TW202307335A - 用於真空泵送系統之流體路徑 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於一真空泵送系統之流體路徑模組(112)，該流體路徑模組(112)包括：一第一流體入口(110a)；一第二流體入口(110b)；一流體出口(114)；一第一流體線路(200)，其耦合於該第一流體入口(110a)與該流體出口(114)之間；一第二流體線路(202)，其耦合於該第二流體入口(110b)與該流體出口(114)之間；一第一限流器(204)，其經組態以限制一流體流通過其，該第一限流器(204)沿該第一流體線路(200)安置；一真空泵(210)，其沿該第二流體線路(202)安置；及一或多個閥(206、212、214)，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第一流體線路(200)或該第二流體線路(202)。

Description

用於真空泵送系統之流體路徑
本發明係關於用於與真空泵送系統一起使用之流體路徑，包含(但不限於)用於自半導體處理工具泵送流體之真空系統。
半導體製造廠製造積體電路晶片。在此等裝置製造中，晶圓透過數目個不同處理站(包含其中晶圓經歷(例如)化學氣相沈積、物理氣相沈積、植入、蝕刻及微影程序之站)處理。諸多此等程序涉及使用一氣體環境且通常需要使用高真空及減小氣壓。
真空泵用於在處理室中提供此等減小氣壓、提供腔室抽空及維持處理氣體流。
當一半導體處理工具之一腔室內部之壓力未處於工作真空時，例如在一處理室被排氣至大氣壓力以啟用保養或維護之後，執行一所謂之「抽氣事件」以在腔室中建立所需減小氣壓。一抽氣事件涉及自腔室泵送氣體以將其中之壓力減小至所需位準。
類似地，當一真空泵(例如一渦輪泵)之一泵送室內部之壓力處於大氣壓力時，例如在真空泵被停用以啟用保養或維護之後，執行一抽氣事件以在該真空泵之泵送室中建立一減小氣壓。
真空及減量系統可用於使用一共同泵經由一共同歧管自一半導體處理工具之多個處理室同時泵送氣體。本發明者已認識到，在此等系統中，因為多個腔室及/或多個渦輪泵可流體連接至一共同歧管，所以對該等腔室及/或渦輪泵之一者執行一抽氣事件會影響該等腔室之其他者內之條件。例如，對一個腔室執行之一抽氣事件會引起連接至相同歧管之其他腔室中之高度非所要波動。
本發明之態樣提供用於依使得此等缺陷減少或消除之一方式控制來自一半導體處理工具之多個腔室之流體之一閥模組。
在一第一態樣中，提供一種用於一真空泵送系統之流體路徑模組，該流體路徑模組包括：一第一流體入口；一第二流體入口；一流體出口；一第一流體線路，其耦合於該第一流體入口與該流體出口之間；一第二流體線路，其耦合於該第二流體入口與該流體出口之間；一第一限流器，其經組態以限制一流體流通過其，該第一限流器沿該第一流體線路安置；一真空泵，其沿該第二流體線路安置；及一或多個閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第一流體線路或該第二流體線路。
該一或多個閥可包括一第一閥及一第二閥。該第一閥可沿該第一流體線路安置。該第二閥可沿該第一流體線路安置。
該流體路徑模組可包括：一第二限流器，其經組態以限制一流體流通過其，該第二限流器沿該第二流體線路安置；一旁通線路，其與該第二限流器平行配置以藉此允許一流體流繞過該第二限流器；及一或多個另外閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第二限流器或該旁通線路。該第二限流器及該旁通線路可沿該第二流體線路安置於該真空泵與該流體出口之間。該一或多個另外閥可包括安置於該真空泵與該第二限流器及該旁通線路之間的三通閥。
該真空泵可為一渦輪泵。
該流體路徑模組可進一步包括經組態以控制該一或多個閥之操作之一閥控制器。
該流體路徑模組可進一步包括：一或多個另外第一流體入口；一或多個另外第二流體入口；一或多個另外流體出口；一或多個另外第一流體線路，各另外第一流體線路耦合於一各自另外第一流體入口與一另外流體出口之間；一或多個另外第二流體線路，各另外第二流體線路耦合於一各自第二流體入口與一另外流體出口之間；一或多個另外第一限流器，其等經組態以限制一流體流通過其，各另外第一限流器沿一各自另外第一流體線路安置；一或多個另外真空泵，各另外真空泵沿一各自另外第二流體線路安置；及一或多個另外閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過一另外第一流體線路或一另外第二流體線路。
該流體路徑模組可進一步包括一流體線路歧管。該流體出口及/或該一或多個另外流體出口可流體耦合至該流體線路歧管。
在另一態樣中，提供一種系統，其包括：一半導體處理工具，其包括一處理室；任何前述態樣之流體路徑模組，其中該第一流體入口及該第二流體入口流體耦合至該處理室；及一泵，其操作地耦合至該流體出口。
該半導體處理工具可進一步包括一或多個另外處理室。該系統可進一步包括一或多個另外流體路徑模組，各另外流體路徑模組係根據任何前述態樣之一流體路徑模組，其中各另外流體路徑模組之該第一流體入口及該第二流體入口流體耦合至一各自另外處理室。該系統可進一步包括一流體線路歧管，其中該流體路徑模組之該流體出口及該等流體路徑模組之各者流體耦合至該流體線路歧管。該泵可操作地耦合至該流體線路歧管。
在另一態樣中，提供一種用於操作一真空泵送系統之一流體路徑模組之方法。該流體路徑模組係根據前述態樣。該方法包括：控制該一或多個閥導引一流體流通過該第一流體線路且防止或抵制流體流通過該第二流體線路；及回應於滿足一或多個條件，控制該一或多個閥允許一流體流通過該第二流體線路且防止或抵制流體流通過該第一流體線路，且藉由該真空泵泵送流體通過該第二流體線路。
該一或多個條件可包括流體耦合至該第一流體輸入及該第二流體入口之一腔室中之一壓力低於一第一臨限壓力之一條件。
該方法可進一步包括：控制該一或多個另外閥導引一流體流通過該第二限流器且防止或抵制流體流通過該旁通線路；及回應於滿足一或多個另外條件，控制該一或多個另外閥允許一流體流通過該旁通線路且防止或抵制流體流通過該第二限流器。該一或多個另外條件可包括該真空泵之一泵送室中之一壓力低於一第二臨限壓力之一條件。
圖1係根據一實施例之一半導體製造設施100之一示意圖(未按比例繪製)。
半導體製造設施100包括一半導體處理工具102、一流體路徑模組104及一真空泵106。
半導體處理工具102包括其中半導體晶圓經歷各自程序之複數個處理室108。此等程序之實例包含(但不限於)化學氣相沈積、物理氣相沈積、植入、蝕刻及微影程序。
真空泵106經組態以經由流體路徑模組104自半導體處理工具102之處理室108泵送出流體(即，氣壓)。
流體路徑模組104包括複數個入口(特定言之，複數個第一入口110a及複數個第二入口110b)、複數個泵送模組112、複數個泵送模組出口114及一流體線路歧管116。
第一入口110a及第二入口110b之一各自對流體連接於一各自處理室108與一各自泵送模組112之間，使得流體可經由該等第一入口110a及第二入口110b之任一者或兩者自此處理室108流動至該泵送模組112。
稍後將在下文參考圖2更詳細描述泵送模組112。
各泵送模組112藉由一各自泵送模組出口114流體連接至流體線路歧管116，使得流體可自泵送模組112流動至流體線路歧管116。
流體線路歧管116流體連接於複數個泵送模組出口114與真空泵106之間。
流體路徑模組104進一步包括一閥控制器118。
閥控制器118經由各自氣動線路及/或電連接(圖中未展示)操作地耦合至包括於泵送模組112中複數個閥之各者。稍後將在下文參考圖2更詳細描述此等閥。如稍後在下文參考圖3更詳細描述，閥控制器118經組態以控制泵送模組112之閥之操作，例如藉由經由氣動線路將氣動流體傳送至閥。
圖2係展示一泵送模組112之進一步細節的一示意圖(未按比例繪製)。在此實施例中，流體路徑模組104之泵送模組112實質上彼此相同。
在此實施例中，第一入口110a及第二入口110b係泵送模組112之流體入口。此外，泵送模組出口114係泵送模組112之一流體出口。
泵送模組112包括耦合於第一入口110a與泵送模組出口114之間的一第一流體線路200及耦合於第二入口110b與泵送模組出口114之間的一第二流體線路202。
泵送模組112進一步包括一第一限流器204及一第一閥206，兩者沿第一流體線路200安置。第一限流器204配置於第一入口110a與第一閥206之間。第一閥206配置於第一限流器204與泵送模組出口114之間。
第一限流器204經組態以限制一流體流通過其。
第一閥206經組態以控制一流體流通過其。特定言之，在此實施例中，第一閥206經組態以由閥控制器118控制以可選擇地容許或防止一流體流通過其。
泵送模組112進一步包括一自動壓力控制(APC)模組208、一渦輪泵210、一第二閥212、一第三閥214、一第二限流器216及一旁通導管或線路218。
APC模組208、渦輪泵210、第二閥212、第三閥214、第二限流器216及旁通線路218沿第二流體線路202安置。APC模組208配置於第二入口110b與渦輪泵210之間。渦輪泵210配置於APC模組208與第三閥214之間。第三閥214配置於渦輪泵210與第二限流器216之間。第二限流器216配置於第三閥214與第二閥212之間。旁通線路218亦配置於第三閥214與第二閥212之間且與第二限流器216平行。第二閥212配置於第二限流器216 (及旁通線路218)與泵送模組出口114之間。
APC模組208經組態以控制一流體流通過其。APC模組208可包括一可移動閥及一控制器。APC模組208之閥可包括可由APC模組208之控制器控制以增大或減小腔室排氣路徑中之孔之大小之一移動擺錘。APC模組208可接收一壓力設定點及處理室108內部之壓力之一實際壓力讀數。APC模組208之控制器接著可根據一控制演算法控制擺錘直至實際壓力量測匹配設定點。在一些實施例中，APC模組208之閥可由閥控制器118控制。
渦輪泵210經由第二入口110b耦合至一各自處理室108。渦輪泵210經組態以自處理室108泵送排氣通過第二流體線路202且離開泵送模組出口114。
在此實施例中，第三閥214係經配置以自渦輪泵210接收一流體流且可選擇地導引此流體流通過第二限流器216或旁通線路218之三通閥。第三閥214由閥控制器118控制。
第二限流器216經組態以限制一流體流通過其。
旁通線路218與第二限流器216平行配置，且經配置以允許一流體流繞過第二限流器216。旁通線路218允許一流體流避開第二限流器216且在第三閥214與第二閥212之間相對不受限流動。
第二閥212經組態以控制一流體流通過其。特定言之，在此實施例中，第二閥212經組態以由閥控制器118控制以可選擇地容許或防止一流體流通過其。
用於實施上述配置及執行下文將描述之方法步驟之包含閥控制器118之設備可藉由組態或調適任何適合設備(例如一或多個電腦或其他處理設備或處理器)及/或提供額外模組來提供。設備可包括一電腦、一電腦網路或一或多個處理器用於實施指令且使用資料，包含呈儲存於一機器可讀儲存媒體(諸如電腦記憶體、一電腦磁碟、ROM、PROM等等或此等或其他儲存媒體之任何組合)中或該機器可讀儲存媒體上之一電腦程式或複數個電腦程式之形式之指令及資料。
上述系統可經歷一抽氣事件以自處理室108之一或多者(其可處於大氣壓力)抽空氣體以將其中壓力減小至適合於一半導體製程之一位準。抽氣事件可經執行以自泵送模組之一或多者之渦輪泵之一泵送室抽空氣體。
圖3係展示泵送半導體製造設施100中之氣體之一程序300之某些步驟(包含一抽氣事件)的一程序流程圖。
應注意，圖3之流程圖中所描繪及下文描述之某些程序步驟可被省略或此等程序步驟可依不同於下文所呈現及圖3中所展示之順序之順序執行。此外，儘管為了方便及易於理解已將所有程序步驟描繪為離散時間順序步驟，但一些程序步驟事實上可同時或至少在一定程度上時間重疊執行。
在步驟s302中，在處理室108中執行半導體製程。此等半導體製程產生氣壓。
在此實施例中，在此階段中，針對泵送模組112之各者，第一閥206關閉，第二閥212打開，且第三閥214經組態以經由旁通線路218導引程序氣流。因此，在步驟s302中，真空泵106自處理室108泵送處理氣體通過泵送模組112之相對不受限之第二流體線路202而進入流體線路歧管116。
在步驟s304中，關閉處理室108之一者(下文中為了方便指稱「第一處理室108」)用於檢測、保養、修理或維護。在此實施例中，第一處理室108之關閉包括停止自第一處理室108泵送氣體。在此實施例中，此藉由關閉與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第一閥206及第二閥212來達成。與第一處理室108相關聯之泵送模組112之渦輪泵210亦關閉。在此實施例中，關閉第一處理室108進一步包括將第一處理室108中之壓力增大至約大氣壓力。此可藉由打開耦合至第一處理室108之一閥來達成，藉此允許空氣進入至第一處理室108中。另外，在此實施例中，與第一處理室108相關聯之泵送模組112之渦輪泵210之泵送室中之壓力亦增大至約大氣壓力。
在步驟s306中，一人類操作者對第一處理室108執行一檢測、保養、修理或維護操作。替代地或另外，檢測、保養、修理或維護可對與第一處理室108相關聯之泵送模組112之一或多個組件執行。
在檢測、保養、修理或維護操作之後，在第一處理室108中重新建立一低氣壓環境，使得半導體製程可在其中執行。
因此，在步驟s308中，由閥控制器118打開與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第一閥206。
在步驟s310中，當第一閥206打開時，真空泵106沿第一流體線路200將氣體自第一處理室108泵送至流體線路歧管116中。
因此，第一處理室108被「抽氣」。來自第一處理室108之此氣流由沿第一流體線路200定位之第一限流器204限制。有利地，藉由第一限流器204之此限流趨於減少或消除不利地影響平行處理室108內之條件之第一處理室108之抽氣。
在步驟s312中，回應於第一處理室108之抽氣完成，閥控制器118關閉與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第一閥206。此外，閥控制器118打開與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第二閥212。此外，閥控制器118控制與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第三閥214，使得第三閥214導引流體流通過第二限流器216且不通過旁通線路218。
在一些實施例中，在步驟s312中，閥控制器118亦可控制APC模組208防止或抵制一流體流通過其。
第一處理室108之抽氣完成可由任何適當構件偵測。例如，閥控制器118可回應於第一處理室108內之一壓力之一量測等於或低於一第一臨限值及/或與第一處理室108相關聯之量測壓力之一經計算降低速率等於或低於一第二臨限值而判定第一處理室108之抽氣完成。第一臨限值可為任何適當臨限值。第二臨限值可為任何適當臨限值。
在步驟s314中，當第二閥206打開且第三閥214導引流體流通過第二限流器216時，真空泵106沿第二流體線路202將氣體自渦輪泵210之泵送室泵送至流體線路歧管116中。
因此，渦輪泵210之泵送室被「抽氣」。來自渦輪泵210之泵送室之此氣流由沿第二流體線路202定位之第二限流器216限制。有利地，藉由第二限流器216之此限流趨於減少或消除不利地影響平行處理室108內之條件之渦輪泵210之泵送室的抽氣。
在步驟s316中，回應於渦輪泵210之泵送室之抽氣完成，閥控制器118控制與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第三閥214，使得第三閥214導引流體流通過旁通線路218且不通過第二限流器216。
在一些實施例中，在步驟s316中，閥控制器118亦可控制APC模組208容許一流體流通過其。
渦輪泵210之泵送室之抽氣完成可由任何適當構件偵測。例如，閥控制器118可回應於渦輪泵210之泵送室內之一壓力之一量測等於或低於一第三臨限值及/或與渦輪泵210之泵送室相關聯之量測壓力之一經計算降低速率等於或低於一第四臨限值而判定渦輪泵210之泵送室之抽氣完成。第三臨限值可為任何適當臨限值。第四臨限值可為任何適當臨限值。
在步驟s318中，在與第一處理室108相關聯之泵送模組112之第三閥214經控制以導引流體流通過旁通線路218之後，半導體製程可在第一處理室108中執行。此等半導體製程產生處理氣體。
在步驟s320中，真空泵106將氣體自第一處理室108泵送通過與其相關聯之泵送模組112之相對不受限之第二流體線路202而進入流體線路歧管116。
因此，提供在半導體製造設施100中泵送氣體之一程序300。
上述系統及方法有利地趨於減少或消除不利地影響平行處理室內之條件之抽氣事件。此趨於藉由經由限流器(即，限流導管或減小直徑孔)泵送抽氣氣體來達成。
有利地，抽氣事件及結束抽氣事件趨於被自動偵測及緩解。
有利地，上述流體路徑模組可與將半導體處理工具連接至真空泵之水平歧管串聯整合。
有利地，上述流體路徑模組趨於係穩健的。真空模組可在運送至一半導體製造設施之前(例如)異地或在運送時就地完全組裝、檢查洩漏及預測試。此趨於簡化安裝程序且減少安裝時間。
有利地，上述流體路徑模組趨於係模組化且可擴展的。
有利地，流體路徑模組之氣流中之組件趨於易保養、修理或替換。
有利地，系統之狀態及操作條件趨於係易監測的，例如經由閥模組之一人機介面或遠端地。
有利地，一系統中之各流體路徑模組趨於易於由一系統控制器(例如)使用諸如EtherCAT或乙太網之一通信協定控制。
有利地，上述流體路徑模組允許多個安裝選項。例如，流體路徑模組可自一半導體製造設施之一天花板懸吊，其提供不佔用地面空間之一益處。替代地，流體路徑模組可安裝於一地面立架中或其他設備之頂部上。
在上述實施例中，流體路徑模組在一半導體製造設施中實施以傳輸泵送處理氣體。然而，在其他實施例中，流體路徑模組可在一不同系統中實施且用於傳輸一不同類型之流體。
在上述實施例中，存在包括六個處理室之一單一半導體處理工具。然而，在其他實施例中，存在一個以上半導體處理工具。半導體處理工具之一或多者可包括除六個之外的不同數目個處理室。
在上述實施例中，存在包括六個泵送模組之一單一流體路徑模組。然而，在其他實施例中，可存在不同數目個流體路徑模組，即，多個流體路徑模組。在一些實施例中，流體路徑模組之一或多者可包括除六個之外的不同數目個泵送模組。
在上述實施例中，一泵送模組包括連接至一單一出口之兩個入口。然而，在其他實施例中，泵送模組之一或多者包括不同數目個入口(除兩個之外)及不同數目個出口(除一個之外)。
在上述實施例中，各泵送模組包括經組態以提供上述功能性之一第一閥、一第二閥及一第三閥。然而，在其他實施例中，泵送模組之一或多者可包括提供上述功能性之閥之一不同配置或組態。例如，在一些實施例中，泵送模組之一或多者、該泵送模組之第一及第二閥可由安置於第一流體線路、第二流體線路及泵送模組出口之接面處之三通閥替換。此三通閥可經組態以將流體自第一流體線路及第二流體線路之一選定者導引至泵送模組出口中且防止或抵制流體自第一流體線路及第二流體線路之另一者進入泵送模組出口。此外，例如，在一些實施例中，第三閥可由沿旁通線路安置之一或多個閥替換。
在一些實施例中，APC模組可被省略或由一或多個閥替換。
100:半導體製造設施 102:處理工具 104:流體路徑模組 106:真空泵 108:處理室 110a:第一入口 110b:第二入口 112:泵送模組 114:泵送模組出口 116:流體線路歧管 118:閥控制器 200:第一流體線路 202:第二流體線路 204:第一限流器 206:第一閥 208:自動壓力控制(APC)模組 210:渦輪泵 212:第二閥 214:第三閥 216:第二限流器 218:旁通導管或線路 300:程序 s302至s320:步驟
圖1係一半導體製造設施之一示意圖(未按比例繪製)；
圖2係展示半導體製造設施之一泵送模組之進一步細節的一示意圖(未按比例繪製)；及
圖3係展示泵送半導體製造設施中之氣體之一程序之某些步驟(包含一抽氣事件)的一程序流程圖。
110a:第一入口
110b:第二入口
112:泵送模組
114:泵送模組出口
200:第一流體線路
202:第二流體線路
204:第一限流器
206:第一閥
208:自動壓力控制(APC)模組
210:渦輪泵
212:第二閥
214:第三閥
216:第二限流器
218:旁通導管或線路

Claims (15)

  1. 一種用於一真空泵送系統之流體路徑模組，該流體路徑模組包括： 一第一流體入口； 一第二流體入口； 一流體出口； 一第一流體線路，其耦合於該第一流體入口與該流體出口之間； 一第二流體線路，其耦合於該第二流體入口與該流體出口之間； 一第一限流器，其經組態以限制一流體流通過其，該第一限流器沿該第一流體線路安置； 一真空泵，其沿該第二流體線路安置；及 一或多個閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第一流體線路或該第二流體線路。
  2. 如請求項1之流體路徑模組，其中： 該一或多個閥包括： 一第一閥；及 一第二閥； 該第一閥沿該第一流體線路安置；且 該第二閥沿該第一流體線路安置。
  3. 如請求項1或2之流體路徑模組，其進一步包括： 一第二限流器，其經組態以限制一流體流通過其，該第二限流器沿該第二流體線路安置； 一旁通線路，其與該第二限流器平行配置以藉此允許一流體流繞過該第二限流器；及 一或多個另外閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第二限流器或該旁通線路。
  4. 如請求項3之流體路徑模組，其中該第二限流器及該旁通線路沿該第二流體線路安置於該真空泵與該流體出口之間。
  5. 如請求項3或4之流體路徑模組，其中該一或多個另外閥包括安置於該真空泵與該第二限流器及該旁通線路之間的一三通閥。
  6. 如請求項1至5中任一項之流體路徑模組，其中該真空泵係一渦輪泵。
  7. 如請求項1至6中任一項之流體路徑模組，其進一步包括經組態以控制該一或多個閥之操作之一閥控制器。
  8. 如請求項1至7中任一項之流體路徑模組，其進一步包括： 一或多個另外第一流體入口； 一或多個另外第二流體入口； 一或多個另外流體出口； 一或多個另外第一流體線路，各另外第一流體線路耦合於一各自另外第一流體入口與一另外流體出口之間； 一或多個另外第二流體線路，各另外第二流體線路耦合於一各自第二流體入口與一另外流體出口之間； 一或多個另外第一限流器，其等經組態以限制一流體流通過其，各另外第一限流器沿一各自另外第一流體線路安置； 一或多個另外真空泵，各另外真空泵沿一各自另外第二流體線路安置；及 一或多個另外閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過一另外第一流體線路或一另外第二流體線路。
  9. 如請求項8之流體路徑模組，其進一步包括一流體線路歧管，其中該流體出口及該一或多個另外流體出口流體耦合至該流體線路歧管。
  10. 一種系統，其包括： 一半導體處理工具，其包括一處理室； 如請求項1至9中任一項之流體路徑模組，其中該第一流體入口及該第二流體入口流體耦合至該處理室；及 一泵，其操作地耦合至該流體出口。
  11. 如請求項10之系統，其中： 該半導體處理工具進一步包括一或多個另外處理室； 該系統進一步包括一或多個另外流體路徑模組，各另外流體路徑模組係如請求項1至9中任一項之流體路徑模組，其中各另外流體路徑模組之第一流體入口及第二流體入口流體耦合至一各自另外處理室； 該系統進一步包括一流體線路歧管，其中該流體路徑模組之該流體出口及該等流體路徑模組之各者流體耦合至該流體線路歧管；且 該泵操作地耦合至該流體線路歧管。
  12. 一種操作用於一真空泵送系統之一流體路徑模組之方法，該流體路徑模組係如請求項1至9中任一項之流體路徑模組，該方法包括： 控制該一或多個閥導引一流體流通過該第一流體線路且防止或抵制流體流通過該第二流體線路；及 回應於滿足一或多個條件，控制該一或多個閥允許一流體流通過該第二流體線路且防止或抵制流體流通過該第一流體線路，且藉由該真空泵泵送流體通過該第二流體線路。
  13. 如請求項12之方法，其中該一或多個條件包括流體耦合至該第一流體輸入及該第二流體入口之一腔室中之一壓力低於一第一臨限壓力之一條件。
  14. 如請求項12或13之方法，其中： 該流體路徑模組係如請求項3或如依附於請求項3之任何請求項；且 該方法進一步包括： 控制該一或多個另外閥導引一流體流通過該第二限流器且防止或抵制流體流通過該旁通線路；及 回應於滿足一或多個另外條件，控制該一或多個另外閥允許一流體流通過該旁通線路且防止或抵制流體流通過該第二限流器。
  15. 如請求項14之方法，其中該一或多個另外條件包括該真空泵之一泵送室中之一壓力低於一第二臨限壓力之一條件。
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