TW201444996A - 電漿蒸發裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種電漿蒸發裝置，其能夠將電漿束高精度地引導至蒸發材料。包括電漿蒸發裝置之成膜裝置(1)具備複數個用於使成膜材料(Ma)蒸發之電漿槍(7)。複數個電漿槍(7)包括在電漿束(P)的射出方向上具有磁力線(G)方向之第1電漿槍(7R)、及在與電漿束(P)的射出方向相反的方向上具有磁力線(G)方向之第2電漿槍(7L)。從與成膜材料(Ma)相對之方向觀察時，複數個電漿槍(7)配置成並列設置於真空腔室(10)，並且第2電漿槍(7L)不會排列在相對於第1電漿槍(7R)將射出方向作為前方時的右側。

Description

電漿蒸發裝置

本發明係有關一種電漿蒸發裝置，尤其係有關一種使用複數個電漿槍來使蒸發材料蒸發之電漿蒸發裝置。

作為有關習知之電漿蒸發裝置之技術，已知有如下離子鍍裝置，例如專利文獻1所記載，真空容器中設有複數個具有磁鐵手段之電漿槍和與其對應之轉向線圈及爐缸之離子鍍裝置。該離子鍍裝置中，在爐缸的周圍設置環狀永久磁鐵，藉由將在相鄰之電漿槍中的磁鐵手段、轉向線圈、及環狀永久磁鐵的磁極方向設為相反方向，從而能夠實現減少各磁力線的干擾，並減少電漿束的扭曲。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開平9-256147

然而，在近年來的電漿蒸發裝置中，作為並列設置之複數個電漿槍，開發有具備在電漿束的射出方向上具有磁力線方向之第1電漿槍、及在與電漿束的射出方向相反的方向上具有磁力線方向之第2電漿槍之電漿槍。

此時，由電漿束本身的流動而激發自感應磁場，該電漿束的流動不僅扭曲，該扭曲之流動在複數個電漿槍之間相互增強並強烈地激發自感應磁場，存在使電漿束的流動進一步扭曲的風險。其結果，存在難以將電漿束高精度地引導至蒸發材料之問題。

本發明係鑑於上述實情而完成者，其課題在於提供一種能夠將電漿束高精度地引導至蒸發材料之電漿蒸發裝置。

為解決上述問題，本發明之電漿蒸發裝置為使蒸發材料在腔室內蒸發之電漿蒸發裝置，其中，具備複數個用於使蒸發材料蒸發之電漿槍，複數個電漿槍包括在電漿束的射出方向上具有磁力線方向之第1電漿槍、及在與電漿束的射出方向相反的方向上具有磁力線方向之第2電漿槍，從與蒸發材料相對之方向觀察時，複數個電漿槍配置成並列設置於腔室，並且第2電漿槍不會排列在相對於第1電漿槍將射出方向作為前方時的右側。

該電漿蒸發裝置中，關於並列設置之複數個電漿槍，從與蒸發材料相對之方向觀察時，配置成第2電漿槍不會 排列在相對於第1電漿槍將射出方向作為前方時的右側。藉此，能夠抑制從鄰接之電漿槍射出之電漿束的流動以相互接近之方式扭曲。其結果，能夠抑制在複數個電漿槍之間強烈激發自感應磁場，並抑制電漿束的流動進一步扭曲。因此，能夠將電漿束高精度地引導至蒸發材料。

並且，複數個電漿槍並列設置成滿足控制其電漿束的射出方向之轉向線圈之下式(1)的關係式為較佳。藉此，藉由依據下式(1)的關係式並列設置複數個電漿槍，能夠適當地抑制在複數個電漿槍之間自感應磁場相互增強。

其中，s為轉向線圈的直徑

D為複數個電漿槍之間的距離

並且，電漿槍及蒸發材料的至少一個配置成蒸發材料的中心位置偏離電漿束的射出軸為較佳。並且，電漿槍及蒸發材料的至少一個設置成能夠相對移動，以使蒸發材料的中心位置相對於電漿束的射出軸偏離為較佳。在這種情況，例如能夠考慮蒸發材料相對於電漿束的射出軸之偏離。

依本發明，可以提供一種能夠將電漿束高精度地引導至蒸發材料之電漿蒸發裝置。

1‧‧‧成膜裝置(電漿蒸發裝置)

7‧‧‧電漿槍

7L‧‧‧第2電漿槍

7R‧‧‧第1電漿槍

10‧‧‧真空腔室(腔室)

48‧‧‧轉向線圈

Ma‧‧‧成膜材料(蒸發材料)

G‧‧‧磁力線

P‧‧‧電漿束

PL‧‧‧電漿束的射出軸

第1圖係表示包括一實施形態之電漿蒸發裝置之成膜裝置之概要結構圖。

第2圖係沿第1圖的II-II線之剖面圖。

第3圖係說明第1圖的成膜裝置中電漿槍的配置之概要平面圖。

第4圖係說明第1圖的成膜裝置中電漿槍之間的距離之圖。

第5圖係說明包括參閱實施形態之電漿蒸發裝置之成膜裝置中電漿槍的配置之概要平面圖。

以下，參閱附圖對本發明的優選實施形態進行詳細說明。另外，在以下的說明中對相同或相應要件附加相同元件符號，並省略重複說明。

第1圖係表示包括一實施形態之電漿蒸發裝置之成膜裝置之概要結構圖，第2圖係沿第1圖的II-II線之剖面圖。圖中，為便於說明，示出XYZ座標系。Y軸方向為搬送後述之成膜對象物之方向。X軸方向為成膜對象物與後述之爐缸部20相對之方向。Z軸方向為與X軸方向和Y軸方向正交之方向。

本實施形態之成膜裝置係藉由RPD[Reactive Plasma Deposition]法對成膜對象物進行成膜者，在此為用於所謂 離子鍍法之離子鍍裝置。該成膜裝置構成使用複數個電漿槍在腔室內使成膜材料(蒸發材料)蒸發之電漿蒸發裝置。

並且，本實施形態的成膜裝置係，在將成膜對象物直立以使成膜對象物的板厚方向呈水平方向的狀態下或在從直立的狀態傾斜之狀態下，將成膜對象物配置於腔室內而被搬送之所謂的立式成膜裝置。此時，X軸方向為水平方向且為成膜對象物的板厚方向，Y軸方向為水平方向，Z軸方向為鉛垂方向。

另一方面，本實施形態的成膜裝置亦可為以成膜對象物的板厚方向大致成為鉛垂方向的方式，將成膜對象物配置於腔室內而被搬送之所謂的臥式成膜裝置。此時，Z軸及Y軸方向為水平方向，X軸方向為鉛垂方向且為板厚方向。以下，在本實施形態中，以立式的情況為例進行說明。

如第1圖及第2圖所示，本實施方式的成膜裝置1具備堆積部2、搬送機構3及真空腔室(腔室)10。並且，堆積部2具備複數個電漿槍7及複數個爐缸部20。

真空腔室10具有用於搬送形成有成膜材料Ma的膜之成膜對象物11之搬送室10a、為了使成膜材料Ma蒸發並擴散而使其移動的成膜室10b、及將從電漿槍7射出之電漿束P收容於真空腔室10之電漿口10c。

搬送室10a、成膜室10b、及電漿口10c相互連通。搬送室10a沿規定的搬送方向(圖中的箭頭A)(Y軸) 進行設定。並且，真空腔室10由導電性材料構成並連接於接地電位。在真空腔室10中連接有調整該真空腔室10內的壓力之壓力調整裝置(未圖示)。壓力調整裝置具有，例如渦輪分子泵和低溫泵等減壓部、及測定真空腔室10內的壓力之壓力測定部。

成膜室10b具有沿搬送方向A之一對側壁10j及10k(參閱第2圖)、沿與搬送方向A交叉之方向(X軸方向)之一對側壁10h及10i(參閱第1圖)、及與搬送室10a相對之側壁10m。側壁10h配置於成膜室10b中搬送方向A的上游側(即Y軸負方向側)。側壁10i配置於成膜室10b中搬送方向A的下游側(即Y軸正方向側)。

搬送機構3以與成膜材料Ma相對之狀態向搬送方向A搬送保持成膜對象物11之成膜對象物保持構件16。搬送機構3由設置於搬送室10a內之複數個搬送輥15構成。搬送輥15沿搬送方向A以等間隔配置，並支撐成膜對象物保持構件16的同時向搬送方向A進行搬送。另外，成膜對象物11使用例如玻璃基板和塑膠基板等板狀構件。並且，成膜對象物保持構件16使用例如在使成膜對象物11的被成膜面露出之狀態下保持成膜對象物11之搬送托盤等。

電漿槍7為壓力梯度型，其主體部分經由側壁10h的電漿口10c連接於成膜室10b。電漿槍7在真空腔室10內生成電漿束P。在電漿槍7中生成之電漿束P沿Y軸方向從電漿口10c向成膜室10b射出。在安裝有電漿槍7之 電漿口10c的周圍設置有用於將電漿束P引導至成膜室10b之轉向線圈48。轉向線圈48藉由轉向線圈用的電源被勵磁，藉此，電漿束P的射出方向(以下簡稱為“射出方向”)得到控制。

本實施方式中，相對於1個成膜室10b設置有複數個(本實施形態中為3個)電漿槍7。複數個電漿槍7沿成膜對象物11的長邊方向(Z軸方向)並排配置。複數個電漿槍7配置於相同的側壁10h。另外，複數個電漿槍7亦可在相對之一對側壁10h、10i中交替配置，亦可以係向Z軸方向排列且向X軸方向排列的結構。關於複數個電漿槍7的詳細說明如後述。

在成膜裝置1中設置有與複數個電漿槍7對應之複數個(本實施形態中為3個)爐缸部20。1個爐缸部20由1個主爐缸17及1個環爐缸6構成。

複數個爐缸部20與複數個電漿槍7對應地配置於側壁10m，在此，沿成膜對象物11的長邊方向(Z軸方向)並列設置。另外，複數個爐缸部20亦可以沿成膜對象物11的短邊方向(Y軸方向、搬送方向)並列配置，亦可以沿Z軸方向及Y軸方向這兩個方向並列配置。

爐缸部20具有用於保持作為蒸發源之成膜材料Ma之機構。爐缸部20設置於真空腔室10的成膜室10b內，並從搬送機構3觀察時沿X軸方向的負方向配置。爐缸部20具有將從電漿槍7射出之電漿束P引導至成膜材料Ma之主陽極或從電漿槍7射出之電漿束P被引導之主陽極即 主爐缸17。

主爐缸17具有填充有成膜材料Ma並沿X軸方向的正方向延伸之筒狀的填充部17a、及從填充部17a突出之凸緣部17b。主爐缸17相對於具有真空腔室10之接地電位被保持在正電位，並吸引電漿束P。入射有該電漿束P之主爐缸17的填充部17a中形成有用於填充成膜材料Ma之貫穿孔17c。並且，成膜材料Ma的前端部分在該貫穿孔17c的一端上暴露於成膜室10b。

環爐缸6為具有用於感應電漿束P之電磁石之輔助陽極。環爐缸6配置於保持成膜材料Ma之主爐缸17的填充部17a的周圍。環爐缸6具有環狀的線圈9、環狀的永久磁鐵13及環狀的容器12，線圈9及永久磁鐵13容納於容器12。環爐缸6依據流過線圈9之電流大小來控制入射到成膜材料Ma之電漿束P的寬度、粗細或入射到主爐缸17之電漿束P的寬度、粗細。

作為成膜材料Ma例示有ITO或ZnO等透明導電材料或是SiON等絕緣密封材料。當成膜材料Ma由絕緣材料物質構成時，若對主爐缸17照射電漿束P，則藉由來自電漿束P的電流主爐缸17被加熱而成膜材料Ma的前端部分蒸發，藉由電漿束P被離子化之成膜材料微粒Mb在成膜室10b內擴散的同時向搬送室10a側移動。並且，當成膜材料Ma由導電性物質構成時，若對主爐缸17照射電漿束P，則電漿束P直接入射到成膜材料Ma並且成膜材料Ma的前端部分被加熱而蒸發，藉由電漿束P被離子 化之成膜材料微粒Mb在成膜室10b內擴散的同時向搬送室10a側移動。

在成膜室10b內擴散之成膜材料微粒Mb向成膜室10b的X軸正方向移動，並在搬送室10a內附著於成膜對象物11的表面。另外，成膜材料Ma係成形為規定長度的圓柱形狀之固體物，並填充於爐缸部20的主爐缸17。並且，依據成膜材料Ma的消耗，成膜材料Ma從爐缸部20的主爐缸17的X軸負方向側依次被擠出，以使最前端側的成膜材料Ma的前端部分保持與主爐缸17的上端的規定的位置關係。

第3圖係說明第1圖的成膜裝置中電漿槍的配置之概要平面圖，第4圖係說明第1圖的成膜裝置中電漿槍之間的距離之圖。如第3圖所示，本實施形態的複數個電漿槍7包括第1電漿槍7R及第2電漿槍7L。第1電漿槍7R係在其電漿束P的射出方向上具有磁力線G的方向之電漿源，稱為所謂的R槍。第2電漿槍7L係在與電漿束P的射出方向相反的方向上具有磁力線G的方向之電漿源，稱為所謂的L槍。

在此，複數個電漿槍7將電漿束P朝Y軸正方向射出，從而在真空腔室10的側壁10h沿Z軸方向並列設置(參閱第1圖及第2圖)。並且，在從X軸正方向朝向X軸負方向的方向觀察時，複數個電漿槍7配置成第2電漿槍7L、第2電漿槍7L及第1電漿槍7R以該順序朝向Z軸負方向並列。

即，如圖所示，從與成膜材料Ma相對之方向(與成膜材料微粒Mb的蒸發方向相對之方向)觀察時，複數個電漿槍7以規定的間隔沿Z軸方向串聯並列設置，並且在向作為並列設置方向的交叉方向之正交方向(Y軸方向)射出電漿束P之方向上分別配置。並且，從與成膜材料Ma相對之方向觀察時，這些複數個電漿槍7配置成將射出方向作為前方時第2電漿槍7L不會排列在第1電漿槍7R的右側。即，在從射出方向觀察時(從Y軸負方向朝Y軸正方向觀察時)，複數個電漿槍7配置成第2電漿槍7L不會排列在將成膜材料Ma側作為下側(X軸負側)時的第1電漿槍7R的右側。

換言之，複數個電漿槍7在沿成膜對象物11的厚度方向從搬送機構3側觀察時(參閱第1圖及第2圖)，從將射出方向作為前方時的左側依次排列有第2電漿槍7L、第2電漿槍7L及第1電漿槍7R，具有所謂的LLR配置結構。

並且，如第4圖所示，複數個電漿槍7以規定的間隔進行並列設置，以避免其相鄰之一對電漿槍7，7由於電漿束P彼此造成的不良影響。具體而言，複數個電漿槍7並列設置成滿足轉向線圈48之下式(1)的關係式。另外，電漿槍7之間的距離D係指在其電漿束P的射出軸PL之間的距離。

其中， s為轉向線圈48的直徑

D為複數個電漿槍7之間的距離

並且，在這樣構成之成膜裝置1中，電漿槍7及成膜材料Ma中的至少一個設置成沿電漿槍7的並列設置方向能夠相對移動，以使成膜材料Ma之中心位置相對於電漿束P的射出軸PL偏離。例如，各爐缸部20經由將Z軸方向作為長邊方向之長孔等氣密地固定於真空腔室10，各爐缸部20能夠沿Z軸方向相對移動。藉此，從X軸方向觀察時，成膜材料Ma的中心位置相對於電漿束P的射出軸PL，向Z軸方向偏離規定距離dZ。另外，亦可以代替這樣將各爐缸部20設置成能夠相對移動或除此之外將各電漿槍7設置成能夠相對移動。

規定距離dZ依據電漿束P中電子的迴轉半徑(拉莫爾半徑)R、及成膜材料Ma的迴轉半徑r進行設定，以使電漿束P照射到成膜材料Ma。這時的規定距離dZ為這些迴轉半徑R與r之間的值，由下式(2)設定為較佳。並且，該規定距離dZ，例如亦可為由模擬實驗導出之模擬值，亦可為實際測量值或經驗值。

dZ=(R×r)^0.5×α(α：系數)…(2)

然而，電漿槍7具有藉由因其電漿束P本身的流動產生之自感應磁場而扭曲並流入陽極之性質。電漿束P的扭曲方向藉由其磁力線G的方向而出現不同，在第1及第2電漿槍7R、7L上不同。並且，從與成膜材料Ma相對之方向觀察時，若第2電漿槍7L並排配置在相對於第1電 漿槍7R將射出方向作為前方時的右側(所謂RL配置)，則發現從鄰接之電漿槍7射出之電漿束P的流動會以相互接近之方式而造成扭曲(參閱第5圖)。

在此方面，本實施方式中，關於並列設置之複數個電漿槍7，從與成膜材料Ma相對之方向觀察時，配置成第2電漿槍7L不會排列在相對於第1電漿槍7R在將射出方向作為前方時的右側，所謂的不包括RL配置之結構。藉此，使用RL配置能夠抑制電漿束P的流動以相互接近的方式扭曲之明顯的現象。

即，依本實施方式，能夠抑制在複數個電漿槍7之間強烈激發自感應磁場，並抑制電漿束P的流動進一步扭曲。其結果，能夠將電漿束P高精度地引導至成膜材料Ma，能夠適當地使成膜材料Ma蒸發並合理地(以良好的膜厚分佈)在成膜對象物11上進行成膜。

並且，本實施形態中如上述，複數個電漿槍7並列設置成滿足上式(1)的關係式。這樣，藉由複數個電漿槍7具有上式(1)的配置關係，能夠在它們之間適當地抑制自感應磁場的增強。

另外，例如Ds×1.1時，電漿槍7之間的距離D變小，在電漿槍7之間強烈激發自感應磁場而使電漿束P的流動的扭曲變大，因此導致難以將電漿束P引導至成膜材料Ma。另一方面，例如s×2.0D時，電漿槍7之間的距離D變大，甚至成膜材料Ma(爐缸部20)之間的距離亦變大，因此導致很難以均勻的膜厚分佈在成膜對象物 11上進行成膜。

並且，通常，邊觀察電漿束P的情況一邊調整轉向線圈48，藉此，實現電漿束P接觸成膜材料Ma。但是，該調整需要熟練的技術等，並且直至調整結束為止可能需要較長時間，並且，當電漿槍7為複數個時調整將會很困難。對此，本實施形態中如上述，將電漿槍7及成膜材料Ma中的至少一個設置成能夠相對移動，成膜材料Ma的中心位置設置成相對於電漿束P的射出軸PL能夠相對移動，以使電漿束P照射到成膜材料Ma。藉此，能夠以簡單且適當地結構使電漿束P準確地照射到成膜材料Ma。

另外，在第2電漿槍7L、7L之間存在電漿束P變薄之擔憂。但是，實際上在這些第2電漿槍7L、7L的電漿束P、P之間的電位的谷間能夠吸入離子，因此能夠抑制電漿密度的降低。

順便說一下，在本實施形態中，將電漿槍7及成膜材料Ma中的至少一個構成為能夠相對移動，以使成膜材料Ma的中心位置從電漿束P的射出軸PL上偏離，但作為代替或除此之外，亦可以預先配置為成膜材料Ma的中心位置從電漿束P的射出軸PL上偏離。

[參閱實施例]

接著，參閱第5圖對參閱實施例之電漿蒸發裝置進行說明。另外，以下主要對與上述成膜裝置1不同之點進行說明。

第5圖係說明包括參閱實施形態之電漿蒸發裝置之成膜裝置中電漿槍的配置之概要平面圖。如第5圖所示參閱實施例之成膜裝置100在複數個電漿槍7的配置與上述成膜裝置1(參閱第3圖)的不同點上有差異。

具體而言，在從X軸正方向朝向X軸負方向之方向(與成膜材料Ma相對之方向)觀察時，複數個電漿槍7以規定的間隔沿Z軸方向串聯並列設置，並且配置成第2電漿槍7L排列在相對於第1電漿槍7R將射出方向作為前方時的右側。換言之，複數個電漿槍7具有所謂的RL配置結構即，從將射出方向作為前方時的左側依次排列有第1電漿槍7R及第2電漿槍7L。

這種構成之成膜裝置100中，相鄰之一對成膜材料Ma以相互接近之方式進行配置。具體而言，在從X軸正方向朝向X軸負方向之方向觀察時，與第1電漿槍7R對應之成膜材料Ma(爐缸部20)的中心位置，配置成相對於電漿束P的射出軸PL沿Z軸方向向第2電漿槍7L側偏離規定距離dZ，並且與第2電漿槍7L對應之成膜材料Ma(爐缸部20)的中心位置，配置成相對於電漿束P的射出軸PL沿Z軸方向向第1電漿槍7R側偏離規定距離dZ。

規定距離dZ與上述成膜裝置1相同地能夠以電漿束P照射到成膜材料Ma之方式依據迴轉半徑R、r進行設定，並能夠藉由上述(2)進行設定。另外，亦可以代替配置為成膜材料Ma(爐缸部20)偏離或除此之外配置成 第1及第2電漿槍7R、7L偏離。另外，電漿槍7及成膜材料Ma的至少一個與上述成膜裝置1相同地亦可以構成為能夠相對移動，以使成膜材料Ma的中心位置從電漿束P的射出軸PL上偏離。

以上，參閱實施形態之成膜裝置100中，即使具有所謂RL配置結構時，成膜材料Ma的中心位置配置成從電漿束P的射出軸PL上偏離，以便電漿束P照射到成膜材料Ma，因此能夠將電漿束P準確地照射(接觸)到成膜材料Ma，能夠適當地使成膜材料Ma蒸發並準確且適當地在成膜對象物11上進行成膜。

以上，對本發明的優選實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可以在不改變各權利要求書所述之宗旨範圍內進行變形或應用於其他發明。

例如，上述實施形態的成膜裝置1具備3個電漿槍7，但亦可具備2個，亦可具備4個以上。並且，上述實施形態的成膜裝置1中，複數個電漿槍7具有所謂LLR配置結構，但並不限定於此。複數個電漿槍7在從與成膜材料Ma相對之方向觀察時，亦可具有以下配置結構。

即，例如具備3個電漿槍7時，亦可具有從將射出方向作為前方時的左側依次並列設置有第2電漿槍7L、第1電漿槍7R及第1電漿槍7R之配置結構(所謂LRR配置結構)。例如，具備2個電漿槍7時，亦可具有並列設置有第2電漿槍7L及第1電漿槍7R之配置結構(所謂LR配置結構)。並且，例如具備4個電漿槍7時，亦可具有 LLLR配置結構、LLRR配置結構、及LRRR配置結構。總之，只要配置成第2電漿槍7L不排列在相對於第1電漿槍7R將射出方向作為前方時的右側即可。

並且，在上述實施形態中，將電漿蒸發裝置應用於成膜裝置1，但並不限定於此。例如，本發明亦能夠應用於，為了分離作為氧化鎂和氧化鋁等氧化物的蒸發材料而使該蒸發材料在腔室內藉由電漿束進行蒸發之還原裝置。

1‧‧‧成膜裝置(電漿蒸發裝置)

7‧‧‧電漿槍

7L‧‧‧第2電漿槍

7R‧‧‧第1電漿槍

20‧‧‧爐缸部

48‧‧‧轉向線圈

Ma‧‧‧成膜材料(蒸發材料)

G‧‧‧磁力線

P‧‧‧電漿束

Claims (4)

1. 一種電漿蒸發裝置，其在腔室內使蒸發材料蒸發，其特徵為，前述電漿蒸發裝置具備複數個用於使前述蒸發材料蒸發之電漿槍，前述複數個電漿槍包括：第1電漿槍，在電漿束的射出方向上具有磁力線方向；及第2電漿槍，在與電漿束的射出方向相反的方向上具有磁力線方向，從與前述蒸發材料相對之方向觀察時，複數個電漿槍配置成並列設置於前述腔室，並且前述第2電漿槍不會排列在相對於前述第1電漿槍將前述射出方向作為前方時的右側。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蒸發裝置，其中，前述複數個電漿槍並列設置成滿足控制其電漿束的射出方向之轉向線圈之下式(1)的關係式， 其中，s為前述轉向線圈的直徑，D為前述複數個電漿槍之間的距離。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之電漿蒸發裝置，其中 前述電漿槍及前述蒸發材料中的至少一個配置成前述蒸發材料的中心位置偏離電漿束的射出軸。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之電漿蒸發裝置，其中，前述電漿槍及前述蒸發材料中的至少一個設置成能夠相對移動，以使前述蒸發材料的中心位置相對於電漿束的射出軸偏離。