TW202308404A - 傳聲器 - Google Patents

Abstract

本說明書提供了一種傳聲器，包括第一聲學結構、聲電轉換器以及第二聲學結構。第一聲學結構可以包括第一導聲管和第一聲學腔體。第一聲學結構具有第一諧振頻率。聲電轉換器可以用於將聲音信號轉換為電信號。聲電轉換器具有第二諧振頻率。第二聲學結構可以包括第二導聲管和第二聲學腔體。第二聲學結構具有第三諧振頻率。第三諧振頻率與第一諧振頻率可以不同。

Description

傳聲器

本說明書涉及聲學裝置領域，特別涉及一種傳聲器。 相關申請案之交叉參考

本申請主張於2021年8月11日提交之申請號為202110919048.2的中國專利申請案的優先權，其全部內容通過引用的方式併入本文。

濾波和分頻技術在信號處理態樣有廣泛的應用，其作為語音辨識、降噪、信號增強等信號處理技術的基礎，廣泛地應用在電聲、通訊、圖像編碼、回波抵消、雷達分選等領域。傳統的濾波或分頻方法是採用硬體電路或軟體程式的技術。例如，可以由麥克風單體收集全頻帶信號，利用硬體電路、軟體演算法對該信號進行分通道的濾波。硬體電路實現濾波或分頻即利用電子組件（例如，類比電子組件、數位電子語言間等）設計帶通濾波器或濾波器組，從而實現濾波或分頻。其缺點在於，受電子組件本身特性的影響，性能越高的濾波器，其電路設計更為複雜。使用軟體演算法實現濾波或分頻，即使用數位技術，在數位信號處理單元（如DSP、FPGA、CPU、GPU等）內根據軟體編程好的濾波或分頻演算法執行相關濾波或分頻程式，實現對信號的濾波或分頻。該方法對計算資源要求高，尤其對於較為複雜、性能較為優異的濾波器演算法，其會耗費更多的計算資源和時間。數位信號處理還受取樣頻率的影響，取樣及處理流程中會帶來信號失真、雜訊引入等問題。因此，有必要提供一種更加高效的信號濾波及/或分頻裝置和方法，簡化傳聲器的結構，提高傳聲器聲音處理的效率，提高傳聲器的頻率回應的靈敏度。

為了解決上述濾波及/或分頻效率低，以及傳聲器結構複雜的問題，本說明書的技術方案是這樣實現的：

本說明書提供了一種傳聲器。所述傳聲器可以包括第一聲學結構、聲電轉換器以及第二聲學結構。所述第一聲學結構可以包括第一導聲管和第一聲學腔體。所述第一聲學結構具有第一諧振頻率。所述聲電轉換器可以用於將聲音信號轉換為電信號，所述聲電轉換器可以具有第二諧振頻率。所述第二聲學結構可以包括第二導聲管和第二聲學腔體，所述第二聲學結構可以具有第三諧振頻率。所述第三諧振頻率可以與所述第一諧振頻率不同。

在一些實施例中，所述第一諧振頻率可以與所述第一聲學結構的結構參數有關，所述第二諧振頻率可以與所述聲電轉換器的結構參數有關，所述第三諧振頻率可以與所述第二聲學結構的結構參數有關；所述第一諧振頻率或所述第三諧振頻率與所述第二諧振頻率的差值的絕對值可以不小於100Hz。

在一些實施例中，所述第一聲學結構的所述結構參數可以包括所述第一導聲管的形狀、所述第一導聲管的尺寸、所述第一聲學腔體的尺寸、所述第一導聲管或所述第一聲學腔體的聲阻、形成所述第一導聲管的側壁的內表面的粗糙度等或其組合。所述第二聲學結構的所述結構參數包括所述第二導聲管的形狀、所述第二導聲管的尺寸、所述第二聲學腔體的尺寸、所述第二導聲管或所述第二聲學腔體的聲阻、形成所述第二導聲管的側壁的內表面的粗糙度等或其組合。

在一些實施例中，所述聲阻的聲阻值範圍為1MKS Rayls到100MKS Rayls，所述第一導聲管的孔徑可以不大於其長度的2倍，所述第二導聲管的孔徑不大於其長度的2倍，形成所述第一導聲管或所述第二導聲管的側壁的內表面的粗糙度可以不大於0.8，所述第一聲學腔體或所述第二聲學腔體的內徑可以不小於其厚度。

在一些實施例中，所述傳聲器在所述第一諧振頻率處回應的靈敏度可以大於所述聲電轉換器在所述第一諧振頻率處回應的靈敏度。所述傳聲器在所述第三諧振頻率處回應的靈敏度可以大於所述聲電轉換器在所述第三諧振頻率處回應的靈敏度。

在一些實施例中，所述第一導聲管可以設置於構成所述第一聲學腔體的腔體壁上，所述第二導聲管可以設置於構成所述第二聲學腔體的腔體壁上。

在一些實施例中，所述聲電轉換器可以進一步包括第一孔部，所述第一聲學腔體可以通過所述第一孔部與所述聲電轉換器進行聲學連通。

在一些實施例中，所述第一聲學腔體可以與所述聲電轉換器進行聲學連通，所述第二聲學腔體可以通過所述第二導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並可以通過所述第一導聲管與所述第一聲學腔體進行聲學連通。

在一些實施例中，所述傳聲器可以進一步包括第三聲學結構，所述第三聲學結構可以包括第三導聲管、第四導聲管和第三聲學腔體。所述第一聲學腔體可以通過所述第一導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並可以通過所述第三導聲管與所述第三聲學腔體進行聲學連通。所述第二聲學腔體可以通過所述第二導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並可以通過所述第四導聲管與所述第三聲學腔體進行聲學連通。所述第三聲學腔體可以與所述聲電轉換器進行聲學連通。所述第三聲學結構可以具有第四諧振頻率，所述第四諧振頻率可以與所述第三諧振頻率和所述第一諧振頻率不同。

在一些實施例中，所述傳聲器可以進一步包括第二聲電轉換器，所述第二聲電轉換器可以包括第二孔部，所述第二聲學腔體可以通過所述第二導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並可以通過所述第二孔部與所述第二聲電轉換器進行聲學連通。

附加的特徵將在下面的描述中部分地闡述，並且對於本領域具有通常知識者來說，通過查閱以下內容和圖式將變得顯而易見，或者可以通過實例的產生或操作來瞭解。本申請的特徵可以通過實踐或使用以下詳細實例中闡述的方法、工具和組合的各個態樣來實現和獲得。

為了更清楚地說明本說明書的實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的圖式作簡單的介紹。顯而易見地，下面描述中的圖式僅僅是本說明書的一些示例或實施例，對於本領域具有通常知識者來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些圖式將本說明書應用於其他類似情景。應當理解，給出這些示例性實施例僅僅是為了使相關領域的技術人員能夠更佳地理解進而實現本申請，而並非以任何方式限制本申請的範圍。除非從語言環境中顯而易見或另做說明，圖中相同標號代表相同結構或操作。

應當理解，本文使用的「系統」、「裝置」、「單元」及/或「部件」、、「組件」是用於區分不同級別的不同組件、部件、部分或裝配的一種方法。然而，如果其他詞語可實現相同的目的，則可通過其他表達來替換所述詞語。

使用各種術語描述元素之間（例如，部件之間）的空間和功能關係，包括「連接」、「接合」、「介接」和「耦合」。除非明確描述為「直接」，否則在本說明書中描述第一和第二元素之間的關係時，該關係包括在第一和第二元素之間不存在其他中間元素的直接關係，以及在第一和第二元素之間存在（空間或功能上）一個或多個中間元素的間接關係。相反，當組件被稱為「直接」連接、接合、介接或耦合到另一組件時，不存在中間組件。另外，可以以各種方式實現組件之間的空間和功能關係。例如，兩個組件之間的機械連接可包括焊接連接、鍵連接、銷連接、干涉配合連接等，或其任何組合。用於描述元素之間關係的其他詞語應以類似的方式解釋（例如，「之間」、「與......之間」、「相鄰」與「直接相鄰」等）。

應當理解，本文中使用的術語「第一」、「第二」、「第三」等可用於描述各種組件。這些僅用於將一種組件與另一種組件區分開，並不旨在限制組件的範圍。例如，第一組件也可以稱為第二組件，類似地，第二組件也可以稱為第一組件。

如本說明書和申請專利範圍中所示，除非上下文明確提示例外情形，「一」、「一個」、「一種」及/或「該」等詞並非特指單數，也可包括複數。一般說來，術語「包括」與「包含」僅提示包括已明確標識的步驟和元素，而這些步驟和元素不構成一個排它性的羅列，方法或者裝置也可能包含其他的步驟或元素。術語「基於」是「至少部分地基於」。術語「一個實施例」表示「至少一個實施例」；術語「另一實施例」表示「至少一個另外的實施例」。其他術語的相關定義將在下文描述中給出。以下，不失一般性，在描述本申請中關於濾波/分頻相關技術時，將採用「傳聲器」或「麥克風」的描述。該描述僅僅為傳導應用的一種形式，對於該領域的普通技術人員來說，「傳聲器」或「麥克風」也可用其他同類詞語代替，比如「水聽器」、「轉換器」、「聲–光調製器」或「聲–電轉換裝置」等。對於本領域的專業人員來說，在瞭解傳聲器的基本原理後，可能在不背離這一原理的情況下，對實施傳聲器的具體方式與步驟進行形式和細節上的各種修正和改變。然而，這些修正和改變仍在本說明書的保護範圍內。

本說明書提供了一種傳聲器。傳聲器可以包括至少一個聲電轉換器以及聲學結構。至少一個聲電轉換器可以用於將聲音信號轉換為電信號。聲學結構包括導聲管和聲學腔體。聲學腔體與聲電轉換器進行聲學連通，並通過導聲管與傳聲器的外部進行聲學連通。聲學結構的導聲管和聲學腔體可以構成具有調節聲音頻率成分功能的濾波器。該方案使用聲學結構本身的結構特性對聲音信號進行濾波及/或子帶分頻，不需要大量複雜的電路實現濾波，降低了電路設計的困難。聲學結構的濾波特性由其結構的物理特性決定，濾波的流程即時發生。

在一些實施例中，聲學結構可以在其對應的諧振頻率處對聲音進行「放大」。聲學結構的諧振頻率可以通過改變聲學結構的結構參數進行調整。聲學結構的結構參數可以包括導聲管的形狀、導聲管的尺寸、聲學腔體的尺寸、導聲管或聲學腔體的聲阻、導聲管的側壁的內表面的粗糙度、導聲管中吸聲材料的厚度等或其組合。

在一些實施例中，通過將具有不同諧振頻率的多個聲學結構並聯、串聯或其組合設置，可以分別將聲音信號中與不同諧振頻率對應的頻率成分篩選出來，從而可以實現對聲音信號進行子帶分頻。在這種情況下，傳聲器的頻率回應可以看作是由不同聲學結構的頻率回應融合後所形成的高信噪比的、更為平坦的頻率回應曲線（例如，圖22中所示的頻率回應曲線2210）。一態樣，本揭示內容的實施例提供的傳聲器可以在不利用硬體電路（例如，濾波電路）或軟體演算法的前提下，通過自身結構來實現對全頻帶信號進行子帶分頻處理，避免了硬體電路設計複雜，以及軟體演算法佔用計算資源較高、帶來信號失真、雜訊引入的問題，進而降低了傳聲器的複雜度和生產成本。另一態樣，本揭示內容的實施例提供的傳聲器可以輸出高信噪比、更為平坦的頻率回應曲線，提高傳聲器的信號品質。此外，通過設置不同聲學結構，可以在傳聲器系統中增加不同頻率範圍的諧振峰，提升了傳聲器在多個諧振峰附近的靈敏度，進而提升傳聲器在整個寬頻帶的靈敏度。

圖1係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖1所示，傳聲器100可以包括聲學結構110、至少一個聲電轉換器120、取樣器130和信號處理器140。

在一些實施例中，傳聲器100可以包括任何將聲音信號轉換為電信號的聲音信號處理裝置，例如，麥克風、水聽器、聲光調製器等或其他聲電轉換裝置。在一些實施例中，以換能原理進行區分，傳聲器100可以包括動圈式傳聲器、帶式傳聲器、電容式傳聲器、壓電式傳聲器、駐極體式傳聲器、電磁式傳聲器、碳粒式傳聲器等或其任意組合。在一些實施例中，以聲音採集的方式進行區分，傳聲器100可以包括骨傳導傳聲器、氣傳導傳聲器等或其組合。在一些實施例中，按照生產製程進行區分，傳聲器110可以包括駐極體傳聲器、矽傳聲器等。在一些實施例中，傳聲器100可以設置在行動裝置（例如，行動電話、錄音筆等），平板電腦，膝上型電腦，運輸工具內建裝置，監控裝置，醫療裝置，運動器材，玩具，可穿戴裝置（例如，耳機、頭盔、眼鏡、項鍊等）等具有拾音功能的裝置上。

聲學結構110可以將外界的聲音信號傳遞到至少一個聲電轉換器120。在聲音信號經過聲學結構110時，聲學結構110可以對聲音信號進行一定的調節（例如，濾波、改變聲音信號的頻寬、對特定頻率的聲音信號放大等）。在一些實施例中，聲學結構110可以包括導聲管和聲學腔體。聲學腔體與聲電轉換器120進行聲學連通，用於將經聲學結構110調節後的聲學信號遞送給聲電轉換器120。聲學腔體可以通過導聲管與傳聲器100外部環境進行聲學連通，用於接收聲音信號。聲音信號可以來自任何能夠產生音訊信號的聲源。聲源可以是生物體（例如，傳聲器100的使用者），非生物體（例如，雷射唱片播放機、電視、音響等）等或其組合。在一些實施例中，聲音信號可以包括環境聲音。

在一些實施例中，聲學結構110具有第一諧振頻率，其表示聲音信號在第一諧振頻率處的頻率成分會產生共振，從而增大該頻率成分傳遞到聲電轉換器120的音量。因此，聲學結構110的設置可以使得傳聲器100的頻率回應曲線在第一諧振頻率處產生諧振峰，從而可以在包含第一諧振頻率的一定頻段內提高傳聲器100的靈敏度。關於聲學結構110對傳聲器100的頻率回應曲線的影響可以參見圖2A至圖22及其相關描述。

在一些實施例中，傳聲器100中聲學結構110的數量可以根據實際需要設置。例如，傳聲器100可以包括多個（例如，2個、3個、5個、6至24個等）聲學結構110。在一些實施例中，傳聲器100中的多個聲學結構110可以具有不同的頻率回應，例如，傳聲器100中的多個聲學結構110可以具有不同的諧振頻率及/或頻帶寬度。頻帶寬度可以指的是頻率響應曲線的3dB點之間的頻率範圍。在一些實施例中，經過多個聲學結構100處理後，聲音信號可以被分頻，產生多個具有不同頻帶範圍的子帶聲信號（例如，子帶聲信號1111、子帶聲信號1112、…、子帶聲信號111n）。子帶聲信號是指頻帶寬度小於原始聲音信號的頻帶寬度的信號。子帶聲信號的頻帶可以在聲音信號的頻帶範圍內。例如，聲音信號的頻帶範圍可以是100Hz至20000Hz，可以設置一個聲學結構110，對聲音信號進行濾波，產生一個子帶聲信號，其頻帶範圍可以是100Hz至200Hz。又例如，可以設置11個聲學結構110，將聲音信號進行分頻，產生11個子帶聲信號，其頻帶範圍可以是500Hz至700Hz、700Hz至1000Hz、1000Hz至1300Hz、1300Hz至1700Hz、1700Hz至2200Hz、2200Hz至3000Hz、3000Hz至3800Hz、3800Hz至4700Hz、4700Hz至5700Hz、5700Hz至7000Hz、7000Hz至12000Hz。又例如，可以設置16個聲學結構110，將聲音信號進行分頻，產生16個子帶聲信號，其頻帶範圍可以是500Hz至640Hz、640Hz至780Hz、780Hz至930Hz、940Hz至1100Hz、1100Hz至1300Hz、1300Hz至1500Hz、1500Hz至1750Hz、1750Hz至1900Hz、1900Hz至2350Hz、2350Hz至2700Hz、2700Hz至3200Hz、3200Hz至3800Hz、3800Hz至4500Hz、4500Hz至5500Hz、5500Hz至6600Hz、6600Hz至8000Hz。再例如，可以設置24個聲學結構110，將聲音信號進行分頻，產生24個子帶聲信號，其頻帶範圍可以是20Hz至120Hz、120Hz至210Hz、210Hz至320Hz、320Hz至410Hz、410Hz至500Hz、500Hz至640Hz、640Hz至780Hz、780Hz至930Hz、940Hz至1100Hz、1100Hz至1300Hz、1300Hz至1500、1500Hz至1750、1750Hz至1900、1900Hz至2350、2350Hz至2700Hz、2700Hz至3200Hz、3200Hz至3800Hz、3800Hz至4500Hz、4500Hz至5500Hz、5500Hz至6600Hz、6600Hz至7900Hz、7900Hz至9600Hz、9600Hz至12100Hz、12100Hz至16000Hz。使用聲學結構進行濾波和分頻，可以對聲音信號進行即時濾波和/分頻，降低後續硬體對聲音信號處理流程中雜訊的引入，避免信號的失真。

在一些實施例中，傳聲器100中的多個聲學結構110可以並聯、串聯或其組合設置。關於多個聲學結構設置的細節可以參見圖17至20及其相關描述。

聲學結構110可以與聲電轉換器120連接，用於將經聲學結構110調節後的聲音信號遞送至聲電轉換器120以轉換為電信號。在一些實施例中，聲電轉換器120可以包括電容式聲電轉換器、壓電式聲電轉換器等或其組合。在一些實施例中，聲音信號的振動（例如，空氣振動、固體振動、液體振動、磁致振動、電致振動等）可以引起聲電轉換器120的一個或多個參數的變化（例如，電容、電荷、加速度、光強度、頻率回應等或其組合），變化的參數可以利用電學的方法檢測出來並輸出與振動相應的電信號。例如，壓電式聲電轉換器可以是將被測量的非電量（例如，壓力、位移等）的變化轉換為電壓的變化的組件。例如，壓電式聲電轉換器可以包括一個懸臂樑結構（或者振膜結構），懸臂樑結構在接收到的聲音信號的作用下可以產生變形，變形的懸臂樑結構引起的逆壓電效應可以產生電信號。又例如，電容式聲電轉換器可以是將被測量的非電量（例如，位移、壓力、光強、加速度等）的變化轉換為電容量的變化的組件。例如，電容式聲電轉換器可以包括第一懸臂樑結構和第二懸臂樑結構，第一懸臂樑結構和第二懸臂樑結構在振動下可以產生不同程度的變形，從而使得第一懸臂樑結構和第二懸臂樑結構之間的間距改變。第一懸臂樑結構和第二懸臂樑結構可以將二者之間的間距的變化轉換為電容的變化，從而實現振動信號到電信號的轉換。在一些實施例中，不同聲電轉換器120可以具有相同或不同的頻率回應。例如，具有不同的頻率回應的聲電轉換器120可以檢測同一聲音信號，不同的聲電轉換器120可以產生具有不同諧振頻率的子帶電信號。

在一些實施例中，聲電轉換器120的數量可以是一個或多個，例如，聲電轉換器120可以包括聲電轉換器121、聲電轉換器122、…、聲電轉換器12n。在一些實施例中，聲電轉換器120中的一個或多個聲電轉換器可以與聲學結構110以多種方式連通。例如，傳聲器100中的多個聲學結構110可以與同一個聲電轉換器120連接。又例如，多個聲學結構110中的每個聲學結構可以與一個聲電轉換器120連接。

在一些實施例中，聲電轉換器120中的一個或多個聲電轉換器可以用於將聲學結構110傳遞的聲音信號轉換為電信號。例如，聲電轉換器120可以將聲學結構110濾波後的聲音信號轉換為對應的電信號。又例如，聲電轉換器120中的多個聲電轉換器可以分別將多個聲學結構110分頻後的子帶聲信號轉換為對應的多個子帶電信號。僅作為示例，聲電轉換器120可以分別將子帶聲信號1111、子帶聲信號1112、…、子帶聲信號111n分別轉換為子帶電信號1211、子帶電信號1212、…、子帶電信號121n。

聲電轉換器120可以將產生的子帶電信號（或電信號）遞送至取樣器130。在一些實施例中，一個或多個子帶電信號可以通過不同的平行線路媒體分別傳輸。在一些實施例中，多個子帶電信號也可以通過共用一路線路媒體根據特定的協定規則以特定格式進行輸出。在一些實施例中，特定的協定規則可以包括但不限於直傳、調幅、調頻等中的一種或多種。在一些實施例中，線路媒體可以包括但不限於同軸纜線、通訊纜線、軟性纜線、螺旋纜線、非金屬護皮纜線、金屬護皮纜線、多芯纜線、雙絞線纜線、帶狀纜線、遮罩纜線、電信纜線、雙股纜線、平行雙芯導線、雙絞線、光纖、紅外線、電磁波、聲波等中的一種或多種。在一些實施例中，特定格式可以包括但不限於CD、WAVE、AIFF、MPEG-1、MPEG-2、MPEG-3、MPEG-4、MIDI、WMA、RealAudio、VQF、AMR、APE、FLAC、AAC等中的一種或多種。在一些實施例中，傳輸協定可以包括但不限於AES3、EBU、ADAT、I2S、TDM、MIDI、CobraNet、Ethernet AVB、Dante、ITU-T G.728、ITU-T G.711、ITU-T G.722、ITU-T G.722.1、ITU-T G.722.1 Annex C、AAC-LD等中的一種或多種。

取樣器130可以與聲電轉換器120通訊，用於接收聲電轉換器120產生的一個或多個子帶電信號，並對一個或多個子帶電信號進行取樣，產生對應的數位信號。

在一些實施例中，取樣器130可以包括一個或多個取樣器（例如，取樣器131、取樣器132、…、取樣器13n）。每個取樣器可以對每路子帶電信號進行取樣。例如，取樣器131可以對子帶電信號1211進行取樣，產生數位信號1311。又例如，取樣器132可以對子帶信號1212進行取樣，產生數位信號1312。再例如，取樣器13n可以對子帶信號121n進行取樣，產生數位信號131n。

在一些實施例中，取樣器130可以使用帶通取樣技術對子帶電信號進行取樣。例如，可以根據子帶電信號的頻帶寬度（3dB）配置取樣器130的取樣頻率。在一些實施例中，取樣器130可以用不小於子帶電信號中最高頻率兩倍的取樣頻率對所述子帶電信號進行取樣。在一些實施例中，取樣器130可以用不小於子帶電信號中最高頻率兩倍、且不大於子帶電信號中最高頻率四倍取樣頻率對子帶電信號進行取樣。相比與傳統的取樣方式（例如，頻寬取樣技術、低通取樣技術等），使用帶通取樣技術進行取樣，取樣器130可以使用相對較低的取樣頻率進行取樣，從而降低取樣流程的難度和成本。

在一些實施例中，取樣器130的取樣頻率的大小可以影響取樣器130取樣的截止頻率。在一些實施例中，取樣頻率越大，截止頻率越高，可取樣頻帶範圍越大，信號處理器140處理取樣器130產生的數位信號時，相同傅立葉變換點數下，取樣頻率越大對應的頻率解析度也越低。因此，對於位於不同頻率範圍的子帶電信號，取樣器130可以使用不同的取樣頻率進行取樣。例如，對於位於低頻範圍的子帶電信號（例如，頻率小於第一頻率臨界值的子帶電信號），取樣器130可以用較低的取樣頻率，從而使得取樣的截止頻率較低。又例如，對於頻率範圍位於中高頻率的子帶電信號（例如，頻率大於第二頻率臨界值小於第三頻率臨界值的子帶電信號），取樣器130可以用較高的取樣品頻率，從而使得取樣的截止頻率相對較高。再例如，取樣器130的取樣截止頻率可以比子帶的3dB頻寬之諧振頻率的頻率點頻率高出0Hz至500Hz。

取樣器130可以將產生的一個或多個數位信號傳輸到信號處理器140。一個或多個數位信號的傳輸可以通過不同的平行線路媒體分別傳輸。在一些實施例中，一個或多個數位信號也可以共用一路線路媒體根據特定的協定規則以特定格式進行傳輸。關於數位信號的傳輸可以參見子帶電信號的傳輸。

信號處理器140可以從傳聲器100的其他組件接收的資料並進行處理。例如，信號處理器140可以處理從取樣器130傳輸的數位信號。在一些實施例中，信號處理器140可以單獨處理從取樣器130傳輸的每一個子帶電信號產生相應的數位信號。例如，對於不同的子帶電信號（例如，經過不同聲學結構、聲電轉換器等處理的子帶電信號）可能具有不同的相位、相應頻率等，信號處理器140可以對每個子帶電信號進行處理。在一些實施例中，信號處理器140可以從取樣器130獲取多個子帶電信號，並對多個子帶電信號進行處理（例如，融合處理），產生傳聲器100的寬頻信號。

在一些實施例中，信號處理器140還可以包括等化器、動態範圍控制器、相位處理器等中的一種或多種。在一些實施例中，等化器可以被配置為對取樣器130輸出的數位信號按照特定的頻段（例如，數位信號對應的頻段）進行增益及/或衰減。對數位信號進行增益是指增大信號放大量；對數位信號進行衰減是指降低信號放大量。在一些實施例中，動態範圍控制器可以被配置為對數位信號進行壓縮及/或放大。對子帶分頻電信號進行壓縮及/或放大是指減小及/或增大傳聲器100中輸入的信號和輸出的信號之間的比例。在一些實施例中，相位處理器可以被配置為對數位信號的相位進行調節。在一些實施例中，信號處理器140可以位於傳聲器100的內部。例如，信號處理器140可以位於傳聲器100的殼體結構獨立形成的聲學腔體中。在一些實施例中，信號處理器140也可以位於其他電子裝置中，例如，耳機、行動裝置、平板電腦、筆記型電腦等中的一種或其任意組合。在一些實施例中，行動裝置可以包括但不限於行動電話、智慧家居裝置、智慧行動裝置等或其任意組合。在一些實施例中，智慧家居裝置可以包括智慧電器的控制裝置、智慧監測裝置、智慧電視、智慧攝影機等或其任意組合。在一些實施例中，智慧行動裝置可以包括智慧電話、個人數位助理（PDA）、遊戲裝置、導航裝置、POS裝置等或其任意組合。

關於上述傳聲器100的描述僅是出於闡述的目的，並不旨在限制本說明書的範圍。對於本領域具有通常知識者來說，可以根據本說明書的描述，做出各種各樣的變化和修改。例如，取樣器130和信號處理器140可以整合在一個組件中，例如，特定應用積體電路（ASIC）中。這些變化和修改仍在本說明書的保護範圍內。

圖2A係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖2A所示，傳聲器200可以包括殼體210、至少一個聲電轉換器220和聲學結構230。

殼體210可以被配置為容納傳聲器200的一個或多個組件（例如，至少一個聲電轉換器220、聲學結構230的至少一部分等）。在一些實施例中，殼體210可以是長方體、圓柱體、棱柱、圓臺等規則結構體或其他不規則結構體。在一些實施例中，殼體210為內部中空的結構體，可以形成一個或多個聲學腔體，例如，聲學腔體231和聲學腔體240。聲學腔體240可以容納聲電轉換器220以及特定應用積體電路250。聲學腔體231可以容納或作為聲學結構230的至少一部分。在一些實施例中，殼體210可以僅包括一個聲學腔體。作為示例，圖2B係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。傳聲器205的殼體210可以形成聲學腔體240。傳聲器205的一個或多個組件，例如，聲電轉換器220、特定應用積體電路250以及聲學結構230的至少一部分（例如，聲學腔體231），可以位於聲學腔體231中。這種情況下，殼體210形成的聲學腔體240可以與聲學結構230的聲學腔體231重合。聲學結構230可以與聲電轉換器220直接進行聲學連通。聲學結構230和聲電轉換器220直接進行聲學連通可以理解為聲電轉換器220可以包括「前腔」和「後腔」，「前腔」或「後腔」中的聲音信號可以引起聲電轉換器220的一個或多個參數的變化。圖2A所示的傳聲器200中，聲音信號經過聲學結構230（例如，導聲管232和聲學腔體231），再通過聲電轉換器220的孔部221傳到聲電轉換器220的「後腔」，引起聲電轉換器220的一個或多個參數的變化。圖2B所示的傳聲器205中，殼體210形成的聲學腔體240與聲學結構230的聲學腔體231重合，可以認為聲電轉換器220的「前腔」與聲學結構的聲學腔體231重合，聲音信號經過聲學結構230後直接引起聲電轉換器220的一個或多個參數的變化。為描述方便，本說明書主要以聲學腔體231和聲學腔體240不重合（如圖2A所示），至少一個聲電轉換器220設置於聲學腔體240為例進行說明，聲學腔體231和聲學腔體240重合情況可以相同或類似。

在一些實施例中，殼體210的材質可以包括但不限於金屬、合金材料、高分子材料（例如，丙烯腈–丁二烯–苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯等）等中的一種或多種。

在一些實施例中，至少一個聲電轉換器220可以用於將聲音信號轉換為電信號。至少一個聲電轉換器220可以包括一個或多個孔部221。聲學結構230可以通過聲電轉換器220的一個或多個孔部221與至少一個聲電轉換器220連通，並將經過聲學結構230調節後的聲音信號傳遞至聲電轉換器220。例如，傳聲器200拾取的外部聲音信號經過聲學結構230調節（例如，濾波、分頻、放大等處理）後，可以經孔部221進入聲學轉換器220的腔體（如果有的話）。聲電轉換器220可以拾取該聲音信號並轉換為電信號。

在一些實施例中，聲學結構230可以包括聲學腔體231和導聲管232。聲學結構230可以通過導聲管232與傳聲器200的外部連通。在一些實施例中，殼體210可以包括多個側壁，用來形成殼體內的空間。導聲管232可以位於殼體210上用於形成聲學腔體231的第一側壁211上。具體地，導聲管232的第一端（例如，靠近聲學腔體231的一端）可以位於殼體210的第一側壁211上，導聲管232的第二端（例如，相對遠離聲學腔體231的一端）可以遠離第一側壁211並位於殼體210的外部。外部聲音信號可以從導聲管232的第二端進入導聲管232，並從導聲管232的第一端傳至聲學腔體231。在一些實施例中，聲學結構230的導聲管232還可以設置在其他合適的位置，關於導聲管的位置設置可以參見圖5到圖9及其相關描述。

在一些實施例中，聲學結構230可以具有第一諧振頻率，即聲音信號中第一諧振頻率的成分會在聲學結構230內產生共振。在一些實施例中，第一諧振頻率與聲學結構230的結構參數有關。聲學結構230的結構參數可以包括導聲管232的形狀、導聲管232的尺寸、聲學腔體231的尺寸以及導聲管232或聲學腔體231的聲阻、導聲管232的側壁的內表面的粗糙度、導聲管232中吸聲材料（例如，纖維材料、泡沫材料等）的厚度、聲學腔體231內壁的剛度等或其組合。在一些實施例中，通過設置聲學結構230的結構參數，可以使得經過聲學結構230調節後的聲音信號在轉化為電信號後在第一諧振頻率處具有諧振峰。

導聲管232的形狀可以包括長方體、圓柱體、多棱柱體等規則及/或不規則形狀。在一些實施例中，導聲管232可以由一個或多個側壁環繞形成。導聲管232之側壁233的形狀可以為長方體、圓柱體等規則及/或不規則結構體。在一些實施例中，如圖2所示，導聲管232之側壁233的長度（例如，圖2A中，側壁233沿X軸方向的長度與導聲管232的孔徑的和）可以與殼體210沿X軸方向的長度相同。在一些實施例中，導聲管232之側壁233的長度可以與殼體210的長度不同。例如，圖3係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖，如圖3所示，導聲管232的第一端位於殼體210的第一側壁211上，導聲管232的第二端遠離第一側壁211並位於殼體210的外部。導聲管232之孔側壁233沿X軸方向的長度小於殼體210沿X軸方向的長度。

導聲管232的孔徑、長度等結構參數，聲學腔體231的內徑、長度、厚度等結構參數可以根據需要（例如，目標諧振頻率、目標頻帶寬度等）進行設置。導聲管的長度指的是沿導聲管的中心軸方向（例如，圖2A中的Y軸方向）的導聲管232的總長度。在一些實施例中，導聲管232的長度可以是導聲管的等效長度，也就是，導聲管沿中心軸方向上的長度加上導聲管的直徑與長度修正係數的乘積。如圖2A中所示，聲學腔體231的長度指的是聲學腔體231沿X軸方向上的尺寸。聲學腔體231的厚度指的是聲學腔體231沿Y軸方向上的尺寸。在一些實施例中，導聲管232的孔徑可以不大於導聲管232的長度的2倍。在一些實施例中，導聲管232的孔徑可以不大於導聲管232的長度的1.5倍。例如，當導聲管232的截面（例如，垂直於導聲管的中心軸方向（例如，平行於XZ平面的截面）為圓形時，導聲管232的孔徑可以在0.5毫米至10毫米的範圍內，導聲管232的長度可以在1毫米至8毫米的範圍內。又例如，當導聲管232的截面為圓形時，導聲管232的孔徑可以在1毫米至4毫米，導聲管232的長度可以在1毫米至10毫米。在一些實施例中，聲學腔體231的內徑可以不小於聲學腔體231的厚度。在一些實施例中，聲學腔體231的內徑可以不小於聲學腔體231的厚度的0.8倍。例如，當聲學腔體231的垂直於其長度方向的截面（例如，聲學腔體231沿平行於YZ平面的截面）為圓形時，聲學腔體231的內徑可以在1毫米至20毫米範圍內，聲學腔體231的厚度可以在1毫米至20毫米範圍內。在一些實施例中，當聲學腔體231的截面為圓形時，聲學腔體231的內徑可以在1毫米至15毫米範圍內，聲學腔體231的厚度可以在1毫米至10毫米範圍內。

需要說明的是，聲學腔體231及/或導聲管232的截面形狀不限於上述的圓形，還可以是其他形狀，例如，長方形、橢圓形、五邊形等。在一些實施例中，當聲學腔體231及/或導聲管232的截面形狀為其他形狀（非圓形）時，聲學腔體231的內徑及/或導聲管232的孔徑（或厚度、長度）可以等效為等效內徑或等效孔徑。以等效內徑為例，具有其他截面形狀的聲學腔體231可以用與其容積相等的截面形狀為圓形的聲學腔體及/或導聲管的內徑表示。例如，當聲學腔體231的截面為方形時，聲學腔體231的等效內徑可以在1毫米至6毫米範圍內，聲學腔體231的厚度可以在1毫米至4毫米範圍內。又例如，當聲學腔體231的截面為方形時，聲學腔體231的等效內徑可以為1毫米至5毫米範圍內，聲學腔體231的厚度可以在1毫米至3毫米範圍內。

在一些實施例中，導聲管232的側壁233可以由一種或多個材料製成。側壁233的材料可以包括但不限於半導體材料、金屬材料、金屬合金、有機材料等中的一種或多種。在一些實施例中，半導體材料可以包括但不限於矽、二氧化矽、氮化矽、碳化矽等。在一些實施例中，金屬材料可以包括但不限於銅、鋁、鉻、鈦、金等。在一些實施例中，金屬合金可以包括但不限於銅鋁合金、銅金合金、鈦合金、鋁合金等。在一些實施例中，有機材料可以包括但不限於聚醯亞胺（Polyimide，PI）、派瑞林（Parylene）、聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）、矽凝膠、矽膠等。

關於上述傳聲器200的描述僅是出於闡述的目的，並不旨在限制本說明書的範圍。對於本領域具有通常知識者來說，可以根據本說明書的描述，做出各種各樣的變化和修改。這些變化和修改仍在本說明書的保護範圍內。

圖4係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線的示意圖。如圖4所示，頻率回應曲線410為聲電轉換器（例如，聲電轉換器220）的頻率回應曲線，頻率回應曲線420為聲學結構（例如，聲學結構230）的頻率回應曲線。當頻率回應曲線410在頻率

處具有諧振峰，則頻率

可以稱為聲電轉換器的諧振頻率（也可以稱為第二諧振頻率）。在一些實施例中，聲電轉換器的諧振頻率與聲電轉換器的結構參數有關。聲電轉換器的結構參數可以包括聲電轉換器（例如，聲電轉換器220）的尺寸、質量、類型、排列方式等。

在頻率回應曲線420的頻率

處，聲學結構與接收到的聲音信號發生共振，使得聲音信號包含頻率

的頻段信號放大，發生共振的頻率

可以稱為聲學結構的諧振頻率（也可以稱為第一諧振頻率）。聲學結構的諧振頻率可以表示為公式（1）：

（1） 其中，

表示聲學結構的諧振頻率，

表示空氣中的聲速，

表示導聲管的橫截面積，

表示導聲管的長度，

表示聲學腔體的體積。

根據公式（1）可知，聲學結構的諧振頻率與聲學結構中導聲管的橫截面積、導聲管的長度以及聲學腔體的體積有關，具體地，聲學結構的諧振頻率與導聲管的橫截面積成正相關，與導聲管的長度及/或聲學腔體的體積成負相關。可以通過設置聲學結構的結構參數，例如，導聲管的形狀、導聲管的尺寸、聲學腔體的體積等或其組合，調整聲學結構的諧振頻率。例如，在導聲管的長度和聲學腔體的體積不變的情況下，可以通過減小導聲管的孔徑，以減小導聲管的橫截面積，從而降低聲學結構的諧振頻率。又例如，在導聲管的橫截面積和導聲管的長度不變的情況下，可以通過減小聲學腔體的體積，提高聲學結構的諧振頻率。再例如，在導聲管的橫截面積和長度不變的情況下，可以通過增大聲學腔體的體積，降低聲學結構的諧振頻率。

在一些實施例中，為了提高傳聲器在較低頻率範圍內對聲音信號的回應，可以設置聲學結構的結構參數，使得第一諧振頻率

小於第二諧振頻率

。在一些實施例中，為了使得傳聲器的頻率回應在更大的頻率範圍內保持平坦，可以設置聲學結構的結構參數，使得第一諧振頻率

與第二諧振頻率

的差值不小於頻率臨界值。頻率臨界值可以根據實際需要確定，例如，頻率臨界值可以設置為5Hz、10Hz、100Hz、1000Hz等。在一些實施例中，第一諧振頻率

可以大於或者等於第二諧振頻率

，從而可以在不同的頻率範圍提高傳聲器的頻率回應的靈敏度。

在一些實施例中，聲音信號經過聲學結構的調節後，包含第一諧振頻率

的一定頻帶範圍內的聲音信號得到放大，使得傳聲器整體在第一頻率

處的響應的靈敏度大於聲電轉換器在第一頻率處響應的靈敏度，從而可以提高傳聲器在第一諧振頻率附近的靈敏度和Q值（例如，傳聲器的靈敏度在頻率

處的提升可以用圖4中△

表示）。在一些實施例中，通過在傳聲器中設置聲學結構，相比於聲電轉換器的靈敏度，可以使得傳聲器在不同頻率範圍內的靈敏度提高5 dBV至40 dBV。在一些實施例中，通過在傳聲器中設置聲學結構，可以使得傳聲器在不同頻帶範圍內的靈敏度提高10 dBV至20 dBV。在一些實施例中，傳聲器在不同的頻率範圍內的靈敏度的增加量可以不同。例如，頻率越高，傳聲器在對應頻帶範圍的靈敏度的增加量越大。在一些實施例中，傳聲器的靈敏度的增加量可以用頻率範圍內靈敏度的斜率變化來表示。在一些實施例中，傳聲器在不同頻率範圍內的靈敏度的斜率變化範圍可以位於0.0005 dBV/Hz至0.005 dBV/Hz。在一些實施例中，傳聲器在不同頻率範圍內的靈敏度的斜率變化範圍可以位於0.001 dBV/Hz至0.003 dBV/Hz。在一些實施例中，傳聲器在不同頻率範圍內的靈敏度的斜率變化範圍可以位於0.002 dBV/Hz至0.004 dBV/Hz。

在一些實施例中，聲學結構在第一諧振頻率處的頻率回應曲線的頻寬可以用公式（2）表示：

（2） 其中，

表示聲學結構頻率回應的頻寬，

表示聲學結構的諧振頻率，

表示導聲管的總聲阻（包括導聲管的聲阻和輻射聲阻），

表示導聲管的總聲質量（包括導聲管聲質量和輻射聲質量），

表示聲學結構的諧振角速度，

表示聲學結構的諧振頻率。

根據公式（2）可知，在聲學結構的諧振頻率確定的情況下，可以通過調整導聲管的聲阻，以調整聲學結構的頻寬。在一些實施例中，可以在傳聲器中設置聲阻結構，通過調整聲阻結構的孔徑、厚度、開孔率等以調整聲阻結構的聲阻值，進而調整聲學結構的頻寬。關於聲阻結構的細節可以參考圖10至圖16及其相關描述。

在一些實施例中，可以通過調整導聲管的側壁的內表面粗糙度來調整導聲管的聲阻，從而調節聲學結構的頻率回應曲線的頻帶寬度。在一些實施例中，導聲管的側壁的內表面粗糙度可以小於或等於0.8。在一些實施例中，導聲管的側壁的內表面粗糙度可以小於或等於0.4。以傳聲器的頻率響應曲線的3 dB頻帶寬度為例，通過調整聲學結構的結構參數，傳聲器的頻率響應曲線的3 dB頻帶寬度可以為100Hz至1500Hz。在一些實施例中，通過調整不同聲學結構對應的導聲管的側壁的內表面粗糙度，可以使得傳聲器在不同諧振頻率處的3 dB頻帶寬度的增加量不同。例如，通過調整不同聲學結構對應的導聲管的側壁的內表面粗糙度，使得聲學結構的諧振頻率越高，傳聲器在其對應的諧振頻率處的3 dB頻帶寬度的增加量越大。在一些實施例中，傳聲器在不同諧振頻率處的3 dB頻帶寬度的增加量可以用頻帶寬度的斜率變化來表示。在一些實施例中，傳聲器在頻率範圍內的3 dB頻帶寬度的斜率變化範圍可以位於0.01Hz/Hz至0.1Hz/Hz。在一些實施例中，傳聲器在頻率範圍內的3 dB頻帶寬度的斜率變化範圍可以位於0.05Hz/Hz至0.1Hz/Hz。在一些實施例中，傳聲器在頻率範圍內的3 dB頻帶寬度的斜率變化範圍可以位於0.02Hz/Hz至0.06Hz/Hz。

在一些實施例中，聲學結構對聲音信號的聲壓的放大倍數（也可以稱為增益）可以表示為公式（3）：

（3） 其中，

為聲壓放大倍數，

為導聲管的長度，

為導聲管的橫截面積，

為聲學腔體的體積。

根據公式（3）可知，聲學結構對聲音信號的聲壓放大倍數與導聲管的長度、導聲管的橫截面積以及聲學腔體的體積有關。具體地，聲學結構對聲音信號的聲壓放大倍數與導聲管的長度和聲學腔體的體積成正相關，與導聲管的橫截面積成負相關。

根據公式（1），公式（3）還可以變形為公式（4）：

（4） 其中，

表示聲壓放大倍數，

表示空氣中的聲速，

表示導聲管的長度，

聲學結構的諧振頻率，

表示聲學腔體的半徑。

由公式（4）可知，在其他條件（例如，導聲管的長度、聲學腔體的半徑等）一定的情況下，聲學結構對聲音信號的聲壓放大倍數

與聲學結構的諧振頻率

相關，具體地，聲壓放大倍數

與聲學結構的諧振頻率

成負相關，諧振頻率

越小，聲壓放大倍數

越大，反之亦然。也就是說，聲學結構在相對較低的諧振頻率（例如，中低頻段的諧振頻率）對聲音信號具有相對更大的放大倍數。可以通過設置聲學結構的參數改變傳聲器的諧振頻率、頻帶寬度、對聲音信號中特定頻率成分的放大倍數、靈敏度增量、Q值等。聲學結構的參數可以包括導聲管的形狀、導聲管的尺寸、聲學腔體的尺寸、導聲管或聲學腔體的聲阻、導聲管的側壁的內表面的粗糙度、導聲管內吸聲材料的厚度等等或其組合。

圖5係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖5所示，傳聲器500可以包括殼體510、至少一個聲電轉換器520和聲學結構530。圖5所示的傳聲器500的一個或多個組件可以與傳聲器200中的一個或多個組件相同或相似。例如，傳聲器500中的殼體510、聲電轉換器520、聲電轉換器520的孔部521、聲學腔體540、特定應用積體電路550等，可以與圖3所示的傳聲器200中的殼體210、聲電轉換器220、聲電轉換器220的孔部221、聲學腔體240、特定應用積體電路250等相同或相似。與傳聲器200的聲學結構230不同的是，傳聲器500的聲學結構530中的導聲管532的形狀及/或位置。

如圖5所示，聲學結構530可以包括聲學腔體531和導聲管532。聲學腔體531可以通過聲電轉換器520的孔部521與聲電轉換器520進行聲學連通。聲學腔體531可以通過導聲管532與傳聲器500的外部進行聲學連通。導聲管532的第一端位於在殼體510的第一側壁511上，導聲管532的第二端位於聲學腔體531中，導聲管532的側壁533從第一側壁511向聲學腔體531內部延伸。外部聲音信號從導聲管532的第一端進入導聲管532的內部，並從導聲管532的第二端遞送至聲學腔體531。通過設置導聲管532的第二端延伸至聲學腔體531內，可以在不額外增加傳聲器500尺寸的情況下增加導聲管532的長度以及聲學腔體531的體積。根據公式（1）可知，增加導聲管532的長度以及聲學腔體531的體積可以降低聲學結構530的諧振頻率，使得傳聲器500的頻率回應曲線在相對較低的諧振頻率就有諧振峰。

在一些實施例，可以通過設置導聲管532的長度、形狀等進一步調整聲學結構530的諧振頻率。僅作為示例，圖6係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖6所示，導聲管532為直線彎曲結構，導聲管532的第一端位於殼體510的第一側壁511上，導聲管532的第二端位於聲學腔體531中，導聲管532的側壁533從第一側壁511延伸至聲學腔體531內。通過將導聲管532設置為彎曲形狀，可以在保持聲學腔體531的尺寸不顯著減小的情況下增加導聲管532的長度，從而可以降低聲學結構530的諧振頻率，提高傳聲器500在較低頻率範圍的回應的靈敏度以及Q值。在一些實施例中，導聲管532的結構不限於上述的直線式結構（例如，圖5所示）、直線彎曲式結構（例如，圖6所示），還可以是其他類型的結構，例如，為減小聲阻，可設計弧形彎曲結構等。在一些實施例中，為了調節聲阻，可調節導聲管中兩段管之間的夾角。例如，兩管中線的夾角範圍可以為60°至150°，又例如，兩管中線的夾角範圍可以為60°至90°。又例如，兩管中線的夾角範圍可以為90°至120°。兩管中線的夾角範圍可以為120°至150°。

在一些實施例中，導聲管532的第一端可以遠離第一側壁511並位於殼體510的外部，導聲管532的第二端可以位於聲學腔體531內，導聲管532的側壁533可以自殼體510的側壁511延伸至聲學腔體531內。僅作為示例，圖7係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖7所示，傳聲器500的導聲管532貫穿殼體510的第一側壁511，導聲管532的第一端遠離第一側壁511向殼體510的外部延伸並位於殼體510的外部，導聲管532的第二端遠離第一側壁511向聲學腔體531內部延伸，導聲管532的第二端位於聲學腔體531內。外部聲音信號可以從導聲管532的第一端進入導聲管532，並從導聲管532的第二端遞送至聲學腔體531。

圖8係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖8所示，傳聲器800可以包括殼體810、至少一個聲電轉換器820和聲學結構830。圖8所示的傳聲器800中的一個或多個組件可以與圖5所示的傳聲器500中的一個或多個組件相同或相似。例如，傳聲器800中的殼體810、聲電轉換器820、聲電轉換器820的孔部821、聲學腔體840、特定應用積體電路850等，可以與傳聲器500中的殼體510、聲電轉換器520、聲電轉換器520的孔部521、聲學腔體540、特定應用積體電路550等相同或相似。傳聲器800與傳聲器500的區別之處在於聲學結構830的導聲管832的位置及/或形狀。

如圖8所示，聲學結構830可以包括聲學腔體831和導聲管832。導聲管832可以包括用以形成導聲管832的一個或多個側壁，例如，側壁833和側壁834。在一些實施例中，側壁833和側壁834可以為一個整體或為導聲管832的同一側壁的不同部分。例如，側壁833和側壁834可以一體成型。在一些實施例中，側壁833和側壁834可以為相互獨立的結構。在一些實施例中，導聲管832的一個或多個側壁可以與導聲管832的中心軸835形成一定的傾斜角。以側壁834為例進行說明，導聲管832的側壁834與導聲管832的中心軸835形成傾斜角α。在一些實施例中，如圖8所示，假設導聲管832的中心軸指向聲學腔體831的方向為正方向，當導聲管832的孔徑沿著中心軸835的正方向向內收縮時，也就是導聲管832的側壁833及/或側壁834沿導聲管832的中心軸835的正方向向中心軸835方向靠攏時，傾斜角α的角度可以是0°到90°之間的任意數值。例如，傾斜角α的角度可以是0°到30°之間的任意數值。又例如，傾斜角α的角度可以是30°到45°之間的任意數值。又例如，傾斜角α的角度可以是45°到60°之間的任意數值。又例如，傾斜角α的角度可以是60°到90°之間的任意數值。

在一些實施例中，如圖9所示，當導聲管832的孔徑沿著中心軸835的正方向向外擴張時，也就是導聲管832的側壁833及/或側壁834沿導聲管832的中心軸835的正方向向遠離中心軸835方向延伸時，導聲管832的側壁（例如，導聲管的側壁833及/或側壁834）與導聲管的中心軸835形成的傾斜角β的角度可以是0°到90°之間的任意數值。例如，傾斜角β的角度可以是0°到10°之間的任意數值。又例如，傾斜角β的角度可以是10°到20°之間的任意數值。又例如，傾斜角β的角度可以是0°到30°之間的任意數值。又例如，傾斜角β的角度可以是30°到45°之間的任意數值。又例如，傾斜角β的角度可以是45°到60°之間的任意數值。又例如，傾斜角β的角度可以是60°到90°之間的任意數值。

通過將導聲管832的側壁與導聲管832的中心軸設置一定的傾角，可在導聲管832長度和導聲管832的第一端（例如，位於殼體810的第一側壁811上、或遠離第一側壁811且位於傳聲器800外部的一端）的外徑不變情況下，調整傳聲器800的諧振頻率的位置。例如，當導聲管832的孔徑沿著中心軸835的正方向向內收縮時，可以在不改變導聲管832的長度和導聲管832的第一端的孔徑的情況下，減小導聲管832的第二端（例如，延伸至聲學腔體831內的一端）的截面的尺寸，從而降低聲學結構830的諧振頻率。又例如，當導聲管832的孔徑沿著中心軸835的正方向向外擴張時，可以在不改變導聲管832的長度和導聲管832的第一端的孔徑的情況下，增加導聲管832的第二端的截面的尺寸，從而提高聲學結構830的諧振頻率。

在一些實施例中，當聲學腔體831的截面（例如，平行於XZ平面的截面）為圓形時，導聲管832的第一端的孔徑可以不大於導聲管832長度的1.5倍。在一些實施例中，導聲管832的第一端的孔徑可以位於0.1毫米至3毫米的範圍內，導聲管832的長度可以位於1毫米至4毫米的範圍內。在一些實施例中，導聲管832的第一端的孔徑可以在0.1毫米至2毫米的範圍內，導聲管832的長度可以位於1毫米至3毫米的範圍內。

圖10係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖10所示，傳聲器1000可以包括殼體1010、至少一個聲電轉換器1020和聲學結構1030。聲學結構1030可以包括導聲管1032和聲學腔體1031。圖10所示的傳聲器1000中的一個或多個組件可以與圖2A所示的傳聲器200中的一個或多個組件相同或相似。例如，傳聲器1000中的殼體1010、聲電轉換器1020、聲電轉換器1020的孔部1021、聲學結構1030、聲學腔體1040、特定應用積體電路1050等，可以與圖3所示的傳聲器200中的殼體210、聲電轉換器220、聲電轉換器220的孔部221、聲學結構230、聲學腔體240等相同或相似。

在一些實施例中，傳聲器1000與傳聲器200的區別之處在於，傳聲器1000還可以包括聲阻結構1060。根據公式（2）可知，聲阻結構1060可以用來調整聲學結構1030的頻帶寬度。在一些實施例中，聲阻結構1060可以包括膜狀聲阻結構、網狀聲阻結構、板狀聲阻結構等或其組合。在一些實施例中，聲阻結構1060可以包括單層阻尼結構、多層阻尼結構等或其他阻尼結構。多層阻尼結構可以包括單個多層阻尼結構也可以包括多個單層阻尼結構組成的阻尼結構。

在一些實施例中，聲阻結構1060可以設置在形成導聲管1032之側壁1033的遠離殼體1010之第一側壁1011的外表面、導聲管1032的內部、第一側壁1011的內表面、聲學腔體1031中、用於形成聲電轉換器1020的孔部1021的第二側壁1051的內表面、第二側壁1051的外表面、聲電轉換器1020的孔部1021的內部等或其組合。

如圖10所示，聲阻結構1060可以以單層阻尼結構的形式，設置於形成導聲管1032之側壁1033的遠離第一側壁1011的外表面。聲阻結構1060的材質、尺寸、厚度等可以根據實際需要設置。例如，聲阻結構1060沿X軸方向的長度可以等於導聲管1032和其側壁1033的長度和。又例如，聲阻結構1060沿X軸方向的長度可以等於或大於導聲管1032的孔徑。又例如，聲阻結構1060沿Z軸方向的寬度可以等於或大於導聲管1032的側壁1033的寬度。

如圖11所示，聲阻結構1060可以以單層阻尼結構的形式，設置於第一側壁1011的內表面。在一些實施例中，聲阻結構1060可以與殼體1010的一個或多個側壁（例如，殼體1010的側壁1011、側壁1012、側壁1013等）連接。聲阻結構1060的材質、尺寸、厚度等可以根據實際需要設置。例如，聲阻結構1060沿X軸方向的長度可以小於或等於殼體1010的側壁1011沿X軸方向的長度。又例如，聲阻結構1060沿Z軸方向的寬度可以小於或等於小於或等於殼體1010的側壁1011沿Z軸方向的寬度。又例如，聲阻結構1060的尺寸可以大於、等於或小於導聲管1032的孔徑。

如圖12所示，聲阻結構1060可以以單層阻尼結構的形式，設置於聲學腔體1031中，其可以與或不與形成導聲管1032的側壁接觸。例如，聲阻結構1060的兩端可以分別與殼體1010的側壁1012及/或側壁1013連接。如圖13所示，聲阻結構1060可以以單層阻尼結構的形式，設置於用於形成聲電轉換器1020的孔部1021的第二側壁1051的外表面，其可以與第二側壁1051物理連接或不連接。例如，聲阻結構1060的兩端可以分別與殼體1010的側壁1012和側壁1013連接。又例如，聲阻結構1060可以與第二側壁1051物理連接。在一些實施例中，聲阻結構1060的尺寸可以與第二側壁1051的尺寸相同或不同。例如，聲阻結構1060沿X軸方向的長度可以大於、等於或小於第二側壁1051沿X軸的長度和孔部1021的孔徑和。在一些實施例中，聲阻結構1060的尺寸可以大於聲電轉換器1020的孔部1021的尺寸。

如圖14所示，聲阻結構1060可以以單層阻尼結構的形式，設置於導聲管1032的內部，其可以與導聲孔的側壁1033全部或部分連接。在一些實施例中，聲阻結構1060的材質、尺寸、厚度等可以根據實際需要設置。例如，聲阻結構1060沿Y軸方向的厚度可以大於、等於或者小於導聲管1032沿Y軸方向的長度。又例如，聲阻結構1060沿X軸方向的長度可以大於、等於或者小於導聲管1032的孔徑。

圖15係根據本揭示內容的一些實施例所示的傳聲器的結構示意圖，如圖15所示，聲阻結構1060可以包括雙層阻尼結構，雙層阻尼結構可以包括第一聲阻結構1061和第二聲阻結構1062。第一聲阻結構1061可以設置於形成導聲管1032的側壁1033中遠離殼體1010的第一側壁1011的外表面，其可以與第一側壁1011的外表面物理連接或不連接。第二聲阻結構1062可以設置於第一側壁1011的內表面，其可以與第一側壁1011的內表面物理連接或不連接。在一些實施例中，第一聲阻結構1061和第二聲阻結構1062的位置、尺寸、材質等可以根據實際需要設置，其可以相同或不同。例如，第一聲阻結構1061及/或第二聲阻結構1062可以設置於聲學腔體1031中（例如，與第二側壁1051、第一側壁1011、側壁1012、側壁1013等物理連接）。又例如，第一聲阻結構1061及/或第二聲阻結構1062可以設置於聲電轉換器1020的孔部1021中。又例如，第一聲阻結構1061及/或第二聲阻結構1062可以設置於導聲管1032中。再例如，第一聲阻結構1061及/或第二聲阻結構1062可以設置於導聲管1032的側壁1033的外表面。

在一些實施例中，可以通過調整聲阻結構1060的參數來改變聲阻結構1060的聲阻值。在一些實施例中，聲阻結構1060的參數可以包括但不限於聲阻結構1060的厚度、孔徑、開孔率等。在一些實施例中，聲阻結構1060的厚度可以為20微米至300微米。在一些實施例中，聲阻結構1060的厚度可以為10微米至400微米。在一些實施例中，聲阻結構1060的孔徑可以為20微米至300微米。在一些實施例中，聲阻結構1060的孔徑可以為30微米至300微米。在一些實施例中，聲阻結構1060的孔徑可以為10微米至400微米。在一些實施例中，聲阻結構1060的開孔率可以為10%至50%。在一些實施例中，聲阻結構1060的開孔率可以為30%至50%。在一些實施例中，聲阻結構1060的開孔率可以為20%至40%。在一些實施例中，聲阻結構1060的開孔率可以為25%至45%。在一些實施例中，聲阻結構1060的聲阻值範圍為1MKS Rayls到100MKS Rayls。在一些實施例中，通過調整聲阻結構1060的參數（例如，孔徑、厚度、開孔率等），可以使得聲阻結構1060的聲阻值為10 MKS Rayls至90 MKS Rayls、20 MKS Rayls至80 MKS Rayls、30 MKS Rayls至70 MKS Rayls、40 MKS Rayls至60 MKS Rayls、50 MKS Rayls。

在一些實施例中，通過在傳聲器中設置聲阻結構，可以增加傳聲器的聲學結構的聲阻，進而調整傳聲器的頻率回應的頻寬（3dB）及/或Q值。在一些實施例中，具有不同聲阻值的聲阻結構對傳聲器的頻率回應的Q值的影響程度可以不同。圖16係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線。如圖16所示，橫軸表示頻率，單位為Hz，縱軸表示傳聲器的頻率回應，單位為dB。曲線1610表示未設置聲阻結構的傳聲器的頻率回應，曲線1615表示設置有聲阻值為3MKS Rayls的聲阻結構的傳聲器的頻率回應，曲線1620表示設置有聲阻值為20MKS Rayls的聲阻結構的傳聲器的頻率回應，曲線1630表示設置有聲阻值為65 MKS Rayls的聲阻結構的傳聲器的頻率回應，曲線1640表示設置有聲阻值為160 MKS Rayls的聲阻結構的傳聲器的頻率回應，曲線1650表示設置有聲阻值為4000 MKS Rayls的聲阻結構的傳聲器的頻率回應。由圖16可知，隨著聲阻結構的聲阻值的增加，傳聲器的頻率回應曲線的頻寬增加，傳聲器的頻率回應降低。因此，可以通過設置傳聲器的聲阻結構的聲阻值，調整傳聲器的Q值。在一些實施例中，隨著聲阻結構聲阻值的增加，傳聲器的Q值會降低，因此，可以根據實際需要，選擇聲阻結構的聲阻值，得到傳聲器的目標Q值和目標頻帶寬度。例如，聲阻結構的聲阻值可以設置為不大於20 MKS Rayls，對應的目標頻帶寬度（3dB）為不小於300Hz。又例如，聲阻結構的聲阻值可以為不大於100 MKS Rayls，對應的目標頻帶寬度（3dB）為不小於1000Hz。

圖17係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖17所示，傳聲器1700可以包括殼體1710、至少一個聲電轉換器1720、聲學結構1730（也可以稱為第一聲學結構）、聲學腔體1740以及聲學結構1770（也可以稱為第二聲學結構）。聲學結構1730可以包括導聲管1732（也可以稱為第一導聲管）和聲學腔體1731（也可以稱為第一聲學腔體）。聲學結構1770可以包括第二聲學腔體1771和第二導聲管1772。傳聲器1700中的一個或多個組件可以與圖3所示的傳聲器300中的一個或多個對應的組件相同或相似。例如，殼體1710、至少一個聲電轉換器1720、聲學結構1730、聲學腔體1740、特定應用積體電路1750等，與圖3所示的傳聲器200中的殼體210、至少一個聲電轉換器220、聲學結構230、聲學腔體240、特定應用積體電路250等相同或相似。傳聲器1700與傳聲器200的區別之處在於，傳聲器1700還可以包括第二聲學結構1770。在一些實施例中，第二聲學結構1770可以與聲學結構1730串聯設置。第二聲學結構1770和聲學結構1730串聯設置，指的是第二聲學結構1770的第二聲學腔體1771可以通過聲學結構1730的導聲管1732與聲學結構1730的聲學腔體1731進行聲學連通。在一些實施例中，第二聲學結構1770的第二聲學腔體1771通過第二導聲管1772與傳聲器1700的外部進行聲學連通。在一些實施例中，聲電轉換器1720可以包括孔部1721，聲學腔體1731可以通過孔部1721與聲電轉換器720進行聲學連通。在一些實施例中，導聲管1732可以設置在構成聲學腔體1731的腔體壁1711上，第二導聲管1772可以設置在構成第二聲學腔體1771的腔體壁1712上。

在一些實施例中，傳聲器1700拾取的外部聲音信號可以先經過第二聲學結構1770調節（例如，濾波），再通過導聲管1732遞送至聲學結構1730，聲學結構1730對該聲音信號再次進行調節，經過二次調節的聲音信號進一步地經孔部1721進入傳聲器1700的聲學腔體1740，由此產生電信號。

聲學結構1730的結構參數可以包括導聲管1732的形狀、導聲管1732的尺寸、聲學腔體1731的尺寸、導聲管1732或聲學腔體1731的聲阻、形成導聲管1732的側壁的內表面的粗糙度等或其組合。第二聲學結構1770的結構參數可以包括第二導聲管1772的形狀、第二導聲管1772的尺寸、第二聲學腔體1771的尺寸、第二導聲管1772或第二聲學腔體1771的聲阻、形成第二導聲管1772的側壁的內表面的粗糙度等或其組合。在一些實施例中，第二聲學結構1770的結構參數與聲學結構1730的結構參數相同或不同。例如，聲學結構1770的形狀可以為圓柱體，聲學結構1730的形狀可以為圓柱體。又例如，聲學結構1770的聲阻值可以小於聲學結構1730的聲阻值。關於聲學結構1730及/或聲學結構1770的結構參數的設置可以參見圖2A、圖3以及圖5至15以及相關描述。

在一些實施例中，聲電轉換器1720可以具有第二諧振頻率，聲音信號在第二諧振頻率處的頻率成分會產生共振，使得聲電轉換器1720可以放大聲音信號中第二諧振頻率附近的頻率成分。第二聲學結構1770可以具有諧振頻率（也可以稱為第三諧振頻率）。聲音信號在第三諧振頻率處的頻率成分會產生共振，使得第二聲學結構1770可以放大聲音信號中第三諧振頻率附近的頻率成分。聲學結構1730可以具有第一諧振頻率，經過第二聲學結構1770放大後的聲音信號在第一諧振頻率處的頻率成分會產生共振，使得聲學結構1730可以繼續放大聲音信號中第一諧振頻率附近的頻率成分。考慮到特定聲學結構只對特定頻率範圍的聲音成分有較好的放大效果，為方便理解，可以將經過一個聲學結構放大後的聲音信號看作該聲學結構對應諧振頻率處的子帶聲信號。例如，上述經由第二聲學結構1770放大後的聲音可以被看作是在第三諧振頻率處的子帶聲信號，經由聲學結構1730繼續放大的聲音信號會產生在第一諧振頻率處的另一子帶聲信號。經過放大後的聲音信號遞送到聲電轉換器1720，由此產生相應的電信號。通過這種方式，聲學結構1730和第二聲學結構1770可以分別在包括第一諧振頻率以及第三諧振頻率的頻段，提高傳聲器1700的Q值，從而提高傳聲器1700的靈敏度，使得傳聲器1700在第一諧振頻率處回應的靈敏度大於聲電轉換器1720在第一諧振頻率處回應的靈敏度，及/或使得傳聲器1700在第三諧振頻率處回應的靈敏度大於聲電轉換器1720在第三諧振頻率處回應的靈敏度。在一些實施例中，不同的諧振頻率處，傳聲器1700靈敏度的增加量（相對於聲學轉換器）可以相同或不同。例如，當第三諧振頻率大於第一諧振頻率時，傳聲器1700在第三諧振頻率處回應的靈敏度大於傳聲器1700在第一諧振頻率處回應的靈敏度。在一些實施例中，可以通過調節第二聲學結構1770及/或聲學結構1730的結構參數，調節聲學結構1770及/或聲學結構1730的頻率回應曲線（例如，諧振頻率、頻率回應頻寬（3dB）、Q值等）。例如，可以在第二聲學結構1770（例如，第二導聲管1772、第二聲學腔體1771等）或聲學結構1730（例如，導聲管1732、聲學腔體1711等）中設置聲阻結構，來調整第二聲學結構1770或聲學結構1730的頻率回應頻寬（3dB）。又例如，可以通過調整導聲管1732的孔徑、導聲管1732的長度、聲學腔體1731的體積等，調節聲學結構1730的諧振頻率或聲音信號放大倍數。同理，也可以通過調整第二導聲管1772的孔徑、第二導聲管1772的長度、第二聲學腔體1771的體積等，調節聲學結構1730的諧振頻率或聲音信號的放大倍數。例如，導聲管1732及/或第二導聲管1772的孔徑可以不大於其長度的2倍。又例如，導聲管1732及/或第二導聲管1772的側壁的內表面的粗糙度不大於0.8。再例如，聲學腔體1731及/或第二聲學腔體1771的內徑可以不小於其厚度。關於通過調整聲學結構的結構參數來調整聲學結構的頻率回應曲線的細節可以參考圖2A、圖3以及圖5至15及其相關描述。

在一些實施例中，聲學結構1730對應的第一諧振頻率以及第二聲學結構1770對應的第三諧振頻率可以根據實際情況進行設置。例如，第一諧振頻率和第三諧振頻率可以小於第二諧振頻率，從而可以提高傳聲器1700在中低頻段的靈敏度。又例如，第一諧振頻率和第三諧振頻率差值的絕對值可以小於頻率臨界值（例如，100Hz、200Hz、1000Hz等），從而可以在一定的頻率範圍內提高傳聲器1700的靈敏度和Q值。又例如，第一諧振頻率可以大於第二諧振頻率（例如，第一諧振頻率與第一諧振頻率的差值大於100Hz），第三諧振頻率可以小於第二諧振頻率（例如，第三諧振頻率與第二諧振頻率差值的絕對值可以不小於100Hz），從而可以使得傳聲器1700的頻率回應曲線更加平坦，提高傳聲器1700在較寬頻段的靈敏度。

關於上述傳聲器1700的描述僅是出於闡述的目的，並不旨在限制本說明書的範圍。對於本領域具有通常知識者來說，可以根據本說明書的描述，做出各種各樣的變化和修改。在一些實施例中，傳聲器1700可以包括多個聲學結構（例如，3個、5個、11個、14個、64個等）。在一些實施例中，傳聲器中的聲學結構的連接方式可以是串聯、並聯或其組合。在一些實施例中，第一諧振頻率、第二諧振頻率、第三諧振頻率的大小可以根據實際需要進行調整。例如，第一諧振頻率及/或第三諧振頻率可以小於、等於或大於第二諧振頻率。又例如，第一諧振頻率可以小於、等於或大於第三諧振頻率。這些變化和修改仍在本說明書的保護範圍內。

圖18係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖18所示，傳聲器1800可以包括殼體1810、至少一個聲電轉換器1820、聲學結構1830、第二聲學結構1870和第三聲學結構1880。傳聲器1800中的一個或多個組件可以與圖17所示的傳聲器1700中的一個或多個組件相同或相似。例如，殼體1810、至少一個聲電轉換器1820、聲學結構1830、聲學腔體1840、特定應用積體電路1850等，與圖17所示的傳聲器1700中的殼體1710、至少一個聲電轉換器1720、聲學結構1730、聲學腔體1740、特定應用積體電路1750等相同或相似。傳聲器1800與傳聲器1700的區別之處在於，傳聲器1800中包括的聲學結構的數量以及連接方式等可以與傳聲器1700不同。

在一些實施例中，殼體1810可以用於容納傳聲器1800中的一個或多個組件（例如，聲電轉換器1820，聲學結構1830、第二聲學結構1870及/或第三聲學結構1880的至少一部分）。在一些實施例中，殼體1810可以為內部中空的結構體，可以形成一個或多個聲學腔體，例如，聲學腔體1840、聲學結構1830、第二聲學結構1870、第三聲學結構1880等。在一些實施例中，聲電轉換器1820可以設置於聲學腔體1840中。在一些實施例中，聲電轉換器1820可以包括孔部1821。第三聲學結構1880可以通過孔部1821與聲電轉換器1820進行聲學連通。在一些實施例中，聲學結構1830可以包括導聲管1831和聲學腔體1832，第二聲學結構1870可以包括第二導聲管1871和第二聲學腔體1872，第三聲學結構1880可以包括第三導聲管1881、第四導聲管1882和第三聲學腔體1883。聲學腔體1832可以通過第三導聲管1881與第三聲學腔體1883進行聲學連通。聲學腔體1832可以通過導聲管1831與聲學傳聲器1800的外部進行聲學連通。第二聲學腔體1872可以通過第四導聲管1882與第三聲學腔體1883進行聲學連通。第二聲學腔體1872可以通過第二導聲管1871與聲學傳聲器1800的外部進行聲學連通。第三聲學腔體1883可以通過聲電轉換器1820的孔部1821與聲電轉換器1820進行聲學連通。

在一些實施例中，聲學結構1830具有第一諧振頻率，聲電轉換器1820具有第二諧振頻率，第二聲學結構1870具有第三諧振頻率，第三聲學結構1880具有第四諧振頻率。在一些實施例中，第一諧振頻率、第三諧振頻率及/或第四諧振頻率可以與第二諧振頻率相同或不同。在一些實施例中，第一諧振頻率、第三諧振頻率及/或第四諧振頻率可以相同或不同。例如，第一諧振頻率可以大於10000Hz，第二諧振頻率可以在500至700Hz的範圍內，第三諧振頻率可以在700Hz至1000Hz的範圍內，第四諧振頻率可以在1000Hz至1300Hz的範圍內，從而可以提高傳聲器1800在較寬的頻帶範圍內的靈敏度。又例如，第一諧振頻率、第三諧振頻率和第四諧振頻率可以小於第二諧振頻率，從而可以提高傳聲器1800在中低頻段內的頻率回應和靈敏度。又例如，第一諧振頻率、第三諧振頻率以及第四諧振頻率中的部分諧振頻率可以小於第二諧振頻率，另一部分諧振頻率可以大於第二諧振頻率，從而可以提高傳聲器1800在較寬的頻帶範圍內的靈敏度。再例如，第一諧振頻率、第三諧振頻率以及第四諧振頻率可以位於特定的頻率範圍，從而可以提高傳聲器1800在此特定範圍內的靈敏度和Q值。

使用傳聲器1800進行聲音信號處理時，聲音信號可以通過導聲管1831進入聲學結構1830的聲學腔體1832，及/或通過第二導聲管1871進入第二聲學結構1870的第二聲學腔體1872。聲學結構1830可以對聲音信號進行調節，在第一諧振頻率處，產生具有第一諧振峰的第一子帶聲信號。類似地，第二聲學結構1870可以對聲音信號進行處理，在第三諧振頻率處，產生具有第二諧振峰的第二子帶聲信號。由聲學結構1830及/或第二聲學結構1870調節後產生的第一子帶聲信號及/或第二子帶聲信號，可以分別通過第三導聲管1881和第四導聲管1882進入第三聲學腔體1883。第三聲學結構1880可以繼續調節第一子帶聲信號和第二子帶聲信號，在第四諧振頻率處產生具有第三諧振峰的第三子帶聲信號。由聲學結構1830、第二聲學結構1870以及第三聲學結構1880產生的第一子帶聲信號、第二子帶聲信號以及第三子帶聲信號，可以通過聲電轉換器1820的孔部1821遞送至聲電轉換器1820。聲電轉換器1820可以根據第一子帶聲信號、第二子帶聲信號以及第三子帶聲信號的產生電信號。

需要說明的是，傳聲器1800包括的聲學結構不限於圖18所示的聲學結構1830、第二聲學結構1870和第三聲學結構1880，傳聲器1800包括的聲學結構的個數、聲學結構的結構參數、聲學結構的數量、聲學結構的連接方式等，可以根據實際需要（例如，目標諧振頻率、目標靈敏度、子帶電信號個數等）進行設置。僅作為示例，圖19係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖19所示，傳聲器1900可以包括殼體1910、聲電轉換器1920、聲學腔體1940、聲學結構1901、聲學結構1902、聲學結構1903、聲學結構1904、聲學結構1904、聲學結構1905、聲學結構1906以及聲學結構1970。聲電轉換器1920可以設置於所述聲學腔體1940中。聲電轉換器1920可以包括孔部1921。聲學結構1970可以包括聲學腔體1973以及分別與聲學結構1901、聲學結構1902、聲學結構1903、聲學結構1904、聲學結構1905、聲學結構1906連通的6個導聲管。傳聲器1900組件以及聲音信號的處理流程與圖18中的傳聲器1800類似，在此不再贅述。關於圖18中聲學結構1830、第二聲學結構1870及/或第三聲學結構1880的頻率回應曲線（例如，諧振頻率、頻帶寬度、聲壓放大倍數等）的調節細節可以參考圖2A、圖3以及圖5至15及其相關描述。

圖20係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖。如圖20所示，傳聲器2000可以包括殼體2010、聲學腔體2040、聲電轉換器2020以及聲學結構2030。在一些實施例中，聲電轉換器2020可以設置在聲學腔體2040中。在一些實施例中，聲電轉換器2020可以包括多個聲電轉換器，例如，聲電轉換器2021、第二聲電轉換器2022、第三聲電轉換器2023、第四聲電轉換器2024、第五聲電轉換器2025以及第六聲電轉換器2026。在一些實施例中，聲學結構2030可以包括多個聲學結構，例如，聲學結構2031、第二聲學結構2032、第三聲學結構2033、第四聲學結構2034、第五聲學結構2035、第六聲學結構2036。在一些實施例中，傳聲器2000中的每一聲學結構與一個聲電轉換器對應設置，例如，聲學結構2031通過聲電轉換器2021的孔部與聲電轉換器2021進行聲學連通、第二聲學結構2032通過第二聲電轉換器2022的孔部與第二聲電轉換器2022進行聲學連通、第三聲學結構2033通過第三聲電轉換器2023的孔部與第三聲電轉換器2023進行聲學連通、第四聲學結構2034通過第四聲電轉換器2024的孔部與第四聲電轉換器2024進行聲學連通、第五聲學結構2035通過第五聲電轉換器2025的孔部與第五聲電轉換器2025進行聲學連通、第六聲學結構2036通過第六聲電轉換器2026的孔部2063與第六聲電轉換器2026進行聲學連通。以第六聲學結構2036為例進行說明，第六聲學結構2036包括導聲管2061和聲學腔體2062。第六聲學結構2036通過導聲管2061與傳聲器2000的外部進行聲學連通，用於接收聲音信號。第六聲學結構2036的聲學腔體2062通過聲電轉換器2026的孔部2063與聲電轉換器2026進行聲學連通。在一些實施例中，傳聲器中的所有聲學結構可以對應一個聲學轉換器。例如，聲學結構2031、第二聲學結構2032、第三聲學結構2033、第四聲學結構2034、第五聲學結構2035、第六聲學結構2036的導聲管可以分別與傳聲器2000的外部進行聲學連通，其聲學腔體可以與所述聲學轉換器進行聲學連通。又例如，傳聲器2000可以包括多個聲電轉換器，聲學結構2031、第二聲學結構2032、第三聲學結構2033、第四聲學結構2034、第五聲學結構2035、第六聲學結構2036中的一部分聲學結構可以與多個聲學轉換器中的一個聲電轉換器進行聲學連通，另一部分聲學結構可以與另一聲電轉換器進行聲學連通。又例如，傳聲器2000可以包括多個聲電轉換器，聲學結構2031的聲學腔體可以通過第二聲學結構2032的導聲管與第二聲學結構的聲學腔體進行聲學連通，第二聲學結構2032的聲學腔體可以通過第三聲學結構2033的導聲管與第三聲學結構2033的聲學腔體進行聲學連通。第四聲學結構2034可以通過第五聲學結構2035的導聲管與第五聲學結構2035的聲學腔體進行聲學連通，第五聲學結構2035的聲學腔體可以通過第六聲學結構2036的導聲管2061與第六聲學結構2036的聲學腔體2062進行聲學連通。第三聲學結構2033的聲學腔體以及第六聲學結構2036的聲學腔體2062可以與相同或不同的聲電轉換器進行聲學連通。諸如此類的變形，都在本說明書的保護範圍內。

在一些實施例中，聲學結構2030中的每一聲學結構可以調節接收到的聲音信號，產生子帶聲信號。產生的子帶聲信號可以遞送至與每一聲學結構進行聲學連通的聲電轉換器，聲電轉換器將接收到的子帶聲信號轉換為子帶電信號。在一些實施例中，聲學結構2030中的聲學結構可以具有不同的諧振頻率，此種情況下，聲學結構2030中的聲學結構可以產生具有不同諧振頻率的子帶聲信號，聲電轉換器2020中與聲學結構對應的聲電轉換器轉換後，可以產生具有不同諧振頻率的子帶電信號。在一些實施例中，傳聲器2000中一個或多個聲學結構的諧振頻率的調節可以參考圖2A、圖3以及圖5至15及其相關描述。在一些實施例中，聲學結構2030及/或聲電轉換器2020的數量可以根據實際情況進行設置。例如，可以根據需要產生的子帶聲信號及/或子帶電信號的數量設置聲學結構2030及/或聲電轉換器2020的數量。僅作為示例，當需要產生的子帶電信號為6個，如圖20所示，可以設置6個聲學結構，傳聲器2000可以輸出6個子帶電信號，其諧振頻率範圍可以分別是500Hz至700Hz、1000Hz至1300Hz、1700Hz至2200Hz、3000Hz至3800Hz、4700Hz至5700Hz、7000Hz至12000Hz。又例如，傳聲器2000輸出的6個子帶電信號的諧振頻率範圍可以分別是500Hz至640Hz、640Hz至780Hz、780Hz至930Hz、940Hz至1100Hz、1100Hz至1300Hz、1300Hz至1500Hz。又例如，傳聲器2000輸出的6個子帶電信號的諧振頻率範圍可以分別是20Hz至120Hz、120Hz至210Hz、210Hz至320Hz、320Hz至410Hz、410Hz至500Hz、500Hz至640Hz。

在一些實施例中，通過在傳聲器中設置一個或多個聲學結構，例如，傳聲器1700中的聲學結構1730和聲學結構1770，傳聲器1800中的聲學結構1830、聲學結構1870和聲學結構1880，傳聲器1900中的聲學結構1901、聲學結構1902、聲學結構1903、聲學結構1904、聲學結構1905、聲學結構1906以及聲學結構1970，可以增加傳聲器的諧振頻率，進而可以提高傳聲器在較寬的頻帶範圍的靈敏度。此外，通過設置多個聲學結構及/或聲電轉換器的連接方式，例如，圖20所示的傳聲器2000中的每一聲學結構與一個聲電轉換器對應設置，可以提高傳聲器2000在較寬的頻帶範圍的靈敏度，還可以將聲音信號分頻，產生子帶電信號，從而減輕後續硬體處理的負擔。

圖21係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線的示意圖。如圖21所示，橫軸表示頻率，單位為Hz，縱軸表示傳聲器的頻率回應，單位為dBV。以傳聲器包括11個聲學結構為例，圖21中的11條虛線表示11個聲學結構的頻率回應曲線。在一些實施例中，11個聲學結構的頻率回應曲線可以覆蓋人耳可聽到的20Hz至20kHz的頻帶範圍。圖21中的實線表示傳聲器的頻率回應曲線2110。為方便理解，傳聲器的頻率回應曲線2110可以看作是11個聲學結構的頻率回應曲線融合得到的。在一些實施例中，可以通過調整一個或多個聲學結構的頻率回應曲線，實現對傳聲器的目標頻率回應曲線的調整。例如，由於人聲的基頻基本集中在約100Hz至300Hz之間，大部分語音資訊也集中在中低頻帶範圍，在保證分子帶聲信號處理後通話效果不降低的情況下，可以減少高頻段子帶聲信號的數量（即減少諧振頻率在高頻段的聲學結構的數量）。又例如，在兩個或多個聲學結構頻率回應曲線（例如，相鄰兩個頻率回應曲線）的相交處，融合後的產生的傳聲器頻率響應曲線可能會產生凹坑。這裡的凹坑可以理解為，融合後的頻頻率響應曲線（例如，曲線2110）中相鄰波峰和波谷之間的頻率回應差值（例如，圖21中所示的∆dBV）。凹坑的產生可能會使傳聲器的頻率響應出現較大的波動，進而影響傳聲器的靈敏度及/或Q值。在一些實施例中，可以通過調整聲學結構的結構參數，例如，減小導聲管的橫截面積、增加導聲管的長度以及增加聲學腔體的體積等，可以降低聲學結構的諧振頻率。在一些實施例中，可以通過調整聲學結構的結構參數，例如，在傳聲器中設置聲阻結構等，可以增加聲學結構的頻率回應曲線的頻帶寬度，以減小融合後的頻率響應曲線2110在高頻範圍內產生的較大的凹坑，從而提高傳聲器的性能。例如，圖22係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線。如圖22所示，橫軸表示頻率，單位為Hz，縱軸表示傳聲器的頻率回應，單位為dBV。其中，各個虛線可以分別表示傳聲器的11個聲學結構的頻率回應曲線。與圖21中的11條虛線對應的11個聲學結構相比，圖22中的11條虛線對應的11個聲學結構可以具有相對較高的聲阻，例如，圖22中的11條虛線對應的11個聲學結構的導聲管的側壁的內表面相對較粗糙、導聲管或聲學腔體內設置有聲阻結構、具有相對較小尺寸的導聲管等。與圖21中的聲學結構的頻率回應曲線2110相比，圖22中所示的聲學結構的回應曲線2210（特別是相對較高頻率的回應曲線）具有相對較寬的頻帶寬度。由11個聲學結構的頻率回應曲線融合後的傳聲器的頻率回應曲線的凹坑（例如，圖22中所示的∆dBV）相對較小，融合後的頻率回應曲線2210更加平坦。

上文已對基本概念做了描述，顯然，對於本領域具有通常知識者來說，上述申請揭露僅僅作為示例，而並不構成對本說明書的限定。雖然此處並沒有明確說明，本領域具有通常知識者可能會對本說明書進行各種修改、改進和修正。該類修改、改進和修正在本說明書中被建議，所以該類修改、改進、修正仍屬於本說明書示範實施例的精神和範圍。

同時，本說明書使用了特定詞語來描述本說明書的實施例。如「一個實施例」、「一實施例」及/或「一些實施例」意指與本說明書至少一個實施例相關的某一特徵、結構或特點。因此，應強調並注意的是，本說明書中在不同位置兩次或多次提及的「一實施例」或「一個實施例」或「一替代性實施例」並不一定是指同一實施例。此外，本說明書的一個或多個實施例中的某些特徵、結構或特點可以進行適當的組合。

此外，本領域具有通常知識者可以理解，本說明書的各態樣可以通過若干具有可專利性的種類或情況進行說明和描述，包括任何新的和有用的工序、機器、產品或物質的組合或對他們的任何新的和有用的改進。

此外，除非申請專利範圍中明確說明，本說明書處理元素和序列的順序、數字字母的使用或其他名稱的使用，並非用於限定本說明書流程和方法的順序。儘管上述揭露中通過各種示例討論了一些目前認為有用的申請實施例，但應當理解的是，該類細節僅起到說明的目的，附加的申請專利範圍並不僅限於揭露的實施例，相反，申請專利範圍旨在覆蓋所有符合本揭示內容的實施例實質和範圍的修正和等效組合。例如，雖然以上所描述的系統組件可以通過硬體裝置實現，但是也可以只通過軟體的解決方案得以實現，如在現有的伺服器或行動裝置上安裝所描述的系統。

同理，應當注意的是，為了簡化本說明書揭露的表述，從而幫助對一個或多個申請實施例的理解，前文對本揭示內容的實施例的描述中，有時會將多種特徵歸併至一個實施例、圖式或對其的描述中。但是，這種揭露方法並不意味著本說明書物件所需要的特徵比申請專利範圍中提及的特徵多。實際上，實施例的特徵要少於上述揭露的單個實施例的全部特徵。

一些實施例中使用了描述成分、屬性數量的數位，應當理解的是，此類用於實施例描述的數字，在一些示例中使用了修飾詞「大約」、「近似」或「大體上」等來修飾。除非另外說明，「大約」、「近似」或「大體上」表明數字允許有±20%的變化。相應地，在一些實施例中，說明書和申請專利範圍中使用的數值資料均為近似值，該近似值根據個別實施例所需特點可以發生改變。在一些實施例中，數值資料應考慮規定的有效位數並採用一般位數保留的方法。儘管本揭示內容的一些實施例中用於確認其範圍廣度的數值域和資料為近似值，在具體實施例中，此類數值的設定在可行範圍內盡可能精確。

100:傳聲器 110:聲學結構 120:聲電轉換器 121:聲電轉換器 122:聲電轉換器 12n:聲電轉換器 130:取樣器 131:取樣器 132:取樣器 13n:取樣器 140:信號處理器 200:傳聲器 205:傳聲器 210:殼體 211:第一側壁 220:聲電轉換器 221:孔部 230:聲學結構 231:聲學腔體 232:導聲管 233:孔側壁 240:聲學腔體 250:特定應用積體電路 410:頻率回應曲線 420:頻率回應曲線 500:傳聲器 510:殼體 511:第一側壁 520:聲電轉換器 521:孔部 530:聲學結構 531:聲學腔體 532:導聲管 533:側壁 540:聲學腔體 550:特定應用積體電路 800:傳聲器 810:殼體 811:第一側壁 820:聲電轉換器 821:孔部 830:聲學結構 831:聲學腔體 832:導聲管 833:側壁 834:側壁 835:中心軸 840:聲學腔體 850:特定應用積體電路 1000:傳聲器 1010:殼體 1011:側壁 1012:側壁 1013:側壁 1020:聲電轉換器 1021:孔部 1030:聲學結構 1031:聲學腔體 1032:導聲管 1033:側壁 1040:聲學腔體 1050:特定應用積體電路 1051:第二側壁 1060:聲阻結構 1061:第一聲阻結構 1062:第二聲阻結構 1111:子帶聲信號 1112:子帶聲信號 111n:子帶聲信號 1211:子帶電信號 1212:子帶電信號 121n:子帶電信號 1311:數位信號 1312:數位信號 131n:數位信號 1610:曲線 1615:曲線 1620:曲線 1630:曲線 1640:曲線 1650:曲線 1700:傳聲器 1710:殼體 1711:腔體壁 1712:腔體壁 1720:聲電轉換器 1721:孔部 1730:聲學結構 1731:聲學腔體 1732:導聲管 1740:聲學腔體 1750:特定應用積體電路 1770:聲學結構 1771:第二聲學腔體 1772:第二導聲管 1800:傳聲器 1810:殼體 1820:聲電轉換器 1821:孔部 1830:聲學結構 1831:導聲管 1832:聲學腔體 1840:聲學腔體 1850:特定應用積體電路 1870:第二聲學結構 1871:第二導聲管 1872:第二聲學腔體 1880:第三聲學結構 1881:第三導聲管 1882:第四導聲管 1883:第三聲學腔體 1900:傳聲器 1901:聲學結構 1902:聲學結構 1903:聲學結構 1904:聲學結構 1905:聲學結構 1906:聲學結構 1910:殼體 1920:聲電轉換器 1921:孔部 1940:聲學腔體 1970:聲學結構 1973:聲學腔體 2000:傳聲器 2010:殼體 2020:聲電轉換器 2021:聲電轉換器 2022:第二聲電轉換器 2023:第三聲電轉換器 2024:第四聲電轉換器 2025:第五聲電轉換器 2026:第六聲電轉換器 2030:聲學結構 2031:聲學結構 2032:第二聲學結構 2033:第三聲學結構 2034:第四聲學結構 2035:第五聲學結構 2036:第六聲學結構 2040:聲學腔體 2061:導聲管 2062:聲學腔體 2063:孔部 2110:頻率回應曲線 2210:回應曲線

本說明書將以示例性實施例的方式進一步說明，這些示例性實施例將通過圖式進行詳細描述。這些實施例並非限制性的，在這些實施例中，相同的編號表示相同的結構，其中：

[圖1]係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖2A]係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖2B]係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖3]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖4]係根據本說明書的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線的示意圖；

[圖5]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖6]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖7]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖8]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖9]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖10]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖11]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖12]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖13]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖14]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖15]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖16]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線的示意圖；

[圖17]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖18]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖19]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖20]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的示意圖；

[圖21]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線；

[圖22]係根據本揭示內容的一些實施例所示的示例性傳聲器的頻率回應曲線。

100:傳聲器

110:聲學結構

120:聲電轉換器

121:聲電轉換器

122:聲電轉換器

12n:聲電轉換器

130:取樣器

131:取樣器

132:取樣器

13n:取樣器

140:信號處理器

1111:子帶聲信號

1112:子帶聲信號

111n:子帶聲信號

1211:子帶電信號

1212:子帶電信號

121n:子帶電信號

1311:數位信號

1312:數位信號

131n:數位信號

Claims (10)

1. 一種傳聲器，包括： 第一聲學結構，包括第一導聲管和第一聲學腔體，所述第一聲學結構具有第一諧振頻率， 聲電轉換器，用於將聲音信號轉換為電信號，所述聲電轉換器具有第二諧振頻率， 第二聲學結構，包括第二導聲管和第二聲學腔體，所述第二聲學結構具有第三諧振頻率， 其中，所述第三諧振頻率與所述第一諧振頻率不同。
2. 如請求項1之傳聲器，其中，所述第一諧振頻率與所述第一聲學結構的結構參數有關，所述第二諧振頻率與所述聲電轉換器的結構參數有關，所述第三諧振頻率與所述第二聲學結構的結構參數有關；所述第一諧振頻率或所述第三諧振頻率與所述第二諧振頻率的差值的絕對值不小於100Hz。
3. 如請求項2之傳聲器，其中， 所述第一聲學結構的所述結構參數包括所述第一導聲管的形狀、所述第一導聲管的尺寸、所述第一聲學腔體的尺寸、所述第一導聲管或所述第一聲學腔體的聲阻、形成所述第一導聲管的側壁的內表面的粗糙度中的一種或多種， 所述第二聲學結構的所述結構參數包括所述第二導聲管的形狀、所述第二導聲管的尺寸、所述第二聲學腔體的尺寸、所述第二導聲管或所述第二聲學腔體的聲阻、形成所述第二導聲管的側壁的內表面的粗糙度中的一種或多種。
4. 如請求項3之傳聲器，其中，所述聲阻的聲阻值範圍為1MKS Rayls到100MKS Rayls，所述第一導聲管的孔徑不大於其長度的2倍，所述第二導聲管的孔徑不大於其長度的2倍，形成所述第一導聲管或所述第二導聲管的所述側壁的所述內表面的所述粗糙度不大於0.8，所述第一聲學腔體或所述第二聲學腔體的內徑不小於其厚度。
5. 如請求項1之傳聲器，其中， 所述傳聲器在所述第一諧振頻率處回應的靈敏度，大於所述聲電轉換器在所述第一諧振頻率處回應的靈敏度，或 所述傳聲器在所述第三諧振頻率處回應的靈敏度，大於所述聲電轉換器在所述第三諧振頻率處回應的靈敏度。
6. 如請求項1之傳聲器，其中，所述第一導聲管設置於構成所述第一聲學腔體的腔體壁上，所述第二導聲管設置於構成所述第二聲學腔體的腔體壁上。
7. 如請求項1之傳聲器，其中，所述聲電轉換器進一步包括第一孔部，所述第一聲學腔體通過所述第一孔部與所述聲電轉換器進行聲學連通。
8. 如請求項1之傳聲器，其中，所述第一聲學腔體與所述聲電轉換器進行聲學連通，所述第二聲學腔體通過所述第二導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並通過所述第一導聲管與所述第一聲學腔體進行聲學連通。
9. 如請求項1之傳聲器，其中， 所述傳聲器進一步包括第三聲學結構，所述第三聲學結構包括第三導聲管、第四導聲管和第三聲學腔體， 所述第一聲學腔體通過所述第一導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並通過所述第三導聲管與所述第三聲學腔體進行聲學連通， 所述第二聲學腔體通過所述第二導聲管與所述傳聲器的所述外部進行聲學連通，並通過所述第四導聲管與所述第三聲學腔體進行聲學連通， 所述第三聲學腔體與所述聲電轉換器進行聲學連通，其中， 所述第三聲學結構具有第四諧振頻率，所述第四諧振頻率與所述第三諧振頻率和所述第一諧振頻率不同。
10. 如請求項7之傳聲器，其中，所述傳聲器進一步包括第二聲電轉換器，所述第二聲電轉換器包括第二孔部，所述第二聲學腔體通過所述第二導聲管與所述傳聲器的外部進行聲學連通，並通過所述第二孔部與所述第二聲電轉換器進行聲學連通。

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