TW201526290A - 固態發光裝置及製造固態發光裝置的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種固態發光裝置，其包含一發光堆疊(20)、一金屬化(30)，該金屬化包括一金屬護層(36)及該金屬化之該護層(36)上方之一介電層(50)。在隨後處理期間，脫層及/或裂解可發生在該等裝置之邊緣處，有時其稱為晶粒邊緣缺陷。為解決此等缺陷，可在該金屬化之一邊緣區域及/或用於減少脫層之介電層中提供複數個應力釋放元件(62、64)及/或錨定元件。藉由該護層(36)中之所減少之厚度或所增加之厚度之區域來形成該等應力釋放元件(62、64)。
Description
本發明係關於一種固態發光裝置及製造一固態發光裝置之方法。
由於固態發光裝置表示一有效發光結構，因此諸如發光二極體(LED)及雷射二極體之固態發光裝置廣泛地使用於包含例如顯示及照明之多種應用中之光之產生。
藉由US2010/0283080教示對於製造發光二極體之一方法之一實例。藉由在一基板上沉積p型、i型及n型半導體層之一堆疊來形成一發光二極體晶粒。發光作用層係該i型層。自該等p型及n型層所引進之電子及電洞在經夾於該等n型層與p型層之間之該i型作用層中產生光。
熟習此項技術者將理解可使用多種半導體結構作為對於p-i-n半導體層之堆疊之一替代物。
許多金屬層可出於各種目的而形成於堆疊上方。一個層可係一歐姆接觸件，其提供至上面半導體層之一良好接觸。例如，US2010/0283080建議Ni、Ag或Pd之一歐姆接觸層作為至上面p型半導體層之一歐姆接觸。此歐姆接觸層可係薄的。
提供一反射層以反射回光亦係有用的且此可形成為例如經沉積
於該歐姆接觸層上方之一單獨Ag層。
亦可提供諸如一護層之其他金屬化層。在US2010/0283080中，該護層係TiW、TiW：N及TiW之一多層。
為更有效地製造複數個二極體，多個裝置形成於一單一基板上且接著此等裝置經分離。為製備此分離，US2010/0283080教示形成沿著邊道(分離將在一較後階段沿著該等邊道發生)穿過金屬化層且進入至半導體層中之溝渠。
接著，一介電絕緣體可形成於該等溝渠中。
接著，可形成例如至n型半導體層之連接之進一步金屬層，及/或進一步介電層。
在基板上形成此等層之後，該基板可沿著溝渠經劃分成複數個晶粒。因此，在程序中較早形成之該等溝渠作為邊道以將該基板劃分成各自作為一單獨晶粒之個別發光二極體。有用以例如劃線、鋸切或雷射切割之分離步驟之許多不同方法。
接著，可將個別晶粒裝設於一封裝中。
將基板劃分成個別晶粒之步驟及封裝程序可引起一相當大量之應力。
為不同目的在金屬化層中所使用之各種不同金屬通常具有與彼此以及與半導體層及介電體之一相對低黏著性。因此，在晶粒之分離之步驟期間，所得應力可引起層在一所已知為晶粒邊緣脫層之一效應中彼此分離。
應力之又一效應可係一或多個層之裂解。此可係介電體中之一特定問題，但亦可影響其他層。
因此，有對於考慮應力之效應之一製造程序及一發光二極體之一需要。
WO2013/033685A1揭示一LED基板上之LED晶粒，其中執行單粒
化以提供經接合至一單一載體晶粒之多個LED晶粒。藉由LED晶粒中及/或該單一載體晶粒中之互連接而將該單一載體晶粒上之多個LED晶粒串聯及/或並聯連接。在一隔離層上提供能夠經由該隔離層減少裂縫之擴散之一減少裂縫夾層。
EP255259A1揭示半導體發光裝置，在其中改良一絕緣層與一半導體層之間之黏著性，同時維持該絕緣層限制電流流動之方向之能力。在半導體層上提供具有比與絕緣層高之與半導體層之一黏著性之一金屬層。以一島狀物形狀提供該金屬層且該絕緣層填充此等島狀物之間之間隙。
US2012/199861A1揭示一種半導體發光元件，其包含：經層壓於一n型半導體層上之一發光層及一p型半導體層；經層壓於該p型半導體層上之一透明導電層；經層壓於該透明導電層及所曝露之n型半導體層上之一透明絕緣層，該透明絕緣層具有在其中所形成之多個錐形通孔；在該透明導電層與透明絕緣層該上形成並插入在此兩者之間之所的一p電極，該p電極經由對於該透明絕緣層所提供之通孔連接至該透明導電層；及在該透明導電層與該透明絕緣層上形成並插入在此兩者之間的一n電極，該n電極經由對於該透明絕緣層所提供之該等通孔連接至該n型半導體層。
本發明藉由申請專利範圍予以界定。
根據本發明之一第一態樣，提供一種製造固態發光裝置之方法，其包括：界定一基板上之複數個半導體層之一發光堆疊；在該發光堆疊上形成一金屬化，該金屬化包含至少一金屬化層且包括一金屬護層；形成延伸至發光堆疊中之晶粒邊緣溝渠，該等晶粒邊緣溝渠界定複數個二極體裝置之邊緣及鄰近該等晶粒邊緣溝渠之邊緣區域；在金屬化之護層上及該等溝渠中形成一介電層；其中該方法包括藉由在
護層中及/或介電層中形成所增加之厚度或所減少之厚度之區域而形成邊緣區域中之複數個應力釋放元件以及/或金屬化及/或介電層中之錨定元件。
在另一態樣中，本發明係關於一種固態發光裝置，其包括：複數個半導體層之一發光堆疊；該發光堆疊上之包含至少一金屬化層且包括一護層之一金屬化；該金屬化之該護層上之一介電層；該金屬化及/或介電層之一邊緣區域中之複數個應力釋放元件及/或錨定元件，該邊緣區域係鄰近該固態發光裝置之邊緣之該固態發光裝置之區域，其中藉由該護層中之所增加之厚度或所減少之厚度之區域來形成該等應力釋放元件。
該等應力釋放元件及錨定元件可減少可例如由在將固態發光裝置裝設於一封裝中期間或將固態發光裝置劃分成多個小晶粒期間之應力所引起之晶粒邊緣缺陷。特定言之，可減少多層結構之脫層及/或破裂。
邊緣區域可自二極體裝置邊緣延伸高達200μm，在實施例中高達150μm或100μm。
邊緣區域中所形成之應力釋放元件及/或錨定元件中之至少一些可具有至少5μm之一最大尺寸且可形成於50μm之晶粒邊緣溝渠內。由於在此邊緣區域中，應力釋放元件將最佳地達成歸因于個別固態發光裝置或晶粒之分離引起的脫層之風險之一減少，因此該等應力釋放元件及/或錨定元件僅形成於邊緣區域中，形成金屬化可包含藉由沉積具有護層中之所減少之厚度之區域之金屬護層，藉由沉積具有該護層中之孔之該金屬護層且/或藉由形成該護層之所增加之厚度之區域而形成至少一些應力釋放元件。
亦可例如藉由形成該介電層之所增加之厚度或所減少之厚度之區域而在介電層中形成至少一些應力釋放元件。
亦可提供金屬化中之錨定元件。此等錨定元件可固定該金屬化中之一或多個層。
在用以提供錨定元件之一方法中，可藉由以下來形成金屬化：沉積一歐姆接觸層；蝕刻穿過該歐姆接觸層以形成孔，以曝露發光堆疊；將護層沉積於該歐姆接觸層上方及該等孔中以形成該等錨定元件，以錨定該護層。
另一方法包含蝕刻至發光堆疊中以形成錨定溝渠且將一歐姆接觸層沉積於發光堆疊上及該等錨定溝渠中以界定錨定元件。
使用此等錨定元件可增加金屬化之一或多個層之黏著性且因此減少脫層之風險。
該方法可進一步包含藉由沿著晶粒邊緣溝渠之裂解而形成複數個個別發光晶粒。
10‧‧‧基板
20‧‧‧發光堆疊
22‧‧‧n型半導體層/層
24‧‧‧發光層
26‧‧‧p型半導體層/層
30‧‧‧金屬化
32‧‧‧歐姆接觸層/歐姆接觸
34‧‧‧反射層/反射Ag層
36‧‧‧護金屬層/護層/金屬護層
40‧‧‧晶粒邊緣溝渠/溝渠
42‧‧‧邊緣區域
46‧‧‧劃線平面
50‧‧‧介電層/介電
52‧‧‧接觸層
60‧‧‧圖案
62‧‧‧圖案元件/通孔/元件/應力釋放元件
64‧‧‧應力釋放元件
66‧‧‧錨定元件
68‧‧‧錨定元件
70‧‧‧錨定溝渠/晶粒結構
72‧‧‧金柱狀結構
74‧‧‧封裝基板
76‧‧‧外罩薄片
78‧‧‧矽基質
現在將參照隨附圖式詳細描述本發明之實例，其中：圖1展示側區段中之一發光二極體結構之一示意圖。
圖2展示包含圖1之發光二極體結構之一封裝；圖3展示側區段中之一第一實施例；圖4展示示意俯視圖中之圖3配置；圖5展示側區段中之一第二實施例；圖6展示示意俯視圖中之圖5配置；圖7展示側區段中之一第三實施例；圖8展示示意俯視圖中之圖7配置；圖9展示區段中之一第四實施例；圖10展示示意俯視圖中之圖9配置；圖11展示側區段中之一第五實施例；及圖12展示示意俯視圖中之圖11配置。
圖式係示意性的且不按比例繪製。特定言之，可誇張垂直標度以展示多個層。
本發明提供一種製造諸如發光二極體(LED)及雷射二極體之固態發光裝置之方法及藉由該方法所製造之裝置。該固態發光裝置包含一發光堆疊、一金屬化及該金屬化上方之一介電體。在隨後處理期間，脫層及/或裂解可發生在該等裝置之邊緣處，有時稱為晶粒邊緣缺陷。為解決此等缺陷，可在該金屬化及/或介電層之一邊緣區域中提供用於減少脫層之複數個應力釋放元件及/或錨定元件。
圖1繪示一種製造一覆晶LED產品之方法。藍寶石之實例中之一基板10具有經形成於該基板上之一發光堆疊20，該發光堆疊由一n型半導體層22、一發光層24及一p型半導體層26製成。在實施例中，該發光層係一多層堆疊。
在該發光堆疊20上方沉積包含多個金屬層之一金屬化30。該金屬化30包含用於接觸P型半導體層之一歐姆接觸層32、一反射層34及一護金屬層36。該歐姆接觸32可具有Ni、Ag或Pd，反射Ag層34且該護金屬層36可係一Ti層、TiW層、TiN層或一TiW/WiW：N/TiW多層。
在金屬化30之沉積之後，形成延伸穿過該金屬化30、p型半導體層26及發光層24進入至n型半導體層22中之晶粒邊緣溝渠40。如下文所述，此等晶粒邊緣溝渠40界定邊道，其等邊道使用於一較後處理步驟中以單粒化個別晶粒。注意並未完全蝕刻層22且溝渠僅部分延伸至n型半導體層中。進一步注意在圖中高度誇張金屬化30之垂直標度。
接著，在結構上方沉積進一步層。此等進一步層包含一介電層50及一接觸層52。該介電層50係例如SiN之一絕緣層且沉積於金屬化30上方及溝渠40中。
接觸層52可係一金屬或含金屬之層以透過介電層50中之接觸孔
(未展示)或藉由連接至晶粒邊緣溝渠之區域中之n型半導體層22來接觸n型半導體層22或p型半導體層。若需要，則例如對於單獨層提供多個接觸層以接觸n型及p型半導體層。
在製造之後，可沿著溝渠40(其等沿著劃線平面46)分離裝置以形成個別晶粒。此可藉由沿著此連接中可稱為邊道之邊緣區域劃線而完成。
可個別地或成組裝設裝置以形成如圖2中所繪示之一封裝發光二極體。在此程序期間，可移除藍寶石基板10以導致一非常薄之晶粒結構70。此可導致10μm之下之該晶粒結構70之一總厚度。藉由例如作為凸塊接合之金柱狀結構72來將此薄晶粒結構70接合至一封裝基板74上。相對於具有面向該封裝基板74之圖1中所繪示之上面層之圖1，逆轉該薄晶粒結構。
提供包含一磷光體之一外罩薄片76以吸收由LED所發射出之光且重發射。藉由一填充矽石/鈦氧化物之矽基質78來圍繞裝置。
無論所使用之精確封裝程序如何，該封裝程序皆可導致複雜應力堆積，該複雜應力累積可導致許多缺陷。
發明者已理解晶粒邊緣缺陷可發生在金屬護層36、介電層50中或晶粒之邊緣處之一層22、層26中。此等缺陷可引起例如歐姆接觸32或護金屬36之脫層。或者或此外，該介電50可破裂。
為解決圖3及圖4中所繪示之一第一實施例中之晶粒邊緣缺陷，在邊緣區域42中之護金屬36中提供一圖案60(圖4)。注意圖4中之虛線係歐姆接觸32及反射層34之邊緣。
該邊緣區域42係發光堆疊20及金屬化30之鄰近晶粒邊緣溝渠40之區域。
圖案60包含複數個圖案元件62，在此實施例中係穿過邊緣區域42中之護金屬36之複數個通孔62。
該等通孔以與晶粒邊緣溝渠平行之方式延伸。在所展示之實例中，有兩個平行列元件62，各列以與晶粒邊緣溝渠平行之方式延伸。以此方式，在已分離發光裝置之後，元件跟隨該發光裝置之外部邊緣。相反可有一單一列元件或大於兩個列元件。
通孔62作為局部地中斷護金屬36且釋放該層中之內在應力之應力釋放元件，該應力在裝置之製造或處理期間累積。
為形成該等通孔62，在沉積護層36之步驟之後，圖案60形成於抗蝕層中且使用一選擇性蝕刻以在護金屬中蝕刻該等通孔62。接著，移除該抗蝕層。
以此方式，可減少裝置中之晶粒邊緣缺陷。
應力釋放元件之圖案係環繞邊緣區域42(其環繞整個裝置)所配置之複數個通孔62。在所展示之實例中，該等通孔係圓形的。
應力釋放元件62可具有1μm至200μm、較佳地2μm至100μm之一直徑，且可配置於在此實施例中自晶粒邊緣延伸高達200μm、在實施例中高達150μm或100μm之邊緣區域中。如所指示，此等應力釋放元件62可配置成列，在其情況中可有1列至50列，較佳地2列至10列或甚至2列至5列。
在影響邊緣之一尤其較佳配置中，相對地接近晶粒邊緣(特定言，50μm或較佳地25μm內)提供5μm至20μm、較佳地5μm至15μm之顯著大小之一些應力釋放元件。此等元件可與邊緣隔開至少1μm，較佳地至少5μm。注意在一圓形元件之情況中，「大小」係直徑且在一非圓形元件之情況中，該「大小」係跨過該元件之最大距離。因此，「大小」用作為「最大尺寸」之一簡寫。
25μm邊緣內之至少5μm之大小但與該邊緣經隔開之應力釋放元件可在提供壓力釋放時係尤其有效的。
僅經提供於邊緣區域中之應力釋放元件(在此實施例中係通孔)之
此一配置在金屬化30之邊緣處提供有效應力釋放且因此可減少晶粒邊緣缺陷。
替代性應力釋放元件係可能的，且將在下文進行描述。此等應力釋放元件可具有如先前段落中所論述之相同較佳大小及配置。
根據本發明之實施例，該等應力釋放元件達成邊緣區域中之最佳效應，且因此，僅在該邊緣區域中提供該等應力釋放元件以便最佳地減少晶粒邊緣缺陷。換言之，在該邊緣區域外面提供應力釋放元件不導致晶粒邊緣缺陷之一最佳減少。
在此等應力釋放元件之替代實施方案中，可簡單地以與下文之圖5及圖6之實施例類似之一方式以一較低次序性配置將通孔62配置於邊緣區域42中。
在替代配置中，可提供例如平行於裝置之邊緣且在邊緣區域42中縱向地延伸一距離1μm至1000μm之狹槽。該等狹槽之寬度可係1μm至200μm，較佳地2μm至100μm。又，較佳地在50μm或較佳地25μm之晶粒邊緣內提供一些應力釋放元件。因此，在一些較佳實施例中，邊緣區域自晶粒邊緣僅延伸50μm或較佳地25μm。
在一替代配置中，未蝕刻通過護金屬但經有效地簡單蝕刻以減少其之厚度，以形成應力釋放元件。
在另一變化中，作為應力釋放元件之通孔可形成於介電體50及護金屬36之兩者中。在另一變化中，該等通孔可僅形成於該介電體中。
在圖5及圖6之實施例中，藉由護金屬36之局部加厚而形成應力釋放元件以形成應力釋放元件64。特定言之，在邊緣區域42中，護金屬之一額外厚度形成於應力釋放元件64之一圖案60中。可藉由以下來形成該圖案：沉積護金屬36之一層，其在升離抗蝕層中形成一圖案60，接著，沉積護金屬36之一額外厚度且接著，升離該升離抗蝕層以
移除該圖案中除外之護金屬36。因此，元件64形成為兩個護金屬層，而該護金屬層之剩餘部分形成為一單一層。
在此實例中，應力釋放元件64未配置成列但配置成跨過鄰近晶粒邊緣溝渠之邊緣區域42之一較低次序性配置。以此方式，在已分離發光裝置之後，應力釋放元件鄰近該發光裝置之外部邊緣。與應力釋放元件之此較低次序性配置相反，該等應力釋放元件可配置成一或多個列。
除部分加厚護金屬36之此方法之外，相同的步驟亦可在如圖7及圖8之實施例中所繪示之介電體中實行。
在此方法中，在護金屬36之沉積及溝渠40之形成之後，沉積一介電體50。接著，以一圖案60在介電體50上沉積一抗蝕層。接著，部分地往回蝕刻該介電體以使介電體50具有額外厚度以作為邊緣區域42中之應力釋放元件64。
除使用如上所述之應力釋放元件之外，亦可使用錨定元件來減少脫層。在圖9及圖10之實施例中，在護層36之沉積之前，複數個孔在邊緣區域42中以一圖案60形成於歐姆接觸32及反射層34中。以此方式，孔中之護層36可作為錨定元件66。護層36延伸至發光堆疊20之半導體層。
此配置藉由改良護層36之錨定(此改良其之黏著性)來改良該護層36之黏著性且因此減少該護層36之脫層之風險。
在圖11及圖12中所繪示之另一實施例中，採納一替代錨定方法。在此情況中，在金屬化堆疊之沉積之前，一錨定溝渠70以一圖案60形成於邊緣區域42中。因此，金屬化堆疊之第一層(實施例中之p型接觸32)經沉積至錨定溝渠70中以形成錨定元件68。
錨定元件66、錨定元件68可僅形成於如所展示之邊緣區域42中。或者，可跨過整個裝置來形成該等錨定元件。
此方法藉由錨定堆疊來進一步改良金屬化堆疊之黏著性且因此減小金屬化堆疊之脫層之風險。
錨定元件66、錨定元件68可形成為具有1μm至200μm，較佳地2μm至100μm之一最大大小之圓形、方形或矩形元件，且可配置於自晶粒邊緣延伸在此實施例中高達200μm，在實施例中高達150μm或100μm之邊緣區域中。如圖10中所繪示，此等錨定元件66、錨定元件68可配置成列，在其情況中可有1列至50列，較佳地2列至10列或甚至2列至5列。
在以影響邊緣之一尤其較佳實施例中，相對地接近晶粒邊緣(特定言之，50μm或較佳地25μm內)提供5μm至20μm、較佳地5μm至15μm之顯著大小之一些錨定元件。此等元件可與邊緣隔開至少1μm，較佳地至少5μm。
25μm之邊緣內至少5μm之大小但與邊緣經隔開之應力釋放元件可在晶粒邊緣區域處提供錨定係尤其有效。
如圖12中所繪示，可形成替代錨定元件。此等替代錨定元件係以沿著晶粒邊緣延伸之縱向錨定元件之形式。在此情況中，長度顯著大於寬度。該寬度可係2μm至20μm且該長度係5μm至1000μm，較佳地5μm至200μm。該長度可至少高於寬度50%，較佳地該長度係寬度之至少兩倍。
熟習此項技術者將理解為進一步改良，上文所繪示之分離方法可組合於一單一裝置中，該單一裝置將因此在邊緣區域42中具有用於減少晶粒邊緣缺陷之多種圖案60。
此外，可與其他實施例使用結合一實施例所描述之圖案。
技術者將理解以上方法之變化係可能的。確實，對於一些應用，裝置之劃分可在一單一晶粒上形成多種裝置：在此情況中，在劃分分離步驟中之各單獨裝置之情況下可形成一些溝渠以分離裝置。以
此方式，可達成具有例如四個或六個個別裝置之一晶粒。可形成具有一共用基板上之多個單一晶粒之一封裝裝置。
此外，除在邊緣處提供錨定元件之外，亦可不僅是在邊緣區域中但或者或此外跨過整個裝置而提供錨定元件。自邊緣所進一步提供之進一步錨定元件可改良對整個裝置之錨定。
基板無需係一藍寶石基板且可使用例如Si、GaAs或玻璃之替代基板。可在該基板上提供諸如一半絕緣層之可選用層。此等層可為發光堆疊之沉積提供一平滑表面。
多種不同發光堆疊形成係可能的。例如，發光堆疊可由一p-i-n堆疊形式之所摻雜之矽或諸如III-V半導體之替代半導體、氮化物及所形成之異質結構形成。作用區域可係用於所改良之發光之一多層堆疊。
應力釋放元件及錨定元件之圖案之精確大小及位置可變化。該圖案可係規則的或不規則的，且可環繞整個晶粒或僅於特定區域中來配置應力釋放元件及錨定元件。例如，邊緣區域可係晶粒之最外面2μm至100μm。
可使用藉由其等而分離晶粒之許多替代方法。可使用實體劃線、雷射劃線、鋸之使用、劈裂及/或任何分離技術。
熟習此項技術者可自研究圖式、本發明及隨附申請專利範圍在實踐所主張之本發明中瞭解且實現對於所揭示之實施例之其他變化。在申請專利範圍中，單詞「包括」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」或「一個」不排除複數。在互相不同的附屬請求項中陳述某些措施之純粹事實並非指示不可使用此等措施之一組合而得到好處。申請專利範圍中之任何參照符號不應解釋為限制範疇。
10‧‧‧基板
20‧‧‧發光堆疊
22‧‧‧n型半導體層/層
24‧‧‧發光層
26‧‧‧p型半導體層/層
30‧‧‧金屬化
32‧‧‧歐姆接觸層/歐姆接觸
34‧‧‧反射層/反射Ag層
36‧‧‧護金屬層/護層/金屬護層
40‧‧‧晶粒邊緣溝渠/溝渠
42‧‧‧邊緣區域
50‧‧‧介電層
52‧‧‧接觸層
62‧‧‧圖案元件/通孔/元件/應力釋放元件
Claims (13)
- 一種固態發光裝置，其包括：複數個半導體層之一發光堆疊(20)；該發光堆疊(20)上之一金屬化(30)，該金屬化包含至少一個金數化層(32、34、36)且包括金屬之一護層(36)；該金屬化(30)之該護層(36)上之一介電層(50)；該金屬化(30)及/或介電層(50)之一邊緣區域中之複數個應力釋放元件(62、64)及/或錨定元件(66、68)，該邊緣區域係鄰近該固態發光裝置之該邊緣之該固態發光裝置之區域，其中該等應力釋放元件(62、64)藉由該護層(36)中之所增加之厚度(64)或所減少之厚度(62)之區域而形成。
- 如請求項1之固態發光裝置，其中該等邊緣區域中之至少一些該等應力釋放元件及/或錨定元件(62、64、66、68)具有至少5μm之一最大尺寸且係於該固態發光裝置之50μm之該邊緣內。
- 如請求項1或2之固態發光裝置，其中該邊緣區域中之該護層(36)中之孔形成至少一些該等應力釋放元件。
- 如請求項1至3中任一項之固態發光裝置，其中該金屬化(30)包括：該發光堆疊(20)上之一歐姆接觸層(32)，該發光堆疊具有通孔；及該歐姆接觸層上方之該護層(36)，該歐姆接觸層延伸至該等通孔中作為用於錨定該護層(36)之該等錨定元件(66)。
- 如請求項1至3中任一項之固態發光裝置，其中該金屬化(30)包括在該發光堆疊上且延伸至錨定溝渠中作為用於錨定該歐姆接觸層(32)之該等錨定元件(68)之一歐姆接觸層(32)，該等錨定溝渠 延伸至該發光堆疊(20)中。
- 如請求項1至5中任一項之固態發光裝置，其進一步包括該介電層(50)上方之一金屬之一接觸層(52)。
- 如請求項1至6中任一項之固態發光裝置，其中該等應力釋放元件與該固態發光裝置之該邊緣經隔開至少1μm。
- 一種製造固態發光裝置之方法，其包括：界定一基板(10)上之複數個半導體層之一發光堆疊(20)；在該發光堆疊(20)上形成一金屬化(30)，該金屬化包含至少一個金屬化層(32、34、36)且包括金屬之一護層(36)；形成晶粒邊緣溝渠(40)，該等晶粒邊緣溝渠延伸至該發光堆疊(20)中，該晶粒邊緣溝渠界定複數個二極體裝置之該邊緣及鄰近該等晶粒邊緣溝渠(40)之邊緣區域(42)；在該金屬化(30)之該護層(36)上及該等溝渠(40)中形成一介電層(50)；其中該方法包括藉由形成該護層(36)中之所增加之厚度(64)或所減少之厚度(62)之區域而形成該等邊緣區域中之複數個應力釋放元件(62、64)及/或該金屬化與/或介電層中之錨定元件(66、68)。
- 如請求項8之方法，其中形成於該等邊緣區域中之至少一些該等應力釋放元件及/或錨定元件(62、64、66、68)具有至少5μm之一最大尺寸且形成於50μm之該等晶粒邊緣溝渠內。
- 如請求項8或9之方法，其中形成該金屬化(30)包括：藉由在該護層(36)中形成孔而形成至少一些該等應力釋放元件。
- 如請求項8至10中任一項之方法，其中形成該金屬化(30)包括：沉積一歐姆接觸層(32)；蝕刻穿過該歐姆接觸層(32)以形成孔，以曝露該發光堆疊 (20)；將該護層(36)沉積於該歐姆接觸層上方及該等孔中以形成該等錨定元件(66)，以錨定該護層(36)。
- 如請求項8至10中任一項之方法，其包括：蝕刻至該發光堆疊(20)中以形成錨定溝渠(70)；其中沉積該金屬化(30)包括在該發光堆疊(20)上及該等錨定溝渠中沉積一歐姆接觸層(32)以界定該等錨定元件(68)。
- 如請求項8至12中任一項之方法，其進一步包括沿著裂解平面(46)劃分成個別晶粒，該等裂解平面沿著該等晶粒邊緣溝渠(40)。
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