TW202418454A - 基板處理裝置 - Google Patents
基板處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202418454A TW202418454A TW112131053A TW112131053A TW202418454A TW 202418454 A TW202418454 A TW 202418454A TW 112131053 A TW112131053 A TW 112131053A TW 112131053 A TW112131053 A TW 112131053A TW 202418454 A TW202418454 A TW 202418454A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- substrates
- aforementioned
- blade
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 821
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 339
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 180
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 81
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 76
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 35
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 156
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 101100422889 Arabidopsis thaliana SWI3A gene Proteins 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 9
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 9
- 101100534777 Arabidopsis thaliana SWI3B gene Proteins 0.000 description 8
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 3
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 3
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 2
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 2
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
提供一種基板處理裝置,係抑制裝置的尺寸並使所配置的葉片式腔室的數量增加,藉此改善處理量。依據本發明,由於能將葉片式腔室層疊於鉛直方向,因此能提供一種基板處理裝置,即使底面積與以往的裝置相同亦能搭載更多的葉片式腔室。再者,若構成為獨立地設置用以將基板W搬入至葉片式腔室(乾燥腔室37)之機構以及用以從乾燥腔室37搬出基板W之機構,則能構成為乾燥腔室37的周邊的基板搬運變得順暢。依據本發明,能提供小型且處理量高的基板處理裝置1。
Description
本發明係有關於一種用以對半導體基板、液晶顯示用或者有機EL(electroluminescence;電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display;平面顯示器)用基板、光罩(photomask)用玻璃基板、光碟用基板等各種基板進行預定的處理之基板處理裝置。
以往,作為此種裝置,有一種具備批次(batch)式模組以及葉片式模組的裝置(例如參照專利文獻1)。批次式模組係對複數片基板總括地進行預定的處理。葉片式模組係逐片地對基板進行預定的處理。批次式模組以及葉片式模組係分別具有獨自的優點。例如,葉片式模組的乾燥處理中的微粒(particle)性能係比批次式模組還高。因此,作為具備批次式模組以及葉片式模組的裝置,能考量下述構成:在批次式模組中進行液體處理後,在葉片式模組中進行乾燥處理。
在專利文獻1所記載的裝置中,用以進行乾燥處理之葉片式腔室係於水平方向排成一列(row)。在設置有複數個葉片式腔室中的任一個葉片式腔室中對批次處理後的基板施予乾燥處理。亦即,批次處理後的基板係被能夠於葉片式腔室的排列方向移動的搬運機構搬運,並被導入至能夠容納基板的葉片式腔室。當結束批次處理時,複數片基板成為等待乾燥處理的狀態。葉片式腔室係僅能逐片地進行基板的乾燥處理。因此,專利文獻1所記載的裝置係以提高處理量(throughput)之目的將複數片葉片式腔室搭載於裝置,並構成為同時對不同的基板進行乾燥處理。在專利文獻1所記載的裝置中,為了快速地結束對於複數片基板的乾燥處理,只要將儘可能多的葉片式腔室於水平方向排列成一列即可。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2016-502275號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而,具有此種構成的以往的裝置係存在下述問題點。亦即,在以往的裝置中,若增設葉片式腔室,則增設的數量將導致裝置大型化。依據以往的構成,當增設葉片式腔室時,由於僅將葉片式腔室於水平方向排列成一列,因此葉片式腔室的數量會導致基板處理裝置的長度延伸。在基板處理裝置中所能容許的長度是存在限度的。由於此種限度,依據以往的構成只能限定葉片式腔室的數量。依據此種裝置,葉片式腔室的處理速度係變成裝置整體的處理速度中的瓶頸,處理整體的處理量低。
本發明係有鑑於此種課題而研創,提供一種基板處理裝置,係抑制裝置的尺寸並使所配置的葉片式腔室的數量增加,藉此改善處理量。
[用以解決課題的手段]
本發明為了達成此種目的,採用下述構成。(1)一種基板處理裝置,係用以連續地進行批次處理以及葉片處理,前述批次處理係總括地處理複數片基板,前述葉片處理係逐片地處理基板;前述基板處理裝置係具備:供給區塊,係供給複數片基板;移載區塊,係與前述供給區塊鄰接;以及處理區塊,係與前述移載區塊鄰接;前述供給區塊係具備:總括搬運機構,係從承載器(carrier)搬出水平姿勢且以預定間隔排列於鉛直方向的複數片基板並送出至前述移載區塊中的去程用基板接取傳遞位置,且從前述移載區塊中的回程用基板接取傳遞位置接取水平姿勢且以前述預定間隔排列於鉛直方向的複數片基板並收納於前述承載器;前述移載區塊係具備:第一姿勢變換機構,係總括地保持在前述去程用基板接取傳遞位置處待機的複數片基板,並將複數片基板的姿勢總括地從水平姿勢變換成鉛直姿勢;以及鉛直基板支撐構件,係使成為鉛直姿勢的複數片基板在前述移載區塊中的鉛直基板接取傳遞位置待機;前述處理區塊係具備:批次處理區域,係一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸;葉片處理區域,係一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸;葉片基板搬運區域,係夾設於前述批次處理區域與前述葉片處理區域之間,一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸;以及批次基板搬運區域,係沿著前述批次處理區域設置,一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸;於前述處理區塊中的前述批次處理區域延伸之方向排列有複數個批次處理槽,且於前述處理區塊中的前述批次處理區域中之最遠離前述移載區塊之位置進一步地具備有第二姿勢變換機構以及水平基板支撐構件,前述複數個批次處理槽係總括地浸漬處理複數片基板,前述第二姿勢變換機構係將複數片基板的姿勢總括地從鉛直姿勢變換成水平姿勢,前述水平基板支撐構件係使成為水平姿勢的複數片基板於前述批次處理區域中的水平基板接取傳遞位置待機;於前述處理區塊中的前述葉片處理區域的鉛直方向排列有複數個乾燥腔室,且於前述處理區塊中的前述葉片處理區域進一步地具備有基板搬入機構,前述複數個乾燥腔室係進行基板的乾燥處理,前述基板搬入機構係將乾燥處理前的基板搬入至前述乾燥腔室;於前述處理區塊中的前述葉片基板搬運區域具備有:葉片基板接取傳遞機構,係從前述水平基板接取傳遞位置接取水平姿勢的基板,並將基板傳遞至前述葉片處理區域;以及基板搬出機構,係從前述乾燥腔室將乾燥處理後的基板搬出至前述移載區塊中的前述回程用基板接取傳遞位置;於前述處理區塊中的前述批次基板搬運區域具備有:批次基板搬運機構,係在制定於前述移載區塊內的前述鉛直基板接取傳遞位置、前述批次處理槽各者以及前述第二姿勢變換基構之間總括地搬運複數片基板。
(1)的作用功效。依據上文所說明的(1)的發明,從以水平姿勢收納複數片基板之承載器總括地取出基板,並藉由第一姿勢變換機構將基板的姿勢總括地從水平姿勢變換成鉛直姿勢。接著,在保持著鉛直姿勢的狀態下,複數片基板係被批次處理區域施予批次處理。在施予批次處理後,藉由第二姿勢變換機構將基板的姿勢總括地從鉛直姿勢變換成水平姿勢。之後,在保持著水平姿勢的狀態下,基板係被葉片處理區域施予葉片處理。具體而言,葉片處理係包含基板乾燥處理。於本發明的葉片處理區域具備基板搬入機構且進一步地具備基板搬出機構,前述基板搬入機構係將乾燥處理對象之濕漉的基板搬運至乾燥腔室,前述基板搬出機構係從乾燥腔室搬出乾燥處理後之乾燥的基板。藉由此種構成,由於能以不同的機構來實現基板相對於乾燥腔室之搬入以及搬出,因此基板的搬運不會在乾燥腔室的周邊停滯。依據本發明,由於乾燥腔室層疊於鉛直方向,且進一步地以乾燥腔室周邊的基板搬運變得順暢之方式構成,因此能提供一種於與以往的裝置相同的底面積搭載眾多的乾燥腔室之基板處理裝置。
本發明亦具有下述特徵。
(2)如(1)所記載之基板處理裝置,其中前述基板搬入機構係從前述葉片基板接取傳遞機構接取基板。
(2)的作用功效。依據上文所說明的(2)的發明,用以將基板搬入至乾燥腔室之基板搬入機構係從位於批次處理區域之葉片基板接取傳遞機構接取基板。依據此種構成,能將基板搬入機構配置於遠離批次處理區域之位置。因此,依據上文所說明的(2)的發明,能於基板搬入機構的周圍設置複數個乾燥腔室的層疊體,從而能提供處理量高的基板處理裝置。
(3)如(1)所記載之基板處理裝置,其中於前述葉片處理區域具備有:基板乾燥預處理腔室,係用以進行乾燥處理的預處理;前述葉片基板接取傳遞機構係將基板送出至前述基板乾燥預處理腔室;前述基板搬入機構係從前述基板乾燥預處理腔室接取基板。
(3)的作用功效。依據上文所說明的(3)的發明,葉片基板接取傳遞機構係將基板送出至基板乾燥預處理腔室;基板搬入機構係從基板乾燥預處理腔室接取基板。依據此種構成,由於無須在基板搬入機構與葉片基板接取傳遞機構之間進行基板的接取以及傳遞,因此能提供一種能更確實地搬運基板且確實地進行乾燥處理對象的基板的預處理之基板處理裝置。
(4)如(2)所記載之基板處理裝置,其中前述葉片基板接取傳遞機構係由兼作為前述基板搬出機構之機器人所構成;前述葉片基板接取傳遞機構係具有:接取傳遞臂,係用以支撐乾燥處理前的基板;前述基板搬出機構係具有:搬出臂,係用以支撐乾燥處理後的基板;前述搬出臂係設置於前述接取傳遞臂的上部。
(4)的作用功效。依據上文所說明的(4)的發明,葉片基板接取傳遞機構係由兼作為基板搬出機構之機器人所構成;用以支撐乾燥處理後的基板之搬出臂係設置於用以支撐乾燥處理前的基板之接取傳遞臂的上部。依據此種構成,液體不會從用以搬運濕漉的基板之接取傳遞臂滴落至用以搬運乾燥後的基板之搬出臂而對基板造成不良影響。
(5)如(1)所記載之基板處理裝置,其中前述乾燥腔室係藉由超臨界流體使基板乾燥。
(5)的作用功效。依據上文所說明的(5)的發明,由於在表面張力為零的狀態下進行基板的乾燥,因此不會發生設置於基板表面之電路的圖案崩塌。
(6)如(3)所記載之基板處理裝置,其中前述基板乾燥預處理腔室係藉由異丙醇(IPA;isopropyl alcohol)使基板預備乾燥。
(6)的作用功效。依據上文所說明的(6)的發明,能藉由異丙醇確實地執行基板乾燥的預處理。
(7)如(1)所記載之基板處理裝置,其中於前述處理區塊中的前述葉片處理區域的前述基板搬入機構的兩側設置有前述乾燥腔室的層疊體。
(7)的作用功效。依據上文所說明的(7)的發明,於葉片處理區域的基板搬入機構的兩側設置有乾燥腔室的層疊體。依據此種構成,由於能增加面向基板搬入機構之乾燥處理腔室的數量,因此能對更多的基板並行地進行乾燥處理。依據此種構成,能提供處理量高的基板處理裝置。
(8)如(1)所記載之基板處理裝置,其中於前述處理區塊中的前述批次基板搬運區域具備有:第一基板搬出機構,係在前述乾燥腔室的層疊體的上層中搬出基板;以及第二基板搬出機構,係在前述乾燥腔室的層疊體的下層中搬出基板;於前述移載區塊設定有第一回程用基板接取傳遞位置並設定有第二回程用基板接取傳遞位置,前述第一回程用基板接取傳遞位置係供前述第一基板搬運機構搬出基板,前述第二回程用基板接取傳遞位置係供前述第二基板搬運機構搬出基板。
(8)的作用功效。依據上文所說明的(8)的發明,存在有供乾燥處理完畢的基板返回至承載器之複數個路徑。而且,第一基板搬出機構以及第二基板搬出機構係分別與彼此不同的路徑對應,與第一路徑相關的基板搬運係由第一基板搬出機構來進行,與第二路徑相關的基板搬運係由第二基板搬出機構來進行。依據此種構成,能提供處理量高的基板處理裝置。
[發明功效]
依據本發明,能提供一種基板處理裝置,係抑制裝置的尺寸並使所配置的葉片式腔室的數量增加,藉此改善處理量。在以往的構成中,當欲增設葉片式腔室時,由於僅將葉片式腔室於水平方向排列成一列,因此葉片式腔室的數量會導致基板處理裝置的長度延伸。相較於此,依據本發明,由於能將葉片式腔室層疊於鉛直方向,因此能提供一種基板處理裝置,即使底面積與以往的裝置相同亦能搭載更多的葉片式腔室。再者,若構成為獨立地設置用以將基板搬入至葉片式腔室(基板乾燥處理腔室)之機構以及用以從基板乾燥處理腔室搬出基板之機構,則能構成為乾燥腔室的周邊的基板搬運變得順暢。依據本發明,能提供小型且處理量高的基板處理裝置。
以下參照圖式說明本發明的實施例。本發明的基板處理裝置為下述裝置:在總括地處理複數片基板W之批次處理之後,進行逐片地處理基板W之葉片處理。
[實施例一]
[1.整體構成]
如圖1所示,基板處理裝置1係具有被隔壁區劃的各個區塊。亦即,基板處理裝置1係具備:搬入搬出區塊3,係載置承載器,該承載器係用以收納基板;供給區塊5,係與搬入搬出區塊3鄰接;移載區塊7,係與供給區塊5鄰接;以及處理區塊9,係與移載區塊7鄰接。供給區塊5係相當於本發明的供給區塊,移載區塊7係相當於本發明的移載區塊。處理區塊9係相當於本發明的處理區塊。
基板處理裝置1係例如對基板W進行藥液處理、洗淨處理、乾燥處理等預定的各種處理。基板處理裝置1係採用併用了批次式的處理方法以及葉片式的處理方法兩者的處理方式(所謂的混合方式),批次式的處理方法係總括地處理複數片基板W,葉片式的處理方法係逐片地處理基板W。批次式的處理方法為總括地處理以鉛直姿勢排列的複數片基板W之處理方法。葉片式的處理方法為逐片地處理水平姿勢的基板W之處理方法。
在本說明書中為了方便,將搬入搬出區塊3、供給區塊5、移載區塊7以及處理區塊9排列的方向稱為「前後方向X」。該前後方向X係水平地延伸。將前後方向X中之從供給區塊5朝向搬入搬出區塊3之方向稱為「前方」。將與前方相反側的方向稱為「後方」。將與前後方向X正交之方向稱為「寬度方向Y」。該寬度方向Y係水平地延伸。適當地將「寬度方向Y」的一個方向稱為「右方」,將相反側的方向稱為「左方」。將與前後方向X以及寬度方向Y正交的方向(高度方向)稱為「鉛直方向Z」。在各個圖中,適當地顯示前、後、左、右、上、下作為參考。
[2.搬入搬出區塊3]
搬入搬出區塊3係具備:承載器保持部11,係保持承載器C,該承載器C係隔著預定間隔以水平姿勢將複數片基板W排列於鉛直方向從而收納複數片基板W。承載器保持部11係設置於朝寬度方向(Y方向)延伸的搬入搬出區塊3的外壁。從基板處理裝置1中的寬度方向(Y方向)的中央部觀看時,承載器保持部11係設置於基板處理裝置1中的寬度方向(Y方向)的右方以及左方。兩個承載器保持部11係統稱為一個裝載埠(load port)。
複數片(例如二十五片)基板W係隔著固定的間隔以水平姿勢層疊收納於一個承載器C內。收納了要被搬入至基板處理裝置1的處理對象的基板W之承載器C係首先被載置於任一個承載器保持部11。承載器保持部11係例如具備兩個載置台15,載置台15係供承載器C載置。承載器C係形成有於水平方向延伸的複數個溝槽(未圖示),複數個溝槽(未圖示)係以基板W的面彼此分開的狀態收容基板W。複數個溝槽係以整體成為梳齒狀之方式分開地配置。於各個溝槽分別逐片地插入基板W。作為承載器C,例如有密閉型的FOUP(Front Opening Unify Pod;前開式晶圓傳送盒)。在本發明中,亦可採用開放型容器作為承載器C。
[3.供給區塊5]
供給區塊5係具有將複數片基板W供給至後續的移載區塊7之功能。亦即,移載區塊5係設置於被夾在搬入搬出區塊3與移載區塊7之間的位置。供給區塊5係具有:總括搬運機構19,係從被搬入搬出區塊3中的承載器保持部11保持的承載器C總括地取出複數片基板W,並將複數片基板W傳遞至移載區塊7。總括搬運機構19所具有且於鉛直方向Z延伸之支柱81係設置於供給區塊5中的中央的位置,亦即設置於X方向以及Y方向中皆成為中央之位置,總括搬運手部71係以支柱81作為基準而於上下、左右、前後方向移動。供給區塊5係具有充分大小的空間,不會妨礙總括搬運手部71的動作。
總括搬運機構19係具有下述兩個功能:從被搬入搬出區塊3中的承載器保持部11保持的承載器C總括地取出複數片基板W並載置於移載區塊7的去程用基板接取傳遞位置P1;以及從移載區塊7的回程用基板接取傳遞位置P4總括地取出複數片基板W並返回至被搬入搬出區塊3中的承載器保持部11保持的承載器C。總括搬運機構19係在保持著被收納於承載器C的複數片基板W中的各自的位置關係之狀態下,將複數片基板W從承載器C搬運至回程用基板接取位置P1。同樣地,總括搬運機構19係在保持著在回程用基板接取傳遞位置P4排列的複數片基板W中的各自的位置關係之狀態下,將複數片基板W從回程用基板接取傳遞位置P4搬運至承載器C。藉由總括搬運機構19的搬運,被收納於承載器C的處理對象的基板W係被基板處理裝置1施予各種處理後,返回至原本的承載器C。總括搬運機構19並不一定需要具備用以變換複數片基板W的姿勢之機構。本例子中的總括搬運機構19係在保持著複數片基板W的姿勢以及排列間距的狀態下,從承載器C搬運至去程用基板接取傳遞位置P1。因此,複數片基板W係在水平姿勢中以全間距(full pitch)排列的狀態下被總括搬運機構19搬運。此種情形在針對總括搬運機構19所為之從回程用基板接取傳遞位置P4至承載器C之基板搬運時亦相同。
參照圖2說明總括搬運機構19的構成。圖2為用以說明總括搬運機構19的構成之功能方塊圖。如圖2所示,總括搬運機構19係具有:支柱81,係於支撐各個機構之鉛直方向(Z方向)延伸。總括搬運機構19亦另外具備:升降機構82,係能夠上下移動。升降機構82係被支柱81升降自如地支撐。升降機構82係旋轉自如地支撐旋轉構件83。旋轉構件83係能夠在被升降機構82支撐的狀態下繞著與支柱81的延伸方向(Z方向)平行的旋轉軸AX3旋轉。旋轉軸AX3為位於支柱81的中心之虛擬的直線。
旋轉構件83係支撐伸縮自如的臂85a。臂85a係具備:第一臂84,係連接於旋轉構件83;以及第二臂85,係連接於第一臂84。旋轉構件83中的第一臂84的連接部係成為突出部,該突出部係朝遠離旋轉構件83的旋轉中心之方向延伸;第一臂84為以將該突出部延伸之方式伸長之構成。第二臂85為以將第一臂84延伸之方式伸長之構成。旋轉構件83係以第一臂84於第一臂84的延伸方向移動自如之方式支撐第一臂84;第一臂84係以第二臂85於第二臂85的延伸方向移動自如之方式支撐第二臂85。因此,臂85a係於第一臂84以及第二臂85的延伸方向伸縮自如。
於第二臂85的前端具備有旋轉自如的方向轉換構件86。方向轉換構件86係支撐於水平方向延伸的軌道87。因此,總括搬運機構19係構成為能藉由方向轉換的旋轉來變更軌道87的延伸方向。方向旋轉構件86係繞著位於方向轉換構件86的中心且於鉛直方向(Z方向)延伸的虛擬線旋轉。藉由此種旋轉,不僅能將總括搬運手部71朝向搬入搬出區塊3之側,亦能將總括搬運手部71朝向移載區塊7之側。
軌道87係以能夠使總括搬運手部71於軌道87的延伸方向移動之方式支撐總括搬運手部71,總括搬運手部71係總括地把持複數片基板W。因此,總括搬運手部71係能沿著軌道87進退。軌道87的上下方向中的位置係能夠藉由升降機構82而變更。軌道87的水平面上的位置係能夠藉由臂以及旋轉構件83而變更。因此,總括搬運手部71係能在供給區塊5內的空間中自如地移動。而且,軌道87的朝向係能夠藉由方向轉換構件86而變更。因此,總括搬運手部71係能在供給區塊5內的空間中的任意的位置中於前後方向(X方向)移動。因此,總括搬運手部71係能夠移動至被搬入搬出區塊3中的承載器保持部11保持的承載器C為止,並能於軌道87上前進,藉此總括搬運手部71係能夠移動至承載器C的內部為止。而且,總括搬運手部71係於軌道87上後退,藉此能從承載器C取出所把持的複數片基板W。若以相反順序進行這些動作,則總括搬運手部71係將所把持的複數片基板W返回至承載器C。雖然上述例子係針對承載器C,然而即使是針對基板接取傳遞位置,總括搬運手部71亦能藉由同樣的動作取出複數片基板W或者進行接取傳遞的動作。
以下,說明總括搬運機構19所具備的各種機構以及用以控制這些機構之控制部。升降控制部82a為用以控制升降機構82之構成。旋轉機構83a為用以使旋轉構件83相對於升降機構82旋轉之機構,旋轉控制部83b為用以控制旋轉機構83a之構成。伸縮機構84a為用以使臂85a於延伸方向伸縮之機構,伸縮控制部84b為用以控制伸縮機構84a之構成。方向轉換機構86a為用以使方向轉換構件86相對於第二臂85旋轉之機構,方向轉換控制部86b為用以控制方向轉換機構86a之構成。軸件機構87a為用以使總括搬運手部71相對於軌道87進退之機構,軸件控制部87b為用以控制軸件機構87a之構成。手部驅動機構71c為用以使總括搬運手部71驅動從而使總括搬運手部71把持複數片基板W以及使所把持的複數片基板W離開之機構。手部控制部71d為用以控制手部驅動機構71c之構成。
圖3係說明總括搬運手部71的構成。總括搬運手部71係一對手部片71a排列於鉛直方向(Z方向)而構成。一對手部片71a係分別總括地連接於手部基部71e。手部基部71e係成為能在軌道87上進退的構成。一對手部片71a係在總括搬運手部71中設置有達至被收納於承載器C之基板W的片數的數量。因此,於總括搬運手部71設置有二十五組一對手部片71a。此部分在圖3中為了容易製圖,減少手部片71a。
[4.移載區塊7]
移載區塊7係鄰接地配置於供給區塊5的後方。於移載區塊7設定有供處理對象的基板W載置的去程用基板接取傳遞位置P1,從供給區塊5將複數片基板W總括地搬入至去程用基板接取傳遞位置P1。於移載區塊7具備:第一姿勢變換機構PCR,係能夠存取(access)去程用基板接取傳遞位置P1;基板拾取機構WDB,係從第一姿勢變換機構PCR接取鉛直姿勢的基板W,並將基板W的排列予以半間距(half pitch)化;以及推送器機構22,係從基板拾取機構WDB接取複數片基板W,並將複數片基板W搬運至鉛直基板接取傳遞位置P2。
圖4係說明本例子中的第一姿勢變換機構PCR的構成。如圖4所示,第一姿勢變換機構PCR係具有由一對夾持手部69所構成的批次手部,一對夾持手部69係用以夾持基板W。由於夾持手部69係以從基板W中的一端與另一端這兩側夾入基板W之方式所構成,因此即使使批次手部旋轉,複數片基板W亦不會從批次手部滑落。批次手部係一對夾持手部69排列於鉛直方向(Z方向)而構成。一對夾持手部69係分別總括地連接於手部基台69a。手部基台69a係能旋轉-90°以及90°,從而將成為水平姿勢的複數片基板W的姿勢設定成鉛直姿勢。一對夾持手部69係在批次手部中設置達至被收納於承載器C之基板W的片數的數量。因此,於批次手部設置有二十五組一對夾持手部69。此部分在圖4中為了容易製圖,減少夾持手部69。
此外,第一姿勢變換機構PCR亦能於寬度方向(Y方向)移動。亦即,第一姿勢變換機構PCR係能夠在能保持水平姿勢的基板W之姿勢(圖4的左側的姿勢)中存取去程用基板接取傳遞位置P1,並能夠在能保持鉛直姿勢的基板W之姿勢(圖4的右側的姿勢)中存取基板拾取機構WDB。
之後,說明第一姿勢變換機構PCR所具備的各種機構以及用以控制這些機構之控制部。批次手部驅動機構79a為用以使夾持手部69各者總括地動作之機構,使夾持手部69的狀態在夾持狀態與解除狀態之間變化,夾持狀態為夾持複數片基板W之狀態,解除狀態為解除複數片基板W的夾持之狀態。批次手部控制部79b為用以控制批次手部驅動機構79a之構成。手部基台旋轉機構79c為用以旋轉驅動手部基台69a之機構。複數片基板W的姿勢係藉由該機構從水平姿勢被變換成鉛直姿勢。手部基台旋轉控制部79d為用以控制手部基台旋轉機構79c之構成。
圖5係說明本例子中的基板拾取機構WDB。如圖5所示,基板拾取機構WDB係具有於寬度方向(Y方向)延伸的兩支支撐棒70。於支撐棒70分別設置有五十條溝槽70c,基板W的周緣係嵌入至這五十條溝槽70c。溝槽70c的排列間距係成為半間距。所謂半間距係指被收納於承載器C的複數片基板W中的基板W的排列間距(全間距)的一半的間距。在圖5中強調兩支支撐棒70中的各一個溝槽70c來圖示。支撐棒70中的溝槽70c係與成為一對之支撐棒70中的溝槽70c存在對應關係,且成為一對溝槽70c夾持單一個基板W之構成。被夾持的基板W係表面以及背面在寬度方向(Y方向)正交。因此,從用以使基板W的一端嵌入之溝槽70c至用以支撐支撐棒70之支撐體70a為止的距離與使基板W的另一端嵌入之溝槽70c至支撐體70a為止的距離係相等。此外,一對支撐棒70係能在不改變所夾持的基板W所朝向之方向的狀態下伸縮達至相當於半間距之距離。此外,支撐體70a本身係能下上移動。一對支撐棒70以及被支撐棒70夾持的基板W係伴隨著支撐體70a的上下移動而上下地移動。
之後,說明基板拾取機構WDB所具備的各種機構以及用以控制這些機構之控制部。支撐體升降機構90a為用以使支撐體70a於Z方向移動並升降之機構。支撐體升降控制部90b為用以控制支撐體升降機構90a之構成。支撐棒伸縮機構90c為用以使支撐棒70伸縮之構成。支撐棒伸縮控制部90d為用以控制支撐棒伸縮機構90c之構成。
基於圖6至圖16說明在移載區塊7內接取並傳遞複數片基板W的樣子。圖6係顯示藉由供給區塊5中的總括搬運機構19的總括搬運手部71把持複數片基板W的樣子。此時的基板W的排列間距係成為全間距。此種排列間距係與複數片基板W被收納於承載器C時的排列間距相同。之後,如圖7所示,總括搬運機構19係將所把持的複數片基板W搬運至移載區塊7中的去程用基板接取傳遞位置P1。於去程用基板接取傳遞位置P1設置有能總括地保持二十五片基板W之途徑(path)。圖8係顯示藉由總括搬運機構19將複數片基板W傳遞至去程用基板接取傳遞位置P1的樣子。
圖9係顯示第一姿勢變換機構PCR從去程用基板接取傳遞位置P1中的途徑接取複數片基板W的樣子。而且,圖10係顯示第一姿勢變換機構PCR從圖9的狀態在寬度方向(Y方向)中朝遠離去程用基板接取傳遞位置P1的方向移動時的樣子。如此,只要第一姿勢變換機構PCR能在保持著複數片基板W的狀態下從去程用基板接取傳遞位置P1離開,則第一姿勢變換機構PCR的手部基台69a係能旋轉90°。
當手部基台69a旋轉90°時,伴隨於此,如圖11中的(a)所示批次手部以及複數片基板W係旋轉90°。藉此,成為水平姿勢的複數片基板W的姿勢係成為鉛直姿勢。此時的基板拾取機構WDB所具有的支撐棒70係位於第一姿勢變換機構PCR所具有的批次手部的下部。
圖11中的(b)係顯示基板拾取機構WDB中的支撐體70a上升時的樣子。當支撐體70a從圖11中的(a)的狀態上升時,於此相應地一對支撐棒70亦上升。支撐棒70的前後方向(X方向)中的分離距離係設定成比第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69的寬度還充分地大。因此,夾持手部69係通過一對支撐棒70的間隙而不會碰撞到支撐棒70。然而,支撐棒70的前後方向(X方向)中的分離距離係設定成比基板W的直徑還充分地小。因此,已經使夾持手部69穿過的一對支撐棒70係分別與複數片基板W的不同的端部抵接。此時的基板W的周緣係嵌入至設置於支撐棒70的溝槽70c。
圖12係顯示被第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69支撐且成為鉛直姿勢的複數片基板W抵接至一對支撐棒70時的樣子。此時,當將成為夾持狀態的夾持手部69的狀態設定成解除狀態,則複數片基板W係總括地從第一姿勢變換機構PCR被傳遞至基板拾取機構WDB。
圖13中的(a)係顯示基板拾取機構WDB中的支撐體70a從圖12的狀態更進一步地上升時的樣子。當考量第一姿勢變換機構PCR將排列間距成為全間距的複數片基板W傳遞至基板拾取機構WDB時,複數片基板W係以全間距排列於一對支撐棒70。由於在基板拾取機構WDB中的一對支撐棒70以半間距設置有五十條溝槽70c,因此於一對支撐棒70交互地排列有嵌入了基板W之溝槽70c以及未具有基板W之空的溝槽70c。
圖13中的(b)係顯示從圖13中的(a)的狀態下一對支撐棒70相對於基板拾取機構WDB中的支撐體70a伸長達至相當於半間距的距離時的樣子。藉由進行此種動作,設置於一對支撐棒70之溝槽70c與第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69係偏離達至相當於半間距的距離。在此種狀態下,第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69係進行寬度方向(Y方向)的移動以及旋轉90°,藉此返回至圖6所示的狀態。接著,基板拾取機構WDB中的支撐體70a係在以鉛直姿勢支撐複數片基板W的狀態下返回至圖6所示的位置。接著,總括搬運機構19係從與基板拾取機構WDB所支撐且收納了複數片基板W的承載器C不同的另一個承載器C取出複數片基板W,並搬運至去程用基板接取傳遞位置P1。圖14係顯示第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69支撐位於去程用基板接取傳遞位置P1的複數片基板W的樣子。
當圖14的狀態的手部基台69a朝與圖11中的(a)所說明的旋轉方向相反的方向旋轉90°時,伴隨於此,批次手部以及複數片基板W係旋轉-90°。藉此,成為水平姿勢的複數片基板W的姿勢係成為鉛直姿勢。此時的基板拾取機構WDB所具有的支撐棒70係在保持著複數片基板W的狀態下位於第一姿勢變換機構PCR所具有的批次手部的下部。
在此種狀態下,當基板拾取機構WDB所具有的支撐體70a上升時,如圖15中的(a)所示,第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69所夾持的複數片基板W係分別收容於位於基板拾取機構WDB中的支撐棒70之空的溝槽70c。此原因在於:基板拾取機構WDB所具有的支撐體70a與第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69係偏離達至相當於半間距的距離。此時,當將成為夾持狀態的夾持手部69的狀態設定成解除狀態時,複數片基板W係從第一姿勢變換機構PCR總括地被傳遞至基板拾取機構WDB。
圖15中的(b)係顯示從圖15中的(a)的狀態下第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69朝上方移動而從基板拾取機構WDB離開時的樣子。如同參照圖15中的(b)可知般,複數片基板W係以半間距排列於基板拾取機構WDB。於基板拾取機構WDB排列有兩個承載器分量的基板W(五十片基板W)。此種基板W的排列操作係被稱為批次組。此時的基板W的排列係成為面對背(face to back)方式,面對背方式為基板W中形成有電路的器件面與相鄰的基板W的背面(與相鄰的基板W中的器件面相對之背面)彼此相對向之方式。之後,第一姿勢變換機構PCR所具有的夾持手部69係從基板拾取機構WDB的上部退避並返回至圖6所示的原本的位置。
圖16中的(a)係顯示位於圖6所示的基板拾取機構WDB所具有的支撐體70a的更下部之推送器機構22。於推送器機構22具備有:推送器,係於上表面設置有以半間距排列之平行的溝槽;推送器係能上下動作。圖16中的(b)係顯示推送器機構22中的推送器上升時的樣子。當推送器從圖16中的(a)的狀態上升時,推送器係接近至支撐棒70。基板拾取機構WDB所具有的支撐棒70的前後方向(X方向)中的分離距離係設定成比推送器機構22所具有的推送器的寬度還充分地大。因此,推送器係通過一對支撐棒70的間隙而不會碰撞至支撐棒70。當推送器進一步地上升時,收容於支撐棒70中的各個溝槽70c之複數片基板W係嵌入至刻設於推送器的複數個溝槽,並與推送器一起遠離基板拾取機構WDB。接著,推送器係進一步地上升,將複數片基板W搬運至在移載區塊7中設定的鉛直基板接取傳遞位置P2。推送器機構22係相當於本發明的鉛直基板支撐構件。在本例子中,雖然推送器機構22為用以使推送器上下移動之構成,然而亦可使推送器於上下方向(Z方向)以及前後方向(X方向)移動,亦可將鉛直基板接取傳遞位置P2設置於在前後方向(X方向)上與基板拾取機構WDB不同的位置。
[5.處理區塊9]
處理區塊9係對複數片基板W進行各種處理。處理區塊9係被區分成分別於前後方向(X方向)延伸的批次處理區域R1、葉片處理區域R2、葉片基板搬運區域R3以及批次基板搬運區域R4。詳細而言,批次處理區域R1係配置於處理區塊9內的左方。葉片處理區域R2係配置於處理區塊9內的右方。葉片基板搬運區域R3係配置於被夾在批次處理區域R1與葉片處理區域R2之間的位置,亦即配置於處理區塊9中的中央部。批次基板搬運區域R4係配置於處理區塊9內的最左方。
[5.1批次處理區域R1]
處理區塊9中的批次處理區域R1係成為於前後方向(X方向)延伸之矩形的區域。批次處理區域R1的一端側(前方側)係與移載區塊7鄰接。批次處理區域R1的另一端側係於遠離移載區塊7之方向(後方側)延伸。
批次處理區域R1係主要具備:批次式處理部,係進行批次式的處理。具體而言,批次處理區域R1係於批次處理區域R1延伸的方向排列有第一批次處理單元BPU1至第三批次處理單元BPU3,第一批次處理單元BPU1至第三批次處理單元BPU3係總括地浸漬處理複數片基板W。第一批次處理單元BPU1係從後方與移載區塊7鄰接。第二批次處理單元BPU2係從後方與第一批次處理單元BPU1鄰接。第三批次處理單元BPU3係從後方與第二批次處理單元BPU2鄰接。而且,於比第一批次處理單元BPU1至第三批次處理單元BPU3還遠離移載區塊7之位置具備有姿勢變換單元VHU,姿勢變換單元VHU係用以將成為鉛直姿勢的複數片基板W的姿勢總括地變換成水平姿勢。如此,第一批次處理單元BPU1、第二批次處理單元BPU2、第三批次處理單元BPU3以及姿勢變換單元VHU係以此種順序排列於批次處理區域R1的延伸方向(X方向)。
第一批次處理單元BPU1具體而言係具備:批次藥液處理槽CHB1,係總括地對批量(lot)(以半間距排列的五十片群組的基板W)進行藥液處理;以及升降機(lifter)LF1,係使批量升降。批次藥液處理槽CHB1係對批量進行酸處理。作為酸處理,具體而言可為磷酸處理,但亦可為使用其他酸的處理。磷酸處理係對構成批量之複數片基板W施予蝕刻處理。蝕刻處理係例如化學性地蝕刻基板W的表面上的氮化膜。
批次藥液處理槽CHB1係收容磷酸溶液等藥液。批次藥液處理槽CHB1係例如使藥液從下方朝向上方供給並在槽內對流。升降機LF1係能夠於鉛直方向(Z方向)升降。具體而言,升降機LF1係在處理位置與接取傳遞位置升降,該處理位置為位於批次藥液處理槽CHB1的內部之位置,該接取傳遞位置為位於批次藥液處理槽CHB1的上方之位置。升降機LF1係保持由鉛直方向的基板W所構成的批量。升降機LF1係在接取傳遞位置中在升降機LF1與基板搬運機構WTR之間接取並傳遞批量。當升降機LF1在保持著批量的狀態下從接取傳遞位置下降至處理位置時,基板W的全域係位於藥液的液面下。當升降機LF1在保持著批量的狀態下從處理位置上升至接取傳遞位置時,基板W的全域係位於藥液的液面下。
第二批次處理單元BPU2具體而言係具備批次藥液處理槽CHB2以及用以使批次升降之升降機LF2。批次藥液處理槽CHB2係與上文所說明的批次藥液處理槽CHB1為相同的構成。亦即,於批次藥液處理槽CHB2收容有上文所說明的藥液,且附設有在處理位置與接取傳遞位置之間升降的升降機LF2。批次藥液處理槽CHB2係對批量進行與批次藥液處理槽CHB1相同的處理。本例子的基板處理裝置1係具備複數個能夠進行相同的藥液處理之處理槽。此原因在於:磷酸處理比其他的處理還需要時間。磷酸處理係需要長時間(例如60分鐘)的時間。因此,本例子的裝置係能藉由複數個批次藥液處理槽並行地進行酸處理。因此,處理目的的批量係在批次藥液處理槽CHB1以及批次藥液處理槽CHB2的任一者進行酸處理。依據此種構成,提高裝置的處理量。
第三批次處理單元BPU3具體而言係具備:批次清洗處理槽ONB,係收容清洗液;以及升降機LF3,係使批量升降。批次清洗處理槽ONB為與上文所說明的批次藥液處理槽CHB1同樣的構成。亦即,批次清洗處理槽ONB係收容清洗液且附設有升降機LF3。批次清洗處理槽ONB係與其他的處理槽不同,設置的目的在於收容純水並洗淨附著於複數片基板W的藥液。在批次清洗處理槽ONB中,當槽內的純水的比電阻上升至預定的值時,結束藥液處理。
如此,實施例一中的批次藥液處理槽CHB1以及批次藥液處理槽CHB2係位於比批次清洗處理槽ONB還接近移載區塊7之側。
姿勢變換單元VHU係具備:VHU推送器機構23,係從基板搬運機構WTR接取由鉛直姿勢的基板W所構成的批量;以及第二姿勢變換機構20,係從VHU推送器機構23接取批量,並將複數片基板W的姿勢從鉛直姿勢變換成水平姿勢。
VHU推送器機構23為與上文所說明的推送器機構22同樣的構成,且具備進行上下動作之推送器。於該推送器以半間距平行地排列有五十個溝槽。基板搬運機構WTR係能夠使基板W逐片地嵌入至設置於推送器的各個溝槽。
圖17係說明本例子的第二姿勢變換機構20。第二姿勢變換機構20係具備:一對水平保持部20B,係於縱方向(Z方向)延伸;以及一對垂直保持部20C,係於相同方向延伸。支撐台20A係具有:支撐面,係於XY平面展開,用以支撐水平保持部20B以及垂直保持部20C。旋轉驅動機構20D為用以使支撐台20A旋轉90°之構成。伴隨著支撐台20A的旋轉,水平保持部20B以及垂直保持部20C亦旋轉90°而成為於水平方向延伸的構件。圖18為用以說明第二姿勢變換機構20的動作之示意圖。以下,參照圖17以及圖18說明各個部的構成。
水平保持部20B係從下側支撐成為水平姿勢的複數片基板W。亦即,水平保持部20B係成為梳齒狀的構造,具有與支撐對象的基板W對應的複數個凹部。該凹部係彼此平行,且作成供基板W的周緣部置放之細長狀的構造。此外,該凹部係以半間距排列。
垂直保持部20C係支撐成為鉛直姿勢的複數片基板W。亦即,垂直保持部20C係成為梳齒狀的構造,具有與支撐對象的基板W對應的複數個V溝槽。該V溝槽係彼此平行,且作成供基板W的周緣部嵌入之細長狀的構造。此外,該V溝槽係以半間距排列。
於縱方向(Z方向)延伸的一對水平保持部20B以及一對垂直保持部20C係以圍繞保持對象的基板W之方式沿著相當於水平姿勢的基板W之虛擬圓形而設置。一對水平保持部20B係離開達至基板W的直徑,且保持基板W的一端以及最遠離該一端之另一端。如此,一對水平保持部20B係支撐水平姿勢的基板W。另一方面,一對垂直保持部20C係分離達至比基板W的直徑還短的距離,且支撐基板W的預定部以及位於該預定部附近之特定部。如此,一對垂直保持部20C係支撐鉛直姿勢的基板W。一對水平保持部20B係於左右方向(Y方向)位於相同的位置,一對垂直保持部20C亦於左右方向(Y方向)位於相同的位置。一對垂直保持部20C係設置於比一對水平保持部20B更靠近支撐台20A旋轉並倒下的方向(左方向)之一側。
旋轉驅動機構20D係以能夠使支撐台20A繞著於前後方向(X方向)延伸的水平軸AX2至少旋轉90°之方式將支撐台20A予以支撐。當垂直狀態的支撐台20A旋轉90°時,支撐台20A係成為水平狀態,位於支撐台20A上的複數片基板W的姿勢係從鉛直姿勢被變換成水平姿勢。
參照圖18說明第二姿勢變換機構20以及VHU推送器機構23的動作。圖18中的(a)係顯示基板搬運機構WTR將批量傳遞至VHU推送器機構23的狀態。此時的第二姿勢變換機構20中的垂直狀態的支撐台20A係具有水平地延伸的垂直保持部20C;水平保持部20B以及垂直保持部20C係位於VHU推送器機構23所具有的推送器的下部。在此種狀態下,當VHU推送器機構23的推送器下降時,被保持在推送器上的鉛直姿勢的各個基板W係嵌入至垂直保持部20C所具備的各個V溝槽。如此,複數片基板W係被VHU推送器機構23傳遞至第二姿勢變換機構20。圖18中的(b)係顯示複數片基板W被第二姿勢變換機構20中的垂直保持部20C支撐的樣子。
當支撐台20A從圖18中的(b)的狀態旋轉90°時,支撐台20A係成為水平狀態;伴隨於此,垂直保持部20C係成為於鉛直方向延伸的狀態。如此,嵌入至垂直保持部20C的各個V溝槽的各個基板W係在維持著彼此的位置關係的狀態下旋轉90°。圖18中的(c)係顯示複數片基板W被配置於成為水平狀態的支撐台20A的一對水平保持部20B支撐的樣子。此外,圖18中的(c)係顯示第二姿勢變換機構20在水平基板接取傳遞位置P3中使複數片基板W待機的樣子。水平基板接取傳遞位置P3係成為供後述的第一機器人CR1接取水平姿勢的基板W之位置。
[5.2葉片處理區域R2]
處理區塊9中的葉片處理區域R2係成為於前後方向(X方向)延伸之矩形的區域。葉片處理區域R2的一端側(前方側)係與移載區塊7鄰接。葉片處理區域R2的另一端側係於遠離移載區塊7的方向(後方側)延伸。
於處理區塊9中的葉片處理區域R2係具備:乾燥腔室37,係主要進行乾燥處理;以及濕式搬運機構WR,係將乾燥處理前的基板W(水平姿勢)搬運至各個乾燥腔室37。首先,參照圖1說明濕式搬運機構WR與乾燥腔室37之間的位置關係。如同參照圖1可知般,在葉片處理區域R2中,乾燥腔室37係設置於與移載區塊7鄰接之位置,濕式搬運機構WR則設置於與該乾燥腔室37的後方鄰接之位置。而且,於葉片處理區域R2設置有另一個乾燥腔室37。該乾燥腔室37係設置於與濕式搬運機構WR的後方鄰接之位置。因此,濕式搬運機構WR係配置於被夾在兩個乾燥腔室37之間的位置。濕式搬運機構WR係能夠存取這些乾燥腔室37。
針對乾燥腔室37進行說明。乾燥腔室37為超臨界流體腔室,具體而言藉由成為超臨界流體的二氧化碳進行基板W的乾燥處理。亦可使用二氧化碳以外的物質作為超臨界流體。超臨界狀態係能藉由將二氧化碳放置於固有的臨界壓力以及臨界溫度下而獲得。具體的壓力為7.38MPa,溫度為31℃。在超臨界狀態中,由於流體的表面張力變成零,因此不會於基板表面的電路圖案產生氣液界面的影響。因此,只要能藉由超臨界流體進行基板W的乾燥處理,即能在基板上防止電路圖案崩塌,亦即能防止發生圖案倒塌。
進一步地針對乾燥腔室37的構成進行說明。如圖1所示,乾燥腔室37係具有:搬入口37a,係將基板W搬入至腔室內;以及搬出口37b,係將基板W移出至腔室外。搬入口37a係設置於乾燥腔室37中之與濕式搬運機構WR對向之側壁。搬出口37b係設置於乾燥腔室37中之與葉片基板搬運區域R3對向之側壁。於搬入口37a以及搬出口37b皆設置有能夠封閉基板W的通過口之擋門(shutter);在基板W的乾燥處理中,各個擋門係分別封閉對應的通過口。
於乾燥腔室37的內部具備有:圓形的支撐構件37c,係經由基板W所抵接的銷37d來支撐基板W。於支撐構件37c設置有三個銷37d,這些銷37d係分別抵接於被導入至乾燥腔室37之基板W的周緣部中之不同的三個部位。如此,基板W係在乾燥腔室37內被三點支撐。在乾燥腔室37使基板W乾燥時,在腔室內部產生超臨界流體。乾燥腔室37係構成為具有足夠的耐壓性以將腔室內部設定成臨界壓力。
圖19為從葉片基板搬運區域R3之側觀看葉片處理區域R2時的側視圖。葉片處理區域R2係設置有兩個層疊體,層疊體係由三個乾燥腔室37層疊所構成。濕式搬運機構WR係設置於被夾在兩個層疊體之間的位置,能將基板W搬入至構成各個層疊體之各個乾燥腔室37。此時的基板W的搬入係經由乾燥腔室37所具備的搬入口37a而進行。
於兩個層疊體之間設置有:濕式基板搬運區域,係確保濕式搬運機構WR的可動範圍。濕式搬運機構WR為能於濕式基板搬運區域內移動之構成。
圖20中的(a)係顯示濕式搬運機構WR將乾燥處理對象的基板W搬入至乾燥腔室37時的樣子。如圖20所示,濕式搬運機構WR係具備:一對濕式臂74,係把持乾燥處理前的基板W。濕式臂74為能夠在把持著基板W的狀態下經由乾燥腔室37中的搬入口37a進入至腔室內並將基板W傳遞至支撐構件37c之構成。濕式臂基部74a為用以支撐一對濕式臂74之構成。
如同參照圖20中的(a)可知般,支撐構件37c中的銷37d係設置於避開濕式臂74之位置。因此,銷37d係不會在腔室內部中碰撞到將基板W傳遞而來的濕式臂74。
此外,設置與濕式臂74相關的濕式搬運機構WR的目的在於:將乾燥處理前的基板W搬入至乾燥腔室37。因此,本例子的基板處理裝置1係具備與濕式搬運機構WR不同的機構,目的在於從乾燥腔室37搬出乾燥處理後的基板W。由於支撐構件37c中的銷37d的位置係被設定成最適合濕式臂74搬入基板W,因此在將乾燥處理後的基板W搬出至腔室外時,保持著基板W的臂可能會碰撞至銷37d。如圖20中的(b)所示,為了將基板W確實地搬出至腔室外,在本例子的裝置中具備:支撐構件旋轉機構36a,係使支撐構件37c旋轉;以及支撐構件旋轉控制部36b,係控制支撐構件旋轉機構36a。當藉由支撐構件旋轉機構36a使支撐構件37c旋轉時,支撐構件37c上的銷37d係繞著成為圓形的支撐構件37c的中心移動。因此,在將基板W搬出至腔室外時,能使銷37d移動至不會妨礙基板W的搬出之位置。
圖21為用以說明濕式搬運機構WR的構成之功能方塊圖。濕式搬運機構WR為下述機構:從後述的葉片基板搬運區域R3接取乾燥處理前的基板W並傳遞至乾燥腔室37。如圖21所示,濕式搬運機構WR係具有:WR支柱101,支撐各個機構並朝鉛直方向(Z方向)延伸。濕式搬運機構WR係另外具備能夠上下移動的WR升降機構102。WR升降機構102係被WR支柱101升降自如地支撐。WR升降機構102係旋轉自如地支撐WR旋轉構件183。WR旋轉構件183係能夠在被WR升降機構102支撐的狀態下繞著與WR支柱101的延伸方向(Z方向)平行的旋轉軸AX4旋轉。旋轉軸AX4為位於WR支柱101的中心之虛擬性的直線。
濕式搬運機構WR係支撐伸縮自如的WR臂185a。WR臂185a係具有:第一臂184,係連接於WR旋轉構件183;以及濕式臂基部(第二臂)74a,係連接於第一臂184。WR旋轉構件183中的第一臂184的連接部係成為於遠離WR旋轉構件183的旋轉中心之方向延伸的突出部,且第一臂184為以將該突出部延伸之方式伸長之構成。濕式臂基部74a為以將第一臂184延伸之方式伸長之構成。WR旋轉構件183係以第一臂184於第一臂184的延伸方向移動自如之方式支撐第一臂184;第一臂184係以濕式臂基部74a於濕式臂基部74a的延伸方向移動自如之方式支撐濕式臂基部74a。因此,WR臂185a係於第一臂184以及濕式臂基部74a的延伸方向伸縮自如。
以下,說明濕式搬運機構WR所具備的各個機構以及用以控制這些機構之控制部。WR升降控制部182a為用以控制WR升降機構102之構成。WR旋轉機構183a為用以使WR旋轉構件183相對於WR升降機構102旋轉之機構;WR旋轉控制部183b為用以控制WR旋轉機構183a之構成。伸縮機構184a為用以使WR臂185a於延伸方向伸縮之構成;伸縮控制部184b為用以控制伸縮機構184a之構成。WR手部驅動機構171c為下述機構:使濕式臂74驅動從而僅把持一片水平姿勢的基板W或者解除基板W的把持。手部控制部171d為用以控制WR手部驅動機構171c之構成。
如此,本例子的濕式搬運機構WR係將上文所說明的總括搬運機構19簡化,構成為未具備與軌道87、方向轉換構件86以及動作相關的各個機構以及各個控制部。本發明並未限定於此,亦可構成為具備這些構件或者與這些構件相關的各個機構以及各個控制部。
濕式搬運機構WR係構成為:亦能夠存取設置於濕式搬運機構WR的左右且構成腔室的層疊體之六個乾燥腔室37的任一個乾燥腔室37,且亦能夠將乾燥處理處理對象的基板W搬入至任一個乾燥腔室37。
[5.3葉片基板搬運區域R3]
處理區塊9中的葉片基板搬運區域R3係成為於前後方向(X方向)延伸之矩形的區域。葉片基板搬運區域R3係夾設於批次處理區域R1與葉片處理區域R2之間,一端與移載區塊7鄰接且另一端朝遠離移載區塊7之方向延伸。
如圖22所示,葉片基板搬運區域R3係具有:第一機器人CR1,係能夠存取第二姿勢變換機構20,第二姿勢變換機構20係位於設置於批次處理區域R1的水平基板接取傳遞位置P3;以及第二機器人CR2,係設置於第一機器人CR1的上部。
葉片基板搬運區域R3係成為被隔壁上下地分隔之構成。於下側的區劃設置有第一機器人CR1,於上側的區劃設置有第二機器人CR2。如此,由於第一機器人CR1以及第二機器人CR2係設置於彼此不同的區劃,因此一方的機器人不會妨礙另一方的機器人的基板搬運。
說明葉片基板搬運區域R3中的下側的區劃的構成。該區劃係面向位於批次處理區域R1中的水平基板接取傳遞位置P3的第二姿勢變換機構20,且面向構成層疊體之乾燥腔室37中的最下層的乾燥腔室37(更具體而言為腔室的搬出口37b),且面向濕式搬運機構WR,且面向回程用基板接取傳遞位置(正確地說為第一回程用基板接取傳遞位置P4a)。第一機器人CR1係在位於水平基板接取傳遞位置P3的第二姿勢變換機構20、最下層的乾燥腔室37、濕式搬運機構WR以及移載區塊7中的第一回程用基板接取傳遞位置P4a之間搬運基板W。與去程用基板接取傳遞位置P1同樣地,第一回程用基板接取傳遞位置P4a為能夠以全間距保持複數片基板W之途徑。第一回程用基板接取傳遞位置P4a係位於去程用基板接取傳遞位置P1的下側。
第一機器人CR1係具備:CR濕式臂72,係支撐乾燥處理前的基板W(水平姿勢);以及乾式臂73a,係把持乾燥處理後的基板W(水平姿勢)。CR濕式臂72以及乾式臂73a係搭載於單一個機器人,CR濕式臂72係恆常地位於乾式臂73a的下部。藉由此種構成,支撐著濕漉的基板W之CR濕式臂72不會朝向乾式臂73a滴落液體,能確實地保持乾式臂73a的乾燥狀態。第一機器人CR1係在將基板W從位於水平基板接取傳遞位置P3的第二姿勢變換機構20搬運至濕式搬運機構WR時使用CR濕式臂72。第一機器人CR1係在將基板W從最下層的乾燥腔室37搬運至第一回程用基板接取傳遞位置P4a時使用乾式臂73a。
於葉片基板搬運區域R3中的下側的區劃的地面設置有:機器人導引軌道97a,係能夠導引第一機器人CR1。由於機器人導引軌道97a係於前後方向(X方向)延伸,因此第一機器人CR1亦能夠沿著機器人導引軌道97a於前後方向(X方向)移動。
以下,說明與第一機器人CR1相關的各個機構以及各個控制部。乾式臂驅動機構92a為用以驅動乾式臂73a之機構,乾式臂驅動控制部92b係控制乾式臂驅動機構92a。CR濕式臂驅動機構93a為用以驅動CR濕式臂72之機構,CR濕式臂驅動控制部93b係控制CR濕式臂驅動機構93a。滑動機構94a為用以使第一機器人CR1沿著機器人導引軌道97a移動之機構,滑動控制部94b係控制滑動機構94a。
說明葉片基板搬運區域R3中的上側的區劃的構成。該區劃係面向構成層疊體之乾燥腔室37中的最上層以及中層的乾燥腔室37(更具體而言為腔室的搬出口37b),且面向回程用基板接取傳遞位置(正確來說為第二回程用基板接取傳遞位置P4b)。第二機器人CR2係在位於最上層或者中層的乾燥腔室37與移載區塊7中的第二回程用基板接取傳遞位置P4b之間搬運基板W。與去程用基板接取傳遞位置P1同樣地,第二回程用基板接取傳遞位置P4b為能夠以全間距保持複數片基板W之途徑。第二回程用基板接取傳遞位置P4b係位於去程用基板接取傳遞位置P1的上側。
第二機器人CR2係具備:乾式臂73b,係把持乾燥處理後的基板W(水平姿勢)。於葉片基板搬運區域R3中的上側的區劃的地面設置有:機器人導引軌道97b,係能夠導引第二機器人CR2。由於機器人導引軌道97b係於前後方向(X方向)延伸,因此第二機器人CR2亦能夠沿著機器人導引軌道97b於前後方向(X方向)移動。
以下,說明與第二機器人CR2相關的各個機構以及各個控制部。乾式臂驅動機構95a為用以驅動乾式臂73b之機構,乾式臂驅動控制部95b係控制乾式臂驅動機構95a。滑動機構96a為用以使第二機器人CR2沿著機器人導引軌道97b移動之機構,滑動控制部96b係控制滑動機構96a。
圖23係顯示第一機器人CR1從最下層的乾燥腔室37搬出乾燥處理後的基板W時的樣子。乾式臂73a係構成為:能夠經由乾燥腔室37中的搬出口37b進入至腔室內,且從支撐構件37c取得基板W。基部73m為用以支撐一對乾式臂73a之構成。
如參照圖23可知般,支撐構件37c中的銷37d係設置於避開乾式臂73a之位置。因此,銷37d不會在腔室內部中碰撞至取得基板W而來的乾式臂73a。此外,由於銷73d係能藉由支撐構件旋轉機構36a進行旋轉移動,因此在銷37d位於碰撞至乾式臂73a之位置時,能在將乾式臂73a導入至搬出口37b之前使銷37d的位置適當地變更,從而使銷37d不會碰撞至乾式臂73a。
圖23亦說明設置於第一機器人CR1的CR濕式臂72。CR濕式臂72係能藉由CR濕式臂驅動機構93a相對於乾式臂73a旋轉移動。在圖23中,CR濕式臂72係成為相對於乾式臂73a旋轉了90°的狀態,從而不會妨礙乾式臂73a搬運基板W。
圖24中的(a)係說明設置於第一機器人CR1的CR濕式臂72位於與乾式臂73a重疊的位置之情形。乾式臂73a為用以把持基板W的兩端之構成,而CR濕式臂72則為單一個板狀的構成。因此,基板W係在載置於CR濕式臂72的狀態下被搬運。
圖24中的(a)係說明第一機器人CR1將乾燥處理對象的基板W傳遞至濕式搬運機構WR時的樣子。CR濕式臂72係於板狀的構件的三處設置有調整片(tab)72a。調整片72a係構成為:在CR濕式臂72搬運基板W時,暫時固定基板W的周緣部。從第一機器人CR1將基板W傳遞至濕式搬運機構WR時,保持著基板W的CR濕式臂72係配置於被一對濕式臂74圍繞的空間。在此種狀態下,藉由濕式搬運機構WR把持基板W,從而解除CR濕式臂72對於基板W的保持。如此,基板W係被第一機器人CR1傳遞至濕式搬運機構WR。
圖24中的(b)亦說明設置於第一機器人CR1的乾式臂73a。乾式臂73a係能藉由乾式臂驅動機構92a相對於CR濕式臂72旋轉移動。在圖24中的(b)中, 乾式臂73a係成為相對於CR濕式臂72旋轉了90°的狀態,從而不會妨礙CR濕式臂72搬運基板W。
由於圖23係說明第一機器人CR1,因此為具有CR濕式臂72之構成。在第二機器人CR2從最上層或者中層的乾燥腔室37搬出乾燥處理後的基板W時,未具備CR濕式臂72之第二機器人CR2係使用乾式臂73b從乾燥腔室37搬出乾燥處理後的基板W。亦即,第二機器人CR2未具備CR濕式臂72之點係與第一機器人CR1不同,然而第二機器人CR2中的乾式臂73b的動作則與第一機器人CR1中的乾式臂73a相同。此外,最上層或者中層的乾燥腔室37中的銷37d係旋轉並從乾式臂73b迴避的樣子亦與最下層的乾燥腔室37相同。
[5.4批次基板搬運區域R4]
處理區塊9中的批次基板搬運區域R4係成為於前後方向(X方向)延伸之矩形的區域。批次基板搬運區域R4係沿著批次處理區域R1的外緣設置,一端側係延伸至移載區塊7且另一端側係於遠離移載區塊7之方向延伸。
於批次基板搬運區域R4設置有:基板搬運機構WTR,係總括地搬運複數片基板W(鉛直姿勢)。基板搬運機構WTR係在制定於移載區塊7內的鉛直基板接取傳遞位置P2、第一批次處理單元BPU1至第三批次處理單元BPU3以及姿勢變換單元VHU之間總括地搬運以半間距排列的複數片基板W(批量)。基板搬運機構WTR係構成為能夠遍及移載區塊7以及處理區塊9地於前後方向(X方向)往復移動。亦即,基板搬運機構WTR不僅能夠移動至處理區塊9,亦能夠移動至移載區塊7中的鉛直基板接取傳遞位置P2。基板搬運機構WTR係相當於本發明的批次基板搬運機構。
基板搬運機構WTR係具備:一對VHU推送器機構23,係把持批量。一對VHU推送器機構23係具備例如朝向寬度方向(Y方向)的旋轉軸,且繞著旋轉軸擺動。一對VHU推送器機構23係夾持構成批量之複數片基板W的兩端部。基板搬運機構WTR係在移載區塊7中的鉛直基板接取傳遞位置P2、隸屬於第一批次處理單元BPU1至第三批次處理單元BPU3之各個升降機LF1至升降機LF3以及姿勢變換單元VHU中的VHU推送器23a之間接取並傳遞批量。
本例子的基板處理裝置1係具備:CPU(Central Processing Unit;中央處理單元)89a,係控制上文所說明的各個部、各個機構以及各個處理部;以及記憶部89b,係記憶程式以及設定值等之處理過程所需的各種資訊。此外,CPU的具體構成並無特別限定。可於裝置整體具備一個CPU,亦可於各個區塊具備一個或者複數個CPU。此部分在記憶部89b亦同樣。作為CPU所進行的控制,例如為與總括搬運機構19、第一姿勢變換機構PCR、基板拾取機構WDB、第一批次處理單元BPU1至第三批次處理單元BPU3、姿勢變換單元VHU、濕式搬運機構WR、第一機器人CR1、第二機器人CR2以及基板搬運機構WTR等之動作相關的控制。
[基板處理的流程]
圖25為用以說明本例子的基板處理的流程之流程圖。本例子的基板處理係例如進行與半導體器件製造過程中的基板W的表面蝕刻相關的各個處理。以下,沿著該流程圖具體性地說明基板處理的流程。
步驟S11:收納處理對象的基板W的承載器C係被設置於承載器保持部11。複數片基板W係被總括搬運機構19從承載器C取出並搬運至去程用基板接取傳遞位置P1。
步驟S12:複數片基板W係被傳遞至第一姿勢變換機構PCR。第一姿勢變換機構PCR係將基板W的姿勢從水平姿勢變換成鉛直姿勢。
步驟S13:姿勢被變換成鉛直姿勢的複數片基板W係被傳遞至推送器機構22。推送器機構22係與基板拾取機構WDB協同動作,將全間距的基板W的排列間距變更成半間距,藉此執行批量組。
步驟S14:被搬運至鉛直基板接取傳遞位置P2的複數片基板W係被基板搬運機構WTR搬運至批次處理區域R1。複數片基板W係在構成批量的狀態下接受各種液體處理。
步驟S15:被基板搬運機構WTR搬運至姿勢變換單元VHU的複數片基板W係被傳遞至第二姿勢變換機構20。第二姿勢變換機構20係將基板W的姿勢從鉛直姿勢變換成水平姿勢,並使複數片基板W在水平基板接取傳遞位置P3處待機。
圖26係說明步驟S11至步驟S15的基板搬運。在圖26所示的各個過程中,複數片基板W係被總括地搬運。
步驟S16:葉片基板搬運區域R3中的第一機器人CR1係使用CR濕式臂72從第二姿勢變換機構20接取一片基板W,並將基板W傳遞至葉片處理區域R2中的濕式搬運機構WR(參照圖24中的(b))。
步驟S17:濕式搬運機構WR係將乾燥處理對象的基板W搬入至位於最上層、中層、最下層之空的乾燥腔室37(非為乾燥處理中的乾燥腔室37)中的任一個乾燥腔室37。乾燥腔室37係對搬入的基板W施予乾燥處理。
步驟S18:乾燥處理後的基板W係被第一機器人CR1或者第二機器人CR2從腔室搬出。具體而言,位於最下層的乾燥腔室37內的基板W係被第一機器人CR1的乾式臂73a搬運至第一回程用基板接取傳遞位置P4a。此外,位於最上層以及中層的乾燥腔室37內的基板W係被第二機器人CR2搬運至第二回程用基板接取傳遞位置P4b。
圖27係說明步驟S16至步驟S18的基板搬運。在圖27所示的各個過程中,逐片地搬運基板W。此外,圖27係例示位於最下層的乾燥腔室37內的基板W被搬運至第一回程用基板接取傳遞位置P4a的樣子。
步驟S19:數次地重複上文所說明的步驟S16至步驟S18,當將預定數量的基板W填充至配置於第一回程用基板接取傳遞位置P4a或者第二回程用基板接取傳遞位置P4b之途徑時,途徑的基板W係被總括搬運機構19把持並被返還至原本的承載器C。
圖28係顯示在步驟S19中複數片基板W被總括地搬運的樣子。此外,圖28係例示複數片基板W從第一回程用基板接取傳遞位置P4a被搬運的樣子。如此,結束本例子的基板處理裝置1所為的基板處理。
如上所述,依據本例子,從以水平姿勢收納複數片基板W的承載器C總括地取出基板W,並藉由第一姿勢變換機構PCR將基板W的姿勢總括地從水平姿勢變換成鉛直姿勢。接著,在保持著鉛直姿勢的狀態下,複數片基板W係在批次處理區域R1被施予批次處理,並藉由第二姿勢變換機構20將基板W的姿勢總括地從鉛直姿勢變換成水平姿勢。之後,在保持著水平姿勢的狀態下,基板W係在葉片處理區域R2被進行葉片處理。具體而言,葉片處理為基板乾燥處理。於本發明的葉片處理區域R2具備:濕式搬運機構WR,係將乾燥處理對象的濕漉的基板W搬運至乾燥腔室37;以及第一機器人CR1與第二機器人CR2,係將乾燥處理後的乾燥的基板W搬運至乾燥腔室37。藉由此種構成,由於能以不同的機構來實現基板W相對於乾燥腔室37之搬入以及搬出,因此基板W的搬運不會在乾燥腔室37的周邊停滯。依據本發明,由於乾燥腔室37層疊於鉛直方向,且進一步地以乾燥腔室37的周邊的基板搬運變得順暢之方式構成,因此能提供一種於與以往的裝置相同的底面積搭載眾多的乾燥腔室之基板處理裝置。
[實施例二]
接著,說明實施例二的基板處理裝置2。與實施例一的裝置的差異在於:本例子的基板處理裝置2係於葉片基板搬運區域R3中的下側的區劃設置有第三機器人CR3以及第四機器人CR4。具體性的裝置構成係於後述。
圖29係說明基板處理裝置2的整體構成。基板處理裝置2中的搬入搬出區塊3、供給區塊5以及移載區塊7係與實施例一的裝置相同。此外,本例子的處理區塊9中的批次處理區域R1以及批次基板搬運區域R4亦與實施例一的構成相同。
[葉片處理區域R2]
圖30為用以說明本例子的葉片處理區域R2之側視圖。於本例子的葉片處理區域R2具備六個葉片式的基板處理腔室6。在本例子中與實施例一相同點為:層疊三個基板處理腔室而構成層疊體;具備兩個層疊體;於被夾在兩個層疊體之間的位置設置有濕式搬運機構WR。
與實施例一不同,設置於本例子的葉片處理區域R2之層疊體中之位於遠離移載區塊7之位置的層疊體係設置有用以執行乾燥處理的預處理之基板乾燥預處理腔室38。基板乾燥預處理腔室38係對乾燥處理對象的基板表面供給IPA(異丙醇)並執行乾燥處理的預備性的過程。作為供給的液體,並未限定於IPA,亦可為IPA與水的混合液。基板乾燥預處理腔室38係設置於層疊體中的最下層。在圖29的俯視圖中,說明葉片處理區域R2中的層疊體的最下層之葉片處理腔室。因此,圖29中的濕式搬運機構WR係位於被夾在設置於移載區塊7之側的乾燥腔室37與設置於遠離移載區塊7的位置之基板乾燥預處理腔室38之間的位置。
基板乾燥預處理腔室38係於前後方向(X方向)位於與第二姿勢變換機構20相同的位置。
與乾燥腔室37同樣地,基板乾燥預處理腔室38係具備:搬入口38a以及搬出口38b,係分別具備擋門。在乾燥預處理中,為了防止腔室內的IPA飛散至腔室外,搬入口38a以及搬出口38b的擋門係被封閉。與乾燥腔室37不同,基板乾燥預處理腔室38不一定需要具有耐壓性。
基板乾燥預處理腔室38係具備:旋轉處理部33,係使水平姿勢的基板W旋轉;以及噴嘴35,係朝向基板W供給處理液(IPA)。旋轉處理部33係在XY平面(水平面)內旋轉驅動基板W。噴嘴35係能夠在待機位置與供給位置之間迴旋,該待機位置為已經從旋轉處理部33離開之位置,該供給位置為位於旋轉處理部33的上方之位置。
[葉片基板搬運區域R3]
圖31為用以說明本例子的葉片基板搬運區域R3之側視圖。於本例子的葉片基板搬運區域R3設置有藉由隔壁所形成的上側的區劃以及下側的區劃,上側的區劃係與實施例一的構成相同。亦即,於上側的區劃設置有:第二機器人CR2,係從設置於葉片處理區域R2的腔室的層疊體中之位於最上層以及中層的乾燥腔室37接取乾燥處理完畢的基板W並傳遞至第二回程用基板接取傳遞位置P4b。第二機器人CR2係能夠於前後方向(X方向)移動,並具備:乾式臂73b,係把持乾燥處理後的基板W。
於本例子的葉片基板搬運區域R3中的下側的區域設置有兩個機器人。亦即,於下側的區域具備:第三機器人CR3,係搬運乾燥處理後的基板W;以及第四機器人CR4,係搬運成為乾燥處理的對象之濕漉的基板W。於第三機器人CR3設置有與第二機器人CR2的乾式臂73b同樣的乾式臂73c,於第四機器人CR4具備與實施例一的第一機器人CR1的CR濕式臂72同樣的CR濕式臂75。
第三機器人CR3係設置於比第四機器人CR4還靠移載區塊7之側,將乾燥處理後的基板W(水平姿勢)從葉片處理區域R2中之與移載區塊7鄰接的乾燥腔室37搬運至第一回程用基板接取傳遞位置P4a。雖然與移載區塊7鄰接的乾燥腔室37係分別各一個地設置於最上層、中層以及最下層,然而第三機器人CR3亦可存取這些乾燥腔室37中位於最下層的乾燥腔室37。於第一回程用基板接取傳遞位置P4a的鉛直方向(Z方向)隔著全間距的間隔排列有基板W。因此,第三機器人CR3所具有的乾式臂73c係能夠升降移動,從而能將基板W層疊於第一回程用基板接取傳遞位置P4a。
第四機器人CR4係設置於比第三機器人CR3還要遠離移載區塊7之位置。第四機器人CR4係能從批次處理區域R1中的水平基板接取傳遞位置P3接取基板W(水平姿勢),並從葉片處理區域R2中的基板乾燥預處理腔室38的搬入口38a將基板W(水平姿勢)搬入至基板乾燥預處理腔室38。於水平基板接取傳遞位置P3的鉛直方向(Z方向)隔著半間距的間隔排列有基板W。因此,第四機器人CR4所具有的CR濕式臂75係能夠升降移動,從而能取得層疊於水平基板接取傳遞位置P3的基板W。
第四機器人CR4係於前後方向(X方向)位於與基板乾燥預處理腔室38以及第二姿勢變換機構20相同的位置。因此,第四機器人CR4係與基板乾燥預處理腔室38對向,且亦與第二姿勢變換機構20對向。如此,第四機器人CR4係配置於適合在第二姿勢變換機構20與基板乾燥預處理腔室38之間進行基板W的搬運之位置。
第三機器人CR3、濕式搬運機構WR以及第四機器人CR4係於前後方向(X方向)位於彼此不同的位置。
第三機器人CR3係只要能夠存取在葉片處理區域R2中所設置的五個乾燥腔室37中的一個乾燥腔室37即可,並不一定需要於前後方向(X方向)移動。因此,能將本例子的裝置作成省略了用以使第三機器人CR3水平移動之機構以及控制部。同樣地,第四機器人CR4係只要能夠存取在葉片處理區域R2中所設置的一個基板乾燥預處理腔室38即可,並不一定需要於前後方向(X方向)移動。因此,能將本例子的裝置作成省略了用以使第四機器人CR4水平移動之機構以及控制部。
實施例二中的CPU係除了實施例一中的CPU89a的功能之外,還實現與第三機器人CR3以及第四機器人CR4相關的控制部;實施例二中的記憶部89b係除了實施例一的功能之外,還記憶與第三機器人CR3以及第四機器人CR4的控制相關的資訊。此外,與實施例一同樣地,CPU的具體構成並無特別限定。可於裝置整體具備一個CPU,亦可於各個區塊具備一個或者複數個CPU。此部分在記憶部89b亦同樣。
[基板處理的流程]
圖32為用以說明本例子的基板處理的流程之流程圖。與實施例一同樣地,本例子的基板處理係例如進行與半導體器件製造過程中的基板W的表面蝕刻相關的各個處理。以下,沿著該流程圖具體性地說明基板處理的流程。
步驟S21:與實施例一的步驟S11同樣地,收納處理對象的基板W的承載器C係被設置於承載器保持部11。複數片基板W係被總括搬運機構19從承載器C取出並搬運至去程用基板接取傳遞位置P1。
步驟S22:與實施例一的步驟S12同樣地,複數片基板W係被傳遞至第一姿勢變換機構PCR。第一姿勢變換機構PCR係將基板W的姿勢從水平姿勢變換成鉛直姿勢。
步驟S23:與實施例一的步驟S13同樣地,姿勢被變換成鉛直姿勢的複數片基板W係被傳遞至推送器機構22。推送器機構22係與基板拾取機構WDB協同動作,將全間距的基板W的排列間距變更成半間距。
步驟S24:與實施例一的步驟S14同樣地,被搬運至鉛直基板接取傳遞位置P2的複數片基板W係被基板搬運機構WTR搬運至批次處理區域R1。複數片基板W係在構成批量的狀態下接受各種液體處理。
步驟S25:與實施例一的步驟S15同樣地,被基板搬運機構WTR搬運至姿勢變換單元VHU的複數片基板W係被傳遞至第二姿勢變換機構20。第二姿勢變換機構20係將基板W的姿勢從鉛直姿勢變換成水平姿勢,並使複數片基板W在水平基板接取傳遞位置P3處待機。
圖33係說明步驟S21至步驟S25的基板搬運。在圖33所示的各個過程中,複數片基板W係被總括地搬運。
步驟S26:在水平基板接取傳遞位置P3處待機的複數片基板W係被第四機器人CR4逐片地搬運至基板乾燥預處理腔室38。亦即,水平基板接取傳遞位置P3中的基板W係被第四機器人CR4的CR濕式臂75把持並搬入至基板乾燥預處理腔室38(非為乾燥預處理中的基板乾燥預處理腔室38)。當基板乾燥預處理腔室38為乾燥預處理中時,第四機器人CR4係在未把持基板W的狀態下待機至基板乾燥預處理腔室38變成空的為止,在基板乾燥預處理腔室38變成空的時間點從水平基板接取傳遞位置P3取得一片基板W,並將基板W搬運至基板乾燥預處理腔室38。
步驟S27:當將基板W搬入至基板乾燥預處理腔室38時,搬入口38a以及搬出口38b的擋門係變成封閉狀態,在腔室內部執行乾燥預處理。藉由此種處理,對基板W的表面供給IPA。
步驟S28:與實施例一的步驟S17同樣地,濕式搬運機構WR係將乾燥處理對象的基板W搬入至位於最上層、中層、最下層之空的乾燥腔室37(非為乾燥處理中的乾燥腔室37)中的任一個乾燥腔室37。乾燥腔室37係對搬入的基板W施予乾燥處理。
步驟S29:與實施例一的步驟S18同樣地,乾燥處理後的基板W係被第二機器人CR2或者第三機器人CR3從腔室搬出。具體而言,位於最下層的乾燥腔室37內的基板W係被第三機器人CR3的乾式臂73c搬運至第一回程用基板接取傳遞位置P4a。此外,位於最上層以及中層的乾燥腔室37內的基板W係被第二機器人CR2搬運至第二回程用基板接取傳遞位置P4b。
圖34係說明步驟S26至步驟S29的基板搬運。在圖34所示的各個過程中,逐片地搬運水平姿勢的基板W。此外,圖34係例示位於最下層的乾燥腔室37內的基板W被第三機器人CR3搬運至第一回程用基板接取傳遞位置P4a的樣子。
步驟S30:數次地重複上文所說明的步驟S26至步驟S29,當將預定數量的基板W填充至配置於第一回程用基板接取傳遞位置P4a或者第二回程用基板接取傳遞位置P4b之途徑時,途徑的基板W係被總括搬運機構19把持並被返還至原本的承載器C。此步驟係與實施例一的步驟S19相同。
圖35係顯示在步驟S30中複數片基板W被總括地搬運的樣子。此外,圖35係例示複數片基板W從第一回程用基板接取傳遞位置P4a被搬運的樣子。如此,結束本例子的基板處理裝置2所為的基板處理。
如上所述,依據本例子,能達成與實施例一同樣的功效以及下述功效。亦即,本例子的第四機器人CR4係將基板W送出至基板乾燥預處理腔室38,濕式搬運機構WR係從基板乾燥預處理腔室38接取基板W。依據此種構成,由於無須在濕式搬運機構WR與第四機器人CR4之間進行基板W的接取以及傳遞,因此能提供一種能更確實地搬運基板W且能確實地進行乾燥處理對象的基板W的預處理之基板處理裝置2。
本發明並未限定於上述構成,能夠以下述方式變化實施。
[變化例一]
雖然上文所說明的乾燥腔室37係成為超臨界流體腔室,然而本發明並未限定於此種構成。亦可以能夠進行旋乾(spin drying)處理的腔室來構成乾燥腔室37。
[變化例二]
雖然上文所說明的葉片處理區域R2中的乾燥腔室37係於鉛直方向(Z方向)層疊三個從而構成層疊體,然而本發明並未限定於此,能夠適當地增減構成層疊體之乾燥腔室37的數量。
[變化例三]
雖然在上文所說明的葉片處理區域R2中設置有於鉛直方向(Z方向)層疊預定數量的乾燥腔室37而成的複數個層疊體,然而本發明並未限定於此種構成,亦能應用於具有單一個層疊體的裝置。在此種裝置中,成為省略了圖19中的濕式搬運機構WR的右側或者左側的層疊體之構成。
[變化例四]
雖然上文所說明的葉片基板搬運區域R3為被上下地區劃且於上側的區劃以及下側的區劃具有獨立的機器人之構成,然而本發明並未限定於此。然而亦可以下述方式構成:不以隔壁分割葉片基板搬運區域R3,而是具備單一個機器人來取代第一機器人CR1以及第二機器人CR2,該單一個機器人係總括地進行各個機器人所執行的搬運。
[變化例五]
雖然上文所說明的葉片基板搬運區域R3的第一機器人CR1係能夠存取位於葉片處理區域R2中的最下層的腔室,且第二機器人CR2係能夠存取葉片處理區域R2中的最上層以及中層的腔室,然而本發明並未限定於此種構成。亦可將第一機器人CR1作成能夠存取位於葉片處理區域R2中的中層以及最下層的腔室,且亦可與此配合地將第二機器人CR2作成能夠存取位於葉片處理區域R2中的最下層的腔室。
1:基板處理裝置
3:搬入搬出區塊
5:供給區塊
6:基板處理腔室
7:移載區塊
9:處理區塊
11:承載器保持部
15:載置台
19:總括搬運機構
20:第二姿勢變換機構
20A:支撐台
20B:水平保持部(水平基板支撐構件)
20C:垂直保持部
20D:旋轉驅動機構
22:推送器機構(鉛直基板支撐構件)
23:VHU推送器機構
23a:VHU推送器
33:旋轉處理部
35:噴嘴
36a:支撐構件旋轉機構
37:乾燥腔室
37a,38a:搬入口
37b,38b:搬出口
37c:支撐構件
37d:銷
38:基板乾燥預處理腔室
69:夾持手部
69a:手部基台
70:支撐棒
70a:支撐體
70c:溝槽
71:總括搬運手部
71a:手部片
71c:手部驅動機構
71d:手部控制部
71e:手部基部
72,75:CR濕式臂(接取傳遞臂)
73a,73b,73c:乾式臂(搬出臂)
73m:基部
74:濕式臂
74a:濕式臂基部
79a:批次手部驅動機構
79d:手部基台旋轉控制部
79c:手部基台旋轉機構
81:支柱
82:升降機構
82a:升降控制部
83:旋轉構件
83a:旋轉機構
84:第一臂
84a:伸縮機構
85:第二臂
85a:臂
86:方向轉換構件
86a:方向轉換機構
87:軌道
87a:軸件機構
89a:CPU
89b:記憶部
90a:支撐體升降機構
90c:支撐棒伸縮機構
90d:支撐棒伸縮控制部
92a,95a:乾式臂驅動機構
92b,95b:乾式臂驅動控制部
93a:CR濕式臂驅動機構
93b:CR濕式臂驅動控制部
94a,96a:滑動機構
94b,96b:滑動控制部
97a,97b:機器人導引軌道
101:WR支柱
102:WR升降機構
171c:WR手部驅動機構
171d:手部控制部
182a:WR升降控制部
183:WR旋轉構件
183a:WR旋轉機構
184a:伸縮機構
184b:伸縮控制部
185a:WR臂
AX3,AX4:旋轉軸
BPU1:第一批次處理單元
BPU2:第二批次處理單元
BPU3:第三批次處理單元
C:承載器
CHB1,CHB2:批次藥液處理槽
CR1:第一機器人(葉片基板接取傳遞位置、基板搬出機構、第一基板搬出機構)
CR2:第二機器人(第二基板搬出機構)
CR3:第三機器人
CR4:第四機器人
LF1,LF2,LF3:升降機
ONB:批次清洗處理槽
P1:去程用基板接取傳遞位置
P2:鉛直基板接取傳遞位置
P3:水平基板接取傳遞位置
P4:回程用基板接取傳遞位置
P4a:第一回程用基板接取傳遞位置
P4b:第二回程用基板接取傳遞位置
PCR:第一姿勢變換機構
R1:批次處理區域
R2:葉片處理區域
R3:葉片基板搬運區域
R4:批次基板搬運區域
S11,S12,S13,S14,S15,S16,S17,S18,S19,S21,S22,S23,S24,S25,S26,S27,S28,S29,S30:步驟
VHU:姿勢變換單元
W:基板
WDB:基板拾取機構
WR:濕式搬運機構(基板搬入機構)
WTR:基板搬運機構(批次基板搬運機構)
X:前後方向
Y:寬度方向
Z:鉛直方向
[圖1]為用以說明實施例一的基板處理裝置的整體構成之俯視圖。
[圖2]為用以說明實施例一的總括搬運機構的構成之功能方塊圖。
[圖3]為用以說明實施例一的總括把持手部的構成之立體圖。
[圖4]為用以說明實施例一的第一姿勢變換機構的構成之功能方塊圖。
[圖5]為用以說明實施例一的基板拾取機構的構成之功能方塊圖。
[圖6]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板搬運之示意圖。
[圖7]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板搬運之示意圖。
[圖8]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板搬運之示意圖。
[圖9]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板搬運之示意圖。
[圖10]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板搬運之示意圖。
[圖11]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板拾取機構的動作之示意圖。
[圖12]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板拾取機構的動作之立體圖。
[圖13]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板拾取機構的動作之示意圖。
[圖14]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板搬運之示意圖。
[圖15]為用以說明實施例一的移載區塊中的基板拾取機構的動作之示意圖。
[圖16]為用以說明實施例一的移載區塊中的推送器(pusher)機構的動作之示意圖。
[圖17]為用以說明實施例一的第二姿勢變換機構的構成之立體圖。
[圖18]為用以說明實施例一的第二姿勢變換機構的動作之示意圖。
[圖19]為用以說明實施例一的葉片處理區域的構成之側視圖。
[圖20]為用以說明實施例一的乾燥腔室的構成之俯視圖。
[圖21]為用以說明實施例一的濕式搬運機構的構成之功能方塊圖。
[圖22]為用以說明實施例一的葉片基板搬運區域的構成之功能方塊圖。
[圖23]為用以說明實施例一的基板搬入機構的構成之俯視圖。
[圖24]為用以說明實施例一的基板的接取傳遞之俯視圖。
[圖25]為用以說明實施例一的基板處理的動作之流程圖。
[圖26]為用以說明實施例一的基板的流動之俯視圖。
[圖27]為用以說明實施例一的基板的流動之俯視圖。
[圖28]為用以說明實施例一的基板的流動之俯視圖。
[圖29]為用以說明實施例二的基板處理裝置的整體構成之俯視圖。
[圖30]為用以說明實施例二的葉片處理區域的構成之側視圖。
[圖31]為用以說明實施例二的葉片基板搬運區域的構成之側視圖。
[圖32]為用以說明實施例二的基板處理的動作之流程圖。
[圖33]為用以說明實施例二的基板的流動之俯視圖。
[圖34]為用以說明實施例二的基板的流動之俯視圖。
[圖35]為用以說明實施例二的基板的流動之俯視圖。
1:基板處理裝置
3:搬入搬出區塊
5:供給區塊
7:移載區塊
9:處理區塊
11:承載器保持部
15:載置台
19:總括搬運機構
20:第二姿勢變換機構
22:推送器機構(鉛直基板支撐構件)
23:VHU推送器機構
37:乾燥腔室
37a:搬入口
37b:搬出口
37c:支撐構件
37d:銷
69:夾持手部
70:支撐棒
71:總括搬運手部
72,75:CR濕式臂(接取傳遞臂)
74:濕式臂
81:支柱
89a:CPU
89b:記憶部
101:WR支柱
BPU1:第一批次處理單元
BPU2:第二批次處理單元
BPU3:第三批次處理單元
C:承載器
CHB1,CHB2:批次藥液處理槽
CR1:第一機器人(葉片基板接取傳遞位置、基板搬出機構、第一基板搬出機構)
LF1,LF2,LF3:升降機
ONB:批次清洗處理槽
P1:去程用基板接取傳遞位置
P2:鉛直基板接取傳遞位置
P3:水平基板接取傳遞位置
P4a:第一回程用基板接取傳遞位置
PCR:第一姿勢變換機構
R1:批次處理區域
R2:葉片處理區域
R3:葉片基板搬運區域
R4:批次基板搬運區域
VHU:姿勢變換單元
W:基板
WDB:基板拾取機構
WR:濕式搬運機構(基板搬入機構)
WTR:基板搬運機構(批次基板搬運機構)
X:前後方向
Y:寬度方向
Z:鉛直方向
Claims (8)
- 一種基板處理裝置,係用以連續地進行批次處理以及葉片處理,前述批次處理係總括地處理複數片基板,前述葉片處理係逐片地處理基板; 前述基板處理裝置係具備: 供給區塊,係供給複數片基板; 移載區塊,係與前述供給區塊鄰接;以及 處理區塊,係與前述移載區塊鄰接; 前述供給區塊係具備:總括搬運機構,係從承載器搬出水平姿勢且以預定間隔排列於鉛直方向的複數片基板並送出至前述移載區塊中的去程用基板接取傳遞位置,且從前述移載區塊中的回程用基板接取傳遞位置接取水平姿勢且以前述預定間隔排列於鉛直方向的複數片基板並收納於前述承載器; 前述移載區塊係具備: 第一姿勢變換機構,係總括地保持在前述去程用基板接取傳遞位置處待機的複數片基板,並將複數片基板的姿勢總括地從水平姿勢變換成鉛直姿勢;以及 鉛直基板支撐構件,係使成為鉛直姿勢的複數片基板在前述移載區塊中的鉛直基板接取傳遞位置待機; 前述處理區塊係具備: 批次處理區域,係一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸; 葉片處理區域,係一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸; 葉片基板搬運區域,係夾設於前述批次處理區域與前述葉片處理區域之間,一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸;以及 批次基板搬運區域,係沿著前述批次處理區域設置,一端側與前述移載區塊鄰接,且另一端側朝遠離前述移載區塊之方向延伸; 於前述處理區塊中的前述批次處理區域延伸之方向排列有複數個批次處理槽,且於前述處理區塊中的前述批次處理區域中之最遠離前述移載區塊之位置進一步地具備有第二姿勢變換機構以及水平基板支撐構件,前述複數個批次處理槽係總括地浸漬處理複數片基板,前述第二姿勢變換機構係將複數片基板的姿勢總括地從鉛直姿勢變換成水平姿勢,前述水平基板支撐構件係使成為水平姿勢的複數片基板於前述批次處理區域中的水平基板接取傳遞位置待機; 於前述處理區塊中的前述葉片處理區域的鉛直方向排列有複數個乾燥腔室,且於前述處理區塊中的前述葉片處理區域進一步地具備有基板搬入機構,前述複數個乾燥腔室係進行基板的乾燥處理,前述基板搬入機構係將乾燥處理前的基板搬入至前述乾燥腔室; 於前述處理區塊中的前述葉片基板搬運區域具備有: 葉片基板接取傳遞機構,係從前述水平基板接取傳遞位置接取水平姿勢的基板,並將基板傳遞至前述葉片處理區域;以及 基板搬出機構,係從前述乾燥腔室將乾燥處理後的基板搬出至前述移載區塊中的前述回程用基板接取傳遞位置; 於前述處理區塊中的前述批次基板搬運區域具備有:批次基板搬運機構,係在制定於前述移載區塊內的前述鉛直基板接取傳遞位置、前述批次處理槽各者以及前述第二姿勢變換基構之間總括地搬運複數片基板。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述基板搬入機構係從前述葉片基板接取傳遞機構接取基板。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中於前述葉片處理區域具備有:基板乾燥預處理腔室,係用以進行乾燥處理的預處理; 前述葉片基板接取傳遞機構係將基板送出至前述基板乾燥預處理腔室; 前述基板搬入機構係從前述基板乾燥預處理腔室接取基板。
- 如請求項2所記載之基板處理裝置,其中前述葉片基板接取傳遞機構係由兼作為前述基板搬出機構之機器人所構成; 前述葉片基板接取傳遞機構係具有:接取傳遞臂,係用以支撐乾燥處理前的基板; 前述基板搬出機構係具有:搬出臂,係用以支撐乾燥處理後的基板; 前述搬出臂係設置於前述接取傳遞臂的上部。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述乾燥腔室係藉由超臨界流體使基板乾燥。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置,其中前述基板乾燥預處理腔室係藉由異丙醇使基板預備乾燥。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中於前述處理區塊中的前述葉片處理區域的前述基板搬入機構的兩側設置有前述乾燥腔室的層疊體。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中於前述處理區塊中的前述批次基板搬運區域具備有: 第一基板搬出機構,係在前述乾燥腔室的層疊體的上層中搬出基板;以及 第二基板搬出機構,係在前述乾燥腔室的層疊體的下層中搬出基板; 於前述移載區塊設定有第一回程用基板接取傳遞位置並設定有第二回程用基板接取傳遞位置,前述第一回程用基板接取傳遞位置係供前述第一基板搬運機構搬出基板,前述第二回程用基板接取傳遞位置係供前述第二基板搬運機構搬出基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022151711A JP2024046372A (ja) | 2022-09-22 | 2022-09-22 | 基板処理装置 |
JP2022-151711 | 2022-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202418454A true TW202418454A (zh) | 2024-05-01 |
Family
ID=90454195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112131053A TW202418454A (zh) | 2022-09-22 | 2023-08-18 | 基板處理裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024046372A (zh) |
TW (1) | TW202418454A (zh) |
WO (1) | WO2024062799A1 (zh) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5041667B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2012-10-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP7336955B2 (ja) * | 2019-10-10 | 2023-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、及び基板処理方法 |
TWI835028B (zh) * | 2020-11-30 | 2024-03-11 | 南韓商細美事有限公司 | 用於處理基板之設備 |
-
2022
- 2022-09-22 JP JP2022151711A patent/JP2024046372A/ja active Pending
-
2023
- 2023-08-14 WO PCT/JP2023/029415 patent/WO2024062799A1/ja unknown
- 2023-08-18 TW TW112131053A patent/TW202418454A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024062799A1 (ja) | 2024-03-28 |
JP2024046372A (ja) | 2024-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4980978B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20240049784A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
TW202418454A (zh) | 基板處理裝置 | |
US20240105486A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
WO2024042815A1 (ja) | 基板処理装置 | |
TW202431474A (zh) | 基板處理裝置 | |
WO2024062683A1 (ja) | 基板処理装置 | |
US20240258147A1 (en) | Substrate processing system | |
JP2024046370A (ja) | 基板処理装置 | |
TW202431473A (zh) | 基板處理裝置 | |
WO2024062762A1 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2024062695A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2024046368A (ja) | 基板処理装置 | |
US20240066715A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
TW202418397A (zh) | 基板處理裝置 | |
TW202431472A (zh) | 基板處理裝置 | |
KR20240041248A (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW202431467A (zh) | 基板處理裝置 | |
KR20240001738A (ko) | 버퍼 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2024046369A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2022159601A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 |