TW201618271A - 磁屏蔽封裝體 - Google Patents

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TW201618271A TW104132266A TW104132266A TW201618271A TW 201618271 A TW201618271 A TW 201618271A TW 104132266 A TW104132266 A TW 104132266A TW 104132266 A TW104132266 A TW 104132266A TW 201618271 A TW201618271 A TW 201618271A
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飯田幹也
增西桂
下川一生
福澤英明
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東芝股份有限公司
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Abstract

本發明揭示一種磁屏蔽封裝體，其包含一磁裝置、一第一磁屏蔽部件及一第二磁屏蔽部件。該第一磁屏蔽部件佈置於該磁裝置下方。該第二磁屏蔽部件佈置於該第一磁屏蔽部件上，以覆蓋該磁裝置。一開口部分形成於(i)該第一磁屏蔽部件中之不鄰近該第一磁屏蔽部件之一外周邊之一位置處，或形成於(ii)該第二磁屏蔽部件之一上壁中。

Description

磁屏蔽封裝體
本發明之例示性實施例整體而言係關於一種磁屏蔽封裝體。
使用磁裝置之感測器受外部磁雜訊的影響。於是，已提出一種磁屏蔽封裝體，其中一磁屏蔽部件圍封一磁裝置以降低外部磁雜訊對一感測器之影響。
在用於偵測聲波之一壓力偵測裝置提供於一磁屏蔽封裝體中之情況中，若一開口未形成於磁屏蔽封裝體中之一適當位置處，則聲波無法有效率地傳播至該封裝體中且無法獲得高靈敏度壓力偵測。
本發明之一例示性實施例提供一種磁屏蔽封裝體，其能夠增加一感測器之靈敏度同時降低外部磁雜訊之影響。
根據一例示性實施例，一磁屏蔽封裝體包含一磁裝置、一第一磁屏蔽部件及一第二磁屏蔽部件。該第一磁屏蔽部件佈置於該磁裝置下方。該第二磁屏蔽部件佈置於該第一磁屏蔽部件上，以覆蓋該磁裝置。一開口部分形成於(i)該第一磁屏蔽部件中之不鄰近該第一磁屏蔽部件之一外周邊之一位置處，或形成於(ii)該第二磁屏蔽部件之一上壁中。
1‧‧‧磁屏蔽封裝體
2‧‧‧磁屏蔽封裝體
3‧‧‧磁屏蔽封裝體
4‧‧‧磁屏蔽封裝體
5‧‧‧磁屏蔽封裝體
6‧‧‧磁屏蔽封裝體
10‧‧‧封裝體板
10a‧‧‧第一佈線層
10b‧‧‧第二佈線層/電極
10c‧‧‧通孔
10h‧‧‧開口部分
11‧‧‧第一磁屏蔽部件
11h‧‧‧開口部分
11i‧‧‧開口部分
12‧‧‧第二磁屏蔽部件
12h‧‧‧開口部分/開口
13‧‧‧壓力偵測元件
14‧‧‧磁裝置
15‧‧‧積體電路
16‧‧‧第一黏著劑
17‧‧‧第二黏著劑
18‧‧‧佈線
21‧‧‧第三磁屏蔽部件
22‧‧‧第三黏著劑
30‧‧‧封裝體板
31‧‧‧第一磁屏蔽部件
31j‧‧‧開口部分
32‧‧‧第二磁屏蔽部件
32h‧‧‧開口部分
39‧‧‧焊料球
圖1A及圖1B展示根據本發明之一第一例示性實施例之一磁屏蔽 封裝體；圖2展示根據第一例示性實施例之磁屏蔽封裝體；圖3係展示根據第一例示性實施例之磁屏蔽封裝體之一第一黏著劑之厚度與磁屏蔽封裝體之一磁屏蔽效應之間之一關係之一圖表；圖4A至圖4D係各自展示根據第一例示性實施例之形成於一第一磁屏蔽部件中之一或多個開口部分及形成於磁屏蔽封裝體中之一封裝體板中之一開口部分之平面透視圖(seethrough view)；圖5係根據第一例示性實施例之一第一修改實例之一磁屏蔽封裝體之一截面圖；圖6係根據第一例示性實施例之第一修改實例之磁屏蔽封裝體之一透視圖；圖7A及圖7B係根據第一例示性實施例之一第二修改實例之一磁屏蔽封裝體；圖8係根據本發明之一第二例示性實施例之一磁屏蔽封裝體之一截面圖；圖9係根據第二例示性實施例之一第一修改實例之一磁屏蔽封裝體之一截面圖；及圖10係根據第二例示性實施例之一第二修改實例之一磁屏蔽封裝體之一截面圖。
下文中將參考隨附圖式描述本發明之例示性實施例。
(第一例示性實施例)
圖1A係根據本發明之一第一例示性實施例之一磁屏蔽封裝體1之一透視圖。圖1B係根據第一例示性實施例之磁屏蔽封裝體1之一截面圖。根據第一例示性實施例之磁屏蔽封裝體1包含一封裝體板10、一第一磁屏蔽部件11、一第二磁屏蔽部件12、一壓力偵測元件13、一磁 裝置14及一積體電路15。圖2係自其移除第二磁屏蔽部件12之磁屏蔽封裝體1之一俯視圖。
磁屏蔽封裝體1用於將例如聲波轉換成一電信號。磁裝置14係諸如一GMR(巨磁阻)裝置之一裝置，其電氣特性(諸如電阻)根據一外部磁場或外部壓力變化。磁裝置14佈置於壓力偵測元件13上。
壓力偵測元件13係例如藉由處理矽材料而產生之一MEMS(微機電系統)元件。壓力偵測元件13在接收到例如來自外部之聲波時振動。當壓力偵測元件13振動時，應力作用於磁裝置14上且磁裝置14之電氣特性(諸如電阻)變化。以此方式，可將例如聲波轉換成一電信號。
磁裝置14之電氣特性在外來磁雜訊之影響下亦變化。鑒於此，藉由第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12磁屏蔽磁屏蔽封裝體1之內部。此措施降低外來磁雜訊對磁裝置14之影響。然而，若壓力偵測元件13及磁裝置14由第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12完全圍封，則聲波無法有效率地傳播至封裝體1中。此係一開口部分11h經形成穿過第一磁屏蔽部件11之原因。稍後將詳細描述開口部分11h。
接著，將描述磁屏蔽封裝體1之結構。封裝體板10係例如由諸如FR4之一材料製成之一玻璃環氧板。封裝體10包含一單一佈線層或複數個佈線層。封裝體板10可為一LGA(接點柵格陣列)類型、一BGA(球形柵格陣列)類型、SON(小外型無引線)類型或QFN(四邊扁平無引線)之任一者。圖1中展示之封裝體板10係LGA類型。封裝體板10具有一第一佈線層10a及一第二佈線層10b。第二佈線層10b用作電極。第一佈線層10a及第二佈線層10b藉由通孔10c連接至彼此。
第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12佈置於封裝體板10上。板狀第一磁屏蔽部件11結合至封裝體板10。第二磁屏蔽部件12佈置於第一磁屏蔽部件11上，以覆蓋磁裝置14之一上部分及側表面。第一磁屏 蔽部件11及第二磁屏蔽部件12在一起包圍磁裝置14。在圖1中，第一磁屏蔽部件11具有一板狀形狀，且第二磁屏蔽部件12形狀如同其之一表面被移除之一長方體。然而，應注意，第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12之形狀不限於此。第一磁屏蔽部件12及第二磁屏蔽部件13可具有任何形狀，只要磁裝置14由第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12包圍。
第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12之材料之實例包含軟磁材料，諸如鐵、碳鋼、矽鋼及高導磁合金(permalloy)。第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12之材料可彼此相同或彼此不同。
磁屏蔽封裝體1之磁屏蔽效應係由第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12之相對導磁率μr及厚度tm決定。在以毫米為單位表達一磁屏蔽部件之厚度tm之情況下，若將其相對導磁率μr及厚度tm之乘積設定為等於或大於10，則可獲得10dB或更大之一磁屏蔽效應。
例如，第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12係用一第一黏著劑16而彼此結合。若第一黏著劑16含有例如其等相對導磁率等於或大於2之磁粒子，則第一磁屏蔽部件11之一磁路徑及第二磁屏蔽部件12之一磁路徑連接至彼此且因此可增強其之磁屏蔽效應。
圖3係展示第一黏著劑16之厚度與磁屏蔽效應之間之一關係之一圖表。在其中一非磁黏著劑用作一第一黏著劑之一情況與其中含有其等相對導磁率係20之磁粒子之一黏著劑用作第一黏著劑16之一情況之間進行一比較。在第一黏著劑係非磁黏著劑之情況下，磁屏蔽效應在第一黏著劑之厚度等於或大於3μm時等於或低於48dB，且在第一黏著劑16之厚度等於30μm時等於34dB。另一方面，當第一黏著劑16係含有磁粒子之黏著劑時，在第一黏著劑16之厚度等於或小於30μm時獲得48dB或更大之一明顯磁屏蔽效應。自此等比較結果可見，與為一非磁黏著劑之黏著劑16相比，為含有磁粒子之一黏著劑之第一黏著 劑16提供一更佳磁屏蔽效應。
構成第一黏著劑16之磁粒子之實例包含直徑為1μm至幾十微米之微粒、直徑為幾奈米至幾十奈米之奈米粒子及其等之混合物。微粒之實例包含鐵微粒、鐵基或鎳基微粒，諸如高導磁合金、鐵氧體及鐵矽鋁磁合金(sendust)。奈米粒子之實例包含鐵、氧化鐵及鐵-鉑之奈米粒子。用於粒子之一黏結劑之實例包含環氧樹脂及聚矽氧。黏結劑可經選擇以提供第一磁屏蔽部件11與第二磁屏蔽部件12之間之良好連結效能。第一黏著劑16之其他實例包含：(i)非酸性黏著劑，諸如聚矽氧；(ii)絕緣黏著劑；及(iii)導電黏著劑，諸如銀膏及焊料。
取代用具有2或更大之相對導磁率的一含有磁粒子之黏著劑將第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12彼此結合，第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12可用例如一雙面膠帶而彼此結合。
壓力偵測元件13佈置於第一磁屏蔽部件11上。壓力偵測元件13及第一磁屏蔽部件11係用一第二黏著劑17而彼此結合。第二黏著劑17之實例包含：(i)非磁黏著劑(其不含有任何磁粒子)，諸如聚矽氧；(ii)絕緣體；及(iii)非磁導電黏著劑，諸如銀膏及焊料。
一個或複數個磁裝置14佈置於壓力偵測元件13上。對聲波之靈敏度可藉由提供複數個磁裝置14而增強。，磁裝置14藉由形成於壓力偵測元件13上之佈線18及/或互連而電連接至積體電路15。將由壓力偵測元件13及磁裝置14透過偵測而產生之一類比信號輸入至積體電路15。
積體電路15對經接收之類比信號執行信號處理且輸出一所得數位信號。自積體電路15輸出之數位信號行進通過佈線18、封裝體板10之一第一佈線層10a及封裝體板10之通孔10c，且自電極10b輸出。為將佈線18連接至封裝體板10，一開口部分11i形成於第一磁屏蔽部件11中，如圖2中所展示。在此例示性實施例中，積體電路15佈置於由 第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12圍封之一空間中。或者，積體電路15可佈置於由第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12圍封之空間外部。
接著，將對形成於第一磁屏蔽部件11中之開口部分11h進行描述。開口部分11h形成於壓力偵測元件13下方。由於開口部分11h形成於壓力偵測元件13下方，故容許聲波有效率地傳播至磁屏蔽封裝體1中。封裝體板10之一開口部分10h形成於第一磁屏蔽部件11之開口部分11h下方。
圖4A至圖4D係各自展示第一磁屏蔽部件11之(若干)開口部分11h及封裝體板10之開口部分10h之一實例之俯視透視圖。在圖4A至圖4D中，第一磁屏蔽部件11之(若干)開口部分11h係由一或若干實線指示，且封裝體板10之開口部分10h係由一虛線指示。例如，一圓形開口部分10h形成於封裝體板10中。第一磁屏蔽部件11之(若干)開口部分11h可為：一圓形開口部分(例如，與開口部分10h同心，參見圖4A)；一組扇形開口部分(圖4B)；一組圓形開口部分，其等各者之直徑小於開口部分10h(圖4C)；或一網狀開口部分，其包含面積足夠小於開口部分10h之各者。
圖4A中展示之開口部分11h、10h之大小經設計而將封裝體板10之厚度、隔板之空間及類似者考慮在內，使得未發生亥姆霍茲共振(Helmholtz resonance)。再者，在圖4D中展示之實例中，較佳各開口部分11h之大小係待感測之最大頻率聲波之一波長的1/1,000或更大。更明確言之，在最大頻率係10kHz之情況下，對應波長等於3.4cm。因此，較佳各開口部分11h之最短側之直徑或長度係34μm或更大。開口部分11h、10h之形狀不限於上述實例。例如，開口部分11h、10h可為橢圓形、多邊形、方形、矩形、菱形、三角形或星狀。
開口部分11h(或開口部分11h之組)可大於或小於開口部分10h。 圖4A及圖4C中展示之圓形開口部分11h、10h可藉由鑽孔、打孔或蝕刻而形成。圖4B及圖4D中展示之開口部分11h可藉由打孔或蝕刻而形成。
圖4A至圖4D中展示之開口部分11h、10h之實例分別提供39.8dB、49.4dB、49.5dB及49.8dB之磁屏蔽效應。即，與具有與圓形開口部分10h相同的直徑之圓形開口部分11h相比，具有各自小於開口部分10h之複數個開口部分或由其等組成之(若干)開口部分11h可提供一更佳磁屏蔽效應。
例如，具有上述組態之磁屏蔽封裝體1可用作使用諸如一GMR裝置之一磁裝置之一聲音感測器、用於量測磁場強度之一電流感測器及一MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)之一磁屏蔽封裝體。
(第一例示性實施例之第一修改實例)
圖5係根據本發明之第一例示性實施例之一第一修改實例之一磁屏蔽封裝體2之一截面圖。在圖5中，對與圖1中展示之構成組件相同的構成組件給出相同元件符號，且將省略對其等之冗餘描述。根據此修改實例之磁屏蔽封裝體2與根據第一例示性實施例之磁屏蔽封裝體1之不同之處在於，進一步提供一第三磁屏蔽部件21。圖6係自其移除第二磁屏蔽部件12之磁屏蔽封裝體2之一透視圖。
第三磁屏蔽部件21佈置於第一磁屏蔽部件11上。第三磁屏蔽部件21自其之四個水平方向包圍壓力偵測元件13及磁裝置14。為容許將壓力偵測元件13連接至積體電路15之佈線18通過，壓力偵測元件13及磁裝置14上方並不存在第三磁屏蔽部件21。或者，第三磁屏蔽部件21之部分可提供於壓力偵測元件13及磁裝置14上方之不阻礙線結合之一區域中。
第三磁屏蔽部件21係用一第三黏著劑22結合至第一磁屏蔽部件11。第三黏著劑22之實例包含：(i)非磁黏著劑(其不含有磁粒子)，諸 如聚矽氧；(ii)絕緣體；及(iii)非磁導電黏著劑，諸如銀膏及焊料。由於第三磁屏蔽部件21係以此方式提供，故可進一步增強磁裝置14及其附近之磁屏蔽效應。
下文將基於磁場分析之結果而描述存在/不存在第三磁屏蔽部件21及使用一非磁黏著劑作為第三黏著劑22如何影響磁屏蔽效應。在以下各者之磁屏蔽效應之間進行比較：一情況(1)，其中未提供第三磁屏蔽部件21(亦即，磁屏蔽封裝體1)；一情況(2)，其中在磁屏蔽封裝體2中，第三磁屏蔽部件21係用第三黏著劑22(其係具有50μm之厚度的一非磁黏著劑)結合至第一磁屏蔽部件11；及一情況(3)，其中在磁屏蔽封裝體2中，第三磁屏蔽部件21係用第三黏著劑22(其係具有10μm之厚度的一含有磁粒子之黏著劑)結合至第一磁屏蔽部件11。
第一磁屏蔽部件11、第二磁屏蔽部件12及第三磁屏蔽部件21係由具有5,000之相對導磁率的高導磁合金製成。第一磁屏蔽部件11及第二磁屏蔽部件12具有0.2mm之厚度。第一黏著劑16係具有10μm之厚度且含有具有20之相對導磁率的磁粒子之一黏著劑。第一磁屏蔽部件11之開口部分11h具有圖4C中展示之形狀。第三磁屏蔽部件21具有0.5mm之高度。第三磁屏蔽部件21之一外周邊具有各側為1.2mm之一方形形狀。第三磁屏蔽部件21之一內周邊具有各側為0.8mm之一方形形狀。
其中未提供第三磁屏蔽部件21之情況(1)的磁屏蔽效應係49.5dB。其中在磁屏蔽封裝體2中，第三磁屏蔽部件21係用第三黏著劑22(其係具有50μm之厚度的非磁黏著劑)結合至第一磁屏蔽部件11之情況(2)的磁屏蔽效應係56.5dB。其中在磁屏蔽封裝體2中，第三磁屏蔽部件21係用第三黏著劑22(其係具有10μm之厚度的含有磁粒子之黏著劑)結合至第一磁屏蔽部件11之情況(3)的磁屏蔽效應係51.5dB。即，第三磁屏蔽部件21增強磁屏蔽效應。特定言之，與當使用一磁黏 著劑時相比，當使用非磁黏著劑作為第三磁屏蔽部件21時，磁屏蔽效應更佳。
(第一例示性實施例之第二修改實例)
圖7A及圖7B分別係根據本發明之第一例示性實施例之一第二修改實例之一磁屏蔽封裝體5之一透視圖及一截面圖。在圖7A及圖7B中，對與圖1中展示之磁屏蔽封裝體1中之構成組件相同的磁屏蔽封裝體5之構成組件給出相同元件符號。如圖7A及圖7B中展示，在磁屏蔽封裝體5中，一開口部分12h形成於第二磁屏蔽部件12中而非第一磁屏蔽部件11中。
在圖7A及圖7B展示之磁屏蔽封裝體5中，開口部分12h形成於積體電路15之正上方。應注意，開口部分12h之位置不限於此。或者，開口部分12h可形成於第二磁屏蔽部件12中之任何處。若開口部分12h形成於未與第一磁屏蔽部件11接觸之一壁中且在不鄰近該壁之外周邊之一位置處，則有利於形成開口部分12h之處理。開口部分12h可具有任何形狀，諸如一圓形、橢圓形、多邊形、方形、矩形、菱形、三角形或一星狀形狀。如同上文已關於圖4A至圖4D描述之(若干)開口部分11h，(若干)開口12h可為一單一開口部分或複數個開口部分。
第一例示性實施例之第二修改實例可與第一例示性實施例之第一修改實例組合。即，第三磁屏蔽部件21可提供於磁屏蔽封裝體5中，以自其之四個水平方向包圍壓力偵測元件13及磁裝置14。
(第二例示性實施例)
圖8係根據本發明之一第二例示性實施例之一磁屏蔽封裝體3之一截面圖。根據第二例示性實施例之磁屏蔽封裝體3包含一封裝體板30、一第一磁屏蔽部件31、一第二磁屏蔽部件32、一壓力偵測元件13、一磁裝置14、一積體電路15及焊料球39。對壓力偵測元件13、磁裝置14、積體電路15及具有與根據第一例示性實施例之磁屏蔽封裝體 1中之構成組件相同的其他構成組件給出相同元件符號。將省略對其等之冗餘描述。
在磁屏蔽封裝體3中，第一磁屏蔽部件31佈置於封裝體板30下方。第二磁屏蔽部件32自上方及其之四個水平方向包圍封裝體板30。第二磁屏蔽部件32係用一第一黏著劑16結合至第一磁屏蔽部件31。以此方式，磁裝置14由第一磁屏蔽部件31及第二磁屏蔽部件32包圍。藉此，外來非必要磁雜訊之影響可降低。此外，如第一例示性實施例中所描述，使用含有例如其等相對導磁率等於或大於2之磁粒子之一黏著劑可增強其之磁屏蔽效應。
封裝體板30具有用於磁屏蔽封裝體3之輸出電極之焊料球39。為此，開口部分31j形成於第一磁屏蔽部件31中，以用於各自焊料球39之插入。例如，焊料球39之一直徑係0.3mm，且開口部分31j之一直徑係0.6mm。
磁屏蔽封裝體3可為經受絕緣體表面處理以防止與電路佈線之短路且增加抗腐蝕性之一磁屏蔽封裝體。用於表面處理之絕緣體之一例示性材料係聚醯亞胺。
第二例示性實施例亦可以與第一例示性實施例相同的方式修改。圖9展示根據第二例示性實施例之一第一修改實例之一磁屏蔽封裝體4，其進一步包含一第三磁屏蔽部件21。第三磁屏蔽部件21佈置於封裝體板30上，以自其之四個水平方向包圍壓力偵測元件13及磁裝置14。第三磁屏蔽部件21係用一第三黏著劑22結合至封裝體板30。
圖10展示根據第二例示性實施例之一第二修改實例之一磁屏蔽封裝體6，其中一開口部分32h形成於第二磁屏蔽部件32中。開口部分32h可形成於第二磁屏蔽部件32中之任何處。(若干)開口部分32h可為一單一開口部分或複數個開口部分，且可具有任何形狀。第二例示性實施例之第一修改實例及第二修改實例可與彼此組合。
上文已描述本發明之數種例示性實施例。應注意，上述例示性實施例僅係實例且不應理解為限制本發明之範疇。此等新穎例示性實施例之各者可以各種其他形式實踐。在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，可以各種方式省略、由其他元件取代或改變各例示性實施例之部分。例示性實施例之修改亦包含於如所主張之本發明及其等效物中。
1‧‧‧磁屏蔽封裝體
10‧‧‧封裝體板
10a‧‧‧第一佈線層
10b‧‧‧第二佈線層/電極
10c‧‧‧通孔
10h‧‧‧開口部分
11‧‧‧第一磁屏蔽部件
11h‧‧‧開口部分
12‧‧‧第二磁屏蔽部件
13‧‧‧壓力偵測元件
14‧‧‧磁裝置
15‧‧‧積體電路
16‧‧‧第一黏著劑
17‧‧‧第二黏著劑
18‧‧‧佈線

Claims (11)

  1. 一種磁屏蔽封裝體，其包括：一磁裝置；一第一磁屏蔽部件，其佈置於該磁裝置下方；及一第二磁屏蔽部件，其佈置於該第一磁屏蔽部件上，以覆蓋該磁裝置，其中一開口部分形成於(i)該第一磁屏蔽部件中之不鄰近該第一磁屏蔽部件之一外周邊之一位置處，或形成於(ii)該第二磁屏蔽部件之一上壁中。
  2. 如請求項1之封裝體，其中該第一磁屏蔽部件及該第二磁屏蔽部件係用含有磁粒子之一黏著劑而彼此結合。
  3. 如請求項1至2中任一項之封裝體，其進一步包括：一第三磁屏蔽部件，其自其之四個水平方向包圍該磁裝置，該第二磁屏蔽部件覆蓋該磁裝置及該第三磁屏蔽部件。
  4. 如請求項3之封裝體，其中該第三磁屏蔽部件係用一非磁黏著劑結合至該第一磁屏蔽部件。
  5. 一種磁屏蔽封裝體，其包括：一磁裝置；一壓力偵測元件，其佈置於該磁裝置下方；一第一磁屏蔽部件，其佈置於該壓力偵測元件下方，該第一磁屏蔽部件之至少部分經形成而具有一第一開口部分，該第一磁屏蔽部件之該至少部分佈置於該壓力偵測元件之正下方；及一第二磁屏蔽部件，其佈置於該第一磁屏蔽部件上，以覆蓋該磁裝置。
  6. 如請求項5之封裝體，其中該第一磁屏蔽部件及該第二磁屏蔽部 件係用含有磁粒子之一黏著劑而彼此結合。
  7. 如請求項5之封裝體，其進一步包括：一板，其佈置於該壓力偵測元件下方，該板之至少部分經形成而具有一第二開口部分，該板之該至少部分在該壓力偵測元件之正下方。
  8. 如請求項7之封裝體，其中該等第一開口之複數者形成於該第一磁屏蔽部件中，使得該複數個第一開口之各者之面積小於該第二開口。
  9. 如請求項5至8中任一項之封裝體，其進一步包括：一第三磁屏蔽部件，其自其之四個水平方向包圍該磁裝置，該第二磁屏蔽部件覆蓋該磁裝置及該第三磁屏蔽部件。
  10. 如請求項9之封裝體，其中該第三磁屏蔽部件係用一非磁黏著劑結合至該第一磁屏蔽部件。
  11. 如請求項6之封裝體，其進一步包括：一第三磁屏蔽部件，其自其之四個水平方向包圍該磁裝置，該第二磁屏蔽部件覆蓋該磁裝置及該第三磁屏蔽部件，該板佈置於該第一屏蔽部件上，且該第三磁屏蔽部件係用一非磁黏著劑結合至該板。
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