TW201234766A - Integrated circuit architecture with strongly coupled LC tanks - Google Patents
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201234766 六、發明說明: 相關申請案之交互參照 本申請案係主張2010年10月21曰申請的美國臨時專 利申請案號61/405,244的優先權。 【發明所屬之技術領域】 本發明大致有關於包含多個LC槽的積體電路架構,並 且尤其有關於例如是包含多個LC槽的壓控振盪器或注入鎖 定除頻器的電路。 【先前技術】 通常一射頻(RF)通訊裝置係包含一 rf前端,該RF前 端近來已經以一個RF積體電路來加以實現。該rf前端傳 統上具有一信號源’在大多數情況下該信號源是一壓控振 I器(VCO) ’其係普及於現代的收發機並且構成頻率合成器 或鎖相迴路(PLL)的一個不可分割的部分。若未被適當地設 計,則該VCO的效能可能會影響到系統的整體效能。例如, 非常低的相位雜訊、或是具有低的調諧靈敏度之非常寬的 調諧範圍、或是功率輸出相對於頻率變化的極佳平坦度、 或是來自功率壓縮的自由度是低功率消耗所(的,並:對 於下一代無線應用而言是重要的。在沒有报多取捨下要結 合所有的最佳效能經常是非常具挑戰性的,這使得此種 VCO的設計變成是非常困難的。 高效能的vco —般包含—槽ν 〜(tank)電路,該槽電路係 201234766 藉由電感及電容的並聯组合 、 所構成’並且在所有該些效能 度量上扮演一重要的角色。 me 通吊寬的調諳範圍是藉由利用 某種的切換元件以改變該禅 兒及糟電路中的電容來加以達成。然 而’一般而言’相位雜訊舍我 雅λ會又到調諧範圍影響,而調諧範 圍會受到功率消耗影響。 在一合成器或是一作號、Λ ^就原中’現代的設計技術傾向利 用鎖相迴路(PLL)以將一其相私, }肝问v員輸出信號鎖定到一低頻參考。 -除頻器是構成此種PLL所需的。傳統上,具有一預設的 除頻比率之-注人鎖定除頻器⑽D)可被設計成具有低功 率4耗及低相位雜訊。然、而,此種典型的ilfd具有一相對 窄的操作頻率範圍。 因此,所需的是一種用於RF電路之積體電路架構,其 可提供個別地解決VC0的效能問題之vc〇,其提供一種能 夠同時符合尚效能的需求之改良的振盪器電路。此外,所 需的疋一種提供低功率消耗及低相位雜訊、同時提供一加 寬的操作頻率範圍之ILFD。再者,其它所期望的特點及特 徵從後續結合所附的圖式及此揭露内容的背景所做的詳細 說明及所附的申請專利範圍來看將會變成是明顯的。 【發明内容】 根據該詳細說明,一種用於一射頻(RF)電路之積體電路 架構係被提出。該積體電路架構係包含一初級LC槽電路以 及或多個次級LC槽電路。該一或多個次級Lc槽電路係 磁輕合、電粞合或是磁耦合及電粞合的組合來強耦合至該 201234766 初級LC槽電路並且彼此強耦合。 此外,一種用於一射頻(RF)電路之壓控振盪器係被提 出。§亥壓控振盪器係包含一初級LC槽電路以及一或多個次 級耦合LC槽電路。該初級1^槽電路以及該一或多個次級 LC槽電路的每個LC槽電路係包含並聯連接的一電感器以 及一電容性裝置。在該初級耦合LC槽電路以及一或多個次 級耦合LC槽電路之間存在有強電耦合或磁耦合或是電耦合 及磁耦合的組合。 再者,一種具有一預設的除頻比率之注入鎖定除頻器 係被提出。該注入鎖定除頻器係包含一初級LC槽電路以及 或多個次級LC槽電路。該初級耦合Lc槽電路以及該一 或多個次級耦合LC槽電路的每個LC槽電路係包含並聯連 接的-電感器以及-電容性裝置。該初級搞合LC槽電路以 ί 及該一或多個次級耦合LC槽電路的每個LC槽電路係彼此 強耦合,以用於帶通濾波一輸入頻率來產生一根據該預設 的除頻比率濾波的輸出頻率。 【實施方式】 以下的詳細說明在本質上僅僅是舉例的,而不是欲限 制本發明或是限制本發明的應用及用$。再者,並沒有意 圖要受前述的先前技術或是以下本發明的詳細說明中提出 的任何理論的限制。 本實施例係有關於一種射頻(RF)/微波/毫米波的寬頻 壓控振盈器(VCO)的設計,例如是欲用於·e 8〇2(例如, 201234766
WiFi、WiMax、LTE及ιΕΕΕ 8〇2」lad)的無線通訊應用以及 用於其它需要高效能的商業及軍事通訊的應用巾。高效能 的VCO —般包含一個藉由電感及電容的並聯組合形成的槽 電路。本實施例是一種VC〇的設計,其可以達成具有最佳 取捨的品質效能並且適用於今日的無線應用。許多Vc〇已 經用積體電路⑽來加以實施以解決特定的效能參數。在高 效壯*的VC0中,達成寬的調諧範圍的問題是藉由將整個頻 率犯圍拆成較小的頻帶來加以解決。一種廣泛使用的技術 是藉由利用在槽電路中的單一電感器及多個電容器。 本實施例係對於最佳化廣範圍的可變頻率低雜訊的 RF/微波/毫米波振盪器的效能問題提供一種一般化的解決 方案,其藉由識別出一個當被最佳化時亦實質最佳化其它 政食b參數的效能參數。該用於寬的調諧範圍上的最佳化之 ,般化的解決方案係切換一包含一或多個電感器及一或多 個電容器的一或多個並聯組合的槽電路。一種更有利的解 决方案最佳的是在沒有開關下,透過磁耦合、電耦合或是 磁耦σ及電耦合的一組合(混合)來調諧該一或多個電感器 ^或夕個電容器,並且此槽電路在以下被稱為一 LC槽。 可加以輕合的LC槽的數目可以是從2至Ν。 參照圖1,—電路圖1〇〇係描繪根據—目前的實施例的 :種強磁耦合的LC槽陣列(T1)1〇2。該槽電路1〇2係包含 複數個彼此磁耦合的LC.槽電路104。LC槽電路104的每一 2係包3 —電感器1〇6以及一電容性裝置1〇8,並且該磁耦 合是在LC槽電路1〇4的每一個的電感器1〇6之間。該電容 201234766 性裝置108係包含如同在(a)或(b)中所示的一或多個可調諧 的電容器組(bank) 11 〇。 參照圖2,一電路圖200係描繪根據本實施例的—種強 電耦合的IX槽陣列(T1)202。該槽電路2〇2係包含複數個 彼此電輛合的LC槽電路20‘LC槽電路2〇4的每一個係包 含一電感器206以及一電容性裝置2〇8,並且電耦合是在 LC槽電路204的每一個的電容性裝置2〇8之間。該電容性 裝置2G8係包含如同在⑷或(b)中所示的—或多個可調错的 電谷組2 1 0。 參照圖3, 一電路圖300係描繪根據本實施例的一種混 合耦合的IX槽陣列(T1)302。該槽電路3〇2係包含複數個 彼此電搞合及磁耦合的LC槽電路3〇4。LC槽電路3〇4的每 一個係包含一電感器306以及一電容性裝置3〇8,並且電耦 合是在5亥LC槽電路304的每一個的電容性裝置3〇8之間, 而磁耦合是在该LC槽電路304的每一個的電感器3〇6之 間。該些電容性裝置308係包含如同在(a)4(b)中所示的一 或多個可調諧的電容器組3 1 0。 圖1至3係描繪搞合的LC槽電路1 〇4、204、304的基 本原理及動作。所有三種類型的耦合的共同處是該槽電 路104、204、304都被分成初級與次級。在圖i至3中以 連接點1及2表示的LC槽電路LCT0是初級LC槽電路, 並且其它所有的LC槽電路被當作為次級Lc槽電路。結合 該電感器106、206、306的一或多個電容性裝置1〇8、2〇8、 3 〇 8可以是電容性網路的任意組合,例如是該可調諧的電容 201234766 器組 1 1 0、21 0、3 1 0。 對於如圖1中所繪的磁耦合而言,由於電流流動而產 生在該初級LC槽電路LCTO中的磁場可以有效地耦合至Ν 個次級LC槽電路LCT1至LCTN(N2l)。對於如圖2中所綠 的電耦合而言,該電麵合是藉由彼此柄合並且以π的方式利 用一耦合電容器表示的電容器網路208。混合耦合係被展示 在圖3中,其中該耦合是藉由該些電感器306的磁耦合以 及藉由該些電容性裝置308的電耦合之組合,其可以是獨 立的或是兩種搞合的組合。 壓控振盪器(VCO)的效能可以利用該些耦合機構的任 一個來加以大幅度地最佳化。該初級LC槽電路的連接點1 及2可以連接至一 VC0核心,其係取代通常存在於槽電路 或共振器中的單一電感器或是差動電感器。在該初級Lc槽 電路中的變容器Cv〇 108、208、308可以是一具有單端或差 動結構的類比調諧變容器,並且當和鎖相迴路及頻率合成 器一起使用作為一整合的解決方案時,其係被用來將Vc〇 頻率鎖到輸出頻率。在一孤立的模式中,該變容器通常是 藉由一外部的電壓來加以控制。 在該次級LC槽電路中的電感器106、2〇6、3〇6可以是 從1至N個,並且可以磁性或電氣或是以—種混合技術= 合至V⑶的初級LC槽電路。該電容性網路對於該初級與 次級LC槽電路而言可以是相同的。該電容性網路可以是(勾 具有由個別的值或二進位加權的值之可程式化的設定或二 比調諧所控制的單一或差動配置的緊接的變容器、或是(匕) 201234766 由個別的值或二進位加權的值之可程式化的設定所控制的 藉由-或多個開關控制而連接成單端或差動配置的一或多 個電容器、或是(C)由⑷或(b)與類比調書皆變容器的任^ 合、或是W由⑷、(b)或⑷與串聯或並聯或任意其它组Μ 接的被動或主動固定的電容器的任意組合。對於該此次級 LC槽電路而言’變容器的功能可利用在次級^槽電路中 的偏壓變化而可在粗調譜及細調諸之間互換。在沒有開 關下’ &些變容H結合該些Lc槽電路係作用以將卿頻 率在一操作頻率的附近向上或向下移動。 々圖1至3((a)或(b))中所示,在初級Lc槽電路或次級 LC槽電路中的電容性網路構件之可能的連接可以是由一或 多個« U0、21()、31()控制而緊密純成單—或差動結 構並且藉由個別的值或是二進位加權的值之可程式化的設 疋或類比調諧控制的一或多個變容器或是一或多個電容 器,容器或電容器的數目可以是單個或多個心至CM, -係X數位方式緊密福接,#中輪人數位控制在變容器的 情形中是耗接至該共同的節點,並且在一或多個電容器是 藉由—或多個開關控制的情形中是輕接至該開關。位元的 數目係受限於所選的效能參數以及所要的應用(如同在 U〇':21〇、310 中所示者)。 除了 1谷器CSG至CSM是用—種如上述方案中敘述的數 方式匕制之外’以單一或—差動配置緊密連接的變容器 可藉由類比電壓Vctrli來加以控制。類比電麼%叫可 、疋預°又的電壓、或者可以是和初級調諧變容器的Vctrl
10 201234766 1¾接n以進-步延伸Vc〇的頻率調譜範圍。電容器 E係被用來強4b VCO的操作頻率移位及相&雜訊效能,因 為該電容器通常具有遠比該些變容器高的品質因數。 效能參數的大小係藉由在該初級L c槽電路以及該N個 次級LC槽電路(㈣之間的輕合強度來加以決定。該稱合 亦可以改善該IX槽電路的品f,其為—項維持低相位雜訊 及高可調諸性的重要因數。可達到的最寬調諧範圍亦可藉 由柄合在該LC槽陣列中的電容性調譜元件的數目來加以控 制,該數目是根據所要的應用及其它效能參數而定的。 所提出的結構是用於頻率產生的RF/微波/毫米波電路 的部分。此種頻率產生來源通常是由一個具有窄的或中等 的調譜範圍且具有最佳的相位雜訊的彻以及—個用於頻 率調諧的單-LC槽所組成的。根據本實施例的寬頻調諧是 在沒:有任何開關的情形下,藉由在不同槽之間的磁叙 合或電柄合或混合的_合來加以達成。根據本實施例的頻 率產生來源可被利用在打算用於無線通訊應用甲的毫米波 寬頻注入鎖定除頻器的設計上。 通常在RF/微波/毫求波頻率下’除頻器(除以2、3、4、 5、等等)係利用注人駭技術來加以實現,以料該第一及 後績的級來降低功率消耗。這些除頻器通常包含一由電感 ,及電容器所構成的槽電路,其係根據所用的除頻出例而 在所要的輸出頻率處作用為-帶通據波器。由電感及電容 槽電㈣在界^些除頻器的鎖定範圍 上扮演-個重要㈣色。通常,寬的鎖定範圍是受到腿 201234766 在自由運行模式中的輸入功率及調諧範圍的限制。因此, 寬的調譜範圍-般是藉由利用某種切換元件來變化該槽電 路的電容來加以達成。圖1 5 口1至3的IX槽電路特別是有關於 一種ILFD的設計’其可以為7目士旦a & 為了具有最佳取捨的最佳效能而 藉由增加該謂的自由運行模式的範圍來達成較寬的鎖定 範圍’並且特別適合用於下一代的無線應用。 參照圖4Α、4Β及4C,三個利用圖1至3的強耦合lc 槽ΓΠ)的雙極VC0 400、402、4〇4係被描繪。在圖4a°、4b 及4C中’Ti分別可以是如圖1至3中所示的磁粞合或電耦 合或混合耦合的LC槽電路。節點丨及2是用於Tl至 的其它部分的主要連接節點。該些強耦合的Lc槽電路可被 利用在該VC0400、402、404的任一個中。 該VCO 400係使用一種具有共集極配置的柯匹次 (Colpitts)架構。所提出的包含電容器Cl&變容器Cvar的Lc 槽電路T1將會構成該VC0 400的VC0核心共振器。該vc〇 402具有和VCO 400相同的架構以及額外的pnp電晶體q3 及Q4。§亥VCO. 404增加一額外的基極-集極的去耗電容器 CM。在該VC0 400、402、404中的電流源可以是任意類型 的電流源,並且亦可以是電阻器的串聯或並聯或是串並聯 的任意組合。圖1至3的強耦合的LC槽電路可被有利地利 用在許多現有的VC0架構中’並且就此而論,圖1至3的 強耦合的LC槽電路的使用並不限於該VCO 400、402、404。 圖5A、5B及5C是根據本實施例利用圖1至3的強耦 合的LC槽的CMOS壓控振盪器電路的電路圖500、502及 12 201234766 504。在電路圖5〇〇、5〇2、5〇4中,τι分別可以是如圖!至 3中所論述的磁耦合或電耦合或混合耦合的槽電路。如 同圖4A、4B及4C中,節點1及2是用於τι至vc〇的其 它部分的主要連接節點。 該些強耦合的LC槽電路可和一交又耦合NM〇s電晶體 對被利用在該CMOS VCO 500中。在該CM〇s vc〇 5〇2中, 該些強耦合的LC槽電路可和一交叉耦合的pM〇s電晶體對 被利用。並且在該CM〇S vc〇 5〇4中,該些強耦合的 槽電路可和一補償的交又耦合的NM〇S電晶體對及PM〇S 電晶體對被利用。所有的三個VCO 500、502、504都使用 一 PMOS電流源。圖!至3的強耦合的lc槽電路亦可和一 NMOS電流源被利用在CMOS VCO中。該些電流源(pm〇S 或NMOS)可以是可程式化的、或者不是可程式化的;它們 亦可被ΐ電阻器串聯或並聯或是串並聯的任意組合來取代。 圖1至3的強耦合的LC槽電路亦可被利用在最新的VCO 架構中,因此並不限於圖5中所示的VCO 5 00、5 02、5 04 的CMOS實施方式。 圖6是描繪根據本實施例之用於一壓控振盪器電路的 強磁耦合的LC槽電路的第一種兩個金屬層積體電路架構的 俯視平面圖600。該外側的線圈602係包含用於該初級LC 槽電路的下方的調諧變容器以及一變容器組。該調諧變容 器係藉由Vctrl來加以控制。該變容器組係藉由位元〇至 位元<n>(其中η是整數)來加以控制。該内側的線圈604係 包含作用為次級LC槽電路的上方的調諧變容器。該些上方 13 201234766 的调谐變谷器係藉由Vctrl2來加以控制。Vctrl2可以是一
預設的電壓;此外,Vctrl2可以和該初級調諧變容器的VcM 連接在一起。該次級Lc槽電路可具有如同藉由旋轉任意的 0角(亦即,從0至2 π並且沒有和該主要線圈重疊)所界定 的其它形式。再者,該電感器形狀並不限於八邊形—其亦 可以具有矩形、圓形或六邊形的形式。該些強耦合的[〇槽 電路並不限於兩個槽電路。當藉由堆疊的金屬層來形成 時,该次級或第三或第Ν個LC槽電路的電感器可具有内側 的線圈、外側的線圈、底部線圈、及/或頂端線圈或是該些 線圈的任意組合的形式。 圖7是描繪根據本實施例之用於一壓控振盪器電路的 磁I馬合的LC#電路的第二種兩個金屬層積體電路架構的俯 視平面圖700。該些線圈具有圓形的形式。該次級lc槽電 路旋轉;r/2。其亦可具有其它的形式,旋轉從零至以的任 意0角。控制信號的說明和圖6相同。 圖8是描蟓根據本實施例之用於一壓控振盈器電路的 強磁耦合的LC槽電路的第三種兩個金屬層積體電路架構的 俯視平面圖謂。該外侧的線圈係包含作用為該次級…曹 的上方的調諧變容器。控制信號的說明也和圖6相同。 圖9是描繪根據本實施例之用於一壓控振盪器電路的 強磁耦合的LC槽的第四種兩個金屬層積體電路架構的俯視 平面圖900。該内側的線圈係包含作用為該次級lc槽的一 右側的調諸變容器。該外側的線圈係包含作用為另一次級 LC槽的一左側的調諧變容器。控制信號的說明也和圖6相
14 201234766 同。 圖是描緣根據本實施例之用於—壓控振盪器電路的 強磁耦合的LC槽的第五種兩個金屬層積體電路架構的俯視 平面圖1000。該俯視平面圖1〇〇〇比圖 间y夕了 一個浮接的内 側的線圈。浮接的内側的線圈並不限 、1固。此外,它們 可具有外側浮接的線圈或是任意堆疊 ·*的金屬層線圈的形 式0 參照圖u,一俯視平面圖1100係描綠根據本實施例的 用於壓控振盈器電路的強磁柄合的Lc槽電路的第六種兩個 金屬層積體電路架構。該兩個電感器是具有堆疊的金屬線 圈的形式。該底部金屬線圈係包含作用為該次級Lc槽的高 側的調諧變容器。控制信號的說明也和圖6相同。 圖12是描繪根據本實施例的用於—壓控振盪器的強磁 耦合的LC槽電路的一種三個金屬層積體電路架構的俯視平 面圖1200。該三個電感器是具有堆疊的金屬線圈的形式。 該底部金屬線圏係包含作用為該次級Lc槽的一右側的調諧 變容器。另一次級LC槽係藉由一頂端金屬線圈以及—左側 的凋s皆變容器來加以形成。該初級電感器是一第二高的金 屬線圈。熟習此項技術者將會體認到的是該些堆疊的金屬 層並不限於三個。控制信號的說明也和圖6相同。 圖1 3是描繪根據本實施例的用於一壓控振盪器的強磁 耦合的LC槽電路的第二種三個金屬層積體電路架構的俯視 平面圖1300。該些LC槽電路是堆疊的金屬層電感器以及内 側/外側的線圈的一種組合。該些内側/外側的線圈亦可具有 15 201234766 堆疊的金屬層或是任意的金屬層的形式。該些内側/外側的 線圈亦不限於—線圈。除了該主要線圈之外,所有其它的 線圈都可被利用作為包含變容器的耦合的LC槽,並且其中 的某些線圈可以是浮接的。 參照圖14, 一俯視平面圖14〇〇係描繪根據本實施例的 用於一壓控振盪器的混合耦合的LC#電路的第七種兩個金 屬層積體電路架構。除了如圖6中所繪的磁耗合之外,尚 有藉由電容器Ccouple帶來的額外的電耦合。該電容器丨。 可以是固定的電容器 '可變的電容器、切換式電容器中的 或多個、或是固定的電容器、可變的電容器以及切換式 電容器的任意組合。控制信號的說明和圖6相同。該些次 級IX槽電路可具有其它形式,在沒有和該主要線圈重疊下 ㈣從G i 2;Γ的任意Θ角。該電感器形狀並不限於八邊 形,因為其可以具有矩形、圓形、六邊形或是任意其它幾 何办狀的形式。該些強輕合的Lc槽電路並不限於兩個槽電 路。當具有堆疊的金屬層的形式時,該次級或第三或第N 個LC槽電路的電感器可具有内側的線圈、外側的線圈、底 部線圏/頂端線圈或是該些線圈的任意組合的形式。圖Μ 描緣根據另-目前的實施例的—種注人㈣除頻器(MD) 電路架構的電路圖1500。在該電路圖测中的臟係利 用一種勒改善請的鎖定範圍之新顆技術。最佳化咖 :鎖定範圍問題的-些-般性的解決方案是藉由改變和該 :電路相關的電容、或是在某些情形t藉由利用一開關以 文U些電感器來降低該ILFD的—帶通滤波器(BpF)的—
16 201234766 槽電路的品質因數(Q)、增高注入效率、增加一自由運行 ILFD的範圍。 種如同在圖15至17中的替代實施例所提出的更佳 的解决方案是在沒有開關下,取而代之的是透過在LC槽電 中的磁耦合或電耦合或是兩者(混合耦合)來最佳地調諧 5亥些槽電路的電感器及電容器。㈣BPF中㉟夠叙合的Lc 槽電路數目可以是從2纟N個’其中N是和該ILFD的除 頻比率(例如’ 2、3、4、同義的。該係運作為一帶通 二、器動作,並且根據本實施例,此種動作在電路層級的 貫施中是藉由如同圖1至3的任-圖中所揭露的—Lc槽電 路來加以達成。 θ 參照包括圖16Α及16Β的圖16,根據本實施例的兩個 名外的注入鎖冑除頻器電路的電路0 16〇〇係被描繪。圖 係展$ ILFD的兩種可能的實施方式。該注入器 J:是設置在上方位置的單一電晶體或是具有任意可能的 、、且口之多個電晶體的類型。所關注的區域是如 ::”的槽電路的實施方式,而不是咖的實際;it 圖17是描繪根據本實施例的另一注入鎖定除頻器 木構的電路圖17OG。該電路圖1·係展相CM㈦ MOSFET架構的ILFD的實施方式,其係利用如圖1、2或3 中所繪的強耦合的LC槽。在該電路圖17〇〇中,丁1 θ 或電•合或是混合麵合的_,並且節點丨及二 、及该ILFD的其它部分的主要連接節點。圖i至3 17 201234766 的強搞合的LC槽可被利用在任何具有由一電感器及一或多 個電容器所做成的一槽電路的ILfd中。 圖1 8是描繪根據本實施例的用於一注入鎖定除頻器電 路的LC槽的第一種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖 1800 〇
因此,可看出的是已經提供一種用於提供vc〇的RF 電路的積體電路架構,其係個別地解決vc〇的效能問題, 並且提供一種可以同時符合高效能需求之改良的振盪器電 路。此外,該用於RF電路的積體電路架構亦提供具有變寬 的操作頻率範圍的ILFD,同時維持習知的ILFD的低相位 雜訊及低功率消耗。儘管數個範例的實施例已經在先前的 本發明的詳細說明中提出,但應該體認到的是,存在有大 量的變化。 應該進一步體認到的是,該一或多個範例的實施例只 是例子而已,並且不欲在任何方面限制本發明的範疇、可 利用性、尺寸或配置。而是,先前的詳細說明將會提供熟 習此項技術者用於實施本發明的一範例實施例之便利的指 示說明,所瞭解到的是可以在一範例的實施例中所述的元 件的功能及配置以及電路的動作上做各種的改變,而不脫 離如同所附的申請專利範圍中闡述的本發明的範疇。 【圖式簡單說明】 遠所附的圖式係和以上的詳細說明一起被納入在說明 曰中並且構成該說明書的部分,其作用以描繪根據本發明 201234766 的各種實施例並且紘# J卫且解說各種原理及優點,其中相 符號參照到所有個別沾、目固 、 的視圖之相同或功能上類似的元件。 圖1是描續'根據_曰於 ^ 龈目則的貫施例之一強磁耦合的lc样 電路架構的電路圖; 曰 圖2是描4會根據一曰許沾+ k ,, 低课目别的貫施例之一強電耦合的LC槽 電路架構的電路圖; 圖3是描繪根據一目前的實施例之一強 合的LC槽電路架構的電路圖; 口及電柄 圖4係包括圖4Amc,其係根據另—目前的實 施例之壓控振盪器電路的電路圖; 圖 5 係包括圖 5 A、5 R ; r· ία Λα ^ . 口 及5C,其係根據本實施例之壓 控振盪器電路的電路圖; 圖6是描緣根據本實施例之用於一壓控振藍器電路的 LC槽的第一種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖; 圖7是描繪根才康本實施例之用於一壓控振藍器電路的 LC槽的第二種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖; 圖8是描繪根據本實施例之用於一壓控振盪器電路的 LC槽的第三種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖; 圖9是描繪根據本實施例之用於一壓控振蘯器電路的 LC槽的第四種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖. 圖10是描繪根據本實施例之用於一壓控振堡器電路的 LC槽的第五種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖; 圖11是描繪根據本實施例之用於一壓控振盈器電路的 LC槽的第六種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖. 19 201234766 二1Γ描緣根據本實施例之用於-壓控《器電路的 :帛-種二個金屬層積體電路架構的俯視平面圖; LC槽的實施例之用於-壓控振“電路的 一,屬層積體電路架構的俯視平面圖; ㈣根據本實施例之用於—壓控«器電路的 槽的第七種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面圖; 2 15是詩根據另—目前的實施例的—種注入鎖定除 頻器電路架構的電路圖; 、 種額=係包括圖16AA 16B,其係為根據本實施例的兩 種額外的注入鎖定除頻器電路的電路圖; 圖Π是料根據本實施例的另—種注人敎除頻器電 路架構的電路圖;以及 圖18是描繪根據本實施例之用於—注入鎖定除頻器電 路的LC #的第-種兩個金屬層積體電路架構的俯視平面 本領域技術人員將會體認到圖式中的元件是為了簡化 及清楚起見被描繪’因而不一定是按照比例繪製。例二 在圖式中描繪積體電路架構的某些元件的尺寸可能相對於 其它元件而被誇大以助於改善對本發明的實施例的理解。 【主要元件符號說明】 1 :連接點/節點 2 :連接點/節點 100 :電路圖
20 201234766 102 : LC 槽陣列(ΤΙ) 104 : LC槽電路 106 :電感器 108 :電容性裝置/變容器 110 :可調諧的電容器組/開關 200 :電路圖 202 : LC 槽陣列(T1) 204 : LC槽電路 206 :電感器 208 :電容性裝置/變容器/電容器網路 2 1 0 :可調諧的電容器組/開關 300 :電路圖 3 02 : LC 槽陣列(T1) 304 : LC槽電路 306 :電感器 308 :電容性裝置/變容器 310 :可調諧的電容器組/開關
400 :雙極 VCO
402 :雙極 VCO
404 :雙極 VCO
500 :電路圖 /CMOS VCO
502 :電路圖 /CMOS VCO
504 :電路圖 /CMOS VCO 6 0 0 :俯視平面圖 21 201234766 602 : 外側的線圈 604 : 内側的線圈 700 : 俯視平面圖 8 00 : 俯視平面圖 900 : 俯視平面圖 1000 :俯視平面圖 1100 :俯視平面圖 1200 :俯視平面圖 1300 '•俯視平面圖 1400 :俯視平面圖 1500 :電路圖 1600 :電路圖 1700 :電路圖 1800 :俯視平面圖
Claims (1)
- 201234766 七、申請專利範圍: 1·一種積體電路架構,其係包括: 一初級LC槽電路;以及 一或多個次級LC槽電路,豆中兮^ ^ 電路的每-個輪至該初級路或多個™ 多個2欠項之積體電路架構,其中該-或 夕級^槽電路係分別電輪合至該初級LC槽電路。 义個申I:專利$&圍$ 1項之積體電路架構,其中該-或 〇槽電路係分別磁耦合至該勒級LC槽電路。 =中請專利範㈣丨至3項之任—項之積體電路架 構〜、中該-或多個次級…曹電路係分別皆電轉合及磁搞 合至該初級LC槽電路。 5·如申請專利範圍第…項之任一項之積體電路架 構,其十該一或多個次級LC槽電路係包括兩個或更多個 LC槽電路,並且其中該兩個或更多個Lc槽電路的每一個 係彼此耦合並且耦合至該初級LC槽電路。 6.如申明專利範圍第1至5項之任一項之積體電路架 構’其中該初級LC槽電路以及該一或多個次級lC槽電路 的每—個係包含並聯連接的一電感器(L)以及—電容性裝置 (C) ’並且其中每個電容性裝置係包括一或多個可調諸的電 容器組。 7 ·如申請專利範圍第1至6項之任一項之積體電路架 構’其中該積體電路架構係包括一壓控振盪器電路。 8.如申請專利範圍第1至6項之任一項之積體電路架 201234766 構’其中§亥積體電路架構係包括一注入鎖定除頻器電路。 9. 一種壓控振盪器,其係包括: 一初級LC槽電路,其係包括並聯連接的—第一電感器 (L)以及一第一電容性裝置(c);以及 一或多個次級LC槽電路,該一或多個次級lc槽電路 的每一個係包括並聯連接的一電感器(L)以及一電容性裝置 (C) ’其中該一或多個次級LC槽電路的每一個係強搞合至 該初級LC槽電路以及該一或多個次級電路的每一個。 10. 如申請專利範圍第9項之壓控振盪器,其中該一或 多個次級LC槽電路係電耦合至該初級lc槽電路以及該一 或多個次級LC槽電路中的其它次級LC槽電路。 11. 如申請專利範圍第9項之壓控振盪器,其中該一或 多個次級LC槽電路係磁耦合至該初級lc槽電路以及該一 或多個次級LC槽電路中的其它次級LC槽電路。 12. 如申請專利範圍第9至11項之任一項之壓控振盪 器,其中該一或多個次級槽電路係皆電耦合及磁耦合至 S亥初級LC槽電路以及該一或多個次級LC槽電路中的其它 次級L C槽電路。 13 ·如申請專利範圍第9至12項之任一項之壓控振盪 器,其中該一或多個次級;LC槽電路係包括兩個或更多個次 級LC槽電路,並且其中該兩個或更多個槽電路的每一 個係彼此強耦合並且強耦合至該初級LC槽電路。 14.如申請專利範圍第9至13項之任一項之壓控振盪 器’其中包含該初級LC槽電路以及該一或多個次級LC槽 201234766 電路的每個LC槽電路的該電容性農置係包 諧的電容器組。 敦1夕個可調 15.-種注入鎖定除頻器,其具有— 且包括: J咏頻比率並 -初級LC槽電路,其係包括並 (L)以及一第一電容性裝置(c);以及 弟—電感器 、。一或多個次級IX槽電路,每個係包括並聯 感器(L)以及一電容性裝置(c),里 、® 、y .、r 5亥一或多個次 電路的每一個係強耦合至該初級槽 、 曰 波~ #人_ U 4 肖於帶通濾 出頻率。 根據场又的除頻比率據波後的輸 ,·如申請專利範圍第15項之注入鎖定除頻器 —或多個次級LC槽電路的每—個係電_合至該初級^样。 17·如申請專利範園第15項之注入鎖定除頻器,… —或多個次級LC槽電路的每—個係縣合至該初級;:c槽。 r:·如專利範圍第15至17項之任-項之注入鎖定 〜、中5卜或多個次級LC槽電路的每-個係電耦合 及磁耦合至該初級LC槽。 19. 如中請專利範圍第15至18項之任1之注入鎖定 广員器’其H或多個次級LC槽電路係包括兩個或更多 :上C槽電路’並且其中該兩個或更多個次級^槽電路的 母—個係彼此強耦合並且強耦合至該初級Lc槽電路。 20. 如申請專利範圍第以19項之任—項之注入鎖定 "員器,其中包含該初級以槽以及該—或多個次級以槽 25 201234766 電路的LC槽電路的每一個的該電容性裝置係包括一或多個 可調諧的電容器組。 八、圖式. (如次頁) 26
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