共聚物之方法，其中：. 該双環烯係選自包括下列的組合之中者：5-原冰Η嫌、 -2-羧酸2-羥基乙ft，5-原冰片烯”2=羧酸第三丁酷，5-原冰片烯-2-羧酸，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧激2-羥基乙酯，双環〔2,2,2〕辛-5-嫌-2-羧酸第三丁醣和双瑁〔 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。 9 ·如申謫專利範圔第7項之製備光阻劑共聚物之方涑本纸張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4«l格（210X297公釐）經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍法，其中該R係壤自包括氫，2-羥基乙基，和第三丁基的組 |之中者。 1 〇 .如申請專利範圍第7項之製備光J且劑共聚物之友法，其中該共聚物具有在約-3, 0 0 0至1〇〇,〇〇〇範圍内之分子量。 1 1 *如申請專利範園第7項之製備光姐费1共聚物之方法，其中該一或多種龌自ϋ下列所成組合之中的化合物：一或，多種具有式I的双環烯類，具有式I的頫丁烯二蒙酐或具有式IV的碳酸伸乙烯磨，係使用自由基聚合起始劑、共聚合的。 12·如申請專利範圃第7項之製備光阻劑共聚物之方法，其中該共聚物係經由將艰酸:伸乙烯酯和一或多種其 .·· 中R為簠，.L羥基乙基或第三丁基且η為1的双環烯類共聚合 + _ ---------- 而製備成者。 13·如申誚專利範画第12項之製備光姐劑共聚物之方法•其中該碳酸伸乙嫌期與一或多種其中R為氫* 2-麗. .基乙基或.第三丁基且η為1的双環烯類係使用自由基聚合起-始劑予以共聚合。 1 4 ·如申請專利範園第1 1和13項中任一項之製，備洸阻凰共聚物之方法，其中該自由基聚合起始鐳係遘自，包括下列所成姐合之中者：遢氧化苯甲釀基，2,2’，糲氰二, 異丁腈（ΑΙΒΝ)，過氧化乙基，場氧你再桂基和通乙酸第三丁酶。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家搞準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 κ、申請專利範圍 1 5 如申請專利範騸第7項所述之製備光阻劑共聚 &之方法，其中該一或多種邏自包括下列所成組合之中的化合物： ' 或多學具有式j!的双環烯類，具有式j的順丁嫌二酸暴或 '具有式队的及鞭伸乙铺煽，，係經使用大塊聚舍或乾液聚合予以共聚合的j 1_ 6 ·如申誚專利範國第1 5項之名備光阻氰共聚物之方法，其中轉1章反應溶蝌係H包括下列的姐合之中者：環己釅，丁嗣，苯，甲苯λ二氣1凰，二甲基氧醢胺， :四i呋喃，軍獨者或彼等的组合。 1 7 . ~種光阻劑，其包括一共聚物，其係^用一或多種選自下列所成組合之中的化合物聚合而成的：一或多種具有下面式Ϊ的双環烯類，具有下面式II的鳳丁篇二酸班-或下面式w的碳酸伸乙烯醣：… 〔式Π〕㈣η ---------裝-------訂------泉 X/V (請先聞讀背面之注意事項再填寫本肓) 經濟部智慧財產局員工消貪合作社印製基烷 3 鐽1 中支式式或 t 有含或氫表

或 1A 為 η 且鏈直的子原碳代取經未或代取經個 ( CNS ) A4«^ ( 210X297^* ) 〜---—_____ 08 〜---—_____ 08

A8 B9 C8 六、申請專利範囷〔式 IV〕

1 8 .如申請專利範画第.1 7項之光阻離’其中： /該双環烯係選自包括下列的組合之中者：5 -原冰片烯羧酸2-羥基乙醣，5-原冰片烯-2-羧酸第三丁 _，5-原冰'片烯-2-羧酸，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙 _，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁 _和双環C 2 , 2 , 2]辛-5-烯-2,羧酸。 1 9 ·如申請專利範圃第1 7項之光阻劑，其中該R 係遘自包括氫，2-羥基乙基，和第三丁基的組合之中者。 2-〇 *如申誚專利範園第1 7項之光阻劑，其中該共聚物具有在約3,00 0至100,000範歯内之分子量。 2,1 ·如申誚專利範國第1 7項之光阻劑•其中該共_ 聚物係經由將碳酸伸乙嫌Jfe和一或多種其中R為氢* 2-羥基乙基或第三丁基且η為1的双環烯類共聚合而製備成者。 22·如申謫專利範圃第21項之光姐劑，其中該双 Ρ嫌ΙΪ係埋自包括下列的組合之中者：5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙酯，5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酿，I、原冰片烯 -6- 本紙張/L度逋用中國國家糅率（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------^------訂.------涞 (請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ~2-後酸，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧櫬2-羥酸2-羥基乙双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁釀和双環〔 2，2，2〕辛-5-烯，2-羧酸。 2 3 ·—種製備光阻劑之方法，其包括下列諸步驟： r .---·· ... ^備一共聚物，其係用一或多種選自下列所成組合之中的化合物共聚合_雨成的：一或多種具有下面式I的双軋烯規 •具有下面-式]I的顚丁烯二银《或下面式IV的碳酸伸乙烯 p將該共聚物與„敏化繭在有櫬溶劑典锟合而製成光姐劑 Γ - " p液，〔式I〕 (請先閲讀背面之注$項f寫本頁) •装

經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製基烷 3 鐽 Κ 中支式式或 t 有含或氫表或 IX 為 η 且鍵直的子原碳代取經未或代取經锢

式本紙張尺度逍用中困國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A8 B8 C8

經濟部智慧財產局员工消費合作社印製 24·如申誚專利範圍第23項之製備光阻劑之方法，其中：該双環烯係遘自包括下列的組合之中者：5 -原冰片烯 -2-羧酸2-羥基乙醋5-原冰片烯-2-羧酸第三丁 _，5-原冰片烯-2-羧酸，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙 _ ’双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三孓_|双環〔泛，2，2]辛-5-烯-2-羧酸。 25·如申誚專利範困第23項之製備光姐_之方法 ’其中該R係遵自包括氫* 2-羥基乙基，和第三丁基的組合之中者。 2 6 ·都申講専利範屬第2 3項之製備光阻解之方法，其中該共聚物具有在約3,00 0至100,00 0範園内之分子量 Ο 27 ·如申誚專利範園第23項之製備光姐爾之方法，其中該一或多種選自包括下列所成組合之中的化合物：一或多種具有式I[的双環稀類•式I厢丁嫌二酸酐戒具有，式IV的碳酸伸乙烯酯，係經由使用自由基聚合起始劑予K 共聚合的。 2 8 *如申請專利範画第2 3項之製備光阻__之！法本紙張尺度逋用中國國家梂率（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先闖讀背面之注意事項再填寫本頁) r敕. .tT 涞 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍，其中該共聚物係經由將碳酸伸乙烯鹿和一或多種其中R為氫，2-徑基乙_基或第三丁基且n為1的双環烯頬共聚合而製備成者。’ 29 ·如申誚專利範圍第28項之製備光阻劑之方法，其中孩费酸伸Ζτ稀酯與一或务霭其中R為氫，2-羥基乙基或第三丁基且η為1的双環烯類係使用自由基聚合，起始劑予 Μ共聚合。 30 ♦如申誚專利範園第27和29項中任一項之製備光阻劑之方法，其中該自由基聚合起始劑係理自包括下列所^成姐合之中者：、*氧化苯甲醸基，2，2 偶氮二異丁腈 (AlfifO ·過氧化乙醢基*過氧:ft月桂基和過乙酸第三丁 ·· ..一·. 曄。 3 1 ·如申請專利範圍第23項所述之製備光阻劑之方法，其中該一或多種遘自包括下列所成组合之中的化合物：一或多種具有式I的双環烯類，具有式1的顚丁烯二酸酐或具有式IV的碳酸伸乙烯》，係堪使用大塊聚合或溶液聚合予以共聚合的。 3 ,2 ·如申謫專利範園第2 3項之製備光阻劑之方法，其中、該有櫬溶劑係理自包括下、列的姐合之中者：環己酮 ! 丁鼷，苯」甲苯，二级陸園，二甲.基甲醯胺，四氩呋喃 .je a者或彼等的組合。 33·如申請專利範園第23項之製備光阻劑之方法，其中該敏化劑包括一光酸產生劑•其係選自包括鎗.鹽或本紙張尺度適用中國«家#準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (锖先閲讀背面之注意事項再樓H) 訂 Φ 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍有櫬磺酸的组合之中者。 3 4 —種製備光阻劑的方法*其包括下列步驟（i (請先閲讀背面之注項再嗔寫本頁) )至（iii): (i) 將9至11克的聚（5,原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙_/ 5-原冰忐嫌-2-羧酸第三丁5-原冰月烯-2-羧酸/顚丁烯二酸酐）共聚物樹脂溶於39至42克的3-甲氧基丙酸甲賄溶劑之步嫌； (ii) 將0.02至1克的三氟甲腐播酸三苯銳或三氟甲烧磺酸二T碁—暮基敏或這兩種光^酸產生_的混合物加到步鼸（i) 的反應產物中之步骤；及 (iii) 將步驟（ii)的反應物攪拌與通濾Μ產生光阻劑之步驟。 31 ·—種合成單體的方法》其包括下列諸步驟： .東 ’將環戊二烯置於一反懕器內並與四氫毋喃溶劑混合將丙烯酸第三丁麝加到反應器內；释拌該等反應物後*使該等反應物反塍-; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在反贏肩全後以旋轉蒸發器脫除該溶劑·，及在去除龙溶劑後，滅低壓力及蒸錮而製成5-原冰片烯 -2-羧酸第三丁 S。 36 ·如申誚専利範画第35項之合成單«的方法，其中該方法使用約66克的瓖戊二烯，約5 0 0克的四值呋喃溶朗和約128克_的丙烯酸第三丁 ft。、37·如申請專利範画第35項之合成單體的方法· -10- 本纸張尺度逋用中國國家梂¥( CNS > Α4規格（210X297公釐) A8 B8 C8 D8 A、申請專利範圍其中該攪拌步驟係在約-2 0至7 0 U的溫度下進行9至11小時 Ο 3 8 .如申誚専利範圍第3 5項之合成軍«的方法，其中該攬拌步»係在約-30至60ΪΙ的溫度下進行10小時。 39 · —種合成一單體之方法，其包括下列步驟U) 至（iv): (Λ)將具有下面式VI的應戊二烯與具有式V I的丙烯酸2-、羥基乙酯Μ相同比率溶#在乙醚或四氫呋哺溶劑之内； (ii) 將步驟（i)的反應產物置於-30至60¾溫度下反應 ........ · ... 時； (iii) 在反懕完全之後，以旋轉蒸發器去除溶劑； (iv) 減壓及蒸《步骤（iii>的反應物而製成5-原冰片烯 -2-搂8L2-羥基乙釀，〔式 VI〕 ---------- (請先W讀背面之注意事項异填寫本頁) %5· Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

ikflUUL逋用中國《家搞率(CNS )八4祕（210X297公釐） K '申請專利範圍 A8 B8 C8 D8

巧中該環戊二稀係經由用有下面式V的二環戊二烯置於約 . 1 9(1至170¾溫度下裂解而得者〔式V〕

(請先»讀背面之注意事項再本頁經濟部智慧財A局員工消費合作社印製 41·—種製備光阻劑共聚物之方法，其包括下列步驊（i)至（v i): (i) 將5-原冰Η烯-2-羧酸2-羥基乙酯，5-原冰片烯 -2-羧酸第三丁酯和碳酸伸乙篇_放到一反應器內之步驟； (ii) 用«氣圍冲滌步驟（i)反應產物之步驟； (iii) 將步驟（ii)反應產物置於5〇至14〇Ό下反應5 至7小時之步驟； (iv) 在步驟（iii)完成之後·Μ旋轉蒸發器去除一部份溶W之步驟； (ν)將溶_剩餘物置於乙醚中沈激之步驟；及 (vi)將步驟（ν)的沈濺物通滅和乾燥Μ產生光阻劑共聚物之步»。今2 ·如申請専利範園第4 1項之製備光阻劑共聚物之方法*其中該方法包括下列歩« (i)至（vi): -12- 訂·' -線本紙浪尺度逋用中國国家捸率（CNS ) A4规格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍 (i) 將9 1克的5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙酯，97克的5-擷冰片烯-2-羧酸蓽三丁 _及86克的碳龙伸乙嫌幽放到 —反應器内之步驟； (ii) 用氮氣臞冲澜步驟（i)反應產物之步骤； (iii) 將步驟（ii)反應產物置於65至120C及_50至 2 〇〇大氣屋,之颳力下反應6小時之步驟； (iv) 在步驟（iii)完成之後，Μ旋轉蒸發器去除一部份溶劑之步》; (V)將溶劑剰餘物置於乙醚中予Μ沈麗\之步»;及 < vi)將步驟（ν)的沈濺物予以遘濾和乾微製成光，阻劑共聚物之步驟。- 4 3 · —種製備光阻劑共聚物之方法，其包括下列步~ 驟（i)至（vi): (i)將5_、原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙雀，5-原冰片嫌 -2-羧酸第三丁 ft和褊丁嫌二酸酐·放到一反應器內之步»; ( ii)用氮氣团冲端步软U)反應產撖之步 (iii) 將步K (ii)反應產物置於50至14at：下反應5 至7小時之步嫌； (iv) 在步嫌（iii)完成之後，Μ旋轉蒸發器去除一部份溶劑之步»; U)將溶劑剩餘物置於Zr«」M激之步嫌；及、 (vi)將步嫌（V)的沈澱物和乾燥Μ產生光阻蘭共聚物之步驟。 -13- 本紙張尺度適用中國國家棵率（CNS ) Μ洗格（210X297公釐） ---------#------訂------0 (請先閲讀背面之注意事項本頁) ' A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 44♦如申請專利範園第43項之製備光姐劑共聚物 - -> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之方法，其中該方法包括下列步驟（i)至（vi): (i) 將9 1充的5-原冰片烯-2-.接酸—2-H乙I，9 7見 t 的5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酯及98克的傾丁烯二酸、酐放到一反應器內之步驟； (ii) 用氮氣圃冲滌步驟（1)反懕產物之步驟； _____ ( iii)將步» ( ii)反應產物置於65至120TC及50至， 2〇〇大‘氣懕之壓力下反應6小時之步揉； (iv) 在步驟（iii)完成之後，Μ旋轉蒸發器去除一部份溶劑之步驟；< . (v) 將溶劑刺餘崩置於乙継來予以沈澱之步驟；及 (vi) 將步驟（v)的沈灘物予Μ過濾和乾燥以製成光阻劑共聚物之步骤。 45 · —種製備光阻劑共聚物之方法，其包括下列步驟（i)至（vii): 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (i) 將双瓖〔2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙醣v 双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三.丁 IS和碳酸伸乙烯麇置於一反應器内之步嫌； (ii) 將四氫呋哺溶劑添加到步驟（i)反應產物内之步»; (iii) 將偁氣二異丁臃- (AIBN) ·添加到步嫌（iii) 反應產物内之後，用级羼麗冲癱反應器之步》; (iv) 將步驟（iii)反應產物置於50至80¾溫度下反 -14- 本紙張尺度逋用中國國家楳率（〇呢）八4規格（210><297公釐） Α8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍應5至8小時之步嫌； (V)在步驟（iv)完成後以旋轉蒸發器去除一部份溶 $之歩鼸；， (vi) 將溶劑剰餘物置於乙醚中予以沈澱之步骤；及 (vii) 將步嫌（Vi)沈狼物過濾和乾堍而得光阻劑共聚物之步嫌。 46 ·如申請専利範画第45項之製備光阻劑共聚物之方法，其中該方法包括下列步嫌（i)至（vii)； (i) 將9&克的双環〔 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-理基 ζτ磨、104克的双環〔2, 2, 2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酯和 86克碳酸伸乙烯酯置於一反應器内之步驟； (ii) 將2升四氫呋哺溶劑加到步驟（i)反應產物内之步嫌； (iii) 將1.5克偁氮二異丁臃（AIBN)加到步》(ii )反應產物內之後*用氯氣画冲期L反應器之步》; (iv) 將步》(iii)反應產物置於65勺反應6小時之 .步《丨 (v) 在步嫌（iv)完成之後，K旋轉蒸發器去除掉一部份溶劑之步驟； (vi) 將溶鬵剩餘物置於乙醚中沈澱之步《;及 (vii) 將步驟（Vi)沈澱物邊濾和乾煉Μ製成光阻麵共聚物之步驟〇 4 7 ·—種製儋光阻劃共聚物之方法•其包括下列步 -15- 本紙張尺度逍用中國國家楳準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 _ ( i)至（ v i i): (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (i) 將双環〔2,2,2]辛-5-烯-2-羧覼2-羥基名酯，双環〔2,2, 2〕辛-5-烯-2-狻酸第三丁酯和顚丁烯二酸二醺酐置於一反應器內之步》; 、 „ · - (ii) 將四氫呋喃溶劑添加到步》(i)反應產物内之步骤； (iii) 將偶氮二異丁腈（AIM)添加到步嫌（iii) 反應產物內之後，用氮氣園冲嫌反應器之步骤； (iv) 將步驟（iii)反應產觀置於50至8〇υ溫度下反應5至8小時之步驟； (ν)在步琢（iv)完成後以旋轉蒸發器去除一部份溶劑之步驟； ( vi)將溶劑刺餘物置於乙醚、中予以沈澱之步驟；及 (vii)將步驟（vi)沈載物壜象和乾堍而得光組劑共聚物之步驟。 4 8 ·如申請專利範围第4 7項之製備光旭麗共聚物之方法，其中該方法包括下列涉驟（i)至（vii) 經濟部智慧財產局霣工消費合作社印製 (i) 將98克的双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-搂酸2-羥基. 乙醮，10 4克的双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁醮和 98克，丁烯二鼠座-置欲一反應器内之步驟； (ii) 將？升四氫呋哺溶劑加到步《 (i)反鼠產.物内 I 之步驟；〆 (iii) 將1.5克惆氱二異丁腈（AIBN)加到步* (ii -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4Λ格（210><297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8__ 六、申請專利範圍 )反應產物内之後，用氮氣麵冲漪反應器之步驟； (iv) 將步嫌（iii)反應產物置於65*C反惠6小時之步软； (v) 在步驟（iv)完成之後，以旋轉蒸發器去除掉一部份溶劑之步嫌； (vi) 將溶劑刺餘物置於乙醚中沈澱之步嫌；及 (vii) 將步驟（ii)沈《物逢濾和乾嫌Μ製成光阻雨共聚物之步嫌。 4 p ·—種製備光阻購共聚物之方法，其包括下列步骤（i)至（iv): (i) 將一奠耳具有下面式K时顚丁烯二鬣酐，0.Οδό . 8莫耳 5 - 原冰 Η 烯 - 2 -後酸 - 2 --羥基乙酯 * 0 .5 — 0 . 9 5莫耳的5-原冰片希-2-羧酸第三丁»和0.01至0 .2蓖耳的5-原冰片烯-2-羧酸溶解在四氫呋哺或甲苯之内之步驟； (ii) 將0.5至1.0克俑氮二異丁腈（ΑΙΒΝ)起始劑加 \ 到步k (i)反應產物内之步嫌； (iii) 將步驟（ ii)反應產物置於65至70¾氮氣或ίί 飙園下反應4至2 4小時之步Κ ;及 (iv) 將步驟（iii)反鼴產物沈澱和'乾煉Μ製成聚〔 5-原冰片烯-2-羧酸2-羥*乙酯./ 5-原冰片烯-2-羧酸第三丁酷/5-原冰片烯-2-羧酸/順丁烯二酸酐〕光阻劑共聚物之步驟。 50 · —種光阻劑共聚物，其包括一有下面式V I的5 -原 - ------〜 -17- 本紙張尺度逋用中國國家梂率（CNS > Α4规格（210X297公釐）一 ---------1------訂-------^ (請先閲讀背面之注意事項$寫本買) A8 B8 C8 D8 K 0

一 CH Η 申請專利範園冰片烯-2-羧酸2-羥基乙_單體〔式 v a〕 CH 5 1 .如申講專利範鼸第5 0項之光阻劑共聚物*其中該單髖係用環戊二烯和丙烯酸2-涯基乙酯合成者。 5 2 *如申請專利範騸第5 0項之光阻劑共聚物，其中該共聚物係經由將該重複軍位與具有下面式Κ的單體予蚁聚合而製成者：〔式 IX〕 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

OlCHtCHiOH . 0

經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 5-原冰片烯-2-， 5-原冰片烯-2- _ 丁烯二 5-原冰片烯_ 羧酸2-羥基乙_ 羧酸第三丁 _ 酸酐 -2-mm 5 3 .如申請專利範_第5 0填之光15且劑共聚物*其中該樹脂包括具有下面式X的聚〔5-原冰H铺_2_後酸2_理基乙鹿/,5-原冰片烯-2-羧酸第三丁原冰片嫌_2_後酸/類丁烯二酸酐〕 ~18~ 本纸張尺度逋用中國國家椹準（CNS > A4规格（210X297公釐）

388926 —----- 、申請專利範圍〔式X ] 54 · —種製造積«霣路裝置之方法*其包括下列諸步» : 準備一基材；施加一包括一光阻劑共聚物的光姐劑膜，該光阻劑共聚物依用一或多種選自下列所成組合之中的化合物聚合而成的：一或多種具有下面式I的双環烯類，具有一上面式 B的顒丁烯二酸酐或下面式IV的碳酸伸乙烯醏：將一部份該光阻膜使用霣磁輻射予Μ曝光；及將該光阻劑膜顬像而形成對應於該曝光縝部份的在該基材上之曝露部份並在該基材的曝露部份上面實施半専體製造之程序，〔式I〕

-19- 本纸張尺度適用中國國家梂隼（CNS ) Α4规格（2丨0X297公釐） ----------裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再•本頁) , 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8

388926 π、申請專利範囷式中R表氫或含有1 一 1Q個經取代或未經取代碳原子的直鏈或支鐽烷基；且n為1或2，〔式I〕

〔式 IV〕 55 ·如申請專利範圍第54項之製造積臞電路裝置之方法，其中：該双環烯係遘自包括下列的組合之中者：5-原冰片烯 -2-羧酸2-羥基乙酷，5-原冰片烯-2-羧酸第三丁 Κ，5-原冰片烯-2-羧酸，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙醣，双環〔2, 2, 2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酯和双環C 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。 56 *如申請專利範矚第54項之製造積《ΜΙ路装置之方法，其中該R係遴自包括氪，2-羥基乙基，和第三丁基的組合之中者。 57 ·如申誚專利範_第54項之製造積《霣路装置之方法，其中該共聚物具有在約3,0 0 0至1〇〇,〇〇〇範園內之分子量。 -20- 本纸張尺度逋用中國國家標丰（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------装------ΐτ------^ (請先聞讀背面之注意Ϋ項本頁) ' 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 388926 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 之方法合物：或具有爾予Μ 5 之方法或多種類係使 6 造積體包括下異丁腈第三丁 8 ·如申請專利範画第54項之製造積應電路裝置 *其中該一或多種選自包括下列所成组合之中的化一或多種具有式Π的双環烯類，式I顒丁烯二酸酐式IV的碳酸伸乙烯幽·係經由使用自由基聚合起始共聚合的。 9 ·如申請專利範圈第54項之製造積體霣路装置，其中該光阻劑共聚物係經由將碳酸伸乙烯_與一其中R為氫，2-羥基乙基或第三丁基且η為1的双環烯用自由基聚合起始劑予以共聚合。 0 · Sli?电_專利範醒第5 8和5 9項中任一項之製

電路裝，其中該自由基聚合起始_依選自列所成组合者：通氧化苯甲釀基，2，2 偁氮二 (AIBN)，遇氧化乙_基，過氧化月桂基和通乙酸磨0 ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項本頁) ,ιτ. 經濟部智慧財產局员工消費合作杜印製阻具： : 光’酯括一類烯包括烯乙置包環伸装其双酸該且的碳 , 者 Π 的置上式IV 裝材面式 .理基下面等該有下半在具或的釐種、酐全覆多酸完係或二份其一烯部，用丁種及膜係顒 1 .，劑其的 . 材阻 · B 1 基光物式 D 6 1 一聚面 I 共下式劑有 t

本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）線 388926 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍式中β表氳或含有1- 10届經取代或未經取代破原子的直鍵或支鏈烷基；且II為1或2，〔式I〕〔式 IV ] 如申請専利範_第61項之部份

薄鱧装 (請先閎讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 6 2 置，其中該双瓖烯係選自包括下列的組合之中者：5-原冰片烯 -2-羧酸2-羥基乙酷.，5-原冰片烯-2-菝酸第三丁酷，5-原冰片烯-2-羧酸，双環〔2,2, 2]辛-5-烯-2-羧酸2-羥基乙酷，双環〔2 , 2，2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酷^双瓖〔 2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。

63 ·如申讅專利範園第6 1項之部份完戈禪痛I豔装置，其‘中該R係遘自包括氩· 2-羥基乙基•和第三\^*的组合之中者。 -22- 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS > Α4洗格（210χ297公釐） 38S926 il C8 _ _ D8~'申請專利範圍

64 ·如申講專利範圃第6 1項之部份完臛装置，其中該共聚物具有在約3 , 0 0 0至1 0 0，0 0 0範围內^之分子…

ft » 65 ♦如申請專利範圍第6 1項之部份完 I ^其中該光旭劑共聚物係經由將碳酸伸乙烯ft 種其中R為氫，2-羥基乙基或第三丁基且η為1的双環烯類共聚合而製備成者。 f 6 6 ·如申請專利範園第6 5項之部份完：筹體裝置’其中該双、環烯類係選自，包插下列的组合之中^^5-原冰片烯-2-羧酸2-羥基乙_，5-原冰片烯-2-羧酸第三丁》 ’ 5-原冰片烯 -2-羧酸，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸 2-羥酸2- 羥基乙_，双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸第三丁酷和双環〔2,2,2〕辛-5-烯-2-羧酸。

---------裝-- (請先W讀背面之注意事項本頁) 訂嫌· 經濟部智慧財產局典工消費合作社印製 23- 本紙張又度逋用中國國家橾率（CNS ) A4规格（210X297公釐）