TW201904752A - 使用單元處理配方的積層製造 - Google Patents

使用單元處理配方的積層製造

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保羅Ｊ 史戴法斯
安傑Ｍ 喬西
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Abstract

一種積層製造的方法，包含以下步驟：儲存複數個預先決定的單元處理配方，在一平台上分配複數個連續層的饋送材料的一層；接收描述待熔融的該饋送材料的該層的一面積的資料；決定實質覆蓋該面積的複數個非重疊單元的一組合，及依序處理該複數個單元。每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示供一能量束遵循的一路徑，且不同的單元處理配方具有針對該能量束的不同的路徑。該複數個單元之每一單元取得選擇自該複數個預先決定的單元處理配方的一相關聯單元處理配方。藉由使得能量束遵循針對與該單元相關聯的單元處理配方的第一路徑來處理每一單元。

Description

使用單元處理配方的積層製造
本說明書相關於積層製造，也稱為3D列印。
積層製造(AM)，也稱為固體自由形式製造或3D列印，參照一製造處理，其中三維物件係由連續分配原材料(例如，粉末、液體、懸浮體、或熔化固體)成為二維層而建立。相對比下，傳統加工技術涉及消減處理，其中物件自存料材料(例如，一塊木頭、塑膠或金屬)切出。
可在積層製造中使用多種積層處理。一些方法熔化或軟化材料以產生層，例如，選擇性雷射熔化(SLM)或直接金屬雷射燒結(DMLS)、選擇性雷射燒結(SLS)、熔融沉積模型化(FDM)，而其他方法使用不同技術來硬化液體材料，例如光固化成型(SLA)。該等處理可在層的形成方式上相異以產生最終物件及在處理中使用的相容性材料上相異。
在積層製造的一些形式中，將粉末置放於平台上且雷射束追蹤一圖案至粉末上，以將粉末熔融在一起以形成形狀。一旦形成形狀，降低平台且加上新的一層粉末。重複該處理直至完全形成零件。
本說明書描述相關於積層製造的技術。
在一個態樣中，積層製造設備包含：一平台；一分配器，該分配器在該平台上輸送複數個連續層的饋送材料；一光源，該光源產生一個或更多個光束；一第一振鏡(galvo mirror)掃描器，放置該第一振鏡掃描器以引導一第一光束至該複數個連續層的一最頂層上；一第二振鏡掃描器，放置該第二振鏡掃描器以引導一第二光束至該複數個連續層的該最頂層上；及一控制器，該控制器經配置以使得該第一振鏡掃描器引導該第一光束以預先加熱或熱處理該最頂層的一面積，且使得該第二振鏡掃描器引導該第二光束以熔融該最頂層的該面積。
實作可包含以下特徵的一者或更多者。
控制器可經配置以控制該第一振鏡掃描器以引導該第一光束以在該面積被該第二光束熔融之前預先加熱該面積且在該面積被熔融之後熱處理該面積。控制器可經配置以控制該第二振鏡掃描器以引導該第一光束以在該面積熔融之後熱處理粉末床的該面積。可放置該複數個加熱燈於該粉末床上方。控制器可經配置以控制該複數個加熱燈以至少部分地預先加熱該粉末床的該面積。控制器可經配置以控制該複數個加熱燈以在該面積熔融之後至少部分地熱處理該粉末床的該面積。
可放置多角形鏡掃描器以引導一第三光束至該平台上的該複數個連續層的一最頂層上。控制器可經配置以控制該多角形雷射掃描器以使得該第三光束在該面積被熔融之後至少部分地熱處理該粉末床的該面積。控制器可經配置以控制該多角形雷射掃描器以使得該第三光束在該面積被熔融之前至少部分地預先加熱該粉末床的該面積。光源可為雷射且能量束可為雷射束。控制器可經配置以使得該第一振鏡掃描器引導該第一光束在該最頂層的饋送材料上遵循一第一路徑，且使得該第二振鏡掃描器引導該第二光束在該最頂層的饋送材料上遵循一第二路徑。
在另一態樣中，積層製造設備包含：一平台；一分配器，該分配器在該平台上輸送複數個連續層的饋送材料；一個或更多個能量源，該一個或更多個能量源提供預先加熱、熔融、及熱處理一層饋送材料，該一個或更多個能量源經配置以提供該饋送材料的可選擇體素(voxel)的熔融；及一控制器。該控制器經配置以：儲存複數個預先決定的單元處理配方，每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示供一能量束遵循的一路徑，以處理擁有複數個體素的一單元內的該饋送材料的一個或更多個體素，其中不同的單元處理配方具有用於該能量束的不同路徑；接收描述待熔融的該饋送材料的一層的一面積的資料；決定實質覆蓋該面積的複數個非重疊單元的一組合，該複數個單元的每一單元具有選擇自該複數個預先決定的單元處理配方的一相關聯單元處理配方；及使得該一個或更多個能量源依序處理該複數個單元，且針對每一單元，使得該一個或更多個能量源產生一能量束且使得該能量束遵循針對與該單元相關聯的該單元處理配方的第一路徑。
實作可包含以下特徵的一者或更多者。
每一單元處理配方可包含第一掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第一路徑，以預先加熱該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素。控制器可經配置以控制一振鏡掃描器以引導該能量束沿著第一掃描路徑。控制器可經配置以控制一多角形鏡掃描器以引導該能量束沿著第一掃描路徑。每一單元處理配方可包含第二掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第二路徑，以熔融該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素。控制器可經配置以控制一振鏡掃描器以引導該能量束沿著第二掃描路徑。
每一單元處理配方可包含第三掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第三路徑，以熱處理該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素。控制器可經配置以控制一振鏡掃描器以引導該能量束沿著第三掃描路徑。控制器可經配置以控制一多角形鏡掃描器以引導該能量束沿著第三掃描路徑。
每一單元處理配方可包含第一掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第一路徑，以預先加熱該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，及第二掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第二路徑，以熔融該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，且不同的單元處理配方具有針對該能量束的不同第一路徑或不同第二路徑的其中至少一個。
每一單元處理配方可包含第二掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第二路徑，以熔融該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，及第三路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第三路徑，以熱處理該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，且不同的單元處理配方可具有針對該能量束的不同第二路徑或不同第三路徑的其中至少一個。
可實作本說明書中所述請求標的之特定實作以便體現以下優點的一者或更多者。可控制預先加熱及後加熱。可減低使用於熔融的束所需的功率量，及/或該束可跨層更快速地移動，因而可增加生產率。此外，可減低溫度偏移遠離較佳處理溫度設定點的頻率及嚴重性。減低溫度偏移對減低熱應力為優勢的，改良了金屬池鍵孔深度及穩定度，且減低了導因於熱變化的微結構變化。該等處理優點直接改良零件多孔性、抗疲勞性、屈服強度，且可簡化後處理。
在所附圖式及下方描述中提出本說明書中所述申請標的之一個或更多個實作細節。經由描述、圖式、及申請專利範圍，其他申請標的之特徵、態樣、及優點將變得明顯。
積層製造處理可涉及在平台或先前沉積層上分配一層饋送材料(例如，粉末)，緊接著藉由一方法來熔融饋送材料層的部分。能量源加熱饋送材料且使得饋送材料固化，例如，使得粉末熔融。然而，可需要精確的熱控制以符合零件品質及良率需求。由於熔化處理期間的不穩定的熔化池鍵孔生成及瓦解，過度加熱可導致多孔性。另一方面，如果應用太少的熱或損失太多的熱，則熔融可為不完全的。此外，如果頂層上有陡峭的空間熱梯度，可發生扭曲、應力誘導破裂及變形。
在積層製造處理中，可在沉積於平台上之前加熱饋送材料。此可減低掃描束所需的功率量以使得特定體素(voxel)固化。此准許該束跨層更快速地移動，因而可增加生產率。此外，此可減低溫度波動的規模，因而減低熱應力且改良材料屬性。
預先加熱支撐粉末的平台可控制針對短零件的頂層的溫度剖面，但無法緩和且甚至可惡化針對長零件的溫度控制。自平台傳導至零件的熱不會到達長零件的頂層，因為自預先加熱平台至饋送材料的最頂層的距離隨著建立進程而太大。試著加熱長零件頂層的來自平台的增加的熱量使得底層被過度加熱。
然而，可在熔融之前藉由固定或掃描光束預先加熱饋送粉末及最頂熔化層，以便減低製造處理期間的熱梯度，而可改良燒結品質及生產率。減低的熱梯度可至少部分地減低製造處理期間的熱應力。也可藉由掃描或固定光束在熔融之後應用熱至熔融區段(也稱為「熱處理」或「後加熱」)，以便控制冷卻速率因而減低剩餘應力且進一步改良燒結品質，例如，藉由減低零件扭曲及破裂的可能性。也可使用熱以補償導因於輻射性、對流性、及傳導性損失的熱非均勻性。
本揭示案描述用於積層製造的方法及設備。該設備可包含光學引擎，具有至少一個振鏡掃描器及一陣列的加熱燈。包含該光學引擎的光學組件能夠引導一個或更多個光束以在製造處理期間預先加熱、熔融、及/或熱處理饋送材料。
特定實作涉及不同能量點來源(例如燈絲或二極體)及光學元件(例如反射器或透鏡)以在平台上引導及塑形基於輻射的加熱剖面。IR燈陣列可同時自一個或更多個IR燈的燈絲應用圖案化或均勻輻射至平台。反射及聚焦元件影響了IR燈陣列下的平台上的加熱剖面。IR燈陣列可應用熱一持續時間(自數秒至數小時)且可縮放超出一平方公尺的平台。
在一些情況中，有必要加熱個別IR燈的熱影響區內的小區域，例如，在建立小於IR燈的典型點大小的較大零件的零件或部分時。多角形加熱可比IR燈更有效，因為入射於饋送材料上的二極體點實質較少擴散且更聚焦於毫米尺度或更小。振鏡加熱可相似於多角形加熱以便於相較於IR燈更高的瓦特密度及更小的點大小。進一步地，振鏡加熱具有增加的優點：能夠加熱精細及複雜的圖案。例如，振鏡加熱適於加熱對應於熱交換器中具有的薄壁的區域。多角形加熱相對於振鏡加熱的優點為較高的雷射利用，導因於關閉點來源的減低時間同時定向轉向鏡。因此，多角形加熱在加熱正規多角形圖案時更有效。可使用多角形圖案以填滿零件的暈線(hatch)面積。
請求標的之範例實作IR燈加熱以升高及維持零件於升高的溫度以減低剩餘應力，多角形加熱同時雷射熔化以維持最頂層的暈線區域部分於升高的溫度以控制冷卻局部速率，及振鏡加熱同時雷射熔化以維持外形及薄壁區段於升高的溫度以控制局部冷卻速率。值得一提的是範例實作提出了最頂層上的溫度控制，因為零件變得更長。本技術與自底部引導熱的傳統建立平板加熱器相容。
第1圖展示範例的積層製造系統100。積層製造系統100包含建立平台116以維持待製造物件、饋送材料輸送系統107以輸送連續層104的饋送材料105於平台116上、及光學組件111以產生多光束以使用於熔融、預先加熱及/或熱處理每一層的饋送材料。
在一些實作中，例如第1圖中所圖示的實作，饋送材料輸送系統107可包含平坦葉片或槳107a以自饋送材料貯存器108跨建立平台116推動饋送材料105。在該實作中，饋送材料貯存器108也可包含相鄰建立平台116放置的饋送平台118。可升高饋送平台118以升起一些饋送材料高於建立平台116的位準，且葉片或槳107a可自饋送平台118推動饋送材料105至建立平台116上。
替代地或額外地，饋送材料輸送系統107可包含懸吊在平台116上方的分配器且具有複數個孔隙或噴嘴，經由該複數個孔隙或噴嘴計量及流動粉末。例如，可經由一元件節流或計量粉末，受限於在重力下流動或例如藉由壓電致動器噴出。可藉由氣動閥、微機電系統(MEMS)閥、電磁閥、及/或磁性閥來提供個別孔隙或噴嘴的分配控制。可使用其他系統以分配粉末，包含具有孔隙的滾筒，及具有複數個孔隙的管子內部的螺旋鑽。
可選地，系統100可包含壓緊及/或整平機構以壓緊及/或平坦化沉積於建立平台116上的饋送材料層。例如，系統可包含可藉由驅動系統(例如，線性致動器)平行於平台116的表面移動的滾筒或葉片。
饋送材料105可包含金屬顆粒。金屬顆粒的範例包含金屬、合金及金屬間合金。用於金屬顆粒的材料範例包含鋁、鈦、不鏽鋼、鎳、鈷、鉻、釩、及該等金屬的多種合金或金屬間合金。
饋送材料105可包含陶瓷顆粒。陶瓷顆粒的範例包含金屬氧化物(例如氧化鈰)、礬土、二氧化矽、氮化矽、碳化矽、或該等材料的組合，例如鋁合金粉末。
饋送材料可為乾粉末，或材料的液體懸浮液或漿料懸浮液中的粉末。例如，針對使用壓電列印頭的分配器，饋送材料典型地為液體懸浮液中的顆粒。例如，分配器可在載體流體中輸送粉末，例如高蒸氣壓載體，例如異丙醇(IPA)、乙醇、或N甲基2吡咯烷酮(NMP)，以形成粉末材料層。載體流體可在針對該層的燒結步驟之前蒸發。替代地，可施用乾的分配機構(例如，由超音波攪拌及加壓惰性氣體所輔助的噴嘴陣列)來分配第一顆粒。
積層製造系統100包含控制器119，控制器119可儲存代表可形成物件106的預先定義圖案的數位資料。控制器119控制光學組件111以產生多光束以使用於熔融、預先加熱及/或熱處理每一層的饋送材料。
光學組件111可包含加熱燈陣列120，可包含一個或更多個加熱燈120a。每一加熱燈120a能夠產生光束121以衝擊饋送材料105的最外層104a。每一光束可在平台116的特定區段上提供熱至饋送材料105。可使用該熱以至少部分地預先加熱或熱處理部分的饋送材料105。
光學組件111包含光源101以產生光束102以衝擊饋送材料105的最外層104a。光束102選擇性地輸送足夠的熱以根據儲存於控制器119中的預先定義的圖案來熔融饋送材料105。本說明書內容中的熔融可包含熔化及固化，或燒結同時仍為固體形式，或熔融粉末的其他處理。雖然圖示的實作利用單一光源來發射單一光束，可使用多光源以產生多光束。在本揭示案內更詳細地給予該等實作的範例。
一般而言，光源101所產生的光束102具有對應於(或可控制以選擇性地熔融)饋送材料的個別體素的點大小。相對比下，每一燈120a所產生的光束121在饋送材料上相較於光束102具有較大點。光束121可跨越多個體素，例如，至少5x5的體素面積。
光束102由光學引擎103造成以至少沿著第一軸(也稱為Y軸)掃描。藉由控制器119來控制光學引擎103且隨後在本揭示案內更詳細地描述。
Y軸可為平行於分配器107(例如，葉片或噴嘴)跨平台的動作方向(例如，第1圖中自左至右)。替代地，Y軸可垂直於分配器107的動作方向。
可藉由平台116的動作，維持光學引擎103的支撐件的動作以便於沿著X軸的光束102的移動，藉由繞著Y軸傾斜部分的光學引擎103，藉由使用雙軸振鏡，或藉由置放在光學引擎103之前或之後且在光束102的路徑內所放置的分開的振鏡掃描器以沿著X軸偏離光束102。
當光源101產生多光束，不同光束可使用不同機構以提供沿著X軸的移動。例如，光學引擎103可具有第二振鏡掃描器。在一些實作中，可獨立控制沿著X軸的不同光束的動作。在一些實作中，例如，當掃描器接合至可側向移動的相同支撐件時，光束具有沿著X軸相對於支撐件的固定相對位置。
可藉由平台116的動作或維持燈陣列120的支撐件的動作以便於沿著X軸的光束121的移動。在一些實作中，燈陣列120被固定至與光學引擎103相同的可移動支撐件；在此情況中，可使用單一致動器以沿著X軸同步地移動。在一些實作中，燈陣列120及光學引擎103具有分開的支撐件且可獨立移動。
第2A至2C圖個別展示範例的光學引擎103的頂部、前方、及側面視圖。光學引擎103可包含鏡掃描器202a，例如振鏡掃描器。振鏡掃描器202a包含可移動鏡204及聚焦透鏡206。振鏡掃描器202a可引導光束(例如光束102)以衝擊平台116上的饋送材料105層。聚焦透鏡206聚焦光束102以便提供饋送材料的最外層104a處所需點大小。可使用振鏡掃描器202a以用於預先加熱饋送粉末105、熔融饋送粉末105、或在饋送粉末105熔融之後熱處理饋送粉末105，或進行上述之任何組合。本揭示案的內容中的熱處理包含控制饋送材料熔融之後饋送材料的冷卻速率。
光學引擎103也可包含第二鏡掃描器202a，例如第二振鏡掃描器202b。第二振鏡掃描器202b可引導第二光束以衝擊平台116上的饋送材料105層。結構上，第二振鏡掃描器202b可相似於振鏡掃描器202a。可使用第二振鏡掃描器202b以用於預先加熱饋送粉末105、熔融饋送粉末105、或在饋送粉末105熔融之後熱處理饋送粉末105，或進行上述之任何組合。本揭示案的內容中的熱處理包含控制饋送材料熔融之後饋送材料的冷卻速率。
交替地，參考第2D圖，可使用旋轉多角形鏡掃描器202c以用於鏡掃描器202a及202b之任一者或兩者。旋轉多角形鏡掃描器202c包含具有鏡像側及聚焦透鏡206的可旋轉多角形204a。隨著多角形旋轉，跨饋送材料層掃掠光束102。
在一些實作中，使用第一鏡掃描器202a(例如，振鏡掃描器)以用於預先加熱饋送粉末105，且使用第二鏡掃描器202b(例如，振鏡掃描器)以用於熔融饋送材料105。在一些實作中，使用第一鏡掃描器202a(例如，振鏡掃描器)以用於熔融饋送材料105，且使用第二鏡掃描器202b(例如，振鏡掃描器)以用於熱處理熔融的饋送材料105。在一些實作中，使用第一鏡掃描器202a(例如，振鏡掃描器)以用於預先加熱以及熱處理饋送粉末105，且使用第二鏡掃描器202b(例如，振鏡掃描器)以用於熔融饋送材料105。
針對每一光束，隨著光束沿著層上的路徑掃掠，可藉由使得個別光源將光束開啟及關閉來調變光束，以便輸送能量至饋送材料層的選擇區域110。在第3A至3D圖中展示掃描區域的一組範例。
在第3A圖中，可使用振鏡掃描器來追蹤第一光路徑，例如第二振鏡掃描器202b。遵循此路徑的光束可升高饋送材料的溫度高於熔融溫度。可使用此技術以熔融待製造物件的外形；可分開地熔融物件內部。
控制器119可儲存多個預先決定的單元處理配方。單元係擁有多個體素的饋送材料的面積。每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示一路徑以供能量束遵循以便處理單元內饋送材料的一個或更多個體素。不同的單元處理配方具有針對能量束的不同路徑。
控制器經配置以接收資料，例如，以電腦可讀取格式，描述待熔融的饋送材料層的面積以便形成物件。例如，待熔融的面積的外形可為第3A圖中的振鏡掃描器所追蹤的初始輪廓。
控制器也經配置以決定實質覆蓋該面積的複數個非重疊單元的組合。每一單元具有相關聯單元處理配方，亦即，儲存的複數個預先決定單元處理配方的其中一者。有效地，控制器將待熔融的面積拆成個別單元，每一單元具有相關聯單元處理配方。在第3B至3D圖中圖示範例的多角形單元304(在此例中為梯形)。
控制器119也能夠使得一個或更多個能量源依序處理複數個單元。針對每一單元，控制器119可使得光源101產生光束102且使得鏡掃描器引導光束以遵循由相關聯於該單元的單元處理配方所識別的路徑。
每一單元處理配方可包含第一掃描路徑以指示單元內用於光束遵循的第一路徑306a以預先加熱單元內饋送材料的一個或更多個體素。例如，控制器119可控制振鏡掃描器，例如振鏡掃描器202a，以引導光束沿著第一掃描路徑306a。在一些實作中，可在振鏡掃描器的位置使用或在振鏡掃描器外使用多角形鏡掃描器。在此情況中，路徑為一組平行線。
每一單元處理配方也可包含第二掃描路徑以指示單元內用於光束遵循的第二路徑306b以熔融單元內饋送材料的一個或更多個體素。例如，控制器119可控制振鏡掃描器，例如振鏡掃描器202b，以引導能量束沿著第二掃描路徑306b。第二路徑306b不須與第一路徑306a相同。在一些實作中，可在振鏡掃描器的位置使用或在振鏡掃描器外使用多角形鏡掃描器。在此情況中，路徑為一組平行線。
每一單元處理配方也可包含第三掃描路徑以指示單元內用於能量束遵循的第三路徑306c以熱處理單元內饋送材料的一個或更多個體素。例如，控制器119可控制振鏡掃描器，例如振鏡掃描器202b，以引導能量束沿著第三掃描路徑306c。在一些實作中，可在振鏡掃描器的位置使用或在振鏡掃描器外使用多角形鏡掃描器。第三路徑306c不須與第一路徑306a或第二路徑306b相同。
在所有先前描述的範例中，不同的單元處理配方可具有至少一個不同的第一路徑306a或不同的第二路徑306b以用於能量束。相似地，在所有先前描述的範例中可包含具有至少一個不同的第二路徑306b或不同的第三路徑306c以用於能量束的不同的單元處理配方。亦即，第一路徑306a的掃描圖案可與第二路徑306b的掃描圖案不同，且第二路徑306b的掃描圖案可與第三路徑306c的掃描圖案不同。
第4A圖展示可使用本揭示案的態樣來實作的光源101配置的範例。在圖示的實作中，光源101發射第一光束302朝向分束器304。分束器304可將發射自光源101的第一光束302分成第二光束302a、第三光束302b、及第四光束302c。第二光束302a被引導朝向第一振鏡掃描器202a，第三光束302b被引導朝向第二振鏡掃描器202b，且第四光束302c被引導朝向第三振鏡掃描器202c。雖然圖示的實作展示分束器304引導光束至三個不同光學部件，分束器304可經配置以引導任何數量的光束。例如，如果光學引擎103僅包含第一振鏡掃描器202a及第二振鏡掃描器202b，則分束器304僅可產生第二光束302a及第三光束302b。在一些實作中，可藉由光源101來調變第一光束302的功率密度。在一些實作中，分束器可包含用於一個或更多個光束的功率密度調變機構。在一些實作中，可使用一個或更多個分開的、獨立運作的功率密度調變機構。
第4B圖展示可使用本揭示案的態樣來實作的範例光學引擎配置。圖示的實作包含第一光源304a、第二光源304b、及第三光源304c。第一光源304a發射第一光束302a朝向第一振鏡掃描器202a。第二光源304b發射第二光束302b朝向第二振鏡掃描器202b。第三光源304c發射第三光束302c朝向第三振鏡掃描器202c。
雖然圖示的實作展示三個分開的光源引導光束至三個不同光學部件，可使用任何數量的光源。例如，如果光學引擎103僅包含第一振鏡掃描器202a及第二振鏡掃描器202b，則第一光源304a及第二光源304b可為僅有的包含的光源。每一光源可個別調變光束的功率密度。在一些實作中，可使用一個或更多個分開的、獨立運作的功率密度調變機構。
儘管將分束器304及多個光源304a、304b、及304c的使用以分開的實作來描述，可組合使用此兩個概念。例如，可自第一光源發射第一光束朝向分束器。分束器可將第一光束分成第二及第三光束。第二光束可被引導至第一振鏡掃描器202a，同時第三光束可被引導朝向第二振鏡掃描器202b。第二光源可發射第四光束朝向第三振鏡掃描器202c。
在操作的一些態樣中，控制器119可使得光源101及振鏡掃描器202應用光束至饋送材料105層的區域的至少一部分，如第5圖中所展示。在該實作中，加熱燈120也可發射寬能量束502至饋送材料105層的區域的至少一部分。
在操作的一些態樣中，控制器119經配置以控制第一振鏡掃描器202a以進行以下兩者：在第二振鏡掃描器202b熔融饋送材料105的一面積之前預先加熱該面積，及在第二振鏡掃描器202b熔融該面積之後熱處理該面積。控制器119可控制第二振鏡掃描器202b以引導光束以在第二振鏡掃描器202b熔融該面積之後熱處理饋送粉末105的該面積。
在操作的一些態樣中，控制器可控制複數個加熱燈120以至少部分地預先加熱饋送粉末105的面積。控制器也可控制複數個加熱燈以在該面積熔融之後至少部分地熱處理饋送粉末105的面積。
在一些實作中，可放置多角形鏡掃描器以引導第三光束至饋送粉末105的最頂層上。在該實作中，控制器可控制多角形鏡掃描器以引導光束以在第二振鏡掃描器202b熔融該面積之後至少部分地熱處理饋送粉末105的該面積。控制器也可控制多角形鏡掃描器以在來自第二振鏡掃描器202b的光束熔融該面積之前至少部分地預先加熱饋送粉末105的該面積。
在一些實作中，積層製造系統100包含另一熱源，例如，經排列以引導熱至饋送材料的最上層上的一個或更多個IR燈。在使用其他熱源預先加熱饋送材料層的第一面積之後，可使用多角形鏡掃描器(例如，多角形鏡掃描器)預先加熱饋送材料層的第二面積，將第一光束反射至饋送材料層的第二面積上。第二面積可與饋送材料層的第一面積不同。在熔融饋送材料層的第一面積之後，可使用振鏡掃描器(例如，振鏡掃描器202)熔融饋送材料層的第二面積，在預先加熱第一面積之後將第二光束反射至饋送材料層的第二面積上。第二面積可與饋送材料層的第一面積不同。
控制器及計算裝置可實作該等操作及此處所束的其他處理及操作。如上述，控制器119可包含連接至系統100的多個部件的一個或更多個處理裝置。控制器119可配合該操作且使得設備100實現上述多種功能性操作或步驟序列。
可以數位電子電路或電腦軟體、韌體、或硬體來實作此處所述的系統的部分的控制器119及其他計算裝置。例如，控制器可包含處理器以執行電腦程式，如儲存在電腦程式產品中，例如，儲存在非暫態機器可讀取儲存媒體中。可以任何形式的程式語言來寫入該電腦程式(也稱為程式、軟體、軟體應用、或程式碼)，包含經編譯或經解譯語言，且可以任何形式來採行，包含獨立運作程式或模組、部件、子程序、或適於使用於計算環境中的其他單位。
控制器119及所述系統的部分的其他計算裝置可包含非暫態電腦可讀取媒體以儲存資料物件，例如，電腦輔助設計(CAD)相容性檔案，以識別針對每一層應沉積的饋送材料的圖案。例如，資料物件可為STL格式的檔案、3D製造格式(3MF)檔案、或積層製造檔案格式(AMF)檔案。例如，控制器可自遠端電腦接收資料物件。控制器119中的處理器(例如，由韌體或軟體控制)可解譯接收自電腦的資料物件以產生控制系統100的部件之必要信號組以熔融針對每一層的特定圖案。
用於金屬及陶瓷的積層製造的處理條件與用於塑膠的處理條件顯著不同。例如，一般而言，金屬及陶瓷需要顯著較高的處理溫度。因此用於塑膠的3D列印技術不可應用至金屬或陶瓷處理且設施可不是相同的。然而，此處所述的一些技術可應用至聚合物粉末，例如尼龍、ABS、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚(PEKK)、及聚苯乙烯。
儘管本說明書含有許多特定實作細節，不應將該等細節詮釋為任何發明範圍上或可主張那些的限制，而應詮釋為特別對特定發明的特定實作的特徵之描述。也可與單一實作組合來實作描述於分開實作的內容中的本說明書中的某些特徵。相反地，也可以多個實作分開地或以任何合適子組合來實作描述於單一實作的內容中的多種特徵。此外，雖然上方可描述特徵為在某些組合中作用，甚至初始地主張如此，在一些情況中可自主張的組合摘除來自該主張的組合的一個或更多個特徵，且該主張的組合可為子組合的子組合或變體。
相似地，儘管圖式中以特定順序描繪操作，此不應理解為該等操作需要以展示的特定順序或依序來實行，或實行所有圖示的操作以達成所需結果。此外，上述實作中的多種系統部件的分開不應理解為所有實作中需要該分開，且應理解所述程式部件及系統一般可在單一軟體產品中整合在一起或封裝成為多個軟體產品。
因此，已描述申請標的之特定實作。其他實作落於以下申請專利範圍的範圍內。
可選地，可藉由外殼來封閉積層製造系統100的一些零件，例如建立平台116及饋送材料輸送系統107。例如，外殼可允許真空環境維持於外殼內部的腔室中，例如約1 Torr或更低的壓力下。替代地，腔室內部可為實質純的氣體，例如經過濾而移除濕氣、氧、及/或顆粒的氣體，或可將腔室通氣至大氣。純的氣體可構成惰性氣體，例如氬、氮、氙、及混和的惰性氣體。
可使用該等技術以用於混和積層製造，其中材料被局部地熔融成基底零件或增加以修復或再加工損壞的零件。
在一些情況中，可以不同順序實行申請專利範圍中所記載的動作而仍達成所需結果。此外，所附圖式中所描繪的處理不必要為所展示的特定順序或依序以達成所需結果。
100‧‧‧積層製造系統
101‧‧‧光源
102‧‧‧光束
103‧‧‧光學引擎
104‧‧‧連續層
104a‧‧‧最外層
105‧‧‧饋送材料
106‧‧‧物件
107‧‧‧饋送材料輸送系統
107a‧‧‧平坦葉片或槳
108‧‧‧饋送材料貯存器
110‧‧‧饋送材料層的選擇區域
111‧‧‧光學組件
116‧‧‧建立平台
118‧‧‧饋送平台
119‧‧‧控制器
120‧‧‧加熱燈陣列
120a‧‧‧加熱燈
121‧‧‧光束
202a‧‧‧振鏡掃描器
202b‧‧‧第二振鏡掃描器
202c‧‧‧第三振鏡掃描器
204‧‧‧可移動鏡
204a‧‧‧可旋轉多角形
206‧‧‧聚焦透鏡
302‧‧‧第一光束
302a‧‧‧第二光束
302b‧‧‧第三光束
302c‧‧‧第四光束
304‧‧‧分束器
304a‧‧‧第一光源
304b‧‧‧第二光源
304c‧‧‧第三光源
306a‧‧‧第一路徑
306b‧‧‧第二路徑
306c‧‧‧第三路徑
502‧‧‧寬能量束
第1圖為範例積層製造系統的透視橫截面視圖的示意圖。
第2A圖為能量輸送系統的頂部視圖的示意圖，包含範例光學引擎。
第2B圖為第2A圖的光學引擎的側面視圖的示意圖。
第2C圖為第2A圖的光學引擎的前方視圖的示意圖。
第2D圖為另一光學引擎的側面視圖的示意圖。
第3A至3D圖為範例多角形及掃瞄路徑的示意圖。
第4A圖為範例光學設備的頂部視圖的示意圖。
第4B圖為範例光學設備的頂部視圖的另一示意圖。
第5圖為範例主動光學組件的示意圖。
在多個圖式中相似的參考數字及標示指示相似的元件。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

  1. 一種積層製造設備，包括： 一平台；一分配器，該分配器在該平台上輸送複數個連續層的饋送材料；一個或更多個能量源，該一個或更多個能量源提供預先加熱、熔融、及熱處理一層饋送材料，其中該一個或更多個能量源經配置以提供該饋送材料的可選擇體素(voxel)的熔融；及一控制器，該控制器經配置以：儲存複數個預先決定的單元處理配方，每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示供一能量束遵循的一路徑，以處理擁有複數個體素的一單元內的該饋送材料的一個或更多個體素，其中不同的單元處理配方具有用於該能量束的不同路徑；接收描述待熔融的該饋送材料的一層的一面積的資料；決定實質覆蓋該面積的複數個非重疊單元的一組合，該複數個單元的每一單元具有選擇自該複數個預先決定的單元處理配方的一相關聯單元處理配方；及使得該一個或更多個能量源依序處理該複數個單元，且針對每一單元，使得該一個或更多個能量源產生一能量束且使得該能量束遵循針對與該單元相關聯的該單元處理配方的該第一路徑。
  2. 如請求項1所述之設備，其中每一單元處理配方包含第一掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第一路徑，以預先加熱該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素。
  3. 如請求項2所述之設備，其中該控制器經配置以控制一振鏡(galvo mirror)掃描器以引導該能量束沿著該第一掃描路徑。
  4. 如請求項2所述之設備，其中該控制器經配置以控制一多角形鏡掃描器以引導該能量束沿著該第一掃描路徑。
  5. 如請求項1所述之設備，其中每一單元處理配方包含第二掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第二路徑，以熔融該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素。
  6. 如請求項5所述之設備，其中該控制器經配置以控制一振鏡掃描器以引導該能量束沿著該第二掃描路徑。
  7. 如請求項1所述之設備，其中每一單元處理配方包含第三掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第三路徑，以熱處理該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該控制器經配置以控制一振鏡掃描器以引導該能量束沿著該第三掃描路徑。
  9. 如請求項7所述之設備，其中該控制器經配置以控制一多角形鏡掃描器以引導該能量束沿著該第三掃描路徑。
  10. 如請求項1所述之設備，其中每一單元處理配方包含第一掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第一路徑，以預先加熱該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，及第二掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第二路徑，以熔融該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，且不同的單元處理配方具有針對該能量束的不同第一路徑或不同第二路徑的其中至少一個。
  11. 如請求項1所述之設備，其中每一單元處理配方包含第二掃描路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第二路徑，以熔融該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，及第三路徑資料以指示供一能量束在該單元內遵循的一第三路徑，以熱處理該單元內的該饋送材料的該一個或更多個體素，且不同的單元處理配方具有針對該能量束的不同第二路徑或不同第三路徑的其中至少一個。
  12. 一種積層製造的方法，包括以下步驟： 儲存複數個預先決定的單元處理配方，每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示供一能量束遵循的一路徑，以處理擁有複數個體素的一單元內的該饋送材料的一個或更多個體素，其中不同的單元處理配方具有用於該能量束的不同路徑；在一平台上分配複數個連續層的饋送材料的一層；接收描述待熔融的該饋送材料的該層的一面積的資料；決定實質覆蓋該面積的複數個非重疊單元的一組合，該複數個單元的每一單元具有選擇自該複數個預先決定的單元處理配方的一相關聯單元處理配方；及依序處理該複數個單元，其中處理該複數個單元包含針對每一單元，使得一能量束遵循針對與該單元相關聯的該單元處理配方的該第一路徑。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該能量束預先加熱饋送材料的該層。
  14. 如請求項12所述之方法，其中該能量束熔融饋送材料的該層。
  15. 如請求項12所述之方法，其中該能量束熱處理饋送材料的該層。
  16. 如請求項12所述之方法，其中每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示供一能量束遵循的一第二路徑，且其中處理該複數個單元包含針對每一單元，使得該能量束遵循針對與該單元相關聯的該單元處理配方的該第二路徑。
  17. 如請求項16所述之方法，其中藉由相同的能量束來追蹤該第一路徑及該第二路徑。
  18. 如請求項16所述之方法，其中藉由來自不同的能量源的不同的能量束來追蹤該第一路徑及該第二路徑。
  19. 如請求項18所述之方法，包括以下步驟：自一第一振鏡掃描器偏離一第一光束，使得該能量束遵循該第一路徑，及自一第二振鏡掃描器偏離一第二光束，使得不同的能量束遵循該第二路徑。
  20. 一種電腦程式產品，在一非暫態電腦可讀取媒體中具體編碼，包括指令使得一個或更多個處理器執行以下步驟： 儲存複數個預先決定的單元處理配方，每一單元處理配方包含掃描路徑資料以指示供一能量束遵循的一路徑，以處理擁有複數個體素的一單元內的該饋送材料的一個或更多個體素，其中不同的單元處理配方具有用於該能量束的不同路徑；使得一積層製造系統的一分配器在一平台上分配複數個連續層的饋送材料的一層；接收描述待熔融的該饋送材料的該層的一面積的資料；決定實質覆蓋該面積的複數個非重疊單元的一組合，該複數個單元的每一單元具有選擇自該複數個預先決定的單元處理配方的一相關聯單元處理配方；及使得一能量源產生一能量束，且針對該複數個單元的每一單元，使得該能量束遵循針對與該單元相關聯的該單元處理配方的該第一路徑，以依序處理該複數個單元。
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