TW202216931A - 半導體裝置之製造方法、臨時固定用膜材料之製造方法及臨時固定用膜材料 - Google Patents

半導體裝置之製造方法、臨時固定用膜材料之製造方法及臨時固定用膜材料 Download PDF

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Abstract

本發明揭示了一種半導體裝置之製造方法，其包括對臨時固定用積層體照射光，藉此將半導體構件從臨時固定用樹脂層分離。臨時固定用積層體藉由包括如下步驟之方法形成，亦即，以第1主表面與光吸收層接觸之朝向，將臨時固定用膜材料積層在光吸收層上之步驟；及將第2剝離膜從臨時固定用膜材料剝離，使第2主表面暴露之步驟。臨時固定用樹脂層的第1主表面及第2主表面在物理擺測定中的對數衰減率的最大值分別為δ max1及δ max2時，δ max2小於δ max1。

Description

半導體裝置之製造方法、臨時固定用膜材料之製造方法及臨時固定用膜材料
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法、臨時固定用膜材料之製造方法、及臨時固定用膜材料。
半導體裝置藉由如下方法製造，亦即，以臨時固定於支撐構件之狀態加工半導體構件，之後，半導體構件從支撐構件分離。例如，專利文獻1揭示了一種方法，其中經由具有臨時固定用樹脂層之臨時固定材料層將半導體構件臨時固定於支撐構件，且在進行加工處理後，藉由光照射將半導體構件從支撐構件分離。
[專利文獻1]國際公開第2020/111193號
在從支撐構件分離之半導體構件上，殘留臨時固定材料層（臨時固定用樹脂層）的樹脂的一部分，藉此有時產生不需要的樹脂殘渣。
本發明的一方面有關在藉由包括將半導體構件經光照射從臨時固定用樹脂層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠抑制伴隨分離而引起之半導體構件上的樹脂殘渣的產生之方法、以及能夠用於其方法的臨時固定用膜材料。
本發明的一方面有關一種半導體裝置之製造方法，其依序包括如下步驟：形成臨時固定用積層體之步驟，前述臨時固定用積層體具備具有支撐面及與其相反側的背面之支撐基板、光吸收層、以及具有第1主表面及與其相反側的第2主表面之臨時固定用樹脂層，且在前述支撐面上依序積層有前述光吸收層及前述臨時固定用樹脂層；在前述臨時固定用樹脂層上臨時固定半導體構件之步驟；從前述背面側對前述臨時固定用積層體照射光之步驟；及將前述半導體構件從前述臨時固定用樹脂層分離之步驟。
前述臨時固定用積層體藉由包括如下步驟之方法形成，亦即，準備臨時固定用膜材料之步驟，前述臨時固定用膜材料具有前述臨時固定用樹脂層、第1剝離膜、及第2剝離膜，且以前述第1剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面接觸，且前述第2剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面接觸之朝向，依序積層有前述第1剝離膜、前述臨時固定用樹脂層及前述第2剝離膜；將前述第1剝離膜從前述臨時固定用膜材料剝離，且以前述臨時固定用樹脂層的暴露之前述第1主表面與前述光吸收層接觸之朝向，將前述臨時固定用膜材料積層在設置於前述支撐面上之前述光吸收層上之步驟；及將前述第2剝離膜從前述臨時固定用膜材料剝離，使前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面暴露之步驟。前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面及前述第2主表面在物理擺測定中的對數衰減率的最大值分別為δ max1及δ max2時，δ max2小於δ max1。
本發明的另一方面有關一種臨時固定用膜材料之製造方法，其具備如下步驟：藉由在第1剝離膜上塗佈包含溶劑之樹脂清漆以形成前述樹脂清漆的膜，接著從前述膜去除前述溶劑，藉此將具有與前述第1剝離膜接觸之第1主表面及與其相反側的第2主表面之臨時固定用樹脂層形成於前述第1剝離膜上之步驟；及將前述第2剝離膜貼合於前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面之步驟。前述第1剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力小於前述第2剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力。
本發明的另一其他方面有關一種臨時固定用膜材料，其具備具有第1主表面及與其相反側的第2主表面之臨時固定用樹脂層、第1剝離膜、及第2剝離膜。以前述第1剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面接觸，且前述第2剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面接觸之朝向，依序積層有前述第1剝離膜、前述臨時固定用樹脂層、及前述第2剝離膜。前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面及前述第2主表面在物理擺測定中的對數衰減率的最大值分別為δ max1及δ max2時，δ max2小於δ max1。前述第1剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力小於前述第2剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力。 [發明效果]
依本發明的一方面，在藉由包括將半導體構件經光照射從臨時固定用樹脂層分離之方法製造半導體裝置之情況下，能夠抑制伴隨分離而引起之半導體構件上的樹脂殘渣的產生。
本發明並不限定於以下例。
圖1、圖2及圖3係表示半導體裝置之製造方法的一例之工序圖。圖1～圖3所示之方法依序包括：形成臨時固定用積層體15之步驟，前述臨時固定用積層體15具備具有支撐面21S1及與其相反側的背面21S2之支撐基板21、光吸收層22、及具有第1主表面10S1及與其相反側的第2主表面10S2之臨時固定用樹脂層10，且在支撐面21S1上依序積層有光吸收層22及臨時固定用樹脂層10；在臨時固定用樹脂層10上臨時固定半導體構件3之步驟；從背面21S2側對臨時固定用積層體15照射光hν之步驟；及將半導體構件3從臨時固定用樹脂層10分離之步驟。
臨時固定用積層體15使用如圖1（a）所示之臨時固定用膜材料1形成，臨時固定用膜材料1具有臨時固定用樹脂層10、第1剝離膜11、及第2剝離膜12。第1剝離膜11及第2剝離膜12分別具有剝離面11S及剝離面12S。剝離面11S相對於臨時固定用樹脂層10之剝離力可以小於剝離面12S相對於臨時固定用樹脂層10之剝離力。在臨時固定用膜材料1中，以第1剝離膜11的剝離面11S與臨時固定用樹脂層10的第1主表面10S1接觸，且第2剝離膜12的剝離面12S與臨時固定用樹脂層10的第2主表面10S2接觸之朝向，依序積層有第1剝離膜11、臨時固定用樹脂層10及第2剝離膜12。
臨時固定用積層體15藉由包含如下步驟之方法形成，亦即，準備臨時固定用膜材料1之步驟；如圖1（b）所示，將第1剝離膜11從臨時固定用膜材料1剝離，接著，如圖1（c）所示，以臨時固定用樹脂層10的暴露之第1主表面10S1與光吸收層22接觸之朝向，將臨時固定用膜材料1積層在設置於支撐面21S1上之光吸收層22之步驟；及如圖1（d）所示，從臨時固定用膜材料1剝離第2剝離膜12，使臨時固定用樹脂層10的第2主表面10S2暴露之步驟。
支撐基板21例如可以為無機玻璃基板或透明樹脂基板。支撐基板21的厚度例如可以為0.1～2.0mm。
藉由在支撐基板21的支撐面21S1上形成光吸收層22，準備具有支撐基板21及光吸收層22之帶光吸收層之支撐構件2。
可以在支撐基板與光吸收層之間設置樹脂層。前述樹脂層可以為固化性樹脂層的固化物。
光吸收層22的一例為包含吸收光並產生熱之導電體之導電體層。作為構成作為光吸收層22的導電體層之導電體的例子，可以舉出金屬、金屬氧化物、及導電性碳材料。金屬可以為鉻、銅、鈦、銀、鉑、金等單質金屬，亦可以為鎳-鉻、不銹鋼、銅-鋅等合金。作為金屬氧化物的例子，可以舉出氧化銦錫（ITO）、氧化鋅及氧化鈮。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。導電體可以為鉻、鈦或導電性碳材料。
光吸收層22可以為由單層或複數層形成之金屬層。金屬層相對於非同調光容易具有3.1%以下之透射率。例如，光吸收層22可以為由銅層及鈦層形成之金屬層。作為光吸收層22的金屬層可以為藉由真空蒸鍍及濺鍍等物理氣相沈積（PVD）、電漿化學蒸鍍等電漿化學氣相沉積（CVD）形成之層，亦可以為藉由電解鍍敷或無電解鍍敷形成之鍍敷層。依據物理氣相沈積，即使支撐基板21具有大面積，亦能夠有效地形成作為包覆支撐基板21的表面之光吸收層22的金屬層。
光吸收層22為單層金屬層之情況下，光吸收層22可以包含選自由鉈（Ta）、鉑（Pt）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鎢（W）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鋁（Al）、銀（Ag）和金（Au）組成之群組中之至少一種金屬。
光吸收層22可以由第一層及第二層這2層構成，從支撐基板21側依序積層有第一層及第二層。該情況下，例如第一層具有高光吸收性，第二層具有高熱膨脹係數及高彈性模量時，容易獲得特別良好的剝離性。從該觀點考慮，例如第一層可以包含選自由鉈（Ta），鉑（Pt），鎳（Ni），鈦（Ti），鎢（W）及鉻（Cr）組成之群組中之至少一種金屬，第二層可以包含選自由銅（Cu）、鋁（Al）、銀（Ag）及金（Au）組成之群組中之至少一種金屬。第一層可以包含選自由鈦（Ti）、鎢（W）及鉻（Cr）組成之群組中之至少一種金屬，第二層可以包含選自由銅（Cu）及鋁（Al）組成之群組中之至少一種金屬。
光吸收層的另一例係含有吸收光以產生熱之導電性粒子、及分散有導電性粒子之黏合劑樹脂之層。導電性粒子可以為包含上述導電體之粒子。例如，光吸收層22可以為包含導電性粒子及固化性樹脂組成物之層。構成光吸收層之固化性樹脂組成物能夠包含與構成光吸收層以外的部分的固化性樹脂層之固化性樹脂組成物相同的成分。構成光吸收層之固化性樹脂組成物可以與構成光吸收層以外的部分的固化性樹脂層之固化性樹脂組成物相同，亦可以不同。光吸收層中的導電性粒子的含量相對於光吸收層的導電性粒子以外的成分的總量、亦即黏合劑樹脂或固化性樹脂組成物的質量100質量份，可以為10～90質量份。導電性粒子的含量越大，光吸收層相對於非同調光容易具有3.1%以下之透射率。從透射率的觀點考慮，導電性粒子的含量可以為20質量%以上或30質量%以上。
包含導電性粒子及黏合劑樹脂之光吸收層例如能夠藉由如下方法形成，該方法包括如下步驟：將含有導電性粒子、黏合劑樹脂及有機溶劑之清漆塗佈於支撐構件上或樹脂層上之步驟；及從塗膜去除有機溶劑之步驟。可以將預先製作之光吸收層22積層在支撐基板21上或樹脂層上。
從輕剝離性的觀點考慮，光吸收層22的厚度可以為1～5000nm或100～3000nm。光吸收層22的厚度為50～300nm時，光吸收層22容易具有充分低的透射率。光吸收層22為由單層或複數層形成之金屬層之情況下，從良好的剝離性的觀點考慮，光吸收層22（或金屬層）的厚度可以為75nm以上、90nm以上或100nm以上，亦可以為1000nm以下。尤其光吸收層22為單層金屬層之情況下，從良好的剝離性的觀點考慮，光吸收層22（或金屬層）的厚度可以為100nm以上、125nm以上、150nm以上或200nm以上，亦可以為1000nm以下。光吸收層22即使為包含光吸收性比較低的金屬（例如Cu、Ni）之金屬層、或熱膨脹係數比較低的金屬（例如Ti）之金屬層，若其厚度大，則存在容易獲得更良好的剝離性之傾向。
形成臨時固定用積層體15後，在臨時固定用樹脂層10上臨時固定半導體構件3。半導體構件3具有主體部31、及設置於主體部31的外表面上之連接端子32。連接端子32的一部分或全部可以埋入於臨時固定用樹脂層10。半導體構件3可以為半導體晶圓或將半導體晶圓分割而獲得之半導體晶片組件。半導體構件3具有設置於主體部31上之再配線層，且以再配線層位於臨時固定用樹脂層10側，臨時固定半導體構件3。可以在1個臨時固定用積層體上臨時固定2個以上的半導體構件，亦可以與半導體構件一起臨時固定其他從動組件。
臨時固定用樹脂層10為包含固化性樹脂組成物之層情況下，藉由在臨時固定用樹脂層10上配置半導體構件3後，使臨時固定用樹脂層10熱固化或光固化，藉此半導體構件3與所固化之臨時固定用樹脂層10臨時固定。熱固化的條件例如可以為300℃以下或100～200℃、1～180分鐘或1～60分鐘。
臨時固定之半導體構件3可以被加工。圖2（f）表示包含半導體構件的主體部31的薄化之加工的例子。半導體構件的加工並不限定於此，例如能夠包括半導體構件（主體部）的薄化、半導體構件的分割（切割）、貫通電極的形成、蝕刻處理、鍍敷回流處理、濺鍍處理或該等組合。
半導體構件3的主體部31的薄化藉由使用研磨機等對主體部31的與臨時固定用樹脂層10相反側的面進行研削來進行。被薄化之主體部31的厚度例如可以為100μm以下。
如圖3（g）所示，可以將密封半導體構件3之密封層4形成於臨時固定用樹脂層10上，藉此形成具有半導體構件3及密封層4之密封結構體50。對被臨時固定之半導體構件3進行加工之情況下，通常，在半導體構件3的加工之後，形成密封層4。
密封層4能夠使用通常用於製造半導體裝置之密封材料來形成。例如，密封層4可以由熱固化性樹脂組成物形成。用於形成密封層4之熱固化性樹脂組成物例如包含甲酚酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、聯苯二環氧樹脂、萘酚酚醛清漆環氧樹脂等環氧樹脂等。密封層4及用於形成該等之熱固化性樹脂組成物可以包含填料和/或阻燃劑等添加劑。
密封層4例如使用固體材料、液體材料、細粒材料或密封膜來形成。在使用密封膜之情況下，使用壓縮密封成形機、真空層壓裝置等。例如，使用該等裝置，並用在40～180℃（或60～150℃）、0.1～10MPa（或0.5～8MPa）且0.5～10分鐘的條件下進行熱熔融之密封膜被覆半導體構件3，從而能夠形成密封層4。密封膜的厚度可以為50～2000μm、70～1500μm或100～1000μm。可以在形成密封層4後，將密封結構體50分割成包含半導體構件3之複數個部分。
如圖3（h）所示，從背面21S2側對臨時固定用積層體15照射光hν，之後，將半導體構件3從臨時固定用樹脂層10分離。在臨時固定用樹脂層10上形成密封結構體50之情況下，密封結構體50從臨時固定用樹脂層10分離。如圖4所示，可以藉由如下方法，將半導體構件3（或密封結構體50）從臨時固定用樹脂層10分離，該方法依序包括：從背面21S2側對臨時固定用積層體15照射光，藉此將臨時固定用樹脂層10從光吸收層22分離之步驟；及從半導體構件3（或密封結構體50）剝離臨時固定用樹脂層10之步驟。
藉由光hν的照射，光吸收層22吸收光而瞬間產生熱。藉由所產生之熱，例如可能發生臨時固定用樹脂層10的熔融、在臨時固定用積層體15與半導體構件3（或密封結構體50）之間產生之熱應力、及光吸收層22的飛散。該等現象中的1個或2個以上成為主要原因，經光吸收層22與臨時固定用樹脂層10的分離，半導體構件3（或密封結構體50）能夠容易從臨時固定用樹脂層10分離。為了將半導體構件3（或密封結構體50）從臨時固定用樹脂層10分離，可以照射光hν的同時，或者照射光hν後，對半導體構件3（或密封結構體50）施加應力。
光hν例如可以為雷射光，亦可以為非同調光。非同調光並非同調的光，並且為具有不產生干涉條紋、低可干涉性、低指向性之性質之電磁波。非同調光具有光路長度越長，越衰減之傾向。雷射光通常為非同調光，相比之下，太陽光、螢光燈的光等光為非同調光。非同調光亦能夠稱為除了雷射光以外的光。非同調光的照射面積通常比同調光（亦即，雷射光）大得多，因此能夠減少照射次數。例如，藉由一次照射，可以產生複數個半導體構件3的分離。從該等觀點考慮，可以採用非同調光。
非同調光可以包括紅外線。非同調光可以為脈衝光。非同調光的光源並無特別限制，但是可以為氙燈。氙燈為利用了藉由裝有氙氣之發光管中的施加/放電而發出的光之燈。
氙燈的照射條件包含施加電壓、脈衝寬度、照射時間、照射距離（光源與臨時固定用樹脂層的距離）、及照射能量等。能夠按照照射次數等，任意設定該等。從減少半導體構件3的損傷之觀點考慮，可以設定藉由一次照射而能夠分離半導體構件3（或密封結構體50）之照射條件。
有時在從臨時固定用樹脂層10分離之半導體構件3上殘留作為臨時固定用樹脂層10的一部分之樹脂殘渣。在臨時固定用樹脂層10的第1主表面10S1及第2主表面10S2中，根據該等物理擺測定中的對數衰減率選擇與半導體構件3接觸之面，藉此能夠抑制樹脂殘渣的產生。具體而言，第1主表面10S1在物理擺測定中的對數衰減率的最大值為δ max1，第2主表面10S2在物理擺測定中的對數衰減率的最大值為δ max2時，δ max2小於δ max1。對數衰減率的最大值δ max為反映了臨時固定用樹脂層10的表面的黏性程度之值，δ max小的表面可以說是具有相對小的黏性之表面。藉由以作為具有小的黏性、亦即表示更小的δ max之表面之第2主表面10S2與半導體構件3接觸之朝向配置臨時固定用樹脂層10，與表示更大的δ max之第1主表面10S1與半導體構件3接觸之情況相比，能夠相對降低樹脂殘渣的產生。半導體構件3所接觸之第2主表面10S2表示之δ max2例如可以為0.7以下或0.6以下，亦可以為0.2以上。
在此，物理擺測定中的對數衰減率的最大值能夠在以升溫速度5℃/分鐘從25℃升溫至150℃之條件進行測定。圖5係表示物理擺測定的方法的示意圖。圖5所示之方法中，使用溫度可變的載台6、及具有框架71（品種編碼：AX-FRB-100）和固定於框架71的一端之圓筒形邊緣72之擺錘7（品種編碼RBP040）。在框架71的另一端安裝錘及振動位移檢測器。在載台6上固定作為試驗片的臨時固定用樹脂層10，且在臨時固定用樹脂層10的第1主表面10S1或第2主表面10S2上承載邊緣72。該狀態下，從以邊緣72為支點使擺錘振動時的振動週期的變化求出對數衰減率。藉由一邊使載台6升溫一邊進行測定，能夠獲得表示對數衰減率與溫度之間的關係之曲線，並從其曲線求出對數衰減率的最大值δ max。能夠將在相同條件下測定之δ max為相對較小的主表面選作與半導體構件接觸之面。
圖6係表示製造臨時固定用膜材料1之方法的一例之工序圖。圖6所示之方法包括如下步驟：藉由在第1剝離膜11的剝離面11S上塗佈包含溶劑之樹脂清漆以形成樹脂清漆的膜，接著從膜去除溶劑，藉此將具有與第1剝離膜11接觸之第1主表面10S1及與其相反側的第2主表面10S2之臨時固定用樹脂層10形成於第1剝離膜11上之步驟；及將第2剝離膜12貼合於臨時固定用樹脂層10的第2主表面10S2之步驟。
藉由包含該種樹脂清漆的塗佈之方法形成臨時固定用樹脂層10之情況下，通常，與塗佈了樹脂清漆之第1剝離膜11接觸之第1主表面10S1所示之對數衰減率的最大值δ max1相比與貼合於所形成之臨時固定用樹脂層10之第2剝離膜12接觸之第2主表面10S2的δ max2相對較小。
因此，藉由將作為所形成之臨時固定用樹脂層10的保護膜積層之第2剝離膜12側的表面用作用於臨時固定半導體構件3之表面，從而能夠降低樹脂殘渣。通常，由於在使用膜材料時首先剝離保護膜，因此使用剝離力比塗佈樹脂清漆之基材膜的剝離力相對小的易剝離性的膜。然而，藉由以用作基材膜之第1剝離膜11的與臨時固定用樹脂層10接觸之剝離面11S的剝離力變得小於第2剝離膜12（保護膜）的與臨時固定用樹脂層10接觸之剝離面12S的剝離力的方式，選擇第1剝離膜11及第2剝離膜12，能夠在包括從臨時固定用膜材料1一邊殘留第2剝離膜12一邊首先剝離第1剝離膜11之步驟之上述方法中，容易應用臨時固定用膜材料1。
通常，剝離膜能夠將根據剝離性程度而分類者用作市售品。例如，作為第1剝離膜11使用輕剝離性剝離膜，作為第2剝離膜可以使用重剝離性剝離膜。例如，能夠在商業上利用聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂膜，亦即被離型處理之剝離面者，以使具有各種剝離力。
臨時固定用樹脂層10可以為包含藉由熱或光固化之固化性樹脂組成物之層。固化前的臨時固定用樹脂層10具有能夠藉由壓接半導體構件3等貼合之程度的接著性。所固化之臨時固定用樹脂層10在加工半導體構件3之期間等必要的期間保持半導體構件3。
從應力緩和的觀點考慮，臨時固定用樹脂層10的厚度例如可以為50μm以下、40μm以下或30μm以下且0.1μm以上，亦可以為50μm以下、40μm以下、或30μm以下且1μm以上。
所固化之臨時固定用樹脂層10的25℃下的儲能模量可以為5～100MPa。所固化之臨時固定用樹脂層10的25℃下的儲能模量為5MPa以上時，支撐基板21容易保持半導體構件3而不撓曲，並且存在進一步減少樹脂殘渣之傾向。所固化之臨時固定用樹脂層10的25℃下的儲能模量為100MPa以下時，存在能夠減小半導體構件3的位置偏移之傾向。從相同的觀點考慮，所固化之臨時固定用樹脂層10的25℃下的儲能模量可以為5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且100MPa以下，可以為5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且90MPa以下，可以為5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且80MPa以下，可以為5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且70MPa以下，可以為5.5MPa以上、6MPa以上或6.3MPa以上且65MPa以下。在本說明書中，所固化之臨時固定用樹脂層10的儲能模量係指藉由在升溫速度5℃/分鐘、頻率1Hz、拉伸模式的條件下測定之黏彈性測定而求出之值。
例如能夠藉由增加後述烴樹脂的含量、應用具有高Tg之烴樹脂、以及將絕緣性填料添加到固化性樹脂組成物之類的方法增加所固化之臨時固定用樹脂層10的25℃下的儲能模量。
所固化之臨時固定用樹脂層10的250℃下的儲能模量可以為0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且2.00MPa以下，可以為0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且2.00MPa以下，可以為0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且1.90MPa以下，可以為0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且1.80MPa以下，亦可以為0.70MPa以上、0.80MPa以上、0.85MPa以上或0.90MPa以上且1.75MPa以下。
構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物可以含有熱固化性樹脂及烴樹脂。烴樹脂為主骨架由烴構成之樹脂。固化性樹脂組成物包含烴樹脂時，在低溫下容易將半導體構件3貼合於臨時固定用樹脂層10。
從臨時固定用樹脂層10的低溫黏貼性的觀點考慮，烴樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）可以為50℃以下。從臨時固定用樹脂層10的良好的剝離性的觀點考慮，烴樹脂的Tg可以為-100℃以上或-50℃以上。
烴樹脂的Tg為藉由示差掃描量熱法（DSC）所獲得之中間點玻璃轉移溫度值。具體而言，烴樹脂樹脂的Tg為在升溫速度10℃/分鐘且測定溫度：-80～80℃的條件下測定熱量變化，並藉由基於JIS K 7121之方法算出之中間點玻璃轉移溫度。
烴樹脂例如包含選自由乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物彈性體、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-非共軛二烯共聚物、乙烯-1-丁烯-非共軛二烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯-非共軛二烯共聚物、聚異戊二烯、聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SBS）、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SIS）、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEPS）、及該等氫添加物組成之群組中之至少一種。該等烴樹脂可以具有羧基。羧基例如藉由使用順丁烯二酸酐等之改性而導入。烴樹脂可以包含含有源自苯乙烯之單體單元之苯乙烯系樹脂。苯乙烯系樹脂可以為苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）。
烴樹脂的重量平均分子量（Mw）可以為1万～500万或10万～200万。重量平均分子量為1万以上時，存在容易確保臨時固定用樹脂層的耐熱性之傾向。重量平均分子量為500万以下時，存在容易抑制臨時固定用樹脂層的流動性的降低及黏貼性的降低傾向。在此，重量平均分子量為利用凝膠滲透層析法（GPC）並使用了基於標準聚苯乙烯之校準曲線之聚苯乙烯換算值。
相對於構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物的總質量100質量份，烴樹脂的含量可以為40質量份以上、50質量份以上或60質量份以上且90質量份以下，可以為40質量份以上、50質量份以上或60質量份以上且85質量份以下，亦可以為40質量份以上、50質量份以上或60質量份以上且80質量份以下。烴樹脂的含量在該等樹脂範圍內時，存在容易形成薄且平坦的臨時固定用樹脂層10之傾向。又，臨時固定用樹脂層10存在容易具有在低溫下的良好的黏貼性、及固化後的適當的儲能模量之傾向。在此，“固化性樹脂組成物的總質量”係指去除後述的溶劑之成分的合計質量。
熱固化性樹脂係藉由熱固化反應使固化性樹脂組成物固化之成分。熱固化反應可以為熱固化樹脂與固化劑的反應、熱固化性樹脂的自聚合、或該等的組合。作為熱固化性樹脂的例子，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、酚醛樹脂、熱固化型聚醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂及脲樹脂。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。熱固化性樹脂由於耐熱性、作業性及可靠性更加優異，因此可以包含環氧樹脂。
環氧樹脂為具有1個以上環氧基之化合物。環氧樹脂可以具有2個以上環氧基。作為具有2個以上的環氧基之環氧樹脂的例子，可以舉出雙酚A型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂（苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等）、縮水甘油胺型環氧樹脂、含雜環環氧樹脂、及脂環式環氧樹脂。
固化性樹脂組成物可以包含熱固化性樹脂及其固化劑。相對於固化性樹脂組成物的總質量100質量份，熱固化性樹脂及其固化劑的合計的含量可以為10質量份以上、15質量份以上或20質量份以上且60質量份以下，可以為10質量份以上、15質量份以上或20質量份以上且50質量份以下，亦可以為10質量份以上、15質量份以上或20質量份以上且40質量份以下。熱固化性樹脂及其固化劑的合計的含量在該等範圍內時，存在能夠容易形成薄且平坦的臨時固定用樹脂層之傾向，以及存在所固化之臨時固定用樹脂層10的耐熱性更優異之傾向。
在使用環氧樹脂作為熱固化性樹脂之情況下，固化性樹脂組成物可以包含環氧樹脂固化劑。環氧樹脂固化劑，並無特別限定，作為其例子，可以舉出胺、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、雙酚（雙酚A、雙酚F、雙酚S等）、及酚醛樹脂（苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、酚醛芳烷基樹脂等）。
熱固化性樹脂組成物可以進一步包含促進環氧樹脂等熱固化性樹脂的固化反應之固化促進劑。作為固化促進劑的例子，可以舉出咪唑化合物、二氰二胺、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸、及1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一碳-7-四苯基硼酸。該等可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。
相對於熱固化性樹脂及固化劑的總量100質量份，固化促進劑的含量可以為0.01～5質量份。固化促進劑的含量在該範圍內時，存在臨時固定用樹脂層的固化性和固化後的耐熱性更優異之傾向。
構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物可以包含具有聚合性不飽和基團之聚合性單體及聚合起始劑。該情況下，固化性樹脂組成物亦可以進一步包含上述烴樹脂。
聚合性單體係具有乙烯性不飽和基團等聚合性不飽和基團之化合物。聚合性單體可以為1官能、2官能或3官能以上的任一個，但從獲得充分的固化性之觀點考慮，可以使用2官能以上的聚合性單體。作為聚合性單體的例子，可以舉出（甲基）丙烯酸酯、二氟亞乙烯、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基吡啶、乙烯基醯胺及乙烯基芳基化。聚合性單體可以為（甲基）丙烯酸酯或（甲基）丙烯酸。（甲基）丙烯酸酯可以為單官能（甲基）丙烯酸酯、2官能（甲基）丙烯酸酯、3官能以上的多官能（甲基）丙烯酸酯或該等的組合。
作為單官能（甲基）丙烯酸酯的例子，可以舉出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛基庚酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、及單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）琥珀酸酯（succinate）等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；以及（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸鄰聯苯酯、（甲基）丙烯酸1-萘酯、（甲基）丙烯酸2-萘酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸對-異丙苯基苯氧基（Cumylphenoxy）乙酯、（甲基）丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸1-萘氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（鄰苯基苯氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（1-萘氧基）丙酯、及（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（2-萘氧基）丙酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯。
作為2官能（甲基）丙烯酸酯的例子，可以舉出乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,3-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,9-壬二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯、甘油二（甲基）丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇（甲基）丙烯酸酯、及乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二（甲基）丙烯酸酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；以及乙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化雙酚F二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化雙酚F二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚F二（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯、及乙氧基化丙氧基化茀型二（甲基）丙烯酸酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯。
作為3官能以上的多官能（甲基）丙烯酸酯的例子，可以舉出三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、丙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、及二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；以及苯酚酚醛清漆型環氧（甲基）丙烯酸酯、及甲酚酚醛清漆型環氧（甲基）丙烯酸酯等芳香族環氧（甲基）丙烯酸酯。
該等（甲基）丙烯酸酯可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。可以將該等（甲基）丙烯酸酯與其他聚合性單體組合。
相對於構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物的質量100質量份，聚合性單體的含量可以為10～60質量份。
聚合起始劑係藉由加熱或紫外光等的照射來引發聚合性單體的聚合反應之化合物。例如，聚合性單體為具有乙烯性不飽和基團之化合物之情況下，聚合起始劑可以為熱自由基聚合起始劑、光自由基聚合起始劑或該等的組合。
作為熱自由基聚合起始劑的例子，可以舉出辛醯基過氧化物、月桂基過氧化物、十八烷基過氧化物、苯甲醯過氧化物等二醯基過氧化物；第三丁基過氧基新戊酸酯、第三己基過氧基新戊酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙（2-乙基己醇過氧化基）己烷、第三己基過氧基-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧基-2-乙基己酸酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化異丙基單碳酸第三己酯、第三丁基過氧基-3,5,5-三甲基己酸酯、第三丁基過氧基月桂酸酯、過氧化異丙基單碳酸第三丁酯、第三丁基過氧基-2-乙基己基碳酸酯、過氧苯甲酸第三丁酯、過氧苯甲酸第三己酯、2,5-二甲基-2,5-雙（苯甲醯過氧化）己烷、過氧乙酸第三丁酯等過氧化酯；以及2,2’-偶氮二異丁晴、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）、2,2’-偶氮雙（4-甲氧基-2’-二甲基戊腈）等偶氮化合物。
作為光自由基聚合起始劑的例子，可以舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮等苯偶姻縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-（2-羥基乙氧基）苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；以及雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基）苯膦氧化物、雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦氧化物等膦氧化物。
該等熱自由基聚合起始劑及光自由基聚合起始劑可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。
相對於聚合性單體的總量100質量份，聚合起始劑的含量可以為0.01～5質量份。
構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物可以進一步包含絕緣性填料、增感劑、抗氧化劑等作為其他成分。
以對固化性樹脂組成物賦予低熱膨脹性、低吸濕性之目的，添加絕緣性填料。作為絕緣性填料的例子，可以舉出二氧化矽、氧化鋁、氮化硼、二氧化鈦、玻璃及陶瓷等非金屬無機填料。該等絕緣性填料可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。
相對於構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物的總質量100質量份，絕緣性填料的含量可以為5～20質量份。絕緣性填料的含量在該數值範圍時，所固化之臨時固定用樹脂層10存在具有優異之耐熱性及良好的剝離性之傾向。
作為增感劑的例子，可以舉出蒽、菲、䓛、苯并芘、丙二烯合茀、紅螢烯、芘、口山口星、陰丹酮、硫雜蒽-9-酮、2-異丙基-9H-硫雜蒽-9-酮、4-異丙基-9H-硫雜蒽-9-酮、及1-氯-4‐丙氧基硫雜蒽酮。相對於構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物的總質量100質量份，增感劑的含量可以為0.01～10質量份。
作為抗氧化劑的例子，可以舉出苯醌及氫醌等醌衍生物、4-甲氧基酚醛及4-第三丁基鄰苯二酚等酚醛衍生物、2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基及4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基等胺氧基衍生物、以及四甲基哌啶基甲基丙烯酸酯等受阻胺衍生物。相對於構成臨時固定用樹脂層10之固化性樹脂組成物的總質量100質量份，抗氧化劑的含量可以為0.1～10質量份。
用於形成臨時固定用樹脂層10之樹脂清漆包含以上例示之固化性樹脂組成物的各成分及溶劑。溶劑可以為包含兩種以上溶劑之混合溶劑。藉由從包含沸點不同的兩種以上的溶劑之樹脂清漆去除溶劑而形成之臨時固定用樹脂層10的第2主表面10S2存在容易具有更低的黏性之傾向。作為溶劑的例子，可以舉出如甲苯、二甲苯及薴烯的芳香族溶劑、及環己酮。混合溶劑例如能夠包含芳香族溶劑及環己酮。以樹脂清漆的質量為基準，樹脂清漆中的溶劑以外的成分的濃度例如可以為10～30質量%。 [實施例]
以下，舉出實施例對本發明進行更具體的説明。但是，本發明並不限定於該等實施例。
1．臨時固定用膜材料 準備了用作基材膜或保護膜之以下剝離膜。 ·PUREX A31B（產品名稱）：輕剝離類型、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜、TOYOBO FILM SOLUTIONS LIMITED、厚度：38μm ·PUREX A70J（產品名稱）：重剝離類型、PET膜、TOYOBO FILM SOLUTIONS LIMITED、厚度：38μm
製備了包含順丁烯二酸酐改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（產品名稱：FG1924GT、Kraton Corporation.、苯乙烯含量13質量%）35質量份、順丁烯二酸酐改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（產品名稱：FG1901GT、Kraton Corporation.、苯乙烯含量13質量%）35質量份、二環戊二烯型環氧樹脂（產品名稱：HP7200、DIC Corporation）15質量份、萘型環氧樹脂（產品名稱：HP4710、DIC Corporation）15質量份、苯酚系抗氧化劑（產品名稱：AO-60、ADEKA CORPORATION）0.8質量份、及1-氰乙基-2-苯基咪唑（產品名稱：2PZ-CN、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION.）2質量份、以及作為溶劑的甲苯及環己酮之樹脂清漆。甲苯與環己酮的質量比為1.0:2.6。
使用精密塗佈機將所獲得之樹脂清漆塗佈於基材膜（PUREX A31B）的剝離面，藉由在90℃下加熱5分鐘，以及繼續在100℃加熱5分鐘來從塗膜去除溶劑，以製作了厚度為80μm的臨時固定用樹脂層。將保護膜（PUREX A70J）以其剝離面與臨時固定用樹脂層接觸之朝向貼合於臨時固定用樹脂層的與基材膜相反側的面。藉此，獲得了由基材膜（第1剝離膜）、臨時固定用樹脂層、及保護膜（第2剝離膜）構成之臨時固定用膜材料。
在剛剛製作臨時固定用膜材料之後（初期），能夠在保護膜側留下臨時固定用樹脂層的同時剝離基材膜。將臨時固定用膜材料在冰箱中保管1周後，亦能夠同樣地剝離基材膜。另一方面，在藉由將保護膜變更為輕剝離類型的A31B以外，與上述相同的方法製作之臨時固定用膜材料的情況下，在製作後，未能在保護膜側留下臨時固定用樹脂層的同時剝離基材膜。
2．物理擺試驗 藉由物理擺試驗機（RPT-3000W（產品名稱）、A&D company），且在以下條件下，對臨時固定用樹脂層的基材膜（PUREX A31B）側的主表面10S1、及保護膜（PUREX A70J）側的主表面10S2進行了評價。 溫度範圍：25～150℃ 升溫速度：5℃/分鐘 邊緣：RBP-040（圓筒形） 測定結果示於圖7。圖7係表示對數衰減率與溫度之間的關係之曲線圖。保護膜（第2剝離膜）側的主表面10S2所示之對數衰減率的最大值小於基材膜（第1剝離膜）側的主表面10S2所示之對數衰減率的最大值。對數衰減率的最大值在基材膜（第1剝離膜）側的主表面10S1上為0.94，在保護膜（第2剝離膜）側的主表面10S2上為0.53。
3．評價 試驗1 準備了具有玻璃基板、及藉由濺鍍法形成在玻璃基板上之金屬層（Ti層（厚度50nm）/銅層（200nm）的積層體）之帶金屬層之支撐構件。將基材膜或保護膜從臨時固定用膜材料剝離，且以臨時固定用樹脂層的暴露之主表面10S1或10S2與金屬層接觸之朝向，將臨時固定用膜材料積層在金屬層上。然後，剝離留在臨時固定用樹脂層上之基材膜或保護膜。
藉由在臨時固定用樹脂層的暴露之主表面10S1或10S2上，承載具有作為連接端子的凸塊之半導體晶片，且在該狀態下使臨時固定用樹脂層熱固化，以使將半導體晶片臨時固定成凸塊埋入臨時固定用樹脂層。使用密封劑形成密封半導體晶片之密封層，且在帶金屬層之支撐構件上形成了帶臨時固定用樹脂層之密封結構體。
從玻璃基材側，藉由疝燈並以施加電壓3800V、脈衝寬度300μs、照射距離50mm、照射次數1次、及照射時間200μs的照射條件進行照射，將臨時固定用樹脂層及密封結構體從支撐構件剝離。之後，藉由向臨時固定用樹脂層施加拉伸應力以從密封結構體剝離臨時固定用樹脂層，而使密封結構體從臨時固定用樹脂層剝離。照射距離為光源與設置有載玻片之載台的距離。剝離後、利用光學顯微鏡或掃描型電子顯微鏡對暴露之半導體晶片的凸塊側的面進行了觀察。圖8係半導體晶片的光學顯微鏡照片，圖9係掃描型電子顯微鏡照片。在圖8及圖9中，（a）係在臨時固定用樹脂層的基材膜（第1剝離膜）側的主表面10S1上臨時固定半導體晶片之情況下的照片，（b）係在臨時固定用樹脂層的保護膜（第2剝離膜）側的主表面10S2上臨時固定半導體晶片之情況下的照片。如圖8及圖9（a）所示，將臨時固定用樹脂層的保護膜側的主表面10S2貼合於金屬層，在基材膜側的主表面10S1上臨時固定半導體晶片之情況下，發生了大量源自臨時固定用樹脂層之樹脂殘渣。在圖9（a）的照片中，例如在由虛線圓圈包圍之部分觀察到樹脂殘渣。另一方面，如圖8及圖9（b）所示，將臨時固定用樹脂層的基材膜側的主表面10S1貼合於金屬層，在保護膜側的主表面10S2上臨時固定半導體晶片之情況下，未確認到源自臨時固定用樹脂層之樹脂殘渣的產生。
試驗2 將溶劑變更為甲苯、薴烯及環己酮（CHN）的混合溶劑或二甲苯及環己酮（CHN）的混合溶劑以外，以與試驗1相同的方式，製作臨時固定用膜材料，確認了半導體晶片上有無樹脂殘渣。關於任一臨時固定用膜材料，在保護膜側的主表面10S2上臨時固定半導體晶片之情況下，均未確認到樹脂殘渣的產生。以如下步驟測定了各臨時固定用樹脂層的100℃下的黏度、固化後的臨時固定用樹脂層的儲能模量、及基材膜及保護膜的剝離強度。測定結果示於表1。
黏度 在升溫速度10℃/分鐘的條件下測定臨時固定用樹脂層的黏度，而求出了100℃下的黏度。
儲能模量 藉由將臨時固定用樹脂層切割成規定尺寸（縱（夾頭間距離）20mm×橫5.0mm），且在潔淨烘箱（ESPEC Corp.製造）中以180℃、2小時的條件進行熱固化，藉此獲得了所固化之臨時固定用樹脂層的試驗片。藉由以下條件的黏彈性測定，測定了25℃及270℃的儲能模量。將結果示於表1中。 裝置名：動態黏彈性測定裝置（TA Instruments公司製造、RSA-G2） 測定溫度區域：-70～300℃ 升溫速度：5℃/分鐘 頻率：1Hz 測定模式：拉伸模式
剝離強度 剝離強度藉由對矽鏡面晶圓及臨時固定用樹脂層之間的90°剝離強度進行測定來評價。將厚度為625μm的矽鏡面晶圓（6英吋）配置於真空層壓機（NPC Incorporated製造、LM-50X50-S）的載台上，剝離臨時固定用樹脂層的剝離膜，以使臨時固定用膜的主表面配置成與矽鏡面晶圓接觸。在1.5kPa（15mbar）的條件下，以溫度120℃及壓力0.1MPa加熱加壓2分鐘，並進行真空層壓而獲得了樣品。使所獲得之樣品繼續在200℃下加熱1小時並使其固化。之後，從樣品切割出10mm寬度的測定用樣品。利用剝離角度設定為90°之剝離試驗機，以50mm/分鐘的速度對測定用樣品實施剝離試驗，並從試驗結果求出剝離強度。對主表面10S1或10S2兩者實施了測定。將結果示於表1中。
【表1】
溶劑 甲苯/CHN 甲苯/薴烯/CHN 二甲苯/CHN
厚度[μm] 80 80 80
黏度（固化前） [Pa·s] 100°C 101000 85300 70500
儲能模量（固化後） [MPa] 25°C 82 71 75
270°C 1.8 1.2 1.7
剝離強度 [N/25mm] 保護膜 9.3 11.2 10.5
基材膜 14.8 12.5 13.4
樹脂殘渣 主表面10S2 （保護膜側） 無 無 無
主表面10S1 （基材膜側） 有 有 有
1:臨時固定用膜材料 3:半導體構件 4:密封層 10:臨時固定用樹脂層 10S1:第1主表面 10S2:第2主表面 11:第1剝離膜 11S,12S:剝離面 12:第2剝離膜 15:臨時固定用積層體 21:支撐基板 21S1:支撐面 21S2:背面 22:光吸收層 50:密封結構體
圖1係表示半導體裝置之製造方法的一例之工序圖。 圖2係表示半導體裝置之製造方法的一例之工序圖。 圖3係表示半導體裝置之製造方法的一例之工序圖。 圖4係表示半導體裝置之製造方法的一例之工序圖。 圖5係表示物理擺測定的方法的示意圖。 圖6係表示製造臨時固定用膜材料之方法的一實施方式的工序圖。 圖7係表示物理擺測定中的對數衰減率與溫度之間的關係之曲線圖。 圖8係從臨時固定用樹脂層剝離之半導體晶片的光學顯微鏡照片。 圖9係從臨時固定用樹脂層剝離之半導體晶片的光學顯微鏡照片。
1:臨時固定用膜材料
2:帶光吸收層之支撐構件
10:臨時固定用樹脂層
10S1:第1主表面
10S2:第2主表面
11:第1剝離膜
11S:剝離面
12:第2剝離膜
12S:剝離面
15:臨時固定用積層體
21:支撐基板
21S1:支撐面
21S2:背面
22:光吸收層

Claims (7)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其依序包括如下步驟： 形成臨時固定用積層體之步驟，前述臨時固定用積層體具備具有支撐面及與其相反側的背面之支撐基板、光吸收層、以及具有第1主表面及與其相反側的第2主表面之臨時固定用樹脂層，且在前述支撐面上依序積層有前述光吸收層及前述臨時固定用樹脂層； 在前述臨時固定用樹脂層上臨時固定半導體構件之步驟； 從前述背面側對前述臨時固定用積層體照射光之步驟；及 將前述半導體構件從前述臨時固定用樹脂層分離之步驟， 前述臨時固定用積層體藉由依序包括如下步驟之方法而形成，亦即， 準備臨時固定用膜材料之步驟，前述臨時固定用膜材料具有前述臨時固定用樹脂層、第1剝離膜、及第2剝離膜，以前述第1剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面接觸，且前述第2剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面接觸之朝向，依序積層有前述第1剝離膜、前述臨時固定用樹脂層、及前述第2剝離膜； 將前述第1剝離膜從前述臨時固定用膜材料剝離，且以前述臨時固定用樹脂層的暴露之前述第1主表面與前述光吸收層接觸之朝向，將前述臨時固定用膜材料積層在設置於前述支撐面上之前述光吸收層上之步驟；及 將前述第2剝離膜從前述臨時固定用膜材料剝離，使前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面暴露之步驟， 前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面及前述第2主表面在物理擺測定中的對數衰減率的最大值分別為δ max1及δ max2時，δ max2小於δ max1。
  2. 如請求項1所述之方法，其中 藉由如下方法，將前述半導體構件從前述臨時固定用樹脂層分離，該方法依序包括如下步驟：從前述背面側對前述臨時固定用積層體照射光，藉此將前述臨時固定用樹脂層從前述光吸收層分離之步驟；及從前述半導體構件剝離前述臨時固定用樹脂層之步驟。
  3. 如請求項1或請求項2所述之方法，其進一步包括對臨時固定於前述臨時固定用樹脂層上之前述半導體構件進行加工之步驟。
  4. 如請求項1至請求項3之任一項所述之方法，其進一步包括在前述臨時固定用樹脂層上形成密封前述半導體構件之密封層，藉此形成具有前述半導體構件及前述密封層之密封結構體之步驟。
  5. 一種臨時固定用膜材料之製造方法，其具備如下步驟： 藉由在第1剝離膜上塗佈包含溶劑之樹脂清漆以形成前述樹脂清漆的膜，接著從前述膜去除前述溶劑，藉此將具有與前述第1剝離膜接觸之第1主表面及與其相反側的第2主表面之臨時固定用樹脂層形成於前述第1剝離膜上之步驟；及 將前述第2剝離膜貼合於前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面之步驟， 前述第1剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力小於前述第2剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力。
  6. 如請求項5所述之方法，其中 前述溶劑為包含兩種以上的溶劑之混合溶劑。
  7. 一種臨時固定用膜材料，其具備具有第1主表面及與其相反側的第2主表面之臨時固定用樹脂層、第1剝離膜、及第2剝離膜， 以前述第1剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第1主表面接觸，且前述第2剝離膜與前述臨時固定用樹脂層的前述第2主表面接觸之朝向，依序積層有前述第1剝離膜、前述臨時固定用樹脂層、及前述第2剝離膜， 前述臨時固定用樹脂層的第1主表面及第2主表面在物理擺測定中的對數衰減率的最大值分別為δ max1及δ max2時，δ max2小於δ max1， 前述第1剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力小於前述第2剝離膜的與前述臨時固定用樹脂層接觸之面的剝離力。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100339948C (zh) * 2002-03-28 2007-09-26 三井化学株式会社 半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法
JP2009132867A (ja) * 2007-11-06 2009-06-18 Lintec Corp 板状部材加工用両面粘着シートおよび板状部材加工方法
JP5491049B2 (ja) * 2009-03-11 2014-05-14 日東電工株式会社 半導体ウエハ保護用基材レス粘着シート、その粘着シートを用いた半導体ウエハ裏面研削方法及びその粘着シートの製造方法
JP2012054431A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保護用粘着シート
JP6460367B2 (ja) * 2014-03-26 2019-01-30 ニッタ株式会社 仮固定用両面粘着テープおよびそれを用いた被加工物の仮固定方法
WO2019106846A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
WO2020111146A1 (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JPWO2020111193A1 (ja) 2018-11-29 2021-10-21 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体装置を製造する方法、光吸収積層体、及び仮固定用積層体

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