TW201145827A - Level shifter - Google Patents
Level shifter Download PDFInfo
- Publication number
- TW201145827A TW201145827A TW099117959A TW99117959A TW201145827A TW 201145827 A TW201145827 A TW 201145827A TW 099117959 A TW099117959 A TW 099117959A TW 99117959 A TW99117959 A TW 99117959A TW 201145827 A TW201145827 A TW 201145827A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- current
- transistor
- voltage
- output
- control
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356104—Bistable circuits using complementary field-effect transistors
- H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
201145827 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種轉壓器,尤指一種以電流驅動而可縮減 布局面積、減少轉壓短路電流的轉壓器。 【先前技術】 轉壓器可接收訊號範圍較小的輸入訊號並將其對應地轉 換為訊號範圍較大的輸出訊號,是介面電路中的重要構築方 塊。譬如說,在驅動顯示面板的閘極驅動器(gate driver)晶 片中,晶片内原始控制訊號的訊號範圍為0到3伏特,但要輸 出至驅動顯示面板的閘極時,所需的訊號範圍可能就要擴大為 -8到3伏特。為了順利地於兩種訊號範圍間進行轉換,就需要 用到轉壓器’用以將0到3伏特的輸入訊號轉換為-8到3伏特 的輸出訊號。 請參考第1圖,其所示意的是一習知轉壓器1〇。習知轉 壓器10具有一對電晶體TP卜TP2 (p通道金氧半電晶體)與 另一對電晶體TNI、ΤΝ2 (η通道金氧半電晶體)。輸入訊號 IN以反相器INV反相為另一輸入訊號,輸入訊號以與 INB的訊號挑圍在電壓VPP與VSS之間。轉壓器1〇則運作於 電壓VPP與VGL之間,用以根據輸入訊號以/j^而在節點 n2與nl分別提供對應的輸出訊號〇UT/〇UTB,並將輸出訊號 OUT/OUTB的訊號範圍擴大到電壓vpp至之間。其中, 電晶體TP1與TP2的閘極分別接收輸入訊號m與臓,電晶 體TN1與TN2的閘極則分別輕接節點以與…。 習知轉壓^ 10的運作可簡介如下。譬如說,當輸入訊號 IN由電壓VPP轉態為電壓vss時,電晶體τρι會開始導通, 用以將即點nl的電壓(也就是輸出訊號㈤TB)拉高至電壓 VPP。隨點nl的電壓上升,冑晶體谓也會開始導通,以 3 201145827 將節點n2的電壓(即輸出訊號〇υτ)拉低至電壓VGL。 不過,當輸入訊號IN原本還維持於電壓VPP時,電晶體 TN1是導通的。故當輸入訊號要由電壓vpp轉態為電壓 VSS時’導通的電晶體TP1要和導通的電晶體互相競爭。 導通的電晶體TN1會傾向將節點nl的電壓維持於較低的電壓 VGL,故電晶體TP1必須要比電晶體導通更多電流、達 到更好的導通程度,才能將節點η1的電壓提高到電壓νρρ。
然而,由於電晶體TP1是ρ通道金氧半電晶體,其驅動 電流的潛力較弱(譬如說其載子移動率(carrier m〇bil办)較 低)’故需要以較大的長寬比(aspectrati〇,即通道寬度與長度 的比值W/L)才能驅動足夠的電流以超越電晶體。這也 導致電晶體TP1與TP2的布局面積,亦即轉壓器1G的總布局 面積無法縮減。 另外,當電晶體TP1因應輸入訊號m轉態而和電晶楚 ™競爭時’電晶體TP1導通的大電流也會在競爭期間造^ 電流較大、延續時間較久的短路電流,在競爭期間内持續從简 壓VPP汲取功率,增加習知轉壓器1〇的功率消耗。 再者’習知轉壓ϋ K)是由賴所鶴的。也就是說,名 =體m至ΤΡ2、至TO2是各自根據其閘極與源触 ^而運作的’故其電路設計必須針對輸人峨範圍的電壓輿 輪出訊號範圍的電壓進行特殊的客製化,在不刻 =設計也必須改變。譬如說,若某—應岐要射至3烟 號轉壓為·3至3伏特的輸出訊號,另—應用則要將( =的輸人訊號轉壓為-20至3伏特的輸出訊號,貝細 ^習特的輸人減轉壓為·3至3伏特的輸出訊號所勒 至3佚/^無法賴於將G至3伏特的輸人訊雜壓為-2( 伙特的輪出訊號,必須針對將0至3伏特的輸入訊號· 2〇1145827 為-20至3伏特的輪出訊號另外設計不同參數(電路尺寸更大) 的轉壓器。 【發明内容】 本發明的目的之一是提供一種轉壓器,用以根據一第一 輸入訊號與一第二輸入訊號,進而由一第一輸出端與一第二 輸出端分別輸出對應的一第一輸出訊號與一第二輸出訊 號’該第一輸入訊號與該第二輸入訊號操作於一第一電壓與 一共同電壓之間,且該第一輸出訊號與該第二輸出訊號操作 於一第二電壓與該共同電壓之間,該第一電壓介於該第二電 壓與該共同電壓之間,該轉壓器包含有:一第一電晶體,其 具有一第一第一端、一第一第二端與一第一控制端,該第一
弟一鈿接收該第一輸入訊號,該第一控制端耦接一第一偏 壓,該第一第二端耦接該第一輸出端;一第二電晶體,其具 “ ^ 第一第一端與一第二控制端,該第二第 -端接收该第二輸人訊號,該第二控制端缺該第一偏壓, 該第二第二端輪該第二輸出端;-第三電晶體,其具有一 第一,鸲第二第二端與一第三控制端,該第三第一端 麵接該第-輸出端,該第三控制端减該第二輸出端; 四,晶體’其具有—第四第—端、—第四第二端與一第四控 ^一2二第端輕接该第二輸出端,該第四控制端_ 该第-輸出^第五電晶體,其具有—第五第—端、一 與:Γ控制端’該第五控制端轉接-第二偏壓 ::了:共麵’而該第五第-端減於該; 二第一鈿,Μ及一第六電晶體,其具有一 一 六Ϊ二t與—第六控制端,該第六控制端轉接該第二偏歷 該第六第二端輕接該共同電壓,而該第 四第二端’·射哪,細第:電晶== 201145827 第一偏壓係由一第一電流鏡提供;該第五電晶體與該第六電 晶體匹配,而該第二偏壓係由一第二電流鏡提供;當該輸入 §fl號為s亥第一電壓時,該第—輪出訊號為該第二電麼,當該 輸入訊號為該共同電壓時,該第一輸出訊號為該共同電壓。 本發明的另一目的是提供—種轉壓器,包含有:一第一 電流電路,具有一第一輸出端與一第二輸出端;該第一電流 電路係依據一輸入訊號而選擇於該第一輸出端與該第二輸 出端的其_之一提供一第一電流,其中,該輸入訊號作於一 第一電壓與一共同電壓之間,該第一輸出端與該第二輸出端 • 的一第一輸出訊號與一第二輸出訊號操作於一第二電壓與 該共同電壓之間’該第一電壓介於該第二電壓與該共同電壓 之間,一開關電路,具有一第一連接端、一第二連接端、一 第三連接端與一第四連接端;該第一連接端與該第二連接端 分別耗接該第-輸出端與該第二輪出端;該開關電路係根據 6玄第一連接端的訊號決定是否將該第二連接端導通至該第 四連接端’並根據該第二連接端的減決定是否將該第一連 接端導通至該第三連接端;_第二電流電路,具有一第一電 • 流端與-第二電麵,相输至鮮三連接端與該第四連 接端;當該開關電路將該第-連接端導通至該第三連接端 時’該第二電流電路於該第-電流端提供-第二電流,當該 開關電路將該第二連接料通至該第四連接端時,該第二電 流電路於該第二電流端提供該第二電流;—第—電流鏡連接 至該第-電流電路,用以控制該第一電流電路產生該第一電 ’以及-第一電流鏡連接至該第二電流電路用以控制該 第二電流電路產生該第二電流。 【實施方式】 Μ #參考第2 ffi ’其所示意的是本個轉壓^的-種實施例 201145827 20。輸入訊號IN由反相器INV反相為輸入訊號_ ,訊號範 圍為電壓WP至VSS。本發明轉壓器2〇即用以根據輸入訊號 IN與INB而在雜點N1與N2輸出對應的輸出訊號〇υτ與 OUTB ’並將輸出訊f虎OUT與〇UTB的訊號範圍擴大為電壓 VPP至VGL。其中’電壓VSS的大小可介於電壓Vpp斑vgl 之間。轉壓器20運作於電屢VPP與VGL之間,設有電晶體 MP卜MP2、MNS卜MNS2、MN1與顧2 ;各電晶體的閘極 可視為一控制端,汲極與源極則為另兩端。其中,電晶體^^^ 與體可以是P通道金氧半電晶體,兩者的源極分別接收輸 # 入訊號^與細’源極分別耦接節點N1與N2以作為轉壓器 20的兩個輸出端’閘極則共同輕接—偏壓⑴〒電晶體麗以 與MNS2可以是η通道金氧半電晶體,兩者的問極分別耗接 於節點Ν2與犯’電晶體_S1的另兩端分別在節點m與 N3耗接電晶體MP1的汲極與電晶體的没極;對稱地, 電晶體MNS2的另兩端則分別在節點N2與N4耦接電晶體 MP曰2的沒極與電晶體應2的汲極。電晶體麵與丽2亦可 以疋η通道金氧半電晶體’兩者的閘極於節,點Nc2共同祕 • 至一偏壓Biasn,源極則一併耦接至共同的電壓VGL。 、在轉壓器2G中’電晶體㈣與聰可以是相互匹配的, 並和另-個電4ΜΡΒ1 (如—p通道金氧半電晶體)形成一 個類似於電流鏡的共閘極架構。電晶體⑽則工作於電壓 VPP ’其閘極與汲極輕接在一起並接受一電流脱的偏麼,用 以作為主控電机鏡的源頭,提供偏壓此印。偏壓用的電流脱 可由一電流源(未示於圖)提供。另外,電晶體應與_2 ,可以是相互匹配的’並和另一電晶體^^^ (如一 η通道金 氧半電晶體)形成另-個共閘極、共源極的電流鏡。電晶體 ΜΝΒ1的源極亦柄接 VGL,間極與汲極偶接在一起並接… ί S ] 7 201145827 党一電流IBN的偏壓(電流IBN可由另一電流源提供,未圖 示)’用以作為電流鏡的主控源頭,並提供偏壓Biasn。在本發 明的較佳實施例中’電流IBP的大小大於電流ibn。 本發明轉壓器20的運作原理可描述如下。當輸入訊號取 與INB分別為電壓VPP與電壓VSS時,電晶體MPB1與MP1 的源極電壓同樣是電壓VPP,故兩電晶體間的共閘極架構可將 電晶體MPB1導通的電流IBP鏡映至電晶體MP1,使電晶體 MP1也導通電流IBP。導通的電晶體MP1會將節點N1的電 壓(也就是輸出訊號OUT)拉升至電壓vpp,連帶使電晶體 • 丽幻導通。電晶體MNS2將節點N2導通至節點N4,電晶 體MNB1與電晶體MN2形成的電流鏡,使得電晶體MN2導 通電流IBN。由於電晶體MP2的汲極因接收輸入訊號_而 耦接較低的電壓VSS ’所以電晶體MP2為關閉狀態,故電晶 體MP2不會主導節點N2的電壓,而是由導通的電晶禮 經由已經導通的電晶體MNS2來將節點N2的電壓(即輸出訊 號OUTB)拉低至電壓VGL。如此,也就能回應電壓vpp與 VSS的輸入訊號IN與INB而輸出電壓VPP與VGL的輸出訊 鲁號OUT與OUTB。其中’在電晶體MP1兩端的輸入訊號m 與輸出訊號OUT同相,也就是說’當輸入訊號IN的電壓為輸 入訊號的訊號範圍上限時,輸出訊號OUT的電壓亦到達輸出 訊號的訊號範圍上限;當輸入訊號IN的電壓為輸入訊號的訊 號範圍下限時,輸出訊號OUT的電壓也到達輸出訊號的訊號 範圍下限。同理,在電晶體MP2兩端的輸入訊號INB與輸出 訊號OUTB也是同相的。 當輸入訊號IN由電壓VSS轉態為電壓VPP而使電晶體 MP1開始導通電流IBP時,雖然電晶體MN1可能仍暫時導通 電流IBN,但由於實作時會將電流IBP設計的比電流IBN來r [S1 8 201145827 得大,因此雖然電晶體MP1與電晶體MNi均為導通狀態,仍 然可以確保節點N1的電壓可以順利地被提高至電壓vpp。 在由電晶體MP1、MNS1至_1的源極汲極串聯所形成 導電路徑上,隨著節點N2的電壓被拉低至電壓VGL,電晶體 _S1會停止導通並阻斷此一導電路徑的穩態功率消耗。在由 電晶體MP2、_S2至MN2的源極汲極串聯導電路徑上,電 晶體MP2則阻斷此一導電路徑的穩態功率消耗。 上述疋轉藶器20針對輸入訊號pfy丨/ΓΝΒ分別為電壓 VPP/VSS時的運作。當輸入訊號in/INB為電壓VSS/VPP時, 轉壓器20的運作情形則可依據對稱的原理推知。電晶體Μρ: 會與電晶體MPB1完成電流鏡的鏡映架構,使電晶體Mp2導 通電流IBP ’將節點N2的電壓提昇至電壓VPP,並使電晶體 MNS1將節點N1導通至節點N3。電晶體MNB1與電晶體mn i 間的電流鏡關係使電晶體MN1導通電流IBN ,將節點N1的 電壓拉低至電壓VGL。 由以上討論可知,本發明轉壓器20是依據電流驅動的原 理運作’其係經由兩電流鏡架構來分別控制電晶體 與MN1/MN2的導通程度與導通電流,因此只需針對參考電流 IBP與參考電流ΓΒΝ作適當的設計’例如上述操作時設計電流 IBP大於電流IBN ’故電晶體MP1/MP2不需要像習知技術一 樣利用增加長寬比的方式來控制其導通程度。因此,電晶體 MP1與MP2的布局面積,乃至於本發明轉壓器2〇的整體布局 面積’都可有效地大幅縮減。事實上,電晶體Mpi與_2可 用布局設計規則規範的最小尺寸來予以實現,大幅地優化本發 明轉壓器20的布局面積。 此外,在本發明中,由於各電晶體的導通電流可由電流 IBP與IBN來予以設定’故能有效地控制轉態時的短路電流大 201145827 小,避免無謂的暫態功率消耗。譬如說, ’歧_為3微安培,則短 大小會被限制在3微安培左右,不會過大。 路電抓的 再者,由於本發明轉壓妓電流驅動而非電__,故 本發明可㈣—電路設計(如相同參數、布局尺 =各種不同的應用。譬如說,若某-應用是要將0至3伏^ 輸入訊號轉壓為-3至3伏特的輸出訊號,另—_财將q 至3伏特的輸入訊號轉壓為_20至3伏特的輸出訊號只要各
,晶體的耐難度許可’本發明可統—賴—電路設計的讎 器適用這兩種不同訊號範圍的應用。 在實際應用本發明轉壓器20時,複數個轉壓器2〇可共用 同-個電晶體MPB1 ’亦可共用同一個電晶體議61。換句話 說,複數個轉壓器20中所各自擁有的電晶體MR與Mp2可 和共用的電晶體—MPB1形成共閘極的架構s•每一轉壓器汾個 別接收的輸入訊號IN/INB會使其電晶體⑽丨與Mp2的其中 之一得以和電晶體MPB1形成電流鏡,使其導通的程度與^通 的電流IBP能由共用電晶體]y[PBl統一控制。同理,複數個 轉壓器20中所各自擁有電晶體MN1與]VCsT2也可統一和同一 個電晶體MNB1形成電流鏡,使電晶體能主控電流IBN 的大小。 等效上來說’在本發明轉壓器20中,電晶體Μρι與MP2 形成一電流電路,以節點N1與N2為兩輸出端,其中,此電 流電路係依據輸入訊號IN (與其所衍生的輸入訊號j]s^b)而 選擇於節點N1與N2的其中之一提供電流IBP。電晶體MNS1 與_S2形成一開關電路’以節點N1至N4作為四個連接端, 其中,此開關電路根據節點N1的訊號(電壓高低)決定是否 將節點N2導通至節點N4,亦根據節點N2訊號決定是否將節 201145827 點N1導通至卽點N3。電晶體MNl與MN2則形成另一電流 電路’卽點N3與N4可視為兩電流端。當電晶體 形成的開關電路將節點N1導通至節點N3時,電晶體 MN1/MN2形成的電流電路會於節點提供電流IBN ;對稱 地’當開關電路將節點N2導通至節點N4時,電晶體MN1/MN2 形成的電流電路則於節點N4提供電流IBN。 請參考第3圖,其所示意的是本發明另一轉壓器3〇的實 施例。輸入訊號IN由反相器INV反相為另一輸入訊號INB, 兩者的訊號範圍為電壓VPP至VSS。轉壓器30則運作於電壓 鲁 VGH與VSS之間,以根據輸入訊號汛與_而分別在節點 N1與N2輸出一對輸出訊號〇υτ與〇UTB,並將輸出訊號 OUT與OUTB的訊號範圍擴大到電壓vss至VGH ;其中, 電壓VPP的大小介於電壓vgh與VSS之間。 轉壓器30運作於電壓VGH與vss之間,設有電晶體 MP卜MP2、MPS卜MPS2、MN1與MN2 ;各電晶體的閘極 可視為一控制端,汲極與源極則為另兩端。其中,電晶體 與MN2可以是η通道金氧半電晶體,兩者的源極分別接收輸 • 入訊號取與別3’汲極分別耦接節點Ν1與Ν2以作為轉壓器 3 〇的兩個輸出端,閘極則共同耦接一偏壓B i咖。電晶體Mp $ 1 ,MPS2可以是p通道金氧半電晶體,兩者的閘極分別耦接於 節點N2與N1,電晶體MpS1的另兩端分別在節點N1與2^3 輕接電晶體MN1與電晶體MP〗的汲極;對稱地,電晶體MPS2 的另兩端則分別在節點N2與N4耦接電晶體MN2與電晶體 MP2的没極。電晶體Mp丨與Mp2亦可以是p通道金氧半電晶 體’兩者的閘極於節點Nc2共同耦接至偏壓別叩,源極則一 併耦接至電壓VGH。 在轉壓器30中,電晶體_1與MN2可以是相互匹配的, 201145827 並和另一個電晶體MNB1 (如一 n通道金氧半電晶體)形成一 個類似於電流鏡的共閘極架構。電晶體工作於電壓 vss,其閘極與汲極耦接在一起並接受一電流IBN的偏壓,以 作為主控電流鏡的源頭’提供偏壓Biasn。另外,電晶體Μρι 與MP2也可以是相互匹配的,並和另一電晶體MpB1 (如一 p 通道金氧半電晶體)形成另一個共閘極、共源極的電流鏡。電 晶體MPB1的源極亦耦接電壓VGH,閘極與汲極偶接在一起 並接受一電流IBP的偏壓,以作為電流鏡的主控源頭,並提供 偏壓Biasp。在本發明轉壓器30的較佳實施例中,電流IBP 小於電流IBN。 轉壓器30的運作原理可由轉壓器20(第2圖)類推而得。 舉例來說,當輸入訊號IN為電壓VSS而輸入訊號INB為電壓 VPP時,電晶體MN1與電晶體MNBi形成電流鏡,使電晶體 MN1導通電流IBN。由於電流IBN大於電流IBP,節點N1 的電壓(也就是輸出訊號OUT)會被拉低至電壓VSS。連帶 地’電晶體MPS2導通’使電晶體MP2導通的電流IBP將節 點N2的電壓(輸出訊號OUTB)提高至電壓VGH。 總結來說’本發明轉壓器20是以輸入訊號IN/INB的訊號 範圍上限(電壓VPP)作為輸入訊號!n/inb與輸出訊號 OUT/OUTB的共同上限(共同電壓),並使輸出訊號 OUT/OUTB的訊號範@下限(電壓VGL )低於輸人訊號iN/Onb 的訊號範圍下限(電壓VSS)。相對地,本發明轉壓器30是以 輸入訊號IN/INB的訊號範圍下限(電壓VSS)為輸入訊號 IN/INB與輸出訊號OUT/OUTB的共同下限,並使輸出訊號 OUT/OUTB的訊號範圍上限(電壓VGH )高於輸人訊號IN/INB 的訊號範圍上限(電壓VPP)。相較於習知技術,本發明是經 由電流鏡架構而以電流驅動的原理來控制轉壓運作,使本發明 12 201145827 的布,面積得以有效縮減,並降低暫態短路電流轉 耗:此外’本發明能以同-電路設計廣泛適的岸= =,亦即以本發_電路設計即可廣泛_不_電壓轉^ 用。 綜上所述’雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並 非用赚定本個,任何翻此技藝者,在不脫離本發明^精
神和範_ ’當可作各種更動與_,因此本發明之保護範圍 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖示意的是一習知轉壓器。 第2圖示意的是本發明轉壓器的一實施例。 第3圖示意的是本發明轉壓器的另一實施例。 【主要元件符號說明】 10、20、30轉壓器 TP1-TP2、TN1-TN2、MP1-MP2、MPB1、MNS1-MNS2、 MN1-MN2 > MNB1 ' MPS1-MPS2 電晶體 VPP > VSS ' VGL > VGH 電壓 IN、INB輸入訊號 OUT、OUTB輸出訊號 nl-n2、N1-N4、Ncl-Nc2 節點 INV反相器 ffiN、IBP電流
Biasp、Biasn 偏壓 七、申請專利範圍: 1. 一種轉壓器,用以根據一第一輸入訊號與一第二輸入訊 13
Claims (1)
- 201145827 的布,面積得以有效縮減,並降低暫態短路電流轉 耗:此外’本發明能以同-電路設計廣泛適的岸= =,亦即以本發_電路設計即可廣泛_不_電壓轉^ 用。 綜上所述’雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並 非用赚定本個,任何翻此技藝者,在不脫離本發明^精神和範_ ’當可作各種更動與_,因此本發明之保護範圍 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖示意的是一習知轉壓器。 第2圖示意的是本發明轉壓器的一實施例。 第3圖示意的是本發明轉壓器的另一實施例。 【主要元件符號說明】 10、20、30轉壓器 TP1-TP2、TN1-TN2、MP1-MP2、MPB1、MNS1-MNS2、 MN1-MN2 > MNB1 ' MPS1-MPS2 電晶體 VPP > VSS ' VGL > VGH 電壓 IN、INB輸入訊號 OUT、OUTB輸出訊號 nl-n2、N1-N4、Ncl-Nc2 節點 INV反相器 ffiN、IBP電流 Biasp、Biasn 偏壓 七、申請專利範圍: 1. 一種轉壓器,用以根據一第一輸入訊號與一第二輸入訊 13 201145827 號’進而由一第一輸出端與一第二輸出端分別輸出對應的一 第一輸出訊號與一第二輸出訊號’該第一輸入訊號與該第二 輸入訊號操作於一第一電壓與一第共同電壓之間,且該第一 輸出訊5虎與該第二輸出訊號操作於一第二電壓與該共同電 壓之間,該第一電壓介於該第二電壓與該共同電壓之間,該 轉壓器包含有: 一第一電晶體,其具有一第一第一端、一第一第二端與一第 一控制端,該第一第一端接收該第一輸入訊號,該第一控 制端耦接一第一偏壓,該第一第二端耦接該第一輸出端, 其中,該第一偏壓係由一第一電流鏡提供; 一第二電晶體,其具有一第二第一端、一第二第二端與一第 二控制端,該第二第一端接收該第二輸入訊號,該第二控 制端耦接該第一偏壓,該第二第二端耦接該第二輸出端; 一第三電晶體,其具有一第三第一端、一第三第二端與一第 三控制端,該第三第一端耦接該第一輸出端,該第三控制 端耦接該第二輸出端; 一第四電晶體,其具有一第四第一端、一第四第二端與一第 四控制端,該第四第一端耦接該第二輸出端,該第四控制 端耦接該第一輸出端; -第五電晶體,其具有—第五第—端、一第五第二端與一第 五控制端,該第五控制端耦接一第二偏壓,該第五第二端 如妾該共同電壓,而該第五第—端_於該第三第二端, 其中,s玄第二偏壓係由一第二電流鏡提供;以及 一f六電晶體,其具有-第六第—端、—第六第二端與一第 六控制端’該第六控制端輕接該第二偏壓,該第六第二端 輕接該共同電Μ ’而該第六第—端祕於該第四第二端; ”中’該第-電晶體與該第二電日日日體匹配,該第五電晶體與 201145827 j第六電晶魅配’當該輸人訊號為該第—輕時,該第 —輸出訊號為該第二電壓’當該輸人峨為該第共同電壓 時,該第一輸出訊號為該共同電壓。 、 2. =申請專利範圍第1項的轉壓器,其中該第-電晶體、該 -電晶體係為P通道金氧半電晶體,該第三 Ξΐί體五ί晶體與該第六電晶體係為n通道金k Η:— ^ —電流鏡包括一第七P通道金氧半電晶體,其 二:接至一第一電流源與該第一控制端,其源極接 。曰心、同輕,以及該第二電流鏡包括一第八η通道金氧半 /曰體’其閘極與祕連接至—第二電流源與該第五控制 鳊,其源極接收該第二電壓。 工 3. ,申請專概圍第2彻髓^,其巾 流大於該第二電流源的電流。 U的電 範圍第2項的轉壓器’其中該第共同電壓大於 遠第一電壓,以及該第一電壓大於該第二電壓。 其中辟,體、該 第-電日㈤係為η通道金氧半電晶體,該第 體=第五電晶體與該第六電晶體係―金二 電流鏡包括一第七η通道金氧半電晶體,其 θ ”錄連接至—帛m與該第 ,第共咖,以及該第二電流鏡包括—‘通;^ =晶體’其間極與沒極連連接至一第二電流源與該第五控 制端,其源極接收該第二電壓。 、 6. 如申請專利範圍第5項的轉壓器,其 流大於該第二電流源的電流。 *電心原的電 7. ^-申圍第5項的髓器,其中該_壓小於該 第電屋,該第-電壓小於該第二電壓。 201145827 8. —種轉壓器,包含有: 一第一電流電路,具有一第一輸出端與一第二輸出端;該第 一電流電路係依據一輸入訊號而選擇於該第一輸出端斑 該第二輸出端的其中之一提供一第一電流,其中,該輸入 訊號操作於一第一電壓與一共同電壓之間,該第一輸出端 的一第一輸出訊號與該第二輸出端的一第二輪出訊號分 別操作於一第二電壓與該共同電壓之間,該第—電壓介於 該第二電壓與該共同電壓之間; /開關電路,具有一第一連接端、一第二連接端、一第三連 接端與一第四連接端,該第一連接端與該第二連接端分別 馨 耦接該第一輸出端與該第二輸出端’該開關電路係根據該 第一連接端的訊號決定是否將該第二連接端導通至該第 四連接端’並根據該第二連接端的訊號決定是否將該第一 遠接端導通至該第三連接端; /第二電流電路,具有一第一電流端與一第二電流端,分別 辦接至該第三連接端與該第四連接端;當該開關電路將該 笫一連接端導通至該第三連接端時,該第二電流電路於該 第一電流端提供一第二電流,當該開關電路將該第二連接 端導通至該第四連接端時,該第二電流電路於該第二電流 端提供該第二電流; Ζ第一電流鏡連接至該第一電流電路,用以控制該第一電流 電路產生該第一電流;以及 /第二電流鏡連接至該第二電流電路’用以控制該第二電流 電路產生該第二電流。 9•妒申請專利範圍第8項的轉壓器,其中該第—電流大於該 電流。 1〇妒申請專利範圍8項的轉壓器,其中該第一電流電路包含 16 201145827 有: 第一電晶體,其具有-第-第-端、-第-第二端與-第 一控f端’該第—第—端接收該輸人訊號,該第-第二端 雛5亥第一輸出端’該第一控制端耗接至該第-電流鏡以 接收該第-電流鏡輪出的一第一偏壓;以及 -第二電晶體’其具有—第二第—端、—第二第二端與一第 j制端’第二—端接收反相的該輸人訊號,該第二第 -,輕接該第二輪出端’該第二控制_接該第一偏壓。 11. ^申請專利範圍第1G項的轉壓器,其中該第—電晶體、 該Ϊ 一電晶體係為p通道金氧半電晶體,該第-電流鏡包括 一七p通道金氧半電晶體’其閘極無極連接至-第-電 流源與該第-控制端,其源極接收該共同電壓。 12. 如申請專利範圍第10項的轉壓器,其中該第一電晶體、 該第工電紐係^通道金氧半m該第—電流鏡包括 -第七η通道金氧半電晶體,其閘極與極連接至一第一電 流源與該第-控制端,其源極接收該第共同電壓。 13. 如申切專利範圍帛8項的轉壓器,其中該開關電路包含有: 第一電Β曰體,其具有一第三第一端、一第三第二端與一第 三控制端’該第三第一端麵接該第一連接端,該第三控制 端搞接該第二連接端,該第三第二端輕接該第三連接端; 以及 -第四電晶體,其具有-第四第1、_第四第二端與一第 端,該第四第-端減該第二連接端,該第四控制 細ΓΐΓ第一連接端’該第四第二端輕接該第四連接端。 Η. ^申印專利範圍第8項的轉壓器’其中該第二電流電路包 含有· ^第五電晶體’其具有—第五第—端、—第五第二端與一第 201145827 五控制端,該第五控制端触至該第二電流鏡以接收該第 二電流鏡輸出的-第二偏壓,該第五第二端祕該第二電 麼’該第五第-端耗接該第一電流端;以及 -第’、電晶體’其具有-第六第—端、—第六第二端與一第 六控制端,該第六控制端搞接該第二偏壓,該第六第二端 祕該第二電壓,該第六第—端減該第二電流端。U·如申請專利範圍第14項的轉壓器,其中該第五電晶體、 該第六電晶體係為η通道金氧半電晶體;該第二電流鏡包括 -第八η通道金氧半電晶體,其祕與汲極連接至一第二電 流源與該第五控制端,其源極接收該第二電壓。 16.如申§#專利細第14項的轉壓器,其中該第 該第六電晶體係為ρ通道金氧半電晶體;該第二電= 一第八ρ通道金氧半電晶體,其閘極與祕連接至一第二電 流源與該第五控制端,其源極接枚該第二電墨。 、圖式·18
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099117959A TWI410048B (zh) | 2010-06-03 | 2010-06-03 | 轉壓器 |
US13/104,133 US8742821B2 (en) | 2010-06-03 | 2011-05-10 | Level shifter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099117959A TWI410048B (zh) | 2010-06-03 | 2010-06-03 | 轉壓器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201145827A true TW201145827A (en) | 2011-12-16 |
TWI410048B TWI410048B (zh) | 2013-09-21 |
Family
ID=45063990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099117959A TWI410048B (zh) | 2010-06-03 | 2010-06-03 | 轉壓器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8742821B2 (zh) |
TW (1) | TWI410048B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103730150A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种电平移位电路 |
WO2019024803A1 (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 电平移位电路和集成电路芯片 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI502870B (zh) * | 2013-04-11 | 2015-10-01 | Ili Technology Corp | Voltage conversion device |
TWI591968B (zh) * | 2015-02-12 | 2017-07-11 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 應用於顯示裝置之位準移位器電路 |
GB2551205B (en) * | 2016-06-10 | 2020-05-06 | Etl Systems Ltd | A self-optimising RF amplifier |
US10063219B1 (en) * | 2017-07-28 | 2018-08-28 | Qualcomm Incorporated | Augmented intermediate voltage generator based core to pad level shifter |
US10103732B1 (en) * | 2017-10-04 | 2018-10-16 | Synopsys, Inc. | Low power voltage level shifter circuit |
US11799482B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-10-24 | SK Hynix Inc. | Interface circuit and semiconductor output circuit device |
CN115843416A (zh) * | 2020-07-31 | 2023-03-24 | 微芯片技术股份有限公司 | 多偏置模式电流输送器、配置多偏置模式电流输送器、包括多偏置模式电流输送器的触摸传感系统以及相关的系统、方法和设备 |
TWI747790B (zh) * | 2021-05-12 | 2021-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 位準移位器 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04277920A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Nec Corp | レベルシフト回路 |
JP2993462B2 (ja) * | 1997-04-18 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 出力バッファ回路 |
FR2797118B1 (fr) * | 1999-07-30 | 2001-09-14 | St Microelectronics Sa | Dispositif de commande d'un commutateur haute tension de type translateur |
FR2797119B1 (fr) * | 1999-07-30 | 2001-08-31 | St Microelectronics Sa | Dispositif de commande d'un commutateur haute tension de type translateur |
US6731273B2 (en) * | 2000-06-27 | 2004-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Level shifter |
US6791391B2 (en) * | 2001-07-16 | 2004-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Level shifting circuit |
US6980194B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplitude conversion circuit for converting signal amplitude |
US6642769B1 (en) * | 2002-07-23 | 2003-11-04 | Faraday Technology Corporation | High speed voltage level shifter with a low input voltage |
US6774698B1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-10 | Agere Systems Inc. | Voltage translator circuit for a mixed voltage circuit |
JP4421365B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-02-24 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | レベル変換回路 |
US7068074B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-06-27 | Agere Systems Inc. | Voltage level translator circuit |
JP4610381B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-01-12 | パナソニック株式会社 | レベルシフト回路及びレベルシフト装置 |
US7397279B2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-07-08 | Agere Systems Inc. | Voltage level translator circuit with wide supply voltage range |
DE602006016230D1 (de) * | 2006-03-17 | 2010-09-30 | St Microelectronics Srl | Mit Niederspannungstransistoren implementierter Pegelschieber für eine Halbleiterspeichervorrichtung |
JP2007306042A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Sony Corp | レベル変換回路及びこれを用いた入出力装置 |
JP4926275B2 (ja) * | 2007-03-31 | 2012-05-09 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | トランジスタスナップバック保護を組み込むレベルシフタ回路 |
US20090058493A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Matthias Arnold | Signal Level Converter |
US7446566B1 (en) * | 2007-10-16 | 2008-11-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Level shifter |
TWI376097B (en) * | 2008-09-18 | 2012-11-01 | Ili Technology Corp | Level shift circuit |
-
2010
- 2010-06-03 TW TW099117959A patent/TWI410048B/zh active
-
2011
- 2011-05-10 US US13/104,133 patent/US8742821B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103730150A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种电平移位电路 |
CN103730150B (zh) * | 2014-01-07 | 2016-08-17 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种电平移位电路 |
WO2019024803A1 (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 电平移位电路和集成电路芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110298519A1 (en) | 2011-12-08 |
TWI410048B (zh) | 2013-09-21 |
US8742821B2 (en) | 2014-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201145827A (en) | Level shifter | |
KR100734939B1 (ko) | 액정표시장치의 소스 구동회로 및 소스 구동 방법 | |
JP4098322B2 (ja) | 駆動回路 | |
US10211826B2 (en) | Electronic switch, and corresponding device and method | |
US8629706B2 (en) | Power switch and operation method thereof | |
US7443200B2 (en) | Capacitor-coupled level shifter with duty-cycle independence and supply referenced bias configuration | |
JP2005354266A (ja) | 電圧比較器回路 | |
JP2011166449A (ja) | トランスミッションゲート及び半導体装置 | |
JP4666346B2 (ja) | 電圧比較器 | |
US7999617B2 (en) | Amplifier circuit | |
JP6962851B2 (ja) | 電源供給回路 | |
CN110875736A (zh) | 低功耗负压电平移位器 | |
US20150236674A1 (en) | Low output impedance, low power buffer | |
JP2007129512A (ja) | パワーアンプおよびそのアイドリング電流設定回路 | |
TWI422154B (zh) | 轉壓器與相關裝置 | |
TW200926583A (en) | Apparatus and method for low power rail-to-rail operational amplifier | |
TWI231648B (en) | High output voltage transfer apparatus | |
JP2008283277A (ja) | 半導体スイッチ回路 | |
TWI310263B (en) | Semiconductor integrated circuit and operational amplifier circuit | |
CN108631737A (zh) | 差动放大电路 | |
CN218733247U (zh) | 一种反向保护电路及负载开关 | |
TW201246780A (en) | Outputting circuit | |
US20230146284A1 (en) | Slew boost amplifier and display driver having the same | |
US7042279B2 (en) | Reference voltage generating circuit | |
JP2000121678A (ja) | 比較装置 |