TW201143153A - Light emitting device array, method for fabricating light emitting device array and light emitting device package - Google Patents
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Description
201143153 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光元件陣列,及製作該發光元件 陣列及發光元件封裝的方法。 【先前技術】 由於薄膜成長技術及薄膜元件技術的發展,使用三五 族或二六族元素的複合物半導體所製成的發光元件已可發 出各種顏色的光’例如’紅光、綠光、藍光、及紅外線。 此類發光元件包括發光二極體及雷射二極體。螢光材料的 使用及其所造成的色彩組合,使得發光元件可以發出發光 效率良好的白光。相較於螢光燈及白熾燈等的傳統光源, 此類發光元件具有消耗功率低、使用壽命長、響應速度快、 安全及對環境友善等的優點。 此類發光元件亦可廣泛地應用於光通訊的傳輸模組、 發光·一極體貪光源以取代冷陰極管(cold cathode fluorescence lamp,CCFL)所構成的液晶顯示器(LED)背光 源、白光發光二極體以取代螢光燈及白熾燈、汽車頭燈、 甚至是交通號誌燈。 【發明内容】 本發明係關於一種發光元件陣列’及製作該發光元件 陣列及發光元件封裴的方法。 本發明之主要目的係使得發光元件晶粒/導線黏接的 封裝製程可更順暢及有效率地進行。 201143153 列,^據本發明的―方面,—實施例提供—種發光元件陣 一括一第一承載部,至少二接合層,設置於該第 .載部上;一第二承載部,設置於各個該至少二接合層 士丄:!光結構’設置於該第二承載部上’該發光結構包 說導電性型半導體層、—第二導電性型半導體層、 層、’该主動層設置於該第—及第二導電性型半導 曰,B,以及一第一電極,設置於該發光結構上。 者’該接合層的邊緣可以比該發光結構的邊緣内 滩丄芏1ϋ μηι 〇 ,第較該接合層可以包含一凹凸的結構,其形成於 该第一承載部的表面。 '、城Κ 較佳者,一發光元件的第二承 元件=第二承載料以料—金屬敎_另接鄰接的發光 第二承载部的組==同特疋部分的組成成分可以與該 接二::::的一特定部分的組成成分可以與該 較佳者,該金屬層的—特 發光結構的組成成分㈣。卩4㈣成分可以與該 較佳者,該發光元件陣列可進 設置於該第二導電性型半導 層’其 ?佳者,該發光元件陣列可進二部之間。 叹置於该歐姆層與該第二承载部之間。 反射層’其 較佳者,發光元件陣列可一 置於該歐姆層與該第二承载部之^匕括1著層,其設 201143153 較佳者,該第二承载部可以是一導電的承載基板,該 導電的承載基板包含選自由钥、石夕、鶴、銅、及铭所組成 的材料群中的至少一者或上述材料群的合金、金、銅合金、 鎳、銅鎢、以及载體晶圓。 較佳者’該歐姆層可以包含選自由氧化銦錫(IT〇)、氧 化銦鋅(ΙΖΟ)、氧化銦鋅錫(ΙΖΤ0)、氧化銦鋁鋅(ΙΑΖ〇)、氧 化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGT0)、氧化鋁鋅(ΑΖ〇)、 氧化銻醯基錫(ΑΤΟ)、氧化鎵鋅(GZO)、氮化ΙΖΟ (ΙΖΟΝ)、 AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ΖηΟ)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧 化銥(IrOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎳(NiO)、RuOx/ιτθ、 Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、銀、錄、鉻、鈦、紹、姥、 錯、銀、錫、銦、旬*、鎮、鋅、舶、金、及給所組成的群 體中的至少一者。 較佳者,該反射層可以包含紹銀始錄的合金、銘、銀、 鎳、鉑、及鍺中的至少一者。 較佳者,該黏著層可以包含選自由金、錫、銦、鋁、 矽、銀、鎳、及銅所組成的材料群中的至少一者,或上述 材料群的合金。 較佳者,該第一承載部可以包含PVC、PAT、及PPT 中的一者。 較佳者,該第一承載部可進一步包含環氧樹脂。 在本發明的另一方面,另一實施例提供一種發光元件 封裝,其包括:一封裝主體;一發光元件,設置於該封裝 主體上,該發光元件包括至少一接合層、一導電的承载基 板、及一發光結構,該導電的承載基板設置於各該至少一 201143153 接合層上,該發光結構設置於該導電的承 光結構包含一第一導電性型半導 载土板上,該發 二導電性型半導體層;一第一=層雷:主動層、及-第 填充材料,用以圍該發光元件;以及- 根據前述實施例的發光元件及盆 件封裝,其元件特性及製造效率可被t方法、及發光元 必須了解的是,不論是上述的一性 :::的詳細描述’皆是欲示範性及 【實施方式】 2貴審查委魏對本發明之特徵、目的及功 2=的,知與瞭解’兹配合圖式詳細說明 =定:==r中元件編 以具::=範賴其圖示’用以使本發明的目的得 在本發明的實施例說明中,各層(膜)、區域、圖案或 :構形成於基板之上或下’各層(膜)、區域、塾片或圖荦 勺「^面/上(〇1〇」或「下面/下(讀〇」的描述,係包 :直接⑽ectly)形成於其上/下」,及「間接() (成於其上/下’而包含設置於其間的其他層」的情況。另 夕,對於各層的上或下,係以圖式為基準進行說明。 為了說明上的便利和明確,圖式令各層的厚度或尺 201143153 且各構成要素的 寸係以5夸張或省略或概略的方式表示 尺寸並未完全為其實際的尺寸。 光元:二及圖1 2分別為根據本發明實施例的發光元件及發 先70件陣列之結構示意圖,用以 狀贫 該發光元件陣列的實_如下" 毛先^件及 二實=的各發光元件係藉由一接合層 -基底薄片23。,可承載該‘元上件承載部可以是 理的ΪΐίΪ片3可ί是紫外光的窄帶型式或是經石夕處 : ’其',,、穩定性足以耐受雷射雕刻製程。具有 Ϊ者可與聚氣乙稀(Μ,、及卿 m 其中一者混合,以形成該基底薄片23〇。 在4光7C件陣列中,—發光元件的—第二承載部可 鄰=另—發光元件之—第二承載部藉由—金屬層祕 ^連接,且該金屬層⑽a固定該等第二承載部的側邊。 1 ΐ載部可以是導電的承载基板⑽。該金屬層 a將詳述於後,其可先以雷射炼化後再固化來形成。此 外,前述二個發光元件係如圖2所示平行地連接,而三個 以上的發光元件亦可以藉由該金屬層⑽3以平行地連接。 該接合層Π0的形成可比該發光結構的邊緣内縮!至 1 —。該接合層17〇的寬度可圖案化成比該發光元件的寬 度還小。該發光it件的寬度即為該發光結構的寬度。此外, 2 該接合層Π0不須要形成如同該發光結構的形狀;該接合 層170可以是圓形、矩形、或是其他的多角形狀,只要它 可將該導電的承載基板160固定至該基底薄片23〇。該基 201143153 • 底薄片230將詳述於後。 根據該接合層170的微型結構’ 一微型的凹凸結構可 形成於該接合層170的表面,且該接合層丨7〇的厚度可以 不是均勻的。 在該導電的承載基板160依據元件單元而分割之後, 該基底薄片230可承載尚未被分離出的發光元件。其製程 將詳述於後。 該導電的承載基板160可作為電極之用;因此,一具 有良好導電性的特定金屬可用以形成該導電的承载基板 WO。因為該導電的承載基板‘160必須散去該元件操作過程 ^ 中所產生的熱,具有良好導熱性的特定金屬亦可用以形成 該導電的承載基板16〇。該導電的承載基板160蚱組成材 料可以是選自由鉬(Mo)、矽(Si)、鎢(W)、銅(Cu)、及鋁(A1) 所組成的材料群,或上述材料群的合金。該導電的承載基 板160亦可選擇性地包含金(Au)、銅合金、鎳(Ni)、銅鎢、 以及载體晶圓(carrier wafer),例如:氛化鎵、石夕、錯、石申 化鎵、氧化鋅、鍺化矽、碳化矽、及氧化鎵。此外,該導 電的承載基板160必須有足夠的機械強度,以不致造成氮 化物半導體的翹曲,並且可進行切割製程以將該半導體分 割成較小尺寸的晶片。 一反射層146及一歐姆層143可形成於該導電的承載 基板160之上。為了黏結該反射層146至該導電的承載基 板160,該反射層146可具有黏著層的功能,或是另外形 成一辅助黏著層150。該黏著層150可以由特定的材料所 組成’其選自由金、錫、銦、矽、銀、鎳、鉑及銅所組成 201143153 的材料群,或上述材料的合金。 該反射層146的厚度約為2500埃(angstrom)。該反射 層146的組成材料可以是金屬,例如:鋁、銀、鎳、鉑、 錢、或是包含IS、銀、翻、或姥的合金。前述的紹、銀、 或其類似物可有效的反射該主動層130所產生的光,以顯 著地提高光提取效率(extraction efficiency) 〇 該歐姆層143的厚度約為200埃。該歐姆層143可包 含選自由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅 (indium zinc oxide,IZO)、氧化銦鋅錫(indium zinc tin oxide, 易 IZTO)、氧化銦銘鋅(indium aluminum zinc oxide,IAZO)、 氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide, IGZO)、氧化銦鎵錫 (indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化紹鋅(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化錄酶基錫(antimony tin oxide,ATO)、氧 化鎵鋅(gallium zinc oxide,GZO)、氮化 IZO (IZON)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、氧化辞(ZnO)、氧化銀 (IrOx)、氧化釘(ru〇x)、氧化 n (Ni〇) 、 RuOx/ιτο 、 Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、銀、錄、鉻、鈦、I呂、姥、 鉛、銥、錫、銦、釕、鎂、鋅、鉑、金、及铪所組成的物 質群中的至少一者,但不因此而限制本發明。 一發光結構可設置於該歐姆層143上。該發光結構包 含一第一導電性型半導體層120、一主動層13〇、及一第二 導電性型半導體層140。 該第一導電性型半導體層120可以是摻雜有第一導電 性型雜質的三五族複合物半導體。若該第一導電性型半導 體層110為一 η型半導體層,則該第一導電性型雜質可以 201143153 . 矽、鍺、锡(Sn)、砸(Se)、或碲(Te)作為11型雜質,但並不 因此而限制本發明。 該第一導電性型半導體層120可以是AlxInyGa(1-x-y)N 的半導體;f才料,其中,〇Sy$l ’且〇$x+y$l。該第一 導電性型半導體層120亦可以由氮化鎵、氮化銦、氛化銘、 氮化銦鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鋁鎵、氮化鋁銦、砷化鋁鎵 (AlGaAs)、坤化銦鎵(inGaAs)、石申化銘銦鎵(AlInGaAs)、填 化鎵、鱗化鋁鎵(AlGaP)、磷化銦鎵(InGaP)、磷化鋁銦鎵 (AlInGaP)、及磷化銦中的一者以上所形成。 該主動層1^0用以發出具有一預設能量的光,該預設 • 的能量是在經由該第一導電性型半導體層120而注入的電 子與經由該第二導電性型半導體層140而注入的電洞遇合 之後’由該主動層(發光層)獨特的能帶所決定。該第二導 電性型半導體層140將描述於後文中。 該主動層130可以單量子井(Quantum Well)、多重量子 井(Multi Quantum Well,MQW)、量子線(Quantum Wire)、量 子點(Quantum Dot)結構中的至少一者來形成。舉例而言, 可注入三曱基鎵(trimethylgallium gas, TMGa)、氨(NH3)、 氮、三曱基姻(trimethylindium,TMIn)等氣體,以在多重量 子井結構中形成該主動層130,但並不因此而限制本發明。 該主動層 130 可另以 InGaN/GaN、InGaN/InGaN、 GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、及 GaP(InGaP)/AlGaP等成對結構中的至少一者來形成一井層 /障礙層的結構,但並不因此而限制本發明。該井層的組成 材料具有一預設的能帶隙,其低於該障礙層的能帶隙。 201143153 一導電性型的覆蓋層(圖中未示)可設置於該主動層 130之上及/或下。該導電性型的覆蓋層可以由A1GaN族的 材料所構成,其能帶隙(energy gap)高於該主動層130的能 帶隙。 該第二導電性型半導體層140可以是摻雜有第二導電 性型雜質的三五族複合物半導體;例如,InxAlyGa^-yN的 半導體材料,其中〇£x£l,0£ySl,且〇$X+ySl。若該第二 導電性型半導體層140為一 p型半導體層,則該第二導電 性型雜質可以鎂(Mg)、辞(Zn)、鈣(Ca)、锶(Sr)、或鋇(Ba) 作為P型雜質,但並不因此而限制本發明。 本實施例亦可以是該第一導電性型半導體層120為p 型半導體層,而該第二導電性型半導體層140為η型半導 體層。在譚第二導電性型半導體層140上可形成一半導 體’其極性(pole)與該第二導電性型相反;例如,若該第二 導電性型半導體層140為p型半導體層,則該半導體為一 η型半導磕層(圖中未示)。因此,此發光結構可以是n-p、 n-p-n、及p-n-p等接面結構中的其中一者。 一第一電極190設置於該第一導電性型半導體層120 上。該第一電極190的組成材料選自由鉬(Mo)、鉻(Cr)、 鎳(Ni)、金(Au)、鋁(A1)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、釩(V)、鎢(W)、 鉛(Pd)、銅(Cu)、铑(Rh)、及銥(Ir)所組成的金屬群,或上 述金屬的合金。 當設置於該發光元件中的該導電承載基板160之間的 連接區被移除,如圖2所示,則該導電的承載基板160被 分離成各自獨立的元件。 12 201143153 • 厂該等被分離的元件仍因為該接合層170而固定於該基 底缚片230上,其在自該基底薄片23()分離之後,可分別 作為獨立的發光元件。各個發光元件的第一電極19〇可導 線結—d)至-封裝线,以供應電源。 圖3至圖㈣示-實施例的發光元件的製作流程示意 圖。以下將參照圖3至圖12而描述該發光元件的製作方法。 首先,如圖3所不,一發光結構包含一緩衝層11〇、 一第一導電性型半導體層12〇、一主動層13〇、及一第二導 電气型半導體層140,其成長於一基板1〇〇上。 該基板100包含一導電基板或介電質基板,例如,可 . 選自由藍寶石(A12〇3)、碳化石夕、石夕、神化鎵、歡化鎵、氧 化鋅、磷化鎵、麟化銦、鍺、及氧化鎵所組成物質群中的 至少一者。一不平坦的結構可設置於該基板1 〇〇上,但並 不因此而限制本發明。溼式清洗技術可施用於該基板100, 以消除該基板100表面上的雜質。 '一緩衝層110可成長於該發光結構及該基板1〇〇之 間,用以減少晶格不匹配及熱膨脹係數差異。該緩衝層11〇 可以是三五族的複合物半導體,例如,可選自由氮化鎵、 氮化銦、氮化鋁、氮化銦鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鋁鎵、及 氮化鋁銦所組成物質群中的至少一者。一無摻雜的半導體 層亦可以設置於該缓衝層上,但並不因此而限制本發明。 該發光結構可以氣相薄膜成長技術來製作,例如··金 屬有機化學氣相沈積(Metal Organic Chemical Vapor ,peposition,MOCVD)、分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE)、及混合式氣相磊晶(Hybride Vapor Phase Epitaxy, 13 201143153 HVPE)等。 該第一導電性型半導體層120的組成成分相同於前述 實施例所描述的組成成分。依照此成分,η型氮化鎵可以 化學氣相沈積(CVD)、分子束磊晶(ΜΒΕ)、濺鍍(sputtering) 或混合式氣相磊晶(HVPE)等來製作。含有η型雜質的石夕烧 (SiHU)氣體,例如:三曱基鎵(TMGa)、氨、氮等氣體及矽, 可通入反應腔室’而形成該第一導電性型半導體層12〇。 該主動層130的組成成分相同於前述實施例所描述的 組成成分。例如:三甲基鎵(TMGa)、氨、氮、及三甲基銦 (TMIn)等氣體,可通入以形成多重量子井結構的該主動層 130,但並不因此而限制本發明。 日 該第二導電性型半導體層14〇的組成成分相同於前述 實施例所描述的組成成分。含有p型雜質的
Bis-ethylcycropentadienylmagnesium (EtCp2Mg
Mg(C2H5C5H4)2),例如··三曱基鎵(TMGa)、氨、氮等氣體 及鎂,可通入反應腔室,而形成該p型的氮化鎵層,但並 不因此而限制本發明。 ” 如圖4所示’該歐姆層143及反射層146係形成於該 第二導電性型半導體層14〇上。該第二導電性型半導體^ 140具有低的雜質摻雜濃度;因此,其接觸電阻高而不^ 良好的歐姆(ohmic)性質。因此,-透明電極可設置於該第 二導電性型半導體層14〇上以作為歐姆層143,用以 其歐姆性質。 吾 該透明電極採用常見的鎳/金(N i / A u)的雙層結構, /金雙層結構的透明電極形成可增加電流注人面積的歐姆 201143153 . 接觸’而減低了其順向偏壓(vf)。 此外,具有超過約90%穿透率的透明導電氧化物(TCO). 可用以作為該歐姆層143,以取代穿透率約60%至70%的 .鎳/金雙層結構。· 該歐姆層143的厚度約為200埃。該歐姆層143可包 含選自由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅 (indium zinc oxide,IZO)、氧化銦鋅錫(indium zinc tin oxide, IZTO)、氧化銦在呂鋅(indium aluminum zinc oxide, IAZO)、 氧化銦鎵辞(indium gallium zinc oxide, IGZO)、氧化銦鎵錫 (indium gallium tin oxide, IGTO)、氧化紹鋅(aluminum zinc . oxide,AZO)、氧化錄醯基錫(antimony tin oxide,ATO)、氧 化鎵鋅(gallium zinc oxide,GZO)、氮化 IZO (IZON)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銀 (IrOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎳(NiO)、RuOx/ITO、 Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、銀、鎳、鉻、鈦、銘、姥、 錯、銥、錫、銦、釕、鎮、鋅、舶、金、及铪所組成的物 質群中的至少一者,但不因此而限制本發明。該歐姆層143 可以滅鍵或電子束氣相沉積(Electron Beam Vapor . Deposition)來製作。該反射層146的厚度約為2500埃。該 反射層146的組成材料可以是金屬,例如:鋁、銀、鎳、 鉑、铑、或含有鋁、銀或鉑的合金。前述的鋁及銀可有效 的反射該主動層130所產生的光,以顯著地提高光提取效 率。 如圖5所示,該導電的承載基板160可形成於該反射 層146上。 15 201143153 該導電承載基板160的組成成分與前文的描述者相 同。該導電承載基板160可以電化學金屬沉積或以低熔點 (eutectic)金屬焊接等技術來製作。為了黏接該反射層146 至該導電的承載基板160,該反射層146可具有黏著的功 能。此外’可另形成一黏著層150,其組成材料可選自由 金、錫、銦、梦、銀、錦、鉑及銅所組成的材料群,或上 述材料的合金。 該導電承載基板160的晶體結構或結晶晶格常數可類 似於具有良好導熱性的軟金屬或是前述的金屬。因此,在 合金製程中所產生的内應力可降至最小,而機械強度可被 增強。 如圖6所示’一接合層170及一假(dummy)基板180 可形成於該導電的承載基板160上。在該接合層HO如圖 所示形成之後’該假基板180將可被移除。 該接合層170的組成材料可選自由金、錫、鈮(Nb)、 錯、銦及钥所組成的材料群,或上述材料的合金。該接合 層170圖案的寬度可窄於該發光元件的寬度,而上述該發 光元件的寬度即為該發光結構的寬度。 該接合層170不須要形成如同該氮化物半導體元件的 形狀;該接合層17〇可以是圓形、矩形、或是其他的多角 形狀,只要它可將該導電的承載基板16〇固定至該基底薄 片230,此將詳述於後。 該接合層170的圖案化,可先於該接合層17〇材料上 蓋上一遮罩之後進行,再蝕刻掉該遮罩。在圖案化後,該 接合層170的圖案可以比相應於該發光元件的發光結構的 201143153 .2邊要/專1至10 μιη。倘若該接合層170的寬度過大,則 使4等發光結構分離的雷射雕刻製程巾,將會有產生及 吸附毛邊(bUn:)的狀況。但若該接合層170的寬度過小,則 該等發光結構的接合將不夠穩固。 4接合層17G的®案化亦可以在移除該假基板18〇之 後再進行,如該圖所示。此外,該接合層17(^可以在其 成長時,藉助遮罩而進行圖案化,其寬度如前所述。 在前述的製程中,若該接合層17〇的側邊小於該導電 承載基板160 ’則可產生比較少的毛邊;@此,可改善其 發光特性。此外,前述接合材料的分離性可能^減低,相 - 較於習知使用銀基質的接合材料。 . 如圖7所示’將該基板100自該第一導電性型半導體 層120为離。該基板1〇〇的移除可採用雷射剝離 lift-off,LLO)、乾或澄韻刻製程。 、- _該基板ι〇0的移除尤其可依據雷射剝離的技術來進 订。一特定波長的準分子雷射光束可聚焦於該基板100的 某一預設區域,則光的熱能量可集中於該基板 一導電性型半導體層12〇之間的界面。藉此,該第::= 性型半導體層12〇的界面可分解成鎵及氮分子;此時,該 基板100在雷射光束經過的區域,將瞬間發生分離。此外, 該緩衝層110可連同該基板100 一併被分離。 接著如圖8所示,該發光結構分離成元件晶粒的示意 圖。該第一電極190設置於各個分離發光結構的第一導電 f生型半導體層120上。該第一電極190做為η型的電極, 其組成材料包含鋁(Α1)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ν〇、銅(Cu) 17 201143153 及金(Au)其中至少一者的單層或多層膜結構。在圖8中’ 該接合層170的寬度圖案化成窄於該發光結構的寬度。圖 9為如圖8所示之A區域的放大圖。如圖9所示,形成於 該導電承載基板160上的接合層170包含一凹凸的結構。 該接合層170的表面可以是平緩的凹凸結構,而非如圖所 示尖銳的凹凸結構。該接合層Π0表面的凹凸結構可以是 規則或不規則的。 換言之,該接合層170的厚度可以是不規則的,因而 可增加該接合層170的表面積,亦可以提高該接合層170 與該基底薄片230之間的黏著性,以利於後續製程的進 行,此將詳述於後。 如圖10所示,一保護層200形成於表面具有接合層 170的該導電承載基板160上,而另一保護層210可形成 於表面具有第一電極190的該氮化物半導體上。該保護層 200及210用以保護該等發光元件,以利於後續晶片移除 製程的進行,此將詳述於後。 一基底薄片220可形成於該保護層210上。該基底薄 片220用以在該導電承載基板160被切割成晶片單元的過 程中,使該等發光元件不致互相離散,此將詳述於後。 因此,各個發光元件可如圖11所示而分離。 換言之,該導電承載基板160、該黏著層150、該反射 層146及該歐姆層143可以對應於該等發光結構而以雷射 雕刻技術加以分離。 在雷射雕刻製程之後,一特定量的被熔化金屬將再次 被固化,藉以形成該金屬層160a,而能相互連接該等被分 18 201143153 離的導電承載基板。此外,在前述雷射雕刻製程中餘留的 一特定部分的該導電承載基板160,可用以形成該金屬層 160a。在前述的再固化製程中,該金屬層160a的組成成分 可包含該接合層170及該發光結構組成材料成分的一特定 部分。雖然未標示於圖中,形成於各發光結構邊緣的保護 層,其組成的材料可包含於該金屬層160a中。 如圖12所示,該等發光元件黏接於該基底薄片230 上。其中,各個發光元件因為該接合層170而固定於該基 底薄片230上。該基底薄片230除了是在不同的位置以承 載各個發光元件之外,其餘則與圖1‘0所示的基底薄片220 相同。 如該圖所示,各發光元件的底面可藉由該接合層170 而固定至該基底薄片230。該等發光元件的導電承載基板 160之侧邊,可藉由該被再次固化的金屬層160a所固定》 如圖12所示,連接各個發光元件的該金屬層160a, 可被移除以分離各個發光元件;而在前述移除製程之前, 一保護層(未示於圖中)可形成於該等發光元件上。 前述製程所製作的該發光元件陣列,包含複數個藉由 該接合層170而固定至該基底薄片230的發光元件。可被 分離成元件單元的各個發光元件,係藉由該接合層170而 固定至該基底薄片230。各發光元件可自該基底薄片230 上分離出來,用以作為獨立的發光元件。 自該基底薄片230分離出的發光元件之第一電極 190,可導線結合(wire-bond)至一封裝主體,並用以進行該 發光元件的封裝。 19 201143153 在此製程中’部分在該假基板180之下的接合層170 將被移除。因此,雷射雕刻製程所造成的毛邊將不會發生, 使得該晶片的尺寸更為精確,而使封裝製程的晶粒/導線黏 接可更易於進行°此外,該接合層170的表面可形成前述 的凹凸結構’以改善該等元件的黏著性。金、錫、鈮、鉛、 銦及鉬可作為接合材料,且前述接合材料的分離性可能被 減低,相較於習知使用銀基質的接合材料。 圖13為根據本發明實施例的發光元件封裝之侧向剖 面示意圖,用以參考並描述該發光元件封裝的實施例如下。 如圖13所示,該實施例的發光元件封裝包含:一封裝 主體320、第一及第二電極311/312、一發光元件300、一 填充材料340。該第一及第二電極311/312設置於該封裝主 體320内;該發光元件300譟置於該封裝主體320内,並 電性連接該第一及第二電極層311/312;該填充材料340圍 繞該發光元件300。 該封裝主體320的材料組成可以是矽、合成材料或金 屬,並在鄰近該發光元件300的周圍形成斜面,藉此可提 升光的提取效率(extraction efficiency)。 該第一電極層311及第二電極層312是互相電性隔離 的’並藉以供應電壓給該發光元件300。此外,該第一電 極層311及第一電極層312可藉由反射該發光元件3〇〇的 發光而增加光的提取效率,且能將該發光元件3〇〇的發熱 驅散至該發光元件封裝之外側。 該發光元件3〇〇可以裝設於該封裝主體320上,或是 該第一電極層311及該第二電極層312其中-者之上。連 20 201143153 接各個發光元件的該金屬層l6Qa,可自如圖丨所示的發光 元件陣列中移除’且該發光元件可自該基底薄片230 上分離出。㈣’該發光元件300可藉由該接合# 17〇而 固定於該封裝主體320上。 曰 該發光元件300可藉由接線(wire)焊接、覆晶(帥chip) 或晶粒黏接(die bonding)的方式,電性連接至該第^電極層 311及第二電極層312。 該填充材料340圍繞該發光元件3〇〇以保護之。該填 充材料340可以包含螢产材料,藉以改變該發光元件3〇〇 發光的波長。 該發光元件封裝可裝設一個或多個依據以上所述的實 施例之發光元件,但本發明並不限制可於該發光元件封裝 上的發光元件數量。當複數個前述的發光元件裝設於單一 個該發光元件封裝之上,則連接各個發光元件的導電承載 基板的該金屬層16〇a可被移除。 複數個前述的發光元件封裝可陣列式的設置於基板 上。導光板、棱柱片(prism sheet)、及擴散片等光學元件可 設置於該發光元件封裝的光路徑上。該發光元件封裝、基 板、及該等光學元件可用以組成光學裝置。另外,本發明 亦可利用前述的半導體發光元件或發光元件封裝,發展顯 示裝置、指示裝置、或照明系統等實施例;例如,該照明 系統可包含燈光或街燈。下文以照明裝置與背光草元作為 具有前述發光元件封裝的照明系統之實施範例。 圖14為一照明裝置實施例的分解透視圖,該照明裝置 包含前述實施例的發光元件封裝應用於此。 21 201143153 根據本實施例,該照明裝置系統包含一光源600、一 殼架400、一散熱單元500、以及一支托架700 ;其中,該 光源600用以發光;該殼架400用以裝設該光源600 ;該 散熱單元500用以驅散該光源600的熱;且該支托架700 用以連接該光源600及該散熱單元500至該殼架400。 該殼架400包含一插座固定部410及一主體部420 ; 該插座固定部410用以固定至至一電插座(圖中未示);該 主體部420連接至該插座固定部410,藉以裝設該光源 600。該主體部420可包含氣孔430,藉以使氣流穿過其中。 複數個氣孔430可形成於該殼架400的主體部420 内。該等氣孔430可以是單一個孔洞,或是設置成放射狀 的複數個孔洞。此外,該等氣孔430亦可以是其他式樣的 排列方式,不限於放射狀。 該光源600包含一基板610及複數個設置於該基板610 上的發光元件封裝650。該基板610具有一特定的形狀, 使其可被插入該殼架400的開口内,且該基板610是由高 導熱性的材料所組成,藉以將熱量傳導至該散熱單元500。 該支托架700設置於該光源600之下,包含一框架及 另一氣孔。光學構件可設置於該光源600的底側(圖中未 示),藉以造成該發光元件封裝650所發出的光偏離、散射、 或聚集。 本實施例的發光元件封裝具有較佳的光輸出性質;因 此,前述採用該發光元件封裝的照明裝置將呈現較大的亮 度。 圖15為一具有前述發光元件封裝的背光單元的結構 22 201143153 ^ 示意圖。 如圖15所示,本實施例的顯示裝置800包含光源模組 830/835、一反射板820、一導光板840、第一及第二棱枉 片850/860、一面板870及一濾光片8.80 ;其中,該反射板 820於一底蓋810上;該導光板840設置於該反射板820 的前面上,藉以將該光源模組的發光導向前方;該第一及 第二棱柱片850/860設置於該導光板840的前方;該面板 870設置於該第二棱柱片860之前;且該濾光片880設置 於整個該面板870的表面上。 該光源模組830包含一基板832及一設置於該基板832 -上的發光元件封裝835。其中,該基板832可以是印刷電 路板,且該發光元件封裝835可以是如同圖13實施例之描 述。 該底蓋810可用以支承該顯示裝置800内部所有的組 件。該反射板820可以是如圖所示的輔助元件,或是由高 反射性的材料形成於該底蓋810上的薄層材料。 該反射板820可以是由高反射性的材料所組成的薄 膜,例如 PET (PolyEthylene Terephtalate)。 該導光板840散射該發光元件封裝所發出的光,以形 成該液晶顯示裝置800整個螢幕區域均勻的發光分佈。因 此,該導光板840是由高折射性及穿透性的材料所組成, 例如聚甲基丙烯酸酯(PolyMethylMethAcrylate,PMMA)、聚 碳酸酯(PolyCarbonate,PC)、或聚乙烯(PolyEthylene,PE)。 該第一棱柱片850形成於一支撐膜層上,其組成材料 為高透明及彈性的聚合物。該聚合物可具有棱柱層,該棱 23 201143153 柱層可由複數個相同結構的圖案重複地組成。該圖案可以 是條狀式的凸脊及凹槽,如該圖所示。 該第二棱柱片860的支撐膜層表面所形成凸脊及凹槽 的方向,可垂直於該第一棱柱片850的凸脊及凹槽方向。 這是因為當光經過該光源模組及反射板之後,光必須均勻 分佈於該面板870往前的方向上。 一保護片(圖中未示)可設置於該等棱柱片的其中一者 之上。該保護片可包含一散光元件及一黏著劑,其設置於 該支撐膜層的雙面上。該棱柱層的組成材料為選自由聚氨 基曱酸酯(polyurethane, PU)、丁二烯/苯乙稀 (butadiene-styrene)共聚合物、polyacrilate、聚曱基丙烯酸 曱酯(Polymethacrylate)、聚曱基丙烯酸酯(PMMA)、聚乙烯 (PE)、terephthalate 合成橡膠、聚異戊二烯(p〇lyis〇prene)、 及多晶矽(polysilicon)所組成的物質群。 一擴散片(圖中未示)可設置於該導光板840與該第一 棱柱片850之間。該擴散片的組成成分為聚醋(p〇iyester) 及聚碳酸S旨(PC)類的材料。由一背光(backlight)單元入射該 擴散片的光可被折射及散射,使得其投射角度可被儘可能 地擴大。該擴散片包含一支撐膜層、第一及第二膜層;其 中該支撐膜層具有擴光劑(light-diffusing agent),而該第一 及第二膜層不具有擴光劑’且分別形成於其出光面(朝向該 第一棱柱>1 )及入光面(朝向該反射片)上。 該支撐膜層可包含0.1至1〇重量單位的矽氧烷 (siloxane)基擴光劑’其平均顆粒尺寸為1至ι〇μηι ;及〇」 至10重量單位的丙烯醯(acryl)基擴光劑,其平均顆粒尺寸 24 201143153 胃 為1至ΙΟμιη;相對於一樹酯部件包含100重量單位的曱基 丙稀酸/笨乙稀(methacrylic-acid / styrene)共聚合物及曱基 丙稀酸曱醋/苯乙稀(methyl-methacrylate / styrene)共聚合物 之混合物。 該第一及第二膜層相對於100重量單位的甲基丙烯酸 曱酯/苯乙烯共聚合物而言,包含0.01至1重量單位的紫外 光吸收劑及0.0001至10重量單位的antistic agent,相對於 一 100重量單位的曱基丙烯酸曱醋/苯乙烯共聚合物樹g旨。 該擴散片的支撐膜層之厚度為100至ΙΟΟΟΟμπι,該第 一及第二膜層之厚度皆為10至ΙΟΟΟμιη。 • 在本實施例中,該擴散片及該第一及第二棱柱片 . 850/860組成一光學片。舉例來說,該光學片亦可以由微透 鏡陣列及擴散片所組成,或是由單棱鏡片及微透鏡陣列所 組成。 該面板870可設置於液晶顯示面板或其他需要光源的 顯示裝置上。 在該面板870中,液晶位於玻璃體與偏光片之間;該 偏光片設置於該玻璃體上,用以設定光的極化。液晶的性 質介於液體與固體之間,其為排列規則而類似晶體的有機 分子。液晶分子的排列可藉由外加的電場來調整,而用於 影像的顯示。 用於顯示裝置的液晶顯示面板可以是主動陣列式的, 其以電晶體作為開關,藉以調整供予各晝素的電壓。 該濾光片880設置於該面板870的前表面上,可藉由 各晝素而將投射自該面板870的光中,只傳送出紅、綠、 25 201143153 或藍光;因此,可顯示出影像。 唯以上所述者,僅為本發明之較佳實施例,當不能以 之限制本發明的範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做 之均等變化及修飾,仍將不失本發明之要義所在,亦不脫 離本發明之精神和範圍,故都應視為本發明的進一步實施 狀況。 26 201143153 【圖式簡單說明】 圖1及圖2為根據本發明實施例的發光元件及發光元件陣 列之結構示意圖。 圖3至圖12為根據本發明實施例的發光元件的製作流程示 意圖。 圖13為根據本發明實施例的發光元件封裝之侧向剖面示 意圖。 圖14為根據本發明之照明裝置實施例的分解透視圖。 圖15為根據本發明之發光元件封裝的背光單元的結構示 意圖。 ' 【主要元件符號說明】 100基板 110緩衝層 120第一導電性型半導體層 130主動層 140第二導電性型半導體層 143歐姆層 146反射層 150黏著層 160導電的承載基板 160a金屬層 170接合層 18 0假基板 27 201143153 190第一電極 200/210保護層 220/230基底薄片 300發光元件 311第一電極 312第二電極 320封裝主體 340填充材料 400殼架 410插座固定部 420主體部 430氣孔 500散熱單元 600光源 610基板 650光元件封裝 700支托架 800顯示裝置 810底蓋 820反射板 830光源模組 832基板 835發光元件封裝 201143153 840導光板 850第一棱柱片 860第二棱柱片 含70面板 880濾光片
Claims (1)
- 201143153 七、申請專利範圍: 1. 一種發光元件陣列,其包括: 一第一承載部; 至少二接合層,設置於該第一承載部上; 一第二承載部,設置於各個該至少二接合層上; -發光、=構’設置於該第二承載部上,該發光結構包含 :第-導電性型半導體層、—第二導電性型半導體 曰、及一主動層,該主動層設置於該第一及 電性型半導體層之間;以及 一第一電極,設置於該發光結構上。’ 申請專利範圍第丨項所述之發光元件陣列, °層的邊緣比該發光結構的邊緣内縮1至10 _。 申範圍第1項所述之發光元件陣列,其中該接 載部的:面凹凸的結構,該凹凸的結構形成於該第-承 厶如 述之發光元件陣列,其中·· ,部係藉由—一金=另連一接鄰接的發光元件之第: 屬層帛4項㈣之發光科_,其中驾 分相同。 77的組成成分與㈣二承載部的㈣ 6·如申請專利範圍第4 屬層的一特定部分的 同。 項所述之發光元件陣列,其中該金 組成成分與該接合層的組成成分相 201143153 • 7.如U利範圍第4項所述之發光元件陣列,其中該金 屬層的特定部分的組成成分與該發光結構的組成成分 相同。 8. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件陣列,進-步包 括: 一歐姆層,設置於該第二導電性型半導體層與該第二承 載部之間。 9. 如申請專利範圍第8項所述之發光元件陣列,進一步包 括: 一反射層,設置於該歐姆層與該第二承載部之間。 10. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件陣列,進一步包 . 括: 一黏著層,設置於該歐姆層與碎第二承載部之間。 11. 如申請專利範圍第丨項所述之發光元件陣列,其中該第 二承載部係為一導電的承載基板,該導電的承載基板包含 選自由鉬、矽、鎢、銅、及鋁所組成的材料群中的至少一 者或上述材料群的合金、金、銅合金、鎳、銅鎢、以及載 體晶圓。 12. 如申請專利範圍第8項所述之發光元件陣列,其中該歐 姆層包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZ〇)、氧化銦 鋅錫(IZTO)、氧化銦|呂鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZ〇)、氧 化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻醯基錫(ΑΤΟ)、 氧化鎵鋅(GZO)、氮化 ΙΖΟ (ΙΖΟΝ)、AGZO (Al-Ga ZnO)、 iGZO (In-GaZnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銥(ir〇x)、氧化釕 (RuOx)、氧化鎳(NiO)、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、 31 201143153 Ni/IrOx/Au/ITO、銀、錄、絡、欽、銘、姥、船、銀、錫、 銦、釕、鎂、辞、鉑、金.、及铪所組成的群體中的至少一 者。 13. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件陣列,其中該反 射層包含铭銀舶錄的合金、铭、銀、鎳、銘、及錄中的至 少一者。 14. 如申請專利範圍第10項所述之發光元件陣列,其中該 黏著層包含選自由金、錫、銦、銘、石夕、銀、鎳、及銅所 組成的材料群中的至少一者,或上述材料群的合金。 1 15. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件陣列,其中該第 一承載部包含PVC、PAT、及PPT中的一者。 16. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件陣列,其中該 第一承載部進一步包含環氧樹脂。 17. —種發光元件封裝,其包括: 一封裝主體; 一發光元件,設置於該封裝主體上,該發光元件包括至 少一接合層、一導電的承載基板、及一發光結構,該 導電的承載基板設置於各該至少一接合層上,該發光 結構設置於該導電的承載基板上,該發光結構包含一 第一導電性型半導體層、一主動層、及一第二導電性 型半導體層; 一第一及第二電極,設置於各該封裝主體上,該第一及 第二電極連接至該發光元件;以及 一填充材料,用以圍繞該發光元件。 18. 如申請專利範圍第17項所述之發光元件封裝,其中該 32 201143153 19 20. 接合層的邊緣比該發光結構的邊緣内 如申請專利範圍第π項所述之發光元件 接合層包含一凹凸的結構,該凹凸 :: :、中該 主體的表面。 ,,°構形成於叇封裝 :申請糊紐第17項所述之發光元件封裝, ;先疋件之導電的承載基板與另-鄰接的二光:、中— 導電的承载基板係藉由-金屬層互相連接/疋件之 33
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