TW201229627A - Liquid crystal display device - Google Patents

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TW201229627A
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tft
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Takao Nakamura
Kazuki Ishii
Daisuke Mutou
Hidenori Seki
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Hitachi Displays Ltd
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Description

201229627 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係、關於顯示裝置’尤其是在橫電場方式之液晶顯 不裝置中’解決形成於有機純化膜上之膜之剝離之液晶顯 示裝置。 t 【先前技術】 液晶顯示裝s巾酉己置有以矩陣狀形成具有I素電極及薄 膜電晶體(TFT)等之像素之TFT基板,與對向於TFT基板在 與丁 FT基板之像素電極對應之部位形成有彩色遽光器等之 對向基板,於TF丁基板與對向基板之間夾置有液晶。且, 對每個像素控制液晶分子產生之光之透射率,藉此形成圖 像。 由於液晶顯示裝置平坦且輕量,故在各種領域用途廣 泛。行動電話或DSC(Digital Still Camera :數位靜態相機) 等中廣泛使用小型液晶顯示裝置。液晶顯示裝置之問題在 於視角特性。視角特性為在從正面觀察晝面之情形,與從 斜向觀察之情形,亮度會產生變化,或色度會產生變化之 現象。視角特性具有藉由水平方向之電場使液晶分子動作 之[PSi、In Plane Switching :面板内切換)方式優良之特性。 [PS方式亦存在多種,例如,在平面完整形成共用電 極,並於其上夾著絕緣膜,配置具有狹縫之像素電極,藉 由像素電極與共用電極之間產生之電場而使&晶分子旋轉 之方;可增大透射率,故成為當前主流。為使形成共用電 極之基底平坦,係使用有機鈍化膜。但,有機鈍化膜吸濕 I60380.<Joc 201229627 性高’若放置於大氣中,會吸收水分,在其後之膜形成 中’若經過加熱步驟,則由有機鈍化膜吸收之水分會被釋 放,該影響會導致產生形成於有機鈍化膜上之膜剝離之問 題。 作為解決如此之問題之方法,「專利文獻丨」記載有在影 像信號線上,相對形成於有機鈍化膜上之層間絕緣膜,沿 著影像信號線形成通孔,並從該通孔釋放存在於有機鈍化 膜上之水分之構成。在「專利文獻1」中,進一步藉由與 共用電極導通之透明電極覆蓋該通孔。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本特開2009-271103號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 為說明先前技術之問題’首先,就IPS液晶顯示裝置之 剖面構造進行說明。圖9係顯示液晶顯示裝置之顯示區域 10之像素部之構造的剖面圖。另,圖9之剖面圖為基本之 構造之例,並非與後面所示之實施例之俯視圖即圖2等以 1 : 1對應者。如圖9所示,本發明作為對象之液晶顯示裝 置為頂閘極之TFT,半導體層1〇3係使用p〇iy_si。在圖9中, 於玻璃基板 100上’藉由CVD(Chemical Vapor Deposition: 化學氣相沉積),形成包含SiN之第1底層膜ιοί及包含si〇2 之第2底層膜102。第1底層膜101及第2底層膜ι〇2之作用為 防止來自玻璃基板100之雜質污染半導體層。 160380.doc 201229627 於第2底層膜102上形成半導體層103。該半導體層i〇3係 於第2底層膜102上藉由CVD形成a-Si膜,並將其雷射退 火,藉此而轉換成p〇ly-Si膜者。藉由光微影,將該p〇】y_Si 膜圖案化。 於半導體膜上形成閘極絕緣膜104。該閘極絕緣膜1〇4為 利用TE0S(四乙氧基矽烷)之Si〇2膜。該膜亦是藉由CVD形 成。於其上形成閘極電極105。閘極電極1〇5係與掃描信號 線30同層且同時形成。閘極電極1 〇5係由例如M〇w膜形 成。在必須減小掃描線30之電阻時,係使用A1合金。 閘極電極105係藉由光微影而圖案化,在實施該圖案化 時,係藉由離子植入法將磷或硼等雜質掺雜於p〇ly_Si層 中,於poly-Si層形成源極S或汲極D。又,利用閘極電極 105之圖案化時之光阻劑,於p〇ly_Si層之通道層與源極8或 及極D1之間’形成LDD(Lightly Doped Drain:輕摻雜沒極) 層。 其後,覆蓋閘極電極105,藉由Si〇2形成第1層間絕緣膜 106。第1層間絕緣膜106係用於絕緣閘極電極1〇5與源極電 極107。於第1層間絕緣膜106上形成源極電極1〇7。源極電 極107係經由接觸孔130而與像素電極112連接。在圖9中, 源極電極107廣泛形成,呈覆蓋TFT之狀態。另—方面, TFT之汲極D係在未圖示之部份與影像信號線連接。 源極電極107與影像信號線同層且同時形成。為減小電 阻,源極電極107或影像信號線係使用Alsi合金。由於 合金會產生小凸起,或A1向其他層擴散等,故採用利用 160380.doc 201229627
MoW之障壁層、及覆蓋層,將AlSi進行夾層之構造。或亦 有不使用A卜而使用MoW或MoCr之情形》 為連接源極電極10 7與TF T之源極S,於閘極絕緣膜1 〇 4 與第1層間絕緣膜106形成接觸孔130,連接TFT之源極s與 源極電極107。覆蓋源極電極107而被覆無機純化膜108, 從而保護TFT整體。無機鈍化膜108與第1底層膜1〇1相同, 係藉由CVD形成。 覆蓋無機鈍化膜108,形成有機純化膜109。有機鈍化膜 109係以感光性之丙烯樹脂形成。有機鈍化膜除丙烯樹脂 以外’亦可以矽樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等形成。 由於有機鈍化膜109具有作為平坦化膜之作用,故較厚地 形成。有機鈍化膜109之膜厚為1〜4 μηι,但多數情況為2 μιη左右。 為獲得像素電極110與源極電極107之導通,於無機鈍化 膜108及有機鈍化膜1〇9上形成接觸孔130。在塗敷作為有 機鈍化膜109使用之感光性之樹脂後,若將該樹脂曝光, 則僅使照到光之部份溶解於特定之顯像液。即,藉由使用 感光性樹脂,可省略光阻劑之形成。於有機鈍化膜1〇9形 成接觸孔後’在230°C左右下’鍛燒有機鈍化膜,藉此完 成有機鈍化臈109。 將有機鈍化膜109作為光阻膜,藉由乾式蝕刻,於無機 鈍化膜108上形成接觸孔。如此,形成用於導通源極電極 107與像素電極110之接觸孔130。 如此形成之有機鈍化膜1〇9之上表面為平坦。於有機鈍 160380.doc 201229627 化瞑1〇9上’肖由濺鍍而覆蓋非晶質ITO(Indium Tin Ο:丨de .銦錫氧化物),並藉由光阻劑進行圖案化後,以草 酸實施㈣,進行共用電極W之圖案化q用電極110係 避開接觸孔130而在平面完整形成。其後,在23(TC下進行 锻燒’將ΙΊΌ多結晶化,從而使電阻降低。共用電極U〇係 由透明電極之ΙΤ0形成,厚度為例如77 μιη。 其後,覆蓋共用電極110,藉由CVD將第2層間絕緣膜 m成膜》此時之CVD之溫度條件為23〇<t左右,其稱為低 溫LVI)。其後,藉由光微影步驟,進行層間絕緣臈丨丨丨之 圖案化。在圖9中,第2層間絕緣膜ill呈未覆蓋接觸孔130 之測土之構成,但亦有第2層間絕緣臈丨n覆蓋接觸孔13 〇 之侧壁之情形。 然而,以CVD形成其他臈、例如第1底層膜101、無機鈍 化膜108等時,係在3〇(rc以上進行。一般,CVD臈等在高 溫下形成可使與底層膜之接著力增強。但,由於在第2層 間絕綠膜111之下已經形成有有機鈍化膜1〇9,故若採用 230 C以上之高溫’會使有機鈍化膜ι〇9之特性產生變化, 因此’第2層間絕緣膜111之形成係在低溫cvd下進行。以 低溫CVD形成第2層間絕緣膜111,會導致其他膜、尤其是 共用t極110或第2層間絕緣膜ill與有機鈍化膜ι〇9之接著 力產生問題。 於第2層間絕緣膜111上濺鍍非晶質IT〇,並藉由光微影 步驟而形成具有狹縫115之像素電極112 ^像素電極112經 由接觸孔130與源極電極1 07連接。若對像素電極11 2施加 160380.doc 201229627 ^號電壓’則會於與共用電極丨1()之間經由狹縫產生電力 線。藉由該電場使液晶分子旋轉,並對每個像素控制液晶 層之光之透射量,而形成圖像。像素電極112係由透明導 電膜之ITO形成,膜厚為例如40 nm 至70 nm左右。覆蓋像 素電極而形成有配向膜113。 夾著液晶層300配置有對向基板200 ^於對向基板2〇〇之 内側形成有彩色濾光器2〇1。彩色濾光器201於每個像素形 成有紅、綠、藍之彩色濾光器,從而形成彩色圖像。彩色 濾、光器201與彩色濾光器201之間形成有黑色矩俥2〇2,以 提咼圖像之對比度。再者,黑色矩陣202亦具有作為TFT之 遮光膜之作用,防止光電流於TFT中流動。 覆蓋彩色濾光器201及黑色矩陣202而形成有保護膜 203。由於彩色濾光器201及黑色矩陣202之表面呈凹凸 狀’故藉由保護膜203使表面平坦化。於保護膜203上形成 有用以初始配向液晶分子之配向膜113。另,由於圖2為 IPS,故對向電極係形成於TFT基板100側,而未形成於對 向基板側。 如圖9所示,在IPS中,於對向基板200之内側未形成有 導電膜。如此會使對向基板200之電位不安定。又,來自 外部之電磁雜訊會侵入至液晶層300,而對圖像造成影 響。為消除如此之問題,於對向基板200之外側形成外部 導電膜210。外部導電膜210係藉由濺鍍透明導電膜即ΙΤ〇 而形成。 如上所述,由於形成於有機純化膜上之第2層間絕緣膜 160380.doc 201229627 係以2 3 0 C左右之低溫CVD形成,故與底層膜之接著力較 弱。另一方面’若形成於第2層間絕緣臈之下之有機鈍化 膜置’則會吸收大氣中之水分。其後,在有機純化膜上 形成各種膜時’若加熱有機鈍化膜,則會釋放所吸收之水 • 分。此時,會產生接著力較弱之第2層間絕緣膜剝離之現 象。 為解決該情況,在「專利文獻1」中,記載有沿著影像 信號線於第2層間絕緣膜上形成細長之通孔,從該通孔逸 出被有機鈍化膜吸收之水分之構成。在「專利文獻1」 中,進一步以ITO膜覆蓋該通孔,使該IT〇膜與共用電極導 通,藉此而具有屏蔽效果。 但,「專利文獻1」之構成存在如下所示之問題。即,由 於第2層間絕緣膜係以低溫CVD形成,故相較於膜構造為 咼温CVD之情形並不緻密,因此,若欲沿著影像信號線進 行蝕刻而形成接觸孔,會因蝕刻速率會不安定,使得通孔 之寬度不安定,而導致到達至像素電極之危險性增大。若 通扎到達至像素電極,則會產生該部份之電場紊亂,使其 無法過當控制液晶分子,而產生漏光等。再者,若藉由與 #用觉極導通之1το膜覆蓋通孔,則會使像素電極與共用 • 電極導通,而導致該像素不良。 「專利文獻1」之另—問題為,因藉由ITO覆蓋沿著影像 k號線形成之通孔,導致特意形成於第2層間絕緣膜之通 孔之效果變小。即,於第2層間絕緣膜上進而形成IT0之像 素電極時’為減小⑽之f阻,亦是在23(rc下予以退火。 160380.doc 201229627 又,配向膜亦為了使其醯亞胺化而予以鍛燒。因此,由於 形成該等之膜時,由有機鈍化膜吸收之水分亦會被釋放, 故必須從形成於第2層間絕緣膜之通孔有效地釋放水分。 本發明係鑑於以上之問題而完成者,其可不減少製程裕 度’且不使畫質劣化地防止第2層間絕緣膜之膜剝落。 [解決問題之技術手段] 本發明係為克服前述問題者,其具體之步驟如下所示。 即’其係IPS方式之液晶顯示裝置,使用頂閘極之TFT作為 開關元件^ TFT係使用poly-Si作為半導體層。覆蓋TFT而 形成無機鈍化膜與有機鈍化膜,於有機鈍化膜上形成共用 電極’於共甩電極上形成層間絕緣膜,且於其上形成具有 狹縫之像素電極。 影像信號線在TFT附近寬度較寬,在該部份經由接觸孔 使影像信號線與TFT之汲極部或源極部導通。影像信號線 在寬度較寬之部份中’在形成於共用電極上之層間絕緣膜 上形成通孔,釋放在有機鈍化膜上產生之氣體。由於用於 釋氣之通孔係形成於影像信號線寬度較寬之部份,故即使 敍刻導致通孔之直徑產生偏差,仍不會對液晶分子之驅動 造成影響。又’用於釋氣之通孔之直徑,大於用於使影像 k號線與源極部或汲極部導通之接觸孔之直徑。又,用於 釋氣之通孔並未由ΙΤ0等之導電膜覆蓋。因此,可將來自 有機鈍化膜之氣體有效地釋放至外部。 上述構成亦可適用於在有機鈍化膜上形成有像素電極, 於其上形成有層間絕緣膜,並於其上形成有具有狭縫之共 I60380.doc •10· 201229627 用電極之類型之IPS。 又’層間絕緣膜之用於釋氣之通孔亦可形成於覆蓋形成 於顯示區域周邊之周邊電路之層間絕緣膜上。 行有,亦可 形成於覆蓋形成有形成於TFT基板之端子部附 • (Testil丨g Element Group :測試元件組)圖案或接合標呓之 部份之層間絕緣膜上。 [發明之效果] 根據本發明,可防止層間絕緣膜之膜剝落,故可提高液 晶顯示裝置之製造良品率。 【實施方式】 以下,使用實施例詳細地說明本發明之内容。 [實施例1] 圖1為本發明所適用之製品之例’即行動電話等所使用 之小型液晶顯示裝置之俯視圖。在圖1中,於Τρτ基板1 〇〇 上配置有對向基板200。TFT基板1〇〇與對向基板2〇〇之間夾 置有未圖示之液晶層。TFT基板1〇〇與對向基板2〇〇係藉由 形成於額緣部之密封材20接著。在圖!中,由於液晶係以 滴下方式而封入,故未形成有封入孔。 . [FT基板1 〇〇係較對向基板2〇〇更大地形成,且於τρτ基 板100大於對向基板200之部份,形成有用於對液晶單元1 供給源、影像信號、掃描信號等之端子部1 5 〇,且於其 外側’形成有在用於檢查電路之特性之TEG(Testing Element Group :測試元件組)或製造步驟中,用於接合上 基板與下基板之接合標記。 160380.doc 201229627 圖2係顯示圖1所示之顯示區域10之像素部之一部份構造 ,俯視圓在圖2中,具有狹鏠115之像素電極112係形成 於以影像信號線4〇與掃描線3〇包圍之區域中。於像素電極 1之下方,經由未圖示之第2層間絕緣膜,形成有未圖示 之共用電極1影像信號線侧由TFT,對像素電極ιΐ2供 給影像信號。 在圖2中,從影像信號線4〇至像素電極112,串聯存在有 第1TFT與第2啊之贿〜在圖2中,於影像信號線4〇之 寬度較寬之部份,形成有用於連接半導體層103與影像信 號線40之接觸孔13〇。半導體層1〇3係超出掃描線而延 伸、彎曲,再次超出掃描線30而與像素電極112連接。 半導體層103在具有作為閘極電極之作用之掃描線儿之 下為通道部,而在掃描線30兩側為汲極部或源極部。在圖 2令,為便於說明,將TFT中靠近影像信號線4〇之側稱為汲 極部,將靠近像素電極U2之側稱為源極部。因此,在第 1TFT中,與影像信號線4〇連接之側為汲極部,與第 連接之側為源極部,而在第2TFT中,與第1TF1^接之側 為汲極部’與像素電極Π2連接之側為源極部。 在圖2中,掃描線3〇兼作閘極電極,於掃描線3〇下形成 有半導體層103之通道部。藉此,在圖2中,從影像信號線 40至像素電極112存在2個TFT。在圖2中,形成有與影像信 號線40及半導體層103之接觸部重複,面積較接觸孔13〇大 之通孔140。該通孔14〇係用於排放來自圖2中未圖示之有 機鈍化膜109之氣體。 160380.doc 12 201229627 覆蓋以上說明之形成於TFT基板1〇〇之影像信號線4〇、 掃描線30、通孔140、接觸孔130、TFT之通道部等,對。 基板200於圖2所示之區域形成有黑色矩陣。 ° 圖3係圖2之A-A剖面圖。於第i底層膜及第2底層臈上形 成有半導體層103。覆蓋半導體層1〇3而形成有閘極絕緣臈 104 '第1層間絕緣膜1〇6,並於其上形成有影像信號線 40。影像信號線40係經由形成於閘極絕緣膜i 〇4及第i層間 絕緣臊106之接觸孔130,而與半導體層i 〇3連接。覆蓋影 像信號線40或第1層間絕緣膜1〇6,形成有無機鈍化膜 108’並於其上形成有有機鈍化膜1〇9。 於有機鈍化膜109上形成有共用電極11〇,於共用電極 110上形成有第2層間絕緣膜iU。第2層間絕緣膜1U為絕 緣共用電極110與像素電極112者,但影像信號線4〇上並無 像素導:極112 »在本發明中’於該部份之第2層間絕緣膜 11 ].上形成有通孔140 ’以可使有機鈍化膜ι〇9所吸收之水 分等谷易地釋放。另’在圖3中,省略了配向膜之記載。 如圖2、圖3所示,通孔140之直徑大於接觸孔130之直 徑。其係為了可使有機鈍化膜1〇9所吸收之氣體更有效地 釋放。由於形成有接觸孔13〇之部份呈凹部,故更容易產 生第2層間絕緣膜u丨之膜剝落。因此,有效的是於該部份 形成用於釋氣之通孔140。 如圖2所示’形成有用於釋氣之通孔ι4〇之部份,影像信 號線40之寬度較寬’其兼用作遮光電極135。因此’假設 即使因用於釋氣之通孔140之影響,導致液晶分子之配向 160380.doc •13· 201229627 產生紊亂,該部份仍不會產生漏光。 用於釋氣之通孔140係藉由蝕刻形成。由於第2層間絕緣 膜111係以低溫CVD形成,故較利用姓刻之尺寸控制以高 溫CVD形成之膜更難。但如圖2所示,由於在用於釋氣之 通孔140下形成有廣闊面積之遮光電極135,故即使用於釋 氣之通孔140之尺寸產生偏差,仍不會產生漏光。 再者,在圖2中,用於釋氣之通孔140係極其靠近掃描線 30地形成。在對向基板200中’由於在對應於掃描線3〇之 部份形成有黑色矩陣202 ’故假設即使用於釋氣之通孔14〇 導致產生漏光’仍可藉由黑色矩陣202進行遮光。 如上所述’根據本發明,由於在掃描線3〇附近,且影像 信號線40寬度較寬之部份形成有用於釋氣之通孔14〇,故 可防止第2層間絕緣膜111之膜剝落。又,由於影像信號線 4〇寬度較寬之部份兼用作遮光電極135,故亦可防止形成 用於釋氣之通孔140導致之漏光等之副作用。 再者,在本發明中’形成於第2層間絕緣膜1丨丨之用於釋 氣之通孔140未以ITO覆蓋。因此,可將自有機鈍化膜釋放 之氣體更有效地釋放至外部。 [實施例2] 在圖1之顯示區域1〇之上方施與斜線之部份,即上部配 線電路160中形成有保護配線電路或驅動電路之丨部份。該 等之保護電路等具有TFTe覆蓋TFT而形成有無機純化膜 108、有機鈍化膜1〇9,於其上形成有共用電極11(),將其 覆蓋而形成有第2層間絕緣膜丨丨丨。第2層間絕緣膜丨丨丨之接 160380.doc 14 201229627 者力成為問題與實施例i中說明之顯示區域1〇相同。 圖4係形成有保護電路等之區域之剖面圖。圖4係含有 TFr之刮面圖。由於圖4與圖9中說明者相同,故省略詳細 ’兒月在圖4中,經由形成於覆蓋半導體層1 〇3之閘極絕 . 緣膜104及第1層間絕緣膜1〇6之接觸孔13〇,連接有源極電 . 極[〇7或汲極電極。源極電極1〇7或汲極電極係與影像信號 線丨〇同層形成之配線。覆蓋源極電極丨〇7或汲極電極,形 成有無機鈍化臈1〇8,於其上形成有有機鈍化膜1〇9。 於無機鈍化膜108上,存在有藉由IT〇與共用電極u〇同 時形成之電極。由於該電極與共用電極丨1〇導通故後面 亦將〜< 電極稱為共用電極11〇。該共用電極11〇並非如圖9 所不之驅動液晶分子者,僅具有連接線作為屏蔽電極之作 用。毳蓋共用電極11 〇形成有第2層間絕緣膜111。於TFT附 近形成有接觸孔1 30,在該部份,由於第2層間絕緣膜i j j 之接著力特別弱,故在對應之部份之第2層間絕緣膜丨丨i, 形成凌用於釋放從有機鈍化膜1 〇9放出之氣體之通孔140。 由於圖4中形成之用於釋氣之通孔14〇係形成於顯示區域 10外:故即使用於釋氣之通孔14〇之尺寸稍有偏差,仍不 • 會產生漏光等之問題。因此’可比顯示區域1 〇内較大地形 成,從而可進一步確實防止第2層間絕緣膜11 1之膜剝落。 再卷’在本實施形態中,形成於第2層間絕緣膜11丨之用 於釋氣之通孔140亦未以ITO覆蓋。因此,可將自有機鈍化 膜釋放之氣體更有效地釋放至外部。 [實施例3] 160380.ioc 201229627 本發明作為對象之液晶顯示裝置之TFT可由p〇ly_Si形 成,並於液晶顯示面板内内置驅動電路。在液晶顯示面板 内内建驅動電路之情形,必須在步驟t核對電路之特性變 動。因此’如圖1所示,於端子部15〇之更外側形成Teg (Testing Element Group :測試元件組)170。藉由該TEG17〇, 核對TFT等之特性。因此,在TEG17〇中,亦必須預先形成 顯示區域10,或與驅動電路部份相同之構造。 在TEG170中,亦存在藉由IT〇形成於有機鈍化膜1〇9上 之共用電極110,於其上存在第2層間絕緣膜丨丨丨是與顯示 區域10等相同。在TEG170之例之圖5中,為測定在端子 1501與端子1502之間由共用電極110形成之電阻值,而形 成有長電阻。於該長電阻上,形成有未圖示之第2層間絕 緣膜ill。由於共用電極110係形成於有機鈍化膜1〇9上, 故若從有機鈍化臈109釋放水分’則第2層間絕緣膜會剝 離,不會起到作為TEG170之作用。在本實施例中,如圖5 所示’藉由形成多數矩形上之用於釋氣之通孔14〇,可容 易地從有機鈍化膜109釋釋氣體,從而防止第2層間絕緣膜 111之剝離。 圖6係圖5之Β-Β剖面圖。在圖6中,省略了第1底層膜、 第2底層膜。於圖6,從下積層有半導體層1〇3、閘極絕緣 膜104、第1層間絕緣膜1〇6、無機鈍化膜108、有機鈍化膜 109,且於有機鈍化膜109上形成有共用電極u〇。共用電 極110上形成有第2層間絕緣膜111,於第2層間絕緣膜iu 上形成有用於釋氣之通孔140 ’使來自有機鈍化膜ι〇9之水 160380.doc -16- 201229627 分等容易釋放,藉此防止第2層間絕緣膜111之剝離。 液晶顯示裝置係貼附形成有多數之TFT基板1 〇〇之母tft 基板、及形成有多數之對向基板200之母對向基板,作為 母基板,其後,藉由劃線等分離成各個液晶顯示面板。在 • 介隔密封材接著母TFT基板與母對向基板時,須有接合標 記 180。 圖7係接合標記180之例。在圖7中,接合標記18〇係以正 方形之單元之組合形成。於接合標記180之單元之1部份形 成有矩形狀之用於釋氣之通孔14〇。該通孔係形成於第2層 間絕緣膜111。藉由該用於釋氣之通孔14〇,可容易地釋放 有機鈍化膜109所吸收之水分等,從而防止第2層間絕緣膜 111之剝離。 圖8係圖7之C-C剖面。圖8中,除了無半導體層1〇3以 外,與圖6記載為相同構成,故省略說明。再者,圖6或圖 8係剖面之例,並非在圖6中總是存在半導體層1〇3,圖8中 總是不存在半導體層1 〇3。 如上所述,在液晶顯示面板之密封有液晶之區域外亦形 成有有機鈍化膜109及第2層間絕緣膜1U之情形下,藉由 . 於該部份之第2層間絕緣膜m亦形成用於釋氣之通孔 I40 ’可確實起到作為TEG170或接合標記18〇之作用。 另’由於在液晶顯示裝置完成後,不再需要圖i所示之 TECH70或接合標記18(),故多數之情形為在進行劃線 該部份除去。 再者,在本實施例中,形成於第2層間絕緣膜iu之用於 160380.doc 201229627 釋氣之通孔140亦未以ITO覆蓋。因此,可將自有機純化膜 釋放之氣體更有效地釋放至外部。 在以上之例中,已說明於有機鈍化膜109上形成共用電 極110 ’並於其上介隔第2層間絕緣膜111,形成具有狹縫 11 5之像素電極112類型之IPS。但,本發明亦可完全同樣 地適用於在有機鈍化膜109上形成像素電極112,並於其上 介隔第2層間絕緣膜111,配置具有狹縫丨丨5之共用電極類 型之IPS。 【圖式簡單說明】 圖1係液晶顯示裝置之俯視圖。 圖2係實施例1之像素部之俯視圖。 圖3係圖2之A - A剖面圖。 圖4係實施例2之剖面圖。 圖5係將本發明適用於TEG圖案部之例之俯視圖。 圖6係圖5之B - B剖面圖。 圖7係將本發明適用於接合標記部之例之俯視圖。 圖8係圖7之C-C剖面圖。 圖9係具有頂閘極類型之TFT之液晶顯示裝置之顯示區 域的剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 顯不區域 20 密封材 30 掃描線 31 掃描信號線引出線 160380.doc -18 - 201229627 40 影像信號線 100 TFT基板 101 第1底層膜 102 第2底層膜 103 半導體層 104 閘極絕緣膜 105 閘極電極 106 第1層間絕緣膜 107 源極電極 108 無機鈍化膜 109 有機鈍化膜 110 共用電極 111 第2層間絕緣膜 112 像素電極 113 配向膜 115 狹缝 130 接觸孔 135 遮光電極 140 通孔 150 端子部 160 上部周邊電路 170 TEG 180 接合標s己 200 對向基板 160380.doc -19· 201229627 201 彩色濾光器 202 黑色矩陣 203 保護膜 210 外部導電膜 300 液晶層 301 液晶分子 1501 端子 1502 端子 D 汲極部 S 源極部 160380.doc

Claims (1)

  1. 201229627 七、申請專利範圍: 1· 一種液晶顯示裝置’其特徵為’其係於以於第1方向延 伸而排列於第2方向之掃描線、與於第2方向延伸而排列 於第1方向之影像信號線包圍之區域形成像素電極,且 前述像素電極經由TFT從前述影像信號線供給影像信號 者,且 月ij述TFT包含以下而形成:包含通道部、形成於前述 ’仿像彳5號線側之沒極部、及形成於前述像素電極側之源 極部之半導體層;覆蓋前述半導體層而形成有閘極絕緣 月荑’且形成於前述閘極絕緣膜上且前述通道部上方之閘 極電極,及覆蓋則述閘極電極之第1層間絕緣膜; 前述影像彳g 7虎線係配置於前述第1層間絕緣膜上; 覆蓋則述影像仏號線而依序形成有無機鈍化膜與有機 鈍化臈,於前述有機鈍化膜上形成有共用電極,於前述 共用電極上形成有第2層間絕緣膜,並於前述第2層間絕 緣膜上形成有前述像素電極,且前述像素電極具有狹 縫; 前述影像信號線與前述TFT之前述汲極部連接之部份 . 的寬度較寬地形成,前述影像信號線係在前述寬度較寬 之部份中,經由接觸孔與前述汲極部連接; 在别述影像信號線之寬度較寬之部份中,於前述第2 層間絕緣膜形《孔,且前述通孔之直徑大於前述接觸 孔之直徑。 2.如外,求項1之液晶顯示褒置,其中前述tft包含具備與前 160380.doc 201229627 述影像k號線連接之汲極部之第丨TFT、及與前述第 1TFT連接且源極部與像素電極連接之第2tft,且前述 掃描線兼作前述第1TFT與前述第2TFT之閘極電極。 3· —種液晶顯示裝置,其特徵為,其係於以於第丨方向延 伸而排列於第2方向之掃描線、與於第2方向延伸而排列 於第1方向之影像信號線包圍之區域形成像素電極,且 前述像素電極經由TFT從前述影像信號線供給影像信號 者,且 ' 前述TFT包含以下而㈣:包含通道部、形成於前述 影像信號線側之汲極部、及形成於前述像素電極側之源 極部之半導體層;覆蓋前述半導體層而形成有閘極絕緣 膜,且形成於前述閘極絕緣膜上且前述通道部上方之閘 極電極,及覆蓋前述閘極電極之第1層間絕緣膜; 前述影像信號線係配置於前述第丨層間絕緣膜上; 覆蓋前述影像信號線而依序形成有無機鈍化膜與有機 鈍化膜,於前述有機鈍化膜上形成有像素電極,於前述 像素電極上形成有第2層間絕緣膜,並於前述第2層間絕 緣膜上形成有共用電極,且前述共用電極具有狹縫. 前述影像信號線與前述TFT之前述汲極部連接之部份 的寬度較寬地形成,前述影像信號線係在前述寬度較寬 之部份中,經由接觸孔與前述汲極部連接; 在前述影像信號線之寬度較寬之部份中,於前述第2 層間絕緣膜形成通孔,且前述通孔之直徑大於前述接觸 孔之直徑。 I60380.doc 201229627 2凊求項3之液晶顯示裝置,其中前述TFT包含具備與前 k I像彳5號線連接之汲極部之第ιτρτ、及與前述第 1TF1連接且源極部與像素電極連接之第2Τρτ,且前述 掃描線兼作前述第1TFT與前述之閘極電極。 .5·帛液晶顯示裝置,其特徵為’其係包含顯示區域與周 邊電路部者,且 刖述周邊電路部包含TFT,該TFT包含以下而形成: 包含通道部、汲極部、及源極部之半導體層;覆蓋前述 半導體層而形成有閘極絕緣膜,且形成於前述閘極絕緣 腹上且前述通道部上方之閘極電極;及覆蓋前述閘極電 極之第1層間絕緣膜; 於前述第1層間絕緣膜上形成有金屬之配線,前述金 屬之配線經由形成於前述第1層間絕緣膜及閘極絕缘膜 之接觸孔而與前述汲極部或前述源極部連接; 覆蓋前述金屬之配線而依序形成無機鈍化膜與有機鈍 化旗.; 於前述有機鈍化膜上形成有包含ΙΤ〇之配線,於包含 前述ΙΤΟ之配線上形成有第2層間絕緣膜,於前述第2層 - 間絶緣膜形成有通孔’且前述通孔之直徑大於前述接觸 孔之直徑。 6. 一種液晶顯示裝置,其特徵為,其係對向接著TFT基板 與對向基板’且於内部形成有液晶層,在前述TFT基板 之未與前述對向電極對向之部份形成有端子部與TEG 者,且 160380.doc 201229627 在前述TEG中,於TFT基板上依序積層有半導體層、 閘極絕緣膜、第1層間絕緣膜、無機鈍化膜、及有機鈍 化膜; 於前述有機鈍化膜上形成有以ITO形成之電極,於以 前述ITO形成之電極上形成有第2層間絕緣膜,且於前述 第2層間絕緣膜上’在形成有前述TEG之區域中形成有通 7. 一種液晶顯示裝置,其特徵為,其係對向接著TFT基板 與對向基板’且於内部形成有液晶層,在前述TFT基板 之未與前述對向電極對向之部份形成有端子部與接合標 記者,且 在前述接合標記中,於TFT基板上依序積層有閘極絕 緣膜、第1層間絕緣膜、無機鈍化膜、及有機鈍化膜; 於前述有機鈍化膜上形成有以IT0形成之電極,於以 前述ΙΤΟ形成之電極上形成有第2層間絕緣膜,且於前述 第2層間絕緣膜上,在形成有前述接合標記之區域中形 成有通孔。 8 士。月求項1至7中任一項之液晶顯示裝置,其中形成於前 述第2層間絕緣膜之前述通孔未由ΙΤΟ覆蓋。 160380.doc
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