TW238424B

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Publication number: TW238424B
Application number: TW083103390A
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Original assignee: Nat Semiconductor Corp
Priority date: 1993-04-05
Filing date: 1994-04-16
Publication date: 1995-01-11
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Description

經濟部中央標隼扃員工消费合作社印製 <^SS424 ΑΊ B7 五、發明説明（\ ) 1 ♦發明領域本發明乃關於金氧半導體（MOS)電晶體，特別是指一種裝置及方法用K調蝥MOS電晶«之臨限（界）電壓。 2 ·相關技藝之描述一金氧半導體場效電晶體（MOSFET)利用一導層介質障壁以隔絕閜極及通道。一施於該閘掻端之控制電壓會感應出一電埸跨於該介質障壁並改變在通道區域內之自由載子濃度。MO S電晶體被分類成P通道或n通道裝置，而其分別乃是依通道區域内之導電形態而定。 MO S電晶體也依其操作模式而被分類。於一空乏型 MO S電晶體，其W極沒有被施加閘極電壓時，一専霣通道會存在。所施加之闸極電壓藉著”空乏”或綰窄該通道之一部分而控制源極與吸極間之電流流動。於一加強型MO S電晶體，當施加於閛極上之電壓為零時，則沒有専電通道會存在於源極與吸極之間。當一正確極性之閘源偏壓被施加於該電晶體且其值被增加而超過一臨界電壓Vr時，一局部反轉層會直接形成於該閘極下面。該層係作為源極與吸極間之一導電通道。如果閛極偏壓被進一步增加，則感應通道之霄阻會減少，因此介於源極與吸極間之電流傳導就被加強。於一 η通道加強型MO S®晶體，W源電壓Ves必須為正，以便能感應出一通道。在通道未形成之前，沒有電本紙法尺度適用中國國家橾準（CNS > A4«L格（210X297公釐） ----------^------1T------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 2384:: 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（>) 流可Μ流通，因此只有當Vos超過一正的臨界電壓νΓ 才可使電流流通。於一 P通道加強型MO S電晶體中，其閛源電壓v<jS必須為負值K便感應出一通道。只VGS有低於 —負的VV 值，或者說超過一正的νΓ值，霣流才舍流通。一 MOS電晶體之臨界電懕值Vr 有一部分是由製造程序規格而定，亦即通道長度，通道寬度，摻雜等。因此，Vi值於製造過程中可被設定成所要求之位準。於一積體電路中可能包含數千個MO S電晶體，不同的電路被用來改變每一霣晶體之閘源霣壓VQS，以便將電晶體切換成導通或不導通。通常，Ves值被增加而超過Vr 值時即可將電晶體切換成導通，而被減少成低於Vr 值時即將電晶體切換成不導通。用Μ改變個別電晶體Ves值之電路被配置成Μ預定之供應電壓操作，而該供懕霉懕係被施加於該積體電路上者。

Vt 雖然傳統之MO S電晶體已經能缠當地作用於數千個積體電路之應用中，然而目前至少有兩個間題與臨界電S 之選擇有闞*而埴兩個問題巳造成MO S霣晶體之缺乏效率。與Vr值選擇有闞之第一個間題是闞於預定供應電壓的問題。由於負載之改變及電壓供應本身之改變*因此對於原先應該為3 . 3伏特之供應電壓，若其低到2伏特或高到5伏特都是很可能發生的。因此，轚晶體之值必本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ---------1^------iT.-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局WH消費合作杜印製 ^38424 A7 B7 五、發明说明（3 ) 須被壤擇，Μ便電晶體於電壓供應變成在2至5伏特的範圍内均可工作。然而，適當地選擇Vr使電晶«能有效地操作於一大範圍的供應電懕內是困難。例如，如果電晶體之值於供應電壓為2伏特時被選得低一點Κ便能有最好之作用時，則5伏特之電壓供應會使得Ves值增加得逭超過Vr 值。因為所選擇值若以一 5伏特之供應電壓操作時可能會太低，而當電晶體應被切換成不導通時，Ves可能非常靠近或等於。因此，如果Vr值太低，則電晶«可能在應該不専通的情況下而呈現稍微専通而引起霄流之洩露0 另一方面·當供應電壓為5伏特時，如果霄晶鰭之％值為了較佳之工作表現（亦即在不導通時之低漏電量）而被選擇較高值*則只有2伏特之《壓供應會減少電晶體於操作範圍之允許的”頂部空間”值。特定地說”頂部空間 ”是指供懕霣壓與Vr 值之差。如果所選擇的太高，則頂部空間畲減少，而這並非所希望的•因為如此將更不能保證Vos會超遇Vr Μ便能完全地將電晶體切換成等通。事實上，Vu可能都無法達到Vr 值，於此種情況下· 則電晶體即無法被切換成導通。闖於臨界霣壓選擇之第二個問題乃是闢於MO S電晶體之製造程序。通道長度，通道寬度，閛氧化層厚度，摻雜等等，均為決定Vr 值之因素。雖然現今之製造技術允 ~ 6 - 本紙乐尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4说格（210X297公釐） ----------^------1T—-----0 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ^38424 _B7五、發明说明（4 ) 許Vr 被相當精確地定義，然而由於製程中之不一致性卻使得個別電晶體之Vr 有所不同。即使供應電壓不改其規格值*但若Vt· 值不能被正確地設定*則洩漏電流或減少頂部空間等問題仍會發生。換句話說*如果νΓ值在規格之低點時則漏霣滾可能是會發生的問題。另一方面而言，如果值在規格之高點時， m 間即會減少。對於埴些問題之傳統解決方法*使其能準確地控制Vr , 包含選擇一額外之大通道長度L，因此當v^·值為規 /，也許會基於摻雜之改赛而使漏霣流保持在規 -i, J內。然而此一解決方式卻也必須付出一些代價，例如當一額外大通道長度被使用時，平均驅動霣潦須保持低一點Κ便控制漏電流。但對於霄晶體而言卻需要有高一點的驅動電流。現在愈來愈霈要使用較低的供應霣壓於MO S電晶獲 Μ便能保存罨源。當供應電壓減少時•對於實際Vr值正 (準）確的控制變得愈形重要。準確地控制Vr值相當重要，因為很少的頂部空間可被容許。甚且，如果Vr值可被準確地控制，則電晶體可被製成之程序規格可K允許該電晶體忍受較高之平均驅動電流。因此，就需要提供一棰装置及/或方法可用來解決Μ 於M〇 S霣晶«臨界轚壓V r35之選擇所產生的問題。發明槪要 A7 ί ί ----------^------IT------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張纽適用中國固家榡牟（(：叫八4祕（210父297公簸> ^SS42 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製五、發明説明（5 ) 本發明提供一種装置用K調整一 MO S®晶體之臨界電壓。參考電壓產生電路被用來產生第一霣壓信號。包含該MO S電晶體之臨界電懕監視電路被用來測量該MO S 轚晶體之有效臨界電壓，並產生一第二電壓信號。回授電路將該第一電壓信號與該第二鼋壓信號作比較，並調整該 MO S之電晶體之有效臨界霣壓，使得第一電壓信號大致上等於第二電壓信號。本發明也提供了不同的方法用來將一 MO S電晶體之有效臨界電壓調整為一所要之有效臨界霣歷。根據第一種方法，該方法可用Μ調整一 η通道«晶體之有效臨界霄壓 •一第一電壓信號具有一電壓大致上等於所要的有效臨界電壓會被產生。接著，該MO S霄晶體之有效臨界霣壓即被測量。一第二電壓信號具有一電壓大致上等於該MO S 被拿來與第二電壓信號相比較，而該MO S電晶體之有效臨界電壓即被調整*而使得第二電壓信號大致上等於第一電壓信號。根據第二種方法•該方法可被用來調整一Ρ通道«晶體之有效臨界電壓，與第一種方法類似，只是該第一電壓信號具有一電壓大致上等於供應電壓與所要的臨界霣壓之差值，而第二電壓信號具有一電壓大致上等於供應罨壓與該MO S電壓雔被测得之有效臨界電壓之差值。關於對本發明之特徵及優點之較佳了解可參考下列之較佳賁施例詳述並配合所附圔示而得之•而本發明所引用 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本萸) -裝· 訂線本紙》尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4*t格（210X297公釐）經濟部中央樣準局負工消費合作杜印策 ^^S424 A7 _B7 五、發明説明（β ) 之原理也掲示於較佳實施例中。圖示簡述第一圖係一方塊點顯示出根據本發明第一個實施例之臨界霄壓調整装置。第二圖係一概略圈顯示出第一圖中之臨界電壓調整裝置。第三醒係一概略圔顯示出根據本發明之第二資施例之臨界電壓調整裝置。第四圔係一 «略圖顯示出根據本發明之第三實施例之臨界電懕調整装置。第五圖係一概略圖顯示出根據本發明之第四實施例之臨界電壓調整裝置。較佳霣施例詳述本發明克服了上述討論過與臨界霣懕之選擇有闞之兩個問題，其乃藉著調整一 MO SiS晶《變數而達成者，而該變數於文中即以”有效臨界電壓”稱之。”臨界電懕”與”有效臨界電壓”於本文中，其定義有些許差異。用於本文中之名稱”臨界電壓” 係指當電晶體之 ”本體”係連接到與源極相同之電位時之電晶«閘源電® 其中電流剛開始在吸極與源極間流動，更特定的說 •一 MO S電晶體之半導體區域之大部分平時是不作用的，因為電流流動係局限於閘極下方之薄的表面通道。電晶體這一部分被稱為”本髖”而且經常與源極具有相同之電本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ---------^------.玎------.^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消費合作衽印製 ^Β$424 Α7 Β7 五、發明説明（7) 位。當本體與源極均連到相同電位時•則源極與本髓間之電懕VSB = 〇伏特。於此情況下，亦即當本熥與源極均連到相间之霄位時，值主要由上述討論通之製程規格所決定。然而藉著改變施加於電晶體之本«之電位（亦即藉著改變源體霣壓Vsb )，該閘源電壓V0 s於電流開始流經吸極與源極之間時可被進一步調整，即使該”臨界霣壓¥1· ”已經由製程規格所決定。於文中所用之名稱”有效臨界霣壓Vr ef f ”是闞於 V〇s，其中大約1 · 0微安培之電潦會流經吸極與源極間，不管該源89電颳VSB為何。因此，一電晶趙之有效臨界電壓' ,可藉由改變施加於本體之電位而被調整。於一η通道ϋ S霣晶體中，一正VSB值會增加Vreff，而一負V,B埴則會減少Vreff 。於一 P通道MO S電晶SS中，一正Vsb值畲減少值，而一負VSB值會增加Vreff值。簡單的說，本發明克服了關於供應電壓改變之問囲，其乃賴著不斷地監視一電晶體之vreff ，並且動態地調整該778^至一值以改良轚晶體之性能，其調整乃根據由積體電路所接收到之實際供應電壓Vcc之值而定。闞於製程改變之問題也可被克服•其乃《由不斷地監視一電晶體之 Vre f f並動態地調整該Vre f f值到一個非常接近所規之Vr 值° 第一圖顯示出根據本發明第一個實施例之臨界電颳調 -10- 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) A4坑格（210X297公釐） ---------¢------ΐτ------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ο 〇42 Α7 Β7 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製五、發明説明（ 8 ) 1 1 整裝置，該装置係用 K克服關於供應電 m 改變之問趙〇該 1 1 I 裝置 2 0 可用 >λ 調整數百個或數千個Μ 0 S 電晶艚 2 2 之 1 1 | νΓ e f f 〇電晶體 2 2 之Vr θ i f值之調整係藉著改變施加到讀 1 1 每閱 I — 霣晶 β 2 2 本體之霣位 •接著即改變每一霣晶艚之讀背 1 I Vs B 值。該Vr e "被調整為一值 » 該值可根據由霣晶 « 所面之注 1 接收之供應電壓 Vcc 之實際值而改良電晶 « 之性能〇意事 1 項 1 該裝置2 0 包含一參考電颳產生器 2 4 一有效瞌界再填 1 裝 1 電壓監視器2 6 ，埋有比較及回授罨路 2 8 0 逭些元件本頁起作用以決定所要的 νΓβ f f 值，而此決定乃根據實際的供 1 1 應霉壓值 V c C 電晶嫌2 2 現在之 Vr β f f 值並確認是杏 1 1 一正的或負的霄位應被加到該霣晶體2 2 之本 « 以便能 m I 1 到 V r β 訂所要的 f f 值。於第 — 圔之實施例中 » 該電晶 Η 2 2 為 η 通道 MO S 轚晶 1 1 參考電壓產生器 2 4 接收該供應霣壓 V, ：C 並決定出所 1 I 要的 Vr e "值文中以” 所要的有效臨界電 m 稱之〇在 1 1 線作完此一決定之後，該參考電壓產生器 2 4 產生 —· 參考 ( 1 第一 )鼋壓信號 vr e f *該信號可Κ等於或不等於 d e S 1 1 0 然而於後續文中將會討論到的是，當霣晶體 2 2 為 P 通 1 1 道 Μ 0 S 電晶體時* Vr β f -般而言會大約等於供應 fi 懕 1 1 1 V C C 與 V red，之差 0 1 1 該參考霣壓產生器2 4 根據V< ，c之實際值而決定 V Γ d β * 1 1 之值。如果V C C 之實際值低於規格所霈要之值 » 而V, "d e · 1 I 之現有值又太高 *則霣晶級 2 2 可能無法切換成導通 9 因 1 1 I ' .. •11- 1 1 1 本紙張尺度遑用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 <38424 五、發明説明（9 ) 此該參考電壓產生器2 4決定Vrdei之值，而該值通常會小於Vr ，如此即可確保該電晶《2 2對於低值之Vcc仍可切換成導通。另一方面而言，如果Vcc之實際值高於規格所需求之值•而之現在值又太低，則漏霣流可雔會過量；因此，該參考電壓產生器24即決定之值，而該值通常會比大•如此即可在霣晶體22被切換成不導通時減少漏電流。由上述之分析可確定的是若V c C是小值則Vr d β，也是小值，若Vc c為大值則Vr d e，亦為大值。因此該參考電魘產生器2 4藉著使^7>(5<)«等於^<；<；之竇際值的一部分而決定其值。一分壓霣路被用來使Vue，之值等於Vee之一部分，其詳细部分將於文後配合第二圃討論。此外，必須確定的是，雖然本發明之實施例係藉著使，等於Vee值之部分大小而決定其值，但事資上Vrde，也可不根據Vcc 之值而被決定。例如，當Vcc改變時，Vrde，也可保持不變（常數）。由參考霣壓產生器24所產生之參考霣懕信號VW 由該比較及回授電路2 8所接收。於第一圃之實施例中， Vr β ^之值等於Vrd β，值。該有效臨界電壓監視器2 6會測量電晶體2 2之之現在值並反應於該测量而產生一監視（或第二）《壓信號。該監視電壓信號被該比較及回授霣路2 8所接收，並且可以等於或不等於之現在值。更特 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------參------,tr------線’ (請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製經濟部中央樣準局員工消费合作杜印製 ^38424 - A7 B7 五、發明说明（l〇 ) 定地說，當該霄晶體2 2如第一圖之實施例所示之η通道 Μ Ο S電晶體時，大致上會等於Vre f f之現在值。然而，如爾後將討論的是，當該《晶«2 2為P通道MO S II晶驩時，通常畲大約等於該供應霣壓現在值之差。於文中將舍配合第二圖討論的是•該有效臨界霣壓監視器2 6測量霣晶體2 2之Vreff值係利用該些電晶 «2 2其中一個作為取樣而測得其Vreff之值。該比較及回授電路2 8決定是否一個正或負調整霣位 Va d』應被加到該些霣晶體2 2之本« Μ便達到V7 d β，值，而且反應於該決定而life加此電位V«Ldj 。此決定是《著將該參考電懕信號Vref與該監視電壓信號作比較而得之者。當埴些電晶體2 2為η通道MO S霣晶體，如第一圃之實施例所示者，則Μ舍等於νΓ β f r之現在值，而vr e f 等於Vr d e，。於此情況下，Vt· e f f必須被滅少，而該比較及回授電路2 8即施加一正的Vad」至每一轚晶臞22之本體K便產生一負的源體電壓VSB 。如果。"之電位小於V r e f ，則Vr e f f之現在值會小於Vr a e ·。於此情況下，Vreff必須被減少，而該比較及回授霣路。2 8即施加一負的至每一轚晶體22之本體，κ便產生一正的源體霣壓VSB 。該調整電位vad ^也被饋回到該有效睡界霣壓監視器 -13- 本紙张尺度適用中國國家橾芈（CNS )八4说格（210Χ25Π公釐） ---------^------1T------終 (請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) <334$ <334$ 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（ll.) 26。該Vadj信號被用來調整電晶體之Vreff ，而該電晶體係被用來作為該有效雎界電壓監視器2 6之取樣，而測出該電晶體22 的現在值。因此，該取樣電晶 »之Vreff值即以相同於諸霣晶體2 2之方式更新。此一回授迴路促成了對瑄些電晶體2 2之之現在值之持缜的監視。第二圖所顯示之«路係用K實施第一圖之裝置2 0。該參考霣壓產生器2 4包含一電壓分壓電路由串聯連接之霣阻器R1及R2组成。電阻器R1及R2最好分別具有 5百萬歐姆及1百萬歐姆之霣阻值。霣阻器R 1及R2係被連接於供應電壓ν“及另一供應®壓Ves之間。供應電壓Vs s比VcC具有較低之電位。為了文中分析之便，假定Vss是等於地電位；因此•施加於參考霣壓產生器24及有效臨界電壓監視器26之”供應霣壓"即為 Vcc之值。如果Vss並非等於地電位，則施加到參考電壓產生器24與有效臨界電壓監視器2 6之”供應霣懕”為 Vcc與Vss之霄位差。如上所述，該參考電颳產生器24抉定了之值 •而且V r a e:之值為V c c之部分值。Vr d e •之理想值據稱是大約相當於Vcc之1 5% ;然而所需了解的是此一百分比可能並不逋用於許多電路應用，而且本發明之目的是要能包含其它許多情況，包含對此一百分比修改以達到更有效之结果。 -14- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > Α4規格（210X25»7公釐） ---------1------1T------線 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 238424 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明 12·) 1 1 如上所解釋 •當逭些笛晶體 2 2 為 η 通道 Μ 0 S 電晶 1 1 | « 時 > V ref 大約畲等於 vrd e S ，。其值乃由下式決定 ϊ 1 1 νΓ e f =V r d € S 請 1 先 1 =.15V C C 聞 •δ 1 背 1 =Vc c (Re/ (R 1 + R 2 ) ) 面之 1 將 R 1 及 R 2值代入上式中可得到： $ 1 項 I Vr e f =V c c (: L Μ Ω / (5 Μ Ω + ] L Μ Ω ) ) 再填 1 166 Vc ：C 寫本裝頁 1 因此由電阻器 R 1及R 2所構成之分懕電路即產生 — 1 1 Vr d 1 r值大約等於Vee值之] 5 96 > 1 1 I 該有效臨界電壓監視器2 6 包含一 η 通道 Μ 0 S 霣晶 1 1 體 Μ N 1 ，其閘槿與源棰相連 9 及一電阻器 R 3 與該電晶訂 1 髖 Μ N 1 之吸極串聯連接。電阻器R 3 最好具有 5 百萬歐 1 I 姆之值 0 轚阻器 R 3與電晶體 Μ Ν 1 係串聪連接於Vc C 與 1 1 Vi ，5 之間 Ο 1 1 線 1 該有效臨界電颳監視器2 6 藉由测量電晶體 Μ Ν 1 之 Vr d e f 之現在值而測霣諸電晶邇2 2之 Vr « f f的現在值。 1 I 電晶體 Μ N 1為諸電晶體 2 2 之 —取樣〇文中將會討論到 1 I ，電晶體 Μ N 1 之 Vr €> f f 的現在值可代表每一電晶體 2 2 1 1 I 之 V. Γ θ f ( 之現在值*或者僅是每一電晶體 2 2 之 V T e f f 之 1 1 近 U 值 0 1 I V Γ e ί f之現在值係藉著測量 VGS 而得之者〇更特定地 1 I 說因為電晶體 Μ N 2使其閘極與吸極相連故其閛源電 1 1 I -1 5 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐）經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 23S424 A7 B7 五、發明说明（13.) jgVes等於其吸源霉壓vu。因此Μ源電壓v〇s舍等於ν“ 與跨於電阻器R2 (VR3)上之電壓差。因此，電晶艚 Μ Μ 1之Vr β f f的琨在值會等於 Vqs，當大約只有1微安培之電流由其吸極流到源極。如上所討論，該有效臨界電壓監視器2 6也產生一監視（或第二）電壓信號V»。” Μ反應於該Vre” 之测量。

Vwn產生於MN1之吸棰，亦即為吸極與Vss之電位差。由該比較及回授電路28所接收之Vm μ 可Μ等於或不等於νΓβίί之現在值。如第二圖所示之實施例，其調整η通道Μ 0 S霣晶體之vr e ί f，而其中V»。”等於VGS ，而V0 s又等於Vr e f f當大約有1 · 〇微安培之《流由吸極流到源棰。該比較及回授電路28包含一運算放大器ΟΡ1。理算放大器ΟΡ1於其反相输入端接收Vref，於非反相输入端接收乂》。”，藉此而比較Vref與。通常運算放大器Ο Ρ 1及其至電晶《ΜΝ 1本體之回授迴路會動態地調整電晶體ΜΝ 1之Vwfi，直到位於電阻器R 1與R2 間之節點上的電懕（Vrei ) 等於電晶體ΜΝ 1吸極上之霣龌)為止。更特定地說，當Vm<m之電位大於Vr e f時，亦即當、e ff 大於Vrdei時，則運算放大器〇p 1會產生—正的調整霉懕信號V * d』•而此一信號V a d j即被施加到諸鼋晶髓 22之本體及電晶體MN1之本體。負的Vad即被施加 *16- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4说格（210X297公釐） ----------^------1T------^ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2^S424 A7 B7 五、發明説明（14.) 到諸電晶體2 2之本體及霄晶j#MN 1之本體。負的VadJ 值會造成一正的Vss值*而正的VSB又使Vr ef f值增加。當轚晶體MN 1之Vreff值被調整時，它舍被調到接近77><1<)•之值。該比較及回授電路28繼續比較^«^ 與 Vm〇t,，並將Vad』回授至鼋晶體μ N 1 Μ钃整該電晶體之 Vreff值。最後當乂^^被調整成與Vrde,相等時，«晶體2 2之性能即獲得改#。運算放大器0 P 1被提供兩種不同之供應電壓Vee及 Vsx 。供應電壓Vsx之轚位低於Vss。該蓮算放大器op 1必須接收到一個電位低於Vss之電壓供應，以便能產生一正的Vs B值。如上所討論，為了分析之方便起見，現在假設Vss為地電位。電晶體之源極被連接到Vss。為了產生一正的VSB值，一頁的Vadj其霄位低於vss必須被施加於電晶體MN 1之本體。為了使運算放大器〇P 1產生此一負的Va(^值，則必須供應一霣壓具有此一電位•亦即Vsx。供應電壓Vsx可由一摞準的充電泵偏壓產生器所產生。本發明於第二圃之實施例之概述為，包含由電阻器R 1及R 2所構成之分壓電路之參考電壓產生器24產生參考電壓信號Vref ，用於本例子中之η通道MO Sm晶髓 22，而該參考電壓Vd又等於所要的有软臨界霣壓。該有效臨界電壓監視器26測量霣晶體MN1之 Vr « r r 的現在值並產生該監視霄颳信號ν««*η，而該監視 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210Χ297公釐〉 ----------装------------.^ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消费合作杜印製 ο, Α7 Β7 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印製 i、發明説明（15 ) 電壓信號Vm„rt於本例中為η通道電晶體22且等於Vreii 之現在值。該比較及回授電路2 8包含該理算放大器Ο Ρ 1並比較Vr β f (等於Vrd e ,)與Vme/l (等於Vre f f )並將一正的或負的Va<u 值施加於電晶驩Μ N 1之本體及每 —電晶體2 2，Μ便將調整成等於Vrde,。如上所述數百或數千個電晶體2 2之每一個的Vr e f f 值被調整係藉著將Vadj施加到每一電晶體2 2之本體而調整其源體電颳Vsb。於一稹體霣路中，被加到一霄晶體之本體係藉著將Vadj加到用Μ形成多個電晶體之矽盆内。因此*藉著施加Vadj 至單一矽盆内即可將該施加到許多個電晶體之本體。前面亦描述過，該電晶體MN 1為諸電晶《22之一取樣，因此電晶體MN 1之Vreff之現在值可作每一轚晶體2 2之Vreff值之代表，或僅作為每一霣晶體2 2之 Vreff之近似值。所箱了解的是轚晶艚Μ N 1可能相似也可能不相似於所有或任何一個霣晶體22。如果電晶體ΜΝ 1與所有電晶體22均相似*則霣晶體ΜΝ 1之Vr f會與每一電晶ffi2 2 tVTe ff相等。反之，如果霣晶體MN 1並不與所有霄晶體2 2相似，則電晶«ΜΝ 1之V。f f 非常可能稍異於與其不相似之電晶體2 2。即使有一些甚或大部分電晶體2 2與電晶體MN 1不相似，一單一之臨界電壓調整裝置2 0即可用來正確地調整所有轚晶體2 2 之Vre f f值。 -1 8 - 本紙張尺度適用中®國家揉车（CNS ) Α4洗格（210X297公瘦） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂線 Μ Β7 五、發明説明（l6·) 第三圖顯示出本發明之另一實施例用MM克服關於供應電壓Vcc 改變之問題。裝置30是用來鋦整數百或數千個P通道轚晶體3 2 2Vr 值，Μ使能因應由霣路所接收到之Vcc實際值而加強霄晶體之性能。裝置3 0在结構及操作上均十分類似於装置2 0。更特定地說，一個分壓電路由分別有1百萬歐姆與5百萬歐姆之電阻器R4及R5構成，被用來產生Vref 。一 P通道電晶髓MP1 *其閜極與吸極相連，與一5百萬歃姆之電阻器R6串聯。信號Vm))A 產生於電晶«ΜΡ 1之吸極。一蓮算放大器OP 2於其反相_入孅接收Vref ，而於其非反相輸入端接收vn(^ 。m〇n 互相比較，而一調整霣壓信號Vadj 即被施加到每一霣晶«3 2之本體及電晶體MP 1之本通，Μ便將e f f調整成Vrd β ,。經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 银管如前所述，然而裝置3 Ο與裝置2 0之搡作上仍有些差異•因為現在是ΚΡ通道罨晶體32及ΜΡ 1代替 η通道電晶體22及ΜΝ1。讀者當能回想對於一Ρ通道加強型MOS電晶體，其閛源電壓Ves必須為負Μ便能感應生出一通道。霣流只有在Ves低於一負Vr值•或說 Ves超過一正Vr 值時才會導通。而且，於一 P通道Μ 0 S電晶體中，一正的源觼電壓Vs Β會減少Vreff，而一負的源«霄壓vsb會增加Vreif。因為一 P通道MO S電晶腰之極性與一η通道MO S «晶體相反，因此霣晶臞ΜΡ 1之源極是連接到Vcc而非 -19- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央揉準局員工消費合作杜印製 238424 A7 B7 五、發明説明（17.) 連接到Vss。電晶«ΜΡ 1之此種極性導致產生於其吸極，且其值等於跨於電阻器R6之電壓（VR6 )，而不等於電晶體MP1之VSG 。因此·當大約1·0微安培之W流流經電晶體ΜΡ1時，V7>eff 等於Vso ，而 Vmoh等於VA6或Vcc與Vreff之差，Vm(>A並不像第二圖之裝置一樣，僅是等於。此外，VW 並不像第三圖之装置，僅是等於vrde, 。運算放大器Ο P 2之功能是動態地調整電晶體MP 1之 Vr e ff，直到Vre if等於Vr d β:。運算放大器0P2執行此一功能去調整Vreff ·直到Vref 等於ν h 。如果 non

Vref 等於vrde，，則最後會等於ν^β,，如此即導致VR 6 等於Vrde ,而非等於霣晶《 Μ P 1之Vse 。因此，為了使vse最後等必須等於 Vcc與vrde,之差。vmeh 最後终於畲等於Vcc與vrde, 之差，如果V,ef 原來是等於▽0(；與77>(16，之差。如果 vr〇 ”被選擇為大约Vcc之1 5 %，則：

Vref = VcC — Vrde* = Vcc 一. i 5 Vc c =· 8 5 Vc c 將霄阻器R 4與R 5之值代入則：

Vr e f = Vcc (R5 / (R4 + R5)) =Vcc 5ΜΩ / (1ΜΩ + 5ΜΩ)) =-833/“ -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） ---------^------ΐτ------A (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) '3842 Α7 Β7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製五、發明説明（IS.) 因此* vre f大約等於vcc之8 5 % ° 也可Μ說電晶體MP 1之VTiif是藉由蓮算放大器〇 P2之琨在值大於,導致Vr $等 vr 6 。如果 vre f f之現在值大於Vn β •，則ν·η〇»Ν會小於Vrej 。運算放大器OP 2畲產生一負的調整®壓信號Vad·)並將其施加於電晶體MP 1之本體上。負的會產生一正的VSB 而引起Vreff之減低。另一方面，如果之現在值小於d e ·，則 Vm e會大於ν μ 。浬算放大器0 Ρ 2會產生一正的調整電壓信號Vadj ，並將其施加到罨晶體ΜΡ 1 之本體。正的會產生一負的ν”而使Vreff增加。装置3 0與装置2 0之另一差異在於蓮算放大器0 P 2於操作時需要供應電壓VPP 及Vss而非Vcc及Vsx。供應電壓VPP 之電位高於Vcc。運算放大器0 P 2需要一個比Vcc高之霣壓供應，以便能產生一負的值。此種需要造成了電晶體MP1之源極被邃接到Vcc 。為了產生一負VSB，一正的Vadj具有一高於Vcc之霣位必須被施加於電晶體ΜΡ 1之本體。為了使運算放大器0 P 2產生此一，它必須被供應一霣壓具有VPP之電位。該供應電壓VPP可由一標準充電泵偏颳產生器所產生。總结本發明第三圖之實施例可知，該臨界電懕調整裝置3 0之垛作類似於臨界霣壓調整裝置2 0之操作，但仍有些差異。由於P通道電晶體之相反極性（針對η通道而言），因此其源掻通常需連接到Vce。為了配合電晶熥Μ -2 1- (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) •裝. 訂線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨ΟΧ25»7公釐）經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 S3S424 A7 B7 五、發明说明（议） P1之極性，必須等於Vee與v 之差而非僅

Vl>e d,，因此Vwh最後必須等於vee與Vh fi之差。第四圔顯示出本發明之一實施例•用於克服闞於製程改變及不一致之問題。睡界霣壓調整裝置4 0被用來調整數百個或數千個η通道MOS霄晶體42之Vreff 。為了分析之目的，先假設供應轚壓Vcc並不會明顧地由規格值改變。如上所述，即使供應電壓Vcc並不會由其規格值改變•如果Vr在製程中未能被正確地設定，則《流洩漏或霣晶«被切換成等通之不潘定性均會發生。換句話說•如果是在規格值之低點·則電流洩漏可能會是個問題，而如果是在規格值之高點，則Ves有可能無法達到Vj> 。通常，装置4 0克服這些問題是藉著不斷地監視電晶體MN2之Vrefi值，並且動態地調整該Vreff值至接近規格值Vr 。藉著確靠近規格值Vr ，霣晶髏之性能即可改善。而且，其它製程規格可被修正成更加改良電晶體之性能。例如•因為有更嚴密控制，該有效通道長度Leii 即可被減少*如此即可允許更高的平均驅動電潦。第四圖之装置4 0與第二圖之装置2 0間之唯一差異僅在於該電阻器R2係由一二極體D 1所取代；否則，兩個裝置20及40之探作是相同的。因此’於裝置40中 Vr e f 之值等於跨於二極fSDl之電壓而非等於電阻器 -22- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Μ現格（21〇X297公釐） ---------装------1T------Φ, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作杜印裂 238424 A7 _B7 _ 五、發明说明（2α) 尺2之霣壓。因為霣晶體ΜΝ2為一 η通道霄晶級，Vref 等於V ,。因此，VrcU *等於跨於二棰體D 1上之〇可K肯定的是跨於一二極β上之電壓類似於用在CM OS理輯電路之MOS電晶«之所要的Vr 。然而•有一點須了解的是，一二極體只是一電路元件之例子•而該« 路元件可用來設定一預定電壓降並被用來設定。另一點必須了解的是，當該裝置被實施於矽晶片時，一二極體連接之雙極性電晶《可被用為二極體D 1 ° 應該注意的是因為跨於一二極體上之轚壓會保持非常穗定（常數），因此，,亦即^會保持相當穩定即使Vcc有所改變。第五圖顯示出本發明之另一霣施例，用Μ兒服顒於製程改變及不一致之問題。一臨界電壓調整裝置5 0被用來調整數百個或數千個Ρ通道MOS電晶髑5 2之VTefi 。第五圖所顯示之裝置5 0之结構及搡作等於第三疆之裝置30，除了用一二極艚D2取代電阻器R4。因此，裝置5 0使得P通道轚晶《ΜΡ 2之Vj<eff被調整成跨於二極體02之霣壓（VflSu ) 〇本發明之另一特徵是提供一方法用Μ將一MO S «晶體之Vreff調成為Vrde*。首先，在η通道電晶髖之例子中，一第一電壓信號被產生•而該第一《壓信號具有一霣壓值大約等於所要的有效臨界電壓。於一 Ρ通道霣晶體的 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4说格（210X：297公釐） ----------^.------ir------^ (請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 238424 A? B7 五、發明説明（21.) 例子中，該第一霣颳信號具有一18壓大約等於一供應霣jjg 與該所要的有效臨界電壓之差。接著，該MO Sfll晶β之有效臨界霣壓即被拥量。一第二霣壓信號具有一電壓大約等於所測得之有效臨界電壓《即被產生。於一 Ρ通道電晶體之例子中，該第二電壓信號大約等於該供應霣壓與所测得之有效睡界霄壓之差。該第一霣壓信號接著與該第二電壓信號比較。該Μ0 S電晶«之有效臨界霣壓接著被調整，使得第二霣壓信號大致等於第一霣壓信號。通常，該有效臨界霣壓係藉著改變MO S霣晶«之涯»霣壓而被調整。必須被了解的是闞於本發明上述實施例之各種不同的改變也可用以實施本發明。下列之申謫專利範画定義了本發明之範面，而埴些申請専利範園内所描述之结構及方法埋有它們之等效取代等均應被申請專利範圃所涵蓋。 ----------^------1T------^ (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製本紙張尺度適用中國國家橾牟（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

ABCD 六、申請專利範圍 1 ·—種装置用Μ調整一金氧半専« (MOS)電晶體之有效臨界電壓，包含：參考霣懕產生電路用Κ產生第一霣壓信號；臨界霣壓監視霣路包含該MO S竃晶«且用Μ测量該 MO S電晶體之有效瞌界電懕，並且用Μ產生一第二霣Κ 信賊；及回授電路將該第一電壓信虢與第二《懕信虢比較並且調整該MO SII晶體之有效睡界霣懕，使得第一電壓信號大致上等於第二霣壓信號。 2 ·如申謫専利範圓第1項所述之裝置，其中該第一 «壓信號具有一霣懕等於一供應電壓之第一部分值；及第二霣®信號具有一電壓等於該供應霣壓之第二部分值〇 3 ·如申請専利範疆第1項所述之装置，其中該參考霣懕產生霣路包含：一分屋霣路埋接於一供應霣壓與一節點間，而該節點具有低於該供應霣壓之霄位。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 ·如申請專利範第3項所述之裝置，其中該分壓霣路包含：兩個串脚埋接之霣阻器；其中該第一電壓信號產生於一節點，而該節點位於該兩霣阻器之連接處。 5 ·如申請專利範園第3項所述之装置•其中該分壓本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4 2 4 5 3 2 ABCD 經濟部中央標準局貝Η消費合作社印製六、申請專利範圍霣路包含：一二極照；及一電阻器與該二極《串脚連接；其中第一電懕信號產生於一節點，而該節點就是二槿艚與電阻器連接之點。 6 ·如申請專利範園第1項所述之裝置，其中該睡界霣壓監視霣路包含：一霣阻器與該MO S電晶《之吸極串賺速接；及其中該MO S «晶體之Μ槿與其自身之吸極連接。 7 ·如申請専利範臛第6項所述之装置•其中：串聯連接之MO «與霣阻器係被建接於一供應電壓與一節點間，而該節點具有低霣位低於該供應霣壓；及該第二霣®信號係被產生於該MO S霣晶«之吸極。 8·如申請專利範園第7項所述之装置•其中該M0 S電晶體為一 η通道MO S電晶體。 9 ·如申謫專利範圍第7項所述之裝置，其中該Μ0 S電晶體為一 Ρ通道MO S電晶»。 1 0 ·如申請専利範園第1項所述之裝置，其中該回授電路包含：一理算放大器於其反相_入嬙接收該第一《壓信》· 並且於其非反相輸入鳙接收該第二霄壓信號；及其中該埋算放大器之鴨出被用來調整該MO sm晶ffl 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

C8 D8 六、申請專利範圍之有效臨界電歷。 1 1 ·如申請専利範圃第1 0項所述之裝置，其中該運算放大器之輸出被連接到該MO S «晶《之本《。 1 2 *如申謫專利範圃第1項所述之装置•其中該回授霄路被用來調整多個MO S «晶«之每一俚之有效臨界霣壓。 1 3 ♦如申謫專利範画第1 2項所述之裝置，其中諸多届MO S電晶«之每一個的源臞霣懕係由該回授霣路所調整。 1 4 · 一種装置用以調整一MO S霣晶《之有效臨界電壓至一所要的有效睡界電壓•包含：參考霄應產生電路用以產生第一電懕信號具有一《壓大致上等於所要的有效臨界霣懕；臨界霣壓監視霣路包含該MO S電晶體，以便测量該 MO S «晶«之有效臨界電壓，並且產生一第二電壓信號具有一電壓值大致上等於該M0 5霣晶《被测得之有效臨界電壓；及經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 回授電路用以比較該第一«壓信號與該第二《壓信號，並且調整該MO S電晶體之有效臨界電懕，使得該第二霣壓信號大致上等於該第一霣壓信號。 15 ·如申請専利範圍第14項所述之装置，其中該參考霣壓產生裝置包含：兩個串聯埋接之電阻器埋接於一供應電壓及一節點之本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210X297公釐) 23S424 έΐ C8 D8 六、申請專利範圍間，而該節點具有之電位低於該供應電® ;及其中該第一電壓信號係產生於一節點上，而該節點為該兩霣阻器之連接處。 1 6 ·如申請專利範園第1 4項所述之装置*其中該參考電壓產生電路包含：一二極》; 一m阻器與該二極體串聯連接；其中該串聯連接之電阻器及二棰體係被連接於一供應霄壓及一個較該供應轚壓具有較低霣位之筠點間*而該第一霣壓信號被產生於一節點上*而該節點為二極«與«阻器相連之處。 1 7 ·如申請專利範園第1 4項所述之裝置*其中該臨界電壓監視電路包含：一電阻器具有一埔埋接到該MO S霣晶Μ之吸極及另一蟠連接到一供應霣壓；經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該MO S電晶Η之閜極連接到其吸極，而其滙極被連接到一個比該供應霣壓低之節點•該第二霣壓信號被產生於該MO S電晶髑之吸極。 1 8 *如申謫専利範圈第1 7項所述之裝置，其中該 MO S電晶91為一 η通道MO S轚晶鱧。 1 9 ·如申謫專利範園第1 4項所述之装置*其中該回授«路包含：一運算放大器於其反相_入蝙接收該第一霣壓*而於本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ABCD 23S424 六、申請專利範圍其非反相檢入端接收該第二霣懕信號； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該運算放大器之輸出被用來調整該MO S霄晶應之有效臨界霣壓。 20 ·如申請專利範園第1 9項所述之装置，其中該蓮算放大器之_出被連接到該MO Sf|晶體之本髖。 2 1 ·如申請専利範園第1 4項所述之裝置，其中該所要的有效睡界«懕大致上等於一供應電壓之1 5%。 2 2 ·如申請専利範匾第1 4項所述之裝置•其中該回授電路被用來調整多個MO S電晶體中之每一儷的有效臨界罨壓。 2 3 ·如申請專利範圃第2 2項所述之装置，其中該些MO S罨晶«中之每一個的源體《壓電位係被該回授霣路所調整。 24 · —種裝置用以調整一 M0 5轚晶體之有效睢界電壓至一所要的有效臨界電壓*包含：參考電壓產生電路用以產生第一電壓信號具有一霣壓大致上等於一供應霣壓與所要的有效臨界霣壓之差；經濟部中央標準局員工消費合作社印製臨界電颸監視霣路包含該MO S霣晶體，以便測鼉該 MO S電晶體之有效臨界電壓，並且產生一第二霣壓信號具有一 «壓值大致上等於該供應霣JE與該MO S電晶體被拥得之有效臨界霣壓；及回授轚路用Μ比較該第一霣壓信號與該第二霣壓信號 *並且調整該MO 晶體之有效臨界轚壓•使得該第二本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ABCD 23S424 六、申請專利範圍霉懕信號大致上等於該第一霣壓信號。 25 ·如申請專利範画第24項所述之裝置•其中該參考轚壓產生裝置包含：兩個串聪連接之®阻器連接於一供應電壓及一節點之間，而該節點具有之電位低於該供應霣壓；及其中該第一電壓信號係產生於一節點上，而該節點為 ^ 3阻器之連接處。 26 ·如申請専利範圃第24項所述之裝置，其中該參考霣壓產生電路包含：二極S ; 一電阻器與該二極賵串賺連接；其中該串聯連接之«阻器及二極艚係被連接於一供應 «壓及一個較該供應S壓具有較低霣位之節點間，而該第一霣壓信號被產生於一節點上，而該節點為二極嫌與霣姐器相缠之處。 27 ♦如申請專利範画第24項所述之裝置，其中該臨界電壓監視霣路包含：一霣阻器具有一蠼連接到該MO S霄晶《之吸極；及 * \ 其中該MO S霣晶«之閛極連接到其吸極，而其源極被連接到該供應電壓，該«姐器之另一端被埋接到一個比該供應電壓低之節點•第二罨壓信號被產生於該MO S?| 晶«之吸播。 28 ·如申謫専利範圃第27項所述之裝置•其中該 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝訂' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 4 5 3 2 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製霣界：的 S 授臨驟要 ο 回效步所 Μ 該有之於該被之下等於係體如上等位晶含致 .，上電 ® 包大壓致壓 S 法值電大轚 ο 方壓界值 8Μ該霣臨壓源 I , 一效電的整颳有有一個調電具之有 1 來界號 «具每用臨信晶號之法效JS霣信中方有電 S 壓體種的一；ο 電晶 ~ 一要第壓 Μ 二電。 ·所一電該第 S 整 4 一生界量生 ο 調 3 至.產臨測產 Μ 所壓效些路電有六、申請專利範圍 MO S霄晶«為一 n通道MO SIS晶體。 \ 29 ·如申請専利範圃第24.項所述2裝置•其中該回授電路包含： —運算放大器於其反相W入端接收該第一電壓，而於其非反相输入皤接收软第二霣壓信號；其中該理算放大器之输出被用來調整該M0 5霣晶Η 之有效氓界霣壓。 30 ·如申請専利範圃第29項所述之裝置，其中該理算放大器之输出被連接到該MO S霄晶體之本Η。 3 1 ♦如申請専利範画第24項所述之装置，其中該所要的有效臨界電壓大致上等於一供應電壓之1 5%。 32 ·如申請専利範圍第24項所述之装置，其中該回授霣路被用來調整多個MO S®晶體中之每一個的有效臨界霣壓。 33 ·如申請專利範園第32項所述之裝置，其中該本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ABCD 238424 六、申請專利範圍電晶體被測得之有效臨界電懕；比較第一電壓信號與第二電懕信號；及調整該Μ 0 S ®晶髓之有效臨界電壓，使得第二轚壓信號大致上等於第一霣壓信號。 3 5 ·如申請専利範画第34項所述之方法，其中該調整步驟<係藉由改變該MO S電晶體之源頒霉壓霣位而達成0 36 ·如申請專利範圔第34項所述之方法，其中該調整步驟更包含一步驟用以調整多涸mo sm晶β之有效臨界電壓。 3 7 ·—種方法用Κ諝整一 Μ0 5霣晶體之有效臨界 «壓成一想要的有效臨界電壓，該方法包含下列步Κ : 產生第一電壓信號具有一霣壓大致上等於一供應電壓與所要的有效臨界電壓之差；測量該MO S®晶《之有效臨界霣壓；產生一第二霣壓信號具有一電壓大致上等於該供應電壓與對該MO S «晶《所測得之有效臨界霣壓之差；比較該第一霣壓信號與該第二電腔信號；及調整該MO S電晶體之有效臨界電壓*使得該第二霣懕信號大致上等於該第一電懕信號。 38 ·如申請専利範圍第37項所述之方法*其中該調整步驟係藉著改變該MO S電晶》之源體電壓而被完成〇 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11* 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 4 δ 3 2 ABCD 六、申請專利範圍 39 .如申請專利範圃第37項所述之方法，其中該調整步驟更包含一步驟用K調整多個MO S電體體之有效臨界電壓。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐)