TW200835316A - Solid state imaging device - Google Patents
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Description
200835316 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關包含有光電二極管的主動像素型之像素 部,其二次元地配列成Μ列N行之固體攝像裝置。 【先前技術】 作為固體攝像裝置,周知有運用CMOS技術者,且其中 主動式像素(APS : Active Pixel Sensor)方式係為人所知曉
(爹照專利文獻1)。APS方式的固體攝像裝置,係包含有光 電一極官的APS型其像素部二次元地配列成M列N行,而 财述光電二極管係可產生與入射光強度對應之量的電荷 者,又,於各像素部,係經由電晶體組成的源極隨耦電 路,讓依光入射而以光電二極管產生的電荷,進行電荷· 電壓變換。 另方面,作為固體攝像裝置,被動式像素(ppS : 杜Ve PlXel Sensor)方式亦為周知。pps方式的固體攝像 衣置’係包含有光電二極管的pps型其像素部二次元地配 列m:n行,而前述光電二極管係可產生與入射光強度對 應^量=電荷者’ X,於各像素部,係將依光入射而以光 :::管產生的電荷蓄積於電容單元内,並輸出與該蓄積 包荷ΐ對應的電壓值。 /罟:PS方式的固體攝像裝置相比’ ApS方式的固體攝像 二有it低雜訊之特點。因此固 、口吏用於進仃微弱放射線之拍攝上,譬如包 3 Μ科用途等的醫療用途以及觀察蛋白質構造等的檢驗用 124917.doc 200835316 途。 然而相較於m方式的固體攝像裝置,Aps方式的固體 攝像衣置,係各像素部中所包含的電晶體數目較多,且盘 該等電晶體之閘極端子相連接的控制信號用配線之數㈣ 較夕’因此,控制信號用配線產生斷線的可能性大。而 且’用於醫療用途的固體攝像裝置因光檢測部之面積較 大,因此控制信號用配線產生斷線的可能性大。 故’ APS方式的固體攝像裝置的製造成品率低下。由一 片矽曰曰圓’只能製作出一個具有如用於醫療用途上的大面 積光檢測部之固體攝傻护$ ^ ^ ^ ^ ^ 股攝像A置。②若丢棄控制信號用配線為 斷線的㈣攝像裝置,料致生產效率大幅度降低。因 此,連接於光檢測部中某列的各像素部上之控制信號用配 線斷線時’亦可考慮依與㈣相鄰接之㈣各像素部之資 料’來内插該列之各像素部的資料(參照專利文㈣。 專利文獻1 :曰本專利公開公報特表2〇〇2_5〇5〇〇2號 專利文獻2:日本專利公開公報特表細2」9^^號 【發明内容】 ~ 發明所欲解決之問題 惟,連接於光檢測料某列的各像素部上之控制信號用 配線斷線時,因該斷線導致控制信號變得傳遞不到的像素 部中,電荷會持續蓄積在光電二極管的接合電容部,且該 電荷會浪漏流出到鄰接的像素部。其結果,不僅控制信號 用配線斷線之列,與該列鄰接之列亦變得無法獲得資料,υ 而無法進行如上述之資料内插法。 124917.doc 200835316 本發明係為解決上述問題點而完成者,目的在於提供一 種固體攝像裝置,其係可避免連接於光檢測部中某列的各 像素部上之控制信號用配線斷線時,對鄰接之列的像素部 造成影響者。 ” ° 用以解決課題之方法
本發明之固體攝像裝置係包含有··⑴光檢測部,係分 別包含有下述構件,且MxN個像素部Pmn二次元地配列成 Μ列N行’該等構件為··光電二極管,係產生與入射光強 度相對應之量的電荷者;放大用電晶豸,係輸出與輸入於 閘極端子之電荷量相對應的電壓值者;傳送用電晶體,係 將光電二極管產生的電荷傳送到放大用電晶體之閘極端子 者;放電用電晶體,係讓放大用電晶體之間極端子的電荷 進行放電者;以及選擇用電晶體,係選擇性地輸出由放大 用電晶體所輸出之電壓值者;以及⑺信號讀出部,係讀出 由光檢測部的ΜχΝ個像素部Pm,n中之各個選擇用電晶體所 輸出的電壓值者。惟,M,以上整數,咖以上Μ以 下各整數’ η為1以上Ν以下各整數。 又,本發明之固體攝像裝置包含有:(3)傳送控制用配 線LT,m ’係共通連接光檢測部之第m列的Ν個像素部 中所分別包含的傳送用電晶體之閘極端子;⑷放 電控制用配線W,m,係共通連接光檢測部之第m列的N個像 素部PoO-Pm.N中所分別包含的放電用電晶體之閘極端子; ⑺選擇控制用配線Ls,m係共通連接光檢測部之^列的n 個像素部PnM〜PmN中所分別包含的選擇用電晶體之閑極端 124917.doc 200835316 子;以及(6)列選擇部,係將控制光檢測部之^列的關 像素部Pmj〜Pm,N中所分別包含的傳送用電晶體動作之傳送 控制信號Trans(m),輸出到傳送控制用配線LT,m之第工端, 並將控制光檢測部之第m列的N個像素部p m丨〜p m N中所分 別包含的放電用f晶體動作之放電控制信號以二㈣,輸 出到放電控制用配線LR,m之第㈣,且將控制光檢測部之 第m列的N個像素部ρ ρ φ路八w & ,m,N中所刀別包含的選擇用電晶 體動作之選擇控制信號Select(),輪 输出到選擇控制用配線
Ls,m之第1端。 進而,本發明之固體攝像裝置之特徵在於包含有:⑺ 傳送控制用電阻器,在甘士 ,m係其中一端與傳送控制用配線 LT,m之第2端側連接,另一姓盘 /、肩啟光檢測部之第m列的 N個像素部pm l〜pm N中所分 、, j匕δ的傳迗用電晶體之電位 連接;;以及(8)放電控制用電 阳电阻态RR,m,係其中一端與放 龟控制用配線LR m之第2迪加丨、由h 、,加— ,弟&側連接,另—端與可開啟光檢 測口P之弟m列的N個像素部ρ °1,1 Pm,N中所分別包含的放電 用電晶體之電位連接。。 該固體攝像裝置係APS方式去 式者,且光檢測部中,各個二 二人兀地配列成MxN個像 ρ #丄 豕京抑U〜1Vn,係包含有光電二 泠+ 用電日日體、放電用電晶體、以 及k擇用電晶體。控制傳 τ 、用電日日體動作的傳送控制信號 rans(m) ’係由列選擇部輪 她而々播 出至傳送控制用配線LTm的第1 鸠,而該傳送控制用配線 ’ 列的N個像素部ρ〜ρ φ成、通連接光檢測部之第m 、m>1 m,N所分別包含有的傳送用電晶體 124917.doc 200835316
其閘極端子者。傳送控制用配線LTm之第2端側,係經由傳 送控制用電阻器RT m而與可開啟傳送用電晶體電位相連 接。控制放電用電晶體動作的放電控制信號Reset(m),係 由列選擇部輸出至放電控制用配線LRm的第1端,而該放 電控制用配線LR,m係共通連接光檢測部之第m列的N個像素 部Pm,l〜Pm,N中所分別包含有的放電用電晶體之閘極端子 者。放電控制用配線LR,m之第2端側,係經由放電控制用 電阻器RR,m*與可開啟放電用電晶體電位相連接。控制選 擇用電晶體動作的選擇控制信號Select(m),係由列選擇部 輸出至選擇控制用配線“…的第丨端,而該放電控制用配線 LR,m係共通連接光檢測部之第m列的]^個像素部匕,1〜中 所刀別包含有的選擇用電晶體之閘極端子者,。 該固體攝像裝置中,當第_之傳送控制用配線^或 放電控制用配線LR,m斷線時,由該斷線位置起位在傳送控 制用電阻器RT,m或放電控制用f阻器I側之像素部, 並無法獲得與人射光量相對應的像素資料。惟,由於該等 像:部、中,傳送用電晶奸或放電用電晶體丁3係開啟 狀恶’故電荷不會持續蓄積於光電二極管的接合電容部, 亦不會流出至鄰接像素部。由該結果,對於與傳送控制用 配線^或放電控制用配線、斷線之第m列相鄰接之列, 係可獲得像素資料。心t,由該斷線位置起而位在傳送押 制用配線RT,m或放電控制用配線RRm側之 、之像素資料,係可依該像素部關的像素部之次 料,進行資料内插而加以求得。 、貝 124917.doc 200835316 發明之功效 本發明之固體攝像裝置,在連接於光檢測部中某列的各 像素部上之控制信號用配線斷線時,係可避免對鄰接之列 的像素部造成影響。 【實施方式】 以下,參考添附圖式詳細說明用以實施本發明之較佳形 態。另外,圖式說明中,相同一元件係給予相同一之標
號’並省略重複之說明。 圖1係本實施形態之固體攝像裝置丨的構造圖。該圖所示 之固體攝像裝置1係包含光檢測部1〇、信號讀出部2〇、列 選擇部30及行選擇部4〇。 ―光檢測部1〇係ΜχΝ個像素部Pl,广Pm n二次元配列成_ N仃者。像素部Pm n位於第m列第n行。此處,M,N分別為 2以上整數,mg丨以上Μ以下整數,11為1以上Ν以下整數。 各像素部Pm,n為APS方式,因此其結構相同。 各像素部Pm,n包含有:光電二極管PD ’係產生與入射光 強度對應之量的電荷者;放大用電晶料,係輸出與輸入 於閑極端子之電荷量相對應的電壓值者;傳送用電晶體 丁2,係將光電二極管pD所產生的電荷傳送到放大用電晶體
Tl之閘極端子者;放電用電晶體T3 ,係使放大用電晶體Τι 的閘:端子之電荷放電者;以及選擇用電晶體τ4,:將放 大用電晶體Τ〗所輸出的電壓值,選擇性地輸 被 出用配線、者。 、擇性項 各像素部Pmn中’光電二極管PD係其陽極端子為接地電 124917.doc 200835316 =放大用電晶體Τι係其沒極端子為偏㈣位。傳送㈣ 且1、盾心山2 大用电晶體T】之閘極端子連接, 且八源極鈿子與光電二極管扣之 晶體丁3係其源極端子盘放大用…:子連接。放電用電 “ 、大用电晶體Τι之閘極端子連接, 2沒極端子為㈣電位。選擇用電晶射4係其源極端子 用:二:::源極;;子連接,且其沒極端子與讀出 源。放大二+曰―又,此項出用配線^上’連接有恆流 :。 "θθ體T1以及選擇用電晶體1構成源極隨耦電 人=測部10之第m列的N個像素部匕,〜中所分別包 各的傳达用電晶體T2的閘極端子 τ工, 你精由傳迗控制用配線 “列的關像素部 凡’N中所分別包含的放電用電晶奸的閘極端 猎由放電控制用配線LR,m而相互連接。光檢測部W之 列的N個像素部^,广Pm,N中所分別包含的選擇用電晶體丁 的閘極端子’係藉由選擇控制用配線、而相互連接。再4 者,光檢測部10之第n行的M個像素部Ρι,η〜ρ心中所分別包 含的選擇用電晶體T4的沒極端子,係藉由讀出用配線/ 而相互連接。 〇’η 信號讀出部20係由光檢測部10的各像素部ρ 之弯 電晶體I,讀出輸出至讀出用配線L〇n的電壓值者&且= 個料電路心2lN以及差值運算電路22,保= 电路21!〜21以系具有相同之構造。 列選擇部30,係將控制光檢測部1〇之第m列的N個像素 124917.doc -12- 200835316 部匕,「iVn中所分別包含的傳送用電晶體Τ2動作之傳送和 制信號TranS(m),輸出到傳送控制用配線LT,m之第i端。歹: k擇郤30係、將控制光檢測部1〇之第瓜列的n個像素部 ΡπΜ〜Pm’N中所分別包含的放電用電晶體1動作之放電抑制 信號ReSet(m),輪出到放電控制用配線LR m之第1端。:, 列選擇部3〇 ’係將控制光檢測部1〇之第m列的則固像素部 ,m’N中所刀別包含的選擇用電晶體丁4動作之選擇控制 信號SeleCt(m),輸出到選擇控制用配線Ls,m之第!端/ 通過行選擇部40向信號讀出部2〇所包含的各保持電路 21 n發出輸出控制作骑 兩路虹就⑽-W,藉此,依次輸出Ν個保持 私 1 Ν中分別加以保持的電壓值。 傳送控制用電阻哭R 仫 Μ Μ Μ w RT,m係其中一端連接在傳送控制用配 線LT,m的弟2端側上,另一 力 ^則連接在可讓光檢測部1 〇之第 m列的Ν個像素部ρ ρ 山 ^ τ ΡΡη-〜1^中所分別包含有的傳送用電晶 體丁2為開啟之電位上。 且4電位宜為較傳送控制信號
Trans(m)之高位準更离 °位準。傳送控制用配線LT,m係設 置在列選擇部3 〇盒傳贫扯连 ’ 制邱ιη^ 〜傳运控制用電阻器I之間,且與光檢 及UM 0之弟m列的N個像辛 务I哔Ρπμ〜Pm,N中所分別包含的傳 k用廷日日體I的閘極端子連接。 又’放電控制用電阻哭 在甘| m ^ ^ Ύ ^ R,m係其中一端連接在放電控制 用配線LR,m的第2端側上,一 1Π. ^ ^ 另一‘則連接在可讓光檢測部 10之弟m列的Ν個像素部? 用雷曰舻Τ鬥从 历,1〜1^々中所分別包含有的放電 用冤曰曰體丁3開啟之電位卜 Ώ _ 。且該電位宜為較放電控制信號
Reset(m)之鬲位準更高 <準。放電控制用配線LR,m係設 1249I7.doc 200835316 置在列選擇部30與放電控制用電阻器卩 測部10之第m列的N個像素部p R,m B ’且與光檢 放電用電晶體τ3的閘極端子連接。m’N中所刀別包含有的 圖2係本實施形態之固體攝料置r 持電路21n各自之電路圖。如 …m,n以及保 w圖所不,像素部ρ φ ^ ώ 含有的傳送用電晶體Τ2之閉極 ^ 於ψ 禮、、,m A 係輸入由列選擇部30 輸出到傳达控制用配線L T, m之傳 k ?工制“唬Trans(m),並 經由傳送控制用配線LT,m而盥傳 /、得迗控制用電阻器RTm連 :。象素部、中所包含有的放電用電晶“之閉極端 輸…選擇部3。輸出到放電控制用配線、之放 電控制#號Reset(m),並經由访+ … I、、工由放電控制用配線LR,m而與放 電控制用電阻器RR,m連接。像辛 由私—人+ 体I 4 Pm,n中所包含有的選擇 用電晶體τ4之閘極端子,孫私^ u # Η挪于係輸入由列選擇部30輸出到選擇 控制用配線Ls,mi選擇控制信號Select(m)。 傳迗用電晶體I係將傳送控制信號Trans(m)輸入至其閘 ^端子,且當該傳送控制信號丁咖㈣處於高位準狀態 時,將光電二極管PD所產生之電荷傳送至放大用電晶體L 之閘極端子。放電用電晶體丁3將放電控制信號尺㈣咖)輸 入至其閘極端子,且當該放電控制信號尺以叫㈣處於高位 準狀態時,讓放大用電晶體凡之閘極端子的電荷放電。選 擇用電晶體T4將選擇控制信號“卜叫⑷輸入至其閘極端 子且虽该選擇控制信號Select(m)處於高位準狀態時,將 從放大用電晶體1輸出之電壓值輸出到讀出用配線L〇 n。 如此構成之各像素部Pm n,係藉由傳送控制信號 124917.doc -14- 200835316
Trans(m)為低位準且放電控制信號Reset(m)為高位準,而 讓放大用電晶體Tl之閑極端子的電荷放電,且選擇控制信 唬Select(m)為问位準忪,由處於該初始化狀態的放大用電 晶體Tl所輸出的電壓值(暗信號成分),係經由選擇用電晶 體八而輸出至讀出用配線L〇n。另一方面,當放電控制信 號^咖)為低位準,且傳送控制信號T屬⑽及選擇控 制信號⑽分別為高位準時,光電二極管PD所產生的 電荷係輸入到放大用電晶體Τι之閑極端子,與其電荷量對 ϋ由放大用電晶MTl輸出之電壓值(亮信號成分),則經 由選擇用電晶體丁4而輸出到讀出用配線^η。 邱10::电路2“係二由項出用配線L〇,n,而分別與光檢測 口P 1 0之弟η行的Μ個像辛邱ρ Ό , 之汲極端子相連接,且:中各個選擇用電晶^ , 保持攸像素部卩心之選擇用電晶體 4輸出到讀出用配線乙〇,„的電壓值。伴持 1保持部Κ及第2保持部二路2“包含有第 分別為相同構保持部Μ 部Ρ〜Ρ Λ 亚保持依次由第晴之Μ個像素 1,η Ρ]νι,η中各個選擇用雷曰㈣τ 輸出其所保持之電: 4所輸出之電職,並可 第Η呆持部Hl包含有開關^、開關請… 件C,。電容元件ci其中-端設為接地電位,另—端則二 開關,而與讀出用配線L〇 n連接,並經 、、: 值運异電路22連接。開關SWut控於二、差 holdl而進扞η μ 呆持L·制信號 出的輸出= 開關SWl2受控於自行選擇部如輸 出“仏號刪put(n)而進行開關動作。如前述構成 124917.doc -15- 200835316 之第1保持部,在開關SWll由關閉狀態轉換為開啟狀態 %,係將當時經由讀出用配線L0 n而輸入之電壓值保持在 電谷7G件Ci中。再者,第i保持部Ηι在開關SWi2為關閉 0守’係將保持在電容元件C1中的電壓值輸出到差值運算電 路22。 第2保持部H2包含有開關SWn、開關sW22、以及電容元 件C2。電谷元件C2其中一端設為接地電位,另一端則經由 開關與讀出用配線L〇,n連接,並經由開關SW22與差 值運异電路22連接。開關3界21受控於第2保持控制信號 hold2而進行開關動作。開關SW22受控於自行選擇部4〇輸 出的輸出控制信號011印加(11)而進行開關動作。如前述構成 2第2保持部H2,在開關SW”由關閉狀態轉換為開啟狀態 寸係將田經由碩出用配線L〇,n而將輸入之電壓值保持 在電谷凡件C2中。再者,第2保持部&在開關gw”為關閉 N*係將保持在電容元件C2中的電壓值輸出到差值運算電 路22 〇 第1保持^ 及第2保持部Η,係分別以不同的時序進行動 作。例如,第i保持部Hl係在經由讀出用配線L〇>加以連 接的像素部pm,n中,當傳送控制信號Trans(m)為低位準, 且,電控制信號Reset(m)以及選擇控制信號^⑽㈣分別 為同位準牯,輸入並保持由放大用電晶體丁1輸出的電壓值 (暗信號成分)。另-方面,第2保持部關在經由讀出用 配線L。,,而加以連接的像素部pm,n中,當放電控制传號 R_t(m)為低位準,且傳送控制信號Trans(m)以及選擇= 1249I7.doc -16 - 200835316 制信號Select⑻分別為高位準時,輸入並保持由放大用電 晶體T!輸出的電壓值(亮信號成分)。 差值運算電路22係輸入由咖保持電路21l〜21n中之各個 第^保持部H】及第2保持部H2依次輸出之電壓值(亮信號成 分、暗信號成分),並輸出與該等差值(亮信號成分—暗信 — 號成分)對應之電壓值。 '本實施形態之固體攝像裝置1,係藉由對列選擇部30、 行選擇部40、以及固體攝像裝置r整體動作進行控制的 控制部’而受到控制並加以動作。需要與第瓜列之n個像 素。卩Pm’l〜Pm,N中之各個入射光量相對應的電壓值時,首 先,由列選擇部30而對於第瓜列各像素部pmn,係經由傳 送控制用配線LT,m而給予傳送用電晶體I之閘極端子一傳 送控制信號Trans(m),並經放電控制用配線LR m而給予放 電用電晶體T3之閘極端子一放電控制信號以如㈣,再經 選擇控制用配線Ls,m而給予選擇用電晶體T4之閘極端子一 | 選擇控制信號Select(m)。 根據以上,由第m列之各像素部Pmn向讀出用配線乙⑬輸 出電壓值(亮信號成分、暗信號成分),且該等電壓值(亮信 號成分、暗信號成分)係藉由保持電路21n之第1保持部^ '及第2保持部Η2加以保持。且根據行選擇部4〇之指示,依 ••人輸出保持於Ν個保持電路21广2 ιΝ中各個第i保持部Ηι及 第2保持部Hz内的電壓值(亮信號成分、暗信號成分),並 由差值運算電路22輸出與其等之差值(亮信號成分一暗信 號成分)所對應之電壓值。 124917.doc -17· 200835316 如此,可獲得與第m 入鼾氺旦斟旛夕中 中的^固像素部Pm,i〜Pm,N各自之 入射光里對應之電壓值時, 目之 …列中的_像素部P ”同樣也可取得與:欠1 m+ U〜Pm+ 1N各自之入射夯旦心 應之電壓值。藉由對所有列進行此動作,可 = 達光檢測部l〇2MxN個像 ,、刀別到 應的電壓值,而獲得攝像資料。 里相對 =上所述,本實施形態之固體攝像裝Μ中, 傳,制用配線LTm係設置於列選擇部赠傳送控制用^ 阻窃RT,m之間,且與光檢測部10之篦. 书
Pm,l〜Pm,N中所分別包含有之偉、、, 、固像素部 』匕3有之傳迗用電晶體T2之閘極 1接。傳送控制W阻器h係其中-端與傳送控制用: 21由接,另一端則連接於可開啟傳送用電晶體T2p 列之傳送控制用配線^在某個位: …“,由該斷線位置起而位在列選擇部 : 部^,係可依據由列選擇部3G所給予之傳送控制=
Trans(m)而正常地進行動作。另-方面,由斷線位置= 位在傳达控制用電阻側之像素部 選擇部聰予傳送控制信號τ叫m),但可經 = 用電阻器RT,m而將預定電位給 、、控制 T2之閘極端子,藉此,傳送用電至心用電晶體 、 f、用冤日日體τ2轉為開啟狀態。 同樣地’本實施形態之固體攝像裝置1中,第出列之放 電控制用配線、係設置於列選擇部3〇與放電控制用電阻 益mi,且與光檢測部1G之第m列的n個像 Pm’AM所分別包含有之放電用電晶體T3之閑極端子相 124917.doc 200835316 連接。放電控制用電阻器RRm係其中一端與放電控制用配 線LR,m連接,另一端則連接於可開啟放電用電晶體t之電 位上。由此,當第m列之放電控制用配線LR,m在某個位置 發生斷線時,由該斷線位置起而位在列選擇部3〇側之像素 部Pm,n,係可依據由列選擇部3〇所給予之放電控制信號 Reset㈣而正常地進行動作。另—方面,由斷線位置起而° 位在放電控制用f阻器RR,m側之像素部bn,雖無法由列 k擇。P 30給予放電控制信號Reset(m),但可經由放電控制 用電阻器1^而將預定電位給至信號傳送至放電用電晶體 T3之閘極端子,藉此,放電用電晶奸轉為開啟狀態。 本實施形態之固體攝像裝置i中,第_之傳送控制用 配線LT,m或放電控制用配線^發生斷線情況時,由該斷 線位置起而位於傳送控制用電阻器I或放電控制用電阻 器:R,m側之像素部Pm,n,並無法獲得與入射光量對應的像 素貧料。惟,該等像素部pmn中,因傳送用電晶體丁2或放 電_曰體I係開啟狀態,故電荷不會持續蓄積於光電二 極官PD之接合電容部’且前述電荷亦不會流出至鄰接像素 部。由該結果,對於與傳送控制用配線LT,m或放電控制用 配線、斷線時之“列相鄰接之列’係可以獲得像素資 二。故,由斷線位置起而位於傳送控制用電阻器、或放 :控制用電阻器RR,m側之第瓜列的像素部I之像素資料, ^依據該像素部周圍的像素部之像素資料,藉由進行資 料内插而加以求得。 、 【圖式簡單說明】 124927.doc -19- 200835316 圖1係本實施形態的固體攝像裝置1之構造圖。 圖2係本實施形態的固體攝像裝置1之像素部Pm,n及保持 電路2、各自之電路圖。 【主要元件符號說明】 1 固體攝像裝置 " 10 光檢測部 , 20 信號讀出部 21 保持電路 ® 22 差值運算電路 30 列選擇部 40 行選擇部 PD 光電二極管 Τι 放大用電晶體 Τ2 傳送用電晶體 Τ3 放電用電晶體 ⑩ Τ4 選擇用電晶體 LT,m 傳送控制用配線 LR,m 放電控制用配線 L S,m 選擇控制用配線 * L 〇, n 讀出用配線 RT,m 傳送控制用電阻器 Rr, m 放電控制用電阻器 124917.doc -20-
Claims (1)
- 200835316 十、申請專利範圍: 1· 一種固體攝像裝置,其特徵為包含有·· 光檢測部,係分別包含右 3有下述構件,且MXN個像素部 m’n—次7C地配列成Μ列N行,該等構件為: 光電二極管,係產生盘也 • 生興入射先強度相對應之量的電 放大用電晶體,係輸出與輸入於閘極 相對應的電壓值者; 何里,傳送用電晶體,係將上述光電二極管產生之電荷傳 送到上述放大用電晶體之閘極端子者; 放电用電晶體,係讓±述放Α用電晶體之閘極端子 的電荷放電者;及 選擇用電晶冑,係選擇性地輸出由上述放大用電晶 體所輸出之電壓值者,· 佗唬喝出部,係讀出由上述光檢測部之上述個像 素邛Pm,n中之各個選擇用電晶體所輸出的電壓值者; 傳送控制用配線LT,m,係共通連接上述光檢測部之第 歹J的N個像素部pm,i〜N中所分別包含的上述傳送用電 晶體之閘極端子; 放電I工制用配線LR m,係共通連接上述光檢測部之第 m列的N個像素部Pm,i〜N中所分別包含的 上述放電用電 晶體之閘極端子; 選擇控制用配線Ls,m,係共通連接上述光檢測部之第 m列的>ΗϋΗ象素部中所分別包含的上述選擇用電 124917. doc 200835316 日日體之間極端子; 列選擇部,係將控制上述光檢測部之第⑺列的N個像素 部PmfP^N中所分別包含的傳送用電晶體動作之傳送控 制信號Trans(m) ’輸出到上述傳送控制用配線之第1 端,並將控制上述光檢測部之第m列的^^個像素部 Pm,l〜Pm,N中所分別包含的放電用電晶體動作之放電控制 信號Reset(m) ’輸出到上述放電控制用配線之第^ 端,且將控制上述光檢測部之第m列的^^個像素部 pm,l〜Pm’N中所分別包含的上述選擇用電晶體動作之選擇 控制信號Seiect(m),輸出到上述選擇控制用配之 第1端; s’m< 傳送控制用電阻器RT,m,係其中一端與上述傳送控制 用配線LT,m之第2端側連#,另一端肖可開啟上述光檢測 部之第m列的N個像素部中所分別包含的上述傳 送用電晶體之電位連接;及 放電控制用電阻器RR m,係其中一端與上述放電控制 用配線LR,m之第2端側連#,另—端與可開啟上述光檢測 部之第m列的N個像素部中所分別包含的上述放 電用電晶體之電位連接(其中,M,陶以上整數,爪為 1以上Μ以下之各整數,ngi以上N以下之各整數)。 124917.doc
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