TW201019783A - Ceramics member with embedded electric conductor and manufacturing method thereof - Google Patents

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201019783 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係一種在氮化物陶瓷基材中内設由Mo、W系等高，熔點 金屬所構成之導電體的陶瓷構件及其製造方法。 在本發明中，「導電體」係指電流流過或是用來施加電壓的 Mo、W等高熔點金屬發熱體、電極類或其周邊金屬件之類的構 件。例如，在陶瓷基材中，係指内設高熔點金屬發熱體的陶瓷加 熱器其高熔點金屬發熱體本身、與該發熱體接合且同樣由高熔點 金屬所構成的金屬件之類的構件、高熔點金屬的靜電吸盤電極以 及RF電極’或是與這些構件使用目的相同的電極類構件。 高熔點金屬發熱體，係指使用高熔點金屬製成的線狀發熱 體，或是以高熔點金屬粉末糊漿印刷煅燒製成的煅燒發熱體。又 尚熔點金屬電極，係指使用高熔點金屬的電極膜，或是將高熔點 金屬線加工成篩網狀的電極，或是以高熔點金屬粉末糊漿印刷烺 燒製成的鍛燒電極之類的構件。 在本發明中，這些高熔點金屬的發熱體、電極類構件，以及 其周邊的高熔點金屬類構件，全部稱為「内設於陶瓷基材中的導 電體」。 本發明之導電體，係在未煅燒的陶兗基材中預先内設導電 體，在锻燒製成陶瓷基材時，同時锻燒内設於陶瓷基材之中。 本，明之「兩熔點金屬」’意指在很高的陶兗煅燒溫度之下也 不會溶融、變質的所有尚熔點金屬，例如A1N冑竟是在17⑽〜 1900°C煅燒，可以Mo、W等金屬作為代表。 在本發明中，内設有加熱器發熱體、靜電吸盤電極、处電極， 以及其他⑧熔點金屬電鋪構件的喊基座輸件以及同樣使用 目的的構件，全部稱為「内設導電體的陶曼構件」。 【先前技術】 石夕晶圓等半導體基板’通常會被裁置於稱為 上，進行餘刻、成膜等處理。 I σ 201019783 近年來，吾人開發出一種在氮化鋁基材中内設加熱器發熱 體、靜電吸盤電極、RF電極等構件的陶瓷製基座，並廣泛使用。 這些加熱器發熱體、靜電吸盤電極、RP電極等構件，在煅燒 基材陶瓷時，一起被内設，同時被煅燒製成一體。 由於緞燒溫度達到接近二千度的高溫，故加熱器發熱體、靜 電吸盤電極、RF電極等係使用Mo、W等高溶點金屬。例如，專 利文獻1 (曰本特開2003—272805號公報）、專利文獻2 (曰本特 ，2003—288975號公報）、專利文獻3 (日本特開2000—286038 號公報）所揭示的’内設陶瓷加熱器的基座，使用M〇、W、Mo —W合金的線狀發熱體作為加熱線，這些加熱線，以斂縫部等機 ❹械構件連接同樣由Mo、W、Mo—W合金等材料所構成的中間金 屬件，與陶瓷基材煅燒製成一體，内設於陶瓷基材。或是將印刷、 煅燒W、Mo等粉末糊漿所製成的金屬層當作發熱體使用，這些金 屬層與基材煅燒形成一體，而内設於陶瓷基材之中。 内設RF電極的基座，將Mo、W、Mo—W合金等材料所構 成的篩網狀電極或是印刷、煅燒W、Mo等粉末糊漿所製成的金屬 層當作電極使用，這些構件被埋入陶瓷基材内，煅燒製成一體， 而内設於陶瓷基材之中。 基材陶瓷主要使用氮化鋁、氮化矽。 中間金屬件’在專利文獻1 (曰本特開2003 —272805號公報） 中’呈現出球狀、旋轉橢圓體、圓柱狀等結合構件的態樣，在專 利文獻2 (日本特開2003—288975號公報）中呈現圓柱狀端子的 態樣。 在中間金屬件、印刷、煅燒W、Mo等粉末糊漿所製成的電極 層’以及篩網狀電極上，硬焊接合Ni製的長電極棒。 這些硬焊接合著Ni製長電極棒而具備習知構造的基座存在以 下問題點。 亦即’如圖8所示的’在習知構造中’在形成於陶瓷基材2 之上的凹部的底部，暴露出與線狀發熱體3接合的中間金屬件4， 或是篩網狀的RF電極9，或是以印刷、煅燒方式所製成的電極層 201019783 (未經圖示）。 件、3 =是 ’硬焊接合於該中間金屬 面的陶錄材表面上=夠於包㈣極層露出表 在包圍電極層露:表面的:難電極棒硬焊接合 理由1 、 3的=脹係數為13_-6姻基材若是氮化 數差為ϊγ’由於说與陶究基材的線膨^ 差異而/·接人立媒疋具備剛性的硬性材料，故因為線膨脹係數 的接合部 理由2 ;，合部發生的熱應力沒有緩衝:熱應力 =4法=力材料本身會成為熱應力的產生源 。硬焊接1 t基ί:ΐ=ϊ由’使用高溫硬焊接合材料硬焊接合抑物 族改ΐ以上所舰&，由於在冑知構射欲制絲材與Ni雷本 過Γ^減少職所做的努力—點也不肩 在該螺紋心在喊基材2的畴細上形成螺紋， 讓側13 eNi棒14插入該金屬管内面的孔部， ⑷、金屬吕硬痒接合固定。此時Ni棒的前端端面也形成與中 201019783 間金屬件4、篩網狀RF電極9同時硬焊接合的構造》 由於金屬管本體的線膨脹係數比陶兗基材更大，剛性也更 大，故若陶瓷基材與金屬管之間沒有間隙，膨脹差會破壞陶瓷基 材，因此讓陶瓷基材與金屬管之間留有膨脹差程度的間隙是目前 技術的現狀^ 因此重複高溫加熱造成金屬管的氧化，而且中間金屬件、與 中間金屬件結合的線狀發熱體、篩網狀電極，或是印席燒電極 構件也會產生氧化。Mo、W等高熔點金屬對氧化很脆弱，會 化而消耗。而且重複加熱也會使金屬管與陶莞基材之間的 間隙擴大。 β與Ni電極棒的底部端面接合的中間金屬件、筛網狀砑電極， ，疋以P刷、缎燒所製成的電極層，都會在與 時，=到接近二千度的高溫而脆化，本來強H基夠材同時職 層二所斷述裂原因又: 燒電極層的硬焊J人邙八件、篩網狀電極、印刷煅 復’;=以氧二===有=梅 【發明内容】 [發明所欲解決的問題] 内設有由高^3所的在於提供-種能夠防止在 -種在接合於導電體的電極端 201019783 周圍部位發生氡化、強度 [解決問題之技術手段] 關於内設導電體之陶賴件 ^ 解決高溫氧化_的对明題了㈣下方法解決。 合並體的陶究構种，於導電體露出表面上熔合结 、沿人防止導電體露出表面的高溫氧化。 於高熔^金;f的5紐與耐氧化性，將魏_係數整合 二疋很容易的，軸可以在高熔點金屬的導電體 面性的覆蓋膜，但是在高熔點金屬表 合金的熔漿時，高熔點金屬表面上會發生激列的 侵蝕(_。舰’係Si與高熔點金屬的反麟(合金$) I、的 在被侵飯的部位，會產生線膨脹係數比基材的高溶點金 tf·很脆的多餘石夕化物’若重複高溫加熱，會發生龜裂，t者 會發生被侵餘的部位從基材剝離的問題。 〆 胺不會受到舰歧能夠抑制侵_si合金的覆蓋 2 δ、ίί，熔點金屬的導電體表面上，形成耐氧化性、耐剝 離性、耐龜裂性優異的覆蓋膜。 在本發明中，當於高熔點金屬導電體的表面上熔接覆蓋Si合 ，時’用來防止Si合金溶漿造成「侵姓」的第J個方式，係於用 來溶接覆蓋的Si合金含有B，以在高熔點金屬導電體與用來覆蓋 的Si合金二者的界面上形成b的濃縮層或是B的化合物層。 當吾人將含有B的Si合金熔接於Mo、W等高溶點金屬導電 體上^，若在導電體與Si合麵界面上存在B電 W等尚熔點金屬的硼化物層的話，熔融的si合金對構件所造成的 「侵蝕」情況明顯減少。或者完全沒有侵蝕。 又，無論是氮化物陶瓷、氧化物陶瓷，還是其他陶瓷，不管 是什麼種類，Si合金只要經過成份調整，便能夠將其線膨脹係數 整合於基材陶瓷之中，藉由這個優點，便能夠防止因為線膨脹係 數的差異而造成Si合金熔合結合層的剝離、龜裂。 201019783 該B的濃縮層或構件的Mo或W的硼化物層之所以存在，是 因為，熔合結合的Si合金之中添加0.1%以上的B。亦即，在由 Si 與從 Fe、Ni、Co、Cr、Mo、W、Re、Cu、Μη、貴重金屬、Ti、 Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ge、A卜 Ca、Mg、稀土類元素、p 的元素 群當中所選出之一種或是二種以上的元素所構成的Si合金之中添 加0.1%以上的B，並使用該合金。 吾人認為在Si合金内添加b可減少導電體受到「侵餘」，是 因為Si合金之中的B成份會優先擴散到高熔點金屬導電體上，並 在導電體侧界面產生B的濃縮擴散層，其能夠壓抑基材的侵蝕過 程，並抑制^化物的產生。吾人確認在B的濃縮擴散層中會形成 φ Mo、W等尚熔點金屬的棚化物’並認為蝴化物會形成防餘層，防 止侵餘作用。 由於B添加量在0.1%以上便會開始產生抑制矽化物的作用， 故Si合金之中B的添加量宜在0.1%以上。更宜在〇 3%以上。最 好是在0.8%以上’這樣便不會發生侵姓。雖然B添加量的上限沒 有特別的限制’但若超過15% ’在熔合結合時作為粉末糊聚原料 使用的Si合金的粉末製造成本會變高，並不經濟。 在本發明的第1個解決問題的方式中，Si合金大概在下述成 份範圍之内。惟並非僅限於下述範圍之内，自不待言。 第1個方式的組成 σ 由主要成份Si、從Α群之中選出一種或是二種以上的元素、 從B群之中選出一種或是二種以上的元素、c群的元素，以及 餘雜質成份所構成的合金。 μ

Α 群的元素：Fe、Ni、Co、Zr、Ti、Cr、Mo、W B 群的元素：Hf、Nb、Ta、V、Mn、Cu、A卜 Ge

C群的元素：B A群元素的成份範圍：3〜65重量％ B群元素的成份範圍：0〜20重量％ C群元素的成份範圍：0.1〜15重量％ 第2個方式的組成 201019783 以上i 2方式，制si合金，其至少包含2重量％ 便能金轉對高炼點金屬導電體所造成的‘ ，、攻適當的範圍為2〜15重量％。 嚴重t未達下限蝴不會發生祕’若超社賴紐情況會變 成2個解決問題的方式中，si合金大概在下述的 成伤，圍之心惟並非僅限於下述範圍之内，自不待古。 Μη 成哲，、從A群之中選出一種或是二種以°上的元素、 Μη殘餘雜質成份所構成的合金。 Α群的元素： A1

Fe Ge

Ni、Co、Ti、Zr

Hf、Cr、Mo、W

Nb、Ta、V、Cu A群元素的成份範圍：3〜65重量％ Μη : 2〜15重量％ Γ ίSi合金以及包含施的si合金，將成份經過調 21 : Ϊ末糊㈣布在高、熔點金屬導電體的表面、電極端 面上，以預先將線膨脹係數整合於陶竟基 置於真空或是非活性氣體環境下加熱’加熱到合金的 固相線Μ度以上，便能夠使其熔合結合。 ^第3個方式，係從滲碳層、滲蝴層之中選出至少一層， 預^^成在Mg、W等的⑥溶點導電體表面上。亦即形成滲碳、滲 理層、滲碳滲硼、滲碳氮化、滲硼氮化、滲碳滲硼氮 从、理層° _是滲碳層、滲靖、渗碳滲韻是比較好 的選擇’ s Si合金的組成，係上述包含Q1% 二知蝕的效果。就渗碳處理而言，通常所使用的固體滲碳、 3滲，、氣體滲碳、氣體滲魏域财法，可以就這樣拿來 f f。Ϊ細處理而言，固體渗棚、電解渗蝴，融浴滲蝴、氣 體〇爛4 ’通常所使用的處理方法也可以就這樣拿來應用。 201019783 201019783 子 為了從外部供給電力，在導電體露出表面上必須接合電極端 極的接合，可使用與預先熔合結合於導電體露出表面 ΐΊΐΐ表面相同種類的接合金屬或是不同種類的接合金 :導體露出表面上⑽合金層，或是接 霖出表面氧化的觀點來看’溶合結合於導電體 ，出，面上的Sl合金層，除了導電體露出表面之外，更宜連 蓋到匕圍導電體露出表面的喊基材表 面 包圍導電體露出表面_竞基材表面\，金層亦且齡結合於 消除電極端子與陶瓷基材之間的間隙的方式 出表陶絲材之中的絲點金屬所構成的導電體的露 =二陶4構二=之中時，在該凹部之中嵌入= 吁带权二’、導電體露出表面冶金性接合，並用Si合金層殖補 ㈣赚，讓㈣合金賴 f是基材—者熔合結合’以消除電極端子與_基材之間的間 金屬:=2=金 =為了防止幻合金輯高溶點 方式mt 可應用防止上述侵餘的第1方式、第2

Au系^其他高溶點硬焊接合金屬也是可以。 系、Ni系、 端子子係陶紐料時，例如喊基材為氮她，而雷搞 、” i 一起的接合金屬，就必須使用si合金。子一者熔合 電極端子的構造 201019783 在本發明中與導電體接合的電極端 以=二子材嵌料入陶_凹部 數與陶究基材整合的材料。然後電須是線膨脹係 焊接f、擴散接合等冶金方式接合是必難^體露出表面以硬 與不“到:融L合:高熔點金屬，或是 會受到si合金侵韻的陶莞材料與材料’或是不 或J讓不會受到Si合金侵_陶細 之中的材料，或是Si合金本身。 刀散於Si σ金基材 ς.入H兗基材為氮他時，端子材料宜為Mg、W物點翻、岛 的高熔點金屬，或是細莞基材__^^ ΐ 疋線膨脹係數相似的陶瓷材料。又陶竞 ，材枓，或 適當使用w、碳化石夕、氮化；；等。陶是基材為氮化石夕系陶曼，可 士電極端子的材料並非必須是導電性材料不可 圍知子的接合層是金屬具備導電性，故 : 路的，故φ又從凹部向外突出的部分’在』埋 0凹4之_端子部不同的材料或是相同的材料硬焊接合 以Si合金覆蓋電極端子 八从ΐΪΓ端子係高賴金屬時，從凹部向外露出的電極端子部 ΐΐίΐ化性較弱是—個缺點。此時，用Si合金熔合覆蓋露出在 卜的Μ ’便能夠改善露出部分的耐氧化性。此時， 合金造成侵蝕，可應用防止上述侵蝕的第丨方式、第2方式、第3 方式。 [對照先前技術之功效] 12 201019783 矣而ίϊίίϊ防止内設於喊基材的高炼點金屬導電體的霞ΐ 之間的間隙,’故具有防止高熔點金屬導電體露 接合部及其周邊部位機械性強度的劣化、斷裂的優^^極知子 ，=習知構造之導電體的陶瓷構件（基座類電古 缺損時’亦根據本發明將其修復之後再利用。電極端子部有 【實施方式】 =實驗例，確認本案發明之「侵蝕」防止方式的效果。 製作實驗材料 ，2〇χ4〇χ厚度lmm的M〇以及w的平板表面上，塗布_ι〇χ 1mm且成份組成不同的Si合金的粉末糊漿，在真空 使，、熔接之後，切斷熔接層，測量Mo、w板受到侵蝕的 j 未、ΐ任何處理的M。板表面受到侵_深度二及 經過滲碳、滲硼處理後受到侵蝕的深度。 滲碳處理，係浸潰在以碳粉末為主要成份的固體材料之 中於1200。(：加熱3小時以形成滲碳層。 滲硼處理係浸潰於固體滲硼劑（硼粉末+碳化硼）於1〇〇〇r加 φ 熱5小時以形成滲硼覆蓋膜。 ' 結果 侵钱深度的測試結果揭示於表1。 表1 編 號 ---— Si合金的成份組成 % 板的種 類 — 侵蝕深度 μπι -------- 熔接溫度 °c 1 Si-25Cr Mo 120 1320 2 Si-25Cr-0.12B Mo 21 1320 3_ Si-25Cr-0.32B Mo 14 1320 4 Si-18Cr-5Ni-0.20B Mo 18 1320 Si—20Cr—0.65B Mo 8 1320 13 201019783 6 Si-9Ni Mo 150 Β00________ 7 Si-9Ni-0.09B Mo 32 i3〇〇___ 8 Si—9Ni—0.38B Mo 12 130〇_____ 9 Si-21Co Mo 98 1280_ 10 Si—21Co —0.39B Mo 10 1280 11 Si—7Fe Mo 139 _13〇〇______ 12 Si—7Fe—0.11B Mo 29 13 Si-40Co-2.9Mn Mo 31 J250____ 14 Si - 30C〇 - 15Cr -3.2Mn Mo 28 1250 ----- 15 Si - 30C〇 - 3.5Mn -5.1Cu Mo 21 1200 -----— 16 Si-20Ni—3.0B Mo 無 17 Si-25Cr-0.12B 滲碟Mo 無 _1320________ 18 Si-25Cr-0.12B 滲硼Mo 無 19 Si—25Cr 滲硼Mo 18 _132〇__ 20 Si-25Cr 滲碳Mo 10 J32〇_,__ 21 Si—40C〇—2.9Mn 滲棚Mo 無 1250 _ 22 Si-40Co-2.9Mn 滲碳Mo 無 J25〇_______ 23 Si-20Cr-0.65B W 無 J320_______ 24 Si-10%Ni-0.8%B Mo 無 25 Si-20Cr-1.5B Mo 無 1320_ 山的蒽思。將％省略不記載 根據表1的結果，可知若添加2%以上的Μη，以及0J重量 %以上的Β，便能夠相當有效地防止M〇、w受到侵蝕。 虛理# B在α8%以上時’便不會受到侵餘。又渗碳、滲蝴 贿止效果也㈣顯，若併用添加Β的合金 = 的合金，便幾乎不會受到侵蝕。 λ、加]Vh 對實驗材料中編號1G的實驗片，以特性χ光影像調查切斷面 201019783 一

Sb M。疋素的分布狀態。又編號10的成份組成為Si-21c〇- 片的表iff M0的特性x光影像（映像）的照片。根據照 果可知在恤的界面上，㈣沿合金擴散並濃縮成高;農 根據圖面說明本發明。 圖2、圖3、圖4説明本發明的構&。 在圖2、圖3中，符號1為陶瓷構件。 導電具備^基材2、内設於基材2的高熔點金屬的 )3、導電體（中間金屬件）4、電極端子 ϋ尚tl /，同樣都是高熔點金難的，以機械方式接合1 溆燒陶瓷構件1時同時燉燒而内設於陶瓷基材。 3.4i2,: ^ 電體。 守电篮导電體4’在本發明中’均呈現為導 在圖2中，電極端子5與陶瓷基材2、導電體 的間隙，被熔融的Si合金的溶融層6所填補。 ▲ 3中’電極端子5沒有可以嵌人的凹部，導電體（中門 金屬件）4暴露於喊基材表心 體C中間 宜如tt·的止導電财出表面氧化峨點來看， 的話，除了導電體露出表面之外’防止氧 包3到導電體露出表©與_基材的嶋部。，'” 層熔^層6宜亦與包睛電體露出表面的_基材表:金 圖4係説_ ’此_ Si合金魅他合金接硬口 由祕點金屬所構成的電極端子5與導電體3的露出表^接义 了賦^伸出凹部的電極端子耐氧化性而溶合Si合金的覆蓋媒[ 符號7係用Si合金與其他合金接合的硬焊接合層。、 15 201019783 心It!子5與陶莞基材2的間隙，用Si合金的炫融層6填補， 極軒以及喊基材熔合，使雜端子與陶莞基材

電極端子與導電體露出表面，可以使用Ni、c〇、A ㈣硬焊接合㈣綺雜接合。射㈣擴散接合 垃人子與陶兗基材的接合、電極端子與導電體露出表面的 接a可同時進行，亦可個別進行。 子斑係以硬谭接合或是擴散接合的方式接合電極端 導電财出表面，接著在比第-步驟更_溫度下錢合金 接合電極端子與陶瓷基材。 ’ 〜iff ΐ，Si合金溶融層的熔合，意指將既定成份的沿合 金加熱到固相線溫度以上’使其轉變成液相並熔合。 熔合，意指轉變成熔漿並發生冶金性接合。 其中至少發生麵、歧界砂份溶融等 脸ίί發明中，用別合金的熔聚填補電極端子與陶究基材的間 ^、電極軒與導電體露出表__而熔合的方法，係在該間 隙内填充既定成份的Si合金粉末、細粒献片材，於真空中或 非活性氣體環境巾’將該Si合金加細固相線溫m，使 ΐίϊί而溶合°Si合金的熔毁，具有與電極端子、陶兗基^以 及導電體這些材料都能熔合的性質。 ^，圖,2〜4的情況中’為了防止導電體以及高溶點金屬的電極 端子受到Si合金熔漿的侵蝕，可應用能夠防止 第2方法、第3方法。 π 已廢棄之習知構造物品的靈活運用 習知内設有導電體的基座的電極端子會@為損壞而被廢棄， 吾々:_這魏梦轴被廢棄的構件作騎料，來完成^發 明製〇口。 亦即，在具備習知構造的基座中，拔出Ni電極棒後會留有凹 201019783 部，將本發明構造的電極端子嵌入該凹部，填補間隙並 能夠製造出耐氧化性、耐久性很優異的基座。 α 圖5係電極端子部被拔出後留有凹部的習知基座的 陶瓷基材2係氮化鋁製。 導電體（加熱線）3由Mo線所構成，與同為_製的導電體 (中間金屬件）4接合，並以此形態，埋入陶竟基材之中 與中間金屬件-起在锻燒陶莞基材時同時煅燒内設於陶究基g之 中

導電體（RF電極）9，係由筛網狀的M〇所構成，與M ❹ 中間金屬件相同，在炮燒陶兗基材2時同時锻燒内設於陶宪基 材之中。 在中間金屬件的凹部1〇與RF _的凹部1〇的内面上 =鎖入Μ 敝，Ni f極雜$錢，微會就這樣^ 説明Ξ。6健_ 5的畴進喊成本發_造纷細牛時的 亦即’在Ni電極棒拔出後的陶瓷基材 電極端子與陶究基材的間隙以及電極端子與中電搞 „ &合金的熔融層填補’讓該Si合金的熔n 的陶賴件。換句話說，包圍電極端子的_全 融層填滿’讓細電極軒的面全雜^ 座就能夠再生成為本發明製品^ 縣應廢棄的I知基 究4圖古1^ί思電極端子能夠將線膨脹係數整合於陶 =電極’可應™防 = 的金= (實施例） 17 201019783 根據實施例說明本發明。 實施例1 該實施例，係使用如圖5所示Ni電極棒拔出後留有凹 廢棄的習知構造的基座，製造圖6之構造的本發明的陶瓷 陶瓷基材係使用氮化鋁。 f 將；過螺紋加工的Mo製新規電極端子插入Ni電極棒 H下:凹部，以取代習知構造的Ni電極棒，在電極端:ΐϊΐ ΐ埴子與中間金屬件，以及電極端子與即電極之間的γΪ 將、，，匕3 0.8重量的Si-l〇%Ni —〇.8%Β合金粉東 Ξ害ίί空中’加熱到13G(rc以產生熔聚，分別熔合電極端子、 Ξί ίΪ、電極中間金屬件以及奸電極。又此時，亦在Mo製電 極^^凹部向外突出的部*上，塗布同樣包含_之B = 战ίΓ合 覆2的粉末糊衆，以同時在M〇電極端子表面 子盘與喊基材、電極端子與中間金屬件，以及電極端 基^中til的間隙’用該Si合金填補，Si合金能夠與陶究 得良好的i j件、以及電極端子適當熔合，讓接合部獲 蓋膜。、密性。又亦能夠在Mo表面上熔合無缺陷的Si合金覆 通電加熱測試 的交㈤5=::屬件4接合的電極端子5施加丽 侵餘的測量

Mo 端子與其周圍的陶曼基材，測量Si合金對Mo端子、 侵蝕。件、Mo線、筛網狀的Mo電極（RF電極）所造成的 完全沒有發現受到侵蝕的情況。 實施例2 ϊΙί表示填補凹部而修復的另一個實施例。 月J的實施例1的圖6所示的缺落中間金屬件的凹部部 201019783 金薪均粒度低於45㈣粉末，相對合 f本實施例中，填充凹部的Si合金與碳化石夕的複 為中間金屬件缺落的凹部部分的電極端子材料。 4成 陶瓷基材係與實施例1相同的氮化鋁。 在填充熔漿之前，為了防止Mo線受到 ❹ r,"〇RF ^9 真充的S1合金組成包含5重量伽，為si—2齡—观 在露出Mo線RF電極9的凹部部分，插盥 化紹製的填充材料12填補，RP電極9= =二的之間的間隙，用包含;重量 == ‘與粉ί^ί充、加熱、細，祕漿填滿間 田故為了確保導電通路，填充材料的表面也同樣溶合 電^層’用S1合金層將填充材料整個包住，外部表面便具備導 結果 RF 金ίΐίΐϊ的接合部獲得良好的氣密性。又Mo線、 在Si未因侵钱而斷線’與Si合金熔接情況良好。 並施焊接合-電極端子， 【產業上的利用可能性】 面======= *表面月:具有防止高熔點金屬導電體露 化千接σ °卩及制邊部位機械性賊劣化、斷裂的 19 201019783 有=習體的嶋件(基座類) 對高價產品__，具；騰_之後再利用’ 夠符cr裝置中使用的氮化銘加熱器也能 復再生，夠修 【圖式簡單說明】 係B與Mo的特性X光影像（映像）的照片。 圖2係本發明構造的説明圖。 圖3係本發明另一構造的説明圖。 圖4係本發明另一構造的説明圖。 圖5係表示電極端子部拔出後留下凹部的習知基座的構造圖。 圖6係填埋圖5的凹部而經過修復之構造的説明圖。 圖7係實施例的說明圖。 圖8係習知技術的説明圖。 【主要元件符號說明】 1陶瓷構件 2陶瓷基材 3導電體（發熱體） ❺ 4導電體（中間金屬件） 5電極端子 6 Si合金熔融層 7硬焊接合層 8 Si合金的覆蓋膜 9導電體（RF電極） 10凹部 11複合材料 12填充材料 20 201019783 13金屬管 14Ni 棒

Claims (1)

1. 201019783 七、申請專利範圍： 1、一種内設導電體的陶莞構件， 熔合結合Si合金 燒的纖同時锻 層而Ϊ成導電_極端子接合部露出表面上， 2 -種内设導電體的陶瓷構件， 該導電體之構造為： 之中 隙以及該電；子接合部露出表面之間的間 該陶竟構件的^為：土曰1的間隙被沿合金層所填充； 3、該TAZT構件’ ❹ 熔點金屬所構成’ :及該電極端與子; 該陶瓷構件的特徵為： Si — S, 4如申明專利乾圍第J至3項中任一項之内設導電體的陶究構 22 201019783 件，其中 獅端子中之至少露出於該陶竟基材外之部分的材 ίίϋ"7熔金屬所構成的電極端子的表面上，溶合結合Si合金 的覆蓋膜。 L 專利範圍第1至4項中任一項之内設導電體的陶兗構 仟’具T， 露出合金，在該導電體的電極端子接合部 ❹· 魯 向熔點金屬所構成的電極端子與si合金的熔 口接口界面上，形成B的濃縮層或是B的化合物層。 H申^專利範圍第1至4項中任一項之内設導電體的陶韻 1干’具τ， 該Si合金包含至少2重量％以上的嫩。 如其申專利範圍第1至6項中任—項之内設導電體的陶究構 所槿ίίίί1!，極端子接合部露出表面及/或由該高溶點金屬 糾子的表面上’形成渗碳處理層以及滲硼處理層其 8某#Si導二體，陶瓷構件的製造方法，爾體係由與陶瓷 土材^時域的聰點金屬所構成的，該製造方法的特徵為： 熔融ί該導電體的電極端子接合部露出表面上料結合Si合金的 9、一種内設導電體之陶瓷構件的製造方法， 電體係由與陶瓷基材同時煅燒的高熔點金屬所構成的， 之二部露出表面位於該陶_的凹部 23 201019783 隙以及端子接合部露出表面之間的間 充， 卞H絲材之間的間隙係由si合金層所填 該巧造方法的特徵為： 該電極端ϊ c::電m金層熔合結合於和該層接觸的 陶絲材的表面。'"導電體的電極端子接合部露出表面以及該 之陶瓷構件的製造方法， 10、一種内設導電體 煅燒的高熔點金屬所構成的， 之中，且由高細嫌細絲材的凹部 該電極端子朗子插人該凹部， 隙以及該電極端子轉A ^ 2子接合部露料面之間的間 充； 4料基材之__係由接合金屬層所填 該製造方法的特徵為： 在製造該陶瓷構件時，至少 陶絲材的接合金屬，並讓 該電極端子與該 該陶竟基材。 亚不亥si &金層溶合結合於該電極端子及 ❿ 11、 如申清專利範圍第8至 件的製造方法，其中， 射任—項之内設導電體之陶究構 12、 如申請專利範圍第8至]〇J§由红 ^ ^ 件的製造方法，其巾， 、—項之内設導電體之陶竞構 該Si σ金係包含B的Si合金，且在該導電體 部露出表面及/或由該高炫點金屬所構成的電極端子與別合^ 24 201019783 溶°結合界面上’形成Β的濃縮層或是Β的化合物層。 利2第8至1〇項中任-項之内設導電體之陶究構 Φ 使用至少包含2重量％以上之Μη的Si合金，作為讀s. 14、如申請專利範圍第 合金, 8至10 項中任一項之内設導電趟 件的製造方法，其中， - 所構或由、：機 層其中任-狀後，雜麵合^ 八、圖式：

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