TW202102607A - 固化性聚矽氧組成物、其固化物及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種固化性聚矽氧組成物等，其可形成具有熱熔性，對難黏合基材亦可牢固地黏接，注塑成型等中固化物於室溫至150℃左右之高溫下柔軟性及強韌性特別優異，即使與鋁導線架等一體成型亦難以發生翹曲及破損之固化物。 本發明涉及一種固化性聚矽氧組成物及其用途，其特徵在於，含有：(A)含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上的RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元之有機聚矽氧烷樹脂微粒，(B)選自毒鼠矽衍生物及碳環毒鼠矽衍生物中之1種以上增黏劑，(C)固化劑以及(D)功能性無機填充料；並且，相對於組成物整體，(D)成分含量至少為50體積%以上，其於25℃時為固體，200℃以下之溫度下具有熱熔性。

Description

固化性聚矽氧組成物、其固化物及其製造方法
本發明涉及一種固化性聚矽氧組成物，其可藉由簡便之製造方法而獲得，具有熱熔性，且可製成對難黏合基材亦可牢固地黏接之粒狀、顆粒狀、片狀中之任一形態。並且，本發明還涉及一種由該聚矽氧組成物構成之固化物、該固化物之成型方法以及具備該固化物之半導體裝置。
由於固化性聚矽氧組成物固化後可形成耐熱性、耐寒性、電絕緣性、耐候性、撥水性以及透明性優異之固化物，所以可應用於眾多工業領域。與其他有機材料相比，此種固化性聚矽氧組成物之固化物一般不易變色，且其物理物性之降低少，因此亦適合用作光學材料以及半導體裝置之密封劑。另一方面，近年來，考慮到操作作業性之觀點等，熱熔性固化性聚矽氧組成物被廣泛用作光學材料及半導體裝置之密封劑。
近年之半導體設備產業中，使用難黏合材料即鎳、金作為基板已成為趨勢，對於為密封設備而使用之、具有優異耐熱性與較低線膨脹係數的材料，要求具備可與該等基材牢固黏接之特性。本申請人還於專利文獻1及專利文獻2中，提出了所獲得之固化物線膨脹係數較低之成型用熱熔性固化性聚矽氧組成物。然而，該等組成物為含有大量功能性無機填充料之組成，對金、鎳等難黏合基材可能難以黏接，尚有改善之餘地。
另一方面，於專利文獻3中報告，藉由對不具有熱熔性之聚矽氧類黏接劑添加毒鼠矽衍生物，從而改善低溫固化時之黏合性。又，專利文獻4之實施例中公開有一種黏接劑組成物，其對不含功能性無機填充料之熱熔性聚矽氧添加包含毒鼠矽衍生物之矽烷類增黏劑，但關於常規矽烷化合物與毒鼠矽衍生物比較時毒鼠矽衍生物之優勢，無任何記載，亦無任何暗示。 習知技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2018/030288號小冊子 專利文獻2：國際公開第2018/235491號小冊子 專利文獻3：日本特開2001-19933號公報 專利文獻4：日本特開2006-274007號公報（專利4849814）
發明所欲解決之課題
本發明之目的在於提供一種固化性聚矽氧組成物，其具有熱熔性，即便含有大量功能性無機填充料，熔融特性亦優異，操作作業性及固化特性優異，並且能與難黏合材料牢固地黏接，可形成線膨脹係數較低之固化物。此外，本發明之其他目的在於提供一種可以粒狀、顆粒狀、片狀中之任一形態高效率地製造此種固化性聚矽氧組成物之方法。進而，本發明之其他目的在於提供一種由此種固化性聚矽氧組成物之固化物構成之半導體裝置用構件、具有該固化物之半導體裝置、以及固化物之成型方法。 解決問題之技術手段
經過認真研究後，本發明者等人發現，透過： 特徵在於含有(A)含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上之SiO3/2 所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷樹脂微粒， (B)   選自毒鼠矽衍生物及碳環毒鼠矽衍生物中之1種以上增黏劑， (C)   固化劑，以及 (D)  功能性無機填充料， 並且，相對於組成物整體，(D)成分含量至少為50體積%以上， 於25℃時為固體，200℃以下之溫度下具有熱熔性的固化性聚矽氧組成物可以解決上述問題，從而完成本發明。再者，上述固化性聚矽氧組成物可以為顆粒狀或片狀。
進而，該固化性聚矽氧組成物可為粒狀、顆粒狀或片狀。
上述固化性聚矽氧組成物可為實質上平坦、厚度10至1000 µm之固化性聚矽氧組成物片之形態。
此外，上述固化性聚矽氧組成物可用於具有以下構造之剝離性積層體。即，上述固化性聚矽氧組成物可為剝離性積層體之形態，該剝離性積層體具有上述固化性聚矽氧組成物片、以及在該固化性聚矽氧組成物片之單面或雙面具有與該固化性聚矽氧組成物片相向之剝離面的片狀基材。此種固化性聚矽氧組成物片可作為薄膜狀或片狀之聚矽氧黏接劑使用。
本發明之固化性聚矽氧組成物可於固化物之形態下加以利用，並能用作半導體裝置用構件。
本發明之固化性聚矽氧組成物及其固化物能夠用於半導體裝置，並且可提供藉由該固化物形成密封材料、光反射材料等而成之功率半導體裝置、光半導體裝置以及安裝於可撓性電路板上之半導體裝置。尤其是，本發明之固化性聚矽氧組成物於熔融時之間隙填補性優異，該固化物於室溫至高溫時之柔軟性優異，且具有強韌性，因此能夠適當地提供藉由所謂模具底部填充及晶圓成型將半導體元件批量密封之半導體裝置、藉由本固化物於以變形（折彎等）為利用之前提之可撓性電路基板上密封半導體元件之密封後半導體元件基板。
本發明之固化性聚矽氧組成物之成型方法至少含有以下步驟。 (I)    將所述顆粒狀或片狀之固化性聚矽氧組成物加熱至100℃以上後進行熔融之步驟； (II)   將藉由所述步驟(I)獲得之固化性聚矽氧組成物注入模具之步驟，或者利用鎖模將藉由所述步驟(I)獲得之固化性聚矽氧組成物散佈至模具中之步驟；以及 (III) 使所述步驟(II)中注入之固化性聚矽氧組成物固化之步驟。 再者，上述成型方法包含轉移成型、壓縮成型或者注射成型，本發明之固化性聚矽氧組成物可適用作該等成型用材料。並且，本發明之固化性聚矽氧組成物能夠適用於藉由固化物一次實施以功率半導體元件為代表之半導體元件之注塑成型及底部填充之覆蓋步驟、即模具底部填充方式以及覆蓋搭載有半導體元件之半導體晶圓基板之表面，並且填充半導體元件間隙之注塑成型，即可统括密封8英吋或12英吋等較大晶圓之晶圓成型方式之成型用材料。
尤其是本發明之固化性聚矽氧組成物、特別是顆粒狀或片狀之固化性聚矽氧組成物可用於功率半導體密封等暴露於高溫下之用途。並且，亦可用於半導體基板（含晶圓）之大面積密封。
同樣，本發明者等提供一種固化性聚矽氧組成物片之製造方法，其特徵在於，具備以下步驟： 步驟1：以50℃以上之溫度混合上述固化性聚矽氧組成物之各原料成分的步驟； 步驟2：對步驟1所獲得之混合物進行加熱熔融且同時混煉之步驟； 步驟3：於具備至少一個剝離面之薄膜間積層步驟2所獲得之加熱熔融後混合物之步驟，以及 步驟4：於滾筒間拉伸步驟3所獲得之積層體，成型具有特定膜厚之固化性聚矽氧片之步驟。 發明效果
本發明之固化性聚矽氧組成物具有熱熔性，操作作業性以及固化特性優異，並且對難黏合基材亦可牢固地黏接，可形成具有較低線膨脹係數之固化物。此外，此固化性聚矽氧組成物僅利用簡便之混合步驟即可生產，能夠高效率製造。此外，本發明之固化物可用作半導體裝置之構件，藉由使用本發明之成型方法，能夠相應用途高效率地製造該等固化物。
［固化性聚矽氧組成物］ 本發明之固化性矽組成物之特徵在於，其至少包含： (A)  含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上之RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷樹脂微粒， (B)   選自毒鼠矽衍生物及碳環毒鼠矽衍生物中之1種以上增黏劑， (C)   固化劑，以及 (D)  功能性無機填充料，並且，相對於組成物整體，(D)成分含量至少為50體積%以上， 於25℃時為固體，200℃以下之溫度下具有熱熔性。再者，本發明中未特別記載時，「具有熱熔性」係指軟化點為50℃以上，150℃時具有熔融黏度（較佳為小於1000 Pa s之熔融黏度），且具有流動之性質。另一方面，軟化點為200℃以上時，其為成型用途等之一般使用溫度以上，因此定義為「不具有熱熔性」。
以下，說明組成物之各成分以及任意成分。再者，本發明中若無特別定義，則「平均粒徑」係指粒子之一次平均粒徑。
(A)成分為本組成物之主劑，係對本組成物賦予熱熔性之成分。又，具有含碳-碳雙鍵之固化反應性基團，故藉由作為(C)成分之固化劑進行固化。關於固化反應，可列舉矽氫化反應或自由基反應等。此外，由於具有熱熔性，且相對於組成物整體至少要混合50體積%以上(D)成分，故(A)成分需要為有機聚矽氧烷樹脂微粒之形態。
作為(A)成分中之矽氫化反應性基團，可列舉乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十一碳烯基、十二碳烯基等碳原子數2至20之烯基以及矽原子鍵結氫原子。作為該矽氫化反應性基團，較佳烯基。該烯基可為直鏈狀亦可為支鏈狀，較佳為乙烯基、己烯基。(A)成分較佳一分子中具有至少2個矽氫化反應性基團。
作為(A)成分中矽氫化反應性基團以外之與矽原子鍵結之基團，可列舉碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之鹵素取代烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數6至20之鹵素取代芳基以及碳原子數7至20之芳烷基、烷氧基及羥基。具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基等芳基；苯乙基、苯丙基等芳烷基；以氯原子、溴原子等鹵素原子之部分或全部取代與該等基團鍵結之氫原子之基團；以及甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基。尤其較佳苯基、羥基。
此外，作為(A)成分中之自由基反應性基團，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等碳原子數1至20之烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十一碳烯基、十二碳烯基等碳原子數2至20之烯基；3-丙烯醯氧基丙基、4-丙烯醯氧基丁基等含有丙烯酸的基團；3-甲基丙烯醯氧基丙基、4-甲基丙烯醯氧基丁基等含有甲基丙烯酸之基團；以及矽原子鍵結氫原子。作為該自由基反應性基團，較佳烯基。該烯基可為直鏈狀亦可為支鏈狀，較佳為乙烯基、己烯基。(A)成分較佳一分子中具有至少2個自由基反應性基團。
作為(A)成分中自由基反應性基團以外之與矽原子鍵結之基團，可列舉碳原子數1至20之鹵素取代烷基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數6至20之鹵素取代芳基、碳原子數7至20之芳烷基、烷氧基以及羥基，並可列舉與上述相同之基團。尤其較佳苯基、羥基。尤其較佳(A)成分之分子中所有有機基團之10莫耳%以上為芳基、尤其是苯基。
本發明中，(A)成分包含具有含有至少1個碳-碳雙鍵之固化反應性官能基的有機聚矽氧烷樹脂微粒較佳。該有機聚矽氧烷樹脂微粒可以作為分子整體具有熱熔性，亦可包含作為分子整體不具有熱熔性之有機聚矽氧烷樹脂微粒。
即，(A)成分之至少一部或者全部可以是 (A1)軟化點為30℃以上，分子內具有含有至少1個碳-碳雙鍵之固化反應性官能基，且含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上的RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元的熱熔性有機聚矽氧烷樹脂微粒。以下，說明該等成分。
［(A1)成分］ (A1)成分本身具有熱熔性，且分子內具有含有至少1個碳-碳雙鍵之固化反應性官能基，因此可藉由下述(C)固化劑進行固化。此種(A1)成分較佳為由 (A1 ) 樹脂狀有機聚矽氧烷、 (A2 ) 將至少1種有機聚矽氧烷交聯而成之有機聚矽氧烷交聯物、 (A3 ) 由樹脂狀有機矽氧烷嵌段及鏈狀有機矽氧烷嵌段構成之嵌段共聚物、 或該等至少2種之混合物 構成之有機聚矽氧烷樹脂微粒。
(A1 )成分係具有碳-碳雙鍵基團（矽氫化反應性基團及/或自由基反應性基團）之樹脂狀有機聚矽氧烷，較佳為具有大量T單元且具有芳基之熱熔性樹脂狀有機聚矽氧烷，所述T單元含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上的RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元。
作為此種(A1 )成分，可列舉由三有機矽氧基單元（M單元）（有機基為僅甲基、甲基與乙烯基或苯基）、二有機矽氧基單元（D單元）（有機基為僅甲基、甲基與乙烯基或苯基）、單有機矽氧基單元（T單元）（有機基為甲基、乙烯基或苯基）以及矽氧基單元（Q單元）之任意組合構成且T單元含量為全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上的MT樹脂、MDT樹脂、MTQ樹脂、MDTQ樹脂、TD樹脂、TQ樹脂以及TDQ樹脂。再者，(A1 )成分較佳為分子中具有至少2個碳-碳雙鍵基團（矽氫化反應性基團及/或自由基反應性基團），並且分子中所有有機基之10莫耳%以上為芳基、尤其是苯基。
作為(A1)成分，可例示以下成分： (ViMe2 SiO1/2 )0.25 (PhSiO3/2 )0.75 (HO1/2 )0.02 (ViMe2 SiO1/2 )0.25 (PhSiO3/2 )0.75 (ViMe2 SiO1/2 )0.20 (PhSiO3/2 )0.80 (ViMe2 SiO1/2 )0.15 (PhSiO3/2 )0.85 (HO1/2 )0.01 (Me2 SiO2/2 )0.15 (MeViSiO2/2 )0.10 (PhSiO3/2 )0.75 (HO1/2 )0.04 (MeViPhSiO1/2 )0.20 (PhSiO3/2 )0.80 (HO1/2 )0.05 (ViMe2 SiO1/2 )0.15 (PhSiO3/2 )0.75 (SiO4/2 )0.10 (HO1/2 )0.02 (Ph2 SiO2/2 )0.25 (MeViSiO2/2 )0.30 (PhSiO3/2 )0.45 (HO1/2 )0.04 (Me3 SiO1/2 )0.20 (ViMePhSiO1/2 )0.40 (SiO4/2 )0.40 (HO1/2 )0.08
(A1)成分具有熱熔性，具體而言，較佳為在25℃下具有非流動性，100℃時之熔融黏度為8000 Pa·s以下。非流動性係指無負荷之狀態下不流動，例如，表示低於藉由JIS K 6863-1994「熱熔黏接劑之軟化點試驗方法」規定之採用熱熔黏接劑之環球法之軟化點試驗方法測定之軟化點的狀態。即，為使25℃下具有非流動性，軟化點必須高於25℃。
(A1)成分較佳為100℃之熔融黏度為8000 Pa·s以下、5000 Pa·s以下或者10至3000 Pa·s之範圍內。100℃之熔融黏度為上述範圍內時，熱熔後冷卻至25℃後之密接性良好。
(A1)成分若為微粒狀，則粒徑並無限定，但較佳平均一次粒徑為1至5000 µm之範圍內、1至500 µm之範圍內、1至100 µm之範圍內、1至20 µm之範圍內或者1至10 µm之範圍內。該平均一次粒徑可藉由例如使用光學顯微鏡或SEM進行觀察來獲得。(A1)成分之形狀並無限定，可列舉球狀、紡錘狀、板狀、針狀、不定形狀，考慮到均勻熔融之觀點，較佳為球狀或正球狀。尤其是，藉由使(A1)成分形成為1至10 µm之正球狀，能夠良好地改善本混合物之熔融特性及固化後之機械物性。
(A1)成分之製造方法並無限定，可採用眾所周知之方法。例如，可列舉僅使(A1)成分形成微粒之方法或者同時或單獨實施使至少2種有機聚矽氧烷交聯之步驟以及使其反應物形成微粒之步驟的方法。再者，獲取微粒狀之(A1)成分時，亦可將下述(C)成分之一部分、例如矽氫化反應催化劑等與(A1)成分一同形成微粒，並且較佳。
作為使至少2種有機聚矽氧烷進行交聯後將所獲得之有機聚矽氧烷形成微粒之方法，例如可列舉使用粉碎機將所述有機聚矽氧烷粉碎之方法、於溶劑存在下使其直接形成微粒之方法。粉碎機並無限定，例如可列舉輥磨機、球磨機、噴射粉碎機、渦輪粉碎機以及行星式研磨機。此外，作為於溶劑存在下使所述聚矽氧直接形成微粒之方法，例如可列舉利用噴霧乾燥機進行噴射或利用2軸混煉機和皮帶烘乾機形成微粒之方法。本發明中，考慮到粒狀混合物之熔融特性、固化物之柔軟性、(B)成分之混合量、製造時之效率以及組成物之操作作業性之觀點，尤其較佳使用藉由噴霧乾燥機之噴射獲得之正球狀熱熔性有機聚矽氧烷樹脂微粒。
藉由使用噴霧乾燥機等，能夠製造具有正球狀且平均一次粒徑為1至500 µm之(A1)成分。再者，必須基於有機聚矽氧烷樹脂微粒之耐熱性等，適當設定噴霧乾燥機之加熱、乾燥溫度。另，為防止有機聚矽氧烷樹脂微粒之二次凝集，較佳將有機聚矽氧烷樹脂微粒之溫度控制至其玻璃轉移溫度以下。如此獲得之有機聚矽氧烷樹脂微粒可藉由旋流器、袋式過濾器等加以回收。
為獲得均勻之(A1)成分，上述步驟中，亦可於不損害固化反應之範圍內使用溶劑。溶劑並無限定，可列舉正己烷、環己烷、正庚烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族烴；四氫呋喃、二丙醚等醚類；六甲基二矽氧烷、八甲基三矽氧烷、十甲基四矽氧烷等矽類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等酯類；以及丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類。
［(B)成分］ (B)成分為作為本發明之特徵之增黏劑，係選自毒鼠矽衍生物及碳環毒鼠矽衍生物中之1種以上成分。於本組成中，該成分可戲劇性地、出色地改善對難黏合基材之固化黏合性。
上述專利文獻3（日本專利特開2001-019933號公報）中公開有毒鼠矽衍生物，其係下述結構式(1)：
Figure 02_image001
(1) ｛式(1)中，R1 為相同或不同之氫原子或烷基，R2 為選自由氫原子、烷基及通式：-R4 -Si(OR5 )x R6 (3-x) （式中，R4 為二價有機基，R5 為碳原子數1至10之烷基，R6 為取代或未經取代之一價烴基，x為1、2或3）所表示之含烷氧基矽基之有機基所組成之群組中的相同或不同基團，其中，R2 之至少1個為該含烷氧基矽基之有機基，R3 為選自取代或未經取代之一價烴基、碳原子數1至10之烷氧基、環氧丙氧基烷基、氧
Figure 02_image003
基烷基、醯氧基烷基以及烯基所組成之群組中的基團｝所表示之毒鼠矽衍生物。
式中R1 為相同或不同之氫原子或烷基，R1 尤佳為氫原子或甲基。此外，上式中R2 為選自由氫原子、烷基及通式：-R4 -Si(OR5 )x R6 (3-x) 所表示之含烷氧基矽基之有機基所組成之群組中的相同或不同基團，其中，至少1個R2 為該含烷氧基矽基之有機基。作為R2 之烷基，可例示甲基等。此外，於R2 之含烷氧基矽基之有機基中，式中R4 為二價有機基，可例示伸烷基或伸烷氧基伸烷基，尤佳為乙烯基、丙烯基、丁烯基、亞甲基氧基丙烯基、亞甲基氧基戊烯基。此外，式中R5 為碳原子數1至10之烷基，較佳為甲基、乙基。此外，式中R6 為取代或未經取代之一價烴基，較佳為甲基。此外，式中x為1、2或3，較佳為3。
作為此種R2 之含烷氧基矽基之有機基，可例示以下基團： -(CH2 )2 Si(OCH3 )3 -(CH2 )2 Si(OCH3 )2 CH3 -(CH2 )3 Si(OC2 H5 )3 -(CH2 )3 Si(OC2 H5 )(CH3 )2 -CH2 O(CH2 )3 Si(OCH3 )3 -CH2 O(CH2 )3 Si(OC2 H5 )3 -CH2 O(CH2 )3 Si(OCH3 )2 CH3 -CH2 O(CH2 )3 Si(OC2 H5 )2 CH3 -CH2 OCH2 Si(OCH3 )3 -CH2 OCH2 Si(OCH3 )(CH3 )2
上式中R3 為選自取代或未經取代之一價烴基、碳原子數1至10之烷氧基、環氧丙氧基烷基、氧
Figure 02_image003
基烷基以及醯氧基烷基所組成之群組中的至少1種基團；作為R3 之一價烴基，可例示甲基等烷基；作為R3 之烷氧基，可例示甲氧基、乙氧基、丙氧基；作為R3 之環氧丙氧基烷基，可例示3-環氧丙氧基丙基；作為R3 之氧
Figure 02_image003
基烷基，可例示4-氧
Figure 02_image003
基丁基、8-氧
Figure 02_image003
基辛基；作為R3 之醯氧基烷基，可例示乙醯氧基丙基、3-甲基丙烯醯氧基丙基。R3 尤佳為烷基、烯基、烷氧基，進而更佳為烷基或烯基，尤其可例示選自甲基、乙烯基、烯丙基及己烯基之基團。
作為此種毒鼠矽衍生物，可例示以下化合物：
Figure 02_image005
Figure 02_image007
Figure 02_image009
Figure 02_image011
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
Figure 02_image019
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
毒鼠矽衍生物尤佳為藉由日本專利特開平10-195085號公報中記載之方法，使具有含有胺基之有機基之烷氧基矽烷與具有含有環氧基之有機基之烷氧基矽烷反應時，尤其是藉由醇交換反應而環化生成之、由通式：
Figure 02_image027
｛式中，R1 為烷基、烯基或烷氧基，R2 為相同或不同之選自由通式：
Figure 02_image029
（式中，R4 為伸烷基或伸烷氧基伸烷基，R5 為一價羥基，R6 為烷基，R7 為伸烷基，R8 為烷基、烯基或醯基，a為0、1或2） 所表示之基所組成之群中之基，R3 為相同或不同之氫原子或烷基｝ 所表示的碳環毒鼠矽衍生物。作為此種碳環毒鼠矽衍生物，可例示以下結構所表示之於1分子中具有矽原子鍵結烷氧基或矽原子鍵結烯基之碳環毒鼠矽衍生物。
Figure 02_image031
（式中，Rc為選自甲氧基、乙氧基、乙烯基、烯丙基及己烯基之基團）
(B)成分之使用量並無特別限制，考慮到改善對難黏合基材之黏合性之觀點，可為組成物整體之0.1至1.0質量%之範圍，更佳為0.2至1.0質量%之範圍。並且，相對於(A)成分100質量份，(B)成分之混合量可為5至50質量份之範圍，亦可為5至40質量份之範圍。
［(C)成分］ (C)成分只要是用來固化(A)成分之固化劑且能夠固化(A)成分，則並無限定。(A)成分具有烯基時，(C)成分係一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機氫聚矽氧烷及矽氫化反應用催化劑，(A)成分含有烯基且含有矽氫化反應用催化劑時，(C)成分可以僅為一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷，亦可以併用矽氫化反應用催化劑。此外，(A)成分具有烯基時，(C)成分可以是有機過氧化物，亦可以併用一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷。另一方面，(A)成分具有矽原子鍵結氫原子時，(C)成分係一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷及矽氫化反應用催化劑，(A)成分具有矽原子鍵結氫原子且含有矽氫化反應用催化劑時，(C)成分可以僅為一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷，亦可以併用矽氫化反應用催化劑。
作為(C)成分中之有機聚矽氧烷，可列舉以所述(a1 )及/或所述(a2 )表示之含有烯基之有機聚矽氧烷或者以所述(a3 )及/或所述(a4 )表示之含有矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷。
作為(C)成分使用有機聚矽氧烷時，其含量並無限定，但為了固化本組成物，相對於本組成物中之烯基1莫耳，矽原子鍵結氫原子較佳為0.5至20莫耳之範圍內之量或者1.0至10莫耳之範圍內之量。
作為矽氫化反應用催化劑，可列舉鉑類催化劑、銠類催化劑、鈀類催化劑，考慮到顯著促進本組成物之固化之觀點，較佳為鉑類催化劑。作為該鉑類催化劑，可列舉鉑微粉、氯鉑酸、氯鉑酸之醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、以及利用矽樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂等熱可塑性樹脂將該等鉑類催化劑進行分散或封裝之催化劑，尤其較佳鉑-烯基矽氧烷錯合物。作為該烯基矽氧烷，可列舉1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、以乙基、苯基等取代該等烯基矽氧烷之甲基之一部分之烯基矽氧烷以及以烯丙基、己烯基等取代該等烯基矽氧烷之乙烯基之烯基矽氧烷。尤其是，考慮到該鉑-烯基矽氧烷錯合物之穩定性良好，較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。並且，考慮到操作作業性以及組成物之適用期之改善之觀點，亦可使用藉由熱可塑性樹脂進行分散或封裝之微粒狀含有鉑之矽氫化反應催化劑。再者，作為促進矽氫化反應之催化劑，可使用鐵、釕、鐵/鈷等非鉑類金屬催化劑。
相對於(A)成分，矽氫化反應用催化劑之添加量較佳為，金屬原子以質量單位計為0.01至500 ppm之範圍內之量、0.01至100 ppm之範圍內之量或者0.01至50 ppm之範圍內之量。
作為有機過氧化物，可列舉烷基過氧化物類、二醯過氧化物類、過氧化酯類以及過氧化碳酸酯類。
作為烷基過氧化物類，可列舉過氧化二異丙苯、二-三級丁基過氧化物、過氧化二-三級丁基異丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(過氧化三級丁基)己烷、2,5-二甲基-2,5-二(過氧化三級丁基)己炔-3、三級丁基異丙苯、1,3-雙(過氧化三級丁基異丙基)苯以及3,6,9-三乙基-3,6,9-三甲基-1,4,7-三過氧壬烷。
作為二醯過氧化物類，可列舉過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯、過氧化癸醯。
作為過氧化酯類，可列舉過氧化新癸酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化新癸酸α-異丙苯酯、過氧化新癸酸三級丁酯、過氧化新庚酸三級丁酯、過氧化新戊酸三級丁酯、過氧化新戊酸三級己酯、過氧化-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化2-乙基己酸三級戊酯、過氧化2-乙基己酸三級丁酯、過氧化異丁酸三級丁酯、過氧化六氫對苯二甲酸二-三級丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸三級戊酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸三級丁酯、過氧乙酸三級丁酯、過氧苯甲酸三級丁酯以及過氧化三甲基己二酸二丁酯。
作為過氧化碳酸酯類，可列舉過氧化二碳酸二-3-甲氧基丁酯、過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、過氧化碳酸二異丙酯、過氧化異丙基碳酸三級丁酯、過氧化二碳酸二(4-三級丁基環己基)酯、過氧化二碳酸雙十六烷基酯以及過氧化二碳酸雙十二烷基酯。
該有機過氧化物較佳其半衰期為10小時之溫度為90℃以上、或者95℃以上。作為此種有機過氧化物，可列舉過氧化二異丙苯、二-三級丁基過氧化物、二-三級己基過氧化物、過氧化三級丁基異丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(過氧化三級丁基)己烷、1,3-雙(過氧化三級丁基異丙基)苯、二(2-三級丁基過氧化異丙基)苯以及3,6,9-三乙基-3,6,9-三甲基-1,4,7-三過氧壬烷。
有機過氧化物之含量並無限定，相對於(A)成分100質量份，較佳為0.05至10質量份之範圍內或者0.10至5.0質量份之範圍內。
［(D)成分］ 本發明之(D)成分係無機填充料，其能夠提供固化后可形成從室溫至高溫具有優異之硬質性及強韌性之固化物的固化性聚矽氧組成物。本發明中，考慮到獲得之固化物實現低平均線膨脹係數之觀點，(B)成分之含量必須為組成物整體之50體積%以上，較佳為60體積%以上，更佳為70體積%以上，尤佳為80至95體積%之範圍。
為實現上述混合量，使所獲得之固化物實現低平均線膨脹係數，(D)成分較佳為藉由特定之表面處理劑、尤其是相對於(D)成分整體之質量，含量為0.1至2.0質量%、0.1至1.0質量%、0.2至0.8質量%之表面處理劑實施處理。藉由使用上述處理量之表面處理劑處理(D)成分，具有可於組成物中以高體積%穩定地混合(D)成分之優點。此外，表面處理方法任意，能夠採用使用機械力之均勻混合法（乾式）、使用溶劑之濕式混合法等所期望之方法。
作為該等表面處理劑之例，可列舉甲基氫聚矽氧烷、矽樹脂、金屬肥皂、矽烷偶聯劑、全氟烷基矽烷以及全氟烷基磷酸酯鹽等氟化合物等，尤其較佳下述聚矽氧系表面處理劑。再者，作為(D)成分之表面處理劑，選擇甲基三甲氧基矽烷或苯基三甲氧基矽烷等矽烷類表面處理劑時，除了可能會損害組成物整體之熱熔性以外，還可能無法將(D)成分穩定地混合至所述體積%之含量。此外，選擇具有辛基等長鏈烷基之烷基三烷氧基矽烷作為表面處理劑時，會出現能夠維持組成物之熱熔性以及(D)成分之混合穩定性之趨勢，但可能出現將本發明之組成物固化而獲得之固化物之強度惡化，並導致裂縫及成型不良問題。
另一方面，作為(B)成分之毒鼠矽衍生物及碳環毒鼠矽衍生物與該等矽烷化合物一樣具有烷氧基，但其具有如下優點：即便與此處所述之表面處理劑混存，亦不會產生使組成物熔融特性及固化物強度變差之影響，即便與上述表面處理劑一同使用或混存，亦不會產生不良影響。
此處，作為表面處理劑即有機矽化合物之示例，可列舉矽烷、矽氮烷、矽氧烷或相似物等低分子量有機矽化合物以及聚矽氧烷、聚碳矽氧烷或相似物等有機矽聚合物或低聚物。較佳之矽烷例為所謂矽烷偶合劑。作為此種矽烷偶合劑之代表例，可列舉烷基三烷氧基矽烷（甲基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷或相似物等）、含有機官能基之三烷氧基矽烷（環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、環氧基環己基乙基三甲氧基矽烷、甲基丙烯酸氧丙基三甲氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷或相似物等）。作為較佳之矽氧烷及聚矽氧烷，可列舉六甲基二矽氧烷、1,3-二己基-四甲基二矽氧烷、三烷氧基矽基單封端(single-terminated)聚二甲基矽氧烷、三烷氧基矽基單封端二甲基乙烯基單封端聚二甲基矽氧烷、三烷氧基矽基單封端有機官能基單封端聚二甲基矽氧烷、三烷氧基矽基雙封端(doubly terminated)聚二甲基矽氧烷、有機官能基雙封端聚二甲基矽氧烷或相似物。使用矽氧烷時，矽氧烷鍵之數n較佳在2至150之範圍內。較佳之矽氮烷，可列舉六甲基二矽氮烷、1,3-二己基-四甲基二矽氮烷或相似物。較佳之聚碳矽氧烷，可列舉聚合物主鏈內具有Si-C-C-Si鍵之聚合物。
尤佳之聚矽氧類表面處理劑例如可列舉分子內至少具有一個聚矽氧烷結構以及水解性矽基之聚矽氧類表面處理劑。最佳為使用分子內至少具有一個聚矽氧烷結構以及水解性矽基之聚矽氧類表面處理劑，可列舉 結構式(1)： R'n (RO)3-n SiO-(R'2 SiO)m -SiR'n (RO)3-n 或者以 結構式(2)： R'3 SiO-(R'2 SiO)m -SiR'n (RO)3-n 表示之具有直鏈狀烷氧基矽烷末端之有機聚矽氧烷類。式中，R為氫原子或碳原子數1至3之烷基（=甲基、乙基或者丙基），R'分別單獨為碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之鹵素取代烷基、碳原子數2至20之烯基、碳原子數6至20之芳基、碳原子數6至20之鹵素取代芳基或碳原子數7至20之芳烷基，並可列舉與上述相同之基團。n為0至2之範圍內之數，m為2至200之範圍內之數，m亦可為2至150之範圍內之數。
此種(D)成分較佳為不具有軟化點或於所述(A)成分之軟化點以下不會軟化之至少1種填充料，亦可為改善本組成物之操作作業性並使本組成物之固化物具有機械特性及其他特性之成分。作為(D)成分，可列舉無機填充料、有機填充料及該等之混合物，較佳為無機填充料。作為該無機填充料，可列舉增強性填充料、白色顏料、導熱性填充料、導電性填充料、螢光體以及該等中至少2種之混合物，為實現高體積%之填充量，較佳為含有平均粒徑10.0 µm以上之增強性填充料。此外，作為有機填充料，可列舉矽樹脂類填充料、氟樹脂類填充料、聚丁二烯樹脂類填充料。再者，該等填充料之形狀並無特別限制，可以是球狀、紡錘狀、扁平狀、針狀、不定形等。
(D)成分較佳為平均粒徑10.0 µm以上之無機填充料，尤其是考慮到室溫至高溫時硬質性及儲能模數之變化率小之觀點，尤佳為平均粒徑10.0 µm以上之球狀無機填充料。此外，藉由使用大於(A)成分之粒徑之無機填充料，無機填充料粒子能夠於熔融時形成良好之填密，因此能夠大幅降低平均線膨脹係數。相對於(A)成分，此種無機填充料能夠較大量地進行混合或充填，因此具有能夠進一步改善固化物之機械強度之實在利益。另一方面，為賦予或改善本發明組成物之光反射特性、導電性、導熱性、螢光特性以及應力緩和特性等，能夠混合平均粒徑為5 µm以下之無機填充料或有機填充料，並且較佳。
將本組成物用於密封劑、保護劑、黏接劑、光反射材料等用途時，考慮到使固化物具有機械強度且改善保護性或黏合性之觀點，較佳為混合增強性填充料作為(D)成分。作為該增強性填充料，可列舉氣相二氧化矽、沉澱二氧化矽、熔融二氧化矽、燒成二氧化矽、氣相二氧化鈦、石英、碳酸鈣、矽藻土、氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鋅以及碳酸鋅。此外，亦可藉由甲基三甲氧基矽烷等有機烷氧基矽烷；三甲基氯矽烷等有機鹵代矽烷；六甲基二矽氮烷等有機矽氮烷；α,ω-矽烷醇基封端二甲基矽氧烷低聚物、α,ω-矽烷醇基封端甲基苯基矽氧烷低聚物、α,ω-矽烷醇基封端甲基乙烯基矽氧烷低聚物等矽氧烷低聚物等，對該等增強性填充料實施表面處理。並且，作為增強性填充料，亦可使用偏矽酸鈣、鈦酸鉀、硫酸鎂、海泡石、硬矽鈣石、硼酸鋁、岩綿、玻璃纖維等纖維狀填充料。
尤其是，考慮到賦予固化物於室溫至高溫時之硬質性的觀點，本組成物中，(D)成分較佳為平均粒徑10.0 µm以上之球狀二氧化矽或氧化鋁。
(D)成分亦可含有不屬於(A)成分之聚矽氧微粒，可改善應力緩和特性等或根據期望進行調整。聚矽氧微粒可列舉具有非反應性之矽樹脂微粒以及聚矽氧彈性體微粒，考慮到改善柔軟性或應力緩和特性之觀點，較佳例示聚矽氧彈性體微粒。
聚矽氧彈性體微粒係主要由二有機矽氧基單元（D單元）構成之直鏈狀二有機聚矽氧烷之交聯物。聚矽氧彈性體微粒可藉由矽氫化反應或矽烷醇基之縮合反應等之二有機聚矽氧烷之交聯反應來製備，其中能夠藉由於矽氫化反應催化劑下使側鏈或末端具有矽鍵結氫原子之有機氫聚矽氧烷與側鏈或末端具有烯基等不飽和烴基之二有機聚矽氧烷發生交聯反應來適當獲得。聚矽氧彈性體微粒可採用球狀、扁平狀以及不定形狀等各種形狀，考慮到分散性之觀點，較佳為球狀，其中更佳為正球狀。作為此種(D)聚矽氧彈性體微粒之市售品，例如可列舉Dow Corning Toray公司製「Trefil E系列」、「EP Powder系列」、信越化學工業公司製「KMP系列」等。再者，聚矽氧彈性體微粒亦可實施表面處理。
此外，將本組成物用作LED之波長轉換材料時，為轉換來自光半導體元件之發光波長，作為(D)成分亦可混合螢光體。作為該螢光體，並無特別限制，可列舉廣泛應用於發光二極體(LED)中之由氧化物類螢光體、氮氧化物類螢光體、氮化物類螢光體、硫化物類螢光體、硫氧化物類螢光體等構成之黃色、紅色、綠色以及藍色發光螢光體。作為氧化物類螢光體，可列舉包含鈰離子之釔、鋁、石榴石類之YAG類綠色至黃色發光螢光體；包含鈰離子之鋱、鋁、石榴石類之TAG類黃色發光螢光體；以及包含鈰及銪離子之矽酸鹽類綠色至黃色發光螢光體。此外，作為氮氧化物類螢光體，可列舉包含銪離子之矽、鋁、氧、氮類之SiAlON類紅色至綠色發光螢光體。作為氮化物類螢光體，可列舉包含銪離子之鈣、鍶、鋁、矽、氮類之CASN類紅色發光螢光體。作為硫化物類螢光體，可列舉包含銅離子及鋁離子之ZnS類綠色發色螢光體。作為硫氧化物類螢光體，可列舉包含銪離子之Y2 O2 S類紅色發光螢光體。本組成物中，亦可將該等螢光體組合2種以上後使用。
並且，為使固化物具有導熱性或導電性，本組成物中亦可含有導熱性填充料或導電性填充料。作為該導熱性填充料或導電性填充料，可列舉金、銀、鎳、銅、鋁等金屬微粉；於陶瓷、玻璃、石英、有機樹脂等微粉表面上蒸鍍或電鍍金、銀、鎳、銅等金屬之微粉；氧化鋁、氧化鎂、氮化鋁、氮化硼、氧化鋅等金屬化合物；石墨、以及該等2種以上之混合物。要使本組成物具有電絕緣性時，較佳金屬氧化物類粉末或金屬氮化物類粉末，尤其較佳氧化鋁粉末、氧化鋅粉末或氮化鋁粉末。
(D)成分之含量必須滿足上述體積%之範圍，但相對於(A)成分100質量份，可於100至4000質量份之範圍內、250至4000質量份之範圍內或者50至4000質量份之範圍內進行混合。
此外，本組成物中，於不損害本發明之目的之範圍內，作為其他任意成分，亦可含有(A)成分以外之熱熔性之微粒、固化延遲劑和增黏劑。
作為(A)成分以外之熱熔性微粒，可使用選自各種熱熔性合成樹脂、蠟類、脂肪酸金屬鹽等中之1種以上。該蠟成分可形成高溫（150℃）下具有低運動黏度且流動性優異之熔融物。並且，藉由與所述(A)至(C)成分一同使用，由本組成物構成之熔融物內之蠟成分於高溫下可迅速擴展至整個組成物，因此具有以下效果，即可降低使用熔融後之組成物之基材面以及組成物整體之黏度，並且迅速降低基材以及熔融組成物之表面摩擦，大幅提高組成物整體之流動性。因此，相對於其他成分之總量，僅需添加極少量，即可大幅改善熔融組成物之黏度以及流動性。
蠟成分只需滿足上述滴點以及熔融時之運動黏度之條件，即可為石蠟等石油類蠟類，但考慮到本發明之技術效果之觀點，較佳為脂肪酸金屬鹽或赤藻糖醇衍生物之脂肪酸酯構成之熱熔成分，尤佳為硬脂酸、棕櫚酸、油酸、異壬酸等高級脂肪酸之金屬鹽以及新戊四醇四硬脂酸酯、二新戊四醇己二酸硬脂酸酯、甘油三-18-羥基硬脂酸酯、新戊四醇全硬脂酸酯。此處，上述脂肪酸金屬鹽之種類並無特別限制，但較佳列舉鋰、鈉、鉀等鹼金屬鹽；鎂、鈣、鋇等鹼土金屬鹽；或者鋅鹽。
作為蠟成分，尤佳為游離脂肪酸量為5.0%以下、尤佳為4.0%以下、0.05%至3.5%之脂肪酸金屬鹽或赤藻糖醇衍生物。作為此種成分，例如可列舉至少1種以上硬脂酸金屬鹽。具體而言，使用選自硬脂酸鈣（熔點150℃）、硬脂酸鋅（熔點120℃）以及硬脂酸鎂（熔點130℃）、新戊四醇四硬脂酸酯（熔點60-70℃）、新戊四醇己二酸硬脂酸酯（熔點55-61℃）、新戊四醇全硬脂酸酯（熔點62-67℃）等之、熔點在150℃以下之熱熔成分最佳。
以組成物整體為100質量份時，蠟成分之使用量為0.01至5.0質量份之範圍內，亦可為0.01至3.5質量份、0.01至3.0質量份。蠟成分之使用量超過所述上限時，藉由本發明之粒狀固化性聚矽氧組成物獲得之固化物之黏著性及機械強度有時會不充分。此外，使用量小於所述下限時，有時加熱熔融時無法實現充分之流動性。
作為固化延遲劑，可列舉2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、1-乙炔基-1-環己醇等炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；四甲基四乙烯基環四矽氧烷、四甲基四己烯基環四矽氧烷等含有烯基之低分子量矽氧烷；以及甲基-三(1,1-二甲基丙炔氧基)矽烷、乙烯基-三(1,1-二甲基丙炔氧基)矽烷等炔氧基矽烷。該固化延遲劑之含量並無限定，但相對於本組成物，以質量單元計時較佳為10至10000 ppm之範圍內。
並且，於不損害本發明之目的之範圍內，本組成物中，作為其他任意之成分，亦可含有氧化鐵（印度紅）、氧化鈰、二甲基矽烷醇鈰、脂肪酸鈰鹽、氫氧化鈰、鋯化合物等耐熱劑；其他染料、白色以外之顏料、阻燃劑等。
［固化物之線膨脹係數］ 將上述組成物固化而成之固化物於25℃至200℃之範圍內平均線膨脹係數為20 ppm/℃以下，較佳為15 ppm/℃以下。若於該範圍內，則其與所使用之基板之間的平均線膨脹係數之差較低，可降低所獲得之一體成型物內的殘留應力，改善設備可靠性。
［固化物之抗彎強度］ 並且，適用於要求高硬度及高強度之半導體之密封材料，因此根據JIS K 6911-1995「熱固化性塑料一般試驗方法」規定之方法測定出之固化物之抗彎強度較佳為15 MPa以上或20 MPa以上。
［本組成物之使用］ 本組成物藉由其製造步驟，可製成粒狀、顆粒狀、片狀中之任一形態。作為顆粒狀使用時，將粒狀之本組成物壓片成型，即可有效地生產。再者，「顆粒物」亦稱為「錠劑」。顆粒物之形狀並無限定，通常為球狀、橢圓球狀或者圓柱狀。此外，顆粒物之大小並無限定，例如具有500 µm以上之平均粒徑或等效圓直徑。
亦可成型為片狀後使用本組成物。例如，由平均厚度為100至1000 µm之固化性聚矽氧組成物構成之片具有熱熔性，且於高溫下具有加熱固化性，因此尤其是用於壓縮成型等用途時具有優異之操作作業性及熔融特性，非常有利。此種片狀組成物可於低溫下利用單軸或雙軸之連續混煉機使根據所述方法獲得之固化性粒狀組成物一體化後，將其通過2根滾筒等製成規定厚度，進行生產。
［作為積層體以及薄膜黏接劑之使用］ 本組成物可製成片狀使用，尤其可作為積層體使用，該積層體具有以下構造，即，在具備剝離層之2片薄膜狀基材間包含由上述固化性聚矽氧組成物構成之片狀構件。
此種剝離性積層體之製造方法並無特別限制，可藉由具備： 步驟1：混合上述固化性聚矽氧組成物之構成成分的步驟； 步驟2：對步驟1所獲得之混合物進行加熱熔融且同時混煉之步驟； 步驟3：於具備至少一個剝離面之薄膜間積層步驟2所獲得之加熱熔融後混合物之步驟，以及 步驟4：於滾筒間拉伸步驟3所獲得之積層體，成型具有特定膜厚之固化性聚矽氧片之步驟。 的固化性聚矽氧片之製造方法而獲得，亦可任意於步驟4等中使用具有冷卻或溫度調節功能之滾筒，亦可於步驟4後具有對包含所獲得之固化性聚矽氧片之積層體進行裁剪的步驟。
薄膜狀基材之種類並無特別限定，可適當使用聚酯薄膜、聚烯烴薄膜、聚碳酸酯薄膜、丙烯酸膜等。片狀基材較佳非多孔性。
剝離層係將由固化性聚矽氧組成物構成之片狀構件自薄膜狀基材上容易地剝離時必要之構成，有時亦被稱為剝離襯墊、間隔件、脫模層或剝離塗層。剝離層較佳為具有聚矽氧類剝離劑、氟類剝離劑、醇酸類剝離劑或氟聚矽氧類剝離劑等之剝離塗佈性能的剝離層，亦可於基材表面以物理方式形成微細凹凸，或為不易與本發明之固化反應性聚矽氧黏著劑組成物或由該固化物構成之黏合材層發生附著之基材自身。尤其是於本發明所涉及之積層體中，作為剝離層，較佳使用氟聚矽氧類剝離劑固化而成之剝離層。
上述積層體例如可於將由固化性聚矽氧組成物構成之片狀構件用於被黏合體後，將該未固化狀態之片狀構件從薄膜狀基材上剝離而使用。
此處，由固化性聚矽氧組成物構成之片狀構件之厚度為1 mm以下，可為薄膜狀黏接劑。即，所述積層體可以含有由基材薄膜保持且具有剝離性之薄膜狀黏合劑，並且較佳。薄膜狀黏合劑具有熱熔性，因此可以是用於半導體構件之暫時固定等之黏合劑，亦可用作晶圓黏結薄膜。
此外，可以直接藉由壓縮成型或沖壓成型等，將由固化性聚矽氧組成物構成之片狀構件與基材一體成型，此時亦可於留下單面薄膜狀基材之狀態下實施成型，將其用作成型時防止附著至模具之脫模薄膜。
本組成物於25℃時具有非流動性。此處，非流動性係指無負荷之狀態下無變形及流動，較佳成型為顆粒物或錠劑等時於25℃且無負荷之狀態下無變形及流動者。此種非流動性可藉由例如於25℃之熱板上放置成型後之本組成物，即使施加零負荷或固定加重後，實質上仍無變形及流動來實施評估。其原因在於，若於25℃時具有非流動性，則該溫度下之形狀保持性良好，且表面黏著性低。
本組成物之軟化點較佳為100℃以下。此種軟化點係指，於熱板上以100克重之負載從上方按住10秒鐘並去除負載後，測定組成物之變形量時，高度方向上之變形量為1 mm以上之溫度。
本組成物於高溫及高壓下（即成型步驟中）具有黏度急速降低之趨勢，作為有用之熔融黏度之值，較佳使用同樣於高溫及高壓下測定出之值。因此，與使用流變儀等旋轉黏度計進行測定相比，較佳使用高化型流量測試儀（島津製作所（株）製）於高壓下測定本組成物之熔融黏度。具體而言，本組成物於150℃時之熔融黏度較佳為200 Pa s以下，更佳為150以下。其原因在於，將本組成物熱熔後，冷卻至25℃後其對於基材之密接性良好。
［固化性聚矽氧組成物之製造方法］ 本組成物可藉由將(A)成分至(D)成分以及其他任意成分於小於(A)成分軟化點之溫度下進行粉體混合，從而製造為粒狀組成物。本製造方法中使用之粉體混合機並無限定，可列舉單軸或雙軸之連續混合機、雙滾筒、羅斯攪拌機、霍巴特攪拌機、藻酸鹽印模粉攪拌機、行星式攪拌機、捏合機攪拌機、實驗室攪拌機、小型磨床以及亨舍爾攪拌機，較佳為實驗室攪拌機、小型磨床、亨舍爾攪拌機。
［固化性聚矽氧片之製造方法］ 本發明所涉及之固化性聚矽氧片具有熱熔性，特徵在於由包含有機聚矽氧烷樹脂微粒、固化劑及功能性填充料之固化性聚矽氧組成物構成，本發明之製造方法包含以下步驟1至4： 步驟1：以50℃以上之溫度混合固化性聚矽氧組成物之構成成分的步驟； 步驟2：對步驟1所獲得之混合物進行加熱熔融且同時混煉之步驟； 步驟3：於具備至少一個剝離面之薄膜間積層步驟2所獲得之加熱熔融後混合物之步驟，以及 步驟4：於滾筒間拉伸步驟3所獲得之積層體，成型具有特定膜厚之固化性聚矽氧片之步驟。 此處，「具有熱熔性」係指軟化點為50℃至200℃範圍內，藉由加熱而具有軟化或流動之性質。此外，本發明所涉及之固化性聚矽氧片不論其構成成分即有機聚矽氧烷樹脂微粒之熱熔性如何，由有機聚矽氧烷樹脂微粒、固化劑及功能性填充料構成之混合物具有熱熔性即可。
［步驟1］ 上述步驟1係包含固化性聚矽氧組成物之構成成分即有機聚矽氧烷樹脂（較佳為微粒狀態）、固化劑以及功能性填充料之固化性聚矽氧組成物的混合步驟。關於該等各成分，如上所述。
由步驟1獲得之混合物為固化性粒狀聚矽氧組成物，混合物整體具有熱熔性。另一方面，該混合物於25℃時具有非流動性。此處，非流動性係指無負荷之狀態下無變形及流動，較佳成型為顆粒物或錠劑等時於25℃且無負荷之狀態下無變形及流動者。此種非流動性可藉由例如於25℃之熱板上放置成型後之本組成物，即使施加零負荷或固定加重後，實質上仍無變形及流動來實施評估。其原因在於，若於25℃時具有非流動性，則該溫度下之形狀保持性良好，且表面黏著性低。
步驟1所獲得之混合物之軟化點為200℃以下，較佳為150℃以下。此種軟化點係指，於熱板上以100克重之負載從上方按住10秒鐘並去除負載後，測定組成物之變形量時，高度方向上之變形量為1 mm以上之溫度。
步驟1所獲得之混合物之軟化點為200℃以下，於後述步驟2中將整個混合物加熱至該混合物之軟化點以上之溫度，從而使混合物加熱熔融，具有一定流動性。對該軟化物或熔融物成型，從而可獲得由固化性聚矽氧組成物構成且具有熱熔性之固化性聚矽氧片。
對有機聚矽氧烷樹脂、固化劑及功能性填充料以及其他任意成分進行混合之步驟並無特別限制，可於低於混合物整體、較佳為有機聚矽氧烷樹脂微粒軟化點之溫度下混合粉體，從而製造。本製造方法中使用之粉體混合機並無限定，可列舉單軸或雙軸之連續混合機、雙滾筒、羅斯攪拌機、霍巴特攪拌機、藻酸鹽印模粉攪拌機、行星式攪拌機、捏合機攪拌機、實驗室攪拌機、小型磨床以及亨舍爾攪拌機，較佳為實驗室攪拌機、小型磨床、亨舍爾攪拌機。
［步驟2］ 步驟2係對步驟1所獲得之混合物進行加熱熔融且同時混煉之步驟，將具有加熱熔融性之混合物於其軟化點以上之溫度、較佳為50℃至200℃之溫度範圍內加熱混煉，從而使組成物整體熔融或軟化，使有機聚矽氧烷樹脂微粒、固化劑及功能性填充料整體均勻分散。經由步驟3，於步驟4中將該混合物加壓成型為片狀時，一次加壓即可形成均勻薄層狀之成型片，具有可避免成型不良及片自身龜裂之實際利益。如果溫度低於所述下限，則軟化不充分，即便使用機械力，亦難以獲得各成分整體均勻分散之熔融或軟化的混合物，此種混合物經由步驟3，於步驟4中將該混合物加壓成型為片狀，亦無法形成均勻薄層狀之成型片，可能導致片破損、龜裂。反之，若溫度超過所述上限，混合時固化劑會發生反應，整體顯著增黏或固化，失去熱熔性，可能導致形成固化物，故不佳。因此，(C)成分要使用矽氫化反應催化劑時，較佳為使用以熱塑性樹脂分散或封裝化之微粒狀含鉑之矽氫化反應催化劑。
步驟1所獲得之混合物加熱熔融黏度較低，具有流動性時，可於且較佳於後述步驟3中事先進行臨時成型，然後於剝離薄膜上積層；具體而言，若步驟2所獲得之加熱熔融後混合物於150℃下利用高化型流量測試儀測定之熔融黏度為1至1,000 Pa s範圍內，則可於步驟3中進行臨時成型。
另一方面，步驟1所獲得之混合物加熱熔融黏度高，不具有流動性時，於步驟2中將步驟1所獲得之混合物以其軟化點以上之溫度進行熔融混煉，獲得均勻組成物形態後，無需臨時成型，便可於步驟3中積層於剝離薄膜上。
步驟2中的混合裝置沒有限定，可為具備加熱/冷卻功能之捏合機、班布里混合機、亨舍爾攪拌機、行星式攪拌機、2輥軋機、3輥軋機、羅斯攪拌機、實驗室混料擠出機等分批式加熱混煉裝置，具備加熱/冷卻功能之單螺桿擠出機、雙螺桿擠出機等連續式加熱混煉裝置，並無特別限定，可根據處理時間的效率及剪切熱之控制能力，適當選擇。考慮到處理時間，可為單螺桿擠出機、雙螺桿擠出機等連續式加熱混煉裝置，亦可為實驗室混料擠出機等分批式混合機。但是，考慮到固化性聚矽氧片之生產效率，較佳使用單螺桿擠出機、雙螺桿擠出機等連續式加熱混煉裝置。
［步驟3］ 步驟3係於具備至少一個剝離面之薄膜間積層步驟2所獲得之加熱熔融後混合物之步驟，係於步驟4中實施加壓成型之預備步驟。形成於薄膜間夾入步驟2所獲得之混合物之積層體，並利用滾筒拉伸自該薄膜上進行加壓成型，獲得片狀成型物，且成型後利用剝離面可自該片狀成型物僅去除薄膜。
於2片薄膜間積層步驟2所獲得之加熱熔融後混合物。依據所獲得之固化性聚矽氧片之使用形態，2片薄膜較佳均具有剝離面，尤其較佳於步驟3中將步驟2所獲得之混合物積層於各薄膜之剝離面之間。藉由採用此種積層形態，經過步驟4之加壓成型、其後任意之裁剪，可獲得薄層狀固化性聚矽氧片被夾持於剝離性薄膜之間、可自兩面剝離之積層片，使用時無需擔心形成之固化性聚矽氧片破損，可將兩面薄膜撕下，僅露出固化性聚矽氧片。
步驟3中使用之薄膜基材並無特別限制，可例示板紙、瓦楞紙、白土塗佈紙、聚烯烴層壓紙、尤其是聚乙烯層壓紙、合成樹脂薄膜/片、天然纖維布、合成纖維布、人工皮革布以及金屬箔。尤其較佳合成樹脂薄膜/片，作為合成樹脂，可例示聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及尼龍。尤其是要求耐熱性時，較佳聚醯亞胺、聚醚酮醚、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、液晶聚芳酯、聚醯胺醯亞胺以及聚醚碸等耐熱性合成樹脂之薄膜。另一方面，顯示設備等要求可識別性之用途時，較佳透明基材、具體而言聚丙烯、聚苯乙烯、聚偏氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及PEN等透明材料。
薄膜厚度並無特別限制，通常為5至300 µm左右。
薄膜具備至少一個剝離層，較佳該剝離層與步驟2所獲得之混合物接觸。藉此，經過步驟3及步驟4，容易自薄膜剝離經加壓成型之熱熔性固化性聚矽氧片。剝離層亦被稱為剝離襯墊、間隔件、離型層或剝離塗層，較佳為聚矽氧類剝離劑、氟類剝離劑、醇酸類剝離劑或氟聚矽氧類剝離劑等具有剝離塗佈性能的剝離層，亦可於基材表面以物理方式形成微細凹凸，或為不易與本發明所涉及之熱熔性固化性聚矽氧片發生附著之基材自身。
於步驟3中，將步驟2所獲得之混合物積層於2片薄膜之間。該步驟並無特別限制，可將步驟2所獲得之混合物排出或塗佈於一個薄膜之剝離層上進行供應，在該混合物上貼合另一個薄膜之剝離層，從而形成積層體。此時，於連續之固化性聚矽氧片之製造步驟中，經由旋轉式滾筒將各薄膜搬運至步驟2之混合物供應位置，對薄膜間進行積層操作。
步驟3中向薄膜間供應步驟2所獲得之混合物之供應量可根據製造速度、規模而設計。列舉一個示例：可以1 kg/小時至10 kg/小時之供應量向薄膜間供應步驟2所獲得之混合物，當然並不限定於此。但是，於步驟3中，於薄膜間積層步驟2所獲得之混合物的量需要根據步驟4中所設計之固化性聚矽氧片之平均厚度來確定，且需要為步驟4中可實施軋製加工之厚度。
步驟1所獲得之混合物加熱熔融黏度較低，具有流動性時，較佳為於步驟3中使用模具將步驟2所獲得之加熱熔融後混合物成型為薄膜狀並排出，積層於薄膜之間。此處，使用模具之目的在於對該混合物進行臨時成型，其種類及臨時成型時之厚度並無特別限制，可以且較佳為使用T字模，臨時成型為厚度在100至2000 µm (=2 mm)範圍內之大致片狀。
步驟1所獲得之混合物加熱熔融黏度較低，具有流動性時，較佳於上述臨時成型後，包含對步驟3所獲得之積層體整體冷卻或進行溫度調節的步驟作為步驟4的前一步驟或者步驟4。原因在於，將加熱熔融物冷卻、製成固體狀能有效實施步驟4中的加壓成型。該冷卻步驟並無特別限制，可藉由冷卻滾筒等方式，將供應或積層於薄膜上之混合物以空冷或冷卻溶劑等冷卻手段冷卻到-50℃至室溫範圍內。另外，關於溫度調節之詳細內容，於步驟4中進行說明。
另一方面，步驟1所獲得之混合物加熱熔融黏度較高，不具有流動性時，於步驟3中無需對半固體狀混合物進行臨時成型，便可供應、積層於薄膜上。
［步驟4］ 步驟4係於滾筒間拉伸上述步驟3所獲得之積層體，成型具有特定膜厚之固化性聚矽氧片之步驟，係在薄膜上加壓拉伸步驟2所獲得之混合物，成型為均勻固化性聚矽氧片之形態的步驟。
關於步驟4中之軋製加工，可使用滾筒軋製等公知軋製方法對步驟3所獲得之積層體進行軋製加工。尤其是滾筒軋製時，具有藉由調整滾筒間之間隙，可設計出期望厚度之固化性聚矽氧片的優勢，例如，於平均厚度10至2000 µm之範圍內將滾筒間之間隙調整為固定並實施軋製，從而可獲得平坦性優異且上述片表面及片內部缺陷極少之固化性聚矽氧片。更詳細而言，滾筒軋製時，尤其較佳針對目標有機聚矽氧烷固化物薄膜之平均厚度，於1.5至4.0倍範圍內調整滾筒間之間隙。
利用步驟4實施拉伸，從而可獲得實質上平坦、厚度10至2000 µm之固化性聚矽氧片。將步驟2中之加熱熔融後混合物於步驟3中以積層於剝離性薄膜間之形態進行滾筒拉伸，從而可獲得低缺陷且剝離之操作作業性優異、包含具有熱熔性之固化性聚矽氧片的剝離性積層體。
［步驟4之溫度調節］ 於步驟4中，於滾筒間拉伸步驟3所獲得之積層體時，較佳該滾筒進而具備溫度調節功能，於滾筒軋製時對積層體整體進行溫度調節，並根據需要進行加熱或冷卻。藉由該溫度調節，具有可保證滾筒間之間隙穩定，改善所獲得之熱熔性固化性聚矽氧片之平坦性及均勻性（膜厚均勻性）的實際利益。溫度調節之具體範圍可根據薄膜耐熱性及固化性聚矽氧片之厚度（設計厚度）、其反應性等適當設計，大致在5℃至150℃範圍內。
［裁剪步驟］ 藉由步驟4，可獲得於剝離性薄膜之間介裝有熱熔性固化性聚矽氧片之剝離性積層體，亦可任意具有對包含該固化性聚矽氧片之積層體進行裁剪之步驟。又，該固化性聚矽氧片亦可具有藉由捲繞裝置進行捲繞之步驟。從而可獲得期望尺寸之包含熱熔性固化性聚矽氧片之剝離性積層體。
［積層體］ 藉由以上步驟而獲得之積層體係具備如下結構之積層體：由有機聚矽氧烷樹脂微粒、固化劑及功能性填充料構成，實質上平坦、厚度10至2000 µm且具有熱熔性之固化性聚矽氧片積層於具備至少一個剝離面之薄膜間的結構。另外，該薄膜均可具備且較佳具備剝離面。
［固化性聚矽氧片］ 藉由本發明之製造方法而獲得之固化性聚矽氧片係由有機聚矽氧烷樹脂微粒、固化劑及功能性填充料構成之固化性聚矽氧組成物，具有熱熔性，可用作加熱熔融性黏著材。該固化性聚矽氧片之成型性、間隙填補性及黏著力優異，尤其可用作晶片貼裝薄膜或薄膜黏接劑。此外，亦適宜作為壓縮成型用或沖壓成型用固化性聚矽氧片使用。
具體而言，藉由本發明之製造方法而獲得之固化性聚矽氧片可自剝離性薄膜撕下，然後配置於半導體等期望之部位，於被黏附體上形成對凹凸、間隙有間隙填補性的薄膜黏合層，進行被黏附體之間之臨時固定、配置及貼合，進而將該固化性聚矽氧片加熱至150℃以上，藉由該固化性聚矽氧片之固化物，黏合於被黏附體之間。另外，剝離性薄膜可對固化性聚矽氧片加熱，形成固化物，然後剝離，可根據該固化性聚矽氧片之用途及使用方法，選擇剝離時機。
該固化性聚矽氧片具有熱熔性，於最終固化前加熱該片，從而變得柔軟或得以流動，例如，即便被黏附體之被黏附面有凹凸，亦可填充凹凸或間隙，確保無間隙，形成黏合面。作為該固化性聚矽氧片之加熱機構，例如可使用各種恆溫槽、熱板、電磁加熱裝置、加熱滾筒等。為實現更有效之貼合與加熱，例如較佳使用電熱沖壓機、薄膜式層壓機、覆膜機等。
［固化物之成型方法］ 本組成物可藉由至少由以下步驟(I)至(III)構成之方法來實施固化。 (I)    將本組成物加熱至100℃以上進行熔融之步驟； (II)   將藉由所述步驟(I)獲得之固化性聚矽氧組成物注入模具之步驟，或者利用鎖模將藉由所述步驟(I)獲得之固化性聚矽氧組成物散佈至模具中之步驟；以及 (III) 使所述步驟(II)中注入之固化性聚矽氧組成物固化之步驟。
本組成物可適用於包含一次實施半導體元件之注塑成型及底部填充之覆蓋步驟（所謂模具底部填充法）的成型方法。並且，本組成物藉由上述特性，能夠適用於含有以覆蓋搭載單個或多個半導體元件之半導體晶圓基板之表面，並利用該固化物填充半導體元件之間隙之方式進行注塑成型之覆蓋步驟（所謂晶圓成型）之成型方法。
上述步驟中，可使用轉移成型機、壓縮成型機、注射成型機、輔助壓頭式成型機、滑動式成型器、二重壓頭式成型機或者低壓封入用成型機等。尤其是，本發明組成物可適用於藉由轉移成型及壓縮成型獲得固化物之目的。
最後，於步驟(III)中將步驟(II)中注入（適用）之固化性聚矽氧組成物進行固化。再者，作為(C)成分使用有機過氧化物時，加熱溫度較佳為150℃以上或者170℃以上。
為了適用於半導體等之保護構件，將本組成物固化後獲得之固化物於25℃時之D型硬度計硬度較佳為20以上。再者，該D型硬度計硬度可基於JIS K 6253-1997「硫化橡膠以及熱塑性橡膠之硬度試驗方法」，利用D型硬度計求得。
［組成物之用途］ 由於本組成物具有熱熔性，且熔融（熱熔）時之流動性、操作作業性及固化性優異，故適用於半導體用密封劑或底部填充劑；SiC、GaN等功率半導體用密封劑或底部填充劑；發光二極體、光電二極體、光電晶體管、雷射二極體等光半導體用密封劑或光反射材料；電氣或電子用黏接劑、灌封劑、保護劑、塗層劑。此外，由於本組成物具有熱熔性，所以亦適用於轉移成型、壓縮成型或者注射成型用材料。尤其適合用作成型時使用模具底部填充法或晶圓成型法之半導體用密封劑。進而，將本組成物做成片狀，可作為固化性之薄膜黏接劑或線膨脹係數不同之2種基材間的應力緩衝層使用。
［固化物之用途］ 本發明之固化物之用途並無特別限制，本發明組成物具有熱熔性，成型性優異，並且固化物具有優異之黏合特性、高模數及低線膨脹係數。因此，將本組成物固化而成之固化物可適用於半導體裝置用構件，並且可適用於半導體元件或IC晶片等之密封材料或者光半導體裝置之光反射材料。
具備由本發明之固化物構成之構件之半導體裝置並無特別限制，尤佳為搭載於功率半導體裝置、光半導體裝置上之半導體裝置。
［實施例］ 以下藉由實施例及比較例，詳細說明本發明之熱熔性固化性聚矽氧組成物及其製造方法。再者，式中，Me、Ph、Vi分別表示甲基、苯基、乙烯基。此外，對於各實施例、比較例之固化性聚矽氧組成物，採用如下方法測定其軟化點及熔融黏度。此外，於180℃下將固化性聚矽氧組成物加熱2小時，製成固化物，並利用以下方法測定各種基材之黏合力。結果記載於表1。
［固化性聚矽氧組成物之軟化點］ 將固化性聚矽氧組成物成型為φ14 mm×22 mm之圓柱狀顆粒物。將該顆粒物放置於設定為25℃至100℃之熱板上，以100克重之負載從上方按住10秒鐘並去除負載後，測定該顆粒物之變形量。將高度方向之變形量為1 mm以上之溫度設為軟化點。
［熔融黏度］ 藉由高化型流量測試儀CFT-500EX（株式會社島津製作所製）於100 kgf之加壓下，使用直徑0.5 mm之噴嘴測定固化性聚矽氧組成物於180℃時之熔融黏度。
［固化物之抗彎強度］ 於180℃下將固化性聚矽氧組成物加熱2小時，製成固化物。藉由JIS K 6911-1995「熱固化性塑膠一般試驗方法」中規定之方法，測定該固化物之抗彎強度。
［固化物之線膨脹係數曲線］ 藉由上述方法使實施例1之固化性聚矽氧組成物固化，製成固化物。利用真空理工（株）製TM9200，測定該固化物於20℃至200℃之溫度範圍內之線膨脹係數。
［晶片抗切強度］ 於25 mm×75 mm之各種基材上，於4處設置分別約為500 mg之固化性聚矽氧組成物。接著，於該組成物上覆蓋厚度為1 mm之10 mm方形玻璃製晶片，於180℃之溫度條件下，於藉由1 kg板進行熱壓接之狀態下加熱2小時，使其固化。然後，冷卻至室溫，藉由剪切強度測定裝置（西進商事株式會社製之Bond Tester SS-100KP）測定晶片抗切強度。
以下，利用參考例1至參考例3所示之方法，製備包含矽氫化反應催化劑之有機聚矽氧烷樹脂，並根據軟化點/熔融黏度之有無來評價其熱熔性之有無。此外，利用參考例4至參考例6所示之方法製備該有機聚矽氧烷樹脂微粒。另外，參考例中作為矽氫化反應催化劑之鉑絡合物中使用的1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙烯基二矽氧烷記載為「1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷」。
［參考例1］ 於1L之燒瓶中投入25℃時為白色固體狀且以平均單元式： (PhSiO3/2 )0.80 (Me2 ViSiO1/2 )0.20 表示之樹脂狀有機聚矽氧烷之55質量%-甲苯溶液270.5g以及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液（鉑金屬之含量=約4000 ppm）0.034 g，並於室溫（25℃）下均勻攪拌，製成以質量單元計含有10 ppm鉑金屬之樹脂狀有機聚矽氧烷(1)之甲苯溶液。此外，該樹脂狀有機聚矽氧烷(1)之軟化點為100℃，其於150℃時藉由旋轉黏度計測定之黏度為30 Pa·s。
［參考例2］ 於1L之燒瓶中投入25℃時為白色固體狀且以平均單元式： (PhSiO3/2 )0.80 (Me2 ViSiO1/2 )0.20 表示之樹脂狀有機聚矽氧烷之55質量%-甲苯溶液270.5g、以式： HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度為5 mPa s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）21.3g（相對於所述樹脂狀有機聚矽氧烷中之乙烯基1莫耳，本成分中之矽原子鍵結氫原子為0.5莫耳之量）以及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液（鉑金屬之含量=約4000 ppm）0.034g（相對於本液狀混合物，鉑金屬以質量單元計為10 ppm之量），並在室溫下均勻攪拌。然後，於油槽中將燒瓶內之溫度提高至100℃，於甲苯回流下攪拌2小時，製成由來自上述樹脂狀有機聚矽氧烷之樹脂狀有機矽氧烷及來自上述二苯基矽氧烷之鏈狀有機矽氧烷構成且具有未參與上述反應之乙烯基之有機矽氧烷交聯物(2)之甲苯溶液。再者，藉由FT-IR分析該有機矽氧烷交聯物(2)時，未發現矽原子鍵結氫原子之峰。此外，該有機矽氧烷交聯物(2)之軟化點為75℃，其100℃時之熔融黏度為700 Pa·s。
［參考例3：熱熔性有機聚矽氧烷樹脂微粒(1)］ 藉由40℃之噴霧乾燥將參考例1中製備之有機矽氧烷交聯物(1)之甲苯溶液去除甲苯並形成微粒，製成正球狀熱熔性聚矽氧微粒(1)。利用光學顯微鏡觀測該微粒時，粒徑為5至10 µm，平均粒徑為7.9 µm。
［參考例4：熱熔性有機聚矽氧烷樹脂微粒(2)］ 藉由40℃之噴霧乾燥對參考例2中製備之有機矽氧烷交聯物(2)之甲苯溶液去除甲苯並形成微粒，製成正球狀熱熔性聚矽氧微粒(2)。利用光學顯微鏡觀測該微粒時，粒徑為5至10 µm，平均粒徑為7.5 µm。
［實施例1］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 雙（三甲氧基矽基丙氧基甲基）乙烯基毒鼠矽8.1g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［實施例2］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 黏度1,000 mPa·s且以 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 雙（三甲氧基矽基丙氧基甲基）烯丙基毒鼠矽8.1g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［實施例3］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 黏度1,000 mPa·s且以 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 以下結構式所表示的碳環毒鼠矽衍生物8.1g
Figure 02_image033
1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［實施例4］ 將平均粒徑14.5 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S610-5P）1700.0g以及黏度125 mPa s且以式： Me3 SiO(Me2 SiO)110 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 黏度1,000 mPa·s且以 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 雙（三甲氧基矽基丙氧基甲基）乙烯基毒鼠矽8.0g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［實施例5］ 將平均粒徑14.5 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S610-5P）1700.0g以及黏度125 mPa s且以式： Me3 SiO(Me2 SiO)110 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 黏度1,000 mPa·s且以 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 雙（三甲氧基矽基丙氧基甲基）烯丙基毒鼠矽8.0g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［實施例6］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製SP-6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g 一同投入小型磨床，於150℃下攪拌1分鐘5次，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床之溫度恢復至25℃。 接著，將熱熔性聚矽氧微粒(2)74.1g、以式： HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）11.1g、黏度1,000 mPa·s且以 平均式Me2 ViSiO(MePhSiO)17.5 SiMe2 Vi 表示之分子鏈兩末端以二甲基乙烯基矽氧基封端之甲基苯基聚矽氧烷（乙烯基之含量=2.1質量%）14.8g ｛相對於聚矽氧微粒(2)與分子鏈兩末端以二甲基乙烯基矽氧基封端之甲基苯基聚矽氧烷中之乙烯基1莫耳，上述二苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 雙(三甲氧基矽基丙氧基甲基)乙烯基毒鼠矽8.1g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［比較例1］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 黏度1,000 mPa·s且以 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 25℃時之黏度為30 mPa s且分子鏈兩末端由矽醇基封端之甲基乙烯基矽氧烷低聚物與3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷之縮合反應物 8.1g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［比較例2］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 (Me2 ViSiO1/2 )0.2 (MeEpSiO2/2 )0.25 (PhSiO3/2 )0.55 (HO1/2 )0.005 表示之含環氧基之聚矽氧烷8.1g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［比較例3］ 將平均粒徑17 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S6050P）1900.0g以及黏度23 mPa s且以式： Me2 ViSiO(Me2 SiO)29 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g ｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、 3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷8.1g以及 1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
［比較例4］ 將平均粒徑14.5 µm之熔融二氧化矽（新日鐵Materials·Micron公司製S610-5P）1700.0g以及黏度125 mPa s且以式： Me3 SiO(Me2 SiO)110 Si(OMe)3 表示之二甲基聚矽氧烷9.5g一同投入小型磨床，於室溫（150℃）下攪拌1分鐘，對熔融二氧化矽實施表面處理，並將磨床溫度恢復至25℃。接著，將熱熔性聚矽氧微粒(1)78.7g、 以式：HMe2 SiO(Ph2 SiO)SiMe2 H 表示之黏度5 mPa·s且分子鏈兩末端以二甲基氫矽氧基封端之二苯基矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.6質量%）9.1g、 平均單元式： (PhSiO3/2 )0.4 (HMe2 SiO1/2 )0.6 表示之一分子中具有2個以上矽原子鍵結氫原子且黏度25 mPa s之支鏈狀有機聚矽氧烷（矽原子鍵結氫原子之含量=0.65質量%）12.2g｛相對於聚矽氧微粒(1)中之乙烯基1.0莫耳，上述二苯基矽氧烷及支鏈狀苯基矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子為1.0莫耳之量｝、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷8.1g以及1-乙炔基-1-環己醇（相對於本組成物，以質量單位計為300 ppm之量）追加投入小型磨床，並於室溫（25℃）下攪拌1分鐘，製成均勻之粒狀白色固化性聚矽氧組成物。此組成物之軟化點等的測量結果如表1所示。
表1
   實施例
1 2 3 4 5 6
軟化溫度 [℃] 100 100 85 90 90 85
熔融黏度 [Pa s] 65 70 65 75 80 150
晶片抗切強度 相對於Al [MPa] 9.3 10.1 8.5 9.1 9.6 5.3
相對於Ni [MPa] 8.3 9.5 7.1 7.9 8.3 5.1
相對於Au [MPa] 7.9 9.1 6.5 8.0 8.5 5.2
相對於環氧玻璃 [MPa] 9.1 10.2 8.6 8.5 8.8 5.2
CTE[ppm/℃] 12 11 12 13 14 12
抗彎強度[MPa] 46 51 43 48 49 52
   比較例
1 2 3 4      
軟化溫度 [℃] 100 100 110 110      
熔融黏度 [Pa s] 70 85 250 190      
晶片抗切強度 相對於Al [MPa] 7.5 7.9 8.9 8.1      
相對於Ni [MPa] 0 0 4.2 3.7      
相對於Au [MPa] 0 0 3.1 3.3      
相對於環氧玻璃 [MPa] 2.1 1.4 4.3 3.2      
CTE[ppm/℃] 11 12 10 14      
抗彎強度[MPa] 49 50 37 35      
［總結］ 本發明所涉及之實施例1至實施例6之固化性聚矽氧組成物具有良好之熱熔性，對於任何基材均能牢固地黏接，且具有實用時充分之線膨脹係數(CTE)及抗彎強度。因此，使用該等固化性聚矽氧組成物而獲得之固化物有望用於多使用金、環氧玻璃等之半導體設備的密封。
另一方面，關於不滿足本發明之組成要件之比較例1至比較例4，對鋁顯示良好之黏合力，但對於相對難黏合基材之鎳、金、環氧玻璃，無法牢固地黏接。並且，比較例3、4等使用毒鼠矽衍生物以外之矽烷化合物時，熔融特性及固化物強度變差。推斷原因係比較例3、4之增黏劑對功能性填充料之表面處理產生不良影響所致。
＜製造例1＞ 將上述實施例1等製成粒狀之固化性聚矽氧組成物加熱至80℃，同時使用雙螺桿擠出機進行加熱熔融混煉，以半固體狀軟化物形態並以5 kg/小時之供應量向剝離性薄膜（株式會社TAKARA公司製，Biwaraina）上供應，積層於2片剝離性薄膜之間。繼而，於滾筒間拉伸該積層體，從而形成厚度500 µm之熱熔性固化性聚矽氧片積層於2片剝離性薄膜之間的積層體，藉由設定為-15℃之冷卻滾筒使整體冷卻。於該積層體中，藉由分離剝離性薄膜，獲得平坦且均質之熱熔性固化性聚矽氧片。
＜製造例2＞ 將上述實施例1之製成粒狀之固化性聚矽氧組成物加熱至80℃，同時使用雙螺桿擠出機進行加熱熔融混煉，藉由T字模（開口尺寸：800 µm×100 mm，加熱80℃）成型為大致片狀，同時以5 kg/小時之供應量向剝離性薄膜（株式會社TAKARA公司製，Biwaraina）上供應，藉由設定為-15℃之冷卻滾筒使整體冷卻後積層於2片剝離性薄膜之間。繼而，於滾筒間拉伸該積層體，從而形成厚度500 µm之熱熔性固化性聚矽氧片積層於2片剝離性薄膜之間的積層體。於該積層體中，藉由分離剝離性薄膜，獲得平坦且均質之熱熔性固化性聚矽氧片。
無
無

Claims (22)

  1. 一種固化性聚矽氧組成物，其含有： (A)  含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上之RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷樹脂微粒， (B)   選自毒鼠矽衍生物及碳環毒鼠矽衍生物中之1種以上增黏劑， (C)   固化劑，以及 (D)  功能性無機填充料， 並且，相對於組成物整體，(D)成分含量至少為50體積%以上， 於25℃時為固體，200℃以下之溫度下具有熱熔性。
  2. 如請求項1之固化性聚矽氧組成物，其中，(A)成分之至少一部分或全部係(A1)軟化點為30℃以上，分子內具有含有至少1個碳-碳雙鍵之固化反應性官能基，且含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上的RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元的熱熔性有機聚矽氧烷樹脂微粒。
  3. 如請求項1或2之固化性聚矽氧組成物，其中，相對於組成物整體，(D)成分含量至少為50體積%以上，並且， (B)成分含量為組成物整體之0.1至1.0質量%之範圍內。
  4. 如請求項1至3中任一項之固化性聚矽氧組成物，其藉由固化而形成於25℃至200℃之範圍內平均線膨脹係數為20 ppm/℃以下之固化物。
  5. 如請求項1至4中任一項之固化性聚矽氧組成物，其藉由固化而形成根據JIS K 6911-1995「熱固化性塑膠一般試驗方法」中規定之方法測定出之固化物抗彎強度為15 MPa以上之固化物。
  6. 如請求項第1至5項中任一項之固化性聚矽氧組成物，其中，(A)成分之至少一部分或全部係(A1-1)軟化點為30℃以上，分子內具有含有至少1個碳-碳雙鍵之固化反應性官能基，且含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上的RSiO3/2 （式中，R為一價烴基）所表示之矽氧烷單元，且矽原子鍵結有機基之10莫耳%以上為芳基的熱熔性有機聚矽氧烷樹脂微粒。
  7. 如請求項1至6中任一項之固化性聚矽氧組成物，其中，(B)成分係選自下述結構式(1)：
    Figure 03_image001
    (1) ｛式(1)中，R1 為相同或不同之氫原子或烷基，R2 為選自由氫原子、烷基及通式：-R4 -Si(OR5 )x R6 (3-x) （式中，R4 為二價有機基，R5 為碳原子數1至10之烷基，R6 為取代或未經取代之一價烴基，x為1、2或3）所表示之含烷氧基矽基之有機基所組成之群組中的相同或不同基團，其中，R2 之至少1個為該含烷氧基矽基之有機基，R3 為選自取代或未經取代之一價烴基、碳原子數1至10之烷氧基、環氧丙氧基烷基、氧
    Figure 03_image003
    基烷基、醯氧基烷基以及烯基所組成之群組中的基團｝所表示之毒鼠矽衍生物以及下述結構式(2)：
    Figure 03_image027
    (2) ｛式(2)中，R1 為烷基、烯基或烷氧基，R2 為相同或不同之選自由通式：
    Figure 03_image029
    （式中，R4 為伸烷基或伸烷氧基伸烷基，R5 為一價羥基，R6 為烷基，R7 為伸烷基，R8 為烷基、烯基或醯基，a為0、1或2） 所表示之基所組成之群中之基，R3 為相同或不同之氫原子或烷基｝ 所表示之碳環毒鼠矽衍生物中之1種以上。
  8. 如請求項1至7中任一項之固化性聚矽氧組成物，其中，(A)成分係平均一次粒徑為1至10 µm之正球狀樹脂微粒。
  9. 如請求項1至8中任一項之固化性聚矽氧組成物，其中，(C)成分係選自以下(c1)或(c2)中的一種以上固化劑： (c1)  有機過氧化物 (c2)  分子內具有至少2個矽原子鍵結氫原子的有機氫聚矽氧烷及矽氫化反應催化劑； 含量為本組成物之固化所需要的量。
  10. 如請求項1至9中任一項之固化性聚矽氧組成物，其中，(D)成分為增強性填充料、白色顏料、導熱性填充料、導電性填充料、螢光體或該等至少2種之混合物。
  11. 如請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物，其為粒狀、顆粒狀或片狀。
  12. 一種固化性聚矽氧組成物片，其由請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物構成，實質上平坦，厚度為10至1000 µm。
  13. 一種薄膜狀黏接劑，其係請求項12之固化性聚矽氧組成物片。
  14. 一種剝離性積層體，其具有請求項12之固化性聚矽氧組成物片，以及在該固化性聚矽氧組成物片的單面或雙面，具有與該固化性聚矽氧組成物片相向之剝離面的片狀基材。
  15. 一種固化物，其係使請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物固化而成。
  16. 一種固化物作為半導體裝置用構件之使用，該固化物為請求項15之固化物。
  17. 一種半導體裝置，其具有請求項15之固化物。
  18. 一種將請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物製成粒狀之製造方法，僅將構成固化性聚矽氧組成物之各成分於不超過50℃之溫度條件下混合，藉此進行粒狀化。
  19. 一種固化物之成型方法，其至少由下述步驟(I)至(III)構成： (I)    將請求項11之顆粒狀或片狀固化性聚矽氧組成物加熱至100℃以上後進行熔融之步驟； (II)   將藉由該步驟(I)獲得之液態的固化性聚矽氧組成物注入模具之步驟，或者利用鎖模將藉由該步驟(I)獲得之固化性聚矽氧組成物散佈至模具中之步驟；以及 (III) 使該步驟(II)中注入之固化性聚矽氧組成物固化之步驟。
  20. 如請求項19之固化物之成型方法，其包含下述覆蓋步驟：藉由使請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物固化而成之固化物，一次實施半導體元件之注塑成型以及底部填充。
  21. 如請求項20之固化物之成型方法，其包含下述覆蓋步驟：藉由使請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物固化而成之固化物，覆蓋搭載有單個或複數個半導體元件之半導體晶圓基板之表面，並且實施注塑成型，藉由該固化物填充半導體元件之間隙。
  22. 一種固化性聚矽氧組成物片之製造方法，其係請求項12之固化性聚矽氧組成物片之製造方法，該製造方法具備以下步驟： 步驟1：以50℃以上之溫度混合請求項1至10中任一項之固化性聚矽氧組成物之各原料成分的步驟； 步驟2：對步驟1所獲得之混合物進行加熱熔融且同時混煉之步驟； 步驟3：於具備至少一個剝離面之薄膜間積層步驟2所獲得之加熱熔融後混合物之步驟，以及 步驟4：於滾筒間拉伸步驟3所獲得之積層體，成型具有特定膜厚之固化性聚矽氧片之步驟。
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