TW201203442A - Support structures for various apparatuses including opto-electrical apparatuses - Google Patents

Description

201203442 六、發明說明： 本申請案主張享有2010年1月22曰提出申請的、標 題名稱為「Laminated Metallic Support Films For Epitaxial Lift Off Stacks」的臨時申請案第61/297,692號（代理人案 號ALTA/0022L)以及2010年1月22曰提出申請的、標題 名稱為「Methods For Forming Epitaxial Lift Off stacks Containing Laminated Metallic Support Films」的臨時申請 案第61/297,702號（代理人案號ALTA/0022L02)的權益及 優先權’且該等兩個臨時申請案以引用之方式併入本文。 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大致係關於各種設備（例如，包含光 伏打、光電、光學、半導體、電子薄膜裝置等）之製造及 用途，且更特定έ之，係關於在一些實施例中與設備相關 之支撐結構的設置及製造。 【先前技術】 各種裝置及電路常用於若干應用中以獲得有利的結 果。可在各種活動（例如’發電、資訊處理、通訊等）中 使用裝置及電路以提高生產力並降低成本Q該等裝置（例 如’包含光伏打裝置、太陽能轉換裝置、光電裝置、太陽 4 201203442 能電池裝置、光學裝置、光子裝置、機械裝置 膜裝置、其他薄膜裝置等等)可包含薄膜或層 “並使用該等薄膜裝置可為非常的複雜和麻煩。 件可能難以製造及操作因為通常該等薄膜易 产；V、具有窄尺寸。該等製程及在製造之後使用的環 境可能對於薄膜裝置之相對易損特徵及特徵結構而： 且為有害的。該等薄膜對於實體損害可能非常敏残 置二i?非常小的力的作用下會破裂並折斷等)。薄膜裝 得發：二目：易碎的組件或在結構損壞或機械失效之前不 或任何變形的特徵。料失效可有害地影響生 產良率絲響薄餘件之料❹ 曰生 【發明内容】 本實施例大致係關於一豨田 m A 膜組件的支撑結構， 以及一種用於製造該等支撐結構 —π此A A J/去。在—實施例中， 叹備匕3具有裝置之部分的一裝 裝置結構之一支樓結構；：結構；以及輕接於該 夕杜/ z、中~支撐結構輔助該裝置结構 件：支構可包含―置結構之-金屬組 干 該支揮結構可包令k? M 耦接於該金屬組件之一非金屬麯 牛。該支撐組件可輔助該裝置έ士構 、” 整性。，…姓Λ衷置、:“冓之結構完整性及機械完 整丨生。该支撐組件可輔助該裝置結 ^ , , α 丹^"功月b操作。在一實 •中’該金屬組件包含金屬材料之至 tk A ? 7 1固層。在一實 料等)Γ 組件包含非金屬㈣（例如，聚合物材 相對二在一示例性實施例中，該金屬組件 相對於該裝置結構可具有較大的剛 付做’並且該非金屬 201203442 組件相對於該金屬層組件可具有較大的撓性特徵。該支撐 / 結構可經設置以將光朝向該裝置結構反射。該支撐結構亦 可經設置以從該裝置結構進行導電。 【實施方式】 現將詳細參考本發明之呈現的較佳實施例，該等較佳 實施例之實例圖示於附圖申。將結合該等實施例來描述本 發明，應理解此舉並非意欲將本發明限制於該等實施例。 相反地’本發明意欲覆蓋替代方案、修改及等效方案，該 等方案可包含於附加中請專利範圍之精神内。&外，在下 文之詳細描述中’ ^了對一般技藝者提供理解，而會闡述 許夕特疋細即。然而，一般技藝者將理解，本發明可在不 具有特=細節的情況下實現。在—些實例中，其他實施例、 方法、程序、組件及電路未詳細描述，以避免不必要地模 糊本發明。 寺抱述之許多f施例大致係關力支樓肖各種設備 (例如，包含光伏打褒置、太陽能轉換裝置、太陽能電池 U罢先電裝置、光學裝置、光子裝置'機械裝置、半導 專膜裝置、其他薄膜裝置等等）相關的結構。 一種設備可包含一_ 裝置、，、。構及經設置以輔助該裝 特徵的一支撐钟椹。兮壯岑X展直…構之 。 h裝置結構及支撐結構可以層形式設 g 〇 構可經由各種方式輔助（例如，添加、 增強 '支援、增加等）裝置 一去擋姓Μ τ 置之特徵（例如，功能、特徵等）。 支沒、構可添加並 — 如，減少破Θ齡Μ g強、1構兀整性及機械完整性（例 如減V破裂、斷裂的敏成 攻注寺）同時亦支援功能操作（例 6 201203442 反射；改良導熱性；建立組件之間的電氣連接性等）。該支 撐結構亦可用於促進抓取並保持一薄膜裝置結構（例:， 其用於對準等）。應瞭解，該等裝置結構及支#結構可包含 各種設置mt·生實補t，該裝置結射包含一薄 膜層。在-實施例巾，該支撐結構τ包含至少—個：屬層。 在-實施例中，該支撐結構可包含至少—個非金屬層(曰例 如，聚合的、共聚合的及低聚合的層等）。在一實施例中， 一支撐結構可包含至少一個金屬層及至少一個非金屬層兩 者。將於下文描述中呈現關於包含支撐結構之設備之^施 例的附加資訊。 以下敘述將在與具有支樓結構之蟲晶分離（Epitaxial lift off，ELO)薄膜裝置相關之許多實例中解釋並解釋用 於形成該等裝置及支撐結構之方法。應瞭解，本發明不應 限制於該等實施例中’且可用於其他各種設置及應用。在 一些貫施例中，該等支撐結構及方法可與電子裝置、光電 裝置或光學裝置相關聯。亦應瞭解，諸如包括、包含、含 有等術語為包含性的且為非限制性的，並且不排除附加元 素或處理操作’不管是否進行敍述。 第1A圖為根據本發明之一實施例，藉由犧牲層1〇4 附著於生長基板102之設備100的一部分的方塊圖。設備 100包含支撐結構128及裝置結構106。應瞭解，支撐結構 128可辅助設備1〇〇之各種特徵。支撐結構128可輔助裝 置結構之結構完整性及機械完整性（例如，增強以避免或 抵抗與裂紋延伸、操作應力 '彎曲半徑、彎曲力等有關的 不良影響的能力）。支撐結構丨28亦可辅助裝置結構之功能 2 201203442 操作（例如，將光朝向裝置結構i〇6反射，從裝置結構ι〇6 導熱’從裝置結構ί〇6導電等）(J亦應瞭解，支撐結構 可包含各種設置。 第1B圖為根據本發明之一實施例，在設備1〇"的支 撐結構128包含一金屬組件12〇及一非金屬組彳124的設 備uo的方塊圖。支撑結才冓128亦可包含介於金屬纽件12〇 與非金屬組件124之間的黏著劑成份122。金屬組件— 可包含金屬材料（例如，銀、錄、铜、錄銅合金、钥、鶴、 始、鐵、鐘、其合金、其衍生物及其組合等）之一或多個 層且非金屬组件！24可包含非金屬材料（例如，聚合物材 料、共聚合物材料 '低聚合物材料、聚對苯二甲酸乙土酯 聚酯、聚萘二酸乙二酯、聚醯亞胺，及其衍生物等）之一 或多個層。包含支撐結構之設備之形成及利用將於下文中 進行進一步描述。 在一實施例中，薄膜包含於裝置結構1〇6中。在裝置 ㈣(例如’ f曲 '拉緊、壓、扭曲等）可感應 裝置結構内部之應力。當未與支撐結# 128耦接時，裝置 結構抵抗與所施加力相關之不良影響（例如，變形失效、 誘發失效的破裂等）的能力源於裝置結構1〇6自身之強 度。單獨地，裝置結構106可為易碎的及脆性的，且在沒 有支撐結帛128支撐的情況下易破裂及斷裂。當裝置結構 1〇6福接於A撑結冑m時，支#結構128可支㈣置結 構1 06並辅助靜態完整性及機械完整性。 “支標結構之剛性水平可為重要㈣質。儘1軟的支撐 薄膜（例如’壤薄膜）可將壓應力提供於⑽薄膜，但是 201203442 教的支撐薄膜自身可在薄臈應力 變形且產生比硬的支樓薄膜（例：作用/產生較大的局部 大的外力。例如，波形表面可::：堅硬的薄幻較 力鬆他管道，同時週期裂紋表面可:：： ：薄膜提供應 力鬆弛。在較強的屋縮力下，助薄膜甚至可 -曰起皺。當支撐薄膜為軟的時，抵抗表 能源損失幾乎沒有。另外，對:U應良的 ^ 'i m -Τ m ZJ. 、D疋的外力而έ，軟的支 ^ 應變。若任何局部應變超過臨界點， = EL〇薄膜會破裂。一旦EL〇薄膜破裂，使用軟的支 ㈣㈣破裂可更易於蔓延’因為軟的支樓薄膜允許較大 的變形。而剛性支禮薄膜不會容易遭受該等問題，剛性支 樓薄膜其自身可能不會具有足夠的屈服強度及撓性來避免 斷裂（例如，正對其操作時等）。本發明支樓結構（例如， 至少-個金屬層、至少一個非金屬層、金屬層與非金屬兩 者）之各種可能的設置使得能夠實現剛性特徵及撓性特徵 從而促進克服許多此類問題。 應瞭解，支撐結構128之相對剛性及挽性可幫助輔助 設備100各種特徵。支標結構128 1剛性/撓性可輔助裝置 結構106中之抗裂紋蔓延能力。支撐結構128彳包含藉由 將壓應力引人裝置結構1G6來辅助靜態完整性及機械完整 性的相對可撓的特徵。通常因為裂紋不易於經由殘餘壓應 力之區域乂延’所以可能發生裂紋蔓延的傾向可能會減 y在具施例中，支樓結構12 8輔助了「平坦薄膜」條 件下之壓縮力。此舉可藉由係數熱膨脹（Coefficient thermal expansion; CTE)失配而實現或藉由金屬支撐組件ι2〇與非 201203442 金屬支撐組件124之組人裎也 ^ 樓結構128可包含藉由;丨 發沈積應力而實現。支 機赫士敕料认.^ 入張力公差來辅助靜態完整性及 ± ^ , y 了措由包含相對剛性或剛性 叉葆材科（例如，諸如厶厘 ^ ^ ^ ^ 金屬支撐組件120等）及相對可撓 或柔軟的支撐材料（例 ^ ^ 老如非金屬組件124等）之一 者或兩者來控制立措葰描 林之右之剛性/撓性。可包含支樓組 有關材料之附加資訊將包含於下文的描述令。 用及膜製程可作為設傷_之形成製程之-部分使 =作與生長基板102分離。在如第⑺圖所示之一示例 性貝施例中，將裝置結構1〇 及犧牲層104包含於el〇薄 膜堆疊108中，並可移除播扭恳1r^ 版X 移除犧牲層104以使得生長基板102 與設備100分離。 弟1C圖為根據本發明之一膏尬彳丨 實施例之正與生長基板102 /刀離過程中之設備丨00的—部 J丨刀的方塊圖。在一實施例 中’ 5又備1 〇 〇 (例如，自合梦罢&士姐，Λ 從、 匕3裝置結構106及支撐結構128 等）之一部分從生長基板i 〇2「剝落 „ „ 訇洛」，從而在其間形成蝕 刻裂缝直至犧牲層104被蝕去及設備1〇〇之部分盘生長基 板㈤分離。支撐結構128在助製程期間可輔助（例如土， 添加、增強、援助、增加等）結構完整性及機械完整性。 最終，完全地或大致完全地移除犧牲層1〇4，並且設備1〇〇 與生長基板1〇2分離。第10圖為根據本發明之一實施例之 已與生長基板102分離之設備100的一邱 J 。丨s伤的方塊圖。該 钱刻製程可包含在促進設備⑽與生長基板1〇2分離之钮 刻製程期間之設備1 00上力的引入及作用。 ' EL〇製裎具有許多階段或步驟以及在每—個階段期間 10 201203442 待考慮的問題。ELO之兩個相當不同的階段包含底切蝕刻 及最後分離。儘管該兩個階段有所關聯，但是該兩個階段 仍具有非常不同的問題及臨界參數。在底切蝕刻階段中， 主要的問題為薄膜破裂及蝕刻率。在該階段之薄膜破裂為 壓應力控制的主要問題，而蝕刻率主要與曲率半徑、剝落 張力、蝕刻化學及溫度有關。在最後分離階段中，主要問 題為ELO薄膜破裂或與生長基板或底層的再次黏令。影響 品質之主要參數包含薄膜生長基板壓力、剪切力' 支撐操 y薄膜剛性及中心臺面間隙（若有）的設置。在該兩個階 4又中ELO製程之基本約束為EL〇薄膜的破裂，該約束限 制曲率半控、剝落張力及分離條件。 支撐結構i28可在ELO製程（例如，在設備1〇〇與生 長基板102分離期間，操作設備1〇〇等）期間支援裝置結 構106之穩定並促進降低不良的影響（例如，與破裂延伸、 操作張力、彎曲半徑、彎曲力等相關）。金屬組件12〇可防 止裝置結構106中之可能的破裂沿著裝置結構1〇6之整個 長度分離。因此，藉由橫向位移限制破裂延伸所致的應力 鬆弛量，該横向位移係由裝置結構1〇6之厚度限制。對於 較薄之ELO薄膜而言應力#他亦較少，因&匕限制破裂蔓延 的驅動力。 為避免在ELO蝕刻期間破裂，裝置結構1〇6可藉由支 撐結構128保持受壓縮。在EL0期間為了維持在捲^裝置 結構中之壓縮，支樓結構128在平坦薄膜條件下提供壓 縮。其可藉由係數熱膨脹失配或藉由誘發沈積應力而實 現，該誘發沈積應力係由金屬組件12〇及非金屬組件124 201203442 之‘·且S而提供。支撐結構1 2 8可處於於張力之下，同時裝 置結構106處於壓力之下。 乂 在裝置結構106與生長基板1〇2之最後分離期間，僅 在分離之前歸因於生長基板1〇2中之殘餘附著區域的高度 集中應力，將會有破裂的傾向。支撐結構丨28可限制處於 外應力下之裝置結構1 06的應變。除了支撐結構【Μ之特 殊成分及厚度，最後壓力、剪切力及曲率半徑亦為影響 蝕刻製程期間之最後分離的參數。 對於任何給定的最後分離條件而言，存在殘餘附著區 域之破裂尺寸，低於該尺寸時薄膜便可破裂。成功的最後 分離之目標係發現以下條件：破裂尺寸為零，或者破裂尺 寸充分最小化以完全包含於磊晶薄膜臺面之最後間隙中， 從而使得最後分離破裂不會延伸入裝置結構1〇6之有效部 分。在後者條件中，最後間隙容納最後破裂之破裂尺寸及 最後破裂位置之變化性兩者，該最後破裂位置可來自於最 後間隙與ELO配置之間的蝕刻率不均勻性或對齊 (Registration)誤差。支撐結構128可促進與裝置組件1〇6 相關之最後間隙的容納，以使得降低最後分離破裂之傾向。 在許多實例中，最後壓力將在最後分離中發揮著重要 作用，且最後壓力越為負，則破裂尺寸越大。考慮到該因 素，因而在最後分離期間在裝置結構1〇6與生長基板1〇2 之間更傾向於正壓力。然而，若壓力過於為正，則在底切 完成之後可能存在薄膜基板再次黏合之風險，或者若過多 壓力導致勿離裝置結構106之局部過度扁平，則甚至合出 現不完全底切’從而使得局部曲率不充分。因此，存在藉 12 201203442 由低侧面或負側面中之破裂及藉由高側面或正側面中之再 . 次黏合或不完全底切所限制的最後壓力的製程窗口。傾斜 壓力隨時間變化的關係可藉由降低不完全底切及再次黏合 之概率來提供較寬的製程窗口，同時提供較大壓力以防止 其在底切完成之前破裂。支撐結構128可促進控制最後壓 力或補償最後壓力，並且亦能實現傾斜壓力隨時間變化的 關係。 此外，較薄的支撐結構128導致張應力累積變少。當 將支撐結構128層壓於承載帶上時，全部貼合之厚度將大 大增加，張應力亦因曲率而將如此。可能有兩種方法解決 該問題。方法一為在蝕刻條件下使用可塑性變形之黏著物 (例如，黏著層122等），以藉由允許支撐薄膜i 28與非金 屬組件124之間的相對滑動來減輕應力累積。另一方法為 使用包含比非金屬組件124剛性強的金屬組件12〇的支撐 薄膜128，以便克服非金屬組件1Μ的應力。 第1E圖為根據本發明之—實施例之薄膜設備製造方 法1000的流程圖。可實施薄膜設備製造方法1〇〇〇以形成 各種設備設置（例如，包含設備1〇〇、設備24〇、設備34〇、 設備500等）。 在方塊1100中，將犧牲層添加至生長基板上。在—實 施例中，生長基板可為晶圓。生長基板1〇2可包含各種材 料。生長基板材料可為緊密晶格匹配或具有與生長材料相 似的晶格常數。在—實施例中，材料可包含第III族/第V • 族7^素之半導體材料，且可摻雜其他元素。在一實施例中， 生長基板102包含砷化鎵、摻雜的砷化鎵、砷化鎵合金、 13 201203442 靖化銦紹鎵合金、磷化銦鋁合金、磷化銦鎵合金、其他第 III族/第V族元素之半導體材料、鍺、具有相似晶格常數 之材料及其衍生物等。犧牲層可包含砷化鋁、鎵鋁砷、其 街生物、其合金或其組合。在某些實例中，生長基板1 〇2 為神化嫁晶圓。犧牲層可直接耦接至生長基板或間接耦接 至生長基板。可直接在生長基板上或間接在生長基板上添 加犧牲層。在一實施例中，在生長基板與犧牲層之間可能 有一中介層（例如，緩衝劑等）。 在方塊1200中，將裝置結構沈積於犧牲層 構可包含薄膜裝置層。薄膜裝置層可包含形成於犧牲層上 之磊晶生長層，該犧牲層在生長基板1〇2上或在生長基板 102上安置。薄膜裝置層可為包含第ΙΠ族/第v族磊晶生 長材料之複數個層。在一實施例中，將薄膜裝置層用作光 伏打裝置或太陽能電池或另一個裝置。I置結構可直接麵 接於犧牲層或間㈣接於犧牲層。裝置結構可直接添加在 犧牲層上或間接添加在犧牲層上。在—實施例中，在裝置 結構與犧牲層之間可能有中介層。 在方鬼1300中，執行支撐結構形成製程以在薄膜 二上^成支掉結構4 —實施財，將支樓料128^置 ^明材料之與生長基板相對的對面。支撐結構可包含一 構=層可包含支撐薄膜。支樓結構可直接輕接 添力:至：置裝置結構上，結構可直接 裒置，、、。構，或直接在裝置結 置結構上添加。在一 ―& &間接在裝 間η + “ 裝置結構與支撐結構之 b ;1層。下文將描述關於支撐結構形成製程之附 201203442 加資訊。 ,在方塊剛中’移除犧牲層。在—實施例中，在ELO =程：間移除或蝕去犧牲層’從而使設備與生長基板脫離 或/刀離。在-示例性實施例中，在钱刻製程期間在裝置结 構106與生長基板102之間形成敍刻裂縫， =行，錢長度及角度持續增大，與此同時將犧牲= =牲層104移除。該钱刻製程亦可包含在㈣製程期間 二備⑽上之力的引入及作用’以將設備100與 102分離。在一實施例中，作為钱刻製程之-部分，裝置 結構之至少一部分從生長基板剝落。 通常’犧牲層非常薄且常常會被蝕去“列如，經由濕 ’化學製程、氣態的化學製程、電漿化學製程等）。可藉由 不輸送反應物或*將其暴露於Μ刻前緣來限制全部製程之 速度’從而導致較少地移除祕刻前緣t之副產物。該指 、:製程為局部擴散限制製程且若薄膜維持於沈積的幾何形 :::則將形成非常狹窄且長的開口以嚴格限制該製程： P速度。爲了減輕擴散製程之運輸約束，打開由飯去或 :除犧牲層及藉由彎曲磊晶層以遠離生長基板而建立的所 件間隙可能會有益處。在磊晶層與生長基板 y 何形狀對朝向蝕刻前緣及遠離蝕刻前緣之兩種 情形皆提供較大的物質運輸。當裝置結構彎曲或剝離時， '物朝向餘刻前緣移動，而通常副產物遠離#刻前緣移 動而，裝置結構或磊晶層處於張應力下，同時彎曲磊 晶層以遠離4· 1 長基板’因為蠢晶層位於裂縫之曲率的外 面張應力限制裂縫曲率量且降低蝕刻製程之速度。爲了 15 201203442 克服該限制，在蝕去犧牲層之前可 餘麼應力施加於蟲晶層内部 二撐結構128將殘 引起的張應力且因此允許分離力可抵消由彎曲 量，促進較快餘刻率。 1程期間具有較大的彎曲 ⑽底切㈣率通常為至少四個參數的函數――钱刻 化于、蝕刻條件（溫度和堡力）、 乂 ^ 4ιί 各 刀^裂縫之局部曲率半徑及局 口ρ剝洛張力。在一些實施例中， n、s〆显# 犧牲層104在蝕刻製程期 間通㊉暴路於濕蝕刻溶液中。在一 可包含氫氟酸，且可進一步二溶液 / v匕3添加劑（例如，表面活化 劑、抑製劑等)。剝落張力為曲率之函數，同時亦 ==件124之厚度及彈性的函數。•由在濕㈣槽 擴放來限制㈣率，該㈣率與㈣半徑之平方根成反 比’且反應速率取決於蝕刻化學'蝕刻條件以及剝落張力。 支樓結構128中之金屬組件12〇及非金屬組件124之設置 促進有利的曲率半徑及增加餘刻率之控制的剝落張力的實 現。應瞭解’可利用本發明支樓結構以促進姓刻率之控制 來實現各種蝕刻率（例如，犧牲層104可以約〇3 mm/hr、 約5mm/hr、約50mm/hr的速率、在該等值之間的速率及 大於50 mm/hr的速率等蝕刻）。 第1F圖為根據本發明之一實施例之支撐結構形成製 程1500的方塊圖。在—實施例中，支撐結構形成製程Η⑹ 可用於薄膜設備製造方法1〇〇〇中之方塊13〇〇。 在方塊1510中，形成耦接於薄膜裝置層之至少一個金 屬層。應瞭解’可形成大於一個的金屬層。在—實施例中' 金屬組件120可在裝置結構1〇6上在裝置結構1〇6上來安 201203442 置或形成。在一些實施例中，金屬組件1 2 0可直接安置於 裝置結構106中。在其他實施例中，金屬組件丨2〇可安置 於反射層及/或隔離層上--其介於金屬組件120與裝置結 構106之間安置。金屬組件丨2〇可包含相同金屬或不同金 屬之單層或多層。金屬組件120之每一個含金屬層可將金 屬沈積於底層或在底層鍍上金屬，或可作為焊料、金屬帶' 金屬箔、金屬薄膜、金屬片、金屬條、金屬板或其組合安 置於其上。金屬組件120可包含選自鎳、鎳合金、銅、銅 合金、鎮銅合金、Ni-Cu合金（蒙乃爾⑧合金）、Ni/Cu/Ni 貼合、Νι-Ρ (較少電子）、鈷、鈷合金、鎳鈷合金、鐵鎳鈷 合金、Fe-Ni-Co合金（柯伐⑧合金）' 鎳鉬合金 '鎳鉬合金 (哈斯特洛®B2合金）、鉬鈦合金、M〇_Ti合金（TZM⑧合 金）、鉬、鎢、鈦、豸、銀、金、鈀、鉑、鐵、錳、銼、鉛 錫合金、銀錫合金、錫、鉛、其合金或其組合中之至少一 種金屬。應瞭解，可藉由各種製帛（例如’物理氣相沈積 (physical vapor deposition ; PVD)、（例如，喷鍍、蒸發等）、 化學氣相沈積、電化學（例如，電鍍、浸鍍等）、金屬黏結 等）形成金屬組件。金屬組件可直接耦接於裝置結構上或° 間接輕接於裝置結冑上。金屬組件可直#添加至裝置结 構，或直接在裝置結構上添加，或間接在裝置結構上添加: 在-實施例中’在金屬組件與支樓裝置結構之間可能有 介層。 在方塊1520中，可經由金屬層形成可選的點著層。庫 瞭解’可形成大於一個的黏著層。在-實例中，黏著h 含廢感黏著劑（Pressure sensitive adhesive; psA)，諸如^ 17 201203442 酸PSA貼合。在另一實例中，黏著層包含乙烯-乙酸乙烯酯 共聚物。黏著組件可直接耦接至金屬組件或間接耦接至金 屬組件。黏著組件可直接在金屬組件上添加或間接在金屬 組件上添加。在一實施例中，可能有中介層。在一實施例 中，可包含額外的中間層或底層以促進黏著。在一示例性 實施例中，底層耦接於非金屬層。 在方塊1530中，形成耦接於金屬層之至少一個非金屬 層應瞭解，可形成大於一個的非金屬層。非金屬層可直 接耦接於金屬層或非金屬層可間接耦接於金屬層（例如， 藉由中介層、黏著層等）。在一實施例中，非金屬組件 可在金屬組件120上或在金屬組件12〇上直接或間接地安 置或形成。非金屬層可包含至少一個貼合支撐層。貼合支 撐層或撓性支撐層可包含聚合物材料、共聚合物材料：低 聚合物材料。例如’貼合支撐層可包含聚對苯二曱酸乙二 醇醋聚酯、聚萘二曱酸乙二醇醋、聚醯亞胺或其衍生物。 應瞭解’非金屬支撐組件可具有各種設置（例如，元素、 厚度等）°在—實施例中，貼合支樓層可具有約25帥至約 之範圍的厚度。在另—實施例中，貼合支擇層可且 有約㈣至約150_之範圍的厚度。貼合支撐層可安置 於=者層上或直接安置於金屬支撑層i，其中貼合支撑層 =聚：物材料、共聚合物材料或低聚合物材料，諸如聚 對本一甲酸乙二醇酯聚酯、聚莘二 胺或其衍生物。在—此奋“、聚醯亞 在些只鉍例中，安置於金屬支撐芦上或 在金屬支樓層上安置之貼" 貼°支撐層包含安置於至少-個黏 者層上或在至少一個黏著層上安置的至少一個撓性支撲 201203442 應瞭解，可形成可選的額外組件或層。例如，可形成 至少-個反射層組件或層。可形成至少—個隔離層。可形 成至少-個介質層。在一實施例中，在金屬組件盘裝置社 構之間形成介電。第3C圖為根據本發明之—實施例之且有 介電結構之一示例性設帛500的方塊圖。在裝置結構I 與金屬組件120之間形成介電結構15〇。可圖案化（例如， 有孔、穿孔等）介電以使得能夠與金屬組件中之金屬層電 連接。可能有遠離先前形成之金屬組件之形成於非金屬組 件之側面的額外的互連或腐餘覆蓋層。在一實施例中，在 金屬組件之金屬次層t可能有非金屬次層。在一實施例 中，在非金屬組件之非金屬次層中可能有金屬次層。亦應 瞭解’可組織金屬組件及非金屬組件。 “ 應瞭解’具有支撐結構之設備可具有各種設置。第2A 圖描繪包含安置於生長基板102之EL〇薄膜堆疊1〇8的基 板200，其類似於本文描述的另一實施例。第2a圖進一步 描繪女置於裝置結構1 〇6或在裝置結構丨〇6上安置之支撐 結構228。支撐結構228可包含直接安置於金屬組件12〇 上之非金屬組件124--此為在沒有黏著層的情況下。在某 些貫例中，非金屬組件1 24可包含形成、沈積或以另外方 式地直接黏著於金屬組件丨2〇上之撓性支撐層。非金屬組 件124可溶解於金屬組件12〇，用熱處理方法黏著於或施 壓於金屬組件12〇。非金屬組件丨24可經化學處理、固化 或黏結於金屬組件120上。 在一實施例中，薄膜堆疊材料安置於基板（諸如，生 19 201203442 長基板102)上且薄膜堆疊材料包含安置於生長基板⑽ 上之犧牲層1〇4、安置於犧牲層1〇4上之裝置結構_及 上或«置結構⑽上安置的支禮結 構228。支撐結構228包含安置於金屬組#…上或在金 屬組件120上安置之非金屬組件124。支撐結構228提供 抗破裂蔓延、抗操作張力、抗彎曲半徑及抗彎曲力的性能。 支撐結構228可處於張力下’同時裝置結構ι〇6處於壓力 下。在钮刻製程期間，EL〇製程包含移除犧牲I ι〇4，同 時將裝置結構106從生長基& 1〇2剝落並在其間形成餘刻 裂縫直至裝置結構1〇6及支撐結構或薄膜228從生長基板 102移除。 第2B圖描繪根據本文描述之實施例之在EL〇製程期 間支撐的磊晶薄膜堆疊設備24〇從生長基板1〇2剝離或以 與生長基板102分離。 第3A圖描繪包含安置於生長基板1〇2上之EL〇薄膜 堆疊108的基板300，其類似於本文描述的另一實施例。 ELO薄膜堆疊1〇8可具有安置於犧牲層1〇4上或在犧牲層 104上安置之裝置結構1〇6,犧牲層1〇4安置於生長基板 102上或在生長基板1〇2上安置。在一些實施例中，反射 層110可安置於裝置結構1〇6上或在裝置結構1〇6上安 置。反射層110可為單層或包含多層。反射層11〇可包含 至少一個金屬’諸如銀、銅、銘、金、錄、其合金，或其 組合。在一實例中，反射層110包含銀或銀合金。在另一 實例中’反射層110為包含接觸層之金屬。反射層110可 具有各種範圍内之厚度。在第一實施例中，反射層110可 2 20 201203442 具有約0.001 μπι至約10 μη1之厚度。在第二實施例中，反 射層110可具有約0.01 至约01 pm之厚度。在第三實 施例中’反射層110可具有約〇.丨μΓη至約〇 3 μιη的厚度。 在第四實施例中’反射層110可具有約0.2 μιη的厚度。反 射層110可藉由氣相沈積製程（諸如，PVD、噴鍍、電子 束沈積（電子束）' 原子層沈積（Atomic layer deposition; ALD)、化學氣相沈積（chemical vapor deposition; CVD)、 電漿加強原子層沈積（Plasma enhanced at〇mic iayer deposition; PE-ALD)或電漿加強化學氣相沈積（pUsma enhanced chemical vapor deposition; PE-CVD))沈積，或藉 由其他沈積製程（包含噴墨沈積、寫入、蒸發器、電鍍、 較少電子化學沈積（較少電子），或其組合）沈積。 在一些實施例中，隔離層112可安置於反射層11〇上 或在反射層110上安置。隔離層112可為單層或包含多層。 隔離層112可包含至少一個金屬，諸如鎳、銅銀、鎳銅 合金、鎳钴合金、其合金，或其組合。在一實例中，隔離 層112包含鎳或鎳合金。在另一實例中，隔離層丨12包含 鋼或銅合金。在另-實例中，隔離層112包含鎳銅合金。 隔離層H2可具有各種範圍之厚度。在第_實施例中，隔 離層112可具有約〇.01 μιη至約2 μηι之厚度。在第二實施 例中，隔離層m可具有約0.05μπι至約1μιη之厚度。在 第三實施例_ ’隔離層112可具有約〇·1 μΓη至約〇.5 μιη ，厚度。在第四實施例中’隔離層112可具有約。…之 厚度。隔離層112可藉由氣相沈積製程（諸如，pvD、喷 鑛、電子束沈積、ALD、CVD、PE_ ALD或PE cvd )沈積， 21 201203442 或藉由其他沈積製程（包含噴墨沈積、寫入、蒸發器 '電 鍍、較少電子，或其組合）沈積。 在一實施例中，薄膜堆疊材料安置於基板（諸如，生 長基板102)上且薄膜堆疊材料包含安置於生長基板ι〇2 上之犧牲層UM、安置於犧牲層1〇4上之裝置結構1〇6及 安置於裝置結構1〇6上或在裝置結構1〇6上安置的支樓結 構128。支撐結才冓128包含安置於金屬組件12〇上或在金 屬組件丨20上安置之非金屬組件。金屬組件12〇安置 於隔離層U2及/或反射層110上或在隔離層112及/或反射 層110上安置。在一實例中，金屬組件120可直接安置於 隔離層112上。在另一實例中，可省略隔離層112且金屬 、、且件120可直接安置於反射| J J 〇上。在其他實施例中， 可在金屬組件120與非金屬組件124之間或在裝置結構1〇6 與金屬組件120之間安置其他層。例如，第3A圖描繪在金 屬組件120與非金屬組件124之間安置的黏著層122。 在二貫知*例中，支揮結構12 8包含金屬組件12 〇及 非金屬組件124。在其他實施例中，支撐組件128包含金 屬’’且件12〇、黏著層i22及非金屬組件i ^同時反射層 110及隔離層112可提供一些裝置結構1〇6之支撐，厚度反 射層110及隔離層112每一者相對於金屬組件12〇、黏著層 "2或非金屬組件124可為非常薄的。支撐薄冑128提供 抗破裂蔓延、抗操作張力、抗彎曲半徑及抗彎曲力的性能。 支撐薄膜128可處於張力下同時裝置結構106處於壓縮力 下。在钱刻製程期間’ EL〇製程包含移除犧牲1 04，同 時將裝置結構106從生長基板1〇2剝落’並在其間形成蝕 22 201203442 刻裂縫直至裝置結構106及支撐結構128從生長基板ι〇2 移除。同時在一些實施例令反射層110及隔離層112可與 支撐結構12 8分開描述，應瞭解在其他實施例中可認為， 反射層11〇及隔離層112包含於支撐結構128中。亦應瞭 解，支撐結構128 (例如，金屬組件丨2〇、非金屬組件！ 等）之其他組件自身可具有反射及隔離特徵。 第3B圖描繪根據本文描述之實施例在EL◦製程期間 支撐的磊晶薄膜堆疊設備34〇自生長基板1〇2中剝離或與 生長基板102分離。犧牲層丨〇4可在蝕刻製程期間蝕去或 移除，因而使得支撐的磊晶薄膜堆疊34〇與生長基板1〇2 脫離。在蝕刻製程期間，在裝置結構丨〇6與生長基板^ 之間形成蝕刻裂縫，且隨著蝕刻製程進行，裂縫長度及角 度持續增大，與此同時將犧牲材料從犧牲層1〇4移除。最 終，完全或大致完全地移除犧牲層1〇4且支撐的磊晶薄臈 堆疊340與生長基板102分離。在一些實施例中，犧牲層 104在蝕刻製程期間通常暴露於濕蝕刻溶液中。在一實施 例中’濕蝕刻溶液可包含氫氟酸，且可進一步包含添加劑 (例如，表面活化劑 '緩衝劑、抑製劑等）。 應瞭解支撐結構（例如，支撐結構i 2 8 )可包含各種 設置金屬支#層可包含至少—種金屬，諸如銀、錄、飼、 鎳銅口金、翻、鎢、姑、鐵、猛、其合金、其衍生物’或 其組合。金屬支撐層可包含具有相同金屬或不同金屬的單 層或多層。在—實例中，金屬支撐層包含第一鎳層、第二 鎳層及安置於第一鎳層與第二鎳層之間的銅層。在一實施 例中，金屬支撐層可具有約i pm至約5〇 範圍内的厚度。 5 23 201203442 在許多實例中，金屬支撐層包含可含有額外元素之鎳 銅合金。鎳銅合金可進一步包含鐵及/或錳。在某些實例 中，鎳銅合金可進一步包含碳'矽或硫。鎳銅合金可具有 約63%至約75%範圍的鎳濃度含量，較佳地為約65ϋ/。至約 70%之間，具有約28%至約34%的銅濃度含量，較佳地為 約30/。至約32%之間，具有約2%至約3%範圍的鐵濃度含 夏及/或約1%至約3%範圍的錳濃度含量。鎳銅合金亦可具 有約0.1%至約1%範圍的碳濃度含量，具有約〇 1%至約 範圍的矽濃度含量及/或約〇.〇1%至約〇1%範圍的硫濃度 含量。 —在一實例中，金屬組件12〇包含鎳或鎳合金。在另一 貝^】中金屬組件12 〇包含銅或銅合金。在其他實例中， 金屬組件120包含鎳銅合金、鎳鉬合金、鎳鈷合金、鐵鎳 飴。金、钥鈦合金，或其衍生物。在某些實例中，金屬組 件120包含第一鎳層、第二鎳層及安置於第一鎳層與第二 鎳層之間的銅層。 金屬組件120可具有各種範圍内之厚度。在第一實施 例中，金屬組件120可具有約丨μηι至約5〇 _範圍的厚 f。在第二實施例中，金屬組件12〇可具有約5 pm至Μ从^ 视圍的厚度。在第三實施例令，金屬組件120可具有約〇 5 卿至約500 μπι範圍内的厚度。在第四實施例巾，金屬組 =m可具有約i μιη至約3〇〇㈣範圍内的厚度。在第五 :施例中，金屬組件120可具有約！ _至約2〇〇_範圍 内的厚度。在第六實施例中，金屬組件12〇可具有約… 至約⑽μ-冑圍内的厚度。在第七實施例中，金屬植件 24 201203442 12〇可具有約0.5 μιη至約40 μπι範圍内的厚度。在第八實 施例中’金屬組件120可具有約1 μιη至約20 μπι範圍内的 厚度。在第九實施例中，金屬組件1 2〇可具有約1 pm至約 μ m乾圍内的厚度。在第十貫施例中，金屬組件1 2 〇可 具有約5 μπι或約1〇 μπι的厚度。在第十一實施例中，金屬 組件12 0可具有約3 〇 μ m至約1 5 0 μ m範圍内的厚度。在第 十二實施例中’金屬組件120可具有約3〇μιη至約15〇μιη 範圍内的厚度。在第十三實施例中，金屬組件丨可具有 、-.勺40μηι至約Ι20μπι範圍内的厚度。在第十四實施例中， 金屬組件120可具有約6〇 μπι至約1〇〇 μΓη範圍内的厚度。 金屬組件120之每一個含金屬層可藉由氣相沈積製程（諸 如 PVD 喷鑛、電子束、ALD、CVD、PE-ALD 或 PE-CVD) 獨立地沈積’或藉由其他沈積製程（包含蒸發器、電鍍、 較少電子’或其組合）沈積。 在某些貫例中，金屬組件12〇包含鎳銅合金。鎳銅合 金可包含除鎳及銅之外的額外元素，諸如鐵、錳、鉻、銀、 碳、矽或硫。在某些實例中，鎳鋼合金可進一步包含鐵及/ 或錳。在其他實例中，鎳銅合金可進一步包含碳、矽或硫。 鎳銅合金可具有約63%至約75%範圍的鎳濃度含量，較佳 地約65%至@ 7G%之間。在某些實例中，錄銅合金可具有 約28%至約34%範圍的銅濃度含量，較佳地約3〇%至約32% 之間。鎳銅合金可具有約2%至約3%範圍的鐵濃度含量。 錄銅合金可具有約1%至約3%範圍的錳濃度含量。鎳銅合 金可具有約0.1%至約丨％範圍的碳濃度含量。鎳銅合金可 具有約0.1%至約1%範圍的矽濃度含量。鎳鋼合金可具有 25 201203442 約0.01%至約0.1%範圍的硫濃度含量。 在一些實施例中，金屬組件120包含彼此堆疊或在彼 此上形成的多[在某些實例中，金屬組件120包含至少 一個鎳層及至少一個鋼層。在—實例中，金屬組件120包 含安置於包含鎳之較低層與包含鎳之上層之間的至少一個 銅層β 在另一實施例中，金屬組件120可包含鐵合金，諸如 鐵鎳鈷合金。在一實例中，鐵鎳鈷合金可為市售的合金， 諸如柯伐®合金。鐵鎳鈷合金包含鐵、鎳、鈷，且亦可包 含諸如錳、矽或碳元素之至少一個元素。在一實例中，鐵 鎳鈷合金包含高達約29%的鎳、高達約17%的鈷、高達約 〇_30%的錳、高達約0·20%的矽、高達約〇 〇2%的碳以及 剩餘含量為鐵。在某些實例中，鐵鎳鈷合金可具有鐵濃度 範圍在約45%至約70%内，較佳地約55%至約6〇%，以及 高達約29%的鎳、高達約17%的鈷、高達約〇3〇%的錳、 高達約0.20%的矽及高達約0.02%的碳。 在另一實施例中，金屬組件120可包含鎳銅合金。在 多個實例中’鎳銅合金可為市售的合金，諸如蒙乃爾⑧4〇〇 或404合金（UNS Ν04400 鎳銅金包含鎳、銅，且亦可 包含諸如鉄、锰、破、石夕或硫元素之至少一個元素。在某 些實例中，錄銅合金可具有約5 5 %至約7 5 %範圍内的鎳濃 度含量（例如，約66.5%)，約20%至約40%範圍内的銅濃 度含量（例如’約31。/0) ’約0.5%至約5%範圍内的鐵濃度 含量（例如’約2.5%)，約0.5%至約5%範圍内的錳濃度含 量（例如’約2% )’碳濃度含量小於1% (例如，約〇 3% )， 26 201203442 矽濃度含量小於1% (例如，約〇·5% )及/或硫濃度小於1% (例如，約0.02% )。在一實例中，鎳銅合金包含元素含量 如下：鎳（約65%至約70%) '銅（約20%至約29%)、鐵 (高達約5°/。）及猛（高達約5% )。在另一實例中，鎳銅合 金包含元素含量如下：鎳（約63%至約75%)、銅（約28% 至約34%)、鐵（高達約2.5%)、錳（高達約2%)、碳（高 達約0.3% )、石夕（南達約0.5%)及硫（高達約〇 〇2%)。 在另一實施例中，金屬組件120可包含鎳鉬合金。在 實例中，鎳翻合金可為市售的合金’諸如哈斯特洛⑧B_2 合金。鎳鉬合金包含鎳及鉬且亦可包含諸如鐵、錳、鈷、 鉻、碳、矽、磷或硫元素之至少一個元素。在某些實例中， 鎮錮合金可具有鎳濃度範圍在約55%至約75% (例如，約 67% ) ’鉬濃度範圍在約15%至約4〇% (例如，約28% )， 鐵濃度範圍在約0 · 5 %至約5 % (例如，約2 % )，姑濃度範 圍在約0.2%至約5〇/。（例如，約1%)，鋼濃度範圍在約〇 2% 至約5%(例如，約1% )，錳濃度範圍在約〇 2%至約5〇/。（例 如’約1% )’破浪度小於0.5% (例如，約〇 〇2% )，磷濃度 小於0.5% (例如，約0.03%)，矽濃度小於〇 5% (例如’ 約0.1%)及/或硫濃度小於0.5% (例如，約〇 01。/〇)。 在另一實施例中，金屬組件120可包含鉬鈦合金。在 貫例中，鉬鈦合金可為市售的合金，諸如TZM⑧合金。 鎳鉬合金包含鉬及鈦且亦可包含鍅或其他元素。在某些實 例中，鉬鈦合金可具有鉬濃度範圍約95%至約99 7%，較 佳地約97%至約99_5%(例如，約99% );鈦濃度範圍約〇 〇5% 至約5%，較佳地約〇.1%至約1%，或約〇 4%至約〇 6%(例 27 201203442 如，約0·5%);結濃度範圍、約〇 〇〇5%至約2%，較佳地約 〇 〇1%至約1%’或約0.06%至約0.12% (例如，約〇 1%)β —黏著層122可安置於金屬組件12〇上或在金屬組件 上安置。黏著層122可為單層或包含多層。黏著層122可 包含黏著劑或膠且可為聚合物、共聚物、低聚物、其衍生 :’或其：合。實施例描述的黏著層122所處的溫度為適 合的且穩定的’諸如在約_4〇°C至約300°C範圍内.，且在某 些實例中，在約_3(TC至約150〇c範圍内，或在約_2〇艺至約 100C範圍内。 在—實施例中，黏著層122包含共聚物。在一實例中， 八聚物可為乙稀/乙酸乙烯酯（ethylene/vinyiacetate; 共聚物或其衍生物。在其他實例中，黏著層122可包含融 熔性黏著劑、有機材料或有機塗層、無機材料，或其組合。 ，著層122可具有各種範圍之厚度。在第_實施例中，°黏 著層122可具有約5 μπι至約5〇〇 μιη範圍之厚度。在第二 實施例中，黏著層122可具有約5μπι至約12〇μιη範圍: 厚度。在第三實施例中，黏著層122可具有約i〇 pm至約 8〇 μπι範圍之厚度。在第四實施例中’黏著層122可具有 約20 μιη至約40 μπι範圍之厚度。在第五實施例中，黏著 層122可具有約30 μιη之厚度。 在另一實施例中’黏著層122可包含彈性體，諸如橡 膠，泡沫劑，或其衍生物。或者’黏著層122可包含諸如 氯丁橡膠、乳膠，或其衍生物的材料。黏著層122可包含 單體。例如’黏㈣122可包含㈣丙烯二烯單體或^ 生物。 28 201203442 在其他實施例中，黏著層i22可包含丙烯酸或其 他，著貼合或藉由壓感黏著劑（PSA)附著。在某些實例中， 黏著層1 22可為包含聚乙稀、聚碳酸醋、聚醋、其衍生物， 或其組合的PSA貼合。應瞭解，黏著層122可包含具有& 種厚度之PS A貼合。在某些實例巾，黏著層！ 22可包含具 有厚度範圍在約25 μηι至約5〇〇㈣的pSA貼合。在某些 實例中，黏著層122可具有約75_至約25〇_之厚度 在替代性實施例中，當將非金屬組件124黏結或黏著 於金屬組# 120時黏著層122可包含光學黏著劑或紫外線 硬化黏著劑。實例描述了光學或紫外線硬化黏著劑包含正 丁基正辛基鄰苯二甲酸鹽（n_butyi ^、氯 糠，異丁 烯酸鹽（tetrahydr〇furfuryl Μία·)、丙烯 ::體#何生物’或其組合。可將硬化型黏著劑施加於 碑麻、且件12G及非金屬组件124上或可在其上安置挽性支 :曰糸外光源可經由非金屬組件124照射，以便硬化黏 者㈣形成黏著層122。通常’黏著劑可在約i分鐘至約 Μ刀鐘的時間範圍内暴露於紫外線輻射較佳地約3分鐘 至約7分鐘，諸如約5分鐘。黏著劑可在約饥至約75 f (諸如，約贼）範圍内硬化。黏著層122可由光學黏 者劑及/或紫外線硬化黏著劑組成或包含。 通* ’非金屬組件124為撓性層且可安置於黏著層⑵ 2在點著層122上安置。非金屬組件124可為單層或單 至j可包含多層或多薄膜。通常’ m组件124包含 ^個撓性材料’諸如塑料或橡踢。繞性材料可薄膜或 '形式且可為聚合物、共聚物、低聚物、其衍生物或 29 5 201203442 其組合。非金屬組件1 24可包含諸如聚酯、聚醯亞胺、聚 乙烯、聚丙烯、聚醯亞胺、聚烯烴、聚丙烯酸、其衍生物， 或其組合之至少一個材料。在一些特定材料之實例中，非 金屬組件1 24可包含聚對苯二甲酸乙二醇酯聚酯、聚萘二 甲酸乙二醇酯（PEN)聚酯、聚醯亞胺、其衍生物，或其組合。 在某些實例中，非金屬組件丨24包含聚酯化合物或聚 知衍生物。在某些實例中，非金屬組件丨24可包含聚對苯 一甲酸乙二醇酯聚酯，諸如麥拉聚合薄膜，或聚對苯二甲 酸乙二醇酯聚酯（p〇lyethylene terephthalatep〇lyester)之 衍生物。在其他實例中，非金屬組件！ 24可包含pEN聚酯 之聚合薄膜或PEN聚酯之衍生物。在其他實例中，非金屬 、-且件124可包含聚醯亞胺貼合，諸如聚醯亞胺聚酯或聚醯 亞胺聚S旨之衍生物。 非金屬组件124可具有各種範圍内之厚度。在第一實 施例中，非金屬組件124可具有約25 μιη至約5〇〇 pm的厚 度。在第二實施例中，非金屬組件124可具有約乃至 約350 μιη的厚度。在第三實施例中，非金屬組件124可具 有約50μιη至約150μηι的厚度。在第四實施例中非金屬 組件124可具有約50μιη至約25〇μιη的厚度。在第五實施 例中，非金屬組件124可具有約5〇之厚度。 施例中，非金屬組…具有約―之厚度在= 實施例中，非金屬組件124可具有約1〇〇μιη之厚度。在第 八實施例中，非金屬組件124可具有約125一爪之厚度。在 第九實施例中’非金屬組件124可具有約2〇〇_之：产。 在第十實施例中，非金屬組件124可具有約2 :。 30 201203442 .— 例_，犧牲層可包含砷化鋁、立合金、 其何生物或其組合。在— 声。庫蝽貫例中，犧牲層104包含砷化鋁 曰應瞭解，犧牲層104可呈右夂鍤 奋 有各種犯圍之厚度。在第一 貝知例中，犧牲層 十s ，厂 】具有約1 μιη或更少厚度之範圍。 貫施例中’犧牲層1〇4可具有約0·001μπι至約〇〇1 日又之範圍。在第二實施例中，犧牲層1〇4可具有約 0·01μηι$ 的 πι ’、、 . 、力0·1 厗度之範圍。生長基板102可為晶圓 s 、土板且通常包含砷化鎵、砷化鎵合金或其他衍生 物，且可為η摻雜' p換雜.、無換雜、半絕緣等。 裝置結構1〇6通常包含具有第III族/第V族元素之磊 晶生長材料的複數個層，該蟲晶生長材料可用作光伏打裝 置（例如，太陽能電池）、半導體裝置、電子裝置、光電裝 置，或其他裝置。在一些實施例中，裝置結構1〇6可包含 _化鎵神化鋁鎵、峨化銦鋁鎵、磷化銦鎵、碌化銦鋁、 其合金、其衍生物，或其組合。裝置結構丨〇6可包含一個 材料層，但是通常包含多層。裝置結構106之包含所有堆 疊内部之層厚度的整體厚度，可在約0·5 μιη至約5 μπι範 圍内’諸如約1 μιη至約2 μΓη。 在某些實例中，裝置結構丨〇6具有包含砷化鎵之至少 一個層及包含砷化鋁鎵或磷化銦鋁鎵之另一個層。在另一 實例中’裝置結構1 〇6包含砷化鋁鎵或磷化銦鋁鎵鈍化 層、钟化鎵活動層及可選的第二砷化鋁鎵或磷化銦鋁鎵鈍 化層’其在彼此上分別安置◊砷化鋁鎵或磷化銦鋁鎵鈍化 層可具有各種範圍内之厚度。在一實施例中，石申化紹鎵或 31 201203442 磷化銦鋁鎵鈍化層具有約0.01 μπι至約1 μιη之厚度。在一 實施例中，砷化鋁鎵或磷化銦鋁鎵鈍化層具有約〇〇1 pm 至約0.丨μΐη之厚度。在一實施例中，砷化鋁鎵或磷化銦鋁 鎵鈍化層具有約0.1 μηι至約丨μιη之厚度。在一實施例中， 砷化鎵活動層可具有各種範圍内之厚度。在—實施例中， 砷化鎵活動層可具有約0.5 μηι至約4 μιη之厚度。在一實 施例中，砷化鎵活動層可具有約！ μηι至約2μιη之厚度。 在一實施例令，砷化鎵活動層可具有約2 μηι之厚度。在某 些實例中，裝置結構106進一步包含第二砷化鋁^或磷化 銦鋁鎵鈍化層。第二砷化鎵鈍化層可具有約〇〇1 pm至約i μπι之厚度。在一實施例中，第二砷化鎵鈍化層具有約〇 〇ι μιη至約0.1 μιη之厚度。在一實施例中，第二砷化鎵鈍化 層具有約0.1 μιη至約1 μιη之厚度。應瞭解，磷化銦鋁鎵 可替換為磷化銦鎵或磷化銦鋁或其衍生物、其組合，或在 本文描述之一些實施例中的合金。 在本文之其他實施例中’裝置結構1〇6可具有包含多 層之單元結構。單元結構可包含砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ 摻雜钟化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ 摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金'其衍生物，或其組合。 下文將闡述一些示例性支撐結構實例。下文之示例性 支樓結構之描述包含本發明金屬支樓組件可具有的一些可 能的设置特徵的設置指示（例如，元素、厚度等）。應瞭解， 其他示例性實施例可具有不同的值。例如，下文的一些描 述指示金屬支撐層厚度约為5 μιη，而下文的一些描述指示 金屬支撐層厚度約為10 μιη。應瞭解，其他示例性實施例 32 201203442 可具有不同的金屬支樓層值（例如，約I μ m至約5 0 μ m 等）。下文的一些示例性描述指示貼合支撐層厚度約為l〇〇 μιη，而下文的一些描述指示金屬支撐層厚度約為25〇 μιη。 應瞭解，其他示例性貫施例可具有不同的貼合支樓層值（例 如，約25 μιη至約500 μιη等）。 對於實例1至實例扣而言，使用約100mmx約1〇〇 mm之ELO基板，且包含砷化鎵（GaUium 丨GaA)生 長基板，#置於生長基板上之犧牲層，包含安置於犧牲層 上之蠢晶薄膜堆疊的裝置組件’以及包含安置於遙晶薄膜 堆疊之支撐薄膜的支稽組件。支撑結構之金屬組件包含至 少-個金屬支樓層且支撐結構之非金屬組件包含至少一個 貼合支撐層。 實例1—支撐結構包含安置於裝置結構上之銅结（例 之厚度）的金屬支樓層，包含丙烯酸PSA(例 EVA、二，之厚度）的黏著層或安置於金屬支撑層上之 甲酸\ 、力3〇 μΠ1之厚度）的層，以及包含聚對苯二 =…聚…如，約一厚度)沈積的貼合 如，結構包含安置於裳置結構上之銅落(例 如，約40 μΓΠ之厚 的金屬支樓層’包含丙稀酸PSA (例 跳（例如，約3/)的黏著層或安置於金屬支樓層上之 甲醅7 μΐΠ之厚度）的層，以及包含聚針策- 約100 μΓΠ之厚度）沈積的貼合 甲H醇S旨聚g旨（例如， ^ 3聚對本- 支撐層β 實例 -支撐結構包含安置於裝置結構 上之銅箔（例 33 5 201203442 如，力5μιη之厚度）的金屬支撐 如，約4〇 包含丙烯酸PSA (例 (例如，約 罝於金屬支撐層上之 酸乙m, μ厚度）I ’以及包含聚對苯二甲 曰水酯（例如，約2〇〇 撐層。 之居度）沈積的貼合支 如，結構包含安置於裝置結構上之錄羯（例 如 ^ 5 之厚度）的金屬Φ^ 如，約4f) “屬支按層’包含丙烯酸PSA (例 、力40 μιη之厚度）的黏著 EVA (例如，約Μ 文罝於金屬支撐層上之 酸乙二醇之厚度）層’以及包含聚對苯二甲 擇層，聚墙（例如，約〜之厚度)沈積的貼合支 如，ΓΓ—支偉結構包含安置於裝置結構上之鎳箱（例 如，約4〇μΠ1之厚度）的金屬支樓層，包含丙烯酸PSA(例 EVA (似/111之厚度）的黏著層或安置於金属支樓層上之 酸乙it,约〜之厚度）層，以及包含聚對苯二甲 樓層AW例如’約一之厚度)沈積的貼合支 如，：Γ 6:〜，撐結構包含安置於裝置結構上之鎳羯(例 如，έ 之厚度）的金屬支樓層，包含丙烯酸PSA (例 (例如'約30黏著層或安置於金屬支樓層上之 酸乙二醇赌聚二之厚度）|，以及包含聚對苯二甲 撐層。 曰（例如，約2〇〇 pm之厚度）沈積的貼合支 實例 7- 金落（例如，約 支樓結構包含安置於裝置結構上之鎳銅合 5 μΐη之厚度）的金屬支撐層，包含丙烯酸 34 201203442 P S A (例士 u，Λ p. ’約100 μηι之厚度）沈積 μηι之厚度）的黏著層或安置於金屬支 芽:上之EVA (例如，系勺3Ο μιη之厚度）層，以及包含聚 對苯二甲酸乙二醇酯聚酯（例如 的貼合支撐層。 &實例8——支撐結構包含安置於裝置結構上之鎳銅合 金泊（例如’約5_之厚度）的金屬支撐層，包含丙烯酸 PSA (例如’約4〇 μιη之厚度）的黏著層或安置於金屬支 撐：亡之EVA (例如，㈤3〇，之厚度）層，以及包含聚 對苯二甲酸乙二醇8|聚自旨（例如，約彻_之厚幻沈積 的貼合支撐層。 實例9一支撐結構包含安置於裝置結構上之鉬箱（例 如’約5叫之厚度）的金屬支撐詹，包含丙㈣“A (例 如之厚度）的黏著層或安置於金屬支樓層上之 例如’約30 μΓη之厚度）μ，以及包含聚對苯二甲 醇醋聚酿(例如，、―厚幻沈積的貼合支 (.^/Η ——切結構包含安置於裝置結構上之钥猪 (例如，約5 μηι之厚度）的金

^叼金屬支撑層，包含丙烯酸PSA (例如’約40 μπι之厚度） 度）的黏者層或安置於金屬支撐層 上之EVA (例如，約3〇 _ φ ^ ^ ^ 之厗度）層’以及包含聚對苯 一甲酸乙二知酯聚酯（例 合支撐層。 約200 之厚度）沈積的貼 實例 11--支撐fet接a a 成 f a 撐…構包含安置於裝置結構上之鎢羯 (例如，約5 μπι之厚度）

,η， ^兔屬支撑層，包含丙烯酸PSA

C例如，約40 μηι之厘痒、& * — β L 度）的黏者層或安置於金屬支撐層 35 201203442 上之EVA (例如，叫 二甲酸乙-It _之厚度）層，以及包含聚對苯 一 T 乙—醇酯聚酯（ 合支撐層。 力1〇0 之厚度）沈積的貼 貝例12支撐结構包含安置於裝鎢 (例如，約5 um夕/!众、 罝，，。構上之鎢泊

(例如，約4〇 &的金屬支撐層’包含丙烯酸PSA 上之跳（例如，％3()黏者層或女置於金屬支擇層 二甲酸乙二醇賴聚以/Γ之厚度）層，以及包含聚對苯 曰眾Sg (例如，约9 η Π . 合支撑層。 μ m之厚度）沈積的貼 金焊構包含安置於褒置結構上之謝 稀酸叫例如二:m之厚度）的金屬支樓層，包含丙 屬支樓層上之EVA(例如’二度）的點著層或安置於金 含聚對苯二甲酸乙 、’·_之厚度）I ’以及包 沈積的貼合=1聚例如，約12一之厚度) 金焊Γ::如二Γ:構包含安置於裝置結構上之錯錫合 、勺1 〇 μιη之厚度）的今 稀酸似（例如，約4〇μηι之厚 屬支掠層，包含丙 屬支樓層上之EVA (例如，約3/㈣著層或安置於金 含聚對苯二甲酸乙- μΓη之厚度）層，以及包 沈積的貼合支撐層。 幻如，約250 μηι之厚度） (例：例二―支撐結構包含安置於褒置結構上之銅焊料

(例如，約40 μϊη之厚产）的支撐層，包含丙烯酸PSA 上之EVA (例如，又的點著層或安置於金屬支樓層 χ 问川μιη之®庳、a 子度）層，以及包含聚對笨 2 36 201203442 二甲酸乙-*；- 合支撐層 聚醋（例如’約125_之厚度）沈積的貼 (例：例約支擇結構包含安置於裝置結構上之銅焊料

(例如，約 又探層包含丙烯酸PSA 、'· 〇μΠ1之厚度）的黏著層或安置於厶扈士产思 上之觀（例如1 3G_之厂d /置於金屬支撐層 二甲酸乙二1及包含聚對苯 合支撐層。（例如，約25°_之厚度）沈積的貼 金焊二:7;—ί撐結構包含安置於裝置結構上之鎳銅合 度）的金屬支粹禺 ^ Α 力ίο μιη之厚 厚声）“ 丙稀酸PSA (例如，約4〇 μηι之 又）的黏者層或安置於金屬支撐層上 30㈣之厚度）層，以及包含聚對苯-甲=Α(例如，約 (例如，約12s 及。3聚對本-甲酸乙二醇醋聚@旨 約125 μπι之厚度）沈積的貼合支撐層。 金焊樓結構包含安置於裝置結構上之錄銅合 、焊枓（例如，蒙乃爾⑧他合金）（例如， 度）的金屬支撐層，包含稀 Pm之厚 厚许、沾私从 匕3丙烯酸PSA (例如，約40 μηι之 又、黏者層或安置於金屬支撐層上之EVA (例& 之厚度U，以及包含聚對笨約 (例:，·約-^之厚度）沈積的貼合甲支^乙層一。醇酉曰聚黯 貝Ή 19 支撺結構包含安置於裝置社構上之 鎳貼合（例如，每一佃么鹿β广 、，σ冓上之鎳/鋼/ 母個金屬層厚度約5μη〇的金 包含丙稀酸PSA (例如，.约4η ，「的金屬支按層， 甚 m 】如約4〇 之厚度）的黏著層戋安 置於金屬支樓層上之EVA (例如，約3〇_之厚度）= M及包含聚對笨二甲酸乙二醇醋聚輯（例如，約U5二之

S 37 201203442 厚度）沈積的貼合支樓層。 實例20——支撐薄膜包含安置於 鎳貼合（例如’每一個金屬 、之鎳/銅/ 包含丙烯酸PSA (例如，约；的金屬支擇層， 置於金屬支撐層上之Ev 厚度）的黏著層或安 以及包含聚對苯二⑽二 =二3;-之厚度)層， 厚度）沈積的貼合支擇層。 3 (例如’約250㈣之 全/二：——支#結構包含安置於裝置結構上 金泊（例如，約1〇_之厚度）的 ^。 酸PSA (例如，約4〇_之 二包含丙稀 支撐層上之EVA . 黏奢層或女置於金屬 聚對苯… 約3〇_之厚度）層，以及包含 聚對本-甲酸乙二醇醋聚醋（例如，約 a 積的貼合支撐層。 μ 之厚度）沈 實例22--支撐結構包含安置 合金（例如，約女罝於裝置結構上之鎳鈷箱 、·勺10 μηι之厚度）的金屬支 酸PSA (例如，的以 甸又私層’包含丙烯 支# μ上 μΠ1之厚度）的黏著層或安置於金屬 支撺層上之EVA (例如， 、盔屬 聚掛笑- m 』 約30 μιη之厚度）層，以及包合 —酸乙二醇酯聚酯（例如，約250 μηι之厚声 積的貼合支標層。 度）沈 實例23 ——支撐結構包含安置於裝置結構上之 合金（例如，h a m p t鐵錦銘 】如，柯伐® Fe-Ni-Co合金）（例如 厚度）的金屬Φ浐思 a a 、〕10 μηι之 之厚度）的：in 丙烯酸PSA(例如’約4。_ 層或文置於金屬支樓層上之EVA (例如， 、、μιη之厚度）層’以及包含聚對苯二甲酸乙 酯（例如，約125, , r τ毆乙一醇酯聚 约125 μιη之厚度）沈積的貼 38 201203442 貫例24—一支撐結構包含安置於裝置結構上 合金（例如，柯伐® Fe_Ni_c〇合金）（例如約1〇錦録 厚度）的金屬支樓層，包含丙烯酸PSA(例如：之 之厚度）的黏著層或安置於金屬支撐層上之EVA μιη 約30 _之厚度）4，以及包含聚對苯二甲酸乙:如’ 酿（例如’約250 Mm之厚度）沈積的貼合支樓層—。嗤聚 實例25--支撐結構包含安置於裝置結構上之鎳翻八 金（例如，哈斯特洛®B2Ni_M〇合金）（例如約1〇 。 厚度）的金屬支撐層’包含丙烯酸PSA (例如，約：二之 之厚度）的黏著層或安置於金屬支撐層上之μιη 約30 μΐη之厚度）層，以及包含聚對笨二曱 4如， 酿（例如，肖125_之厚度）沈積的貼合支揮層一。醇賴聚 實例26——支撐結構包含安置於裝置結構上之鋅心 金（例如，哈斯特洛®B2Ni_M〇合金）（ ° 知度）的金屬支撐層，包含丙烯酸PSA (例如，約 之厚度）的黏著層或安置於金屬支撐層上之 μΠ1 、，’ Μ _之厚度）層，以及包含聚對苯二f 酿（例如，、約250叫之厚度）沈積的貼合支樓層—。醇知聚 實例27——支撐結構包含安置於裳置結構上之鉬鈦人 =例如，ΤΖΜ⑧Mo_Ti合金）（例如，約1〇_之厚^ 的金屬支標層，包含丙烯酸PSA (例如，約之厚 的黏著層或安置於金屬支撐層上之EV 又 夕戶命、a ' 'Ί 30 I101 約12:曰’以及包含聚對笨二曱酸乙二醇酯聚醋（例如， 、勺125 μιη之厚度）沈積的貼合支撐層。 實例28 —支樓結構包含安置於袭置結構上之翻鈦合

39 201203442 金（例如TZ_ Mo-Ti合金）（例如，約 的金屬支撐声，向八η“ 』如约之厚度） 屬叉W包含丙烯酸pSA (例如，約 的黏著層或安置於全谷度） 之厚度）層，以及包含屬聚支^層_"甲之酸_ (例如，約〜m 的9… 匕A對本-甲酸乙二醇§_(例如， 約250 μηι之厚度）沈積的貼合支撐層。 實例29——支標結構包含無電鑛錄鱗（例如 之厚度）直接沈積於裝置結構上之的金屬支撐層，包含: :=S:(例如’、約4 〇 μ m之厚度）的黏著層或安置於金 屬牙層上之EVA (例如，約3〇 _之厚度）層，以及包 含聚對苯二甲酸乙二醇酿㈣（例如，約6〇 _之 沈積的貼合支樓層0 曰I諸如，操作張力）可引起導致薄膜破裂之蟲 曰曰薄膜堆疊（諸如，太陽能薄膜）之過度的應變，因此在 磊晶薄膜堆疊中存在應變-應力關係。外部側向張力之增加 導致太陽能薄膜中之應變朝向張力方向變動。 曰 第4圖圖示支樓層之不同厚度之張力應變率的圖表。 歸因於與包含聚對苯二曱酸乙二醇酿聚醋薄膜（例如，麥 拉聚合薄膜）《貼合支撐層相比較之金屬的許多較高剛 性’複合貼合的張力公差將隨著金屬厚度增加而迅速提 高。張力公差之數量級的增加可只需經由某些實例中之幾 個微米的金屬實現。 歸因於其尺寸不穩定性（諸如，吸濕膨脹或熱應變釋 放）’側向應變之另一個源為貼合材料之變形。太陽能薄膜 中之應變之所得的變動必須與貼合之應變變動相平衡。 第5圖圖示支撐層之不同厚度之貼合薄膜比的圖表。 40 201203442 在貼合薄膜應變率接近一致的情況下，未包含金屬支撐層 時對於包含聚對笨二曱酸乙二醇酯聚酯薄m (例如，麥‘ 聚合薄膜）之貼合切層而言複合貼合之應變為最高的。 隨著金屬支撑層之厚度增加可很快減少薄膜應變，且數量 級提高’金屬支撐層之厚度約Um至約1〇_範圍變動， 或約2 μπι至約5 μπι範圍變動。 在ELO期間及對於後續操作而言，因為需要在沒有破 裂磊晶薄膜堆疊的情況下捲曲’所以磊晶薄膜堆疊之彎曲 :有用的。同0夺’在沒有產生可導致破裂之薄膜中之過度 應變的情況下，1晶薄膜堆疊能在操作期間抵抗彎曲力亦 為可能的。當在沒有張六& 、、σ τ 。# 的隋’兄下絲晶薄膜堆疊彎曲至曲 率半徑時，中性面必須滿足無張力的條件。 第6圖圖示支撐層之不同厚度之應變曲率比的圖表。 在-些實施例中’可在金屬支揮層（例如，約〜至約 5〇 μιη)之厚度之薄膜應變的給定限制中實現最大曲率 沒有金屬支撐層的情況下對於貼合支標層而言，彎曲之中 =靠近遠離遙晶薄膜堆疊之貼合的中間，因此對彎曲的 7性會受到限制。隨著金屬支樓層之厚度增加，中性面 :因於其許多較高剛性會报快地朝向金屬支樓層之中心移 :。因為該中性面與遙晶薄膜堆疊非常接近，戶斤以對彎曲 的耐受性會报快提高。然而，备 田金屬支撐層變成非常厚時， == 性面會再次遠離蟲晶薄膜堆疊，因 對彎曲的耐受性降低。彎矩表示彎曲之扭矩。 第7圖圖示支撐層之不同厚度之力矩應變率的圖表。 ，主心的是，金屬（例如，金屬支樓層）之添加會报快 41 201203442 提高彎矩的耐受性，且隨後在幾個微米的金屬（例如，較 厚的金屬支樓層）之後經歷穩定時期，並最終當金屬支撐 層之厚度變得與貼合支樓層厚度相當時對彎矩 次顯著增加。 $ π 在一些實施例中，金屬支撐層之厚度 ^ 百圩沒J在約1 μιη至約 圍之内，或較佳地約5μιη至約2〇gm，且貼合支 樓層厚度可在約25㈣至約35G㈣範圍之内或較佳二約 5〇 μΓη至約丨50 μηι，以便為了當與金屬層或貼合單獨比較 時獲得良好的彎曲半徑及彎矩。 些實施例包含用於形成設備之方法。如下為描述用 於九成6又備之方法之各種實施例的一些示例性概余。 概念1.-種用於包含蟲晶分離製程或在蟲晶分離製 程期間形成設備或薄膜堆疊材料之方法，其包含： 在生長基板或晶圓上之犧牲層上形成裝置組件或磊晶 薄膜堆疊； 在裝置組件或磊晶薄膜堆疊上形成支撐組件或支撐薄 膜，其中支撐組件或支撐薄膜包含： 金屬支撐組件或金屬支撐層，安置於裝置組件或磊晶 薄臈堆疊上；以及 非金屬支撐組件或非金屬支撐層，安置於金屬支撐組 件或金屬支撐層上； 在蝕刻製程期間移除犧牲層；以及 從生長基板或晶圓上剝落裝置組件或磊晶薄膜堆疊， 同時在其間形成蝕刻裂縫。 概念2· —種用於包含磊晶分離製程或在磊晶分離製 42 201203442 程期間形成設備或薄膜堆疊材料夕士、+ τ+之方法，其包含： 曰曰 *在生長基板或晶圓上之犧牲層上形成裝置組件或蟲 薄膜堆疊； 形成支撐組件或支撐薄 安置於裝置組件或磊晶 在裝置組件或磊晶薄膜堆疊i 膜，其中支撐組件或支撐薄膜包含 金屬支撐組件或金屬支撐層， 薄膜堆疊上；以及 非金屬支撲組件或非金屬支掠芦 又切增女置於金屬支撐組 件或金屬支撐層上；以及 在钮刻製程期間移除犧牲層，同時將裝置組件或蟲晶 薄膜堆疊與生長基板或晶圓分離。 概念3. —種用於包含磊晶分離製程或在磊晶分離製 程期間形成設備或薄膜堆疊材料之方法，其包含. 在生長基板或晶圓上之犧牲層上形成裝置組件或磊晶 薄膜堆疊； 在裝置組件或蠢晶薄膜堆疊上形成支撐組件或支撐薄 膜，其中支撐組件或支撐薄膜包含： 金屬支推組件或金屬支樓層’安置於裝置組件或蠢晶 薄膜堆疊上’其中金屬支撐組件或金屬支撐層包含鎳及 銅；以及 非金屬支撐組件或非金屬支撐層，安置於金屬支樓組 件或金屬支撐層上；以及 在钱刻製程期間移除犧牲層，同時將裝置組件或遙晶 薄膜堆疊與生長基板或晶圓分離。 43 1 201203442 概念4· 一種用於包含轰a八站制 3猫日曰刀離製程或在磊晶分離製 程期間形成設備或薄膜堆疊材料之方法其包含： 在生長基板或晶圓上之犧牲a卜布；士壯@ 一 俄狂層上形成裝置組件或磊晶 潯膜堆疊； 在蓋晶薄膜堆疊上形成支撐組件或支撐薄膜，其中支 撐組件或支撐薄膜包含： 金屬支撐組件或金屬支標層，安置於装置組件或蠢晶 薄膜堆疊上，其中金屬支撐組件或金屬支標層包含錄及 銅；以及 非金屬支撐組件或非金屬支撐層安置於金屬支撐組件 或金屬支樓層上，#中非金屬支撐組件或非金屬支撐層包 含聚合物材料、共聚合物材料或低聚合物材料；以及 在蝕刻製程期間移除犧牲層，同時將裝置組件或磊晶 薄膜堆疊與生長基板或晶圓分離。 概念5. —種用於包含磊晶分離製程或在磊晶分離製 程期間形成設備或薄膜堆疊材料之方法，其包含： 在生長基板或晶圓上之犧牲層上形成裝置組件或磊晶 薄膜堆疊； 在裝置組件或磊晶薄膜堆疊上形成支撐組件或支撐薄 膜’其中支撐組件或支撐薄膜包含： 金屬支撐組件或金屬支撐層，安置於裝置組件或磊晶 薄膜堆疊上，其中金屬支撐組件或金屬支撐層包含鎳及 鋼；以及 非金屬支撐組件或非金屬支撐層安置於金屬支撐組件 或金屬支樓層上’其中非金屬支樓組件或非金屬支標層包 44 201203442 含聚對本^一甲酸乙二薛酷聚两t七甘 奸日♦ §日或其釘生物；以及 在触刻製私期間移除膳紐爲 — 或蟲 B曰 夕于' 犧牲層，同時將裝置組件 薄膜堆疊與生長基板或晶圓分離。 之任何概念中的方法，進 置組件或磊晶薄膜堆疊的 概念6.如概念丨至概念5令 一步包含在蝕刻製程期間維持裝 壓縮力。 概念7.如概念i至概念5中之任何概念的方法 非金屬支撐組件或非金屬支撐層包含安置於至少_個黏著 層上之至少一個撓性支樓層。 概念8.如概念7之方法，其中至少一個黏著層包含黏 著劑。 概念9.如概念8之方法，其中黏著劑為壓感黏著劑。 概念10·如概念9之方法，其中壓感黏著劑為丙烯酸 壓感黏著劑貼合。 概念11.如概念8之方法，其中黏著劑包含共聚物。 概念12.如概念11之方法，其中黏著劑包含乙烯/ 乙酸乙烯酯。 概念13.如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中非金屬支撐組件或非金屬支撐層包含在黏著層上安置之 撓性支撐層。 概念14. 如概念13之方法，其中在撓性支撐層與金 屬支撐組件或金屬支撐層之間安置黏著層。 概念15. 如概念1至概念3中之任何概念的方法，其 中非金屬支撐組件或非金屬支撐層包含聚合物材料、共聚 合物材料’或低聚合物材料。 45 201203442 概念16.如概念1至概念4中之任何概念的方法，其 中非金屬支撐組件或非金屬支撐層包含聚對苯二甲酸乙2 醇酯聚酯或其衍生物。 概念17.如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中非金屬支撐組件或非金屬支撐層具有約25 μιη至約5帅 μιη範圍内的厚度。 概念18.如概念17之方法，其中厚度在約5〇 至 約50 μιη範圍内。 概念19.如概念1至概念2中之任何概念的方法，其 中金屬支撐組件或金屬支撐層包含鎳或銅。 /、 概念20.如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中金屬支撐組件或金屬支撐層包含選自如下群組中之/、 屬：銀、鎳、銅 '銷、鎢、其合金、其衍生物，及其級t金 概念21·如概念1至概念5中之任何概念的方法，发 中金屬支撐組件或金屬支撐層包含鎳鋼合金。 ，/、 概念22·如概念21之方法，其中鎳銅合金包含 銅及鐵。 ' 概念23. 含锰。 如概念22之方法，其中錄銅合金進一步包 概念24. 如概念23之方法 含碳、矽或硫。

〜步包 概念25.如概念23之方法，其中鎳銅合金進一 含碳、矽及硫。 ’匕 概念26.如概念21之方法，其中錄銅合金包含 度含量在約63°/。至約75%的範圍。 ’、Ί 46 201203442 其令鎳濃度在約65%至 其中鎳鋼合金包含銅濃 其中銅濃度在約30%至 其中鎳鋼合金包含鐵濃 其令鎳銅合金包含錳濃 概念27.如概念26之方法 約7 0 %範圍内。 概念28.如概念26之方法， 度含量在約28%至約34%範圍内。 概念29.如概念28之方法， 約32%的範圍内。 概念30.如概念28之方法， 度含量在約2%至約3〇/。的範圍内。 概念31.如概念28之方法， 度含量在約1%至約3%的範圍内。 概念32·如概念28之方法，其中鎳銅合金包含碳濃 度含量在約0.1%至約1%的範圍内。 概念33.如概念28之方法，其中鎳銅合金包含矽濃 度含量在約0.1%至約1%的範圍内。 概念34.如概念28之方法，其中鎳銅合金包含硫濃 度含量在約0.01 %至約〇. 1 〇/。的範圍内。 概念35.如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中金屬支撐組件或金屬支撐層包含選自如下群組中之金層 的多個層：銀、鎳、銅、鉬、鎢、鈷、鐵、猛、其合金、 其衍生物，及其組合。 概念36.如概念35之方法，其中金屬支樓組件或金 屬支撐層包含第一鎳層、第二鎳層、以及安置於第一鎳層 及第二鎳層之間的銅層。 概念37. 如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中金屬支撐組件或金屬支撐層具有約0·5 μιη至約500 μηι 47 201203442 範圍内的厚度。 μπι至 概心38.如概念37之方法，其中厚度在約 約20 μιη範圍内。 概念39. #概念！至概念5中之任何概念的方法，其 中裝置組件或磊晶薄膜堆疊包含選自如下群組中之材料 珅化鎵、坤化！g鎵、鱗化銦鎵、構化銦紹鎵、磷化鋼紹、 磷化銦鎵、其合金、其衍生物，及其組合。 ㈣M9之方法，其中裝置組件或為晶薄 、隹冗八有在約〇·5 μιη至約5 μιη範圍内的厚度。 概念41.如概念40之方法，其中厚度在約 約2 μιη的範圍内。 概念42.如概念i至概念5中之任何概念的方法，直 中裝置組件或磊晶薄膜堆疊包含具有選自如下群組之至:丨: -個材料的包含多個層的單元結構，該群組由砷化鎵、二 摻雜碎化鎵、p摻雜珅化鎵、珅化㈣、化叙録二 P摻雜砷化鋁鎵 '磷化銦鎵、磷化銦鋁鎵、η 鎵、Ρ摻雜磷化銦鋁鎵、磷化銦鎵、η摻雜磷化銦鎵、 雜磷化銦鎵、磷化銦鋁、η摻雜磷化銦鋁 Ρ " 甘人雜嘴化銦鋁、 具σ金、其衍生物，及其組合組成。 概念43· Μ概念1至概念5中之任何概念的方法，丈 中在蝕刻製程期間犧牲層暴露於濕蝕刻溶 八 ， Τ，渴巍约丨、·交 液包含虱氟酸、表面活化劑及緩衝劑。 概念44.如概念1至概念5中之方法，1 5 mm/hr或更大的速度蝕去。 犧牲層以 概念45. *概念i至概念5中之任何概念的方法，其 48 201203442 中生長基板或晶圓包含砷化鎵或砷化鎵合金。 • 概念46. 如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中犧牲層包含珅化紹、鎵叙坤、其衍生物、其合金，或其 組合。 概念47.如概念1至概念5中之任何概念的方法，進 一步包含在裝置組件或磊晶薄膜堆疊上沈積金屬支樓組件 或金屬支樓層。 概念48·如概念1至概念5中之任何概念的方法，盆 中金屬支撐組件或金屬支撐層藉由氣相沈積製程而沈積。 概念49.如概念48之方法，其中氣相沈積製程係選 自如下組成之群組：PVD、喷鍍、電子束沈積' ALD、CVD、 PE-ALD 及 PE-CVD。 概念50.如概念1至概念5中之任何概念的方法，進 一步包含將非金屬支撐組件或非金屬支撐層黏合或黏著於 金屬支撐組件或金屬支撐層上。 概念51.如概念50之方法，其中非金屬支撐組件或 非金屬支撐層藉由黏著劑黏合或黏著於金屬支標組件戍金 屬支撐層。 ~ *

概念52.如概念1至概念5中之任何概念的方法，其 中非金屬支撐組件或非金屬支撐層包含在至少一個黏著層 上安置之至少一個撓性支撐層。 S 概念53.如概念52之方法，其中至少一個黏著層包 - 含丙稀酸壓感黏著劑貼合。 、 概念54·如概念52之方法，其中至少一個黏著層包 含乙烯/乙酸乙烯酯共聚物黏著劑。 3 49 201203442 因此’本發明設備及製程促進薄膜裝置之高效率的及 有效的製造及利用。本發明設備及製程之支撐結構辅助裝 置結構的特徵。該裝置結構及支撐結構可設置為多層形 式。應瞭解，支撐結構可經由各種方式輔助（例如，添加、 增強、支援、增加等）裝置之特徵（例如，功能、特徵等）。 一支撐結構可添加並增強結構完整性及機械完整性（例 如，減少破裂、斷裂的敏感性等），同時亦支援功能操作 如，增加光學反射，·改良導熱性；建立組件之間的電 接性等）。 μ 出於圖示及描述之目的提供了特定實施例之如上描 述。其並非意欲窮盡本發明或將本發明限制於所揭示的精 確形式中，且可能根據上述教示進行許多修改及改變。為 了最佳地解釋本發明之原則及其實際應用’選擇且描述該 等實施例，從而使其他熟習此項技術者能夠最佳地利用= 發明，因Α具有纟種修改之各種實施例適合於涵蓋之特別 的用途。其意欲藉由附加至本文及其等效物的【申請專利 範圍】而界定範疇。 ° 【圖式簡單說明】 併入本說明書且構成其-部分之附圖包含本發明實施 例之原則的示例性圖示，且並非意欲將本發明限制於其中 所不的特定實施例。該等圖式未按比例繪製，除非特定指 示0 第1A圖為根據本發明之—實施例藉由犧牲層附著於 生長基板之一示例性設備的一部分的方塊圖。 、 50 201203442 第1B圖為根據本發明之一實施例之示例性設備之一 部分方塊圖，其中支撐組件包含金屬組件及非金屬組件。 第1C圖為根據本發明之一實施例之正與生長基板分 離過程中，示例性設備的一部分的方塊圖。 第1D圖為根據本發明之一實施例之已與生長基板分 離之示例性設備的一部份的方塊圖。 第1E圖為根據本發明之一實施例之示例性薄膜設備 製造方法的流程圖。 貫施例之示例性支撐結構 第1F圖為根據本發明之 形成製程的方塊圖。 第2A圖為根據本發明之一實施例之 例性支撐結構的方塊圖。 刃力不 第2B圖為根據本發明之一實施例 離之示例性設備的一部分的方塊圖。 ^長基板刀 第3A圖為根據本發明之一實施例 例性支撐結構的方塊圖。 -又備的另一不 第3 B圖為根據本發明之一實施 離之示例性設備的-部分的方塊圖。> 之已與生長基板分 之具有介電結構之 一示例性設備的方塊圖 第3C圖為根據本發明之—實施例 第4圖根據本發明之一實施例 的張力應變比率的圖表。 戈·撑層之變化厚度 第5圖根據本發明之—實施例_ 的貼合薄膜比率的圖表。 叉揮層之變化厚度

S 51 201203442 第6圖圖示根據本發 明之一實施例之支撐層之變化厚 度的應變曲率比率的圖表 〇 第7圖圖示根據本發 明之一實施例之支撐層之變化厚 度的力矩應變比率的圖表 〇 【主要元件符號說明】 100 :設備 102 :生長基板 104 :犧牲層 106 :裝置結構 108 : ELO薄膜堆疊 110 :反射層 120 :金屬組件 122 :黏著層 124 :非金屬組件 128 :支撐結構 150 :介電結構 200 :基板 228 :支撐結構 240 :設備 300 :基板 3 4 0 :設備/磊晶薄膜堆疊 500 :設備 1000 :方法 1100 :方塊 1200 :方塊 1300 :方塊 1400 :方塊 1500 :製程 1 5 1 0 :方塊 1520 :方塊 1530 :方塊 52

Claims (1)

1. 201203442 七、申請專利範圍： . 1 ·—種設備，其包含： . 包括—電子裝置之部分的一裝置結構； 一支擇結構’耦接至該裝置結構；其中該支撐結 構輔助該梦§ #碰> 、置、.。構之特徵’且該支撐結構包含： 一金屬組件’耦接至該裝置結構；以及 一非金屬組件，耦接至該金屬組件。 . · -• 如請求項1所述之設備，其中該支撐組件輔助該 裝置結構之結構完整性及機械完整性。 3· 如請求項1所述之設備，其中該支撐組件輔助該 裝置結構之功能操作。 4. 如請求項丨所述之設備，其中該金屬組件包含金 屬材料之至少一個層。 5. 如請求項1所述之·设備，其中該非金屬組件包含 非金屬材料之至少一個層》 6. 如請求項丨所述之設備’其中該非金屬組件包含 一聚合物材料。 7. 如請求項丨所述之設備’其中相對於該裝置結 53 201203442 構，該金屬組件具有較大的剛性特徵 8'如請求項1所述之設備，其中相對於該金屬層組 件，該非金屬組件具有較大的撓性特徵。 、.如明求項1所述之設備，其中該支撐結構經設置 以將光朝向該裝置結構反射。 、1 〇’如印求項1所述之設備，其中該支撐結構經設置 以從該裝置結構進行導電。 κ 一種薄膜設備製造方法，其包含以下步驟： 在一生長基板上添加一犧牲層； 在該犧牲層上沈積一薄膜裝置層； _ 執行一支撐結構形成製程，以在該薄膜裝置層上 形成一支撐結構；及 移除該犧牲層。 12.如請求項丨1所述之薄膜設備製造方法，其中該支 牙、，·°構形成製程包含以下步驟： 形成耦接至該薄臈襞置層之至少一個金屬層；以 形成耦接至該金屬層之至少一個非金屬層。 5 54 201203442 1 3 ·如請求項丨2戶斤述之薄膜設備製造方法，其中該支 . 撐結構形成製程進—少包含以下步驟：形成耦接至該金屬 層及該非金屬層之至少/個黏著層。 14.如請求項11所述之薄膜設備製造方法，其中該金 屬組件包含銅。 15·如請求項丨丨所述之薄膜設備製造方法，其中該金 屬組件包含鎳。 16·如請求項丨丨所述之薄膜設備製造方法，其中該非 金屬組件包含一聚合物材料。 人麻17.如請求項11所述之薄膜設備製造方法，豆中該非 金屬組件包含-共聚合物材料。 非 屬二包Π:::1。所述之薄膜設備製造方法’其中該金 金“件=2:::材之:。膜設備製造方法，其中該非 薄犋支撐結構，其包含： 金屬組件，經設置 以增加一薄臈裝置結構之剛 55 20.— 201203442 性’該金屬組件耦接至該裝置結構； . 一非金屬組件，經設置以增加該薄膜裝置社姓 且、、·。構之 撓性；以及 一黏著劑組件，經設置以增強該非金屬組件與該 金屬組件之耦接。 / 21. 如請求項20所述之裝置，其中該支撐組件辅助該 襄置結構之結構完整性及機械完整性。 22. 如請求項2〇所述之裝置’其中該支撐組件輔助該 裝置結構之功.能操作。 23. 如請求項2〇所述之裝置，其中該金屬組件包含金 屬材料之至少一個層。 2 4 ·如清求項2 〇戶斤述之裝置’其中該非金屬組件包含 非金屬材料之至少—個層。 25.如清求項2〇所述之裝置，進一步包含糕接至該金 屬組件之至少~個介電層。 56