TW201344752A - 曝光裝置、曝光方法、元件製造方法 - Google Patents

曝光裝置、曝光方法、元件製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之基板保持具PH，具備：基材PHB；第1保持部PH1，係形成於基材PHB且吸附保持基板P；以及第2保持部PH2，係形成於基材PHB且將板構件T吸附保持於第1保持部PH1所吸附保持之基板P附近。具備基板保持具PH之曝光裝置，不僅板體之更換容易，且維修亦較容易。因此，適合用於液浸曝光。

Description

曝光裝置、曝光方法、元件製造方法
本發明係關於保持處理基板之基板保持裝置及具備該裝置之曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、以及撥液片。
半導體元件或液晶顯示元件，係藉由將形成於光罩上之圖案轉印於感光性基板上、即所謂之微影方法來製造。此微影步驟所使用之曝光裝置，具有支撐光罩之光罩載台與支撐基板之基板載台，使光罩載台與基板載台一邊逐次移動一邊透過投影光學系統將光罩之圖案轉印於基板。近年來，為對應元件圖案之更高積體化，而期待投影光學系統具有更高解析度。投影光學系統之解析度，係所使用之曝光波長越短、或投影光學系統之數值孔徑越大則會越提高。因此，曝光裝置所使用之曝光波長逐年變短，投影光學系統之數值孔徑則逐漸增大。又，目前主流之曝光波長雖為KrF準分子雷射光之248nm，但波長更短之ArF準分子雷射光的193nm亦逐漸實用化。又，進行曝光時，焦深(DOF)亦與解析度同樣重要。解析度R及焦深δ分別以下式表示。
R=k1‧λ/NA………(1)
δ=±k2‧λ/NA2……(2)
此處，λ為曝光波長，NA為投影光學系統之數值孔徑，k1、k2係處理係數。從(1)式、(2)式可知，為了提高解析度R，而縮短曝光波長λ、增大數值孔徑NA時，即會使焦深δ變窄。
若焦深δ變得過窄，即難以使基板表面與投影光學系統之像面一致，有進行曝光動作時焦點裕度不足之虞。因此，作為實質上縮短曝光波長且擴大焦深之方法，例如已提出一種國際公開第99/49504號公報所揭示之液浸法。此液浸法，係以水或有機溶媒等液體充滿投影光學系統下面與基板表面間來形成液浸區域，利用液體中之曝光用光的實質波長為在空氣中之1/n倍(n為液體折射率，通常係1.2~1.6左右)，來提高解析度，且能將焦深放大至n倍。
然而，如圖18所示，對基板P進行液浸曝光時，會產生液浸區域AR2’(覆蓋投影光學系統之投影區域AR1’)之一部分或全部形成於基板P外側之情形。此時，由於基板P周圍之基板載台PST’上面與液體接觸，因此容易使形成該基板載台PST’上面之構件(或其被膜)產生劣化或破損。又，當產生此種劣化或破損時，由於需進行基板載台PST’之交換或修復等維修作業，因此會使曝光裝置之運轉率降低。
又，在將液浸區域AR2’一部分形成於基板P外側之狀態下使基板P邊緣區域曝光時，液體即有可能會透過基板與基板載台間之間隙等回流至基板背面側，滲入基板與 基板載台(基板保持具)之間。此時，會產生基板載台無法良好地保持基板的可能性。例如，由於滲入基板背面與基板載台間之液體會產生異物之作用，因此有可能導致所支撐之基板的平坦度劣化。或亦能想見會因所滲入之液體氣化而形成附著痕跡(即水痕)。由於該水痕亦產生異物之作用，因此可能導致所支撐之基板的平坦度劣化。又，亦有可能因滲入基板與基板載台間之液體氣化時的氣化熱，而使基板載台產生熱變形等不良情形。
本發明係有鑑於上述情形，其目的係提供能容易執行維修作業之基板保持裝置、曝光裝置以及使用該曝光裝置之元件製造方法。又，本發明之目的係提供適用於液浸曝光裝置之撥液片。再者，本發明之目的係提供能防止液體滲入基板背面側之基板保持裝置、曝光裝置、以及使用該曝光裝置之元件製造方法。
為解決上述問題，本發明採用了對應實施形態所示之圖1~圖17的下述構成。不過，付加於各要素之包含括弧的符號僅係該要素之例示，而並非限定各要素。
根據本發明之第1態樣，提供一種基板保持裝置(PH)，係用以保持處理基板(P)，其特徵在於，具備：基材(PHB)；第1保持部(PH1)，係形成於基材(PHB)，用以吸附保持處理基板(P)；以及第2保持部(PH2)，係形成於基材(PHB)，用以將板體(T)吸附保持於被第1保持部(PH1)吸附保持之處理基板(P)附近。
根據本發明，能使配置在第1保持部所吸附保持之處理 基板附近的板體容易拆裝於第2保持部。藉此，例如該板體劣化、破損時，能容易地僅將該板體與新板體交換。又，由於板體係被第2保持部吸附保持的構造，因此能防止局部力量加在板體或基材等。據此，能抑制板體或基材之變形。又，本申請案中之用語「處理基板」，係指被施以包含曝光處理之各種流程處理的基板，其包含半導體元件製造用之半導體晶圓、液晶顯示(LCD)用基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、以及將感光性材料之光阻塗布於用在各種用途(在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)等)的基板者。
根據本發明之第2態樣，提供一種曝光裝置(EX)，係用以將圖案像投影於處理基板(P)上，以使處理基板(P)曝光，其特徵在於，具備：第1板體(T1)；第2板體(T2)；以及基板保持裝置(PH)，其具備：第1保持部(PH1)，係吸附保持處理基板(P)；第2保持部(PH2)，係將第1板體(T1)吸附保持於第1保持部(PH1)所吸附保持之處理基板(P)附近；以及第3保持部(PH3)，係將第2板體(T2)吸附保持於第1保持部(PH1)所吸附保持之處理基板(P)附近。
根據本發明，能使配置於第1保持部所吸附保持之處理基板體附近的第1、第2板體容易拆裝於第2、第3保持部。據此，例如當該第1、第2板體破損時，能容易地與新板體交換。又，亦能僅將第1板體及第2板體中之任一方交換，或能在複數個板體中僅將任意之板體交換。又，由於形成基板保持裝置上面之第1、第2板體係被第2、第3保持部吸附保持的構造，因此能防止局部力量加在第1、第2板體 或基材等。據此，能抑制第1、第2板體或基材之變形。
根據本發明，係提供一種元件製造方法，其特徵在於使用了上述之曝光裝置(EX)。根據本發明，由於能良好地進行曝光處理及測量處理，因此能提供具有所欲性能之元件。
根據本發明之第3態樣，提供一種撥液片(T、T1、T2)，係使用於曝光裝置(EX)，該曝光裝置係透過液體(LQ)將曝光用光照射於基板保持裝置所保持之處理基板上，藉此使該處理基板曝光，其特徵在於：該撥液片係吸附保持於基板保持裝置(PH)，且在被基板保持裝置(PH)吸附保持之處理基板(P)附近，形成有其表面具撥液性之平坦部(Ta、Td)。
根據本發明，由於能在處理基板附近形成該表面具撥液性之平坦部，因此使處理基板之邊緣區域曝光時，亦能良好地維持液浸區域。又，例如當該撥液片之撥液性劣化時，僅藉由與新撥液片交換，即能維持形成於處理基板附近之平坦部表面的潑液性能。據此，能抑制液體殘留於基板保持裝置上，且即使液體殘留亦能圓滑地回收該液體。因此，能防止因殘留之液體的氣化，而例如產生放置基板之環境(溫度、濕度)變動而引起基板或基板保持裝置熱變形、或使測量基板位置資訊等各種測量用光的光路變動、或形成液體之附著痕跡(即水痕)等不良情形。
根據本發明之第4態樣，提供一種基板保持裝置(PH)，係保持透過液體(LQ)照射曝光用光照射之處理基板(P)，其特徵在於，具備：基材(PHB)；第1保持部(PH1)，係形成於基材(PHB)，用以保持處理基板(P)；第2保持部(PH2)，係形成於基材(PHB)，用以將板體(T)保持於第1保持部(PH1) 所保持之處理基板(P)附近；以及液體回收口(61,161,181)，係形成於基材(PHB)，用以回收從保持於第1保持部(PH1)之處理基板(P)與保持於第2保持部(PH2)之板體(T)的間隙(A)滲入的液體(LQ)。
根據本發明，能使配置於第1保持部所保持之處理基板體附近的板體容易拆裝於第2保持部。據此，例如當該板體劣化、破損時，能容易地僅將該板體與新板體交換。又，由於藉由液體回收口，能回收從保持於第1保持部之處理基板與保持於第2保持部之板體的間隙滲入的液體，因此能抑制液體回流至基板背面側的不良情形。
根據本發明之第5態樣，提供一種基板保持裝置(PH)，係保持透過液體(LQ)照射曝光用光(EL)之處理基板(P)，其特徵在於：具備：基材(PHB)；第1保持部(PH1)，係形成於基材(PHB)，用以保持處理基板(P)；以及第2保持部(PH2)，係形成於基材(PHB)，用以將板體(T)保持於第1保持部(PH1)所保持之處理基板(T)附近，保持於第2保持部(PH2)之板體(T)，具有：第1面(Ta)，係與處理基板(P)之表面(Pa)大致同一面高；以及第2面(Tj)，係在保持於第1保持部(PH1)之處理基板(P)周緣部與其處理基板(P)背面對向。
根據本發明，能使配置於第1保持部所保持之處理基板體附近的板體容易拆裝於第2保持部。據此，例如當該板體劣化、破損時，能容易地僅將該板體與新板體交換。又，由於板體具有與處理基板表面大致同一面高的第1面，因此即使將形成於處理基板上之液浸區域一部分配置於板體上，亦能良好地維持液浸區域。再者，由於板體具有在處 理基板周緣部與處理基板背面對向之第2面，因此能防止從保持於第1保持部之處理基板與保持於第2保持部之板體之間隙滲入的液體回流至基板背面側的不良情形。
根據本發明，提供一種曝光裝置(EX)，其特徵在於：具備上述所記載之基板保持裝置(PH)，透過液體(LQ)將曝光用光(EL)照射於該基板保持裝置(PH)所保持之處理基板(P)，藉此使該處理基板(P)曝光。
根據本發明，能使配置於第1保持部所保持之處理基板體附近的板體容易拆裝於第2保持部。據此，例如當該板體劣化、破損時，能容易地與新板體交換。又，由於防止液體滲入基板之背面側，因此能在以基板保持裝置良好地保持基板之狀態下以良好精度進行曝光。
根據本發明，提供一種元件製造方法，其特徵在於：使用上述所記載之曝光裝置(EX)。根據本發明，由於能良好地進行曝光處理及測量處理，因此能提供具有所欲性能之元件。
根據本發明之第6態樣，提供一種基板載台(PST)，係保持曝光用光照射之處理基板(P)並移動，其特徵在於，具備：基材(PHB)；第1保持部(PH1)，係形成於該基材(PHB)，將該處理基板(P)保持成能拆裝；以及第2保持部(PH2)，係形成於該基材(PHB)，將該板體(T)於第1保持部所保持之處理基板附近保持成能拆裝。根據本發明，由於在基板載台上，板體係以能拆裝之方式保持於設於基材的第2保持部，因此能以良好狀態保持板體，使板體之交換作業較為容易。
根據本發明之第7態樣，提供一種曝光方法，係以既定 圖案來使處理基板(P)曝光，其特徵在於，包含：將該處理基板(P)，以既定間隙(A)設置於設有平坦面(Ta)之基板保持具(PH)上處理基板(P)與平坦面(Ta)間的步驟；透過液體(LQ)將曝光用光照射於該處理基板來使處理基板曝光的步驟；以及該處理基板之曝光處理結束後，將從間隙(A)滲入之液體(LQ)回收的步驟。根據本發明之曝光方法，能防止因液體回收動作之振動等而影響曝光動作。
2‧‧‧光學元件
2A‧‧‧光學元件2之液體接觸面
10‧‧‧液體供應機構
11‧‧‧液體供應部
12,12A,12B‧‧‧供應口
13‧‧‧供應管
20‧‧‧液體回收機構
21‧‧‧液體回收部
22,172‧‧‧回收口
23‧‧‧回收管
31‧‧‧第1空間
32‧‧‧第2空間
33‧‧‧第3空間
40‧‧‧第1真空系統
41‧‧‧第1吸引口
42‧‧‧第1周壁部
42A‧‧‧第1周壁部42之上面
42B‧‧‧第1周壁部42之側面
42N,170‧‧‧凹部
45,65,85,165,171‧‧‧流路
46‧‧‧第1支撐部
46A‧‧‧第1支撐部46之上面
56‧‧‧第1升降構件
56H,57H,TH,TH2‧‧‧孔部
57‧‧‧第2升降構件
60‧‧‧第2真空系統
61‧‧‧第2吸引口
62‧‧‧第2周壁部
62A‧‧‧第2周壁部62之上面
62B‧‧‧第2周壁部62之側面
62N‧‧‧凸部
63‧‧‧第3周壁部
63A‧‧‧第3周壁部63之上面
66‧‧‧第2支撐部
66A‧‧‧第2支撐部66之上面
68‧‧‧多孔體
70‧‧‧噴嘴構件
70A‧‧‧噴嘴構件70之下面
80‧‧‧第3真空系統
81‧‧‧第3吸引口
82‧‧‧第4周壁部
82A‧‧‧第4周壁部82之上面
83‧‧‧第5周壁部
83A‧‧‧第5周壁部83之上面
86‧‧‧第4支撐部
91,93‧‧‧移動鏡
92,94‧‧‧雷射干涉儀
95‧‧‧基板對準系統
96‧‧‧光罩對準系統
150‧‧‧突起部
160,180‧‧‧回收用真空系統
161,181‧‧‧液體回收口
162‧‧‧中間周壁部
162A‧‧‧中間周壁部162之上面
167,168,173‧‧‧空間
182,192‧‧‧斜面
182A‧‧‧第1斜面
182B‧‧‧第2斜面
300‧‧‧基準部
400‧‧‧基準板
A,B,C,D,F,G‧‧‧間隙
AM‧‧‧對準標記
AR1,AR1’‧‧‧投影區域
AR2,AR2’‧‧‧液浸區域
AX‧‧‧光軸
BP‧‧‧底座
CONT‧‧‧控制裝置
Dp‧‧‧基板P之厚度
Dt‧‧‧板構件T之厚度
E‧‧‧邊緣位置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光學系統
LQ‧‧‧液體
M‧‧‧光罩
MEM,PFM‧‧‧基準標記
MST‧‧‧光罩載台
MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置
NT‧‧‧缺口部
P‧‧‧基板
Pa‧‧‧基板P之表面
Pb‧‧‧基板P之背面
Pc‧‧‧基板P之側面
PH‧‧‧基板保持具(基板保持裝置)
PH1‧‧‧第1保持部
PH2‧‧‧第2保持部
PH3‧‧‧第3保持部
PHB‧‧‧基材
PK‧‧‧鏡筒
PL‧‧‧投影光學系統
PST,PST’‧‧‧基板載台
PSTD‧‧‧基板載台驅動裝置
T,T’‧‧‧板構件
T1‧‧‧第1板構件
T2‧‧‧第2板構件
Ta‧‧‧板構件T之表面
Tb‧‧‧板構件T之背面
Tc‧‧‧板構件T之側面
Td‧‧‧第2板構件T2之表面
Te‧‧‧第2板構件T2之背面
Tf‧‧‧第2板構件T2之側面
Tg‧‧‧承受面
Tj‧‧‧第2面
S1~S24‧‧‧照射區域
圖1係顯示本發明之曝光裝置一實施形態的概略構成圖。
圖2係顯示基板保持具一實施形態的側截面圖。
圖3係顯示基板保持具一實施形態的俯視圖。
圖4係基板載台的俯視圖。
圖5係圖2之主要部位放大圖。
圖6係顯示基板及板構件從基板保持具離開之狀態的圖。
圖7係顯示曝光步驟一例的流程圖。
圖8係顯示對基板保持具進行拋光處理之狀況的示意圖。
圖9係顯示從基板保持具之液體回收口回收液體之狀態的示意圖。
圖10係顯示基板保持具之另一實施形態(第2實施形態)的圖。
圖11係顯示基板保持具之另一實施形態(第3實施形態) 的圖。
圖12係顯示基板保持具之另一實施形態(第4實施形態)的圖。
圖13係顯示基板保持具之另一實施形態(第5實施形態)的圖。
圖14係顯示基板保持具之另一實施形態(第6實施形態)的圖。
圖15係第6實施形態之基板保持具的側截面圖。
圖16係顯示曝光裝置之另一實施形態的示意圖。
圖17係顯示半導體元件之製造步驟一例的流程圖。
圖18係用以說明習知技術之課題的示意圖。
以下，雖參照圖式說明本發明之曝光裝置，但本發明不限定於此。
<第1實施形態>
圖1係顯示本發明之曝光裝置之第1實施形態的概略構成圖。圖1中，曝光裝置EX，具有：光罩載台MST，係能支撐光罩M並移動；基板載台PST，具有保持基板P之基板保持具(基板保持裝置)PH，能移動基板保持具PH所保持之基板P；照明光學系統IL，係以曝光用光EL照明支撐於光罩載台MST之光罩M；投影光學系統PL，係將以曝光用光EL照明之光罩M的圖案像投影於支撐在基板載台PST的基板P；以及控制裝置CONT，係統籌控制曝光裝置EX整體之動作。
本實施形態之曝光裝置EX係一適用液浸法的液浸曝光裝置，其用以在實質上縮短曝光波長來提高解析度且在實質上放大焦深，具備：將液體LQ供應至基板P上之液體供應機構10、以及回收基板P上之液體LQ的液體回收機構20係。本實施形態中，液體LQ係使用純水。曝光裝置EX，至少在將光罩M之圖案像轉印於基板P上的期間，藉由從液體供應機構10所供應之液體LQ，將大於投影區域AR1且小於基板P之液浸區域AR2，局部地形成於基板P(包含投影光學系統PL之投影區域AR1)上之至少一部分。具體而言，曝光裝置EX，係使液體LQ充滿投影光學系統PL像面側前端部之光學元件2與基板P表面(曝光面)之間，透過此投影光學系統PL與基板P間之液體LQ及投影光學系統PL，將光罩M之圖案像投影於基板保持具PH所保持之基板P上，藉此使基板曝光。
此處，本實施形態係以使用掃瞄型曝光裝置(即掃瞄步進機)作為曝光裝置EX之情形為例來說明，該掃瞄型曝光裝置，係一邊使光罩M與基板P往掃瞄方向之彼此互異的方向(反方向)同步移動，一邊將形成於光罩M之圖案曝光於基板P。以下說明中，將與投影光學系統PL之光軸AX一致的方向設為Z軸方向、將在垂直於Z軸方向之平面內、光罩M與基板P同步移動之方向(掃瞄方向)設為X軸方向、將垂直於Z軸方向及X軸方向之方向(非掃瞄方向)設為Y軸方向。又，將繞X軸、Y軸、及Z軸周圍之旋轉(傾斜)方向分別設為θ X、θ Y、以及θ Z方向。又，此處所謂「基板」，係指施以包含曝光處理之各種流程處理的處理基板， 其包含於半導體晶圓上塗布感光性材料之光阻者。又，「光罩」係包含用以形成縮小投影於基板上之元件圖案的標線片。
照明光學系統IL，係以曝光用光照明支撐於光罩載台MST的光罩M，其具有：射出曝光用光EL之曝光用光源、使從曝光用光源射出之曝光用光EL的照度均一化的光學積分器、使來自光學積分器之曝光用光EL聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統、將曝光用光EL所形成之光罩M上的照明區域設定成狹縫狀的可變視野光閘等。光罩M上之既定照明區域，係藉由照明光學系統IL以均一照度分佈的曝光用光EL來照明。作為從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出之亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)，或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態係使用ArF準分子雷射光。如上所述，本實施形態之液體LQ係純水，即使曝光用光EL係ArF準分子雷射光亦能透射。又，純水亦能使光線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透射。
光罩載台MST，係能保持光罩M並移動，藉由例如真空吸附(或靜電吸附)方式來固定光罩M。光罩載台MST，係能在垂直於投影光學系統PL之光軸AX的平面內、亦即在XY平面內進行2維移動，且能微幅旋轉於θ Z方向。光罩載台MST係由線性馬達等之光罩載台驅動裝置MSTD所驅動。光罩載台驅動裝置MSTD由控制裝置CONT所控制。
於光罩載台MST上，設有與光罩載台MST一起移動之移動鏡91。又，在與移動鏡91對向之位置設置雷射干涉儀92。移動鏡91，係用以測量光罩載台MST位置的雷射干涉儀92用的反射鏡。光罩載台MST上之光罩M的2維方向(XY方向)位置、及θ Z方向之旋轉角(視情形不同有時亦包含θ X、θ Y方向之旋轉角)，係藉由雷射干涉儀92以即時方式測量。雷射干涉儀92之測量結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT，即根據雷射干涉儀92之測量結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，藉此控制支撐於光罩載台MST之光罩M位置。
投影光學系統PL，係以既定之投影倍率β將光罩M之圖案投影曝光於基板P。投影光學系統PL係以複數個光學元件(包含設於基板P側前端部之光學元件2)構成，此等光學元件係以鏡筒PK支撐。本實施形態中，投影光學系統PL，係投影倍率β例如為1/4、1/5、或1/8之縮小系統。此外，投影光學系統PL亦可為等倍系統及放大系統之任一者。投影光學系統PL，亦可係包含折射元件與反射元件之反射折射系統、不包含反射元件之折射系統、不包含折射元件之反射系統的任一者。又，本實施形態之投影光學系統PL前端部的光學元件2，係設置成能拆裝於(交換)鏡筒PK，液浸區域AR2之液體LQ係接觸於光學元件2。
基板載台PST，具有吸附保持基板P之基板保持具PH、以及保持於基板保持具PH之板構件T，係能在底座BP上2維移動於XY平面內，並能微幅旋轉於θ Z方向。再者，基板載台PST，亦能移動於Z軸方向、θ X方向、以及θ Y方 向。亦即，保持於基板保持具PH之基板P，係能移動於Z軸方向、θ X、θ Y方向(傾斜方向)、2維方向(XY方向)、以及θ Z方向。
基板載台PST，係由包含線性馬達等之基板載台驅動裝置PSTD所驅動。基板載台驅動裝置PSTD係由控制裝置CONT控制。藉此，保持於基板保持具PH之基板P的Z軸方向位置(焦點位置)、傾斜方向位置、XY方向位置、以及θ Z方向位置，即藉由控制裝置CONT透過基板載台驅動裝置PSTD來控制。此外，基板載台PST之移動機構，例如揭示於特開平9-5463號或特開昭59-101835號公報。
於基板保持具PH設有與基板保持具PH一起相對投影光學系統PL而移動的移動鏡93。又，在與移動鏡93對向之位置設有雷射干涉儀94。移動鏡93，係用以測量基板載台PST(基板保持具PH)位置之雷射干涉儀94用的反射鏡。基板載台PST之2維方向位置、以及θ Z方向之旋轉角，係藉由雷射干涉儀94以即時方式測量。藉由以雷射干涉儀94測量基板載台PST之位置，來測量基板P之2維方向位置及θ Z方向之旋轉角。又，雖未圖示，曝光裝置EX，具備例如特開平8-37149號所揭示之焦點、調平檢測系統，其係用以檢測基板載台PST之基板保持具PH所保持的基板P表面位置資料。焦點、調平檢測系統，係檢測基板P表面之Z軸方向位置資訊、及基板P之θ X及θ Y方向的傾斜資訊。
雷射干涉儀94之測量結果輸出至控制裝置CONT。焦點位準檢測系統之受光結果亦輸出至控制裝置CONT。控制 裝置CONT，根據焦點位準檢測系統之檢測結果驅動基板載台驅動裝置PSTD，以控制基板P之焦點位置及傾斜角，使基板P表面一致於投影光學系統PL之像面。又，控制裝置CONT，係根據雷射干涉儀94之測量結果，在雷射干涉儀94所規定之2維座標系統內、透過基板載台驅動裝置PSTD來驅動基板載台PST，藉此來控制基板P之X軸方向及Y軸方向位置。
於投影光學系統PL之前端附近設有基板對準系統95，其用以檢測基板P上之對準標記或設於基板載台PST上之後述基準標記PFM。本實施形態之基板對準系統95，例如採用特開平4-65603號公報(對應美國專利第5,493,403號)所揭示之FIA(Field Image Alignment(場像對準))方式，其係使基板載台PST靜止並將來自鹵素燈之白色光等照明用光照射於標記上，並以攝影元件在既定之攝影視野內拍攝所獲得之標記影像，再藉由影像處理來測量標記位置。
又，於光罩載台MST附近設有光罩對準系統96，其用以透過光罩M與投影光學系統PL檢測設於基板保持具PH之後述基準標記MFM。本實施形態之光罩對準系統96，例如採用特開平7-176468號公報所揭示之VRA(Visual Reticule Alignment(目視標線片對準))方式，其係對標記照射光，將以CCD攝影機所拍攝之標記的影像資料作影像處理來測量標記位置。
液體供應機構10，係用以將既定之液體LQ供應至投影光學系統PL之像面側，其具備能送出液體LQ之液體供應部11、及其一端部連接於液體供應部11之供應管13。液體 供應部11，具備用以收容液體LQ之槽、加壓泵、以及用以去除液體LQ中所含之異物或氣泡的過濾單元。液體供應部11之液體供應動作係由控制裝置CONT控制。將液浸區域AR2形成於基板P上時，液體供應機構10即將液體LQ供應至基板P上。此外，亦可不將槽、加壓泵、及過濾單元等之至少一部分設於曝光裝置EX，而使用設有曝光裝置EX之工廠等的設備來替代。
液體回收機構20，係用以回收投影光學系統PL之像面側的液體LQ，其具備能回收液體LQ之液體回收部21、及其一端部連接於液體回收部21之回收管23。液體回收部21，例如具備：真空泵等真空系統(吸引裝置)、將所回收之液體LQ與氣體分離的氣液分離器、以及收容所回收之液體LQ的槽等。此外，可不將真空系統、氣液分離器、槽等全部設於曝光裝置EX，亦可使用配置有曝光裝置EX之工廠設備。液體回收部21之液體回收動作係由控制裝置CONT控制。為將液浸區域AR2形成於基板P上，液體回收機構20係將液體供應機構10所供應之基板P上的液體LQ回收既定量。
構成投影光學系統PL之複數個光學元件中，在接觸於液體LQ之光學元件2附近配置有噴嘴構件70。噴嘴構件70，係於基板P(基板載台PST)上方設置成包圍光學元件兩側面的環狀構件。於噴嘴構件70與光學元件2間設有間隙，噴嘴構件70，係被既定之支撐機構支撐成能在振動上與光學元件2分離。又，係構成為能使液體LQ不滲入其間隙、且使氣泡不從其間隙混入於液體LQ中。噴嘴構件70，例如 係以不鏽鋼形成。
噴嘴構件70，具備設於基板P(基板載台PST)上方、配置成與該基板P表面對向之供應口12。本實施形態中，噴嘴構件70具有2個供應口12A,12B。供應口12A,12B係設於噴嘴構件70之下面70A。
於噴嘴構件70內部形成有使所供應之液體LQ流至基板P上之供應流路。噴嘴構件70之供應流路一端部係連接於供應管13另一端部，供應流路另一端部則分別連接於供應口12A,12B。此處，形成於噴嘴構件70內部之供應流路之另一端部，係從中途分歧成能分別連接於各複數個(2個)供應口12A,12B。
又，噴嘴構件70，具備設於基板P(基板載台PST)上方、配置成與該基板P表面對向的回收口22。本實施形態中，回收口22，係於噴嘴構件70下面70A形成為包圍投影光學系統PL之光學元件2(投影區域AR1)及供應口12的環狀。
又，於噴嘴構件70內部，形成有使透過回收口22所回收之液體LQ流動的回收流路。噴嘴構件70之回收流路一端部係連接於回收管23之另一端部，回收流路另一端部則連接於回收口22。此處，形成於噴嘴構件70內部之回收流路，具備對應回收口22之環狀流路、及將流動於其環狀流路之液體LQ聚集之歧管流路。
本實施形態中，噴嘴構件70，係分別構成各液體供應機構10及液體回收機構20之一部分。構成液體供應機構10之供應口12A,12B，係分別設於隔著投影光學系統PL之投影區域AR1的X軸方向兩側位置。構成液體回收機構20 之回收口22，係相對投影光學系統PL之投影區域AR1設於液體供應機構10之液體供應口12A,12B外側。亦即，回收口22，係相對投影區域AR1設於從液體供應口12A,12B離開之位置。且本實施形態之投影光學系統PL的投影區域AR1，係設定成以Y軸方向為長邊方向、以X軸方向為短邊方向的俯視呈矩形。
液體供應部11之動作係由控制裝置CONT控制。控制裝置CONT能控制液體供應部11之每一單位時間的液體供應量。將液體LQ供應至基板P時，控制裝置CONT係從液體供應部11送出液體LQ，透過供應管13及形成於噴嘴構件70內部之供應流路，將液體LQ從設於基板P上方之供應口12A,12B供應至基板P上。液體LQ，係透過供應口12A,12B從投影區域AR1兩側供應。
液體回收部21之液體回收動作係由控制裝置CQNT控制。控制裝置CONT能控制液體回收部21之每一單位時間的液體回收量。從設於基板P上方之回收口22所回收的基板P上方液體LQ，係透過形成於噴嘴構件70內部之回收流路、及回收管23而回收至液體回收部21。
此外，供應口12A,12B、以及回收口22之數量、形狀、配置等，並不限於上述，只要係能以液體LQ充滿曝光用光EL之光路的構造即可。
投影光學系統PL之光學元件2下面(液體接觸面)2A、及噴嘴構件70下面(液體接觸面)70A具有親液性(親水性)。本實施形態中，由於光學元件2係以與純水之親和性高的螢石形成，因此能使純水與光學元件2之液體接觸面2A的大 致全面密合。另一方面，由於液體供應機構10在本實施形態中係供應純水來作為液體LQ，因此能提高光學元件2之液體接觸面2A與液體LQ的密合性，能以液體LQ確實地充滿光學元件2與基板P間之光路。此外，光學元件2亦可係與水之親和性高的石英。又，亦可對光學元件2之液體接觸面2A及噴嘴構件70的液體接觸面70A施以親水化(親液化)處理，來更加提高與液體LQ之親和性。作為親液化處理，係可列舉將MgF2、Al2Q3、SiO2等之親液性材料設於前述液體接觸面的處理。或者，由於本實施形態之液體LQ係極性較大的水，因此作為親液化處理(親水化處理)，亦可例如以酒精等極性較大之分子構造的物質來設置薄膜。又，亦可以具有與水親和性高之親水性的鈦來形成噴嘴構件70。
其次，參照圖2、圖3、及圖4說明基板載台PST(基板保持具PH)之一實施形態。圖2係吸附了保持基板P及板構件T(將於後述)之基板保持具PH的側截面圖，圖3係從上方觀察基板保持具PH的俯視圖，圖4係從上方觀察基板載台PST的俯視圖。
圖2中，基板保持具PH，具備：基材PHB、第1保持部PH1，係形成於基材PHB，用以吸附保持基板P；以及第2保持部PH2，係形成於基材PHB，用以在吸附保持於第1保持部PH1之基板P附近吸附保持板構件T。基板保持具PH之基材PHB係能移動。板構件T係與基材PHB不同之構件，設置成能拆裝於基板保持具PH之基材PHB，而能加以更換。又，本實施形態中，將於基材PHB吸附保持板構 件T之狀態稱為基板載台PST。
板構件T，係於基板保持具PH上，配置在保持於第1保持部PH1之基板P附近，在保持於第1保持部PH1之基板P的表面Pa周圍，配置有保持於第2保持部PH2之板構件T的表面Ta。板構件T之各表面Ta及背面Tb為平坦面(平坦部)。又，板構件T係與基板P大致相同厚度。且保持於第2保持部PH2之板構件T的表面Ta(平坦面)、與保持於第1保持部PH1之基板P的表面Pa為大致同一面高。亦即，保持於第2保持部PH2之板構件T，係在保持於第1保持部PH1之基板P周圍，形成與該基板P之表面Pa大致同一面高的平坦面Ta。此外，本實施形態中，當在基板載台PST之上面保持基板P時，在包含所保持之板構件T的平坦面Ta與所保持之基板P的表面Pa的大致全區域，係形成為全平坦面(full flat面)。
如圖3及圖4所示，基板保持具PH之基材PHB係形成為俯視呈矩形，在該基板保持具PH中基材PHB之彼此垂直的兩側面，分別形成有用以測量基材PHB(基板保持具PH)位置之雷射干涉儀94用的移動鏡93。
如圖4所示，板構件T之外形係以沿基材PHB之形狀的方式形成為俯視呈矩形，其中央部具有能配置基板P之大致圓形孔部TH。亦即，板構件T係大致環狀構件，配置成包圍基板保持具PH之第1保持部PH1所保持的基板P。保持於第2保持部PH2之板構件T的表面Ta，係配置於第1保持部PH1所保持之基板P周圍，形成為包圍該基板P。
此外，圖4中，板構件T之外形雖係以與基材PHB之 外形大致一致的方式形成為俯視呈矩形，但亦能將板構件T作成較基材PHB大。此時，由於矩形板構件T之周緣部超出基材PHB之外側面，因此能防止液體附著於干涉儀用反射鏡面(形成於基材PHB之外側面)。
如圖2及圖3所示，基板保持具PH之第1保持部PH1，具備：形成於基材PHB上之凸狀第1支撐部46、於基材PHB上形成為包圍第1支撐部46周圍之環狀第1周壁部42、以及形成於第1周壁部42內側之基材PHB上的第1吸引口41。第1支撐部46係在第1周壁部42內側形成複數個且相同形狀。本實施形態中，第1支撐部46包含複數個支撐銷。第1吸引口41係用以吸附保持基板P，其在第1周壁部42內側，分別設於基材PHB上面中第1支撐部46以外之複數個既定位置。本實施形態中，第1吸引口41係於第1周壁部42內側配置複數個且相同形狀。又，第1周壁部42，係對應基板P之形狀而形成大致圓環狀。第1周壁部42之上面42A，係形成為與基板P背面Pb之邊緣區域對向。
各第1吸引口41係透過流路45連接於第1真空系統40。第1真空系統40，係一用以使基材PHB、第1周壁部42、以及基板P背面所包圍的第1空間31成為負壓，其包括真空泵。如上所述，第1支撐部46包含支撐銷，本實施形態之第1保持部PH1係構成所謂銷夾頭(pin chuck)機構的一部分。第1周壁部42，係發揮包圍第1空間31(包含第1支撐部46)之外壁部的功能，控制裝置CONT，係驅動第1真空系統40，藉由吸引基材PHB、第1周壁部42、以及基板P所包圍之第1空間31內部的氣體(空氣)來使此第1空 間31成為負壓，以將基板P吸附保持於第1支撐部46。
基板保持具PH之第2保持部PH2，具備：大致圓環狀之第2周壁部62，係以包圍第1保持部PH1之第1周壁部42的方式形成於基材PHB上；環狀第3周壁部63，係設於第2周壁部62外側，以包圍第2周壁部62之方式形成於基材PHB上；凸狀第2支撐部66，係形成於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上；以及第2吸引口61，係形成於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上。第2周壁部62係相對第1空間31設於第1周壁部42外側，第3周壁部63則設於第2周壁部62之更外側。第2支撐部66係在第2周壁部62與第3周壁部之間形成有複數個且相同形狀。本實施形態中，第2支撐部66係包含複數個支撐銷。又，第2吸引口61，係用以吸附保持板構件T，其在第2周壁部62與第3周壁部63間，分別設於除基材PHB上面中第2支撐部66以外之複數個既定位置，。本實施形態中，第2吸引口61係在第2周壁部62與第3周壁部63之間配置複數個且相同形狀。又，第2周壁部62，係對應板構件T之孔部TH而形成為大致圓環狀。第3周壁部63，係對應板構件T之外形而形成為大致矩形圓環狀。第2周壁部62之上面62A，係在板構件T之孔部TH附近的內側邊緣區域，形成為與板構件T之背面Tb對向。第3周壁部63之上面63A，係在板構件T之外側邊緣區域，形成為與板構件T之背面Tb對向。
此外，圖中第1周壁部42、第2周壁部62、及第3周壁部63之各上面雖具有較寬之寬度，但實際上係低於 2mm，例如0.1mm左右之寬度。
各第2吸引口61係透過流路65連接於第2真空系統60。第2真空系統60，係一用以使基材PHB、第1、第2周壁部62,63、以及板構件T所包圍的第2空間32成為負壓，其包括真空泵。如上所述，第2支撐部66包含支撐銷，本實施形態之第2保持部PH2係構成所謂銷夾頭機構的一部分。第2、第3周壁部62,63，具有包圍第2空間32(包含第2支撐部66)之外壁部的功能，控制裝置CONT，係驅動第2真空系統60，藉由吸引基材PHB、第2、第3周壁部62,63、以及板構件T所包圍之第2空間32內部的氣體(空氣)，來使此第2空間32成為負壓，以將板構件T吸附保持於第2支撐部66。
此外，本實施形態中，雖於基板P之吸附保持採用銷夾頭機構，但亦可採用其他夾頭機構。同樣地，雖於板構件T之吸附保持採用銷夾頭機構，但亦可採用其他夾頭機構。
又，本實施形態中，雖於基板P及板構件T之吸附保持採用真空吸附機構，但亦可使用靜電吸附機構等之其他機構來保持至少一方。
又，使第1空間31成為負壓之第1真空系統40、與使第2空間32成為負壓之第2真空系統60係彼此獨立。控制裝置CONT，能個別控制第1真空系統40及第2真空系統60之各動作，並能分別獨立進行第1真空系統40對第1空間31之吸引動作、與第2真空系統60對第2空間32之吸引動作。例如，能在將板構件T保持於第2保持部PH2之 狀態下進行基板P之更換。又，控制裝置CONT，係能分別控制第1真空系統40及第2真空系統60，來使第1空間31之壓力與第2空間32之壓力彼此互異。
如圖2及圖4所示，保持於第1保持部PH1之基板P外側的邊緣部，與設於該基板P周圍之板構件T內側(孔部TH側)的邊緣部間，形成有0.1~1.0mm左右之間隙A。本實施形態之間隙A為0.3mm左右。藉由將基板P之邊緣部與板構件T之邊緣部的間隙A設定為0.1~1.0mm左右、亦即藉由將孔部TH之內徑作成較基板P之外徑大0.25~2.0mm左右，如此，即使將液體LQ之液浸區域AR2形成於間隙A上時，因液體LQ之表面張力，使液體LQ幾乎不會流入間隙A，即使欲曝光基板P之邊緣區域E時，亦能藉由板構件T將液體LQ保持於投影光學系統PL下。
又，如圖4所示，於本實施形態之基板P形成有用以進行位置對準之缺口部NT。根據基板P之外形(缺口部NT之形狀)來設定板構件T之形狀，俾將缺口部NT之基板P與板構件T的間隙亦設定成0.1~1.0mm左右。亦即，在包含缺口部NT之基板P的邊緣部全區與板構件T之間，確保0.1~1.0mm左右之間隙A。具體而言，於板構件T設有朝向孔部TH內側突出之突起部150，來對應基板P之缺口部NT的形狀。又，於第2保持部PH2之第2周壁部62及其上面62A，形成有對應板構件T之突起部150形狀的凸部62N。突起部150具有間隙調整部之功能，其係用以縮小第1保持部PH1所保持之基板P的缺口部NT表面Pa與板構件T之表面Ta的間隙。此外，此處之突起部150雖係板構 件T之一部分且形成為一體，但亦可將板構件T與突起部150分別設置，而能相對板構件T更換突起部150。
又，於第1保持部PH1之第1周壁部42及其上面42A，形成有對應第2周壁部62之凸部62N及基板P之缺口部NT形狀的凹部42N。第1周壁部42之凹部42N，設置於與第2周壁部62之凸部62N對向的位置，在凹部42N與凸部62N間形成有既定間隙。
此外，此處作為基板P之缺口部雖以缺口部NT為例進行了說明，但若無缺口部時，或是於基板P形成定向平面部(orientation flat部)來作為缺口部時，亦可將各板構件T、第1周壁部42、及第2周壁部62形成為對應基板P外形之形狀，而在基板P與其周圍之板構件T間確保既定間隙。
此外，若於基板P無缺口部NT時，或缺口部NT非常小時，亦可不於板構件設置突起部150。此時亦可不設置凹部42N與凸部62N。
形成於基材PHB上之第2吸引口61，具有液體回收口之功能，其係用以回收從保持於第1保持部PH1之基板P、與保持於第2保持部PH2板構件T間的間隙A滲入的液體LQ。如上所述，第2保持部PH2，係將板構件T保持成於板構件T之背面Tb側形成第2空間32，第2吸引口61，係形成於第2保持部PH2所保持之板構件T的背面Tb側，其亦具有將從間隙A滲入板構件T背面Tb側之第2空間32的液體LQ回收的功能。
圖5係保持基板P及板構件T之基板保持具PH的主要部位放大截面圖。圖5中，在基板P之側面Pc、和與其側 面Pc對向之板構件T的側面Tc間，係如上所述確保了0.1~1.0mm左右之間隙A。又，第1周壁部42之上面42A及第2周壁部62之上面62A為平坦面。又，於圖5雖未圖示，但第3周壁部63之上面63A亦為平坦面。
又，本實施形態中，第1保持部PH1中之第1支撐部46，係形成為與第1周壁部42相同高度，或形成為稍微高於第1周壁部42。亦即，第1保持部PH1，在第1支撐部46上面46A之Z軸方向位置，係與在第1周壁部42上面42A之Z軸方向位置相同，或稍微高於在第1周壁部42上面42A之Z軸方向位置。藉此，當使第1空間31成為負壓時，即能使基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A緊貼。且基板P之背面Pb係支撐於第1支撐部46之上面46A。藉由基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A彼此緊貼，假設即使液體LQ從間隙A滲入基板P之背面Pb側，亦能防止液體LQ透過基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A間而滲入第1空間31。
第2保持部PH2中，第2支撐部66，係形成為稍微高於第2周壁部62。換言之，第2保持部PH2之第2周壁部62，係形成為低於第2支撐部66。亦即，第2保持部PH2，在第2支撐部66上面66A之Z軸方向位置，係稍微高於在第2周壁部62上面62A之Z軸方向位置，藉此，即使在使第2空間32成為負壓、而使板構件T吸附保持於第2支撐部66上的狀態中，板構件T之背面Tb與第2周壁部62之上面62A間亦會形成既定間隙。間隙B較間隙A小，係低於50μm，例如為數μm(例如3μm)左右。又，雖未於圖5 圖示，但第3周壁部63，係形成為稍微低於第2支撐部66，或形成為與第2支撐部66大致相同之高度，當使第2空間32成為負壓時，能使第3周壁部63之上面63A與基板P之背面Pb緊貼。由於板構件T之背面Tb與第2周壁部62之上面62A之間隙相當微小，因此能維持第2空間32之負壓。
此外，亦能以使板構件T之背面Tb與第2周壁部62之上面62A緊貼的方式，來決定第2支撐部66之高度與第2周壁部62之高度。又，亦能以使在板構件T之背面Tb與第3周壁部63之上面63A間形成非常小之間隙的方式，來決定第2支撐部66之高度與第3周壁部63之高度。
又，在第1周壁部42與第2周壁部62之間形成有間隙C。此處，環狀第1周壁部42(第1保持部PH1)之外徑係形成為小於基板P之外徑。藉此，基板P周緣部即超出於第1周壁部42外側例如0.5~1.5mm左右，間隙C即較間隙A大例如1.5~2.5mm左右。
圖5中，基板P之厚度Dp係與板構件T之厚度Dt大致相同。且第1周壁部42之上面42A、第1支撐部46之上面46A、第2支撐部66之上面66A、第2周壁部62之上面62A、以及第3周壁部63之上面63A，雖有微小之高度差距，但大致為相同高度，保持於第1保持部PH1之基板P的表面Pa、與保持於第2保持部PH2之板構件T的表面Ta為大致同一面高。
本實施形態之板構件T係以石英(玻璃)形成。且如圖4所示，於板構件T之表面Ta的既定位置設有具備基準標記MFM,PFM之基準部300，該基準標記MFM,PFM係用以規 定基板P透過投影光學系統PL對光罩M之圖案像的位置。此等基準標記MFM,PFM，例如係使用鉻等既定材料，以既定位置關係形成於由石英所構成之板構件T上。基準標記PFM係由基板對準系統95檢測，基準標記MFM則係由光罩對準系統96檢測。此外，基準標記MFM與基準標記PFM亦可僅設其中一者。
又，於板構件T之表面Ta的既定位置，設有用作為焦點位準檢測系統之基準面的基準板400。且基準部300上面及基準板400上面，係與第1保持部PH1所保持之基板P的表面Pa為大致同一面高。
在由石英構成之板構件T之表面(平坦部)Ta、背面Tb、以及側面Tc各面被覆有撥液性材料。撥液性材料，亦被覆於具有基準標記MFM,PFM之基準部300上及基準板400，使基準部300上面及基準板400上面亦具有撥液性。作為撥液性材料，例如可列舉聚四氟乙烯等氟系列樹脂材料、或丙烯酸系列樹脂材料等。藉由將此等撥液性材料塗布於由石英構成之板構件T，而能使板構件T之表面Ta、背面Tb、及側面Tc各面對液體LQ具有撥液性。本實施形態中，在由石英構成之板構件T被覆有日本旭硝子公司製之「賽特布」(氟樹脂，Cytop)。又，為使板構件T具撥液性，亦可將由上述撥液性材料構成之薄膜貼於板構件T。又，亦可使用對液體LQ為非溶解性之材料來作為用以使材料具撥液性的撥液性材料。又，亦可以撥液性材料(氟系列材料等)來形成板構件T本身。或亦可以不鏽鋼等形成板構件T，再對板構件T之表面Ta、背面Tb、及側面Tc之至少一部分施以撥 液處理。
此外，亦可在板構件T之既定位置設置開口，使光學感測器之上面從該開口露出。此種光學感測器，例如有特開昭57-117238號公報所揭示之照度不均感測器、特開2002-14005號公報(對應美國專利公開2002/0041377號)所揭示之空間像測量感測器、以及特開平11-16816號公報(對應美國專利公開2002/0061469號)所揭示之照射量感測器(照度感測器)等。設置此等光學感測器時，亦要使光學感測器之上面、板構件T之表面Ta及基板P之表面Pa大致為同一面高。又，此等光學感測器之上面，亦需被覆撥液性材料使其具撥液性。
於基板P之表面Pa(曝光面)塗布光阻(感光材料)。本實施形態中，感光材料係ArF準分子雷射光用之感光材料，具有撥液性(撥水性，接觸角80°~85°)。又，本實施形態中，基板P之側面Pc係經過撥液化處理(撥水化處理)。具體而言，於基板P之側面Pc亦塗布有具撥液性之上述感光材料。藉此，表面Ta能更確實防止液體LQ從具撥液性之板構件T與基板P側面Pc的間隙A滲入。再者，在基板P之背面Pb亦塗布有上述感光材料來施以撥液化處理。此外，作為用以使基板P之背面Pb或側面Pc具有撥液性的材料，並不限於上述感光材料，亦可係既定之撥液性材料。例如，有時雖有將被稱為上塗層之保護層(從液體保護感光材料之膜)塗布於感光材料(塗布於基板P之曝光面的表面Pa)上層之情形，當此上塗層之形成材料(例如氟系列樹脂材料)具有撥液性(撥水性)時，亦可將此上塗層形成材料塗布 於基板P之側面Pc或背面Pb。當然，亦可塗布感光材料或上塗層形成材料以外之具有撥液性的材料。
此外，基板P之表面Pa並非必須具撥液性，亦能使用與液體LQ之接觸角為60~80°左右的光阻。又，基板P之側面Pc或背面Pb亦非必須施以撥液化處理。亦即，基板P之表面Pa、背面Pb、側面Pc亦可不具撥液性，亦可視需要使此等面中之至少一面具撥液性。
又，於基板保持具PH之基材PHB的至少一部分表面，亦施有撥液化處理而具撥液性。本實施形態中，基板保持具PH之基材PHB中第1保持部PH1之第1周壁部42上面42A、第1支撐部46之上面46A、以及側面(與第2周壁部62對向之面)42B係具有撥液性。又，第2保持部PH2之第2周壁部62上面62A、第2支撐部66之上面66A、以及側面(與第1周壁部42對向之面)62B係具有撥液性。作為基板保持具PH之撥液化處理，係能列舉塗布如上述之氟系列樹脂材料或丙烯系列樹脂材料等的撥液性材料、或將由前述撥液性材料構成之薄膜貼附的處理。此外，亦可將基材PHB全體(包含基板保持具PH之第1周壁部42及第2周壁部62)以具有撥液性之材料(氟系列樹脂材料等)來形成。又，為使基板保持具PH或板構件T具撥液性，亦可塗布上述感光材料或上塗層形成材料。此外，亦可將使用於基板保持具PH之撥液化處理的材料(氟系列樹脂材料或丙烯系列樹脂材料等)塗布於基板P之背面Pb或側面Pc。又，若在加工上或精度上難以使基材PHB表面具撥液性時，基材PHB之任何表面區域亦可不具撥液性。
又，於基材PHB設有孔部56H，係用以配置使基板P相對基材PHB升降的第1升降構件56。孔部56H係設於第1周壁部42內側(亦即第1空間31內側)3處(參照圖3)。控制裝置CONT，係透過未圖示之驅動裝置控制第1升降構件56之升降動作。
又，於基材PHB設有孔部57H，係用以配置使板構件T相對基材PHB升降的第2升降構件57。本實施形態中，孔部57H係設於第2周壁部62與第3周壁部63間(亦即第2空間32內側的4處(參照圖3)。控制裝置CONT，係透過未圖示之驅動裝置控制第2升降構件57之升降動作。
如圖6所示，第1升降構件56，係能在保持基板P之背面Pb的狀態下上升。藉由第1升降構件56保持基板P之背面Pb並上升，而能使基板P與第1保持部PH1分離。同樣地，第2升降構件57，係能在保持板構件T之背面Tb的狀態下上升。如上所述，由於板構件T係不同於基材PHB之構件，且設置成能拆裝於基板保持具PH之基材PHB，因此藉由第2升降構件57保持板構件T之背面Tb並上升，而能使板構件T與第2保持部PH2分離。
當交換板構件T時，控制裝置CONT，係在解除第2保持部PH2對板構件T之吸附保持後，使第2升降構件57上升。第2升降構件57，即在保持板構件T之背面Tb的狀態下上升。接著，未圖示之搬送臂，進入藉由第2升降構件57上升之板構件T與基板保持具PH之基材PHB間，來支撐板構件T之背面Tb。然後，搬送臂即從基板保持具PH之基材PHB(第2保持部PH2)搬出板構件T。
另一方面，將新板構件T安裝於基板保持具PH之基材PHB上時，控制裝置CONT，係使用搬送臂將新板構件T搬入基板保持具PH之基材PHB上。此時，第2升降構件57已上升，搬送臂即將板構件T移至已上升之第2升降構件57。第2升降構件57保持搬送臂所移交之板構件T而下降。在使第2升降構件57下降、並使板構件T設置於第2保持部PH2後，控制裝置CONT即驅動第2真空系統60，使第2空間32成為負壓。藉此，板構件T即被吸附保持於第2保持部PH2。
此外，板構件T對基材PHB之定位，係可於基材PHB與板構件T之至少一方設置機械基準，並使用該機械基準，或設置專用之對準感測器，再使用該感測器亦可。例如，預先在各基材PHB與板構件T設置標記，並以光學方式檢測各標記，根據該檢測結果調整基材PHB與板構件T之相對位置，藉此使板構件T吸附保持於基材PHB之既定位置。
又，當搬出已結束曝光處理之基板P時，控制裝置CONT，在解除第1保持部PH1對基板P之吸附保持後，使第1升降構件56上升。第1升降構件56，係在保持基板P之背面Pb的狀態下上升。接著，未圖示之搬送臂，進入藉由第1升降構件56上升之基板P與基板保持具PH之基材PHB間，來支撐基板P之背面Pb。然後，搬送臂即從基板保持具PH之基材PHB(第1保持部PH1)搬出(卸載)基板P。
另一方面，若將待進行曝光處理之新基板P搬入基板保持具PH的基材PHB上時，控制裝置CONT，即使用搬送臂將新基板P搬入(裝載)於基板保持具PH之基材PHB上。 此時，第1升降構件56已上升，搬送臂即將基板P移至已上升之第1升降構件56。第1升降構件56保持搬送臂所移交之基板P而下降。在使第1升降構件56下降、並使基板P設置於第1保持部PH1後，控制裝置CONT即驅動第1真空系統40，使第1空間31成為負壓。藉此，基板P即吸附保持於第1保持部PH1。
又，如上所述，控制裝置CONT，由於能獨立進行第1真空系統40之吸附動作與第2真空系統60之吸附動作，因此能獨立且以個別之時間點，來執行隨基板P搬入及搬出之第1保持部PH1的吸附保持及吸附保持解除動作、與隨板構件T搬入及搬出之第2保持部PH2的吸附保持及吸附保持解除動作。
本實施形態中，為使板構件T能拆裝於基材PHB卸裝而設置了第2升降構件57，因此能圓滑地進行板構件T之更換作業(搬出作業)。
此外，本實施形態中，板構件T雖係使用第2升降構件57而能自動交換之構成，但亦能省略第2升降構件57。此時，係由作業員等在已解除板構件T之吸附狀態的狀態下實施板構件T之交換。
其次，參照圖7之流程圖說明使用上述曝光裝置EX來使基板P曝光的方法。
其前提為，在使用如上述基板載台PST上之光學感測器來使基板P曝光前，測量透過液體LQ之投影光學系統PL的成像特性，並根據該測量結果，進行投影光學系統PL之成像特性調整(校準)處理。又，使用基板對準系統95及 光罩對準系統96等，來測量基板對準系統95之檢測基準位置與圖案像之投影位置的位置關係(基線量)。
此處，本實施形態中之曝光裝置EX，係使光罩M與基板P一邊沿X軸方向(掃瞄方向)移動一邊將光罩M之圖案像投影曝光於基板P，在進行掃瞄曝光時，透過液浸區域AR2之液體LQ及投影光學系統PL，使光罩M之一部分圖案像投影於投影區域AR1內，並與光罩M以速度V沿-X方向(或+X方向)之移動同步，基板P相對投影區域AR1以速度β‧V(β為投影倍率)沿+X方向(或-X方向)移動。如圖4所示，於基板P上將複數個照射區域S1~S24設定成矩陣狀，在對1個照射區域之曝光結束後，藉由基板P之步進移動使次一照射區域移動至加速開始位置，之後，即以步進掃瞄方式一邊移動基板P一邊依序對各照射區域S1~S24進行掃瞄曝光處理。
將基板P裝載於基板保持具PH(將板構件T吸附保持於第2保持部PH2)後，控制裝置CONT，即使用基板對準系統95，在不透過液體之狀態下依序檢測形成於基板P上之複數個對準標記AM(步驟SA1)。基板對準系統95在檢測對準標記AM時之基板載台PST(基板保持具PH)位置，係由雷射干涉儀94來測量。藉此，能測量在雷射干涉儀94所規定之座標系統內的各對準標記AM位置資料。使用基板對準系統95及雷射干涉儀94所檢測出之對準標記AM位置資料的檢測結果，即輸出至控制裝置CONT。又，基板對準系統95，係於被雷射干涉儀94規定之座標系統內具有檢測基準位置，對準標記AM位置資料，係被檢測出以作為與其檢測基 準位置之偏差。
其次，控制裝置CONT，根據對準標記AM位置資料之檢測結果，藉由運算處理(EGA處理)求出基板P上之複數個照射區域S1~S24的各位置資料(步驟SA2)。本實施形態中，例如特開昭61-44429號公報所揭示，係藉由所謂EGA(Enhanced Global Alignment，增強型全晶圓對準)方式來求出照射區域S1~S24的位置資料。
當結束如上所述之處理後，控制裝置CONT，即移動基板載台PST，使形成於投影光學系統PL之像面側的液浸區域AR2移動至基板P上。藉此，將液浸區域AR2形成於投影光學系統PL與基板P之間。接著，將液浸區域AR2形成於基板P上後，即對基板P之各複數個照射區域依序投影圖案像來進行液浸曝光(步驟SA3)。更具體而言，係根據在步驟SA2所求之各照射區域S1~S24位置資料、及控制裝置CONT所儲存之基板對準系統95之檢測基準位置與圖案像之投影位置的位置關係(基線量)，來移動基板載台PST，並一邊使基板P上之各照射區域S1~S24與圖案像對齊，一邊進行各照射區域之液浸曝光處理。
當結束基板P上之各照射區域S1~S24的掃瞄曝光後，控制裝置CONT，即在將液體LQ保持於投影光學系統PL像面側之狀態下、或在將投影光學系統PL像面側之液體LQ回收後，將該已結束曝光處理之基板P從基板載台PST卸載，並將處理前之基板裝載於基板載台PST(步驟SA4)。
此外，當對設於基板P之邊緣區域E的照射區域S1、S4、S21、S24等進行液浸曝光時、或如上所述透過液體LQ 來測量基準部300之基準標記MFM時，係將液體LQ之液浸區域AR2一部分或全部形成於板構件T的表面Ta。又，於基板保持具PH上設有上述光學感測器之構成中，在使用該光學感測器進行透過液體LQ之測量時，亦將液體LQ之浸液區域AR2一部分或全部形成於板構件T之表面Ta。此種情形下，由於板構件T之表面Ta具撥液性，因此使用液體回收機構20即能良好地回收液體LQ，而能抑制液體LQ殘留於板構件T上之不良情形的產生。當液體LQ殘留於板構件T上時，會因該殘留之液體LQ氣化而產生曝光精度劣化之不良情形，例如板構件T變形，或因基板P所放置之環境(溫度、濕度)變動，而使測量基板P位置資料等之各種測量光的光路隨之變動等。又，殘留之液體氣化後，有可能會使液體之附著痕跡(亦即水痕)產生於板構件T，而亦成為使基準部300等之污染的要因。本實施形態中，由於能防止液體殘留於板構件T上，因此能防止起因殘留之液體LQ造成曝光精度及測量精度劣化。
又，欲使設於基板P之邊緣區域E的照射區域曝光時，雖形成於基板P上之液浸區域AR2一部分會形成於板構件T上，但因基板P之表面Pa與板構件T之表面Ta為大致同一面高，且在基板P邊緣部與設於其周圍之板構件T的表面Ta間幾乎沒有段差，因此能良好地維持液浸區域AR2之形狀，防止液浸區域AR2之液體LQ流出、或氣泡混入液浸區域AR2之液體LQ中等不良情形產生。
又，欲使設於基板P之邊緣區域E的照射區域曝光時，液體LQ之液浸區域AR2雖會形成於間隙A上，但由於間 隙A係設定成低於既定值(本實施形態中係設定於0.1~1.0mm左右)，且基板P之表面Pa及板構件T之表面Ta具撥液性、形成間隙A之基板P之側面Pc與板構件T之側面Tc亦具撥液性，因此藉由液體LQ之表面張力，能抑制液浸區域AR2之液體LQ透過間隙A而滲入基板P之背面Pb側或板構件T之背面Tb側。再者，本實施形態中，由於在基板P之缺口部(切欠部)NT亦確保了基板P與板構件T間之間隙，因此亦能防止液體LQ從缺口部NT附近滲入。
又，假設即使液體LQ透過間隙A而滲入基板P之背面Pb側或板構件T之背面Tb側時，由於板構件T之背面Tb具撥液性，且與該背面Tb對向之第2周壁部62上面62A亦具撥液性，因此能防止液體LQ透過間隙A滲入第2空間32。據此，能防止液體LQ透過位於第2空間32內側之第2吸引口61而滲入第2真空系統60。又，由於基板P之背面Pb、和與該背面Pb對向之第1周壁部42上面42A係緊貼，因此亦能防止液體LQ滲入第1空間31。藉此，能防止液體LQ透過位於第1空間31內側之第1吸引口41滲入第1真空系統40。
又，欲使設於基板P之邊緣區域E的照射區域曝光時，有可能會因投影區域AR1超出基板P外側，使曝光用光EL照射於板構件T之表面Ta，而因該曝光用光EL之照射使表面Ta之撥液性劣化。特別是，當被覆於板構件T之撥液性材料為氟系列樹脂且曝光用光EL係紫外光時，該板構件T之撥液性則更容易劣化(易成為親液性)。本實施形態中，由於板構件T係設置成能拆裝於第2保持部PH2，而能加以更 換，因此控制裝置CONT能視板構件T(表面Ta)之撥液性劣化程度，將具有該撥液性劣化之表面Ta的板構件T與新(具有充分撥液性)板構件T更換，藉此能防止液體LQ從板構件T與基板P之間隙滲入、或液體LQ殘留於板構件T上等不良情形產生。
又，作為更換板構件T之時間點，係能以預先設定之既定間隔，例如就既定基板處理片數或就既定時間間隔等來更換板構件T。或者，亦可藉由實驗或模擬預先求出曝光用光EL之照射量(照射時間、照度)與板構件T之撥液性等級的關係，並根據該所求出之結果，來設定更換板構件T之時間點。板構件T之更換時間點，係視板構件表面之撥液性劣化程度來決定。撥液性劣化之評估，例如能藉由以顯微鏡或目視觀察表面、或將一滴液體滴於評估面再以顯微鏡或目視來觀察液體狀態、或測定液體之接觸角來加以進行。將上述評估以與曝光用光等紫外線之累積照射量(累積脈衝數)的關係預先儲存於控制裝置CONT，藉此，控制裝置CONT能從該關係決定板構件T之使用壽命、亦即更換時間(時期)。
又，由於形成基板保持具PH上面之板構件T係吸附保持於第2保持部PH2的構成，因此與例如將板構件T與基材PHB以螺栓等連結的構造相較，能防止局部力量施加在板構件T或基材PHB。據此，能防止板構件T或基材PHB之變形，而能良好地維持板構件T或基板P之平坦度。
如上所述，本實施形態之基板保持具PH中，第1周壁部42之上面42A、第1支撐部46之上面46A、第2支撐部 66之上面66A、第2周壁部62之上面62A、以及第3周壁部63之上面63A，雖稍有高度之差距，但為大致相同之高度。且用以形成基板保持具PH上面之板構件T，係形成為能拆裝於第2保持部PH2的構成。據此，如圖8之示意圖所示，在製造基板保持具PH時，即使對上述各上面42A、46A、62A、63A、66A進行拋光處理等既定處理時，亦能以良好作業性處理各上面42A、46A、62A、63A、66A。例如，欲將第1保持部PH1形成為低於第2保持部PH2之情形下，雖能圓滑地對第2保持部PH2上面施以上述拋光處理，但由於第1保持部PH1係相對第2保持部PH2凹陷，因此難以對第1保持部PH1進行拋光處理。本實施形態中，由於第1保持部PH1上面與第2保持部PH2上面為大致相同高度，因此能圓滑地對各第1保持部PH1上面與第2保持部PH2上面施以上述處理。又，進行拋光處理時，由於能大致同時對各第1保持部PH1上面與第2保持部PH2上面施以拋光處理，因此能以良好作業性進行處理。
此外，上述實施形態中，雖為了對板構件T之表面Ta、側面Tc、及背面Tb的全面施以撥液性處理而被覆撥液性材料，但側面Tc及背面Tb亦能視需要選擇性地使其具撥液性。例如，亦可係僅對形成間隙A之區域(亦即板構件T之側面Tc)、與形成間隙B之區域(亦即板構件T之背面Tb中與第2周壁部62對向之上面62A的區域)進行撥液化處理的構成。或者，由於若將間隙B係作得充分小、或將用以進行撥液化處理之塗布材料的撥液性(接觸角)作得充分大的話，液體LQ透過間隙A流入第2空間32的可能性即會降 得更低，因此亦可係不對形成間隙B之板構件T的背面Tb施以撥液化處理、而僅對板構件T之側面Tc進行撥液化處理的構成。
又，本實施形態中，如圖9所示，設定第2保持部PH2之第2周壁部62與第2支撐部66的高度，俾假設液體LQ從保持於第1保持部PH1之基板P與保持於第2保持部PH2之板構件T間的間隙A滲入時，從該間隙A滲入之液體LQ會被吸引至板構件T的背面Tb側。換言之，設定第2保持部PH2之第2周壁部62上面62A、與第2支撐部66所吸附保持之板構件T背面Tb間的間隙，俾使成從間隙A滲入之液體LQ，會因形成於板構件T背面Tb側之第2吸引口61的吸引動作被吸引至板構件T背面Tb側。進一步地，將支撐於第2支撐部66之板構件T背面Tb和與其背面Tb之基材PHB上面的間隙F，係以最佳之方式設定成從間隙A滲入之液體LQ，會因形成於板構件T背面Tb側之第2吸引口61的吸引動作被吸引至板構件T背面Tb側。本實施形態中，間隙F為50μm左右。又，由於基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A為緊貼，因此當透過第2吸引口61吸引第2空間32內之氣體時，於板構件T之背面Tb與第2周壁部62之上面62A間的間隙，會產生從第2周壁部62外側向第2空間32之氣流。藉此，即使液浸區域AR2之液體LQ滲入間隙A，該滲入之液體LQ，亦不會轉向基板P之背面Pb側，而會透過間隙B流入形成於板構件T之背面Tb側的第2空間32，並從形成於板構件T之背面Tb側的第2吸引口61回收。
本實施形態中，間隙B，係於基板P外側沿基板P邊緣連續形成而包圍基板P。據此，即使液體LQ從間隙A之任何位置(包含基板P之缺口部(切口部)NT附近)滲入，皆能使該液體LQ透過間隙B流入基板P外側之第2空間32，而從第2吸引口61圓滑地回收。
如此，即使液體LQ從間隙A滲入，該滲入之液體LQ亦不會轉向(不流入)基板P之背面Pb側，而會透過間隙B被吸引至板構件T之背面Tb側，因此能防止因液體LQ轉向基板P之背面Pb側使基板P平坦度劣化等不良情形產生。
另一方面，板構件T，由於更換頻率較基板P低，且相較於基板P較不要求高平坦度，因此即使液體LQ轉向板構件T之背面Tb側亦無大礙。
又，本實施形態中，係兼用吸附保持板構件T之第2吸引口61與回收從間隙A滲入之液體LQ之液體回收口的構成，且第2保持部PH2，至少在基板P之曝光中係一吸附保持板構件T的構成。據此，第2吸引口(液體回收口)61，至少在基板P之曝光中係一隨時回收從間隙A滲入之液體LQ的構成。如此，能確實地防止從間隙A滲入之液體LQ轉向基板P之背面Pb側。又，當液體LQ滲入基板P之背面Pb側時，雖有可能產生基板P與第1保持部PH1因液體而吸附，而無法以第1升降構件56圓滑地使基板P上升的不良情形，但藉由防止液體LQ滲入基板P之背面Pb側，而能防止如上述之不良情形產生。
此外，本實施形態中，如圖9所示，在連接於第2吸引口61之流路65途中配置有多孔體68。又，係能以多孔體 68來捕捉透過第2吸引口61回收、而流動於流路65的液體LQ。藉由此方式，能防止液體LQ流入第2真空系統60的不良情形。又，以多孔體68捕捉之液體LQ，係能使其在流路65內氣化。由於透過第2吸引口61回收之液體LQ係微量，因此以多孔體68捕捉之液體LQ能在流路65內氣化。此外，亦可將網構件配置於流路65來代替多孔體68。或在連接第2吸引口61與第2真空系統60之流路65途中，設置將從第2吸引口61回收之液體LQ與氣體分離的氣液分離器，藉此亦能防止液體LQ流入第2真空系統60。或亦可在流路65途中之既定區域設置較其他區域大的緩衝空間，並以此緩衝空間來捕捉液體LQ，以防止液體LQ流入第2真空系統60。
本實施形態中，藉由使基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A緊貼，亦即，藉由使基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A間的間隙D大致為零，而能確實防止從間隙A滲入之液體LQ，透過基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A間滲入第1空間31側。另一方面，在基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A間形成間隙D時，藉由將間隙B、間隙D、第1空間31之負壓以及第2空間32之負壓，設定成往間隙B之液體LQ吸引力會大於往間隙D之液體LQ吸引力，而能使從間隙A滲入之液體LQ圓滑地被吸引至板構件T的背面Tb側，防止從間隙A滲入之液體LQ轉向基板P之背面Pb側的不良情形。
此外，上述實施形態中，第2吸引口61，雖於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上面(與板構件T之 背面Tb對向的面)形成大致複數個且相同形狀，但亦可將複數個第2吸引口61中一部分之第2吸引口61，例如於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上面中，於第2周壁部62附近、沿第2周壁部62形成複數個狹縫狀。藉此方式，能更圓滑地回收透過間隙B流入第2空間32之液體LQ。
此外，上述實施形態中，第2周壁部62雖形成為俯視呈圓環狀，且間隙B係連續形成而包圍基板P，但亦可藉由使第2周壁部62之高度局部不同，而將間隙B形成為不連續。
又，上述實施形態中，雖藉由將第2周壁部62與第3周壁部63形成於基材PHB上，而形成用以吸附保持板構件T之第2空間32，但亦可將環狀周壁部(第2外壁部)設置於第1周壁部42外側之複數處，藉由分別使環狀周壁部所包圍之空間成為負壓，來將板構件T保持於配置在該環狀周壁部外側之複數個凸狀構件(銷狀構件)上。此時，藉由將液體LQ之吸引口設於環狀周壁部外側，而能從該吸引口回收從間隙A滲入之液體LQ。特別是，藉由使板構件T之背面Tb和與其背面Tb之基材PHB上面的間隙F最佳化，能使從間隙A滲入之液體LQ不會轉向基板P之背面Pb側，而會透過設於板構件T背面Tb側的吸引口被吸引回收。
此外，上述實施形態中，板構件T與基板保持具PH雖能分離，但亦可將板構件T與基板保持具PH一體形成。另一方面，藉由將板構件T與基板保持具PH作成彼此獨立之構件、且以第2保持部PH2保持板構件T的構成，而能容 易地形成間隙B，且能圓滑地進行用以使第2周壁部62之上面62A或第2支撐部66等具撥液性的處理。
又，上述實施形態中，雖基板P厚度與板構件T厚度為大致相同、且間隙B與間隙D之Z軸相關位置為大致相同，但亦可係互異之位置。例如，間隙B在Z軸之位置，亦可係較間隙D更高之位置。藉此，能使從間隙A滲入之液體LQ在到達基板P背面(間隙D)之前，透過間隙B從第2吸引口61加以回收，能更確實地防止液體LQ滲入基板P之背面Pb側的第1空間31。
又，上述實施形態中，第2周壁部62之上面62A和與該上面62A對向之板構件T背面Tb，雖相對XY平面為大致平行(亦即水平面)，但亦可在確保間隙B之狀態下使間隙B相對XY平面傾斜。又，上述實施形態中，板構件T之背面Tb與第2周壁部62之上面62A全區雖為對向，但亦可將第2周壁部62之直徑作成稍微小於板構件T之孔部TH，或將上面62A之寬度作成較大，使第2周壁部62之上面62A一部分與間隙A(或基板P之背面Pb)對向。
上述實施形態中，雖於第1周壁部42與第2周壁部62間形成有凹部而形成間隙C，但第1周壁部42與第2周壁部62亦可係連續。亦即，可設置一個寬廣周壁部來代替第1周壁部42與第2周壁部62。此時，亦可使第2空間之負壓與第1空間之負壓相異，以將從間隙A滲入之液體LQ吸引至間隙B，或亦可於該周壁部上面設置段差或傾斜，俾使該寬廣周壁部上面與基板P之背面Pb的間隙B’，和該周壁部上面與板構件T之背面Tb的間隙D’相異。
此外，上述實施形態中，雖以使用液浸曝光裝置(透過液體LQ使光罩M之圖案像投影於基板P)之情形為例進行了說明，但當然亦能適用於通常之乾式曝光裝置(在不透過液體LQ之狀態下使光罩M之圖案像投影於基板P)。由於形成基板載台PST上面之板構件T，係被第2保持部PH2吸附保持而能拆裝(能更換)於基材PHB，因此例如當在板構件T上或基準部300有異物(不純物)附著、污染、或破損時等，係能圓滑地與新板構件更換。
<第2實施形態>
其次，說明基板載台PST(基板保持具PH)之第2實施形態。以下說明中，對與上述第1實施形態相同或同等之構造部分賦予相同符號，簡略或省略其說明。又，亦省略與第1實施形態共通之變形例的說明。
圖10中，於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上面，設有包圍該第2周壁部62之俯視呈大致圓環狀的中間周壁部162。中間周壁部162，係形成為稍微低於第2支撐部66，或形成為與第2支撐部66大致相同高度，中間周壁部162之上面162A與板構件T之背面Tb為大致緊貼。又，以基材PHB、中間周壁部162、第3周壁部63、以及板構件T來形成第2空間32。透過流路65連接於第2真空系統60之第2吸引口61，係形成於對應第2空間32之基材PHB上面(中間周壁部162與第3周壁部63間之基材PHB上面)。第2真空系統60，係從第2吸引口61吸引第2空間32之氣體，而使該第2空間32成為負壓，藉此吸附保持板構件T。
又，藉由以基材PHB、第2周壁部62、中間周壁部162、以及板構件T，來形成不同於第2空間32之空間167。於第2周壁部62與中間周壁部162間之基材PHB上面，設有用以回收從間隙A滲入之液體LQ的液體回收口161。液體回收口161，係於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上面中，於第2周壁部62附近、沿第2周壁部62形成複數個狹縫狀。液體回收口161，係透過流路165連接於回收用真空系統160。控制裝置CONT，係能分別獨立控制第1真空系統40、第2真空系統60、以及回收用真空系統160之動作。
又，於第2周壁部62與中間周壁部162間設有支撐板構件T之背面Tb的第2支撐部66，。此外，亦可不設置第2周壁部62與中間周壁部162間之第2支撐部66。又，亦可使中間周壁部162之上面162A與第2周壁部62之上面62A同樣地具撥液性。又，亦可於中間周壁部162之上面162A與板構件T之背面Tb間形成微小間隙。
圖10所示之實施形態中，在包含基板P曝光中之既定期間內，控制裝置CONT，藉由驅動第1、第2真空系統40,60而使第1、第2空間31,32成為負壓，來將各基板P與板構件T吸附保持於第1、第2保持部PH1,PH2。此處，於基板P之曝光中，控制裝置CONT係停止回收用真空系統160之驅動。
藉由對基板P進行液浸曝光，而有可能使液體積存於間隙A上或間隙A內側。又，透過間隙A滲入之液體LQ，亦有可能積存於第1周壁部42與第2周壁部62間之空間 168。控制裝置CONT在結束基板P之曝光後，即如參照圖6所說明般，將曝光結束之基板P與新基板P更換。控制裝置CONT，係在從第1保持部PH1拆下基板P之前，開始進行回收用真空系統160之驅動，透過間隙B及液體回收口161來吸引回收積存於空間168等之液體LQ(此動作，係接續圖7之步驟SA3)。雖亦可在更換基板P中持續回收用真空系統160之驅動，但將新基板P裝載於基板保持部PH1時，為防止因振動等造成基板P之偏移等，最好是先停止回收用真空系統160之驅動。此外，由於在連接液體回收口161與回收用真空系統160之流路165設有上述氣液分離器等，因此即使透過液體回收口161來回收液體LQ，亦能防止液體LQ流入回收用真空系統160。
如此，藉由除了設置第2吸引口61(用以使基材PHB、中間周壁部162、第3周壁部63、以及板構件T所包圍之第2空間32成為負壓)以外，另外將回收從間隙A滲入之液體LQ的液體回收口161設於基材PHB上，而能分別獨立進行使用第2吸引口61之板構件T的吸附保持動作、與使用液體回收口161之液體回收動作。據此，由於能在基板P之曝光中停止回收用真空系統160的驅動，因此能抑制隨著回收用真空系統160之驅動所產生的振動對曝光之影響、或曝光中之液浸區域AR2的變動。
此外，參照圖10所說明之本實施形態中，若隨著回收用真空系統160之驅動所產生的振動對曝光之影響、或曝光中之液浸區域AR2的變動較小時，於基板P之曝光中亦可驅動回收用真空系統160。藉此方式，由於與第2真空系統 60使第2空間成為負壓這點配合，回收用真空系統160亦使空間167成為負壓，因此第2保持部PH2能更穩定地吸附保持板構件T。又，藉由在基板P之曝光中驅動回收用真空系統160，由於能透過間隙B及液體回收口161，良好地回收在基板P之曝光中從間隙A滲入之液體LQ，因此能更確實地防止液體LQ滲入基板P之背面Pb側的第1空間31。
此時，亦可將基板P曝光中之液體回收口161的吸引量(吸引力)，設成小於基板P曝光後之液體回收口161的吸引量(吸引力)小，來防止隨著回收用真空系統160之驅動所產生的振動對曝光之影響或曝光中之液浸區域AR2的變動。
此外，上述第1、第2實施形態中，形成於第2保持部PH2之第2周壁部62的上面62A與板構件T背面Tb間的間隙B，由於會成為在透過吸引口61,161(形成於第2周壁部62內側)回收從間隙A滲入之液體LQ時的回收口(回收嘴)，因此亦能發揮調整吸引口(61,161)之液體回收量的功能。據此，最好是將間隙B之大小，適當設定成使從間隙A滲入之液體LQ量增加，而不變動液浸區域AR2之狀態。
<第3實施形態>
圖11係顯示第3實施形態之圖。此外，與第1、第2實施形態共通之構造或變形例，係簡略或省略其說明。圖11中，保持於第2保持部PH2之板構件T，具有：表面(第1面)Ta，係與保持於第1保持部PH1之基板P表面Pa大致同一面高；側面Tc，係與基板P之側面Pc對向；液體承受面Tg，係沿側面Tc設置，與表面Ta大致平行；以及對向面(第2面)Tj，係在第1保持部PH1所保持之基板P周緣部 與該基板P之背面Pb對向。與上述實施形態同樣地，板構件T之表面Ta，係形成為包圍基板P之表面Pa。又，板構件T之對向面Tj，係形成為沿基板P周緣部之圓環狀。亦即，保持於第2保持部PH2之板構件T，係沿保持於第1保持部PH1之基板P周緣形成表面Ta與對向面Tj。本實施形態中，於基板P表面Pa之邊緣與板構件T表面Ta之邊緣間亦形成間隙A，該間隙A為0.1~1.0mm。
承受面Tg，係設於較基板P與板構件T間之間隙A下方。又，對向面Tj，係設在於Z軸方向(+Z軸)較承受面Tg高的位置。接著，以側面Tc、承受面Tg、以及連續於對向面Tj並與側面Tc對向之內側面Th，來形成能保持液體LQ之凹部170。凹部170，係能保持從間隙A滲入之液體LQ。且，從基板P表面Pa邊緣與板構件T表面Ta邊緣之間隙A滲入的液體LQ，係保持於以基板P之側面Pc、板構件T之側面Tc、承受面Tg所形成的空間173。
保持於第1保持部PH1之基板P的背面Pb、與保持於第2保持部PH2之板構件T的對向面Tj為非接觸狀態，在該基板P之背面Pb與板構件T之對向面Tj間形成既定間隙G。保持於第1保持部PH1之基板P的背面Pb、與保持於第2保持部PH2之板構件T的對向面Tj間的間隙G間隔，係設定成使液體LQ無法滲入。本實施形態中，間隙G之間隔係設定為50μm左右。藉此，即使液體LQ從間隙A滲入，亦能防止該液體LQ透過間隙G漏出至空間173外側(基板P之背面Pb側)。
與上述實施形態同樣地，板構件T之表面Ta、背面Tb、 以及側面Tc具有撥液性。進一步地，板構件T之承受面Tg、內側面Th、以及對向面Tj亦具有撥液性。又，基板P之表面Pa、背面Pb、以及側面Pc亦具有撥液性。如上所述，間隙G之間隔，雖設定成使液體LQ無法滲入，但由於形成該間隙G之基板P背面Pb及板構件T對向面Tj均具撥液性，因此能更確實地防止液體LQ透過間隙G漏出板構件T外側。
此外，如上所述，為防止液體LQ從間隙G滲入，板構件T之對向面Tj雖最好是具撥液性，但側面Pc、承受面Tg、內側面Th並不一定要具撥液性，亦可適當選擇性地使其具撥液性。
與參照圖10所說明之實施形態同樣地，保持板構件T之第2保持部PH2，具有設於第2周壁部62與第3周壁部63間之中間周壁部162。又，以基材PHB、中間周壁部162、第3周壁部63、以及板構件T來形成第2空間32。第2吸引口61，係形成於對應第2空間32之基材PHB上面，第2真空系統60(於圖11未圖示)，藉由從第2吸引口61吸引第2空間32之氣體使該第2空間32成為負壓，來吸附保持板構件T。
又，以基材PHB、第2周壁部62、中間周壁部162、以及板構件T來形成空間167。透過流路165連接於回收用真空系統160之液體回收口161，係形成於對應空間167之基材PHB上面。又，板構件T中，在與液體回收口161對向之位置形成有能使液體LQ流通的流路171。流路171係一貫穿板構件T之承受面Tg與背面Tb的孔。保持於空間173 之液體LQ，透過流路171流至空間167。從基板P表面Pa邊緣與板構件T表面Ta邊緣間之間隙A滲入的液體LQ，透過回收口172(形成於板構件T之承受面Tg、且連接於流路171上端部)從空間167內之液體回收口161回收。
圖11所示之實施形態中，在包含基板P曝光中之既定期間內，控制裝置CONT，藉由驅動第1、第2真空系統40,60(於圖11未圖示)而使第1、第2空間31,32成為負壓，來將各基板P與板構件T吸附保持於第1、第2保持部PH1,PH2。此處，於基板P之曝光中，控制裝置CONT係停止回收用真空系統160之驅動。
例如，對基板P進行液浸曝光中液體LQ從間隙A滲入時，該液體即積存於空間173。控制裝置CONT在結束基板P之曝光後，即如參照圖6所說明般，將曝光結束之基板P與新基板P更換。控制裝置CONT，係在從第1支撐部46卸下基板P前，開始進行回收用真空系統160之驅動，透過液體回收口161來吸引空間167之氣體，藉此使空間167成為負壓。藉由使空間167成為負壓，而能將積存於空間173之液體LQ，從板構件T之回收口172流入流路171，並流至空間167側。接著，流至空間167之液體LQ，即透過形成於空間167之基材PHB上的液體回收口161，被吸引回收。
如此，係能以板構件T來保持從間隙A滲入之液體LQ。接著，係能以基板P之更換中等既定時間點，透過形成於板構件T之液體回收口172來回收該液體LQ。又，由於係在基板P之曝光中停止回收用真空系統160之驅動，因此能防止隨著回收用真空系統160之驅動所產生的振動對 曝光之影響或曝光中之液浸區域AR2的變動。此外，雖亦可在更換基板P中持續回收用真空系統160之驅動，但將新基板P裝載於基板保持部PH1時，為防止因振動等造成基板P之偏移等，最好是先停止回收用真空系統160之驅動。又，雖亦可在基板P之曝光時驅動回收用真空系統160，但此時為了不影響曝光精度、或為了使液浸區域AR2不產生變動，最好是將空間167之負壓設為較低。
<第4實施形態>
圖12係顯示第4實施形態之圖。此外，與第1實施形態或其變形例共通之構成或變形例，係簡略或省略其說明。圖12中，用以回收從間隙A(位於第1保持部PH1所保持之基板P與第2保持部PH2所保持之板構件T間)滲入之液體LQ的液體回收口181，係設於基材PHB上、第1空間31及第2空間32外側。具體而言，液體回收口181，係設於第1保持部PH1之第1周壁部42與第2保持部PH2之第2周壁部62間之基材PHB上面，且設於大致與間隙A對向之位置。液體回收口181，從俯視觀之，係沿第1周壁部42(第2周壁部62)形成複數個狹縫狀。又，形成於基材PHB之液體回收口181，係連接於回收用真空系統180。
又，於基材PHB上面形成有斜面182，其用以將保持於第1保持部PH1之基板P與保持於第2保持部PH2之板構件T間的液體LQ聚集於液體回收口181。斜面182，具有從第1周壁部42向液體回收口181傾斜之第1斜面182A、以及從第2周壁部62向液體回收口181傾斜之第2斜面182B。此外，本實施形態中，第2周壁部62之上面62A係 大致緊貼於板構件T之背面Tb。
圖12所示之實施形態中，在包含基板P曝光中之既定期間內，控制裝置CONT，藉由驅動第1、第2真空系統40,60(於圖12未圖示)而使第1、第2空間31,32成為負壓，來將各基板P與板構件T吸附保持於第1、第2保持部PH1,PH2。此處，於基板P之曝光中，控制裝置CONT係停止回收用真空系統180之驅動。
例如，即使在基板p之液浸曝光中，液體LQ從間隙A滲入，由於第1周壁部42之上面42A與基板P之背面Pb、以及第2周壁部62之上面62A與板構件T之背面Tb係大致緊貼，且第1周壁部42之上面42A與第2周壁部62之上面62A分別施有撥液處理，因此從間隙A滲入之液體LQ，不會滲入基板P背面Pb側之第1空間31及板構件T背面Tb側之第2空間32，而會積存於間隙A上、間隙A內側、或第1周壁部42與第2周壁部62間之空間。控制裝置CONT在結束基板P之曝光後，即如參照圖6所說明般，將曝光結束之基板P與新基板P更換。控制裝置CONT，係在從第1支撐部46拆下基板P前，開始進行回收用真空系統180之驅動，而從液體回收口181來吸引回收液體LQ。由於在基材PHB上形成有用以將液體LQ聚集於液體回收口181之斜面182，因此能從液體回收口181良好地回收液體LQ。
又，由於在基板P之曝光中停止回收用真空系統180之驅動，因此能抑制隨著回收用真空系統180之驅動所產生的振動對曝光的影響或曝光中液浸區域AR2的變動。
此外，相對基板P之側面Pc與板構件T之側面Tc的 間隙A，藉由將第1周壁部42與第2周壁部62之間隙C、亦即將基板P與板構件T從周壁部42、62突出之寬度作成較大，而能確實地防止液體LQ滲入基板P背面Pb側之第1空間以及板構件T背面Tb側之第2空間32。
又，雖亦可在更換基板P中持續回收用真空系統180之驅動，但將新基板P裝載於基板保持部PH1時，為防止因振動等造成基板P之偏移等，最好是先停止回收用真空系統180之驅動。
又，雖亦可在基板P之曝光時驅動回收用真空系統180，但此時為了不使曝光精度劣化、或使液浸區域AR2產生變動，最好是預先將回收用真空系統180之吸引力設成較小。
又，本實施形態中，雖第2周壁部62之上面62A與板構件T之背面Tb為大致緊貼，但亦可形成微小間隙B。此時，如第1實施形態或第2實施形態所述，最好是預先作成將滲入第2周壁部62內之液體LQ回收的構成。
<第5實施形態>
圖13係顯示本發明之第5實施形態的圖。第5實施形態為第1實施形態之變形例，與第1實施形態共通之部分，係簡略或省略其說明。圖13中，用以回收從間隙A滲入之液體LQ的液體回收口，係與圖9所示之實施形態同樣地，兼用為第2吸引口61(為吸附保持板構件T而形成於第2空間32內側)。又，於第1空間31及第2空間32外側之基材PHB上面，形成有從第1周壁部42(第1空間31)向第2周壁部62(第2空間32)傾斜之斜面192。斜面192，係設於大 致與間隙A對向之位置，具有將從間隙A滲入之液體LQ聚集於第2周壁部62側的功能。
例如在基板P之曝光中，從間隙A滲入之液體LQ，透過第1周壁部42與第2周壁部62間之空間以及間隙B流入第2空間32，而從第2吸引口61吸引回收。由於在第1周壁部42與第2周壁部62間之基材PHB上面形成有斜面192，而能將液體LQ聚集於第2周壁部62側，因此能從第2吸引口61良好地吸引回收從間隙A滲入之液體LQ。
又，圖13之實施形態中，亦可如第2實施形態般配置中間周壁部162，亦可如圖12之第4實施形態般在第1周壁部42與第2周壁部62間設置液體LQ之回收用流路。
又，上述實施形態中，雖使第2周壁部62之上面及側面具有撥液性，但在容許液體LQ滲入板構件T之背面側的情形下，亦不需使第2周壁部62之上面及側面具有撥液性，相反地亦可使第2周壁部62之上面及側面具有親液性。此時，亦可在板構件T之背面側設置用以回收液體LQ之回收口。
又，上述實施形態中，板構件T雖係以一片板狀構件形成，但亦可以複數片板構件T來形成基板載台PST之上面。又，亦可於第2保持部PH2付加調整板構件T之Z軸方向位置(高度)或傾斜度的功能，來使板構件T之表面Ta與基板P之表面Pa為大致同一面高。
<第6實施形態>
其次，說明基板載台PST(基板保持具PH)之另一實施形態，特別是對第1實施形態之變形例進行說明。以下說明 中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，簡略或省略其說明。
圖14係本實施形態之基板載台PST的俯視圖，圖15係基板載台PST(基板保持具PH)的側截面圖。圖14及圖15中，基板保持具PH，具備：基材PHB；第1保持部PH1，係形成於基材PHB，用以吸附保持基板P；第2保持部PH2，係形成於基材PHB，在吸附保持於第1保持部PH1之基板P附近吸附保持第1板構件T1；以及第3保持部PH3，係形成於基材PHB，在吸附保持於第1保持部PH1之基板P附近吸附保持第2板構件T2。第1板構件T1與第2板構件T2，係與基材PHB不同之構件，設置成能拆裝於基板保持具PH之基材PHB，而能進行更換。
第1板構件T1，係配置在保持於第1保持部PH1之基板P附近。在保持於第1保持部PH1之基板P的表面Pa附近，配置有保持於第2保持部PH2之第1板構件T1的表面Ta。第1板構件T1之表面Ta及背面Tb為平坦面(平坦部)。第2板構件T2之表面Td及背面Te亦為平坦面(平坦部)。
如圖14所示，第1板構件T1為大致圓環狀構件，配置成包圍保持於第1保持部PH1之基板P。保持於第2保持部PH2之第1板構件T1的表面Ta，係配置於第1保持部PH1所保持之基板P周圍，形成為包圍該基板P。亦即，第1板構件T1，係在保持於第1保持部PH1之基板P周圍形成平坦面Ta。
如圖14所示，第2板構件T2之外形係以沿基材PHB之形狀的方式形成為俯視呈矩形，其中央部具有能配置基 板P及第1板構件T1之大致圓形孔部TH2。亦即，第2板構件T2係大致環狀構件，配置於第1保持部PH1所保持之基板P及第2保持部PH2所保持之第1板構件T1周圍，且配置成包圍該基板P及第1板構件T1。又，第3保持部PH3所保持之第2板構件T2，係相對第1保持部PH1所保持之基板P，於第1板構件T1外側形成平坦面Td。
又，各第1板構件T1及第2板構件T2，係與基板P大致相同厚度。又，保持於第2保持部PH2之第1板構件T1表面(平坦面)Ta、保持於第3保持部PH3之第2板構件T2表面(平坦面)Td、以及保持於第1保持部PH1之基板P的表面Pa為大致同一面高。亦即，第1板構件T1之表面及第2板構件T2之表面，係於基板P周圍形成與基板P表面大致同一面高的平坦部。
又，第1板構件T1之表面Ta及第2板構件T2之表面Td係對液體LQ具有撥液性。進一步地，第1板構件T1之背面Tb及第2板構件T2之背面Te亦對液體LQ具有撥液性。
基板保持具PH之基材PHB係形成為俯視呈矩形，在該基板保持具PH中基材PHB之彼此垂直的兩側面，分別形成有用以測量基材PHB(基板保持具PH)之位置的雷射干涉儀94用移動鏡93。亦即，本實施形態中，基板載台PST之上面，當保持基板P時，在包含所保持之基板P的表面Pa的大致全區域，亦形成為全平坦面(full flat面)。
如圖15所示，基板保持具PH之第1保持部PH1，具備：形成於基材PHB上之凸狀第1支撐部46、於基材PHB上形 成為包圍第1支撐部46周圍之環狀第1周壁部42、以及形成於第1周壁部42內側之基材PHB上的第1吸引口41。各第1支撐部46及第1吸引口係在第1周壁部42內側配置成複數個且相同形狀。第1周壁部42之上面42A與基板P之背面Pb對向。各第1吸引口41透過流路45連接於第1真空系統40。控制裝置CONT，係驅動第1真空系統40，吸引以基材PHB、第1周壁部42、以及基板P所包圍之第1空間31內部的氣體(空氣)，使此第1空間31成為負壓，藉此將基板P吸附保持於第1支撐部46。
基板保持具PH之第2保持部PH2，具備：於基材PHB上形成為包圍第1保持部PH1之第1周壁部42的大致圓環狀第2周壁部62、設於第2周壁部62外側並於基材PHB上形成為包圍第2周壁部62之環狀第3周壁部63、形成於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上的凸狀第2支撐部66、以及形成於第2周壁部62與第3周壁部63間之基材PHB上的第2吸引口61。第2周壁部62係相對第1空間31設於第1周壁部42外側，第3周壁部63則設於第2周壁部62之更外側。各第2支撐部66及第2吸引口61係在第2周壁部62與第3周壁部63間形成為複數個且相同形狀。第2周壁部62之上面62A與第3周壁部63之上面63A係與第1板構件T1之背面Tb對向。各第2吸引口61，透過流路65連接於第2真空系統60。控制裝置CONT，係驅動第2真空系統60，吸引基材PHB、第2、第3周壁部62,63、以及第1板構件T1所包圍之第2空間32內部的氣體(空氣)，而使此第2空間32成為負壓，藉此將第1板構件T1 吸附保持於第2支撐部66。
基板保持具PH之第3保持部PH3，具備：於基材PHB上形成為包圍第2保持部PH2之第3周壁部63的大致圓環狀第4周壁部82、設於第4周壁部82外側並於基材PHB上形成為包圍第4周壁部82之環狀第5周壁部83、形成於第4周壁部82與第5周壁部83間之基材PHB上的凸狀第3支撐部86、以及形成於第4周壁部82與第5周壁部83間之基材PHB上的第3吸引口81。第4周壁部82係相對第2空間32設於第3周壁部63外側，第5周壁部83則設於第4周壁部82之更外側。各第3支撐部86及第3吸引口81係在第4周壁部82與第5周壁部83間形成為複數個且相同形狀。第4周壁部82之上面82A與第5周壁部83之上面83A係與第2板構件T2之背面Te對向。各第3吸引口81，係透過流路85連接於第3真空系統80。第3真空系統80，係用以使基材PHB、第4、第5周壁部82,83、以及第2板構件T2所包圍的第3空間成為負壓。第4、第5周壁部82,83，係發揮包圍第3空間33(包含第3支撐部86)外側之外壁部的功能，控制裝置CONT，係驅動第3真空系統80，吸引基材PHB、第4、第5周壁部82,83、以及第2板構件T2所包圍之第3空間33內部的氣體(空氣)，而使此第3空間33成為負壓，藉此將第2板構件T2吸附保持於第3支撐部86。
又，用以使第1空間31成為負壓之第1真空系統40、用以使第2空間32成為負壓之第2真空系統60、以及用以使第3空間33成為負壓之第3真空系統80係彼此獨立。控制裝置CONT，能個別控制第1真空系統40、第2真空系統 60、及第3真空系統80之各動作，並能分別獨立進行第1真空系統40對第1空間31之吸引動作、第2真空系統60對第2空間32之吸引動作、以及第3真空系統80對第3空間33之吸引動作。例如，控制裝置CONT，係能分別控制第1真空系統40、第2真空系統60、以及第3真空系統80，來使第1空間31、第2空間32、與第3空間33之壓力彼此互異。
本實施形態中，保持於第1保持部PH1之基板P外側的邊緣部、與設置於該基板P周圍之第1板構件T1內側的邊緣部間，例如形成有0.1~1.0mm左右之間隙。又，保持於第2保持部PH2之第1板構件T1外側的邊緣部、與設置於該第1板構件T1周圍之第2板構件T2內側的邊緣之間，例如形成有0.1~1.0mm左右之間隙。
又，與上述實施形態同樣地，在配置於基板P周圍之第1板構件T1上，形成有對應形成於基板P之缺口部NT(或定向平面部)的突起部150。又，第1周壁部42或第2周壁部62，亦具有對應基板P之缺口部NT的形狀。
又，與上述實施形態同樣地，第1周壁部42之上面42A、第2周壁部62之上面62A、以及第3周壁部63之上面63A為平坦面。進一步地，各第4周壁部82之上面82A、及第5周壁部83之上面83A亦為平坦面。
又，第1保持部PH1中，第1支撐部46，係形成為與第1周壁部42相同高度、或形成為稍微高於第1周壁部42，當使第1空間31成為負壓時，能使基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A緊貼。第2保持部PH2中，第2支撐 部66，係形成為稍微高於第2周壁部62，即使使第2空間32成為負壓，在第1板構件T1之背面Tb與與第2周壁部62之上面62A間亦形成既定之間隙B。第3周壁部63，係形成為稍微低於第2支撐部66、或形成為與第2支撐部66大致相同高度，使第3周壁部63之上面63A與第1板構件T1之背面Tb緊貼。
此外，能將第2支撐部66之高度與第2周壁部62之高度決定成第1板構件T1之背面Tb與第2周壁部62之上面62A會緊貼。又，亦能將第2支撐部66之高度與第3周壁部63之高度決定成第1板構件T1之背面Tb與第3周壁部63之上面63A間會形成較小間隙。
又，第3保持部PH3中，第4支撐部86，係形成為稍微高於第4周壁部82及第5周壁部83、或形成為與第4周壁部82及第5周壁部83大致相同高度，使第4周壁部82之上面82A及第5周壁部83之上面83A與第2板構件T2之背面Te緊貼。此外，亦可在第4周壁部82之上面82A及第5周壁部83之上面83A與第2板構件T2之背面Te間形成既定之間隙。
本實施形態中，第1板構件T1與第2板構件T2係以不同材質形成，第1板構件T1表面Ta之撥液性耐久性能，係高於第2板構件T2表面Td之撥液性耐久性能。
本實施形態中，配置於基板P周圍之第1板構件T1，例如以PTFE(poly tetrafluoro ethylene，聚四氟乙稀)等之氟系列樹脂材料形成。另一方面，第2板構件T2，係以石英(玻璃)形成，於其表面Td、背面Te、以及側面(與第1板構件 T1之面對向)Tf被覆撥液性材料。撥液性材料，與上述同樣地，可列舉四氟化聚乙稀等之氟系列樹脂材料，或丙烯酸系列樹脂材料等。接著藉由將此等撥液性材料塗布(被覆)於由石英構成之板構件T，即能使第2板構件T2之各表面Td、背面Te、及側面Tf對液體LQ具有撥液性。
接著，如圖14所示，於第2板構件T2表面Td之既定位置設有具備基準標記MFM,PFM之基準部300，該基準標記MFM,PFM係用以規定基板P對透過投影光學系統PL之光罩M的圖案像位置又，於第2板構件T2表面Td之既定位置設有用作為焦點位準檢測系統之基準面的基準板400。基準部300上面及基準板400上面，係與第1保持部PH1所保持之基板P表面Pa大致同一面高。撥液性材料，亦被覆於具有基準標記MFM,PFM之基準部300上及基準板400，使基準部300上面及基準板400上面亦具撥液性。
又，第1板構件T1中形成為圓環狀表面Ta之寬度Ht係形成為至少較投影區域AR1大。藉此，當曝光基板P之邊緣區域E時，曝光用光EL即不會照射到第2板構件T2。藉此，能抑制第2板構件T2表面Td之撥液性劣化。且曝光用光EL所照射之第1板構件T1其形成材料本身即為撥液性材料(例如PTFE)，因此第1板構件T1表面Ta之撥液性耐久性能，係高於第2板構件T2表面Td之撥液性耐久性能。據此，即使照射曝光用光EL，其撥液性不會過度劣化，能長期間維持撥液性。雖亦可考慮不以石英形成第2板構件T2、而例如以PTFE來形成，但為了在第2板構件T2形成基準標記MFM,PFM，最好還是以石英來作為第2 板構件T2之形成材料。又，藉由在第2板構件T2之表面Td形成基準標記MFM,PFM，而能使基板載台PST之上面成為全平坦面。因此，本實施形態，係以石英形成曝光用光EL不照射之區域的第2板構件T2而在其表面Td形成基準標記MFM,PFM，並將撥液性材料被覆於形成有基準標記MFM,PFM之第2板構件T2，藉此來形成具撥液性之全平坦面。此外，亦可僅將基準標記MFM與基準標記PFM中之一方形成第2板構件。
此外，第1板構件T1表面Ta之寬度Ht，最好係形成為大於形成於投影光學系統PL像面側之液浸區域AR2。藉此，在對基板P之邊緣區域E進行液浸曝光時，由於液浸區域AR2係配置於第1板構件T1之表面Ta上，而不是配置於第2板構件T2上，因此能防止液浸區域AR2之液體LQ滲入第1板構件T1與第2板構件T2間之間隙的不良情形。
又，與上述實施形態同樣地，欲更換第1板構件T1時，係使用設於第1板構件T1下之第2升降構件57，來使第1板構件T1升降。又，雖未圖示，於第2板構件T2下亦設有升降構件，欲更換第2板構件T2時，即係使用該升降構件來使第2板構件T2升降。由於用以吸附保持第1板構件T1之第2真空系統40、與用以吸附保持第2板構件T2之第3真空系統60係彼此獨立，因此能彼此獨立進行第1板構件T1之吸附保持及吸附保持解除動作、以及第2板構件T2之吸附保持及吸附保持解除動作。據此，例如控制裝置CONT，即能對應各第1板構件T1及第2板構件T2之撥液 性的劣化程度，以不同之時間點來執行第1板構件T1之更換與第2板構件T2之更換。
又，本實施形態中，第1周壁部42之上面42A、第1支撐部46之上面46A、第2支撐部66之上面66A、第2周壁部62之上面62A、第3周壁部63之上面63A、第3支撐部86之上面86A、第4周壁部82之上面82A、以及第5周壁部83之上面83A，雖高度稍微有差距，但為大致相同高度。藉此，對此等上面進行拋光處理時之作業性亦非常良好。
本實施形態中，由PTFE等構成之第1板構件T1係形成為圓環狀，配置成包圍基板P周圍。又，雖石英構成之第2板構件T2係形成為環狀、且配置成於第1板構件T1外側包圍該第1板構件T1，但亦可以石英所構成之第2板構件T2來形成僅一部分小區域(包含具有基準標記MFM,PFM之基準部300)，而以PTFE等所構成之第1板構件T1來形成其他大部分區域。其重點，最好是上面中曝光用光所照射之區域以例如PTFE等所構成之板構件來形成，包含基準部300之區域則以石英所構成之板構件來形成。
此外，此處雖以使用液浸曝光裝置(透過液體LQ將光罩M之圖案像投影於基板P)之情形為例進行了說明，但本實施形態，亦能適用於通常之乾式曝光裝置(不透過液體LQ使光罩M之圖案像投影於基板P)。由於形成基板載台PST上面之第1、第2板構件T1,T2，係被第2、第3保持部PH2,PH3吸附保持而能拆裝(能更換)於基材PHB，因此例如當在板構件上有異物(不純物)附著、污染等而欲更換時，即能與 新板構件更換。
如第6實施形態般使用第1板及第2板的構成，係能適用於第2至第5實施形態。又，參照圖14所說明之第6實施形態中，基板保持具PH雖係具有第1板構件與第2板構件之2個板構件的構成，但亦可係具有3個以上之任意複數個板構件的構成，此時，於基材PHB上設有對應板構件數量之吸附保持部。又，將複數個板構件吸附保持於基材PHB之構成中，只要僅將複數個板構件中需更換之既定板構件更換即可。
又，各板之材料亦不限於上述者，亦可考量有無基準部或撥液性能之耐久性等，來決定最適當之材料。
又，上述實施形態中，雖使第2周壁部62之上面及側面具有撥液性，但若係容許液體LQ滲入板構件T(T1,T2)之背面側的情形時，即不需使第2周壁部62之上面及側面具有撥液性，相反地可使第2周壁部62之上面或側面具親液性。此時，亦可在板構件T(T1,T2)之背面側設置用以回收液體LQ的回收口等。
又，第6實施形態中，第2~5周壁部雖形成為包圍第1周壁部42之環狀，但第2~5周壁部之位置或形狀只要能吸附保持板構件T(T1,T2)，係能採用各種態樣。重點是將周壁部形成為在基材PHB與板構件T(T1,T2)之背面間能形成用以吸附保持板構件T(T1,T2)之密閉空間(負壓空間)即可，例如，亦可將周壁部設置成在一個板構件T(T1,T2)與基材PHB間會形成複數個密閉空間(負壓空間)。
又，上述實施形態中，板構件T(T1,T2)之厚度，雖係 與基板P大致相同厚度，但亦可與基板P之厚度相異。此時，最好是將基板P之支撐部46或板構件T(T1,T2)之支撐部66(86)之高度，設定成吸附保持於基板保持具PH之基板P的表面與板構件T(T1,T2)表面為大致同一面高。
上述實施形態中，板構件T,T1,T2，雖係以真空吸附方式保持於基材PHB，但亦能使用靜電夾頭機構、電磁夾頭機構、磁力夾頭機構等其他保持機構。
上述實施形態中，曝光裝置EX，雖係具備1個基板載台PST之構成，但本發明，亦能適用於具備2個基板載台PST的曝光裝置。關於此點，參照著圖16來說明。
圖16所示之曝光裝置EX，具備：基板載台PST1，具有保持基板P之基板保持具PH，能在保持基板P之狀態下進行移動；以及測量載台PST2，係設於與基板載台PST1並排之位置，具備上述基準部300。於基板載台PST1上之基板保持具PH吸附保持有板構件T。另一方面，測量載台PST2係測量專用之載台且為不保持基板P之載台，於該測量載台PST2設有吸附保持具有基準部300之板構件T’的保持部。於測量載台PST，藉由前述保持部吸附保持有具有基準部300之板構件T’。又，雖未圖示，於測量載台PST2係設有包含如上述之照度不均感測器等的光學感測器。基板載台PST1及測量載台PST2，藉由包含線性馬達等之載台驅動裝置，而能在XY平面內彼此獨立進行2維移動。又，基板載台PST1及測量載台PST2之XY方向位置，係由雷射干涉儀來測量。
圖16所示之實施形態中，由於將液體LQ之液浸區域 AR2形成於基板載台PST1上及測量載台PST2上雙方，因此有可能在各基板載台PST1上之板構件T上面及測量載台PST2上之板構件T’上面附著異物、或形成液體LQ之附著痕跡(水痕)。不過，圖16所示之實施形態中，亦能將各基板載台PST1及測量載台PST2之板構件T、T’更換。
又，本發明亦能適用於具備保持基板之二個基板載台的雙載台型曝光裝置。雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作，例如揭示於特開平10-163099號及特開平10-214783號(對應美國專利6,341,007，6,400,441、6,549,69及6,590,634)，特表2000-505958號(對應美國專利5,969,441)或美國專利6,208,407。
此外，在投影光學系統PL之像面側形成液浸區域AR2的機構，並不限於上述實施形態，而能使用各種形態之機構。例如，能使用揭示於歐洲申請專利公開EP1420298(A2)公報之機構。
如上所述，本實施形態之液體LQ係使用純水。純水之優點為能容易地在半導體製造工廠等處大量取得，且對基板P上之光阻或光學元件(透鏡)等無不良影響。又，純水除了對環境無不良影響外，由於雜質之含有量極少，因此亦能期待有洗淨光學元件(設於基板P之表面、以及投影光學系統PL前端面)之作用。又，從工廠等所供應之純水純度較低時，亦可使曝光裝置具備超純水製造器。
又，純水(水)對波長為193nm左右之曝光用光EL的折射率n係大致1.44，若使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為曝光用光EL之光源時，在基板P上則將波長縮短為 1/n、亦即大約134nm左右，即可獲得高解析度。再者，由於焦深與在空氣中相較放大約n倍、亦即約1.44倍左右，因此只要係能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深時，即能更增加投影光學系統PL之數值孔徑，從此點來看亦能提高解析度。
此外，如上所述，使用液浸法時，有時投影光學系統PL之數值孔徑NA會成為0.9~1.3。如上所述，投影光學系統PL之數值孔徑NA變大時，由於習知用作為曝光用光之任意偏極光有時會因偏光效果不同而使成像性能惡化，因此最好是使用偏光照明。此時，最好是進行配合光罩(標線片)之線/空間(line and space)圖案之線圖案長邊方向的直線偏光照明，而從光罩(標線片)之圖案射出較多S偏光成分(TE偏光成分)、亦即沿線圖案長邊方向之偏光方向成分的繞射光。由於在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻間充滿液體時，與在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻間充滿空氣(氣體)的情形相較，由於有助於提高對比之S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光的光阻表面透射率會變高，因此即使投影光學系統之數值孔徑NA超過1.0時，亦能得到高成像性能。又，若適當組合相移光罩或配合如特開平6-188169號公報所揭示之線圖案長邊方向的斜入射照明法(特別係偶極(dipole)照明法)等，則更具效果。特別是，直線偏光照明法與偶極照明法之組合，係當線/空間圖案之周期方向限於既定一方向時、或孔圖案沿既定一方向密集形成時相當有效。例如，併用直線偏光照明法及偶極照明法，來照明透射率6%之半透光(half-tone)型相移 光罩(半間距45nm左右之圖案)時，將照明系統之瞳面中形成偶極之二光束的外接圓所規定之照明σ設為0.95、將其瞳孔平面之各光束半徑設為0.125 σ、將投影光學系統PL之數值孔徑設為NA=1.2時，即能較使用任意偏極光將焦深(DOF)增加150nm左右。
又，例如以ArF準分子雷射光為曝光用光，使用1/4左右之縮小倍率的投影光學系統PL，將微細之線/空間圖案(例如25~50nm左右之線/空間)曝光於基板P上時，依光罩M構造(例如圖案之細微度或鉻之厚度)的不同，藉由波導效果(Wave guide)使光罩M發揮偏光板之作用，而使從光罩M射出S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光多於使對比下降之P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光。此時，雖最好是使用上述直線偏光照明，但即使以任意偏極光來照明光罩M，而投影光學系統PL之數值孔徑NA如為0.9~1.3般較大之情形時，亦能得到高解析性能。
又，當將光罩M上之極微細線/空間圖案曝光於基板P時，藉由線柵(Wire Grid)效果雖亦有可能使P偏光成分(TM偏光成分)大於S偏光成分(TE偏光成分)，但例如以ArF準分子雷射光作為曝光用光，並使用1/4左右之縮小倍率的投影光學系統PL將較25nm大之線/空間圖案曝光於基板P上時，由於從光罩M射出S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光多於P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光，因此即使投影光學系統PL之數值孔徑NA如為0.9~1.3般較大之情形時，亦能得到高解析性能。
再者，除了與光罩(標線片)之線圖案長邊方向配合的直 線偏光照明(S偏光照明)以外，如特開平6-53120號公報所揭示，將以光軸為中心之圓接線(周)方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法組合亦具有效果。特別是，除了光罩(標線片)之圖案沿既定一方向延伸之線圖案以外，在沿複數個相異方向延伸之線圖案混合(周期方向相異之線/空間圖案混合)的情形下，同樣如特開平6-53120號公報所揭示，藉由併用偏光照明法(沿以光軸為中心之圓的接線方向直線偏光)與輪帶照明法，即使投影光學系統PL之數值孔徑NA較大時，亦能得到高成像性能。例如，在併用偏光照明法(沿以光軸為中心之圓的接線方向直線偏光)與輪帶照明法(輪帶比3/4)，來照明透射率6%之半透光型相移光罩(半間距63nm左右之圖案)的情形下，將照明σ設為0.95、將投影光學系統PL之數值孔徑設為NA=1.00時，較使用任意偏極光之情形能使焦深(DOF)增加250nm左右，當半間距為55nm左右之圖案且投影光學系統PL之數值孔徑為NA=1.2時，能使焦深增加100nm左右。
本實施形態中，將光學元件2安裝於投影光學系統PL前端，藉由此透鏡能進行投影光學系統PL之光學特性的調整，例如像差(球面像差、慧形像差等)。此外，作為安裝於投影光學系統PL前端之光學元件，亦可係使用以調整投影光學系統PL之光學特性的光學板。或亦可係能使曝光用光EL透射之平行平面板。
此外，因液體LQ流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件與基板P間的壓力較大時，亦可不將該光學元件作成能更換之構造，而是將光學元件堅固地固定成不會 因其壓力而移動。
又，本實施形態中，投影光學系統PL與基板P間雖係以液體LQ充滿的構成，但亦可係例如在將平行平面板所構成之蓋玻片安裝於基板P表面之狀態下來充滿液體LQ的構成。此時，蓋玻片亦可覆蓋板表面的一部分。
又，本實施形態之液體LQ雖係水，但亦可係水以外之液體。例如，曝光用光之光源為F2雷射光時，由於此F2雷射光無法透射水，因此亦可使用能使F2雷射光透射之液體來作為液體LQ，例如過氟聚醚(PFPE,perfluoro-polyether)或氟系列油等氟系列流體亦可。此時，例如以包含氟之極性小的分子構造物質來形成薄膜，藉此對與液體LQ接觸之部分進行親液化處理。又，作為液體LQ，其他亦能使用對曝光用光EL具透射性且折射率盡可能較高、並對塗布於投影光學系統PL與基板P表面之光阻較穩定者(例如杉木油(cedar oil))。此時，表面處理亦根據所使用之液體LQ極性來進行。又，亦能使用具有所欲折射率之各種流體來替代液體LQ1,LQ2之純水，例如，超臨界流體或高折射率氣體。
又，作為上述各實施形態之基板P，除了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)等。
曝光裝置EX，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃瞄方式之掃瞄型曝光裝置(掃瞄步進機)以外，亦能適用於步進重複方式之投影曝光裝置(步進器)，其係在使光罩M與基板P靜止之 狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動。
又，作為曝光裝置EX，亦能適用下述曝光裝置，即：在使第1圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用投影光學系統(例如1/8縮小倍率且不含反射元件之折射型投影光學系統)將第1圖案之縮小像一次曝光於基板P之方式的曝光裝置。此時，進一步於其後，亦能適用於接合方式之曝光裝置，其係在使第2圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用該投影光學系統使第2圖案之縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光於基板P。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於步進接合方式之曝光裝置，其係在基板P上將至少2個圖案部分重疊而轉印，並依序移動基板P。
作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標線片、以及光罩等之曝光裝置等。
又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號公報所揭示之電子光罩來代替此標線片，該電子光罩係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。
又，本發明亦能適用於，如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於晶圓W上、而在晶 圓W上形成線/空間圖案之曝光裝置(微影系統)。
當於基板載台PST或光罩載台MST使用線性馬達時，亦可採用使用了空氣軸承之氣浮型及使用了勞倫茲(Lorentz)力或電抗之磁浮型中的任一型。又，各載台PST、MST，亦可係沿導件移動之類型，或亦可係不設導件之無導件類型。於載台使用線性馬達之例，係揭示於美國專利5,623,853及5,528,118。
於各載台PST、MST之驅動機構亦可使用平面馬達，其係使二維配置磁鐵之磁鐵單元與二維配置線圈之電樞單元對向，藉由電磁力來驅動各載台PST、MST。此時，只要將磁鐵單元與電樞單元中之任一方連接於載台PST、MST、將磁鐵單元與電樞單元中之另一方設置於載台PST、MST移動側即可。
藉由基板載台PST之移動所產生的反作用力，亦可使用框構件以機械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學系統PL。此反作用力之處理方法，例如，美國專利5,528,118(特開平8-166475號公報)所詳細揭示者。
藉由基板載台MST之移動所產生的反作用力，亦可使用框構件以機械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學系統PL。此反作用力之處理方法，例如，美國專利5,874,820(特開平8-330224號公報)所詳細揭示者。
本申請案之實施形態的曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(包含申請範圍中所列舉的各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進 行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置全體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。
半導體元件之微元件，如圖17所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、藉由前述實施形態之曝光裝置EX將光罩圖案曝光於基板的曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。
根據本發明，能容易地進行基板保持裝置或基板載台、及曝光裝置的維修作業。且由於能防止曝光裝置運轉率之降低，因此能提高元件之生產性。又，根據本發明，能容易地進行液浸曝光裝置之維修作業。再者，能在防止液體滲入之狀態下良好地使基板曝光。
2‧‧‧光學元件
2A‧‧‧光學元件2之液體接觸面
10‧‧‧液體供應機構
11‧‧‧液體供應部
12,12A,12B‧‧‧供應口
13‧‧‧供應管
20‧‧‧液體回收機構
21‧‧‧液體回收部
22‧‧‧回收口
23‧‧‧回收管
70‧‧‧噴嘴構件
70A‧‧‧噴嘴構件70之下面
91,93‧‧‧移動鏡
92,94‧‧‧雷射干涉儀
95‧‧‧基板對準系統
96‧‧‧光罩對準系統
AR1‧‧‧投影區域
AR2‧‧‧液浸區域
AX‧‧‧光軸
BP‧‧‧底座
CONT‧‧‧控制裝置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光學系統
LQ‧‧‧液體
M‧‧‧光罩
MFM,PFM‧‧‧基準標記
MST‧‧‧光罩載台
MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置
P‧‧‧基板
PH‧‧‧基板保持具(基板保持裝置)
PK‧‧‧鏡筒
PL‧‧‧投影光學系統
PST‧‧‧基板載台
PSTD‧‧‧基板載台驅動裝置
T‧‧‧板構件
Ta‧‧‧板構件T之表面

Claims (14)

  1. 一種曝光裝置，係透過投影光學系統與液體使基板曝光，其具備：具有保持前述基板之基板保持部且能相對前述投影光學系統移動的載台；前述載台，包含回收部，該回收部係用以回收滲入保持於前述基板保持部之前述基板與設於較前述基板保持部外側之載台上面之間之間隙之前述液體；前述回收部，包含多孔體或網構件與用以回收滲入前述間隙並透過前述多孔體或網構件之前述液體的流路。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述載台包含：包含前述載台上面且設成能拆裝之板構件與保持該板構件之板保持部；前述流路之回收口設於前述板保持部所保持之前述板構件之背面側。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，前述多孔體或網構件設於前述板保持部所保持之前述板構件之背面側。
  4. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，前述流路之前述回收口設於前述板保持部之內部。
  5. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，前述多孔體或網構件設於前述板保持部之內部。
  6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述多孔體或網構件設於前述流路之途中。
  7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述基板保 持部包含支撐前述基板之支撐部、設於該支撐部周圍之壁部、以及以能吸引較該壁部內側之空間內之氣體之方式連接於該內側之空間之氣體流路，在前述內側之空間內之氣體透過前述氣體流路被吸引而使該內側之空間成為負壓之狀態下保持前述支撐部所支撐之前述基板。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，前述基板保持部包含於上部形成有前述支撐部及前述壁部之底座部；前述氣體流路設於前述底座部之內部；前述氣體流路之吸引口形成於前述底座部表面中面對前述內側之空間之表面。
  9. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述載台上面設成與前述基板保持部所保持之前述基板之上面大致同高。
  10. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述載台上面包含平坦面。
  11. 一種曝光方法，係使用申請專利範圍第1至10項中任一項之曝光裝置使前述基板曝光。
  12. 一種曝光方法，係透過投影光學系統與液體使基板曝光，其包含：藉由能相對前述投影光學系統移動的載台所具備之基板保持部保持前述基板的動作；以及透過多孔體或網構件與流路，回收滲入保持於前述基板保持部之前述基板與設於較前述基板保持部外側之載台上面之間之前述間隙之前述液體的動作。
  13. 一種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第1至10項中任一項之曝光裝置來將圖案曝光於基板的動作；以及於已曝光前述圖案之前述基板上組裝元件的動作。
  14. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第11或12項之曝光方法來將圖案曝光於基板的動作；以及於已曝光前述圖案之前述基板上組裝元件的動作。
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