TW201314246A - 透明導電性薄膜及觸控面板 - Google Patents

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Takayoshi Kirimoto
Yutaka Kitamura
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Toray Advanced Film Co Ltd
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Abstract

本發明之透明導電性薄膜係在基材薄膜上依序具有折射率為1.61~1.80之高折射率層、SiO2膜、及經圖型化的透明導電膜，前述高折射率層的厚度為30nm以上，且前述高折射率層的光學厚度與前述SiO2膜的光學厚度的合計為(1/4)λ(但是，λ在380~780nm的範圍)。藉由本發明可提供一種透明導電性薄膜，其透明導電膜圖型的目視辨認(透視)充分受到抑制；以及具備其之觸控面板。

Description

透明導電性薄膜及觸控面板
本發明關於一種目視辨認性良好的透明導電性薄膜；及一種具備其之觸控面板。
近年來，在觸控面板用途等是使用一種透明導電性薄膜，其係在聚酯薄膜等的基材薄膜上設置有透明導電膜。一般而言使用氧化銦錫(ITO)等的金屬氧化物之薄膜作為透明導電膜，可藉由濺鍍法或真空蒸鍍而積層在基材薄膜上。
以觸控面板的運作方式而言，以電阻膜式為主流，然而近年來，靜電容量式正在急速普及。電阻膜式觸控面板所使用的透明導電性薄膜一般而言由並未實施圖型化的透明導電膜(覆蓋於基板上的一面的透明導電性膜)所構成。另一方面，靜電容量式觸控面板通常可使用積層有經圖型化的透明導電膜的透明導電性薄膜。
靜電容量式觸控面板所使用的透明導電性薄膜，通常可藉由光蝕刻等而使透明導電膜圖型化，在平面視上存在有透明導電膜的圖型部與非圖型部。
使用了這種透明導電膜經圖型化的透明導電性薄膜的靜電容量式觸控面板，會發生透明導電膜的圖型部能夠以目視辨認，就是所謂「透視」現象的問題。此「透視」現象會降低作為顯示裝置所應有的品質。
因此有文獻提出抑制透明導電膜圖型的透視(例如：專利文獻1~6)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-84075號公報
[專利文獻2]日本特開2010-228295號公報
[專利文獻3]日本特開2009-76432號公報
[專利文獻4]日本特開2006-301510號公報
[專利文獻5]日本特許第4364938號公報
[專利文獻6]日本特許第4661995號公報
然而，在專利文獻1~6所揭示的技術中，透明導電膜圖型的透視抑制效果並無法令人完全滿意。尤其在靜電容量式觸控面板之中，透明導電膜係使用於光線的入射表面側，因此上述透視現象會降低作為顯示裝置所應有的品質，故正需要進一步的改善。
所以，本發明之目的在於提供一種透明導電膜圖型的目視辨認(透視)充分受到抑制的透明導電性薄膜。另外，本發明的另一個目的在於提供一種觸控面板，其係具備透明導電膜圖型的目視辨認(透視)充分受到抑制的透明導電性薄膜。
可解決上述課題的本發明之透明導電性薄膜係依序在基材薄膜上具有折射率為1.61~1.80之高折射率層、SiO2膜、及經圖型化的透明導電膜，前述高折射率層的厚度為30nm以上，且前述高折射率層的光學厚度與前述 SiO2膜的光學厚度之合計為(1/4)λ。
但是，λ為380~780nm。
另外，本發明之觸控面板係具備本發明之透明導電性薄膜。
依據本發明可提供一種透視現象充分受到抑制的透明導電性薄膜。本發明之透明導電性薄膜適合使用於觸控面板，尤其適合使用於靜電容量式之觸控面板。
[實施發明之形態]
本發明之透明導電性薄膜係在基材薄膜上依序設置折射率為1.61~1.80之高折射率層、SiO2膜、及經圖型化之透明導電膜。
以下針對構成本發明之透明導電性薄膜的各個構成要素作詳細說明。
[高折射率層]
高折射率層的折射率(n1)為1.61~1.80。高折射率層的折射率(n1)較佳為1.62~1.79的範圍，更佳為1.63~1.78的範圍，特佳為1.65~1.75的範圍。
高折射率層的厚度(d1)為30nm以上。高折射率層的厚度(d1)較佳為35nm以上，更佳為40nm以上，特佳為50nm以上，最佳為55nm以上。上限較佳為95nm以下，更佳為90nm以下，特佳為85nm以下。若高折射率層的厚度(d1)未滿30nm，則無法充分抑制透視現象。另外，在藉由濕式塗布法積層高折射率層的情況，會變得難以得到均勻 的塗布面。
高折射率層較佳為含有樹脂與金屬氧化物的層、含有高折射率樹脂的層、或含有金屬氧化物與高折射率樹脂的層，更佳為含有樹脂與金屬氧化物的層。
進一步而言，高折射率層較佳為將含有樹脂與金屬氧化物的組成物、含有高折射率樹脂的組成物、或含有金屬氧化物與高折射率樹脂的組成物濕式塗布，並使其硬化而形成之層。亦即，高折射率層較佳為將至少含有樹脂的組成物濕式塗布，並使其硬化而形成之層。特佳為將含有樹脂與金屬氧化物之組成物濕式塗布，並使其硬化而形成之層。
以上述濕式塗布法而言，可使用例如：反向塗布法、噴灑塗布法、棒塗布法、凹版塗布法、桿塗布法、模具塗布法、旋轉塗布法、擠壓式塗布法等的塗布方法。
以下針對用於形成含有樹脂與金屬氧化物之層的組成物作說明。
以樹脂而言，較佳為熱硬化性樹脂或活性能量射線硬化性樹脂，更佳為活性能量射線硬化性樹脂。
這樣的活性能量射線硬化性樹脂適合使用藉由紫外線或電子束等的活性能量射線而硬化的樹脂，在分子中具有至少1個乙烯性不飽和基之單體或寡聚物。在此處，以乙烯性不飽和基而言，可列舉丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等。
以上述單體的例子而言，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯 、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧酯等的單官能丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇六(甲基)三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸安息香酸酯、三羥甲基丙烷安息香酸酯等的多官能丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯等的胺基甲酸酯丙烯酸酯等。
以上述寡聚物的例子而言，可列舉聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸醇酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等。
上述單體或寡聚物可單獨使用或複數混合使用，然而較佳為使用3官能以上的多官能單體。
以金屬氧化物而言，較佳為折射率為1.65以上的金屬氧化物微粒子，更適合使用折射率為1.7~2.8的金屬氧化物微粒子。以這樣的金屬氧化物微粒子而言，可列舉鈦、鋯、鋅、錫、銻、鈰、鐵、銦等的金屬氧化物粒子。以金屬氧化物微粒子之具體例而言，可列舉例如：氧 化鈦、氧化鋯、氧化鋅、氧化錫、氧化銻、氧化鈰、氧化鐵、銻酸鋅、氧化錫摻雜氧化銦(ITO)、銻摻雜氧化錫(ATO)、磷摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、氟摻雜氧化錫等，這些金屬氧化物微粒子可單獨使用，或可併用複數個。在上述金屬氧化物微粒子之中，尤其是氧化鈦及氧化鋯由於不會使透明性降低，並可提高高折射率層的折射率，故為適合。
相對於組成物之固體成分總量100質量%，在組成物中的金屬氧化物的含量較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上，特佳為50質量%以上，最佳為55質量%以上。上限較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，特佳為85質量%以下。
相對於樹脂成分100質量份，在組成物中的樹脂成分與金屬氧化物之含有比率較佳為含有50~900質量份的範圍之金屬氧化物，更佳為含有100~800質量份的範圍。
組成物較佳為含有光聚合起始劑。以該光聚合起始劑的具體例子而言，可使用例如：苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、對二甲基苯乙酮、對二甲基胺基苯丙酮、二苯基酮、2-氯二苯基酮、4,4’-二氯二苯基酮、4,4’-雙二乙基胺基二苯基酮、米其勒酮、苄基、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、甲基苯甲醯基甲酸酯、對異丙基-α-羥基異丁基苯酮、α-羥基異丁基苯酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮等的羰基化合物、單硫化四甲胺硫甲醯基、二硫化四甲胺硫甲醯基、噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮等 的硫化合物等。該等的光聚合起始劑可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。
相對於組成物之固體成分總量100質量%，上述光聚合起始劑的含量適當為0.1~10質量%的範圍，較佳為0.5~8質量%的範圍。
針對用於形成含有高折射率樹脂之層的組成物作說明。
以高折射率樹脂而言，可列舉含有氟以外的鹵素原子的樹脂(例如：含有溴原子的樹脂、含有氯原子的樹脂、含有碘原子的樹脂)、含有硫原子的樹脂、含有氮原子的樹脂、含有磷原子的樹脂、含有芳香族環的樹脂(例如：含有茀骨架的樹脂、含有苯基的樹脂等)。這些樹脂只要是具有透明性的樹脂即可，可使用周知或市售的樹脂，此外還可與其他樹脂併用。
以氟以外的鹵素原子，例如：含有溴原子、氯原子的樹脂而言，可使用溴化丙烯酸樹脂、溴化胺基甲酸酯樹脂、溴化聚酯樹脂、溴化聚醚樹脂、溴化環氧樹脂、溴化螺旋乙縮醛樹脂、溴化聚丁二烯樹脂、溴化聚硫醇多烯樹脂、氯化丙烯酸樹脂、氯化胺基甲酸酯樹脂、氯化聚酯樹脂、氯化聚醚樹脂、氯化環氧樹脂等。以含有溴原子的樹脂之原料成分而言，可使用例如：將丙烯酸酯的苯基之鄰．對位溴化而得的化合物。這些物質可使用例如：第一工業製藥公司製的BR-42作為市售品。以其他市售品而言，可使用第一工業製藥公司製的BR-42M、BR-3OM、BR-31等、DAICEL-CYTEC公司製的RDX51027 等。另外，以含有氯原子的樹脂而言，可使用N,N-二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯的芐基氯化物鹽等，亦可將該等2種以上混合使用。
以含有硫原子的樹脂而言，可使用例如：S,S’-乙烯雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-(硫代二乙烯)雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[硫代雙(二乙烯硫化物)]雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-(氧二乙烯)雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)等。在此處，硫代(甲基)丙烯酸酯表示硫代甲基丙烯酸酯及硫代丙烯酸酯。
在該等之中適合使用S,S’-乙烯雙(硫代甲基丙烯酸酯)、S,S’-(硫代二乙烯)雙(硫代甲基丙烯酸酯)。
S,S’-乙烯雙(硫代甲基丙烯酸酯)可藉由使1,2-乙二硫醇與鹼金屬化合物反應而得到的1,2-乙二硫醇的鹼金屬鹽與甲基丙烯醯氯在非極性有機溶劑中進行反應之方法等來製造。另外，S,S’-(硫代二乙烯)雙(硫代甲基丙烯酸酯)可使用日本觸媒公司製商品名為S2EG的市售品。
另外，以含有硫原子與芳香族環的樹脂而言，可使用例如：S,S’-(硫代二對亞苯基)雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3-氯苯)]雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3,5-二氯苯)](硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3-溴苯)](硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3,5-二溴苯)](硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3-甲基苯)]雙(硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3,5-二甲基苯)](硫代(甲基)丙烯酸酯)、S,S’-[4,4’-硫代雙(3-甲基苯)]雙(硫代(甲基)丙烯酸酯) 等。在該等之中適合使用S,S’-(硫代二對亞苯基)雙(硫代甲基丙烯酸酯)(住友精化公司製MPSMA)，而其亦可藉由使4,4’-硫代二苯硫醇與鹼金屬化合物反應而得到的4,4’-硫代二苯硫醇的鹼金屬鹽與甲基丙烯醯氯在非極性有機溶劑中進行反應之方法等來製造。
以含有芳香族環的樹脂而言，可使用具有9,9-雙苯氧基茀骨架的丙烯酸樹脂、具有聯苯基的丙烯酸樹脂、環氧樹脂等。可使用例如：新中村化學公司製9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀(NK EsterA-BPEF)、鄰苯基苯酚縮水甘油醚丙烯酸酯(NK Ester 401P)、羥乙基化鄰苯基苯酚丙烯酸酯(NK Ester A-LEN-10)、JFE化學公司製9,9-雙(3-甲基-4-羥苯基)茀(BCF)、9,9-雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(BPEF)、大阪氣體化學公司製雙酚茀二縮水甘油醚(BPFG)、雙苯氧基乙醇茀二縮水甘油醚(BPEFG)、雙苯氧基乙醇茀二丙烯酸酯(BPEF-A)、Ogsol PG系列、Ogsol EG系列、Ogsol EA系列、Ogsol EA-F系列、長瀨產業公司製ONCOAT EX系列、共榮社化學公司製HIC-G系列、ADEKA公司製RF(X)系列等。
以高折射率樹脂而言，如以上述所例示，更佳為含有丙烯醯基或環氧基等的聚合性基的聚合性單體或聚合性寡聚物。
組成物較佳為含有高折射率樹脂以及含有用於形成前述含有樹脂與金屬氧化物的層之組成物所使用的樹脂成分(較佳為活性能量射線硬化性樹脂)。相對於高折射率樹脂100質量份，此樹脂成分的含量較佳為5~50質量份 的範圍，更佳為以10~40質量份的範圍。
相對於組成物之固體成分總量100質量%，在組成物中的高折射率樹脂的含量較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，特佳為70質量%以上。上限較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下。
組成物較佳為進一步含有光聚合起始劑。相對於組成物之固體成分總量100質量%，光聚合起始劑的含量適當為0.1~10質量%的範圍，較佳為0.5~8質量%的範圍。
接下來針對用於形成含有金屬氧化物與高折射率樹脂之層的組成物作說明。此組成物係將前述金屬氧化物與高折射率樹脂組合使用者。金屬氧化物與高折射率樹脂之含有比率(質量比)較佳為金屬氧化物：高折射率樹脂=9：1~1：9的範圍，更佳為8：2~2：8的範圍，特佳為7：3~3：7的範圍。
組成物較佳為進一步含有用於形成前述含有樹脂與金屬氧化物之層的組成物所使用的樹脂成分(較佳為活性能量射線硬化性樹脂)。相對於組成物之固體成分總量100質量%，此樹脂成分的含量較佳為5~50質量%的範圍，更佳為10~40質量%的範圍，特佳為20~40質量%的範圍。
組成物較佳為進一步含有光聚合起始劑。相對於組成物之固體成分總量100質量%，光聚合起始劑的含量適當為0.1~10質量%的範圍，較佳為0.5~8質量%的範圍。
[SiO2膜]
在本發明中，SiO2膜係設置於高折射率層與透明導 電膜之間。此SiO2膜可使用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、電漿CVD法等的乾式法而進行積層之方法、或藉由濕式塗布法塗布矽溶膠等而進行積層之方法等來形成。在該等之中，較佳為乾式法。
SiO2膜的折射率(n2)較佳為1.40~1.50的範圍，更佳為1.42~1.49的範圍，特佳為1.43~1.49的範圍，最佳為1.44~1.48的範圍。
SiO2膜的厚度(d2)較佳為3nm以上，更佳為5nm以上。上限較佳為40nm以下，更佳為30nm以下，特佳為25nm以下，最佳為20nm以下。
在本發明中，設置於高折射率層與透明導電膜之間的SiO2膜，具有抑制透視現象的效果，而且有助於提升高折射率層與透明導電膜之密著性。在本發明中，高折射率層、SiO2膜、及透明導電膜較佳為分別依序鄰接而積層。
[高折射率層的光學厚度與SiO2膜的光學厚度之合計]
就本發明之透明導電性薄膜而言，高折射率層的光學厚度與SiO2膜的光學厚度之合計滿足(1/4)λ是很重要的。在此處，光學厚度為折射率與實際之膜厚度的積，λ為可見光區域的波長範圍380~780nm。實際的膜厚度及光學厚度的單位為nm，光學厚度係將小數點以下四捨五入。
本發明係藉由將高折射率層的厚度(d1)定為30nm以上，且將高折射率層的光學厚度與SiO2膜的光學厚度之合計定為(1/λ)來抑制透視現象。
亦即，在本發明中，高折射率層的光學厚度(n1×d1)與SiO2膜的光學厚度(n2×d2)之合計必須滿足以下的關係式1。
(380nm/4)≦(n1×d1)+(n2×d2)≦(780nm/4) 95nm≦(n1×d1)+(n2×d2)≦195nm………(式1)。
亦即，高折射率層的光學厚度(n1×d1)與SiO2膜的光學厚度(n2×d2)之合計必須在95nm以上195nm以下。
在上述式1的範圍內，λ之上限較佳為700nm以下。亦即，高折射率層的光學厚度(n1×d1)與SiO2膜的光學厚度(n2×d2)之合計較佳為175nm(λ/4=700nm/4)以下。
進一步而言，λ之上限更佳為635nm以下。亦即，高折射率層的光學厚度(n1×d1)與SiO2膜的光學厚度(n2×d2)之合計更佳為159nm(λ/4=635nm/4)以下。
在上述式1的範圍內，λ之下限較佳為450nm以上。亦即，高折射率層的光學厚度(n1×d1)與SiO2膜的光學厚度(n2×d2)之合計較佳為113nm(λ/4=450nm/4)以上。
進一步而言，λ之下限更佳為500mm以上。亦即，高折射率層的光學厚度(n1×d1)與SiO2膜的光學厚度(n2×d2)之合計更佳為125nm(λ/4=500nm/4)以上。
[透明導電膜]
以透明導電膜之材料而言，可使用例如：觸控面板之電極所使用的周知材料。可列舉例如：氧化錫、氧化銦、氧化銻、氧化鋅、ITO(氧化銦錫)、ATO(氧化銻錫)等的金屬氧化物。在該等之中，亦適合使用ITO。
從例如確保表面電阻值在103Ω/□以下的良好的導 電性這樣的觀點看來，透明導電膜的厚度較佳為10nm以上，更佳為15nm以上，特佳為20nm以上。另一方面，若透明導電膜的厚度變得過大，則會發生透視現象的抑制效果變小、以及透明性降低這些不合適的情形，因此透明導電膜的厚度的上限較佳為60nm以下，更佳為50nm以下，特佳為40nm以下。
透明導電膜的折射率(nt)較佳為1.81以上。進一步而言，透明導電膜的折射率(nt)較佳為1.85以上，更佳為1.90以上。上限較佳為2.20以下，更佳為2.10以下。
以透明導電膜之形成方法而言，並未受到特別限定，可使用以往周知的方法。具體而言，可使用例如：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等的乾式法。
本發明之透明導電膜係經圖型化。例如：將如上述方式製膜而得的透明導電膜圖型化。圖型化可因應於透明導電性薄膜所適用的用途而形成各種圖型。此外，藉由透明導電膜的圖型化可形成圖型部與非圖型部，而以圖型部的形狀而言，可列舉例如：條狀、格子狀等。
透明導電膜之圖型化一般而言是藉由蝕刻而進行。例如：藉由光蝕刻法、雷射曝光法、或印刷法在透明導電膜上形成圖型狀之蝕刻光阻膜之後，藉由蝕刻處理，使透明導電膜圖型化。
以蝕刻液而言，可使用以往周知的物質。可使用例如：氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等的無機酸、醋酸等的有機酸，以及該等的混合物，還有該等的水溶液。
[基材薄膜]
本發明之基材薄膜可使用周知的塑膠薄膜。以構成這種塑膠薄膜的樹脂而言，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、三乙醯基纖維素、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯丁醛、金屬離子交聯乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚胺基甲酸酯、玻璃紙等。在該等之中，較佳為聚酯薄膜，特佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
基材薄膜的厚度係適當為20~300μm的範圍，較佳為50~250μm的範圍，更佳為50~200μm的範圍。
基材薄膜的折射率(nf)較佳為1.61~1.70的範圍，更佳為1.62~1.69的範圍，特佳為1.63~1.68的範圍，最佳為1.64~1.67的範圍。
[易黏著層]
基材薄膜較佳為積層有用於強化與高折射率層或後述硬塗層的密著力的易黏著層。
易黏著層的折射率(np)較佳為1.50~1.60的範圍。易黏著層的折射率(np)更佳為1.51~1.60的範圍，特佳為1.53~1.59的範圍，最佳為1.55~1.59的範圍。
易黏著層的光學厚度較佳為滿足(1/4)λ。在此處，光學厚度意指易黏著層的折射率(np)與實際的厚度(dp)之積，λ意指可見光區域的波長範圍380~780nm。易黏著層的厚度(dp)及光學厚度的單位為nm，光學厚度係將小數 點以下四捨五入。
亦即，易黏著層的光學厚度較佳為滿足以下的關係式2。
(380nm/4)≦(np×dp)≦(780nm/4) 95nm≦(np×dp)≦195nm………(式2)。
進一步而言，λ的範圍更佳為400~700nm。亦即，易黏著層的光學厚度更佳為滿足以下的關係式3。
(400nm/4)≦(npxdp)≦(700nm/4) 100nm≦(np×dp)≦175nm………(式3)。
更進一步而言，λ的範圍特佳為450~650nm。
亦即，易黏著層的光學厚度特佳為滿足以下的關係式4。
(450nm/4)≦(np×dp)≦(650nm/4) 113nm≦(np×dp)≦163nm………(式4)。
易黏著層較佳為將樹脂作為主成分之層。亦即相對於易黏著層之固體成分總量100質量%，較佳為含有50質量%以上的樹脂，更佳為含有60質量%以上，特佳為含有70質量%以上，最佳為含有80質量%以上。上限較佳為99質量%以下，更佳為98質量%以下，特佳為95質量%以下。
以該樹脂而言，適合使用聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂。在該等的樹脂之中，較佳為聚酯樹脂，進一步而言，更適合使用在分子中具有萘環的聚酯樹脂。
從對於易黏著層賦予後述易黏著機能之觀點看來， 易黏著層較佳為含有交聯劑。以這種交聯劑而言，可列舉三聚氰胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、氮系交聯劑、環氧系交聯劑。在該等之中，亦適合使用三聚氰胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑。
相對於易黏著層之固體成分總量100質量%，在易黏著層中的交聯劑的含量較佳為1~40質量%的範圍，更佳為3~35質量%的範圍，特佳為5~30質量%的範圍。
為了進一步提升易滑性或耐黏結性，易黏著層較佳為含有有機或無機之粒子。以這樣的粒子而言，並未受到特別限定，但可列舉例如：膠狀二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳黑、沸石粒子等的無機粒子、或丙烯酸粒子、聚矽氧粒子、聚醯亞胺粒子、特夫綸(註冊商標)粒子、交聯聚酯粒子、交聯聚苯乙烯粒子、交聯聚合物粒子、核殼粒子等的有機粒子。在該等的粒子之中，亦適合使用膠狀二氧化矽。
相對於易黏著層之固體成分總量100質量%，在易黏著層中的粒子的含量較佳為0.05~8質量%的範圍，更佳為0.1~5質量%的範圍。
易黏著層較佳為藉由濕式塗布法積層在基材薄膜上。尤其是較佳為藉由在基材薄膜的製造步驟之內積層易黏著層，就是所謂的「串聯式塗布法」而進行積層。在基材薄膜上塗布易黏著層時，較佳為對於基材薄膜表面實施電暈放電處理、火焰處理、電漿處理等作為用於提升塗布性或密著性的預處理。
以上述濕式塗布法而言，可使用例如：反向塗布法、噴灑塗布法、棒塗布法、凹版塗布法、桿塗布法、模具塗布法、旋轉塗布法、擠壓式塗布法等的塗布方法。
關於上述串聯式塗布法，在以下針對於使用聚對苯二甲酸乙二酯(以下簡記為PET)薄膜作為基材薄膜的形態作說明，然而本發明並不受其限定。
將作為PET薄膜的原料且極限黏度為0.5~0.8 dl/g的PET粒真空乾燥。將真空乾燥過後的顆粒供給至擠出機，以260~300℃使其熔融。將熔融的PET聚合物由T字形噴嘴擠出而成為薄片狀，使用施加靜電的流延法，纏繞於表面溫度10~60℃的鏡面流延轉鼓，並使其冷卻固化，而製作出未延伸PET薄膜。使此未延伸PET薄膜在加熱至70~100℃的輥間往縱方向(是指薄膜的行進方向，亦稱為「長邊方向」)延伸2.5~5倍。在空氣中，對藉由此延伸所得到的單軸延伸PET薄膜之至少單面實施電暈放電處理，使其表面的濕潤張力成為47mN/m以上。在此處理面塗布易黏著層之塗布液。
接下來，以夾具夾住塗布有塗布液的單軸延伸PET薄膜，並且引導至乾燥區，在未滿單軸延伸PET薄膜的Tg之溫度下使其乾燥。
接下來，提高至Tg以上的溫度，再度在Tg附近的溫度下使薄膜乾燥。然後連續在70~150℃的加熱區使薄膜往橫方向(是指與薄膜的行進方向正交的方向，亦稱為「寬度方向」)延伸2.5~5倍。接下來在180~240℃的加熱區對薄膜實施5~40秒鐘熱處理，可得到在結晶配向結束的 PET薄膜積層有易黏著層的PET薄膜。此外，在上述熱處理中，亦可因應必要實施3~12%之弛緩處理。雙軸延伸可為縱、橫逐次延伸或雙軸同時延伸之任一者，此外還可在縱、橫延伸之後，往縱、橫任一方向再延伸。
[硬塗層]
在本發明中，較佳為在基材薄膜與高折射率層之間設置硬塗層。硬塗層的折射率(nh)較佳為1.46~1.55的範圍，更佳為1.48~1.53的範圍，特佳為1.48~1.52的範圍。
硬塗層的厚度較佳為0.5μm以上，更佳為1μm以上。厚度的上限較佳為10μm以下，更佳為8μm以下，特佳為5μm以下，最佳為3μm以下。
在基材薄膜與高折射率層之間設置硬塗層的情況，較佳為隔著前述易黏著層而在基材薄膜上設置硬塗層。此情況下，從抑制透明導電性薄膜之干涉條紋的發生之觀點看來，基材薄膜的折射率(nf)、易黏著層的折射率(np)及硬塗層的折射率(nh)之關係較佳為nf>np>nh。
進一步而言，從抑制透明導電性薄膜之干涉條紋的發生之觀點看來，基材薄膜的折射率(nf)與易黏著層的折射率(np)之差(nf-np)、及易黏著層的折射率(np)與硬塗層的折射率(nh)≧之差(np-nh)，任一者皆較佳為0.1以下，更佳為0.09以下，特佳為0.08以下。下限較佳為0.03以上，更佳為0.04以上。
在本發明中，僅在基材薄膜之單面設置高折射率層、SiO2膜、透明導電膜、及因應必要設置易黏著層或硬塗層的情況，較佳為在相反的一面設置硬塗層。藉此， 可抑制寡聚物由基材薄膜析出。此情況下，從抑制透明導電性薄膜之干涉條紋的發生之觀點看來，較佳為在基材薄膜與硬塗層之間設置易黏著層，以使其滿足上述折射率關係。
在本發明中，從抑制寡聚物由基材薄膜析出與抑制透明導電性薄膜之干涉條紋產生的觀點看來，較佳為在基材薄膜的兩面依序設置易黏著層與硬塗層，且兩面的基材薄膜的折射率(nf)、易黏著層的折射率(np)及硬塗層的折射率(nh)分別滿足上述關係。此形態可列舉以下的(1)、(2)之構成。此外，在下述構成例之中，透明導電膜係經圖型化的透明導電膜，透明導電膜以外之其他層並未實施圖型化。
(1)硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜
(2)透明導電膜/SiO2膜/高折射率層/硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜。
硬塗層可藉由含有著色染料或著色顏料而加以著色。藉此可調整透明導電性薄膜的反射色或穿透色。
硬塗層較佳為藉由濕式塗布法塗布含有熱硬化性或活性能量射線硬化性的樹脂的組成物之後，因應必要使其乾燥，然後使其硬化而得的層。以硬塗層形成用組成物而言，特佳為含有活性能量射線硬化性樹脂之組成物。以濕式塗布法而言，可使用前述塗布方法。
以活性能量射線硬化性樹脂而言，可使用與前述高 折射率層所使用的物質同樣的物質，故此處的說明省略。另外，可與活性能量射線硬化性樹脂併用的光聚合起始劑，亦可使用與前述高折射率層所使用的物質同樣的物質，故此處的說明省略。
[透明導電性薄膜]
本發明之透明導電性薄膜可為僅在基材薄膜的單面設置高折射率層、SiO2膜及透明導電膜的物體，或可為在基材薄膜的雙面設置高折射率層、SiO2膜及透明導電膜的物體。在基材薄膜的雙面設置高折射率層、SiO2膜及透明導電膜的透明導電性薄膜的情況，前述高折射率層的光學厚度與SiO2膜的光學厚度之合計為每面的合計值。
關於前述易黏著層及/或硬塗層，可僅設置在基材薄膜的單面，或可設置於雙面。
以下列舉幾個本發明之透明導電性薄膜合適的構成例，然而本發明不受該等所限定。此外，在下述構成例之中，透明導電膜係經圖型化的透明導電膜，透明導電膜以外的其他層並未實施圖型化。
a)基材薄膜/易黏著層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜
b)硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜
c)基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜
d)硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高 折射率層/SiO2膜/透明導電膜
e)透明導電膜/SiO2膜/高折射率層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜
f)透明導電膜/SiO2膜/高折射率層/硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜。
[各層的折射率之關係]
在本發明之透明導電性薄膜之中，各層的折射率之關係較佳為滿足以下的關係式5、關係式6。藉由這種方式，可進一步抑制透明導電膜圖型之透視現象。
nt>n1≧nf>n2………(式5)
nt>n1≧nf>np>nh>n2………(式6)
式中，nt表示透明導電膜的折射率，n1表示高折射率層的折射率，nf表示基材薄膜的折射率，np表示易黏著層的折射率，n2表示SiO2膜的折射率。
[視感反射率]
在本發明之透明導電性薄膜之中，透明導電膜的圖型部與非圖型部之視感反射率差較佳為3.0%以下，更佳為2.5%以下，特佳為2.0%以下，最佳為1.5%以下。
[透明導電膜之圖型部與非圖型部之色差]
從抑制透明導電膜圖型的目視辨認(透視)的觀點看來，透明導電膜之圖型部與非圖型部的反射色之色差△E較佳為7以下，更佳為6以下，特佳為5以下。在此處，△E係由下述關係式7所表示。
．△E={(△L)2+(△a)2+(△b)2}1/2………(式7)
式中△L=(非圖型部中的L*值)-(圖型部中的L*值)
△a=(非圖型部中的a*值)-(圖型部中的a*值)
△b=(非圖型部中的b*值)-(圖型部中的b*值)。
藉由採用本發明之層構成，可使透明導電膜之圖型部與非圖型部之視感反射率差與色差如上述般平衡良好地降低，其結果可充分抑制透視現象。
[透明導電性薄膜之調色]
可藉由使選自基材薄膜、高折射率層、及SiO2膜之中至少1層含有著色染料或著色顏料而加以著色。藉此可調整透明導電性薄膜之反射色或穿透色。
另外如前述般，在設置硬塗層的情況下，亦可藉由使硬塗層含有著色染料或著色顏料而加以著色。
如上述方式，藉由調整本發明之透明導電性薄膜之反射色或穿透色，可進一步抑制透明導電膜圖型之透視現象。
[用途]
本發明之透明導電性薄膜可使用於液晶顯示器、電致發光顯示器等的顯示器或觸控面板等中的透明電極、抗靜電性薄膜、或電磁波屏蔽薄膜等。本發明之透明導電性薄膜特別適合於觸控面板，其中尤其適合於靜電容量式觸控面板。
[實施例]
以下藉由實施例對本發明作進一步詳細說明，然而本發明並不受這些實施例所限定。此外，在本實施例中 的測定方法、評估方法及各層之塗布組成物如以下所示。
(1)折射率之測定之1(易黏著層、高折射率層及硬塗層的折射率)
針對以旋轉塗布機將易黏著層、高折射率層及硬塗層之各個塗布組成物塗布形成在矽晶圓上的塗膜(乾燥厚度約2μm)，在25℃的溫度條件下，藉由位相差測定裝置(Nikon(股)製：NPDM-1000)測定633nm的折射率。
(2)折射率之測定之2(基材薄膜的折射率)
基材薄膜(PET薄膜)的折射率係依據JIS K7105(1981)，並以阿貝折射率計作測定。
(3)折射率之測定之3(透明導電膜及SiO2膜的折射率)
以與實際的積層條件相同的條件，分別將透明導電膜或SiO2膜積層在已知折射率的PET薄膜上，使其厚度成為33nm，而製作出折射率測定用樣品。接下來，分別測定折射率測定用樣品之透明導電膜薄或SiO2膜之反射率與厚度。從以這種方式所得到的反射率、膜厚度、及PET薄膜的折射率，計算出透明導電膜或SiO2膜的折射率。
上述反射率係以#320~400的耐水砂紙對於積層有透明導電膜或SiO2膜的一面之相反側的PET薄膜面均勻地擦傷之後，塗布黑色塗料(黑Magic Ink(註冊商標)液)，使其成為由相反側表面所產生的反射已完全消失的狀態，使用島津製作所(股)之分光光度計UV-3150測定550nm之反射率。
透明導電膜或SiO2膜的厚度係藉由下述(4)之方法作 測定。
(4)各層以及各膜的厚度之測定
從樣品剖面切出超薄切片，藉由穿透式電子顯微鏡(日立製H-7100FA型)，以加速電壓100kV並以5萬倍~30萬倍的倍率觀察樣品的剖面，並測定各層以及各膜的厚度。此外，在各層的邊界不明確的情況，可因應必要實施染色處理。
(5)透明導電膜圖型的目視辨認性
將樣品置於黑色板上，使透明導電膜朝上，藉由目視，並採用以下的基準來評估圖型部是否能夠以目視辨認。
AA：圖型部無法以目視辨認。
A：圖型部稍微能夠以目視辨認。
C：圖型部以目視能夠明確辨認。
(6)干涉條紋的目視評估
相對於基材薄膜，於與設置有透明導電膜的一側相反的一面貼上黑色黏著膠帶(日東電工製“乙烯膠帶No.21特殊寬度黑”)，在暗室的三波長螢光燈下以目視觀察干涉條紋，並採用以下的基準進行評估。
A：無法觀察到干涉條紋，或稍微能夠觀察到，然而在不會令人在意的程度。
C：較能夠明顯見觀察到干涉條紋，並且為令人在意的程度。
(7)各層的塗布組成物之調製 (易黏著層之塗布組成物1a)
此組成物係含下述成分之水系分散物：含有萘環之聚酯樹脂100質量份、三聚氰胺系交聯劑(羥甲基型三聚氰胺系交聯劑(三和化學(股)製的「NIKALAC MW12LF」))5質量份、膠狀二氧化矽(日產化學工業(股)製的「SNOWTEX OL」)1質量份。此塗布組成物的折射率為1.58。
(易黏著層之塗布組成物1b)
此組成物係含下述成分之水系分散物：丙烯酸樹脂100質量份、三聚氰胺系交聯劑(羥甲基型三聚氰胺系交聯劑(三和化學(股)製的「NIKALAC MW12LF」))5質量份、膠狀二氧化矽(日產化學工業(股)製的「SNOWTEX OL」)1質量份。此塗布組成物的折射率為1.52。
(硬塗層之塗布組成物)
此塗布組成物係將作為活性能量射線硬化性樹脂的二季戊四醇六丙烯酸酯40質量份、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(根上工業(股)製的「Art Resin UN901T」)55質量份、及光聚合起始劑(Ciba．Specialty．Chemicals(股)製的「Irgacure(註冊商標)184」)5質量份分散或溶解於有機溶劑而得。此塗布組成物的折射率為1.51。
(高折射率層之塗布組成物2a)
此塗布組成物係將活性能量射線硬化性樹脂(二季戊四醇六丙烯酸酯10質量份與胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(根上工業(股)製的「Art Resin UN901T」)27質量份)37質量份、氧化鋯60質量份、及光聚合起始劑(Ciba．Specialty．Chemicals(股)製的「Irgacure(註冊商標)184 」)3質量份分散或溶解於有機溶劑而得。此塗布組成物的折射率為1.70。
(高折射率層之塗布組成物2b)
此塗布組成物係將活性能量射線硬化性樹脂(二季戊四醇六丙烯酸酯10質量份與胺基甲酸酯丙烯酸酯27質量份)37質量份、氧化鈦60質量份、及光聚合起始劑(Ciba．Specialty．Chemicals(股)製的「Irgacure(註冊商標)184」)3質量份分散或溶解於有機溶劑而得。此塗布組成物的折射率為1.75。
(高折射率層之塗布組成物2c)
此塗布組成物係將活性能量射線硬化性樹脂(二季戊四醇六丙烯酸酯10質量份與胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(根上工業(股)製的「Art Resin UN901T」)12質量份)22質量份、五氧化銻75質量份、及光聚合起始劑(Ciba．Specialty．Chemicals(股)製的「Irgacure(註冊商標)184」)3質量份分散或溶解於有機溶劑而得。此塗布組成物的折射率為1.65。
(高折射率層之塗布組成物2d)
此塗布組成物係將活性能量射線硬化性樹脂(二季戊四醇六丙烯酸酯15質量份與胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(根上工業(股)製的「Art Resin UN901T」)22質量份)37質量份、五氧化銻60質量份、及光聚合起始劑(Ciba．Specialty．Chemicals(股)製的「Irgacure(註冊商標)184」)3質量份分散或溶解於有機溶劑而得。此塗布組成物的折射率為1.62。
(高折射率層之塗布組成物2e)
此塗布組成物，係將活性能量射線硬化性樹脂(二季戊四醇六丙烯酸酯20質量份與胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(根上工業(股)製的「Art Resin UN901T」)57質量份)77質量份、ATO(氧化銻錫)20質量份、及光聚合起始劑(Ciba．Specialty．Chemicals(股)製的「Irgacure(註冊商標)184」)3質量份分散或溶解於有機溶劑而得。此塗布組成物的折射率為1.54。
[實施例1]
依照下述要領製作透明導電性薄膜。此透明導電性薄膜的構成為「硬塗層/易黏著層/基材薄膜(PET薄膜)/易黏著層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜」。
<易黏著層之積層>
在PET薄膜的製膜步驟內(串聯式)，藉由濕式塗布法(棒塗布法)將上述易黏著層塗布組成物1a積層在折射率為1.65且厚度為125μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)的兩面，使其乾燥厚度成為90nm，而將易黏著層積層在PET薄膜上。
<硬塗層之積層>
藉由濕式塗布法(凹版塗布法)將硬塗層之塗布組成物塗布在PET薄膜之其中一面的易黏著層上，然後使其乾燥，並照射紫外線使其硬化，而積層有厚度為2μm之硬塗層。
<高折射率層之積層>
藉由濕式塗布法(凹版塗布法)，將高折射率層之塗 布組成物2a塗布在PET薄膜之與積層有硬塗層的一面相反的一面之易黏著層上，然後使其乾燥，並照射紫外線使其硬化，使硬化後的厚度成為70nm，而形成高折射率層。
<SiO2膜之積層>
藉由濺鍍法將SiO2膜(折射率1.46)積層在上述高折射率層上，並使其厚度成為10nm。
<透明導電膜之積層>
藉由濺鍍法將作為透明導電膜的ITO膜(折射率2.00)積層在上述SiO2膜，並使其厚度成為33nm。
<透明導電膜之圖型化>
僅對藉由上述方式所得到的積層體之透明導電膜實施圖型加工(蝕刻處理)產生條狀圖型，而得到透明導電性薄膜。
[實施例2~14、比較例1~5]
除了變更為如表1、2所示的構成以外，以與實施例1同樣的方式製作出透明導電性薄膜。
<評估>
針對藉由上述方式所製作出的各個透明導電性薄膜評估透明導電膜圖型的目視辨認性。將其結果示於表1、2。
由表1、2的結果看來，明顯可知本發明之實施例的透明導電膜圖型無法以目視辨認，而比較例的透明導電膜圖型能夠以目視辨認。
[實施例21~34]
在實施例1~14之中，分別積層與實施例1~14同樣的高折射率層、SiO2膜、透明導電膜(ITO膜)以代替積層硬塗層，而製作出實施例21~34之透明導電性薄膜。該等實施例21~34之透明導電性薄膜的構成為「透明導電膜/SiO2膜/高折射率層/易黏著層/基材薄膜(PET薄膜)/易黏著層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜」。此外，實施例21對應於實施例1，實施例22對應於實施例2，以下同樣 地，實施例23~34分別對應於實施例3~14。
<評估>
針對實施例21~34之透明導電性薄膜，評估兩面的各個透明導電膜圖型的目視辨認性，其結果，兩面皆與實施例1~14同樣地良好。
[實施例41]
依照下述要領製作透明導電性薄膜。此透明導電性薄膜的構成為「硬塗層/易黏著層/基材薄膜(PET薄膜)/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜」。
<易黏著層之積層>
在PET薄膜的製膜步驟內(串聯式)，藉由濕式塗布法(棒塗布法)，將上述易黏著層塗布組成物1a積層在折射率為1.65且厚度為1.25μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)的兩面，使其乾燥厚度成為90nm，而使易黏著層積層在PET薄膜上。
<硬塗層之積層>
藉由濕式塗布法(凹版塗布法)，分別將硬塗層之塗布組成物塗布在PET薄膜兩面的易黏著層上，然後使其乾燥，並照射紫外線使其硬化，而積層有厚度為2μm之硬塗層。
<高折射率層之積層>
藉由濕式塗布法(凹版塗布法)將高折射率層之塗布組成物2a塗布在PET薄膜其中一面的硬塗層上，然後使其乾燥，並照射紫外線使其硬化，使其硬化後的厚度成為85nm，而形成高折射率層。
<SiO2膜之積層>
在上述高折射率層上藉由濺鍍法積層SiO2膜(折射率1.46)，並使其厚度成為5nm。
<透明導電膜之積層>
藉濺鍍法使作為透明導電膜的ITO膜(折射率2.00)積層在上述SiO2膜，並使其厚度成為33nm。
<透明導電膜之圖型化>
僅對藉由上述方式所得到的積層體之透明導電膜實施圖型加工(蝕刻處理)產生條狀圖型，而得到透明導電性薄膜。
[實施例42~50、比較例11~15]
除了變更為如表3、4所示的構成以外，以與實施例41同樣的方式製作出透明導電性薄膜。
<評估>
針對藉由上述方式所製作出的各個透明導電性薄膜評估透明導電膜圖型的目視辨認性與干涉條紋。將其結果示於表3、4。
由表3、4的結果看來，明顯地可知本發明之實施例的透明導電膜圖型無法以目視辨認，而比較例的透明導電膜圖型能夠以目視辨認。另外，本發明之實施例幾乎沒有產生干涉條紋，而比較例15會產生干涉條紋。
[實施例51~60]
在實施例41~50之中，在與積層有透明導電膜的一面之相反的一面的硬塗層上分別積層與實施例41~50同樣的高折射率層、SiO2膜、透明導電膜(ITO膜)，而製作出實施例51~60之透明導電性薄膜。該等的實施例51~60之透明導電性薄膜的構成為「透明導電膜/SiO2膜/高折射率層/硬塗層/易黏著層/基材薄膜(PET薄膜)/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜」。此外，實施例51對應於實施例41，實施例52對應於實施例42，以下同樣地，實施例53~60分別對應於實施例43~50。
<評估>
針對實施例51~60之透明導電性薄膜，評估兩面各個透明導電膜圖型的目視辨認性與干涉條紋，其結果，兩面皆與實施例41~50同樣地良好。

Claims (13)

  1. 種透明導電性薄膜，其係在基材薄膜上依序具有折射率為1.61~1.80之高折射率層、SiO2膜、及經圖型化的透明導電膜，該高折射率層的厚度為30nm以上，且該高折射率層的光學厚度與該SiO2膜的光學厚度的合計為(1/4)λ，但是，λ為380~780nm。
  2. 如申請專利範圍第1項之透明導電性薄膜，其中該高折射率層的光學厚度與該SiO2膜的光學厚度的合計為95nm以上159nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性薄膜，其中該高折射率層係將至少含有樹脂的組成物濕式塗布，並使其硬化所形成。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之透明導電性薄膜，其中該高折射率層係將含有活性能量射線硬化性樹脂與金屬氧化物的組成物濕式塗布，並使其硬化所形成。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之透明導電性薄膜，其中該SiO2膜的厚度為3nm以上20nm以下。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之透明導電性薄膜，其中該基材薄膜為聚酯薄膜。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之透明導電性薄膜，其中該基材薄膜的折射率(nf)、該高折射率層的折射率(n1)、該SiO2膜的折射率(n2)、及該透明導電膜的折射率(nt)之關係滿足nt>n1≧nf>n2。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之透明導電性薄膜，其中在該基材薄膜與高折射率層之間具有硬塗層。
  9. 如申請專利範圍第8項之透明導電性薄膜，其中在該基材薄膜與硬塗層之間具有易黏著層。
  10. 如申請專利範圍第9項之透明導電性薄膜，其構成為下述(1)或(2)：(1)硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜(2)透明導電膜/SiO2膜/高折射率層/硬塗層/易黏著層/基材薄膜/易黏著層/硬塗層/高折射率層/SiO2膜/透明導電膜。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之透明導電性薄膜，其中該基材薄膜的折射率(nf)、該易黏著層的折射率(np)、及該硬塗層的折射率(nh)之關係滿足nf>np>nh，且該基材薄膜的折射率(nf)與該易黏著層的折射率(np)之差(nf-np)、及該易黏著層的折射率(np)與該硬塗層的折射率(nh)之差(np-nh)任一者皆為0.1以下。
  12. 一種觸控面板，其係具備如申請專利範圍第1至11項中任一項之透明導電性薄膜。
  13. 如申請專利範圍第12項之觸控面板，其中該觸控面板為靜電容量式觸控面板。
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