TW201717244A - 執行劑量調變之方法，特別是用於電子束微影 - Google Patents

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Abstract

一種用於藉由粒子或光子束(21)手段直接寫入而將圖案(PT)轉移至基板(10)上的方法，該方法包含：- 產生劑量圖的步驟，將劑量與所述圖案之複數個基本形狀中每一個相關聯；以及- 根據取決於所述劑量圖之該圖案與空間相依的發射劑量，曝光該基板的步驟；其特徵在於所述產生劑量圖的步驟包括：-對於該些基本形狀中每一者計算該圖案之至少第一和第二度量，該第一度量表示在來自所述基本形狀之第一範圍內的該圖案的特徵，以及該第二度量表示在來自該些基本形狀大於該第一範圍的第二範圍內的該圖案的特徵；以及判定有關於該圖案之所述基本形狀中每一者的該發射的劑量作為所述度量之函數。一種用於執行此種方法或至少所述產生劑量圖的步驟的電腦程式產品。

Description

執行劑量調變之方法，特別是用於電子束微影
本發明是有關於微米製造和奈米製造領域，且特別是有關於直接寫入(或「無遮罩」)微影，諸如電子束微影(electron beam lithography；EBL)。更精確地，本發明有關於用於藉由使用空間相依的曝光劑量(劑量調變)藉由粒子或光子束手段直接寫入而將圖案轉移至基板上的方法，以及還有關於用於執行這種方法的電腦程式產品和設備。
用語「直接寫入」將用於指定所有技術，其中基板之表面藉由將窄的或定形的粒子或光子束引導至其上，而沒有使用遮罩。此用語之意思不限於其中基板為半導體晶圓之情況，並且還尤其包括微影遮罩的寫入。
電子束(e-beam)微影是用於執行直接寫入或無遮罩微影的最常用的技術。其允許實現幾十奈米或更小的空間解析度，並且特別適用於製造微影遮罩。
圖1是從現有技術已知的電子束微影方法和設備的概 略圖示。在這圖上，元件編號11對應於基板-例如矽晶圓或玻璃或二氧化矽板-圖案透過直接寫入(例如，電子束)微影轉移至其上，元件編號12對應於沉積在所述基板(術語「基板」將無差別地用於指示裸基板11或包括抗蝕劑層的集體10)之表面上的抗蝕劑層，元件標號20對應於電子束來源，元件編號21對應於由所述來源產生的且撞擊到抗蝕劑層11的電子束，元件編號30對應於用於相對於該電子束20平移該基板10的致動平台，元件標號40對應於驅動電子束來源20和致動平台30之電腦或處理器，以及元件編號41對應於儲存由所述電腦或處理器40執行的程式之電腦記憶體裝置。根據預定的圖案，電子束來源20和致動平台30合作以選擇性地曝光該基板之該電子束特定區域。然後，在所謂的顯影(development)步驟期間，曝光的(正性抗蝕劑)或未曝光(負性抗蝕劑)被選擇性地去除，使得剩餘的抗蝕劑在基板的表面上再現預定圖案或其互補。之後，可以蝕刻基板表面中沒有覆蓋抗蝕劑的部分，接著去除剩餘的抗蝕劑。
電子束21可以是窄圓形束，在這種情況下，使用光柵(raster)或向量掃描將圖案逐點投影到抗蝕劑上。然而，在工業應用中，通常優選使用更大且具有矩形或三角形截面的「定形束」。於此情況下，被轉移至基板之上的圖案被分解成對應於束的截面的複數個基本形狀。然後，基本形狀可以藉由單次射擊或者用於基板的固定位置的一 系列連續射擊來轉移，從而顯著加速製程。
在現實世界中，基板表面實際接收的劑量不會突然地在束斑點(beam spot)的邊緣處下降，而是平滑地減小。此外，與抗蝕劑和/或基板相互作用的電子經歷向前和向後散射，其使劑量分佈變廣，超過入射束斑點的理論極限；特別地，背散射電子可以行進幾微米的距離。主要電子與基板和抗蝕劑的相互作用對劑量分佈的影響被稱為「鄰近效應」。
在圖2上，線200闡明轉移至抗蝕劑層之圖案之跨過基本形狀之接收的劑量D分佈(沿著方向x測量的寬度W的線，以及更長的長度)。接收的劑量D可以藉由將發射劑量(其可對應於設計圖案)與表示鄰近效應的點擴散函數進行迴旋積計算(convolving)而獲得。其結果，接收的劑量在基本形狀的中心處取值D0，在寬度W0<W保持大致恆定，然後平滑地減小。轉移的基本形狀(線210)的邊緣對應於其中接收的劑量D跨過抗蝕劑之能量臨限值ETh的點。超過這些邊緣，接收的劑量不會達到零，或者它如此緩慢，主要是因為來自所考慮的基本形狀或相鄰的形狀的向前和向後散射的電子。可以容易地理解，增加發射劑量(圖中左側的虛線201)增加了基本形狀的寬度，反之亦然。此外，來自相鄰形狀之來自背散射電子之所貢獻的增加可以藉由發射劑量的減少(圖中右側的虛線203)來補償，反之亦然。
鄰近效應的校正對於確保基板上的目標圖案的精確再 現是必要的。其需要開發準確的物理模型，包括：
- 電子模型，通常稱為點展開函數(PSF，如上所述)，其允許在樣品表面上建立劑量的空間影像(aerial image)。通常，PSF由兩個或多個分佈函數的加權和表示，例如高斯定律；參閱FR1157338和FR1253389。以半徑參數σ為特徵的PSF的每個基本函數通常用於模擬半徑為3σ的圓盤內的效應。對於兩高斯PSF，標記為α和σb(β有時用來代替σb)分別對應於短範圍(前向散射)和長範圍(背向散射)效應定義的兩個半徑。參數η表示兩個貢獻之相對權重(即，能量比)。
- 抗蝕劑模型考慮到抗蝕劑對於電子束曝光的響應。最簡單的例子是「恆定臨限值」模型，其定義空間影像的恆定能量能階，高於該能量能階抗蝕劑被曝光因而圖案被印製。
一旦物理模型被校準，就有可能進入校正或補償電子鄰近效應(PEC)的階段。有三種可能的校正類型：
- 藉由劑量調製(DM)的PEC：根據物理模型的參數調整圖案的每個基本形狀的曝光劑量。
- 藉由幾何調製(GM)的PEC：取決於物理模型的設置和已知的曝光劑量來修改圖案的基本形狀的幾何形狀。
- 藉由劑量和幾何形狀調製(DMG)的PEC：對於圖案的每個基本形狀同時調整劑量和幾何形狀。
由Takayuki Abe等人的論文。「High-Accuracy Proximity Effect Correction for Mask Writing」,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.46,No.2,2007,pp.826-833描述了常使用之執行劑量校正調製的方法。根據該方法的最簡單形式，樣品表面的位置r=(x，y)處的歸一化校正劑量由下式給出： 其中在被轉移的整個圖案(或其相關部分)上計算積分以及由背散射電子沉積的能量的分佈g(r)滿足歸一化條件
通常，g(r)是標準差(standard deviation)σb的高斯分佈，通常在3σb處截斷，考慮長範圍效應(主要是反向散射)： 其中A是歸一化常數。
如果圖案密度定義為：密度=ʃʃpattern g(r-r ' )．dr ' 2 (方程式3) 那麼(方程式1)可以以更簡單的形式重寫：
已經發現，劑量調製比幾何調製更容易實現，但較不精確。本發明旨在克服現有技術的這個缺點；更準確地說，其目的在於改善一維和二維臨界形狀(即具有窄的寬度、空間或密度)上的接收劑量調製的精確性，而不增加或甚至減少實施上的複雜性。
文獻US 2014/077103敘述使用帶電粒子束進行直接寫入的方法，其中不同的劑量校正公式應用於位於圖案內部或其周邊的基本形狀。
文獻US2007/228293敘述使用帶電粒子束進行直接寫入的方法，其中劑量校正因子被計算作為圖案密度以及取決於圖案形狀的參數的函數。
更具體地，文獻JP 2012/212792敘述使用帶電粒子束執行直接寫入的方法，其中藉由考慮線寬和圖案密度來計算劑量。對於每一種圖案，「線寬」不容易定義。
實現這些目標之本發明的目的是一種藉由利用粒子或光子束直接寫入將圖案轉移到基板上的方法，該方法包括：- 產生劑量圖的步驟，將劑量與所述圖案之複數個基本形狀中每一個相關聯；以及- 根據取決於所述劑量圖之該圖案與空間相依的發射 劑量，曝光該基板的步驟；其特徵在於所述產生劑量圖的步驟包括：-對於所述基本形狀中每一者計算該圖案之至少第一和第二度量，該第一度量表示在來自該些基本形狀之第一範圍內的該圖案的特徵，以及該第二度量表示在來自該些基本形狀大於該第一範圍的第二範圍內的該圖案的特徵；以及判定有關於該圖案之所述基本形狀中每一者的該發射的劑量作為所述度量之函數。
根據本發明的具體實施例
所述第一度量可以為圖案之臨界尺寸以及所述第二度量可以為圖案密度。在這種情況下，方法可以包含從圖案和以基本形狀的幾何中心為中心的圓盤之間的重疊因子計算臨界尺寸，圓盤的直徑使得其部分地延伸超過圖案的邊緣。更特別地，圓盤可以是以基本形狀的幾何中心為中心以部分地延伸超過該圖案所述的邊緣之預定的有限集合之圓盤中最小的。方法也可以包含藉由利用粒子或光子束的點擴展函數迴旋積計算圖案，而計算每個基本形狀的密度值。
- 或者，該第一度量可以是藉由將該圖案與由第一半徑特徵的粒子或光子束的點擴展函數進行迴旋積計算而計算的密度值，以及該第二度量可以是藉由將該圖案與由比該第一半徑大的第二半徑特徵的粒子或光子束的點擴展函數進行迴旋積計算而計算的密度值。
-所述曝光該基板之步驟可藉由投影定形粒子或光子射擊在所述基板上執行，每一射擊相應於該圖案之基本形狀，以及其中所述劑量圖將劑量與每個所述射擊相關聯。
-所述判定與該圖案之所述基本圖形的每一個相關聯之該發射的劑量作為所述度量之函數的步驟可藉由使用預先計算的查找表進行。更特別地，所述產生劑量圖之步驟可包括從該查找表直接地讀取與每個所述基本形狀相關聯的該劑量。或者，該步驟可以包括藉由從查找表讀取的兩個值之間插值來獲得與每個所述基本形狀相關聯的該劑量。
-該方法更包含藉由使用數值模擬或實驗測試以找出複數個參考圖案的最佳劑量來判定所述度量和發射劑量之間的關係之初期校正步驟，每個參考圖案根據預定的最佳化準則為所述度量之不同值集合的表示。至少一些所述參考圖案可以包括一維或二維光柵，和/或輔助最佳準則可以在於最大化該參考圖案和被轉移到基板上的相應圖案之間的相似性。
- 所述的束可以是電子束。
-該方法可更包含：在所述曝光該基板之前，沉積阻劑層在該基板上的步驟；以及在所述曝光該基板之後，顯影該阻劑層之步驟。
本發明的另一個目的是一種電腦程式產品，包含用於導致電腦產生劑量圖、將發射劑量與藉由粒子或光子束手段直接寫入被轉移到基板上之圖案的複數個基本形狀中的 每一個相關聯、藉由計算用於該圖案之所述基本形狀中的每一個之至少兩度量、以及判定與該圖案之每一個所述基本形狀相關聯的發射劑量作為所述度量之函數的電腦可執行代碼。該電腦程式產品可更包含電腦可讀取代碼，其用於導致電腦使用數值模擬或實驗測試來判定所述度量和發射劑量之間的關係以找出複數個參考圖案的最佳劑量，每個參考圖案根據預定的最佳化準則為所述度量之不同值集合的表示。該電腦程式產品可更包含電腦可執行代碼，其用於執行如上所述的方法，該方法為了曝光所述基板藉由根據所述圖案與取決於所述劑量圖之空間相依劑量導致電腦驅動所述粒子或光子束的來源。
10‧‧‧集體
11‧‧‧基板
12‧‧‧抗蝕劑層
20‧‧‧電子束來源
21‧‧‧電子束
30‧‧‧致動平台
40‧‧‧處理器
41‧‧‧記憶體裝置
200,210,L‧‧‧線
201,203‧‧‧虛線
D‧‧‧劑量
D0‧‧‧值
ETh‧‧‧臨限值
η‧‧‧參數
σ‧‧‧半徑參數
W‧‧‧寬度
CD‧‧‧關鍵尺寸
RP‧‧‧參考圖案
POI‧‧‧感興趣的點
D1,D2,D3,D4,D5‧‧‧直徑
PT‧‧‧圖案
額外的基本形狀以及本發明之優點將從以下結合附圖的敘述中變得顯而易見，其中：
-如上所述之圖1，其是從現有技術已知的電子束微影方法和設備的概略圖示。
- 也如上所述圖2，其闡明劑量分佈對轉移到基板上的該圖案的該些基本形狀之尺寸的影響；-圖3顯示使用於計算劑量查找表之參考圖案，其特徵在於臨界尺寸和密度值；-圖4闡明將被轉移至基板的圖案之基本形狀密度之判定；-圖5闡明將被轉移至基板的圖案之基本形狀的臨界 尺寸之判定；以及圖6A-6C為闡明本發明之技術效應的三張圖。
本發明將參照定形束EBL(包括可變定形束)來敘述，但是本發明不限於這種情況。廣義的向量或光柵掃描微影或涉及粒子(不一定是電子)或光子束的其它微米製造或奈米製造技術是直接的。在掃描束微影的情況下，必須計算其發射劑量之圖案的「基本形狀」為窄粒子或光子束在基板上的投影。
本發明意識到用於發射劑量調製的常規(例如，Abe’s)方法不是完全令人滿意的，特別是對於窄圖案，因為發射的劑量僅被計算作為密度函數，以及因此僅取決於「長範圍」度量，而沒有考慮圖案的局部或半局部特徵。本發明藉由判定作為每個形狀的密度和臨界尺寸之函數的劑量來克服這種限制。在本發明的基礎想法如下：對複數個參考圖案中的每一個計算「最佳」劑量，每個參考圖案的特徵在於至少兩個圖案度量，一個取決於圖案的非常局部(短範圍)的特徵而另一個取決於更長範圍的特徵。例如，度量可以是密度和臨界尺寸或長範圍密度和短範圍密度。參考圖形被選擇使得它們取樣由這些度量定義的參數平面(或，更一般地為超平面)。以這種方式，可以獲得配對該相應的最佳曝光劑量有關的(第一度量、第二度量)查找表。查找表接著用來藉由直接讀取或插值判 定與每個特定EBL射擊相關的劑量。
與US 2014/077103和US 2007/228293的方法相反，根據本發明，與圖案的幾何形狀(或「射擊」)相關聯的最佳劑量不僅取決於形狀本身，並且取決於位於其附近的圖案的局部特徵。校正製程比JP 2012/212792的情況簡單得多，因為劑量是從PSF直接計算的。
圖3顯示了由具有相同寬度和間距的線L的一維光柵形成的示例性參考圖案RP。關鍵尺寸CD對應於所述線的寬度，以及圖案密度係使用上述方程式3計算。最佳發射劑量是使參考圖案和藉由EBL轉移到基板上相應的圖案之間之相似性最大化的劑量。相似性可以藉由比較參考圖案和轉移的圖案之尺寸和/或輪廓來評估。這個最佳發射劑量係藉由嘗試錯誤法(trial and error)來確定，使用詳細的物理模擬或實際實驗。
如圖4所闡明，藉由計算被轉移到基板上的圖案PT與電子束的點擴展函數的卷積(或僅它的長範圍貢獻)來確定點(稱為感興趣的點POI)的密度，以及藉由在POI處取所述卷積的值。通常假設點擴展函數超過3σb的距離而變為零，因此實際上僅需要考慮包括在以POI為中心的半徑3σb之圓內的圖案的部分。
定義對於非平凡(non-trivial)圖案之臨界尺寸不那麼直接。圖5中示出了這樣做的可能方式。具有增大D1、D2、D3、D4和D5直徑並且以感興趣點為中心的一系列圓盤疊加到該圖案上。從圖5可以看出，三個最小的圓盤 -D1，D2和D3完全包含在含有感興趣點POI的圖案基本形狀PF中(「圖案基本形狀」是被轉移之圖案的連接區域，相應於將暴露於電子束的基板的區域)，以及D4是延伸超過所述基本形狀並且因此超過圖案的邊緣的最小圓盤，相應於將暴露於電子束的基板之區域極限。因此，與感興趣點相關的臨界尺寸包含在圓盤D3和D4的直徑之間。在數學上，可以對每個圓盤Di(i=1-5)定義「重疊因子」Ofii： 其中A(Di)為圓盤Di之面積、χPattern為圖案之指標函數(在圖案中χPattern=1，在圖案外=0)以及χDi為第i個圓盤的指標函數(在圓盤Di內χDi=1，在圓盤Di外χDi=0)。顯然，當圓盤完全包含在圖案的基本形狀內時，OFi=1，當其延伸超過此種基本形狀的極限時，OFi<1。基本形狀之臨限尺寸可接著定義為： 索引「i」取其中OFi<1的最小值。
計算臨界尺寸的方法不是本發明的必要特徵，並且替代方法可以設計。
POI可以是定形斑點的幾何中心，構成圖案的「基本 形狀」；通常，形狀PF由複數個相鄰或部分重疊的射擊構成。藉由應用上面參照圖4和5敘述的方法，然後將(密度；臨界尺寸)對與每個射擊相關聯。在一般情況下，將不會有精確地對應於該對之查找表的條目，但它仍然是可以使用該表來找出用於射擊之幾乎最佳的劑量。例如，與特定(密度；臨界尺寸)對相關聯的劑量可以取等於對於其存在查找表的條目中最接近對的最佳劑量，相關度量為例如(密度-臨界尺寸)空間中的歐幾里德(Euclidian)距離。也可以使用內插(例如線性、二次、樣條...)來獲得更準確的結果。
圖6A以灰度顯示對於圖3種類之複數個參考圖案使用Abe的公式(方程式1或4)計算的發射劑量，其密集地取樣該(密度-臨界尺寸)平面。可以看出，DAbe僅取決於密度，並且與臨界尺寸無關(以及實際上這從方程式4中是顯而易見的)。圖6B顯示如上解釋之藉由使用數值模擬的試驗和誤差判定相同參考圖案的最佳發射劑量。可以看出(與Abe的劑量不同)最佳發射劑量取決於臨界尺寸和密度。圖6C顯示圖6B之最佳劑量與圖6A之Abe的劑量之間的比例。可以看出，Abe的劑量對於小的臨界尺寸(近似地，CD<3α，α作為表示短範圍鄰近效應的高斯函數的標準偏差)以及對於小間隔(SPACE<3α，其中例如，對於一維圖案SPACE=CD*(1-密度)/密度)特別精確。圖6B和6C上的點闡明用來計算查找表的(密度-臨界尺寸)平面之較稀疏的取樣。
間距取決於臨界尺寸和圖案密度兩者。查找表也可以表示最佳劑量為臨界尺寸和間距、或者圖案密度和間距的函數，而不是使用臨界尺寸和密度。實際上，查找表可以基於臨界尺寸和圖案密度中任何兩個函數(只要它們彼此不成比例)。還可以藉由使用多維查找表來考慮附加參數。
本發明的方法大致藉由在電腦上執行合適的程式來實現。所述電腦可以直接驅動EBL設備(參見圖1中的電腦或處理器40)或者簡單地產生要提供給EBL設備的資料。該程式包括兩個主模組：第一個，其接收作為輸入的斷裂圖案(即，相應於EBL射擊分解成基本形狀的圖案)，並且計算該圖案的每個基本形狀的臨界尺寸和圖案密度；以及接收所述臨界尺寸和圖案密度並且使用預先計算的查找表來判定和輸出每個所述基本形狀的劑量的模組。相同的程式能夠使用相應於不同製程(由PSF和抗蝕劑臨界值定義的製程)的預先計算的查找表。程式本身和查找表可以儲存在相同或不同的(並且可能是遠端的)電腦可讀取儲存媒體。例如，程式和查找表可被儲存在圖1之處理器的記憶體裝置41。程式也可以包括數值模擬模組和用於計算查找表的參考圖案庫。或者，程式可以僅包括劑量圖計算模組，可能伴隨有數值模擬模組，EBL設備由單獨的程式驅動，接收劑量圖作為其輸入。
本發明已經參考特定實施例描述，但是本發明不限制於此。
例如，參考圖案或者它們中的至少一些可以不必是一維(即，線)光柵；可允許的參考圖案可以包括二維光柵(例如，規則的點圖案或柵格)，或甚至非光柵圖案，例如，從真實設計發佈。
臨界尺寸和圖案密度只是可以用於計算最佳發射劑量的兩個可能度量。其他可用於此目的之度量，諸如SPACE(如上定義)；其他合適的度量在以下論文中敘述：
- J.-G.Park,S.-W.Kim,S.-B.Shim,S.-S.Suh,and H.-K.Oh(2011),「The effective etch process proximity correction methodology for improving on chip CD variation in 20nm node DRAM gate」,Design for Manufacturability though Design-Process Integration V,proc.SPIE vol 7974.
- S.Sato,K.Ozawa,and F.Uesawa(2006),「Dry-etch proximity function for model-based OPC beyond 65-nm node」,proc.SPIE vol 6155.
也可以使用利用不同範圍計算的兩個(或更多個)密度。
最佳發射劑量可以作為複數個(即，兩個或更多)所述度量的函數來計算。例如，臨界尺寸可以由短範圍密度代替，短範圍密度定義為：短範圍密度=ʃʃpattern gSR(r-r ' )．dr' (方程式7)
其中 ASR是歸一化常數，以及σa參數小於σb和短範圍PSF半徑α並且通常具有短範圍PSF半徑α的相同數量級，即0.1．ασa 10．α。使用用於σa之較小的值來改善方法的精確性，但是可能導致高劑量值，並且因此導致長的寫入程序。相反的，較大σa值減少最大劑量值且因此加速寫入，但是以精確性為代價(其可以使用幾何近似校正來改善，而對寫入速度沒有不利影響)。
查找表構成用於表示度量的給定值組和對應的最佳發射劑量之間關係的有用工具，但是存在替代方案。例如，其可以判定表示作為度量的函數的劑量的多變量多項式函數的係數，將這些係數儲存在電腦記憶體中，並且使用它們來計算最佳發射劑量，而不是從預先計算表讀取。
還可以分開計算該發射劑量之第一分量作為第一度量之函數以及計該發射劑量之第二分量作為第二度量之函數，並將它們組合。
此外，劑量調變可以用於不使參考和轉移圖案之間的相似性最大化的其他目的。可以使用幾何調製來確保該相似性，然後可以使用劑量調製來優化其他合適的準則-即，用於減少曝光時間、最小化模擬誤差、減小基本形狀邊緣的粗糙度等。

Claims (18)

  1. 一種用於藉由粒子或光子束(21)手段直接寫入而將圖案(PT)轉移至基板(10)上的方法，該方法包含：- 產生劑量圖的步驟，將劑量與所述圖案之複數個基本形狀中每一個相關聯；以及- 根據取決於所述劑量圖之該圖案與空間相依的發射劑量，曝光該基板的步驟；其特徵在於所述產生劑量圖的步驟包括：-對於該些基本形狀中每一者計算該圖案之至少第一和第二度量，該第一度量表示在來自所述基本形狀之第一範圍內的該圖案的特徵，以及該第二度量表示在來自該些基本形狀大於該第一範圍的第二範圍內的該圖案的特徵；以及判定有關於該圖案之所述基本形狀中每一者的該發射的劑量作為所述度量之函數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述第一度量為該圖案之臨界尺寸以及所述第二度量為圖案密度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，包含從該圖案和以基本形狀的幾何中心為中心的圓盤之間的重疊因子計算臨界尺寸，圓盤的直徑使得其部分地延伸超過圖案的邊緣。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該圓盤 為以基本形狀的幾何中心為中心以部分地延伸超過該圖案的所述邊緣之預定的有限組之圓盤中最小的。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項所述之方法，包含藉由利用粒子或光子束的點擴展函數迴旋積計算圖案，而計算每個基本形狀的密度值。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一度量為藉由將該圖案與由第一半徑特徵的粒子或光子束的點擴展函數進行迴旋積計算而計算的密度值，以及該第二度量可以是藉由將該圖案與由比該第一半徑大的第二半徑特徵的粒子或光子束的點擴展函數進行迴旋積計算而計算的密度值。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述曝光該基板之步驟係藉由投影定形粒子或光子射擊在所述基板上執行，每一射擊相應於該圖案之基本形狀，以及其中所述劑量圖將劑量與每個所述射擊相關聯。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述判定與該圖案之所述基本圖形的每一個相關聯之該發射的劑量作為所述度量之函數的步驟係藉由使用預先計算的查找表進行。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中所述產生劑量圖之步驟包括從該查找表直接地讀取與每個所述基本形狀相關聯的該劑量。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中所述產生劑量圖之步驟包括藉由從該查找表讀取的兩個值之間插 值來獲得與每個所述基本形狀相關聯的該劑量。
  11. 如申請專利範圍第1-10項中任一項所述之方法，更包含藉由使用數值模擬或實驗測試以找出複數個參考圖案(RP)的最佳劑量來判定所述度量和發射劑量之間的關係之初期校正步驟，每個參考圖案根據預定的最佳化準則為所述度量之不同值集合的表示。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中至少一些所述的參考圖案包括一維或二維光柵。
  13. 如申請專利範圍第11或12項中任一項所述之方法，其中所述最佳準則在於最大化參考圖案和轉移到該基板上之該相應圖案之間的相似性。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中所述的束為電子束。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包含：-在所述曝光該基板之前，沉積抗蝕劑層(12)在該基板上之步驟；以及-在所述曝光該基板之後，該抗蝕劑層顯影之步驟。
  16. 一種電腦程式產品，包含用於導致電腦產生劑量圖、將發射劑量與藉由粒子或光子束(21)手段直接寫入被轉移到基板(10)上之圖案(PT)的複數個基本形狀中的每一個相關聯、藉由計算用於該圖案之所述基本形狀中的每一個之至少兩度量、以及判定與該圖案之每一個所述基本形狀相關聯的發射劑量作為所述度量之函數的電腦可執行代碼。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電腦程式產品，更包含電腦可讀取代碼，其用於導致電腦使用數值模擬或實驗測試來判定所述度量和發射劑量之間的關係以找出複數個參考圖案的最佳劑量，每個參考圖案根據預定的最佳化準則為所述度量之不同值集合的表示。
  18. 如申請專利範圍第16或17項中任一項所述之電腦程式產品，更包含用於執行如申請專利範圍第1至15項中任一項所述之方法的電腦可執行代碼，該方法為了曝光所述基板藉由根據所述圖案與取決於所述劑量圖之空間相依劑量導致電腦驅動所述粒子或光子束的來源。
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