TW201703863A - 控制粒子軌跡的系統及方法與靜電過濾器 - Google Patents
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Abstract
本文提供了用於從束線靜電元件控制粒子軌跡的方法。在示範性方法中，沿著靜電過濾器(EF)的束線安置束線靜電元件，並將電壓供應到束線靜電元件上以產生圍繞束線靜電元件的靜電場，從而攪動在束線靜電元件上形成的汙染粒子層。然後，修改來自汙染粒子層的粒子集合的軌跡以將粒子集合導向EF內的所希望的位置上。在一個方法中，通過提供鄰接束線靜電元件的額外電極和供應電壓到額外電極上以控制接近束線靜電元件的局部靜電場來控制軌跡。在另一方法中，軌跡受束線靜電元件的一或多個幾何特徵影響。
Description
本發明大體涉及用於製造電子裝置的技術，且更明確地說，涉及用於減少在處理腔室內產生的到達晶圓的粒子汙染的技術。
離子植入是經由轟擊將摻雜劑或雜質引入到基底內的製程。在半導體製造中，引入摻雜劑以更改電學、光學或機械特性。舉例來說，可將摻雜劑引入到固有半導體基底內以更改基底的傳導性的類型和等級。在製造積體電路（integrated circuit，IC）的過程中，精確的摻雜分佈提供改善了的IC性能。為了實現所希望的摻雜分佈，可以離子的形式按各種劑量和各種能級植入一種或多種摻雜劑。
常規的離子植入系統可包括離子源和一系列束線元件。離子源可包括產生所希望的離子的腔室。離子源還可包括安置在腔室附近的電源與提取電極組合件。束線元件可包含（例如）質量分析器、第一加速或減速級（stage）、準直器以及第二加速或減速級。極其類似於用於操控光束的一系列光學透鏡，束線元件可過濾、聚焦和操控具有所希望的物質、形狀、能量和其他性質的離子或離子束。離子束穿過束線元件，且可導向安裝在壓板或夾鉗上的基底。基底可由有時被稱作旋轉板（roplat）的設備在一或多個維度上移動（例如，平移、旋轉和傾斜）。
離子植入機系統產生用於多種不同的離子物質和提取電壓的穩定的經良好界定的離子束，以在延長的時間週期內理想地操作離子源，同時避免需要維護或維修。在使用源氣體（例如，AsH3
、PH3
、BF3
和其他物質）正常操作若干小時後，射束成分最終在射束光學器件上產生沉積物。在晶圓視線內的射束光學器件也變得塗布有來自晶圓的殘餘物，其包含Si和光阻化合物。這些殘餘物在束線元件上累積，這會引起在正常操作期間的DC電位的尖峰（例如，就電偏壓元件來說），並最終脫落，這導致晶圓上的粒子汙染的可能性增加。
汙染問題降低了在電子裝置製造中的電漿蝕刻和沉積的效力。粒子汙染可導致裝置失效、不佳的膜性質、材料電阻率的變化，以及雜質滲透。另外，隨著裝置的尺寸減小，對蝕刻分佈的更嚴格的控制轉化為對可允許的粒子汙染的數量、密度和大小的更嚴格的限制。
此外，當使用選擇性電漿蝕刻製程時，可放大粒子汙染的作用。一些電漿蝕刻製程依賴於饋入氣體和蝕刻條件的組合，以在晶圓上選擇性地蝕刻材料表面。以這些高度選擇性的電漿的形式並以緩慢速率蝕刻的粒子的化學形成物產生微罩幕（micromasking），或通常被稱作「草地（grass）」的不規則表面。未反應的材料的這個尖峰或峰還可使裝置性能降級，並減小製程良率。
鑒於前述，提供用於從束線元件的束線靜電元件控制粒子軌跡的系統和方法，其中在束線靜電元件附近提供額外靜電元件，以對接近束線靜電元件的局部靜電場進行塑形，從而產生禁止或限制粒子缺陷沿著束線元件的離子束線的傳遞的場形狀。此外，使用束線靜電元件的一或多個幾何特徵控制粒子缺陷的軌跡是有利的。
根據本發明的示範性系統可包含束線元件，其包含沿著離子束線安置的束線靜電元件，和鄰接束線靜電元件的額外電極。一或多個電源經配置以供應電壓到束線靜電元件上以產生靜電場，從而沿著所述離子束線加速離子。所述一或多個電源進一步經配置以供應電壓到額外電極上，從而控制接近束線靜電元件的局部靜電場。
示範性靜電過濾器（electrostatic filter，EF）可包含沿著離子束線安置的多個傳導性射束光學器件和鄰接多個傳導性射束光學器件的額外電極。EF進一步包含與多個傳導性射束光學器件通信的一或多個電源和額外電極，所述一或多個電源經配置以供應電壓到多個傳導性射束光學器件上以產生束線靜電場，從而沿著所述離子束線加速離子，其中供應到多個傳導性射束光學器件的電壓從多個傳導性射束光學器件的表面攪動汙染粒子層。所述一或多個電源進一步經配置以供應電壓到額外電極上，從而控制接近多個傳導性射束光學器件中的一或多者的局部靜電場，其中局部電場修改來自汙染粒子層的粒子集合的速度以控制接近多個傳導性射束光學器件中的所述一或多者的粒子集合的軌跡。
根據本發明的示範性方法可包含沿著靜電過濾器（electrostatic filter，EF）的束線安置束線靜電元件，和供應電壓到束線靜電元件上以產生沿著離子束線加速離子的靜電場，所述電壓攪動在束線靜電元件的表面上形成的汙染粒子層。所述方法可進一步包含控制來自汙染粒子層的粒子集合的軌跡，以將粒子集合導向EF內的所希望的位置上。
現將在下文參看附圖來更充分地描述根據本發明的系統和方法，在附圖中繪示了系統和方法的實施例。所述系統和方法可以許多不同形式體現，且不應解釋為受限於本文中所闡明的實施例。替代地，提供這些實施例，使得本發明將透徹且完整，且將向所屬領域的技術人員充分傳達系統和方法的範圍。
為了方便且清晰起見，例如「頂部」、「底部」、「上部」、「下部」、「垂直」、「水準」、「側向」和「縱向」等術語將在本文中用以描述這些組件和其組成部分的相對放置和定向，每一者都是關於半導體製造裝置的元件如在圖式中出現的幾何形狀和定向。所述術語將包含具體提到的詞、其衍生詞和類似意思的詞。
如本文中所使用，以單數形式敍述並且前面有詞「一」的元件或操作應被理解為包含複數個元件或操作，直到明確敍述此類排除。此外，對本發明的「一個實施例」的參考並不意圖作為限制。額外實施例也可並有所敍述的特徵。
如本文進一步描述，靜電元件或透鏡的幾何結構和電壓在確定靜電元件對離子和那些離子的軌跡的作用的過程中是有影響的。靠近偏壓靜電元件的圍繞區域影響發源於或來自偏壓靜電元件的粒子缺陷的軌跡。因此，通過產生靜電場輪廓來從靜電元件控制粒子軌跡以減少粒子缺陷沿著離子束線的傳遞是有利的。
在示範性方法中，沿著垂直靜電能量過濾器（vertical electrostatic energy filter，VEEF）或靜電過濾器（electrostatic filter，EF）的離子束線安置束線靜電元件，並將電壓供應到束線靜電元件上以產生圍繞束線靜電元件的靜電場。電壓攪動在束線靜電元件上形成的汙染粒子層。然後，修改來自汙染粒子層的粒子（例如，一或多個粒子）集合的軌跡以將粒子集合導向EF內的所希望的位置上。
在一個方法中，通過提供鄰接束線靜電元件的額外電極和供應電壓到額外電極上以產生接近束線靜電元件的局部靜電場來控制軌跡。局部靜電場修改粒子集合的初始速度，隨後影響粒子集合的軌跡。在另一個方法中，束線靜電元件的一或多個幾何特徵影響局部靜電場。在每個方法中，對靜電場輪廓進行塑形以將粒子集合導向EF內的所希望的位置上，同時保持EF內的離子束軌跡。
現參看圖1，繪示表明根據本發明的系統10的示範性實施例。離子植入系統（在下文中稱為「系統」）10表示處理腔室，其含有用於產生離子束18的離子源14、離子植入機和一系列束線元件16，以及其他元件。離子源14可包括用於收納氣流24和產生離子的腔室。離子源14還可包括安置在腔室附近的電源與提取電極組合件。束線元件16可包含（例如）質量分析器34、第一加速或減速級（stage）36、準直器38和用於加速或減速離子束18的靜電過濾器（electrostatic filter，EF）40。
在示範性實施例中，束線組件16可過濾、聚焦和操縱離子或離子束18以具有所希望的物質、形狀、能量和其他性質。穿過束線組件16的離子束18可導向安放在處理腔室46內的壓板或夾鉗上的基底。基底可在一或多個維度中移動（例如平移、旋轉和傾斜）。
如圖所示，可存在一或多個饋入源28，其可與離子源14的腔室一起操作。在一些實施例中，從饋入源28提供的材料可包含源材料和/或額外材料。源材料可含有以離子的形式引入到基底中的摻雜物質。同時，額外材料可包含稀釋劑，其連同源材料一起引入到離子源14的離子源腔室中以稀釋離子源14的腔室中的源材料的濃度。額外材料還可包含清潔劑（例如，蝕刻劑氣體），其引入到離子源14的腔室中並在系統10內傳遞以清潔束線元件16中的一或多者。
在各種實施例中，可將不同物質用作源材料和/或額外材料。源材料和/或額外材料的實例可包含含有硼（boron，B）、碳（carbon，C）、氧（oxygen，O）、鍺（germanium，Ge）、磷（phosphorus，P）、砷（arsenic，As）、矽（silicon，Si）、氦（helium，He）、氖（neon，Ne）、氬（argon，Ar）、氪（krypton，Kr）、氮（nitrogen，N）、氫（hydrogen，H）、氟（fluorine，F）和氯（chlorine，Cl）的原子或分子物質。所屬領域的一般技術人員將認識到上述物質不是窮盡性的。取決於應用，所述物質可用作摻雜劑或額外材料。具體來說，可將在一個應用中用作摻雜劑的一種物質用作另一應用中的額外材料，或反之亦然。
現參看圖2，將更詳細地描述圖1中所示的系統10的靜電過濾器40。在示範性實施例中，靜電過濾器40是經配置以獨立地控制離子束18的偏轉、減速和聚焦的束線組件。如下文將更詳細地描述，靜電過濾器40可包含靜電元件的配置（例如，離子束光學器件），其包括安置在離子束18上方的上部電極集合和安置在離子束18下方的下部電極集合。上部電極集合和下部電極集合可為靜止的，且具有固定位置。上部電極集合與下部電極集合之間的電位差也可沿著中心離子束軌跡變化，以反映在沿著中心離子束軌跡的每個點處的離子束的能量，其用於獨立地控制離子束的偏轉、減速和/或聚焦。
如圖所示，靜電過濾器40包含對應於多個束線電極（例如，石墨電極棒）的一或多個傳導性靜電元件70-A至70-N。在一個實施例中，束線靜電元件70-A至70-N是沿著離子束線72安置的傳導性射束光學器件，如所示。在此實施例中，束線靜電元件70-A至70-N佈置成對稱配置，其中束線靜電元件70-A至70-B表示入口電極集合，束線靜電元件70-C至70-D表示出口電極集合，以及剩餘的束線靜電元件70-E至70-N表示幾個抑制/聚焦電極集合。在另一實施例中，束線靜電元件70-A至70-N可按不對稱配置來佈置。如圖所示，每一電極對集合提供空間/空隙以允許離子束（例如，帶狀束）穿過其中。在示範性實施例中，束線靜電元件70-A至70-N在腔室74中提供。
在一個實施例中，束線靜電元件70-A至70-N包含彼此電耦合的數對傳導件。替代地，束線靜電元件70-A至70-N可為一系列單式結構，每一者包含孔隙以用於離子束穿過其中。在所繪示的實施例中，每一電極對的上部與下部部分可具有不同電位（例如，在獨立的傳導件中）以使穿過其的離子束偏轉。盡管束線靜電元件70-A至70-N描繪為七（7）對（例如，其中具有五（5）個抑制/聚焦電極集合），但是在各種實施例中可利用任何數量的元件（或電極）。舉例來說，靜電元件70-A至70-N的配置可利用一系列三（3）到十（10）個電極集合。
在一些實施例中，沿著離子束線72穿過電極的離子束可包含硼或其他元素。通過使用幾個較薄的電極（例如，靜電元件70-E至70-N的抑制/聚焦電極）以控制沿著離子束線72的電位的分級，可實現離子束的靜電聚焦。在所示的靜電元件70-A至70-N的配置中，在避免過度聚焦的同時，還可提供高減速率。結果，即使是對於非常低能量輸出射束，輸入離子束的使用也可在能量範圍中使用以實現較高性質射束。在一個非限制性實例中，當離子束穿過束線靜電元件70-A至70-N的電極時，離子束可從6 keV減速到0.2 keV，並偏轉15°。在這個非限制性實例中，能量比可為30/1。
在使用期間，靜電過濾器40從電源76（例如，DC電源）接收電壓和電流以產生沿著離子束線72加速離子的電場。更具體地說，將電壓/電流供應到束線靜電元件70-A至70-N，並且所述電壓/電流可為恒定的或變化的。在一個實施例中，在從0.1 keV至100 keV的一系列DC電勢下保持束線靜電元件70-A至70-N。
如上所指出，降級到系統10（圖1）的一個原因可為在使用期間射束成分所產生的粒子汙染物或副產物的過多累積。舉例來說，汙染粒子可在靜電過濾器40的束線靜電元件70-A至70-N上，以及在系統10的其他元件上累積。在一些實施例中，這個材料累積可更為嚴重，例如，當碳硼烷、SiF4
或GeF4
用作源材料時。
如圖2中所示，為減少汙染粒子沿著離子束線72的傳遞，靜電過濾器40進一步包含鄰接一或多個束線靜電元件70-A至70-N安置的額外電極78。在所示的實施例中，額外電極78安置在靜電元件70-G和70-I附近，以使得靜電元件70-G和70-I安置在額外電極78和離子束線72之間。在其他實施例中，例如如圖3中所示，在鄰接束線靜電元件70-A至70-N中的一或多者處提供多個額外電極78-A至78-C。
出於對局部靜電場進行塑形以降低在束線靜電元件70-A至70-N中的一或多者的表面上產生的粒子集合被發射到離子束線72中的可能性的目的，可在極為接近束線靜電元件70-A至70-N中的一或多者處提供額外電極78。額外電極78經配置以局部地改變電場，從而修改粒子集合的速度和所得軌跡以增加粒子集合被發送到比晶圓更加良性的位置上的可能性。
現參看圖4A至圖4C，繪示根據本發明在某一時間週期內在靜電過濾器40內的靜電場的產生和汙染粒子的移動。在示範性實施例中，電源76經配置以供應電壓到多個靜電元件70-A至70-N上，從而產生沿著離子束線72加速離子的束線靜電場82。供應到多個靜電元件70-A至70-N的電壓同樣攪動在多個靜電元件70-A至70-N中的一或多個者形成的汙染粒子84層。由於電壓的緣故，汙染粒子84可從每一靜電元件70-A至70-N的表面移開，並通過束線靜電場82而開始在靜電過濾器40內運動，如圖4A
所展示。
電源76進一步經配置以供應電壓到額外電極78上，從而控制接近多個靜電元件70-A至70-N中的一或多者的局部靜電場86。具體來說，局部靜電場86修改來自汙染粒子84層的粒子集合88（例如，全部粒子或粒子子集）的速度，以控制接近靜電元件70-G和70-I的粒子集合88的速度和軌跡。因此，粒子集合88可被引導到靜電過濾器40內的所希望的位置。
在一個實施例中，在一或多個電極的表面上產生的汙染粒子84可沿垂直於所述表面的方向從所述電極發出。每一粒子可具有負電荷，並以較小的初始速度離開靜電元件的表面。然後，沿著束線靜電場82朝向束線靜電元件70-C至70-D加速粒子，如圖4B中所展示。舉例來說，如圖4A中所展示，在束線靜電元件70-G和70-I附近安置的粒子集合88沿著束線靜電場82行進到接近靜電元件70-M和70-N的位置，如圖4B中所展示。
粒子集合88接著可被引導到靜電過濾器40內的最終位置，如圖4C中所展示，而不是穿過靜電過濾器40的開口90。在示範性實施例中，粒子集合88的速度與在靜電場82中行進的帶電粒子88的所希望的位置相關，其中基於以下各項中的至少一者來修改速度：供應到束線靜電元件70-A至70-N的電壓、供應到額外電極78的電壓、粒子集合88的電荷、靜電場82的強度、局部靜電場86的強度以及粒子集合88的質量。更具體地說，最終速度（v f
）與在靜電場82中行進的帶電粒子的最終位置相關，其中v f
可根據以下公式（1）確定： （1）
在此實施例中，v i
表示初始粒子速度，q
表示粒子電荷，m
表示粒子的質量，以及E
表示靜電場的強度。通過裁剪局部靜電場86，改變粒子集合88的初始速度（v i
），根據公式（1）致使最終速度（v f
）改變，以防止帶電粒子沿著所不希望的方向（例如，穿過開口90出去和到晶圓上）行進，或至少減少沿著所不希望的方向行進的帶電粒子的數量。
現參看圖5A至圖5C，示出了說明根據本發明的各種實施例的示範性束線靜電元件（例如，電極棒）的各種幾何特徵的橫截面圖。在每一實施例中，局部靜電場可經每一電極棒的幾何特徵塑形或受其影響。幾何特徵影響粒子的初始速度（v i
），同時也保持離子束線72的一致，並因此保護離子束光學器件。
束線靜電元件70可為具有一或多個幾何特徵的電極棒，所述幾何特徵包含但不限於，圓形橫截面（圖2至圖4）、雙扭線橫截面（圖5A）、蚶線橫截面（圖5B）以及包含多個脊線92和凹口94的外表面輪廓（圖5C）。每一粒子可具有負電荷，並以較低的初始速度沿垂直於靜電元件70的表面的方向離開所述表面。通過修改或控制靜電元件70的形狀，可定制粒子的初始軌跡。
然後沿著束線靜電場加速粒子，例如，如圖4A至圖4C中所展示。圍繞每一靜電元件70的局部靜電場可經每一電極棒的幾何特徵塑形或影響，並因此影響粒子的初始速度（v i
）和所得軌跡。修改後的粒子軌跡允許EF內含有更高百分比的粒子缺陷。
現參看圖6，繪示說明根據本發明的用於從束線靜電元件控制粒子軌跡的示範性方法100的流程圖。將結合圖1到圖5中繪示的表示描述方法100。
方法100包含沿著EF的束線安置束線靜電元件，如框102中所示。在一些實施例中，束線靜電元件包含傳導性射束光學器件。在一些實施例中，束線靜電元件包含電極棒。在一些實施例中，EF包含多個束線靜電元件。
方法100進一步包含供應電壓到束線靜電元件上以產生沿著離子束線加速離子的靜電場，如框104中所示。在一些實施例中，電壓源攪動在束線靜電元件的表面上形成的汙染粒子層。在一些實施例中，由直流電（direct current，DC）電源供應電壓。
方法100進一步包含控制來自汙染粒子層的粒子集合的軌跡以將粒子集合導向EF內的所希望的位置上，如框106中所示。在一個實施例中，控制粒子集合的軌跡可包含在鄰接束線靜電元件處提供額外電極，和供應電壓到額外電極上以控制接近束線靜電元件的局部靜電場。在一個實施例中，束線靜電元件安置在額外電極和離子束線之間。
在一個實施例中，可基於束線靜電元件的幾何特徵來控制粒子集合的軌跡。在一個實施例中，幾何特徵可包含以下各項中的至少一者：圓形橫截面、雙扭線橫截面、蚶線橫截面和包含多個凹口的外表面輪廓。
在一個實施例中，控制粒子集合的軌跡可包含修改粒子集合的速度。在一個實施例中，可基於以下各項中的至少一者來修改粒子集合的速度：供應到束線靜電元件的電壓、供應到額外電極的電壓、粒子集合的電荷、靜電場的強度、局部靜電場的強度以及粒子集合的質量。在一個實施例中，供應到束線靜電元件的電壓可引起粒子集合的初始速度的增加。
鑒於前述內容，通過本文中揭示的實施例實現至少以下優勢。首先，提供接近束線靜電的額外靜電元件以對接近束線靜電元件的局部靜電場進行塑形限制了粒子缺陷沿著束線元件的離子束線的傳遞。第二，使用束線靜電元件的一或多個幾何特徵控制粒子缺陷的軌跡對接近束線靜電元件的局部靜電場進行塑形，同時減少了對束線元件內的額外電極或元件的需要。
雖然已在本文中描述了本發明的某些實施例，但本發明不限於此，因為本發明在範圍上與所屬領域將允許的一樣寬泛，且可同樣地理解說明書。因此，以上描述不應被解釋為限制性的。替代地，以上描述僅作為具體實施例的例證。所屬領域的技術人員將在本文所附的發明申請專利範圍的範圍和精神內設想其他修改。
10‧‧‧系統
14‧‧‧離子源
16‧‧‧束線組件
18‧‧‧離子束
24‧‧‧氣流
28‧‧‧饋入源
34‧‧‧質量分析器
36‧‧‧第一加速或減速級
38‧‧‧準直器
40‧‧‧靜電過濾器
46‧‧‧處理腔室
70、70-A、70-B、70-C、70-D、70-E、70-F、70-G、70-H、70-I、70-J、70-K、70-L、70-M、70-N‧‧‧靜電元件
72‧‧‧離子束線
74‧‧‧腔室
76‧‧‧電源
78、78-A、78-B、78-C‧‧‧額外電極
82‧‧‧束線靜電場
84‧‧‧汙染粒子
86‧‧‧局部靜電場
88‧‧‧粒子集合
90‧‧‧開口
92‧‧‧脊線
94‧‧‧凹口
100‧‧‧方法
102‧‧‧框
104‧‧‧框
106‧‧‧框
14‧‧‧離子源
16‧‧‧束線組件
18‧‧‧離子束
24‧‧‧氣流
28‧‧‧饋入源
34‧‧‧質量分析器
36‧‧‧第一加速或減速級
38‧‧‧準直器
40‧‧‧靜電過濾器
46‧‧‧處理腔室
70、70-A、70-B、70-C、70-D、70-E、70-F、70-G、70-H、70-I、70-J、70-K、70-L、70-M、70-N‧‧‧靜電元件
72‧‧‧離子束線
74‧‧‧腔室
76‧‧‧電源
78、78-A、78-B、78-C‧‧‧額外電極
82‧‧‧束線靜電場
84‧‧‧汙染粒子
86‧‧‧局部靜電場
88‧‧‧粒子集合
90‧‧‧開口
92‧‧‧脊線
94‧‧‧凹口
100‧‧‧方法
102‧‧‧框
104‧‧‧框
106‧‧‧框
圖1是說明根據本發明的離子植入系統的示意圖。 圖2是說明根據本發明的圖1中所示的離子植入系統的EF的橫截面側視圖。 圖3是說明根據本發明的圖1中所示的離子植入系統的EF的橫截面側視圖。 圖4A至圖4C是根據本發明的在圖2中所示的EF內隨著時間推移靜電場產生和汙染粒子移動的圖示。 圖5A至圖5C是說明根據本發明的圖1中所示的離子植入系統的束線靜電元件的各種幾何特徵的橫截面圖。 圖6是說明根據本發明的示範性方法的流程圖。 圖式未必按比例繪製。圖式僅為表示，並不意圖描繪本發明的具體參數。圖式意圖描繪本發明的典型實施例，且因此不應被視為在範圍上受到限制。在圖式中，相似編號表示相似元件。
40‧‧‧靜電過濾器
70-A、70-B、70-C、70-D、70-E、70-F、70-G、70-H、70-I、70-J、70-K、70-L、70-M、70-N‧‧‧靜電元件
72‧‧‧離子束線
74‧‧‧腔室
76‧‧‧電源
78‧‧‧額外電極
90‧‧‧開口
Claims (15)
- 一種系統，其包括： 束線元件，其包含沿著離子束線安置的束線靜電元件； 鄰接所述束線靜電元件的額外電極； 一或多個電源，其經配置以： 供應電壓到所述束線靜電元件上以產生靜電場，從而沿著所述離子束線加速離子；以及 供應電壓到所述額外電極上以控制接近所述束線靜電元件的局部靜電場。
- 如申請專利範圍第1項所述的系統，所述束線靜電元件包括傳導性射束光學器件。
- 如申請專利範圍第1項所述的系統，所述束線元件包括靜電過濾器(EF)，所述靜電過濾器包含腔室。
- 如申請專利範圍第3項所述的系統，其進一步包括在所述束線靜電元件的表面上形成的汙染粒子層，其中回應於供應到所述額外電極的所述電壓所產生的所述局部靜電場修改來自所述汙染粒子層的粒子集合的速度，以將所述粒子集合導向所述腔室內的所希望的位置上。
- 如申請專利範圍第3項所述的系統，其進一步包括多個束線靜電元件，其中所述多個束線靜電元件中的一或多者安置在所述額外電極和所述離子束線之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的系統，其進一步包括多個額外電極。
- 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中所述束線靜電元件是具有以下幾何特徵中的一或多者的電極棒：圓形橫截面、雙扭線橫截面、蚶線橫截面，以及包含多個凹口的外表面輪廓。
- 一種靜電過濾器(EF)，其包括： 沿著離子束線安置的多個傳導性射束光學器件； 鄰接所述多個傳導性射束光學器件的額外電極； 與所述多個傳導性射束光學器件和所述額外電極通信的一或多個電源，所述一或多個電源經配置以： 供應電壓到所述多個傳導性射束光學器件上以產生束線靜電場，從而沿著所述離子束線加速離子；以及 供應電壓到所述額外電極上以控制接近所述多個傳導性射束光學器件中的一或多者的局部靜電場，其中所述局部電場修改來自在所述多個傳導性射束光學器件中的一或多者的表面上形成的汙染粒子層的粒子集合的速度，以控制接近所述多個傳導性射束光學器件中的一或多者的所述粒子集合的軌跡。
- 如申請專利範圍第8項所述的靜電過濾器，其進一步包括將所述粒子集合導向所述靜電過濾器的腔室內的所希望的位置上。
- 如申請專利範圍第8項所述的靜電過濾器，其中所述多個傳導性射束光學器件中的一或多者安置在所述額外電極和所述離子束線之間。
- 如申請專利範圍第8項所述的靜電過濾器，其進一步包括多個額外電極。
- 如申請專利範圍第8項所述的靜電過濾器，其中所述多個傳導性射束光學器件中的一或多者是具有以下幾何特徵中的至少一者的電極棒：圓形橫截面、雙扭線橫截面、蚶線橫截面，以及包含多個凹口的外表面輪廓。
- 一種方法，其包括： 沿著靜電過濾器(EF)的束線安置束線靜電元件； 供應電壓到所述束線靜電元件上以產生沿著所述束線加速離子的靜電場，所述電壓攪動在所述束線靜電元件的表面上形成的汙染粒子層；以及 控制來自所述汙染粒子層的粒子集合的軌跡以將所述粒子集合導向所述靜電過濾器內的所希望的位置上。
- 如申請專利範圍第13項所述的方法，其進一步包括通過以下各者控制所述粒子集合的所述軌跡： 提供鄰接所述束線靜電元件的額外電極；以及 供應電壓到所述額外電極上以控制接近所述束線靜電元件的局部靜電場。
- 如申請專利範圍第13項所述的方法，其進一步包括基於以下各項中的至少一者來修改所述粒子集合的速度：供應到所述束線靜電元件的所述電壓、供應到所述額外電極的所述電壓、所述粒子集合的電荷、所述靜電場的強度、所述局部靜電場的強度，以及所述粒子集合的質量。
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