TW202039738A - 附有導電層之偏光膜及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種附有導電層之偏光膜，其即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦能夠保持例如不會引起觸控感測器之誤動作之穩定之導電性。提供一種附有導電層之偏光膜。該附有導電層之偏光膜具備偏光膜與配置於偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層。又，偏光膜之下式(1)所表示之濕熱導電性變化比F_HT 為2以下。 F_HT ＝ΔC(B)/ΔC(A)・・・・・(1) (式(1)中，ΔC(B)係將濕熱試驗後之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量，ΔC(A)係將濕熱試驗前之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量)

Description

附有導電層之偏光膜及其製造方法

本發明係關於一種附有導電層之偏光膜及其製造方法。 本申請案主張基於2019年3月5日提出申請之日本專利出願2019-039937號之優先權，該申請案之全部內容作為參照併入本說明書中。

亦稱為偏光板之偏光膜廣泛用作液晶顯示裝置或光學感測器等之構成要素。例如，用於液晶顯示裝置之偏光膜通常經由黏著劑而接合於液晶單元等液晶面板零件。關於典型態様，於液晶顯示裝置之製造步驟中，上述偏光膜以其至少一面具有黏著劑層之形態使用。此種形態之偏光膜藉由去除保護該黏著劑層之剝離襯墊而將其露出之黏著面貼附於被黏著體，即可配置於液晶面板，因此就操作性、生產性之方面有利。另一方面，如上所述去除剝離襯墊之情形等時有可能產生靜電。該靜電會影響液晶單元內之液晶之配向，例如引起液晶之顯示不均(以下亦稱為「靜電不均」)。因此，對具備黏著劑層之偏光膜採用設置抗靜電層等對策。作為揭示此種先前技術之先前技術文獻，可列舉專利文獻1。再者，專利文獻2揭示有可用於各種電子機器之液晶驅動用之透明電極等的導電性樹脂組合物，記載有使透明導電膜包含導電性提高劑。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：國際公開第2017/057097號 專利文獻2：日本專利申請公開2015-117367號公報

[發明所欲解決之問題]

關於如上所述之靜電對策，僅提高導電性之類的方法於一些裝置構成中難以採用。例如，導電性之提高有可能對內建觸控感測功能之液晶顯示裝置之觸控感測器感度造成不良影響。由於內建觸控感測功能之液晶顯示裝置所採用之靜電電容方式為檢測藉由手指接觸於觸控面板而產生之靜電電容之變化並驅動之輸入裝置，故而若因抗靜電層之存在使得電場混亂而導致應檢測之靜電電容之變化變得不穩定，則會引起觸控面板感度之下降。因此，用於內建觸控感測功能型之抗靜電層係以具有能夠同時實現防止產生靜電不均與觸控感測器感度之導電性的方式構成(專利文獻1)。就裝置之耐久性或長壽命化之方面而言，較理想為該導電性於各種環境下使用亦可穩定地維持其導電性。然而，根據本發明者等人之研究結果，可知先前之附有導電層之偏光膜若於高溫高濕度環境下使用，則表面電阻值減小，而有引起觸控感測器之誤動作之虞。

本發明係鑒於上述情況而成者，目的在於提供一種即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦能夠保持例如不會引起觸控感測器之誤動作之穩定之導電性的附有導電層之偏光膜。本發明之另一目的在於提供附有導電層之偏光膜之製造方法。 [解決問題之技術手段]

根據本說明書，提供一種附有導電層之偏光膜。該附有導電層之偏光膜具備與配置於該偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層。又，於若干態様中，上述偏光膜之下式(1)所表示之濕熱導電性變化比F_HT 為2以下。 F_HT ＝ΔC(B)/ΔC(A)・・・・・(1) (式(1)中，ΔC(B)係將於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量，ΔC(A)係將上述濕熱試驗前之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量)

上述附有導電層之偏光膜藉由具有導電層而表現出良好之導電性。藉由將導電層設為與偏光膜之積層體之形態，可以較高之生產性對被黏著體(典型而言液晶面板)賦予目標導電性，又，固定於被黏著體(典型而言液晶面板)後，導電層不易剝離，可發揮優異之耐久性。又，附有導電層之偏光膜根據貼附有其黏著劑層之觸控面板之電流值差量所求出之濕熱試驗前後之濕熱導電性變化比F_HT 為2以下，因此，即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦能夠保持穩定之導電性。具體而言，於將上述附有導電層之偏光膜用於例如內建觸控感測功能之液晶顯示裝置之情形時，可防止或抑制如會引起觸控感測器之誤動作的導電性之變化(更具體而言表面電阻值之降低)。

又，根據本說明書，於不同態樣下，提供一種附有導電層之偏光膜。該附有導電層之偏光膜具備偏光膜、與配置於該偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層。又，於若干態様中，上述導電層之濕熱表面電阻變化比S/P滿足條件：0.05≦S/P≦10。此處，S係於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之導電層之表面電阻值[Ω/□]，P係上述濕熱試驗前之導電層之表面電阻值[Ω/□]。上述附有導電層之偏光膜藉由具有導電層而表現出良好之導電性，且能夠耐久性良好地固定於被黏著體(典型而言液晶面板)。又，導電層於濕熱試驗前後之表面電阻變化比處於特定範圍內，因此，即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦能夠保持穩定之導電性，耐久性(濕熱耐久性)優異。

又，根據本說明書，於不同態樣下，提供一種附有導電層之偏光膜。該附有導電層之偏光膜具備偏光膜、與配置於該偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層。於若干態様中，上述導電層可為由包含導電性聚合物與沸點為180℃以上之高沸點化合物之導電性組合物所形成者。上述附有導電層之偏光膜藉由具有導電層而表現出良好之導電性，且能夠耐久性良好地固定於被黏著體(典型而言液晶面板)。又，藉由使用沸點為180℃以上之高沸點化合物所形成之導電層，暴露於濕熱環境後之導電穩定性(即濕熱導電穩定性)提高，因此，即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦能夠保持穩定之導電性。即，於此處揭示之技術中，高沸點化合物並非用於提高導電性，而是用於如觸控感測器長期無誤動作地發揮功能之濕熱導電穩定性。此點係與專利文獻2中使用導電性提高劑之導電性提高於本質上不同。再者，於此處揭示之技術中，目標導電性可藉由導電性聚合物之種類、使用量等進行調節。

於此處揭示之技術(包含附有導電層之偏光膜、液晶面板、內建觸控感測功能之型液晶面板、內嵌型液晶面板、液晶顯示裝置及該等之製造方法。以下同樣)之若干態様中，上述導電層之濕熱表面電阻變化比S/P滿足條件：0.05≦S/P≦10。此處，S係於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之導電層之表面電阻值[Ω/□]，P係上述濕熱試驗前之導電層之表面電阻值[Ω/□]。上述附有導電層之偏光膜所具備之導電層於濕熱試驗前後之表面電阻變化比處於特定範圍內，因此，可發揮得以改善之濕熱導電穩定性。

於若干較佳態様中，上述導電性組合物中之上述高沸點化合物之含量為0.1～10重量%。藉由將導電性組合物中之高沸點化合物之含量設為特定範圍，可較佳地獲得良好之濕熱導電穩定性。又，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之構成中，可較佳地兼備濕熱導電穩定性與黏著劑層之抓固性。再者，黏著劑層之抓固性優異會帶來應用上述附有導電層之偏光膜的構造體(例如液晶面板、進而液晶顯示裝置)製造時之加工性、二次加工性之改善，亦有助於貼附有該附有導電層之偏光膜的構造具有優異之耐久性。

於若干較佳態様中，上述導電層包含噻吩系聚合物作為導電性聚合物。於使用噻吩系聚合物作為導電性聚合物之構成中，較佳地發揮此處揭示之技術之濕熱導電穩定性改善效果。

於若干較佳態様中，上述導電層包含黏合劑。藉此，導電層之膜形成性提高，並且，於在偏光膜上形成導電層之態様中，偏光膜與導電層之密接性可得到較佳提高，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之態様中，黏著劑層之抓固性可得到較佳提高。

於若干較佳態様中，上述黏著劑層包含丙烯酸系聚合物。藉由使用包含丙烯酸系聚合物之黏著劑層，容易將偏光膜良好地接著固定於例如液晶裝置構成構件等被黏著體。此種丙烯酸系聚合物更佳為含有含醯胺基之單體作為單體單元者。藉由使含醯胺基之單體聚合而成之丙烯酸系聚合物，而有抓固性提高之傾向。

於若干較佳態様中，上述導電層係設置於上述偏光膜之至少一面。又，上述黏著劑層係配置於上述導電層上。此種構成中，較佳地發揮此處揭示之技術之效果。又，藉由在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層，亦可使導電層作為提高黏著劑層之抓固性之增黏層發揮功能。

此處揭示之附有導電層之偏光膜由於提高了濕熱導電穩定性，故而較佳地用於內嵌型液晶面板。內嵌型液晶面板不同於表嵌型，ITO層等導電性層並非設置於面板之表面，因此，作為附有導電層之偏光膜，使用電阻更低者。由於存在電阻值水準越低而越不易消除觸控感測器感度之不良情況之傾向，故而與表嵌型相比，內嵌型液晶面板中電阻值穩定性之重要度較高。因此，利用此處揭示之技術，提高包括濕熱導電穩定性之導電穩定性之優點於內嵌型中尤其明顯。藉由在內嵌型液晶面板中使用此處揭示之附有導電層之偏光膜，利用其濕熱導電穩定性提高效果，長期連續以良好之耐久性穩定地保持觸控感測器之感度，能夠實現內嵌型液晶顯示裝置中之觸控感測器感度穩定性、進而裝置之耐久性提高、長壽命化。此處揭示之附有導電層之偏光膜可尤其適於各種液晶面板中之內嵌型液晶面板用途。

又，根據本說明書，提供一種附有導電層之偏光膜之製造方法。該方法具備以下步驟：於偏光膜之至少一面形成導電層；及於上述導電層上設置黏著劑層。又，上述導電層係由包含導電性聚合物與沸點為180℃以上之高沸點化合物之導電性組合物所形成。根據該方法，藉由使用沸點為180℃以上之高沸點化合物形成導電層，可獲得具有得以改善之濕熱導電穩定性的附有導電層之偏光膜。

以下，說明本發明之較佳之實施形態。再者，本說明書中未特別提及之事項以外且實施本發明必需之情況係基於本說明書記載之發明的實施之教示及申請時之技術常識而為業者理解。本發明可基於本說明書所揭示之內容及該區域之技術常識而實施。 再者，以下之圖式中，對實現相同作用之構件・部位附上相同符號而說明，省略或簡化重複說明。又，圖式記載之實施形態係為了明確說明本發明而模式化，並非准確表示實際提供之製品及零件之尺寸或比例尺。

＜附有導電層之偏光膜＞ 此處揭示之附有導電層之偏光膜具備偏光膜、黏著劑層及導電層。該等各構成要素(各層)之配置並無特別限定，例如，黏著劑層可配置於偏光膜之第一面側及第二面(與第一面相反側之面)側之至少一者。導電層亦可配置於偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者。

圖1中模式表示此處揭示之附有導電層之偏光膜之構成例。該附有導電層之偏光膜10依序具有偏光膜11、導電層13及黏著劑層12。具體而言，於偏光膜11之一面(第一面)11A設置有導電層13，於導電層13之一面(與偏光膜11側相反側之面)上配置有黏著劑層12。又，附有導電層之偏光膜10可於偏光膜11之另一面(第二面，亦稱為背面)11B具有表面處理層14。附有導電層之偏光膜10係將其黏著劑層12之黏著面12A貼附於被黏著體(例如液晶單元之視認側之透明基板等光學零件)之表面而使用。使用前(即，向被黏著體貼附前)之附有導電層之偏光膜10可為黏著劑層12之黏著面(向被黏著體之貼附面)12A被至少黏著劑層12側成為剝離面之剝離襯墊(未作圖示)保護之形態。再者，可於附有導電層之偏光膜10之背面(表面處理層14之外表面，於不具有表面處理層14之情形時為偏光膜11之背面)設置表面保護膜(未作圖示)。

附有導電層之偏光膜之積層構造並不限定於上述構成例。例如，可為於偏光膜之一面(第一面)設置導電層、於偏光膜之另一面(第二面)設置黏著劑層。於該變化例中，導電層可為偏光膜之背面層。又，作為其他變化例，可列舉：於偏光膜之一面設置黏著劑層，於該黏著劑層之一面(與偏光膜側相反側之面)上配置導電層。於該變化例中，導電層與黏著劑層部分地融合，導電層表面可具有特定之黏著力。此種融合具體而言可為藉由黏著劑層構成成分向導電層之轉移、或導電層構成成分向黏著劑層之轉移而產生之融合。或可為於與上述相同之層構成中，將導電層部分地配置於黏著劑層表面。藉由該構成，亦可使附有導電層之偏光膜之導電層側表面具有特定之黏著力。於該態様中，黏著劑層表面之導電層之形狀(圖案)並無特別限定，可為條紋狀、格子狀等於附有導電層之偏光膜之一外表面上沿至少一方向連續之形狀。

再者，上述構成例或變化例可進行組合。例如可設為如下構成：於偏光膜之兩面配置導電層，一者為偏光膜之背面層，另一者配置於偏光膜與黏著劑層之間或配置於黏著劑層上(具體而言與偏光膜側相反側之面)。又，亦可為於偏光膜與黏著劑層之間配置導電層，進而於黏著劑層之與偏光膜側相反側之面亦配置其他導電層。因此，於此處揭示之附有導電層之偏光膜中，導電層不限於一層，亦可能為可分開配置之兩層或三層。

＜濕熱導電性變化比F_HT ＞ 此處揭示之附有導電層之偏光膜於若干態様中可為特徵在於下式(1)所表示之濕熱導電性變化比F_HT (Hygro-thermal factor)為2以下者。 F_HT ＝ΔC(B)/ΔC(A)・・・・・(1) 上式(1)中，ΔC(B)係將於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量，ΔC(A)係將上述濕熱試驗前之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量。滿足該特性之附有導電層之偏光膜即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦可保持穩定之導電性。就此種觀點而言，上述F_HT 較佳為大致1.7以下、更佳為大致1.5以下、進而較佳為大致1.3以下、尤佳為大致1.1以下(例如1.0以下)。此處揭示之技術可為關於抑制暴露於濕熱環境下之情形時之表面電阻減小(導電性上升)者，因此，濕熱試驗後之導電性降低(即F_HT 之減小)並無特別限定，上述F_HT 通常為大致0.1以上(例如大致0.3以上)，宜為大致0.5以上，較佳為大致0.6以上、更佳為大致0.7以上、進而較佳為大致0.8以上、尤佳為大致0.9以上(典型而言0.95以上，例如0.99以上)。上述F_HT 藉由後述實施例中記載之方法測定。再者，本說明書中揭示之附有導電層之偏光膜包含上述濕熱導電性變化比F_HT 無限制之態様，於此種態様中，附有導電層之偏光膜不限定於具有上述特性者。

＜偏光膜＞ 此處揭示之偏光膜亦稱為偏光板，通常可為具備偏光元件、及配置於該偏光元件之至少一面(較佳為兩面)之透明保護膜者。作為偏光元件，並無特別限定，例如使用於親水性高分子膜吸附碘或二色性染料之二色性物質進行單軸延伸者。作為親水性高分子膜，可列舉：聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等。作為偏光元件，亦可使用PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系配向膜等。其中，較佳為PVA系膜及包含碘等二色性物質之偏光元件。

偏光元件之厚度並無特別限制，一般而言大致為80 μm以下。又，就厚度較小化之觀點而言，亦可較佳地使用厚度大致10 μm以下(較佳為大致1～7 μm)之厚度較小的偏光元件。厚度較小之偏光元件由於厚度不均較少，視認性優異，又，尺寸變化較少，故而耐久性亦優異。使用厚度較小之偏光元件亦有助於偏光膜之厚度較小化。

作為構成透明保護膜之材料，例如較佳地使用透明性、機械強度、熱穩定性、水分遮斷性、各向同性等優異之熱塑性樹脂。作為此種熱塑性樹脂之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環烯烴系樹脂(典型而言降𦯉烯系樹脂)、聚丙烯酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、PVA樹脂、及該等之2種以上之混合物等。於較佳態樣中，可採用於偏光元件之一面配置例如包含TAC等熱塑性樹脂之透明保護膜，於另一面配置包含環烯烴系樹脂(典型而言降𦯉烯系樹脂)或(甲基)丙烯酸樹脂之透明保護膜的構成。於其他較佳態樣中，可使用於偏光元件之一面配置例如包含TAC等熱塑性樹脂之透明保護膜，於另一面使用(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂，作為透明保護膜。該等透明保護膜可經由PVA系等接著劑積層於偏光元件。透明保護膜可根據目的包含任意適當之添加劑1種以上。

貼合偏光元件與透明保護膜使用之接著劑只要為光學且透明，則無特別限制，可使用水系、溶劑系、熱熔系、自由基硬化型、陽離子硬化型各種形態者。其中，較佳為水系接著劑或自由基硬化型接著劑。

又，可於偏光膜之背面(即與設置導電層之側相反側的面)設置表面處理層。表面處理層除可設置於偏光膜使用之上述透明保護膜以外，亦可另外作為與透明保護膜不同物體，設置於偏光膜上。

作為表面處理層之較佳例，可列舉硬塗層。作為硬塗層之形成材料，例如可使用熱塑性樹脂、藉由熱或放射線而硬化之材料。作為使用之材料，可列舉：熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂等放射線硬化性樹脂。其中，較佳為紫外線硬化型樹脂。紫外線硬化型樹脂藉由因紫外線照射之硬化處理，可高效地形成硬化樹脂層，故而加工性優異。作為硬化型樹脂，可使用聚酯系、丙烯酸系、胺基甲酸酯系、醯胺系、聚矽氧系、環氧系、三聚氰胺系等之1種或2種以上，該等可為包含單體、低聚物、聚合物等之形態。由於無需熱(基材損傷可成為原因)，加工速度優異，故而尤其較佳為放射線硬化型樹脂(典型而言紫外線硬化型樹脂)。

作為表面處理層之其他例，可列舉目的在於提高視認性之防眩處理層或抗反射層。於上述硬塗層上可設置防眩處理層或抗反射層。防眩處理層之構成材料並無特別限定，例如可使用放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、熱塑性樹脂等。作為抗反射層，可使用氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氟化鎂等。抗反射層可為具有包含複數層之多層構造者。作為表面處理層之其他例，可列舉：抗黏層等。

此處揭示之技術於具備表面處理層之態樣實施之情形時，可於表面處理層含有導電劑而賦予導電性。作為導電劑，可無特別限制地使用下述導電劑或導電成分。

此處揭示之偏光膜之厚度(包含複數層之情形時為該等之總厚)並無特別限定，例如大致為1 μm以上，通常為大致10 μm以上，宜為大致20 μm以上。例如於設置透明保護膜之情形時，就保護性等觀點而言，偏光膜之厚度較佳為大致30 μm以上，更佳為大致50 μm以上，進而較佳為大致為70 μm以上。偏光膜之上限並無特別限制，例如大致為1 mm以下，通常為大致500 μm以下，宜為大致300 μm以下。就光學特性或厚度較小化之觀點而言，上述厚度較佳為大致150 μm以下，更佳為大致120 μm以下，進而較佳為大致100 μm以下。

＜導電層＞ 此處揭示之導電層係配置於偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者以提高附有導電層之偏光膜之導電性之層。導電層例如可由包含有機或無機之導電性物質等各種導電劑之導電性組合物形成。於在導電層之表面配置黏著劑層之態様中，導電層亦可作為提高黏著劑層與偏光膜之密接性之增黏層發揮功能。

作為導電性組合物中(因此，導電層中亦如此。只要無特別說明，以下同樣如此)可包含之有機導電性物質，可列舉：四級銨鹽、吡啶鎓鹽、具有一級胺基、二級胺基、三級胺基等陽離子性官能基之陽離子型導電劑；磺酸鹽或硫酸酯鹽、膦酸鹽、磷酸酯鹽等具有陰離子性官能基之陰離子型導電劑；烷基甜菜鹼及其衍生物、咪唑啉及其衍生物、丙胺酸及其衍生物等兩性離子型導電劑；胺基醇及其衍生物、甘油及其衍生物、聚乙二醇及其衍生物等非離子型導電劑；使上述具有陽離子型、陰離子型、兩性離子型之離子導電性基(例如四級銨鹽基)之單體聚合或共聚合而獲得之離子導電性聚合物。此種導電劑可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

作為導電層中可包含之無機導電性物質之例，可列舉：氧化錫、氧化銻、氧化銦、氧化鎘、氧化鈦、氧化鋅、銦、錫、銻、金、銀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、碘化銅、ITO(氧化銦/氧化錫)、ATO(氧化銻/氧化錫)等。此種無機導電性物質可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

(導電性聚合物) 於若干較佳態様中，使用導電性聚合物作為導電劑。藉由使用導電性聚合物，可較佳地獲得光學特性、外觀、抗靜電效果優異之導電層。又，此處揭示之技術之濕熱導電穩定性提高效果有於包含導電性聚合物之導電層中得到較佳發揮之傾向。作為導電性聚合物，可列舉：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚喹㗁啉、聚乙烯亞胺、聚烯丙基胺等聚合物。此種導電性聚合物可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

作為導電性聚合物之較佳例，可列舉聚噻吩(噻吩系聚合物)及聚苯胺(苯胺系聚合物)。再者，本說明書中，所謂聚噻吩係指未經取代或經取代之噻吩的聚合物。作為此處揭示之技術中之經取代之噻吩聚合物的一較佳例，可列舉：聚(3,4-乙二氧基噻吩)。

作為上述導電性聚合物，可無特別限制地使用有機溶劑可溶性或水溶性、水分散性者。於若干較佳態様中，導電性聚合物係以水溶液或水分散液之形態用於形成導電層。於該態様中，由於可將包含導電性組合物之塗佈液設為水性液(可包含水與其他溶劑之水溶液或水分散液)之形態，故而可減輕因有機溶劑引起之偏光膜變質之風險。聚苯胺、聚噻吩等導電性聚合物容易成為水溶液或水分散液之形態，故而較佳地使用。其中，更佳為聚噻吩。於若干較佳態様中，使用聚噻吩水溶液來製備導電性組合物。再者，水溶液或水分散液除水外可包含水系溶劑。例如可將甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正戊醇、異戊醇、第二戊醇、第三戊醇、1-乙基-1-丙醇、2-甲基-1-丁醇、正己醇、環己醇等醇類之1種或2種以上，以與水之混合溶劑(水系溶劑)之形態使用。

上述導電性聚合物之水溶液或水分散液例如可藉由將具有親水性官能基之導電性聚合物(可藉由使分子內具有親水性官能基之單體共聚等方法而合成)溶解或分散於水中而製備。作為上述親水性官能基，可例示：磺基、胺基、醯胺基、亞胺基、羥基、巰基、肼基、羧基、四級銨基、硫酸酯基(-O-SO₃ H)、磷酸酯基(例如-O-PO(OH)₂ )等。該親水性官能基可形成鹽。

於若干較佳態様中，製備導電性組合物時使用聚陰離子作為摻雜劑(具體而言，噻吩系聚合物之摻雜劑)。於該態様中，導電層可包含聚陰離子。作為聚陰離子，可使用聚丙烯酸等聚羧酸類、或聚苯乙烯磺酸酯(PSS)等聚磺酸類之1種或2種以上。於尤佳態様中，使用包含PSS之聚噻吩水溶液(可為於聚噻吩中添加PSS作為摻雜劑之形態)。該水溶液可為以1：1～1：10之重量比含有聚噻吩：PSS者。上述水溶液中之聚噻吩與PSS之合計含量例如可為1～5重量%左右。

作為上述聚噻吩水溶液之市售品，可例示：長瀨化成公司製造之商品名「Denatron」系列、賀利氏公司製造之商品名「Clevios」系列。又，作為聚苯胺磺酸水溶液之市售品，可例示三菱麗陽公司製造之商品名「aqua-PASS」。

導電性組合物中之導電劑(較佳為導電性聚合物)之含量就抗靜電之觀點而言，宜為大致0.005重量%以上，較佳為大致0.01重量%以上。導電性組合物中之導電劑(較佳為導電性聚合物)之含量之上限例如宜為大致5重量%以下，較佳為大致3重量%以下、更佳為大致1重量%以下、進而較佳為大致0.7重量%以下。於使用上述導電性組合物獲得之導電層中，導電劑(較佳為導電性聚合物)之含量就抗靜電之觀點而言，宜為大致1重量%以上，較佳為大致3重量%以上、更佳為大致5重量%以上、進而較佳為大致7重量%以上、尤佳為大致10重量%以上。導電層中之導電劑(較佳為導電性聚合物)之含量之上限較佳為大致90重量%以下。

於使用包含導電性聚合物之導電層之態様中，亦可使導電層包含導電性聚合物以外之導電成分。作為此種導電成分，可列舉：上述作為有機或無機之導電性物質所例示者(導電性聚合物以外)、或者後述黏著劑層中包含之導電成分。該等可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。於此處揭示之技術中，導電層中之導電性聚合物以外之導電成分之含量可於不損及發明之效果之範圍內設定。其含量於導電層中通常為大致5重量%以下，宜設為大致3重量%以下(例如大致1重量%以下，典型而言0.3重量%以下)。此處揭示之技術可於導電層實質上不含導電性聚合物以外之導電成分之態様中較佳地實施。

(高沸點化合物) 此處揭示之導電層典型而言可為由包含沸點為180℃以上之高沸點化合物之導電性組合物所形成者。使用上述高沸點化合物所形成之導電層表現出得以改善之濕熱導電穩定性。高沸點化合物可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。高沸點化合物可為於形成導電層時藉由揮發而不會殘存者，所形成之導電層可較佳地滿足濕熱表面電阻變化比或濕熱表面電阻減小率，包含該導電層之附有導電層之偏光膜可較佳地滿足濕熱導電性變化比F_HT 。上述高沸點化合物為沸點為180℃以上之化合物，於常溫(23℃)下為固體或液體。於常溫下為固體之高沸點化合物較佳為使用易溶解於後述導電性組合物之溶劑(例如水)者。此種高沸點化合物例如於溶劑(例如水)100 mL中之溶解度可為常溫下大致1 g以上(典型而言大致3 g以上，例如大致10 g以上、進而大致20 g以上)。又，就導電層形成性之觀點而言，高沸點化合物較佳為於溫度20～50℃下呈液狀(因此熔點為20℃以下)之化合物。此種化合物亦稱為高沸點溶劑。再者，此處提及之所謂溶劑係指導電性組合物中含有之液狀介質，為方便起見稱作溶劑，但為包含溶劑及分散介質之概念。

認為藉由使用高沸點化合物而提高濕熱導電穩定性之原因如下。例如，於使用水等低沸點溶劑(沸點未達180℃之溶劑)作為導電性組合物之溶劑之情形時，由於導電層之厚度較小(例如厚度未達1 μm)，故而組合物中之溶劑快速地揮發、乾燥。此時，同樣地包含於組合物中之導電劑(較佳為導電性聚合物)在導電層中之配置(可為配向)會受到該乾燥製程之影響。高沸點化合物對形成導電層時之乾燥製程中之溶劑之揮發行為適度地控制，其結果使導電層中之導電劑之配置保持良好。不僅如此，根據本發明者等人之研究結果，認為具有特定以上之沸點之高沸點化合物亦使得於乾燥製程中，導電層中之導電劑之配置不易因環境變化等外因而變化，從而保持穩定。本發明者等人使用TOF/MS(飛行時間型質譜儀)，將水與二乙二醇(沸點：約244℃)之混合溶劑、水與N-甲基吡咯啶酮(沸點：約204℃)之混合溶劑分別以50℃加熱，經時測定此時之揮發成分量，確認於使用特定(具體而言沸點180℃以上)之高沸點化合物之混合溶劑之情形時，若過了乾燥製程之初期，於製程之主要期間，上述高沸點化合物緩慢地揮發。認為基於使用高沸點化合物之上述揮發行為有助於導電劑保持穩定之配置，即便暴露於濕熱環境下，亦具有穩定之導電性。認為該作用尤其於使用藉由π-π堆疊之作用進行電子導電之噻吩系聚合物或苯胺系聚合物作為導電劑(更佳為噻吩系聚合物，例如噻吩系聚合物與PSS等摻雜劑)之態様中特別有意義。再者，此處揭示之技術不限定於上述探討。

此處揭示之導電性組合物所含之高沸點化合物由於其濕熱導電穩定化作用，故亦稱為導電性穩定化劑。上述導電性穩定化劑可定義為如下之劑：於在濕熱環境(例如溫度50℃以上、相對濕度80%以上，典型而言溫度85℃、85%RH)中暴露特定時間(例如24小時)之情形時，與不使用該劑之情形相比，抑制導電層之導電性(可根據表面電阻值等進行評價)之變化之劑，即，有助於上述環境中導電層之導電性之穩定化之劑。

於若干態様中，導電性組合物所含之高沸點化合物之沸點就濕熱導電穩定性之觀點而言，較佳為大致200℃以上、更佳為大致210℃以上、進而較佳為大致220℃以上、尤佳為大致230℃以上(例如大致240℃以上)。上述高沸點化合物之沸點之上限係考慮到導電層之成膜性、乾燥效率等而適當設定，不限定於特定之範圍。高沸點化合物之沸點通常為大致400℃以下，宜為大致320℃以下，就導電層之成膜性之觀點而言，較佳為大致300℃以下(例如大致290℃以下)、更佳為大致280℃以下、進而較佳為大致260℃以下、尤佳為大致250℃以下。藉由自沸點180℃以上之範圍選用相對低之沸點之高沸點化合物，於在偏光膜上形成導電層之態様中有提高偏光膜與導電層之密接性之傾向，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之態様中有提高黏著劑層之抓固性之傾向。

作為高沸點化合物，例如可無特別限制地使用N-甲基吡咯啶酮等內醯胺系化合物(可為內醯胺系溶劑)；乙二醇、丙二醇、三亞甲基二醇、丁二醇類(1,3-丁二醇、1,4-丁二醇等)、戊二醇類(1,5-戊二醇等)、己二醇類(1,6-己二醇等)、新戊二醇、鄰苯二酚等二醇系化合物(可為二醇系溶劑)；二乙二醇、三乙二醇、三丙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚等二醇醚系化合物(可為二醇醚系溶劑)；β-硫代雙乙醇等硫代二醇系化合物(可為硫代二醇系溶劑)；甘油；甘露醇、山梨糖醇、木糖醇等糖醇系化合物；2-苯氧基乙醇等芳香族醇系化合物；N-甲基甲醯胺、乙醯胺、N-乙基乙醯胺、苯甲醯胺等醯胺系化合物(可為醯胺系溶劑)；吡唑等胺系化合物(典型而言環狀胺)；二甲基亞碸等亞碸系化合物(可為亞碸系溶劑)；等中之沸點為180℃以上者。該等可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。其中，較佳為沸點為180℃以上之二醇系化合物、二醇醚系化合物、甘油，更佳為沸點為180℃以上之二醇醚系化合物(典型而言二乙二醇、三乙二醇)。

雖無特別限定，但作為上述高沸點化合物，較佳地使用具有羥基之化合物。具有羥基之高沸點化合物容易與溶劑(典型而言水系溶劑)相溶，認為例如添加於水系溶劑中之情形時，可取得帶來濕熱導電穩定性提高之良好之揮發行為。於若干較佳態様中，上述高沸點化合物所含之羥基之數量為2個以上，例如可為3個以上。又，例如可較佳地使用包含醚結構者。

此處揭示之導電性組合物中之高沸點化合物之含量係以達成目標濕熱導電穩定性之方式適當設定，不限定於特定之範圍。導電性組合物中之高沸點化合物之含量就獲得濕熱導電穩定性提高效果之觀點而言，宜設為大致0.1重量%以上，較佳為大致0.5重量%以上、更佳為大致1重量%以上、進而較佳為大致2重量%以上，亦可為大致5重量%以上(例如大致8重量%以上)。又，導電性組合物中之高沸點化合物之含量之上限例如可設為大致50重量%以下，宜為大致30重量%以下(例如大致25重量%以下)，較佳為大致15重量%以下、更佳為大致10重量%以下、進而較佳為大致7重量%以下、尤佳為大致5重量%以下(典型而言4重量%以下)。藉由將高沸點化合物之使用量限制於特定之範圍，於在偏光膜上形成導電層之態様中有提高偏光膜與導電層之密接性之傾向，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之態様中有提高黏著劑層之抓固性之傾向。

用以形成導電層之導電性組合物典型而言包含溶劑或分散介質(為方便起見，以下統稱為「溶劑」)。作為溶劑，並無特別限定，可較佳地使用能夠使導電層形成成分穩定地溶解或分散者。該溶劑可為有機溶劑、水、或該等之混合溶劑。作為上述有機溶劑，例如可使用選自乙酸乙酯等酯類；甲基乙基酮、丙酮、環己酮等酮類；四氫呋喃(THF)、二㗁烷等環狀醚類；正己烷、環己烷等脂肪族或脂環族烴類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、環己醇等脂肪族或脂環族醇類；伸烷基二醇單烷基醚(例如，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚)等二醇醚類；等中之1種或2種以上。再者，上述溶劑於常溫下為液體，且沸點未達180℃。

於若干較佳態様中，上述溶劑為水系溶劑。此處，所謂水系溶劑係指水或以水為主成分之混合溶劑(例如，水與甲醇、乙醇等低級醇之混合溶劑)。於此處揭示之技術中，就防止偏光膜變質之觀點而言，較佳地使用水系溶劑。水於水系溶劑中所占之比率宜為大致30重量%以上，較佳為大致50重量%以上(典型而言超過50重量%)，可為大致70重量%以上，亦可為大致80重量%以上(例如大致90～100重量%)。

(黏合劑) 於若干態様中，導電層包含黏合劑。藉由使導電層包含黏合劑，導電層之膜形成性提高。又，於在偏光膜上形成導電層之態様中有提高偏光膜與導電層之密接性之傾向，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之態様中有提高黏著劑層之抓固性之傾向。作為黏合劑，並無特別限定，可使用含㗁唑啉基之聚合物、胺基甲酸酯系聚合物、丙烯酸系聚合物、聚酯系聚合物、聚醚系聚合物、纖維素系聚合物、乙烯醇系聚合物、含環氧基之聚合物、乙烯基吡咯啶酮系聚合物、苯乙烯系聚合物、聚乙二醇、季戊四醇等之1種或2種以上。作為較佳例，可列舉：含㗁唑啉基之聚合物、胺基甲酸酯系聚合物(典型而言聚胺基甲酸酯)。

於若干較佳態様中，使用含㗁唑啉基之聚合物作為黏合劑。藉由使用含㗁唑啉基之聚合物，易於獲得對偏光膜表面之潤濕性。又，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之態様中有提高黏著劑層之抓固性之傾向。含㗁唑啉之聚合物可單獨使用1種或將2種以上組合使用。較佳為可溶解或分散於水中之含㗁唑啉基之聚合物。㗁唑啉基可為2-㗁唑啉基、3-㗁唑啉基、4-㗁唑啉基之任一者，可較佳地使用例如具有2-㗁唑啉基者。作為含㗁唑啉基之聚合物，例如可使用主鏈中包含(甲基)丙烯酸骨架或苯乙烯骨架、且該主鏈之側鏈具有㗁唑啉基者。若干較佳態様之含㗁唑啉基之聚合物可為含有包含(甲基)丙烯酸骨架之主鏈、且該主鏈之側鏈具有㗁唑啉基的含㗁唑啉基之(甲基)丙烯酸系聚合物。

含㗁唑啉基之聚合物之分子量可根據目的或要求特性等而適當設定。含㗁唑啉基之聚合物之分子量之上限就塗敷性等觀點而言，宜為大致100×10⁴ 以下，較佳為大致50×10⁴ 以下，更佳為大致10×10⁴ 以下，進而較佳為大致5×10⁴ 以下。上述分子量係藉由GPC(凝膠滲透層析法)獲得之標準聚苯乙烯換算之數量平均分子量(Mn)。

於若干態様中，使用胺基甲酸酯系聚合物作為黏合劑。藉由使用胺基甲酸酯系聚合物，於在偏光膜與黏著劑層之間配置導電層之態様中有提高黏著劑層之抓固性之傾向。作為胺基甲酸酯系聚合物，可列舉：醚系聚胺基甲酸酯、酯系聚胺基甲酸酯、碳酸酯系聚胺基甲酸酯等聚胺基甲酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、或將(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之丙烯酸類-胺基甲酸酯共聚物；等。胺基甲酸酯系聚合物可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。於若干態様中，較佳為併用含㗁唑啉基之聚合物與胺基甲酸酯系聚合物作為黏合劑。

導電層中之黏合劑之含量並無特別限定，例如宜為大致3重量%以上。就與偏光膜之密接性或抓固性等觀點而言，黏合劑之含量較佳為大致10重量%以上、更佳為大致30重量%以上、進而較佳為大致50重量%以上，尤佳為大致60重量%以上，亦可為大致70重量%以上(例如大致80重量%以上)。考慮到導電性聚合物等其他成分之作用，黏合劑之含量之上限通常為大致99重量%以下，宜為大致95重量%以下，例如可為大致90重量%以下(例如大致80重量%以下)。

視需要可於導電層中調配添加劑。作為添加劑，可列舉：調平劑、消泡劑、增黏劑、抗氧化劑等。該等添加劑於導電層中之比率通常為大致50重量%以下，宜設為大致30重量%以下(例如大致10重量%以下)，亦可為大致3重量%以下(例如未達1重量%)。

(導電層之形成方法) 上述導電層可藉由將使上述導電劑或高沸點化合物、視需要使用之添加劑分散或溶解於適宜溶劑而成之液狀導電性組合物賦予至偏光膜、或賦予至設置於偏光膜之黏著劑層表面等方法而較佳地形成。例如，可較佳地採用於偏光膜之第一面塗佈上述導電性組合物並使之乾燥，視需要進行硬化處理(熱處理、紫外線處理等)之方法。上述導電性組合物之固形物成分濃度(NV)例如可設為5重量%以下(典型而言0.05～5重量%)，通常宜設為3重量%以下(典型而言0.10～3重量%)。於形成厚度較小之導電層之情形時，較佳為將上述導電性組合物之NV設為例如0.05～0.50重量%(例如0.10～0.30重量%)。如此藉由使用低NV之導電性組合物，可形成更均勻之導電層。

(表面電阻值) 導電層之表面電阻值就抗靜電等觀點而言，宜為大致1×10¹² Ω/□以下。若將表面電阻值被限制為特定值以下之導電層應用於液晶面板(例如內嵌型液晶面板)用途，則基於導電層之導電性而防止產生靜電不均。又，就觸控感測器感度之觀點而言，上述表面電阻值之下限較佳為設為大致1×10⁶ Ω/□以上。導電層之表面電阻值之範圍根據附有導電層之偏光膜所具有之黏著劑層有無導電性、液晶單元之種類、可攜式電子機器用途或車載用途等而可不同。例如，於應用於可攜式電子機器用之內嵌型液晶單元之情形時，上述表面電阻值較佳為大致1×10⁸ Ω/□～1×10¹⁰ Ω/□，就抗靜電之觀點而言，更佳為大致1×10⁸ Ω/□～1×10⁹ Ω/□。於應用於車載用之內嵌型液晶單元之情形時，較佳為大致1×10⁶ Ω/□～1×10⁹ Ω/□，就抗靜電之觀點而言，更佳為大致1×10⁷ Ω/□～5×10⁸ Ω/□。又，於應用於表嵌型液晶單元之情形時，上述表面電阻值較佳為大致1×10¹⁰ Ω/□～1×10¹² Ω/□。又，於應用於半內嵌型液晶單元之情形時，上述表面電阻值較佳為大致1×10⁹ Ω/□～1×10¹² Ω/□。導電層之表面電阻值藉由後述實施例中記載之方法(初期表面電阻值)測定。

(濕熱表面電阻變化比) 此處揭示之導電層於若干態様中可為特徵在於：於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之導電層之表面電阻值S[Ω/□]與上述濕熱試驗前之導電層之表面電阻值P[Ω/□]的比(濕熱表面電阻變化比S/P)滿足條件：0.05≦S/P≦10。滿足上述濕熱表面電阻變化比S/P之導電層表現出得以改善之濕熱導電穩定性。上述濕熱表面電阻變化比S/P較佳為大致0.1以上、更佳為大致0.5以上、進而較佳為大致0.8以上(例如大致1以上)。又，上述S/P較佳為大致3以下、更佳為大致1.5以下、進而較佳為大致1.2以下、尤佳為1.1以下。濕熱表面電阻變化比S/P藉由後述實施例中記載之方法測定。再者，本說明書中揭示之附有導電層之偏光膜包含上述濕熱表面電阻變化比S/P無限制之態様，於此種態様中，附有導電層之偏光膜不限定於具有上述特性者。

(濕熱表面電阻減小率) 於若干態様中，導電層可為濕熱表面電阻減小率被抑制為特定值以下者。具體而言，導電層基於式：(1－S/P)×100所求出之濕熱表面電阻減小率可為95%以下。此處，S係於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之導電層之表面電阻值[Ω/□]，P係上述濕熱試驗前之導電層之表面電阻值P[Ω/□]，S及P藉由後述實施例中記載之方法測定。滿足上述濕熱表面電阻減小率之導電層可為良好地抑制了暴露於濕熱環境下之情形時之表面電阻值之減小者。上述濕熱表面電阻減小率較佳為大致90%以下、更佳為大致50%以下、進而較佳為大致20%以下、尤佳為大致0%或其以下。此處揭示之技術可為關於抑制暴露於濕熱環境下之情形時之表面電阻減小者，因此，對於濕熱試驗後之表面電阻值之增大並無特別限定，例如基於式：(S/P－1)×100所求出之濕熱表面電阻增加率宜為大致200%以下，可為未達150%，亦可為未達130%(例如120%以下)。上式中之S及P之含義分別與上述濕熱表面電阻減小率之S及P之含義相同。

(導電層之厚度) 此處揭示之技術中之導電層之厚度可根據抗靜電性、抓固性等要求特性而適當設定。導電層之厚度通常為大致10 nm以上，宜設為超過10 nm。就提高抗靜電性或獲得均勻厚度之觀點而言，導電層之厚度較佳為12 nm以上、更佳為14 nm以上、進而較佳為15 nm以上、尤佳為20 nm以上(典型而言25 nm以上，例如30 nm以上)。又，導電層之厚度宜設為大致500 nm以下。藉由將導電層之厚度抑制為大致500 nm以下，易於獲得良好之光學特性(全光線透過率等)。就此種觀點而言，導電層之厚度較佳為大致100 nm以下、更佳為大致70 nm以下。於具備厚度較小之導電層之構成中，此處揭示之使用高沸點化合物之效果(濕熱導電穩定性改善效果)可得到較佳發揮。

＜黏著劑層＞ 構成此處揭示之黏著劑層之黏著劑例如可為包含選自丙烯酸系、橡膠系、胺基甲酸酯系、聚矽氧系、乙烯基烷基醚系、乙烯基吡咯啶酮系、丙烯醯胺系、纖維素系等各種黏著劑中之1種或2種以上而構成之黏著劑層。因此，構成黏著劑層之聚合物可為丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物、聚矽氧系聚合物、乙烯基烷基醚系聚合物、乙烯基吡咯啶酮系聚合物、丙烯醯胺系聚合物、纖維素系聚合物等。其中，就透明性、適度之潤濕性、凝聚性或接著性等黏著特性、耐候性、耐熱性等觀點而言，較佳為丙烯酸系黏著劑。以下，以上述黏著劑層為丙烯酸系黏著劑層之構成作為主要例，更詳細說明此處揭示之技術，並非意在將上述黏著劑層限定於包含丙烯酸系黏著劑者。

(丙烯酸系黏著劑) 若干較佳態樣中採用之所謂丙烯酸系黏著劑係指以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物(該黏著劑所含之聚合物成分之中之主成分即多於50重量%之成分)之黏著劑。又，所謂「丙烯酸系聚合物」係指以1分子中具有至少一個(甲基)丙烯醯基之單體(以下，有時將其稱為「丙烯酸系單體」)作為主構成單體成分(單體之主成分，即構成丙烯酸系聚合物之單體的總量中占50重量%以上之成分)之聚合物。上述所謂「(甲基)丙烯醯基」意指包含丙烯醯基及甲基丙烯醯基。同樣，所謂「(甲基)丙烯酸酯」意指包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。

(丙烯酸系聚合物) 作為上述丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物典型而言係以(甲基)丙烯酸烷基酯為主構成單體成分之聚合物。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可較佳地使用下述式(1)所表示之化合物。 CH₂ ＝C(R¹ )COOR² (1) 此處，上述式(1)中之R¹ 為氫原子或甲基。R² 係碳原子數1～20之烷基(意指包含鏈狀烷基及脂環式烷基)。就容易獲得黏著特性優異之黏著劑而言，較佳為R² 為碳原子數1～18(以下，有時將此種碳原子數之範圍表示為C_1-18 )之鏈狀烷基(意指包含直鏈狀烷基及分支狀烷基)的(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為具有C_1-14 之鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。作為C_1-14 之鏈狀烷基之具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、異辛基、2-乙基己基、正壬基、異壬基、正癸基、異癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基等。作為可選作R² 之脂環式烷基，可列舉：環己基、異𦯉基等。

於若干較佳態樣中，丙烯酸系聚合物之合成所使用之單體的總量(以下亦稱為「總原料單體」)中大致50重量%以上、更佳為大致60重量%以上、例如大致70重量%以上被選自上述式(1)中之R² 為C_1-18 之鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯(更佳為(甲基)丙烯酸C_1-14 鏈狀烷基酯、進而較佳為(甲基)丙烯酸C_4-10 鏈狀烷基酯，例如丙烯酸正丁酯(BA)及丙烯酸2-乙基己基酯(2EHA)中之一者或兩者)中之1種或2種以上所占。根據由此種單體組成獲得之丙烯酸系聚合物，容易形成表現出適於此處揭示之用途之黏著特性的黏著劑，因此較佳。(甲基)丙烯酸C_1-18 (例如C_1-14 ，典型而言較佳為C_4-10 )鏈狀烷基酯占上述單體總量之比率，就導入官能基a或調整相位差、調整折射率等觀點而言，宜為大致95重量%以下，較佳為大致90重量%以下，更佳為85重量%以下(例如80重量%以下)。

又，就黏著特性、耐久性、調整相位差、調整折射率等方面，作為丙烯酸系聚合物之合成所使用之單體，較佳為使用具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯。作為具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯之芳香環結構，可列舉：苯環、萘環、噻吩環、吡啶環、吡咯環、呋喃環等。其中，較佳為具有苯環、萘環之(甲基)丙烯酸酯。作為具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯，可使用各種(甲基)丙烯酸芳基酯、(甲基)丙烯酸芳基烷基酯、(甲基)丙烯酸芳氧基烷基酯等。

作為具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯之具體例，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯、鄰苯基苯酚(甲基)丙烯酸酯、苯氧基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基丙基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性甲酚(甲基)丙烯酸酯、苯酚環氧乙烷改性(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基-2-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸甲氧基苄基酯、(甲基)丙烯酸氯苄酯、(甲基)丙烯酸甲苯酯、(甲基)丙烯酸聚苯乙烯酯、羥基乙基化β-萘酚丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧基-1-萘氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸硫苯酯、(甲基)丙烯酸吡啶酯、(甲基)丙烯酸吡咯酯、(甲基)丙烯酸聚苯乙烯酯等。亦可使用(甲基)丙烯酸聯苯酯等具有聯苯環者。該等可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。其中，更佳為(甲基)丙烯酸苯氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸苄酯。

於使用具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯之情形時，其含量根據黏著特性、光學特性等而適當設定。具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯於丙烯酸系聚合物之合成所使用之單體的總量中，宜為大致5重量%以上，就良好地發揮具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯的效果(提高耐久性或改善液晶顯示不均等)之觀點而言，較佳為大致10重量%以上、更佳為大致15重量%以上(例如大致20重量%以上)。具有芳香環結構之(甲基)丙烯酸酯之使用量之上限宜為大致30重量%以下，考慮到黏著特性或黏著劑層之抓固性等，較佳為大致未達30重量%、更佳為大致未達25重量%(例如未達22重量%)。

作為此處揭示之技術中之丙烯酸系聚合物，可較佳地使用將含官能基之單體共聚者。作為含官能基之單體之較佳例，可列舉：含羧基之單體、含酸酐基之單體、含羥基之單體。該等可單獨使用1種或將2種以上組合使用。上述含官能基之單體成為黏著劑層內之交聯點，或可提高黏著劑之凝聚力或耐熱性。又，於黏著劑層與導電層鄰接之態様中能夠提高導電層與黏著劑層之密接性。藉由使用適量之含官能基之單體，亦能夠調整丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)、調整黏著特性。

作為含羧基之單體，可例示丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、(甲基)丙烯酸羧基乙基酯、(甲基)丙烯酸羧基戊基酯等乙烯性不飽和單羧酸；伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸、異丁烯酸、甲基順丁烯二酸等乙烯性不飽和二羧酸。 作為含酸酐基之單體，可列舉：順丁烯二酸酐、伊康酸酐、上述乙烯性不飽和二羧酸等之酸酐。 作為含羥基之單體，可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸2-羥基己基酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己基酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛基酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等伸烷二醇(甲基)丙烯酸酯類；乙烯醇、烯丙醇、2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等不飽和醇類；等。 該等含官能基之單體可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

可對此處揭示之技術中之丙烯酸系聚合物共聚上述以外之含官能基之單體。該單體例如可基於調整丙烯酸系聚合物之Tg、調整黏著性能等目的使用。例如，作為可提高黏著劑之凝聚力或耐熱性之單體，可列舉含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、含氰基之單體等。又，作為向丙烯酸系聚合物中導入可成為交聯基點之官能基或可有助於提高與玻璃等被接著體之密著力的單體，可列舉含醯胺基之單體、含胺基之單體、含醯亞胺基之單體、含環氧基之單體、具有含氮原子之環的單體、含酮基之單體、含異氰酸酯基之單體、含烷氧基矽烷基之單體等。其中，較佳地使用下述所例示之含醯胺基之單體、含胺基之單體、具有含氮原子之環的單體。

含醯胺基之單體：例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、正丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺。 含胺基之單體：例如(甲基)丙烯酸胺基乙基酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙基酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙基酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙基酯。 具有含氮原子之環的單體：例如N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌𠯤、N-乙烯基吡𠯤、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基㗁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶酮。 再者，上述具有含氮原子之環的單體之中，當然存在例如N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯基𠰌啉、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶酮等亦相當於含醯胺基之單體者。關於上述具有含氮原子之環的單體與含胺基之單體之關係亦同樣。

上述含官能基之單體之含量並無特別限定，通常於基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)之合成所使用之單體之總量中大致為40重量%以下，宜為大致30重量%以下，就黏著特性等觀點而言，較佳為大致20重量%以下、更佳為大致15重量%以下、進而較佳為10重量%以下(例如5重量%以下)。含官能基之單體之含量於基礎聚合物之合成所使用之單體的總量中占之下限通常大致為0.001重量%以上，宜為大致0.01重量%以上，就較佳地發揮含官能基之單體共聚之效果的觀點而言，較佳為大致0.1重量%以上、更佳為大致0.5重量%以上、進而較佳為大致1重量%以上。

於若干較佳態樣中，作為基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)之單體成分，使用含羧基之單體及含羥基之單體中至少一者(較佳為兩者)。於使用含羧基之單體作為丙烯酸系聚合物之單體成分之情形時，含羧基之單體之量占基礎聚合物之合成所使用的單體之總量，就黏著劑之凝聚性、抓固性等觀點而言，通常大致為0.001重量%以上，宜為大致0.01重量%以上，較佳為大致0.1重量%以上，更佳為大致0.2重量%以上，例如可為1重量%以上，亦可為3重量%以上。含羧基之單體之使用量的上限以獲得所需之黏著特性之方式適當設定，宜為基礎聚合物之合成所使用之單體的總量中大致10重量%以下，較佳為大致8重量%以下，更佳為大致6重量%以下，例如可為大致3重量%以下，亦可為大致1重量%以下。

使用含羥基之單體作為基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)之單體成分之情形時，含羥基之單體之量占基礎聚合物之合成所使用之單體的總量，就黏著劑之凝聚性、抓固性等觀點而言，通常大致為0.001重量%以上，宜為大致0.01重量%以上，較佳為大致0.1重量%以上。含羥基之單體之使用量之上限以獲得所需之黏著特性之方式適當設定，宜為基礎聚合物之合成所使用之單體之總量中大致5重量%以下，較佳為大致3重量%以下，更佳為大致1重量%以下(例如大致0.5重量%以下)。

作為上述含官能基之單體以外之可使用之其他共聚性單體，可列舉：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體；苯乙烯、取代苯乙烯(α-甲基苯乙烯等)、乙烯基甲苯等芳香族乙烯酯化合物；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸第三丁基環己酯、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸異𦯉基酯等含非芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；氯乙烯、偏二氯丁烯等含氯單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙基酯等含烷氧基之單體；甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、異丁基乙烯醚等乙烯醚系單體；等。該等可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。於使用此種其他共聚性單體之情形時，其使用量並無特別限制，通常宜為基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)之合成所使用之單體的總量之大致30重量%以下(例如0～30重量%)，較佳為大致10重量%以下(例如大致3重量%以下)。此處揭示之技術亦可以基礎聚合物之合成所使用之單體成分實質上不含上述其他共聚性單體之態樣而實施。

作為可構成基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)之共聚性單體之其他例，可列舉多官能單體。作為多官能單體之具體例，可列舉：1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊二醇六(甲基)丙烯酸酯、亞甲基雙丙烯醯胺等1分子中具有2個以上(甲基)丙烯醯基之化合物。多官能單體可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。於使用此種多官能單體之情形時，其使用量並無特別限制，通常宜為基礎聚合物之合成所使用之單體之總量的大致2重量%以下(更佳為大致1重量%以下)。

聚合所使用之起始劑可自公知或慣用之聚合起始劑中適當選擇。例如，可較佳地使用2,2'-偶氮雙異丁腈等偶氮系聚合起始劑。作為聚合起始劑之其他例，可列舉：過氧化物系起始劑(過硫酸鉀等過硫酸鹽、過氧化苯甲醯、過氧化氫等)；苯基取代乙烷等取代乙烷系起始劑；芳香族羰基化合物；等。作為聚合起始劑之進而其他例，可列舉由過氧化物與還原劑組合而成之氧化還原系起始劑。作為該氧化還原系起始劑之例，可列舉過氧化物與抗壞血酸之組合(過氧化氫水與抗壞血酸之組合等)、過氧化物與鐵(II)鹽之組合(過氧化氫水與鐵(II)鹽之組合等)、過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合等。

此種聚合起始劑可單獨使用1種或將2種以上組合使用。聚合起始劑之使用量只要為通常之使用量即可，例如可相對於總原料單體100重量份自0.005～1重量份(典型而言0.01～1重量份)左右之範圍選擇。

獲得具有該單體組成之基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)之方法並無特別限定，可採用溶液聚合法、乳液聚合法、塊狀聚合法、懸浮聚合法等各種聚合方法。或可採用照射UV等光進行之光重合(典型而言於光聚合起始劑之存在下進行)、或者照射β射線、γ射線等放射線進行之放射線聚合等活性能量線照射聚合。就透明性或黏著性能等觀點而言，可較佳採用溶液聚合法。作為進行聚合時之單體供給方法，可適當採用將總單體原料一次供給之一次添加方式、連續供給(滴加)方式、分批供給(滴加)方式等。聚合溫度可根據使用之單體及溶劑之種類、聚合起始劑之種類等而適當選擇，例如可設為20℃～170℃(典型而言40℃～140℃)左右。又，合成之基礎聚合物可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物、接枝共聚物等。就生產性等觀點而言，通常較佳為無規共聚物。

作為溶液聚合所使用之溶劑(聚合溶劑)，例如可使用選自甲苯、二甲苯等芳香族化合物類(典型而言芳香族烴類)；乙酸乙酯等乙酸酯類；己烷等脂肪族或脂環式烴類；1,2-二氯乙烷等鹵化烷烴類；異丙醇等低級醇類(例如，碳原子數1～4之一元醇類)；第三丁基甲基醚等醚類；甲基乙基酮等酮類；等中之任一種溶劑或兩種以上之混合溶劑。

此處揭示之技術中之基礎聚合物(丙烯酸系聚合物)藉由GPC(凝膠滲透層析法)獲得之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)宜為大致10×10⁴ 以上，就耐久性、耐熱性等觀點而言，較佳為大致50×10⁴ 以上、更佳為大致80×10⁴ 以上、進而較佳為大致120×10⁴ 以上(例如大致150×10⁴ 以上)。又，上述Mw宜為大致500×10⁴ 以下，就形成黏著劑層時之塗敷性等觀點而言，較佳為大致300×10⁴ 以下、更佳為大致250×10⁴ 以下、進而較佳為大致200×10⁴ 以下。

具體而言，上述Mw可使用商品名「HLC-8120GPC」(東曹公司製造)作為GPC測定裝置，於下述條件下測定。 [GPC之測定條件] 樣品濃度：0.2重量%(四氫呋喃溶液) 樣品注入量：100 μL 溶離液：四氫呋喃(THF) 流量(流速)：0.8 mL/分鐘 管柱溫度(測定溫度)：40℃ 管柱：東曹公司製造，G7000H_XL +GMH_XL +GMH_XL 管柱尺寸：各7.8 mm

×30 cm，合計90 cm 檢測器：示差折射計(RI) 標準試樣：聚苯乙烯

(導電成分) 此處揭示之技術可於黏著劑層包含導電成分之態様中較佳地實施。作為上述抗靜電成分，例示離子性化合物。亦可使用上述導電層中可包含之導電劑。該等導電成分可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。於若干較佳態様中，黏著劑層包含離子性化合物。離子性化合物作為導電成分而較佳地提高黏著劑層之導電性。例如較佳地使用選自鹼金屬鹽或有機陽離子-陰離子鹽等中之1種或2種以上。就抓固性之觀點而言，更佳為有機陽離子-陰離子鹽。

(鹼金屬鹽) 作為鹼金屬鹽，可使用鹼金屬之有機鹽及無機鹽。作為構成鹼金屬鹽之陽離子部之鹼金屬離子，可列舉：鋰、鈉、鉀各離子。該等鹼金屬離子之中，較佳為鋰離子。

鹼金屬鹽之陰離子部可包含有機物，亦可包含無機物。作為構成有機鹽之陰離子部，例如可列舉：CH₃ COO^- 、CF₃ COO^- 、CH₃ SO₃ ^- 、CF₃ SO₃ ^- 、(CF₃ SO₂ )₃ C^- 、C₄ F₉ SO₃ ^- 、C₃ F₇ COO^- 、(CF₃ SO₂ )(CF₃ CO)N^- 、(FSO₂ )₂ N^- 、^- O₃ S(CF₂ )₃ SO₃ ^- 、PF₆ ^- 、CO₃ ^2- 或下述通式(1)～(4)： (1)    (C_n F_2n+1 SO₂ )₂ N^- (其中，n為1～10之整數)； (2)    CF₂ (C_m F_2m SO₂ )₂ N^- (其中，m為1～10之整數)； (3)^- O₃ S(CF₂ )_l SO₃ ^- (其中，l為1～10之整數)； (4)    (C_p F_2p+1 SO₂ )N^- (C_q F_2q+1 SO₂ )(其中，p、q為1～10之整數)；所表示者等。陰離子部包含氟原子之離子性化合物由於離子解離性良好，故而較佳地使用。作為無機陰離子部，使用Cl^- 、Br^- 、I^- 、AlCl₄ ^- 、Al₂ Cl₇ ^- 、BF₄ ^- 、PF₆ ^- 、ClO₄ ^- 、NO₃ ^- 、AsF₆ ^- 、SbF₆ ^- 、NbF₆ ^- 、TaF₆ ^- 、(CN)₂ N^- 等。作為陰離子部，較佳為(CF₃ SO₂ )₂ N^- 、(C₂ F₅ SO₂ )₂ N^- 等(全氟烷基磺醯基)醯亞胺，尤佳為(CF₃ SO₂ )₂ N^- 所表示之(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺。

作為鹼金屬之有機鹽，具體而言，可列舉：乙酸鈉、海藻酸鈉、木質素磺酸鈉、甲苯磺酸鈉、LiCF₃ SO₃ 、Li(CF₃ SO₂ )₂ N、Li(CF₃ SO₂ )₂ N、Li(C₂ F₅ SO₂ )₂ N、Li(C₄ F₉ SO₂ )₂ N、Li(CF₃ SO₂ )₃ C、KO₃ S(CF₂ )₃ SO₃ K、LiO₃ S(CF₂ )₃ SO₃ K等。其中，較佳為LiCF₃ SO₃ 、Li(CF₃ SO₂ )₂ N、Li(C₂ F₅ SO₂ )₂ N、Li(C₄ F₉ SO₂ )₂ N、Li(CF₃ SO₂ )₃ C等，更佳為Li(CF₃ SO₂ )₂ N、Li(C₂ F₅ SO₂ )₂ N、Li(C₄ F₉ SO₂ )₂ N等含氟之鋰醯亞胺鹽，尤其較佳為(全氟烷基磺醯基)醯亞胺鋰鹽。 作為鹼金屬之無機鹽，可列舉：過氯酸鋰、碘化鋰。 上述鹼金屬鹽可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

(有機陽離子-陰離子鹽) 此處揭示之技術中使用之所謂「有機陽離子-陰離子鹽」，表示有機鹽、且其陽離子成分包含有機物者，陰離子成分可為有機物，亦可為無機物。

作為構成有機陽離子-陰離子鹽之陽離子成分，具體而言，可列舉：吡啶鎓陽離子、哌啶鎓陽離子、吡咯烷鎓陽離子、具有吡咯啉骨架之陽離子、具有吡咯骨架之陽離子、咪唑鎓陽離子、四氫嘧啶鎓陽離子、二氫嘧啶鎓陽離子、吡唑鎓陽離子、吡唑啉鎓陽離子、四烷基銨陽離子、三烷基鋶陽離子、四烷基鏻陽離子等。

作為有機陽離子-陰離子鹽之陰離子成分，例如可列舉：Cl^- 、Br^- 、I^- 、AlCl₄ ^- 、Al₂ Cl₇ ^- 、BF₄ ^- 、PF₆ ^- 、ClO₄ ^- 、NO₃ ^- 、CH₃ COO^- 、CF₃ COO^- 、CH₃ SO₃ ^- 、CF₃ SO₃ ^- 、(CF₃ SO₂ )₃ C^- 、AsF₆ ^- 、SbF₆ ^- 、NbF₆ ^- 、TaF₆ ^- 、(CN)₂ N^- 、C₄ F₉ SO₃ ^- 、C₃ F₇ COO^- 、(CF₃ SO₂ )(CF₃ CO)N^- 、(FSO₂ )₂ N^- 、^- O₃ S(CF₂ )₃ SO₃ ^- 或下述通式(1)～(4)： (1)  (C_n F_2n+1 SO₂ )₂ N^- (其中，n為1～10之整數)； (2)  CF₂ (C_m F_2m SO₂ )₂ N^- (其中，m為1～10之整數)； (3)^- O₃ S(CF₂ )_l SO₃ ^- (其中，l為1～10之整數)； (4)  (C_p F_2p+1 SO₂ )N^- (C_q F_2q+1 SO₂ )(其中，p、q為1～10之整數)；所表示者等。陰離子成分包含氟原子之離子性化合物由於離子解離性良好，故而較佳地使用。上述陰離子成分具有之總氟烷基之碳原子數較佳為1～3、更佳為1或2。該等離子性化合物可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

(其他離子性化合物) 又，作為離子性化合物，除上述鹼金屬鹽、有機陽離子-陰離子鹽以外，亦可使用氯化銨、氯化鋁、氯化銅、氯化亞鐵、氯化鐵、硫酸銨等無機鹽。又，此處揭示之離子性化合物包含一般稱為離子性界面活性劑者。作為離子性界面活性劑，可列舉：四級銨鹽、鏻鹽、鋶鹽、吡啶鎓鹽、胺基等具有陽離子性官能基之陽離子性界面活性劑；羧酸、磺酸酯、硫酸酯、磷酸酯、亞磷酸酯等具有陰離子性官能基之陰離子性界面活性劑；磺基甜菜鹼及其衍生物、烷基甜菜鹼及其衍生物、咪唑啉及其衍生物、烷基咪唑鎓甜菜鹼及其衍生物等兩性離子性界面活性劑；等。有機陽離子-陰離子鹽可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

作為離子性化合物，可列舉離子性固體及離子性液體，較佳地使用離子性液體。離子性液體容易於黏著劑層內移動，而容易於層內均勻分散。於使用離子性液體作為離子性化合物之情形時，有較佳地發揮此處揭示之技術之效果之傾向。

再者，所謂「離子性液體」係指於40℃以下呈液狀之溶融鹽。離子性液體於呈現液狀之溫度區域，與固體之鹽相比，可容易地進行於黏著劑之添加及分散或溶解。進而離子性液體具有如下特徵：無蒸氣壓(不揮發性)，因此經時亦不消失，可持續獲得抗靜電性。此處揭示之技術中使用之離子性液體較佳為於室溫(25℃)時為液狀之溶融鹽。上述離子性化合物之中，較佳為於40℃以下呈現液狀之有機陽離子-陰離子鹽(有機陽離子-陰離子鹽之離子性液體)，更佳為於室溫(25℃)時呈現液狀之有機陽離子-陰離子鹽(有機陽離子-陰離子鹽之離子性液體)。

黏著劑層中之離子性化合物(較佳為有機陽離子-陰離子鹽)之含量並無特別限定，可適量添加以可對黏著劑層賦予特定之導電性。相對於基礎聚合物(例如丙烯酸系聚合物)100重量份，離子性化合物之量宜設為大致0.01重量份以上(例如大致0.05重量份以上)，就提高導電性之觀點而言，較佳為大致0.1重量份以上、更佳為大致0.3重量份以上、進而較佳為大致0.5重量份以上、尤佳為大致0.7重量份以上。又，離子性化合物之量之上限相對於基礎聚合物100重量份而宜設為大致20重量份以下，考慮到耐久性或黏著特性等，較佳為大致10重量份以下、更佳為大致5重量份以下、進而較佳為大致3重量份以下(例如大致2重量份以下)。

黏著劑層中之導電成分之含量(包括離子性化合物之導電成分之總量)並無特別限定，可適量添加以可對黏著劑層賦予特定之導電性。相對於基礎聚合物(例如丙烯酸系聚合物)100重量份，導電成分之量宜設為大致0.01重量份以上，就提高導電性之觀點而言，較佳為大致0.1重量份以上、更佳為大致0.5重量份以上。又，導電成分之量之上限相對於基礎聚合物100重量份而宜設為大致30重量份以下，考慮到耐久性或黏著特性等，較佳為大致10重量份以下、更佳為大致5重量份以下、進而較佳為大致3重量份以下。於使用離子性化合物作為導電成分之態様中，黏著劑層除包含離子性化合物，亦可任意地包含離子性化合物以外之導電成分，亦可實質上不包含。再者，此處揭示之技術可於黏著劑層實質上不包含離子性化合物以外之導電成分之態様中實施。

(黏著劑組合物) 此處揭示之技術中，黏著劑層之形成所使用之黏著劑組合物之形態並無特別限定。例如，可為於有機溶劑中包含黏著成分之形態之黏著劑組合物(溶劑型黏著劑組合物)、使黏著成分分散於水性溶劑之形態之黏著劑組合物(水分散型黏著劑組合物，典型而言水性乳液型黏著劑組合物)、無溶劑型黏著劑組合物(例如藉由照射紫外線或電子束等之類的活性能量線而硬化之類型的黏著劑組合物、熱熔型黏著劑組合物)等。此處揭示之技術可於具備由溶劑型黏著劑組合物形成之黏著劑層之態樣中較佳實施。上述溶劑型黏著劑組合物所含之有機溶劑例如可為包含甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、己烷、環己烷、甲基環己烷、庚烷及異丙醇之任一者之單一溶劑，亦可為以該等之任一者為主成分之混合溶劑。

此處揭示之技術中，作為黏著劑層之形成所使用之黏著劑組合物(較佳為溶劑型黏著劑組合物)，可較佳採用以能夠使該組合物所含之基礎聚合物(典型而言丙烯酸系聚合物)適當交聯之方式所構成者。作為具體之交聯方式，可較佳採用藉由使具有適宜官能基(羥基、羧基等)之單體共聚而預先向基礎聚合物中導入交聯基點，於基礎聚合物添加能夠與其官能基反應形成交聯結構之化合物(交聯劑)進行反應之方法。

作為交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、肼系交聯劑、胺系交聯劑、亞胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑(例如過氧化苯甲醯)、金屬螯合物系交聯劑(典型而言多官能性金屬螯合物)、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑等。交聯劑可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。其中，較佳為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、過氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑。例如於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，較佳為異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑，更佳為併用異氰酸酯系交聯劑與過氧化物系交聯劑。

交聯劑之使用量可根據基礎聚合物(例如丙烯酸系聚合物)之組成及結構(分子量等)或附有導電層之偏光膜之使用形態等而適當選擇。通常相對於基礎聚合物100重量份，交聯劑之使用量宜為大致0.01重量份以上，就提高黏著劑之凝聚力之觀點而言，較佳為大致0.02重量份以上、更佳為大致0.03重量份以上(例如0.1重量份以上)。交聯劑之使用量之上限通常相對於基礎聚合物100重量份，宜為大致10重量份以下，就對被接著體之潤濕性等觀點而言，較佳為大致5重量份以下、更佳為大致3重量份以下、進而較佳為大致1重量份以下。

上述黏著劑組合物進而可視需要調配各種添加劑。作為該添加劑之例，可列舉：表面潤滑劑、調平劑、塑化劑、軟化劑、填充劑、抗氧化劑、防腐劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、交聯促進劑、矽烷偶合劑等。又，於以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之黏著劑組合物中，亦可調配公知或慣用之黏著賦予樹脂或剝離調節劑。進而，於藉由乳液聚合法合成黏著性聚合物之情形時，較佳地使用乳化劑或鏈轉移劑(亦稱為分子量調節劑或聚合度調節劑)。作為該等任意成分之添加劑之含量可根據使用目的而適當決定。上述任意添加劑之使用量相對於基礎聚合物100重量份，通常為大致5重量份以下，宜設為大致3重量份以下(例如大致1重量份以下)。

(黏著劑層之形成方法) 黏著劑層例如可藉由將如上述之黏著劑組合物直接賦予至偏光膜或直接賦予至設置於偏光膜之導電層上，使其乾燥或硬化之方法(直接法)而形成。或者，可藉由將上述黏著劑組合物賦予至剝離襯墊之表面(剝離面)，使其乾燥或硬化，而於該表面形成黏著劑層，將該黏著劑層貼合至偏光膜表面或貼合至設置於偏光膜之導電層表面來轉印該黏著劑層之方法(轉印法)而形成。於賦予(典型而言塗佈)黏著劑組合物時，可適當採用輥塗佈法、凹版塗佈法等各種方法。黏著劑組合物之乾燥可視需要於加熱下進行。作為使黏著劑組合物硬化之方法，可適當採用紫外線、雷射線、α射線、β射線、γ射線、X射線、電子束等。

(黏著劑層之表面電阻值) 黏著劑層之表面電阻值無特別限定。於若干較佳態樣中，附有導電層之偏光膜不僅導電層且黏著劑層亦具有導電性。於該態樣中，黏著劑層之表面電阻值就抗靜電等觀點而言，宜為大致1×10¹² Ω/□以下。若將表面電阻值被限制為特定值以下之黏著劑層應用於液晶面板(例如內嵌型液晶面板)用途，則基於其導電性而良好地防止靜電不均之產生。又，就觸控感測器感度或耐久性之觀點而言，上述表面電阻值之下限宜較佳為大致1×10⁷ Ω/□以上。就上述觀點而言，例如應用於下述表嵌型液晶單元之情形時，上述表面電阻值較佳為大致1×10¹⁰ Ω/□～1×10¹² Ω/□。又，應用於下述半內嵌型液晶單元之情形時，上述表面電阻值較佳為大致1×10⁹ Ω/□～1×10¹² Ω/□。進而，應用於下述內嵌型液晶單元之情形時，上述表面電阻值較佳為大致1×10⁷ Ω/□～1×10¹² Ω/□，就耐久性之觀點而言，更佳為大致1×10⁸ Ω/□～1×10¹⁰ Ω/□。黏著劑層之表面電阻值藉由後述實施例中記載之方法測定。

(黏著劑層之厚度) 雖無特別限定，但黏著劑層之厚度例如可設為大致1 μm以上，通常宜設為大致3 μm以上。就抗靜電性或耐久性、於側面設置導通路徑之情形時確保與該導通路徑之接觸面積之觀點而言，黏著劑層之厚度較佳為大致5 μm以上、更佳為大致7 μm以上、進而較佳為大致10 μm以上。上述厚度例如可設為大致100 μm以下，通常較佳為大致50 μm以下(例如大致35 μm以下)。

＜剝離襯墊＞ 此處揭示之附有導電層之偏光膜可視需要基於保護黏著面(黏著劑層中供貼附於被接著體之側之面)之目的，以於該黏著面貼合剝離襯墊之形態(附有剝離襯墊及導電層之偏光膜之形態)而提供。作為構成剝離襯墊之基材，可使用紙、合成樹脂膜等。就表面平滑性優異之方面，較佳地使用合成樹脂膜。例如，作為剝離襯墊之基材，可較佳地使用各種樹脂膜(例如聚酯膜)。剝離襯墊之厚度例如可設為大致5～200 μm，通常較佳為大致10～100 μm左右。可使用先前公知之脫模劑(例如，聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系、脂肪醯胺系等)或二氧化矽粉末等，對剝離襯墊中供貼合於黏著劑層之面實施脫模或防污垢處理。

＜其他層等＞ 此處揭示之附有導電層之偏光膜除了上述各層(偏光膜、黏著劑層、導電層、任意之表面處理層)以外，亦可於偏光膜與導電層之間設置易接著層，或實施電暈處理、電漿處理等各種易接著處理。

＜用途＞ 此處揭示之附有導電層之偏光膜由於表現出得以改善之濕熱導電穩定性，故而於用作液晶面板材料之情形時，即便於液晶面板暴露在濕熱環境之情況下，亦能夠發揮穩定之導電性。因此，可較佳地用作液晶單元用、液晶面板用、進而液晶顯示裝置用之附有導電層之偏光膜。例如，可於後述被稱為內嵌型液晶單元或半內嵌型液晶單元、表嵌型液晶單元之液晶單元、進而具備該液晶單元之液晶面板中較佳地使用此處揭示之附有導電層之偏光膜。又，於將上述附有導電層之偏光膜用於觸控面板型顯示裝置之情形時，即便於觸控面板型顯示裝置暴露在濕熱環境之情況下，亦可穩定地保持良好之觸控感測器感度。因此，亦適宜作為觸控面板用之附有導電層之偏光膜。進而，若干較佳態様之附有導電層之偏光膜由於黏著劑層之抓固性亦優異，故而可作為耐久性優異之構件而用於液晶面板或觸控面板型顯示裝置。進而，利用如上所述之觸控感測器感度，此處揭示之附有導電層之偏光膜尤佳地用於觸控感測器搭載型液晶面板(亦稱為帶有觸控感測功能之液晶面板)、進而觸控面板型液晶顯示裝置(亦稱為帶有觸控感測功能之液晶顯示裝置)。作為此處揭示之技術之適用對象的觸控面板型液晶顯示裝置並無特別限定，可用於可攜式電子機器用、車載用等之各種用途者。此處揭示之技術可為尤其適合易暴露於嚴酷環境下而要求特定以上之濕熱耐久性之車載用觸控面板型液晶顯示裝置者。藉由將此處揭示之技術應用於上述用途，從而基於得以改善之濕熱導電穩定性等，獲得優異之耐久性。

作為如上所述之觸控感測器搭載型液晶面板，可採用具有各種構造之液晶面板。例如，可於被稱為內嵌型液晶面板、表嵌型液晶面板之液晶面板中較佳地使用此處揭示之附有導電層之偏光膜。內嵌型液晶面板簡言之具有如下構成：於具備液晶層與夾住該液晶層之2片透明基板之液晶單元中，於該液晶單元內(即，上述2片透明基板之內側)具備關於觸控感測功能之觸控感測電極部。將關於觸控感測功能之檢測電極及驅動電極兩者配置於液晶單元內者稱為完全內嵌型液晶面板。將上述檢測電極及驅動電極之僅一者配置於液晶單元內、上述電極之另一者配置於液晶單元外(典型而言透明基板外表面)者稱為半內嵌型液晶面板。又，表嵌型液晶面板係指於上述液晶單元之透明基板之外面配設觸控感測器功能者。此處揭示之附有導電層之偏光膜之濕熱導電穩定性提高效果、由此所帶來的良好之觸控感測器感度之耐久性提高或長期穩定保持可於內嵌型中得到較佳發揮。內嵌型液晶面板不同於表嵌型，ITO層等導電性層並未設置於面板之表面，因此附有導電層之偏光膜使用電阻更低者。由於存在電阻值水準越低而越不易消除觸控感測器感度之不良情況之傾向，故而與表嵌型相比，內嵌型液晶面板中電阻值穩定性之重要度較高。此處揭示之附有導電層之偏光膜尤佳地用於內嵌型液晶面板，能夠有助於提高內嵌型液晶顯示裝置之耐久性、實現長壽命化。再者，此處揭示之附有導電層之偏光膜可用於在該偏光膜之外側配置觸控面板之構成(例如，於IPS方式等在液晶面板之外部具有觸控面板之構成)、或具備該構成之液晶顯示裝置。

＜液晶面板之構造＞ 作為此處揭示之附有導電層之偏光膜之較佳應用對象，可列舉例如圖2～6所示之內嵌型液晶面板。圖2～6係模式表示內嵌型液晶面板之構成例的剖視圖。圖2所示之內嵌型液晶面板101具備：液晶單元(內嵌型液晶單元)120、及配置於液晶單元120之視認側之附有導電層之偏光膜110。作為附有導電層之偏光膜110，使用此處揭示之附有導電層之偏光膜。

液晶單元120具備：包含液晶分子之液晶層125、與以夾住液晶層125之方式配置之第1透明基板141及第2透明基板142。又，液晶單元120於第1透明基板141與第2透明基板142之間具備觸控感測電極部130。觸控感測電極部130具有檢測電極131及驅動電極132。此處所謂檢測電極係觸控檢測(收信)電極，作為靜電電容感測器發揮功能。檢測電極亦稱為觸控感測電極。

觸控感測電極部130中，將液晶單元120作為平面觀察之情形時，於該平面之X軸方向、Y軸方向上分別獨立地呈條紋狀形成檢測電極131、驅動電極132，兩者形成互相直角交叉之圖案。觸控感測電極部130可形成之圖案並不限定於此，可以具有如下述之各種圖案之方式形成檢測電極131與驅動電極132。

於內嵌型液晶面板101中，配置於液晶單元120之視認側之附有導電層之偏光膜110以其黏著劑層112貼附於液晶單元120之第1透明基板141之外表面。換言之，附有導電層之偏光膜110係以不介隔導電層之方式配置、固定於第1透明基板141之外表面。附有導電層之偏光膜110具有如下構成：於偏光膜111之一面設置導電層113，於導電層113之一面(與偏光膜111側相反側之面)上配置黏著劑層112。附有導電層之偏光膜110中之偏光膜111係以其偏光元件之透過軸(或吸收軸)正交之方式配置於液晶層125之視認側。該附有導電層之偏光膜110於背面側形成有表面處理層114。

另一方面，於內嵌型液晶面板101中，於與配置有附有導電層之偏光膜110之面相反側配置有附黏著劑層之光學膜150。構成附黏著劑層之光學膜150之光學膜151經由黏著劑層152貼附於液晶單元120之第2透明基板142之外表面。於光學膜151為偏光膜之情形時，光學膜151以其偏光元件之透過軸(或吸收軸)正交之方式配置於液晶層125之背面側。

又，於內嵌型液晶面板101中，附有導電層之偏光膜110之導電層113及黏著劑層112之側面設置有由導電性材料形成之導通構造170。藉此，可自導電層113及黏著劑層112之側面向其他部位漏掉電位，而可降低或防止因靜電引起之帶電。導通構造170可設置於導電層113及黏著劑層112之側面(端面)整體，亦可設置於該側面之一部分。於一部分設置導通構造170之情形時，為確保側面之導通，可以導電層113及黏著劑層112之側面之總面積之大致1%以上、較佳為大致3%以上、更佳為大致10%以上、進而較佳為大致50%以上之面積比率設置導通構造170。再者，圖2所示之構成例中，亦於偏光膜111、表面處理層114之側面設置有導通構造171。

圖3所示之內嵌型液晶面板102為如圖2所示之構成之變化例，就觸控感測電極部130配置於液晶層125與第2透明基板142之間之方面與圖2所示之構成不同。即，具有檢測電極131與驅動電極132之觸控感測電極部130配置於較液晶層125之背光側(背面側)。圖4所示之內嵌型液晶面板103亦為圖2所示之構成之變化例，就使用檢測電極與驅動電極一體成形之觸控感測電極部130之方面與圖2所示之構成不同。圖5所示之內嵌型液晶面板104係將圖3及圖4之構成加以組合者，就使用檢測電極與驅動電極一體成形之觸控感測電極部130之方面、及觸控感測電極部130配置於較液晶層125之背光側(背面側)之方面與圖2所示之構成不同。

又，圖6所示之內嵌型液晶面板105就觸控感測電極部130之檢測電極131與驅動電極132分開地配置於液晶層125之兩側之方面與圖2所示之構成不同。具體而言，內嵌型液晶面板105中，檢測電極131配置於液晶層125與第1透明基板141之間，驅動電極132配置於液晶層125與第2透明基板142之間。關於圖3～6所示之變化例之其他構成與圖2所示之內嵌型液晶面板基本相同，故而省略重複說明。

如上所述，內嵌型液晶面板並非於液晶單元之外部而是於液晶單元內具有觸控感測電極部。此種構成中，於液晶單元之第1透明基板之外表面不設置電極等導電層。此處，所謂導電層係指表面電阻值為1×10¹³ Ω/□以下之層。於具有此種構成之內嵌型液晶面板中較液晶單元之第1透明基板更靠視認側配置此處揭示之附有導電層之偏光膜，藉此可基於得以改善之濕熱導電穩定性，實現優異之耐久性。

又，此處揭示之附有導電層之偏光膜亦較佳用於半內嵌型液晶面板。圖7係模式表示半內嵌型液晶面板之構成例的剖視圖。圖7所示之半內嵌型液晶面板201就觸控感測電極部130之一部分配置於液晶單元120內、觸控感測電極部130之另一部分配置於液晶單元120外(具體而言，液晶單元120之視認側之外部)之方面與圖2～6所示之內嵌型不同。具體而言，構成觸控感測電極部130之檢測電極131設置於第1透明基板141之外表面，構成觸控感測電極部130之驅動電極132配置於液晶單元120內。該構成例中，驅動電極132係配置於液晶層125與第2透明基板142之間。該半內嵌型液晶面板201具有自視認側依序配置有偏光膜111、導電層113、黏著劑層112、檢測電極131、第1透明基板141、液晶層125、驅動電極132、第2透明基板142之積層構造。又，於光學膜111之進而視認側具有表面處理層114。進而，於第2透明基板142之外側依序配置有黏著劑層152、光學膜151。該液晶面板201中，觸控感測電極部130之檢測電極131配置於第1透明基板141之外側而與黏著劑層112接觸。

又，此處揭示之附有導電層之偏光膜亦可較佳用於表嵌型液晶面板。圖8係模式表示表嵌型液晶面板之構成例的剖視圖。圖8所示之表嵌型液晶面板202就關於觸控感測電極部130之檢測電極131及驅動電極132均作為電極圖案配置於液晶單元120外之方面與圖2～6所示之內嵌型不同。該構成中，於液晶單元120外(具體而言，第1透明基板141及第2透明基板142之外側)具有觸控感測器功能。更具體而言，於液晶單元120之第1透明基板141之外表面配置驅動電極132，於該驅動電極132之上配置檢測電極131。該表嵌型液晶面板202具有自視認側依序配置有偏光膜111、導電層113、黏著劑層112、檢測電極131、驅動電極132、第1透明基板141、液晶層125、驅動電極134、第2透明基板142之積層構造。又，於第1偏光膜111之進而視認側具有表面處理層114。進而，於第2透明基板142之外側依序配置有黏著劑層152、光學膜151。該液晶面板202中，觸控感測電極部130之檢測電極131配置於第1透明基板141之外側而與黏著劑層112接觸。又，於液晶單元120內配置有驅動電極134。該驅動電極134係配置於液晶層125與第2透明基板142之間。

再者，於上述構成例中，配置於液晶單元之視認側之附有導電層之偏光膜依序具有黏著劑層、導電層及偏光膜，但並不限定於此，亦可採用具有黏著劑層、導電層及偏光膜之其他層構成之附有導電層之偏光膜代替上述構成之附有導電層之偏光膜。附有導電層之偏光膜可採用之具體構成(層構成)如上所述，因此不重複說明。

又，於上述構成例中，作為配置於背面側之附有黏著劑層之光學膜，使用實質上由黏著劑層與光學膜構成之附有黏著劑層之光學膜，但此處揭示之技術並不限定於此，亦可於液晶面板之背面側使用此處揭示之附有導電層之偏光膜。於該情形時，可於液晶單元之兩側配置此處揭示之附有導電層之偏光膜。藉此，可於液晶面板之兩面獲得此處揭示之技術之效果。或可不於液晶面板之視認側而僅於背面側配置此處揭示之附有導電層之偏光膜。此種構成亦可發揮此處揭示之技術之效果。

又，圖2、圖3、圖6所示之內嵌型液晶面板中，檢測電極配置於較驅動電極更靠第1透明基板側(視認側)，但此處揭示之內嵌型液晶面板之構成並不限定於此，亦可將驅動電極配置於較檢測電極更靠第1透明基板側(視認側)。

又，圖7所示之半內嵌型液晶面板中，檢測電極配置於液晶單元外(具體而言，第1透明基板之外側)，驅動電極配置於液晶單元內(具體而言，第1透明基板與第2透明基板之間)，但並不限定於此，此處揭示之技術亦可應用於將檢測電極配置於液晶單元內、驅動電極配置於液晶單元外之構成之半內嵌型液晶面板。

使用具備上述說明之構成之液晶面板(較佳為內嵌型液晶面板)，製造帶有觸控感測功能之液晶顯示裝置。製造該液晶顯示裝置時，於照明系統使用背光或反射板等，可利用公知或慣用之方法使用液晶顯示裝置可使用之各種構件。

＜液晶面板之構成材料＞ 作為構成液晶單元之液晶層，使用包含液晶分子之液晶層。於若干態樣中，液晶層為以不存在電場之狀態包含水平配向之液晶分子之液晶層。作為液晶層，例如較佳地使用IPS方式之液晶層。作為此處揭示之技術中可使用之液晶層之其他例，可列舉：TN型或STN型、π型、VA型等液晶層。液晶層之厚度例如為1.5 μm～4 μm左右。

構成觸控感測電極部之檢測電極、驅動電極(包括將兩者一體化者)典型而言為透明之導電層(透明電極)。該等電極之材料並無特別限定，例如可使用金、銀、銅、鉑、鈀、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、錫、鎂、鎢等金屬或該等金屬之合金等之1種或2種以上。又，作為電極材料，可使用銦、錫、鋅、鎵、銻、鋯、鎘之金屬氧化物之1種或2種以上。作為具體例，可列舉包含氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鎘及該等之混合物等之金屬氧化物。亦可使用包含碘化銅等之其他金屬化合物等。上述金屬氧化物可視需要進而包含上述例示之金屬原子之氧化物。例如，較佳地使用含有氧化錫之氧化銦(ITO)、含有銻之氧化錫等，尤佳使用ITO。作為ITO，較佳地使用含有大致80～99重量%之氧化銦及大致1～20重量%之氧化錫者。

內嵌型液晶面板中，作為觸控感測電極部之檢測電極、驅動電極、兩者一體成形之電極通常作為透明電極圖案而形成於第1透明基板及第2透明基板之至少一者(典型而言僅一者)之內側(液晶單元內之液晶層側)。半內嵌型液晶面板中，檢測電極及驅動電極中之一者形成於第1透明基板及第2透明基板中之一者之內側(液晶單元內之液晶層側)，檢測電極及驅動電極中之另一者形成於第1透明基板及第2透明基板中之另一者之外側。表嵌型液晶面板中，檢測電極、驅動電極、兩者一體成形之電極形成於第1透明基板及第2透明基板之外側(液晶單元外)。上述電極圖案藉由常法而形成。 再者，觸控感測電極部中之檢測電極、驅動電極、兩者一體成形之電極可為兼具作為控制液晶層之共通電極之功能者。

上述電極圖案通常電性連接於透明基板之端部形成之牽引線(未圖示)。上述牽引線與控制器IC(未圖示)連接。電極圖案之形狀並不限定於如上述構成例之條紋狀配線正交者，例如除條紋狀以外，可根據用途、目的等選擇梳形狀或菱形狀等任意形狀。因此，所謂檢測電極、驅動電極可具有直角以外之交叉圖案或其他各種圖案。上述電極圖案之高度例如可大致10 nm～100 nm，寬度可大致為0.1 mm～5 mm。

作為形成透明基板(包含第1、第2透明基板)之材料，例如可列舉：玻璃或聚合物膜。因此，透明基板可為玻璃基板或聚合物基板。作為透明基板所使用之玻璃，可無特別限制而使用各種玻璃材料。作為聚合物膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚環烯烴、聚碳酸酯等。透明基板主體由玻璃板形成之情形時，其厚度例如為0.1 mm～1 mm左右。透明基板主體由聚合物膜形成之情形時，其厚度例如為10 μm～200 μm左右。透明基板可於其表面具有易接著層或硬塗層。

作為形成與附有導電層之偏光膜中之黏著劑層及導電層之側面連接之導通構造的材料，可無特別限制地使用各種導電材料。例如較佳地使用包含銀、金及其他金屬之1種或2種以上之金屬漿料等導電性漿料。作為上述材料之其他例，可列舉導電性接著劑。導通構造可為具有自導電層或黏著劑層之側面延伸之線狀者。關於可設置於偏光膜等側面之導電構造之材料亦與上述同樣，可設為與上述同樣之形狀。

液晶面板中，作為配置於與視認側相反側之附黏著劑層之光學膜之光學膜，可根據用途或目的使用此處揭示之偏光膜或與偏光膜不同之公知或慣用之光學膜。作為此種光學膜，可列舉：相位差膜(亦稱為相位差板。包括波長板)、光學補償膜、亮度提高膜、光擴散膜、反射膜、反透過膜等。該等可單獨使用1種或將2種以上積層使用。使用偏光膜作為配置於與視認側相反側之光學膜之態樣中，可使用與配置於視認側之偏光膜相同者，亦可使用不同者。

作為構成上述附黏著劑層之光學膜之黏著劑層，可根據用途或目的使用此處揭示之黏著劑層或公知或慣用之黏著劑層。作為黏著劑層，可使用與配置於視認側之黏著劑層相同者，亦可使用不同者。由公知或慣用之黏著劑形成配置於與視認側相反側之黏著劑層之情形時，該黏著劑層之厚度並無特別限制，例如宜為1～100 μm左右，較佳為大致2～50 μm、更佳為大致2～40 μm、進而較佳為大致5～35 μm。

再者，上述液晶面板或具備該液晶面板之液晶顯示裝置除以上所說明者以外，亦可根據用途或目的，於無損此處揭示之技術之效果之範圍內，變更各構成構件之配置或構成或者適當追加其他構成。作為一例，可進行於液晶單元上(例如圖2中之第1透明基板141)設置彩色濾光片基板之設計變更。

以下，說明本發明相關之若干實施例，並非意欲將本發明限定於該具體例所示者。再者，以下之說明中之「份」及「%」只要無特別說明，為重量基準。

＜評價方法＞ [導電層之表面電阻值] (1)初期表面電阻值 對於附有導電層之偏光膜(黏著劑層積層前)之導電層側表面，於溫度23℃、50%RH之環境下，依據JIS K 6911，於施加電壓10 V、施加時間10秒之條件下測定初期表面電阻值[Ω/□]。作為電阻率計，可使用三菱化學分析科技公司製造之商品名「Hiresta UP MCP-HT450型」)或其相當品。 (2)濕熱試驗後之表面電阻值 將附有導電層之偏光膜(黏著劑層積層前)於溫度85℃、85%RH之濕熱環境下放置24小時(濕熱試驗)。其後，對於在室溫下乾燥3小時後之導電層表面，於溫度23℃、50%RH之環境下，依據JIS K 6911，於施加電壓10V、施加時間10秒之條件下測定濕熱試驗後之表面電阻值[Ω/□]。作為電阻率計，可使用三菱化學分析科技公司製造之商品名「Hiresta UP MCP-HT450型」)或其相當品。 (3)濕熱表面電阻變化比 根據藉由上述測定所獲得之濕熱試驗後之表面電阻值S[Ω/□]相對於初期表面電阻值P[Ω/□]的比(S/P)求出濕熱表面電阻變化比。

[黏著劑層之表面電阻值] 於剝離襯墊上形成黏著劑層，對於該黏著劑層之表面，於溫度23℃、50%RH之環境下，依據JIS K 6911，於施加電壓250V、施加時間10秒之條件下測定表面電阻值[Ω/□]。作為電阻率計，可使用市售之電阻率計(例如三菱化學分析科技公司製造之商品名「Hiresta UP MCP-HT450型」)或其相當品。再者，於後述表1中，將電阻值超出測定上限之情形記為「OVER」。

[濕熱導電性變化比F_HT ] (1)預備評價(與表面電阻值之關聯) 準備5個表面電阻值不同之附有導電層之偏光膜之試樣，將各附有導電層之偏光膜試樣安裝於觸控面板評價套件(Shurter公司製造之製品名「TouchKit」)。該評價套件具有積層有覆蓋玻璃之PCAP(投影型靜電電容式)觸控面板、IC(積體電路)基板及軟體，可自與觸控面板連接之端子經由IC基板而利用上述軟體記錄及處理上述觸控面板之電流值。附有導電層之偏光膜試樣向評價套件之安裝具體而言如圖9所示，將附有導電層之偏光膜試樣S之黏著劑層表面以不會產生隆起之方式貼附於評價套件300之觸控面板302之覆蓋玻璃304。將觸控面板302水平載置於未作圖式之絕緣體上。作為絕緣體，例如可使用平板狀之樹脂或框狀之橡膠體。進而，藉由利用PC啟動之軟體，通過端子T及IC基板取得觸控面板302面內之電容資料圖，以所獲得之觸控面板之電流值與無附有導電層之偏光膜試樣S時之觸控面板基極電流值之差量(處理過之資料)的形式獲得ΔC。於本測定中，作為ΔC，採用由針對觸控面板面內之複數個部位測得之複數個測定值與基極電流值之差量(處理過之資料)之最大值與最小值所算出的處理過之資料(Max-Min)。圖10係以上述測定之ΔC(處理過之資料(Max-Min))為縱軸、以導電層之表面電阻值[Ω/□]為橫軸，對試樣進行繪圖而獲得之圖表。如圖10所示，上述ΔC與表面電阻值[Ω/□]表現出其回歸直線之相關係數R² 高達0.9701之關聯，由此可知上述ΔC可用作附有導電層之偏光膜之導電性或導電性變化之指標。上述ΔC為於上述軟體中經過數位(8bit)轉換之值，因此單位為bit。後述ΔC(A)、ΔC(B)及濕熱導電性變化比F_HT 亦同様。 再者，於後述ΔC(A)及ΔC(B)之測定中，向評價套件安裝附有導電層之偏光膜試樣時，可於附有導電層之偏光膜試樣之上面(背面)重合複數片絕緣片材(例如聚苯乙烯片材)作為重物，以使附有導電層之偏光膜試樣與覆蓋玻璃304之間不會產生隆起。又，針對導電層構成最外面之附有導電層之偏光膜，測定後述ΔC(A)及ΔC(B)之情形時，以該導電層表面與評價套件之覆蓋玻璃抵接之方式載置，繼而，於導電層之上重合複數片絕緣片材(例如約20片與觸控面板同等大小之聚苯乙烯片材(一片10～20 g左右))作為重物以使導電層與覆蓋玻璃之間不會產生隆起，其他可與上述同樣地實施測定。 無論將附有導電層之偏光膜之黏著劑層貼附於覆蓋玻璃而作為評價套件測定F_HT 之情形、或使導電層直接與覆蓋玻璃抵接而作為評價套件測定F_HT 之情形時，F_HT 獲得大體一致之值，無較大變化。 (2)ΔC(A) 藉由與上述(1)相同之方法將作為測定對象的附有導電層之偏光膜安裝於評價套件300，根據所取得之觸控面板面內之電容資料圖，獲得安裝了附有導電層之偏光膜時之觸控面板之電流值與觸控面板基極電流值的差量ΔC(處理過之資料)。以其作為將濕熱試驗前之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量ΔC(A)。 (3)ΔC(B) 又，將作為測定對象的附有導電層之偏光膜於溫度85℃、85%RH之濕熱環境下放置24小時(濕熱試驗)。其後，針對於室溫下乾燥3小時後者，藉由與上述(1)相同之方法安裝於評價套件300，根據所取得之觸控面板面內之電容資料圖，獲得安裝了附有導電層之偏光膜時之觸控面板之電流值與觸控面板基極電流值的差量ΔC(處理過之資料)。以其作為將濕熱試驗後之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量ΔC(B)。 (4)濕熱導電性變化比F_HT 之算出 根據下式(1)算出濕熱導電性變化比F_HT 。 F_HT ＝ΔC(B)/ΔC(A)・・・・・(1)

[觸控感度穩定性評價] 基於濕熱導電性變化比F_HT ，按照下述基準進行評價。 (評價基準) ◎：F_HT ≦1.5 〇：1.5＜F_HT ≦2 ×：2＜F_HT

[抓固力] 自附有導電層之偏光膜去除剝離襯墊，於露出之黏著面貼合ITO膜(尾池工業公司製造，商品名「125 Tetolight OES」)，裁切成寬度25 mm而獲得測定用試樣。將測定用試樣安裝於拉伸試驗機，沿180度方向以300 mm/min之速度自ITO膜剝離附有導電層之偏光膜，記錄此時之剝離力[N/25 mm]作為抓固力。 再者，若抓固力為18 N/25 mm以上則評價為「◎」、若為12 N/25 mm以上且未達18 N/25 mm則評價為「〇」、若為10 N/25 mm以上且未達12 N/25 mm則評價為「△」、若未達10 N/25 mm則評價為「×」。

[偏光膜之製作] (製備例A1) 一面將厚度30 μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜(可樂麗公司製造，製品名「PE3000」)之長條輥利用輥延伸機於長度方向進行單軸延伸成為5.9倍，一面實施膨潤、染色、交聯、洗浄處理，最後實施乾燥處理，藉此獲得厚度12 μm之偏光元件。具體而言，膨潤處理中，一面利用20℃之純水進行處理，一面將膜延伸至2.2倍。染色處理中，於以使獲得之偏光元件之單體透過率成為45.0%之方式調整碘濃度之水溶液中，一面將膜於30℃之條件下進行處理一面延伸至1.4倍。上述水溶液中，碘與碘化鉀之重量比為1：7。作為交聯處理，採用2階段之交聯處理，於第1階段之交聯處理中，一面於40℃之硼/碘化鉀水溶液中進行處理一面將膜延伸至1.2倍。該水溶液之硼含量設為5.0%、碘化鉀含量設為3.0%。於第2階段之交聯處理中，一面於65℃之硼/碘化鉀水溶液中進行處理一面將膜延伸至1.6倍。該水溶液之硼含量設為4.3%、碘化鉀含量設為5.0%。洗浄處理中，使用20℃之碘化鉀水溶液。洗浄處理用水溶液之碘化鉀含量設為2.6%。乾燥處理係於70℃、5分鐘之條件下實施。

使用PVA系接著劑，將於三乙醯纖維素(TAC)膜之單面具有硬塗(HC)層之厚度32 μm之TAC-HC膜貼合於上述偏光元件之一面。又，於上述偏光元件之另一面，使用PVA系接著劑貼合厚度25 μm之丙烯酸系(CAT)膜，而製作具有TAC保護層/PVA偏光元件/CAT保護層之構成之偏光膜。於該偏光膜之TAC保護層側表面設置作為表面處理層之硬塗層。

[導電性組合物之製備] (製備例B1) 調配14.3份之含噻吩系聚合物之溶液(PEDOT/PSS-NH₄ )、1份之黏合劑溶液A(第一工業製藥公司製造之商品名「Superflex210」，含有胺基甲酸酯黏合劑，固形物成分率35%)、4份之黏合劑溶液B(日本觸媒公司製造，商品名「Epocros WS-700」，含有Mn2萬、Mw4萬之含㗁唑啉基之聚合物)、作為高沸點化合物之三乙二醇(沸點：約287℃)及水，而製備固形物成分濃度為1.5%之導電性組合物B1。作為含噻吩系聚合物之溶液，使用將包含PEDOT(聚(3,4‐乙二氧基噻吩))與PSS(聚(苯乙烯磺酸)鈉)之水分散液(賀利氏公司製造，商品名「CleviosP」)利用東京化成工業公司製造之28%氨水進行中和並使固形物成分率成為1%而獲得者。三乙二醇係以於組合物中含有3%之方式調配。所獲得之組合物含有噻吩系聚合物0.14%、胺基甲酸酯黏合劑0.36%、含㗁唑啉基之聚合物1.0%。

(製備例B2) 使用二乙二醇(沸點：約244℃)代替三乙二醇作為高沸點化合物，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B2。

(製備例B3) 使用鄰苯二酚(沸點：約246℃)代替三乙二醇作為高沸點化合物，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B3。

(製備例B4) 將高沸點化合物(鄰苯二酚)之添加量自3%變更為10%，相應地減少水之量，除此以外，以與製備例B3相同之方式製備本例之導電性組合物B4。

(製備例B5) 使用甘油(沸點：約290℃)代替三乙二醇作為高沸點化合物，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B5。

(製備例B6) 將高沸點化合物(二乙二醇)之添加量自3%變更為20%，相應地減少水之量，除此以外，以與製備例B2相同之方式製備本例之導電性組合物B6。

(製備例B7) 調配42.9份之含噻吩系聚合物之溶液(PEDOT/PSS-NH₄ )、3.1份之黏合劑溶液A(第一工業製藥公司製造之商品名「Superflex210」，含有胺基甲酸酯黏合劑，固形物成分率35%)、作為高沸點化合物之二乙二醇(沸點：約244℃)及水，而製備固形物成分濃度為0.1%之導電性組合物B7。二乙二醇係以於組合物中含有3%之方式調配。作為含噻吩系聚合物之溶液，使用與上述製備例B1相同者。所獲得之組合物含有噻吩系聚合物0.03%、胺基甲酸酯黏合劑0.07%。

(製備例B8) 使用N-甲基吡咯啶酮(沸點：約204℃)代替三乙二醇作為高沸點化合物，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B8。

(製備例B9) 使用5%二甲基亞碸(沸點：約189℃)代替3%三乙二醇作為高沸點化合物，相應地減少水之量，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B9。

(製備例B10) 不使用高沸點化合物，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B10。

(製備例B11) 使用N,N-二甲基甲醯胺(沸點：約153℃)代替三乙二醇，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B11。

(製備例B12) 使用二乙二醇二甲醚(沸點：約162℃)代替三乙二醇，除此以外，以與製備例B1相同之方式製備本例之導電性組合物B12。

[黏著劑組合物之製備] (製備例C1) 於具備攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四口燒瓶中添加含有丙烯酸丁酯(BA)76.9份、丙烯酸苄酯(BzA)17份、丙烯酸(AA)5份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)1份、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)0.1份之單體混合物。進而，相對於上述單體混合物(固形物成分)100份，將作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起添加，一面緩慢攪拌一面導入氮氣進行氮氣置換後，將燒瓶內之液溫保持於55℃附近進行8小時聚合反應，而製備Mw195萬、Mw/Mn＝3.9之丙烯酸系聚合物P1溶液。

相對於上述獲得之丙烯酸系聚合物P1溶液之固形物成分100份，調配導電劑1份，進而調配異氰酸酯系交聯劑(東曹公司製造，商品名「Coronate L」，三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯加成物)0.4份、過氧化物交聯劑(日本油脂公司製造，商品名「Nyper BMT」)0.1份及γ-縮水甘油氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造，商品名「KBM-403」)0.2份，而製備丙烯酸系黏著劑組合物C1之溶液。作為導電劑，使用雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺鋰(LiTFSI)。

(製備例C2) 將單體混合物之組成設為77.9份之BA、17份之BzA、5份之AA、0.1份之4HBA，除此以外，以與製備上述丙烯酸系聚合物P1溶液相同之方式製備丙烯酸系聚合物P2溶液。所獲得之丙烯酸系聚合物P2之Mw為160萬、Mw/Mn＝3.7。 相對於上述獲得之丙烯酸系聚合物P2溶液之固形物成分100份，調配異氰酸酯系交聯劑(東曹公司製造，商品名「Coronate L」，三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯加成物)0.4份、過氧化物交聯劑(日本油脂公司製造，商品名「Nyper BMT」)0.1份及γ-縮水甘油氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造，商品名「KBM-403」)0.2份，而製備丙烯酸系黏著劑組合物C2之溶液。

(製備例C3) 將單體混合物之組成設為75.8份之BA、23份之丙烯酸苯氧基乙酯(PEA)、0.5份之NVP、0.4份之4HBA、0.3份之AA，除此以外，以與製備上述丙烯酸系聚合物P1溶液相同之方式製備丙烯酸系聚合物P3溶液。所獲得之丙烯酸系聚合物P3之Mw為160萬、Mw/Mn＝3.7。使用上述獲得之丙烯酸系聚合物P3溶液代替丙烯酸系聚合物P1溶液，除此以外，以與製備例C1相同之方式製備丙烯酸系黏著劑組合物C3之溶液。

(製備例C4) 使用1-乙基-3-甲基咪唑鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺(EMI-FSI)代替LiTFSI作為導電劑，除此以外，以與製備例C3相同之方式製備丙烯酸系黏著劑組合物C4之溶液。

＜實施例1～14及比較例1～3＞ 於上述偏光膜之單面(未設置硬塗層之側)，以乾燥後之厚度成為50 nm之方式塗佈包含上述導電性組合物B1～B12之任一者之塗佈液，於80℃下乾燥3分鐘而形成導電層。 於經聚矽氧系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(剝離襯墊，三菱化學聚酯膜公司製造，編號「MRF38」)之單面，以乾燥後之黏著劑層之厚度成為23 μm之方式塗佈上述丙烯酸系黏著劑組合物C1～C4之任一者之溶液，於155℃下乾燥1分鐘，而於剝離襯墊之表面形成黏著劑層。進而，將該形成於剝離襯墊上之黏著劑層轉印至上述獲得之偏光膜上之導電層側表面。如此製作各例之附有導電層之偏光膜。該等附有導電層之偏光膜具有偏光膜/導電層/黏著劑層之構成，且於偏光膜側背面設置有硬塗層，並利用剝離襯墊保護黏著劑層之黏著面。

將各例之附有導電層之偏光膜之概略構成、初期及濕熱試驗後之表面電阻值[Ω/□]、濕熱表面電阻變化比、黏著劑層之表面電阻值[Ω/□]及濕熱導電性變化比F_HT (ΔC(B)/ΔC(A))、觸控感度穩定性及抓固力[N/25 mm]之評價結果示於表1。再者，比較例2、3中使用之N,N-二甲基甲醯胺、二乙二醇二甲醚不屬於高沸點化合物，但為了方便起見而記載於高沸點化合物欄中。

[表1]

抗靜電層

黏著劑層

抗靜電層表面電阻值 [Ω/□]

濕熱 表面電阻變化比

黏著劑層 表面電阻值[Ω/□]

ΔC(B)/ΔC(A)

觸控感度 穩定性

抓固力[N/25 mm]

組合物

高沸點化合物

組合物

導電劑

種類

沸點

調配量

初期

濕熱試驗後

實施例1

B1

三乙二醇

287℃

3%

C1

LiTFSI

3.6E+07

4.2E+07

1.18

1.0E+11

0.96

◎

24

實施例2

B2

二乙二醇

244℃

3%

C1

LiTFSI

6.9E+07

7.9E+07

1.14

1.0E+11

0.96

◎

22

實施例3

B3

鄰苯二酚

246℃

3%

C1

LiTFSI

2.3E+07

2.4E+07

1.02

1.0E+11

0.99

◎

19

實施例4

B4

鄰苯二酚

246℃

10%

C1

LiTFSI

2.3E+07

2.4E+07

1.02

1.0E+11

0.99

◎

18

實施例5

B5

甘油

290℃

3%

C1

LiTFSI

5.6E+07

8.1E+07

1.45

1.0E+11

0.89

◎

16

實施例6

B6

二乙二醇

244℃

20%

C1

LiTFSI

6.9E+07

7.9E+07

1.14

1.0E+11

0.96

◎

13

實施例7

B7

二乙二醇

244℃

3%

C1

LiTFSI

3.0E+07

3.2E+07

1.07

1.0E+11

0.98

◎

22

實施例8

B3

鄰苯二酚

246℃

3%

C2

-

2.3E+07

2.4E+07

1.02

OVER

0.99

◎

16

實施例9

B5

甘油

290℃

3%

C3

LiTFSI

5.6E+07

8.1E+07

1.45

1.0E+11

0.89

◎

16

實施例10

B6

二乙二醇

244℃

20%

C3

LiTFSI

6.9E+07

7.9E+07

1.14

1.0E+11

0.96

◎

12

實施例11

B5

甘油

290℃

3%

C4

EMI-FSI

5.6E+07

8.1E+07

1.45

1.0E+09

0.89

◎

11

實施例12

B6

二乙二醇

244℃

20%

C4

EMI-FSI

6.9E+07

7.9E+07

1.14

1.0E+09

0.96

◎

10

實施例13

B8

N-甲基吡咯啶酮

204℃

3%

C1

LiTFSI

2.0E+07

1.7E+06

0.08

1.0E+11

1.58

〇

20

實施例14

B9

二甲基亞碸

189℃

5%

C1

LiTFSI

4.0E+07

3.0E+06

0.08

1.0E+11

1.70

〇

21

比較例1

B10

-

-

-

C1

LiTFSI

2.2E+09

4.0E+06

0.0018

1.0E+11

101.92

×

16

比較例2

B11

N,N-二甲基甲醯胺

153℃

3%

C1

LiTFSI

6.3E+07

6.0E+05

0.01

1.0E+11

2.44

×

19

比較例3

B12

二乙二醇二甲醚

162℃

3%

C1

LiTFSI

7.0E+07

5.0E+05

0.01

1.0E+11

2.59

×

20

如表1所示，於使用沸點為180℃以上之高沸點化合物形成導電層之實施例1～14中，濕熱導電性變化比F_HT 為2以下，觸控感度穩定性評價結果均為合格等級。於該等例中，導電層之濕熱表面電阻變化比亦處於0.05以上10以下之範圍內。又，於使用沸點為210℃以上之高沸點化合物之實施例1～12中，F_HT 之範圍更窄，獲得特別優異之評價結果。相對於此，於未使用沸點為180℃以上之高沸點化合物之比較例1～3中，F_HT 超過2，觸控感度穩定性評價結果不良。又，於比較例1～3中，導電層之濕熱表面電阻變化比亦低於0.05。

又，於高沸點化合物之沸點為180℃以上且未達290℃、且將高沸點化合物之使用量設為0.1～10%之實施例1～4、7、13～14中，抓固力為18 N/25 mm以上，具有優異之耐久性。又，例如根據實施例3與8之對比、或實施例9～10與11～12之對比，於作為黏著劑層所含之聚合物而使用含有含醯胺基之單體作為單體單元之丙烯酸系聚合物的例、或作為黏著劑層所含之導電劑而使用無機鹽(無機陽離子之鹽)之例中，確認到抓固力提高之傾向。

根據上述結果，可知藉由具備偏光膜、設置於偏光膜之至少一面之導電層、及配置於導電層上之黏著劑層的附有導電層之偏光膜，且滿足濕熱導電性變化比F_HT 為2以下者、或導電層之濕熱表面電阻變化比為0.05以上10以下之範圍內者、進而具備使用導電性聚合物與沸點為180℃以上之高沸點化合物所形成之導電層之構成，而即便於暴露在濕熱環境下之情形時，亦能夠保持穩定之導電性。

以上，詳細地說明了本發明之具體例，但該等僅為例示，並不限定申請專利範圍。申請專利範圍中記載之技術包含對以上例示之具體例施加各種變化、變更者。

10,110:附有導電層之偏光膜 11,111:偏光膜 11A:偏光膜之第一面 11B:偏光膜之第二面 12,112:黏著劑層 12A:黏著劑層12之黏著面 13,113:導電層 14,114:表面處理層 101,102,103,104,105:內嵌型液晶面板 120:液晶單元 125:液晶層 130:觸控感測電極部 131:檢測電極 132:驅動電極 141:第1透明基板 142:第2透明基板 150:附有黏著劑層之光學膜 151:光學膜 152:黏著劑層 170:導通構造 171:導通構造 201:半內嵌型液晶面板 202:表嵌型液晶面板 300:評價套件 302:觸控面板 304:覆蓋玻璃 S:附有導電層之偏光膜試樣 T:端子

圖1係模式表示一實施態樣之附有導電層之偏光膜的剖視圖。 圖2係模式表示一實施態樣之內嵌型液晶面板的剖視圖。 圖3係模式表示另一實施態樣之內嵌型液晶面板的剖視圖。 圖4係模式表示另一實施態樣之內嵌型液晶面板的剖視圖。 圖5係模式表示另一實施態樣之內嵌型液晶面板的剖視圖。 圖6係模式表示另一實施態樣之內嵌型液晶面板的剖視圖。 圖7模式表示一實施態樣之半內嵌型液晶面板的剖視圖。 圖8係模式表示一實施態樣之表嵌型液晶面板的剖視圖。 圖9係模式表示貼附了附有導電層之偏光膜的觸控面板之電流值與觸控面板基極電流值的差量之測定方法的說明圖。 圖10係表示貼附了附有導電層之偏光膜時之ΔC(Cooked Data(處理過之資料)(Max-Min))與導電層之表面電阻值[Ω/□]之相關關係的圖。

10:附有導電層之偏光膜

11:偏光膜

11A:偏光膜之第一面

11B:偏光膜之第二面

12:黏著劑層

12A:黏著劑層12之黏著面

13:導電層

14:表面處理層

Claims (12)

1. 一種附有導電層之偏光膜，其係具備偏光膜與配置於該偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層者，且 上述偏光膜之下式(1)所表示之濕熱導電性變化比F_HT 為2以下， F_HT ＝ΔC(B)/ΔC(A)・・・・・(1) (式(1)中，ΔC(B)係將於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量，ΔC(A)係將上述濕熱試驗前之附有導電層之偏光膜貼附於評價用觸控面板時觸控面板中流動之電流值與觸控面板基極電流值的差量)。
2. 一種附有導電層之偏光膜，其係具備偏光膜與配置於該偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層者，且 上述導電層之濕熱表面電阻變化比S/P滿足條件：0.05≦S/P≦10，此處，S係於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之導電層之表面電阻值[Ω/□]，P係上述濕熱試驗前之導電層之表面電阻值[Ω/□]。
3. 一種附有導電層之偏光膜，其係具備偏光膜與配置於該偏光膜之第一面側及第二面側之至少一者之黏著劑層，進而具備導電層者，且 上述導電層係由包含導電性聚合物與沸點為180℃以上之高沸點化合物之導電性組合物所形成者。
4. 如請求項1或3之附有導電層之偏光膜，其中上述導電層之濕熱表面電阻變化比S/P滿足條件：0.05≦S/P≦10，此處，S係於溫度85℃、相對濕度85%及24小時之條件下實施之濕熱試驗後之導電層之表面電阻值[Ω/□]，P係上述濕熱試驗前之導電層之表面電阻值[Ω/□]。
5. 如請求項3之附有導電層之偏光膜，其中上述導電性組合物中之上述高沸點化合物之含量為0.1～10重量%。
6. 如請求項1至5中任一項之附有導電層之偏光膜，其中上述導電層包含噻吩系聚合物作為導電性聚合物。
7. 如請求項1至6中任一項之附有導電層之偏光膜，其中上述導電層包含黏合劑。
8. 如請求項1至7中任一項之附有導電層之偏光膜，其中上述黏著劑層包含丙烯酸系聚合物。
9. 如請求項8之附有導電層之偏光膜，其中上述丙烯酸系聚合物含有含醯胺基之單體作為單體單元。
10. 如請求項1至9中任一項之附有導電層之偏光膜，其中上述導電層設置於上述偏光膜之至少一面， 上述黏著劑層配置於上述導電層上。
11. 如請求項1至10中任一項之附有導電層之偏光膜，其用於內嵌型液晶面板。
12. 一種附有導電層之偏光膜之製造方法，其包括如下步驟： 於偏光膜之至少一面形成導電層；及 於上述導電層上設置黏著劑層；且 上述導電層係由包含導電性聚合物與沸點為180℃以上之高沸點化合物之導電性組合物所形成。

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