TW202200855A - 氮化物積層體、及氮化物積層體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本申請提供抑制對於氮化物層的污染，改善了結晶性的氮化物積層體。所述氮化物積層體具備高分子基材以及形成於上述高分子基材的至少一面的氮化物層，上述氮化物層為具有纖維鋅礦型晶體結構的氮化物層，上述氮化物層所包含的氧原子的存在原子量為2.5 atm.%以下，氫原子的存在原子量為2.0 atm.%以下，X射線搖擺曲線的半值總寬度為8°以下。

Description

氮化物積層體、及氮化物積層體之製造方法
本發明係關於氮化物積層體以及氮化物積層體的製造方法。
氮化鋁(AlN)等絕緣性的氮化物被用於高頻噪聲過濾器、壓電器件、超聲波器件等。氮化鎵(GaN)等半導體氮化物被用於LED、雷射器等光半導體器件。
氮化物的薄膜能夠由與化學氣相生長相比，材料的利用效率良好，成膜溫度也低的反應性濺射法來形成。使非活性氣體離子以高速碰撞鋁、金屬鎵等金屬靶標，使被敲打出的金屬離子與氮氣體進行反應，使作為膜材料的濺射分子附著於對置的基板表面。作為金屬靶標與基板之間所連接的電源，使用了直流(DC)電源、高頻(RF)電源等。在使用任一電源的情況下，都能夠藉由在靶標電極配置磁控管來加速荷電粒子，從而促進非活性氣體的離子化，提高成膜速度。
已知利用高功率的RF濺射進行在矽(Si)晶片上的AlN層的形成(例如，參照專利文獻1)，利用RF磁控濺射在高分子薄膜上的纖維鋅礦型的結晶的壓電體層的形成(例如，參照專利文獻2)等。
藉由DC磁控濺射也在Si基板上形成AlN薄膜。提出了在DC磁控濺射之前，在將Si晶片裝載於濺射室內的基板固定件的狀態下，將室內進行加熱和真空排氣，放置約2小時，將附著於室內壁的水脫離的方法(例如，參照專利文獻3)。
報告了藉由高功率脈衝磁控濺射(HiPIMS：High Power Impulse Magnetron Sputtering)，降低了形成於Si基板上的AlN膜的X射線搖擺曲線的半寬度(例如，參照非專利文獻1)。 [先前技術文獻] 專利文獻 專利文獻1:日本特開平03-104308號公報 專利文獻2:日本特開2008-211095號公報 專利文獻3:日本特開平07-316809號公報 非專利文獻 非專利文獻1:K.A. Aissa et al., 「AlN films deposited by dc magnetron sputtering and high power impulse magnetron sputtering for SAW application」, Journal of Physics D applied Physics 48(14):145307, March 2015
＜發明欲解決之問題＞
在高分子基材上形成氮化物的薄膜的情況下，與在Si晶片等無機材料的基板上形成氮化物薄膜的情況相比，成膜溫度受到限制。此外，即使利用專利文獻3的方法進行加熱和真空排氣，有時也不能完全除去水分，濺射氣氛中的來源於水分的氫(H)原子、氧(O)原子被攝取至膜中。在利用高功率進行的RF濺射中，非活性氣體的氬(Ar)原子被攝取至膜中。
本發明的目的在於提供抑制對於氮化物層的污染，結晶性得以改善的氮化物積層體。 ＜用於解決問題之手段＞
發明人等基於被攝取至氮化物中的氧原子、氫原子等作為雜質起作用，對於氮化物薄膜的結晶性、取向性沒有帶來影響這樣的預測而反復實驗。藉由抑制積層於高分子基材上的氮化物層的水分的污染，從而實現結晶品質良好的氮化物積層體。
在公開的一個方式中，具備高分子基材以及形成於上述高分子基材的至少一面的氮化物層的氮化物積層體中， 上述氮化物層為具有纖維鋅礦型晶體結構的氮化物層， 上述氮化物層所包含的氧原子的存在原子量為2.5 atm.%以下，氫原子的存在原子量為2.0 atm.%以下， X射線搖擺曲線的半值總寬度為8°以下。＜ 發明之功效 ＞
藉由上述構成，獲得氮化物層的污染得以抑制，結晶性得以改善的氮化物積層體。
在實施方式中，利用高功率脈衝磁控濺射(以下，稱為「HiPIMS」)，使作為反應性氣體的氮原子活化，抑制不能完全除去的水分的污染。由此，提高形成於高分子基材上的氮化物層的結晶取向性。
圖1A～圖1D為實施方式的氮化物積層體的示意圖。在圖1A中，氮化物積層體10A具有高分子基材11、以及形成於該高分子基材11的至少一主面的氮化物層13。氮化物層13為具有纖維鋅礦型晶體結構的層，由HiPIMS法來成膜。
HiPIMS法為數十千瓦～兆瓦的大功率被瞬間投入，時間軸上來看，99%以上成為OFF狀態。藉由瞬間的大功率的投入，與通常的磁控濺射相比，生成高密度的電漿，原料粒子與反應性氣體的離子化率提高。對於高分子基材11的表面的原料離子以及反應性氣體離子的迂迴和附著良好，氮化物的化學結合狀態被改性。由此，在高分子基材11的主面上，在低溫下成膜為結晶性和緻密性良好的平滑的膜。
氮化物層13中的氧原子的存在原子量為2.5 atm.%以下，氮化物層13中的氫原子的存在原子量為2.0 atm.%以下。關於其根拠，進行後述。
氮化物層13選自AlN、GaN、InN或它們的化合物。這些材料取纖維鋅礦的晶體結構，在c軸向上具有極化。纖維鋅礦型的結晶具有在大氣中穩定的晶體結構。InN的帶隙窄達0.7eV左右，但是AlN的帶隙寬達6.2eV。GaN的帶隙為3.4eV。藉由使用氮化物層13，從而製作從近紅外直至紫外的寬波長範圍的發光元件。此外，能夠利用c軸向的極化，應用於壓電器件。
氮化物層13的(002)面的X射線搖擺曲線的半值總寬度優選為8°以下，更優選為7°以下。關於其根拠，進行後述。
高分子基材11選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、聚醯亞胺(PI)等。藉由使用高分子基材11，從而能夠應用於柔性的發光裝置、壓電元件、頻率過濾器、輥對輥製程。
在上述材料中，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物為無色透明的材料，在氮化物積層體10A應用於發光元件等需要光透射性的器件的情況下，是有利的。在氮化物積層體10A用於不要求光透射性的用途的情況下，例如，在應用於脈搏監測器、心率計等衛生健康用品、車載壓力檢測片等的情況下，可以使用PI等半透明或不透明的塑膠材料。
氮化物層13的厚度藉由控制成膜條件，從而獲得所期望的厚度，能夠根據用途，例如，設為10nm以上10μm以下。在使用氮化物層13作為上層的取向控制層的情況下，可以設為10nm～50nm的厚度。在將氮化物層13作為壓電層、傳感器層的情況下，可以設為200nm～1μm，或其以上的厚度。可以在氮化物層13的至少一面側設置電極層。
能夠控制HiPIMS的成膜時間、脈衝寬度、脈衝施加的頻率、原料氣體的流量、偏置電壓等，製成所期望的膜厚。由於在高分子基材11上形成氮化物層，因此期望在基板溫度為150℃以下，更優選為100℃以下進行成膜。脈衝寬度設為1μs～300μs。如果比300μs長，則熱對於高分子基材11的影響變大。如果小於1μs，則使原料粒子與氣體離子化變得困難。
圖1B為氮化物積層體10B的示意圖。氮化物積層體10B在高分子基材11與氮化物層13之間具有金屬層12。金屬層12作為用於對於氮化物層13施加電壓的電極層，或者提高氮化物層13的結晶的品質的基底層的至少一者起作用。
金屬層12為例如，鉬(Mo)、鎢(W)、鋰(Li)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、它們的積層等體心立方結構的金屬。作為金屬層12，可以使用鈦(Ti)、鉿(Hf)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鈷(Co)、它們的積層等六角密集填充結構的金屬。
如果將這些金屬的層配置於氮化物層13的基底，則如後述那樣，氮化物層13的結晶取向性提高。在將金屬層12用作氮化物層13的基底金屬的情況下，金屬層12的厚度為10nm～200nm，更優選為30nm～150nm。在將金屬層12用作電極的情況下，從元件的小型化和電氣特性的穩定化的觀點考慮，為50nm～400nm，更優選為100nm～300nm。
金屬層12利用常溫或100℃以下的微加熱就能夠成膜的濺射來成膜。
圖1C為氮化物積層體10C的示意圖。氮化物積層體10B在成膜於高分子基材11上的氮化物層13的表面具有金屬層12。金屬層12由與圖1B同樣的金屬材料來形成。
氮化物積層體10C能夠在高分子基材11的背面形成電極層以用作元件。或者也能夠在金屬層12上，將第2氮化物層與第2金屬層積層以用作元件。
圖1D為氮化物積層體10D的示意圖。氮化物積層體10D在氮化物層13的兩面具有金屬層12和金屬層14。氮化物積層體10D具有金屬層12、氮化物層13和金屬層14的夾層結構，應用於壓電元件、高頻過濾器、傳感器等。氮化物積層體10D由於使用薄且易於應變的高分子基材11，因此在用作壓電元件的情況下，即使力弱，也能夠藉由極化產生電荷。
圖2表示在高分子基材11上由各種濺射法形成的AlN(002)面的X射線搖擺曲線的半值總寬度。作為高分子基材11，使用厚度50μm的聚醯亞胺(PI)膜。
X射線搖擺曲線的半值總寬度作為結晶取向性的指標來使用。半值總寬度越小，則結晶的取向越整齊。此外，搖擺曲線的積分值(峰的面積)表示結晶性。峰面積越大，則結晶尺寸越大。
作為濺射法，除了實施方式所使用的HiPIMS以外，作為參考例，利用DC磁控濺射(DCMS)和RF濺射形成AlN層。任一濺射法中，都將功率設為500W，壓力設為0.67Pa，靶標與基板之間的距離設為65mm，氮(N2 )氣體的共有比例設為17%，背壓設為3×10-5 Pa。此外，利用全部樣品，在濺射之前，進行加熱和真空排氣。利用各濺射法製作出使AlN層的厚度為0.5μm和1.0μm的2組樣品。
如果在PI膜上由DCMS形成AlN層，則不論膜厚如何，X射線搖擺曲線的半值總寬度寬達27°～28°，取向性不充分。
如果在PI膜上由RF濺射形成AlN層，則在0.5μm的厚度時，X射線搖擺曲線的半值總寬度為24.4°，取向性不充分。如果膜厚生長直至1.0μm，則半值總寬度被改善為23.2°，但結晶取向性仍不充分。
如果在PI膜上由HiPIMS形成AlN層，則X射線搖擺曲線的半值總寬度在膜厚0.5μm時為6.5°，在膜厚1.0μm時為6.0°。藉由使用HiPIMS，從而不論AlN層的厚度如何，都獲得7.0°以下的半值總寬度。基於該認知，在實施方式中，在高分子基材11上，由HiPIMS法形成氮化物層13。
圖3表示由各種濺射法形成的AlN層的組成。膜中的鋁(Al)、氮(N)、氧(O)以及氬(Ar)的含量利用盧瑟福背向散射分析來測定，氫(H)的含量利用氫前向散射分析來測定。
在DC濺射的情況下，在AlN層中包含4.2 atm.%的H和2.9 atm.%的O，但是Ar含量低達不能檢測的程度。
在RF濺射的情況下，觀測不到AlN層中的O，但是檢測到0.6 atm.%的H和0.1 atm%的Ar。認為這是因為，藉由高功率的施加，從而在濺射中，H和非活性氣體的Ar也被攝取至AlN層中。
與此相對，在HiPIMS法中，在AlN層中觀測不到Ar和O，H的含量也低達0.4 atm.%。可知AlN層中的水分的污染也被抑制，Ar的攝取也被抑制，獲得結晶品質良好的氮化物層。
圖4為與參考例一起表示實施例的氮化物層的特性和膜組成的圖。在實施例1～4和參考例1中，藉由HiPIMS，在PI基材上形成AlN層，測定膜組成和X射線搖擺曲線的半值總寬度。實施例5中，藉由HiPIMS，在PI基材上形成GaN層，測定膜組成和X射線搖擺曲線的半值總寬度。其中，在實施例1～5中，在利用HiPIMS進行成膜之前，進行了脫氣處理，但在參考例1中，沒有進行脫氣處理。
參考例2中，藉由RF磁控濺射，在PI基材上形成AlN層，測定膜組成和X射線搖擺曲線的半值總寬度。參考例3中，藉由DC磁控濺射，在PI基材上形成AlN層，測定膜組成和X射線搖擺曲線的半值總寬度。參考例4中，藉由DC磁控濺射，在PI基材上形成GaN層，測定膜組成和X射線搖擺曲線的半值總寬度。參考例2～4都沒有進行脫氣處理。
藉由實施例1～5和參考例1～4，氮化物層(AlN層或GaN層)和所使用的金屬層的膜厚利用FIB-TEM(Focused Ion Beam Transmission Electron Microscope：集束離子束透射電子顯微鏡)從截面進行觀察來測定。X射線搖擺曲線使用粉末X射線衍射裝置(Rigaku公司製的「RINT-2000」)，採用以下測定條件進行X射線搖擺曲線測定。然後，求出半值總寬度。
＜測定條件＞ 光源：Cu-Kα射線(波長：0.15418nm) 測定模式：θ掃描 2θ位置：藉由X射線衍射測定，每個樣品設定AlN(200)面峰出現的2θ角度 測定範圍：0°直至2θ位置設定角度 測定間隔：0.1° 發散狹縫：1.00mm 發散縱向限制狹縫：10mm 曝光時間：3秒。 [實施例1]
將厚度50μm的PI基材(東麗-杜邦株式會社製的「200EN」)設置於真空濺射裝置，充分地真空排氣以使到達真空度成為3×10-5 Pa，進行了脫氣處理。然後，在真空氣氛下(0.6Pa以下)，將Ar與N2 以流量比Ar：N2 ＝83：17計導入，使用Al靶標，利用HiPIMS法形成了厚度0.5μm的AlN層。利用HiPIMS的平均功率為0.5kW，峰功率為52kW，頻率1000Hz，脈衝時間為20微秒。在AlN層下沒有使用基底金屬層。
實施例1的X射線搖擺曲線的半值總寬度窄達6.5°，顯示出良好的結晶取向性。AlN層的Al的組成為50.8 atm.%，氮的組成為48.8 atm.%，接近於化學計量的組成。H的含量低達0.4 atm.%。觀察不到O和Ar。Ar組成的括弧內的數字「0.01」為裝置檢測下限程度，因此記載作為參考值。 [實施例2]
在PI基材上成膜AlN層之前，在導入有Ar的真空氣氛下(0.2Pa)使用Mo靶標，藉由DC磁控濺射(DC功率為0.4kW)，形成厚度100nm的Mo層。除此以外，為與實施例1相同的條件，在PI基材上的Mo層上，藉由HiPIMS，形成厚度0.5μm的AlN層。
實施例2的X射線搖擺曲線的半值總寬度窄達7.0°，顯示出良好的結晶取向性。AlN層的Al的組成為49.5 atm.%，氮的組成為50.2 atm.%，接近於化學計量的組成。H的含量低達0.3 atm.%。觀察不到O和Ar。 [實施例3]
在PI基材上成膜AlN層之前，在導入有Ar的真空氣氛(0.2Pa)下使用Ti靶標，藉由DC磁控濺射(DC功率為0.4kW)，形成厚度100nm的Ti層。除此以外，為與實施例1相同的條件，在PI基材上的Ti層上，藉由HiPIMS，形成厚度0.5μm的AlN層。
實施例3的X射線搖擺曲線的半值總寬度窄達4.0°，顯示出良好的結晶取向性。AlN層的Al的組成為49.1 atm.%，氮的組成為50.6 atm.%，接近於化學計量的組成。H的含量與插入有Mo層的實施例2同樣，低達0.3 atm.%。觀察不到O和Ar。 [實施例4]
使AlN層的膜厚為1μm，除此以外，以與實施例1同樣的條件，在PI基材上形成Al層。在AlN層的下層沒有插入基底金屬層。
實施例4的X射線搖擺曲線的半值總寬度為6.0°。藉由使AlN層的厚度比實施例1厚，從而與實施例1相比，結晶取向性提高了。AlN層的Al的組成為50.1 atm.%，氮的組成為49.5 atm.%，接近於化學計量的組成。H的含量與實施例1同樣，為0.4 atm.%。觀察不到O和Ar。 [實施例5]
沒有導入Ar，僅將N2以流量比Ar：N2＝0：100計導入，使用GaN靶標，利用HiPIMS法形成GaN層。利用HiPIMS的平均功率為0.2kW，峰功率為88kW，頻率為200Hz，脈衝寬度為30微秒。除此以外，以與實施例1同樣的條件，在PI基板上形成GaN層。在GaN層的下層沒有插入基底金屬層。
實施例5的X射線搖擺曲線的半值總寬度窄達7.6°，顯示出良好的結晶取向性。GaN層的Ga的組成為49.9atm.%，氮的組成為49.6atm.%，接近於化學計量的組成。H的含量為0.5atm.%。沒有觀察到O，由於沒有使用Ar，因此觀察不到。 ［參考例1］
使AlN層的成膜前的脫氣處理的到達真空度為5×10-4 Pa，除此以外，以與實施例1相同的條件，在PI基材上形成AlN層。脫氣處理的到達真空度與實施例1相比，高一個位數。
參考例1的X射線搖擺曲線的半值總寬度寬達29.0°，AlN層得不到滿意的結晶取向性。AlN層的Al的組成為48.5 atm.%，氮的組成為49.3 atm.%，與實施例1～4相比，與由化學計量的組成的偏差大。H的組成增加至2.2 atm.%。H的組成增大的原因認為是因為脫氣處理的真空度不充分，而水分殘留於室內。另一方面，與實施例1～4同樣地觀察不到O和Ar。 ［參考例2］
將濺射電源設為RF電源，使用RF磁控濺射法(RF功率0.5kW)，除此以外，以與實施例1相同的條件，在PI基材上形成AlN層。
參考例2的X射線搖擺曲線的半值總寬度寬達24.4°，AlN層得不到滿意的結晶取向性。AlN層的Al的組成為50.2 atm.%，氮的組成為49.1 atm.%，接近於化學計量的組成。H的含量增加至0.6 atm.%。觀察不到O，AlN層中包含0.1 atom.%的Ar。 ［參考例3］
將濺射電源設為DC電源，使用DC磁控濺射法(DC功率0.5kW)，除此以外，以與實施例1相同的條件，在PI基材上形成AlN層。
參考例3的X射線搖擺曲線的半值總寬度寬達27.8°，AlN層得不到滿意的結晶取向性。AlN層的Al的組成為47.4 atm.%，氮的組成為45.5 atm.%，與實施例1～4相比，與由化學計量的組成的偏差大。H的含量為4.2 atm.%，非常地多。進一步，在AlN層中還包含O和Ar。
由實施例1～4和參考例1～3的結果，藉由在高分子基材上，利用HiPIMS法形成氮化物層，從而不論其膜厚如何，都能夠使X射線搖擺曲線的半值總寬度為8°以下，更優選為7°以下。該結果隱含圖2的特性。 ［參考例4］
將濺射電源設為DC電源，使用DC磁控濺射法(DC功率0.2kW)，除此以外，以與實施例5相同的條件，在PI基板上形成GaN層。
參考例4的X射線搖擺曲線的半值總寬度寬達29.8°，GaN層得不到滿意的結晶取向性。GaN層的Ga的組成為47.7atm.%，氮的組成為47.6atm.%，接近於化學計量的組成，但是H的含量為3.2atm.%，非常地多。進一步，GaN層中包含O。
由實施例1～5和參考例1～4的結果，藉由在高分子基材上，利用HiPIMS法形成氮化物層，從而不論其膜厚如何，都能夠使X射線搖擺曲線的半值總寬度為8°以下，更優選為7°以下。該結果隱含圖2的特性。
由實施例1～5和參考例1～4的結果，藉由在高分子基材上，利用HiPIMS法形成氮化物層，從而以接近於化學計量的組成的組成形成氮化物層，並且，抑制由H、O、Ar這樣的雜質原子帶來的污染。該結果隱含圖3的膜組成。
如果參照圖2和圖3，則利用HiPIMS形成的AlN層中，膜中的Ar量小，並且X射線搖擺曲線的半值總寬度小。由此，應該有藉由膜中的Ar量小，從而結晶取向性提高這樣的推測。
另一方面，如果觀察利用DC磁控濺射和RF磁控濺射得到的成膜結果，則對於RF磁控濺射而言，即使Ar量稍微多，X射線搖擺曲線的半值總寬度也比DC濺射小。如果觀察該結果，也應該有膜中的Ar量與結晶取向性並不一定相關這樣的相反的推測。
在DC磁控濺射中，膜中的Ar量少，但是X射線搖擺曲線寬。認為這是因為，成膜室內的真空度不充分，由於殘留氣體的影響而結晶取向性紊亂了。認為氮化物膜中Ar、H、O發生反應，或者在纖維鋅礦型的結晶中H、O、Ar受到限制而結晶發生應變等。
由圖2和圖3，沒有推導出膜中的Ar量與結晶取向性的相關，但是推導出藉由HiPIMS至少降低H和O的量，從而結晶取向性變好的結論。
由圖3和圖4，在高分子基材上藉由HiPIMS法而形成的纖維鋅礦型的氮化物層中，氧原子的存在原子量為2.5 atm.%以下，氫原子的存在原子量為2.0 atm.%以下。X射線搖擺曲線的半值總寬度為8°以下。
在氮化物層的至少一面能夠配置金屬層。在以積層方向對於氮化物層的下層插入金屬層時，降低X射線搖擺曲線的半值總寬度，改善結晶取向性。
在高分子基材上，藉由HiPIMS法形成氮化物層之前，在真空室內進行脫氣處理，從而結晶取向性提高。
實施方式的氮化物積層體能夠應用於壓電元件、高頻噪聲過濾器、濃度傳感器、紫外線傳感器、超聲波器件、發光元件等。
本申請以於2020年3月19日向日本特許廳所申請的發明專利申請第2020-049416號和於2021年2月12日向日本特許廳所申請的發明專利申請第2021-20426號作為優先權的基礎，藉由參照而包含其全部內容。
10A～10D:氮化物積層體 11:高分子基材 12:金屬層 13:氮化物層 14:金屬層
圖1A為實施方式的氮化物積層體的示意圖。 圖1B為實施方式的氮化物積層體的示意圖。 圖1C為實施方式的氮化物積層體的示意圖。 圖1D為實施方式的氮化物積層體的示意圖。 圖2為表示利用不同的方法，形成於高分子基材上的氮化物層的(002)面X射線搖擺曲線的半值總寬度的圖。 圖3為表示利用不同的方法，形成於高分子基材上的氮化物層的組成的圖。 圖4為表示利用不同的方法，玻璃基材和形成於高分子基材上的氮化物層的分析結果的圖。

Claims (9)

  1. 一種氮化物積層體，其為具備高分子基材以及形成於該高分子基材的至少一面的氮化物層的氮化物積層體， 該氮化物層為具有纖維鋅礦型晶體結構的氮化物層， 該氮化物層所包含的氧原子的存在原子量為2.5 atm.%以下，氫原子的存在原子量為2.0 atm.%以下， X射線搖擺曲線的半值總寬度為8°以下。
  2. 根據請求項1的氮化物積層體，其特徵在於，該氮化物層選自氮化鋁、氮化鎵、氮化銦或該些化合物。
  3. 根據請求項1或2的氮化物積層體，該氮化物層以氮化鋁作為主成分。
  4. 根據請求項1或2的氮化物積層體，該高分子基材由選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物和聚醯亞胺(PI)的材料形成。
  5. 根據請求項1或2的氮化物積層體，該氮化物層的厚度為10nm以上10μm以下。
  6. 根據請求項1或2的氮化物積層體，其進一步具有設置於該氮化物層的至少一面的金屬層。
  7. 根據請求項6的氮化物積層體，該金屬層為鉬(Mo)、鎢(W)、鋰(Li)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、包含該些積層的體心立方結構的金屬、或者鈦(Ti)、鉿(Hf)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鈷(Co)、包含該些積層的六角密集填充結構的金屬。
  8. 一種氮化物積層體的製造方法，其在高分子基材上，藉由高功率脈衝磁控濺射法，在基材溫度150℃以下，形成氮化物層。
  9. 根據請求項8的氮化物積層體的製造方法，在該氮化物層的成膜之前，進行真空室的脫氣處理。
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