TW201707824A - 雷射加工裝置 - Google Patents

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Abstract

在被加工物的內部形成改質層的雷射加工方法中，將消融的發生抑制成最低限度，且解決產生有無法正常分割被加工物之區域的問題。 提供一種雷射加工裝置，其至少具備：保持手段，其保持被加工物；雷射光線照射手段，其具備：照射對於該保持手段所保持的被加工物而言具有穿透性之波長的雷射光線而在內部形成改質層的聚光器；及加工搬運手段，其將該保持手段相對於該雷射光線照射手段進行相對的加工搬運，還具備監視該雷射光線所照射之區域的監視手段，該監視手段在檢測到因該雷射光線的聚光點從被加工物的內部移動至表面側所產生之光的情況，判斷為異常並停止該雷射光線的加工。

Description

雷射加工裝置
本發明，係關於一種雷射加工裝置，係對半導體晶圓等之被加工物照射具有穿透性的雷射光線，來在被加工物的內部形成改質層。
在半導體元件製造工程中，在含有如矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板、鉭酸鋰基板、玻璃基板或是石英基板之適當基板的晶圓表面，藉由形成格子狀之被稱之為切割道的分割予定線而區劃成複數個區域，在該區劃出的區域形成IC、LSI等之元件。然後，藉由沿著切割道切斷晶圓，而將形成有元件的區域予以分割，製造出各個半導體元件，被分割出來的各元件係利用於行動電話、電腦等之電氣機器。
作為前述將構成半導體元件之半導體晶圓之板狀的被加工物予以分割的方法，亦嘗試有使用對於該被加工物而言具有穿透性的脈衝雷射光線，對於應分割的區域內部聚焦聚光點來照射脈衝雷射光線的雷射加工方法。使用該雷射加工方法的分割方法，係從被加工物的一方面 側對內部聚焦聚光點來照射對於被加工物而言具有穿透性之波長的脈衝雷射光線，而在被加工物的內部沿著切割道連續形成改質層，沿著因形成有該改質層而強度降低的切割道來施加外力，藉此來分割被加工物(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3408805號公報
根據前述的加工方法，與使用對於被加工物的表面而言具有吸收性的雷射光線來設置溝槽藉此分割被加工物的雷射加工方法相較之下，藉由使用對於被加工物而言具有穿透性的脈衝雷射光線，在雷射加工之際不會有發生碎屑飛散的情況，可在被加工物的內部形成脆弱的改質層。
但是，為了實行前述加工方法，有必要在厚度為0.1mm(100μm)水準的半導體晶圓內部將聚光點正確地控制在所瞄準的高度位置，在因半導體晶圓之些微的彎曲、或是厚度的偏差等而導致雷射光線的聚光點偏移該半導體晶圓之內部之既定的目標點而定位在表面側時，即使是對於該晶圓而言具有穿透性的波長，亦無法對該部位的內部形成改質層而成為加工不良部位。於是，在施以雷 射加工之後，即使沿著切割道施加外力想要分割被加工物，亦會產生有在該不良部位的各個元件無法正常分割的問題。
且，當雷射光線的聚光點偏離該半導體晶圓之內部之既定的目標位置而定位在表面側時，該晶圓表面會對雷射光線產生急遽的反應而引起消融，藉由該消融所產生的碎屑會飛散至外部而有著污染構成聚光器之對物透鏡的問題。
本發明，係有鑑於上述事實而完成者，其主要的技術性課題，係藉由使用對於被加工物而言具有穿透性的脈衝雷射光線，而在進行雷射加工之際不會產生碎屑的飛散便在被加工物的內部形成脆弱之改質層的雷射加工方法中，可將消融的發生抑制在最低限度，解決產生有無法正常分割被加工物之區域的問題，進一步而言，係解決因該消融所產生之碎屑飛散所造成之污染構成聚光器之對物透鏡的問題。
為了解決上述主要的技術性課題，根據本發明，提供一種雷射加工裝置，其至少具備：保持手段，其保持被加工物；雷射光線照射手段，其具備：照射對於該保持手段所保持的被加工物而言具有穿透性之波長的雷射光線而在內部形成改質層的聚光器；及加工搬運手段，其將該保持手段相對於該雷射光線照射手段進行相對的加工 搬運，還具備監視該雷射光線所照射之區域的監視手段，該監視手段在檢測到因該雷射光線的聚光點從被加工物的內部移動至表面側所產生之光的情況，判斷為異常並停止該雷射光線的加工。
關於本發明的監視手段，其中，前述監視手段具備：與前述聚光器鄰接配設的光感測器；以及在該光感測器檢測出超過該既定值之光的情況，判斷為前述異常的異常判定部，在該異常判定部判定為異常的情況，停止該雷射光線的加工。
且，關於本發明的監視手段，其中，前述監視手段具備：與前述聚光器鄰接配設的光感測器；以及該光感測器檢測到在被加工物發生具有既定波長之脈衝的情況，判斷為前述異常的異常判定部，在該異常判定部判定為異常的情況，停止該雷射光線的加工。
此外，關於本發明的前述雷射光線照射手段，係含有：使雷射光線振動的振動器、將該振動器所振動的該雷射光線導引至前述聚光器的第一經路，前述監視手段，係具備：分光濾鏡，其配設在該第一經路，使該振動器所振動之既定波長的雷射光線穿透，並將來自被加工物側之其他波長的光予以反射導引至第二經路；光感測器，其配設在該第二經路，檢測出藉由該分光濾鏡所反射的光；異常判定部，係在該光感測器檢測到超過既定值之光的情況，判定為前述異常，在該異常判定部判定為異常的情況，停止該雷射光線的加工。
關於本發明的雷射加工裝置，係配設有監視被加工物之照射有雷射光線之區域的監視手段，且構成為當該監視手段檢測到該雷射光線的聚光點從被加工物的內部移動至表面側所產生之光的情況，判定為異常且停止該雷射光線的加工，故可將消融的發生抑制在最低限度，可解決在沿著切割道施加外力來分割被加工物時，於各個元件產生有無法分割之區域的問題。此外，可解決因消融所產生之碎屑飛散導致污染構成聚光器之對物透鏡的問題。
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧夾具平台機構
4‧‧‧雷射光線照射單元支撐機構
5‧‧‧雷射光線照射單元
6‧‧‧控制部
31、41‧‧‧導引軌
32‧‧‧第1滑動塊
33‧‧‧第2滑動塊
36‧‧‧夾具平台
42‧‧‧可動支撐基台
51‧‧‧單元固定器
52‧‧‧雷射光線照射手段
53‧‧‧聚光器
54‧‧‧振動器
55‧‧‧Z軸方向位置檢測手段
522‧‧‧光感測器
523‧‧‧帶通濾波器
533‧‧‧分光濾鏡
圖1為依照本發明所構成之雷射加工裝置的立體圖。
圖2為圖1所示之雷射加工裝置的主要部分立體圖。
圖3為表示由圖2所示之雷射加工裝置所加工之加工狀態的主要部分剖面圖。
圖4為依照本發明所構成之雷射加工裝置之第1實施形態的主要部分側視圖、及控制流程圖。
圖5為依照本發明所構成之雷射加工裝置之第2實施形態的主要部分側視圖、及控制流程圖。
圖6為表示依照本發明所構成之雷射加工裝置之第3實施形態的方塊圖。
以下，針對依照本發明所構成之雷射加工裝置之較佳的實施形態，參照附加圖式來詳細進行說明。
於圖1，表示有依照本發明所構成的第1實施形態之雷射加工裝置的立體圖。圖1所示的雷射加工裝置，係具備：靜止基台2；將在該靜止基台2於箭頭X所示之加工搬運方向(X軸方向)可移動地配設之被加工物予以保持的夾具平台機構3；在靜止基台2於與上述箭頭X所示之方向正交之箭頭Y所示之切割送出方向(Y軸方向)可移動地配設的雷射光線照射單元支撐機構4；以及在該雷射光線照射單元支撐機構4於箭頭Z所示之方向(Z軸方向)可移動地配設的雷射光線照射單元5。
上述夾具平台機構3，係具備：於靜止基台2上沿著箭頭X所示的加工搬運方向平行地配設的一對導引軌31、31；在該導引軌31、31上於箭頭X所示的加工搬運方向可移動地配設的第1滑動塊32；在該第1滑動塊32上於箭頭Y所示的切割送出方向可移動地配設的第2滑動塊33；藉由圓筒構件34被支撐在該第2滑動塊33上的罩台35；以及作為被加工物保持手段的夾具平台36。該夾具平台36係具備由多孔性材料所形成的吸附夾具361，於吸附夾具361上藉由未圖示的吸引手段來保持被加工物之例如圓盤狀的半導體晶圓。如上述構成的夾具平台36，係藉由配設在圓筒構件34內之未圖示的脈衝馬達來旋轉。且，於夾具平台36，配設有用來固定後述之 環狀框的鉗362。
圖示之實施形態的夾具平台機構3，係具備將第1滑動塊32沿著一對導引軌31、31往箭頭X所示之加工搬運方向移動用的加工搬運手段37，至少由驅動該第1滑動塊32的脈衝馬達371所構成。
上述雷射光線照射單元支撐機構4，係具備：於靜止基台2上沿著箭頭Y所示之切割送出方向平行地配設的一對導引軌41、41；以及在該導引軌41、41上於箭頭Y所示之方向可移動地配設的可動支撐基台42。該可動支撐基台42，係由在導引軌41、41上可移動地配設的移動支撐部421、以及安裝在該移動支撐部421的安裝部422所構成。安裝部422，係於一側面平行地設有於箭頭Z所示之方向延伸的一對導引軌423、423。圖示之實施形態的雷射光線照射單元支撐機構4，係具備切割送出手段43，其係用來使可動支撐基台42沿著一對導引軌41、41往箭頭Y所示之切割送出方向移動。該切割送出手段43，係含有：平行配設在上述一對導引軌41、41之間的公螺桿431；以及用來使該公螺桿431旋轉驅動之脈衝馬達432等的驅動源。公螺桿431，其一端係旋轉自如地被支撐在：被固定於上述靜止基台2之未圖示的軸承塊，其另一端係傳動連結於上述脈衝馬達432的輸出軸。且，公螺桿431，係與母螺紋孔螺合，母螺紋孔係形成於從構成該可動支撐基台42之移動支撐部421的中央部下面突出設置之未圖示的母螺紋塊。因此，藉由脈衝馬達432來使 公螺桿431正轉及逆轉驅動，使可動支撐基台42沿著導引軌41、41往箭頭Y所示的切割送出方向移動。
圖示之實施形態的雷射光線照射單元5，係具備：單元固定器51；以及安裝在該單元固定器51的雷射光線照射手段52。單元固定器51，係設有一對被導引槽，其可滑動地與設在上述安裝部422的一對導引軌423、423嵌合，藉由將該被導引槽嵌合於上述導引軌423、423，而於箭頭Z所示的焦點位置調整方向(Z軸方向)可移動地被支撐。
前述雷射光線照射單元5，係具備用來檢測雷射光線照射手段52之Z軸方向位置的Z軸方向位置檢測手段55。Z軸方向位置檢測手段55，係由：與上述導引軌423、423平行配設的線性刻度551；以及與安裝於上述單元固定器51的該單元固定器51一起沿著線性刻度551移動的讀取頭552所構成。該Z軸方向位置檢測手段55的讀取頭552，在圖示的實施形態中，係每1μm對後述的控制部送出1脈衝的脈衝訊號。
前述雷射光線照射手段52，至少具有實質上呈水平配置之圓筒形狀的外殼與其前端部的聚光器53。於該外殼內具備：後述的加工用脈衝雷射光線振動器；以及調整該加工用脈衝雷射光線振動器所振動之加工用脈衝雷射光線之強度的強度調整器(衰減器)，於該聚光器53具備：將來自該脈衝雷射光線振動器的雷射光線朝向夾具平台36變換方向的反射體；以及將藉由該反射體變 換方向過的加工用脈衝雷射光線予以聚光的對物聚光透鏡。該加工用脈衝雷射光線振動器，在被加工物為含有矽基板、碳化矽基板、鉭酸鋰基板、玻璃基板或是石英基板的晶圓時，例如可使用使波長為1064nm之脈衝雷射光線振動的脈衝雷射振動器或是YAG脈衝雷射振動器。
圖示之實施形態的雷射加工裝置，係具備未圖示的高度位置測量手段，其用來測量夾具平台36所保持之被加工物亦即半導體晶圓W的上表面高度位置。在半導體晶圓W的內部形成改質層之際，於半導體晶圓W的厚度有偏差時，無法在既定深度形成均勻的改質層。於是，藉由具有該高度位置測量手段，在對被加工物施以雷射加工之前，以該高度位置測量手段來測量夾具平台36所保持之半導體晶圓W的高度位置。
以前述高度位置測量手段，來測量該半導體晶圓W上所形成之所有分割予定之切割道線的一端到另一端為止的高度，該高度位置資訊係儲存於後述之控制部的隨機存取記憶體。然後，依據該測量過的高度位置資訊，在半導體晶圓W之內部的既定高度位置設定雷射光線的聚光點，如圖2所示般相對於雷射光線照射手段的聚光器53，使與前述夾具平台36所載置的框架F、薄片T一體化的半導體晶圓W相對地移動來加工搬運，並施以雷射加工，來照射對該半導體晶圓W而言具有穿透性之波長的雷射光線而在內部形成改質層。
且，上述雷射加工，係例如在以下的加工條 件下來進行。
波長：1064nm
反覆頻率：50kHz
光點徑：φ2μm
平均輸出：1W
搬運速度：100mm/秒
在此，藉由上述高度位置測量手段，正確地把握半導體晶圓W的高度位置，而正常進行雷射加工裝置之雷射光線之聚光點的控制時，如圖3(a)所示般，在半導體晶圓W內部之所期望的高度位置形成改質層P。但是，該半導體晶圓W的厚度係薄到100μm，故素材之些微的彎曲，高度位置測量手段的測量精度、雷射照射手段之聚光點位置之控制精度的偏差等，會因各種條件使雷射光線的聚光點錯開所期望的高度位置，有著如圖3(b)所示般，錯開半導體晶圓W之表面側的情況。在此情況，在該錯開的位置的話，就無法在半導體晶圓W之內部之所期望的高度位置形成改質層P，且就這樣持續進行伴隨著雷射照射的加工時，即使對該半導體晶圓施加外力想分割成各個半導體元件，亦會產生無法正常分割的問題。
在此，相對於聚光器53，使夾具平台36相對移動地進行加工搬運，並施以在半導體晶圓W內形成改質層P之雷射加工的狀態中，在因某種原因使前述聚光點的位置移動至構成半導體晶圓W之基板的矽基板之表面 側的情況，雷射光線的聚光點會與矽基板上一致，可知會產生矽電漿發光。
在此，由本發明所構成之第1實施形態的雷射加工裝置中，作為監視雷射光線所照射之區域的監視手段，係至少具備光感測器522與後述的異常判定部。圖1、圖4(a)所示之該光感測器522，係與上述聚光器53鄰接配置，朝向由該聚光器所照射之雷射光線之聚光點附近的區域，在檢測到由該區域所發出的光時，產生有因應該檢測出之光之光量的電壓，並將該電壓值訊號傳達至控制部6。
於上述控制部，係具備雷射振動停止控制手段來作為圖4(b)所示之以流程圖所示的異常判定部。在上述雷射加工開始時，起動雷射振動停止控制手段，並以前述光感測器522經常監視由聚光器所照射之雷射光線之聚光點附近的區域，判斷由該光感測器522所檢測出的光量是否為既定值以上，亦即，判斷輸出的電壓是否為既定值以上(S1)。在所檢測出的電壓值比該既定值還低，而在該S1被判定成「NO」的情況，判斷矽電漿發光沒有發生而回到開始，並以既定的時間間隔來反覆執行該S1。
然後，在S1所檢測出的電壓值為既定值以上的情況，判定為雷射光線的聚光點從被加工物的內部移動至表面附近而發生了矽電漿發光的異常狀態，並進入S2，為了停止雷射光線的加工，而進行使雷射振動器停止 的控制。
該實施形態中，因某種原因而使雷射光線的聚光點移動至半導體晶圓的表面時，由於如圖4(b)所示般具有雷射振動停止控制手段，故能夠即時檢測出加工不良，並即時停止雷射光線的加工。藉此，可將消融的發生抑制在最低限度，可防止在產生有加工不良的狀態繼續進行加工的情況，且容易特定出加工不良部位。而且，藉由在該部位實行雷射光線照射手段的再設定而重新進行雷射加工，可解決在後面的步驟產生有各個元件無法分割之區域的問題。
接著，針對本發明之雷射加工裝置的第2實施形態進行說明。且，該第2實施形態，相對於前述第1實施形態，只有監視手段不同，而其他部份為一致，故針對第2實施形態的監視手段進行說明，並省略其他部份的說明。
圖5(a)所示之第2實施形態，係與第1實施形態同樣地，在雷射光線照射手段的聚光器53附近，具備光感測器522，其構成用來監視雷射光線所照射之區域之監視手段的一部份。在此，該第2實施形態中，除了第1實施形態的光感測器522之外，還進一步具備只有特定波長頻域的光能夠穿透的帶通濾波器523，就此點來看與第1實施形態不同。
第1實施形態中，由於只有光感測器522在檢測光，故只有藉由表示所檢測出光之光量的電壓值來檢 測矽電漿發光的發生。因此，由於有著因其他原因所產生的光導致之誤檢測的虞慮，在構成異常判定部的雷射振動停止控制手段中，有必要適當進行用來判別是否為矽電漿發光之上述既定值的設定。相對於此，第2實施形態的監視手段，係除了光感測器522之外，還具備只有特定波長的光能夠穿透的帶通濾波器523。使上述條件之雷射光線的聚光點位在半導體晶圓W的表面而發生的矽電漿發光，其波長為251nm，故採用只有240~260nm的波長能通過的過濾玻璃來作為第2實施形態的前述帶通濾波器523，並配置在光感測器522的入光部分。
針對第2實施形態的雷射振動停止控制手段，根據圖5(b)進行說明。與第1實施形態同樣地，在上述雷射加工開始時，起動雷射振動停止控制手段，並以前述光感測器522經常監視由聚光器所照射之雷射光線之聚光點附近的區域，判斷光量是否為既定值以上，亦即，判斷光感測器522的輸出值是否超過既定的電壓值(S10)。在矽電漿發光沒有發生，而在該S1判定為「NO」的情況，回到開始，並以既定的時間間隔來反覆執行。且，在該S10判定為「Yes」的情況，進入到S11且為了停止雷射光線的加工而停止雷射光線振動手段。
上述第2實施形態中，除了由第1實施形態所得到的效果之外，即使是在因其他原因所發生之光的光量較強的作業環境，由於在作為監視手段之光感測器522的入光部分具有上述帶通濾波器523，故不會受到具有矽 電漿發光以外之波長之光的影響，於是在步驟10，能夠抑制將其他的光誤判為雷射加工之加工不良所發生者的情況，可精度良好地只檢測出雷射光線的聚光點移動至半導體晶圓表面時所產生之矽電漿發光所致的發光，比較容易進行藉由光感測器522來判定矽電漿發光有產生之既定值的設定。
此外，針對本發明之雷射加工裝置的第3實施形態，以與第1、第2實施形態不同之處為中心，根據圖6所記載的方塊圖進行詳細說明。
該第3實施形態中，於設在聚光器53內的反射體531與對物聚光透鏡532之間的光軸上，具備有使波長為1000~1100nm之光線穿透的分光濾鏡533，而使由振動雷射光線的振動器54所照射的雷射光線(波長1064nm)穿透。
在雷射光線照射手段52內，至少具備前述振動器54、以及調整由該振動器54所照射之雷射光線之強度的強度調整部55，且構成有將由該振動器54所照射的雷射光線導引至前述聚光器53的第一經路LB1，並設有將從半導體晶圓W側所發出且在前述分光濾鏡533被反射的反射光予以接受的光感測器522'。而且，於該光感測器522'的入光部，設有帶通濾波器523'，且構成有將該反射光從該分光濾鏡533導引至該光感測器522'的第二經路LB2。且，該第3實施形態中，並沒有設置：在第1、第2實施形態所設置之與聚光器53鄰接配置的光感測器 522。
該第3實施形態的雷射加工裝置，除了上述構造以外的部份，係具有與第1、第2實施形態相同的構造，由前述振動器54所照射的雷射光線，係在反射體531改變行進方向而朝向被加工物的半導體晶圓W側，以使該雷射光線穿透分光濾鏡533，經過對物聚光透鏡532而在半導體晶圓W的內部形成改質層P的方式，調整雷射加工裝置所致之聚光點位置。
與第1、第2實施形態同樣地，因某種原因而使相對於半導體晶圓W之雷射光線的聚光點高度位置產生變化，且該聚光點位置變位至半導體晶圓W的表面時會發生矽電漿發光。由於該矽電漿發光的波長係如上述般為251nm，故在半導體晶圓W側所發生的該光並不會穿透上述分光濾鏡533，而是反射且變更行進方向，通過上述第二經路LB2，而進入帶通濾波器523'。該帶通濾波器523'亦與第2實施形態的帶通濾波器523同樣地只有讓波長為251nm附近的光線穿透，故上述矽電漿發光，會穿透該帶通濾波器523'，而讓該矽電漿發光所致的光進入光感測器522'，且因應該進入之光的光量而產生的電壓值被輸入至控制部6。第3實施形態中，與第2實施形態同樣地具備有作為異常判定部的雷射振動停止控制手段(參照圖5(b))，其發揮與第2實施形態相同的作用效果，且沒有必要將前述光感測器522'鄰接設置於聚光器，故即使因雷射加工不良而使半導體晶圓W表面產生碎屑且飛 散，亦不會污染到光感測器。
且，上述第3實施形態中，雖提示出於光感測器522'的入光部設置帶通濾波器523'，但並沒有一定要設置帶通濾波器523'，可與上述第1實施形態同樣地，適當地設定與由光感測器522'所檢測出之光量成比例的電壓值進行比較的既定值，來檢測出雷射光線的聚光點從被加工物的內部移動至表面附近所發生的矽電漿發光。
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧夾具平台機構
4‧‧‧雷射光線照射單元支撐機構
5‧‧‧雷射光線照射單元
31、41‧‧‧導引軌
32‧‧‧第1滑動塊
33‧‧‧第2滑動塊
34‧‧‧圓筒構件
35‧‧‧罩台
36‧‧‧夾具平台
37‧‧‧加工搬運手段
42‧‧‧可動支撐基台
43‧‧‧切割送出手段
51‧‧‧單元固定器
52‧‧‧雷射光線照射手段
53‧‧‧聚光器
55‧‧‧Z軸方向位置檢測手段
361‧‧‧吸附夾具
362‧‧‧鉗
371‧‧‧脈衝馬達
421‧‧‧移動支撐部
422‧‧‧安裝部
423‧‧‧導引軌
431‧‧‧公螺桿
432‧‧‧脈衝馬達
522‧‧‧光感測器
551‧‧‧線性刻度
552‧‧‧讀取頭

Claims (4)

  1. 一種雷射加工裝置，其至少具備：保持手段，其保持被加工物；雷射光線照射手段，其具備：照射對於該保持手段所保持的被加工物而言具有穿透性之波長的雷射光線而在內部形成改質層的聚光器；及加工搬運手段，其將該保持手段相對於該雷射光線照射手段進行相對的加工搬運，其特徵為，具備監視該雷射光線所照射之區域的監視手段，該監視手段在檢測到因該雷射光線的聚光點從被加工物的內部移動至表面側所產生之光的情況，判斷為異常並停止該雷射光線的加工。
  2. 如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，前述監視手段具備：與前述聚光器鄰接配設的光感測器；以及在該光感測器檢測出超過該既定值之光的情況，判斷為前述異常的異常判定部，在該異常判定部判定為異常的情況，停止該雷射光線的加工。
  3. 如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，前述監視手段具備：與前述聚光器鄰接配設的光感測器；以及該光感測器檢測到在被加工物發生具有既定波長之脈衝的情況，判斷為前述異常的異常判定部，在該異常判定部判定為異常的情況，停止該雷射光線的加工。
  4. 如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，前述雷射光線照射手段，係含有：使雷射光線振動的振動器、將該振動器所振動的該雷射光線導引至前述聚光器的第一經 路，前述監視手段，係具備：分光濾鏡，其配設在該第一經路，使該振動器所振動之既定波長的雷射光線穿透，並將來自被加工物側之其他波長的光予以反射並導引至第二經路；光感測器，其配設在該第二經路，檢測出藉由該分光濾鏡所反射的光；異常判定部，係在該光感測器檢測到超過既定值之光的情況，判定為前述異常，在該異常判定部判定為異常的情況，停止該雷射光線的加工。
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