TW202117759A - 纜線及附同軸纜線之天線裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之纜線包含:第1屏蔽部,其具有用以傳送信號或電力之至少1條以上之線,且設置於線之外側;第1層,其以覆蓋第1屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之構件構成;第2屏蔽部,其設置於第1層之外側;第2層,其以覆蓋第2屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之構件構成;及絕緣性樹脂,其被覆第2層之外側。
Description
本技術係關於一種電源纜線、使用於電視RF(Radio Rrequency:射頻)信號傳送之同軸纜線、可適用於USB(Universal Serial Bus:通用序列匯流排)、HDMI(註冊商標)(High-definition multimedia interface:高畫質多媒體介面)等差動串列傳送規格之纜線、及附同軸纜線之天線裝置。
先前之連接於平衡型天線而使用之同軸纜線因將外側導體之屏蔽線與電視接收機等連接之機器之地線連接,而產生各種問題。一者為因天線與所連接之同軸纜線之特性阻抗之失配引起之高頻電流於同軸纜線之外覆層流動,導致對天線之放射特性造成影響的問題。另一問題為與所連接之機器之地線之連接如豬尾線般,於未剛好連接之情形時,機器之雜訊於同軸纜線之外覆層流動,因同軸纜線之長度,而使同軸纜線之外覆層成為天線,導致放射電波之問題。又,亦有根據所連接之機器,因自該機器放射之雜訊之影響,而使共通模式、常態模式之雜訊突入同軸纜線之芯線之問題。
先前,為解決前者之問題,而於天線設置於期望頻率中成為高阻抗般之配阻平衡器(Spertopf),或使用平衡-不平衡轉換器。又,為解決後者之問題,藉由使繞連接器之連接整周正好連接而防止。即便如此仍有問題之情形,於同軸纜線之連接器側之根部纏捲鐵氧體磁心,防止電流於同軸纜線之屏蔽線外覆層流動。又,置入智慧型手機般可攜式機器之情形時,剝去同軸纜線之外覆層,連接於機器之地線,防止電流於同軸纜線之屏蔽線外覆層流動。
本技術藉由連接纜線,而解決因流動於纜線之高頻電流及自機器放射之雜訊之影響而無法發揮性能之問題。即,設為可以高頻電流不於纜線之外覆層流動之方式,抑制來自機器之雜訊之影響者。
關於纜線例如使用於USB(Universal Serial Bus:通用序列匯流排)規格之纜線(USB纜線)之雜訊抑制,已知有如專利文獻1般之技術。USB纜線具有1組差動型資料線、電源線、及接地線之4條電線。一般而言,為抑制雜訊自纜線出到外部、及電磁波自外部突入內部,而設置編入銅線之屏蔽層。該屏蔽層之兩端部連接於接地電位部。
然而,接地電位不確定之情形時,有電磁屏蔽效果不充分之問題。再者,所連接之2個機器之接地電位不相等之情形時,有電流經由屏蔽層流動,且雜訊傳遞至機器之問題。再者,作為針對該問題之對策,提案有使用將鐵氧體等電波吸收材混合於覆蓋屏蔽層之被覆材之樹脂,抑制雜訊。再者,藉由於連接於機器之纜線之連接部設置電感等雜訊抑制構件而進行應對。
例如專利文獻1中,顯示有以殼層被覆2條信號線與覆蓋其周圍之屏蔽層、及2條電源線之構成之纜線。殼層包含磁性粉混合樹脂層及被覆其外周之樹脂層之保護殼層。藉由磁性粉混合樹脂層,可確實抑制來自電源線之雜訊侵入信號線,另一方面,即使來自信號線之雜訊自屏蔽層洩漏,亦可藉由磁性粉混合樹脂層確實地抑制對電源線2之侵入。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]
日本專利第4032898號公報
[發明所欲解決之問題]
上述專利文獻1之構成係以電源線及信號線配置於共通之殼層內之構成之纜線為對象,且針對雜訊自纜線向外部放出、及雜訊自外部向纜線侵入之對策不充分者。
因此,本技術之目的在於提供一種可抑制自機器接收之雜訊之影響,且可抑制來自纜線之放射雜訊之纜線及附同軸纜線之天線裝置。
[解決問題之技術手段]
本技術係一種纜線,其包含:第1屏蔽部,其具有用以傳送信號或電力之至少1條以上之線,且設置於上述線之外側;
第1層,其以覆蓋上述第1屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之樹脂構成;
第2屏蔽部,其設置於上述第1層之外側;
第2層,其以覆蓋上述第2屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之樹脂構成;及
絕緣性樹脂,其被覆上述第2層之外側。
本技術係於平衡型天線連接有上述纜線之附同軸纜線之天線裝置。
[發明之效果]
根據至少一個實施形態,由於依序設置有第1屏蔽部、第1層、第2屏蔽部及第2層,故可抑制因近場之較大電磁場所致之雜訊。另,此處所記載之效果並非為限定者,亦可為本技術中記載之任一效果或與該等不同性質之效果。
以下,一面參照圖式,一面對本技術之實施形態進行說明。另,以下說明之實施形態為本技術之較佳具體例,技術性附加較佳之各種限定,但本技術之範圍於以下之說明中,只要無特別限定本技術之主旨之記載,則不限定於該等實施形態。
於天線附近使用電磁屏蔽之情形時,屏蔽之效果根據波動阻抗而變化。波動阻抗是指某場所之電場(E)與磁場(H)之比例(E/H)。圖1係顯示波動阻抗相對於距離之變化之圖表,且顯示有微小偶極天線與微小環形天線之波動阻抗之變化。於偶極天線附近,由於電場較強,故波動阻抗較高。另一方面,於環形天線附近,由於磁場較強,故波動阻抗較低。若距離超出λ(電磁場之波長)/(2π),則任一天線均收斂為特定值(376.7 Ω)。習慣性而言,至該λ/(2π)為止為近場,將較其更遠稱為遠場。
圖1係藉由λ/(2π)而將距離r正規化顯示,橫軸上之1對應於(r=λ/(2π)),該距離為近場與遠場之邊界。例如100 MHz之情形時,邊界之距離r=0.48 m,(0.1)為(r=4.8 cm),(10)為(r=4.8 m)。同樣,200 MHz之情形時,為(1:r=0.24 m)、(0.1:r=2.4 cm)、(10:r=2.4 m)。進而,500 MHz之情形時,為(1:r=0.095 m)、(0.1:r=0.95 cm)、(10:r=0.95 m)。
圖2之圖表顯示相對於橫軸(λ/(2π))之電磁場、感應電磁場、放射波之各者之強度。如由圖2之圖表可知,由於近場中,電磁場相當大,故需要屏蔽作為雜訊對策。為了不受雜訊之影響,需要減少傳遞至纜線之傳導雜訊及突入纜線之空間雜訊之影響。尤其磁場成分阻抗較低,故有難以去除雜訊之問題。
測定由電子機器例如市售之電視接收機1產生之雜訊成分。如圖3所示,接近電視接收機1之背面而設置偶極天線2,將偶極天線2之接收信號經由纜線3供給至頻譜分析儀4。可藉由頻譜分析儀4分析能夠由偶極天線2接收之雜訊成分(空間雜訊)。
圖4A及圖4B係顯示藉由圖3所示之構成所得之VHF帶高頻帶(179 MHz~228 MHz)之雜訊成分之位準。電視接收機1之電源斷開(OFF)之情形時,如圖4A所示,雜訊成分之位準相當小。另一方面,電視接收機1之電源接通(ON)之情形時,如圖4B所示,雜訊信號之位準變大。圖5係顯示電視接收機1之電源接通(ON)時之UHF帶(450 MHz~850 MHz)之雜訊信號之頻率分佈。UHF帶亦與VHF帶同樣,雜訊成分變大。
尤其如圖6所示,將室內天線例如平衡型天線7相對於電視接收機1經由同軸纜線8連接之情形時,為減小此種雜訊成分(空間傳導雜訊)之影響,需要使平衡型天線7自電視接收機1離開。同軸纜線8藉由IEC連接器或F連接器相對於電視接收機1連接。本技術係相對於例如同軸纜線8而適用者。藉由本技術,可抑制突入同軸纜線8之雜訊、及自同軸纜線8產生之雜訊。
以下,對可抑制上述近場之磁場及電場之影響之依據本技術之纜線之一實施形態進行說明。圖7A及圖7B係本技術之一實施形態之纜線之橫剖視圖及前視圖。圖7B之前視圖自中心向外周側將被覆部分依序錯開並剝下,藉此易於理解地顯示內部構造。一實施形態係相對於同軸纜線適用本技術之例。
由例如軟銅線構成之信號傳送用線(中心導體)11,位於纜線之中心。由例如發泡聚胺酯、聚乙烯、發泡聚乙烯等構成之絕緣體12,位於線11之外側。於絕緣體12周圍,以覆蓋絕緣體12之方式,設置具有電場屏蔽功能之第1屏蔽部S1。由例如配置於絕緣體12之外表面之鋁片13、及配置於鋁片13之外表面之編織線14,構成第1屏蔽部S1。第1屏蔽部S1不限於上述構成,具有如下構成:包含編入軟銅線而製作之編織線、配置於編織線及編織線之內側或外側之箔狀金屬片(鋁、銅、鐵等金屬片)之構成;及包含纏捲軟銅線而製作之捲線、配置於捲線及捲線內側或外側之箔狀金屬片(鋁、銅、鐵等金屬片)之構成。另,亦可對軟銅線實施鍍錫。
第1屏蔽部S1之編織線14通過連接器等,與電子機器內部之電路之接地部位連接。第1屏蔽部S1係避免線11受雜訊影響、或避免雜訊自線11傳出到外部而使用者。
於第1屏蔽部S1之編織線14外側之外周部,配置由吸收電波之樹脂、例如磁粉混合樹脂構成之第1層F1。第1層F1具有磁屏蔽之功能。即,第1層F1具有應對傳導雜訊之功能。磁粉混合樹脂係將磁粉混合於合成樹脂者。合成樹脂之一例為苯乙烯系彈性體。亦可使用此外之烯烴系彈性體、PVC(Polyvinyl Chloride:聚氯乙烯)等合成樹脂。磁粉之一例為Ni-Zn系鐵氧體。鐵粉、鐵氧體粉末之比例設為與樹脂之重量比70%以上98%以下。作為磁粉,亦可使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、軟磁性金屬系、銅系、鎂系、鋰系、鋅系、鐵系(例如鎳鐵合金)、鈷系等磁粉。
以覆蓋第1層F1之外周之方式,配置具有電場屏蔽功能之第2屏蔽部S2。第2屏蔽部S2為例如鋁片。除鋁片外,亦可僅為編織線、或僅為捲線。又,亦可為編織線或捲線與鋁等金屬片之組合。第2屏蔽部S2無須接地。
於第2屏蔽部S2外側之外周部,配置由吸收電波之樹脂、例如磁粉混合樹脂構成之第2層F2。具有磁屏蔽功能之第2層F2係用以應對空間雜訊而設置。第2層F2外側之外周部由被覆材15覆蓋。被覆材15可使用例如聚乙烯、聚丙烯、PVC(聚氯乙烯)、彈性體等絕緣材料。
一般而言,複磁導率可如下式般,藉由電感成分之實數部與對應於電阻成分(損耗成分)之虛數部而表示。
比較第1層F1與第2層F2之情形時,第1層F1具有藉由虛數部所示之高頻電阻而將雜訊轉變為熱之功能,第2層F2具有藉由實數部所示之電感成分,以不受磁場影響之方式進行磁屏蔽之功能。即,藉由內側之第1層F1,將附於第1屏蔽部S1之編織線14之外覆層之雜訊,藉由鐵氧體之高頻阻抗而阻止。又,藉由第2層F2,因形成磁屏蔽,故可不受來自外部之雜訊(空間傳導雜訊)之影響。即使不增大第1層F1之厚度,鐵氧體之效果亦依存於體積,因而纜線之高頻電阻變高,可抑制通往第1屏蔽部S1之編織線14之外覆層之雜訊。
對於由雜訊之產生源(放射側)對電子電路等機器(抗擾側)之影響、及本技術之雜訊抑制功能,參照圖8進行說明。作為雜訊障礙之種類,有雜訊通過導體傳導至機器側之導體傳導、雜訊通過空間傳導至機器側之空間傳導、由導體變化為空間且雜訊傳導至機器側之導體-空間傳導、及由空間變化為導體且雜訊傳導至機器側之空間-導體傳導。機器為天線之情形時,需要與作為雜訊之產生源之電視接收機隔開必要的距離(200 MHz之情形時,較佳為2.4 m以上)。機器為非天線之情形時,需要將機器屏蔽。
圖8中,實線箭頭表示雜訊之電場成分,虛線箭頭表示雜訊之磁場成分。第2屏蔽部S2可反射雜訊之電場成分,第2層F2可抑制雜訊之磁場成分。即,可藉由第2屏蔽部S2及第2層F2,減輕因近場之空間傳導所致之雜訊之影響。又,可藉由第1層F1,抑制於連接於機器之地線之第1屏蔽部S1流動之雜訊(導體傳導之雜訊及導體-空間傳導之雜訊)。
關於先前對雜訊產生源之對策,參照圖9A及圖9B進行說明。如圖9A所示,於屏蔽殼21內收納有電路基板22之情形時,亦產生沿出入屏蔽殼21之線23傳導且因導體傳導引起之雜訊,又產生以線23作為天線且因空間傳導引起之雜訊。如此,即使藉由屏蔽殼21將空間傳導引起之雜訊去除,亦因出入屏蔽殼21之線23而產生雜訊。
作為該對策,如圖9B所示,設置覆蓋線23之屏蔽纜線24(虛線所示),將屏蔽纜線24與電路基板22之電路地線連接,且連接於屏蔽殼21之框體屏蔽地線。電路地線足夠穩定之情形時,僅連接於電路地線即可。僅連接於框體屏蔽地線之情形時,需要另外設置連接框體與電路地線之配線作為信號之配線。然而,藉由此種對策,雜訊抑制效果尚不足夠。
藉由如圖10所示般之構成之系統評估本技術之雜訊抑制性能。藉由信號產生器31產生試驗用信號(例如DVB-T2模式),且藉由衰減器32使信號位凖可變,並藉由發送天線33進行發送。於相對於發送天線33隔開特定距離之位置,設置平衡型天線之構成之接收天線34,且將接收天線34之接收信號通過1.3 m長度之同軸纜線35及F連接器(或IECIEC(International Electrotechnical Commission:國際電子技術委員會)連接器)供給至電視接收機36。作為同軸纜線35之長度,為確保第1層F1及第2層F2之各者所含之磁性粉末之雜訊抑制所需之量,較佳為1 m以上之長度。
將發送信號之位準藉由衰減器32逐漸降低之情形時,測定可接收之發送信號之位準。作為測定信號,使用例如聲音信號。使用檢測電視接收機36之輸出聲音之麥克風37,將麥克風37之輸出信號以放大器38放大,且藉由暗室(以虛線包圍顯示)40之外部之聲音監視器(例如揚聲器)39進行監視。不限於聲音,亦可使用攝像裝置代替麥克風37,監視影像。
圖11係顯示接收天線34之一例。於絕緣基板51上平行地設置有2條線52及線53,作為平衡傳送路。線52之一端與同軸纜線35之中心導體(芯線)連接,線53之一端與同軸纜線35之外部導體(編織線)連接。同軸纜線35經由例如F型連接器41而與電視接收機36之調諧器連接。
於平衡傳送路之兩側分別設置有天線元件60及70。天線元件60及70具有彼此類似之構成。天線元件60連接於線52之另一端部,天線元件70連接於線53之另一端部。天線元件60藉由將線狀元件61及62之端部彼此、線狀元件61及63之端部彼此、以及線狀元件62及63之端部彼此連接,而作為三角狀之天線元件構成。
天線元件70亦同樣,藉由將線狀元件71及72之端部彼此、線狀元件71及73之端部彼此、以及線狀元件72及73之端部彼此連接,而構成為三角狀之天線元件。以線狀元件72及73之端部形成之頂點部分連接於平衡傳送路之線53之另一端。
再者,設置與三角狀天線元件之線狀元件71連接,且向平衡傳送路之線53之一端部延長(或折回)之線狀元件74。線狀元件74之延長端固定於絕緣基板51上。但亦可不與線53連接。藉由平衡傳送路及線狀元件74,使阻抗匹配。
將線狀元件61、62、63及64之各者之長度(L1、L2、L3及L4)與線狀元件71、72、73及74之各者之長度設定為彼此相等者。該等之長度如上所述,根據接收頻率設定。
線狀元件61~64及71~74使用以銅、銀、鐵、鋁等具有導線性,可使天線元件60、70之形狀柔軟變化之材料構成之金屬線。又,為了確保為使形狀變化而重複彎曲時之強度,亦可設為捆束2條以上金屬線之捆束線。再者,絕緣基板51、65及75為環氧玻璃或陶瓷等印刷電路基板、或FPC(Flexible Printed Circuit:柔性印刷電路)、玻璃、成型樹脂等塑膠。再者,亦可以樹脂等殼體覆蓋絕緣基板51、65及75之全體。
天線元件70與天線元件60一起構成偶極天線。又,相對於天線裝置之饋電點100成為平衡傳送路(線52及53)之另一端側,藉由適當設定平衡傳送路之長度,而可不使用平衡-不平衡轉換器,且將不平衡傳送路(同軸纜線35)連接於平衡負載(天線裝置)。藉由經由平衡傳送路調整相位,而可實現寬頻帶化。
根據上述天線裝置,藉由將天線元件60及70之線狀元件之各者之長度設定為與接收頻率相應之值,而可實現寬頻帶化。具體而言,為接收VHF帶之高頻帶(200 MHz帶),而將(L3+L1+L4)或(L2+L4)之長度設定為該頻率頻帶之波長(λ1)之約(1/4)例如約38 cm。又,為接收UHF帶之地波數位電視之頻帶(470 Hz~800 MHz),而將L3或L2之長度設定為該頻率頻帶之波長(λ2)之約(1/4)例如約16 cm。該等之長度L1~L4為包含波長縮短率之值。
圖12及圖13係顯示藉由如圖10所示般之系統完成之接收感度評估之結果。圖12係顯示VHF帶高頻帶(179 MHz~228 MHz)之接收感度評估之圖表,圖13係顯示UHF帶(450 MHz~850 MHz)之接收感度評估之圖表。該等圖表中,橫軸為頻率,縱軸為感度,縱軸之值愈小,表示感度愈良好。
圖12及圖13之圖表表示改變同軸纜線35之種類時之感度。即,顯示關於通常之同軸纜線、S+F之構成之同軸纜線、S+F+S之構成之同軸纜線、S1+F1+S2+F2之構成(本技術之構成)之同軸纜線之各者之感度。另,S、S1及S2表示屏蔽部,F、F1及F2表示混合有鐵氧體等磁性粉末之樹脂層,且遵循自纜線之中心朝向外側之順序而記述。
由圖12之圖表可知,適用本技術之同軸纜線,感度之特性最良好。感度具有第2良好之特性之同軸纜線為S+F,感度具有第3良好之特性之同軸纜線為S+F+S,通常之同軸纜線之感度之特性最差。由於VHF帶高頻帶之頻帶中,磁場之影響較大,故磁場屏蔽效果更高之構成者,結果更佳。
由圖13之圖表可知,適用本技術之同軸纜線,感度之特性最良好。感度具有第2良好之特性之同軸纜線為S+F+S,感度具有第3良好之特性之同軸纜線為S+F,通常之同軸纜線之感度之特性最差。由於UHF帶之頻帶中,電場之影響較大,故電場屏蔽效果更高之構成者,結果更佳。
以上之說明中,對於相對於同軸纜線適用本技術之實施形態進行說明。本技術亦可適用於同軸纜線以外之纜線。對於可適用本技術之纜線進行說明。
圖14係USB2.0之纜線之剖視圖。USB纜線具有1組差動型傳送用之信號纜線81a(D-)及81b(D+)、電源纜線82a及82b、及作為接地線之汲極線83之5條線。該等纜線81a、81b、82a、82b分別為以絕緣被膜被覆芯線周圍者。
作為芯線,使用銅,亦可使用包含1條導線之單線、或絞合較細之導線而成為1條導線之絞線之任一構成。信號纜線81a及81b設為雙絞線纜線。信號纜線81a、81b及電源纜線82a、82b由鋁箔屏蔽層84及銅線網屏蔽層85覆蓋。汲極線83與鋁箔屏蔽層84電性連接。
相對於該USB2.0之纜線適用本技術之情形時,將鋁箔屏蔽層84及銅線網屏蔽層85設為第1屏蔽部S1。且,自外周側依序設置第1層F1、第2屏蔽部S2及第2層F2。於最外周設置被覆層86。適用本技術之USB2.0之纜線可抑制雜訊。
圖15係USB3.0之纜線之剖視圖。與USB2.0之纜線同樣,具有1組差動型傳送用之信號纜線91a及91b、電源纜線92a及92b之4條線。信號纜線91a及91b稱為UTP(Unshielded Twisted Pair:非屏蔽雙絞線)。再者,具有USB3.0之信號纜線93a及93b與汲極線93c、另一USB3.0之信號線94a及94b與汲極線94c。信號纜線93a及93b稱為SDP(Shielded Differential Pair:屏蔽差動對)。使用填充材95作為選項。該等線及填充材由銅線網屏蔽層96覆蓋。
相對於該USB3.0之纜線適用本技術之情形時,將銅線網屏蔽層96設為第1屏蔽部S1。且,自外周側依序設置第1層F1、第2屏蔽部S2及第2層F2。於最外周設置被覆層97。適用本技術之USB3.0之纜線可抑制雜訊。
圖16係乙太網纜線(LAN纜線)之剖視圖。雙絞線纜線之構成之4對信號線101a、101b、101c及101d由屏蔽層覆蓋。屏蔽層為自內側重疊鋁/PET之屏蔽部102與編織線103者。
對該乙太網纜線(LAN纜線)適用本技術之情形時,將鋁/PET之屏蔽部102及編織線103作為第1屏蔽部S1。且,於外周側依序設置第1層F1、第2屏蔽部S2及第2層F2。於最外周設置被覆層104。適用本技術之乙太網纜線(LAN纜線)可抑制雜訊。
圖17係對於具有2條線110a及110b之纜線適用本技術之變化例之剖視圖。線110a及110b係以信號傳送線或熱線、及接地線等2條而構成之電源纜線。具有與圖7所示之一實施形態同樣之屏蔽構成。即,由例如發泡聚胺酯、聚乙烯、發泡聚乙烯等構成之絕緣體12,位於線110a及110b之外側。於絕緣體12周圍,以覆蓋絕緣體12之方式,設置具有電場屏蔽功能之第1屏蔽部S1。由例如配置於絕緣體12之外表面之鋁片13、及配置於鋁片13之外表面之編織線14,構成第1屏蔽部S1。第1屏蔽部S1不限於上述構成,具有如下構成:包含編入軟銅線而製作之編織線、配置於編織線及編織線之內側或外側之箔狀金屬片(鋁、銅、鐵等金屬片)之構成;及包含纏捲軟銅線而製作之捲線、配置於捲線及捲線內側或外側之箔狀金屬片(鋁、銅、鐵等金屬片)之構成。
於第1屏蔽部S1之編織線14外側之外周部,配置由吸收電波之樹脂、例如磁粉混合樹脂構成之第1層F1。第1層F1具有磁屏蔽之功能。即,第1層F1具有應對傳導雜訊之功能。磁粉混合樹脂係將磁粉混合於合成樹脂者。合成樹脂之一例為苯乙烯系彈性體。亦可使用此外之烯烴系彈性體、PVC等合成樹脂。磁粉之一例為Ni-Zn系鐵氧體。鐵粉、鐵氧體粉末之比例設為與樹脂之重量比70%以上98%以下。作為磁粉,亦可使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、軟磁性金屬系、銅系、鎂系、鋰系、鋅系、鐵系(例如鎳鐵合金)、鈷系等磁粉。
以覆蓋第1層F1之外周之方式,配置具有電場屏蔽功能之第2屏蔽部S2。第2屏蔽部S2為例如鋁片。除鋁片外,亦可僅為編織線、或僅為捲線。又,亦可為編織線或捲線與鋁等金屬片之組合。第2屏蔽部S2無須接地。
於第2屏蔽部S2外側之外周部,配置由吸收電波之樹脂、例如磁粉混合樹脂構成之第2層F2。具有磁屏蔽功能之第2層F2係用以應對空間雜訊而設置。第2層F2外側之外周部由被覆材15覆蓋。被覆材15為例如聚乙烯、聚丙烯、PVC(聚氯乙烯)、彈性體等絕緣材料。
以下,對本技術之變化例進行說明。將設置於第1屏蔽部S1之編織線14上之構件如圖18所示,設為片狀或帶狀之屏蔽構件SP之構成。於最內周側設置例如兩面接著帶16,於兩面接著帶16之上,積層構成第1層F1之磁性片F11。於磁性片F11之上,積層形成第2屏蔽層S2之導電層S12。於導電層S12之上,積層構成第2層F2之磁性片F12。另,亦可不設置兩面接著帶16。
導電層S12以鋁、銅等金屬箔構成,於金屬箔之兩面蒸鍍或塗佈鐵粉、鐵氧體粉末、或碳粉末等磁性材料。作為一例,將磁性片F11及F12之各者之厚度設為0.05 mm,且將導電層S12之厚度設為0.03 mm。
上述屏蔽構件SP如圖19所示,密接捲繞於構成第1屏蔽部S1(例如參照圖7A)之編織線14之外表面。於圖19中,為容易理解圖而於屏蔽構件SP之端部設置間隙,如圖20所示,以端部重疊之方式捲繞於編織線14之上。磁性片F12之外周面由被覆材(未圖示)覆蓋。被覆材為例如聚乙烯、聚丙烯、PVC(聚氯乙烯)、彈性體等絕緣材料。
如圖21所示,亦可將片狀之屏蔽構件SP'密接捲繞於編織線14之上。如圖21及圖22所示,片狀之屏蔽構件SP'之纜線延長方向之端部彼此重疊。屏蔽構件SP'為與屏蔽構件SP同樣,藉由於導電層S12之兩面蒸鍍或塗佈磁性材料而被著,藉此形成磁性片F11及磁性片F12者。磁性片F12之外周面係由被覆材(未圖示)覆蓋。被覆材為例如聚乙烯、聚丙烯、PVC(聚氯乙烯)、彈性體等絕緣材料。
屏蔽構件SP或屏蔽構件SP'之磁性片F11與上述包含磁粉混合樹脂之第1層F1同樣,具有應對傳導雜訊之功能,磁性片F12與第2層F2同樣,為應對空間雜訊而設置。導電層S12具有第2屏蔽部S2之功能(電場屏蔽之功能)。
與將磁粉混合於合成樹脂之第1層F1及第2層F2比較,蒸鍍或塗佈有磁性材料之磁性片F11及磁性片F12可提高磁導率,且可減薄層之厚度。其結果,可使纜線變細且輕量化。小型且輕量之纜線適合例如使用於車輛之纜線。
以上,已對本技術之實施形態具體說明,但並非限定於上述各實施形態者,可基於本技術之技術性思想進行各種變化。例如,上述實施形態所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等終究為一例,亦可視需要使用與此不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。例如,本技術不限於上述纜線,亦可應用於HDMI(註冊商標)纜線、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers:電子電機工程師協會)1394之纜線等。
1:電視接收機
2:偶極天線
3:纜線
4:頻譜分析儀
7:平衡型天線
8:同軸纜線
11:線
12:絕緣體
13:鋁片
14:編織線
15:被覆材
16:兩面接著帶
21:屏蔽殼
22:電路基板
23:線
24:屏蔽纜線
31:信號產生器
32:衰減器
33:發送天線
34:接收天線
35:同軸纜線
36:電視接收機
37:麥克風
38:放大器
39:聲音監視器
40:暗室
41:F型連接器
51:絕緣基板
52:線
53:線
60:天線元件
61:線狀元件
62:線狀元件
63:線狀元件
64:線狀元件
65:絕緣基板
70:天線元件
71:線狀元件
72:線狀元件
73:線狀元件
74:線狀元件
75:絕緣基板
81a:信號纜線
81b:信號纜線
82a:電源纜線
82b:電源纜線
83:汲極線
84:鋁箔屏蔽層
85:銅線網屏蔽層
86:被覆層
91a:信號纜線
91b:信號纜線
92a:電源纜線
92b:電源纜線
93a:信號纜線
93b:信號纜線
93c:汲極線
94a:信號線
94b:信號線
94c:汲極線
95:填充材
96:銅線網屏蔽層
97:被覆層
100:饋電點
101a:信號線
101b:信號線
101c:信號線
101d:信號線
102:屏蔽部
103:編織線
104:被覆層
110a:線
100b:線
F1:第1層
F2:第2層
F11:磁性片
F12:磁性片
L1:長度
L2:長度
L3:長度
L4:長度
S1:第1屏蔽部
S2:第2屏蔽部
S12:導電層
SP:屏蔽構件
SP':屏蔽構件
λ:波長
r:距離
圖1係使用於說明近場及遠場之圖表。
圖2係顯示近場之電磁場之大小之圖表。
圖3係用以說明測定電視接收機附近之雜訊之方法之略線圖。
圖4A及圖4B係使用於說明VHF(Very High Frequency:特高頻)帶高頻帶之雜訊之圖表。
圖5係使用於說明UHF(Ultra High Frequency:超高頻)帶之雜訊之圖表。
圖6係用以說明相對於室內天線之電視接收機之雜訊之略線圖。
圖7A及圖7B係本技術之一實施形態之剖視圖及前視圖。
圖8係使用於說明本技術之一實施形態之雜訊抑制效果之略線圖。
圖9A及圖9B係用以說明雜訊之產生之略線圖。
圖10係顯示用以評估感度之系統構成之方塊圖。
圖11係顯示接收天線之一例之構成之前視圖。
圖12係顯示VHF帶高頻帶之感度評估結果之圖表。
圖13係顯示UHF帶之感度評估結果之圖表。
圖14係可適用本技術之USB2.0纜線之剖視圖。
圖15係可適用本技術之USB3.0纜線之剖視圖。
圖16係可適用本技術之乙太網纜線之剖視圖。
圖17係本技術之變化例之剖視圖。
圖18係顯示本技術之屏蔽構件之其他例之構成之部分立體圖。
圖19係用於說明本技術之屏蔽構件之其他例之捲繞方法之立體圖。
圖20係用於說明本技術之屏蔽構件之其他例之捲繞方法之剖視圖。
圖21係用於說明本技術之屏蔽構件之其他例之捲繞方法之立體圖。
圖22係用於說明本技術之屏蔽構件之其他例之捲繞方法之剖視圖。
11:線
12:絕緣體
13:鋁片
14:編織線
15:被覆材
F1:第1層
F2:第2層
S1:第1屏蔽部
S2:第2屏蔽部
Claims (14)
- 一種纜線,其包含:第1屏蔽部,其具有用以傳送信號或電力之至少1條以上之線,且設置於上述線之外側; 第1層,其以覆蓋上述第1屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之構件構成; 第2屏蔽部,其設置於上述第1層之外側; 第2層,其以覆蓋上述第2屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之構件構成;及 絕緣性樹脂,其被覆上述第2層之外側。
- 一種纜線,其包含:第1屏蔽部,其具有用以傳送信號或電力之至少1條以上之線,且設置於上述線之外側; 第1層,其以覆蓋上述第1屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之樹脂構成; 第2屏蔽部,其設置於上述第1層之外側; 第2層,其以覆蓋上述第2屏蔽部之外周之方式設置,且以吸收電波之樹脂構成;及 絕緣性樹脂,其被覆上述第2層之外側。
- 如請求項1之纜線,其中上述第1屏蔽部為編入軟銅線而製作之編織線、或纏捲軟銅線而製作之捲線、或於編織線或捲線之上部或下部形成有金屬片。
- 如請求項3之纜線,其中上述金屬片為鋁、銅、鐵等金屬。
- 如請求項1之纜線,其中上述線以用以傳送至少1組以上信號之雙絞線纜線構成。
- 如請求項1之纜線,其中上述第1層及上述第2層為蒸鍍或塗佈於上述第2屏蔽構件之兩面的磁性材料。
- 如請求項1之纜線,其中於上述第1屏蔽構件之外側捲繞有帶或薄片,該帶或薄片於上述第2屏蔽構件之兩面經蒸鍍或塗佈磁性材料之上述第1層及磁性材料之上述第2層。
- 如請求項2之纜線,其中上述樹脂以於PVC、彈性體等樹脂中混合了鐵粉、鐵氧體粉末或碳粉末而成者構成。
- 如請求項8之纜線,其中上述第1層及上述第2層樹脂之鐵粉及鐵氧體粉末之比例為與樹脂之重量比70%以上98%以下。
- 如請求項1之纜線,其中上述第1層之高頻電阻較高,具有將雜訊轉變為熱之作用。
- 如請求項1之纜線,其中上述第2層具有以不受磁場影響之方式進行磁屏蔽之作用。
- 一種附同軸纜線之天線裝置,其於平衡型天線連接有如請求項1或請求項2之纜線。
- 如請求項12之附同軸纜線之天線裝置,其中連接於上述平衡型天線之同軸纜線之長度為1 m以上。
- 如請求項12之附同軸纜線之天線裝置,其中連接於上述平衡型天線之同軸纜線之連接器為IEC連接器或F連接器。
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