TW201717716A - 配線板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供具備埋入型之配線板的可撓性配線板的製造方法、配線板、及半導體裝置。配線板的製造方法，包含：(1)準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材具有：基材；及配線層，設於該基材之至少一面；(2)將包含(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層的接著片，以使配線層埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化而形成絕緣層的工程；(3)在絕緣層形成通孔的工程；(4)形成導體層的工程；及(5)除去基材的工程。

Description

配線板的製造方法
本發明關於配線板的製造方法。進一步關於配線板及半導體裝置。
作為配線板(印刷配線板)的製造方法，廣泛使用將形成有電路的導體層與絕緣層交互堆積的增層法(Build Up)方式，絕緣層係將樹脂組成物硬化而形成，此為習知者(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2015-82535號公報
近年，電子機器之輕薄短小化進展。伴隨著此而要求撓曲且可收納於電子機器的可撓性配線板。又，為了可以進一步薄型化配線板，而要求具備埋入型配線層的配線板。
本發明的課題在於提供具備埋入型配線層的可撓性配線板的新的製造方法。
亦即，本發明包含以下內容。
[1]一種配線板的製造方法，包含：(1)準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基材；及配線層，設於該基材之至少一面；(2)將包含(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層的接著片，以配線層埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化而形成絕緣層的工程；(3)在絕緣層形成通孔的工程；(4)形成導體層的工程；及(5)除去基材的工程。
[2][1]記載之方法中，接著片進一步包含(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層，係依(i)熱硬化性樹脂組成物層、(ii)樹脂薄膜層、(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層之順序含有。
[3][1]或[2]記載之方法中，通孔之形成係藉由雷射照射進行。
[4][1]~[3]之任一記載之方法中，包含在形成導體層的工程之前，進行粗化處理的工程。
[5][1]~[4]之任一記載之方法中，配線板係可撓性配線板。
[6][1]~[5]之任一記載之方法中，熱硬化後的接著片之斷裂伸長率(breaking elongation)係2%以上。
[7][1]~[6]之任一記載之方法中，(ii)樹脂薄膜層之表面被實施電暈處理、電漿處理或UV處理。
[8][1]~[7]之任一記載之方法中，金屬箔係銅箔。
[9][1]~[8]之任一記載之方法中，配線圖案之最小間距在40μm以下。
[10]一種配線板，具備：樹脂薄膜層；絕緣層；及埋入絕緣層的埋入型配線層。
[11][10]記載之配線板中，該配線板係可撓性配線板。
[12][10]或[11]記載之配線板中，絕緣層的厚度在2μm以上。
[13][10]~[12]之任一記載之配線板中，樹脂薄膜層的厚度在2μm以上。
[14]一種半導體裝置，具備[10]~[13]之任一記載之配線板。
依據本發明可以提供具備埋入型配線層的可撓性配線板之新的製造方法。
又，依據本發明的製造方法，可以提供撓曲 性良好，且回焊時彎曲性能(curve behavior)良好的配線板的製造方法。
10‧‧‧附帶有配線層的基材
11‧‧‧基材(核基板)
12‧‧‧第1金屬層
13‧‧‧第2金屬層
14‧‧‧配線層(埋入型配線層)
20‧‧‧接著片
21‧‧‧(i)熱硬化性樹脂組成物層(絕緣層)
22‧‧‧(ii)樹脂薄膜層
23‧‧‧(iii)熱硬化性樹脂組成物層(絕緣層)
24‧‧‧保護薄膜
25‧‧‧(iii)金屬箔
31‧‧‧通孔
40‧‧‧導體層
41‧‧‧鍍敷種層
42‧‧‧電場鍍敷層
43‧‧‧導體層
50‧‧‧遮罩圖案
61‧‧‧填孔
[圖1]圖1係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖2]圖2係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖3]圖3係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖4]圖4係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖5]圖5係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖6]圖6係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖7]圖7係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖8]圖8係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖9]圖9係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖10]圖10係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖11]圖11係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖12]圖12係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖13]圖13係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖14]圖14係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖15]圖15係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖16]圖16係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖17]圖17係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖18]圖18係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖19]圖19係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖20]圖20係說明配線板的製造工程之模式斷面圖。
[圖21]圖21係說明配線板之模式斷面圖。
[圖22]圖22係說明配線板之模式斷面圖。
[圖23]圖23係說明配線板之模式斷面圖。
說明本發明的配線板的製造方法之前，先說明該製造方法使用的接著片。
[接著片]
接著片包含(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層。接著片進一步包含(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層為較佳。接著片之較佳的一實施形態為，(i) 熱硬化性樹脂組成物層與(ii)樹脂薄膜層被接合，(ii)樹脂薄膜層與(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層被接合。以下，詳細說明構成接著片的各層。
<(i)熱硬化性樹脂組成物層>
接著片包含(i)熱硬化性樹脂組成物層。詳如後述，在製造配線板時，配線層被埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層，依此而形成埋入型配線層。構成(i)熱硬化性樹脂組成物層的熱硬化性樹脂組成物並無特別限定，只要其硬化物具有充分的絕緣性者即可。該樹脂組成物例如可以是包含熱硬化性樹脂及其硬化劑的組成物。熱硬化性樹脂可以使用在形成配線板之絕緣層時使用的習知熱硬化性樹脂，其中環氧樹脂為較佳。因此一實施形態中，熱硬化性樹脂組成物包含(a)環氧樹脂及(b)硬化劑。必要時，熱硬化性樹脂組成物可以進一步包含(c)無機填充材、(d)熱可塑性樹脂、(e)硬化促進劑、(f)難燃劑及(g)有機填充材等之添加劑。
-(a)環氧樹脂-
環氧樹脂例如可以是雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、叔丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮 水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、複素環式環氧樹脂、螺環含有環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基型環氧樹脂、聯二甲苯酚型環氧樹脂等。環氧樹脂可以使用單獨1種或組合2種以上加以使用。(a)成分由雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂及聯苯型環氧樹脂選擇的1種以上為較佳。
環氧樹脂以包含1分子中具有2個以上的環氧基之環氧樹脂為較佳。以環氧樹脂之非揮發成分設為100質量%時，至少50質量%以上係1分子中具有2個以上的環氧基之環氧樹脂者為較佳。其中，包含1分子中具有2個以上的環氧基，溫度20℃時為液狀的環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)，及1分子中具有3個以上的環氧基，溫度20℃時為固態狀的環氧樹脂(以下稱為「固態狀環氧樹脂」)為較佳。藉由環氧樹脂並用液狀環氧樹脂與固態狀環氧樹脂，可以獲得具有良好可撓性的樹脂組成物。又，樹脂組成物的硬化物之抗斷強度亦可以提升。
液狀環氧樹脂係以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架的脂環式環氧樹脂、及具有丁二烯構造的環氧樹脂為較佳，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型 環氧樹脂及萘型環氧樹脂為更佳。液狀環氧樹脂之具體例可以是DIC(公司)製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(公司)製之「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚醛清漆型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(公司)製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、Nagase ChemteX Corporation(公司)製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、(公司)Daicel Corporation製之「CELLOXIDE2021P」(具有酯骨架的脂環式環氧樹脂)、「PB-3600」(具有丁二烯構造的環氧樹脂)、新日鐵化學(公司)製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油環已烷)。彼等可以使用單獨1種或組合2種以上加以使用。
固態狀環氧樹脂係以萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、四苯基型環氧樹脂為較佳，萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、及聯苯型環氧樹脂為更佳。固態狀環氧樹脂之具體例可以是DIC(公司)製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛型環氧樹脂)、「HP-7200」(雙環戊二烯型環氧樹 脂)、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥(公司)製之「EPPN-502H」(三苯酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(公司)製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、三菱化學(公司)製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(聯二甲苯酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、Osaka Gas Chemicals Co.,Ltd.(公司)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(公司)製之「YL7800」(芴型環氧樹脂)、三菱化學(公司)製之「jER1010」(固態狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基型環氧樹脂)、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)等。
液狀環氧樹脂以1分子中具有2個以上的環氧基，溫度20℃時為液狀的芳香族系環氧樹脂為較佳，固態狀環氧樹脂以1分子中具有3個以上的環氧基，溫度20℃時為固態狀之芳香族系環氧樹脂為較佳。又，本發明中芳香族系環氧樹脂意味著其分子內具有芳香環構造的環氧樹脂。
環氧樹脂併用液狀環氧樹脂與固態狀環氧樹脂時，彼等之量比(液狀環氧樹脂：固態狀環氧樹脂)按 質量比以1：0.1~1：5之範圍為較佳。藉由將液狀環氧樹脂與固態狀環氧樹脂之量比設為該範圍，可以獲得以下效果：i)以接著片之形態使用時可以帶來適度的黏著性，ii)以接著片之形態使用時可以獲得充分的可撓性，安裝性得以提升，以及iii)可以獲得具有充分的抗斷強度的硬化物等。就上述i)~iii)之效果之觀點而言，液狀環氧樹脂與固態狀環氧樹脂之量比(液狀環氧樹脂：固態狀環氧樹脂)按質量比以1：0.3~1：4之範圍為更佳，1：0.6~1：3之範圍為再更佳。
就獲得良好的機械強度、顯現絕緣可靠性的絕緣層之觀點而言，樹脂組成物中的環氧樹脂之含有量較好是在5質量%以上，更好是9質量%以上，再更好是13質量%以上。環氧樹脂之含有量之上限，只要能達成本發明之效果即可並無特別限定，較好是在50質量%以下，更好是40質量%以下。
又，本發明中，樹脂組成物中之各成分之含有量，除特別明示以外，均係將樹脂組成物中之非揮發成分設為100質量%時之值。
環氧樹脂之環氧當量較好是50~5000，更好是50~3000，再更好是80~2000，再更好是110~1000。藉由設為該範圍，可以呈現硬化物之交聯密度充分、表面粗度小的絕緣層。又，環氧當量可以按JIS K7236進行測定，係含有1當量之環氧基的樹脂之質量。
環氧樹脂之重量平均分子量較好是100~5000 ，更好是250~3000，再更好是400~1500。於此，環氧樹脂之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography，GPC)測定的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
-(b)硬化劑-
硬化劑只要具有硬化環氧樹脂之機能即可，無特別限定，例如可以是苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯並惡嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、及碳二亞胺系硬化劑等。硬化劑可以使用單獨1種或併用2種以上。(b)成分以由苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑選擇的1種以上為較佳。
就耐熱性及耐水性之觀點而言，苯酚系硬化劑及萘酚系硬化劑以具有酚醛清漆構造的苯酚系硬化劑或具有酚醛清漆構造的萘酚系硬化劑為較佳。又，就與配線層之密接性之觀點而言，含氮苯酚系硬化劑為較佳，含有三嗪骨架的苯酚系硬化劑為更佳。其中，就高度滿足耐熱性、耐水性及與配線層之密接性觀點而言，以含有三嗪骨架的酚醛清漆硬化劑為較佳。
苯酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，例如可以是明和化成(公司)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(公司)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金(公司)製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「 SN485」、「SN495」、「SN375」、「SN395」、DIC(公司)製之「LA7052」、「LA7054」、「LA3018」、「EXB-9500」等。
就獲得與配線層之密接性良好的絕緣層的觀點而言，活性酯系硬化劑亦較佳。活性酯系硬化劑，並無特別限定，通常較好是使用苯酚酯類、硫苯酚酯類、N-羥胺酯類、複素環羥基化合物之酯類等之反應活性高的酯基在1分子中具有2個以上之化合物。該活性酯系硬化劑以藉由羧酸化合物及/或硫羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應獲得者為較佳。特別是就耐熱性提升之觀點而言，以由羧酸化合物與羥基化合物獲得的活性酯系硬化劑為較佳，由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物獲得的活性酯系硬化劑為更佳。羧酸化合物，例如可以是安息香酸、醋酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、苯四酸等。苯酚化合物或萘酚化合物，例如可以是對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、磷酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、根皮三酚、雙環戊二烯型二苯酚化合物、酚醛清漆等。於此，「雙環戊二烯型二苯酚化合物」係指在雙環戊二烯1分子中縮合苯酚2分子而得之二苯酚化合物。
具體言之，以包含雙環戊二烯型二苯酚構造的活性酯化合物、包含萘構造的活性酯化合物、包含酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物、包含酚醛清漆之苯甲酰化物的活性酯化合物為較佳，其中，以包含萘構造的活性酯化合物、包含雙環戊二烯型二苯酚構造的活性酯化合物為更佳。「雙環戊二烯型二苯酚構造」係表示由苯-二環戊基萊恩-苯構成的2價之構造單位。
作為活性酯系硬化劑之市販品之中，作為包含雙環戊二烯型二苯酚構造的活性酯化合物可以是「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」(DIC(公司)製)，作為包含萘構造的活性酯化合物可以是「EXB9416-70BK」(DIC(公司)製)，作為包含酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物可以是「DC808」(三菱化學(公司)製)，作為包含酚醛清漆之苯甲酰化物的活性酯化合物可以是「YLH1026」(三菱化學(公司)製)，作為酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑可以是「DC808」(三菱化學(公司)製)，作為酚醛清漆之苯甲酰化物的活性酯系硬化劑可以是「YLH1026」(三菱化學(公司)製)、「YLH1030」(三菱化學(公司)製)、「YLH1048」(三菱化學(公司)製)等。
苯並惡嗪系硬化劑之具體例可以是昭和高分子(公司)製之「HFB2006M」、四國化成工業(公司)製之「P-d」、「F-a」。
氰酸酯系硬化劑，例如可以是雙酚A二氰酸 酯、聚苯酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-苯氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基氰酸酯)、4,4’-亞乙基苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-二(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-二(4-氰酸酯苯基甲烷)、二(4-氰酸酯-3,5-二甲基)甲烷、1,3-二(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞))苯、二(4-氰酸酯苯基)硫醚、及二(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、由酚醛清漆及甲酚酚醛等衍生的多官能氰酸酯樹脂，彼等氰酸酯樹脂之一部分被三嗪化的預聚物等。氰酸酯系硬化劑之具體例可以是Lonza Japan(公司)製之「PT30」及「PT60」(均為酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯之一部分或全部被三嗪化成為三量體的預聚物)等。
碳二亞胺系硬化劑之具體例可以是日清紡化學(公司)製之「V-03」、「V-07」等。
環氧樹脂與硬化劑之量比按[環氧樹脂之環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基之合計數]之比率以在1：0.01~1：2之範圍為較佳，1：0.015~1：1.5為更佳，1：0.02~1：1為再更佳。於此，作為硬化劑之反應基係活性羥基、活性酯基等，按硬化劑之種類而不同。又，環氧樹脂之環氧基之合計數，係針對全部環氧樹脂將各環氧樹脂之固形分質量除以環氧當量之值進行合計之值，硬化劑之反應基之合計數，係針對全部硬化劑將各硬化劑之固形分質量除以反應基當量之值進行合計之值。藉由將環氧樹脂與硬化劑之量比設為該範圍，可以使熱硬化性樹脂組成物 的硬化物之耐熱性更進一步提升。
一實施形態中，熱硬化性樹脂組成物包含上述之(a)環氧樹脂及(b)硬化劑。熱硬化性樹脂組成物較好是分別含有(a)作為環氧樹脂的液狀環氧樹脂與固態狀環氧樹脂之混合物(液狀環氧樹脂：固態狀環氧樹脂之質量比較好是1：0.1~1：5，更好是1：0.3~1：4，再更好是1：0.6~1：3)，及(b)作為硬化劑的由苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑形成之群選擇的1種以上(較好是由活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑形成之群選擇的1種以上)。
熱硬化性樹脂組成物中之硬化劑之含有量並無特別限定，較好是30質量%以下，更好是25質量%以下，再更好是20質量%以下。又，下限並無特別限定，以2質量%以上為較佳。
-(c)無機填充材-
無機填充材之材料並無特別限定，例如二氧化矽，氧化鋁，玻璃，堇青石，矽氧化物，硫酸鋇，炭酸鋇，滑石，黏土，雲母粉，氧化鋅，水滑石，薄水鋁石，氫氧化鋁，氫氧化鎂，碳酸鈣，碳酸鎂，氧化鎂，氮化硼，氮化鋁，氮化錳，硼酸鋁，碳酸鍶，鈦酸鍶，鈦酸鈣，鈦酸鎂，鈦酸鉍，氧化鈦，氧化鋯，鈦酸鋇，鈦酸鋯酸鋇，鋯酸鋇，鋯酸鈣，磷酸鋯，及磷酸鎢酸鋯等。彼等之中以二氧化矽為特別好。又，二氧化矽以球形二氧化矽為較佳。 無機填充材可以使用單獨1種，或組合2種以上加以使用。
就良好的埋入性之觀點而言，無機填充材之平均粒徑較好是2μm以下，更好是1μm以下，再更好是0.8μm以下，特別好是0.6μm以下。該平均粒徑之下限並無特別限定，較好是0.01μm以上，更好是0.05μm以上，再更好是0.1μm以上。作為具有此種平均粒徑的無機填充材之市販品，例如可以是(公司)ADMATECHS CO.,LTD.製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、電氣化學工業(公司)製「UFP-30」、(公司)Tokuyama Corporation製「ShirufiruNSS-3N」、「ShirufiruNSS-4N」、「ShirufiruNSS-5N」、(公司)ADMATECHS CO.,LTD.製「SOC2」、「SOC1」等。
無機填充材之平均粒徑可以依據米氏散射理論(Mie scattering theory)藉由雷射繞射‧散射法進行測定。具體言之，可以藉由雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，按體積基準作成無機填充材之粒度分布，以其中值徑作為平均粒徑進行測定。測定樣本可以使用藉由超音波將無機填充材分散於水中者。雷射繞射散射式粒度分布測定裝置可以使用(公司)堀場製作所製「LA-500」等。
就提升耐濕性及分散性之觀點而言，無機填充材以藉由氨基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上之表面處理 劑處理者為較佳。表面處理劑之市販品，例如可以是信越化學工業(公司)製「KBM403」(3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(公司)製「KBM803」(3-巰基丙基三甲基矽烷)、信越化學工業(公司)製「KBE903」(3-氨基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(公司)製「KBM573」(N-苯基-3-氨基丙基三甲基矽烷)、信越化學工業(公司)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業(公司)製「KBM103」(苯基三甲基矽烷)、信越化學工業(公司)製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)等。
表面處理劑之表面處理之程度可以藉由無機填充材之每一單位表面積之碳量進行評估。就無機填充材之分散性提升之觀點而言，無機填充材之每一單位表面積之碳量在0.02mg/m2以上為較佳，0.1mg/m2以上為更佳，0.2mg/m2以上為再更佳。另一方面，就防止樹脂清漆之熔融黏度或薄片形態之熔融黏度之上升觀點而言，以1mg/m2以下為較佳，0.8mg/m2以下為更佳，0.5mg/m2以下為再更佳。
無機填充材之每一單位表面積之碳量可以藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))洗淨處理表面處理後之無機填充材之後進行測定。具體言之，將充分量之溶劑即MEK添加於經由表面處理劑表面處理的無機填充材，以25℃進行5分鐘超音波洗淨。除去上澄液，使固形分乾燥之後，使用碳分析計可以對無機填充材之每一單位表 面積之碳量進行測定。碳分析計可以使用(公司)堀場製作所製「EMIA-320V」等。
就獲得熱膨脹率低的絕緣層的觀點而言，熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含有量較好是20質量%以上，更好是30質量%以上。就絕緣層之機械強度、特別是伸展之觀點而言，熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含有量之上限較好是85質量%以下，更好是80質量%以下。
-(d)熱可塑性樹脂-
熱可塑性樹脂，例如可以是苯氧樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂，以苯氧樹脂為較佳。熱可塑性樹脂可以使用單獨1種或組合2種以上加以使用。
熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量在8,000~70,000之範圍為較佳，10,000~60,000之範圍為更佳，20,000~60,000之範圍為再更佳。熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)法測定。具體言之，熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量，係使用島津製作所製LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(公司)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為色譜柱，使用氯仿等 作為移動相，於40℃對色譜柱溫度進行測定，使用標準聚苯乙烯之檢量線可以算出。
苯氧樹脂，例如可以是具有由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、芴骨架、雙環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜骨架、及三甲基環已烷骨架形成之群選擇的1種以上之骨架的苯氧樹脂。苯氧樹脂之末端可以是苯酚性羥基、環氧基等之任一之官能基。苯氧樹脂可以使用單獨1種或組合2種以上加以使用。苯氧樹脂之具體例可以是三菱化學(公司)製之「1256」及「4250」(任一均為含有雙酚A骨架的苯氧樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架的苯氧樹脂)，及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架的苯氧樹脂)，此外亦可以是新日鐵住金化學(公司)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(公司)製之「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。
聚乙烯醇縮醛樹脂，例如可以是聚乙烯醇縮甲醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂，以聚乙烯醇縮丁醛樹脂為較佳。聚乙烯醇縮醛樹脂之具體例，例如可以是電氣化學工業(公司)製之「電化縮丁醛4000-2」、「電化縮丁醛5000-A」、「電化縮丁醛6000-C」、「電化縮丁醛6000-EP」、積水化學工業(公司)製之S-LECBH系列、BX系列(例如BX-5Z)、KS系列(例如KS-1)、BL系 列、BM系列等。
聚醯亞胺樹脂之具體例可以是新日本理化(公司)製之「RIKACOAT SN20」及「RIKACOAT PN20」。聚醯亞胺樹脂之具體例也可以是反應2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐而獲得的線狀聚醯亞胺(特開2006-37083號公報記載之聚醯亞胺)、含有聚矽氧烷骨架的聚醯亞胺(特開2002-12667號公報及特開2000-319386號公報等記載之聚醯亞胺)等之變性聚醯亞胺。
聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例可以是東洋紡績(公司)製之「VYLOMAXHR11NN」及「VYLOMAXHR16NN」。聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例也可以是日立化成工業(公司)製之「KS9100」、「KS9300」(含有聚矽氧烷骨架的聚醯胺醯亞胺)等之變性聚醯胺醯亞胺。
聚醚碸樹脂之具體例可以是住友化學(公司)製之「PES5003P」等。
聚碸樹脂之具體例可以是Solvay Advanced Polymers(公司)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
聚苯醚樹脂之具體例可以是三菱煤氣化學(公司)製之寡苯醚‧苯乙烯樹脂「OPE-2St 1200」等。
其中，熱可塑性樹脂以苯氧樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂為較佳。因此較佳的一實施形態中，熱可塑性樹脂包含由苯氧樹脂及聚乙烯醇縮醛樹脂形成之群選擇的1種以上。
熱硬化性樹脂組成物含有熱可塑性樹脂時，熱可塑性樹脂之含有量較好是0.5質量%~60質量%，更好是3質量%~50質量%，再更好是5質量%~40質量%。
-(e)硬化促進劑-
硬化促進劑，例如可以是磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為較佳，胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為更佳。硬化促進劑可以使用單獨1種或組合2種以上加以使用。
磷系硬化促進劑，例如可以是三苯基膦、硼酸磷化合物、四苯硼酸四苯基膦、n-丁基膦四苯硼酸、四丁基膦癸酸酯、(4-甲基苯基)三苯基膦硫氰酸酯、四苯基膦硫氰酸酯、丁基三苯基膦硫氰酸酯等，以三苯基膦、四丁基膦癸酸酯為較佳。
胺系硬化促進劑，例如可以是三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基氨基吡啶、苄二甲基胺、2,4,6,-三(二甲基氨基甲基)苯酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯等，以4-二甲基氨基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯為較佳。
咪唑系硬化促進劑，例如可以是2-甲基咪唑、2-十一咪唑、2-十七咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯 基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄-2-甲基咪唑、1-苄-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一咪唑偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一咪唑-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰脲酸附加物、2-苯基咪唑異氰脲酸附加物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯並咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄咪唑氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加合物，以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄-2-苯基咪唑為較佳。
咪唑系硬化促進劑可以使用市販品，例如可以是三菱化學(公司)製之「P200-H50」等。
胍系硬化促進劑，例如可以是雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-三)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜二環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜二環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-三)雙胍等，以雙氰胺、1,5,7-三氮雜二環[4.4.0]癸- 5-烯為較佳。
金屬系硬化促進劑，例如可以是鈷，銅，鋅，鐵，鎳，錳，錫等金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。有機金屬錯合物之具體例可以是鈷(II)乙醯丙酮、鈷(III)乙醯丙酮等之有機鈷錯合物，銅(II)乙醯丙酮等之有機銅錯合物，鋅(II)乙醯丙酮等之有機鋅錯合物，鐵(III)乙醯丙酮等之有機鐵錯合物，鎳(II)乙醯丙酮等之有機鎳錯合物，錳(II)乙醯丙酮等之有機錳錯合物等。有機金屬鹽，例如可以是辛基酸鋅、辛基酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。
熱硬化性樹脂組成物中之硬化促進劑之含有量雖無特別限定，將環氧樹脂與硬化劑之非揮發成分合計量設為100質量%時，以0.01質量%~3質量%為較佳。
-(f)難燃劑-
難燃劑，例如可以是有機磷系難燃劑、有機系氮含有磷化合物、氮化合物、矽酮系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可以使用單獨1種或並用2種以上。
難燃劑可以使用市販品，例如可以是三光(公司)製之「HCA-HQ」、大八化學工業(公司)製之「PX-200」等。
熱硬化性樹脂組成物含有難燃劑時，難燃劑之含有量並無特別限定，較好是0.5質量%~20質量%，更好是0.5質量%~15質量%，再更好是0.5質量%~10質量 %。
-(g)有機填充材-
熱硬化性樹脂組成物可以使用形成印刷配線板之絕緣層時能使用的任意之有機填充材，例如可以是橡膠粒子、聚醯胺微粒子、矽酮粒子等。
橡膠粒子可以使用市販品，例如可以是Dow Chemical Company Japan(公司)製之「EXL-2655」、甘茲化成(公司)製之「AC3816N」等。
熱硬化性樹脂組成物含有有機填充材時，有機填充材之含有量較好是0.1質量%~20質量%，更好是0.2質量%~10質量%，再更好是0.3質量%~5質量%，特別好是0.5質量%~3質量%。
-其他之成分-
進一步必要時，熱硬化性樹脂組成物可以含有其他之添加劑，該其他之添加劑，例如可以是有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物，以及增黏劑、消泡劑、勻染劑、密接性賦予劑、及著色劑等之樹脂添加劑等。
又，就製造可撓性配線板之觀點而言，熱硬化性樹脂組成物進一步在分子內含有聚丁二烯構造、聚氨酯構造、醯亞胺構造，及分子末端具有苯酚構造的聚醯亞胺樹脂為較佳。含有該聚醯亞胺樹脂時，含有量較好是 10質量%~85質量%，更好是15質量%~50質量%，再更好是20質量%~30質量%。
該聚醯亞胺之詳細可以參照國際公開第2008/153208號之記載，其內容被組合入本說明書中。
就配線板之薄型化之觀點而言，熱硬化性樹脂組成物層之厚度較好是100μm以下，更好是80μm以下，再更好是60μm以下，進一步更好是40μm以下或20μm以下。熱硬化性樹脂組成物層之厚度之下限並無特別限定，較好是2μm以上，更好是5μm以上。
就獲得良好的配線埋入性的觀點而言，接著片中之熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度以9000泊(poise)(900Pa．s)以下為較佳，8000泊(800Pa．s)以下為更佳，4000泊(400Pa．s)以下、3500泊(350Pa．s)以下或3000泊(300Pa．s)以下為再更佳。該最低熔融黏度之下限以100泊(10Pa．s)以上為較佳，200泊(20Pa．s)以上為更佳，250泊(25Pa．s)以上為再更佳。
熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度係指熱硬化性樹脂組成物層之樹脂熔融時熱硬化性樹脂組成物層呈現的最低之黏度。詳言之，藉由一定之升溫速度加熱熱硬化性樹脂組成物層使樹脂熔融時，初期之階段熔融黏度隨溫度上升而降低，之後，超出某一程度時熔融黏度隨溫度上升而上升。最低熔融黏度意味著該極小點之熔融黏度。熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度可以藉由動態 黏彈性法進行測定，例如可以依據後述<熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度之測定>記載之方法進行測定。
<(ii)樹脂薄膜層>
接著片包含(ii)樹脂薄膜層。本發明中藉由使用具備樹脂薄膜層的接著片，可以製造可撓性配線板。
樹脂薄膜層只要是製造可撓性配線板時可以撓曲即可並無特別限定，該材料，例如可以是聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、液晶聚合物、聚苯硫化物、聚醚醚酮、聚苯並咪唑、芳綸、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺等。
樹脂薄膜層之玻璃轉移溫度在150℃以上為較佳，170℃以上為更佳，200℃以上或250℃以上為再更佳。上限並無特別限定，通常在500℃以下。樹脂薄膜層之玻璃轉移溫度可以按JIS K 7179記載之方法進行測定，具體言之，可以使用熱機械分析(TMA)、動態機械分析(DMA)等進行測定。熱機械分析(TMA)例如有TMA-SS6100(Seiko Instruments Inc.(公司)製)、TMA-8310((公司)rigaku製)等，動態機械分析(DMA)例如有DMS-6100(Seiko Instruments Inc.(公司)製)等。又，玻璃轉移溫度比分解溫度高，實際上無法觀測玻璃轉移溫度時，可以取代玻璃轉移溫度改以分解溫度為基準。於此所謂分解溫度定義為按JIS K 7120記載之方法測定時質量減少率成為5%之溫度。
樹脂薄膜層之線性熱膨脹係數以40ppm/℃以下為較佳，30ppm/℃以下為更佳，20ppm/℃以下、15ppm/℃以下、10ppm/℃以下或5ppm/℃以下為再更佳。就實用的觀點而言，下限值在-20ppm/℃以上者為較佳，-15ppm/℃以上者為更佳，-10ppm/℃以上者為再更佳。
樹脂薄膜層之表面可以實施電暈處理、電漿處理或UV處理。較佳的一實施形態中，(i)在與熱硬化性樹脂組成物層接合之側之樹脂薄膜層之表面被實施電暈處理、電漿處理或UV處理。藉由使用此種樹脂薄膜層可以提升樹脂薄膜層與熱硬化性樹脂組成物層之密接力。電暈處理、電漿處理或UV處理之處理條件可以按樹脂薄膜層之材料等適宜決定。又，(iii)在與熱硬化性樹脂組成物層接合之側之樹脂薄膜層之表面被實施電暈處理、電漿處理或UV處理。
樹脂薄膜層可以使用市販品，例如可以是宇部興產(公司)製「Upilex」、DU PONT-TORAY CO.,LTD.(公司)製「Kapton」、荒川化學工業(公司)製「Pomiran」、(公司)Kaneka製「apical」，芳綸薄膜可以是TORAY CO.,LTD.(公司)製「MICTRON」、旭化成工業(公司)製「Aramika」，液晶聚合物薄膜可以是(公司)Kurare製「Bextor」、JGI(公司)製「Byock」，聚醚醚酮可以是「SUMILITEFS-1100C」等。
就配線板之薄型化之觀點而言，樹脂薄膜層之厚度較好是100μm以下，更好是80μm以下，再更好是 60μm以下、40μm以下或20μm以下。樹脂薄膜層之厚度之下限並無特別限定，但就配線板之機械強度之觀點而言，較好是1μm以上，更好是2μm以上。
<(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層>
接著片可以進一步含有(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層。接著片按(i)熱硬化性樹脂組成物層、(ii)樹脂薄膜層、(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層之順序含有為較佳。
金屬箔，例如可以是銅箔、鋁箔等，以銅箔為較佳。銅箔可以使用由銅之單一金屬形成之箔，亦可以使用由銅與其他之金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金形成之箔。金屬箔可以是積層2層以上金屬箔的積層箔。
金屬箔可於與(ii)樹脂薄膜層接合之側設置接著層。接著層無特別限定，可以使用公知之接著劑或黏著劑。
熱硬化性樹脂組成物層係和上述(i)熱硬化性樹脂組成物層同樣，較佳範圍亦同樣。
就配線板之薄型化之觀點而言，(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層之厚度較好是100μm以下，更好是80μm以下，再更好是60μm以下、40μm以下、20μm以下或10μm以下。厚度之下限並無特別限定，通常可得1μm以上、2μm以上、3μm以上等。
接著片除上述(i)~(iii)之層以外可以包含其他之層。例如接著片可於最表面具有後述之保護薄膜層。
<接著片的製造方法>
接著片的製造方法只要是可以獲得按上述(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層之順序含有的接著片即可，並無特別限定。以下，接著片包含(iii)之層，而且表示(iii)之層係熱硬化性樹脂組成物層之接著片的製造方法之一例。首先，調製在有機溶劑溶解有(i)熱硬化性樹脂組成物層用之熱硬化性樹脂組成物的樹脂清漆，藉由模具塗佈器等將該樹脂清漆塗布於後述之保護薄膜上。使塗布的樹脂清漆乾燥形成(i)熱硬化性樹脂組成物層而獲得積層體1。接著，在積層體1之(i)熱硬化性樹脂組成物層之上積層(ii)樹脂薄膜層而獲得積層體2。另外，調製在有機溶劑溶解有(iii)熱硬化性樹脂組成物層用之熱硬化性樹脂組成物的樹脂清漆，藉由模具塗佈器等將該樹脂清漆塗布於後述之保護薄膜上。使塗布的樹脂清漆乾燥形成(iii)熱硬化性樹脂組成物層，而獲得積層體3。將積層體2與積層體3以使(ii)樹脂薄膜層與(iii)熱硬化性樹脂組成物層被接合的方式予以積層，而獲得接著片。製造(iii)之層為金屬箔的接著片時，可以使用(ii)樹脂薄膜層與(iii)金屬箔被積層的積層體3’。將積層體1與積層體3’，按(i)熱硬化性樹脂組成 物層與(ii)樹脂薄膜層被接合的方式予以積層，而獲得接著片。
有機溶劑，例如可以是丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類、醋酸乙基、醋酸丁基、乙酸溶纖劑、丙二醇甲醚醋酸酯及甘醇丁醚醋酸酯等之醋酸酯類、溶纖劑及丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯及二甲苯等之芳香族碳化氫類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶媒等。有機溶劑可以單獨使用1種或組合2種以上使用。
乾燥可以藉由加熱、吹熱風等公知之方法實施。乾燥條件並無特別限定，以使熱硬化性樹脂組成物層中之有機溶劑之含有量成為10質量%以下，較好是成為5質量%以下而進行乾燥。依樹脂清漆中之有機溶劑之沸點亦有所不同，例如使用含有30質量%~60質量%之有機溶劑的樹脂清漆時，藉由在50℃~150℃進行3分鐘~15分鐘乾燥，可以形成熱硬化性樹脂組成物層。
在(i)熱硬化性樹脂組成物層之與(ii)樹脂薄膜層未接合的面(亦即相對於樹脂薄膜層在相反側之面)，及在(ii)樹脂薄膜層之與(i)熱硬化性樹脂組成物層未接合的面(亦即相對於熱硬化性樹脂組成物層在相反側之面)，可以進一步積層保護薄膜。又，接著片包含(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層時，在(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層之與(ii)樹脂薄膜層未接合的面(亦即相對於樹脂薄膜層在相反側之面)，及在 (i)熱硬化性樹脂組成物層之與(ii)樹脂薄膜層未接合的面可以進一步積層保護薄膜。藉由積層保護薄膜，可以防止塵埃等之附著或刮痕在上述(i)、(ii)之層(包含(iii)之層時係上述(i)、(iii)之層)之表面。接著片可以卷繞成為輥狀進行保存。接著片具有保護薄膜時，將保護薄膜剝離即可使用。
保護薄膜以由塑料形成之薄膜為較佳。
塑料例如可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下亦有略稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二醇酯(以下亦有略稱為「PEN」)等之聚酯、聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴、聚碳酸酯(以下亦有略稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯、環狀聚烯烴、三醋酸纖維素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮，聚醯亞胺等。其中，以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯為較佳，便宜的聚對苯二甲酸乙二醇酯為特別佳。
保護薄膜包含(i)熱硬化性樹脂組成物層或(ii)樹脂薄膜層(包含(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層)時在與(i)熱硬化性樹脂組成物層或(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層接合之面實施糙面精整處理、電暈處理亦可。
又，保護薄膜包含(i)熱硬化性樹脂組成物層或(ii)樹脂薄膜層((iii)之層時，在與(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層接合之面使用具有脫模層的附加脫模層之支持體。附加脫模層之支持體的脫模層上使用 的脫模劑，例如可以是由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂及矽酮樹脂形成之群選擇的1種以上之脫模劑。附加脫模層之支持體可以使用市販品，例如具有以醇酸樹脂系脫模劑為主成分之脫模層的PET薄膜，可以是LINTEC Corporation(公司)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、TORAY CO.,LTD.(公司)製「LUMIRRORT6AM」等。
保護薄膜之厚度並無特別限定，以5μm~75μm之範圍為較佳，10μm~60μm之範圍為更佳。又，使用附加脫模層之支持體時，附加脫模層之支持體全體之厚度在上述範圍為較佳。
接著片可以參照特開2014-187091號公報之記載，其內容被組入本說明書中。
本發明中之接著片顯現良好的埋入性。一實施形態中，被積層於附帶有配線層的基材上時，可以在無空隙的狀態下將接著片積層於配線層。埋入性可按後述之實施例之「(2-2)埋入性之觀察」所記載之方法進行測定。
接著片具備樹脂薄膜層，因此即使熱硬化後亦顯現可以撓曲之特性。熱硬化後的接著片之斷裂伸長率較好是2%以上，更好是3%以上，再更好是5%以上。上限雖無特別限定，在10%以下。斷裂伸長率之測定可以依據後述之<斷裂伸長率之測定>記載之方法進行測定。本發明之配線板使用此種接著片製造，因此可以獲得可撓性 配線板。又，熱硬化後的接著片之斷裂伸長率意味著接著片之(i)熱硬化性樹脂組成物層之斷裂伸長率。
[配線板的製造方法]
本發明之配線板的製造方法，其特徵為包含：(1)準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基材；及設於該基材之至少一面的配線層者；(2)將包含(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層的接著片，以配線層埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化而形成絕緣層的工程；(3)在絕緣層形成通孔的工程；(4)形成導體層的工程；及(5)除去基材的工程。
以下，將接著片包含(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層，(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層為熱硬化性樹脂組成物層時之配線板的製造方法設為第1實施形態，將接著片的(iii)之層為金屬箔時之配線板的製造方法設為第2實施形態進行說明，但本發明不限定於此。
1.第1實施形態 <工程(1)>
工程(1)係準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基材；及設於該基材之至少一面的配線層者。如圖1之一例所示，附帶有配線層的基材10，係在基材11之兩面分別具有基材11之一部分的第1金屬層12、第2金屬層13，在一方之第2金屬層13的與基材11側之面相反側之面具有配線層14。
工程(1)之詳細為，在基材上積層乾薄膜(感光性阻劑薄膜)，使用光罩在特定條件下進行曝光、顯像而形成圖案乾薄膜。以顯像的圖案乾薄膜作為鍍敷遮罩藉由電場鍍敷法形成配線層之後，剝離圖案乾薄膜。
第1及第2金屬層所使用的材料無特別限定。較佳的實施形態中，就成本、蝕刻、剝離之容易性等之觀點而言，第1及第2金屬層以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅為較佳，銅為更佳。
基材無特別限定只要能實施工程(1)~(5)即可。基材例如可以是玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等之基板，可於基板表面形成銅箔等之金屬層。
乾薄膜只要是由光阻劑組成物形成之感光性之乾薄膜即可無特別限定，例如可以使用酚醛清漆樹脂、丙烯樹脂等之乾薄膜。乾薄膜可以使用市販品，例如可以使用附帶有PET薄膜的乾薄膜亦即日興材料(公司)製「ALPHO 20A263」。乾薄膜可以積層於基材之一方之面，亦可以如後述之第2實施形態般積層於基材之兩面。
基材與乾薄膜之積層條件，係和後述之工程(2)之接著片被埋入配線層時之條件同樣，較佳範圍亦同樣。
將乾薄膜積層於基材上之後，為了對乾薄膜形成所要之圖案而使用光罩在特定條件下進行曝光、顯像。
配線層之線路(電路寬)/間隔(電路間之寬度)比雖無特別限定，較好是在20/20μm以下(亦即間距在40μm以下)，更好是15/15μm以下(間距在30μm以下)，更好是10/10μm以下(間距在20μm以下)。配線層之線路/間隔比之下限雖無特別限定，較好是0.5/0.5μm以上，更好是1/1μm以上。間距在遍及配線層之全體未必一定同一。
配線層之最小間距亦可以是40μm以下、30μm以下或20μm以下。
形成乾薄膜之圖案後，形成配線層，剝離乾薄膜。於此，配線層之形成可以使用形成有所要圖案的乾薄膜作為鍍敷遮罩，藉由鍍敷法實施。
配線層使用的導體材料無特別限定。較佳的實施形態中，配線層包含由金、白金、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦形成之群選擇的1種以上之金屬。配線層可以是單一金屬層亦可以是合金層，合金層例如可以是由上述之群選擇的2種以上之金屬之合金(例如鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金及銅‧鈦合金)形 成者。其中，就配線層形成之泛用性、成本、圖案化之容易性等之觀點而言，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單一金屬層，或鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金、銅‧鈦合金之合金層為較佳，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單一金屬層或鎳‧鉻合金之合金層為更佳，以銅之單一金屬層為再更佳。
配線層之厚度依據所要之配線板設計而不同，較好是3μm~35μm，更好是5μm~30μm，再更好是10~20μm或15μm。
形成配線層後，剝離乾薄膜。乾薄膜之剝離例如可以使用氫氧化鈉溶液等之鹼性之剝離液來實施。必要時藉由蝕刻等除去不要的配線圖案，可以形成所要之配線圖案。形成的配線層之間距如上述。
<工程(2)>
工程(2)，係將接著片以配線層埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化而形成絕緣層的工程。本發明中接著片顯示良好的埋入性，因此積層於附帶有配線層的基材上時，可以在無空隙的狀態下進行積層。如圖2之一例所示，以使前述工程(1)獲得之附帶有配線層的基材之配線層14被埋入接著片20之(i)熱硬化性樹脂組成物層21的方式進行積層，對接著片20之(i)熱硬化性樹脂組成物層進行熱硬化。接著片20按(i)熱硬化性樹脂組成物層21、(ii) 樹脂薄膜層22、(iii)熱硬化性樹脂組成物層23之順序積層而成。亦即接著片20係至少3層構造。又，接著片20係在(iii)熱硬化性樹脂組成物層23之具備樹脂薄膜層22之側之面的相反側之面上具備保護薄膜24亦可。
第1實施形態使用的接著片20係3層構造，但接著片20不限定於此，例如亦可以使用按(i)熱硬化性樹脂組成物層、(ii)樹脂薄膜層之順序積層而成的2層構造之接著片20。此時圖中之(iii)之層23被省略。
首先，如圖2之一例所示，將接著片20以配線層14被埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層21的方式積層於附帶有配線層的基材上。
配線層與接著片之積層，係除去接著片之保護薄膜之後，例如可以由(iii)之層側將接著片加熱壓接於配線層而進行。將接著片加熱壓接於配線層的構件(以下亦稱為「加熱壓接構件」)，例如可以是加熱的金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。又，並非直接將加熱壓接構件沖壓於接著片，而是以使接著片能充分從動於配線層之表面凹凸的方式，透過耐熱橡膠等之彈性材進行沖壓為較佳。
配線層與接著片之積層，亦可以除去接著片之保護薄膜之後，藉由真空層壓法實施。真空層壓法中，加熱壓接溫度較好是在60℃~160℃，更好是在80℃~140℃之範圍，加熱壓接壓力較好是0.098MPa~1.77MPa，更好是在0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓接時間較好是 20秒~400秒，更好是30秒~300秒之範圍。積層較好是在壓力13hPa以下之減壓條件下實施。
積層可以藉由市販之真空層壓機進行。市販之真空層壓機例如可以是日興材料(公司)製之真空加壓式層壓機，(公司)名機製作所製之真空加壓式層壓機，Nichigo-Morton Co.,Ltd.(公司)製之Vacuum applicator等。
積層之後於常壓下(大氣壓下)，例如由(iii)之層側對加熱壓接構件實施沖壓，而對積層的接著片進行平滑化處理亦可。平滑化處理之沖壓條件係和上述積層之加熱壓接條件同樣之條件。平滑化處理可以藉由市販之層壓機進行。又，積層與平滑化處理可以使用上述之市販之真空層壓機連續進行。
配線層以埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上之後，對(i)熱硬化性樹脂組成物層進行熱硬化而形成絕緣層。(i)熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化條件並無特別限定，可以使用形成配線板之絕緣層時通常採用的條件。第1實施形態中，(iii)之層存在時，(iii)之層亦成為絕緣層。
例如熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化條件雖按熱硬化性樹脂組成物之種類等而不同，可以設為硬化溫度在120℃~240℃之範圍(較好是150℃~220℃之範圍，更好是170℃~200℃之範圍)，硬化時間設為5分鐘~120分鐘之範圍(較好是10分鐘~100分鐘，更好是15分鐘 ~90分鐘)。
對熱硬化性樹脂組成物層進行熱硬化前，藉由較硬化溫度低的溫度對熱硬化性樹脂組成物層實施預備加熱亦可。例如在對熱硬化性樹脂組成物層進行熱硬化之前，藉由50℃以上小於120℃(較好是60℃以上110℃以下，更好是70℃以上100℃以下)之溫度，對熱硬化性樹脂組成物層實施5分鐘以上(較好是5分鐘~150分鐘，更好是15分鐘~120分鐘)預備加熱亦可。
接著片之保護薄膜，可以在將接著片積層於附帶有配線層的基材上並熱硬化之後予以剝離，或將接著片積層於附帶有配線層的基材上之前將保護薄膜剝離。又，在工程(3)之後租化處理工程之前，將保護薄膜剝離亦可。
絕緣層之厚度和(i)熱硬化性樹脂組成物層之厚度或(iii)之層之厚度同樣，較佳範圍亦同樣。
<工程(3)>
工程(3)係在絕緣層形成通孔的工程。通孔之形成以藉由雷射照射進行為較佳。詳細如圖3之一例所示，工程(3)係將保護薄膜24剝離之後，由接著片20之面側進行雷射照射，形成貫穿絕緣層23、樹脂薄膜層22、絕緣層21而使配線層14露出的通孔31。又，玻璃保護薄膜24之前，由接著片20之面側進行雷射照射，形成貫穿保護薄膜24、絕緣層23、樹脂薄膜層22、絕緣層21而 使配線層14露出的通孔31，在通孔31之形成後將保護薄膜24剝離亦可。
該雷射照射可以以碳酸氣體雷射、YAG雷射、激光雷射等作為光源使用任意適合的雷射加工機進行。可以使用的雷射加工機例如有Via Mechanics,Ltd.(公司)製CO2雷射加工機「LC-2k212/2C」、三菱電機(公司)製之605GTWIII(-P)、松下溶接系統(公司)製之雷射加工機。
雷射照射之條件並無特別限定，雷射照射可按選擇的手段依據常法藉由任意較佳的工程來實施。
通孔之形狀，亦即在延伸方向觀察時之開口之輪廓形狀並無特別限定，一般設為圓形(大略圓形)。以下，稱呼通孔之「徑」時係指在延伸方向觀察時之開口輪廓之徑(直徑)。本說明書中，頂部徑係指通孔之絕緣層23側之輪廓之徑，底部徑係指通孔之配線層14側之輪廓之徑。
使通孔之頂部徑r1成為120μm以下，較好是成為90μm以下的方式形成通孔為較佳。
使通孔之頂部徑r1大於通孔31之底部徑r2的方式形成通孔為較佳。
如此則，通孔之埋入性良好，可以抑制空隙之發生，結果，可以提升後述之基於填孔(filled via)的電氣連接之可靠性。
通孔形成後，實施通孔內之膠渣除去工程亦 即所謂除膠渣工程亦可。後述之工程(4)藉由鍍敷工程進行時，對通孔進行例如濕式之除膠渣處理，工程(4)藉由濺鍍工程進行時，進行例如電漿處理工程等之乾式除膠渣工程亦可。又，除膠渣工程肩作為粗化處理工程亦可。
在形成工程(4)之導體層的工程之前，包含進行粗化處理的工程亦可。粗化處理係對通孔、接著片進行，粗化處理之順序、條件並無特別限定，例如可以在形成多層印刷配線板之絕緣層時採用通常使用的公知之順序、條件。乾式之粗化處理之例可以是電漿處理等，濕式之粗化處理之例可以是按順序進行藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗化處理及藉由中和液之中和處理的方法。
濕式之粗化處理中，例如可以按順序實施藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗化處理及藉由中和液之中和處理而對絕緣層23進行粗化處理。膨潤液並無特別限定，可以是鹼性溶液、界面活性劑溶液等，較好是鹼性溶液，該鹼性溶液以氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液為更佳。市販的膨潤液例如可以是Atotech Japan(公司)製之Swelling Dip Securiganth P、Swelling Dip Securiganth SBU等。
膨潤液之膨潤處理並無特別限定，例如可以在30℃~90℃之膨潤液將絕緣層23浸漬1分鐘~20分鐘而進行。就抑制絕緣層23之樹脂之膨潤在適度的位準之觀 點而言，較好是將絕緣層23浸漬於40℃~80℃之膨潤液5秒~15分鐘。氧化劑並無特別限定，例如可以是在氫氧化鈉之水溶液溶解有過錳酸鉀或過錳酸鈉的鹼性過錳酸溶液。鹼性過錳酸溶液等氧化劑的粗化處理，較好是將絕緣層23浸漬於加熱至60℃~80℃的氧化劑溶液10分鐘~30分鐘而進行。又，鹼性過錳酸溶液中過錳酸鹽之濃度以5質量%~10質量%為較佳。市販的氧化劑例如可以是Atotech Japan(公司)製之Concentrate．compactP、Dozing solution．SecurigansP等之鹼性過錳酸溶液。又，中和液以酸性之水溶液為較佳，市販品例如可以是Atotech Japan(公司)製之Reduction solution SecuriganthP。
中和液之處理可以將經由氧化劑溶液實施粗化處理的處理面浸漬於30℃~80℃之中和液5分鐘~30分鐘而進行。就作業性等觀點而言，以將經由氧化劑溶液之粗化處理的對象物浸漬於40℃~70℃之中和液5分鐘~20分鐘的方法為較佳。
<工程(4)>
工程(4)係形成導體層的工程。構成導體層的導體材料無特別限定。較佳的實施形態中，可以藉由和配線圖案使用的導體材料同一之材料形成，以銅為材料較佳。
導體層可以是單層構造，或將由不同種類之金屬或合金形成之單一金屬層或合金層積層2層以上的複數層構造。導體層為複數層構造時，與絕緣層相接的層以 鉻、鋅或鈦之單一金屬層或鎳‧鉻合金之合金層為較佳。
導體層之厚度按所要之配線板之設計有不同，通常為3μm~35μm，較好是5μm~30μm。
導體層可以藉由鍍敷、濺鍍、蒸鍍等習知任意較佳的方法形成，藉由鍍敷形成為較佳。較佳的一實施形態，例如藉由半加成法、全加成法等習知技術對絕緣層之表面進行鍍敷可以形成具有所要之配線圖案的導體層。
詳細如下，在絕緣層23之表面(當不存在(iii)之層時在樹脂薄膜層22之表面)，藉由無電解鍍敷形成鍍敷種層。接著，在形成的鍍敷種層上形成和所要之配線圖案對應而使鍍敷種層之一部分露出的遮罩圖案。在露出的鍍敷種層上藉由電解鍍敷形成電場鍍敷層之後，除去遮罩圖案。之後，藉由蝕刻等除去不要的鍍敷種層，形成具有所要之配線圖案的導體層。
如圖4之一例所示，在露出的絕緣層23之表面(當不存在(iii)之層時在樹脂薄膜層22之表面，以下同樣)形成接合的鍍敷種層41。首先，進行絕緣層23之表面洗淨與電荷調整之鹼性潔淨。接著，為了通孔31內之洗淨而進行軟蝕刻工程。具體言之，使用硫酸酸性過氧二硫酸鈉水溶液等之蝕刻液，在任意較佳的條件下處理即可。接著為了將Pd(鈀)賦予絕緣層23之表面，而進行調整絕緣層23之表面電荷的預浸工程。接著，將活化劑亦即Pd賦予該表面，使賦予至絕緣層23的Pd還原。接著，使銅(Cu)析出於絕緣層23之表面而形成鍍敷種 層41。此時，鍍敷種層41係以覆蓋通孔31內，亦即覆蓋由側壁及通孔31露出的配線圖案14的方式形成。
如圖5之一例所示，形成鍍敷種層41後，形成使鍍敷種層41之一部分露出的遮罩圖案50。遮罩圖案50之形成，例如將乾薄膜接合於鍍敷種層41在特定條件下進行曝光、顯像及洗淨而形成。
工程(4)可以使用的乾薄膜，係和上述乾薄膜同樣，較佳範圍亦同樣。
如圖6之一例所示，在露出的鍍敷種層41上，在填充通孔31之條件下藉由電解鍍敷處理形成電場鍍敷層42，同時藉由電場鍍敷處理填埋通孔而形成填孔61。
如圖7之一例所示，接著，將遮罩圖案剝離除去，進行在僅除去露出的鍍敷種層41的任意較佳條件下之沖洗蝕刻(flush etching)而形成圖案導體層40。
導體層不僅是線狀之配線，例如亦可以包含可以搭載外部端子之電極焊墊(land)等。又，導體層僅由電極焊墊構成亦可。
又，導體層，在鍍敷種層形成後，不使用遮罩圖案而形成電場鍍敷層及填孔，之後，藉由蝕刻進行圖案化而形成亦可。
<工程(5)>
工程(5)，係如圖8之一例所示除去基材，形成本 發明之配線板的工程。基材之除去方法無特別限定。較佳的一實施形態，係在第1及第2金屬層之界面由配線板將基材剝離，例如藉由氯化銅水溶液等蝕刻除去第2金屬層。
必要時，在以保護薄膜保護導體層40之狀態下將基材剝離亦可。該保護薄膜，係和接著片使用的保護薄膜同樣，較佳範圍亦同樣。
藉由上述本發明的製造方法，可以製造配線層14被填埋於絕緣層21的態樣之配線板。又，藉由包含至少1層樹脂薄膜層22，可以構成可撓性配線板。又，必要時，重複實施工程(2)~(4)之絕緣層及導體層之形成，而形成多層配線板亦可。製造多層配線板時，使用至少1個具有樹脂薄膜層的接著片即可。亦即本發明之配線板即使是多層配線板，只要具備至少1層樹脂薄膜層即可。可撓性係指無產生裂痕或電阻值變化下配線板可以撓曲至少1次。
2.第2實施形態
第2實施形態係接著片之(iii)之層為金屬箔時之配線板的製造方法。以下之說明使用的各圖中，和第1實施形態同樣之構成要素附加同一之符號，並有可能省略重複說明。
如圖9之一例所示，工程(1)係準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基 材；及設於該基材之一面的配線層者。配線層14之形成方法和第1實施形態同樣。
工程(2)，係將接著片以配線層埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化的工程。如圖10之一例所示，以使前述工程(1)獲得之附帶有配線層的基材之配線層14被埋入接著片20之(i)熱硬化性樹脂組成物層21的方式進行積層，對接著片20之(i)熱硬化性樹脂組成物層進行熱硬化。接著片20按(i)熱硬化性樹脂組成物層21、(ii)樹脂薄膜層22、(iii)金屬箔25之順序積層而成。又，接著片20在(iii)金屬箔25之具備樹脂薄膜層22之側之面的相反側之面上具備保護薄膜24亦可。
如圖11之一例所示，工程(3)由熱硬化的接著片20側進行雷射照射，在熱硬化的接著片20形成通孔31為較佳。工程(3)終了後，進行粗化處理。
工程(4)係形成導體層的工程。第2實施形態係接著片之(iii)之層為金屬箔，因此藉由減成法等習知技術形成具有所要之配線圖案的導體層為較佳。
工程(4)之較佳的一實施形態，首先在金屬箔之表面上形成和所要之配線圖案對應而使金屬箔之一部分露出的蝕刻阻劑圖案。蝕刻阻劑圖案之形成，例如可以將蝕刻阻劑薄膜接合於金屬箔在特定條件下進行曝光、顯像而形成。
形成蝕刻阻劑圖案後，藉由蝕刻等除去露出 的金屬箔部分，之後將蝕刻阻劑圖案剝離除去，可以形成具有所要配線圖案的導體層43。
蝕刻阻劑薄膜可以使用和上述乾薄膜同樣者，較佳範圍亦同樣。
工程(5)係如圖12之一例所示，除去基材，形成本發明之配線板的工程。
3.第3實施形態
第1實施形態及第2實施形態係由在一方之面具有配線層的附帶有配線層的基材製造配線板，第3實施形態除由在基材之兩面具有配線層的附帶有配線層的基材製造配線板以外均和第1實施形態及第2實施形態同樣。以下之說明使用的各圖中，對同樣之構成要素附加同一之符號，有可能省略重複之說明。
如圖13之一例所示，工程(1)係準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基材；及設於該基材之兩面的配線層者。配線層14之形成方法和第1實施形態及第2實施形態同樣，同時形成設為基材兩面之配線層而準備附帶有配線層的基材亦可，形成一方之配線層後形成另一方之配線層而準備附帶有配線層的基材亦可。又，各配線層可以是同一之圖案或不同圖案。
如圖14之一例所示，工程(2)係針對附帶有配線層的基材之兩面，將接著片以配線層被埋入(i) 熱硬化性樹脂組成物層的方式分別積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化的工程。使用的2個接著片可以是同一之接著片或不同的接著片。
如圖15之一例所示，工程(3)係對附帶有配線層的基材之兩面，由被熱硬化的接著片側進行雷射照射，在熱硬化的接著片形成通孔為較佳。通孔之形成可以同時形成，亦可以形成一方之通孔後形成另一方之通孔。
在工程(4)之前，包含對附帶有配線層的基材之兩面進行粗化處理的工程亦可，對2片絕緣層23之表面進行粗化處理。粗化處理同時進行亦可，進行一方之粗化處理後進行另一方之粗化處理亦可。
工程(4)，係對附帶有配線層的基材之兩面形成導體層。如圖16之一例所示，在粗化處理後之絕緣層23上形成鍍敷種層41。形成鍍敷種層41後，如圖17之一例所示，形成使鍍敷種層41之一部分露出的遮罩圖案50，如圖18之一例所示，在露出的鍍敷種層41上形成電場鍍敷層42，並且藉由電場鍍敷處理填埋通孔而形成填孔61。如圖19之一例所示，除去遮罩圖案形成導體層。導體層之形成之詳細可以和第1實施形態同樣進行。又，2個導體層同時形成亦可，形成一方之導體層後形成另一方之導體層亦可。
接著片之(iii)之層為金屬箔時，藉由和第2實施形態同樣之方法形成導體層亦可。又，一方之導體層和第1實施形態同樣形成，另一方之導體層和第2實施形 態同樣形成亦可。
工程(5)係如圖20之一例所示，除去基材，形成本發明之配線板的工程。第3實施形態中可以同時製造2種類之配線板。
[配線板]
本發明之配線板特徵在於具備：樹脂薄膜層；絕緣層；及埋入絕緣層的埋入型配線層。又，和上述內容重複之說明有可能被省略。
本發明之配線板，例如可以藉由包含上述(1)~(5)之工程的本發明之配線板的製造方法製造。如上述說明，本發明之配線板係如圖8及圖20之一例所示，按埋入型配線層14、絕緣層21及樹脂薄膜層22之順序積層。在樹脂薄膜層22之未接合絕緣層的面上(亦即在與樹脂薄膜層22相反側之面上)具備絕緣層23及導體層40。埋入型配線層14係透過填孔61與導體層40接合。又，如圖12之一例所示，導體層43與埋入型配線層14被接合之態樣亦可。
埋入型配線層係指在與半導體晶片等元件之導體連接為可能狀態下被填埋於絕緣層21的配線層(配線層14)。埋入型配線層，通常在與接著片被積層之側的相反側之面，以其突出高度實質上成為0(零)，通常成為-1μm~+1μm的方式被埋入絕緣層。
本發明之配線板可以是多層配線板，此時具 備至少1層與絕緣層21接合的樹脂薄膜層22即可。樹脂薄膜層22，係如圖21之一例所示，可以具備於絕緣層21之未與埋入型配線層14接合的面上，或如圖22之一例所示，在絕緣層21之與電場鍍敷層接合面上具備樹脂薄膜層22亦可。又，如圖23之一例所示，亦可以具備2層以上之樹脂薄膜層22。又，圖21、圖22之一例所示配線板所能使用的接著片，係構成為除具備樹脂薄膜層22以外由2層熱硬化性樹脂組成物層來構成之接著片，因此係積層絕緣層21、絕緣層23之態樣，而作為具備樹脂薄膜層22的接著片以外之接著片，係可以使用由1層熱硬化性樹脂組成物層構成之接著片來獲得配線板，僅具備絕緣層21(或絕緣層23)之態樣亦可。
圖21~圖23所示多層配線板係使用進一步包含(iii)之層，(iii)之層為熱硬化性樹脂組成物層時的接著片來製造者，但亦可使用(iii)之層為金屬箔的接著片來製造多層配線板，使用不包含(iii)之層的接著片，亦即使用包含(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層的接著片來製造多層配線板亦可。
依據本發明之配線板的製造方法獲得之配線板，具有良好的撓曲性。一實施形態中，在撓曲試驗後之撓曲部分之兩面未發生裂痕等之異常。該撓曲試驗，例如可以按後述之<撓曲試驗(裂痕)>記載之方法進行測定。又，一實施形態中，撓曲試驗後之電阻值之變化在50%以下。撓曲試驗後之電阻值之變化，例如可以依據後 述之<撓曲試驗(電阻值變化)>記載之方法進行測定。
本發明之配線板的製造方法所獲得之配線板顯示良好的回焊性能。一實施形態中，回焊時彎曲性能在50μm以下。回焊時彎曲性能，例如可以依據<回焊時彎曲性能之評估>記載之方法進行測定。
[半導體裝置]
本發明之半導體裝置特徵在於包含本發明之配線板。本發明之半導體裝置可以使用本發明之配線板製造。
半導體裝置可以是供作為電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)及交通工具(例如機車、汽車、電車、船舶及航空機等)等的各種半導體裝置。
本發明之半導體裝置，可以藉由在印刷配線板之導通位置安裝元件(半導體晶片)來製造。「導通位置」係指，「印刷配線板中傳送電氣信號之位置」，該位置可以是表面，也可以是被埋入之位置。又，半導體晶片只要是以半導體作為材料的電路元件即可無特別限定。
製造本發明之半導體裝置時之半導體晶片之安裝方法，只要半導體晶片能有效發揮機能即可並無特別限定，具體言之，可以是導線接合安裝方法、覆晶安裝方法、經由無凸塊之增層(BBUL)的安裝方法、異方性導電薄膜(ACF)的安裝方法、非導電性薄膜(NCF)的安裝方法等。於此，「無凸塊之增層(BBUL)的安裝方 法」，係指「將半導體晶片直接埋入印刷配線板之凹部，使半導體晶片與印刷配線板上之配線連接的安裝方法」。
[實施例]
以下，參照實施例具體說明本發明，但本發明不限定於彼等之實施例。又，以下之記載中，「部」及「%」除另有明示以外，分別意味著「質量部」及「質量%」。又，接著片之各層之厚度係使用接觸式層厚計((公司)Mitutoyo Corporation.製，MCD-25MJ)測定。
<評估基板之調製> (1)準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基材；及設於該基材之至少一面的配線層者。 (1-1)乾薄膜對基材(核基板)之積層
作為核基板而準備玻璃布基材環氧樹脂兩面敷銅箔積層板(層構成：三井金屬礦業(公司)製Micro Thin MT-Ex(銅箔之厚度3μm/載體銅箔18μm)、Panasonic(公司)製「R1515A」基板(厚度0.2mm)、三井金屬礦業(公司)製Micro Thin MT-Ex(載體銅箔18μm/厚度3μm銅箔))。使用批次式(batch)真空加壓層壓機(日興材料(公司)製2段增層層壓機「CVP700」)，在該積層板之厚度3μm之銅箔之面側之兩面，將附帶有PET薄膜的乾薄膜(日立化成(公司)製，高解像度型，厚度 15μm)，使乾薄膜與厚度3μm之銅箔接合而予以積層。乾薄膜之積層，係在30秒減壓且將氣壓設為13hPa以下後，在溫度70℃、壓力0.1MPa下進行20秒壓接。
(1-2)圖案之形成
將形成有以下所示圖案的玻璃遮罩(光罩)，配置於乾薄膜之保護層亦即PET薄膜上，藉由UV燈具在照射強度150mJ/cm2下進行UV照射。UV照射後，將乾薄膜之PET薄膜剝離，藉由30℃之1%碳酸鈉水溶液在噴射壓0.15MPa下進行30秒噴刷處理。之後，進行水洗、乾薄膜之顯像(圖案形成)。
玻璃遮罩之配線圖案：
以10mm間隔形成L/S=10μm/10μm，亦即配線間距20μm之櫛齒圖案(配線長10mm，16線路(line))。
(1-3)配線層之形成
乾薄膜之顯像後，進行8μm厚度之電解銅鍍敷，形成配線層。接著，在噴射壓0.2MPa下以50℃之3%氫氧化鈉溶液進行噴刷處理，將乾薄膜剝離後，進行水洗在150℃進行30分鐘乾燥。
(2)使配線層被填埋於(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式，將接著片積層於附帶有配線層的基材上，進行熱硬化 的工程 (2-1)接著片之積層
將實施例及比較例製作的接著片之保護薄膜(實施例1係厚度25μm之脫模PET薄膜，實施例2~3、比較例1~2係厚度20μm之保護薄膜)剝離，使用批次式真空加壓層壓機(日興材料(公司)製2段增層層壓機「CVP700」)，以使熱硬化性樹脂組成物層接合於配線圖案的方式，在配線圖案兩面進行埋入積層。積層係在30秒減壓，將氣壓設為13hPa以下後，在110℃、壓力0.74MPa下進行30秒壓接。接著，將積層後的接著片，在大氣壓下、110℃、壓力0.5MPa下進行60秒熱沖壓使平滑化。將其設為評估基板A。
(2-2)埋入性之觀察
藉由micro顯微鏡((公司)KEYENCE CORPORATION製「VH-5500」)觀察評估基板A之熱硬化性樹脂組成物層表面，無空隙、填埋於配線圖案者標記為「○」，有空隙者標記為「×」。
(2-3)熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化
接著片之積層後，在100℃、30分鐘，接著在170℃(實施例1與比較例1係附帶有支持體：脫模PET：38μm的狀態下170℃)，或180℃(實施例2、比較例2係在將脫模PET剝離狀態下180℃)下30分鐘之條件下 實施熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化，在配線層之兩面形成絕緣層。
(3)在絕緣層形成通孔的工程
實施例1及比較例1係由脫模PET或載體銅箔之上方，實施例2、實施例3及比較例2係由絕緣層之上方，照射以下條件之雷射，在成為配線層之焊墊(land)的150μm平方的正方形之配線層正上方之絕緣層形成通孔(via hole)。
通孔之形成工程係變更以下所示條件而進行。
(A)使用三菱電機(公司)製CO2雷射加工機「605GTWIII(-P)」，由脫模PET側之上方照射雷射，在絕緣層形成頂部徑(直徑)30μm之通孔。雷射之照射條件如下，遮罩徑為1mm，脈寬為16μs，能量為0.20mJ/射擊(shot)，射擊數為2，以突發模式(burst mode)(10kHz)進行。
(B)使用Via Mechanics,Ltd.(公司)製CO2雷射加工機「LC-2k212/2C」，由絕緣層之上方照射雷射，在絕緣層形成頂部徑(直徑)50μm之通孔。雷射之照射條件如下，遮罩徑為3mm，脈寬為4μs，電力為0.8W，射擊數為3，以循環模式(2kHz)進行。
(C)使用三菱電機(公司)製CO2雷射加工機「605GTWIII(-P)」，由剝離載體銅箔後之厚度3μm之銅 箔之上方照射雷射，在絕緣層形成頂部徑(直徑)45μm之通孔。雷射之照射條件如下，遮罩徑為1.5mm，脈寬為16μs，能量為0.36mJ/射擊，射擊數為3，以突發模式(10kHz)進行。
(3-1)進行粗化處理的工程
通孔之形成後，接合有脫模PET時將其剝離，對設有通孔的構造體進行除膠渣處理。又，除膠渣處理係實施下記之濕式除膠渣處理。
濕式除膠渣處理：
將設有通孔的電路基板浸漬於膨潤液(Atotech Japan(公司)製「Swelling Dip Securiganth P」，二甘醇單丁醚及氫氧化鈉之水溶液)在60℃浸漬3分鐘，接著在氧化劑溶液(Atotech Japan(公司)製「Concentrate．compact CP」，過錳酸鉀濃度約6%，氫氧化鈉濃度約4%之水溶液)在80℃浸漬8分鐘，最後在中和液(Atotech Japan(公司)製「Reduction solution Securiganth P」，硫酸水溶液)中在40℃浸漬5分鐘之後，在80℃進行15分鐘乾燥。
(4)形成導體層的工程 (4-1)無電解鍍敷工程
欲在評估基板之表面形成導體層，進行包含下記1~6 之工程的鍍敷工程(使用Atotech Japan(公司)製之藥液的銅鍍敷工程)而形成導體層。
1.鹼性潔淨(設有通孔的絕緣層之表面之洗淨與電荷調整)
使用商品名：Cleaning Cleaner Securiganth 902(商品名)在60℃進行5分鐘洗淨。
2.軟蝕刻(通孔內之洗淨)
使用硫酸酸性過氧二硫酸鈉水溶液，在30℃進行1分鐘處理。
3.預浸(為了賦予Pd而進行絕緣層表面之電荷調整)
使用Pre.Dip Neoganth B(商品名)，在室溫下進行1分鐘處理。
4.活化劑賦予(對絕緣層之表面賦予Pd)
使用Activator Neoganth 834(商品名)，在35℃下進行5分鐘處理。
5.還原(使賦予在絕緣層的Pd還原)
使用Reducer Neoganth WA(商品名)與Reducer Acceralator 810 mod.(商品名)之混合液，在30℃下進行5分鐘處理。
6.無電解銅鍍敷工程(使Cu析出於絕緣層之表面(Pd表面))
使用Basic Solution Printganth MSK-DK(商品名)、Copper solution Printganth MSK(商品名)、Stabilizer Printganth MSK-DK(商品名)與Reducer Cu(商品名)之混合液，在35℃下進行20分鐘處理。形成的無電解銅鍍敷層之厚度係0.8μm。
(4-2)電解鍍敷工程
接著，使用Atotech Japan(公司)製之藥液，在通孔內填充有銅之條件下進行電解銅鍍敷工程。之後，作為藉由蝕刻進行圖案化之阻劑圖案，而形成和通孔對應的直徑100μm之焊墊圖案(無通孔連接之部分亦以400μm間距全面形成)，使用該焊墊圖案在絕緣層之表面以10μm之厚度形成具有導體圖案的導體層。接著，在190℃下進行60分鐘退火處理。
(5)除去基材的工程
在形成有導體層的附帶有配線層的基材之全面貼合附帶有黏著劑的PET薄膜(厚度50μm)之後，在核基板之Micro Thin MT-Ex銅箔之厚度3μm之銅箔與厚度18μm載體箔之界面實施剝離，將核基板分離。接著，在形成有導體層的面被附帶有黏著劑的PET薄膜保護之狀態下，藉由氯化銅水溶液蝕刻除去3μm銅箔，水洗之後，在110℃進行30分鐘乾燥。之後，將附帶有黏著劑的PET薄膜剝離，製作L/S=10/10μm梳齒圖案被埋入單面的配線板。將獲得之配線板稱為「評估基板B」。
<撓曲試驗(裂痕)>
將評估基板B切斷為寬15mm，長110mm之試驗片，使用MIT試驗裝置((公司)東洋精機製作所製，MIT耐折疲勞試驗機「MIT-DA」)，在荷重2.5N、撓曲角度90度、撓曲半徑1.0mm、撓曲速度175次/分鐘之測定條件下對梳齒圖案中央部分沿著垂直方向進行20次撓曲，藉由micro顯微鏡((公司)KEYENCE CORPORATION製「VH-5500」)觀察撓曲部分。在兩面無產生裂痕等異常者標記為「○」，有者標記為「×」。
<撓曲試驗(電阻值變化)>
另外，針對屈曲部分之L/S=10/10μm梳齒圖案(配線長10mm，16線路)埋入基板，使用電化學遷移測試儀(J-RAS(公司)製「ECM-100」)測定絕緣電阻值(Ω)。絕緣電阻值(Ω)依據下記之評估基準進行評估。
評估基準：
○：撓曲後之電阻值之變化在50%以下
×：撓曲後之電阻值之變化大於50%之變化
<回焊時彎曲性能之評估>
將評估基板B切割為5個30mm平方之個片之後，通過再現峰值溫度260℃之焊錫回焊溫度的回焊裝置(日本ANTOM CO.,LTD(公司)製「HAS-6116」)一次(回焊溫度曲線依據IPC/JEDEC J-STD-020C)。接著，使用陰 影莫爾(Shadow Moire)裝置(Akrometrix製「TherMoire AXP」)，在按IPC/JEDEC J-STD-020C(峰值溫度260℃)的回焊溫度曲線下對評估基板B之下面進行加熱，測定基板中央之5mm平方部分之變位。針對5個個片進行並求其平均值，按下記之評估基準進行評估。
評估基準：
○：變位量在50μm以下
×：變位量大於50μm
<熱硬化性樹脂組成物層之最低熔融黏度之測定>
僅將各實施例及各比較例之熱硬化性樹脂組成物層剝離，藉由模具進行壓縮而製作測定用球粒(直徑18mm、1.2~1.3g)。
使用測定用球粒，使用動態黏彈性測定裝置((公司)UBM製「Rheosol-G3000」)，針對試料熱硬化性樹脂組成物層1g，使用直徑18mm之平行平板，在開始溫度60℃至200℃之間以升溫速度5℃/分鐘升溫，測定溫度間隔2.5℃，振動數1Hz，形變1deg之測定條件下對動態黏彈性率進行測定，算出最低熔融黏度(泊)。
<斷裂伸長率之測定>
將以接著片1~3製作的僅具有30μm厚之熱硬化性樹脂組成物層的接著片在190℃下進行90分鐘加熱使熱硬化性樹脂組成物層熱硬化後，將脫模PET薄膜(LINTEC Corporation(公司)製「PET501010」(厚度50μm))剝離。將獲得之硬化物(30μm厚)切成啞鈴狀，使用(公司)ORIENTEC CORPORATION製抗拉試驗機RTC-1250A，依據JIS K 7127對該試驗片進行抗拉強度測定，求出23℃的斷裂伸長率。該操作進行5次，算出上位3點之平均值之結果，實施例1為5.5%，實施例2、實施例3均為3.1%。
<實施例1使用的接著片1之製作> (1)樹脂清漆1之製作
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(公司)製「ZX1059」，雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品，環氧當量169)9部、結晶性2官能環氧樹脂(三菱化學(公司)製「YX4000HK」，環氧當量約185)6部、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(公司)製「NC3000H」，環氧當量288)15部、及苯氧樹脂(三菱化學(公司)製「YX6954BH30」，固形分30質量%之MEK(甲基乙基酮)與環己酮之1：1溶液)15部，混入溶劑油10部中攪拌同時進行加熱溶解。加熱溶解後冷卻至室溫，於其中混合含有三嗪骨架的苯酚系硬化劑(DIC(公司)製「LA-7054」羥基當量125之固形分60%之MEK溶液)10部、萘型硬化劑(新日鐵化學(公司)製「SN-485」羥基當量215之固形分60%之MEK溶液)10部、聚乙烯醇縮醛樹脂(積水化學工業(公司)製「BX-5Z」，固形分15質 量%之乙醇與甲苯之1：1溶液)15部、硬化促進劑(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固形分5質量%之MEK溶液)0.2部、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(公司)製「P200-H50」，固形分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)0.1部、難燃劑(三光(公司)製「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧-10-磷菲-10-氧化物，平均粒徑2μm)3部、及經由苯基氨基矽烷系偶合劑(信越化學工業(公司)製，「KBM573」)表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，(公司)ADMATECHS CO.,LTD.製「SOC2」，每一單位面積之碳量0.39mg/m2)40部進行混合，藉由高速旋轉攪拌機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)過濾，製作樹脂清漆1。
(2)樹脂清漆2之製作
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(公司)製「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品，環氧當量169)9部、結晶性2官能環氧樹脂(三菱化學(公司)製「YX4000HK」，環氧當量約185)6部、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(公司)製「NC3000H」，環氧當量288)15部、苯氧樹脂(三菱化學(公司)製「YX6954BH30」，固形分30質量%之MEK(甲基乙基酮)與環己酮之1：1溶液)15部混入溶劑油10部攪拌同時進行加熱溶解。加熱溶解後冷卻至室溫，於其中混入含有三嗪骨架的苯酚系硬化劑(DIC(公司)製「LA- 7054」羥基當量125之固形分60%之MEK溶液)10部、萘型硬化劑(新日鐵化學(公司)製「SN-485」羥基當量215之固形分60%之MEK溶液)10部、聚乙烯醇縮醛樹脂(積水化學工業(公司)製「KS-1」，固形分15質量%之乙醇與甲苯之1：1溶液)15部、硬化促進劑(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固形分5質量%之MEK溶液)0.4部、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(公司)製「P200-H50」，固形分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)0.4部、將橡膠粒子(甘茲化工(公司)製，AC3816N)2部置入溶劑油8部在室溫下進行12小時膨潤者，及乙苯基氨基矽烷系偶合劑(信越化學工業(公司)製，「KBM573」)實施表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.24μm，(公司)ADMATECHS CO.,LTD.製「SOC1」，單位面積平均之碳量0.36mg/m2)30部進行混合，藉由高速旋轉攪拌機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP030」)進行過濾，製作樹脂清漆2。
(3)接著片1之製作
在實施脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下稱為脫模PET)(LINTEC Corporation(公司)製「AL5」，厚度25μm)之脫模面上，以使乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層1的厚度成為10μm的方式將樹脂清漆1均勻地塗布，在80~120℃(平均100℃)進行2.5分鐘乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層1之後，藉由熱輥進行貼合而 將聚醯亞胺薄膜(DU PONT-TORAY CO.,LTD.(公司)製「Kapton20EN」，厚度5μm，兩面實施電漿處理)接合於熱硬化性樹脂組成物層1，製作接著片(1-1)。
另一方面，在脫模PET(LINTEC Corporation(公司)製「AL5」，厚度38μm)之脫模面上，以乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層2的厚度成為3μm的方式將樹脂清漆2均勻地塗布，在80~120℃(平均100℃)進行2分鐘乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層2之後，藉由熱輥進行貼合而使接著片(1-1)之聚醯亞胺薄膜面接合於熱硬化性樹脂組成物層2，獲得具有脫模PET(25μm)/熱硬化性樹脂組成物層1(10μm)/聚醯亞胺薄膜(5μm)/熱硬化性樹脂組成物層2(3μm)/脫模PET(38μm)之構成的接著片1。
<實施例2使用的接著片2之製作> (1)樹脂清漆3之製作
將以下調製的高分子樹脂A 50部、雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(公司)製「ZX1059」，雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品，環氧當量169)3部、結晶性2官能環氧樹脂(三菱化學(公司)製「YX4000HK」，環氧當量約185)3部、萘型環氧樹脂(DIC(公司)製「HP4032SS」，環氧當量約144)3部放入溶劑油25部攪拌的同時使加熱溶解。加熱溶解後冷卻至室溫，於其中將活性酯化合物(DIC(公司)製「HPC8000-65T」，重 量平均分子量約2700，活性基當量約223之非揮發分65質量%之甲苯溶液)4部、硬化促進劑(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固形分5質量%之MEK溶液)0.4部、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(公司)製「P200-H50」，固形分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)0.3部及經由苯基氨基矽烷系偶合劑(信越化學工業(公司)製，「KBM573」)表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS CO.,LTD.製「SOC2」，單位面積平均之碳量0.39mg/m2)60部進行混合，藉由高速旋轉攪拌機均勻分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO製「SHP050」)進行過濾，製作樹脂清漆3。
-高分子樹脂A之製作-
在反應容器混合G-3000(2官能性羥基末端聚丁二烯，數平均分子量=5047(基於GPC法的聚苯乙烯換算之數平均分子量)，羥基當量：1798g/eq.，固形分100質量%：日本曹達(公司)製)50g及Ipuzoru150(芳香族碳化氫系混合溶媒：出光石油化學(公司)製)23.5g，二丁基錫月桂酸0.005g進行混合均勻溶解。成為均勻後升溫至50℃，更進一步攪拌的同時，添加甲苯-2,4-二異氰酸酯(異氰酸酯基當量：87.08g/eq.)4.8g進行約3小時反應。接著，將該反應物冷卻至室溫之後，於其中添加二苯甲酮四羧酸二酐(酸酐當量：161.1g/eq.)8.96g、三乙烯二胺0.07g、乙基二甘醇醋酸酯(Daicel Corporation化學 工業(公司)製)40.4g，攪拌之同時升溫至130℃，進行約4小時反應。藉由FT-IR確認2250cm-1之NCO峰值之消失。以NCO峰值消失之確認作為反應之終點，將反應物降溫至室溫之後以100網目之濾布進行過濾，獲得具有醯亞胺骨架、聚氨酯骨架、丁二烯骨架的高分子樹脂A。
黏度：7.5Pa．s(25℃，E型黏度計)
酸價：16.9mgKOH/g
固形分：50質量%
數平均分子量：13723(基於GPC法的聚苯乙烯換算)
玻璃轉移溫度：-10℃(藉由DSC法測定)
聚丁二烯構造部分之含有率：50/(50+4.8+8.96)×100=78.4質量%。
(2)接著片2之製作
將聚醯亞胺薄膜(Kaneka公司製「apical10NPI」，厚度10μm，兩面實施電暈處理)浸漬於前記樹脂清漆3，使乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層的厚度在兩面同時成為各10μm的方式進行刮取，在80~120℃(平均100℃)進行3分鐘乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層3之後，藉由熱輥在單方之樹脂面貼合脫模PET(LINTEC Corporation(公司)製「AL5」，厚度38μm)，在另一方之單面貼合保護薄膜(聚丙烯薄膜，Oji F-Tex Co.,Ltd.(公司)製「ALPHAN MA-430」，厚度20μm)，獲得具有脫模PET(38μm)/熱硬化性樹脂組成物層3(10μm)/ 聚醯亞胺薄膜(10μm)/熱硬化性樹脂組成物層3(10μm)/保護薄膜(20μm)之構成的接著片2。
<實施例3使用的接著片3之製作>
在二層單面敷銅箔聚醯亞胺薄膜(有澤製作所製，三井金屬礦業(公司)製Micro Thin MT-Ex(18μm之載體銅箔/厚度3μm之銅箔)之厚度3μm之銅箔上面形成有厚度12.5μm之聚醯亞胺薄膜者)之聚醯亞胺薄膜面上，以使乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層3的厚度成為10μm的方式均勻地塗布樹脂清漆3，在80~120℃(平均100℃)進行2.5分鐘乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層3之後，以使保護薄膜(聚丙烯薄膜，Oji F-Tex Co.,Ltd.(公司)製「ALPHAN MA-430」，厚度20μm)接合於熱硬化性樹脂組成物層3的方式進行貼合，獲得具有銅箔(18μm載體箔/3μm銅箔)/聚醯亞胺薄膜(12.5μm)/熱硬化性樹脂組成物層3(10μm)/保護薄膜(20μm)之構成的接著片3。
<比較例1使用的接著片4之製作>
在脫模PET(LINTEC Corporation製「AL5」，厚度38μm)之脫模面上，以使乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層1的厚度成為18μm的方式均勻地塗布樹脂清漆1，在80~120℃(平均100℃)進行3分鐘乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層1之後，以使保護薄膜(聚丙烯薄膜，Oji F-Tex Co.,Ltd.製「ALPHAN MA-430」，厚度20μm)接合於熱硬化性樹脂組成物層1的方式進行貼合，獲得具有脫模PET(38μm)/熱硬化性樹脂組成物層1(18μm)/保護薄膜(20μm)之構成的接著片4。
<比較例2使用的接著片5之製作>
在脫模PET(LINTEC Corporation製「AL5」，厚度38μm)之脫模面上，以使乾燥後之熱硬化性樹脂組成物層3的厚度成為30μm的方式均勻地塗布樹脂清漆3，在80~120℃(平均100℃)進行4分鐘乾燥而形成熱硬化性樹脂組成物層3之後，以使保護薄膜(聚丙烯薄膜，Oji F-Tex Co.,Ltd.製「ALPHAN MA-430」，厚度20μm)接合於熱硬化性樹脂組成物層3的方式進行貼合，獲得具有脫模PET(38μm)/熱硬化性樹脂組成物層3(30μm)/保護薄膜(20μm)之構成的接著片5。
14‧‧‧配線層(埋入型配線層)
21‧‧‧(i)熱硬化性樹脂組成物層(絕緣層)
22‧‧‧(ii)樹脂薄膜層
23‧‧‧(iii)熱硬化性樹脂組成物層(絕緣層)
40‧‧‧導體層
41‧‧‧鍍敷種層
42‧‧‧電場鍍敷層
61‧‧‧填孔

Claims (14)

  1. 一種配線板的製造方法，包含：(1)準備附帶有配線層的基材之工程，該附帶有配線層的基材係具有：基材；及配線層，設於該基材之至少一面；(2)將包含(i)熱硬化性樹脂組成物層及(ii)樹脂薄膜層的接著片，以使配線層埋入(i)熱硬化性樹脂組成物層的方式積層於附帶有配線層的基材上，實施熱硬化而形成絕緣層的工程；(3)在絕緣層形成通孔的工程；(4)形成導體層的工程；及(5)除去基材的工程。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，接著片進一步包含(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層，係按(i)熱硬化性樹脂組成物層、(ii)樹脂薄膜層、(iii)金屬箔或熱硬化性樹脂組成物層之順序含有。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中，通孔之形成係藉由雷射照射進行。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，包含在形成導體層的工程之前，進行粗化處理的工程。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，配線板係可撓性配線板。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中， 熱硬化後的接著片之斷裂伸長率係2%以上。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，(ii)樹脂薄膜層之表面被實施電暈處理、電漿處理或UV處理。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，金屬箔係銅箔。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，配線圖案之最小間距在40μm以下。
  10. 一種配線板，具備：樹脂薄膜層；絕緣層；及埋入絕緣層的埋入型配線層。
  11. 如申請專利範圍第10項之配線板，其中，係可撓性配線板。
  12. 如申請專利範圍第10項之配線板，其中，絕緣層的厚度在2μm以上。
  13. 如申請專利範圍第10項之配線板，其中，樹脂薄膜層的厚度在2μm以上。
  14. 一種半導體裝置，具備：如申請專利範圍第10至13項中任一項之配線板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI769459B (zh) * 2020-05-22 2022-07-01 矽品精密工業股份有限公司 基板結構及其製法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7210901B2 (ja) * 2017-06-26 2023-01-24 味の素株式会社 樹脂組成物層
US11289814B2 (en) * 2017-11-10 2022-03-29 Raytheon Company Spiral antenna and related fabrication techniques
JP6988588B2 (ja) * 2018-03-08 2022-01-05 味の素株式会社 樹脂組成物、シート状積層材料、プリント配線板及び半導体装置
KR102551217B1 (ko) * 2018-03-16 2023-07-03 삼성전기주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용하는 제조된 인쇄회로기판
CN111429810B (zh) * 2019-01-09 2022-02-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可拉伸器件及可拉伸器件的制作方法
CN111511105A (zh) * 2019-01-31 2020-08-07 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有用额外镀覆结构和桥结构填充的通孔的部件承载件
KR20220053310A (ko) * 2020-10-22 2022-04-29 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US20240222141A1 (en) * 2021-11-26 2024-07-04 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Methods for forming via hole and filling via hole in flexible substrate
CN114727497A (zh) * 2022-04-26 2022-07-08 马鞍山海尊电子科技有限公司 一种电路板的印刷工艺
CN115160958B (zh) * 2022-07-20 2023-03-31 江门市长达绿色印刷材料有限公司 一种用于柔性线路板的防水胶及其制备方法和应用

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565954B2 (en) * 1998-05-14 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and method of manufacturing the same
CN1241894A (zh) * 1998-05-14 2000-01-19 松下电器产业株式会社 线路板及其制造方法
KR20070086864A (ko) * 1998-09-03 2007-08-27 이비덴 가부시키가이샤 다층프린트배선판 및 그 제조방법
EP1357773A3 (en) * 2002-04-25 2005-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wiring transfer sheet and method for producing the same, and wiring board and method for producing the same
US6794273B2 (en) * 2002-05-24 2004-09-21 Fujitsu Limited Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4555709B2 (ja) * 2004-03-19 2010-10-06 パナソニック株式会社 フレキシブル基板、多層フレキシブル基板およびそれらの製造方法
US7321496B2 (en) * 2004-03-19 2008-01-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flexible substrate, multilayer flexible substrate and process for producing the same
JP4436714B2 (ja) * 2004-05-21 2010-03-24 三井金属鉱業株式会社 リジッドフレキシブル金属張積層板の製造方法及びリジッドフレキシブルプリント配線板の製造方法
JP2012045887A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 金属張積層板、及びその製造方法
JP5716948B2 (ja) * 2010-09-29 2015-05-13 日立化成株式会社 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
KR101180031B1 (ko) * 2010-10-25 2012-09-05 (주) 트라이스시스템 연성 인쇄회로 기판의 배선 형성 방법
JP5693977B2 (ja) * 2011-01-11 2015-04-01 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP6322885B2 (ja) * 2012-11-01 2018-05-16 味の素株式会社 プリント配線板の製造方法
JP6041204B2 (ja) * 2012-11-22 2016-12-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 フレキシブルプリント配線板製造用基材、フレキシブルプリント配線板、及びフレックス・リジッドプリント配線板
JP6183583B2 (ja) * 2013-02-14 2017-08-23 味の素株式会社 硬化性樹脂組成物
JP6427861B2 (ja) 2013-10-21 2018-11-28 味の素株式会社 回路基板の製造方法
TWI584701B (zh) * 2013-11-22 2017-05-21 Mitsui Mining & Smelting Co A supporting substrate having a circuit forming layer, a supporting substrate having a double-sided circuit forming layer, a multilayer laminated sheet, a method for manufacturing the multilayer printed wiring board, and a multilayer printed wiring board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI769459B (zh) * 2020-05-22 2022-07-01 矽品精密工業股份有限公司 基板結構及其製法

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Publication number Publication date
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