TW200844212A - Organic electronic device - Google Patents

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TW200844212A
TW200844212A TW097106848A TW97106848A TW200844212A TW 200844212 A TW200844212 A TW 200844212A TW 097106848 A TW097106848 A TW 097106848A TW 97106848 A TW97106848 A TW 97106848A TW 200844212 A TW200844212 A TW 200844212A
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fluorinated
alkyl
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aryl
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TW097106848A
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Daniel David Lecloux
Eric Maurice Smith
Norman Herron
Charles J Dubois
Weishi Wu
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Du Pont
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Description

200844212 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此揭示案大體上係關於有機電子裝置。較而言，其係 關於其中至少某些有機活性層由溶液處理形成之裝置。 【先前技術】 在諸如構成OLED顯示器之有機發光二極體（"〇led")的 有機電子裝置巾’有機活性層夹在處於qled顯示哭中之 兩個電接觸層之間。在〇通中，有機活性層為光敏層， 其在將電壓施加至電接觸層中之後透過光透射性電接觸層 發射光。 使用有機電致發光化合物作為發光二極體中之光敏性組 份已為吾人熟知。已使用簡單有機分子、共軛聚合物及有 機金屬錯合物。使用光敏性材料之裝置常常包括一或多個 電何傳輸層，其定位於光敏性（例如發光）層與接觸層（電洞 注入接觸層）之間。裝置可含有兩個或兩個以上接觸層。 電洞傳輸層可定位於光敏性層與電洞注入接觸層之間。電 /同庄入接觸層亦可稱為陽極。電子傳輸層可定位於光敏性 層與電子注入接觸層之間。電子注入接觸層亦可稱為陰 極0 一直需要具有改良之效能的電子裝置。 【發明内容】 提供包含陽極及陰極且在彼等極之間具有有機層之有機 電子裝置，其中有機層依序為·· 緩衝層，其包含導電聚合物及氟化酸聚合物； 129417.doc 200844212 電洞傳輸層； 光敏性層，其包含摻雜材料及主體材料；及 電子傳輸層 其中摻雜材料及主體材料中之至少—者為稠合多環芳族 化合物。 亦提供如上所述之有機電子裝置，其中摻雜材料及主體 材料皆為稠合多環芳族化合物。 亦提供如上所述之有機電子裝置，其中摻雜材料為具有 選自由以下各物組成之群之核心、結構的稠合多環芳族化合 物：并環戍二稀、節、[奠、庚搭烯、伸聯笨基、不對 私一裱戊二烯并苯、對稱二環戊二烯并苯、乙烯合萘、 第、丙稀合萘、菲、蒽、丙二烯合第、乙烯合菲、乙料 蒽、聯伸三苯、祐、篇、并四笨、七曜稀、起、苑、五 苯、并五苯、四鄰亞苯、己芬、稠六苯、玉紅省、蔻、聯 三萘、庚芬、并七笨、皮蒽、卵苯、三苄基苯、二苯并環 庚烧及其組合。 亦提供如上所述之有機電子裝置，其中主體材料為具有 選自由以下各物組成之群之核心結構的稠合多環芳族化合 物·开環戊二稀、節、#、奠、庚搭烯、伸聯苯基、不對 稱二環戊二烯并苯、對稱二環戊二烯并笨、乙烯合萘、 =、丙烯合萘、菲、蒽、丙二烯合苐、乙烯合菲、乙烯合 恩、聯伸二笨、祐、篇、并四笨、七曜稀、起、茈、五 苯二并五苯、四鄰亞苯、己芬、裯六笨、玉紅省、蔻、聯 二奈、庚芬、并七笨、皮蒽、卵苯、三节基苯、：苯并環 129417.doc 200844212 庚烧及其組合。 上述發明内容及下列實施方式僅為例示性及闡明性的， 且並不限制如在附加申請專利範圍中所定義之本發明。 【實施方式】 在附圖中說明實施例以增進對本文中提供之概念之理 解。 許多態樣及實施例已於上文描述且僅為例示性且非限制 性的。在閱讀此說明書之後，熟習此項技術者會領會在不 悖離本發明之範疇的情況下，其他態樣及實施例為可能 的。 實施例中之任一或多者之其他特徵及益處將由以下實施 方式且由申請專利範圍而顯而易見。實施方式首先著手解 決術語之定義及解釋，繼之以裝置結構、光敏性層、電洞 傳輸層、緩衝層、其他裝置層、裝置製造及最終之實例。 1· 術語之定義及解釋 在敍述如下所述之實施例之細節之前，定義或解釋某些 術語。 術語"摻雜材料”用來意謂包括主體材料之層内之一材 料’其與不存在該材料之層之輻射發射、接收或過濾之電 子特性或波長相比較’改變該層之輻射發射、接收或過遽 之電子特性或目標波長。 術浯主體材料’’用來意謂摻雜材料可添加至其中之通常 呈層形式之材料。主體材料可能具有或可能不具有發射、 接收或«輻射之電子特性或能力。可在形成層之前或之 129417.doc 200844212 後將摻雜材料添加至主體一 侣該層之5。重量%以上。 纟…·]中，主體材料 如適用於化合物或基團之術語, 一彻乱女此A 、 方無用來意謂包含至少 團^1 ^子之不飽和環基的有機化合物或基 :。：:二來涵蓋僅具有碳及氣原子之芳族化合物及基 團，及，、中裱基内之碳原子中之一 » ri, ^ 次夕者已經諸如氮、 其類似物之另-原子置換之雜芳族化合物及基 圈0 f'
術語”緩衝層”或，，緩衝材料”用來意謂導電或半導電材料 且在有機電子裝置中可呈 纟罝中了具有一或多個功能，其包括(但不 限於）平坦化下伏層、電荷傳輸及/或電荷注人性質、清除 诸如氧或金屬離子之_，及有料切料機電子裝置 之效能之其他態樣。緩衝材料可為聚合物、寡聚物或小分 子，且可呈溶液、分散液、懸浮液、乳液、膠態混合物或 其他組合物之形式。 當指層、材料、構件或結構時，術語"電荷傳輸"用來意 謂該層、材料、構件或結構以相對有效性及較小電荷損: 而有助於電荷穿越該層、材料、構件或結構之厚度之遷 移。電洞傳輸"係指正電荷。"電子傳輸，，係指負電荷。 術語"基團"用來意謂化合物之一部分，諸如有機化合物 中之取代基或金屬錯合物中之配位子。字首”雜"指示一或 多個碳原子已經不同原子置換。字首"氟，，指示一或多個氫 “子已t氣原子置換。取代基之實例包括（但不限於）烧 基、烯基、炔基、烷氧基、氧基烷基、氧基烯基、氧基炔 129417.d〇c 200844212 基、氟化烷基、氟化烯基、氟化氧基烷基、氟化氧基烯 基、氟化氧基炔基、芳基、雜院基、雜烯基、雜炔基、雜 芳基、_CN、-OR、-C〇2r、_SR、_N(R)2、p(R)2、 -SOR、-S02R&-N02 ;或相鄰基團一起可形成5或6員環烷 基、芳基或雜芳基環，其中R選自烷基及芳基。 術語”液體沈積’’係指自液體材料形成層，且包括連續及 不連續沈積技術。連續液體沈積技術包括（但不限於）旋 塗、凹版塗佈、簾式塗佈、浸潰塗佈、槽模塗佈、噴塗及 連績喷口塗佈。不連續液體沈積技術包括（但不限於）喷墨 式印刷、凹版印刷及絲網印刷。 術浯”液體”用來包括單一液體材料、液體材料組合，且 液體材料可呈溶液、分散液、懸浮液及乳液之形式。 術語，，層，，與術語”膜”可交換使用且係指覆蓋所需區域之 塗層。該術語並不受大小限制。該區域可大至整個裝置或 小至諸如實際視覺顯示器之特定功能區域，或小至單一子 像素。 術語"光敏性"係指當由所施加之電壓活化時發射光（諸如 在發光二極體或發光電化學電池中）或在存在或不存在所 施加之偏麼之情況下對輻射能作出反應且產生信號(諸如 在刪器中)之材料。在—實施例巾，光敏性層為發射 極層。 術m夕％方私"係指具有一個以上芳環之化合物。環可 由-或多個鍵接合’或其可稠合在一起。稍合多環芳族化 合物具有兩個或兩個以上稠合在一起之環。 129417.doc 200844212 術語”聚合物，，用來意謂具有至少一個重複單體單元之材 料。該術語包括具有僅一個種類之單體單元之均聚物，及 具有兩個或兩個以上不同單體單元之共聚物。共聚物為聚 合物之子集。在某些實施例中，聚合物具有至少5個重複 口 σ 一 單7〇。 當指化合物時，術語，，小分子”用來意謂不具有重複單體 • I元之化合物。纟某些實施例中，小分子具有不超過大約 Γ 2_公克/莫耳之分子量。 術語，，導電聚合物”用來意謂在不添加碳黑或導電性金屬 顆粒的情況下固有地或内在地能夠導電之任何聚合物或寡 聚物。導電聚合物組合物之電導率量測為由組合物製成之 膜之以S/cm為單位之側向電導率。 術語’’氟化酸聚合物，，用來意謂具有酸基之聚合物，其中 至少某些氫已經氟置換。術語”酸基”係指能夠電離以將氫 離子給予布忍司特鹼（Br0nsted base)之基團。 V 如本文中所用，術語，，包含"、，，包括，，、”具有，，或其任何 其他左化用來覆盍非獨佔性包括。例如，包含所列出之要 素之過程、方法、物件或裝置並不一定僅限於彼等要素而 可包括未明確地列出或該過程、方法、物件或裝置所固有 ， 之其他要素。另外，除非明確地相反地陳述，”或”係指包 括性或且非獨佔性或。例如，以下情況中之任一者皆滿足 條件A或B·· A為真（或存在）sB為假（或不存在），A為假（或 不存在）且B為真（或存在），及A&B皆為真（或存在）。 又，使用”一”用於描述本文中描述之要素及組份。此使 129417.doc 200844212 用僅係為方便起見且給出本發明之範疇之一般含義。此種 4田述應理解為包括一個或至少一個且該單數亦包括複數， 除非其明顯有有別於此之意義。 與70素週期表内之攔對應之組號使用如 〇/ C/zem⑻，第 81版（2〇〇〇_2〇〇1)中所見之，，新 穎標記法”規約。 除非另作定義，否則所有本文中所用技術及科學術語具 有與通常由一般熟習本發明所屬之技術者所瞭解之含義相 同的含義。雖然與彼等本文中描述者類似或等效之方法及 材料可用於實踐或測試本發明之實施例，但是合適方法及 才料私述如下。除非引用特定段落，否則本文中提及之所 有公開案、專利申請案、專利及其他參照案全部以引用方 式併入。在衝突之情況下，本說明書（包括定義）將為準。 另外，材料、方法及實例僅為說明性且不意欲具有限制 性。 Q “在本文中未描述之範圍内，關於特定材料、處理行為及 電路之井多細節為f知的且可見於有機發光二極體顯示 11 κ貞測器、㈣及半導電構件技術内之教科書及其他 來源中。 2· 裝置結構 ，可受益於具有一或多個如本文中描述之光敏性層之有機 電子裝置包括（但〗限於）⑴將電能轉化成輕射之裝置（例 女毛光一極體、發光二極體顯示器或二極體雷射）、（2)經 由電子過私偵測信號之裝置（例如光偵測器、光導電池、 129417.doc 200844212 光敏電阻n、光控㈣、光f晶體、$ 電池），及（4)包括一或多個包括一或 Φ , j. 一 有機半導體層之 電子組件的裝置（例如電晶體或二極體）。 0有機電子裝置結構之—圖解展示於圖心裝置_具有 二極層？及陰極層16。，以及該等極之間的光敏性層 ％極鄰接的為緩衝層120。與緩衝層鄰接的為電洞 傳輸層130,纟包含電洞傳輸材料。與陰極鄰接的可為電 子傳輸層150，其包含電子傳輸材料。作為一€擇方案， 裝置可使用緊鄰陽極110之一或多個額外電洞注入或電洞 傳輸層（未圖示）及/或緊鄰陰極16〇之一或多個額外電子注 入或電子傳輸層（未圖示）。 在一實施例中，不同層具有以下厚度範圍··陽極丨丨^ 500-5000 A，在一實施例中1〇〇〇_2〇〇〇 Α ;緩衝層，川 2000 Α，在一實施例中20(Μ000 Α;電洞傳輸層12〇, 5〇· 2000 A，在一實施例中200_1000 Α ;光敏性層13〇， 2000 A，在一實施例中 10(M000 A ;層 14〇，50_2000 Α， 在一實施例中 100-1000 A ;陰極 150，200-10000 A，在 _ 實施例中300-5000 A。裝置中之電子-電洞再結合區之位 置’且因此裝置之發射光譜可受每一層之相對厚度的影 響。層厚度之所需比率將視所使用材料之確切性質而定。 3. 光敏性層 光敏性層包含光敏性換雜材料及主體材料，其中摻雜物 及主體中之至少一者為稠合多環芳族化合物。主體及摻雜 129417.doc -13- 200844212 材料可獨立為小分子材料或聚合材料。在某些實施例中， 摻雜物及主體材料皆為小分子材料。 材料之純化可使用任何已知純化技術來完成。此等包括 (但不限於）溶液純化技術，諸如再結晶及管柱層析；及氣 相昇華技術，諸如分批氣相蒸餾、系列昇華、安瓶氣相再 結晶及逐區精煉。在某些實施例中，使用一種以上技術。 在某些實施例中，使用溶液純化及氣相昇華之組合。 ( a·光敏性摻雜材料 在某些實施例中，光敏性摻雜材料為電致發光的且選自 具有紅、綠及藍發射色之材料。電致發光材料包括小分子 有機螢光化合物、螢光及磷光金屬錯合物、共軛聚合物及 其混合物。金屬錯合物之實例包括（但不限於）金屬螯合之 類咢辛化合物，諸如參（8_羥基喹啉根基）鋁（A1Q);環金屬 化銀及銘電致發光化合物，諸如如pet⑺v等人之美國專利 6,670,645 及公開 PCT 申請案 w〇 〇3/〇63555 及 w〇 c, 2004/016710中揭示之銥與苯基吡啶、苯基喹啉或笨基嘧 π配位子之錯合物，及例如公開PCT申請案 〇3/0〇8424、W0 03/091688及|〇 〇3/〇4〇257 中描述之有機 金屬錯合物，及其混合物。共軛聚合物之實例包括（但不 _ 限於）聚（伸苯基伸乙稀基）H聚（螺聯苐）、聚嗟吩、 聚（對伸苯基）、其共聚物及其混合物。 在某些實施例中，EL材料為稠合多環芳族化合物。在某 些實施例中，EL材料具有選自由以下各物組成之群之核；； 結構： 129417.doc -14- 200844212 幷環戊二烯 茚 萘 奠
— - 庚搭烯 伸聯苯基 不對稱二壞戊二婦幷苯 對稱二壞戍二稀幷本 129417.doc -15- 200844212 乙烯合萘
r^ii^S^S 苐 丙烯合萘 菲 蒽 丙二烯合苐 129417.doc 16- 200844212 乙、肺合菲 乙烯合蒽 聯伸三苯 比 4卜 屈 129417.doc 17 200844212 幷四苯 f
七曜烯 ί^Ί 苞 i^Y^r^V^V^V^ 茈 五苯 129417.doc -18- 200844212 幷五苯
四鄰亞苯
己务 稠六本 ί^Ί 玉紅省 129417.doc 19- 200844212 蔻 聯三萘
XX -20- 庚分 129417.doc 200844212 ι^Υ^Τ^ι 幷七苯 皮蒽
卵苯 三苄基苯 129417.doc -21 - 200844212
二笨并環庚烷 在某些實施例中，兩個或兩個以上核心結構可接合在一 起。其可藉由簡單鍵接合在一起以形成核心結構之二聚、 券聚或聚合、交體。其可稠合在一起，諸如茚并茈及茚并 比〇 () 在某些貝施例中，核心結構可具有一或多個額外稠合芳 環，諸如苯并苐。 在某些實施例中，核心之某些部分可氫化，諸如四氫芘 及/、氫1^。在某些實施例中，核心為1，2,3,6,7,8_六氫芘。 因此，核心基團命名之使用意欲包括核心基團之氫化形 式。 在某些實施例中，核心含有至少一個雜環，其中 置換，或CH2經0、S*NR置換，其中尺為烷基或芳基。 t 核心稠合多環芳族結構可未經取代或經取代。取代基之 實例包括（但不限於）烷基、烯基、炔基、烷氧基、氧基烷 基、氧基烯基、氧基炔基、氟化烷基、氟化烯基、氟化氧 基烧基、氟化氧基烯基、氟化氧基炔基、芳基、雜烷基、 雜烯基、雜炔基、雜芳基、-CN、-OR、_C〇2R、_SR、 _n(R)2、-p(r)2、-SOR、-so2r、-N〇2、_R3_〇h …CH2 c6H5、-r3_c(〇)〇-Z、-R3-0_R5、-R3-〇-r、c(〇)〇 z、_r3 -〇-R4-so3z 及-R3_0_c(0)-N(r6)2 ;其中所有1，，基團在每 次出現時相同或不同且： 129417.doc -22- 200844212 R選自烧基及芳基 R3為單鍵或伸烷基 R4為伸烷基 R5為烷基 R6為氫或烧基 Z 為 Η、Li、Na、K、N(R5)4 或 R5。
以上基團中之任-者可另外未經取代或經取代，且任何基 團可使F取代一或多個氫，包括全氟化基團。 在某些實施例中，EL材料為具有至少一個選自由烷基、 芳基、芳基胺及其組合組成之群之取代基的稠合多環^族 化合物。在某些實施例中，化合物具有至少兩個二芳基胺 取代基。在某些實施例中，二芳基胺為咔唑或經取代咔唑 基團。在某些實施例中，二芳基胺具有選自苯基、萘基、 蒽基及其組合之芳基。 在某些實施例中，EL材料之核心結構具有至少三個祠 環。在某些實施例中，核心結構係選自由萘、蒽、篇、 芘、并四苯及茈組成之群。 在某些實施例中，EL材料具有選自由以下各物組成之群 之核心：蒽、荔、芘、四氫芘， 四氫芘 及六氫芘 129417.doc -23- 200844212 六氫芘
其中該核心具有至少一個取代基。在一實施例中，該核心 具有至少一個二芳基胺基取代基及至少一個選自由以下各 基組成之群之第二取代基：烷基、氟基、氟烧基、烷氧 基、氟烧氧基、芳氧基、氟芳氧基、氟烧基芳氧基、芳 基、敗芳基及n烧基芳基。 在某些實施例中，該EL材料具有為茈之核心，其具有至 少一個選自由以下各基組成之群之取代基：胺基、烷基、 氟基、氟烷基、烷氧基、氟烷氧基、芳氧基、氟芳氧基、 氟烷基芳氧基、芳基、氟芳基及氟烷基芳基。在一實施例 中，取代基為烧基或芳基。 在某些實施例中，EL材料係選自由以下各物組成之群：
紅螢稀 129417.doc -24- 200844212
環弗辛(periflanthene)
入。
亞胺基二苄基 二苯并处喃 香豆素 硼，[(1，2-二氫-2,2’_次甲基二喹啉根基)(1_)]二氟基衍生物 及
129417.doc -25- 200844212
Γ
以上EL材料具有至少一個選自由以下各基組成之群之取代 基：胺基、烧基、氟基、氣烧基、烧氧基、氟烧氧基、芳 氧基、氟芳氧基、氟烷基芳氧基、芳基、氟芳基及氟烷基 芳基。 b. 主體材料 在某些實施例中，主體材料為稠合多環芳族化合物。在 某些實施例中，主體材料具有選自由以下各物組成之群之 核心結構· - 129417.doc -26- 200844212
伸聯苯基 - 不對稱二環戊二烯幷苯 對稱二環戊二稀幷苯 ί 乙烯合萘 第 129417.doc -27- 200844212 Γ^ ί^Νί^Τ^Υ^Ί 丙烯合萘 非 蒽 丙二烯合苐 乙稀合菲 乙烯合蒽 129417.doc •28- 200844212 聯伸三苯 比 r^Y^i 4Λ- 屈 幷四苯
七曜烯 129417.doc -29- 200844212 Γ^ι 茈 ί^Ί 五苯 幷五苯 129417.doc -30- 200844212
四鄰亞苯
己分 稠六苯
玉紅省 129417.doc -31 · 200844212 蔻 聯三萘 V/ -32- 庚芬 129417.doc 200844212 幷七苯
卵苯 三苄基苯 皮蒽 129417.doc -33- 200844212
二笨弁壞庚烧 在某些實施例中，兩個或兩個以上核心結構可接合在一 起。其可藉由簡單鍵接合在一起以形成核心結構之二聚、 募聚或聚合變體。其可稠合在一起，諸如茚并茈及茚并 Λ-h 比〇
在某些實施例中，核心結構可具有一或多個額外稠合芳 環，諸如苯并苐。 在某些實施例中，核心之某些部分可氫化，諸如四氫芘 及六氫芘。 在某些實施例中，核心含有至少一個雜環，其中CH經N 置換，或CH2經Ο、S或NR置換，其中R為烷基或芳基。 核心稠合多環芳族結構可未經取代或經取代。取代基之 實例包括（但不限於）i素、烷基、烯基、炔基、烷氧基、 氧基烷基、氧基烯基、氧基炔基、氟化烷基、氟化烯基、 氟化氧基烷基、氟化氧基烯基、氟化氧基炔基、芳基、雜 烷基、雜烯基、雜炔基、雜芳基、-CN、-OR、-C02R、 -SR、-N(R)2、-P⑻2、-SOR、-S02R、-N02、-R3-OH、 -ch2-c6h5、-r3-c(o)o_z、-r3-o-r5、-r3-o-r4-c(o)o -z、-r3-o-r4-so3z及-r3-o-c(o)-n(r6)2 ;其中所有，’Rn基 團在每次出現時相同或不同且： R選自烷基及芳基 R3為單鍵或伸烷基 129417.doc • 34- 200844212 R4為伸烷基 R5為烷基 R為氣或烧基 z為 H、Li、Na、K、n(r5)4 或 r5。 以上基團中之任—者可另外未經取代或經取代，且任何 基團可使F取代-或多個氫，包括全氟化基圈。 某—實她例中，主體材料為具有至少一個選自由烷 基、方基及其組合組成之群之取代基的稠合多環芳族化合 物。 ，在某_貝&例中，主體材料具有選自由以下各物組成之 :之杉U、、σ構·并J衣戊二烯、茚、萘、奠、庚搭烯、伸聯 苯基不對稱一 J衣戊二稀并$、對稱二環戍=稀并苯、苊 烯蔡、第、丙烯合萘、#、葱、丙二稀合g、乙稀合菲、 乙烯口恩、聯伸三苯、&、荔、并四苯、茈及四鄰亞苯。 在某些實施例中’主體具有蒽核心結構。在某些實施例 中，主體具有下式：
An_L-An 其中：
An為复、部分； L為二價連接基團。 在此式之某些實施例中，L為單鍵、-〇_、-s•、-n(r)_或 芳基。在某些實施例中，An為單或二苯基蒽基部分。 在某些實施例中，主體具有下式：
A-An-A 129417.doc -35· 200844212 其中：
An為蒽部分； A為芳基。 在某些實施例中， 化合物為對稱的且在 在某些實施例中， 主體為二芳基蒽。在某些實施例中， 某些實施例中，化合物為非對稱的。 主體具有下式：
A及A在每次出現時為相同或不同的且係選自由η、芳 基及烯基組成之群，或Α可表示—或多個稠合芳環； p及q為相同或不同且為1_3之整數。
某二貝施例中，恩衍生物為非對稱的。在某些實施例 中，P=2且q=l。在某些實施例中，^及八2中之至少一者 奈基。 … 在某些實施例中，主體具有選自由第、萘、芘、茈、 荔四氫芘及六氫芘組成之群之核心結構，其中存在至少 個選自由以下各基組成之群之取代基：烷基、氟基、氟 烷基、烷氧基、氟烷氧基、芳氧基、氟芳氧基、氟烷基芳 氧基、芳基、氟芳基及氟烷基芳基。 在某些實施例中，主體可與作為光敏性層中之發射極的 129417.doc -36- 200844212 另一主體組合使用。 4. 電洞傳輸層 電洞傳輸層之電洞傳輸材料之實例已例如在γ· Wang之 Kirk_Othmer Encyclopedia of Chemical Techn〇1〇gy，第四 版，第18卷，第837-860頁，ip%中概述。可使用電洞傳 輸小分子及聚合物。通常使用之電洞傳輸分子包括（但不 限於）：4,4’，4’’-參（N，N-二苯基·胺基卜三苯基胺（TDATA); 4,4’，4”-參（N-3_甲基苯基·Ν_苯基-胺基 >三苯基胺 (MTDATA) ; N，N’-二苯基 _n，N，·雙（3-甲基苯基）-[1，1’-聯 苯]-4,4’-二胺（TPD) ; 4,4’-雙（咔唑 _9_基）聯苯（CBP) ; 1，3· 雙（咔唑-9-基）苯（mCP) ; 1，1-雙[(二_4_甲苯基胺基）苯基μ裒 己烧（TAPC) ; Ν，Ν’-雙（4·甲基苯基）-Ν，Ν，-雙（4-乙基苯基）_ [1，1’-(3,3’-二甲基）聯苯]-4,4’-二胺（£丁？0);肆-(3-甲基苯 基）-队队：^’，；^’-2,5-苯二胺（？〇八）；〇1-苯基-4-；^，>^二苯基胺 基笨乙稀（tps);對（二乙基胺基）_苯甲醛二苯基腙（DEH); 三苯基胺（TPA);雙[4-(N，N-二乙基胺基）_2·甲基苯基](4_ 甲基苯基）甲烷（ΜΡΜΡ) ; 1-苯基-3-[對（二乙基胺基）苯乙烯 基l·5·[對（二乙基胺基）苯基]吼唑淋(PPR或DEASP) ; 1，2-反-雙（9Η-咔唑冬基）環丁烷（DCZB);队队^，-肆（4-甲基 苯基）-(1，1，-聯苯）-4,4，-二胺（TTB); Ν，Ν，-雙（萘-1-基）-Ν，Ν’-雙-(苯基）聯苯胺（α_ΝΡΒ);及卟啉系化合物，諸如銅 酉太青。通常使用之電洞傳輸聚合物包括（但不限於）聚乙稀 基味嗤、（苯基甲基）聚矽烷、聚（二氧基噻吩）、聚苯胺及 聚吼洛。亦可藉由將諸如彼等如以上所提及之電洞傳輸分 129417.doc -37- 200844212 子摻雜至諸如 傳輸聚合物。 聚苯 乙烯及聚碳酸酯 之聚合物中來獲得電 洞 竿此實㈣輸層包含電洞傳輸聚合物。在 二二ΓΓ例'，芳基具有兩個或兩個以上稠合芳 "并二?中，芳基為并苯。如本文中所用之術語 并本係才曰含有呈直線配署彡4 合苯環的烴親本組份。；兩個或兩個以上鄰位稠 在某些實施例中，電洞傳輸聚合物為芳基胺聚合物。在 某些員施例中’其為苐及芳基胺單體之共聚物。 在某些實施例中，聚合物具有可交聯之基團。在某些實 施例中’交聯可藉由熱處理及/或曝露於…或可見輻射來 70成。可父聯基團之實例包括(但不限於)乙烯基、丙烯酸 醋、全氟乙烯基_、r苯并_3,4_環丁烧、石夕氧烧及甲基 S曰。可父聯聚合物可在製造溶液過程〇LED方面具有優 點。施用可浴性聚合材料來形成可在沈積之後轉化為不溶 性膜的層，可允許製造免除層溶解問題的多層經溶液處理 之OLED裝置。 可交聯聚合物之實例可見於例如公開美國專利申請案 2005-0184287及公開 pct 申請案 WO 2005/052027 中。 在某些實施例中，電洞傳輸層包含聚合物，其為9,9-二 烧基苐及三苯基胺之共聚物。在某些實施例中，聚合物為 9,9-二烷基苐及4,4’-雙（二苯基胺基）聯苯之共聚物。在某 些實施例中，聚合物為9,9-二烷基苐及TPB之共聚物。在 129417.doc -38 - 200844212 某些實施例中，聚合物為9,9-二烷基苐及NPB之共聚物。 在某些實施例中，共聚物由選自（乙烯基苯基）二苯基胺及 9,9-二苯乙烯基第或9,9-二（乙烯基苄基）第之第三共聚單體 製成。 在某些實施例中，電洞傳輸層包含具有式I之聚合物：
其中a、b及c表示單體在聚合物中之相對比例且為非零整 數；η為至少2之非零整數。在某些實施例中，a、wc具 有在H0範圍内之值。在某些實施例中，比率We具有範 圍（1-4):(1-4):(1-2)。在某些實施例中，_2_5〇〇。 在某些實施例中’電洞傳輪層包含具有式π之聚合物··
式II 具中a、b及 數； ，-叫 ^ 為至少2之非零整數。在某些實施例中 b及c具 129417.doc -39- 200844212 有在0.001-10範圍内之值。在某些實施例中，比率a:b:c具 有範圍（2-7): (2-7):(1-3)。在某些實施例中，η為2_500。 電洞傳輸層之聚合物，特定而言具有式I或式Π之聚合物 通常可藉由三個已知合成途徑來製備。在第一合成方法 中’如 Yamamoto，Progress in Polymer Science，第 17卷， 第1153頁（1992)中所述，使單體單元之二鹵基或二三氟甲 績酸醋衍生物與化學計量之量之零價鎳化合物（諸如雙 (1，5-環辛二烯）鎳（0))反應。在第二方法中，如〇〇1〇11等 人，Journal of P〇lymer Science，部分 A，高分子化學版， 第28卷，第367頁（1990)中所述。單體單元之二鹵基或二三 氟甲磺酸酯衍生物在化學計量之量之能夠將二價鎳離子還 原成零價鎳之材料存在下與催化量之鎳（11)化合物反應。 合適材料包括辞、鎂、鈣及鋰。在第三合成方法中，如美 國專利5,962,631及公開PCT申請案WO 00/53565中所述， 一單體單元之二齒基或二三氟甲磺酸酯衍生物在諸如肆 (二苯基膦）Pd或Pd(OAc)2之零價或二價鈀觸媒存在下，與 具有兩個選自g朋酸、g朋酸酯及硼烷之反應性基團的另一單 體單元之衍生物反應。 在某些實施例中，電洞傳輸層包含選自由P丨至p丨丨組成 之群之聚合物： 129417.doc -40- 200844212 PI:
^49^36^6^2 準確質量：766.28 分子量：766.81
P2:
129417.doc -41 - 200844212
129417.doc -42- P9
c
在某些實施例中，雷、 〇^ph 成之群之聚合物，。同傳輪層包含選自由P2至P5及P7組 在某些實施例中:、：形成層之後經交聯。 P9或P11組成之^洞傳輸層包含選自由P1及P6、p8、 5.緩衝層 物其在形成層之後經加熱。 緩衝層可由常常摻雜有質子酸之聚合材料形成，諸 苯胺（PANI)或聚伸乙m分㈣謝）。質子酸可例如 為聚（苯乙烯續酸）、聚（2_丙稀醯胺基甲基小丙烧確酸） 129417.doc -43- 200844212 及其類似物。 緩衝層可包含電荷轉移化合物及其類似物，諸如銅酞菁 及四硫富瓦烯-四氰基對醌二甲烷系統(ttf_tcnq)。 在某些實施例中，緩衝層包含至少一種導電聚合物及至 少一種氟化酸聚合物。 在某些實施例中，導電聚合物將形成具有至少1〇.7 . 。電導率之冑自其形成導電聚合物之單體稱作"前驅體 单體，，。共聚物將具有一種以上前驅體單體。在某些實施 例中，導電聚合物由至少一種選自。塞吩、砸吩、締吩、吼 咯、苯胺及多環芳族之前驅體單體製成。由此等單體製成 之聚合物在本文中分別稱為聚嗟吩、聚(砸吩）、聚(蹄 吩）、聚°比略、聚苯胺及多環芳族聚合物。術語,,多環芳族” 係指具有一個以上芳 、 、 方衣之化合物。環可由一或多個鍵連 或其二稠合在—起。術語，，芳環"意欲包括雜芳族環。 夕％雜芳族”化合物呈右 物八有至J 一個雜芳族環。在某些實施 例中，夕環芳族聚合物為聚卜塞吩并。塞吩）。 合物可為經氣化且具有具備酸性質子之酸基的 合物。該術語包括部分地及完全氟化之材料。在某 二貝知例中，氟化酸聚合物古# '、 古田$小⑽， 口物同度氣化。術語，，高度氟化，，意 0月夕/〇之與碳鍵結之可用氡已妳裔罢她 電離之質子。在某 用：已，4置換。酸基供應可 pKa . ^ μ ”二只施例中，酸性質子具有小於3之 此竇m 士 夂性貝子具有小於〇之PKa。在某 ^物1 性質子具有小於_5之咖。酸基可直接斑 鍵連接’或其可與聚合物主鏈上之側鏈連接。酸 129417.doc -44- 200844212 基之㈣包括（但不限於）羧酸基、續酸基、磺醯亞胺基 團、碟酉夂基團、膦酸基團及其組合。酸基可全部相同，或 聚合物可具有一個以上類型之酸基。 在某些實施例中’i化酸聚合物為水溶性的。在某些實 二例中’敵化酸聚合物可分散於水中。在某些實施例中， 氟化酸？K合物為有機溶劑可濕性的。 在某二Μ %例中，氟化酸聚合物具有經氟化之聚合物主 鏈。合適聚合主鏈之實例包括（但不限於）聚稀煙、聚丙稀 S夂酉曰、聚甲基丙烯酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚芳族聚醯 胺、聚丙烯醯胺、聚苯乙烯及其共聚物。在某些實施例 中，♦合物主鏈向度氟化。在某些實施例中，聚合物主鏈 完全氟化。 在某些g施例中’酸基為績酸基或績醯亞胺基團。績醯 亞胺基團具有下式： -so2_nh-so2-r 其中R為烷基。 在某些實施例中，酸基處於氟化側鏈上。在某些實施例 中’氟化側鏈選自烷基、烷氧基、胺基、醚基團及其組 合0 在某些實施例中，I化酸聚合物具有具備側位I化醚磺 酸鹽、氟化酯磺酸鹽或氟化醚磺醯亞胺基團的氟化烯烴主 鏈。在某些實施例中，聚合物為i，l_二氟乙烯及^(丨上二 1·2-(三氟甲基）烯丙氧基兴丨3,2,2-四氟乙烷磺酸之共聚 物。在某些實施例中，聚合物為乙烯及2-(2-(1，2,2-三氟乙 129417.doc -45- 200844212 烯氧基^’:^从心六氟丙氧基^山^-四說乙院續酸之 共聚物。此等共聚物可製造為相應石黃醯基氟化物聚合物且 隨後可轉化成磺酸形式。 在某些實施例中，氟化酸聚合物為氟化及部分地磺化聚 (伸芳基醚砜）之均聚物或共聚物。共聚物可為嵌段共聚 物。共聚單體之實例包括(但不限於)丁二烯、丁烯、異丁 婦、苯乙浠及其組合。 ( 在某些實施例中，緩衝層由導電聚合物及形成膠體之聚 合酸之水性分散液製成。該等材料已描述於例如公開美國 專利申清案 2004-0102577、2004-012763 7 及 2005-0205860 中。 6·其他裝置層 裝置中之其他層可由已知適用於該等層中之任何材料製 成。陽極為尤其有效用於注入正電荷載流子之電極。其可 由例如含有金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金 屬氧化物之材料製成，或其可為導電聚合物及其混合物。 合適金屬包括第11族金屬、第4族、第5族及第6族中之金 屬’及第8-10族過渡金屬。若陽極將為光透射性的，則通 . 常使用第12族、第13族及第14族金屬之混合金屬氧化物， ' 諸如氧化銦錫。如"Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer” Nature 第 357卷，第 477 479頁（1992年6月11日）中所述，陽極亦可包含諸如聚笨胺 之有機材料。陽極及陰極中之至少一者應至少部分透明的 以允許觀察到所產生之光。 129417.doc -46- 200844212
可用於可選電子傳輸層140中之電子傳輸材料之實例包 括金屬螯合類咢辛化合物，諸如參（8 -經基啥琳根基）铭 (A1Q)、雙（2_甲基-8-喧琳根基）（對苯基紛根基）铭（BAlq)及 肆-(8-羥基喹啉根基）锆（ZrQ);及唑化合物，諸如2-(4-聯 笨基）-5-(4-第三丁基苯基）-1，3,4-噁二唑（？60)、3-(4-聯苯 基M-苯基-5-(4-第三丁基苯基）-1，2,4·三唑（TAZ)及1，3,5-三（苯基_2-苯并咪唑）苯（TPBI);喹喏啉衍生物，諸如2,3_ 雙（4_說笨基）喹喏啉；菲啉，諸如4,7-二苯基·ι，ι〇-菲啉 (DPA)及2,9-二甲基-4,7_二苯基]，10-菲啉（DDPA);及其混 合物。 陰極為尤其有效用於注入電子或負電荷载流子之電極。 陰極可為具有比陽極低之功函數的任何金屬或非金屬。用 於陰極之材料可選自第1族之鹼金屬（例如Li、Cs)、第2族 (驗土）金屬、包括稀土元素及鑭系元素之第12族金屬，及 锕系元素。可使用諸如鋁、銦、鈣、鋇、釤及鎂之材料以 及組口。含有Li之有機金屬化合物（LiF及Li2〇)亦可沈積於 有機層與陰極層之間崎低丄作電壓。此層可稱作電子注 入層0 7·裝置製造 在某心施例中’裝置藉由緩衝層、電洞傳輸層及光敏 欧層之液體沈積，且藉由陽極、電子傳輸層、電子注入層 及陰極之氣相沈積來製造。 曰 緩衝層可自 何液體介質中 其溶解或分散於其中且將自其形成薄膜之任 沈積。在一實施例中，液體介質基本上由一 129417.doc •47- 200844212 或多種有機溶劑組成。在—丧 水或水及有機溶劑組成。在每例中’液體介質基本上由 由醇、酮，及多元醇組 以“抓自 人〈辟。在一實施例中，有機 液體選自二甲基乙醯胺（"Dm 有栻
Ac )、甲基吡咯啶酮 ("NMP”）、二曱基曱醯胺（，，DMf & 乙一醇（’’£Gn)、脂族醇 及/、混&物。緩衝材料可以〇 0至1〇重$百分比之量存在 於液體；丨貝中。視液體介質而定 貝而疋可使用其他重量百分比之
緩衝材料。緩衝層可藉由任何車 7連，或不連續液體沈積技術 來塗覆。在一實施例中，緩衝厣拉 及柯層精由旋塗來塗覆。在一實 施例中，緩衝層藉由喷墨戎e 才a 、飞P刷來塗覆。在液體沈積之 後，液體：質可在室溫下或伴以加熱在空氣中、在惰性氣 氛中’或藉由真空來移除。在—實施例中，將層加熱至小 於275 C之μ度。在一實施例中，加熱溫度介於1〇〇它與 275 C之間。在一實施例中，加熱溫度介於1〇〇它與丨2〇。〇 之間。在一實施例中，加熱溫度介於1〇〇〇c與14〇。〇之間。 在一實施例中，加熱溫度介M14(rc與l6(rc之間。在一實 施例中，加熱溫度介於16〇°C與180°C之間。在一實施例 中’加熱溫度介於180。(：與200°C之間。在一實施例中，加 熱溫度介於200°C與220°C之間。在一實施例中，加熱溫度 ”於190 C與220 C之間。在一實施例中，加熱溫度介於 220°C與240°C之間。在一實施例中，加熱溫度介於240°C 與260°C之間。在一實施例中，加熱溫度介於260。(：與275 °C之間。加熱時間視溫度而定，且通常介於5與60分鐘之 間。在一實施例中，最終層厚度介於5與200 nm之間。在 129417.doc -48· 200844212 一實施例中，最終層厚度介於5與40 nm之間。在一實施例 中’最終層厚度介於40與80 nm之間。在一實施例中，最 終層厚度介於80與120 rnn之間。在一實施例中，最終層厚 度介於120與160 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介 於160與200 nm之間。 可自電洞傳輸層可溶解或分散於其中且將自其形成薄膜 之任何液體介質中沈積電洞傳輸層。在一實施例中，液體 介質基本上由一或多種有機溶劑組成。在一實施例中，液 體介質基本上由水或水及有機溶劑組成。在—實施例中， 有機溶劑為芳族溶劑。在—實施例中，有機液體選自氯 仿、二氣甲院、曱苯、二甲苯、均三甲苯、苯甲喊及其混 合物。電洞傳輸材料可以〇.2至2重量百分比之濃度存在於 液體介質中。視液體介質而定可使用其他重量百分比之電 洞傳輸材料。電洞傳輸層可藉由任何連續或不連續液體沈 積技術來塗覆。在—實施例中，電洞傳輸層藉由旋塗來塗 覆。在—實施例中，電洞傳輸層藉由噴墨式印刷來塗覆。 在液體沈積之後，液體介質可在室温下或伴以加熱在空氣 中、在惰性氣氛中，或藉由真空來移除。在—實施例中， 將層加熱至30(TC或更小之溫度。在一實施例中，加熱溫 度介於17代與2听之間。在—實施例中，加熱溫度介於 :〇C與200。。之間。在一實施例中，加熱溫度介於19〇。。 C之間在—實施例中，加熱溫度介於2丨〇。〇與240 C之間在λ施例中’加熱溫度介於23〇°c與27〇〇c之 間在一實施例中，加熱溫度介於27〇〇c與3〇(rc之間。加 129417.doc -49- 200844212 熱時間視溫度而定，且通常介於5與60分鐘之間。在一實 施例中，最終層厚度介於5與50 nm之間。在一實施例中， 最終層厚度介於5與15 nm之間。在一實施例中，最終層厚 度介於15與25 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於 25與35 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於35與5〇 nm之間。 可自光敏性層可溶解或分散於其中且將自其形成薄膜之 任何液體介質中沈積光敏性層。在一實施例中，液體介質 基本上由一或多種有機溶劑組成。在一實施例中，液體介 質基本上由水或水及有機溶劑組成。在一實施例中，有機 溶劑為芳族溶劑。在一實施例中，有機溶劑選自氣仿、二 氣甲烷、甲苯、苯甲醚、2-丁酮、3-戊_、乙酸丁酯、丙 酮、二甲苯、均三甲苯、氯苯、四氫呋喃、乙醚、三氟甲 苯及其混合物。光敏性材料可以〇·2至2重量百分比之漢产 存在於液體介質中。視液體介質而定可使用其他重量百分 比之光敏性材料。光敏性層可藉由任何連續或不連續液體 沈積技術來塗覆。在一實施例中，光敏性層藉由旋塗來塗 覆。在一實施例中，光敏性層藉由喷墨式印刷來塗覆。在 液體沈積之後’液體介質可在室溫下或伴以加熱在空氣 中、在惰性氣氛中，或藉由真空來移除。最佳烘焙條件視 移除之液體之蒸氣壓性質及其與液體之分子間相互作用而 定。在一實施例中，將沈積層加熱至大於具有最高Tg之材 料之Tg的溫度。在一實施例中，將沈積層加熱至比具有最 高Tg之材料之Tg高10至20°C的溫度。在一實施例中，將沈 129417.doc -50- 200844212 積層加熱至小於具有最低Tg之材料之1^的溫度。在一實施 例中，加熱溫度比最低Tg小至少1 〇°c。在一實施例中，加 熱溫度比最低Tg小至少20°C。在一實施例中，加熱溫度比 最低Tg小至少30°c。在一實施例中，加熱溫度介於50°c與 150°C之間。在一實施例中，加熱溫度介於50°C與75°C之 間。在一實施例中，加熱溫度介於75°C與100°C之間。在 一實施例中，加熱溫度介於l〇〇°C與125°C之間。在一實施 例中，加熱溫度介於125°C與150°C之間。加熱時間視溫度 而定，且通常介於5與60分鐘之間。在一實施例中，最終 層厚度介於25與100 nm之間。在一實施例中，最終層厚度 介於25與40 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於4〇 與65 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於65與8〇 nm 之間。在一實施例中，最終層厚度介於80與1〇〇 nm之間。 電子傳輸層可精由任何氣相沈積方法沈積。在一實施例 中’其藉由在真空下熱蒸鐘來沈積。在一實施例中，最終 層厚度介於1與1 〇〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度 介於1與15 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於15與 3 0 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於3〇與45議之 間。在一實施例中，最終層厚度介於45與6〇 nm之間。在 一實施例中，最終層厚度介於6〇與75 nm之間。在一實施 例中’最終層厚度介於75與9〇 nni之間。在一實施例中， 最終層厚度介於90與1〇〇 nm之間。 電子庄入層可藉由任何氣相沈積方法沈積。在一實施例 中，其藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，真空 129417.doc -51 - 200844212
小於ίο-6托。在一實施例中，真空小於1〇·7托。在一實施 例中，真空小於ΙΟ.8托。在一實施例中，將材料加熱至⑽ °(：至400。(：；較佳150。(：至35(rc之範圍中之溫度。本文中 給出之氣相沈積速率以埃/秒為單位。在一實施例中，材 料以0·5至1〇人/秒之速率沈積。在一實施例巾，材料以u 至1人/心之速率沈積。在一實施例中，材料以1至2人/秒之 速率沈積。在一實施例中，材料以2至3 Α/秒之速率沈 積。在一實施例中，材料以3至4人/秒之速率沈積。在一 實施例中，材料以4至5人/秒之速率沈積。纟一實施例 中，材料以5至6人/秒之速率沈積。在一實施例中，材料 以6至7人/秒之速率沈積。在一實施例中，材料以7至8人/ 秒之速率沈積。在一實施例中，材料以8至9人/秒之速率 沈積。在一實施例中，材料以9至10人/秒之速率沈積。在 一實施例中，最終層厚度介於〇.1與3 nm之間。在一實施 例中最終層厚度介於〇 · i與i賊之間。在一實施例中， 最終層厚度介於#2 nm之間。在一實施例，，最終層厚 度介於2與3 nm之間。 陰極可藉由任何氣相沈積方法沈積。在—實施例中，其 藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。纟-實施例中，真空小於 10·6托。在一實施例中，真空小於1〇-7托。在—實施例 -二】、於1 〇托。在一實施例中，將材料加熱至1 至400°c ;較佳15(TC至35(TC之範圍中之溫度。在一實施 例中，材料以0.5至10人/秒之速率沈積。在一實施例中， 材料以0.5至1人/秒之速率沈積。在一實施例中，材料以工 129417.doc -52- 200844212 至2人/秒之速率沈積。在一實施例中，材料以2至3人/秒之 速率沈積。在一實施例中，材料以3至4人/秒之速率沈 積。在一實施例中，材料以4至5人/秒之速率沈積。在一 實施例中，材料以5至6人/秒之速率沈積。在一實施例 中，材料以6至7人/秒之速率沈積。在一實施例中，材料 以7至8人/秒之速率沈積。在一實施例中，材料以8至9人/ 秒之速率沈積。在一實施例中，材料以9至1 0人/秒之速率 沈積。在一實施例中，最終層厚度介於10與10000 nm之 間。在一實施例中，最終層厚度介於10與1000 nm之間。 在一實施例中，最終層厚度介於1 0與5 0 nm之間。在一實 施例中，最終層厚度介於50與1 00 nm之間。在一實施例 中，最終層厚度介於1 00與200 nm之間。在一實施例中， 最終層厚度介於200與300 nm之間。在一實施例中，最終 層厚度介於300與400 nm之間。在一實施例中，最終層厚 度介於400與500 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介 於500與600 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於600 與700 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於700與800 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於800與900 nm之 間。在一實施例中，最終層厚度介於900與1000 nm之間。 在一實施例中，最終層厚度介於1000與2000 nm之間。在 一實施例中，最終層厚度介於2000與3000 nm之間。在一 實施例中，最終層厚度介於3000與4000 nm之間。在一實 施例中，最終層厚度介於4000與5000 nm之間。在一實施 例中，最終層厚度介於5000與6000 nm之間。在一實施例 129417.doc -53- 200844212 承：、、；層厚度介於6000與7000 nm之間。在一實施例 中’最終層厚度介於7000與8000 nm之間。在一實施例 中’最終層厚度介於8〇〇〇與9〇〇〇 nm之間。在一實施例 中’最終層厚度介於9000與10000 nm之間。 /主思並不需要以上在發明内容或實例中所述之所有行 動’可能不需要特定行動之一部分，且除彼等所描述者之 卜了執行或多個其他行動。另外，列出行動之順序並不 一定為其執行順序。 在上述說明書中，已參照特定實施例描述概念。然而， 一般熟習此項技術者應瞭解，可在不悖離如在以下申請專 利範圍中所閣明之本發明之範疇的情況下，作出各種修正 及夂化。因此，說明書及圖應以說明性而非限制性意義來 看待。且所有該等修正意欲包括在本發明之範疇内。 上文就特定實施例已描述了益處、其它優點及問題之解 :夫方法。然、而’該等益處、優點、問題之解決方法及任何 可此導致任何益處、優點或解決方法出現或變得更明顯之 特徵皆不應、;f見為任何或所有請求項之關鍵性、必、要或必不 可少的特徵。 / 應瞭解’為清晰起見在本文中在獨立實施例之情形中描 述之某些特徵亦可以組合方式提供於單一實施例中。相： 地，為了簡便起見在單一實施例之情形中描述之各種特徵 亦可分開地或以任何再組合方式提供。在本文中指定之各 種，圍中所使用之數值陳述為近似值，此情形如同日戶=述 之範圍内之最小及最大值之前皆有詞語”大約，，一般。以此 129417.doc •54- 200844212 方式，高於及低於所陳述之範圍的細微變化可用於達成與 範圍内之值大體上相同的纟士杲。v 卜 幻、、σ果又，所揭示之此等範圍意 欲為包括介於最小及最大平均值之間之每—值的連續範 圍，包括當-值之某些分量與不同值之彼等分量混合時產 生之分數值。此外，當揭示更廣及更窄之範圍日夺，本發明 涵蓋使-範圍之最小值與另—範圍之最大值匹配且反之亦 然。 【圖式簡單說明】 圖1包括有機電子裝置之一實例之圖解。 熟習此項技術者領會圖中之物體為簡明及清晰起見而予 以說明且不一定按比例繪製。例如，圖中之某些物體之尺 寸可相對於其他物體而誇示以有助於增進實施例之理解。 【主要元件符號說明】 110 120 130 140 150 160 陽極 緩衝層 電洞傳輸層 光敏性層 電子傳輸層 陰極 129417.doc -55-

Claims (1)

  1. 200844212 十、申請專利範圍： 種有機電子裝置，其包含一陽極及一陰極且在彼等極 之間具有有機層，其中該等有機層依序為： 緩衝層’其包含導電聚合物及氟化酸聚合物； 一電洞傳輸層； 光敏性層，其包含摻雜材料及主體材料；及 一電子傳輸層 其中該摻雜材料及該主體材料中之至少一者為稠合多 環芳族化合物。 士明求項1之裝置，其中該摻雜材料及該主體材料皆為 稠合多環芳族化合物。 々明求項1之裝置，其中該摻雜材料具有選自由以下各 >、、、成之群之核心結構：并環戊二烯、茚、萘、奠、庚 :烯伸耳外苯基、不對稱二環戊二稀并苯、對稱二環戍 t烯并笨、乙稀合萘1、丙烯合萘、#、蒽、丙二稀 一苐乙烯合菲、乙烯合蒽、聯伸三苯、芘、荔、并四 2、七曜烯、g、茈、五苯、并五苯、四鄰亞苯、己 ::、稠六苯、玉紅省、蔻、聯三萘、庚芬、并七苯、皮 恩:卵笨、三节基苯、二苯并環庚烧及其組合。 •士明求項3之裝置，其中該核心結構具有至少一個取代 基’其選自院基、烯基、块基、燒氧基、氧基燒基、氧 ^烯基、氧基炔基、氟化燒基、氟化烯基、氣化氧基烧 基、氟化氧基烯基、敦化氧基快基、芳基、雜燒基、雜 稀基、雜炔基、雜芳基、cn、_or、_c〇2R、sr、 129417.doc 200844212 N(R)2、-P(R)2、-SOR、-S02R、-N〇2、-R3-〇h、-CH2 _C6H5、-r3-C(〇)〇 z、_r3 〇 r5、r3_〇_r4_c(〇)〇 z、 -R3-0-Rt 8〇32及 _R3_〇 c(〇) N(R6)2 ;其中所有，R，，基團 在每次出現時相同或不同且·· 以選自烷基及芳基 R為單鍵或伸烧基 r4為伸烷基 R5為烷基 R為氫或烧基 Z為 Η、Li、Na、K、N(R5)4 或 R5。 5·如請求項3之裝置，其中該核心結構具有至少一個二芳 基胺基取代基。 6·如明求項5之裝置，其中該核心結構具有至少一個選自 由以下各基組成之群之額外取代基：胺基、烷基、氟 基、氟烷基、烷氧基、氟烷氧基、芳氧基、氟芳氧基、 氟烧基芳氧基、芳基、氟芳基及氟烷基芳基。 如請求項1之裝置，其中該摻雜物具有選自由以下各物 組成之群之核心結構：蒽、藶、芘、四氫芘、六氫芘、 紅螢烯、環弗辛（periflanthene)、醯亞胺基二苄基、二苯 并旅喃、香豆素，及硼，[(1，2-二氫·2,2，_次甲基二喹啉 根基）（1-)]二敗基衍生物。 8.如請求項7之裝置，其中該核心結構具有至少一個取代 基’其選自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氧基烷基、氧 基烯基、氧基炔基、氟化烷基、氟化烯基、氟化氧基烷 129417.doc -2- 200844212 基、氟化氧基烯基、氟化氧基炔基、芳基、 .X ^ 土雜院基、雜 烯基、雜炔基、雜芳基、-Cn、-〇R、 n •L〇2R、-SR、 N(R)2、·Ρ(Κ)2、-S0R、s〇 R、 2 、-CH2 -C6H5、-R3_C(0)0_Z、_r3_〇 r5、 3 。tc(0)0-z、 _R -〇-R4-so3z及^3-〇π(0)_Ν(Ιι6)2 ; i J /、中所有，’R”基團 在母A出現時相同或不同且： R選自烷基及芳基 R3為單鍵或伸烧基 R4為伸烷基 R5為烷基 R6為氫或烧基 Z為 Η、Li、Na、K、N(R5)4*r5。 9·:請求項3之裝置，其中該摻雜材料包含至少兩個接合 在一起之核心結構。 10.如請求項丨或9之裝置，其中該摻雜材料包含雜環。 n.如請求項1之裝置，其中該主體材料具有選自由以下各 物組成之群之核心結構：并環戊二烯、茚、萘、奠、庚 搭烯、伸聯苯基、不對稱二環戊二烯并苯、對稱二環戊 1烯并笨、乙稀合萘、H、丙稀合萘H、丙二稀 :第、乙稀合菲、乙烯合葱、聯伸三苯、$、篇、并四 笨、七曜烯、茳、茈、五^ — ^ 匹北立本、开五本、四鄰亞苯、己 1、稠六笨、玉紅省、蔻、聯三萘、庚芬、并七苯、皮 恩i卵笨、三苄基苯、二笨并環庚烷及其組合。 如明求項11之裝置，其中該核心結構具有至少一個選自 129417.doc 200844212 由以下各基組成之群之額外取代基：烷基、氟基、氟烷 基、烷氧基、氟烷氧基、芳氧基、氟芳氧基、氟烷基芳 氧基、芳基、氟芳基及氟烷基芳基。 13 ·如請求項1 1之裝置，其中該核心結構具有至少一個取代 基，其選自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氧基烷基、氧 基稀基、氧基快基、氟化烧基、氟化烯基、氟化氧基烧 基、就化氧基烯基、氟化氧基炔基、芳基、雜燒基、雜 烯基、雜炔基、雜芳基、-CN、-OR、-C02R、-SR、 -N(R)2、-P(r)2、-S〇R、_s〇2R、_N〇2、r3〇h、 -C6H5、eR3-C(〇)〇-z、-R3-〇-R5、-R3-〇-R4-C(〇)〇_z、 -r3-〇-r4-s〇3z&-R3-〇-c(o)-n(r6)2 ;其中所有"R”基團 在母次出現時相同或不同且： &選自烷基及芳基 R3為單鍵或伸烷基 R4為伸燒基 R5為垸基 R6為氫或烷基 、Li、Na、κ、N(R5)4 或 R5。 14. 15. 16. 17· 如明求項1 1之裝置，其中該主體材料包含至少兩個接合 在一起之核心結構。 如明求項1或14之裝置，其中該主體材料包含雜環。 求員1之裝置’其中該主體具有選自由薄、笑、 d 篇、四氫芘及六氫芘組成之群之核心結播。 如往、。 、，二，項1之裝置，其中該緩衝層、該電洞傳輪層及該 光敏性層中之至少一者係自液體介質沈積。 0 129417.doc
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