TW200945984A - Circuit board and method for manufacturing circuit board - Google Patents
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Description
200945984 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電路板及電路板之製造方法。 【先前技術】 近年來’隨著電子器材之高密度化,其所使用之可撓式印 刷佈線板等電路板之多層化正日益進展中。作為此種多層電 路板之積層技術,係採用著層疊(buildup)&❶所謂「層疊 ❹
法」係一邊將由樹脂所單獨構成之樹脂層與導體層疊合之 下,於單層間進行層間連接的方法。 此層疊法可大致區分為:先於樹脂層形成通孔(viahole) 後再進行層㈤連接的:^法,與先形朗間連接部再積層樹脂 層的方法。又’層間連接部可分為對通孔進行鑛敷而形成的 情況,與以導電性糊形成的情況等。 作為可纟⑧通孔(staeked via)且可⑽度化及來線設計 簡易化的技術,曾被揭示之方法為··用雷射於樹脂層形成層 間連^之微細通孔,將該通孔用銅膏等導電性接著劑填 專里利讀性接著前得到電性連接时法(參照例如 然而 方法中,由於層間電性連接係用 成’故會有可靠性不充分的情 紐接耆劑達 入微細的通孔中㈣有 將導電性接著劑填埋 化有困難。編度技術’欲因應佈線圖案之更微細 098106117 3 200945984 ―因此’代替於通孔中填埋人導電性接著劑的做法,係採用 者使用金>1起物(導躲)的技 '、 & 町然而,即使於使用 導體柱之情況,曾為在和連接料齡會物理性 地排擠層間接著劑而與導體墊連接的方法(參照例如專 獻2)。 :塾=’於衝㈣所致之高溫時,由於將導體柱 Α體㈣之相接著縣社同時,導體㈣融而得到電 性連接,因_模内溫度之參差,會有層間接著劑先硬化之 情況,致使會有連接可靠性不充分之情形。又,由於變成高 溫’層間接著料往電路㈣㈣,致有板厚精度變差、或 往外流出之接著劑污染周邊的電路板之虞。 [專利文獻1]日本專利特開平8_316598號公報 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇〇_183528號公報 【發明内容】 本發明係Μ於上述情形而提出者,目的在於提供—種連接 可靠性良好之電路板及電路板之製造方法。 依據本發明之電路板,其特徵在於,係透過層間接著劑將 第一基板(為具備第一基材、與由自上述第一基材突出之突 出部及覆蓋上述突出部之金屬被覆層所構成的導體柱者)與 第二基板(係具備第二基材與導體電路者)積層接著於上述 金屬被覆層與上述導體電路之接合面經合金化,並且於上述 接合面之剖視的上述金屬被覆層之剖面形狀係自上述導體 098106117 4 200945984 電路之上述接合面朝向上述第—基板變寬之形狀。 ❹ ❹ 於此電路板中,上述接合_視的上述金屬«層之剖面 形狀係自上述導體電路之上述接合面朝向上述第一基 寬之形狀。藉此,金屬被覆層於第—基材與第二基材= 大致均-的厚度’故可提供連接可靠性增大之電路板。”、 又,依據本發明之電路板之製造方法,其特徵在於包含下 述步驟:準備第-基板之步驟,該第一基板係具備第一基 材、與由自上述第-基材突出之突出部及覆蓋上述突出部之 金屬被覆層的導體柱所構成;準備第二基板之步驟,該第二 基板係由第二基材、與形成於上述第二基材之—面侧並承接 上述導體柱之導體電路所構成;第—步驟,係於上述導體柱 面侧、或上述導體電路面側積層層間接著劑,並使上述導體 柱與上述導體電路相向配置進行加熱加壓之步驟;第二步 驟,係於上述第—步驟之後將上述層間接著劑加熱硬化之步 驟;與接合步驟’係於上述第二步驟之後藉由使上述金屬被 覆層熔融而使上述導體柱與上述導體電路進行金屬接合之 步驟。 藉此電路板自於在使層間接料丨硬化後再度金屬被覆層 熔融故層間接著劑之流出少,故可提供生產性、良率優異 的電路板之製造方法。 又,上述接著劑亦可含有:具有三個以上縮水甘油醚基, 且壤氧當量為100〜300之多官能環氧樹脂(a);溶點為5〇 098106117 5 200945984 C以上、230 C以下之具有羧基之化合物(b);與硬化劑(c)。 又,具有縣之化合物(b)之彿點或分解溫度亦可為 240。。 以上。再者,亦可進而含有合成橡膠系彈性體。又,作為硬 化劑(c)亦可含有酚醛清漆酚樹脂。 可長1供連接可靠性良好之電路板。 【實施方式】 針對上述目的、其他目的、特徵及優點藉由下述之較佳實 施形態、及其所附帶之下述圖式可更為清楚。 以下,針對本發明之實施形_圖式進行說明。又 ,於全 4圖式中,對共通之構成要素係賦予同—元件符號,於下述 說明中適當地省略其說明。 圖1至圖4係表示本發明之電路板之製造方法的一個實施 形態之截面圖。 圖1(a)為第-基板、@ i⑻為第二基板之截面圖。圖2 為表示第-步驟、圖3為表示第二步驟、圖4為表示接合步 驟之截面圖。 如圖4所示般’本實施形態中所示之電路板⑽,係透過 層間接著劑13將第-基板16(為具備第一基材12、與由自 第一基材12突出之突出部14及覆蓋突出部14之金屬被覆 層15所構成的導 45者)與第二基板18(係具備第二基 材19與導體電路17者)積層接著,於金屬被覆層15與導體 電路17之接合面43經合金化,形成金屬合金層41。 098106117 6 200945984 又,係成為於接合面43之剖面的金屬被覆層15之截面形 狀係自導體電路17之接合面43朝向第一基板16變寬之形 狀的電路板68。 作為構成第一及第二基材12、19之材料,可舉出纖維基 材或樹脂薄膜等。作為纖維基材可舉出例如:玻璃織布、玻 璃不織布等之玻璃纖維基材;或以玻璃以外之無機化合物作 為成分的織布或不織布等之無機纖維基材;以芳香族聚醯胺 φ 樹脂、聚醯胺樹脂、芳香族聚酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺 樹脂、氟樹脂等有機纖維構成之有機纖維基材等。又,作為 樹脂薄膜基材,可舉出例如:聚醯亞胺樹脂薄膜、聚醚醯亞 胺樹脂薄膜、聚醯胺醯亞胺樹脂薄膜等之聚醯亞胺樹脂系樹 脂薄膜;聚醯胺樹脂薄膜等之聚醯胺樹脂系薄膜;聚酯樹脂 ' 薄膜等之聚酯系樹脂薄膜。此等之中尤以主要以聚醯亞胺樹 脂系薄膜為佳。藉此,尤其可提高彈性率與耐熱性。 〇 基材12、19之厚度並無特別限定,以5〜100/zm為佳, 以8〜50μπι為更佳,尤以12.5〜25#m為特佳。厚度若於 上述範圍内,於彎曲性尤其優異。 作為構成導體墊11、導體電路17之金屬箔,可舉出:鐵、 * 鋁、不銹鋼、銅等。此等之中,使用銅作為金屬箔,於電氣 ' 特性考量亦為較佳。金屬箔之厚度並無特別限定,以5〜35
Am為佳,尤以8〜18/ζιη為特佳。 金屬被覆層15之形狀,以朝向第一基板16變寬之杯狀形 098106117 7 200945984 狀為佳。藉此,於與導體電路17形成接合面43時山 自頂部與導體電路17接觸,故可於前端變形之下 口面43的剖視之金屬被覆層15之截面形狀為、接 電路17的接合面43朝向第一基板16變寬之^為自導體 俯視接合面43時,於與第-基材12相向的面,亦 自 金屬被覆層15將突出部14包圍之狀態。此以包圍太成為 成之形狀不僅可為圓形,亦可為方形、橢_等。又式形 〇 被覆層15之變寬的形狀亦可為朝向第-基板16變寬的=屬 形狀或碗狀等之形狀。 狀 作為構成金屬被覆層15之金屬並無特別限定, 』由選自 由金、銀、鎳、錫、鉛、鋅、鉍、銻、銅所構成的群中之至 少1種金屬所構成或由含有該金屬之合金所構成。例如有. 錫-鉛系、錫-銀系、錫-鋅系、錫-鉍系、錫_銻系錫—銀— 叙系、錫-銅系等’金屬組合與組成並無限定,可選擇最適
G 者。金屬被覆層15的厚度之最大值並無特別限定,以2以瓜 以上為佳,尤以3〜2〇/zm為特佳。厚度若於上述範圍内, 則導體柱45貞導體電路17之連接安定性優異,因而提 靠性。 層間接者劑13之厚度並無特別限定,以8〜3()_為佳, 尤以1〇〜25_為特佳。厚度若在上述範_,尤其於密著 性及接著狀滲—料優異。制接㈣U有液狀 塗佈至第-基材12的方法、以真^層合機(㈣⑽⑽等進 098106117 8 200945984 行加熱加塵的方法等,以後者較簡便且層間接著劑Η之厚 度安定。 層間接著劑心具有料表面耗作用之助溶劑⑴ux) 作用為佳,例如,具有絲存在於金屬表㈣氧化膜之作用 或氧化膜之還原作用的接著劑。 φ 作為第-之難的制接著劑13之糾,係含有:具有 三個以上縮水甘_基,且環氧當量為⑽〜_之多官能 環氧樹脂(a);熔點為50°C以上、9如〇广 dUC以下之具有羧基之 化合物(b);與硬化劑(c)。 層間接著劑13含有具有三個以上縮水甘油鍵基,且環氧 當量為⑽〜之多官能環氧樹脂⑷。藉此,可得到· 異Γ層間接著劑13。作為多官能環氧樹脂⑷並無 酚、、主漆單獨或組合使用例如:紛搭清漆環氧樹脂、曱 ❹ 甘油胺型環氧樹脂、胺基三销时 r、環戍曰胺基二啡甲盼清漆環氧樹脂、萘骨架型環氧樹 官曰能=^!型環氧樹脂等。此等之十,尤·骨㈣4 環氧樹赌為由,3官能環氧樹脂及3官能固態 定,於以多官4 /能環氧樹脂(a)之含有量並無特別限 份時,以60 Z )與硬化劑⑹合計作為100重量 此範圍内,則密+伤以上、80重量份以下為佳。含有量若在 ;50,.^ 230ϊ_ 098106117 200945984 基之化合物。又’具有羧基之化合物(b)的沸點或分解溫 度在240 C以上亦可。具有羧基之化合物,如後述般,於使 形成有金屬被覆層之導體柱與導體電路藉由以金屬被覆層 炫融而進仃金屬接合時,具有可去除相接侧的導體電路之氧 化膜及去除金屬被覆層表面侧之氧化物而使潤濕性提高的 作用。通常’金屬接合時之溫度以24G°C以上居多,故具有 羧基之化合物(b)的沸點或分解溫度以 240°C以上為佳。沸 點或分解溫度若為24(TC以下,會有於層間產生空孔 (void)、或發生層間剝離致可靠性降低的情形。又 ,由於最 能發揮具有叛基之化合物⑹的活性化者為超過熔點時,故 炼點以23(TC以下為佳。溶點若為5『c以下,具有叛基之化 合物(b)會自層間接著層流丨n點以以上為佳。 具有幾基之化合物⑹之含有量,独多官能環氧樹脂⑷ 與硬化劑(c)合計作為100重量份時,以3重量份以上、15 重量伤以下為佳。若含有量在此範圍内,於金屬表面之還原 性優異且可得到良好的金屬接合。又,於作成片狀之載體材 料時,作為薄膜之作業性優異。 作為具有羧基之化合物(b)並無特別限定,可舉出例如下 述者.2, 3-吡讲二羧酸、環己烷二鲮酸、環丁烷二羧酸、苯 曱酸、間曱基苯曱酸、對曱基苯甲酸、香豆素一3_羧酸、二 苯基酮_2-羧酸、癸二酸、1,2, 3, 4-環己烷四羧酸、2-聯苯 羧酸、4-聯苯羧酸等,可使用1種或組合2種以上使用。 098106117 10 200945984 層間接著劑13亦可進而含有合成橡膠系彈 =3:,時,可得到薄膜加工性 '胺薄狀密著膠W性狀減改質者對聚酿亞 • 、 可較佳地使用。可用通常市售之例 如:缓酸改請 橡膠等。 又負j 一师 ❹ 口成橡膠系彈性體之含有量並無特職定,於 氧樹脂⑷與硬化劑(c)合計作為⑽重量份時,以 =、3G重量份以下為佳。若含有量在此範圍内,可得到 始者性與耐熱性的均衡優異之層間接著劑丨3。又,人成橡 膠系彈性體之重量平均分子量W0萬以上為^航,可 得到加熱加壓時的成形性優異之層間接著劑13。 層間接著劑13係村含有作為硬化)之祕清漆紛 樹脂。作為祕清漆_脂並無特舰^ φ 讲祕轉_難、或絲三啊_漆_=胺^ 胺基之存在,藉由塗佈時之熱使得部分的環氧基發生反應而 進行B步驟化。藉此可抑制積層衝壓時之滲出。又,三。井部 分之氮可賦予耐燃性。酚醛清漆酚樹脂之含有量並無特別限 定,以相對於本發日月中所含有之多官能環氧樹脂⑷為〇 8 1. 2 g置為佳。當量若為此範圍内,可得到硬化性、反顏 等優異之層間接著劑13。 層間接著劑13亦可添加用以提高密著力之偶合劑、用以 098106117 11 200945984 抑制塗佈時之發泡與凹痕之消泡劑或平滑劑、用以調整膠化 時間之少量的硬化促進劑或無機填料等。 作為第—之較㈣相接著社構成,係含有具有苯紛性 包基之祕清漆_脂、甲崎漆_、祕清漆盼樹 月曰甲紛搭(resol)树脂、聚乙婦基齡盤樹脂等之樹脂(A), 與上述樹脂的硬化劑⑻。作為硬化劑,可舉出:雙紛系、 祕清漆系、烧基贿清漆系、聯苯紛系、萘紛系、間苯二 盼系等之苯盼基質,或以脂肪族、環狀脂肪族或不飽和脂 肪族等之骨架作為基質之經環氧化的環氧樹脂與異氣酸騎 化合物。 具有苯紛性羥基的樹脂之調配量以於全接著劑中為2〇重 置份以上〜80重量份以下為佳,若未滿2〇 f量份則對金屬 表面之淨化作用會降低,若超過8G重量份則無法得到充分 之硬化物’其結果會有導致接合強度與可靠性降低之虞,故 不佳。另一方面,作為硬化劑而作用之樹脂或化合物以於全 接著劑中為20重量份以上〜8〇重量份以下為佳。於層間接 著劑中,視需要亦可添加著色劑、無機填充劑、各種偶合劑、 溶劑等。 作為第二之較佳層間接著劑之構成’係含有:雙盼系、盼 醛清漆系、烷基酚醛清漆系、聯苯酚系、萘酚系、間苯二酚 系等之苯酚基質,或以脂肪族、環狀脂肪族或不飽和脂肪族 等之骨架作為基質之經環氧化的環氧樹脂(c),與具有咪唾 098106117 12 200945984 環之上述環氧樹脂之硬化劑(D),及硬化性抗氧化劑(E)。作 為具有咪唾環之硬化劑,可舉出:咪唾、2_曱基咪唾、2_ 乙基-4-甲基咪唑、2一苯基咪唑、卜苄基_2_甲基咪唑、2一 、 十一烷基咪唑、2—苯基-4-甲基咪唑、雙(2-乙基—4-甲基咪 嗤)4。硬化性抗氧化劑為發揮抗氧化劑之作用且可與硬化 劑反應而硬化之化合物,可舉出:具有亞苄基構造之化合 物、或3-羥基-2-萘甲酸、pam〇ic acid、2, 4_二羥基苯甲 ❹ 酸、2, 5-二羥基苯甲酸等。 環氧樹脂之調配量以於全接著劑中為3〇重量份以上〜99 重莖份以下為佳,若未達3〇重量份則有無法得到充分的硬 化物之虞,故不佳。 於上述2成分以外亦可調配氰酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、甲 基丙烯酸樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂等之熱硬化性樹脂或熱 可塑性樹脂。又,視需要亦可添加著色劑、無機填充劑、各 ❹ 種偶合劑、溶劑等。 具有咪唑環且為上述環氧樹脂之硬化劑與上述硬化性抗 氧化劑之調配量,以於全接著劑中兩者合計為丨重量份以上 〜20重量份以下為佳,若未達丨重量份,則對金屬表面之 淨化作用會降低,有無法使環氧樹脂充分硬化之虞,故不 佳。若超過10重量份’則硬化反應會急遽進行會有使接 著劑層的流動性降低之虞,故不佳。又,上述環氧樹脂之硬 化劑與上述硬化性抗氧化劑兩者可並用,亦可單獨調配一種 098106117 13 200945984 成分而使用。 =間接著劑之調製方法可舉出下述者,例如:將固態之具 有笨紛性經基的樹脂⑷與作為固態之硬化劑作用的樹脂⑻ 溶^於溶劑中調製之方法;將固態之具有苯盼性經基的樹脂 去.::二作為液狀之硬化劑作用的樹脂⑻中調製之方 法,將作為固態之硬化 苯祕《咖旨⑻賴麟狀之具有 溶解於溶劑中所成的溶液方法,在固態之環氧樹脂(c) 環氧樹脂的硬化劑作用的二,或溶解具有味唾環且作為 之方法等。作為使用之溶劑,〇物⑼與硬化性抗氧化劑(幻 丁明、環己鋼、曱苯、丁基可舉出:丙酮、曱乙_、甲異 醚、N-甲基料烧酮、二醇單乙醚、乙基乙二醇單乙 以下之溶劑。 内S曰等。較佳者為沸點2〇〇。〇 其次,用圖1至圖4,s 一實施形態進行朗。 發明之電路板之製造方法的 (步驟A) 二 所構成的導體柱45所成突出部14之金屬被覆層15 一面形成有導雜U。其〜—基板16。料—基材12之 備第二基材19與形成於第 11 1(b)所不般’準備由具 45之導體電之導體電〜材19之-面側,承接導體柱 辱體電路17所構成之第二基板18。 098106117 200945984 (步驟B) 其次,如圖2所示般,進行第一步驟,其係於導體柱45 面側或導體電路17面側積層層間接著劑13,使導體柱45 與導體電路17相向配置進行加熱加壓之步驟。 (步驟C) 其次,如圖3所示般,於第一步驟之後,進行對層間接著 劑13加熱硬化之第二步驟。 φ (步驟D) 其次,於第二步驟之後,進行藉由使金屬被覆層15熔融 而使導體柱45與導體電路17進行金屬接合之接合步驟。 藉由包含此等步驟之製造方法可得到電路板68。 '茲針對各步驟進行說明。 ' (步驟A) 準備具有有導體柱45的第一基板16、與具有承接導體柱 G 45之導體電路17的第二基板18(圖1(a)、(b))。 突出部14係例如可用膏劑(paste)或鍍敷法等形成銅 柱。接著,以合金等形成金屬被覆層15作成導體柱45。突 出部14的高度並無特別限定,較佳者為自與第一基材12 ' 之形成有導體墊11的面為相反侧的面突出2〜30/zm,尤以 突出5〜15為特佳。高度若於上述範圍内,則導體柱45 與導體電路17之連接安定性優異。 (步驟B) 098106117 15 200945984 其夂針對第一步驟進行說明(圖2)。於第一步驟中,在導 體柱45面側、或導體電路17面側積層層間接著劑13,使 =體柱45與導體電路17相向配置進行加熱加壓,於將被覆 著金屬被覆層15之層間接著劑13排除之同時,使金屬被覆 層15之頂部變形。 首先為了使第一基板16與第二基板18之位置對齊,用 對形成作為導體圖案的標記以影像辨識裝置讀取而使位置 子齊的方去、以插銷來對齊位置的方法等,進行位置對齊。 使位置經ff齊的基板在真空中於既定的溫度、壓力下壓合。 上=既定溫度以15G〜·。c為佳,尤以m〜⑽。c為特 佳、。溫度若於上述範圍内,則層間接著劑13會軟化,且金 屬被覆層15會成為熔融前之狀態,故可將金屬被覆層15 與導體電路17之間的層間接著劑13排除。若低於上述溫 又層間接著劑13的軟化程度較低,又,若較上述溫度膏, 則金屬被覆層15會溶融,故會無法完全地將層間接著劑13 排除。 佳,述既^之壓力以卜篇為佳,尤以15〜2鳥為更 *於上述fe圍内,金屬被覆層15會變形而可將斑 7之間的層間接著劑13排除。金屬被覆層15之 變形形狀,於圳a& 、面中,係自金屬被覆層15與導體電路]7 的界面變寬而維持著該變形。 處理時間以9n & 和以上、1 〇分鐘以下為佳,尤以3〜7分 098106117 200945984 鐘為佳。處理時間若在上述範圍,則可將層間接著劑Η排 除,並同時將金屬被覆層15的頂部壓潰。 (步驟c) 其次,針對第二步驟進行說明(圖3)。於第二步驟中係使 層間接著劑13熱硬化。溫度以15〇〜2〇〇ΐ為佳,尤以 〜190°C為更佳。處理時間以3〇分鐘以上、12〇分鐘以下為 佳,尤以45〜75分鐘為更佳。處理條件若於上述範圍,則 ❹層間接著劑13可硬化,使第一基板16與第二基板18之密 著強度提高。此時,金屬被㈣15 _部之變形係維持^ 其形狀。 ' (步驟D) • 其次’針對接合步驟進行說明(圖4)。金屬被覆層15炼 '融*與導體電路17接合’並且於金>1被覆層15與導體柱 45、金屬被覆層15與導體電路17之間為形成金屬合金層 ❿41雜態。即使金屬被覆層15熔融,頂部亦_為變形之 形狀。 回焊(reflow)溫度以240〜280。〇為佳,尤以25〇〜27〇χ: 為佳。溫度若在上述範圍則可形成安定的金屬合金層Μ 提高第一基板16與第二基板18之電性連接可靠性。 處理時間以1〜1 〇分鐘為佳,以3〜8分絲* 0 77鐘為特佳。若在 上述範圍,可形成金屬合金層41,提高可愈 非怔、生產性。 圖5為局部地表示電路板68之截面照相圖。 ^一基板16 098106117 17 200945984 , 具備第-基材12、與由自第—紐12 覆蓋突出部14之金眉妯泡 犬出口P 14及 一加二:覆層15所構成的導體柱奶。於第 一基材12之一面上形成有導體塾u。&,第二 備有第二基材19與導體電路17。此第一基板土其 板18係透過層間接著劑 :-土 15斑導俨雷政17 a 按°又’於金屬被覆層 導體電路Π的接合™金化,形成有金屬合金 又’接合面43的剖視中之金屬被覆層15之截面形狀係自 導體電路17之接合面43朝向第一基板16變寬之形狀。 自步驟Α至步動之連續進行並非必要, 短作業時間,且可得到安定的基板,故較佳。 只要是於第-步驟至接合步驟為止可得到㈣ 力、處理時間的接著劑皆可,並無特別限定, 至所要溫度的熱板進行’或亦可用急速升溫型減器進^ =係參關式針對本發明之實施形態進行陳述,惟此丁 為本發明之例示,亦可採用上述以外之各種構成。 例如,本實施形態中,針對將第一基板16 積層接著之步雜朗,惟亦 弟—基板18 電路17,於第一A板 …第基板16形成導體 甘“ 土板16之上層含有導體柱奶 其積層接著之電路板之製造方法。如此般,:板,將 的情況,藉由追加第—基板16 ^望為複數層 路板。又,藉由在此多層電路板上^板導2到多層電 __ 戰牛導體7"件可作成為 200945984 半導體裝置。 (實施例) 依照表1所示之各步驟實施。 表1中,AA表示「良好」、CC表示「不良」。 [表1]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 比較例2 第一步驟 180X: 18(TC 18(TC 180°C 260〇C 無 2MPa 2MPa 2MPa 2MPa 2MPa 5分鐘 5分鐘 1分鐘 5分鐘 5分鐘 第二步驟 180°C 180°C 180°C 180°C 180°C 180°C 60分鐘 60分鐘 60分鐘 60分鐘 60分鐘 60分鐘 接合步驟 260〇C 261TC 260〇C 260〇C 無 260〇C 5分鐘 5分鐘 3分鐘 5分鐘 5分鐘 接著劑之滲出 AA AA AA AA CC AA 接合率 AA AA AA AA AA CC 連接可靠性 AA AA AA AA AA CC (實施例1) 首先,準備銅箔為12#m、基材為聚醯亞胺薄膜厚度25 Am之2層單面電路基板(宇部興產製SE1310),自銅箔之 相反侧的面用UV雷射形成50//m徑之通孔。藉由電漿施行 去污(desmear)處理後,進行銅鍍敷與無錯焊錫鍍敷,藉此 形成自基材之突出量8//m之銅突出部,再藉由無鉛焊錫鍍 敷對突出部進行15# m厚之金屬被覆而形成導體柱。然後, 藉由蝕刻形成電路,得到第一基板。然後,藉由對銅箔為 12 // m、基材為聚醯亞胺薄膜厚度25 之2層雙面電路基 板(三井化學製NFX-2ABEPFE(25T))進行蝕刻形成電路得到 第二基板。 098106117 19 200945984 ' 在此第一基板之導體柱侧用真空層合機於12〇t:、〇. 2MPa 的條件下進行厚度13的層間接著劑之熱壓合。 又’層間接著劑係用下述者。秤量雙酚A型環氧樹脂(大 曰本油墨化學工業(股)製Epici〇n 830S)40重量份、二環戊 二烯型環氧樹脂(DIC製HP-7200:環氧當量258)10重量 伤、清漆型盼搭樹脂(Sumitomo Bakelite(股)製 ❹ PR~53647)25重量份、丙烯酸橡膠(Nagase Chemtech製 SG-708-6 :重量平均分子量7〇萬)25重量份、丙酮1〇〇重 量份,對其進行混合攪拌使其溶解,相對於此等樹脂組成物 重量份加入癸二酸(關東化學(股)製,試藥,熔點131 C、沸點294. 5°C/133hPa)5重量份,進行攪拌、溶解,製 得假漆(varnish)。作為可脫模的基材之對經防靜電處理的 厚25/zm之PET薄膜用逗點式刮刀方式的塗佈機以使乾燥後 的厚度成為13_之方式進行塗佈、乾燥,作成層間接著劑。 〇 將第基板之導體柱與第二基板之導體電路進行利用影 像處理之位置對齊並進行積層後,作為第一步驟係用真空壓 合機於18(TC、2MPa下進行5分鐘熱壓合,作為第二步驟係 用乾燥機於靴處理60分鐘後,最後,作為接合步驟係 2回焊於跳下進行處理5分鐘。其結果,如圖5所示般, 传到之金屬的形狀’為焊料的頂部發生變形,其剖視為朝向 第一基板變寬_狀’連接安定性優異,於溫度循環可靠性 評估(-肌〜咖各9分鐘麵_中電阻值變化 098106117 20 200945984 率為10%以下’為良好的結果。 (實施例2) 除了實施例1之層間接著劑使用下述者之外,係與實施例 1同樣地進行。作為層間接著劑,係秤量萘骨架型4官能環 氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製,開發品號ΕχΑ_47〇〇 ; 裱氧當量162)40重量份、二環戊二烯型環氧樹脂(大日本油 墨化學工業(股)製HP-7200 :環氧當量258)30重量份、清 ❹漆型酚醛樹脂(Sumitomo Bakelite(股)製PR-53647)30重 量份、丙酮100重量份,對其進行混合攪拌使其溶解相對 於此等樹脂組成物1〇〇重量份加入熔點為18〇£>c之對曱苯酸 _ (關東化學(股)製,試藥,沸點275。〇3重量份,進行攪拌、 溶解,製得假漆。作為可脫模的基材之對經防靜電處理的厚 PET ’專膜用返點式到刀方式的塗佈機以使乾燥後的 厚度成為13_之方式進行塗佈、乾燥,作成層間接著劑。 ❹果’如圖5所示般’得到之金屬層的形狀,為焊料的 =部發生變形’其剖視為朝向第—基板變寬的形狀,連接安 疋性優異、於溫度循環可靠性評估(-251〜125°C各9分鐘 ,1000循環)中,電阻值變化率為10%以下,為良好的結果。 (實施例3) 將實施例i之第一步驟改為用真空壓合機於⑽ 下處理1分接” a 、 刀鐘,又,接合步驟改為用回焊於260〇c下處理3 分鐘’作為層間接著劑改用下述者,除此之外係與實施例1 098106117 21 200945984 同樣地進行。 秤量縮水甘油胺型3官能環氧樹脂(JER公司製Epicc>at 630 :環氧當量100)20重量份、二環戊二烯型環氧樹脂(大 曰本油墨化學工業(股)製HP-7200 :環氧當量258)40重量 份、清漆型紛搭樹脂(Sumitomo Bakelite(股)製 PR-53647)40重量份、丙酮100重量份,對其進行混合搜掉 使其溶解’相對於此等樹脂組成物1〇〇重量份加入溶f 225 C之4-聯苯叛酸(關東化學(股)製,試藥,熔點225°e c
上)15重量份,進行攪拌、溶解,製得假漆(varnish)。牌 其以與實施例1同樣地用逗點式刮刀方式的塗佈機以便趣 著劑厚度成為13/zm之方式進行塗佈、乾燥,作成層間趣著 劑。 其結果,如圖5所示般,得到之金屬的形狀,為焊料的項 部發生變形,其剖視為朝向第一基板變寬的形狀,連接安定 性優異,於溫度循環可靠性評估(_2g〇c〜i25°c各9分
1000循環)中,電阻值變化率為1〇%以下,為良好的結乘。 (實施例4) 0
除了實施例1之層間接著劑改用下述者之外,係與實 1同樣地進行。 U 除了實施例2之對曱苯酸改為熔點12代之二苯基 羧酸⑽東化學(股)製)之外,係以與實施例i同樣地、 式刮刀方柄塗佈機贿接著轉度絲13_之方% 098106117 22 200945984 行塗佈、乾燥’作成層間接著劑。 其結果’如圖5所示妒,值s丨 下股得到之金屬的形狀,為焊料的頂 部發生變形’其剖視為 為朝向第一基板變寬的形狀,連接安定 性優異,於溫度循環n w 艰了靠性_估dc〜125ΐ各9分鐘 1〇〇〇循環)中,電阻值變化車发 羊為10%以下,為良好的結果。 (比較例1) 除了將實施例1之第一步驟改為用真空麼合機於26{rc、 ❹2MPa下5分鐘,使烊料溶融,未進行回焊之外,係與實施 例1同樣地進行。其結果,如圖6所示般,得到之金屬層的 形狀其d視為朝向第二基板變寬的开多狀。又,由於在層間 接著劑13硬化之前係使焊料熔融,故未見到層間接著劑之 滲出。 * (比較例2) 除了未進行實施例1之第一步驟之外,係與實施例丨同樣 © 地進行。其結果,於第一步驟中未將層間接著劑自金屬被覆 層頂部排除致未能充分達成與導體電路之連接。 本申請案主張以日本專利申請案特願2008-48986、特願 2008-48989、特願 2008-104200 特願 2008-104208、特願 ’ 2008-174430、及特願2008-174429為基礎之優先權,並援 • 用其全部之揭示内容。 【圖式簡單說明】 圖1(a)及(b)為表示本實施形態的第一基板與第二基板 098106117 23 200945984 之截面圖。 圖2為表示本實施形態的第一步驟之截面圖。 圖3為表示本實施形態的第二步驟之截面圖。 圖4為表示本實施形態的接合步驟之截面圖。 圖5為局部地表示本實施形態的電路板之截面照相圖。 圖6為表示習知例之接合部之截面照相圖。 【主要元件符號說明】 11 導體墊 12 第一基材 13 層間接著劑 14 突出部 15 金屬被覆層 16 第一基板 17 導體電路 18 第二基板 19 第二基材 41 金屬合金層 43 接合面 45 導體柱 68 電路板 098106117 24
Claims (1)
- 200945984 七、申請專利範圍: 1. 一種電路板,其特徵在於, 係透過層間接著劑將第一基板(為具備第一基材與由自上 述第一基材突出之突出部及覆蓋上述突出部之金屬被覆層 所構成的導體柱者)與第二基板(係具備第二基材與導體電 路者)積層接著,於上述金屬被覆層與上述導體電路之接合 面係經合金化,並且 ❹ 於上述接合面之剖視的上述金屬被覆層之剖面形狀係自 上述導體電路之上述接合面朝向上述第一基板變寬之形狀。 2.如申請專利範圍第1項之電路板,其係於上述第一基材 與該第基材的對向面’以包圍上述突出部的方式形成上述 金屬被覆層。 鲁 3.如申”專利範圍第1或2項之電路板,其中’上述金屬 被覆層之形狀為朝向上述第-基板增廣之杯狀形狀。 申月專&範11第1或2項之電路板,其中,上述金屬 被覆層係由選自由金、 銀、鎳、錫、鉛、鋅、鉍、銻、銅所 構成的群中之至少丨 構 種金屬所構成或由含有該金屬之合金 ,% 靶固第】 接著劑含有:具有q 項之電路板’其中,上述層間 1〇〇〜300之多官縮水甘油曝,且環氧當量為 以下之具有羧基之 ^如(&);熔點為5〇°C以上、230¾ 098106117 。物(1));與硬化劑(c)。 25 200945984 6. 如申請專利範園帛5項之電路板,其中,上述具有羧基 之化合物(b)之沸點或分解溫度為24〇〇c以上。 7. 如申請專利範圍第5項之電路板,其進而含有合成橡膠 系彈性體。 8. 如申請專利範圍第7項之電路板,其中,上述合成橡膠 系彈性體之重量平均分子量為5〇萬以上。 9. 如申請專利範圍第7項之電路板,其中,上述合成橡膠 系彈性體係經叛酸改質。 10. 如申請專利範圍第5項之電路板,其中,上述硬化劑 (c)含有酚醛清漆酚樹脂。 11. 如申請專利範圍第1〇項之電路板,其中,上述酚醛清 漆酚樹脂係以相對於上述多官能環氧樹脂(a)為〇. 8〜L 2 當量之比例調配。 12. —種電路板之製造方法,其特徵在於包含下述步驟: 準備第一基板之步驟,該第一基板係具備第一基材與由自 上述第一基材突出之突出部及覆蓋上述突出部之金屬被覆 層的導體柱所構成; 準備第二基板之步驟’該第二基板係由第二基材與形成於 上述第二基材之一面侧並承接上述導體柱之導體電路所構 成; 第一步驟’係於上述導體柱面侧或上述導體電路面侧積層 層間接著劑,並使上述導體柱與上述導體電路相向配置而進 098106117 26 200945984 行加熱加壓; 硬驟’係於上述第一步驟之後將上述層間接著劑加熱 接合步驟’係於上述第__ 熔融而— 藉由使上述金屬被覆層 吏上料體柱與上述導體電路進行金屬接合。 _ ΐ請專利範圍第12項之電路板之製造方法其中, 步驟之溫度為15Gt以上,t以下壓力為· 以上、3MPa以下。 14. ,如中請專利範圍第以㈣項之電路板之製造方法, 、 述第步驟係使上述金屬被覆層變形。 15. 如申請專利範_ 14項之魏板之製造方法,其中, 上述金屬被覆層之變形形狀,於上述電路板之剖視中,係自 述導體電路之接合面起擴徑之狀態。 国罘以或13項之電路板之製造万 、上述第一步驟實質上未加壓且溫度為15〇。〇以> °C以下。 ❹ 1β.如申請專利範圍第12或13項之電路板之製造方法, "‘ ,2〇° 17.如申請專利範圍第12或13項之電路板之製造方法, 其中’上述接合步驟之溫度為24(TC以上、28(TC以卞。 18·如申請專·㈣14項之電路板之製造方法,其中, 上述金屬被覆層之㈣係於維持著上述金屬被㈣一衫 形狀下進行。 19.如申凊專利範圍第12或13項之電路板之製造方法, 098106117 200945984 其中,上述第一步驟之處理時間為20秒以上、10分鐘以下。 20. 如申請專利範圍第12或13項之電路板之製造方法, 其中,上述第二步驟之處理時間為30分鐘以上、120分鐘 以下。 21. 如申請專利範圍第12或13項之電路板之製造方法, 其中,上述接合步驟之處理時間為1分鐘以上、10分鐘以 下。 22. 如申請專利範圍第12或13項之電路板之製造方法, 其中,上述層間接著劑含有:具有三個以上縮水甘油醚基, 且環氧當量為100〜300之多官能環氧樹脂(a);熔點為50 °C以上、230°C以下之具有羧基之化合物(b);與硬化劑(c)。 23. 如申請專利範圍第22項之電路板之製造方法,其中, 上述具有羧基之化合物(b)之沸點或分解溫度為240°C以 上。 24. 如申請專利範圍第22項之電路板之製造方法,其進而 含有合成橡膠系彈性體。 25. 如申請專利範圍第24項之電路板之製造方法,其中, 上述合成橡膠系彈性體之重量平均分子量為50萬以上。 26. 如申請專利範圍第24項之電路板之製造方法,其中, 上述合成橡膠系彈性體係經羧酸改質。 27. 如申請專利範圍第22項之電路板之製造方法,其中, 上述硬化劑(c)含有酚醛清漆酚樹脂。 098106117 28 200945984 28.如申請專利範圍第27項之電路板之製造方法,其中, 上述酚醛清漆酚樹脂係以相對於上述多官能環氧樹脂(a)為 0. 8〜1 · 2當量之比例調配。098106117 29 200945984 material 12 and a metallic coating layer 15 covering the protruding portion 14, and a second substrate 18, which comprises a second base material 19 and a conductor circuit 17, layered and bonded via an interlayer adhesive 13; and then alloying a junction face 43 between the metallic coating layer 15 and the conductor circuit 17, so that the cross-sectional shape of the metallic coating Iayerl5 cross-sectionally viewed on the junction face 43 is a shape that widens from the junction face 43 of the conductor circuit 17 toward the first substrate 1 6. 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(4 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 11 導體墊 12 第一基材 13 層間接著劑 14 突出部 15 金屬被覆層 16 第一基板 17 導體電路 18 第二基板 19 第二基材 41 金屬合金層 43 接合面 45 導體柱 68 電路板 五、^案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化 學式: M. 098106117
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