201227787 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 _]本發明涉及-種場發射陰極裝置及場發射顯示器，尤其 涉及-種背栅結構的場發射陰極裝置及場發射顯示器。 【先前彳支術】 剛場發射顯示器係繼陰極射線管（CRT)顯示器和液晶（lcd) 顯示器之後，最具發展潛力的下—代新興技術。相對於 先前的顯示ϋ，場發射顯示n具有顯示效果好、視角大 力耗小以及體積小等優點，尤其係基於奈米碳管的場 發射顯示器，近年來越來越受到重視。 [0003] —般而言，場發射顯示器的結構可分為二極型和三極型 。所謂二極型即包括有陽極和陰極的場發射結構，這種 結構由於需要施加高電壓，而且均勻性以及電子發射難 以控制’驅動電路成本高，基本上不適合高解析度顯示 器的實際應用。三極型結構則係在二極型基礎上改進， 增加栅極來控制電子發射，可實現在較低電壓條件下發 ‘ . 出電子，而且電子發射容易通過柵輕來精確控制。而根 據柵極設置位置的不g，三極型場發射顯*器又可分為 正柵結構和背栅結構兩種。其中，背柵結構的場發射顯 示器由於工藝簡單’製備成本較低而備受關注。 [0004] 請參閱圖9和圖10，先前技術提供一種背柵結構的場發射 顯示器30 ’其包括一下基板3〇4，一設置於下基板304表 面的柵極層308，一設置於栅極層308表面的隔離層310 ’一設置於隔離層310表面陰極層312，一設置於陰極層 312表面的電子發射層316，一上基板302，一設置於上 099145133 表單編號A0101 第4頁/共33頁 0992077859-0 201227787 基板302表面的陽極層32〇以及設置於陽極層"ο表面的 螢光層322。所述上基板3〇2與下基板3〇4之間定義一真 空空間306，以收谷其他元件。所述電子發射層316與螢 光層322相對設置。所述電子發射層316通常為一圓形奈 米碳管漿料層。 [0005]
[0006] [0007] ο 然而，先前技術中的背柵結構的場發射顯示器3〇工作時 ，柵極層308產生的電場只能從陰極層312的四周滲透到 電子發射層316表面。故，電子發射層316主要靠邊緣發 射電子324 ’從而造成像素點的發光不均勻，產生如圖6 ：. - . 所示的圓環形顯示敫果V 【發明内容】 有鑒於此，提供一種像素點均勻發光的背械，結構的場發 射陰極裝置以及場發射顯示器實為必要。 一種場發射陰極裝置，包括：一陰極基政；一柵極電極 設置於該陰極基板的表面；一第一絕緣層設置於所述柵 極電極的表面；一陰極電極通過所埏第氟一絕緣層與所述 . .di 栅極電極間隔設置;以及一陰極發射層設置於所述陰極 電極表面，其中：所述第一絕緣層設置有一第一開孔， 所述陰極電極設置有一第二開孔，所述第一開孔與第二 開孔對應設置且相互連通，使所述柵極電極對應該開孔 位置的表面暴露’所述陰極發射層僅設置於所述陰極電 極靠近所述第二開孔位置的表面。 一種場發射顯示器，其包括：一陰極基板；複數個柵極 電極相互平行且間隔設置於該陰極基板的一表面；複數 個陰極電極相互平行且間隔設置，該複數個陰極電極與 099145133 表單編號A0101 第5頁/共33頁 0992077859-0 [0008] 201227787 複數個栅極電極異面交又設置，所述柵極電極與陰極電 極的父又區域定義一像素區域，且所述陰極電極與每個 像素區域相對應處定義—第二開孔；一第一絕緣層設置 於所述複數個栅極電極與複數個陰極電極之間 ，且該第 —絕緣層與每個像素區域相對應處定義一第一開孔與第 一開孔連通，所述栅極電極對應所述第一開孔與第二開 孔位置的表面暴露；一第二絕緣層設置於所述複數個陰 極電極表面，且與每個像素區域相對應處定義一第五開 孔，該第五開孔的内徑大於所述第二開孔的内徑，使陰 極電極靠近第二開孔位置的部分表面暴露；複數個環形 陰極發射層分別與所述陰極電極的第二開孔對應設置， 且設置於所述陰極電極暴露的表面靠近第二開孔的位置 ’聚焦電極設置於所述第二絕緣層表面，且與每個像 素區域相對應處定義一第四開孔與第五開孔連通；一陽 極基板與所述陰極基板相對且間隔設置，所述陽極基板 與陰極基板之間定義一真空空:間；¥陽桎電極設置於所 述陽極基板與陰極基板相對的表面;以及複數個螢光粉 層設置於陽極電極表面，且與複數個環形陰極發射層— 一對應設置。 [0009] 與先前技術相比，由於所述第一絕緣層設置有—第— 孔’所述陰極電極設置有一第二開孔，所述第—開孔與 第二開孔對應設置且相互連通，使所述柵極電極對應該 開孔位置的表面暴露’所述陰極發射層僅設置於所述广 極電極靠近所述第二開孔位置的表面，故，柵極電極的 電場可通過陰極電極的第二開孔滲透到陰極發射層表面 099145133 表單編號A0101 第6頁/共33頁 0992077859-0 201227787 ，以使環形陰極發射層發射電子 圓形像素點。
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[0010] 圖詳細:明本發明實施例提供的場發射陰 、 每發射顯不益。所述場發射顯示器可包括 :複:個像素單元。以下先以-個像素單二 月’再，丨紹採用複數個像素單元的場發射顯示器。 [0011] 0 明參閱圖1，本發明第一實施例提供一種場發射顯示器 其包括一陰極基板104 ’ ―柵極電極1〇8，一第一絕緣 層110，一陰極電磕112，一陰極發射層116，—聚焦電 極U8，一陽極基板102，一陽極電極12〇，以及一螢光 粕層122。其中，所述陰極基板，栅極電極1〇8，第 一絕緣層11〇，陰極電極112，陰極發射層116 ,聚焦電 極118構成該場發射顯示器1〇的場發射陰極裝置1〇〇。 [0012] ο 從而得到發光均勻的 所述陽極基板102與所述陰極基板1〇4相對且間隔設置。 所述陽極基板102與陰極基板1〇4之間定義一真空空間 106以收容所述柵極電杈1〇8，第一絕緣層11〇，陰極電 極Π2，陰極發射層116，聚焦電極118，陽極電極12〇， 和螢光粉層122。所述柵極電極1〇8設置於陰極基板1〇4 相對於陽極基板102的一表面。所述第一絕緣層11〇設置 於所述柵極電極108遠離陰極基板1〇4的一表面，且該第 一絕緣層110定義一第一開孔11〇2，以使柵極電極108在 對應所述第一開孔1102的乜置暴露，並面對所述陽極基 板102設置。所述陰極電極Π2設置於所述第—絕緣層 110遠離所述陰極基板104的一表面，並通過所述第一絕 099145133 表單編號Α0101 第7頁/共33頁 0992077859-0 201227787 緣層110與所述柵極電極108間隔設 ▲ 112定義—與所述第一開孔1102連通且。亥陰極電極 所述陰極發射層116設置於_ ' 開孔1122。 板104的—e 12通離所述陰極基 旳表面，且與陰極電極112 述陰極發㈣1㈣設置於所述陰極電選地，所 二開孔⑽的位置。所述陰電= 表面靠近第 孔11 22挂，S从姑 禮116疋義—與第二開 ⑴22相㈣三靠1162。所料極馳⑵ 所述陽極純1()2相狀_基板 &、 趴思1〇〇 4的表面。所述螢光 刀曰⑵設置於陽極電極12()表面。所述聚焦電極⑴設 置於陰極電如2與陽極電極微之間，且定義一第四開 孔1182，以使部分陰極電極U2與陰極發射層IB暴露。 [0013] [0014] 所述陰極基板1G4的材料可紋、玻.璃、陶变、塑夥或聚 〇物。所述陰極基板1〇4的形狀與厚度不限，可根據實際 需要選擇。優選地，所述陰極基板1〇4的形狀為正方形或 矩幵v。本實施例中，所述陰極基板1〇4為一正方形玻璃板 〇 所述栅極電極108為一導電暮，且其厚度和大小可根據實 際需要選擇。所述柵極電極1〇8可僅設置於陰極基板104 通過第一開孔1102暴露的表面，也可延伸至第一絕緣層 110與陰極基板104之間。所述柵極電極108與第一開孔 1102對應的位置還可具有一突起結構（圖未示），以降 低開啟電壓。所述柵極電極1〇8的材料可為單質金屬、金 屬合金、氧化銦錫或導電聚料等。可理解，當陰極基板 104為矽片時，該栅極電極1〇8可為一矽摻雜層。本實施 例中，所述栅極電極108為一厚度為20微米的鋁膜。該鋁 099145133 表單編號A0101 第8頁/共33頁 0992077859-0 201227787 膜通過磁控濺射法沈積於陰極基板104表面。 [0015]
ο 所述第一絕緣層110設置於所述陰極電極u 2與柵極電極 108之間’用於使所述陰極電極112與柵極電極1〇8之間 電性絕緣。所述第一絕緣層110的材料可為樹脂、厚膜曝 光膠·、玻璃、陶竞、絕緣氧化物或上述材料的混合物等 。所述絕緣氧化物包括一氧化梦、三氣化二銘或氧化祕 等’所述第一絕緣層11〇的厚度和形狀可根據實際需要選 擇。所述第一絕緣層110可直接設置於陰極基板1〇4表面 ’也可設置於拇極電極108表面。所述第—絕缘層11〇為 一具有通孔的層狀結構’且該通孔定義為所述第一開孔 1102。可理解，如果第一絕緣層110没有開孔，而陰極電 極112具有開孔時，所述陰極發射層116發射的向拇極電 極108方向運動的少數電子會在第一絕緣層〗丨〇表面積累 ’從而影響棚極電極108的電場分佈。而所述第一開孔 1102可使陰極發射層116發射的向柵極電極1〇8方向運動 的少數電子達到柵極電極10,8，並通過栅極電極1〇8導走 。本實施例中，所述第一絕緣層11〇為一厚度為1〇〇微米 的光刻膠設置於玻璃板表面，且其定義有—圓形通孔作 為第一開孔1102。所述柵極電極108設置於所述第—絕緣 層110與陰極基板104並將第一開孔1102覆蓋。 [0016] 所述陰極電極112設置於第一絕緣層11〇遠離陰極義板 104的表面。所述陰極電極112為一導電層，其材料可為 單質金屬、金屬合金、氧化銦錫（I TO)或導電裝料等。 所述陰極電極112的厚度和大小可根據實際需要選擇。具 體地，所述陰極電極丨12可為一具有通孔的層狀結構，且 099145133 表單編號A0101 第9頁/共33頁 0992077859-0 201227787 5玄通孔定義所述第二開孔1122。所述第二開孔1122與第 一開孔11 02對應設置且相互連通。優選地，所述第二開 孔112 2與第一開孔11 〇 2同軸設置且具有相同的孔徑。由 於所述陰極電極112具有第二開孔1122，故，所述栅極電 極10 8產生的電場可通過第一開孔11 〇 2和第二開孔112 2 滲透到陰極發射層116表面，並使陰極發射層116發射電 子。本實施例中，所述陰極電極112為一銘導電層，且具 有一圓形通孔作為第二開孔1122。 [0017] 請進一步參見圖2，所述陰極發射層116僅設置於所述陰 極電極112靠近第二開孔1122位置的表面，且所述陰極發 射層11 6為一環形結構，其定義一第三開孔μ 6 2。所述陰 極發射層116僅設置於陰極電極112面對陽極電極120且 通過第四開孔1182暴露的表面。所述陰極發射層116可設 置於陰極電極112通過第四開孔1182暴露的部分表面或暴 露的全部表面。優選地’所述陰極發射層116為一圓環形 。所述第三開孔1162與上述第二開孔11 22與第一開孔 1102對應設置且相互連通，鐘地，所述第三開孔1162 與上述第二開孔1122以及第一開孔1102的孔徑相同，即 第三開孔1162的孔壁與上述第二開孔1122以及第一開孔 1102的孔壁平齊。可理解，由於陰極發射層i16靠近第二 開孔1122設置，故，栅極電極1〇8產生的電場可通過第二 開孔1122滲透到陰極發射層116的整個表面，從而使得整 個陰極發射層11 6發射電子。 [0018] 所述陰極發射層116包括複數個電子發射體，如奈米碳管 、奈米碳纖維、或矽奈米線等。進一步，所述陰極發射 099145133 表單編號A0101 第10頁/共33頁 0992077859-0 201227787 穩定性和壽命。所Ζ設置—層抗離子義擊材料以提高其 碳化铪及六二:子細料可選擇— 所述陰極_】叫—彻==。本實施例中， 碳管装料。所述奈米 及有機·。 烤過程t炫化並將二:!中紐，低炫點玻璃粉在烘 [0019] Ο ο 不未碳官固定於陰極電極〗12表面。 =聚焦電極118可為金屬柵網或導電層。所述聚隹電極 18設置於陰極電極⑴與陽極電極120之間，且定義電極 陰極電極112靠近第二開孔_的 表面通過第四開孔1182暴露。所述聚焦電極118可通 過一第二絕緣層114與陰極電極112間隔設置並電 。所述第二絕緣層114的材料與所述第一絕緣層110相同 ’其厚度和形狀可根據實際需要選擇。所述第二 114設置於陰極電極U 2遠離所述陰極基板】的表面 所述第二絕緣層U4定義一與第四開孔U82相通的第五巧 孔1142以使所述部分陰極電極112靠近第二開孔η。的汗 部分表面暴露，從而使得所述陰極發射層116暴露並直接 面對所述陽極基板102設置。本實施例中，所述第四開孔 1182與第五開孔1142同軸設置且孔徑相同。可理解$當 所述聚焦電極118為具有自支撐的金屬栅網時，所述聚^、 電極118也可懸空設置於陰極電極112與陽極電極12〇之 間。所述聚焦電極118的材料可為金屬、合金、氧化姻錫 ατό)或導電漿料等。所述聚焦電極118的厚度和大小 可根據實際需要選擇。所述聚焦電極118用來彙聚所述陰 099145133 表單編號A0101 第11頁/共33頁 0992077859-0 201227787 極發射層116發射的電子。 [0020] 所述陽極基板102為一透明基板，其形狀與厚度不限，可 根據實際需要選擇。優選地，所述陽極基板102的形狀為 正方形或矩形。所述陽極基板102和陰極基板104之間可 通過絕緣條（圖未示）縫接以定義所述真空空間106。本 實施例中，所述陽極基板102為一正方形玻璃板。 [0021] 所述陽極電極120為一透明導電層，如：奈米碳管膜，氧 化銦錫薄膜或鋁膜。所述陽極電極120的形狀與厚度不限 ，可根據實際需要選擇。本實施例中，所述陽極電極120 為一厚度100微米的氧化銦錫薄膜。 [0022] 所述螢光粉層122可設置於陽極電極120遠離陽極基板 102的表面或設置於陽極電極120與陽極基板102之間。 所述螢光粉層122的形狀與厚度不限，可根據實際需要選 擇。優選地，所述螢光粉層122的形狀為圓形，且其半徑 大於等於所述陰極發射層116的内半徑小於等於所述陰極 發射層11 6的外半徑。本實施例中，所述螢光粉層122為 圓形，且其半徑等於所述陰極發射層116的外半徑。 [0023] 所述場發射顯示器10工作時，所述陰極電極112接零電位 (接地），所述柵極電極108施加一正電壓VI，所述陽極電 極120施加一正電壓V2，所述聚焦電極118施加一負電壓 V3。所述柵極電極108的工作電壓VI為10伏特〜100伏特 ，所述陽極電極120的工作電壓V2為500伏特〜5000伏特 ，所述聚焦電極118的工作電壓V3為負5伏特~負50伏特 。所述柵極電極108產生的電場可通過第二開孔1122滲透 099145133 表單編號A0101 第12頁/共33頁 0992077859-0 201227787 [0024]
雜極發射層⑴表面’並使陰極發射層射電子 所述電子在陽極電極120的電場力作用下射向陽極電極 120並形成電子束⑻。由於所述聚焦電極ιΐ8施加—負 電廢，該負電Μ電子具有排斥作用，從而起到囊聚電 子束124的作用。 進一步，所述場發射顯示器10還可包括—二次電子發射 層126以提高場發射陰«置1GG的電子發射效率。所述 二次電子發射層126設置於第_開孔u〇2内的拇極電極 m表面。所述二次電子發射層糊的材料包括氧化鎮（ _)、氧化鍵（BeO)、氟化鎮>、氟化皱（ W2)、氧化絶（㈤）以及氧化鋇（_)㈣一種或 幾種，其厚度和大小可根據實際需要選擇。所述二次電 子發射層126可通過塗敷 '電子束蒸發、熱蒸發或磁控機 射等方法形成於栅極電極108的表面。可理解，所述二文 電子發射層126的表面還可形成有凹凸結構以增加二次電 二次電子發射效率。本實施 例中，所述二次電子發射層126為一厚度為約5微米的氧 化鋇層。 [0025]請進一步參閱圖3，本發明第一實施例進一步介紹包括多 像素單元的場發射顯示器10的實現方式。具體地，所述 场發射顯示器1〇包括一共用的陰極基板，複數個條形 柵極電極108，一共用的第一絕緣層no，複數個條形陰 極電極112，複數個圓環形陰極發射層ι16，—共用的聚 焦電極118，一共用的陽極基板102，一共用的陽極電極 120 ’以及複數個圓形螢光粉層122。 099145133 表單編號A0101 第13頁/共33頁 0992077859-0 201227787 [0026] 099145133 所述複數個條形栅極電極1 〇 8平行且等間隔設置於所述陰 極基板1〇4的表面。所述複數個條形陰極電極丨12平行且 等間隔設置，且該複數個條形陰極電極〗12與複數個條形 栅極電極108異面垂直且交又設置。所述柵極電極1〇8與 陰極電極112的交又區域疋義一像素區域。所述陰極電極 112與像素區域相對應處定義—第二開孔1122。所述第— 絕緣層11〇設置於所述複數個柵極電極1〇8與所述複數個 陰極電極112之間，且該第一絕緣層11〇與像素區域相對 應處疋義複數個第一開孔1102。可理解，所述第〆絕緣 層也可為複數個間隔設置的絕緣條，優選地，絕緣條 的形狀與條形栅極電極108或條形陰極電極U2的形狀相 同。所述第一開孔1102與第二開孔U22對應且相通設置 ，以使柵極電極108暴露，所述第二絕緣層U4設置於所 練數個條形陰極電極112表面，且與像素區域一一對應 定義複數個第五㈣U42 ’以使陰歸射層U6部分暴露 可理解’所述第二絕緣層114也可為邊數個間隔設置的 絕緣條’優選地，輯條的形狀與條雜極電極112的形 狀相同。所述複油圓環形陰極㈣層116與像素區域— 對U _i_每個Ig環形陰極發射層丨16設置於陰極電 極112通過第五開孔ι142暴露的表面。所述圓環形陰極發 射層116的第三開孔1162與第二開孔1122對應且相通設 置°所述聚焦電極118設置於第二絕緣層U4表面，且定 義複數個與第五開孔1142對應的第四開孔1182。所述聚 焦電極118可為一具有複數個第四開孔1182整體導電層， 或複數侧隔設置且具有第四開孔⑽的導電條。所述 陽極電極120為-設置於陽極基板iQ2表面的—整層透明 0992077859-0 表單編號A0101 第14頁/共33頁 201227787 層。所述複數個圓形形螢光粉層122設置於陽極電極 120表面，且與像素區域--對應設置或與陰極發射層 116 對應設置。進一步’所述複數個圓形形螢光粉層 1 22之間還可設置黑色矩陣以提高場發射顯示器〗〇的對比 度。 [〇〇27]凊參閱圖4 ’為本發明第二實施例的場發射顯示器10的顯 不效果。本發明實施例採用圓環形陰極發射層116，可得 到發光均勻的圓形像素點。 0 闕睛參關5，本發明第二實施例提供—種場發射顯示器20 其包括一陰極基板204，一栅極電極208，一第一絕緣 層210，一陰極電極212，一陰極發射層216，一第二絕 緣層214，一聚焦電極218，一陽極基板2〇2，一陽極電 極220，以及一螢光粉層222。其中，所述陰極基板2〇4 柵極電極208，第一絕緣層21〇，陰極電極212，陰極 發射層216，聚焦電極218構成該場發射顯示器2〇的場發 射陰極裝置200。本發明第二實施例提供的場發射顯示器 〇 20與本發明第一實施例提供一種場發射顯示器10的結構 基本相同，其區別在於所述陰極電極212進一步定義一個 或複數個環繞第二開孔2122的第六開孔2124。 [0029] 099145133 請進一步參閱圖6至8，所述第六開孔2124將第二開孔 2122基本環繞。所述第六開孔2124將所述陰極電極212 分成間隔設置的一第一部分2128和一第二部分2126 »所 述第一部分2128設置於第二絕緣層214與第一絕緣層21〇 之間。所述第二部分2126設置於陰極發射層216與第一絕 緣層210之間。所述陰極發射層216僅設置於第二部分 表單編號A0101 第15頁/共33頁 0992077859-0 201227787 2126表面。所述第二開孔2122由第二部分2126定義。所 述第一部分2128和第二部分2126之間通過至少—連接部 21 27連接，以實規雷導通。所述第六開孔21 24的形狀不 限，可根據第二開孔2122的形狀選擇。當第二開孔2122 為圓形時，所述第六開孔2124可為—如圖6所示的環形開 孔、兩個如圖7所示的半瓖形開孔、或複數個如圖8所示 的弧形開孔。可理解，當第〉開孔2122為方形時，所述 第六開孔2124可為與方形第；開孔2122的四邊平行的長 條形開孔。本實施例中，所述第二開孔2122為圓形，所 述第六開孔2124為四個園鍊第二播孔2122的弧形開孔’ 且相鄰兩個第六開孔2124之間的部分為連接部2127。所 述第六開孔2124的内徑大於等於所述陰極發射層216的外 徑，所述第六開孔2124的外狡小於等於所述第四開孔 2182的孔徑。優選地’所述第六開孔2124的内徑等於所 述陰極發射層216的外徑，所述第六開孔2124的外徑等於 所述第四開孔2182的孔徭。奸理解，所述第六開孔2124 可使得柵極電極208的電場從第六開轧2124滲透到所述陰 極發射層216的表面，從而提高陰極發射層216的電子發 射效率。 [0030]進一步，所述第一絕緣層21〇還可定義一個或複數個與第 六開孔2124對應的第七開孔21〇4。所述第七開孔21〇4將 第一開孔2102基本環繞。所述柵極電極208對應該第七開 孔21〇4與第六開孔2124的位置的部分表面暴露從而使 得使陰極發射層216發射的向柵極電極2〇8方向運動的少 數電子達到柵極電極2〇8，並通過棚極電極2〇8導走。 099145133 表單編號A0101 第16頁/共33頁 0992077859-0 201227787 [0031] Ο [0032] [0033] 所述場發射顯示器邮有 緣層設置有—敏— 優點.第一，所述第一絕 第—開孔’所述陰極電 孔，所述第1孔與第二開 I 所述栅極料對應朗孔位「置且相互連通，使 射層僅設置於所述陰、表面暴露，所述陰極發 面，故，柵極電極的電h 述第二開孔位置的表 透到陰極魏層表面，π柄陰極電極㈣二開孔參 從 以使％形陰極發射層發射電子， 的二岣勻的圓形像素點。而且陰極發射層發射 極電極方向運動的電子可達到柵極電極二 Γ=極導走，._第-絕緣層表面積累電 何’影響拇極電極的電場分佈。第二，通過在第一開孔 内的栅極電極表㈣置二讀子發料，可提高場發射 陰極裝置的電子發射效率。第三，所述陰極電極定義一 個或複數個環繞第二開孔的第六開孔’使得栅極電極的 電場從第六開孔參透到所述陰極發射層的表面，從而提 尚陰極發射層的電子發射效率。 I 综上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提 出專利申請。，隹，以上所述者僅為本發明之較佳實施例 ’自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化， 皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明第一實施例提供的場發射顯示器的像素單元 的結構示意圖。 [0034] 圖2為本發明第一實施例提供的場發射顯示器的陰極發射 099145133 表單編號Α0101 第Π頁/共33頁 0992077859-0 201227787 層與陰極電極的位置關係示意圖。 [0035] 圖3為本發明第一實施例提供的場發射顯示器的立體結構 示意圖。 [0036] 圖4為本發明第一實施例提供的場發射顯示器的顯示效果 示意圖。 [0037] 圖5為本發明第二實施例提供的場發射顯示器的像素單元 的結構示意圖。 [0038] 圖6至8為本發明第二實施例提供的場發射顯示器的陰極 電極的結構不意圖。 [0039] 圖9為先前技術中的場發射顯示器的結構示意圖。 [0040] 圖10為先前技術中的場發射顯示器的顯示效果示意圖。 【主要元件符號說明】 [0041] 場發射顯示器：10，20 [0042] 場發射陰極裝置：100，200 [0043] 陽極基板：102，202 [0044] 陰極基板：104，204 [0045] 真空空間：106，206 [0046] 柵極電極：108，208 [0047] 第一絕緣層：110，210 [0048] 第一開孔：11 0 2, 2 1 0 2 [0049] 陰極電極：112，212 099145133 表單編號A0101 第18頁/共33頁 0992077859-0 201227787
[0050] 第二開孔：1122, 2122 [0051] 第二絕緣層：114，214 [0052] 第五開孔：1142 [0053] 陰極發射層：116，216 [0054] 第三開孔：1162 [0055] 聚焦電極：118， 218 [0056] 第四開孔：1182, 2182 [0057] 陽極電極.12 0， 220 [0058] 螢光粉層：122， 222 [0059] 電子束：124 [0060] 二次電子發射層： 126 [0061] 第七開孔：2104 [0062] 第六開孔：2124 [0063] 第二部分：2126 [0064] 連接部：2127 [0065] 第一部分：2128 [0066] 場發射顯示器：30 [0067] 上基板：302 [0068] 下基板：304 099145133 表單編號A0101 第19頁/共33頁 0992077859-0 201227787 [0069] 真空空間：306 [0070] 柵極層：3 08 [0071] 隔離層：310 [0072] 陰極層：312 [0073] 電子發射層：316 [0074] 陽極層：320 [0075] 螢光層：322 [0076] 電子：324 0992077859-0 099145133 表單編號A0101 第20頁/共33頁