TW201035105A - Luminescent silver complexes - Google Patents

Description

201035105 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光性銀錯合物。 【先前技術】 ' 作為用於有機叫1崎一ineSCence，電致發光）元件 發光材料又到期待的是以銀錯合物為代表之使用始 族金屬之磷光發光錯合物。然而，鈒於銘族金屬中亦稀 彡，且價格非常昂貴。因此’業者對使用於成本方面有利 之廉價之金屬的錯合物進行了各種研究（非專利文獻D。然 而，公知之廉價之金屬的錯合物作為發光材料而言於氧存 在下之耐久性並不充分。 [先前技術文獻] [非專利文獻] 〇 =發明提供-種與_金屬相比較更為廉價，且作為發 材料而言於氧存在下之耐久性優異之銀錯合物。 [發明之效果] 根據本發明，具有包今古 ^ β匕3有機雙牙配位基之2種以上 1己=的發光性銀錯合物可成為發光躲優異之發光元件 又’本發明之發光性銀錯合物即便於混合在高分子材料 等介質t而形成發光體，並以 刀子材枓 成發光元件之情形時，發光二先體而形 尤双丰亦優異，故可較好地用作 144884.doc 201035105 發光元件之材料。 進而，本發明 下之耐久性較高 【實施方式】 之發光性銀錯合物作為發光材料於氧存在 即，可表現出持續性優異之發光特性。 之銀錯合 本發明之發光性銀錯合物係以式（丨）所表示 物。 [化1] (Ag+) (L1) 8 (L2) b (χ1) k ⑴ 此處’ L1為具有2個可配位於Ag+之選自磷原子、氮原 子、氧原子、硫原子及砷原子之原子的分子。l2為具有】 個或2」固選自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子、石申原 子+、氧陰離子及硫陰離子之原子及/或離子作為可配位於

Ag+之原子及/或離子的分子。Ll&L2之任一者具有至少】 個可2配位於Ag+之麟原子，且及L2不同。χΐ為陰離子， 於L2為僅具有1個可配位於Ag+之原子的分子之情形時，χΐ 為i化物離子。a&b獨立為小於2 〇之正數。让為〇以上、 1.5以下之數。 於以式（1)所表示之銀錯合物中，L1較好的是配位於 Ag，可作為單牙配位基而配位於Ag+，亦可作為雙牙配位 基而配位於Ag+，但更好的是作為雙牙配位基而配位於 Ag。L1之碳數通常為2〜3〇〇，較好的是3〜2〇()，更好的是 4〜150 ’進而更好的是6〜1〇〇，特別好的是1〇〜8〇。 較好的是L1為具有2個磷原子及/或氧化膦之氧原子作為 可配位於Ag之原子的分子，可列舉以下之例。 144884.doc 201035105• [化 2] (^So

9〇

a1 0- a2 ρ_ QQ όό Q?〇-

a5 Ιό a3 a4

Me^Me a6

a7 a8 π-Hex· n-Hex a9 Ο Ο O 0 Q 0 p 〇X.〇S〇 OisSP T-O ό〇ό 的 ▲

a10

Ph a11 a14 )十、 3

Me 〇^~PPh2

2〇 a15

a16

Mev ^ ,Me

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^Me (~Λ-\ _Ma >=/ P

a17

Me^Me a18 a19 2P\/PPh2 Ph2Px=/PPh2 Ph2P>s^\^PPh2 ph2p^\^\^PPh2 a20 a21 a23 a24 SPPh2 Me „ „ ... ^ T T ^ PPhz 9pH^ a25 a26 OMe OMe 9 p p 〇

Me 0-1,3 r〇 〇-?〇?-〇 T T t-Bu^^><^^t-Bu t-Bu t-Bu Me Me a28 a29 t-Bu OMe a27 ，t-Bu t-Bu

MeO

Me Me a30 ^ i-TT-lH.e u^uf Me Me a31 a32 ^ 〇c〇 *-Bu Me^Me a33

a? \_r\j leb1 PPh2 N~Mi Me PPI όό b2 PPh '2 N-Ph Ph b3 PPh2

PPh9 产N PPh2 C2 c3 n-Hex c4 c5 c6 PPh2 ϋ-ϋ c7 更好的是L1為具有2個可配位於Ag+之磷原子的分子 又，較佳之L1之例包含以式（A)所表示之分子。 144884.doc 201035105 [化3] Q^R'-Q1 (A) (式中’ Q為_p(R )2 ’ R11為可經取代之烴基（hydrocarbyl group) ’ 4個r11可相同亦可不同，4個Rii中之任意2個可鍵 結而形成環。R1為二價基）。 作為R11中之烴基之例，可列舉：曱基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基、 壬基、十一烧基、十五烧基、十八烧基、二十二烧基等碳 原子數為1〜50之烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己 基、％壬基、環十二烷基、降葙基、金剛烷基等碳原子數 為3〜50之環狀飽和烴基；乙烯基、丙烯基、3 丁烯基、 丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基、2_壬烯基、2_十二烯基等 碳原子數為2〜50之烯基；苯基、卜萘基、2_萘基、2_曱基 苯基、3_甲基苯基、4·甲基苯基、4-乙基苯基、4-丙基笨 基、4-異丙基苯基、4_丁基苯基、4_第三丁基苯基、舡己 基苯基、4-環己基苯基、4_金剛烷基苯基、4_苯基苯基、 9-苐基等碳原子數為6〜50之芳基；苯基甲基、卜苯基乙 基、2-苯基乙基、1_苯基·丨_丙基、丨_苯基_2_丙基' 2_苯 基-2-丙基、3-苯基小丙基、4_苯基小丁基、5_苯基小戊 基、6-笨基-1-己基等碳原子數為7〜5〇之芳烷基。 作為該烴基之取代基之例，可列舉：_素原子、烴氧 基、二烴基胺基、烴基M基、煙基幾基、烴氧基幾基、 (二烴基）胺基羰基。所謂烴氧基，係指aR〇_(R表示烴基） 所表示之基，所謂烴基巯基，係指以RS_所表示之基，所 144884.doc 201035105 謂烴基幾基，係指以吨哪所表示之基，所謂煙氧基嫁 基，係指以ROC(哪所纟示之基，〕煙基胺基係以R2N_ 斤表示之基（一 fe基）胺基幾基係以R2N_c(=〇)·所表示之 基，於具有2個R之情形時，2個R可相同亦可不同。r為烴 基，該烴基之具體例與上述烴基相同。

以下，於本發明令’記#「可經取代之(― substituted)」之情形之取代基的例子只要無事先說明，則 為南素原子、煙基、烴氧基、二烴基胺基、烴基疏基、烴 基羰基、烴氧基羰基及（二烴基）胺基羰基。其中，較好的 是：素原子、碳原子數為M0之烴基、碳原子數為卜3〇之 碳原子數為1〜3G之烴基《、碳原子數為卜30之 烴基羰基，更好的是*素原子、碳原子數為1〜18之烴基、 氧基、碳原子數為W之煙基魏基， :更好的是鹵素原子、碳原子數為卜12之烴基、碳原子 之烴氧基。作為該烴基之取代基，較好的是函素 兔原子數為卜12之烴氧基、碳原子數為1〜a之煙基 额·基。 美較好的是可經取代之芳基’更好的是可經取代之苯 i的曰L更好的是2位、4位及/或6位經取代之苯基，特別 子疋^取代之苯基。作為該取代基，較好的是函素 二數為1〜5°之烴基、碳原子數為一氧 為1〜24之二烴基胺基、碳原子數㈣之烴 氟曱基、甲子λ氯原子、漠原子，子、三 土、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第 144884.doc 201035105 三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷 基、十八院基、二十二烧基、環戊基、環己基、環壬基、 環十二烷基、降葙基、金剛烷基、乙烯基、丙烯基、3 -丁 烯基、2-丁烯基、2-戊烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、2- 曱基苯基、3-曱基苯基、4-曱基苯基、2-曱氧基苯基、3- 曱氧基苯基、4-甲氧基苯基、4-乙基苯基、4-丙基苯基、 4-第三丁基苯基、4-己基苯基、4-環己基苯基、4-金剛烷 基苯基、2-苯基苯基、9-第基、苯基甲基、1-苯基乙基、 2-苯基乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、苯氧基、丁氧 基、己氧基、甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、苯硫 基、二笨基胺基、二曱基胺基、二己基胺基、曱基苯基胺 基，更好的是氟原子、甲基、乙基、丙基、丁基、第三丁 基、己基、辛基、十二烷基、十八烷基、環己基、乙烯 基、丙烯基、苯基、2-萘基、2-曱基苯基、3-曱基苯基、 4-甲基苯基、2-甲氧基苯基、3_甲氧基苯基、4_甲氧基苯 基、4-第二丁基苯基、4_己基苯基、2苯基苯基、苐 基、甲氧基、乙氧基、苯氧基、曱硫基、苯硫基、二苯基 胺基’進而更好的是氣原子、甲基、第三丁基、乙稀基、 苯基:广甲基苯基、”基苯基' 4甲氧基苯基、4第三 丁基苯基、甲氧基、苯氧基，特別好的是甲基、第三丁 基、甲氧基。 作為R1之例，可列與· J夕』舉·可經取代之碳數為1〜30之少 基:碳數為2,之烯二基；可經取代之主鏈碳數為μ 炔基，可、！取代之碳數為4〜30之環炫二基；可經取^ 144884.doc 201035105 組合可經取代 _ 可經取代之下述所 碳數為6〜30之芳烴二基之二價的烴基 價之烴基與-Ο-及/或-S-而成之二價基 示之rl至rl2。 [化4]

Π r2 r3

(式中 ’ Y 及 Y2 分別為以 _(CH2)n-、-Ο-、、 -Si(R )2-、-0(CH2)n-或 _0(CH2)n〇-所表示之二價基，γ〗與 Υ2可相同亦可不同。11為1〜3之整數。Rx為烴基）。

R1較好的是可經取代之上述rl〜rI2，更好的是可經取代 之上述rl、r2、r5、r6 ' r8、r9、rlO(其中，丫1為_〇_或_§_)、 rll(其中 ’ Y1 為-〇_或_8_)、Γ12(其中，γΐ 為 _〇_，γ2 為 -CH2-，η為1)，進而更好的是可經取代之下述rl，、r5，、 r6'、r10'、r 12'。 [化5]

144884.doc -9- 201035105

1_αι ②

作為取代基之具體例，較好的是氟原子、氣原子、溴原 子、二氟甲基、曱基、乙基、丙基、丁基、異丁基、第三 丁基、戍基、己基、庚基、辛基、壬基、十二烧基、十八 炫基、環己基、乙稀基、丙稀基、3 -丁烯基、苯基、卜萘 基、2-萘基、2-曱基苯基、3 -曱基苯基、4-甲基苯基、2-甲氧基苯基、3 -曱氧基苯基、4-曱氧基苯基、4-第三丁基 苯基、4-己基苯基、4-環己基苯基、2_苯基苯基、2_笨基 乙基、曱氧基、丁氧基、苯氧基、苯硫基、二苯基胺基， 更好的是氣原子、氣原子、三氟i曱基、曱基、乙基、丙 基、丁基、第三丁基、己基、辛基、環己基、苯基、2 -甲 基苯基、4-甲基苯基、2-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、4_ 第三丁基苯基、4-己基苯基、曱氧基、丁氧基、苯氧基、 二苯基胺基，進而更好的是氟原子、三氟甲基、曱基、丁 基、第三丁基、苯基、4-甲基苯基、4-曱氧基苯基、4-第 三丁基苯基、曱氧基，特別好的是曱基、第三丁基、曱氣 基。 該取代基之數量較好的是〇〜4個，更好的是0〜3個，進而 更好的是0〜2個。於rl’之情形時，該取代基之鍵結位置校 144884.doc -10- 201035105 好的是m及/或m(括號中之數n，〜⑴，中之帶圓圈之數 相對應。本段落中，以下相同）e sr2，之情形時較好的 是[2]、[3]、[4]及/或[5] ’更好的是[2]及[5]、以及[3]及 ⑷。於r3’之情形時，較好的是[2]、[3]、⑷、[5]、⑹及/ 或[8] ’ 更好的是[4]、[2]及⑷，[2]、[4]及[6]，[3]及[5]， 以及[2]、[3]及[5]。於A之情形時，較好的是[2]、[3]、 [4]、[5]、[6]及/或[7] ’更好的是[2]與[7]、[3]與[6]、以及 [4]與[5]。於r5’之情形時，較好的是[2]、[3]、[4]、[5]、 [6]及/或[7]，更好的是[2]與[7]、以及[3]與。於“，之情 形時，較好的是[2]、[3]、[4]、[5]、[8]、[9]、[1〇]及/或 [11]，更好的是[2]與[11]、[3]與[1〇]、[4]與[9]、以及[5] 與[8]。於r7'之情形時，較好的是[2]、[3]、[4]、[5]、 [6]、[7]、[8]及/ 或[9] ’ 更好的是[2]與[9]、[3]與[8]、[4] 與[7]、以及[5]與[6]。於r8,之情形時，較好的是[2]、 [3]、[5]及/或[6]，更好的是[2]與[6]、以及[3]與[5]。於r9, 之情形時’較好的是[3]及/或[5]。於rl〇，之情形時，較好 的是[2]、[3]、[4]、[5]、[6]及/或[7]，更好的是[2]與[7]、 以及[3]與[6]。於ri 1'之情形時，較好的是[2]、[3]、[4]及/ 或[5] ’更好的是[2]與[5]。於rl2,之情形時，較好的是 [2]、[3]、[4]、[4]’、[5]及/或[6]，更好的是[4]與[4]，、[2] 與[6]、以及[3]與[5]。 1 之較佳之具體例為上述al〜a4、a6〜al3、al6、al7、 a25〜a33，更佳之例為 al、a2、a4、a6、a7、a9、al7、 a26、a33，進而更佳之例為 al、a2、a4、a6、a33。 144884.doc -11 - 201035105 迷組成式（3)〜(6) 本發明之發光性銀錯合物較好的是以下 中之任一者所表示者。 [化6] (Ag+) (L3) ：L4) (X2) (3) (式中’ L3之定義與上述Ll相同。L4為僅具心個可配位於 Ag之，原子、氮原子、氧原子、硫原子切原子的分 子。X2為鹵化物離子。d,1及e，l獨立為小於2.0之正數，fl 為1.5以下之正數）。 [化7]

(Ag+) (LS) d. 2 (L6) e> 2 (χ3) f> 2 ⑷ (式中’ L5之定義與上述Ll相同。L6係可配位於Ag+之—個 原子為似子、氮原子、氧原子、硫原子或坤原子，可配 位於Ag+之另—個原子為磷原子、氧原子、硫原子或坤原 子的分子，其與L5不同。X3為陰離子。心及心獨立為小 於2.0之正數，f，2為〇以上、1.5以下之數） [化8] (Ag+) (L7) d. 3 (L8) e, 3 (X4) {I 3 (5) (式中，L7之定義與上述L1相同。L8為具有2個可配位於 Ag之氮原子的分子。χ4為陰離子。d，3及e，3獨立為小於 2.0之正數，f，3為〇以上' i 5以下之數）。 [化9] (A g +) (L 9) d. 4 (L 1 0) e，4 ( 6 ) (式中，L之疋義與上述L1相同。L10係可配位於Ag+之一個 原子為可配位於Ag+之磷原子、氮原子、氧原子、硫原子 144884.doc •12· 201035105 或砷原子’可配位於Ag+之另一個雜Λ ρ λ 8 ^個離子為氧陰離子或硫陰 離子的分子。d，4及e，4獨立為小於2.〇之正數）。 於上述組成式（3)中，U之定義與上述L]相同，具體例及 較佳之例亦相同，特別好的是al。 上述組成式（3)之L4為僅具有丨個磷原子、氮原子、氧原 子、硫原子或砷原子作為可配位於Ag+之原子的分子。 Ο

作為L4之具體例，可列舉以p(Rm)3、n(r22〇)3、可經取 代之含氮雜環化合物分子、〇(R23G)2、s(r24(^、r2' C02H、R260-〇h、R270_CN、R28〇_SH 或 r290 s〇邱其中 0。、C、r25。、r26〇、r27。、r28。及 _ 立為氫原子或可經取代之烴基，3個R21Q、3個R22G、2個 R230以及2個R24〇可分別相同亦可不同，3個R210中之2個可 鍵結而形成環，3個R220中之2個可鍵結而形成環，2個1123〇 可鍵結而形成環，2個R240可鍵結而形成環）所表示之分 子。 R210、R22。、R230、R240、r25 0、R260、r270、r28。及 r29〇 中之可經取代之烴基之具體例及較佳之例與上述Ri 1之其 等相同。 作為L4中之含氮雜環化合物分子之例子，可列舉：〇比 咬、°荅p井、嗔咬、°比11井、三p井、喧淋、異喧琳、喃唾、0比 唑、U号嗤、噻唑、号二唑、噻二唑、氮雜二唑、吖咬。較 好的是π比。定、咪。坐、喧淋及異啥琳，更好的是π比咬、0米 〇坐、喧淋’進而更好的是吡啶。該含氮雜環化合物分子之 取代基的定義與上述R11中之烴之取代基相同，且具體 144884.doc • 13· 201035105 例、較佳之例相同。該取代基之數量較好的是〇〜4個， 好的是0〜3個’進而更好的是0〜2個，特別好的是1〜2個 L4較好的是P(R2,3、N(R22G)3、可經取代之含氮雜環化 合物分子’更好的是P(R21G)3(其中，為可經取代之芳 基）、可經取代之含氮雜環化合物分子，進而更妤的是 p(r21C))3(其中，R21G為可經取代之苯基）。 以下列舉L4之具體例。 [化 10]

144884.doc *14- 201035105 〇14，、〇9’更好的仏〜_，進而更好的是 好的是kh 特別 2 X為鹵化物離子，軔 β 蛾化物離子。較子的疋氯化物離子1化物離子、 ;、、成式（3)中，d，l及獨立為小於2〇之正數，f 5义下之正數。較好的是们、…及。獨立為〇 $〜^ ，更 好的是 . ^ ❹ ❹ 及f，l獨立為0.H 2。 Ml el 作為以組成式ήί·主- 々 可列舉L1 銀錯合物之具體例， 1列举L為以a 1〜a31k, Λ , 八子而卜达 C7中之任—式所表示之 刀子，而L4為以kl〜kl〇 11、mi、〇7〜〇9及〇，14中之任一 " 不之分子者。作為以組成式（3)所表示之發光性銀伊 合物之較佳之具體例 發先〖生銀錯 J糾芈L·係以al〜a4、a5 al6〜al7及a25〜a33中之杯一 主_ Τ之任一式所表不之分子， kl〜klO中之任一々张主_ 向L馮以 式所表不之分子者，更好的 η分別獨立為0H.5者。 疋1 ei及 於上述组成式（4)中，£5之 ^ j, ^ /、上呔L相同，具體例及 較土之例亦相同，特別好的是a2、a4、a6。 上=成式⑷之。係可配位於Ag+之一個原子為碟原 "子、氧原子、硫原子或神原？，可配位於Ag+之 其與L5不同。”氧原子、&原子或砰原子的分子， L6較好的是以式（B)所表示之分子。 [化 11] 144884.doc 15- 201035105 Q5-R5-q (B) 此處，Q5 係以-P(R51)2、_As(r52)2、哥〇)(r53)2、 OH C02H -SH、-S〇3h、_〇R54、_c〇2r55 _sr56 或 -S〇3R57 所表* 之基，Q51 為 _p(r58)2、_as(r59)2、 _P卜O)(R510)2、_0H、_c〇 、-SH、-S〇3H、-OR 1、 -C〇2R512、舰5U_S〇3R514、娜⑴）2或可經取代之含氣雜 環基，Q5與Q、相同亦可不同，q、q5i可鍵結而形成 環。R51〜R59及R5i〇〜R5i、 獨立為虱原子或可經取代之烴基， 2個 R51、2個 R52、2個尺53 8 z调R 、2個R59、2個R51❶及2個 R515可相同亦可不同。2個p51 個R可鍵結而形成環，2個r52可 鍵結而形成環’ 2個R53可鍵紝而 鍵、、'°而形成裱，2個R58可鍵結而 形成環，2個R59可鍵結而 〜珉衣2個R可鍵結而形成 環’ 2個R5"可鍵結而形成 衣 K為一價基，於Q5丨為可經 取代广'氮雜環基之情形時，R5可為直接鍵結。

R

R 52

R53、R54、R55、R 56

R 57

R58、R 59

R 510 R)1】、R5!2、r513 514 中之可經取代之烴基的呈體 例及較佳之例與上述RU相同，R5 較佳之例與上収1相同。 中之基之具體例及 所謂Q51中之含氮雜環基， 中去…, 、扎自上述含氮雜環化合物 ::除：個氣原子而成之-價基，該含氮雜環化合物之旦 =基取代之基之定義與可經上述含氦 代之基相同，具體例、較佳之例亦相同。 Q5較好的是哪51)2(其m可經取代之芳基）、 144884.doc -16- 201035105 -OH、C02H、-SH，更好的是 _p(R5i w 甘 )2(其中，R51為可經取 代之芳基），進而更好的是為可經取代之笨 基:更好的是2位、4位及/或6位經取代之笨基，進 的疋4位經取代之苯基）。

• Q5 1 士不 AA .基，更好;I是-〇H、⑶2Η、·δΗ、可經取代之含氮雜環 更好的β Λ°Η、€〇2Η、可經取代之含氡雜環基，進而 6、疋-an、可經取代之含氮雜環基。 O 具體例為上述al〜a33、M〜b4、ei〜c7及下述之 di〜d2〇 、

Si〜sl7 。 [化 12] °ΊΗ O? 〇 0?sMe Π-9 d6 SH SH0^> d11 d7 SMeSMe d12 d8 d4 d5

OH COOH

OH SMe SMe COOH d13 d14 d15

d16

SH ^-P SMe ^SMe 〇$°SMe ?〇〇Hό6 όό ώ d17 d18 d19 d20 [化 13] 144884.doc -17- 201035105

n-Pr ?H 〇H OH 6〇 Cl F Me

s12

S16

S17 S13 S14

Me s15 於L6之具體例中，較好的是al、a2、a3、 a 5、 a7、a9、al〇、all、al2、a13、al5、al6、al7、 a21 ' a23 ' a26 ' a30 ^ a31 > a32 ' a33 ' b3 ' cl ^ 〇dl、d2、d3、d4、d6、d8、dl6、 a6 c4、c5 、c7 c3 λ dl7、 d20、si、S2、s3、S4、s7、s8、s9、sl〇、sl2、 sl4、sl5、S16，更好的是cl、C2、C3、C4、e5、 7 c /、 d2 、 d3 、 d4 、 d6 、 d8 、 dl6 、 dl7 、 d20 ' si 、 s2 、 q S〇 \s7 、 s8 、 s9 、 slO 、 S12 、 sl3 、 sl4 、 sl5 、 S16 ，椎工 a 運而更好的 疋 c3、d3、si、s3、sl2 ’ 特別好的是d3、S12。 X為陰離子，作為具體例，可列舉：氟化物離子、氣化 物離子、溴化物離子、碘化物離子、硫酸根離子、硝酸根 離子、碳酸根離子、乙酸根離子、過氯酸根離子、四氟硕 酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子、六氟銻離子、六氟砷離子、 甲磺酸根離子、三氟甲磺酸根離子、三氟乙酸根離子、苯 磺酸根離子、對甲苯磺酸根離子、十二烷基苯磺酸根離 子、四苯基硼酸鹽離子、四（五氟苯基）硼酸鹽離子。又， 含有具有s亥專離子之結構之重複單元的高分子化合物之陰 sl3、dl、 s4、 144884.doc -18 - 201035105 離子亦可列舉為X3之例。X3之較 .u ^ 較佳之例為氟化物離子、氯 化物離子、溴化物離子、碘化物離 确酸根離子、四氱 硼酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子、= —亂甲磧酸根離子、四苯 基硼酸鹽離子，更佳之例為氣化 齓化物離子、溴化物離子、碘 化物離子、硝酸根離子、四氟爛 文现離子、六亂填酸鹽離 子，進而較佳之例為溴化物離子、 碟化物離子、四氟硼酸 鹽離子。

於組成式（4)中，d，2及e，2獨立蛊丨从。 苟立為小於2.0之正數，f'2為〇 以上、1.5以下之數。輕^的a」 杈好的疋d 2、e，2及f 2獨立為 0.5〜1.5 ’更好的是d，2、e，2及f'2獨立氣n 1 ， 倜立為0.7〜1·3，進而更好 的是cT2、e，2及f，2獨立為m.2。 作為以組成式（4)所表示之發光性銀錯合物之具體例， 可列舉L:為以al〜a33、一及cl〜c7中之任一式所表示之 分子，L6為以al〜a33、bl〜b4&cl〜c7、di〜d2〇及si〜si7中 之任一式所表示之分子，且χ3為上述陰離子者。作為以組 成式（4)所表示之發光性銀錯合物之較佳之具體例，可列舉 L5為以al〜a4、a6〜al3、al6~al7及a25〜a33中之任一式所表 示之分子’ L6為以cl〜C5、C7、dl〜d4、d6、d8、 dl6〜dl7、d20、si〜S4、S7〜si〇及sl2〜sl6中之任一式所表 示之分子，且x3為上述陰離子者，更好的是d，2、6,2及£，2 分別獨立為〇·5〜1·5者。 於組成式（5)中，L7之定義與上述L1相同，具體例及較佳 之例亦相同，特別好的是a2、a4、a6。 組成式（5)之L8為具有2個可配位於Ag+之氮原子的分 144884.doc -19- 201035105 子，較好的是以式（D)所表示之分子。 [化 14] Q7-R7-q (D) Q7為娜、或可經取代之含氣雜環基，2則7可 相同亦可不同，2個Q7可鍵結而形成環。 經取代之煙基，2似71可分別相同亦可不同為 結而形成環。R7為二價基，於2個7 了 X〜丨工 者為可經取代 之3氮雜環基之情料，r7可為直接鍵結。 R71中之可經取代之烴基之具體例及較佳之例與上述R11 相同’特別好的是苯基。07中合 佳之例與上述Q”相同之H雜環基之具體例及較 门R之具體例與上述R]相同，特別 好的是伸苯基、碳數為1〜6之烷二基。 Q之較佳之例為可經取代之含氮雜環基，該含氮雜環基 之更佳之例為吡.疋基、喹啉基、咪唑基，進而更佳之例 吡啶基、喹啉基，特別佳之例為吡啶基。 下述表不以（D)所表示之分子之具體例即fl〜f2、 f4 〜fll 、fi3 、fl8 ^ 、f20、f2,、f21 〜f31、f33〜f37 09〜f54。 [化 15]

f1 /=N N=\ oo

f2

f5 (» f6 144884.doc -20- 201035105

Ο

f37

若以fl為例，說明與式（D) fS4 R7為直接鍵結，2個Q7為3-乙締《 ”為如下者’即 土 -2-D比啶基與2吡 分別去除該3-乙烯基-2-吡啶基中之 ^ 乙烯基之2位之氫原子 與該2-»比咬基之3位之氫原子而成的殘基鍵結而形成環結 構0 以（D)所表示之分子較好的是式（Da)之結構。 144884.doc • 21 - 201035105 [化 17]

R74-(z2^K-^z1^R73 (Da) 此處，N為可配位於之氮原子。Zi及Z2分別獨立為 -C(r，C(R7V(此處，於zU_c(r76)=c(r77)_之情形時， R76係以接近R73之方式而配置，於z、_c(r76)=c(r77)_之 情形時，R76係以接近R74之方式而配置）、_nr78_、_〇_或 ，Z1與汐可相同亦可不同。r79為直接鍵結…c(r80)2_

-NR 72

R 73

R 74

R 75 77

76、R

R 78 R80分別獨立為氫原子、鹵素原子、可經取代之烴氧 基或可經取代之烴基，R72、r73、r74、尺75、R%、尺77、 R78、R80可分別相同亦可不同，r、r73可鍵結而形成 環，R74與R75可鍵結而形成環，於21為_〔化76卜c(R7)之 情形時’ 可鍵結而形成；裒，r76與r77可鍵結而形 成％，於Z2為-CCR’eC^R77)-之情形時，R76與R74可鍵結 而形成環HR”可鍵結而形成環，於2心2兩者均為 -C(R 6) = C(R77)-之情形時，2個R76可鍵結而形成環。

R

R72、R 73

R 74

R

R 76 R77中之可經取代之烴基之具 體例及較佳之例與上述RH相同。R78、R8〇中之可經取代之 烴基之具體例及較佳之例與上述R11相同，作為R78,較妨 的是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基'己基、辛基、十二 烷基、環己基、金剛烷基、苯基、L萘基、2_蔡基、2_甲 基苯基、4-甲基苯基、4_甲氧基苯基、4_ 丁基苯基、4_第 144884.doc -22- 201035105 三丁基苯基、4-環己基苯基、4-金剛烷基苯基、4-苯基苯 基、本基甲基、2 -苯基乙基、4 -苯基-1-丁基、6-苯基-1-己 基等，更好的是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基 '己基、 辛基、十二烷基’進而更好的是曱基、丁基、己基。作為 R80,較好的是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 辛基、十二烷基、環己基、苯基、4_甲基苯基、4_甲氧基 苯基、4-丁基苯基、4-第三丁基苯基、4_環己基苯基等，

更好的是甲基、丁基、己基、辛基、環己基、苯基、4_甲 基苯基、4_曱氧基苯基、4_第三丁基苯基，進而更好的是 苯基。 ' / - ，尺：str 的文 -C(二76)=c(R7>、〇_ ’ 進而更好的是 _c(r76)=c(r77卜作 為Z、z之組合，較好的是可列舉zl為_c(r76)=c(r77)或 tc(r%’z、_c(r，c(r77)…办或 _s之植 合，^而更好的是zi、z2均為_c(r76)=c(r77)_。 、 R79較好的是直接鍵結、_c(r8 v、、_s_ 直=結、爲、-〇-，進而更好的是直接鍵結。的疋 作為以（D)所表示之分子，於式（Da)中， 式（Db)者。 更好的是 [化 18]

144884.doc •23- 201035105 此處 (75 ή 76 ，為可配位於Ag+之氮原子。r72、 ?4

R、R、R77分別獨立為氫原子 R 煙氧基或可經取代之煙基，〜3=子二=代之 R76矸鍅社 j鍵、，°而形成環，R73與 T鍵、、σ而形成環，2個R76與可鍵6士 R 77 άΓ齡《4· t J硬、…而形成環，2個 R 了鍵、、.。而形成環，r76與74 可鍵結而形成環。 了鍵、、，。㈣成環，R、R” R72、R73、R74、r75 76 ^VI R中之可經取代之烴基之具 體例與上述R11相同，作為r72， 衩好的疋虱原子、氟原 子、風原子、漠原子、甲基、三氟甲基、甲氧基、丁基、 己基、本基甲基等’更好的是氟原子、氯原子、漠原子、 甲基、，氟甲基，進而更好的是氟原子、氯原子、漠原 子 氟甲基特別好的是氟原子、氯原子。R73及R74獨 立較好的是氫原子、氟原子、氣原子U子、埃原子、 甲基、二氟甲基'甲氧基、異丙基、第三丁基、己基、十 二烷基、環丁基、環己基、金剛烷基、乙烯基、苯基 萘基、2-萘基、2_f基苯基、4_甲基苯基、4_三氟甲基笨 基、4-曱氧基苯基、4_ 丁基苯基、4_第三丁基苯基、‘環 己基苯基、4-金剛烷基苯基、4_苯基苯基、苯基曱基、2_ 本基乙基、4-苯基_1_丁基、6-苯基-i_己基等，更好的是氫 原子、氣原子、氣原子、漢、原子、甲基 '曱氧基、異丙 基、第三丁基、己基、十二烷基、環己基、金剛烷基、笨 基、2-甲基苯基、4-曱基苯基、4-三氟曱基苯基、4-曱氧 基苯基、4-丁基苯基、4-第三丁基苯基、4-環己基苯基、 144884.doc -24- 201035105 甲 苯 4- 作 甲 4·金剛烷基苯基、4-苯基苯基、2-苯基乙基、4_苯基_r 基、6-本基小己基等’進而更好的是氯原子、氣原子、 基甲氧基、第二丁基、已基、環己基、金剛烧基、 Ο Ο 基2甲基苯基、4-第三丁基苯基、心金剛烧基苯基、 苯基苯基等，特別好的是氣原子、氣原子、第三丁基 為R75,較好的是氫原子、氟原子、氯原子、演原子 基、三氟甲基、甲氧基、丁基、己基、苯基甲基等，更好 的是氬原子、氟原子、氯原子、溴原子、甲基、三氟甲 基，進而更好的是氫原子、氟原子、氣原子、演原子、三 亂甲基’特別好的是氟原子、氯原子。作為r76，較好的 疋氯原子、敦原子、氯原子、漠原子、峨原？、三氣甲 基甲基、異丙基、第三丁基、己基、十二烷基、環丁 基、環己基、金剛燒基、乙稀基、苯基、1-萘基、2_萘 基、2-甲基苯基、"基苯基、4三氟f基苯基、"氧 基苯基、4-丁基笨基、4_第三丁基苯基、仁環己基苯基、 4-金剛烷基苯基、4_苯基苯基、苯基甲基、2_苯基乙基、 4-苯基小丁基、6_苯基+己基等’更好的是氫原子、氟原 子、氯原子' 溴原子、甲基、三氟甲基、第三丁基、己 基、金剛烧基、苯基、2_甲基苯基、4_甲基苯基、4-三氣 甲基苯基、4-第三丁基苯基、2_苯基乙基等，$而更好的 是氫原子、氟原子、氯原子、甲基、三氟曱基、第三丁 基、己基、苯基、4-三氟甲基苯基、4_第三丁基笨基等， 特別好的是氟原子、甲基、三氟甲基。作為R77，較好的 是氫原子、氟原子、氯原子、甲基、乙基、甲氧基、己 144884.doc -25- 201035105 基辛基、十一燒基等，更好 其、的疋氧原子、氟；^子、w 基乙基、甲氧基等，進而更好的是㈣子甲 基等，特別好的是氫原子。 ’、 ’、子、甲 於可鍵結而形成環之r72、 73 K 、R 、R75、R76 77 中，較好的是R72與尺73鍵社 K之 建…而形成喹啉環，R74盥R75 而形成喹琳環及/或2個r77鍵結而形成啡琳環。 、-。 較好的是❼/或汉”分別獨立地與R73及/或R74鍵結而形 成芳香環，或者為氟原子、氯原子、演原子或三氣甲基， 更好的是R72及/或R75分別獨立為氟原子、氯原子或三：甲 基，進而更好的是R72及/或！^5分別獨立為氟原子或氯原 子，特別好的是R72及R75分別獨立為氟原子或氯原子。 將以（D)所表示之分子之更佳之具體例示於下述 f21 〜f54。 [化 19]

144884.doc -26、 201035105

於L8之具體例中’較好的是fl、f2、f2·、f4〜fl i、fn、

fl8、f20〜f31、f33〜f37、f39~f54，更好的是fl、f2、f2,、 f4、f5、f7、f8、f9、fig、f21、f22、f23、f25、f26、 f27、f28、f29、f30、Π1、f33、f34、f35、f36、f37、 f3 9、f40、f41、f42、f43、f44、f49、d、f52、f53、 f54 ’ 進而更好的是 f2i、f22、f27、f28、f29、f30、f33、 f34、f37、Π9、f40、f42、f43，特別好的是 m、m、 f27、f28、f37、f39 ' f42，最好的是 f21、f22、f27、 f28。 X4為陰離子，作為具體例，可列舉：氟化物離子、氣化 物離子、溴化物離子、碘化物離子、硫酸根離子、硝酸根 離子、碳酸根離子、乙酸根離子、過氣酸根離子、四氣侧 酸鹽離子、六4魏鹽離子、六㈣離子、六氟相子、 甲續酸根離子、三氟？輕根離子、三氟乙酸根離子、苯 續酸根離子、對甲苯確酸根離子、十二烧基苯續酸根離 子、四苯基侧酸鹽離子、四（五氟苯基㈣酸鹽離子。又， 含有具有該等離子之結構之重複單元的高分子化合物之降 離子亦可列舉為χ3之例。X3之較佳之例為氟化物離子^ 化物離子、漠化物離子1化物離子m根離子、四氣 144884.doc -2' 201035105 棚酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子、三氟甲績酸根離子、四苯 基硼酸鹽離子，更佳之例為氣化物離子、溴化物離子、碘 化物離子、硝酸根離子、四氟删酸鹽離子、六Μ酸鹽離 子’進而更佳之例為演化物離子、蛾化物離子、四氣测酸 鹽離子。 於組成式（5)中，d’3及e.3獨立為小於2〇之正數，⑽〇 以上、i.5以下之數。較好的是心、6,3及。獨立為 〇·5〜1 ·5 ’更好的是d’3、e丨3月a· λ J疋uj e j及t3獨立為〇·7〜13，進而更好 的是d’3、e’3及f_3獨立為〇·8〜12。 作為以組成式（5)所表示之發光性銀錯合物之具體例， 可列舉L7為以al〜a33、心4及cl〜c7中之任一式所表示之 分子，L8為以fl〜f2、f4〜fll、m、則n⑵、 f21〜f31、f33〜f37及f39〜f54中之任_ 1餅车一 式所表不之分子，且 X為上述陰離子者。作A以έ & 作為以組成式（5)所表示之發光性銀 錯5物之較佳之具體例，可列舉7 牛馬以al〜a4、a6〜al3、 al 6〜al 7及a25〜a33中之任一式所± _ ^ ^ 式所表不之分子，L8為以 fl〜f2、f4〜fu、fl3、m、f2〇 D9〜f54中之任一切# 一，、 Hf33〜f37及 s 式所表不之分子，且X3為上述陰離子 者’更好的是d.3、e，3及f3分別獨立為on 5者。 於組成式（6)中，l9之定義盥上诚τ 1知 n ^ 相同，具體例及較佳 之例亦相同’特別好的是a2、a4、a6。 組成式（6)之Li〇係可配位 之麟原子、^子、負w ㈤原子為可配位於 位於Ag、另 硫原子或碎原子，可配 、g另—個離子為氧陰離子或硫陰離子的分子，較 144884.doc • 28 - 201035105 好的是以下式（G)所表示之分子。 [化 20] Q10 —R10~Q100 (G) 此處，Ql 為 _P(R100)2、_As(R101)2、_p( = 〇)(R102)2 '

-OH、-CO2H、-SH、-S03H、-OR103、_C〇2r104、_SR丨〇5、 _S03；R1()6、·803Κ_1()7、_N(Rm)2或可經取代之含氮雜環基， Q_為-〇·、-S、-C〇2-或_s〇3-，與Qi〇〇可鍵結而形成 環。R1 QG〜R分別獨立為氫原子或可經取代之烴基，2個 R100、2個R101、2個、2個Rl〇8可相同亦可不同。2個 R10G可鍵結而形成環，之個尺⑻可鍵結而形成環，2個尺⑻可 鍵結而形成環，2個R1。8可鍵結而形成環。Rl〇為二價基， 於Q1G為可經取代之含氮雜環基之情形時，RlG可為直接鍵 結。 p 】00 r> 1 08 山 〜R中之可經取代之烴基之具體例及較佳之例與上 述R11中之其等相同。Qio中之可經取代之含氮雜環基之具 體例與上述Q7相同’較好的是°比咬基、㈣基、啥琳基， 更佳之例為喹啉基。Rio中之二價基之具體例及較佳之例 與上述R1中之其等相同。 Q較好的是-p(r_)2、_OH、_c〇2H、含氮雜環基，更 好的是娜。。)2(其中，RlQ。為可經取代之芳基）、含氮雜環 基’進而更好的是-P(R、（其中’ R100為可經取代之笨

Qigq較好的是_〇-、 •s、-ccv，更好的是_〇-、 進而 144884.doc -29- 201035105 更好的是-CT。 以下表示以（G)所表示之分子之具體例。

於上述h 1 ~h 10、11〜11 8之中，較佳之例為h 1、h2、h3、 h4、h5、h6 ' h8、h9、hlO、tl、t2、t3、t4、t5、t8、 t9、tlO、til、tl3、tl4、tl5 ' tl6、tl7，更佳之例為 hi、 h3、h4、h6、hl〇、tl、t2、t3、t4、t5ti3ti4ti5, 進而更佳之例為 hl、h4、hl0、t2、t4、tl3、ti4^ 的是 hi、h4、hl〇。 dt4及e’4獨立為 …，更好的d4, 好的是d，4及e，4獨立為 更好的疋“及“獨立為。·7〜13，進而更好的是 144884.doc •30- 201035105 df4及e，4獨立為0.8〜1.2。 作為以組成式⑷所表示之發光性銀錯合物之 可列舉L9為以a】〜a33、bi hzi « , ”體例， 1〜b4及cl〜c7 _之γ壬__p ^ ± _ :子’ L、以hi〜hl〇及㈣时之任一式所“之:: 者。作為以組成式（6)所表示之發光性銀錯合物之較佳之具 體例，可列舉L9為以al〜a4、 之具 ,. a6〜aI3 、 al6〜al7及a25〜a3 之任一式所表示之分子，τι〇4， Ο Ο 為以 hi〜h6、h8〜hlO、tl〜t5、 t8〜til及tl3〜U7中之任一—-张主_ a, 式所表不之分子者，更好的是d，4 及e 4分別獨立為為(^〜丨5者。 2發明之銀錯合物可為單核錯合物、2核錯合物、3核許 合物、4核錯合物、5枋輕 、曰 錯合物、6核錯合物、7核以上之錯 合物，亦可為該等之：日人札 ± 寺之此口物。較好的是單核 錯合物、3核錯合物，更妊的β 2核 更好的疋早核錯合物、2核錯合物， 進而更好的是單核錯合物。 將本發明之發光性銀錯合物之具體例示於表Μ至表Η 中。於表1-1中表示以式（3)所表示之銀錯合物之例。於表 Μ中表示以式⑷所表示之銀錯合物之例。於表Μ中表示 以式（5)所表示之銀許人 y、 φ _ 錯α物之例。於表1-4中表示以式（6)所 表不之銀錯合物之例。Α去主山丄 再者，表中並未記載式⑷及（5)中 ^ 3 但關於各化合物編號之之各個，可列舉作為上 述X、X4之例而記載之氟化物離子、氯化物離子、溴化物 離子、硬化物離子、硫酸根離子、頌酸根離子、碳酸根離 次根離子、過氯酸根離子、四氟棚酸鹽離子、六氟 雄酸鹽離子、丄裔赵 氟銻離子、六氟砷離子、曱磺酸根離子、 144884.doc -31 - 201035105 三氟曱磺酸根離子、三氟乙酸根離子、苯磺酸根離子、對 甲苯磺酸根離子、十二烷基苯磺酸根離子、四苯基硼酸鹽 離子或四（五氟苯基）硼酸鹽離子者。又，雖未記載式 (3)〜(6)中之 d，l、e，l、f，l、d'2、e'2、f，2、d’3、、f’3、 d'4、e'4，但關於各化合物編號之之各個，可選取所定義 之範圍内之任意之數。 144884.doc 32· 201035105 [表 1-1] 表1-1組成式（3)之例

化 合 物 編 號 L3 L4 X2 化 合 物 編 號 40 L3 a3 L4 X2 化 合 物 編 號 L3 L4 X2 1 al kl F~ kl Γ 79 a30 o7 Br- 2 al kl cr 41 a3 o7 F— 80 a30 o7 Γ 3 al kl Br— 42 a3 o7 cr 81 a30 k2 F_ 4 al kl Γ 43 a3 o7 Br- 82 a30 k2 cr 5 al o7 F 一 44 a3 o7 Γ 83 a30 k2 Br~ 6 al o7 cr 45 a3 k2 r 84 a30 k2 Γ 7 al o7 Br' 46 a3 k2 cr 85 a33 kl F— 8 al o7 Γ 47 a3 k2 .Br 一 86 a33 kl cr 9 al k2 F* 48 a3 k2 r 87 a33 kl Br~ 10 al k2 cr 49 a6 kl r 88 a33 kl Γ 11 al k2 Br— 50 a6 kl cr 89 a33 o7 F' 12 al k2 Γ 51 a6 kl Br~ 90 a33 o7 cr 13 a2 kl F~ 52 a6 kl Γ 91 a33 o7 Br' 14 a2 kl cr 53 a6 o7 r 92 a33 o7 r 15 a2 kl Br' 54 a6 o7 cr 93 a33 k2 r 16 a2 kl Γ 55 a6 o7 Br~ 94 a33 k2 cr 17 a2 o7 F— 56 a6 o7 Γ 95 a33 k2 Br— 18 a2 o7 cr 57 a6 k2 r 96 a33 k2 Γ 19 a2 o7 Br~ 58 a6 k2 cr 20 a2 o7 Γ 59 a6 k2 Br~ 21 a2 k2 F— 60 a6 k2 Γ 22 a2 k2 cr 61 a27 kl F' 23 a2 k2 Br- 62 a27 kl cr 24 a2 k2 Γ 63 a27 kl Br_ 25 a4 kl F_ 64 a27 kl Γ 26 a4 kl cr 65 a27 o7 r 27 a4 kl Br- 66 a27 o7 cr 28 a4 kl Γ 67 a27 o7 Br - 29 a4 o7 F_ 68 a27 o7 Γ 30 a4 o7 Cl- 69 a27 k2 F~ 31 a4 o7 Br~ 70 a27 k2 Cl— 32 a4 o7 Γ 71 a27 k2 Br 一 33 a4 k2 F_ 72 a27 k2 Γ 34 a4 k2 cr 73 a30 kl F 一 35 a4 k2 Br- 74 a30 kl cr 36 a4 k2 Γ 75 a30 kl Br— 37 a3 kl F- 76 a30 kl Γ 38 a3 kl Cl- 77 a30 o7 F— 39 a3 kl Br' 78 a30 o7 cr 144884.doc •33- 201035105 [表 1-2] 表1-2組成式（4)之例 化 合 物 編 號 L5 L6 m~ 化 合 物 編 號 L5 L6 97 al 133 a4 al 98 al a4 134 a4 a2 99 al a6 135 a4 a6 100 al b3 136 a4 b3 101 al cl 137 a4 cl 102 al c3 138 a4 c3 103 al c7 139 a4 c7 104 al dl 140 a4 dl 105 al d2 141 a4 d2 106 al d3 142 a4 d3 107 al d4 143 a4 d4 108 al d5 144 a4 d5 109 a2 al 145 al6 al 110 a2 a4 146 al6 a2 111 a2 a6 147 a!6 a6 112 a2 bl 148 al6 b3 113 a2 cl 149 al6 cl 114 a2 c3 150 al6 c3 115 a2 c7 151 al6 c7 116 a2 dl 152 al6 dl 117 a2 d2 153 al6 d2 118 a2 d3 154 a!6 d3 119 a2 d4 155 al6 d4 120 a2 d5 156 al6 d5 121 a3 al 157 a6 al 122 a3 a4 158 a6 a2 123 a3 a6 159 a6 a4 124 a3 b3 160 a6 b3 125 a3 cl 161 a6 cl 126 a3 c3 162 a6 c3 127 a3 c7 163 a6 c7 128 a3 dl 164 a6 dl 129 a3 d2 165 a6 d2 130 a3 d3 166 a6 d3 131 a3 d4 167 a6 d4 132 a3 d5 168 a6 d5 34· 144884.doc 201035105 [表 1-3] 表1-3組成式（5)之例

化 合 物 編 號 L7 L8 化 合 物 編 號 L7 L8 化 合 物 編 號 L7 L8 化 合 物 编 號 L7 L8 169 fl al 205 f8 a6 241 f27 al 277 f39 a6 170 fl a2 206 f8 a? 242 f27 a2 278 f39 a7 171 fl a3 207 f8 a8 243 f27 a3 279 f39 a8 172 fl a4 208 f8 a33 244 f27 a4 280 f39 a33 173 fl a6 209 f21 al 245 f27 a6 281 f40 al 174 fl a7 210 f21 a2 246 f27 a7 282 f40 a2 175 fl a8 211 f21 a3 247 f27 a8 283 f40 a3 176 fl a33 212 f21 a4 248 f27 a33 284 f40 a4 177 f2 al 213 f21 a6 249 f28 al 285 f40 a6 178 f2 a2 214 f21 a7 250 f28 a2 286 f40 a7 179 f2 a3 215 f21 a8 251 f28 a3 287 f40 a8 180 f2 a4 216 f21 a33 252 f28 a4 288 f40 a33 181 f2， a6 217 f22 al 253 f28 a6 289 f42 al 182 f2， a7 218 f22 a2 254 f28 a7 290 f42 a2 183 f2. a8 219 f22 a3 255 f28 a8 291 f42 a3 184 f2， a33 220 f22 a4 256 f28 a33 292 f42 a4 185 f4 al 221 f22 a6 257 f35 al 293 f42 a6 186 f4 a2 222 f22 a7 258 f35 a2 294 f42 a7 187 f4 a3 223 f22 a25 259 f35 a3 295 f42 a8 188 f4 a4 224 f22 a33 260 f35 a4 296 f42 a33 189 f4 a6 225 f23 al 261 f35 a6 297 f43 al 190 f4 al 226 f23 a2 262 f35 a7 298 f43 a2 191 U a8 227 f23 a3 263 f35 a8 299 f43 a3 192 u a33 228 f23 a4 264 f35 a33 300 f43 a4 193 f5 al 229 f23 a6 265 f37 al 301 f43 a6 194 f5 a2 230 f23 a7 266 f37 a2 302 f43 a7 195 f5 a3 231 f23 a8 267 f37 a3 303 f43 a8 196 f5 a4 232 f23 a33 268 f37 a4 304 f43 a33 197 f5 a6 233 f25 al 269 f37 a6 305 f29 al 198 f5 a7 234 f25 a2 270 f37 a7 306 f29 a2 199 f5 a8 235 f25 a3 271 f37 a8 307 f29 a3 200 f5 a33 236 f25 a4 272 f37 a33 308 f29 a4 201 fl8 al 237 f25 a6 273 f39 al 309 f29 a6 202 fl8 a2 238 f25 a7 274 f39 a2 310 f29 a7 203 fl8 a3 239 f25 a8 275 f39 a3 311 f29 a8 204 fl8 a4 240 f25 a33 276 f39 a4 312 f29 a33 144884.doc 35- 201035105 [表 1-4] 表1-4組成式（6)之例 化 L9 L10 化 L 9 L10 合 合 物 物 編 編 號 號 313 al hi 349 a8 h3 314 a2 hi 350 a33 h3 315 a3 hi 351 a9 h3 316 a4 hi 352 alO h3 317 a6 hi 353 all h3 318 a7 hi 354 al2 h3 319 a8 hi 355 al3 h3 320 a33 hi 356 al6 h3 321 a9 hi 357 a25 h3 322 alO hi 358 al h7 323 all hi 359 a2 h7 324 al2 hi 360 a3 h7 325 al3 hi 361 a4 h7 326 al6 hi 362 a6 h7 327 a25 hi 363 a7 h7 328 al h2 364 a8 h7 329 a2 h2 365 a33 h7 330 a3 h2 366 a9 h7 331 a4 h2 367 alO h7 332 a6 h2 368 all h7 333 a7 h2 369 al2 h7 334 a8 h2 370 al3 h7 335 a33 h2 371 al6 h7 336 a9 h2 372 a25 h7 337 alO h2 373 al tl 338 all h2 374 a2 tl 339 al2 h2 375 a3 tl 340 al3 h2 376 a4 tl 341 al6 h2 377 a6 tl 342 a25 h2 378 a7 tl 343 al h3 379 a8 tl 344 a2 h3 380 a33 tl 345 a3 h3 381 a9 tl 346 a4 h3 382 alO tl 347 a6 h3 383 all tl 348 a7 h3 384 al2 tl

化 L9 L10 化 L9 L10 合 合 物 物 編 編 號 號 385 al3 tl 421 a4 hlO 386 a!6 tl 422 a6 hlO 387 a25 tl 423 a7 hlO 388 al t2 424 a8 hlO 389 a2 t2 425 a33 hlO 390 a3 t2 426 a9 hlO 391 a4 t2 427 alO hlO 392 a6 t2 428 all hlO 393 a7 t2 429 al2 hlO 394 a8 t2 430 al3 hlO 395 a33 t2 431 al6 hlO 396 a9 t2 432 a25 hlO 397 alO t2 398 all t2 399 al2 t2 400 al3 t2 401 al6 t2 402 a25 t2 403 al t3 404 a2 t3 405 a3 t3 406 a4 t3 407 a6 t3 408 a7 t3 409 a8 t3 410 a33 t3 411 a9 t3 412 alO t3 413 all t3 414 al2 t3 415 al3 t3 416 al6 t3 417 a25 t3 418 al hlO 419 a2 hlO 420 a3 hlO 於表1-1所示之化合物中，較好的是以化合物編號1〜4、 9〜16、21~28、3 3〜40、45〜52、57~64所示之化合物，更好 -36- 144884.doc 201035105 的是以化合物編號1〜4、13~16、25〜28、49〜52所示之化合 物。 於表1-2所示之化合物中，較好的是以化合物編號 102〜107、114~119、126-131、138〜143、150〜155所示之 化合物，更好的是以化合物編號102、103、106、107、 114 、 115 、 118 、 119 、 126 、 127 、 130 、 131 、 138 、 139 、 142 、 143 、 150 、 151 、 154 、 155 、 162 、 163 、 166 、 167所 示之化合物。 於表1-3所示之化合物中，較好的是以化合物編號172、 173 、 176 、 180 、 181 、 184 、 188 、 189 、 192 、 196 、 197 、 200、204、205 ' 208 ' 212 ' 213 ' 216 ' 220 ' 221 ' 224 ' 228 、 229 、 232 、 236 、 237 、 240 、 244 、 245 、 248 、 252 、 253 、 256 、 260 、 261 、 264 、 268 、 269 、 272 、 276 、 277 、 280 、 284 、 285 、 288 、 292 、 293 、 296 、 300 、 301 、 304 ' 3 08、309、3 12所示之化合物，更好的是以化合物編號 212 、 213 、 216 、 220 、 221 、 224 、 244 、 245 、 248 、 252 、 253 、 256 、 260 、 261 、 264 、 268 、 269 、 272 、 276 、 277 、 280、292、293、296、300、301、304所示之化合物。 於表1 -4所示之化合物中，較好的是以化合物編號 313〜320 、 328〜335 、 343-350 、 358〜365 、 373〜380 、 388〜395、403〜410、418〜425所示之化合物，更好的是以 化合物編號314、316、317、318、320、344、346、347、 348 、 350 、 374 、 376 、 377 、 378 、 380 、 389 、 391 、 392 、 3 93、3 95、419、421、422、423、425所示之化合物。 •37· 144884.doc 201035105 以下表示本發明之發光性銀錯合物之代表例。μ 式⑺之具有代表性之銀錯合物，心㈣為式（4)之具有 代表性之銀錯合物，f22.a6她為式（5)之具有代表性之銀 錯合物，a4.hl為式⑹之具有代表性之銀錯合物。 [化 22]

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a4-h1 本發明之發光性銀錯合物為了可於ELs光中利用三重 態，較理想的是發光壽命較長。作為於室溫空氣下，固體 狀態下之發光壽命，較好的是3 ns以上，更好的是1〇旧以 上，進而更好的是200 ns以上，特別好的是1〇〇〇 ns以上。 該上限為1 s。 為了延長發光壽命，本發明之發光性銀錯合物較好的是 S1叱里與T1能量之差為0.3 ev以下。若S1能量與T1能量之 差為〇·3 eV以下，則可表現出2〇〇耶以上之發光壽命。作 為S1此畺與τι能量之差，更好的是〇2 eV以下，進而更好 的是0.1 eV以下。 此處’以下闡述求出S1能量與T1能量之差之方法。首 144884.doc •38· 201035105 先藉丨#纟 >乏函數法進行各銀錯合物之結才籌最佳化計 #使用B3LYP作為泛函數，於銀原子及齒素原子中使用 LANL2DZ作為纟底函數，於其他原子中使用6_3iG⑷作為 土氐函數0十异程式係使用Gaussian 03(Gaussian Inc.製 造），但若為相同方法，則亦可使用其他程式。 作為各銀錯合物之初始結構，於組成式⑴中於y具有 2個可配位於Ag+之原子之情形時，使用a=b=i、k=〇，並將 ◎ 〜电荷°又為+1者，於L2具有1個可配位於Ag+之原子及1個 可配位於Ag+之離子之情形時，使用a=b=1、k=〇，並將總 電何設為0者；於L2僅具有丨個可配位於Ag+之原子之情形 時，使用a=b=k=l ’並將總電荷設為〇，且L!、L2之各配位 原子及X係以自Ag+起達到3 〇人以下之方式進行配置者。 口此，組成式（3)係使用d'l = l、e’1 = 1、f 1 = 1，並將總電荷 設為〇者·，組成式⑷係使用d，2=e，2 = 1、f2=〇，並將總電荷 設為+1者；組成式（5)係使用d，3 = e，3 = l、f，3 = 0，並將總電 〇 何设為+1者；組成式（6)係使用d，3=e，3 = l，並將總電荷設 為〇，且L〜L之各配位原子及X2〜χ4為以自銀原子起達到 3.0 Α以下之方式進行配置者。 此處所謂S1能量，係指於丨個電子激發態中，以基底狀 悲為基準時之最低激發單重態之能量，所謂T1能量，係指 於1電子激發態中，以基底狀態為基準時之最低激發三重 恶之能量。S1能量及τι能量可藉由對上述最佳化之結構應 用時間相關密度泛函數法而求出。時間相關密度泛函數法 中所使用之計算方法係使用B3LYP作為泛函數，於銀原子 144884.doc -39- 201035105 及齒素原子中使用LANL2DZ作為基底函數，於其他原子 中使用6-31G(d)作為基底函數。計算程式係使用〇aussian 〇3(Gaussian Inc.製造）’但若為相同方法，則亦可使用其 他程式。 本發明之發光性銀錯合物可藉由以下等常規方法而製 造：於惰性溶劑中，將銀鹽例如氟化物、氯化物、溴化 物、碘化物、硫酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽、乙酸鹽、過氯酸 鹽、四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽、六氟銻酸鹽、六氟砷酸 鹽、曱績酸鹽、三a甲續酸鹽、三敦乙酸鹽、苯績酸鹽、 對f苯磺酸鹽、十二烷基苯磺酸鹽、四苯基硼酸鹽、四 (五氟苯基）硼酸鹽等與構成銀錯合物之分子加以混合。 以下，列舉上述f22_a6摘為例進行說明。將1腿^之 4,5-雙（二苯基膦基）妙二甲基咕嗤、！ 之四說删酸 銀⑴、以及溶劑(例如乙腈或二氯甲炫)3〇 -加以混合， 於室溫下，授拌30分鐘左右，使其反賴，添加imm^ =氯乂，啡琳’加熱1小時左右，使其回流。過渡反 ;i岐㈣去除隸之溶劑，錢進行再結晶 可製造 f22-a6-bf4。 具有上述發光性銀錯合物 材料。該聚-物… t殘基之聚合物亦可用作發光 或者使上Μ士肖冑上述發光性銀錯合物進行聚合， 或者使上㈣純銀錯合物與其 結而製造。 门刀千材枓進仃化學鍵 作為該聚合物，較理想的是： 複單元X ή u n 、有以式（25)所表示之重 夏早兀及自以⑴、(3)〜(6)所表 銀錯合物中去除2個氫 144884.doc 201035105 原子而成之重複單元的聚合物；具有使自以式（25)所表示 之結構中去除1個氫原子而成之基與自以（i)、（3)〜(6)所表 示之銀錯合物中去除i個氫原子而成之基鍵結而成之重複 早7L的聚合物。 [化 23] '((Af5brf X'-fcr) — (25) 此處，Ar5表示可具有取代基之二價之芳香族基，1為 Ο ❹ 可具有取代基之亞胺基、可具有取代基之亞石夕烧基、可具 有取代13基之伸乙基、可具有取代基之伸乙烯基、伸乙炔 基。m及m14分別獨立表示〇以上之數，瓜丨3及瓜14之至少^ 者為减。於，及/或，為2以上之數時，存在^個及/ ^個之Μ及/或X，分別獨立，且可相同亦可不同。其 中’聚合物中之A’可不全部為相同之結構。 作為以上式（25)中之Ar5所表示 吓衣不之一價之芳香族基，可列 舉二價之芳香族烴基、二價之 方哥族雜基。作為—僧$ 芳香族基之具體例，#為-價之 „ J举.自本銥、吡啶環、嗒呼環、 嘧啶壞、0比畊環、1 3 s二 β ^ 畊環、呋喃产，，-二畊、^2,4-三畊環、1，2,4,5-四 并環夫福％…比容環 環、異十坐環、ί25π Λ 坐衣、咪唾環、十圭 土土 唑環、！，3,4-啰二唑環、23 一 氮雜吱喃環…塞哇環、異㈣環、：一 1，3,4-噻二唑環、^ 2 氮雜呋喃環、 衣 ，2,3-噻二唑環、】9 d企 1,2,3-三唑環等單環式 ，，-噻二唑環、2H_ 宜·白初 香％中去除2個氫原子而成之-俨 基，自由2個以上該單# 成之-& 衣淮D而成之縮合多環式 l448S4.doc 201035105 芳香環中去除2個氫原子而成之自㈣單鍵、伸 乙烯基或伸乙块基連結選自由該單環式芳香環及該縮合多 壞式方香環所組成之群中的2個以上芳香環而成的芳香集 合環中去除2個氫原子而成之二價 、 曰刊用亞甲基、伸 乙基、幾基、亞胺基等二價基對該縮合多環式芳 芳香集合環之相鄰之2個芳香環進 ^ 彳婪意e Λ + 又％而成之交聯多環 式方香裱中去除2個氫原子而成之二價基等。 夕衣 構成上述縮合多環式芳香環 的是2〜4，更杯沾β。 飞方香續之數量較好 07疋2 4更好的是2~3,進而更好的曰 Κ而-认L 的疋2。就溶解性之觀 r、占而§，於上述芳香集合環中，被連結 觀 好的是2〜4，更好# | 2 3，$ 香裱之數量較 文灯的疋2〜3，進而更好 溶解性之觀點而言，於上述交 „ 。就聚合物之 進而更好的 之芳香環之數量較好的是2〜4,更好的是Μ…被交聯 是2。 之環 作為上述單環式芳香環，例如可列舉以 [化 24]

0 0 0 0 cN: ο (Ν· 500 501 - - sS, S ,N、 502 503 ⑤ N、n. — 507 514 O n 518 519 N-N r—^ V CN Η ΰ

515 516 518 5i9 5S2〇 >N

522 523 52^ 525 526 144884.doc -42- 201035105 作為上述縮合多環式芳香環，例如可列舉以下之環。 [化 25]

544 〇 α:

II 547 548 549 550 551 552 553

558

kxyj o 559 /=N N^\ w O 567 KJT\ 568

N W/ \\ 々N

N Η H 569 ._. 570 /T\ N N 571 572 b n-h^-n \=M N=/ 573 574 575作為上述芳香集合環，例如可列舉以下之環 [化 26]

144884.doc -43- 201035105

579 580 576 577 578

作為上述交聯多環式芳香環，例如可列舉以下之環。 [化 27]

612 613

614 144884.doc • 44 - 201035105 上述以Ar5所表示之二價之芳香族基較好的是自以 500〜505、508〜514、527〜534、543、561、562、565、 567〜574、576〜584、587〜603、009所表示之環中去除2個 氫原子而成之二價基’更好的是自5〇〇〜5〇5、511、527、 543、565、569、576、582、603、610 中去除2個氫原子而 成之二價基，進而更好的是自500、576、6〇3中去除2個氫 原子而成之一價基。該芳香族基可具有取代基。 作為發光性銀錯合物之殘基，可列舉自上述表卜卜表卜 4 t所記載之組成之錯合物中去除2個或丨個氫原子而成之 一饧或價之基，具體為自上述al-ka-i、ai_c3_pf6、f22_ 4 a4 hi中去除2個或1個氫原子而成之二價或一價之 基等。 八有本發明之發光性銀錯合物之殘基的聚合物#的本發 明之發光性銀錯合物之殘基的含量相對於整個聚合物，通 常為0.0H00重量％，較好的是卜1〇〇重量％，更好的是 〇 〜80重量％，特別好的是20〜40重量％。 具旦有發光性銀錯合物之殘基之聚合物的聚苯乙浠換算之 數，平均分子量通常為1χ1〇3〜ΐχΐ〇8，較好的是 Ιχΐ0〜lxio7，更好的是2χ 3 .3球_，特別好的是5心進而更好的是 之：述:=銀錯合物或具有上述發光性銀錯合物之殘基 c 此夠以與南分子化合物（high-molecular pcmnci城合而成之組合物之形態 作為該組合物中之高分子化合物，例^先材料 卿例如可列舉：包含具 144884.doc •45· 201035105 有上式（25)之重複單元之化合物κ衍生物、 生物、吡唑啉酮衍生物、芳基胺衍生物、民衍生物、三苯 基一胺何生物、苯二胺衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苯乙 烯基胺衍生物、芳香族二次甲基衍生物、腙衍生物、芳香 族三級胺化合物、胺基取代查酮衍生物等電洞傳輸材料之 殘基的聚合物；聚芳基㈣衍生物、聚乙料。坐衍生物、 聚矽烷衍生物、於側鏈或主鏈上具有芳香族胺之聚矽氧烷 衍生物、聚苯胺衍生物、㈣吩衍生物、聚（2,5十塞吩基 伸乙烯基）衍生物、苯胺系共聚物、聚噻吩等之導電性高 分子寡聚物等高分子電洞傳輸材料，·包含三畊衍生物、三 唑衍生物、嘮唑衍生物、噚二唑衍生物、咪唑衍生物、二 苯基對苯醌衍生物、二氧化噻喃衍生物、碳二醯亞胺衍生 物、亞苐基甲烷衍生物、二苯乙烯基吼畊衍生物、萘、茈 等芳香環羧酸酐衍生物，以8·羥喹啉（quinolin〇1)s生物之 金屬錯合物、或者將苯并噚唑或苯并噻唑等作為配位基之 金屬錯合物為代表之各種金屬錯合物、有機矽烷衍生物、 萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二曱烷衍生物、苐 酮衍生物、聯伸笨基二氰乙烯衍生物、聯苯醌衍生物、 羥基喹啉衍生物、酞菁衍生物、金屬卟啉衍生物等電子傳 輪材料之殘基的聚合物；聚三畊衍生物、聚嘮唑衍生物、 聚萘衍生物、聚苯胺衍生物、聚噻吩衍生物、聚伸噻吩基 伸乙烯基衍生物、聚喹啉衍生物、聚喹噚啉衍生物、於主 鏈或側鏈上具有有芳香族胺結構之聚合物等電子傳輸材 料；聚氣乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚曱基丙烯酸甲 144884.doc -46- 201035105 酯、聚甲基丙烯酸丁酯及其衍生物、聚苐衍生物、聚醋及 其衍生物、聚颯及其衍生物、聚苯醚衍生物、聚丁二稀衍 生物、烴樹脂、酮樹脂、笨氧基樹脂、聚醯胺、乙基纖維 素、乙酸乙烯酯、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙

稀猜-丁 一稀-本乙稀）樹脂、聚胺基甲酸自旨、三聚氛胺樹 脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、石夕氧樹脂、 聚環氧乙烷及其衍生物、聚丙烯腈及其衍生物、偏二氣乙 烯與六氟丙烯之共聚物等高分子基質等。較好的是具有上 式（25)之重複單元之化合物、聚甲基丙烯酸甲酯。 該鬲分子化合物之聚苯乙 為1χ1〇3〜ixi〇8，較好的 2X103〜1χ1〇6 ’進而更好的 5 X 1 〇3〜1 x 1 〇5 〇 稀換算之數量平均分子量通常 是1X103〜1X107，更好的是 是3X103〜5xi〇5，特別好的是 作為該組合物中之發光性銀錯合物之含量相對於組合物 之整體重量，通常為〇_〇1%〜99.99重量％，較好的是〇1〜99

。重量％，更好的是卜90重量％，進而更好的是5〜80重量 /〇 ’特別好的是1 〇〜5 〇重量％。 入:合本發明之發光性銀錯合物與高分子化合物而成之組 ^可藉由㈣該銀錯合物與該高分子化合物之懸泮液或 “使:將而獲得。用以製作該懸浮液或溶液之溶 2 '機溶劑，作為有機溶劑，例如可列舉： 甲笨、一甲本、氯仿、12__ 烷、一羞审Ρ , —虱乙烷、U，2,2-四氣乙 -亂甲烧、四虱咬嚼、2_甲基四 烷、n，n_二甲基甲醯胺 5 ? ^亞碉、丙酮、甲基乙基酮、 144884.doc -47· 201035105 乙腈、乙酸乙酯'甲醇、乙 以及該等之混合物。 、/、丙醇、己烷、環己烷、 去除溶劑之方法例如可自 加熱減麼乾燥及吹附氮氣L、 口熱乾燥、減壓乾燥、 的是風乾及加熱乾燥，更㈣中適當選擇。較好 尺好的疋加熱乾燥。 上述發光性銀錯合物或具 之聚合物能夠以含有其等之薄二光:銀錯合物之残基 薄膜之厚度通常為lnm〜5〇w 來用作發光材料。 吏好 m較好的是3 nm〜10 μιη， 更好的疋5 nm〜5 μιη ’進而更 的β 9Λ 勺疋10 nm〜1 μηι ’特別好 的疋20 nm〜300 nm。薄膜可 辟沾β 丁人 有針孔或凹凸之形狀，但較 子的疋不^有針孔或凹凸之形狀。 薄膜中之發光性銀錯合物人旦 之3里相對於整個薄膜體之重 為〇.om〜100重量％，較好的是〇1〜99重量％，更 好的疋1〜9〇重| %隹& φ丄 是丨。〜50重量%。 更好的是5〜8。重量。/。，特別好的 :薄膜可含有用以形成膜之載體。該載體可使用低分子 : = 高分子有機材料、有機無機複合材料、無機材 4之混合物’可根據用途而任意選擇。 本發明中之薄膜例如可藉由如下方法而製造，即包含將 銀錯口物與载體以任意比例蒸鍍於基板上之步驟的方法、 ^者、包含使銀錯合物與載體以#意比例懸浮或溶解於溶劑 中，並進行塗佈之步驟的方法。較好的是塗佈懸浮液 液之德去> ·+- ^ 之方法。作為用以製作懸浮液或溶液之溶劑，例 如可列舉用於製作上述發光性銀錯合物或含有發光性銀錯 144884.doc •48· 201035105 之殘基之♦合物與高分子化合物之組合物的溶劑。 塗佈方法例如可列舉^旋塗法、澆鑄法、浸塗法、凹版 印刷塗佈法、棒塗法、輥塗法、噴塗法'絲網印刷、軟版 印刷及平版印刷之方法，較好的是旋塗法、洗鑄法、輥塗 法、噴塗法、絲網印刷、軟版印刷及平版印刷，更好的日 輥塗法、噴塗法及軟版印刷。 疋 藉由於塗佈後去除溶劑可獲得薄膜，去除方法例如可自

風乾、加熱乾燥、減壓乾燥、加熱減壓乾燥及吹附氮氣而 進行之乾燥中適當選擇。較好的是風乾及加熱乾燥，更奸 的是加熱乾燥。 本發明亦提供一種含有上述薄膜之發光元件。 作為該發光元件，可列舉於包含陽極與陰極之—對電; 間夾持有包含具有發光層之—層或複數層之薄膜層的發 兀件申，該薄膜層之至少丨層為該薄膜者。 含有本發明之發錢銀錯合物之薄膜層中之本發明^ 光性銀錯合物之含量相對於整個層之重量，通常4 〇·〇1%〜99·99重量％ ’較好的是0.1〜99重量％，更好的； 1〜90重量％，it而更好的是5〜8〇重量％，特別好的是^ 重量％。 作為本發明之發光元件，例如可列舉單層型之發光元件 (陽極/發光層/陰極），其發光層含有本發明之薄膜。^ 作為多層型之發光元件之層構成，可列舉： ⑷陽極/電洞注入層/(電洞傳輸層）/發光層/陰極 (b)陽極/發光層/電子注入層/(電子傳輸層}/陰極 1448S4.doc -49- 201035105 (C)陽極/電洞注入層/(電洞傳輸層）/發光層/電子注入層/(電 子傳輸層）/陰極 (d) 陽極/發光層/(電子傳輸層}/電子注入層/陰極 (e) 陽極/電洞注入層/(電洞傳輸層V發光層/(電子傳輸層）/ 電子注入層/陰極等。 於上述（a)〜(e)中，（電洞傳輸層）、（電子傳輸層）係表示 可於該位置分別存在或不存在該等層之任意的層。 陽極係向電洞注入層、電洞傳輸層、發光層等供給電洞 者，較好的是具有4.5 eV以上之功函數。陽極之材料可使 用金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物及該等之組合 等。具體可列舉：氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫 (ITO)等導電性金屬氧化物，或者金、銀、鉻、鎳等金 屬’或者該等導電性金屬氧化物與金屬之混合物及積層 物，礙化銅、硫化銅等無機導電性物質，聚苯胺類，聚嗟 吩類[聚（3，4)伸乙基二氧嘆吩等]’聚D比洛等有機導電性材 料及該等與ITO之組合等。 陰極係向電子注入層、電子傳輸層、發光層等供給電子 者。陰極之材料為金屬、合金、金屬齒化物、金屬氧化 物、導電性化合物或該等之組合等，具體可列舉：鹼金屬 (Li、Na ' K等）及其氣化物以及氧化物、鹼土金屬（Mg、 Ca、Ba、Cs等）及其氟化物以及氧化物、金、銀、鉛、 鋁、合金及混合金屬類[鈉-鉀合金、鈉-鉀混合金屬、链_ 鋁合金、鋰-鋁混合金屬、鎂-銀合金、鎂-銀混合金屬 等]、稀土金屬[銦、鏡等]等。 144884.doc -50· 201035105

電洞注入層及電洞傳輪層具有自陽極注入電洞之功能、 輸電/同之功此、或阻隔自陰極注人之電子之功能。作為 用。於該等層之材料，可列舉：料衍生物、三錢生物、 坐衍生H唆衍生物、咪峻衍生物、聚芳基烧烴衍 ，物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物'苯二胺衍生物、 方基胺何生物、胺基取代查酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生 :、第酮衍生物、腙衍生物、K衍生物、石夕氮烧衍生物、 芳香族二級胺街生物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族二次甲 基何生物、聚外琳衍生物、聚石夕烧衍生物、聚（N-乙烯基 咔唑）何生物、有機矽烷衍生物、以及含有該等之殘基之 聚口物又，亦可列舉：苯胺系共聚物、噻吩寡聚物、聚 噻吩等之導電性高分子募聚物。上述電洞注入層及上述電 洞傳輸層可為包含該等之1種或2種以上之單層結構，亦可 為包含相同組成或不同組成之複數層之多層結構。 電子注入層及電子傳輸層具有自陰極注入電子之功能、 傳輪電子之功能、或阻隔自陽極注人之電洞之功能。作為 用於該等層之材料，可列舉：三。坐衍生物、十坐衍生物、 号二唾衍生物ϋ衍生物、生物、μ二甲烧衍 生物、恩酮衍生物、聯苯醌衍生物、二氧化噻喃衍生物、 碳二醯亞胺衍生物、亞蕹基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡畊 衍生物、萘或茈等之芳香環之四曱酸酐、酞菁衍生物、金 屬錯合物（例如8-羥喹啉衍生物之金屬錯合物、將金屬酞菁 作為配位基之金屬錯合物、將苯并呤唑作為配位基之金屬 錯合物、將苯并噻唑作為配位基之金屬錯合物）、有機矽 144884.doc -51 - 201035105 烷％生物等。電子注入層及上述電子傳輸層可為包含該等 之1種或2種以上之單層結構’亦可為包含相同組成或不同 組成之複數層之多層結構。 作為電子注入層及電子傳輸層之材料，亦可使用絕緣體 或半V體之無機化合物。若電子注入層及電子傳輸層係由 絕緣體或半導體所構成，則可有效防止電流之茂漏，提高 電子注入性。作為上述絕緣體，可列舉選自由鹼金屬硫屬 化合物、驗土金屬硫屬化合物、驗金屬之_物及驗土金 屬之齒化物所組成之群中的至少—種金屬化合物，較好的 广0”、以0、邮及咖。又，作為構成電 子注入層及電子傳輸層之半導體，可列舉選自由

Sr、Yb、A卜 Ga、In、u、Na、cd、 a所組成之群中的至少-種元素之氧化物、氮化物、礼氧 化物等。 〇 鼠乳 又，於本發以，可於陰極與接觸於陰極 :域添加還原性推雜劑。作為較佳之還原性推雜劑= 舉：驗金屬、驗土金屬、稀土金屬、驗金屬之氧化物列 金屬之齒化物、驗土金屬之氧化物、驗物、驗 稀土金屬之氧化物或稀土金屬之由化物' 驗金屬二物、 驗土金屬錯合物及稀土金屬錯合物。 物、 發光層係具有如下功能者：於施加電場時、 電洞注入層或電洞傳輸層注入 可自陽極、 入層或電子傳輸層注入電子；以電場^力自彳陰極、電子注 (電子與電洞）移動；提供電子與電洞:使注入之電荷 Μ之場所’並藉 144884.doc •52. 201035105 此而發光。亦可使發光層含有以發光層中所含有之本發明 之發光性銀錯合物為客體材料之主體材料。作為主體材 料’例如可列舉：具有第骨架者、具有味唾骨架者、具有 二芳基胺骨架者、具有吡啶骨架者、具有吡_骨架者、具 . 有三畊骨架者及具有芳基矽烷骨架者等。主體材料之打較 • 好的是大於客體材料之T1，更好的是兩者之差大於〇2 eV。主體材料可為低分子化合物，亦可為高分子化合物： ❹ 1體材料可進而含有電解質，該電解質例如為可含有支持 鹽（supporting saU)(三氟曱磺酸鋰 '過氯酸鋰、過氯酸四 了基銨、六氟磷酸鉀、四說硼酸四_正丁基銨等)之溶劑(碳 $丙烯醋、乙腈、”基四氫吱喃、以二氧七南、確基 苯、N，N-二甲基甲醯胺、二甲亞碾、甘油、丙醇、水 等）、或以該溶劑進行膨潤而成之凝膠狀高分子（聚環氧乙 烷、聚丙浠腈、偏二氟乙稀與六敦丙烯之共聚物等）。 又，藉由混合主體材料與發光性銀錯合物並進行塗佈或者 〇 it行共蒸鍍等，可形成發料料摻雜於上述主體材料中而 成之發光層。 於本發明之發光元件中，作為上述各層之形成方法，可 列舉：真空蒸鑛法[電阻加熱蒸鍍法、電子束法等]、㈣ •法、LB(Lang—响ett，蘭慕爾_布羅吉）法、分子積声又 ^塗佈法[洗鑄法、旋塗法、棒塗法、刮刀塗佈法、； 塗法、凹版印刷、絲網印刷、嘴墨法等]等。於 中，就可簡化製造製程方面而言，較好的是塗佈二上 述塗佈法中，將上述發光性銀錯合物、具有發光性銀錯合 144884.doc •53- 201035105 物之殘基之聚合物、或發光性銀錯合物與高分子化合物之 混合物與溶劑加以混合而製備塗佈液，將該塗佈液塗佈於 所需之層（或電極）上，並進行乾燥，藉此可形成各層。塗 佈液中亦可含有樹脂作為主體材料及/或黏合劑。該樹脂 可為溶解於溶劑之狀態，亦可為分散狀態。作為樹脂，可 吏用t乙浠°卡°坐等非共輛系高分子、聚稀烴系高分子等 共軛系高分子。樹脂之具體例可列舉：聚氯乙烯、聚碳酸 酯、聚苯乙烤、聚甲基丙稀酸甲酯、聚甲基丙稀酸丁醋、 ，酯、聚颯、聚苯醚、聚丁二烯、聚(冰乙烯咔唑)、烴樹 月曰、綱樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺、乙基纖維素、乙酸乙 烯酿、ABS樹脂、聚胺基甲酸醋、三聚氛胺樹脂、不飽和 «樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、石夕氧樹脂。樹脂之溶液 可進而含有抗氧化劑、黏度調整劑等。作為用於溶液之溶 劑，較好的是均勻地溶解薄膜之成分者或提供穩定之分散 液者，例如可列舉：醇類[甲醇、乙醇、異丙醇等]、剩類 [丙嗣、甲基乙基嗣等]、氯化煙類[氯仿、…氯乙燒 ^]、芳香族烴類[苯、甲苯、二甲笨等]、脂肪族煙類[正 己烧等]、酿胺類[二甲基甲酿胺等]、亞硬類[二 甲亞職專]、以及該等之混合物等。 於噴墨法中，例如為了抑制來自嘴 沸點之溶劑[苯甲謎、雙環己基笨等]發’可使用高 好的是1〜1〇〇mPa.s。 又，溶液之黏度較 本發明之發光元件之各層之骐 叫’更好的是數⑽〜】_。 、疋nm〜1〇〇 144884.doc • 54 - 201035105 本發明之發光元件例如可用於照明用光源、指示用光 源、背光用光源、顯示裝置、列印頭（printer head)等。作 為顯示裝置，可使用公知之驅動技術、驅動電路等，選擇 區段型、點矩陣型等之構成。 [實施例] 繼而，揭示實施例來說明本發明，但本發明並不限定於 該等實施例。

NMR(nuclear magnetic resonance，核磁共振）測定中使 用Varian公司製造之300 MHz NMR光譜儀，DART-MS(Direct Analysis in Real Time-Mass Spectrometry，直接 實時分析-質譜）測定中使用日本電子製造之The AccuTOF TLC(JMS-TIOOTD)。 再者，於錯合物之元素分析中，實施例1〜14之計算值係 含有含有用於水分子或錯合物合成之有機溶劑的可能性而 求出。 實施例1 於氬氣環境下，將峨化銀（1)(235 mg，1.00 mmol)與1,2-雙（二苯基膦基）苯（447 mg，1.00 mmol)之乙腈50 mL溶液 加以混合，一面擾拌7小時，一面進行加熱回流。使反應 液恢復至室溫，過濾析出之無色結晶，利用乙腈清洗所獲 得之過濾物，並加以乾燥，從而獲得錯合物53 1 mg。 將該錯合物（49.7 mg)與三苯基膦（19.2 mg，0.0730 mmol)之混合物溶解於二氯曱烷3 mL中，於室溫下攪拌30 分鐘。濃縮反應液，然後利用氯仿-二乙醚進行藉由慢速 144884.doc -55- 201035105 擴散（Sl㈣dlffUsi〇n)之再結晶，並將其乾燥，從 色固體之錯合物30.9 mg。 出錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式⑺。 [化 28]

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 [數1] 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2]中並求 H NMR (300 MHz, CDC13) δ 7.44-7.14 (m, 31Η), 7.03 (t5 J=7.2 Hz, 8H); 13C NMR (75 MHzs CDC13) δ 141,2 (t， J=22.7 Hz), 134.5 (t, J=3.0 Hz), 134.2-134.0 (m), 133.3 (d, J=22.2 Hz), 132.2 (t, J=10.9 Hz), 129.6 (s), 129.3 (s), 128.5 (d, J=9.0 Hz), 128.2 (t, J=4.5 Hz); 31P NMR (122 MHz, CDC13) δ 3,7 (br，W1/2=159 Hz)，-14.8 (br，W1/2=450 Hz)。 將所獲得之錯合物之DART-MS測定之結果表示如下。 [數2] DART-MS (M/Z) : found; 815. 16. calcd; 815. 13 (M-I)+ 〇 由所獲得之錯合物之DART-MS測定，確認包含下述結 構。 [化 29] 144884.doc -56· 201035105

實施例2 Ο Ο 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀（1)(45.0 mg，0.231 mmol) 之乾燥二氯甲烷10 mL懸浮液中添加雙[2-(二苯基膦基）苯 基]醚（125 mg，〇_231 mmol)，一面攪拌，一面加熱回流1 小時。於反應液中添加2_二甲基胺基_2，_(二苯基膦基）聯苯 (8 8·2 mg，〇·231 mm〇i)，進而加熱回流1小時。濃縮所獲 得之無色均勻之溶液。將所獲得之殘渣溶解於氯仿中，添 加己炫*’再次沈澱’並進行過濾，然後真空乾燥過濾物， 藉此獲得無色固體之錯合物2〇6 mg。 將所獲知之錯合物之元素分析結果示於表丨中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式（4)。 [化 30]

AgBF4 邊fc.

實施例3 ;^氣％i兄下’於四氟硼酸銀⑴（Μ」，〇 13〇 mmol)^乾餘二氯甲燒5 mL懸浮液中添加1,8-雙（二苯基膦基）二 氧化萘（64.5 mg)，— — , 仪什 面加熱回流1小牯。於反 應液中添加2-二甲美脸萁 土胺基-2-(—本基膦基）聯苯（49 6 mg， 144884.doc -57· 201035105 0.130 mmol)，進而加熱回流1小時。過濾所獲得之茶色之 懸浮液，並濃縮濾液’且將殘渣溶解於氯仿中，然後進行 二乙醚慢速擴散。過濾分離所析出之沈澱物，並真空乾燥 過濾物’藉此獲得淡黃色固體之錯合物1 〇 1 mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2-1中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式（i)。 [化 31]

實施例4 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（39 8 mg，0.204 mmol) 之乾燥二氯甲烧8 mL懸浮液中添加丨，8_雙（二苯基膦基）二 氧化萘（102 mg)，一面授拌，一面加熱回流1小時。於反 應液中添加2-二苯基膦基笨甲酸（62 6 mg，0.204 mmol)， 進而加熱回流1小時。濃縮所獲得之溶液，將殘渣溶解於 甲醇中添加乙酸乙i旨後，進行慢速蒸發（slow 〇 evaporation)。過據分離所析出之黑色沈澱，並濃縮濾液’ 藉由真空乾焯獲得無色固體之錯合物192 。 將所獲付之錯合物之元素分析結果示於表2-1中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式⑴。 [化 32]

AgBF4 +

H^yc〇〇H Vs^PPh2

144884.doc -58- 201035105 實施例5 於氬氣環境下’於四氟硼酸銀（1)(17.5 mg，0.0899 mmol)之乾燥二氯甲烷5 mL懸浮液中添加2-二甲基胺基-2，-(二苯基膦基）聯苯（34.3 mg，0.0899 mmol)，一面攪拌，一 • 面加熱回流1小時。於所獲得之溶液中添加2,9-二-正丁基- • I10-啡淋（26.3 mg ’ 0.0899 mmol)，進而加熱回流1個半小 時。過濾反應液’濃縮濾液後，將殘渣溶解於氣仿中，然 〇 後進行二乙醚慢速擴散。過濾所析出之淡黃色沈澱物，並 真空乾燥過濾物，藉此獲得淡黃色固體之錯合物45 〇 mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2-1中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式（1)。 [化 33]

AgBF,

〇 實施例6 於氬氣環境下，於四氟棚酸銀⑴(24 5邮，〇126艱〇1) 之乾燥二氣甲燒5 mL懸浮液中添加雙[2-(二苯基膦基）苯 基]，（67.9 mg，〇·126咖〇1)，一面攪拌一面加熱回流^^ 小時。於反應液中添加2•二苯基膦基笨甲酸（38.6邮， 0.126 mm〇i)，進而加熱回流i小時。濃縮所獲得之溶液， 2殘逢溶解於氣仿1…，然後進行加熱再結晶，過 ·’-所析出之針狀結晶。藉由真空乾燥所獲得之過遽物 144884.doc •59· 201035105 而獲得無色固體之錯合物98.0 mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2-1中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式（4)。 [化 34]

[表 2-1] 化合物 編號 分子式 calcd (found) / % C H N B 實施例1 C48H39IAgP3*0.75CHCl3 56.68 (56.35) 3.88 (3.86) 0 (< 0.3) — 實施例2 C232Hi88N2Ag4B4Fi6〇5Pl2.HH2〇 62.86 (62.73) 4.78 (4.68) 0.63 (0.56) 0.98 (0.99) 實施例3 C6〇H5〇NagBF4〇P3-2.3H20 62.85 (62.66) 4.81 (4.65) 1.22 (1.30) 0.94 (1.10) 實施例4 C53H4iAgBF4〇4P3’〇.2H^〇 61.62 (62.04) 4.04 (4.53) 0 (< 0.3) 1.05 (1.00) 實施例5 C930H] 〇〇8Νβ9Α§22Β22?88Ρ 15 62.40 (62.48) 5.68 (5.69) 5.40 (5.22) 1.33 (1.59) 實施例6 · C55H43 AgBF4〇3P3· 1.2CHC13 57.43 (57.44) 3.79 (3.81) 0 (< 0.3) 0.92 (0.89) (表中，-表示未測定) 實施例7 於氬氣環境下’於四氟硼酸銀（1)(46.1 mg’ 0.257 mmol) 之乾燥二氯甲烷7 mL懸浮液中添加1,2-雙（二苯基膦基）苯 (1 06 mg，0.237 mmol)，一面授拌，一面加熱回流1小時。 使反應液恢復至室溫，添加2,2·-聯吡啶（37.0 mg ’ 0.237 mmol)，進而力σ熱回流1小時。過遽反應液，並濃縮濾、液， 利用氯仿-醚進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其乾燥， 從而獲得淡黃色固體之錯合物1 88 mg。 -60* 144884.doc 201035105 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2_2中，求出 錯合物之組成比❺本錯合物相當於上述組成式。 [化 35]

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.50 (d, J=4.5 Hz, 2H), 〇 8.37 (d5 J=8.1 Hz, 2H), 8.08 (t, J=7.9 Hz, 2H), 7.59-7.53 (m, 6H), 7.46-7.29 (m, 8H), 7.22-7.16 (m, 6H), 7.13-7.09 (m, 6H); 13C NMR (75 MHz, CDC13) δ 152.2，151.0, 140.0, 133.7-133.4 (m), 131.4, 130.9, 129.4-129.3 (m), 126.3, 123.4; P NMR (122 MHz, CDC13) δ 1.3 (d, J (31P-Ag107, 31P-Ag109)=23 1, 266 Hz)。 實施例8 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（33 5 mg，〇 172 mm〇1) ® 之乾燥二氯曱烷7 mL懸浮液中添加2,2，-雙（二苯基膦基）聯 苯（89.9 mg，0_ 172 mmol)，—面搜摔，-面加熱回流H、 時。使反應液恢復至室溫，添加2,2，_聯吡啶（26 9 mg， 0.172 mmol)，進而加熱回流}小時。過濾反應液，並濃縮 濾液，利用氯仿-醚進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其 乾燥，從而獲得淡黃色固體之錯合物144mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2_2中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式（5)。 144884.doc •61 - 201035105 [化 36]

實施例9 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（4〇 〇 mg，〇 2〇5 mmQi) 之乾燥二氣甲烷5 mL懸浮液中添加丨，2_雙（二苯基膦基）笨 (91_7 mg，〇 2〇5 mm〇1)，一面攪拌一面於室溫下攪拌丄 】夺於反應液中添加2,2’-聯噎琳（52.7 mg，0.205 mmol)，於室溫下進而攪拌(小時。過濾淡黃色之反應液， 並/辰縮;慮液，利用氣仿_醚進行藉由慢速擴散之再結晶， 並將其乾燥，從而獲得淡黃色固體之錯合物17 1 mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2-2中，求出 錯。物之組成比。本錯合物相當於上述組成式（5)。 [化 37]

AgBF4 +

實施例1 0 於虱氣環境下，於四氟硼酸銀（1)(26.0 mg，0.133 mmol) 之乾燥一氣甲烷5 mL懸浮液中添加2,2，-雙（二苯基膦基）聯 苯（69.8 mg，〇.133 mm〇l) ’ 一面攪拌，一面於室溫下攪拌 1】時。於反應液中添加2,2，-聯喹啉（34.2 mg，0.133 mmol)於至溫下進而攪拌】小時。過濾淡黃色之反應液， 144884.doc -62· 201035105 並濃縮渡液，㈣氣仿料行藉由慢速擴散之再結晶， 並將其乾燥，從而獲得淡黃色⑽之錯合物⑴呵。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2-2中，求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式⑺。 [化 38]

(V) \ /1.0 實施例11 利用 Bill. Chem. Soc. Jpn. 65, 2007-2009 (1992)中所記載 之方法合成2,9-二氯-l，10_啡啉（f22)。 於氯氣環境下’於四氟硼酸銀⑴（27 5 mg，〇 141 之一氯曱烷8 mL溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）_9,9_二甲 基咄p星（81.7 mg，0.141 mmol)，於室溫下攪拌15分鐘。於 反應液中添加f22(44.〇 mg，0.177 mmol)，加熱回流！小 時。過濾反應液，並濃縮濾液，利用氣仿_醚進行藉由慢 速擴散之再結晶’並將其乾燥，從而獲得淡黃色固體之錯 合物135 mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2_2中，求出 錯合物之纽成比。本錯合物相當於上述組成式（5)。 [化 39] 144884.doc -63- 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 4 NMR (300 MHz，CDCl3) δ 8·64 (d，J=8 5 Hz, 2H)， 8-16 (s, 2H), 7.72 (d, J=8.5 Hz, 2H), 7.64 (d, J=7.8 Hz, 2H), 7.26-7.07 (m, 22H), 6.72-6.69 (m, 2H), 1-72 (S} 6H); 31P NMR (122 MHz，CDC13) δ-4.90 (d, j i31p_1〇7A2 9Ag)=390, 450 Hz)。

實施例12 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（37 〇 mg，〇 i9〇 之二氯甲烧8 mL溶液中添加2,2,_雙（二苯基膦基 (99.3 mg，0.190函〇1)，於室溫下授掉i5分鐘。於反應^ 中添加2,9-二氣-no’琳（59 2 mg ’ 〇咖_命一面爭 拌，-面加熱回❸小時。過滤反應液，並濃縮渡液，^

用氯進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其乾燥，名 而獲得淡黃色固體之錯合物1 76 mg。 將所獲得之錯合物之元素分析結果示於表2-2中，求ί 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述㈣式⑺。 [化 40]

將所獲得之錯合物 之NMR資料表示如下。 144884.doc •64· 201035105 4 NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.86 (d，J=8.4 Ηζ，2Η)， 8.29 (s, 2H)， 8.04 (d, J=8.4 Hz, 2H), 7.53-7.47 (m, 4H)} 7.42-7.04 (m, 20H), 6.89 (t, J=7.4 Hz, 2H), 6.65 (d, J=7.4 Hz, 2H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) δ 10.3 (d，J (31P-107Ag，109Ag)=354, 409 Hz)。 實施例13

Ο 於氬氣環境下，於溴化銀（1)(170 mg，0.904 mmol)、 1,2-雙（二苯基膦基）苯（404 mg，0.904 mmol)中添加乾燥乙 腈20 mL，於室溫下攪拌！小時後，加熱回流7小時。使反 應液恢復至室溫，進行濃縮，並利用氣仿9 mL進行懸浮過 濾由乙腈-氯仿對過濾物進行加熱再結晶，並將其乾 燥’從而獲得無色結晶之錯合物3 99 。 於氬氣環境下，於藉由上述所獲得之錯合物（80.0 mg， 0.0631 mmol)、二苯基膦（33」mg，〇 瓜瓜〇1)中添加乾 濃縮反應液，並 ，並將其乾燥， 燥二氯甲烷3 inL，於4〇°C下攪拌10分鐘 利用氣仿-醚進行藉由慢速擴散之再結 從而獲得錯合物1〇8 mg。 將斤U知·之錯合物之元素分析結果示於表2_2中求出 錯合物之組成比。本錯合物相當於上述組成式⑺。 [化 41]

AgBr

144884.doc -65- 201035105 將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 'H NMR (300 MHz, CDC13) δ 7.48-7.17 (m, 31H), 7.07-7.03 (m, 8H); 13C NMR (75 MHz, CDC13) δ 134.8 (t, J=2.4 Hz), 134.6-134.2 (m), 130.2-130.0 (m), 129.7 (br), 129.0 (br), 128.9 (br), 128.7-128.6 (m); 3lp NMR (122 MHz, CDC13) δ 8.1 (br, Hz),-14.8 (br, W1/2=340 Hz)。 將所獲得之錯合物之DART-MS測定之結果表示如下。 DART-MS (M/Z) : found; 815. 16. calcd 815. 13 (M-Br)+。 由所獲彳于之錯合物之DART-MS測定，確認包含下述結 構。 [化 42]

實施例14 於氮氣環境下，於氣化銀⑴（15〇 mg，1 〇4 _〇1)、12_ 雙（一苯基膦基）苯（467 mg，1_04 mmol)中添加乾燥乙腈25 mL，於至溫下攪拌丨小時後，回流5小時。使反應液恢復 至至溫，進行濃縮，並利用氯仿7 mL進行懸浮過濾，由乙 腈-氯仿對過濾物進行加熱再結晶，並將其乾燥，從而獲 得無色結晶之錯合物25 8 mg。 於氬氣環境下，於藉由上述所獲得之錯合物（8〇 〇爪吕， 144884.doc -66- 201035105 0.0678 mmol)、三苯基膦 〇I丞膦（35.6 mg，〇,ι36 _ο1)中添加乾 ^ —氣甲院> 3 m L，缺接·^ n。/^ …、後於40C下攪拌1〇分鐘。濃縮反應 液，利用氯仿·醚進衧葬ώ榀μ " 逆订稭由慢逮擴散之再結晶，並將盆乾 燥，從而獲得無色結晶之錯合物1〇7mg。 ’、 將所獲得之錯合物之元音八κ w _ 仍< 70京分析結果示於表2-2中，求出

錯合物之組成比。纟錯合物相當於±述組成式（3)。 [化 43]

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。

]H NMR (300 MHz, CDC13) δ 7.48-7.17 (m, 31Η), 7.〇6 (t, J=7.0 Hz, 8H); 13C NMR (75 MHz, CDC13) δ 134.9-i34.8 (m), 134.5 (br), 134.4-134.1 (m), 130.1 (br), 129.7 (br), 129.8-129.7 (m), 129.0 (br)5 128.9 (br), 128.8-128.7 (m); 3,P NMR (122 MHz, CDC13) δ 9.1 (br, W1/2=66 Η2),-ΐ4.Β (br，W”2=390 Hz)。 將所獲得之錯合物之DART-MS測定之結果表示如下。 DART-MS (M/Z) : found; 815. 16. calcd; 815. 13 Cl)+。 由所獲得之錯合物之DART-MS測定，確認包含下述結 構。 [化 44] 144884.doc • 67· 201035105

(c丨飞， 化合物编號 分子式 calcd (found) / % C H N B 鹵素 實施例7 C40H32N2AgBF4P2,2H2O 57.65 (57.48) 4.35 (3.95) 3.36 (3.37) — — 實施例8 C46H36N2AgBF4Pr2H20 60.75 (60.79) 4.43 (4.11) 3.08 (2.58) — — 實施例9 C48H36N2AgBF4Pr1.3H20 62.57 (62.29) 4.23 (3.95) 3.04 (2.96) 1.17 (1.27) — 實施例1 0 C54H40N2AgBF4P2，CHCl3 60.44 (60.93) 3.78 (3.83) 2.56 (2.52) 0.99 (0.98) — 實施例1 1 C51H39Cl2AgBF4N2OP2· 0.8H2O0.2CH2Cl2 58.36 (58.10) 3.83 (3.64) 2.68 (2,70) 1.03 (0.98) Cl:8.07 (8.47) 實施例1 2 C48H35AgBChF4N2P2· 0.5H2〇-〇.5CHC13 56.23 (55.90) 3.55 (3.33) 2.70 (2.67) 1.04 (1.03) Cl:11.98 (12.05) 實施例1 3 C4gH39AgClP3'0.6H2〇 60.29 (61.04) 4.12 (4.19) 0 (<0.3) — Br:8.25 (8.04) 實施例1 4 C48H39AgClP3.0_3CHCI3 65.05 (64.64) 4.55 (4.47) 0 (<〇·3) — Cl:6.96 (6.79) (表中，-表示未測定) 實施例15 於氣氣環境下，於四氟棚酸銀（1)(40.0 mg，0.205 mmol) 之二氯曱烷8 mL溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）-9,9-二曱 基口山p星（119 mg，0.205 mmol)，於室溫下攪拌15分鐘。於 反應液中添加6,6'-二溴-2,2’-聯吡啶（38.5 mg，0.247 mmol)，一面攪拌，一面加熱回流1小時。過濾反應液，並 濃縮濾液，利用氣仿-醚進行藉由慢速擴散之再結晶，並 將其乾燥，從而獲得淡黃色固體之錯合物120 mg。 [化 45] -68- 144884.doc 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。

NMR (3〇〇 MHz, CDC13) δ 8.55 (d, J=7.9 Hz, 2H), 7.98 (t, J-7.9 Hz, 2H), 7.60 (d, J=7.9 Hz, 2H), 7.50 (d, J=7.7 Hz, 2H), 7.35-7.31 (m, 4H)j 7.26-7.14 (m, 18H), 6.75 6.72 (m, 2H), 1.68(s,6H); 31p NMR (122 MHz, CDC13) δ-5.24 (d, J (31P-l07Ag, 109Ag)=403, 465 Hz) ° 所獲得之錯合物之組成係以如下方式而確定。根據 NMR資料，完全未觀測到未反應之配位基，4,5_雙（二苯基 膦基）-9,9-二曱基咄蠖與6,6，_二溴'2，_聯π比啶之比為】： 1。根據31P NMR資料，膦之化學位移及偶合常數之值與實 施例11中所獲得之錯合物相同，可判定其同樣地錯合物 化。又，錯合物中之Ag+之數量與0匕-之數量相同。根據 以上求出本錯合物之組成。本錯合物相當於上述組成式 (5)。 實施例16 於氣氣環境下，於六氟磷酸銀⑴（31.5 mg，〇 125 mm〇1) 之一氣甲烷7 mL溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）_9,9_二甲 基咄蠖（72.1 mg，0.125 mm〇i)，於室溫下攪拌15分鐘。於 反應液中添加2,9-二氣_1，10_啡啉（37.2 11^，0.149111111〇1), 面擾拌’ 一面加熱回流1小時。過遽反應液，並濃縮濾 液’利用氯仿-醚進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其乾 144884.doc •69- 201035105 燥’從而獲得淡黃色固體之錯合物102 mg。 [化 46]

將所彳X传之錯合物之NMR資料表示如下。 H NMR (3〇〇 MHz, CDC13) δ 8.57 (d, J=8.5 Hz, 2H), 8·10 (s, 2H), 7.71 (d, J=8.5 Hz, 2H), 7.64 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.27-7.25 (m, 4H)，7.15 (t, J=7.8 Hz, 2H), 7.09-7.07 (m, 16H), 6.74-6.70 (m, 2H), 1.72 (s, 6H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) δ 4.9 (d, J (31P-107Ag, 109Ag)=391, 451 Hz) 〇 所獲付之錯合物之組成係藉由與實施例15相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例1 7 於鼠氣環境下’於三氟曱磺酸銀⑴（42 5 mg，〇 165 mmol)之一氯甲烧7 mL溶液中添加4,5 —雙（二苯基膦基）-9,9-曱基咄p星（95.7 mg，0.165 mmol)，於室溫下授拌15分 鐘於反應液中添加2,9-二氣-1，10-啡淋（49.4 mg，〇_198 mmol)，-面授拌，一面加熱回流1小時。過滤反應液，並 濃縮遽液’利氣仿-醚進行#由慢速擴散之再結晶，並 將其乾燥，從而獲得淡黃色固體之錯合物157 。 [化 47] 144884.doc -70- 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下 H NMR (3〇〇 MHz, CDC13) δ 8.61 (d, J=8.5 Hz, 2H), 8.16 (s, 2H), 7.73 (d, J=8.5 Hz, 2H), 7.64 (d, J=7.8 Hz, 2H), 7.26-7.23 (m, 4H), 7.15 (t, J=7.8 Hz, 2H), 7.09-7.06 (m, 16H), 6.74-6.69 (m, 2H), 1.72 (s, 6H); 31P NMR (122 O MHz, CDC13) δ 4.9 (d, J 109Ag)=391, 452 Hz) 〇 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例18 利用 Inorg. Chem. 43, 8282-8289 (2004)中所記載之方法 合成2,9-雙（三氟曱基）—no—啡啉（f25)。 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（3〇 3 mg，〇 156 之二氯甲烷8 mL溶液中添加4,5_雙（二苯基膦基）_9,9_二甲 © 基咄蠖（83.2 mg，〇.144 mmol)，然後於室溫下攪拌15分 鐘於反應液中添加f2 5(45.5 mg，0.144 mmol)，一面授 拌，一面加熱回流丨小時。過濾反應液，並濃縮濾液，利 用氯仿-醚進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其乾燥，從 而獲得淡黃色固體之錯合物134 mg。 [化 48] 144884.doc 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 'H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.91 (d，J=8_0 Hz，2H)， 8.25 (s, 2H), 8.15 (d, J=8.0 Hz, 2H), 7.63 (d, J=7.7 Hz, 2H), 7.29-7.00 (m, 22H), 6.86-6.83 (m, 2H), 1.72 (s, 6H)； 31p NMR (122 MHz, CDC13) δ-5.2 (d, J (31P-107Ag, 109Ag)=404, 468 Hz)。 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例19 利用Org. Lett· 7，1979-1982 (2005)中所記載之方法合成 4,5-二氮-2’，7’-二溴-9,9'-螺苐（f2')。 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（31 〇 mg，0159 mm〇1) 之二氣甲烷8 mL溶液中添加4,5_雙（二苯基膦基）_9,9_二曱 基咄σ星（92_1 mg，0.159 mmol)，然後於室溫下攪拌15分 鐘。於反應液中添加f2f(91.〇 mg，0.191 mm〇i)，一面攪 拌，一面加熱回流丨·5小時。過濾反應液，並濃縮濾液， 利用氯仿-醚進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其乾燥， 從而獲得無色結晶之錯合物丨99 mg。

[化 49J 144884.doc 72· 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下 !H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8 60 ^ 00 (d> J=5.0 Hz, 2H), 7.76 (d, J=8.1 Hz, 2H), 7.68 (d, J=7 η ^ 、，J IJ Hz, 2H), 7.59 (d, J=8.1 Hz，2H)，7.55-7.50 (m，2H)，7 39 “ 飞 n /*jy (t, J=7.1 Hz, 4H), Ο

7.32-7.16 (m，20H)，6.72-6.68 (m，2H), 173 (s，6H); 31p NMR (122 MHz, CDC13) δ·6·3 (d，j (3lpJG7Ag，⑽岣卜规 458 Hz)。 ’ 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例l5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 所獲得之錯合物之源自部位可成為用以進行聚 合而合成聚合物之反應部位。可將本錯合物用作單體，進 行聚合反應，而形成具有發光性銀錯合物之聚合物。又， 若預先使錯合物化反應前之f2i聚合，其後再使其錯合物 化，則可獲得將發光性銀錯合物作為殘基之聚合物。 實施例20 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀⑴（151 mg，〇 〇776 mmol)之二氣甲烷5 mL溶液中添加152_雙（二苯基膦基）苯 (34·6 mg，0·0776 mmol)，然後於室溫下攪拌3〇分鐘。於 反應液中添加2,9-二氯-U〇_啡啉（23.2 mg，〇 〇931 mmol)，一面攪拌，一面加熱回流2小時。過濾反應液，並 濃縮濾液，利用二氯f烷_醚進行藉由慢速擴散之再釺 144884.doc -73- 201035105 晶，並將其乾燥，從而獲得黃色固體之錯合物46.0 mg。 [化 50]

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.80 (d5 J=8.1 Hz, 2H), 8.24 (s, 2H), 8.15 (d, J=8.1 Hz, 2H), 7.62-7.51 (m, 4H), 7.39-7.29 (m, 20H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) 6-4.4 (d, J (3lpJ〇7Ag，109Ag)=325, 373 Hz)。 ’ 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例21 於氬氣環境下，於四氟硼酸銀（1)(10.7 mg，0.0550 mmol)之二氣曱烷4 mL溶液中添加雙[2-(二苯基膦基）笨基] 醚（29.6 mg ’ 0.05 50 mmol)，然後於室溫下攪拌3〇分鐘。 於反應液中添加2，9-—乳-1，10-徘琳（16.4 mg » 0 0660 mmol) ’ 一面授拌’ 一面加熱回流2小時。過濾反應液，並 濃縮濾液，利用二氯甲烷-醚進行藉由慢速擴散之再結 晶，並將其乾燥，從而獲得淡黃色固體之錯合物35 2 mg。 [化 51] 144884.doc -74- 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如丁。 !H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.63 (d, J=8.4 Hz, 2H), 8.25 (s, 2H), 8.14 (d, J=8.0 Hz, 2H), 7.73 (d, J=8.4 Hz, 2H), 7.30-7.14 (m, 22H), 7.06 (t, J=7.5 Hz, 2H), 6.98-6.93 (m, 2H), 6.80-6.78 (m, 2H); 31p NMR (122 MHz, CDC13) δ- Ο

5.6 (d, J (31P-107Ag, 109Ag)=386, 447 Hz)。 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例22 利用下述方法合成2,9-二溴_ι，ι〇_啡啉（f23)。 於氬氣環境下，於2,9-二氯-ΐ，ι〇_啡啉（70·0 mg，〇 281 mmol)中添加三溴化磷2 〇 mL ,然後於165〇c下授拌7小 時。冰浴冷卻反應液，逐步少量添加碳酸氫鈉水溶液，直 至反應液成為弱鹼性為止，然後進行過濾，並利用甲醇輕 微地清洗過濾物。利用氯仿_碳酸鉀水溶液萃取過濾物， 並以無水硫酸鈉乾燥有機相，然後進行過濾、濃縮，從而 獲得無色固體之f23 76.6 mg(產率為81.1%)。 [化 52]

1448S4.doc -75- 201035105 將f23之NMR、DART-MS資料表示如下。 !H NMR (300 MHz, CDCI3) δ 8.09 (d, J=8.4 Hz 2H) 7.83 (s, 2H), 7.79 (d, J=8.4 Hz, 2H); DART-MS (M/Z): found; 336. 89. calcd; 336. 90 (M+H)+。 於四氟删酸銀（1)(1.17 mg，0.00601 mm〇i)之二氣甲烧i mL溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）-9,9_二曱基^^(3.48 mg ’ 0.00601 mmol) ’然後於室溫下攪拌15分鐘。於反應 液中添加 f23(2.03 mg，0.00601 mmol)，然後於 4〇°c 下撲; 拌5分鐘。利用二氣曱烷-醚對反應液進行藉由慢速擴散之 再結晶，並將其乾燥，從而獲得淡黃色結晶之錯合物5 4〇 [化 53]

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 'H NMR (3〇〇 MHz, CDC13) δ 8.50 (brd, 2H), 8.13 (brs, 2H), 7.84 (brd, 2H), 7.62 (brd, 2H), 7.26-7.04 (m, 22H), 6.78 (br，2H)，1.71 (s, 6H); 31P NMR (122 MHz，CDC13); 31p NMR (122 MHz, CDC13) 6-4.9 (d, J (31P-107Ag, 109Ag) = 3925 451 Hz)。 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例15相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例23 144884.doc -76· 201035105 於四#1爛酸銀（1)(1.15 mg，0.00591 mmol)之二氯曱烧1 mL溶液中添加2,2·-雙（二苯基膦基）聯苯（3.09 mg，0.00591 mmol) ’然後於室溫下攪拌15分鐘。於反應液中添加2,9_ 二漠-1，10-D# 琳（2.00 mg，0.00591 mmol)，然後於 40°C 下 攪拌5分鐘。利用二氯甲烷-醚對反應液進行藉由慢速擴散 之再結晶’並將其乾燥，從而獲得淡黃色結晶之錯合物 3.50 mg。 [化 54] Ο

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 !H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.75 (d, J=8.5 Hz, 2H), 8.33 (s, 2H), 8.15 (d, J=8.5 Hz, 2H), 7.54-6.67 (m, 28H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) δ 9.7 (d, J (31P-107Ag, Ο 109Ag)=355, 410 Hz)。 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例1 5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例24 於氬氣環境下’於四氟硼酸銀（1)(22.2 mg，0.114 mmol) 之二氯甲烷4 mL溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）-9,9-二曱 基咕嗟（66.0 mg，0.114 mmol)，然後於室溫下攪拌15分 鐘。於反應液中添加2,2，-聯喹啉（32.2 mg，0.125 mmol)， 一面攪拌，一面加熱回流1小時。過濾反應液，利用二氯 144884.doc -77- 201035105 甲烧-鍵對渡液進行藉由慢速擴散之再結晶，並將其乾 燥，從而獲得黃色結晶之錯合物丨〇3 mg。 [化 55]

*H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.79 (d, J=8.7 Hz, 2H), 8.68 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 7.92 (d, J=8.2 Hz, 2H), 7.82 (d, J=8.2 Hz, 2H), 7.73 (d, J=6.8 Hz, 2H), 7.48 (t, 3=7.4 Hz, 2H), 7.28-7.23 (m, 6H), 7.13-7.06 (m, 10H), 7.02-6.96 (m, 將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 8H)，6.54-6.50 (m, 2H), 1.85 (s, 6H); 31P NMR (122 MHz, CDCls) δ-4.6 (d5 J (31P-107Ag, 109Ag)=361, 417 Hz) 〇 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例25 於氩氣環境下，於四氟硼酸銀（I)(23.8 mg，〇 122 之一氯甲院4 mL溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）_9,9-二曱 基咕蠖（70.7 mg，0.122 mmol)，然後於室溫下授拌15分 鐘。於反應液中添加4,4，-二甲基-2,2，-聯喹啉（38 2 mg， 0.134 mmol) ’ 一面搜拌，一面加熱回流】小時。過濾反應 液，利用二氯曱烷-醚對濾液進行藉由慢速擴散之再結 晶，並將其乾燥’從而獲得黃色結晶之錯合物8丨2 。 144884.doc -78- 201035105 [化 56]

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.65 (s，2H), 8.03 (d, J=8.4

Hz, 2H), 7.82 (d, J=8.4 Hz, 2H), 7.72 (d, j=7.7 Hz, 2H), © 7.48 (t, J=7.5 Hz, 2H), 7.28-7.23 (m, 6H), 7.13-7.06 (m, 10H), 7.02-6.96 (m, 8H), 6.52-6.48 (m, 2H), 2.96 (s, 6H), 1.85 (s, 6H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) §-4.9 (d, J (31p. 107Ag, 109Ag)=358, 413 Hz)= 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例26 利用下述方法合成2-(6-氯-2-°比咬基）-啥琳（f4〇)。 〇 W 於氬氣環境下’將2-溴喹啉（174 mg，0.835 mmol)、碳 酸鉋（544 mg，1.67 mmol)、氯化銅（1)(41.4 mg，0.418 . mmol)、乙酸！巴（Π)(4.69 mg，0.0209 mmol)、1，1'_雙（二苯 基膦基）二茂鐵（23.1 mg，0.0418 mmol)加以混合，然後添 加6-氣吡啶-2-硼酸頻哪醇酯（1〇〇 mg，0.418 mm〇i)之乾燥 DMF溶液7 mL，一面擾拌，一面於95°C下擾拌3小時。於 薄茶色懸浮液中添加水，藉由氯仿進行萃取，並利用水進 行清洗，且利用硫酸納乾燥有機層，然後進行過渡、浪 144884.doc •79- 201035105 縮。利用展開溶劑氯仿進 氯仿己烧對粗純化物進/—切膠管柱層析，然後利用 其乾操，從而獲得叙色丁：由慢逮擴散之再結晶，並將 251%)〇 …色固體之【40 25·3 mg(產率為 [化 57]

將f40之NMR資料表示如下。 H NMR (300 MHz CDn、s 〇 , 5 LDC13) δ 8.63 (d, J=7.7 Hz, 1H), 8.57 (d, J=8.6 Hz, 1H), 8.29 (d, J=8.6 Hz, 1H), 8.16 (d, j=8.4 Hz，m)，7_88.7_81 (m，2H)，7 75 (t，j=8 4 Hz，m)，

7.58 (t, J=7.7 Hz, 1H), 7.40 (d, J=8.4 Hz, 1H); DART-MS (M/Z) : found; 241. 05. calcd; 241. 05 (M+H)+。 於四氟硼酸銀（1)(1.70 mg，0.00873 mmol)之二氯甲烷1 mL懸浮液中添加4,5-雙（二苯基膦基）_9,9_二甲基P山嗤〇5 mg ’ 0.00873 mmol)，然後於室溫下攪拌15分鐘。於反應 液中添加 f40(2.3 1 mg，0.00960 mmol)，然後於 40°c 下授 拌10分鐘。過濾反應液，利用二氣曱烧-醚對滤液進行藉 由慢速擴散之再結晶，並將其乾燥，從而獲得黃色結晶之 錯合物6.40 mg。 [化 58] 144884.doc -80- 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下 Η,〇

109Ag)=376, 434 Hz)。 所獲得之錯合物之組成比係藉由與實施例15相同之方法 而核定。本錯合物相當於上述組成 式（5)。 實施例27 利用下述方法合成2-(6-氯-2-吡啶基三氟甲基喹啉

氣裱境下’將2-溴-4-(三氟曱基）喹啉（270 mg， 0.835 mmol)、碳酸鉋（636 吨，195 mm〇1)、氯化銅 (Ι)(48·3 mg ’ 0.488 mmol)、乙酸鈀（n)(5.48 mg，0.0244 mmol)、1，Γ-雙（二笨基膦基）二茂鐵（27 〇呵，0 0488 mm〇1)加以混合’然後添加6-氯吡啶-2-硼酸頻哪醇酯（117 mg ’ 0_488 mmol)之乾燥DMF溶液7 mL，於9(TC下攪拌8小 時。於薄茶色懸浮反應液中添加水，藉由乙酸乙酯進行萃 取’並利用水進行清洗，且利用硫酸鈉乾燥有機層’然後 144884.doc -81 - 201035105

進行過據、濃縮。利用展開滚添丨A ^ 阀，合4虱仿.己烷=1 : 1進行矽 膠官柱層析’並將其乾燥，從而斑彡呈也々 攸而獲得無色固體之f42 83.7 mg(產率為 55.5%)。 [化 59]

將f42之NMR、DART-MS資料表示如下。 NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.88 (s, 1Η), 8.62 (d, J=7.9 HZ，1H)，8.26 (d，J=8.5 Hz，1H)，8.18 (d，J=8.9 Hz, 1H)， 7.88-7.81 (m, 2H), 7.70 (t, J=7.9 Hz, 1H), 7.44 (d, J=7.9

Hz, 1H), 7.40 (d, J=8.4 Hz, 1H); 19f NMR (282 MHz, CDC13) δ-61.6; DART-MS (M/Z) ： found; 308. 03. calcd; 308. 03 (M)+ ° 於四氟硼酸銀（1)(9.48 mg，0.0487 mmol)之二氣甲烷1 1111^溶液中添加4,5-雙（二苯基膦基）-9,9_二甲基咄11星（28.2 mg ’ 0.0487 mmol)，然後於室溫下攪拌15分鐘。於反應液 中添加 f42(17.3 mg，0.0560 mmol)，然後於 40°C 下授掉 1 5 分鐘。過濾反應液，利用二氣曱烷-醚對濾液進行藉由慢 速擴散之再結晶，並將其乾燥，從而獲得黃色結晶之錯合 物 46.0 mg。 [化 60] 144884.doc -82- 201035105

將所獲得之錯合物之nmr資料表示如下。

*H NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.73-8.70 (m, 2Η)5 8.3 5 (t, J-7.5 Hz, 1H), 8.12 (d, J=8.6 Hz, 1H), 7.79 (d, J=8.7 Hz, 1H), 7.68 (d, J=7.9 Hz, 2H), 7.59-7.50 (m, 3H), 7.34-7.29 (m, 4H), 7.18-7.04 (m, 1H), 6.88 (br, 2H), 6.63 (br, 2H), 1.77 (s, 6H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) 5.4.8 (d, J (31P-107Ag，109Ag)=392, 453 Hz)。 ’ 所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例丨5相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式。 實施例28 利用Synthesis. 7, 10〇9-1〇11 (2〇03)中所記載之方法合成 6，6 - 一 氟-2，2 ’ -聯 <»比 π定（f 2 7 )。 於四氟硼酸銀（1)(9.90 mg，0.0509 mmol)之二氯甲烧2 mL溶液中添加4,5_雙（二笨基膦基）_9,9_二曱基咄蠖 mg，0.0509 mmol)，然後於室溫下攪拌5分鐘。於反應液 中添加 f27(l 1.2 mg，0.0585 mmol)，然後於 4〇°C 下攪拌5 分鐘。過濾反應液，利用二氯甲烷_醚對濾液進行藉由慢 速擴散之再結晶，並將其乾燥，從而獲得無色固體之錯合 物 43 ·2 mg 〇 [化 61] 144884.doc -83 - 201035105

將所獲得之錯合物之NMR資料表示如下。 Ή NMR (300 MHz, CDC13) δ 8.57-8.54 (m, 2Η), 8.29- 8.21 (m, 2H), 7.64-7.61 (m, 2H), 7.33-7.28 (m, 4H), 7.19- 6.99 (m, 18H), 6.88-6.87 (m, 2H), 6.65-6.63 (m, 2H), 1-71 (s, 6H); 31p NMR (122 MHz, CDC13) δ-6.1 (d, J (31P-107Ag， 109Ag)=399, 460 Hz)。

所獲得之錯合物之組成係藉由與實施例15相同之方法而 確定。本錯合物相當於上述組成式（5)。 實施例29 於四氣蝴酸銀⑴⑴00 ，0.00513 mmol)之二氯甲烷 U mL/奋液中，添加4,5_雙（二苯基膦基）-9,9·二甲基咄口星 (mg 〇.00513 mmol)，然後於室溫下攪拌5分鐘。於 應液中添加2，-(二苯基膦基聯苯_2_醇（1.82邮，

— 咖〇1)，然後於40°C下攪拌5分鐘。使反應液恢復 至至溫，添加甲醇鉀（0·36 mg，〇〇〇513 _〇1)之甲醇〇18 、進而於4g°c下挽拌5分鐘。激縮反應液，使其懸 伊人物^x進仃傾析然'後將其乾燥，從而獲得淡黃色之 錯合物5.35 mge [化 62] 144884.doc -84- 201035105

所獲得之錯合物之組成由於產量為定量，故藉由混合比 而確定。本錯合物相當於上述組成式（6)。 比較例1 於氬軋環境下’於四氟硼酸銀⑴（42.5 mg，0.218 mmol) 之乾燥二氯曱烷5 mL懸浮液中添加2,9-二-正丁基-ijo-啡 Ο 淋（63·8 mg，0.218 mmol)，一面攪拌’一面加熱回流1小 時。於所獲得之無色溶液中添加2_吡啶_2_基-1H_，嗓（42 4 mg，0.218 mmol)，一面擾拌，一面進而加熱回流2小時。 過;慮所獲彳于之黑色沈殿懸浮液，並濃縮濾液，將殘渣溶解 於甲醇2 mL中，然後進行慢速蒸發再結晶。過濾所析出之 無色稜柱狀結晶，並真空乾燥過濾物，藉此獲得無色固體 之錯合物47.5 mg。 [化 63] ❹

藉由NMR測定，可確認··原料配位基（化合物）消失，並 且於所獲得之錯合物中不含源自2-吡啶_2_基-1H-吲哚之單 元。將錯合物之NMR、CHN(碳氫氮）元素分析資料表示如 下。 [數3] 144884.doc • 85- 201035105 4 NMR (300 MHz，CDC13) δ 8.55 (d，J=8.4 Hz，2H)， 8.04 (s, 2H), 7.79 (d, J=8.4 Hz, 2H), 2.97 (t, J=7.8 Hz, 4H), 1.62-1.51 (m, 4H), 0.91-0.79 (m, 6H), 0.38 (t, 1=7.2 Hz, 6H); 13C NMR (75 MHz, CDC13) δ 162.5 (d, J=1.7 Hz)， 142.2 (d, J=2.4 Hz), 139.0 (s), 128.0 (d, J=2.0 Hz), 126.5 (s), 124.4 (d, J=2.4 Hz), 41.9 (s), 32.5 (s), 22.4 (s), 13.2 (s); Anal. Calcd for C4〇H48N4AgBF4.H20 : C，60. 24; H， 6.32; N，7.03. Found : C, 60. 06; H，5.89; N, 723 ° 錯合物之組成係藉由CHN元素分析值而確定。 比較例2 以非專利文獻 Inorg. Chem. Commun. 9，866-868 (2006) 作為參考，合成以下錯合物。 於氬氣環境下，於硝酸銀（1)(51.0 mg，〇 3〇〇 mmol)與 (RH+)-2,2，-雙（二苯基膦基）_l5l，_ 二萘（187 mg，〇 3〇〇 mmol)中添加乾燥甲醇6〇 mL ’遮光後一面擾拌，一面力口熱 回流1小時。硝酸銀於開始回流後立即溶解。將反應液濃 縮至8 mL左右為止後進行過濾’然後過濾藉由對濾液進行 k速蒸發再結晶所析出之無色結晶，藉由真空乾燥獲得無 色固體之錯合物49·5 mg(產率為20.8%)。將錯合物之NMr 資料表示如下。 [化 64] 144884.doc 201035105

31P NMR (122 MHz, CDC13) δ 16.4 (d, J (31P-107Ag, 31P-109Ag)=226, 261 Hz) ° 比較例3

於氬氣環境下，於四氟硼酸銀（1)(27.0 mg，0.13 9 mmol) 中添加THF 4 mL、1，2-雙（二苯基膦基）苯（61.9 mg，0.139 mmol)，加熱回流1小時後，將反應液冷卻至60°C。另外， 於氬氣環境下，將利用 J. Am. Chem. Soc. 126, 2300-2301 (2004)中所記載之方法而合成之10_漠苯并[h]喧琳（28.2 mg，0.0487 mmol)溶解於 THF 4 mL 中，於-60°C 下添加 1.66 M in Hexane 之正丁基链溶液（83.7 pL，0.139 mmol)， 攪拌30分鐘後，滴加上述冷卻至-60°C之反應溶液，使其 恢復至室温後攪拌2小時。濃縮反應液，使其懸浮於氯仿 中後進行過濾，濃縮濾液，並利用氯仿-醚進行藉由慢速 擴散之再結晶，從而獲得無色固體之錯合物6 1.5 mg。將 錯合物之NMR資料表示如下。NMR光譜之圖案與Chem. Commun. 6384-6386 (2008)中所記載之錯合物之圖案相 同，故為下述結構之錯合物。 [化 65] 144884.doc -87- 201035105

*H NMR (300 MHz, CDC13) δ 7.57 (br, 8H), 7.39-734 (m, 8H), 7.14-7.12 (m, 32H); 31P NMR (122 MHz, CDC13) δ 1.25 (d，J (31P-107Ag, 109Ag)=23 1, 267 Hz)。 [錯合物之固體狀態下之發光特性] 固體發光波長：使用螢光分光光度計（JOBINYVON-SPEX公司製造，Fluorolog-Tau3)測定錯合物之固體狀態之 發光光譜。又，利用量子效率測定裝置（Sumitomo Heavy Industories Mechatronics公司製造）測定室溫空氣下之固體 發光量子效率。 固體發光量子效率：樣品製備係以如下方式進行。於室 溫空氣下，於18 mm見方、厚度為0.12〜0.17 mm之2片玻璃 板間夾持僅包含上述實施例及比較例中所合成之錯合物之 試樣約1.5 mg，進行掩廢，將其拉伸成10 mm><5 mm左右 之橢圓形，並利用非發光性之膠帶封住四邊，然後進行密 封。 該機器構成如下所述。光源係使用Kimmon公司製造之 class 3B之He-Cd式CW雷射。於射出部插入OFR公司製造 之ND濾光片FDU0.5，並利用光纖將其導入至積分球中。 經由 Sumitomo Heavy Industories Mechatronics公司製造之 optel部之積分球、多色儀以及CCD(Charge Coupled 144884.doc -88- 201035105

Device，電荷耦合元件）多通道檢測器連結KEYTHLEY公 司製造之型號為2400之電源電錶（source meter)，然後連接 於一般的筆記型PC(Personal Computer，個人電腦）。 該測定方法係以如下方式進行。於室溫空氣中，於積分 球内配置以上述條件所製備之樣品，將積分球之孔徑 (aperture)設定成3。將雷射激發光設為325 nm，利用CW光 (cool white light，冷白光），並將積分時間設為300 ms， 將激發光積分範圍設為315〜335 nm ， 將PL (photoluminescence，光致發光）波長積分範圍設為390〜800 nm ° 並且，根據 Sumitomo Heavy Industories Mechatronics 公司製造之測定、分析軟體之程序，計算出固體發光量子 效率。 固體發光壽命：測定、分析係以如下方式進行。將以與 上述固體發光量子效率測定相同之方法所製備之試樣設置 於JOBINYVON-SPEX公司製造之Fluorol〇g-Tau3之未知試 樣用樣品位置，將含上述LUDOX之純水設置於參照樣品 位置。將上述LUDOX之發光壽命設定為〇，於利用相同裝 置預先測定所得之銀錯合物之最大發光波長及最大激發波 長中，進行利用調頻法之壽命測定。測定結果係根據 Anal· Chem. 68, 9-17 (1996)中所記載之理論式來分析。 將實施例1〜29、比較例1〜3之錯合物之固體發光量子效 率、固體發光波長、固體發光壽命之值示於表3-1、表3-2 中〇 144884.doc • 89_ 201035105 [表 3-1] 化合物編號 固體發光量子效率 (%) 固體發光波長 ㈣ 固體發光壽命 (ns) 實施例1 28 488 4800 實施例2 2.3 434 7 實施例3 1.1 511 4 實施例4 2.3 480 4 實施例5 1.1 359 7 實施例6 2.4 496 1000 [表 3-2] 化合物編 號 固體發光量子效率 (%) 最大發光波長 ㈣ 固體發光壽命 (ns) 實施例7 24 494 3300 實施例8 9.0 506 2200 實施例9 33 563 - 實施例10 4.3 601 - 實施例11 33 526 3700 實施例12 65 540 3000 實施例13 5.5 446 2800 實施例14 8.3 456 2500 實施例15 26 501 6000 實施例16 14 493 - 實施例17 23 506 - 實施例18 4 537 1600 實施例19 7 538 - 實施例20 38 520 1600 實施例21 23 508 7800 實施例22 11 480 6200 實施例23 19 522 2600 實施例24 - - - 實施例25 - - - 實施例26 12 569 - 實施例27 30 565 - 實施例28 5 518 - 實施例29 3.7 - - 比較例1 0.4 - 5 比較例2 0.4 - - 比較例3 16 440 - (表中，-表示未測定) 144884.doc -90- 201035105 [錯合物之S1-T1能量] 計算例1〜13 作為實施例11中所獲得之錯合物之模型，使用Ag+Ι原 子、4,5-雙（二苯基膦基）-9,9-二甲基咄嗟1分子、2,9-二氯- 1，10-°彳卜琳1分子’並使用去除相對離子（c〇unter i〇n)之結 構°作為初始配置，將4,5-雙（二苯基膦基）_9,9_二甲基咄 Ο 口星中所含之可配位於Ag+之2個磷原子、以及2,9-二氯-1，10-啡啉中所含之可配位於Ag+之2個氮原子全部設置於離 Ag起3.0 A以内之距離，使用Gaussian 03程式（Revision D.02)之密度泛函數法，進行結構最佳化計算。進而，對 於該結構，使用時間相關密度泛函數法進行1個電子激發 〜、之"十^。無論結構最佳化計算還是1個電子激發態之計 算，作為計算方法’泛函數係使細LYp，基底函數係相

對於Ag+及_素原子使用LANL2DZ ’相對於其他原子使用 6-31G⑷。計算之結果，以實施例u之結構進行計算之錯 合物的S1能量為2.72 eV，T1能詈為2 6R v 。 θ 里馮2.68 eV，S1能量與丁2 能量之差為〇 〇4 eV。 藉由與上述相同之方法進行下述表4所示 算，求出si能量、T1能量及81_71能量差。 之錯合物之計 144884.doc -91- 201035105 [表4] 編號 錯合物編號 S1能量 feV) T1能量 (eV) S1-T1能量差(eV) 計算例1 實施例1 3.29 3.26 0.03 計算例2 實施例7 2.96 2.86 0.06 計算例3 實施例8 3.12 3.06 0.06 計算例4 實施例9 2.61 2.45 0.16 計算例5 實施例11 2.72 2.68 0.04 計算例6 實施例12 2.67 2.63 0.05 計算例7 實施例16 2.72 2.68 0.04 計算例8 實施例17 2.72 2.68 0.04 計算例9 實施例18 2.61 2.58 0.03 計算例10 實施例19 3.13 2.93 0.21 計算例11 實施例20 2.51 2.45 0.06 計算例12 實施例21 2.77 2.73 0.03 計算例13 比較例1 3.68 2.82 0.85 關於表4之SI-T1能量差與表3-1、表3-2之固體發光壽 命，可判定：若S1-T1能量差為0.3 eV以下，則激發壽命顯 示為1000 ns以上。另一方面，於S1-T1能量差大於0.3 eV 之情形時，壽命未達1 〇 ns。 實施例30 將實施例11之錯合物為1重量。/。之氣仿溶液約1 〇〇 mg放 置於2 cm見方之玻璃基板上。使用旋轉式塗佈機（Omron公 司製造之H3CA)，使其以500 rpm旋轉5秒鐘，然後以1500 rpm旋轉1 5秒鐘，結果獲得厚度為65 nm之薄膜。照射 UV(ultraviolet，紫外線）燈，結果觀測到發光。 實施例31〜58、比較例4 將實施例1~29、比較例3之錯合物分別為1重量％， PMMA為6,2重量°/〇之氣仿溶液約100 mg放置於1x2 cm見方 144884.doc -92- 201035105 之石英基板上。使用旋轉式塗佈機（Omron公司製造之 H3CA)，使其以500 rpm旋轉5秒鐘，然後以1500 rpm旋轉 15秒鐘，從而獲得薄膜。實施例41之膜厚為1.6 μηι。 [錯合物與聚合物之組合物之薄膜狀態下之發光特性] ' 將薄膜設置於量子效率測定裝置（Sumitomo Heavy • Industories Mechatronics公司製造）之積分球内，以與上述 固體發光量子效率之測定相同之條件，測定照射雷射光後 約5秒鐘時與約15秒鐘時之發光量子效率，並求出該期間 η ^ 之發光量子效率之衰減率之差除以經過時間所獲得之值作 為氧劣化速度。又，將測定於氮氣環境下同樣照射雷射光 後約5秒鐘時之發光量子效率所獲得之值作為表5-1、5-2中 之薄膜發光量子效率 [表 5-1] 薄膜 錯合物 薄膜 發光量子效率(％) 氧劣化速度 (min1) 實施例31 實施例1 28 0.38 實施例32 實施例2 6 ~0 實施例33 實施例3 2 ~0 實施例34 實施例4 2 ^0 實施例35 實施例5 11 0.35 實施例36 實施例6 3 ~0 比較例4 比較例3 16 1.46 144884.doc -93- 201035105 [表 5-2] 薄膜 錯合物 薄膜 發光量子效率(％) 氧劣化速度 (min'1) 實施例3 7 實施例7 8 0.42 實施例3 8 實施例8 12 0.45 實施例39 實施例9 18 0.40 實施例40 實施例10 22 0.08 實施例41 實施例11 55 0.02 實施例42 實施例12 57 〜0 實施例43 實施例13 17 1.06 實施例44 實施例14 18 1.09 實施例45 實施例15 50 0.14 實施例46 實施例16 53 〜0 實施例47 實施例17 65 〜0 實施例48 實施例18 38 〜0 實施例49 實施例19 16 〜0 實施例50 實施例20 29 0.86 實施例51 實施例21 45 〜0 實施例52 實施例22 23 0.18 實施例53 實施例23 23 0.80 實施例54 實施例24 40 0.47 實施例55 實施例25 42 0.80 實施例56 實施例26 57 0.57 實施例57 實施例27 50 0.13 實施例58 實施例28 51 〜0 實施例59 藉由旋塗法，使聚（乙烯二氧噻吩）/聚苯乙烯磺酸（Bayer 製造，商品名：Bytron P AI4083)之懸浮液以65 nm之厚 度，成膜於附著有150 nm之ITO膜之玻璃基板上，然後於 加熱板上以200°C乾燥10分鐘。於其上，藉由旋塗法使甲 苯中含有實施例1之錯合物1 重量％之懸浮液成膜，然後 144884.doc -94- 201035105 於130°C下乾燥10分鐘。繼而，作為陰極，蒸鍍約4 nm之 鋇，最後蒸鍍約100 nm之鋁，從而製成發光元件。藉由對 所獲得之元件施加電壓來確認發光。 [產業上之可利用性] 本發明之銀錯合物可用作發光材料。 〇 144884.doc -95-

Claims (1)

1. 201035105 七、申請專利範圍： 一種發光性銀錯合物，其係以組成式表示： [化1] (Ag”（L” ·（L2) b (χ1) k ⑴ (式中，l1為具有2個可配位於Ag+之選自磷原子、氮原 子、氧原子、硫原子及砷原子之原子的分子，· L2為具有 1個或2個選自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子、砷原 子、氧陰離子及硫陰離子之原子及/或離子作為可配位於 〇 Ag+之原子及/或離子的分子；Ll&L2之至少一者具有至 少1個可配位於Ag+之磷原子，且。及。不同；χ1為陰離 子，於L2為僅具有1個可配位於Ag+之原子的分子之情形 時，X1為鹵化物離子；3及1?獨立為小於2 〇之正數；让為〇 以上、1.5以下之數）。 2.如請求項1之發光性銀錯合物，其中於組成式（1)中，l1 具有2個可配位於Ag+之鱗原子。 Q 3.如請求項2之發光性銀錯合物，其中於組成式（1)中，Ll 係以式（A)所表示之分子： [化2] V-R1-Q1 (A) (式中，Q1為·p(Rl1)2，R11為可經取代之烴基，4個尺“可 相同亦可不同，4個R11中之任意2個可鍵結而形成環；Rl 為二價基）。 4·如請求項3之發光性銀錯合物，其中於式（A)中，r"為可 經取代之芳基，4個R11可分別相同亦可不同，4個汉"中 1448S4.doc 201035105 之任意2個可鍵結而形成環，Rl為可經取代之以下述 rl〜rl2所表示之二價基： [化3]

   -N(RX)-、-Si(Rx)2-價基，Y1與Y2可相 、-〇(CH2)n-或-〇(cH2)n〇-所表示之二 同亦可不同；η為1〜3之整數；Rx為烴 基）。 5. 如請求項4之發光性銀錯合物，其中於式⑷中，Rn為可 、左取代之苯* ’ 4個R"可分別相同亦可不同，Rl為可經 取代之以下述rl，、r5,、μ 基： rl〇'或rl2'所表示之二價 [化4] 6.

   如請求項1至5中任-項之發光性銀錯合物 式（3)〜(6)中之任一者表示： 其係以組成 144884.doc 201035105 [化5] (Ag+) (L3) d. 1 (L4} e, t (χ2) f> 1 ⑶ (式令L之定義與上述L1相同；L4為僅具有！個磷原 氮原子氧原子、硫原子或神原子作為可配位於 Ag之原子的分子’· χ2為幽化物離子，· d，l及e，l分別獨立 為小於2·0之正數，f，l為1.5以下之正數）； [化6]

   g ) (LS) d，2 (L6) e, 2 (X3) (式中’ L5之定義與上述Ll相同；l6係可配位於Ag +之一 個原子為彻子、氮原子、氧原子、硫原子或砰原子， 可配位於Ag+之另—個原子為磷原子、氧原子、硫原子 或碎原子的分子，其與作同；X3為陰離子；d，2及e，2分 別獨立為小於2·0之正數，f，2為〇以上、1.5以下之數）. [化7] (Ag+) (L?) -3 (L«) e>3 (X^) f.3 (5) (式中’ L7之定義與上述L1相同；LS為具有2個可配位於 Ag之氮原子的分子；χ4為陰離子；化及⑺分別獨立為 小於2·0之正數，Μ為〇以上、1.5以下之數）； [化 8] ’ ， （L” d. 4 b ) (式中’ L9之定義與上述Ll相同；Ll0係可配位於Ag+之 個原子為可配位於Ag+之磷原子、氮原子、氧原子、 =坤原子’可配位於Ag+之另一個離子為氧陰離 或爪陰離子的分子；d，4及e,4獨立為小於^之正數）。 144884.doc 201035105 月求員6之發光性銀錯合物’其係以組成式（3)所表示 者，且L4係以P(r21。)3、N(R22。)3、可經取代之含氮雜環 化合物分子、〇(r23〇)2、s(r24())2、r25()_c〇2h、汉气 〇H、R27G-CN、r28〇_SH4 r29〇_s〇3H所表示之分子（其 中，R21。、R22。、r23〇、r24〇、r25〇、r26〇、R” 2、 2 9 0 R刀別獨立為氫原子或可經取代之烴基，3個r21q、3個 R 2個R及2個尺24〇可分別相同亦可不同，3個汉2丨 之2個可鍵結而形成環，酿咖中之2個可鍵 環，2 個 R23〇W 心成 環卜 可鍵t而形成環，2個可鍵結而形成 月求項7之發光性銀錯合物，其中L4為P(R21。、 取代之含氮雜環化合物分 33可經 個R210可分別相取代之芳基，3 成環。㈣亦可不同，一21°中之2個可鍵結而形 ”請求項8之發光性銀錯合物，其 為可經取代之苯基，3個尺叫可分 （）3, R川 R210中之2個可鍵結而形成環。 5 '、可不同’ 3個 他如請求項6之發光性銀錯合物，其係以 者’且L3係以 、成式（3)所表示 [化9]

   a2

   144884.doc 201035105 Me^Me 36

   a7 rPh a8 n-Hex'®* n-Hex a9 Ph a11

   a10

   a12 a13 a14 Me 0Ί^~ΡΡ〜 Me 〇Jr®-PPh2

   iJ'P a15

   a16 致 0¾°¾ 9 9 ήτ°Λ 〇¥°,°ί〇 a17 a18 a19 Ο a21 ry^2 f^R^PPh Pt^P^^PPhz PhjP^^-v^PPha ph2P-^\/\^PPh2 Ph2Pv^^-^.PPh2

   a24

   ❹ 00~PPh2 Me 丫丫 ·：

   N-Me Me b1 PPh2 PPh2 PPh2 PPh, ΰό c2 PPh2X0 c3 n-Hex c4 c5 c6 c7 中之任一式所表示之分子，L4係以 [化 10]

   144884.doc 201035105

   OMe

   中之任一式所表示之分子。 11. 如請求項10之發光性銀錯合物，其係以組成式（3)所表示 者，且L3係以ai〜a4 ' a6〜al3、al6〜al7及a25〜a33中之任 一式所表示之分子，L4係以kl〜kl〇中之任一式所表示之 分子。 12. 13. 14. 如請求項9之發光性銀錯合物，其中^、以及以分別獨 立為0.5〜1.5。 如請求項11之發光性銀錯合物 獨立為0.5〜1.5。 其中士1、 e' 1及f’ 1分別 如請求項6之發光性銀錯合物，其係以 者’且L6係以式（B)所表示之分子： &成式（4)所表示 [化 11] 144884.doc 201035105 (B) Q5-R5-q (式中 ’ q5係以-p(r5i)2、_As(r52)2、_p(m厂 -OH、-C02H、-SH、-S03H、-0r54、_c〇2R55、韻52 -so3r57所表示之基，為_p(r58)2、+忸〆 -P㈣狀51。)2、-OH …C〇2H、_SH、_s〇3H、_〇R5i2】: -C02R512、-SR513、-S03R514、韻R”、i π , ^ N(R )2或可經取代之含 氮雜環基’ Q5與Q51可相同亦可不同，〇5也 - /、9可鍵結而 ❹ 形成環；R〜R59及R51G〜R515分別獨立為氯 一 口乳你千或可經取 代之煙基，2個R”、2個R”、2似53、2似58、2個^9、 2個R510及2個R5〗5可相同亦可不同； _ _ „52 鍵 '、。而形成 %，2個R可鍵結而形成環，2個尺53可鍵結而形成埽，2 個R58可鍵結而形成環，2似、鍵結而形成環、二μ 可鍵結而形成環，2個尺川可鍵結而形 甘 51 &衣，尺為二價 基，於Q為可經取代之含氮雜環基之情 接鍵結）。 R可為直 ❹15.如請求項14之發光性銀錯合物，其中於式⑼中 以-P(R51)2、-OH、-⑶汨或_SH所表示之基，5丨糸 〇H、-C〇2H、-SH或可經取代之含氮雜環基，q5與二 之至少一者為-P(R51)2或可經取代之含氮雜環基’ 2個r51 為可經取代之芳基，2個R5i可分別相同亦 J 不同，2個 R可鍵釔而形成環，R5為可經取代之以 _ 所表 不之二價基，於Q51為可經取代之含氮雜環基 r5可為直接鍵結。 月I k ’ 16.如請求項15之發光性銀錯合物，其中於式（b 5 ^ T ’ Q 係 144884.doc 201035105 -CΟ2H或可經取代之 ，2個R51可分別相同 ，R5為可經取代之以 以-P(R51)2所表示之基，Q”為_〇h、 含氮雜環基，R51為可經取代之笨基 亦可不同，2個R51可鍵結而形成環 上込1：1 r5、r6、ri〇4rl2,所表示之二價基於q51為 可經取代之含氮雜環基之情形時，為直接鍵結。 17. 如明求項6之發純銀錯合物，其係以組成式⑷所表示 者’且L5係以 [化 12]

   a16 a17 a18 a19 2 vPPh2 h^^PPhi! PhzPv^^^pph，ph2p_^/\^PPh2 a20 a21 922 a23 a24 144884.doc 201035105

   PPh2

   c6 c7 中之任一式所表示之分子，L6係以 [化 13] a1

   〇_ a2

   a3 po a4 a5 ^ Ul Ph /λΡ ^r\ ^r\

   Me^Me a6 0~W〇 O"祕d K) n-Hex n-Hex aT a8 ρ ο ρ ο ο o-TnT-o o-TsTo o-T To 6¾ N， Ph a11 a9

   a10

   a12 a13 a14 Me „„u Me 〇j.,'v—PPh2 Me^D^T^-pph, Me a15

   a16

   a17 Me Me Or

   〇v 〇-> & Me^e a18 a19 Ph2PvPPh2 PM^^PPha Ph2P、/\^ PPh2 ph2p/\/\^ PP〜Ph2P、/v^^ PPh2 a20 a21 a23 a24 -9- 144884.doc 201035105

   t_Bu t-Bu

   a29 t-Bu

   [化 14]

   d11

   OH COOH

   SMeSMe

   OH SMe SMe COOH

   d13 d14

   d15 d12

   [化 15] 144884.doc • 10- 201035105

   ❹

   S17 中之任式所表不之分子，χ3為氟化物離子、氯化物離 子/臭化物離子、碘化物離子、硫酸根離子、硝酸根離 子、碳酸根離子、乙酸根離子、過氣酸根離子、四氟硼 酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子、六氟銻離子、六氟砷離 子、甲磺酸根離子、三氟甲磺酸根離子、三氟乙酸根離 子、苯磺酸根離子、對甲苯磺酸根離子、十二烷基苯磺 酸根離子、四苯基硼酸鹽離子或四（五氟苯基）硼酸鹽離 子0 18. 如請求項17之發光性銀錯合物，其係以組成式所表示 者’且L5係以al〜a4、a6〜al3、ai6〜al7及a25〜a33中之任 一式所表示之分子’ L6係以cl〜c5、c7、dl〜d4、d6、 d8、dl6〜dl7、d20、si〜s4、S7〜si〇及 sl2〜sl6 中之任 _ 式所表示之分子。 19. 如請求項16之發光性銀錯合物，其中d,2、e，2及f,2分別 獨立為0.5〜1.5。 20. 如請求項1 8之發光性銀錯合物，其中d,2、e，2及f,2分別 獨立為0.5〜1.5。 144884.doc 11 - 201035105 组成式（5)所表示 21.如請求項6之發光性銀錯合物，其係以 者，且L8係以式（D)所表示之分子： [化 16] (D) Q7-R7 —Q (式中，Q7為-N(R71)2或可經取代之含氮雜環基，2個Q7可 相同亦可不同，2個Q7可鍵結而形成環· Λ馬虱原子戋 可經取代之烴基，2個R7!可分別相同 J + 同，2 個 R71 可鍵結而形成環；R7為二價基，於2個卩7之任一者為η 經取代之含氮雜環基之情形時，…可 為可 22.如請求微發光性銀錯合物，其係干 者，且L8係以下式（Da)所表示之分子：

   (Da) (式中，N為可配位於Ag+之氮屌早· 7lti 2 _C(R76)=C(R77)-、-NR' * ’ Z 分別獨立1 79、 _〇_或-S-，Z1與γ可相同亦节 R72、R73 只74 p 氏 K R 、κ v、R//、p78 R 、R分別獨立為 5 ，R為直接鍵結、<(r8〇)2_ ，75 - R76 . r.77 R72、P73、n74 …75 “ _ -〇-或-S-; 原子、鹵素原子、可經取代 «. _ 工氧基或可經取代之 基，R72、R73、R74、r75 〜代之 η會R、R78、R80可分別 同亦可不同，R”與r73 』鍵結而形成環，R74盥75 而形成環，於Z^_C(R76 ” ' ^ , ) L(R )-之情形時，R76盥 鍵、，，。而形成環，尺76與尺77 一 77 J鍵、、、。而形成環，於Z2 PqR )-之情形時，r76 興11可鍵結而形成環 144884.doc -12- 201035105 R與，:可7鍵結而形成·，於…兩者均為 C(R ) C(R )_之情形時’ 2個R77可鍵結而形成環）。 示 23.如請求項22之發光性銀錯合物，其係以組成式⑺所表 者，且L8係以下式（Db)所表示之分子： [化 18]

   (式中，N為可配位於Ag+之氮原子；r72、r73、r74、 R 、R 、R分別獨立為氫原子、鹵素原子、可經取代 之煙氧基或可經取代之烴基，R72、R73、R74、r75、 R76、R77、R78可分別相同亦可不同，尺”與尺73可鍵結而 形成％，R與R可鍵結而形成環，2個R76與R77可鍵結 而形成環，2個R77可鍵結而形成環，尺^與尺74可鍵結而 形成環，R74與R75可鍵結而形成環）。 24·如清求項23之發光性銀錯合物，盆中於作為l8之上式 (Db)中，R72及/或R75分別獨立為氟原子、氯原子、溴原 子或三氟曱基。 25.如請求項6之發光性銀錯合物，其係以組成式（5)所表示 者，且L7係以 [化 19]

   144884.doc -13- 201035105 Me^Me a6

   rPh 〇?〇?-〇 a7 a8 O p Q n-Hex^'n-Hex

   p p

   Q Q s 0r0 ,^o 〇rpx s <yi _ px-o a9

   a10

   Ph a11 a12 a13 a14 Me Me Me —‘ Me 〇Λ.'>—PP^2

   L>p 人lMe Me

   a16 Me Me Me Me a17 a18 a19 PhjF^PPhj PhjP^^PPhj PhzP^^x^PPh: ph2p/\/^PPh2 a20 a21 a22 a23 a24 a15 a25 Me \J Me a26 OMe OMe _ 4》餘 t-Bu t-Bu Me Me a27 a28 a29 . t-Bu (>SX> t-Bu a2£p-^Me Ol % OMe Vw Bu t-Bu Me a30 Me a31 Me t-Βυγ p t-Bu L W 咖 MeOHPX 0 又A^OMet.^ rV°rS Mt-Bu λ 'Me a33 a32

   c6

   c1 PPh2 PPh2α0ώ c7 中之任一式所表示之分子，L8係以 [化 20]

   ή-Hex

   π f8 f9 f10 f11 144884.doc -14- 201035105

   f13

   [化 21]

   f36

   «9 估 〇 f5l f52 f53

   f43

   f54

   中之任一式所表示之分子’〜化物離子、氯化物離 子、肩化物離子、蛾化物離子、硫酸根離子、硝酸根離 子、碳酸根離子、乙酸根離子、過氣酸根離子、四氣爛 酸鹽離子、六；Mim鹽離子、六w離子、六氣坤離 子、曱績酸根離子、三以確酸根離子、三i乙酸根離 子、苯磺酸根離子、對曱笨磺酸根離子、十二烷基苯磺 酸根離子、四苯基棚酸鹽離子或四（五氟苯基）硼酸鹽離 子0 26.如請求項25之發光性銀錯合物，其係以組成式（5)所表示 144884.doc -15- 201035105 者，且L係以ai〜a4、a6〜al3、al6〜&17及&25〜汪33中之任 式所表不之分子’ L8係以fi〜f2、f4〜Π1、fl3、fl8、 f2 f21〜f31、f33〜f37及f39〜f54中之任一式所表示 之分子。 27.々明求項24之發光性銀錯合物，其中化、㈡及分別 獨立為0.5〜1.5。 28·如請求項26之發光性銀錯合物，其中d，3、e，3及f，3分別 獨立為0.5〜1.5。 如β求項6之發光性銀錯合物，其係以組成式（6)所表示 者，且L10係以式（g)所表示之分子： [化 22] (G) Q1〇_R1〇_Q (式中，Q10 為、_As(Rl〇1)2、_p(=〇)(Rl02)2、 -〇H、-C02H、-SH、-S〇3H、_〇Rl〇3、_c〇2r1〇4、 -SR1。5、-S〇3ds〇3RlG7、_N(R⑽)滅可經取代之含 氣雜環基，Q100 為-〇-、_s-、_c〇2U〇3·，q1〇 與 Qi〇〇 可 鍵結而形成環A。。〜㈣分別獨立為氯原子或可經取代 之烴基，2個R⑽、2似⑻、2^〇2、2^1〇8可相同亦 可不同；2個Ri⑼可鍵結而形成環，肅⑻可鍵結而形成 裱’ 2個Ri-可鍵結而形成環，顧⑽可鍵結而形成環； R1。為二價基’於Q1。為可經取代之含氮雜環基^ 時，R1G可為直接鍵結）。 乂 30.如請求項29之發光性銀錯合物，其中於式⑼中 或可經取代之含氮雜環基，: 144884.doc -16 - 201035105 個R1。。為可經取代之芳基，2個汉⑽可分別相同 同，2個R⑽可鍵結而形成環，Rl〇為可經取代之以°不 rl，、r5,、r6,、r10%rl2,所表示之二價基。 上述 31.如請求項30之發光性銀錯合物，其中於作為之 (G)中’ Q1。為_寧1。。）2，Ql〇〇為，2個^。。為可經取式 之苯基，2個R100可分別相同亦可不同，2個Rl00可鍵鈐代 形成環。 而 32.如請求項6之發光性銀錯合物，其係以組成式（6)所表示 者’且L9係以 $ [化 23]

   〇?.?〇 Ph all c

   a12 a13 a14 Me O-jf®—PPh〇

   Me a15 PPh〇

   a16 Me、

   a17 JL 'Me η :ώ a18 a19ph2p 八，^PPh2 %Ρ、^~ΡΡ|Ί2 a23 a24 Ph2PVPPh2 Ph2P、_/PPh2 Ph2P-^^’ 320 … ®22

   Q 0φτΧ> t-Bu t-Bu a28 t-Bu^e^Me a29 144884.doc •17· 201035105

   PPh2 Οό

   C2 中之任一式所表示之分子，L1G係以 [化 24]

   hi h2 h3 h4 h5

   中之任一式所表示之分子。 33.如請求項29之發光性銀錯合物，其係以組成式（6)所表示 144884.doc -18- 201035105 者’且L9係以al〜a4、a6〜ai3、al6〜al7及a25~a33中之任 一式所表示之分子，L10係以hl~h6、h8〜hlO、tl~t5、 t8〜til及tl3〜tl7中之任一式所表示之分子β 34. 如請求項33之發光性銀錯合物，其中d，4及e，4分別獨立 為 0.5〜1.5。 35. 如請求項1之發光性銀錯合物，其中S1能量與丁丨能量之 差為0.3 eV以下。 3 6· —種聚合物，其具有如請求項i至34中任一項之發光性 銀錯合物之殘基。 37. 一種組合物，其含有如請求項丨至34中任一項之發光性 銀錯合物與高分子化合物（high m〇iecuiar⑶叫^仙幻。 38. -種組合物’其含有如請求項36之聚合物與高分子化合 物（high-molecular c〇mp〇und)。 39. 一種薄膜，其含有如全杳电馆, 如。月求項1至34中任一項之發光性銀 錯合物。 〇 40. -種薄膜’其含有如請求項妬之聚合物。 41. -種發光元件，其包含如請求項”之薄膜。 42. -種發光元件’其包含如請求項仂之薄膜。 144884.doc -19- 201035105 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (Ag+) (L1) a (L2) b (X1) k (1) 144884.doc -2-