TW201123252A - Lithography machine and substrate handling arrangement - Google Patents

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TW201123252A
TW201123252A TW99105121A TW99105121A TW201123252A TW 201123252 A TW201123252 A TW 201123252A TW 99105121 A TW99105121 A TW 99105121A TW 99105121 A TW99105121 A TW 99105121A TW 201123252 A TW201123252 A TW 201123252A
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Jong Hendrik Jan De
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Mapper Lithography Ip Bv
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201123252 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種帶電粒子微影設備以及在一群集之 中的此微影設備的配置。 【先前技術】 帶電粒子及光學微影機器及檢測機器通常都操作在真 空環境之中。這需要用到夠大的真空反應室,以便容納該 微影機器或是機器群。該真空反應室必須夠堅固且為氣密 式’以便支援所需要的真空;同時還要有開口讓電氣、光 學、以及電力纜線進入該反應室,以便讓晶圓或目標物被 載入該反應室之中,並且允許接取機器以達保養及操作的 需求。在含有帶電粒子機器的地方,該真空反應室還必須 提供遮蔽作用,以防止外部的電磁場干擾該機器的操作。 先前的真空反應室設計有各項缺點,例如:相對於微 影機器的總處理量,其重量過重、過度使用地板空間⑺ space)、/又有出入門、以及開口附近的電磁遮蔽作用很差。 【發明内容】 本發明的目的係提供一種改良的真空反應室,以便解 决先則。又a十的缺陷。根據本發明一項觀點提供一種包括複 數個帶電粒子微影設備的配置’每一帶電粒子微影設備皆 具有-真空反應室。該配置進一步包括:一共用機器人, 用乂將aa圓運送到該等複數個微影設備,·以及一晶圓裝載 4 201123252 單元’用於每一帶電粒子微影設備,其會被配置在每一個 別真空反應室的正面。該等複數個微影設備會被配置在一 列中’俾讓該等微影設備的正面面向一通道用以讓該共用 機器人通過’以便將晶圓運送至每一個設備;而每一微影 S免備的背面則面向一接取廊道;以及每一個真空反應室的 後壁部皆具備一接取出入門,用以接取該個別的微影設備。 該等複數個微影設備可被配置在具有一中央共用通道 的兩列之中。該等兩列微影設備可能會被配置成彼此反 向’俾讓該中央共用通道位於它們之間;以及該等兩列微 影設備亦可以被垂直堆疊,俾讓兩列皆面向該中央共用通 道。該荨複數個微影設備亦可能會被配置在具有一中央共 用通道的複數列之中,其中,該等微影設備列之中的至少 兩者會被配置成彼此反向,俾讓該中央共用通道位於它們 之間,以及该等微影設備列之中的至少兩者會被垂直堆 疊,俾讓兩列皆面向該中央共用通道。 每一個微影設備皆可能在其前壁部具備一裝載固鎖單 元。一用於每一部帶電粒子微影設備的平台啟動器可能會 被設置在每一個個別微影設備的正面處。該等平台啟動器 單元可能包含啟動部件或啟動桿,用以在每一個個別的反 應室裡面移動一平台。 。該裝載固鎖單元可能會被配置在每 一個個別微影設備的平台啟動器的上方
其可能會被配置在一 一相鄰於該通道的機器人儲存單元, 列微影設備的末端處。某一列中的微 201123252 影設備中一或多者可以二或多層方式被垂直堆疊。每—微 影設備皆可能具備一來自地板的個別支撐體;或者,每— 層微影設備皆可具備對地板的分離支撐體。 根據另一項觀點,該配置可被當成單一帶電粒子微影 機器,其包括:複數個微影處理單元,每一者皆會被配置 在一真空反應室(400)之中;該部機器進一步包括一共用機 器人(305) ’用以將晶圓運送至該等複數個處理單元;以及 一用於每一個處理單元的晶圓裝載單元(3〇3),其會被配置 在每一個個別真空反應室(4〇〇)的正面。該等複數個處理單 元會被配置在一列之中,俾讓該處理單元的正面面向一通 道(3 10)用以讓該共用機器人(3〇5)通過,以便將晶圓運送至 每一個處理單元;而每一個處理單元的背面則面向一接取 廊道(306);以及每一個真空反應室的後壁部皆具備一接取 出入門,用以接取該個別的處理單元。 該等複數個處理單元可被配置在具有一中央共用通道 的兩列中。該等兩列處理單元可能會被配置成彼此反向, 俾讓該中央共用通道位於它們之間;以及該等兩列處理單 元亦可以被垂直堆疊,俾讓兩列皆面向該中央共用通道。 【實施方式】 下面將僅透過範例並參考圖式來說明本發明的各種實 施例。 圖1係一帶電粒子微影系統1〇〇之實施例的簡化概略 不思圖。例如··在美國專利案第6,897,458、6,958,804、 201123252 7,019,908、7,084,414、及7,129,502號,美國專利申請公開 案第2007/0064213號,及共同待審的美國專利申請案第 61/031,573、61/031,594、61/045,243、61/055 839、 61/058,596、61/1G1,682號便說.明過此等微影系统,前述全 部受讓給本發明擁有者且本文以引用的方式將它們完整併 入。在圖1中實施例中,該微影系統包括一電子源卜用 以產生一擴展電子射束120<>該擴展電子射束12〇會被一準 直透鏡系統102準直排列。經準直排列的電子射束i 21會 照射在一孔徑陣列1〇3上,其阻隔該射束的一部分,以創 造複數個小射束122。該系統會產生大量的小射束122,較 佳的係,約1〇,〇〇〇至!,〇〇〇,〇〇〇道小射束。 該等電子小射束122會通過一聚光器透鏡陣列1〇4,其 會將該等電子小射束122聚焦在一射束空白器陣列1〇5的 平面之中,該射束空白器陣列1〇5包括複數個空白器,用 以偏折該等電子小射束中的一或多者。該等經偏折及未經 偏折的電子小射束123會抵達射束阻攔陣列1〇8,其具有複 數個孔徑。該小射束空白器陣列1〇5及射束阻攔陣列1〇8 會一起操作,用以阻隔該等小射束123或是讓該等小射束 123通過。倘若小射束空白器陣列1〇5偏折一小射束,其將 不會通過射束阻攔陣列丨〇8中對應的孔徑,取而代至的係 將會受到阻隔。但是,倘若小射束空白器陣列1〇5沒有偏 折一小射束,便將通過射束阻攔陣列1〇8中對應的孔徑, 並且會通過射束偏折器陣列109以及投射透鏡陣列11〇β 射束偏折器陣列109會偏折X及/或γ方向(實質上垂 7 201123252 直於未被偏折小射束的方向)中的每—道小射束i24,以便 跨越目標物130的表面來掃描該等小射束。接著,該等小 射束124便會通過投射透鏡陣列"〇並且被投射在目標物 130之上。該投射透鏡配置較佳的係會提供約上⑻至$㈧倍 的縮倍率胃等小射束丨24會照射在被定位於可移動平台 132(其係用於攜載目標物_之上的目標物13〇的表面 上。對微影應用來說,該目標物通常包括一具備一帶電粒 子敏感層或光阻層的晶圓。 該帶電粒子微影系統操作在真空環境中。真空係希望 移除可能被該等帶電粒子射束離子化且吸引至來源處的粒 子’移除可能會分離且被沉積在機器組成上的粒子,及移 除可此會6刀散該等帶電粒子射束的粒子。通常會需要用到 ^ 巴的真空。為保持真空環境,該帶電粒子微影系 統會被放置在-真空反應室H0之中。該微影系統中的所 有主要兀件較佳的係皆被容納在一共用的真空反應室之 中該等主要疋件包含:帶電粒子源、用以將該等小射束 杈射在„玄曰曰圓之上的投射系統、以及該可移動的晶圓平台。 ^實施例中,該帶電粒子源環境會被差分抽吸成高 達10 mbar之非常高的真空處。0 2係一真空反應室中的 帶電粒子源環境之實施例的剖面圖。於此實施例中,可藉 由差刀抽吸作用來達成高達1〇_1〇之非常高的真空。 藉由在忒真空反應室之中併入一用於來源152的區域 來源反f室150便能夠達成該差分抽吸作用。圖2中雖然 僅』不單來源152 ;不過必須瞭解,來源反應室15〇可能 8 201123252 包括更多個來源。來源反應室150裡的高真空可延長來源 152的壽命時間;且甚至可能係某些來源152運作之所需。 抽吸以降低該來源反應室丨5〇中的壓力位準可依照下 面方式來實施。首先’抽吸該真空反應室與該來源反應室 以降低至該真空反應室的位準。接著,將該來源反應室額 外抽吸至所希的較低壓力處,較佳的係、,以熟練的技術人 士已知的方式藉由化學吸收劑來進行。藉由使用一再生 性、化學式、以及所謂的被動式抽吸器,例如除氣劑,便 可以將該來源反應室150裡面的壓力位準變成低於該真空 反應至中之壓力位準的位準,而不需要使用真空渦輪抽吸 器對照於為達此目的而使用真空渦輪抽吸器的情況,使 用除氣劑可以避免該真空反應室的内部或緊臨的外圍附近 會感受到聲音及/或機械震動。 在圖2中貫施例中,該來源反應室丨5 〇具備一閥門 1 54 ’用以於必要時(也就是,倘若來源反應室丨5〇裡面的壓 力位準必須保持在遠低於該真空反應室中之壓力位準的壓 力位準處)閉合該來源反應室15〇與該真空反應室之間的連 接。例如:倘若該真空反應室被打開(以便達到維修目的), 〇閥門便可能會被閉合。於此情況,在該來源反應室150 裡面會保持高真空位準以改良該微影設備的停工時間。並 不需要等到來源反應室150裡面具有足夠的壓力位準,取 •X之’現在僅需要抽吸該真空反應室以下降至所希的壓 準該位準會高於該來源反應室150中所需的位準。 間門154會受控於一啟動單元156 ’該啟動單元156會 201123252 控制被耦合至閥門154的一條狀物158的移動。該啟動單 元1 5 6可包括一壓電式啟動器,例如phySikinstrumente型 號N-214或N-215 NEXLINE®。該啟動單元156可能會藉 由電線160被連接至一控制單元及/或一電源供應器(兩者皆 沒有顯示在圖中)。該電線可能會被塗佈以遮蔽電磁輻射。 圖3係一模組式微影系統的主要元件的簡化方塊圖。 β亥微影系統較佳係被設計成模組的型式,以允許容易進行 保養。主要的子系統較佳的係會被建構成自給自足式且可 移除的模組’俾讓它們能夠盡可能以對其它子系統造成最 少干擾的方式從該微影系統處被移除。這特別有利於被封 閉在真空反應室之中的微影機器’要在該真空反應室中接 取該機器會受到限制。因此’故障的子系統能夠被快速移 除且置換’而不必中斷其它系統的連接或干擾其它系統。 在圖3中實施例中,該些模組式子系統包含:一照射 光學模組201 ’其包含帶電粒子射束源ι〇1及射束準直系統 102 ; —孔徑陣列與聚光器透鏡模組202,其包含孔徑陣列 103及聚光器透鏡陣列1〇4 ; —射束切換模組203,其包含 小射束空白器陣列105 ;以及投射光學模組204,其包含一 射束阻攔陣列108、射束偏折器陣列1〇9、以及投射透鏡陣 列110。該等模組會被設計成用以滑進與滑出一校直框架。 在圖3中實施例中’該校直框架包括一校直内側子框架205 以及一权直外側子框架2 0 6。一框架2 0 8會透過震動阻尼底 座207來支撐該等校直子框架205及206。晶圓130會座落 在晶圓台209之上,而該晶圓台209則接著會被安置在夾 10 201123252 盤210之上。夾盤21〇位於平台短衝程叫及長衝程川 之上。該微影機器會被封閉在真空反應室4〇〇中,該真空 反:室400包含一或多個咖金屬遮蔽層215。該部機器會 座落在受到多個框架部件221支撐的基底平板22〇之上。 母一模組皆需要用到大量電氣訊號及/或光學訊號及電 力以達操作目的。位於該真空反應室内部的模組會從通常 位於該反應室外面的控制系統處接收該些訊號。該真空反 應室包含多個開口,稱為埠口,以允許攜載該等訊號的規 線從該等控制系統處進入該真空殼體,同時在該等纔線附 近保持真空密封效果。每一個模組較佳的係皆有自己的電 氣、光學、及/或電力纜線連接線群,它們會繞送穿過專屬 於該模組的一或多個埠口。這可以中斷連接 '移除、以及 置換一特殊模組的纜線,而不會干擾任何其它模組的纜線。 圖4A係和一共用晶圓裝載系統協同操作的一群微影機 器300的佈局範例。於此範例中,有十個微影機器被 排列在兩列中,每列五個。每一微影系統皆被容納在各自 的真空反應室中,每一反應室的正面皆面向一中央通道3ι〇 而母一個反應室的背面則面向一接取廊道3〇6。 該中央通道會容納:一機器人305,用以將晶圓運送至 每一個微影機器3〇1 ; —裝載固鎖或晶圓裝載單元3〇3 ’用 於每一部機器301,以將晶圓載入該部機器中;及—平台啟 動器304,用於每一機器,以在真空反應室裡移動該部機器 的晶圓平台。該共用機器人305可包括一個以上的機器人 單疋’每一機器人單元皆被配置成用以實施所分配給該共 11 201123252 用機器人305的功能。倘若一機器人單元功能異常,另一 個機|§人單元可接替# , 旁具功^,廷會最小化因機器人固障所 導致該佈局的停工時間。功能異常的機器人單元可以從該 佈局處被拋棄並且輸送至一機器人儲存單元3〇八接著,^ 可以賴機ϋ人單元進行祕,⑸會干㈣佈局的操作。 母-個真空反應室在其前壁部包含一晶圓裝載開口, 用以接收-晶圓。該裝載固鎖單元(以及該機器人)較佳的係 破設置在約為該微影機器之晶圓平台的高度處,也就是, 約為該真空反應室之高度的—半處。雖然圖4α中並排顯示 該裝載固鎖或晶圓裝載單元3〇3以及該平台啟動器SO#,但 是,較:的係如圖4Β中的配置所示般地將該裝載固鎖或晶 圓裝載單το 303配置在該平台啟動器3〇4的上方。每一個 真空反應室還在其後壁部中包含一出入門,以便允許接取 該微影機器以達保養、修理、以及操作調整的目的。 每一部微影機器較佳的係會被設置在其自己的真空反 應室之中。該帶電粒子微影系統中的所有主要元件較佳的 係皆被容納在-共用的真空反應室之中,料主要元件包 含:帶電粒子源、用以將該等小射束投射在該晶圓之上的 投射系統、以及該可移動的晶圆平台。下面將詳細說明用 於容納一帶電粒子微影系統的真空反應室4〇〇的各種實施 例。每-機器的晶圓處理機器人及平台啟動器亦可被放置 在具有該微影機器的相同真空反應室之中,或者,它們可 被放置在分離的真空反應室之中。該平台啟動器通常包含 多個電馬達(例如線性電馬達),較佳係,它們會藉由磁場遮 12 201123252 蔽層而與該微影機器分離。這可藉由在容納該微影機器的 真空反應室的壁部提供一或多層咖金屬層並接著將該平台 啟動器放置在-分離的反應室之中而達成。@ 5A至⑺係 用於容納一帶電粒子微影系統的真空反應室4〇〇的實施例。 因為建構及運作製造廠的成本很高而且製造廠的規模 越大成本便越冋,所以,製造廠裡面的地板空間非常的珍 貴。因此,有效使用製造廠的地板空間非常重要,而且該 等微影機器較佳的係會被設計成盡可能消耗較少的地板空 間並且盡可能有效地和其它機器密接在一起。 …該真空反應室較佳係具有實質上正方形的涵蓋面積(也 就是,該反應室的地板為正方形或約為正方形)。這可達成 有,配置以便容納該微影機器,其通常被設計成露出一圓 形曰曰圓,並且例如產生如圖4A所示之多部微影機器的有效 配置。再者,該反應室亦可能具有類盒體的形狀,較佳的 係,高度會受到限制以允許進一步縮減製造廠空間佔用 ;';貫施例中,該反應室的形狀會被設計成實質上為 立方體(也就疋,反應室的高度約和它的寬度及深度相同)。 於一替代配置中,除了並排配置外,該等真空反應室 2會被垂直堆疊。冑4B便顯示具有&配置的一列真空反應 f的立體圖。可以使用兩層、三層、甚至更多層真空反應 室’例如用以在相同地板空間中產生如圖4A所示之由2〇 —。應至(兩層)或3〇個反應室(三層)組成的配置。多個反應 室可以利用—共用的真空抽吸系統以及一共用的運送機器 人系統。或者,每一層反應室或是每一列反應室可以運用 13 201123252 一共用的真空抽吸系統以及一共用的運送機器人系統。 圖5A至5D中實施例包括一真空反應室400,其在該 反應室的後壁部具備一出入門402 ’且在此範例中還形成該 後壁部。該實施例進一步包括:在該反應室之前壁部的一 晶圓裝載狹縫41 8(如圖5C所示);及在該反應室之頂端壁 部的多個璋口 420及多個真空抽吸器430,本範例中為所古胃 的渦輪抽吸器。該反應室400可由下面所建構:不錄鋼、 I呂或其它合宜材料、或該些材料的組合。以較輕材料為宜, 例如铭,以便降低該反應室的重量,當預期該微影機器會 以空運(為避免因海運所造成的腐蝕和其它問題,可能以空 運方式為宜)從工廠被運輸至製造廠,這便特別重要。 可使用橫樑或大樑404來強化壁板405,俾讓該等壁部 可使用較薄的平板厚度以便降低該反應室的重量與成本。 不過,對該反應室的某些壁部來說並不適宜使用此構造, 舉例來說,開口所在的壁部。該些壁部較佳的係由較厚的 平板構成’以便即使有開口仍可提供必要的堅固性。 反應室400的壁部可在它們的邊緣處被焊接在—起。 不過,焊接該等壁部可能既緩慢且昂貴,舉例來說,因為 要達成精密氣密焊接效《而不冑該等冑空反壁部產生 變型可能相當複雜。替代的構造係藉由在該等壁部的邊緣 處將它們黏著在-起所達成的構造,如圖6A巾的範例所 丁 /、有梯狀邊緣兩個壁部501與502會如圖中所示般地 ^ 4接在接合表面之間則塗敷著一黏著劑505。合宜黏 者劑的-範例為Araldite 2〇2〇。延伸經過壁部5〇1進入壁 14 201123252 部5=之中的凹孔5〇4令的螺栓或定位接針5〇3可以用來 在黏著過程期間定位該等壁部5〇1、5〇2…替代的構造方 法如圖6B中所示。該等壁部5〇1與5〇2的邊緣會形成角度, 而支條5 1 〇則可被設置在該等壁部的該等邊緣之間。定 位螺栓或接針511可以用來定位該等壁部與該支條,而〇 形環512則可以用來密封該等壁部與該支條51〇之間的接 合點。該等螺栓511會被併入在該等〇形環512的外面。 此構造會造成一自我鉗固配置,該反應冑中的真空所產生 的壓力有助於將該等接合壁拉壟在一起並且產生更佳的密 封效果。支條510連同用以連接該支條及具有不同配向之 雷同支條的角件可構成一會被併入真空反應室壁部(包含壁 # 501與502)之中的自我軸承(self_bearing)架構。雖然圖 6A與6B中反應室壁部為實心壁部;不過較佳係該等壁 部能使用下面所述的夾層構造。 該真空反應室的壁部較佳的係還包含一或多個mu金屬 層,以便隔離該反應室外部的磁場。此等磁場可能會影響 該等電子射束並且干擾該微影系統的正確操作。mu金屬可 能會被併入該等反應室壁部的内側表面上,或是被夾設在 其它材料層之間的壁部構造裡面。或者,mu金屬亦可能會 被併入該等反應室壁部的外側表面上。伸出該反應室的部 分,例如該微影機(晶圓平台及帶電粒子柱)的腳部或支撐 部以及該平台啟動桿,皆會被下面的mu金屬構造(也就是, 延伸在該反應室外面的mu金屬構造)覆蓋。 圖中支條510雖然為單一器件;不過,其亦可被建構 15 201123252 成炎層器件’舉例來說,父替的絕緣層和mu金屬層,該支 條的真空(内)側最後則為鋁層。依此方式,該等反應室壁部 中的遮蔽層便能夠接續貫穿圖6B的整個結構不被令斷,從 而產生一該遮蔽層完全被併入(且為連續)該真空反應室的 結構之中的套件組型式的真空反應室。 圖7A係具有兩層mu金屬層的一真空反應室 例。圖中反應室壁部601的一區段在該壁部的外側表面』 有強化樑柱602,例如圖5A中強化樑柱或大樑4〇7。一第 一 mu金屬層603在該mu金屬層6〇3和反應室壁部6〇1之 間具有肋條型的多個分隔部件6〇4,以在其間產生一空間。 一第二mu金屬層6〇5在該等兩個mu金 分隔部件_,以在其間產生一空間。該等mu金屬 孔洞以在抽空該反應室時防止該真空反應室中有壓力差。 圖7B係一真空反應室的一替代實施例,其具有一開放 層610以分離該等兩層mu金屬I 603與605,其中’該層 610較佳的係具有開放結構,例如蜂巢。為清楚起見,圖中 層雖然係分開的;但是,該等層實際上則會被形成單一的 複口 iuP H 61〇會提供—重量輕但堅固的壁部來分離 形士-夾層構造的該等兩層mu金屬層,俾便能夠省去圖Μ 實施例中的为隔部件6〇4與6〇6。此構造還可達到省略壁 _卜側表面上的強化樑柱6〇2的目的。其可能還會提 層610走壁^ 6〇7 °壁部6〇1與6〇7較佳的係由銘製成,而 一種製造?易的::18 f蜂巢。所生成的複合壁部結構提供 “且廉價的壁部,其能夠被事先製作,而且重 16 201123252 量輕又堅固,該蜂巢層則提供該壁部必要的強度。再者, 該複合壁部結構可能還會併入一或多層的mu遮蔽層。 該等mu金屬層較佳的係會藉由一絕緣層(例如由碳纖 維及/或玻璃強化塑膠所組成的複合層)而與導體層分離。該 複合壁部的其中一實施例包括—夾層構造,其包括:—第 一絕緣層,一鋁質蜂巢層,一 mu金屬層,一第二絕緣層, 以及一實心鋁質層。額外的mu金屬層及絕緣層組亦可被加 入,以提高該反應室壁部的磁場遮蔽效果。該實心鋁質層 較佳的係在真空側。蜂巢狀鋁材會提供該夾層的強度。該 蜂巢層的厚度可以提高,或者可以使用額外的蜂巢層以提 高壁部的堅硬度。該等層較佳的係會被黏著在一起。當開 放層610係由一絕緣層所製成時,本身便能夠提供一絕緣 層以分離該等mu金屬層。利用此構造的複合反應室壁部會 提供一能夠事先製作的重量輕且堅固的壁部,並且會被設 計成具有必要的磁場遮蔽程度。此結構將該mu金屬遮蔽層 併入該真空反應室的壁部之中,並且避免使用厚的實心金 屬層達成必要的強度。應該注意,上面所述的任何複合壁 部可以使用在本文所述的真空反應室的任何實施例中。 圖8A係穿過真空反應室4〇〇之底部壁部(地板)的剖面 八會在該處"接用以支撐容納在該反應室之中的微影 ,器的框架。圖巾框架料702延伸穿過反應室壁部並座 ^在基底平板701之上。多個反應室壁部7〇3鄰接該框架 件702並且可被焊接至該框架部件(焊點705)。兩個mu 金屬層704同樣鄰接該框架部件7〇2,避免出現會讓外部磁 17 201123252 場進入該反應室之中的隙縫。 為減少基底平板701和真空反應室4〇〇之間會影響該 微影機器之穩定性的聲音與震動耦合作用,替代實施例顯 不在圖8B與8C之中。於該些實施例中,該等反應室壁部 703不會被牢牢地固定至框架部件7〇2,並且在該等壁部和 该框架部件之間會有一小隙縫。該等壁部部分會受到一震 動阻尼元件710(例如氣動避震器(air m〇unt))支撐。該等mu 金屬層704會延伸在框架部件7〇2的上方或下方,以消除 該遮蔽層中的任何隙縫。其亦可能會提供一伸縮區段 7 1 2(其會延伸在框架部件7〇2的上方),以便為該反應室壁 部提供額外支撐並且在該框架部件附近提供額外的密封作 用,同時允許些許屈曲作用以減少該基底平板和該等反應 至壁部之間的機械性耦合作用。在圖8B的實施例中,伸縮 區段712係被耦合至該等mu金屬層7〇4。取代之的係,在 圖8C的實施例中,伸縮區段712則係被耦合至該等反應室 壁部703❶除此之外’舉例來說’該等mu金屬層704還會 藉由鉗固作用被耦合至該等反應室壁部7〇3。 該微影機器需要用到大量的電氣訊號及光學訊號以進 行操作’該等訊號必須離開該真空反應室以便連接至通常 位於該反應室外面的控制系統。該真空殼體包含多個開 口 ’稱為璋口’用以讓攜載該等訊號的纜線從該等控制系 統進入該真空殼體之中。該等埠口會被設計成用以在該等 親線附近達成真空密封效果^該微影系統較佳的係具有模 組式構造’俾便各種關鍵子系統能夠從該系統中被移除以 18 201123252 及被置換,而不會干擾其它子系統。為促成此設計,每— 個子模組系統較佳的係具有自己的電氣、光學、及/或電力 鐵線連接線群,它們會繞送穿過專屬於該模組的一或多個 璋口。這可以中斷連接、移除、以及置換一特殊模組的境 線,而不會干擾任何其它模組的纜線。該等槔口較佳的係 會被設計成用於以-個單元的形式,舉例來說,一電子單 元,幫助移除以及置換該等纜線、連接器、及埠口蓋。該 真空反應室還需要用到用於一或多個真空抽吸器的多個開 口’用以將空氣從該反應室中抽出,以便排空該反應室。 在圖5A至5D中實施例中,該等埠口 42〇及真空抽吸 器430係被放置在反應室4〇〇的頂端壁部上。於此實施例 中,沿著該頂端壁部的正面於柱狀殼體中提供四個真空抽 吸器430,舉例來說,渦輪抽吸器,它們會被連接至真空抽 吸器開口 43 1 ;並且在該頂端壁部的兩側提供配置二十個柱 狀埠口 420。來自該等埠口的纜線會透過被配置在纜線架 438中的管線437被繞送至相關聯的控制系統。 圖9A係穿過真空反應室400的頂端壁部(天花板)的剖 面圖,圖中顯示一埠口 420。圖中頂端壁部的一部分8〇1具 有一被蓋部802閉合的開口《兩個mu金屬層8〇4與8〇5同 樣具有一對應的開口。上方mu金屬層804具有一密接在該 層804中的蓋部上方的帽部806,用以在該帽部處於正確位 置中時k供一完全遮蔽層。镜線810會經由該埠口蓋go〗 及該帽部806進入該真空反應室,並且結束於連接器8ΐι 中。該等mu金屬層之中的開口必須夠大用以讓連接器8ΐι 19 201123252 通過,俾便在必要時能夠移除且置換由連接器81丨、纜線 810 '帽部806、以及蓋部802所組成的組件。 圖9B係埠口 420的一替代實施例。每一 mu金屬層 8〇4、805皆具有一帽部8〇7、8〇8。該等咖金屬帽部會透 過螺栓或連接接針809,其具有彈簧和類彈簧元件而被附接 至蓋部802〇當該埠口閉合時,該等〇^金屬帽部8〇7與8〇8 會被推抵該等個別的mu金屬層8〇4與8〇5,以便在該等 金屬層中的開口上方正向關上該等帽部。這會確保當該淳 被閉。時,在該等mu金屬層中不會有任何隙縫。該結構 還將該等mu金屬帽部807肖㈣固定至該谭口蓋部8〇2。 圖9C係埠口 420的另一替代配置。為簡化起見,圖中 僅顯示該槔口的其中一側。於此配置中,該反應室壁部包 含一第二壁部層820,並且還包含一第三咖金屬帽部821。 該等三個mu金屬帽部會透過螺栓或連接接針8〇9,其具有 彈簧和類彈簧元件,被附接至蓋部802,如同先前的實施 例。當該皡口被閉合時’则金屬帽部8〇7與8〇8會被推抵 該等個別的mu金屬4 804與8〇5,巾则金屬帽部821則 會被推抵壁部層820。每- mu金屬層8〇4與8〇5皆有一蓋 部,用以進—步確保該遮蔽層之中不會有任何隙縫。或者, 甚至除此之外,該等mu金屬帽部還可能具備蓋部。 該等槔〇 420及真空抽吸器開口 431可能具有如圖5A 5”圓形設計’或是如圖1〇A中正方形或矩形設計。該 專槔口較佳的係專屬於該微影機器的—特殊模組式子系 統,並且可以根據一子系統必要的纜線連接線的數量來設 20 201123252 計其大小。舉例來說,如圖1〇]B中所示,照射光學子系統 可能會需要用到一大型埠口 42 1,投射光學子系統可能會需 要用到一略小型的埠口 422,而其它子系統則可能會需要用 到更小型的槔口 423與424。 一真空反應室400可能具有多個專屬真空抽吸器430 中的其中一者。同樣’ 一或多個真空抽吸器則可能被數個 真空反應室分享。每一反應室皆可具有一小型的真空抽吸 器’且分享一較大型的真空抽吸器。使用一個以上抽吸器 用以在該真空反應室400中達成真空的能力會創造真空抽 吸器冗餘能力,其可改良真空操作的可靠度。倘若一真莩 抽吸器功能異常,另一個真空抽吸器便能夠接替其功能。 圖11係分享兩個渦輪真空抽吸器43〇的五個真空反應 室400的配置。該等真空抽吸器會被配置在一分享導管或 管路432的每一個末端處。於一實施例中,該等該等抽吸 器430及δ亥導管或官路432會從一中央位置處來服務兩列 反應室400。被分享抽吸器的數量可以改變,也就是,一個 或多個。該導管或管路432會透過一摺板或閥門433被連 接至每一個真空反應室。該摺板或閥門433較佳的係由 金屬製成或是包含一 mu金屬,以便提供遮蔽作用。 舉例來說,具有一或多個低溫抽吸器遮板形式的水蒸 氣低溫抽吸器460可能會額外被併入每一個真空反應室之 中,用以捕捉該反應室中的水蒸氣,以便幫助在該反應室 之中形成真空。這會縮小用於產生足夠真空所需的真空抽 吸器的大小且縮短抽成真空的時間,並沒有使用任何移動 21 201123252 部件’俾使不會產生其它類型的低溫(<4K)系統通常會造成 的震動。該水蒸氣低溫抽吸器460會透過閥門461及冷卻 劑供應線路462被連接至低溫抽吸器控制系統463。 因.此,藉由該低溫抽吸器系統中的渦輪真空抽吸器430 及水4氣低溫抽吸器460兩者便能夠產生圖11中所示之配 置的真空反應室中的真空。較佳的係,該等渦輪抽吸器430 會先被啟動,接著,再藉由低溫抽吸器控制系統463來啟 動該低溫抽吸器系統,以便產生真空。相較於其它真空抽 吸啟動控制技術’在水蒸氣低溫抽吸器460之前先啟動一 渦輪真空抽吸器43〇可達成更有效的真空抽吸程序。為進 一步提高效率,該或該等渦輪抽吸器43〇可以在其啟動後 的一段特定時間週期之後與該真空反應室隔離。此時間週 期可此會對應於達成一特定預設臨界值以下的壓力數值所 需要的時間。在隔離該或該等渦輪抽吸器43〇之後,該水 蒸氣低溫抽吸器46〇便可繼續操作以完成該真空之產生。 圖11中配置可以修正以容納多層的堆疊真空反應室, 真空反應室不但會被垂直堆疊而且還會被並排配置。舉例 =說,可以使用兩層、三層、甚至可能更多層的真空反應 f在圖11中配置中產生由10個反應室(兩層)或15個反應 至(一層)所組成的配置。多個反應室可以運用一共用的真空 抽吸系統,而且一共用的真空抽吸系統可以供每一層反應 室來運用。於一實施例中,屬於一組真空反應室的—真^ ,應室中的真空可藉由該共用的真空抽吸系統來分別二 每一個反應室以達成。 二 22 201123252 回頭參考圖5A至5D,出入門術較佳的係會構成反 應室彻的整個後壁部。雖然此配置會產生數個問題;不 過,其也會提供一重要的優點。此設計中該出入門的大尺 寸會增加該出人門附近的密封邊緣的長度,使其更難保持 該反應至中的真空。為達成良好的密封效果,豸出入門必 須非吊平坦且堅硬,這會因為其大尺寸的關係而更難達 、並且會產纟更重的出入門而使其更難以打開與閉 合。大尺寸需要在該反應室附近用到更多的自由空間以容 納通常會擺動的出入門,其會佔用製造廠t寶貴的地板空 間然而,—用以構成該反應室之整個後壁部的出入門卻 會提仏最大的寬度與高度,用以將該微影系統的組成件移 進與移出該反應室,這在具有模組式設計的微影系統中係 項重要的優點。這允許將一模組滑出,並且接著更換它, 舉例來說,進行維修,而不需要進入該真空反應室。 該出入門402可能係由不錄鋼、銘、或是其它合宜材 料、或是該些材料的組合建構而成,舉例來說,其包含先 月’J所述的夾層壁部構造。和反應室壁部雷同,該出入門較 佳的係包含一或多個mu金屬層,以便隔離外部的電磁場。 為減輕該出入門的重量同時保持必要的堅固性,門板406 較佳的係包含垂直及/或水平強化樑柱或大樑4〇7。該出入 門的外緣亦可藉由被附接至該出入門之外側或内側周圍的 類支條強化部件來強化。 該出入門較佳的係以實質上為垂直的方式向上打開, 以便最小化該微影機器所需要的地板空間。此配置允許其 23 201123252 它儀器或壁部被放置在比較接近該微影機器之後側的地 方’或是避免產生出入門區塊所需要的工作或接取空間。 於某些實施例中,該出入門會被安置在有絞鏈的臂 部’以便讓該出入門向上擺動。圖从至5D中的實施例便 使用此種設計。此實施例在平行四邊形配置中於該出入門 的每一側運用兩支臂部41〇。該等臂部41〇透過桿部414以 可旋轉方式被附接至該出入門4〇2。該等臂部41〇允許該出 ^門402以弧形方式移動,當該出入門在閉合位置中時該 等煮。P 410會從一欽接點411處向下延伸,而當該出入門 在打開位置中時該等臂部410則會處向上延伸。 可以提供一啟動部件412,例如電動螺旋推進軸以幫』 打開與閉合該出人n 4〇2,以部分克服該出入門的重量 該啟動料412會傾斜地向上延伸,其較低端靠近該出/ 門而其較高端會在離該出人門較遠處連接至該等臂部41 中的其中-者並靠近該臂部的支點411。為達此目的,亦^ 可提供替代構件,舉例來說’法碼或彈簧。當在閉合位】 中時,該出入P’ 402的重量以及該等臂部41〇的幾何形并 會推動該出入門抵頂反應室壁部。如圖5A中所示,當該d 入門閉合時,該等臂部41G比較長並假設會與垂線形成^ ㈣”角度’俾讓該出入^ 4〇2的重量及重力會提供部 大的閉合作用力。此胡人你田a ^ 匕閉〇作用力較佳的係足以達到用以名 該反應室中產生真空所需的初始密封作用。 °亥出入門4〇2的外緣會在該真空反應室400的壁部± 形成-密封墊。為達此目的,可以將一平坦支條附接至該 24 201123252 反應室的上壁部、下壁邱 n ® g, ^ 。、以及側壁部,用以配接該出入 門周圍附近的對應平坦區
If!沾志品織在該平坦支條或該出入門周 圍的表面上會提供一 〇 ^ . 、,較佳的係提供被配置成一内 夕卜ϋ ^/環的兩個0形環。 為提供令人滿意的密I m + 封作用使能夠在該真空反應室中 保持必要真空,該出入門實 Λ A 貫質上應平坦以便會適配在該反 應至的壁部上而沒有隙縫。 这出入門較佳係密接該反應 至,最大變化約〇 · 1 mm,以靖过吉介4丄 讓該真二抽吸系統在該反應室 中產生足夠的真空壓力,俾#拉 1平便藉由該反應室外面的環境壓 力讓該出人Η壓抵該等0形環以達到完全的真空壓力。藉 由在建構該出人門之後對其外緣進行平坦化處理(舉例^ 說,藉由研磨處理)’便能夠達到該出入門所需要的平坦度。 因該出入門的重量及該等臂部之幾何形狀所造成的閉 合作用力較佳係足以達到初始密封效果而不需施加額外作 用力至該出入門上《倘若達到初始密封效果,該真空抽吸 系統的操作便會拉引該出入門使其抵住該等〇形環且能夠 達到該反應室中的完全真空壓力。亦可使用固鎖榫或螺检 416來確保出入門402密封在該等反應室壁部上。 一面板417會被放置在該真空反應室4〇〇的前壁部 中,其包含一狹縫418,用以從一晶圓裝載系統處接收晶 圓。其還包含額外的開口 419’用以讓啟動桿從該反應室外 面的平台啟動器處進入該真空反應室。該平台啟動器會在 該反應室内部移動該平台’以便讓該微影機器掃描該曰 人曰白 圓。該平台啟動器通常會使用電動馬達來產生該平台的必 25 201123252 要機械性移動,而該些電動馬達會產生干擾該微影機器所 使用之帶電粒子射束的電磁場。為防止此干擾,該平台啟 動器曰被放置在該反應室的mu金屬遮蔽層的外面。來自該 平台啟動器的桿體會經由反應室壁部中的孔洞419進入該 真工反應至,以在忒反應室裡移動該平台。該真空反應室 的則壁部較佳係由較厚的實心平板構成以容納該等開口。 於該真空反應室的某些實施例中,該出入門會由一抬 升系統來_,在升起時,#出人門會在該出人門的每一 側觉到引導。圖12A 12C中其中一個此類實施例具有一 抬升系統450,其包括_起吊器451,用以在該出入門的每 側利用一鏈條來抬升該出入門4〇2。舉例來說,用於此實 施例的 5且的起落架為Demag起落架型號 DCS-Pro-5.5GG。、纜線、電線、繩索、或是其它撓性的抬升 元件或其它非撓性的抬升元件(例如齒輪條(gear rack))亦可 能會用一絞盤。不過,對低彈力來說以鏈條為宜,因為其 適用於無塵室環境中,因為鏈條離開與進入起落架有恆定 的角度及位置(不同於纜線被纏繞在一絞盤的鼓輪之上時會 改變角度與位置),且因為其在所有方向中皆有撓性。 該抬升系統450具有導引元件,用以在垂直與水平兩 個方向中至少於第一階段的打開中引導該出入門。出入門 導軌452(受到一框架456支撐)會被設置在該出入門的每一 側,它們具有實質上垂直走向的導軌軌道的形式,在下端 的一傾斜部分453會以約45度的角度將該等導軌執道帶往 出入門402。導釘或滾筒454較佳的係在該出入門的| 一 ^一側 26 201123252 會有突出部用以扣接該等導轨軌道452,當該出入門打開及 4 σ時’該專導釘會沿著該專導軌軌道所形成的凹槽滑 動。該等導釘454可直接被連接至門板或者較佳的係被連 接至出入門強化樑枉455。當出入門4〇2被打開時,該等出 入門導軌452的組態會讓該出入門先朝上朝外移動(在本實 施例中會以45度的角度移動),接著,會進行垂直或幾乎垂 直的移動,直到該出入門完全升至該真空反應室之頂端壁 邛之上為止,以便提供毫無阻礙的進入該反應室内部。 當該出入門402被閉合時,該出入門先垂直或幾乎垂 直移動且接著以一角度朝下向内移動以閉合該反應室。針 對前述實施例,該出入門較佳係密接該反應室,最大變化 約0.1mm。因該出入門的重量及該等出入門導軌之幾何形 狀所造成的閉合作用力較佳係足以達到初始密封效果而不 需施加額外作用力至該出入門上。倘若達到初始密封效 果^該真空抽吸系統的操作便拉引該出入門使其抵住該等〇 形%且達到該反應室中的完全真空塵力。不過,利用丘享 組態(如先前參考® U討論的組態)的高容量抽吸器㈣在 某種程度上補償較差的初始密封效果。亦可使用固鎖榫或 螺拾川來確保出人門術會密封在該等反應室壁部上。 門例如:該出入門402的外緣亦可藉由被附接至該出入 丄之外側或内側周S 461的類支條強化部件460來強化。 ;出入門的外緣會在該真空反應室的壁部上形成一密封 可將平坦支條463附接至該反應室的上壁部、下壁部、 則壁部’以配接該出入門周圍附近的對應平坦區域461。 27 201123252 在該平坦支條463或該出入門周圍461的表面上會提供—〇 形環,且較佳係提供被配置成一内外〇形環的兩個〇形環。 其還會提供導引元件457用以在出入門402被打開與 閉合時來導引該鏈條。在圖12Α至12C的實施例中,會在 該等出入門導執452的旁邊提供一鏈條溝槽。該鏈條的其 中一端會在點458處被附接至該反應室其中一側上的框 架。該鏈條會下行右側出入門導軌452,繞行右鏈條導引元 件457,在管道465中跨過出入門402的外側,繞行左鏈條 導引元件457,上行左側出入門導軌452,在框架456的上 端處繞行第三鏈條導引元件(459),且跨越到起落架45 1。 相較於僅利用起落架,此配置會減半所需要的抬升作用力。 該等鏈條導軌457較佳係被設置在出入門4〇2上的下 方處,位於一出入門強化樑柱的下方或被連接至一出入門 強化樑柱’並且較佳的係被建構成滾筒、轉輪、或是在傳 送抬升作用力至該出入門時能夠導引該鏈條的其它元件。 雖然本實施例中使用到一鏈條系統;不過,亦可以使 用其它抬升元件,它們可直接被附接至該出入門或是透過 被附接至出入門的導引塊或滾筒來傳送抬升作用力。亦可 以使用氣動式或液壓式抬升系統,透過撓性的抬升元件或 剛性的臂部或支助來抬升該出入門。 起落架或絞盤馬達或啟動器較佳的係會被放置在該反 應至的上方,受到框架456的支撐》這會有效使用製造廠 地板空間,因為抬升設備使用用以容納該出入門之開口高 度所需要的垂直空間。為安全起見,絞盤或起重機可以自 28 201123252 我固鎖或配備一固鎖裝置。設備架亦可合宜地放置在該真 空反應室的上方,同樣受到框架456的支撐。該些設備架 較佳的係被用來收藏高電壓控制電路系統以及射束切換與 射束掃描偏折電路系統,其較佳係位於該真空反應室中靠 近該微影機器的地方。這會有效使用製造廠地板空間。 本文已經參考上面討論的特定實施例說明過本發明。 應該注意的係,本文已經說明熟習本技術的人士便會知悉 的各種構造和替代例’它們皆可用於本文所述的任何實施 例。再者’還應該瞭解的係,該些實施例會有熟習本技術 的人士所熟知的各種修正與替代形式,其並不會脫離本發 明的精神與範疇。據此,雖然本文已經說明過特定的實施 例;不過,該些特定實施例僅為範例,而並非限制隨附申 請專利範圍中定義的本發明的範疇。 【圖式簡單說明】 本文已經在前面參考圖式中實施例進一步解釋過本發 明的各項觀點,其中: 圖1係帶電粒子微影系統之實施例的簡化概略示意圖; 圖2係一真空反應室中的帶電粒子源環境之實施例的 剖面圖, 圖3係一模組式微影糸統的簡化方塊圖; 圖4A與4B係微景> 機器和晶圓裝載系統的配置範例; 圖5A係一帶電粒子微影系統的真空反應室的立體圖; 圖5B係圖5A的真空反應室的側視圖; 29 201123252 圖5C係圖5A的真空反應室的前視圖; 圖5D係圖5A的真空反應室的一部分的剖面圖. 圖6係一真空反應室的接合壁; , 圖7A係一具有多層mu金屬層的真空反應 區段的立體圓; ^ 4的一 其具有 圖7B係一真空反應室壁部的—區段的立體圖 一具有一蜂巢層的複合結構; 8A係穿過一真空反應室之底部壁部的剖面圖,圖中 顯示介接一框架支撐部件的介面; 圖8B係介接__框架支#部件的—替代介面的剖 圖8C係介接框架支樓部件的另—替代介面的剖面圖;’ 圖:A係穿過一真空反應室之壁部的剖面圖,圖中顯示 一埠口蓋及mu遮蔽帽; 圖叩係一 4 口蓋及mu遮蔽帽的—替代西己置的剖面圖; 圖9C係一埠口蓋及„^遮蔽帽的一第二替代配置的剖 圖10A係一真空反應室中的多個埠口和多個真空吸沒 開口的一替代配置的立體圖; 圖咖係一真空反應室中的多個琿口和多個真空抽吸 開口的另—替代配置的俯視圖; 圖11係分享多個渦輪真空抽吸器的多個真空反應室的 概略示意圖; 圖12A係一真空反應室的替代實施例的後立體圖; 圖係圖12A的真空反應室的前立體圖;以及 30 201123252 圖1 2 C係圖1 2 A的詳細圖示。 【主要元件符號說明】 100 帶電粒子微影系統 101 電子源 102 準直透鏡系統 103 孔徑陣列 104 聚光器透鏡陣列 105 射束空白器陣列 108 射束阻攔陣列 109 射束偏折器陣列 110 投射透鏡陣列 120 擴展電子射束 121 準直電子射束 122 電子小射束 123 經偏折及未經偏折的電子小射束 124 電子小射束 130 目標物 132 可移動平台 140 真空反應室 150 來源反應室 152 來源 154 閥門 156 啟動單元 31 201123252 158 條狀物 160 電線 201 照射光學模組 202 孔徑陣列與聚光器透鏡模組 203 射束切換模組 204 投射光學模組 205 校直内側子框架 206 校直外側子框架 207 震動阻尼底座 208 框架 209 晶圓台 210 夾盤 211 短衝程平台元件 212 長衝程平台元件 215 mu金屬遮蔽層 220 基底平板 221 框架部件 300 、 301 微影機器群 303 裝載固鎖/晶圓裝載單元 304 平台啟動器 305 共用機器人 306 接取廊道 307 機器人儲存單元 310 中央通道 32 201123252 400 真空反應室 402 出入門 404 橫樑或大樑 405 壁板 406 門板 407 強化樑柱或大樑 410 臂部 411 鉸接點 412 啟動部件 414 桿部 416 固鎖榫或螺栓 417 面板 418 晶圓裝載狹縫 419 開口 420 埠口 421 大型埠口 422 略小型埠口 423 、 424 更小型埠口 430 真空抽吸器 431 真空抽吸器開口 432 導管或管路 433 摺板或閥門 437 管線 438 纜線架 33 201123252 450 451 452 453 454 455 456 457 458 459 460 461 462 463 465 501 503 504 505 510 511 512 601 602 抬升系統 起吊器 出入門導執 傾斜部分 導釘或滾筒 . 出入門強化樑柱 框架 鏈條導引元件 點 第三鏈條導引元件 水蒸氣低溫抽吸器/類支條強化部件 閥門/出入門周圍/平坦區域 冷卻劑供應線路 低溫抽吸器控制系統/平坦支條 管道 502 壁部 螺栓或定位接針 凹孔 黏著劑 支條 定位螺栓或接針 0形環 反應室壁部 強化樑柱 34 201123252 603 第一 mu金屬層 604 分隔部件 605 第二mu金屬層 606 分隔部件 607 第二壁部 610 開放層 701 基底平板 702 框架部件 703 反應室壁部 704 mu金屬層 705 焊點/反應室 710 震動阻尼元件 712 伸縮區段 801 部分 802 蓋部 804-805 mu金屬層 806-808 mu金屬帽部 809 螺栓或連接接針 810 繞線 811 連接器 820 第二壁部層 821 第三mu金屬帽部 35

Claims (1)

  1. 201123252 七、申請專利範圍: 1 · 一種包括複數個帶電粒子微影設備的配置,每一帶電 粒子微影設備皆具有真空反應室(400),該配置進一步包括: 一共用機器人(305) ’用以將晶圓運送到該等複數個微 影設備;以及 一晶圓裝載單元(303) ’用於每一帶電粒子微影設備, 經配置在每一個別真空反應室(400)的正面; 其中該等複數個微影設備被配置在一列中,俾讓該等 微影設備的正面面向一通道(310)用以讓該共用機器人(305) 通過’以便將晶圓運送至每一設備;以及 其中每一微影設備的背面則面向一接取廊道(306),以 及每一真空反應室的後壁部皆具備一接取出入門,用以接 取該個別的微影設備^ 2. 如申請專利範圍第1項之配置,其中該等複數個微影 設備會被配置在具有一中央共用通道的兩列中。 3. 如申請專利範圍第2項之配置,其中該等兩列微影設 備會被配置成彼此相向,兩列之間會有該中央共用通道。 4·如申請專利範圍第2項之配置,其中該等兩列微影設 備會被垂直堆疊’兩列會面向該中央共用通道。 5.如申請專利範圍第丨項之配置,其中該等複數個微影 設備會被配置在具有一中央共用通道的複數列中,其中該 等微影設備列中至少兩列會被配置成彼此相向,兩列之間 會有該中央共用通道,以及該等微影設備列中至少兩列會 被垂直堆疊’兩列會面向該中央共用通道。 36 201123252 如則述申晴專利範圍中任一項之配置,其中每一微影 設備皆在其前壁部處具備-裝載固鎖單元(303)。 如月』这申凊專利範圍中任一項之配置,其中用於每一 帶電粒子微影設備的平台啟動器(3〇4)會被設置在每一個別 微影設備的正面。 8 ·如刖述申請專利範圍中任一項之配置,其中會為每一 帶電粒子微衫5免備提供包括多個啟動部件或啟動桿的平台 啟動器(304),以在每一個別的反應室(4〇〇)裡移動一平台。 9. 如申請專利範圍第7或8項之配置,其中該裝載固鎖 單元(303)會被配置在每一個別微影設備的平台啟動器(3〇4) 的上方。 10. 如前述申請專利範圍中任一項之配置,其中該共用 機器人包括至少兩個機器人單元。 11. 如前述申請專利範圍中任一項之配置,其中該配置 進—步包括一機器人儲存單元(307)。 12. 如申請專利範圍第11項之配置,其中該儲存單元會 被配置在與該通道相鄰的一列微影設備的末端處。 13. 如刖述申晴專利範圍中任一項之配置,其中一列中 的微影設備中一或多者會以二或多層方式被垂直堆疊。 14 ·如申請專利範圍第13項之配置,其中每一微影設備 皆具備來自一地板的個別支撐體。 15. 如申請專利範圍第13項之配置,其中每一層微影設 備皆具備對地板的分離支撐體。 16. —種包括複數個微影處理單元的帶電粒子微影機 37 201123252 器’每一微影處理單元皆會被配置在真空反應室(400)中, 該機器進一步包括: 一共用機器人(305),用以將晶圓運送至該等複數個處 理單元;以及 一晶圓裝載單元(303),用於每一處理單元,其會被配 置在每一個個別真空反應室(400)的正面; 其中該等複數個處理單元會被配置在一列中,俾讓該 處理單元的正面面向一通道(31〇)用以讓該共用機器人(3〇5) 通過’以便將晶圓運送至每一處理單元;以及 其中每一處理單元的背面則面向一接取廊道(3〇6);以 及每一真空反應室的後壁部皆具備一接取出入門,用以接 取該個別的處理單元。 17·如申請專利範圍第16項之機器,其中該等複數個處 理單元會被配置在具有一中央共用通道的兩列中。 18. 如申請專利範圍第17項之機器,其中該等兩列處理 單元會被配置成彼此相向,兩列之間會有該中央共用通道。 19. 如申晴專利範圍第17項之機器,其中該等兩列處理 單元會被垂直堆疊,兩列會面向該中央共用通道。 八、圖式: (如次頁) 38
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277425A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Nec Corp 電子線描画方法とその装置
US7016388B2 (en) * 2002-05-07 2006-03-21 Cymer, Inc. Laser lithography light source with beam delivery
CN1208692C (zh) * 2002-05-23 2005-06-29 联华电子股份有限公司 微影制程的焦距检测方法
GB2392309B (en) * 2002-08-22 2004-10-27 Leica Microsys Lithography Ltd Substrate loading and unloading apparatus
US6831768B1 (en) * 2003-07-31 2004-12-14 Asml Holding N.V. Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography
US7230676B1 (en) * 2006-03-13 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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